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Apostila Analogica I
Apostila Analogica I
Sumrio
1 Estudo dos fenmenos eltricos ............................................................................... 1 1.1 1.2 Introduo .......................................................................................................... 1 As principais grandezas eltricas ....................................................................... 1 Carga eltrica .............................................................................................. 1 Tenso ou diferena de potencial ............................................................... 1 Corrente eltrica ......................................................................................... 2 Potncia eltrica .......................................................................................... 2 Energia eltrica ........................................................................................... 3
Introduo eletrnica ............................................................................................. 4 Caractersticas dos materiais quanto conduo eltrica .................................. 4 Noes de fsica dos semicondutores. ............................................................... 4 Semicondutor tipo n. .................................................................................. 6 Semicondutor tipo p. .................................................................................. 6 Camada de depleo ................................................................................... 7 O smbolo do diodo. ................................................................................... 8 Caractersticas da juno do diodo. ............................................................ 8 Polarizao do diodo .................................................................................. 8 Diodos retificadores. ................................................................................. 10 LED. ......................................................................................................... 10 Diodo Zener. ............................................................................................. 11
2.2.1 2.2.2 2.3 2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4 2.3.5 2.3.6 2.3.7 2.4 3 3.1
Lista 1 de Exerccios Eletrnica Analgica ..................................................... 12 Modelo de pequenos sinais e sua aplicao. .................................................... 13 Primeira aproximao ............................................................................... 13 Segunda aproximao ............................................................................... 13 Terceira aproximao ............................................................................... 13
3.3.1
3.3.2 Retificador de onda completa com transformador com derivao central (Center Tap). .......................................................................................................... 16 3.3.3 3.4 3.5 Retificador de onda completa em ponte. .................................................. 17 Reguladores a Zener. ....................................................................................... 18 Circuitos limitadores de tenso. ....................................................................... 19 Ceifador srie. ........................................................................................... 19
3.5.1
II 3.5.2 3.6 3.7 3.8 4 4.1 4.2 4.3 Ceifador paralelo. ..................................................................................... 20
Circuitos grampeadores. .................................................................................. 20 Circuitos multiplicadores de tenso ................................................................. 21 Duplicador de tenso ................................................................................ 21 Lista 2 de Exerccios Eletrnica Analgica ..................................................... 23 Estrutura fsica e modos de operao............................................................... 27 Operao do transistor NPN no modo ativo. ................................................... 28 Anlise de circuitos em CC.............................................................................. 30 Parmetro ............................................................................................... 30 Parmetro ............................................................................................... 30
3.7.1
Configurao emissor-comum ......................................................................... 31 Configurao coletor-comum .......................................................................... 32 Transistor PNP. ................................................................................................ 32 Lista 3 de Exerccios Eletrnica Analgica ..................................................... 33 Como determinar o ponto de operao do transistor. ...................................... 34 Os parmetros que devem ser conhecidos ................................................ 35 Polarizao fixa ........................................................................................ 35 Determinando a reta de carga. .................................................................. 36
Polarizao CC do transistor TBJ ........................................................................... 34 5.1.1 5.1.2 5.1.3 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6
Polarizao estvel do emissor. ....................................................................... 36 Polarizao universal ou por divisor de tenso. ............................................... 37 Polarizao por realimentao do coletor. ....................................................... 38 O transistor como chave. ................................................................................. 39 Lista 2 de Exerccios Eletrnica Analgica ..................................................... 40 Principais caractersticas .................................................................................. 42 O JFET. ............................................................................................................ 42 Estrutura do JFET. .................................................................................... 42 Caractersticas e operao fsica do JFET. ............................................... 43 Estrutura, caractersticas e operao fsica do MOSFET tipo depleo. .. 43
O MOSFET. ..................................................................................................... 43
III
Lista de Figuras
Figura 1 - Fora eltrica na Lei de Coulomb .................................................................... 1 Figura 2 - Bandas de energia dos materiais. ..................................................................... 4 Figura 3 - Modelo de tomo segundo Bohr ...................................................................... 5 Figura 4 - tomos de Silcio e Germnio ......................................................................... 5 Figura 5 - Dopagem com impureza doadora (tomo de fsforo, P, pentavalente). .......... 6 Figura 6 - Dopagem com impureza aceitadora (tomo de boro, B, trivalente). ............... 7 Figura 7 - Cristal pn no instante de sua formao. ........................................................... 7 Figura 8 - Cristal pn depois da difuso, aparece a camada de depleo ........................... 7 Figura 9 - Smbolo do diodo. ............................................................................................ 8 Figura 10 - Diodo 1N4007 ............................................................................................... 8 Figura 11 - Diodo 1N4148 ............................................................................................... 8 Figura 12 - Diodo polarizado diretamente. ....................................................................... 9 Figura 13 - Diodo polarizado reversamente. .................................................................... 9 Figura 14 - Curva do diodo ............................................................................................ 10 Figura 15 - Estrutura e smbolo do LED ........................................................................ 11 Figura 16 - Fotos de alguns tipos de LED ...................................................................... 11 Figura 17 - Smbolo do diodo Zener. ............................................................................. 11 Figura 18 - Curva caracterstica do diodo Zener. ........................................................... 11 Figura 19 - Circuito para estudo da linha de carga. ........................................................ 14 Figura 20 - Linha de carga do diodo............................................................................... 14 Figura 21 - Circuito de Meia-onda. ................................................................................ 15 Figura 22 - Retificador de Meia-onda durante o semiciclo positivo. ............................. 15 Figura 23 - Retificador de Meia-onda durante o semiciclo negativo. ............................ 15 Figura 24 - Forma de onda do retificador de Meia-onda. ............................................... 16 Figura 25 - Retificador de onda completa com transformador center tap...................... 16 Figura 26 - Funcionamento do retificador com center tap para o semiciclo positivo. ... 16 Figura 27- Funcionamento do retificador com center tap para o semiciclo negativo. ... 17 Figura 28 - Circuito retificador em ponte. ...................................................................... 17 Figura 29 - Funcionamento do retificador em ponte para o semiciclo positivo. ............ 17 Figura 30- Funcionamento do retificador em ponte para o semiciclo negativo ............. 18 Figura 31 - Circuito bsico de um regulador de tenso com zener. ............................... 18 Figura 32 - Equivalente do diodo zener.......................................................................... 19 Figura 33 - Circuito ceifador srie. ................................................................................. 19 Figura 34 - Formas de onda da entrada e sada para o ceifador srie. ............................ 19
IV Figura 35 - Circuito ceifador paralelo. ........................................................................... 20 Figura 36 - Formas de onda da entrada e sada para o ceifador paralelo. ...................... 20 Figura 37 - Circuito grampeador. ................................................................................... 20 Figura 38 - Funcionamento do grampeador, primeiro com diodo ligado e depois com diodo desligado. .............................................................................................................. 21 Figura 39 - Circuito duplicador de tenso. ..................................................................... 21 Figura 40 - Estados e operao do circuito dobrador. .................................................... 21 Figura 41 - Circuito triplicador ou quadruplicador de tenso. ....................................... 22 Figura 42 - Primeiro transistor criado em 1947. ............................................................. 27 Figura 43 - Tipos de transistor TBJ. ............................................................................... 28 Figura 44 - Estruturas das junes do transistor NPN. ................................................... 28 Figura 45 - Esquema didtico e simbologia do transistor. ............................................. 29 Figura 46 - Polarizao base comum para transistor npn. .............................................. 29 Figura 47 - Curva caracterstica do transistor para configurao base-comum. ............ 30 Figura 48 - Configurao emissor-comum para transistor TBJ npn. ............................. 31 Figura 49 - Curvas caractersticas de um npn emissor-comum. (a) a curva de entrada e (b) a curva de sada. ........................................................................................................ 32 Figura 50 - Configurao coletor-comum para transistor TBJ npn. ............................... 32 Figura 51 - Pontos de operao do circuito. ................................................................... 34 Figura 52 - Circuito polarizao fixa. ............................................................................. 35 Figura 53 - Reta de carga para polarizao fixa. ............................................................ 36 Figura 54 - Polarizao estvel de emissor. ................................................................... 37 Figura 55 - Polarizao universal ou por divisor de tenso. ........................................... 37 Figura 56 - Circuito equivalente para determinar a tenso Thvenin de entrada. .......... 38 Figura 57 - Circuito equivalente Thvenin de entrada. ................................................... 38 Figura 58 - Polarizao por realimentao de coletor. ................................................... 39 Figura 59 - Transistor funcionando como chave. ........................................................... 39 Figura 60 - Estrutura do JFET canal n. ........................................................................... 42 Figura 61 - Smbolo do JFET (a) canal n e (b) canal p. ................................................. 43 Figura 62 - Estrutura do MOSFET de depleo canal n................................................. 43 Figura 63 - Smbolo do MOSFET de depleo. ............................................................. 44 Figura 64 - Estrutura do MOSFET de intensificao canal n......................................... 44 Figura 65 - Smbolo do MOSFET de intensificao. ..................................................... 44
Prefcio
O objetivo desta apostila de auxiliar os alunos dos cursos tcnicos de Eletrnica e Eletrotcnica no estudo da disciplina de Eletrnica Analgica I da UNIVERSIDADE FEDERAL DE VIOSA - CAMPUS FLORESTAL. Em momento algum, pretende-se com este material substituir a bibliogrfica bsica e complementar. Foi feito um resumo de cada tpico para facilitar o entendimento dos pontos mais relevantes. Como referncias para elaborao desse material foram usados os livros: Malvino, Albert Paul. Eletrnica. Volume I, 2 Edio. Editora McGraw-Hill. Boylestad, Robert e Nashelsky, Louis. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 6 Edio. Editora LTC. Um grande nmero de figuras utilizadas neste material foram copiadas do livro do Boylestad. Assim, desde j declaro a no propriedade sobre as mesmas. Est apenas uma primeira verso, no sendo realizada uma reviso mais criteriosa do material. Desta forma, correes e sugestes so bem vindas e podem ser encaminhadas para o responsvel pela elaborao do material. Desejo que este material possa contribuir de forma agradvel e eficiente para a formao dos alunos desses cursos. Seja bem vindo a disciplina e ao curso.
PROFESSOR WANDERSON FERREIRA DE SOUZA Coordenador do Curso Tcnico de Eletrnica UFV-Campus Florestal wanderson.souza@ufv.br
1.1 Introduo
Sabemos que a unidade fundamental da matria o tomo. Este tomo constitudo por partculas fundamentais, conhecidas como: prtons, eltrons e neutros. Onde, Prtons: carga eltrica positiva (+) Coulombs); Eltrons: carga eltrica negativa (-) Coulombs); Nutrons: no possuem carga. Todos os valores de carga so mltiplos inteiros destas cargas elementares.
1.2.2 Tenso ou diferena de potencial definido pela Lei de Coulomb, que estabelece que em torno de um corpo carregado aparece um campo eltrico. Esse campo capaz de exercer uma fora de atrao ou repulso sobre uma carga colocada na sua presena, a depender da polaridade das cargas envolvidas. Imaginando um espao conforme mostra a Erro! Fonte de referncia no encontrada. possvel elaborar as seguintes consideraes. -F A B + Q2 F
Q1
+
r
1-1
Onde, k a constante eletrosttica [N.m2/C2], Q1 e Q2 so as cargas eltricas [C] ou [Coulombs], r a distncia entre as cargas [m]. Sobre a carga Q2 haver uma fora de repulso, F. A fora F criada pelo campo eltrico realizar trabalho ao deslocar a carga Q2 de A at B. Pode ser definido como tenso ou diferena de potencial como a capacidade de realizar trabalho sobre uma carga eltrica. Assim, na Erro! Fonte de referncia no encontrada. tem-se:
1-2
Onde, VA a tenso no ponto A [V] ou [Volts], VB a tenso no ponto B t TAB o trabalho realizado para deslocar a carga eltrica de A para B [J] ou [Joules]. Da definio acima, vemos que a unidade da tenso o 1J/1C, est unidade denominada de 1 Volt = 1 V. Por fim, podemos dizer que 1 Volt a energia necessria para realizar um trabalho de 1J sobre um carga de 1C. 1.2.3 Corrente eltrica A corrente eltrica o deslocamento de carga que ocorre quando um campo eltrico estabelecido sobre um condutor qualquer. Essa corrente pode ser da forma contnua (I) ou alternada (i), dependendo do campo eltrico responsvel. Nos metais, a corrente eltrica constituda por eltrons livres em movimentos. A intensidade da corrente eltrica a relao entre a variao de carga (Q), sobre a seco (S) em um intervalo de tempo (t). Assim,
1-3
Onde, Q a variao de carga na seco S sobre o intervalo t [C], t a variao de tempo observada [s], Sentido Convencional = mesmo do campo eltrico (+) Sentido Real = oposto ao campo eltrico (-) 1.2.4 Potncia eltrica Potncia a razo pela qual alguma coisa absorve ou libera energia. a medida de quo rpido um equipamento eletroeletrnico transforma energia, realiza trabalho. A unidade de potncia o Watt (W) e representada pela varivel P. Assim,
1-4
Como,
tem-se
1-5
Se um trabalho de 1J for realizado em um intervalo de 1s ento a potncia envolvida de 1W. 1.2.5 Energia eltrica o que os consumidores compram das companhias de energia eltrica, por exemplo, CEMIG. A sua intensidade a medida do trabalho que pode ser realizado. Sendo assim, pode tambm ser entendida como por quanto tempo uma determinada potncia pode ser alimentada, suprida. A sua unidade o Joule e representada pela varivel E.
1-6
Devido ao Joule ser uma unidade muito pequena, as companhias de fornecimento de energia eltrica geralmente utilizam o kWh (quilo watts por hora).
2 Introduo eletrnica
Nesta unidade sero estudados os dispositivos semicondutores, classificados como dispositivos do estado slido. Para uma melhor compreenso do funcionamento destes dispositivos, ser feita uma breve reviso sobre a conduo eltrica nos materiais, como so formados os semicondutores tipo n e tipo p e como um diodo de juno.
A Erro! Fonte de referncia no encontrada. apresenta as bandas de energia dos materiais quanto a sua conduo eltrica. A banda de valncia a orbita mais externa do tomo. Para que um tomo esteja em uma condio eltrica estvel um tomo deve possuir na sua banda de valncia 8 eltrons. Esta capacidade de conduzir corrente eltrica depende do nmero de eltrons livres do material. Por exemplo, o tomo de cobre (condutor) possui um eltron livre. Este eltron percorre uma rbita muito grande (alto nvel de energia) e sente pouca atrao do ncleo. Em um fio de cobre os eltrons livres esto em uma banda de energia chamada banda de conduo. Ao se aplicar um campo eltrico a este fio, provoca-se a circulao de uma corrente eltrica.
Uma forma de representar um tomo em duas dimenses mostrada na Figura 4, que mostram os tomos de silcio e germnio. O tomo de silcio possui 14 prtons no ncleo e os eltrons esto distribudos em 3 camadas, sendo que a ltima camada possui 4 eltrons na ltima camada. O tomo de germnio possui 32 prtons no ncleo, sendo os seus eltrons distribudos em 4 camadas, tendo tambm 4 eltrons na ltima camada. Por essa razo, tanto o silcio quanto o germnio, semicondutores, so chamados de tomos tetravalentes. sabido que um tomo para estar em uma condio quimicamente estvel necessrio estar com 8 eltrons na sua banda de valncia, assim os semicondutores esto exatamente no meio dessa condio, pois possui 4 eltrons na camada de valncia. Assim, os semicondutores poderiam tanto perder 4 eltrons quanto ganhar 4 eltrons. Diferentemente, os condutores possuem no mximo 3 eltrons na sua ltima camada e tendem a perder esses eltrons da ltima camada para se tornarem estveis. No caso dos isolantes, no metais, esses possuem 5, 6 ou 7 eltrons na sua ltima camada e assim tenderiam a receber eltrons para ficarem em uma situao estvel.
O silcio, na forma cristalina pura a 0 K, possui todos os eltrons em seus nveis mais baixos de energia. Na medida em que a temperatura aumenta, a energia trmica pode elevar alguns eltrons at a banda de conduo, onde eles podem se deslocar mais facilmente. Neste caso, o eltron que vai para a banda de conduo deixa uma lacuna na de valncia. As lacunas agem como cargas positivas, equivalem a uma ausncia de eltron. Aplicando um campo eltrico neste material os eltrons se movem para o lado positivo da bateria e as lacunas para o negativo, mas, no entanto, a 25C, observa-se apenas uma corrente muito pequena. Ele no nem isolante nem condutor, um semicondutor. No cristal puro o nmero de lacunas igual ao nmero de eltrons livres. Neste caso o semicondutor chamado semicondutor intrnseco. Para uso prtico o semicondutor intrnseco no teria nenhuma funcionalidade, ento para permitir o seu uso existe a dopagem, que consiste na introduo de impurezas para aumentar o nmero de eltrons livres e de lacunas. Um cristal dopado um semicondutor extrnseco.
Para se conseguir mais eltrons na banda de valncia, acrescentam-se tomos pentavalentes ao silcio. O tomo pentavalente forma ligaes covalentes com tomos de silcio, mas fica com um eltron extra, sem combinar. Este eltron vai para a banda de conduo. Com este procedimento, a banda de conduo fica com muitos eltrons, enquanto a da valncia fica com poucas lacunas. Neste semicondutor: Os eltrons so chamados portadores majoritrios, pois esto em maioria. As lacunas so chamadas portadores minoritrios. Observaes: - Os tomos pentavalentes so chamados doadores; - Semicondutor tipo n significa negativo; - Como impurezas doadoras podem-se citar: arsnio, antimnio e fsforo.
2.2.2 Semicondutor tipo p. Para se conseguirem mais lacunas acrescentam-se tomos trivalentes ao silcio. O tomo trivalente forma ligaes com apenas 3 eltrons do tomo de silcio, deixando um eltron do tomo de silcio sem combinar, uma lacuna. No semicondutor tipo p a banda de conduo fica com poucos eltrons enquanto a banda de valncia fica com muitas lacunas. Neste semicondutor: As lacunas so os portadores majoritrios e os eltrons so os portadores minoritrios. Observaes: - Os tomos trivalentes so impurezas aceitadoras; - O nome semicondutor tipo p, refere-se a positivo. - Exemplo de impurezas aceitadoras: alumnio, boro e glio.
2.3.1 Camada de depleo Com a juno, os eltrons livres do material tipo n se movem atravs desta e se combinam com lacunas do material tipo p. Quando isto ocorre, desaparece a lacuna e o tomo que recebeu eltrons torna-se um on negativo; o que perdeu eltrons torna-se um on positivo. Quando a juno formada h uma corrente inicial chamada corrente de difuso. Devido s ligaes covalentes, os ons ficam fixos e no podem se deslocar, como os eltrons livres. Aps algum tempo, a regio prxima juno fica sem eltrons livres e sem lacunas. Esta regio chamada camada de depleo, como mostrada na Figura 8. Esta camada torna-se uma barreira contra a difuso de eltrons por meio do cristal. A diferena de potencial nela chamada barreira de potencial.
O diodo, um cristal pn, visto na Figura 9. Um dos seus terminais recebe o nome de anodo (A) e o outro de catodo (K).
2.3.3 Caractersticas da juno do diodo. Como dito a juno do diodo formada quando se junta uma regio dopada do tipo p com outra dopada do tipo n, entre essas regies, conhecida com juno aparece uma camada de depleo, que responsvel por criar uma barreira de potencial. O valor dessa barreira de potencial depende do tipo de semicondutor que o diodo construdo. Ento a 25C tem-se: - Diodo de silcio, Si 0,7V. - Diodo de germnio, Ge 0,3V. 2.3.4 Polarizao do diodo O diodo um dispositivo de dois terminais e sendo assim pode ser polarizado de duas formas, quando um potencial positivo aplicado ao anodo (A) e negativo no catodo (K), polarizao direta; ou quando um potencial negativo aplicado ao anodo (A) e positivo no catodo (K), polarizao reversa. 2.3.4.1 Polarizao direta. Polarizando-se o diodo diretamente, h passagem de corrente porque os eltrons so repelidos pelo terminal negativo e atravessam a juno, chegando at as lacunas. No semicondutor tipo p, estes eltrons se recombinam com as lacunas e se deslocam na camada de valncia, atravessando o cristal, saindo deste e chegando ao polo positivo da bateria. Em resumo: - Os eltrons saem do terminal negativo da fonte. - Percorrem a regio n como eltrons livres. - Prximo juno, recombinam e se tornam de valncia. - Passam pela regio p como de valncia. - Saem do cristal como eltrons livres e vo ao polo positivo da bateria.
2.3.4.2 Polarizao reversa. A polarizao reversa consiste em conectar ao material tipo n (negativo) o polo positivo da bateria e ao tipo p (positivo) o negativo da bateria. Assim: - Os eltrons livres se afastam na regio n em direo ao terminal positivo da fonte. - Os eltrons que saem deixam mais ons positivos na regio de depleo. - As lacunas que saem deixam mais ons negativos nesta regio. - A regio de depleo fica mais larga. - Ela interrompe o aumento quando sua diferena de potencial se igualar da fonte. - S existir uma pequena corrente reversa da ordem de 0,1A para o silcio e de 1A para o germnio, devido aos portadores minoritrios, chamada Corrente de Saturao Reversa. - Alm dessa corrente existe outra, muito pequena tambm, na superfcie do cristal, chamada Corrente de Fuga Superficial.
2.3.4.3 Tenso de ruptura Se a tenso reversa aumentar muito, o diodo passar a conduzir uma elevada corrente no sentido reverso, sendo danificado. Tenso de ruptura aquela que rompe a barreira de potencial. Para diodos retificadores, normalmente, esta tenso maior que 50V. No se permite, na maioria dos diodos, que a tenso chegue ao valor de ruptura, atravs do projeto de um circuito adequado. No h nenhuma varivel padro de identificao da tenso de ruptura, depende da folha de dados do fabricante. Assim para tem-se as seguintes: VBR: tenso de ruptura PIV: tenso reversa de pico VBV: tenso de ruptura VRM: tenso reversa mxima PRV: tenso reversa de pico
Um diodo age de forma a deixar passar corrente quando polarizado no sentido direto, e a bloquear a conduo de corrente ao ser polarizado no sentido inverso. Com esta propriedade ele opera como elemento retificador (alm de outras aplicaes). No caso do diodo, ao polarizarmos no sentido direto ele conduz corrente de maneira exponencial em funo da tenso aplicada, conforme mostra o grfico da Figura 14. Para altas polarizaes a expresso para a corrente mostrado na Equao 2-1.
2-1
Onde, I a corrente no diodo [A], I0 a corrente de saturao [A], q a carga do eltron ( 1,6x10-19 C), V a tenso aplicada [V], k a constante de Boltzmann ( 1,38x10-23 J/K), T a temperatura da juno em kelvin [K].
A curva caracterstica do dispositivo descreve a relao tenso-corrente em um diodo. Observa-se que, em polarizao direta, o diodo no conduz intensamente, at a barreira de potencial (no caso: V0). A partir deste ponto (tenso de joelho ou tenso de limiar), a corrente aumenta rapidamente. Em polarizao reversa, a corrente de fuga muito pequena at certo limite, quando cresce rapidamente (ruptura).
2.3.6 LED. O LED (Lighting Emission Diode) o diodo emissor de luz. Atualmente tem crescido muito o interesse o emprego de dispositivos que emitem luz quando devidamente polarizados. Quando uma juno pn polarizada diretamente, h dentro da estrutura, principalmente prximo da juno uma recombinao de eltrons e lacunas. Na recombinao a energia do eltron livre ser transferida para outro estado. Na juno pn parte de energia ser dissipada na forma de calor e outra na forma de ftons. No silcio e no germnio parte dessa energia ,
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basicamente, transformada em calor e os ftons emitidos so insignificantes. Para o caso, por exemplo, do arsenieto de glio (GaAsP) ou fosfeto de glio (GaP), o nmero de ftons da energia luminosa suficiente para criar uma luz bem visvel. O processo de emisso de luz aplicando uma fonte de energia eltrica chamado de eletroluminescncia.
2.3.7 Diodo Zener. A regio zener a regio onde ocorre a avalanche, como mostrado pela Figura 14. Observa-se que para valores maiores que VZ a curva cai quase verticalmente. Nesta condio observa-se que a corrente que passa pelo diodo tem um sentido contrrio ao diodo polarizado diretamente. Para que o diodo Zener funcione necessrio que restries de corrente sejam atendidas. A corrente dever ser maior que um valor mnimo IZmin e menor que um valor mximo IZmax, isso limita a potncia dissipada por este diodo.
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1. Como surgiu a teoria do fluxo convencional? Para o circuito abaixo represente o fluxo de corrente real (eltrons) e convencional.
2. O que vem a ser uma fonte de tenso ideal? Represente uma fonte de tenso real e trace o grfico da corrente de carga.
13. Cite alguns dos tipos de diodos existentes? 14. Qual a principal aplicao dos diodos?
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3.1.2 Segunda aproximao O diodo modelado por uma chave em srie com a bateria de valor igual VD. Quando polarizado diretamente a chave est fechada tendo a bateria em srie. Nesta condio, a tenso sobre o diodo permanece a mesma independente do valor da corrente. O funcionamento de uma chave aberta quando polarizado reversamente. Essa aproximao mais usada em circuitos eletrnicos de baixa tenso.
3.1.3 Terceira aproximao Essa a aproximao mais perto da curva real. O diodo modelado por uma chave em srie com uma bateria e um resistor. O resistor usado para indicar a caracterstica de linearidade entre a tenso e corrente quando o diodo entra em conduo. Assim, quando o diodo est polarizado diretamente a chave fecha, quando a tenso for maior ou igual VD e ter uma queda de tenso dependente da corrente. Essa aproximao usada quando se trabalha com resistores de preciso e pequenos valores de tenso e corrente.
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Pela curva do diodo, observa-se que a corrente no circuito poder crescer rapidamente aps ser vencida a barreira de potencial. Para se limitar o valor desta corrente, conveniente a utilizao de um resistor, o resistor R1 da Figura 19. Esse resistor recebe o nome de resistor limitador. Para o traado desta reta, tomam-se seus os valores extremos, ou seja, supondo-se tenso zero no diodo determina-se o ponto de corrente mxima. Supondo-se corrente zero, determina-se a tenso mxima. Assim, para V=0 (ponto nas ordenadas):
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Durante o semiciclo positivo sinal de entrada o diodo estar polarizado diretamente e conduzir, assim, a tenso de entrada vi aparecer na sada, sobre o resistor R, verifique pela Figura 22.
Quando for o semiciclo negativo o diodo estar polarizado reversamente e se comportar como uma chave aberta. Nessa condio no haver corrente no circuito e a tenso de sada ser zero, como mostra a Figura 23.
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3.3.2 Retificador de onda completa com transformador com derivao central (Center Tap). O retificador de onda completa com transformador com derivao central, conhecido como center tap, mostrado na Figura 25. Nesse circuito um elemento que deve ser destacado o transformador com dois enrolamentos de secundrio iguais. Ele indispensvel para o funcionamento do circuito.
Da mesma forma, a anlise do circuito pode ser feita em dois momentos, quando o semiciclo do sinal de entrada positivo e quando negativo. Para o semiciclo positivo o funcionamento do circuito pode ser explicado pela Figura 26.
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Para o semiciclo negativo, o funcionamento do circuito pode ser entendido pela Figura 27.
Figura 27- Funcionamento do retificador com center tap para o semiciclo negativo.
3.3.3 Retificador de onda completa em ponte. O terceiro retificador a ser estudado tambm um retificador de onda completa. A diferena mais importante em relao ao outro retificador de onda completa que ele no precisa de um transformador no circuito para o funcionamento. Para circuitos de baixa potncia essa uma vantagem interessante. Outra caracterstica desse circuito a necessidade de quatro diodos, que somente preocupante para circuitos de grandes potncias. Considere o circuito mostrado na Figura 28 para analisar o retificador.
Dois tambm so os momentos de anlise do circuito. Para o semiciclo positivo do sinal de entrada o funcionamento segue a
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Observe que neste tipo de retificador sempre se tem dois diodos conduzindo conjuntamente.
O resistor R no circuito da Figura 31 necessrio para limitar a corrente sobre o zener dentro de limiares aceitveis. A tenso sobre a carga, RL, ser a tenso sobre o diodo zener. Um fator limitante do funcionamento desse diodo a mxima potncia que ele capaz de suportar, PZM. A potncia sobre ele dever ser sempre menor que este valor.
3-1
Para o estudo do funcionamento do circuito necessrio modelar o dispositivo. A Figura 32 (a) mostra o equivalente do diodo quando ele est ligado e a (b) quando o diodo est desligado. Ento, para analisar o circuito com zener basta substituir o dispositivo pelo seu devido modelo e proceder anlise do circuito.
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As formas de onda da entrada e sada para vrios sinais mostrada na Figura 34.
O circuito do limitador de tenso paralelo apresentado na Figura 35. Verifica-se que o diodo est em paralelo com a sada.
As formas de onda da entrada e sada para vrios sinais mostrada na Figura 36.
Para facilitar o entendimento do funcionamento do circuito, a Figura 38 mostra os dois momentos de funcionamento.
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Figura 38 - Funcionamento do grampeador, primeiro com diodo ligado e depois com diodo desligado.
Para facilitar o entendimento do circuito o estudo dos estados de funcionamento eficiente, verifique atravs da Figura 40. No primeiro semiciclo o diodo D1 conduz e o D2 no, ento o capacitor C1 carrega com a tenso de pico do secundrio do transformador, Vm. No seguinte semiciclo o diodo D2 que conduz e faz com que o capacitor C2 carregue com o dobro da tenso no secundrio do transformador, 2Vm.
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como se fosse uma extenso do circuito duplicador de meia onda. Esse circuito pode ser estendido de forma a obter 5, 6 ou mais vezes o valor da tenso de entrada. A mostra a forma desse circuito.
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2. Para o diodo 1N914 determine a sua resistncia direta, sabendo que os seus valores tpicos de corrente e tenso direta so respectivamente de 10mA e 0,65V.
3. Para o diodo 1N914 determine a sua resistncia reversa, sabendo que os seus valores tpicos de corrente e tenso reversa so respectivamente de 25nA e 20V.
4. Para os circuitos abaixo, sabendo que a tenso direta dos diodos de 0,7V, determine a corrente e a potncia sobre os diodos e tenso sobre a carga.
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10. Determine a forma de onda da sada e a tenso PIV para cada diodo.
11. (a) Esboce a forma de onda da sada e determine o valor do sinal CC para o caso do diodo ideal e para o diodo de silcio. (b) Agora considere Vm = 200V e refaa o pedido no item (a).
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14. Explique o funcionamento do retificador de onda completa com transformador com derivao central.
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4 Transistores bipolares
Durante o perodo de 1904 a 1947 a vlvula foi sem dvida o dispositivo de interesse e desenvolvimento. Em 23 de dezembro de 1947, a indstria eletrnica estava prestes a descobrir uma linha de dispositivos completamente novos. Foi durante tarde do dia 23 de dezembro de 1947 que o mundo conhecia o transistor, o primeiro amplificador eletrnico de estado slido. Mais do que substituir as vlvulas eletrnicas, o transistor logo se revelaria como uma das ferramentas mais importantes j criadas pelo homem. A humanidade nunca mais seria a mesma depois dele. Walter H Brattain e John Bardeen demonstraram a funo de amplificao do primeiro transistor, nos laboratrios da companhia Bell Telephone. O primeiro transistor media cerca de 1,5 centmetro e no era feito de silcio, mas de germnio e ouro, montado sobre suportes de plstico, conforme mostra a Figura 42.
Os transistores fabricados em escala industrial hoje medem 45 nanmetros, mais de 330.000 vezes menores. Em escala de laboratrio, os cientistas j conseguiram fabricar transistores moleculares, centenas de vezes ainda menores.
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A estrutura de um transistor do tipo npn mostrada na Figura 44. Percebe-se uma disposio especfica de cada regio, quanto questo de rea de silcio e dopagem das regies. A regio mais estreita e menos dopada conhecida como Base e fica entre as duas outras regies. A regio mais extensa conhecida como Coletor. O Emissor conhecido assim por ser a regio mais fortemente dopada, por fornecer os portadores para iniciar a operao do transistor.
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Para fazer o estudo das regies de operao do transistor considere a polarizao mostrada na Figura 46. Essa polarizao conhecida como base comum, ou seja a base comum a circuito de entrada (base-emissor) e ao circuito de sada (base-coletor).
A regio de saturao uma regio que caracteriza por apresentar altas correntes de coletor (sada) sob baixas quedas de tenso de coletor para a base (VCB). Para estar nessa regio, o transistor dever estar com ambos os diodos polarizados diretamente. O transistor nessa regio comporta-se como se fosse uma chave fechada, Na regio ativa o transistor est com o diodo base-emissor polarizado diretamente e o diodo base-coletor reversamente. Essa uma regio especial de operao, pois permite o transistor amplificar de maneira linear um sinal de entrada. Nessa regio a corrente de sada (IC) permanece constante mesmo com a variao da tenso entre coletor e base (VCB). Por fim, a regio de corte ocorre quando ambos os diodos esto polarizados reversamente. Assim, no haver corrente passando pelo componente. Ele atuar como se fosse uma chave aberta. Mesmo com tenses entre coletor e base altas o dispositivo no conduz. Ento, podemos dizer que o transistor, dada a sua polarizao, pode operar como elemento amplificador de sinal, quando polarizado na regio ativa, ou como elemento chaveador, quando a sua polarizao alternar entre a saturao e corte.
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4.3.2 Parmetro No estudo das relaes entre IC e IB existe o parmetro . Ele dado pela Equao 4-2.
4-2
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Esse parmetro na prtica varia entre 50 a 400. Nas folhas de dados, normalmente, o parmetro referido como hFE. Conhecida a Lei de Kirchhoff da corrente possvel estabelecer outras relaes matemticas dos parmetros do transistor. Tem-se:
4-3
e
4-5
Em relao ao transistor TBJ de silcio do tipo npn tambm pode ser estabelecido: e
Duas so as curvas usadas para determinao de parmetros dessa configurao. Uma curva que relaciona a corrente de entrada (IB) em funo da tenso base-emissor (VBE). Essa a curva de entrada. A curva de sada contm trs informaes importantes. A corrente de sada (IC) em funo da corrente de entrada (IB) e da tenso de sada (VCE). A Figura 49 ilustra essas curvas.
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Figura 49 - Curvas caractersticas de um npn emissor-comum. (a) a curva de entrada e (b) a curva de sada.
Do ponto de vista de projeto no h necessidade de um conjunto de curvas caractersticas para a configurao coletor-comum. Ele pode ser feito utilizando as curvas da configurao emissor-comum, conforme visto na seo anterior.
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1. Utilizando as curvas caractersticas da Figura 47 determine a corrente de coletor para (a) IE=3mA e VCB=10V e (b) IE=4mA e VCB=2V.
3. Quais so os tipos de transistores bipolares de juno? Descreva a constituio bsica de cada um. Desenhe o smbolo grfico de cada um.
4. Com relao estrutura do transistor identifique cada uma das regies, destacando as suas caractersticas.
6. Em relao a curva caracterstica do transistor identifique cada uma das regies e determine as polarizaes de cada uma.
7. Desenhe um circuito na configurao base-comum, emissor-comum e coletor-comum. Identifique o sentido convencional das correntes.
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preciso conhecer exatamente o ponto em que o transistor est funcionando. Esse ponto pode ser conhecido cruzando os dados fornecidos pelo fabricante, atravs das folhas de dados, com as condies do circuito em que o transistor se encontra. Para conseguir isso ento, faz-se mo de duas curvas principais da curva caracterstica do transistor com a curva de reta de carga. A interseo dessas duas curvas estabelece o ponto de operao do circuito.
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Para as seguintes relaes considere que se trata da anlise de um TBJ do tipo npn. Relaes bsicas de um transistor:
5.1.2 Polarizao fixa O circuito mostrado na Figura 52 uma boa configurao para se iniciar o estudo para determinar o ponto de operao de um transistor. Essa configurao do tipo emissorcomum. usada uma nica fonte de tenso para polarizar o circuito de entrada e sada. Atravs do resistor RB polariza-se a base e atravs do resistor RC polariza-se o coletor.
Ento,
5-1
Como, Assim,
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Atravs das equaes 5-1 e 5-2 possvel conhecer as grandezas do circuito, para isso necessrio apenas que se conhea o parmetro do transistor. 5.1.3 Determinando a reta de carga. A reta de carga, conforme mostrado na Figura 53, determinada a partir das equaes do circuito. sabido que para determinar uma reta so necessrios conhecer pelo menos dois pontos. A curva utilizada a apresentada na Equao 5-2. Primeiro ponto: Para IC=0 tem-se VCE=VCC. Segundo ponto: Para VCE=0 tem-se IC=VCC/RC. Os dois pontos determinados estabelecem a reta de carga do circuito que mostrada na Figura 53.
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Ento,
5-4
Para resolver este circuito necessrio determinar os seus parmetros de entrada. Um mtodo para resolver o circuito de entrada aplicando Thvenin nele.
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Como fica
5-5.
assim,
5-6.
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5-7.
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3. Baseado nas leituras do circuito determine se ele est funcionando adequadamente e caso no esteja aponte o problema.
5. Estabelea IC, VCC, e RB para o circuito (b) da figura acima. Para os problemas seguintes considere o circuito mostrado a seguir.
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7. Determine ICsat para o circuito. 8. (a) Determine IC e VCE para o circuito. (b) Faa = 120 e determine os novos valores de IC e VCE.
9. Utilizando as curvas caractersticas, determine a forma de onda na sada do circuito e determine IB, IBmx e ICsat quando Vi=10V.
10. Para a polarizao fixa, considere VCC = 12V, RB = 240k, RC = 2,2k e =50. Calcule ICQ, VCEQ, VB, VC e VBC. Determine a reta de carga do circuito.
12. Mostre porque o ponto de operao do circuito polarizao por divisor de tenso no depende muito do .
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6.2 O JFET.
O transistor de efeito de campo de juno pode ser do tipo canal p ou canal n. 6.2.1 Estrutura do JFET.
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6.3 O MOSFET.
O transistor de efeito de campo metal-xido semicondutor possuem duas formas de funcionamento, podendo ser: MOSFET de depleo ou MOSFET de intensificao. Semelhante ao JFET os MOSFETs podem ser do tipo canal p ou canal n. 6.3.1 Estrutura, caractersticas e operao fsica do MOSFET tipo depleo.
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