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RESPOSTAS AO ROTEIRO
FÍSICA EXPERIMENTAL
SEMESTRE – 2024.1
DATA: 20 / 03 / 2024
1.
O LDR (Resistor Dependente de Luz) é um componente eletrônico que varia sua resistência com base
na intensidade da luz que incide sobre ele. Quando partículas de luz (fótons) atingem a superfície do
sensor, os elétrons no material semicondutor são liberados e isso aumenta a condutividade do LDR e
diminui sua resistência elétrica. Em condições normais (sem muita luz), o LDR tem alta resistência. À
medida que a intensidade da luz aumenta, sua resistência diminui proporcionalmente. Portanto, em
ambientes escuros, a resistência do LDR é máxima, enquanto em ambientes claros, sua resistência é
muito menor.
Comparando os dados coletados pelo grupo em relação as medidas de tensão e corrente do LDR claro
para o LDR escuro, houve uma redução percentual média de 99,4%.
Dentre outras.
2.
Como foi mostrado nos resistores acima, todos mostram um comportamento ôhmico. Isso foi
evidenciado pela relação linear entre a corrente e a tensão aplicada, indicando que a resistência do
dispositivo permanece constante em nossa faixa de medição.
FIGURA 05: Diodo 01
Segundo o gráfico é mostrado que para tensões abaixo de 0,5V a corrente permanece próxima de
zero, indicando uma região de corte, na qual o diodo 01 não conduz corrente significativa. No entanto,
para tensões acima de 0,5V, a corrente aumenta rapidamente, sugerindo uma região de condução na
qual o diodo permite um fluxo significativo de corrente.
Esse comportamento mostra que o diodo não exibe um comportamento ôhmico. Em vez disso, mostra
características típicas de um diodo semicondutor, onde a corrente flui apenas em uma direção e a
relação entre corrente e tensão não é linear.
Ao analisar o gráfico, podemos observar que a relação entre a corrente e a tensão é linear e direta.
Conforme a tensão aumenta, a corrente também aumenta de forma proporcional. Esse
comportamento indica um dispositivo com características ôhmicas.
É possível ver pelo gráfico que quando chega perto do zero a linha da uma queda brusca, mas a
relação entre essas duas variáveis é linear e direta, o que sugere que o dispositivo possui
características ôhmicas.
3. Nos metais, os elétrons da última camada eletrônica encontram-se ligados de forma tênue aos
átomos individuais, conferindo-lhes a capacidade de movimentar-se com relativa liberdade. Com o
aumento da temperatura, a amplitude do movimento dos íons da rede cristalina se intensifica,
resultando em uma restrição maior à mobilidade dos elétrons livres. Em termos simples, isso implica
que a resistividade cresce conforme a temperatura aumenta.