Departamento de Sistemas

Eletrônicos

Etapas de Processo (Teoria)

Litografia

Katsuhiro
 Litografia ou microlitografia
O objetivo da litografia é a obtenção de uma máscara de resiste contendo
padrões geométricos que constituem os dispositivos semicondutores
(transistores, diodos, resistores e capacitores) e linhas de interconexão.
A máscara de resiste protege regiões do filme fino ou do substrato contra a
corrosão, que é geralmente a etapa de processo subsequente à litografia
para remover as regiões não protegidas pela máscara.

Resiste
SiO2 SiO2
Litografia

Si Si

Resiste Corrosão
Remoção
SiO2 SiO2
do resiste

Si Si
Litografia
Fluxo de desenvolvimento de um circuito integrado
Exemplo de leiaute de um circuito integrado
Exemplo de leiaute de um circuito integrado
Exemplo de leiaute de um circuito integrado
Obtenção de fotomáscaras a partir do leiaute
Utilização das fotomáscaras no processo de fabricação de CI
Exemplo de utilização da litografia
 Litografia
 Existem basicamente três tipos de litografia:
 Litografia óptica.
- Utiliza luz ultravioleta (UV) na exposição do resiste.
- É a litografia mais utilizada na microeletrônica
devido ao seu baixo custo.
 Litografia por feixe de elétrons.
- Utiliza feixe de elétrons na exposição do resiste.
- É utilizada na fabricação de fotomáscaras e
protótipos de dispositivos para teste.
 Litografia por raios X.
- Utiliza raios X na exposição do resiste.
- Encontra aplicação na fabricação de micromáquinas
(MEMS).
 Litografia Óptica

 O resiste utilizado na litografia óptica recebe a denomi-

nação de fotorresiste, pois a exposição do resiste é
realizada com luz ultravioleta (fótons).

 O fotorresiste é composto por:

 uma matriz polimérica (resina).

 um composto fotoativo (PAC - Photo Active Compound).

 um solvente.
 Tipos de fotorresiste
Fotorresiste positivo

 matriz polimérica: Novolac (resina)

 composto fotoativo: diazonaftoquinona (DNQ)
 solvente: lactato de etila (C5H10O3)
 A exposição à luz UV quebra o polímero.
 A parte exposta se torna solúvel ao revelador.
 Transfere a mesma imagem que está na fotomáscara.
 Imagem positiva
 Adequado para dimensões reduzidas.
 Apresenta melhor resistência à corrosão.
 Apresenta baixa adesão à lâmina de silício.
 Tipos de fotorresiste
Fotorresiste negativo

 matriz polimérica: Poli (cis-isopreno)

 composto fotoativo: bis (aryl azida)
 solvente: xyleno (C8H10)
 A exposição à luz UV causa a polimerização.
 A parte exposta se torna insolúvel ao revelador.
 Transfere imagem contrária a que está na fotomáscara
 Imagem negativa
 Apresenta melhor adesão à lâmina de silício.
 Adequado para dimensões maiores que 2mm.
 Ocorre inchamento reduzindo a resolução.
Fotorresiste positivo vs. fotorresiste negativo
Substrato Limpeza

Aplicação do
Substrato fotorresiste
UV
Fotomáscara Exposição
Substrato

Fotorresiste positivo Fotorresiste negativo

Imagem
Substrato Substrato
latente

Substrato Revelação Substrato

 Fotomáscara
 A fotomáscara é composta por uma placa de vidro de quartzo ou de vidro
óptico e a região opaca é feita de cromo. A fotomáscara pode ser obtida
com litografia por feixe de elétrons ou gerador de padrões.
Fotomáscara
 Litografia por feixe de elétrons
 A litografia por feixe de elétrons permite a obtenção de fotomáscaras com
dimensões menores que 10 nm.
 Gerador de padrões (pattern generator)
 O gerador de padrões a laser (litografia a laser) permite a obtenção de
fotomáscaras com dimensões de até 500 nm.
 Etapas da litografia óptica
 Limpeza: remove particulados e contaminações;
Limpeza  Desidratação: remove umidade em estufa a
150ºC;
Desidratação  Aplicação do promotor de aderência (HMDS-hexametil-
 disilazano): para substratos que apresentam baixa aderência;
Aplicação do Resiste
 Aplicação do fotorresiste: é feita por meio de um
spinner (3000-5000rpm; 1mm);
Soft Bake
 Soft bake: tratamento térmico para remoção do
Alinhamento solvente (90-100ºC; 10-30min);
 Alinhamento: alinha a fotomáscara;
Exposição  Exposição: cria uma imagem latente por meio da
 exposição do fotorresiste à luz UV;
Revelação  Bake pós-exposição: elimina os efeitos da onda estacionária;
 Revelação: remove o fotorresiste exposto
Enxágue
(positivo) ou não-exposto (negativo);
Hard bake  Enxágue: remove o revelador em água;
 Hard bake: tratamento térmico para estabilizar o
fotorresiste e melhorar a aderência (100-140ºC; 10-30min).
Aplicação do fotorresiste (spinner)
 Fases da aplicação do fotorresiste no spinner

Parado

 2 rotações

 30 rotações

 100 rotações

 As bordas devem ser removidas por meio de jato ou

spray de solvente.
Espessura do fotorresiste em função da rotação do spinner
A espessura do fotorresiste depende da viscosidade e
da velocidade de rotação.
 Hexametildisilazano (HMDS)

 O hexametildisilazano (HDMS) é utilizado como

promotor de aderência em superfície que apresentam
baixa aderência do fotorresiste.
 A baixa aderência se deve à presença de ligações OH
em superfícies geralmente oxidadas.
 O HMDS substitui as ligações OH, melhorando a
aderência do fotorresiste.
Efeito do promotor de aderência (HMDS)
 Alinhamento
Alinhamento é a etapa da litografia na qual a fotomáscara
é alinhada com a estrutura existente na lâmina.

Estrutura na lâmina

Marcas de alinhamento

Estrutura na fotomáscara

Fotomáscara posicionada
sobre a lâmina

Fotomáscara alinhada com

a estrutura na lâmina
 Marcas de alinhamento
Global: situadas em dois chips perto da borda da lâmina.

Local: situadas dentro de cada chip.

Erros de alinhamento: erro de deslocamento
 Métodos de exposição do fotorresiste
 Exposição por contato:

 A fotomáscara é colocada em contato com o

fotorresite.
Problema: a fotomáscara danifica com o tempo.

 Exposição por proximidade:

 A fotomáscara é colocada próxima ao fotorresite.

Problema: perda de resolução.

 Exposição por projeção:

 A fotomáscara é colocada longe do fotorresite e o

padrão é projetado por meio de lentes. A projeção
pode ser de 1:1, 4:1, 5:1 ou 10:1.
 Métodos de exposição do fotorresiste

Contato Proximidade Projeção

Gap
Equipamento de litografia óptica por contato/proximidade
(alinhadora)
 Perfil de distribuição da intensidade luminosa
(Efeito da difração da luz)

Luz incidente

Difração

Consequência:
Perda de resolução
Equipamento de litografia por projeção (stepper)
Equipamento de litografia por projeção (stepper)

Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography

Equipamento de litografia por projeção (stepper)
Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography
Litografia por projeção (stepper)
 Litografia por projeção (stepper)

 Step and repeat M:1:

 O padrão na fotomáscara é 4, 5 ou 10 vezes
maior que a estrutura do dispositivo.

 Step and repeat 1:1:

 O padrão na fotomáscara tem a mesma
dimensão da estrutura do dispositivo.

 Step-scan M:1:
 É realizada uma varredura do chip
projetando partes da fotomáscara
de cada vez.
 Conceitos básicos em litografia óptica
 Resolução (Dmín):
 É a dimensão mínima que pode ser distinguida em
uma estrutura.
 Segundo o critério de Rayleigh, a resolução é dada
por:
𝝀
𝑫𝒎í𝒏 = 𝟎, 𝟓
𝑵𝑨
Portanto, a resolução depende do comprimento de onda
(l) e da abertura numérica da lente (NA).
Para aumentarmos a resolução (diminuir Dmín), devemos:
 Diminuir o comprimento de onda (l);
 Aumentar a abertura numérica da lente (NA).
𝝀
Na prática: 𝑫𝒎í𝒏 = 𝒌 𝑵𝑨 onde k = 0,3 a 0,8.
 Conceitos básicos em litografia óptica
 Abertura numérica da lente (NA):
 É dada por:
𝑵𝑨 = 𝒏 × 𝒔𝒆𝒏 𝜽
ou
𝑫
𝑵𝑨 = 𝒏 ×
𝟐𝒇
Portanto, a abertura numérica depende do índice de refração (n),
do diâmetro da lente (D) e da distância focal da lente (f).
Para aumentarmos a abertura numérica (NA), devemos:
 Aumentar o índice de refração (n);
 Aumentar o diâmetro da lente (D);  Lentes grandes
 Diminuir a distância focal da lente (f).
 Curvatura maior
 Causa aberração esférica.
 Conceitos básicos em litografia óptica
 Profundidade de foco (DOF – Depth Of Focus):
 É a profundidade em que a imagem se mantém em
foco. É dada por:

𝝀
𝑫𝑶𝑭 = 𝒌 ×
𝑵𝑨𝟐

Logo, em sistemas litográficos de alta resolução, temos

uma profundidade de foco bastante reduzida.
Portanto, devemos garantir uma espessura uniforme do
fotorresiste, realizando o aplainamento da lâmina por meio
de polimento químico-mecânico (CMP – Chemical-Mecha-
nical Polishing).
Efeito da profundidade de foco (DOF - depth of focus)
Tipos de ultravioleta utilizados na litografia óptica
Espectro de emissão de uma lâmpada de mercúrio
 Litografia de imersão (Immersion Lithography)

 Utiliza um fluido como a água ou

outro de alto índice de refração
entre a lâmina (fotorresiste) e a
lente.
 Melhora a resolução em 30 a 40%.
 Aumenta a profundidade de foco
(DOF) em 40 a 70%.
Litografia de imersão (Immersion Lithography)
Evolução da litografia
 Formação das ondas estacionárias
As ondas estacionárias se formam como resultado da interferência
entre a luz incidente e a luz refletida na interface fotorresiste-substrato.
Como resultado, as paredes laterais do fotorresiste ficam onduladas.

Existem basicamente três soluções para esse problema:

- Recozimento pós-exposição: tratamento térmico após a exposição.
- Utilização de fotorresistes com corante: ocorre maior absorção de luz.
- Utilização de camadas anti-refletivas: filmes orgânicos (polímeros) ou
inorgânicos (TiN, TiW, etc).
Efeito do recozimento pós-exposição
Efeito da camada anti-refletiva (ARC)
Fotomicrografias de padrões de fotorresiste