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TERMINOLOGIAS

As definições a seguir são conhecidas por todos que intervêm, diretamente ou


indiretamente, no campo da instrumentação industrial, e têm como objetivo a
promoção de uma mesma linguagem técnica.

Então, vamos começar:

SISTEMA DE UNIDADES:
Conjunto das unidades de base e unidades derivadas, definido de acordo com
regras específicas, para um dado sistema de grandezas.

Exemplos:

a) Sistema Internacioanl de Unidades SI;

b) Sistema de Unidades CGS.

EXATIDÃO DE MEDIÇÃO
Grau de concordância entre o resultado de uma medição e um valor verdadeiro do
mensurando.

Observações:

1) Exatidão é um conceito qualitativo.

2) O termo precisão não deve ser utilizado como exatidão.

FAIXA DE MEDIÇÃO (RANGE):


Conjunto de valores da variável analisada, compreendido dentro do limite inferior e
superior da capacidade de medida ou de transmissão do instrumento.

É expresso determinando-se os valores extremos.

Exemplo:

100 ~ 500 °C; 0 ~ 20 psi; –30 ~ 30 mmH2O.


ALCANCE (SPAN):
É a diferença algébrica entre o valor superior e inferior da faixa de medida do
instrumento.

Exemplo:

Um instrumento com range de 100 a 250°C, possui Span = 150 °C

ERRO:
Resultado de uma medição menos o valor verdadeiro do mensurando. Ou seja, é a
diferença entre o valor lido ou transmitido pelo instrumento, em relação real da
variável medida.

ZONA MORTA:
É o maior valor de variação que o parâmetro medido possa alcançar, sem que
provoque alteração na indicação ou sinal de saída de um instrumento (pode ser
aplicado para faixa de valores absolutos do range do mesmo). Está relacionada a
folgas entre os elementos móveis do instrumento, como engrenagens.

Exemplo:

Um instrumento com “range” de 0 a 200 °C possui uma zona morta de ± 0,1 % do


span.

± 0,1 % = (0,1 / 100 x 200) = ± 0,2 °C

Portanto, se a variável alterar em 0,2 °C, o instrumento não apresentará resposta


nenhuma.

SENSIBILIDADE:
É a razão entre a variação do valor indicado ou transmitido por um instrumento e a
da variável que o acionou, após ter alcançado o estado de repouso. Denota a
capacidade de resolução do dispositivo.

Exemplo:

Um termômetro de vidro com “range” de 0 a 500 °C, possui uma escala de leitura
de 50 cm.
Sensibilidade = (50 / 500 cm)/°C = 0,1 cm/°C

HISTERESE
É a diferença máxima apresentada por um instrumento, para um mesmo valor, em
qualquer ponto da faixa de trabalho, quando a variável percorre toda a escala nos
sentidos ascendente e descendente ou é o desvio porcentual máximo com o qual,
para uma mesma variável (por exemplo vazão), uma indicação do valor
instantâneo afasta-se do outro, dependendo de ter sido alcançado a partir de
valores maiores ou menores.

Exemplo:

Num instrumento com “range” de 0 a 200 °C mostrado na Figura seguinte, a


histerese é de 0,2 %.

REPETITIVIDADE (PRECISÃO):
É o desvio porcentual máximo com o qual uma mesma medição é indicada,
tomando-se todas as condições como exatamente reproduzidas de uma medida
para outra. Expressa-se em porcentagem do span.

Um instrumento com “range” de 0 a 1000 L/ min, ± 0,1% do span (o que


corresponde a ± 1 L/min), se a vazão real na primeira passagem ascendente for
750 L/min e o instrumento indicar 742 L/min, numa segunda passagem ascendente
com vazão real de 750 L/min o instrumento indicará 742 ± 1 L/min. Observar que o
termo Repetitividade não inclui a Histerese.

Medida materializada (ex. massa marcada), instrumento de medir


ou sistema de medição destinado a definir, realizar, conservar ou
Padrão reproduzir uma unidade ou valores conhecidos de uma grandeza a
fim de transmití-los por comparação a outros instrumento de
medir.
Padrão que possui as mais altas qualidades metrológicas em um
Padrão primário
campo específico.
Padrão cujo valor é determinado por comparação com o padrão
Padrão secundário
primário.
Padrão reconhecido por um acordo internacional para servir
Padrão internacional internacionalmente de base no estabelecimento dos valores de
todos os demais padrões da grandeza a que se refere.
Padrão reconhecido por uma decisão nacional oficial em um país
Padrão nacional para servir de base no estabelecimento dos valores de todos os
demais padrões da grandeza a que se refere.
Aferição Conjunto de operações que estabelece, em condições específicas,
a correspondência entre os valores indicados por um instrumento
de medir ou por um sistema de medição ou por uma medida
materializada e os valores convencionais correspondentes da
grandeza medida. O resultado de uma aferição permite
determinar a diferença entre a indicação e o verdadeiro valor da
grandeza medida.
Conjunto de operações que estabelece, em condições específicas,
a correspondência entre o estímulo e a resposta de um
instrumento de medir, sistema de medição ou transdutor de
medição. O resultado de uma calibração pode permitir a
Calibração
determinação de um ou mais parâmetros da curva característica
que relaciona o estímulo à resposta ou os valores de grandezas
correspondentes às divisões de escalas indefinidas de um
instrumento de medir.

Quantização da Energia e surgimento das bandas de energia


em sólidos
A Equação de Schrödinger nos mostra que ao confinar o movimento de elétrons a uma região
limitada do espaço esses podem ocupar apenas estados discretos de energia, dizemos que
esses possuem energia quantizada.

[editar]Oque ocorre então quando átomos se agrupam formando um


sólido?
Os elétrons de cada átomo em um sólido estão sujeitos à interação com os átomos vizinhos.
Ao aproximarmos um átomo isolado a outros, os níveis de energia de cada um são perturbados
levemente pela presença do vizinho pois o Princípio de Exclusão de Pauli não permite que
ocupem níveis de energia iguais. Se aproximarmos um grande número de átomos, teremos um
grande número de níveis de energia próximos uns dos outros, formando uma "banda de
energia" quase contínua no lugar dos discretos níveis de energia que os átomos teriam
individualmente.

[editar]Condutores, Isolantes e Semicondutores


Figura 1: Representação esquemática dos níveis individuais de energia ocupados por elétrons no zero absoluto,
onde EF é o mais alto nível ocupado.

Dentro de um sólido as energias possíveis dos elétrons estão agrupadas em bandas permitidas
separadas por bandas proibidas devido à periodicidade do potencial criado por íons em sólidos.
A Figura 1 mostra a representação das bandas de energia em um sólido.

As bandas de energia mais profundas completamente ocupadas por elétrons são chamadas
de bandas de valência, essas são inertes do ponto de vista elétrico e térmico. Correspondem
aos níveis atômicos de energia mais baixa apenas levemente afetados pela presença de outros
átomos no cristal. A banda parcialmente preenchida é chamada debanda de condução.

Para um sólido em que o nível de energia mais alto ocupado EF no zero absoluto está
localizado dentro de uma banda permitida os elétrons podem então ser acelerados livremente
desde que os níveis de energia mais altos sejam acessíveis a esses, esse é um condutor. Em
um condutor os elétrons com mais altas energias se comportam aproximadamente como se
fossem partículas livres.

Em um sólido em que o estado fundamental é constituído por bandas permitidas inteiramente


ocupadas,EF será então igual ao limite superior de uma banda permitida. Assim os elétrons não
podem ser acelerados, pois o os níveis de energia imediatamente superiores são proibidos.
Esse é um isolante. Em um isolante os elétrons podem ser excitados apenas atravessando a
banda proibida.Um bom isolante em uma temperatura T qualquer deve ter ∆E >> kBT. Se ∆E é
igual ou da ordem de kBT, certo número de elétrons pode deixar a banda de valência para
ocupar estados imediatamente superiores desocupados das bandas permitidas (níveis que
estariam completamente desocupados no zero absoluto ). O cristal possui então de elétrons de
condução, porém em número restrito, este é um semicondutor intrínseco. Portanto, a
condutividade de num semicondutor intrínseco cresce rapidamente com a temperatura.

Até então foram considerados apenas materiais puros e sem imperfeições, fato que, na prática,
não ocorre . Todos os sólidos têm imperfeições e impurezas. A presença de impurezas em sua
estrutura de alguns materiais pode alterar, esses são classificados deextrínsecos.
Figura 2: Representação dos níveis de energia em semicondutores extrínsecos do (a) Tipo-n e (b) Tipo-p. Onde
Ed é o nível de energia doador, Ea é o nível de energia aceitador, Ev é o mais alto nível de energia ocupado na
banda de valência e Ec é o mais baixo nível de energia desocupado.

As impurezas desempenham um papel muito importante nos semicondutores. Esses quando


contendo concentrações pequenas e controladas de impurezas diz-se que estão dopados. Tais
impurezas quebram a regularidade da rede cristalina afetando os níveis de energia e
fornecendo novos portadores de corrente. As impurezas em semicondutores podem se dar de
duas formas: Tipo-n e Tipo-p. A Figura 2 mostra a os níveis de energia em semicondutores
extrínsecos do (a) Tipo-n e (b) Tipo-p.

Num semicondutor do tipo-n as impurezas introduzem na banda proibida um novo nível de


energia Ed próximo ao mais baixo nível de energia desocupado Ec. A esse tipo diz-se uma
impureza doadora. Enquanto que num semicondutor do tipo-p o novo nível de energia Ed é
introduzido próximo ao mais alto nível de energia ocupado na banda de valência Ev. A esse
tipo diz-se que é uma impureza aceitadora.

Gap de energia
Origem: Wikipédia, a enciclopédia livre.

Nos materiais semicondutores à temperatura de zero Kelvin (zero absoluto), todos elétrons
encontram-se na banda de valência. Neste estado o semicondutor tem características de um
isolante, i.e., não conduz eletricidade. A medida que sua temperatura aumenta, os elétrons
absorvem energia passando para a banda de condução. Esta "quantidade" de energia necessária
para que o elétron efetue essa transição é chamada de gap de energia (em inglês band gap),
ou banda proibida. À medida que a temperatura do semicondutor aumenta, o número de elétrons
que passam para a banda de valência também aumenta, passando o semicondutor a conduzir mais
eletricidade, caso seja exposto a uma ddp.

Para entendermos como se dá a condução elétrica em um semicondutor primeiramente precisamos


entender como se comportam os átomos num sólido. Dois átomos separados possuem, cada um,
seus estados de energia quantizados, conforme descreve a mecânica quântica. Ao aproximarmos
esses dois átomos suas funções de onda começam a se sobrepor. As camadas mais internas
desses átomos são pouco influenciadas pela proximidade entre eles devido ao fato dos elétrons
estarem mais ``presos" ao núcleo. Entretanto as camadas mais externas são bastantes
influenciadas pela distância, fazendo com que as autofunções dos átomos se sobreponham, e, ao
se sobrepor, os níveis de energia se modificam.

Um sólido é composto de vários átomos muito próximos um ao outro, de maneira que as


autofunções de cada átomo influencia a do átomo vizinho. O efeito da aproximação faz com que os
elétrons das camadas mais externas de um átomo compartilhem níveis de energia. Quando
consideramos N átomos de uma mesma espécie, o efeito da proximidade faz com que seus níveis
de energia se desdobrem N vezes. A distância entre os átomos vai ser responsável pela
sobreposição dos níveis de energia, sendo assim, devido ao grande número de átomos próximos
num sólido, os níveis de energia vão ser tão próximos um do outro que na verdade parecerão
uma banda contínua de energia.

Os elétrons afetados são aqueles que estão na banda de valência, ou seja, aqueles menos ligados
ao núcleo. A sobreposição das funções de onda dos elétrons fazem com que os níveis de energia
se alarguem, fazendo surgir bandas de energia e bandas proibidas, ou seja, intervalos de energia
proibida entre uma banda e outra. No sólido trabalha-se com a configuração da célula unitária de
uma rede cristalina, com a análise desta célula podemos entender o comportamento do sólido.
Vamos a um exemplo de como se efetua essa idéia. O diamante é formado por átomos de carbono,
cada um com quatro elétrons de valência ( ), e cada célula unitária do diamante
possui dois carbonos. A última camada do carbono corresponde a n=2, onde o orbital s desta
camada pode suportar dois elétrons de spin oposto e o orbital p pode suportar até seis elétrons
devido a sua tripla degenerância proveniente do número quântico espacial ml, que pode assumir os
valores -1, 0 e +1. Sendo assim, a proximidade entre dois átomos de carbono vão fazer com que o
orbital s dê origem a dois níveis de energia e o orbital p a seis níveis de energia, e estes níveis
serão ocupados por oito elétrons de valência, quatro de cada átomo. Devido a proximidade, o orbital
s do carbono dará origem a uma banda de energia, enquanto o orbital p dará origem a três bandas
de energia, onde em cada banda pode conter dois elétrons. Sendo assim, a banda de valência da
célula unitária do diamante estará completamente cheia.

Ao aplicarmos uma diferença de potencial no diamante, esta dará energia aos elétrons da banda de
valência, mas como a camada está cheia, não há espaços para os elétrons "andarem", já que cada
banda só pode ter dois elétrons devido ao princípio da exclusão, e como a proximidade entre os
átomos fazem com que os níveis de energia se alarguem, as camadas mais energéticas acima
estão separadas da banda de valência por uma região proibida, então se a energia não for
suficiente para fazer o elétron pular para estes níveis, não ocorrerá a formação de corrente, então o
diamante é considerado isolante. Para um sólido conduzir corrente, ele não pode ter sua camada de
valência cheia, assim haverá espaços dentro da banda para ele se mover. Então para dizer se um
sólido é condutor ou não, deve-se levar em conta a estrutura da rede e seus respectivos
constituintes.

Um semicondutor se comporta como um isolante, a diferença é que a região da banda proibida,


também conhecida como GAP, é muito pequena. A zero graus Kelvin, o semicondutor se comporta
como um isolante perfeito, mas devido ao pequeno GAP, a agitação térmica devido ao aumento da
temperatura é capaz de fazer com que os elétrons da banda de valência pulem para a banda
superior, denominada banda de condução. Ao passar para a banda de condução esses elétrons
deixam buracos na camada de valência, e esses buracos também são responsáveis pela
condutividade do material.

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