Condução Elétrica

Quando trabalharmos com materiais sólidos, uma das mais importantes propriedades elétricas a ser
avaliada é a condutividade elétrica, que consiste na facilidade com que o material conduz eletricidade.
Essa condução elétrica está relacionada ao movimento de espécies individuais do material em escala
atômica, chamadas portadores de carga.
O tipo mais simples de portador de carga é o elétron, cuja carga é negativa e equivale a -1,6.10-19 C
(coulombs). Um conceito um pouco mais abstrato e de fundamental importância, principalmente nos
semicondutores, é o de lacuna eletrônica, que é formada pela ausência de um elétron na nuvem eletrônica.
Essa ausência do elétron, carregado negativamente, concede à lacuna uma carga positiva efetiva de 1,6 ⋅
10-19 C, em relação à sua vizinhança. Em materiais iônicos, os cátions e os ânions são portadores de carga,
e a movimentação deles pode gerar o fenômeno denominado condução iônica (SHACKELFORD, 2013).
Essa facilidade em conduzir a corrente elétrica é representada pela equação conhecida como Lei
de Ohm, apresentada a seguir:
V = IR

Nela V é a diferença de potencial elétrico (tensão elétrica), cuja unidade é volts (V); I é a intensidade
de corrente elétrica (ou taxa de passagem de cargas ao longo do tempo), cuja unidade é ampère (A); e
R é a resistência elétrica do material, cuja unidade é ohm (Ω). A unidade ampère equivale a coulombs
por segundo (1 A = 1 C/s).
O valor da resistência R de um material depende da geometria da amostra analisada. Para um fio no
formato cilíndrico, por exemplo (Figura 1), a resistência aumenta com o aumento do comprimento do fio,
l, e diminui com o aumento da área de seção transversal, A, essa relação é conhecida como 2ª lei de Ohm.

R=
rl
A

Com a 2ª lei de Ohm, definimos uma propriedade elétrica importante, chamada de resistividade
elétrica (ou simplesmente resistividade), ρ, cujas unidades são Ω ∙ m.

Diferentemente da resistência R, a resistividade elétrica ρ, é uma propriedade independente da geo-

metria da amostra analisada. A resistividade elétrica depende somente do tipo do material utilizado.

UNIDADE 7 195
 



Figura 1 - Representação da condução elétrica em um material de formato cilíndrico
Fonte: o autor.

Relacionando a 1ª e a 2ª lei de Ohm, temos: A partir dos valores de condutividade elétrica

Isolando R V dos materiais, eles são classificados como:
1ª lei de Ohm: V = IR 
→R =
I Condutores: possuem condutividades entre
ρl Isolando ρ RA
2ª lei de Ohm: R =  →ρ = 10 e 107 (Ω ∙ m)-1, por exemplo a maioria dos
4
A l
metais.
Se substituirmos a equação obtida de R na equa- Semicondutores: possuem condutividades
ção para ρ, obtemos: intermediárias, entre 10-7 e 104 (Ω ∙ m)-1.
Isolantes: possuem condutividades entre 10-20
V substituindo R por V / I em RA
R  r  e 10-10 (Ω ∙ m)-1, como acontece com a maioria das
I l
VA cerâmicas e polímeros.
r
Il

A última equação relaciona a resistividade elétrica Bandas de Energia

de uma amostra de material com a tensão elétrica
e com a corrente elétrica.
A partir da resistividade elétrica, podemos de-
finir outra propriedade importante, a condutivi-
dade elétrica, σ, que é simplesmente o inverso da
resistividade elétrica. Assim como a resistividade
elétrica, a condutividade elétrica não depende da
geometria da amostra, depende somente do tipo
de material utilizado.
nos Sólidos
Apesar dos íons também serem condutores de
corrente, nos materiais condutores, semicon-
dutores e na maioria dos materiais isolantes, a
corrente é conduzida majoritariamente a partir
dos elétrons nesses materiais. Contudo, devemos
entender que nem todos os elétrons que formam
o material estão disponíveis para a condução de

σ=
corrente elétrica.
1
Para a formação de um material sólido, é ne-
ρ
cessário o agrupamento de um número muito
Ela representa a facilidade em conduzir corrente grande de átomos, conduzindo a formação da
elétrica que um material específico possui e é estrutura cristalina desse material. Esse grande
o parâmetro utilizado na classificação elétrica número de átomos, próximos uns aos outros, cau-
dos materiais. As unidades de σ são Ω-1 ∙ m-1 ou sam uma interferência nos elétrons de um átomo
(Ω ∙ m)-1. pelos elétrons e núcleos dos átomos vizinhos a ele.

196 Propriedades Elétricas e Propriedades Térmicas dos Materiais

Essa interferência leva à formação de estados eletrônicos espaçados, mas próximos entre si, formando
o que são denominadas bandas de energia eletrônica.
Em cada banda eletrônica, existe um estado de energia, e a diferença entre estados adjacentes é
muito pequena. As propriedades eletrônicas de um material são um reflexo das bandas de energia
eletrônicas desse material.
Na temperatura 0 K (-273,15 °C), existem quatro diferentes tipos de bandas possíveis representados
na Figura 2:
a) Banda mais externa, parcialmente preenchida com elétrons. Característica de alguns metais
(condutores), em particular de metais com apenas um elétron de valência, por exemplo o cobre.
b) Superposição de uma banda vazia com uma banda preenchida. Também característica em
metais (condutores), como é o caso do magnésio.
c) Banda de valência, completamente preenchida com elétrons, separada de uma banda de
condução vazia. Essas bandas são separadas por um espaçamento entre as bandas de energia
de grande magnitude. Os materiais isolantes apresentam esse comportamento.
d) Banda de valência, completamente preenchida com elétrons, separada de uma banda de con-
dução vazia. Essas bandas são separadas por um espaçamento entre as bandas de energia
de pequena magnitude. Os materiais semicondutores apresentam esse comportamento.

Banda de
Banda Banda condução Banda de
vazia vazia vazia condução
vazia

Espaçamento Espaçamento Espaçamento

entre as bandas entre as bandas entre as bandas

Estados vazios Banda Banda de Banda de

preenchida valência valência
Estados preenchida preenchida
preenchidos
a) b) c) d)

Figura 2 - Tipos de bandas eletrônicas nos sólidos

Fonte: adaptada Callister e Rethwisch (2013).

O estudo aprofundado desses conceitos foge do escopo da nossa disciplina, contudo, devemos saber
que somente elétrons livres participam do processo de condução elétrica. Para que um elétron se torne
livre, ele deve ser excitado ou promovido para uma das bandas de energia vazias, ou seja, o elétron
deve migrar para uma banda vazia ou estado vazio, no caso da Figura 2(a).
Além disso, em materiais isolantes e semicondutores, as lacunas eletrônicas também participam da
condução elétrica. Inclusive, a diferença entre os semicondutores e os isolantes reside na quantidade
dos elétrons livres e das vacâncias presentes nesses materiais, devido à diferença do espaçamento entre
as bandas desses dois tipos de materiais (CALLISTER; RETHWISCH 2013).

UNIDADE 7 197
Condutores (Metais)

Os metais são os materiais que melhor representam a classe dos condutores, pois pouca ou nenhuma
energia é necessária para promover um elétron do estado ou banda preenchido para um estado ou
banda vazio adjacente nos condutores; geralmente, a energia térmica do material já é o suficiente para
a promoção de elétrons livres nesses materiais. Por essa razão, a quantidade de elétrons livres é, relati-
vamente, alta, sendo assim, a condutividade elétrica desses materiais também é alta.

Isolantes e semicondutores Mobilidade dos elétrons

Quando se trata de isolantes e semicondutores, Quando um material, que contenha elétrons

não existem estados vazios adjacentes para que
o elétron possa migrar facilmente. As bandas de
valência desses materiais são totalmente preenchi-
das e, além disso, a banda de condução é separada
da sua banda de valência por um espaçamento
entre bandas. Para que um elétron seja promovido
a elétron livre, ele deve receber energia suficien-
te para migrar da banda de valência até a banda
de condução, na qual ele terá a mobilidade para
conduzir corrente elétrica. A energia necessária
para essa promoção é, geralmente, de uma fonte
térmica ou de uma fonte luminosa.
Nos materiais isolantes, o espaçamento entre
as bandas de valência e de condução é relativa-
mente grande, portanto, a energia necessária para
a promoção do elétron da banda de valência para
a banda de condução também é muito grande, e
esse material dificilmente possuirá elétrons livres
para a condução de corrente elétrica.
Em materiais semicondutores, a distância en-
tre as bandas de valência e de condução é menor,
o que significa que a energia para a promoção de
elétrons livres é menor em relação aos materiais
isolantes. Por essa razão, os semicondutores pos-
suem uma quantidade de elétrons livres muito
maior que os isolantes, nas mesmas condições
energéticas, ou seja, eles possuem condutivida-
des elétricas intermediárias entre os isolantes e
os condutores.
livres, é submetido a um campo elétrico, esses
elétrons livres são acelerados na direção oposta
desse campo devido a suas cargas negativas. Dessa
forma, os elétrons livres acelerados dão origem a
um fluxo ordenado de elétrons; entretanto, apesar
destes serem acelerados, a corrente elétrica gerada
nesse processo não aumenta com o decorrer do
tempo. Esse comportamento se deve ao fato de
que existem forças que se contrapõem a essa ace-
leração (forças de fricção), mantendo a magnitude
da corrente elétrica constante.
As forças de fricção são resultado das imper-
feições presentes na rede cristalina do material,
como lacunas, átomos de impureza, discordân-
cias, átomos intersticiais e também das vibrações
térmicas dos próprios átomos da rede.
A esse fluxo de elétrons constante, resultante
de todos os fatores mencionados, de direção opos-
ta ao campo elétrico aplicado, é dado o nome de
corrente elétrica (I).
Visto que os defeitos na estrutura cristalina do
material interferem negativamente na magnitude
da corrente elétrica que passa por ele, podemos
analisar a resistividade elétrica com base nesses
defeitos. Para os metais, por exemplo, a resistivi-
dade elétrica total pode ser escrita como:
rtotal  rt  ri  rd

198 Propriedades Elétricas e Propriedades Térmicas dos Materiais

 • ρt representa a resistividade resultante das
Onde,
• ρi representa a resistividade resultante das
vibrações térmicas do material.
• ρd representa a resistividade resultante da
impurezas presentes no material.
deformação plástica.
Semicondutividade
Os condutores possuem uma condutividade mui-
to superior aos semicondutores, contudo, outras
características elétricas fazem dos semicondutores
materiais de extrema importância, principalmen-
te no âmbito tecnológico. Uma dessas caracterís-
ticas é a sensibilidade elétrica a impurezas, mes-
mo em concentrações muito pequenas. A seguir,
abordaremos os semicondutores intrínsecos e os
semicondutores extrínsecos.
Semicondutor intrínseco
O comportamento elétrico dos semicondutores
intrínsecos se deve à estrutura eletrônica inerente
do material puro. Como foi dito anteriormente, os
semicondutores são constituídos por uma banda
de valência totalmente preenchida e separada de
uma banda de condução por um espaçamento
relativamente pequeno. Nos semicondutores in-
trínsecos, cada elétron promovido para a banda
de condução deixa para trás uma lacuna (buraco)
nas ligações covalentes do material.
Essa lacuna pode ser tratada como uma partí-
cula carregada positivamente de mesma magni-
tude que o elétron, porém de sinal oposto. Então,
na presença de um campo elétrico, os elétrons
excitados (promovidos para a banda de condu-
ção) e as lacunas movem-se em direções opostas.
Em um semicondutor intrínseco, a condução
elétrica depende tanto dos elétrons promovidos
quanto dos buracos produzidos nessa promoção.
Semicondutor extrínseco
Os semicondutores comercializados são, geral-
mente, extrínsecos, fabricados para utilizações es-
pecíficas, geralmente em dispositivos eletrônicos
que operam à temperatura ambiente e possuem
condutividades elétricas altas nessas condições.
Nos semicondutores extrínsecos, o compor-
tamento elétrico do material é ditado por áto-
mos de impurezas presentes nesses materiais, que
mesmo em concentrações pequenas, conduzem
a um excesso de elétrons e lacunas. Existem dois
tipos de semicondutores extrínsecos, os do tipo
n e os do tipo p. No primeiro, os elétrons são os
responsáveis pela condução da corrente elétrica;
no segundo, são os buracos que desempenham o
papel de condutores de corrente elétrica.
A dopagem é o processo no qual pequenas
quantidades de impurezas, com propriedades
adequadas, são adicionadas propositalmente
e de forma controlada ao cristal intrínseco do
material semicondutor, de forma que o com-
portamento elétrico deste seja modificado da
maneira desejada. Existem elementos dopantes
receptores, como boro, alumínio, gálio, índio e tá-
lio, permitindo a constituição de semicondutores
do tipo p, e dopantes doadores, como o fósforo,
arsênio, antimônio e bismuto, permitindo a cons-
tituição de semicondutores do tipo n.
Doadores e receptores dão origem, respectiva-
mente, a semicondutores tipo n e tipo p.
UNIDADE 7 199
Semicondutor do tipo n

Para entendermos como funciona um semicondutor do tipo n, vamos tomar o exemplo do silício puro
(Si). Os átomos de silício se ligam a partir de quatro ligações covalentes (quatro elétrons de valência),
nas quais cada átomo de silício compartilha um elétron com o átomo de silício vizinho. Caso seja in-
troduzido um átomo de impureza substitucional, contendo cinco elétrons de valência, por exemplo o
fósforo (P), somente quatro elétrons desse átomo de fósforo poderão participar das ligações covalentes
com os átomos de silício adjacentes. Dessa forma, o elétron de valência do fósforo, que não está ligado
aos átomos de silício vizinhos, ficará fracamente preso ao redor desse átomo de fósforo e, por essa ra-
zão, ele pode ser facilmente promovido para a banda de condução, ou seja, tornar-se um elétron livre.
A impureza, nesses casos, é denominada doadora, pois fornece elétrons que podem ser facilmente
promovidos a elétrons livres e, geralmente, a energia térmica à temperatura ambiente é o suficiente
para a promoção de vários desses elétrons das impurezas doadoras. Além disso, é importante notar
que a promoção dos elétrons dessas impurezas não deixa um buraco para trás na banda de valência,
como nos semicondutores intrínsecos.

Semicondutor do tipo p

Para entendermos os semicondutores extrínsecos do tipo p, vamos voltar ao exemplo do silício puro
(Si), mas, dessa vez, vamos introduzir um átomo de impureza substitucional contendo três elétrons de
valência, por exemplo, o alumínio (Al). Os três elétrons desse átomo de alumínio poderão participar
das ligações covalentes com três átomos de silício adjacentes, faltando um elétron para completar a
ligação com o quarto átomo de silício. Esse déficit de elétron pode ser visto como um buraco, que está
fracamente ligado ao átomo de alumínio. Portanto, esse buraco pode migrar facilmente para outras
posições da rede, simplesmente pela transferência de um elétron de ligações adjacentes ao buraco.
Esses buracos em movimento são considerados em estado excitado e conduzem corrente elétrica.
As impurezas desse tipo são denominadas receptoras, pois são capazes de receber elétrons da banda
de valência, deixando para trás um buraco, contudo, não são criados elétrons livres nesse processo.
O processo de produção de materiais semicondutores extrínsecos p ou n, denominado dopagem,
é realizado utilizando-se materiais com purezas extremamente elevadas, contendo concentrações de
átomos de impurezas da ordem de 10-7%. A esses materiais de pureza elevada, são introduzidos átomos
de impureza, em concentrações controladas, utilizando diferentes técnicas.

Dispositivos semicondutores

O estudo das propriedades elétricas dos materiais permitiu o desenvolvimento de dispositivos que
desempenham funções eletrônicas fundamentais nos dias atuais. Alguns exemplos desses dispositivos
são os diodos e os transistores, que têm dimensões pequenas, consomem pouca energia e praticamente
não aquecem em comparação à tecnologia utilizada antes desses dispositivos. Por essas e outras razões,
os semicondutores promoveram o desenvolvimento acelerado da tecnologia nas últimas décadas.

200 Propriedades Elétricas e Propriedades Térmicas dos Materiais

 Um diodo (ou retificador) é um dispositivo eletrônico que per-
mite que a corrente elétrica passe em apenas uma direção, ou seja,
ele é capaz de transformar uma corrente alternada em corrente
contínua. Os diodos são constituídos de um material cujo um lado
é dopado em um semicondutor do tipo n, e o outro lado é dopado
em um semicondutor do tipo p.
Nos circuitos microeletrônicos, um dispositivo extremamente
importante é o transistor. Ele é capaz de amplificar um sinal elétrico
e, além disso, eles também servem de “interruptores” em computa-
dores com o intuito de processar e armazenar informações.
Os diodos e os transistores são amplamente utilizados em com-
putadores para a realização das lógicas e aritméticas, além do arma-
zenamento de informações. Os computadores funcionam no sistema
binário, ou seja, os números são escritos na base 2, sendo cada nú-
mero uma série de 0 e 1. Os transistores e diodos funcionam como
interruptores e possuem duas funções atribuídas por esses números
no sistema binário: 0, desligado (não conduz); 1, ligado (conduz).
Uma das tecnologias de armazenamento mais populares é a
memória flash. Ela pode ser programada e apagada eletricamente,
além disso, ela é não volátil, ou seja, não necessita de energia para
manter as informações armazenadas. A memória flash é muito
durável e capaz de suportar grandes variações de temperatura e,
até mesmo, a imersão em água.
O último dispositivo eletrônico importante que vamos men-
cionar são os circuitos eletrônicos. Eles estão presentes em vários
equipamentos utilizados em nossas vidas, desde uma simples cal-
culadora até os computadores de bordo de aviões mais sofisticados.
Atualmente, já possuímos tecnologia para criar circuitos eletrônicos
cada vez menores e com eficiência melhores. Os circuitos eletrô-
nicos são produzidos a partir do silício de alta pureza em proces-
sos de difusão controlada de impurezas nesses materiais, criando
regiões localizadas do tipo n e do tipo p nessas placas de circuito
(CALLISTER; RETHWISCH, 2013).

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UNIDADE 7 201
 Entretanto, apesar das duas contribuições para a condutividade elétrica, a maioria dos materiais
iônicos permanece isolante mesmo em altas temperaturas.

Condução em Polímeros

Apesar dos polímeros, em sua maioria, serem materiais isolantes, existem alguns materiais poliméricos
sintetizados que possuem condutividades elétricas próximas às dos metais. Estes são denominados
polímeros condutores e são produzidos pelo processo de dopagem com impurezas apropriadas.
Assim como nos semicondutores dopados, os polímeros condutores podem ser do tipo p ou do tipo
n, dependendo apenas da impureza utilizada na dopagem; entretanto, essas impurezas não substituem
nem repõem nenhum dos átomos do polímero.
Os polímeros condutores têm potencial para serem utilizados em um vasto campo de aplicações,
uma vez que apresentam baixa massa específica, alta flexibilidade e são facilmente produzidos. Eles
já são utilizados na fabricação de baterias recarregáveis, eletrodos poliméricos, diodos e transistores
e, até mesmo, na fiação de aeronaves.

Comportamento dielétrico

Um dielétrico é um material isolante que exibe um dipolo elétrico, ou seja, ele apresenta, a nível mo-
lecular ou atômico, uma separação entre as entidades com cargas positivas e negativas do material.
Nesse âmbito, vamos definir uma propriedade muito utilizada em eletrônica, chamado capacitância.
Quando uma diferença de potencial V é aplicada por meio de um capacitor (Figura 3), uma placa fica
carregada positivamente, enquanto a outra fica carregada negativamente. O campo elétrico corresponden-
te tem direção da carga positiva para a carga negativa. Nessas condições, a capacitância está relacionada
à quantidade de cargas armazenadas, Q, em cada uma das placas, de acordo com a equação a seguir:

C=
Q
V
na qual V é a diferença de potencial entre as placas (diferença de potencial do capacitor). A unidade da
quantidade de cargas, Q, é coulomb (C), e da diferença de potencial V é volts (V), portanto as unidades
da capacitância, C, são coulomb por volt (C/V) ou farad (F).
Para um capacitor de placas separadas por vácuo, como o apresentado na Figura 3(a), vemos que a
capacitância depende da área das placas, A, e da distância entre elas, l, de acordo com a relação

A
C 0
l
Onde ∈0 é a permissividade do vácuo, que vale 8,85 ∙ 10-12 F/m (farad por metro).

UNIDADE 7 203

0 = є0E

 Vácuo E=

(a)
0 = є0E + 
Dielétrico
 E
(b)
Figura 3 - (a) Capacitor de placas separadas por vácuos; (b)
Capacitor de placas separadas por um material dielétrico
Fonte: Callister e Rethwisch (2013, p. 646).
Caso seja introduzido um material dielétrico
(isolante) no espaço entre as placas do capacitor
(Figura 3(b)), a relação para o cálculo da capaci-
tância fica da seguinte forma:
A efeitos dessa polarização duram somente enquan-
C  to o campo elétrico estiver ativo.
l
Onde ∈ é a permissividade do meio dielétrico
meio dielétrico, ∈ , é sempre maior que a permis-
em farad por metro (F/m). A permissividade do
sividade no vácuo, ∈0 .
A razão entre a permissividade do meio dielé-
constante dielétrica, ∈r , mostrada na equação
trico e a permissividade no vácuo é definida pela
a seguir.
r  na direção do campo elétrico aplicado. A orga-
0
A constante dielétrica é o principal parâmetro no
projeto de capacitores e seus valores podem ser
encontrados em tabelas, para uma ampla gama
de materiais dielétricos (CALLISTER; RETH-
WISCH, 2013).
204 Propriedades Elétricas e Propriedades Térmicas dos Materiais
Polarização
Outro comportamento elétrico importante verifi-
cado em alguns materiais é a polarização. Quando
falamos em polarização, estamos nos referindo ao
alinhamento dos momentos de dipolo atômicos
ou moleculares que ocorrem quando um campo
elétrico externo a esse material é aplicado sobre
ele, sendo esses momentos de dipolos induzidos
ou permanentes.
Todos os materiais dielétricos possuem, pelo
menos, um tipo de polarização, podendo ser ele-
trônica, iônica ou de orientação, dependendo ape-
nas do material e do modo como o campo elétrico
externo é aplicado.
A polarização eletrônica acontece quando
a aplicação de um campo elétrico faz com que
o centro da nuvem eletrônica, carregada nega-
tivamente, desloque-se em relação ao núcleo do
átomo, carregado positivamente. Esse tipo de po-
larização pode ser induzida em qualquer átomo e
é muito encontrada em materiais dielétricos. Os
Quando um campo elétrico é aplicado sobre
materiais iônicos, acontece a polarização iônica
desses materiais, em que os íons (cátions e ânions)
deslocam-se em sentidos opostos, gerando um
momento de dipolo resultante.
Por fim, existe, ainda, a polarização de orien-
tação, que é encontrada somente em materiais
que apresentam momentos de dipolo permanen-
tes. Esse tipo de polarização se dá pela rotação dos
momentos de dipolo permanentes do material
nização destes sofre interferência negativa das
vibrações térmicas do material, ou seja, a orien-
tação dos dipolos tende a ser menor, conforme a
temperatura do material aumenta.
 Um material pode sofrer mais de um efeito de polarização simultâneo, dessa forma, a polarização
total, P, experimentada por um material quando submetido a um campo elétrico, é dada por:

P  Pe  Pi  Po

Onde Pe, Pi e Po são, respectivamente, as componentes de polarização eletrônica, iônica e de orientação.

Os materiais dielétricos possuem um limite de campo elétrico que eles podem suportar sem sofrer
danos; esse limite é avaliado em termos da resistência dielétrica, e quando esse campo elétrico tem
magnitude igual ou superior a essa resistência dielétrica, um número muito grande de elétrons pode
ser excitado para a banda de condução e, assim, a corrente dentro do dielétrico aumenta drasticamente,
levando a uma fusão, queima ou vaporização localizada e danificando permanentemente o material
dielétrico, ou mesmo causando a falha dele.
Em termos de aplicação dos materiais cerâmicos dielétricos, podemos dizer que eles são aplicados
em isolamento elétrico, linhas de transmissão de energia, bocais de lâmpadas, bases de interruptores,
na produção de capacitores etc. Dentre as cerâmicas dielétricas, temos o vidro, a porcelana, a steadita
e a mica, que apresentam constantes dielétricas altas, além de uma boa resistência mecânica.
Já dentre os polímeros dielétricos, temos o náilon 6,6, o poliestireno, o polietileno, o politetrafluo-
retileno, entre outros, com aplicações em isolamento de fios, cabos, motores e geradores, por exemplo.

Ferroeletricidade e Piezoeletricidade

Um grupo de materiais dielétricos apresenta uma característica elétrica interessante: eles são capazes
de sofrer polarização espontânea na ausência de um campo elétrico; esses materiais são denomina-
dos ferroelétricos. Eles possuem um dipolo elétrico permanente, que interagem entre si alinhando-se
mutuamente, todos na mesma direção. As constantes dielétricas desses materiais são, em geral, muito
grandes, por essa razão eles costumam ser utilizados para a produção de capacitores de tamanho re-
duzido, em relação aos capacitores produzidos com os outros materiais dielétricos.
Esses materiais ferroelétricos são capazes de armazenar carga, possibilitando aplicações na forma
de filmes de espessura muito pequena em dispositivos de memória não volátil. Alguns exemplos de
materiais ferroelétricos são o dihidrogenofosfato de potássio (KH2PO4), niobato de potássio (KNbO3),
titanato de bário (BaTiO3) e o zirconato-titanato de chumbo (Pb[ZrO3, TiO3]).
Outra característica elétrica interessante e muito importante do ponto de vista tecnológico é a
piezoeletricidade, que é observada em uma pequena gama de materiais cerâmicos. Os materiais pie-
zoelétricos, quando submetidos a tensões, sofrem uma polarização e estabelecem um campo elétrico.
Caso a tensão aplicada mude de sinal, ou seja, tração para compressão, por exemplo, o campo elétrico
também terá sua direção invertida.
Componentes cuja função é receber um sinal elétrico e transformá-lo em deformações mecânicas
(transdutores) utilizam materiais piezoelétricos. Além dos transdutores, os materiais piezoelétricos
são utilizados em microfones, alto-falantes, alarmes sonoros etc. A piezoeletricidade é observada em
materiais que possuem uma estrutura cristalina complexa e com baixo grau de simetria.

UNIDADE 7 205
Propriedades Térmicas
- Capacidade Calorífica
e Expansão Térmica

Quando falamos em propriedades térmicas dos

materiais, estamos nos referindo ao comporta-
mento observado quando esse material recebe
ou perde calor. Por exemplo, uma barra metálica,
quando recebe calor, tem suas dimensões e sua
temperatura aumentadas devido a essa energia
térmica recebida. Neste tópico, discutiremos sobre
a capacidade calorífica e a expansão térmica.

Capacidade Calorífica

Quando aquecemos um material sólido, estamos

fornecendo energia a ele na forma de calor. Essa
energia é absorvida pelo material, fazendo com
que a sua temperatura aumente. A propriedade que
mede a quantidade de energia que certo material
absorve de sua vizinhança é a capacidade calorífica,
C, que é definida como a quantidade de energia
necessária para aumentar em um grau a tempe-
ratura de um material, Matematicamente, temos:

C=
Q
DT
onde Q é a energia necessária para produzir uma variação igual a ΔT na temperatura do material. As
unidades de Q são J/mol, de ΔT é K, consequentemente C é dado em J/mol ∙ K no SI. Nesse caso, a
quantidade de energia Q está relacionada à quantidade do material em mols.
Em situações nas quais o calor está relacionado com a quantidade do material em massa (kg por
exemplo), a capacidade calorífica é representada por c e suas unidades são J/kg ∙ K e, nesse caso, Q é
dado em J/kg, contudo a equação é a mesma apresentada anteriormente.

c=
Q
DT
Existem duas formas de mensurar a capacidade calorífica de materiais, uma delas é avaliando o pro-
cesso a volume constante e, dessa forma, obtemos Cv. A outra forma é avaliando o processo da pressão
constante, onde obtemos Cp. Entretanto, para materiais sólidos em temperaturas próxima ou inferiores
ao ambiente, a diferença entre Cv e Cp é muito pequena.
Os átomos que compõem os materiais sólidos estão vibrando constantemente, em frequências altas,
porém com amplitudes baixas. A forma mais comum de absorção de energia térmica por materiais
sólidos é o aumento dessa energia vibracional dos átomos constituintes. Como os átomos que formam
o material estão ligados entre si, esse aumento na energia vibracional do material gera vibrações coor-
denadas na forma de ondas (às vezes chamadas de fônons), que se propagam pela rede cristalina do
material. Essas ondas são responsáveis pelo espalhamento térmico dos elétrons durante a condução
elétrica e também pelo transporte de energia durante a condução térmica.
A capacidade calorífica a volume constante, Cv, é igual para sólidos cristalinos relativamente simples
a 0 K, entretanto, ela aumenta rapidamente com o aumento da temperatura para temperaturas baixas
(próximas a 0 K). Contudo, para a maioria dos materiais sólidos, a capacidade calorífica a volume
constante, Cv, estabiliza-se antes da temperatura ambiente (25 °C ou 298 K), podendo ser considerado
independentemente da temperatura, para temperaturas próximas e acima de 25 °C.
Como, geralmente, trabalhamos com materiais à pressão constante atmosférica (1 atm), utilizare-
mos os valores da capacidade calorífica à pressão constante, Cp. Os valores de Cp para vários materiais
sólidos à temperatura ambiente podem ser encontrados tabelados, inclusive em alguns dos materiais
referenciados neste livro.

Expansão Térmica

O comportamento térmico observado na maioria dos materiais quando submetidos ao aquecimento é a

expansão em suas dimensões. De forma análoga, os materiais sofrem uma contração em suas dimensões
quando submetidos a um resfriamento. A esse comportamento térmico, damos o nome de expansão
térmica. A variação de comprimento (variação unidirecional), l, de um material é dada por:

l f  l0
 al (T f  T0 )
l0

UNIDADE 7 207
na qual lf e l0 são, respectivamente, os comprimentos final (depois da expansão) e inicial (antes da
expansão) do material; Tf e T0 são, respectivamente, as temperaturas final e inicial do processo; e αl é o
coeficiente linear de expansão térmica, que é uma propriedade específica do material, cuja unidade no SI é
(°C)-1. Sejam:

Dl  l f  l0 e DT  T f  T0

A equação da expansão linear pode ser escrita da seguinte forma:

= al (DT )
Dl
l0
Além disso, sabemos que a expansão térmica não ocorre apenas em uma dimensão do material sólido,
mas sim em todo o volume desse sólido; por essa razão, definimos também a equação para o cálculo
da variação de volume sofrida por esse material devido à sua expansão térmica.

= aV (DT )
DV
V0
Com DV  V f  V0 e DT  T f  T0

Nas equações citadas Vf e V0 são, respectivamente, os volumes final (depois da expansão térmica)
e inicial (antes da expansão térmica) do material. O parâmetro aV é o coeficiente volumétrico de
expansão térmica, que também é uma propriedade específica do material, cujas unidades no SI são
(°C)-1. Para materiais isotrópicos, o valor de aV é, aproximadamente, igual a 3al .
A expansão térmica observada nos materiais sólidos é um reflexo do aumento das distâncias médias
entre os átomos que formam esse material a um nível muito aprofundado do conteúdo, que não é o
objetivo deste material.
Vamos verificar a expansão térmica para cada classe de materiais, começando pela classe dos metais,
cujos coeficientes lineares de expansão térmica variam entre 5 ∙10-6 (°C)-1 e 25 ∙ 10-6 (°C)-1. Entretanto,
já foram desenvolvidas algumas ligas metálicas, com baixos coeficientes de expansão térmica, para
serem utilizadas em situações em que não é desejável variações das dimensões devido à temperatura.
Na classe das cerâmicas, o comportamento térmico de expansão é bem variado. Os coeficientes de ex-
pansão térmica são relativamente menores nas cerâmicas, variando entre 0,5 ∙ 10-6 (°C)-1 e 15 ∙ 10-6 (°C)-1,
isso se deve ao fato de que as forças interatômicas (entre os átomos que compõem o material), na maioria
das cerâmicas, são relativamente fortes.
Outro comportamento interessante é observado nas cerâmicas anisotrópicas (não isotrópicas), as
quais, quando aquecidas, podem sofrer expansão em uma de suas direções cristalográficas e contrair-
-se nas demais. Além disso, os vidros inorgânicos possuem um coeficiente de expansão térmica que

208 Propriedades Elétricas e Propriedades Térmicas dos Materiais

dependente de sua composição, a sílica fundida
(vidro constituído praticamente de sílica pura),
por exemplo, apresenta um coeficiente de expan-
são de 0,4 ∙ 10-6 (°C)-1. Contudo, para as cerâmicas
não cristalinas e as cristalinas de estrutura cúbica,
o coeficiente αl é isotrópico.
Em projetos de componentes que devem su-
portar mudanças acentuadas de temperatura, de-
ve-se buscar cerâmicas com coeficientes de ex-
pansão térmica, pequenos e isotrópicos, para que
se possa evitar a ocorrência do choque térmico,
que é a fratura do componente devido a variações
não uniformes de suas dimensões.
Por fim, na classe dos polímeros, encontra-
mos coeficientes de expansão térmica muito
grandes, variando entre 50 ∙ 10-6 (°C)-1 e 400 ∙
10-6 (°C)-1.

Termômetros são instrumentos usados para me-

dir a temperatura, seja a temperatura corporal
ou mesmo a temperatura em um ambiente. O
princípio de funcionamento dos termômetros
de mercúrio é a expansão térmica volumétrica.
Quando o termômetro está em um ambiente
quente, o mercúrio aquecido se expande devido
ao calor recebido e sobe no tubo, de forma aná-
loga; em ambientes frios, o mercúrio se contrai
e desce no tubo. Para sabermos a temperatura
correta, o termômetro é calibrado e, dessa for-
ma, são feitas marcações em várias alturas do
tubo para que se possa ler a temperatura.

UNIDADE 7 209
onde q é o fluxo de calor (quantidade de calor transportado por tempo por unidade de área); dT/dx é
o gradiente de temperatura através do meio de condução; e k é a condutividade térmica. As unidades
de q são W/m2, k são W/m ⋅ K, dessa forma, o gradiente de temperatura dT/dx deve ser dado em °C/m
ou K/m, uma vez que a variação de 1 °C é igual a variação de 1 K.

Mecanismos da condução de calor

A condução de calor em materiais sólidos se dá a partir de dois mecanismos, por meio das ondas de
vibração da rede (fônons) e por meio dos elétrons livres no material. Portanto, a condutividade térmica
total, k, para um material, é dada por:
k  k r  ke

Onde kr e ke são, respectivamente, as condutivida-
des térmicas devido às ondas de vibração da rede
e devido aos elétrons livres. A predominância de
uma em relação à outra depende do material. A
contribuição kr é devido ao movimento das on-
das de vibração das regiões de altas temperaturas
para as regiões de baixas temperaturas por meio
do material.
Já a contribuição ke é devido aos elétrons livres
que, conforme recebem energia térmica, aumen-
tam sua energia cinética e migram para regiões
mais frias, onde transferem parte dessa energia
cinética para os átomos dessas regiões por meio de
colisões. Portanto, conforme aumenta o número
de elétrons livres, maior é a contribuição ke na
condutividade térmica global do material.
Em metais de alta pureza, a condutividade
térmica, devido aos elétrons livres, é muito mais
efetiva que a condutividade térmica referente aos
fônons, uma vez que os elétrons se encontram
em grandes quantidades nesses materiais. Além
disso, os elétrons livres têm velocidades maiores
que os fônons, deixando o processo de condução
mais rápido. Por essas razões, os metais possuem
condutividades térmicas altas, entre 20 W/m∙K e
400 W/m ∙ K à temperatura ambiente.
Já nas ligas, formadas pela adição de impu-
rezas aos metais puros, a condutividade térmica
diminui devido ao fato dos átomos de impureza
atuarem como centros de espalhamento que re-
duzem a eficiência dos elétrons livres responsáveis
pela condução de calor.
Nas cerâmicas, a condutividade térmica é mui-
to baixa, são geralmente isolantes térmicos, devido
à quantidade pequena de elétrons livres para a
condução de calor. Nesses materiais, os fônons
são o principal mecanismo que contribui para a
condutividade térmica (kr>>ke), e os fônons não
são tão eficientes quanto os elétrons livres no
transporte de calor. Por essas razões, os materiais
cerâmicos exibem condutividades térmicas entre
2 W/m ∙ K e 50 W/m ∙ K à temperatura ambiente.
Quanto às temperaturas relativamente bai-
xas, é observado que a condutividade térmica da
maioria das cerâmicas diminui com o aumento da
temperatura. Entretanto, ela começa a aumentar
em temperaturas elevadas, contudo, esse compor-
tamento se deve ao calor transferido por radiação
por meio do material cerâmico, pois a eficiência
do processo de transporte de calor por radiação
aumenta com o aumento da temperatura.
Outro fator determinante na condutividade
térmica das cerâmicas é a porosidade do material,
ou seja, a quantidade de espaços vazios dentro
do material. Esses volumes dos poros dificultam
a condução de calor por meio do material, resul-

UNIDADE 7 211
tando na diminuição da sua condutividade tér-
mica. Inclusive, muitos dos materiais cerâmicos
utilizados como isolantes térmicos são porosos,
pois esses poros contêm ar estagnado que possui
uma condutividade térmica extremamente baixa.
Para a maioria dos polímeros, as condutivi-
dades térmicas são da ordem de 0,3 W/m ∙ K, as
mais baixas dentre as classes de materiais. Isso
acontece porque a condução de calor nesses ma-
teriais é devido à rotação e vibração das molécu-
las que formam a cadeia do polímero. Polímeros
que apresentam cristalinidade elevada e ordenada
possuem condutividade térmica maior que polí-
meros amorfos, uma vez que a vibração coorde-
nada das moléculas é mais eficiente em cadeias
moleculares cristalinas.
Devido à sua baixa condutividade térmica, os
polímeros são, geralmente, utilizados como isolantes
térmicos e podem ter sua condutividade térmica
ainda mais reduzida com a inserção de poros em sua
estrutura, assim como acontece com as cerâmicas;
um exemplo muito comum é o poliestireno expan-
dido (isopor), que é utilizado em caixas térmicas
para armazenamento de bebidas e alimentos.
Tensões Térmicas
As variações de temperaturas experimentadas
pelos materiais podem acabar causando tensões
neles. Essas tensões térmicas precisam ser leva-
das em conta, uma vez que podem causar uma
deformação plástica indesejável ou, até mesmo, a
fratura de um componente.
Podemos ter tensões resultantes da restrição
à expansão ou contração térmica de um compo-
nente. Vamos exemplificar essa situação: imagine
uma barra sólida homogênea e isotrópica. Se ele-
varmos a temperatura dessa barra, ela sofrerá uma
212 Propriedades Elétricas e Propriedades Térmicas dos Materiais
expansão térmica em todas as direções e, caso ela
esteja livre para sofrer a expansão, nenhum dano
será causado a ela. Entretanto, caso algo restrinja a
expansão térmica da barra, por exemplo, suportes
rígidos nas suas extremidades, tensões térmicas
se formarão nela. A magnitude dessas tensões tér-
micas pode ser calculada pela equação a seguir:
σ  Eαl (T0  T f )  Eαl DT
na qual, E e αl são, respectivamente, o módulo
de elasticidade e o coeficiente linear de expansão
térmica do material da barra. Quando a barra for
aquecida T0 < Tf, então a tensão resultante σ é com-
pressiva (σ <0), quando a barra é resfriada Tf < T0,
então a tensão resultante σ é trativa (σ >0).
Outra situação que podemos encontrar é a de
tensões resultantes de gradientes de temperatura.
Para entendermos esse tipo de tensões, vamos
imaginar um prato de cerâmica, cujo centro está
sendo aquecido sobre uma chama; após pouco
tempo sobre a chama, o prato se rompe. Esse com-
portamento ocorre, pois, no prato de cerâmica,
aquecido rapidamente apenas na região central,
são gerados gradientes de temperatura que geram
tensões térmicas ao longo do prato. Essas tensões
são resultado de uma maior expansão na região
aquecida (região central do prato) em relação à
parte mais externa do material (as bordas do pra-
to) que está fria, então são induzidas tensões de
compressão no centro do prato e tensões de tração
nas bordas do prato.
Por último, podemos também observar a fratu-
ra de um componente devido ao choque térmico.
Esse comportamento é observado em materiais
frágeis, cuja distribuição não uniforme da tempe-
ratura gera uma dilatação pontual que acarreta a
formação de tensões internas no material, e a falta
de ductilidade desses materiais conduz à fratura.
 Concluímos nossos estudos da Unidade 7, na qual conhecemos muitas propriedades importantes
dos materiais, começamos pelas propriedades elétricas, em que estudamos a condutividade elétrica
e definimos o que são materiais condutores, isolantes e também semicondutores. Vimos que muitas
cerâmicas apresentam comportamento dielétrico e, com isso, definimos o parâmetro permissividade
elétrica. Além disso, conhecemos os materiais piezoelétricos, que exibem o comportamento interessante
de sofrer polarização quando submetidos a tensões de tração ou compressão.
Seguimos o nosso estudo pelas propriedades térmicas, iniciando pela capacidade calorífica, que
mede a quantidade de energia necessária para que um componente tenha sua temperatura variada em
um grau. Vimos que os materiais, quando aquecidos ou resfriados, sofrem um aumento ou diminuição
nas suas dimensões, e a grandeza relacionada a esse processo é o coeficiente linear de expansão térmica.
Finalizamos com a abordagem da propriedade térmica da expansão térmica.

Átomos

Condução

UNIDADE 7 213
CALLISTER JR., W. D.; RETHWISCH, D. G. Ciência e Engenharia de Materiais: uma Introdução. 8. ed. Rio
de Janeiro: Editora LTC, 2013.

SHACKELFORD, J. F. Ciência dos Materiais. 6. ed. São Paulo: Editora Pearson, 2013.

218
1. B.

A afirmativa I está incorreta, pois a condução elétrica está relacionada ao movimento dos elétrons ou íons
do material.

2. C.

Correta: I - Um fio de cobre de resistividade elétrica igual a 1,7 · 10−6 Ω · cm, comprimento de 20 m e um
diâmetro de 0,2 cm possui uma resistência elétrica igual a 0,108 Ω.

A resistência elétrica, em termos da resistividade elétrica, é dada por:

R = ρ · l/A

Devemos converter o comprimento de metros para centímetros para que seja compatível com a uni-
dade da resistividade elétrica.

1 m = 100 cm

20 m = 2000 cm

Cálculo da área transversal A:

A = π · (d/2)2 = A = π · (0,2/2)2 = A = π · (0,1)2 = A = π · 0,01

A = 0,0314 cm2

Então,

R = ρ · l/A

R = (1,7 · 10−6 Ω · cm)(2000 cm)/( 0,0314 cm2)

R = (3,4 · 10−3 Ω)/( 0,0314)

R = 0,108 Ω

Correta: II – A corrente elétrica em um fio de cobre, cuja diferença de potencial é de 3 volts e a resistência
elétrica é de 0,100 Ω, é igual a 30 amperes.

Obs.: o símbolo V (itálico) é relativo à variável diferença de potencial (tensão elétrica). Já o símbolo V é
relativo à unidade da diferença de potencial, ou seja, V equivale a volts.

A resistência elétrica é dada pela Lei de Ohm:

V=I·R

Então, isolando a corrente elétrica I, obtemos:

I = V/R = (3 V)/(0,100 Ω)

219
221
222