EL8210 NEA210 - Teoria v2.3

EL8210/NEA210 – FUNDAMENTOS DE ELETRÔNICA (Prof. Alvaro) 1.
1) DIODOS
1.1) IMPORTÂNCIA: como exemplo, a obtenção de tensão contínua a partir de uma tensão
alternada.
1.2) SIMBOLOGIA: A i K A  Anodo

K  Catodo
v
1.3) DIODO IDEAL:
i i
v<0  i=0
A + v – K
polarização polarização
reversa direta
i
i>0  v=0
A + v – K
0 v
 UTILIZAÇÃO EM UM CIRCUITO EXTERNO
+10V +10V
1k 1k
EL8210/NEA210 – FUNDAMENTOS DE ELETRÔNICA (Prof. Alvaro) 1.2
 APLICAÇÃO: CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIA ONDA
vD
vI + –
VM +
iD D
vI + R vO
–
0 t
–
SEMICICLO NEGATIVO SEMICICLO POSITIVO

(diodo não conduz) (diodo conduz)
+ vD – + – vD = 0
+ +
+ iD = 0 vO = 0 + iD vO = v I
vI – R vI – R
– –
vI  0 vI  0
SENÓIDE RETIFICADA EM MEIA ONDA
vO
VM
0 t
 DEFINIÇÃO DE FATOR DE FORMA
Em relação ao valor de pico (VM) da senoide retificada em meia onda (admitindo diodo
ideal), demonstra-se que o valor médio é dado por VDC  VCC  VMÉDIO  V
VMp  .
Para um sinal senoidal, demonstra-se que o valor eficaz é dado por VRMS  Vef  V
VMp 2.
A relação Vef VMÉDIO é conhecida por Fator de Forma que resulta:
V
VMp 2
Fator de Forma   2,22
VMp 
V
Note que este valor do fator de forma somente é válido para sinais com formato puramente
senoidal aplicados em retificadores de meia onda (admitindo que o diodo do circuito seja ideal).
EXERCÍCIOS
E1.1) Para os quatro circuitos abaixo, assuma que os diodos são ideais e calcule os valores das
tensões e correntes indicadas.
a) +5V b) +5V c) +5V d) +5V
10kΩ 10kΩ I I
V V V V
I I 10kΩ 10kΩ
–5V –5V –5V –5V
Respostas: a) –5V, 1mA; b) 5V, 0A; c) 5V, 1mA; d) –5V, 0A.
E1.2) Idem exercício anterior para os dois circuitos abaixo.
a) b)
+3V +1V +5V
D1
+3V +1V I 1kΩ

D2
V D1
V
I 1kΩ
D2
D4
D3
1kΩ
–5V
Respostas: a) 3V, 8mA; b) 1V, 4mA.

1.4) DIODO DE JUNÇÃO:
 CURVA CARACTERÍSTICA (real) i
VR  tensão de ruptura
direta
escala
–VR comprimida
0,7V v
0,5V
escala expandida
ruptura reversa + v –
 PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
contato metálico contato metálico
silício silício Estrutura física simplificada

tipo p tipo n do diodo de junção.
Anodo Catodo
A) SILÍCIO INTRÍNSECO (cristal de Si puro)  material semicondutor

elétrons de ligações elétrons de elétron
valência covalentes valência livre
+4 +4 +4 +4 +4 +4
átomos de ligação
silício covalente
quebrada lacuna
+4 +4 +4 +4 +4 +4
ligação átomos de
covalente silício
+4 +4 +4 +4 +4 +4
B) SILÍCIO EXTRÍNSECO  semicondutor dopado
elétrons de ligações elétrons de ligações

valência covalentes valência covalentes
átomo de
silício
+4 +4 +4 +4 +4 +4
elétron livre doado pelo
átomo da impureza
átomo (doador) da átomo (aceitador) da
impureza pentavalente impureza trivalente
+4 +5 +4 +4 +3 +4
átomos de
silício lacuna
+4 +4 +4 +4 +4 +4
IMPUREZAS DOADORAS (elemento pentavalente)  SILÍCIO TIPO n

elétrons: portadores majoritários lacunas: portadores minoritários
Exemplo: fósforo, antimônio...
IMPUREZAS ACEITADORAS (elemento trivalente)  SILÍCIO TIPO p
elétrons: portadores minoritários lacunas: portadores majoritários
Exemplo: boro, alumínio...
C) JUNÇÃO PN E OS EFEITOS DE SUA POLARIZAÇÃO

cargas fixas
lacunas elétrons Região de Depleção:
ausência de cargas móveis
A K
p n
W  largura da Região de
Depleção
vAK > 0  W diminui (menor barreira de potencial)

vAK < 0  W aumenta (maior barreira de potencial)
 MODELO DA QUEDA DE TENSÃO CONSTANTE
i (mA) v  VD0  i = 0 i > 0  v = VD0
12
i i
linha B
(vertical)
8
ideal
VD0 v
4 linha A VD0
(horizontal)
0 0,5 VD0 1,0 0 VD0 v

v (V)
Tipicamente: VD0 = 0,7V
 MODELO APRIMORADO
i (mA)
v  VD0  i = 0 i > 0  v > VD0
12 i
linha reta B i
característica
exponencial (inclin. = 1/rD)
8 ideal
VD0
v
4
rD
linha reta A
0 0,5 1,0 v (V) 0 VD0 v

VD0
 DIODO EMISSOR DE LUZ (LED)
A
O comprimento de onda da luz emitida por um LED
i
(polarização direta) depende do material semicondutor
empregado em sua fabricação. Utilizando-se arsenieto de
v gálio (GaAs) resulta em emissão na faixa da luz visível. Na
polarização direta, a queda de tensão entre anodo e catodo
resulta usualmente na faixa de 1,6 a 3V.
K
EXERCÍCIO
E1.3) Refaça o exercício E1.1, considerando para os diodos:

1º - O modelo da queda de tensão constante com VD0 = 0,7V.
2º - O modelo aprimorado com rD = 20Ω e VD0 = 0,6V.
Obs: por conveniência, os circuitos do exercício E1.1 são mostrados a seguir.
a) +5V b) +5V c) +5V d) +5V
10kΩ 10kΩ I I
V V V V
I I 10kΩ 10kΩ
–5V –5V –5V –5V
Respostas: 1º - a) –4,3V, 0,93mA; b) 5V, 0A; c) 4,3V, 0,93mA; d) –5V, 0A.

2º - a) –4,38V, 0,938mA; b) 5V, 0A; c) 4,38V, 0,938mA; d) –5V, 0A.
E1.4) Refaça o item "a" exercício E1.2, considerando para os diodos o modelo da queda de
tensão constante com VD0 = 0,7V.
Obs: por conveniência, o correspondente circuito é mostrado a seguir.
+3V +1V
D1
D2
V
I 1kΩ
D4
D3
1kΩ
Respostas: 2,3V; 6,6mA.

–5V
2) CIRCUITOS RETIFICADORES
2.1) FONTE DE ALIMENTAÇÃO CC (diagrama de blocos)
transformador IL
+ rede ca + Diodos Regulador +
120V(rms) vS Filtro VO Carga
retificadores de tensão
– 60Hz – –
t t t t t
Obs: para a análise a seguir dos circuitos retificadores foi utilizado o modelo da queda de
tensão constante para os diodos.
2.2) RETIFICADOR DE MEIA ONDA ideal VD0
+ + + +
D
rede ca vS vO vS + vO
R – R
– – – –
v VD0
vS
VSM vO
VOM
t
VD0
VSM = valor de pico (valor máximo) da tensão no secundário do transformador.

VOM = valor de pico (valor máximo) da tensão na carga (R).
VSM VD 0
Valor Médio da Tensão na Carga = VOCC  
 2
2.3) RETIFICADORES DE ONDA COMPLETA
 COM DOIS DIODOS
+ + D1 +
vS R vO
rede – –
ca
+
vS
D2
– –
v
VD0 –vS vS
VSM vO
VOM
tt
Obs: para o semiciclo positivo de vS conduz o diodo D1.

para o semiciclo negativo de vS conduz o diodo D2.

2 VSM
Valor Médio da Tensão na Carga = VOCC   VD0

 EM PONTE
+ +
D4 D1
tensão ca vO
da rede – +
elétrica vS
R
D2 D3
– –
v
2VD0
vS
VSM vO
VOM
Obs: para o semiciclo positivo de vS conduzem os diodos D1 e D2.

para o semiciclo negativo de vS conduzem os diodos D3 e D4.

2 VSM
Valor Médio da Tensão na Carga = VOCC   2 VD 0

2.4) FILTRAGEM CAPACITIVA
 MEIA ONDA
D +
vS + C R vO
–
–
vO Vr
com capacitor
VOM
1/60 sem capacitor t(s)
 ONDA COMPLETA
vO com capacitor Vr
VOM
1/120 sem capacitor t(s)
 VALOR MÉDIO DA TENSÃO NA CARGA (AMBOS OS CASOS!!!)
Valor Médio da Tensão na Carga = VOCC  VOM  (Vr / 2)
Vr = tensão de "ripple" de pico a pico = tensão de ondulação de pico a pico
 RELAÇÃO ENTRE CAPACITÂNCIA E TENSÃO DE "RIPPLE"
VOM
Demonstra-se que: Vr 
f RC
f = frequência da ondulação (Hz)

(meia onda  60Hz ; onda completa  120Hz)
C = capacitância em Farad (F)
R = resistência de carga em Ohm (Ω)
Vr = tensão de "ripple" de pico a pico em Volt (V)
EXERCÍCIOS
E2.1) A fonte de alimentação a seguir utiliza um transformador de 127V/(9+9)V. Assuma diodos

ideais e determine:
a) A tensão de "ripple" na carga.
b) A corrente média na carga.
rede 500F
~ 500
60Hz
Respostas: a) 0,424V; b) 25mA.
E2.2) Considere o circuito abaixo e determine a tensão eficaz no secundário do transformador e

o valor do capacitor de modo que a tensão média na carga seja de 12V com uma tensão
máxima de "ripple" de 0,5V. Assuma o modelo da queda de tensão constante para os diodos
com VD0=0,7V.
rede C
~ 200
60Hz
Respostas: 9,65V; 1021F.
E2.3) Comente sobre a escolha correta de um valor comercial para o capacitor do exercício
anterior.
3) DIODO ZENER
3.1) SIMBOLOGIA / CURVA CARACTERÍSTICA

iZ
K
–VZ –VZK
iZ 0
vZ
–IZK vZ
VZ = TENSÃO ZENER (nominal) –IZT

VZK = TENSÃO DE JOELHO (knee)
IZT = CORRENTE DE TESTE
IZK = CORRENTE DE JOELHO (knee)
IZMÁX = CORRENTE MÁXIMA
–IZMÁX
Obs: como o diodo zener é utilizado na polarização reversa, é usual considerar os valores de
tensão e corrente como positivos. Na polarização direta, o comportamento do diodo
zener é similar ao do diodo retificador.
3.2) ESPECIFICAÇÕES BÁSICAS: PZMÁX , VZ
PZMÁX  VZ I ZMÁX sendo: PZMÁX = POTÊNCIA MÁXIMA DE TRABALHO
Para efetuar projetos, também será necessário estabelecer uma corrente mínima de trabalho
(IZMÍN). Normalmente, adota-se:
I ZMÍN  I ZMÁX 10
3.3) PROJETO DE UM REGULADOR DE TENSÃO PARALELO
IS RS IL
VI  VZ
RS 
VI  VI IZ DZ RL VL IZ  IL
VIMÁX  VZ VIMÍN  VZ
R SMÍN  < RS < R SMÁX 
I ZMÁX  I LMÍN I ZMÍN  I LMÁX
3.4) REGULADORES DE TENSÃO INTEGRADOS (TENSÃO FIXA)
EXEMPLO  série 78XX (regulador positivo)
 CARACTERÍSTICAS BÁSICAS
Tensão de Estabilização = XX (Volts) = 5, 6, 8, 9, 10,12, 15, 18, 24

Corrente Máxima = 1A (com dissipador de calor)
Proteção contra sobrecarga térmica
Proteção contra curto-circuito
 APLICAÇÃO TÍPICA
1 3
78XX
2
VI 0,33F 0,1F VL = XX (Volts)
 IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS

EXERCÍCIOS
E3.1) Deseja-se obter uma tensão estabilizada de 8,2V a partir de uma fonte de tensão CC que
forneça 12V sob uma variação de 10%. Utilizando um diodo zener de 500mW, projete
um estabilizador de tensão paralelo para alimentar uma carga cuja corrente varia de 0 a
10mA.
Resposta: 82Ω < RS < 161,5Ω.
E3.2) Para um estabilizador de tensão paralelo que utilize um diodo zener de 5,6V/1W, um
resistor de 100Ω e carga infinita (sem carga), determine os limites permitidos para a tensão
de entrada.
Resposta: 7,39V < VI < 23,5V
E3.3) Refaça o projeto do exercício E3.1 considerando que a corrente de carga varia de 0 a
50mA.
4) TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)
4.1) ESTRUTURA FÍSICA / SIMBOLOGIA
TBJ npn
tipo n tipo p tipo n Metal
região de região de região de B

Emissor Coletor
(E) Emissor Base Coletor (C)
junção junção
emissor-base coletor-base npn
(JEB) Base (JCB) E
(B)
TBJ pnp
tipo p tipo n tipo p
região de região de região de B

E C
Emissor Base Coletor
pnp
B C
4.2) PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO (região ativa)
diretamente polarizada reversamente polarizada
n p n
ELÉTRONS ELÉTRONS EM ELÉTRONS iC
INJETADOS DIFUSÃO COLETADOS
E C
iE
iE ELÉTRONS iC
LACUNAS INJETADAS RECOMBINADOS
(iB1) (iB2)
iB
iB
vBE vCB
iE iE B iC iC
VBE VCB
VCE  VCB  VBE I E  IC  I B

VCB C
IB IC
B
IE nível de emissor
VBE coletor
E dopagem
base
Sendo a base muito estreita e fracamente dopada (baixa concentração de portadores

majoritários) resulta numa baixa corrente injetada de lacunas no emissor. Em compensação,
haverá uma corrente elevada de elétrons injetados pelo emissor na base, pois, o emissor é
fortemente dopado. Isso implica numa elevada corrente de difusão de elétrons através da base
com uma baixa recombinação (base fracamente dopada e estreita). Assim, muitos elétrons
atingirão a junção CB, sendo arremessados para o coletor (mais positivo que a base).
diretamente polarizada reversamente polarizada
p n p
LACUNAS LACUNAS EM LACUNAS iC
INJETADAS DIFUSÃO COLETADAS
E C
iE
iE LACUNAS iC
ELÉTRONS INJETADOS RECOMBINADAS
(iB1) (iB2)
iB
iB
vEB vBC
iE iE B iC iC
VEB VBC
VEC  VBC  VEB I E  IC  I B

E
VEB
IB IE
B
IC nível de emissor
VBC coletor
C dopagem
base
4.3) MODOS DE OPERAÇÃO (npn)
JEB JBC correntes observação

CORTE reversa reversa =0 VBE < 0,5V
ATIVO direta reversa 0 VCB > 0
SATURAÇÃO direta direta 0 VCB  – 0,5V
Obs: esta tabela também é aplicável ao TBJ pnp, bastando inverter os sentidos das tensões na
coluna "observação"(isto é, VEB < 0,5V, VBC > 0, VBC  – 0,5V).
4.4) PARÂMETROS BÁSICOS
GANHO DE CORRENTE DE EMISSOR COMUM:   I C I B ( > 1)
GANHO DE CORRENTE DE BASE COMUM:   I C I E ( < 1)
 RELAÇÃO ENTRE PARÂMETROS
IC  1 I 1 1 1  1 
I E  IC  I B  IC   I C 1    E  1    1   
   IC      1

Desta última expressão pode-se escrever:  
1 
4.5) EXEMPLO DE UM TBJ DE BAIXA POTÊNCIA: BC548A, B ou C
 ASPECTO FÍSICO
 VALORES DE  (hFE)
EXERCÍCIOS
E4.1) As tensões nos terminais de alguns CASO E B C MODO

transistores npn de silício foram 1 0 0,7 1,7
medidas durante a operação em seus 2 0 0,8 0,1
respectivos circuitos, resultando nos 3 –0,7 0 0,7
dados da tabela ao lado. Os valores estão 4 –0,7 0 –0,6
em volts sendo que 0 (zero) indica o 5 –2,7 –2,0 0
terminal de referência da medida. Para 6 0 0 5,0
cada caso, mostrar os valores das 7 –0,1 0 5,0
tensões entre os terminais do transistor e
identificar na tabela o modo de operação.
Respostas: ativo  casos 1, 3 e 5; saturado  casos 2 e 4; corte  casos 6 e 7.
E4.2) O transistor do circuito ao lado tem  muito elevado. Calcule VE e +9V

VC para os seguintes valores de VB: a) +3V; b) +1V; c) 0V.
VB 1k
VC
VE
1k
Respostas: a) 2,3V, 6,7V; b) 0,3V, 8,7V; c) 0V, 9V.
E4.3) No circuito ao lado determine o valor de RC sabendo que o +10V

transistor tem  = 50 e que VC = 5V. O que aconteceria se o
transistor fosse substituído por outro com  = 100?
VC
100k
RC
Respostas: 1075Ω, o transistor satura.

4.6) O TBJ OPERANDO COMO CHAVE
 MODOS DE OPERAÇÃO
CORTE  CHAVE ABERTA (ausência de correntes)

SATURAÇÃO  CHAVE FECHADA (baixa resistência entre coletor e emissor)
Obs: a operação no modo ativo ocorre somente durante a transição corte  saturação.
 COMANDO DA CHAVE  pela corrente de base
I B  0  corte
I B  0 e VCB  0,5V (ou VCE  0,2V )  saturação
 MODELO DO TBJ NA SATURAÇÃO
npn pnp
–0,5V –0,5V
B C B C
0,7V 0,2V 0,7V 0,2V
E E
Obs: nos modelos acima são mostrados valores médios de VBE e VCE para a saturação que
variam dependendo das especificações do TBJ e de sua polarização.
 PROJETO (circuito básico)
+VCC +VCC
RC
CH TBJ VBE(V) VCE(V)
CH 1 saturado 0,7 0,2
1 RB 2 cortado 0 VCC
2
Corrente de saturação de coletor:
VCC  VCEsat VCC  0,2

I Csat   RC 
RC I Csat
Corrente de saturação de base:
I Csat
I Bmín   utiliza-se um fator de garantia de saturação

afator de garantia de saturação  fator de saturação forçada (F)  FORÇADO (f)a
I Bsat  F  I Bmín ou βf   F
Normalmente: 2  F  10
EXERCÍCIOS
E4.4) Deseja-se que o transistor do circuito ao lado opere no modo +5V +5V
saturado com uma corrente de saturação de coletor igual a 50mA.
Projetar o circuito, considerando um fator de saturação forçada
RC
igual a 4 e um transistor com  = 80. RB
Respostas: RC = 96Ω, RB = 1720Ω
E4.5) O fator de saturação forçada utilizado no projeto do circuito ao lado +10V +10V
é igual a 2. Determine  do transistor, sabendo que opera saturado.
1kΩ
30kΩ
Resposta: 63,2
E4.6) Determine os valores de R1 e R2 do circuito ao lado de modo +15V +15V

que o LED acenda e apague, respectivamente, para a chave
(CH) nas posições "A" e "B". O LED utilizado deverá operar
com uma corrente/tensão de 20mA/2V para a emissão de R1 R2
uma intensidade luminosa adequada. Dados: fator de
saturação forçada = 2 e  = 150.
CH
A
B
Respostas: 53625Ω, 640Ω.
E4.7) Altere os pontos de conexão do LED no circuito do exercício E4.6 de modo que o LED
acenda e apague, respectivamente, para a chave (CH) nas posições "B" e "A".
5) AMPLIFICADOR OPERACIONAL (AMP. OP.)
5.1) SIMBOLOGIA / CONEXÕES DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO
1 1  entrada inversora
– 3 2  entrada não-inversora
2 3  saída
+
V+
1 4 1 4
– – O amplificador operacional
3 3 conectado à fonte de
2 2 alimentação cc simétrica
+ +
5 5
V–
5.2) CARACTERÍSTICAS BÁSICAS
 Resistência de saída (Ro) baixa

 Resistência de entrada (Ri) elevada
 Ganho diferencial (A) elevado
i–
v– – i  e i   baixas
i+ vO
v+ + v O  A v   v  
 Exemplo: LM741 (Ro  50Ω, Ri 2MΩ, A  105V/V)

5.3) O AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL: Ro = 0, Ri  , A  
Obs: as deduções aqui realizadas consideram o modelo idealizado do amp. op.
5.4) CONFIGURAÇÃO INVERSORA
 Inversor básico (amplificador inversor) e o conceito de curto virtual

i R2 Inicialmente, admita que vI = 0. Note
que R2 e R1 fornecem uma parte da tensão
R1 vO para a entrada:
– se vO  v   v     vO
0
vI
+ i 0 se vO  v   v     vO
+ vO Este efeito contrário à causa do mesmo é
chamado de realimentação negativa.
Portanto, se A   e vO permanece finito pelo efeito da realimentação negativa,

v   v   = 0. Então, fala-se que há um curto virtual entre as entradas do amplificador
operacional e que a entrada inversora é um terra virtual.
 Análise do amplificador inversor

i R2
–v O
i R1
–
+ vI 0 0
vI
+ vO
 Circuito Somador Inversor (ponderado)
i1 R1 i Rf
v1
–vO
i2 R2 i
v2 – i  i1  i 2  i 3    i n
0
i3 R3 0 i   vO R f
v3 + vO i X  v X R X x  1, 2, 3 n 



v O v1 v 2 v 3 v
     n
in Rn R f R1 R 2 R 3 Rn
vn
R R R R 
 v O    f v1  f v 2  f v 3    f v n 
 R1 R2 R3 Rn 
EXERCÍCIOS
E5.1) Projetar um amplificador inversor de ganho –10V/V e resistência de entrada de 100kΩ,

utilizando um amplificador operacional ideal.
Obs: naturalmente, o projeto inclui a apresentação do desenho do circuito e a correta
identificação dos valores de seus componentes.
E5.2) Utilizando um amplificador operacional ideal, projete um circuito inversor cuja tensão em
sua saída (vO) seja o resultado da soma ponderada de duas tensões (v1 e v2) segundo a
equação: vO = – (v1 + 5 v2) . Deseja-se que o módulo da tensão de saída seja de 10V para
uma corrente de 1mA no resistor de realimentação.
Obs: naturalmente, o projeto inclui a apresentação do desenho do circuito e a correta
identificação dos valores de seus componentes.
E5.3) O circuito ao lado usa um amplificador ope-

–
racional ideal, exceto quanto ao seu ganho
diferencial (A) que é finito. Medidas indicam vO 1MΩ
= 3,5V quando vI = 3,5V. Calcule o valor do
+ vO
+
ganho diferencial do amplificador operacional. vI 1kΩ
Resposta: 1001V/V
 Circuito Diferenciador
Em um capacitor a corrente é diretamente
i R proporcional à taxa de variação da tensão, isto é,
i  C dv dt
i C
– Então, para o circuito ao lado: i  C dv I dt
+ 0
vI 0
Analogamente, ao estudo do inversor básico:
+ vO
i   vO R
vO dv dv I
Portanto:  C I  vO   R C
R dt dt
 Circuito Integrador  Um estudo inicial
Considere o circuito a seguir e o pulso retangular de amplitude "A" e duração " " (sinal
vI) aplicado em sua entrada.
Admitindo em t = 0, o capacitor descarregado (vC = 0), para 𝑣 = 𝐴 , 𝑖 = com 𝑖 = 𝐶
Igualando: =𝐶  𝑑𝑣 = 𝑑𝑡  𝑣 = ∫ 𝑑𝑡  𝑣 = −𝑣 = 𝜏
Portanto, em t = t2 a tensão na saída do circuito será: 𝑣 = − 𝜏
Para t > t o que acontece com a tensão de saída?

2
A tensão de saída é mantida porque: vI (t > t2) = 0  i = 0  a carga do capacitor não

se altera  vC e vO são mantidos (considerando todos os componentes como ideais).
 Circuito Integrador
i C
De forma análoga ao circuito diferenciador,
i R vC i   C dv O dt e i  vI R
–
+ 0 vI dv 1
vI 0  C O  dv O   v I dt
+ vO R dt RC
vO ( t ) t vO (t) 0 t
    
1 1 1
dvO   v I dt  dv O   v I dt  v I dt
v O (  ) R C  v O (  ) R C  RC 0

1
 v O ( t )  v O (0)  v I dt
RC 0
Obs: vO(0) representa o valor da tensão de saída do circuito em t=0 (instante inicial). Repare
que vO(0) nada mais é que a tensão no capacitor (sentido trocado), pois, vC = –vO.
5.5) CONFIGURAÇÃO NÃO-INVERSORA
i R2
i  vR 2 R 2 e i   v I R1
i vR2
R1
– vI vR 2 vI vI  vO
vI 0 0     
R1 R 2 R1 R2
+ vO
vI v v vO v v
vI
+   I  O   I  I
R1 R 2 R 2 R 2 R 2 R1
vO  1 1  vO  1 1  vO R
 vI      R2    1 2
R2  R 2 R1  vI  R 2 R1  vI R1
 Caso particular: Circuito Seguidor de Tensão
– Fazendo R2 = 0 e R1   :
0
0 vO
+ 1
vO vI
+
vI
Obs: apesar da aparente inutilidade, este tipo de circuito é frequentemente utilizado como
estágio reforçador de corrente.
5.6) CIRCUITO SUBTRATOR
R2 Por superposição de efeitos:

R2
R1 v2 = 0  v'O   v1
v1 R1
–
R3  R 
v+ v1 = 0  v"O  1  2  v 
v2 + vO  R1 
R4  R4 
sendo: v    v 2
R
 3  R 4 
R2  R  R  R  R 4 
Superpondo: v O  v O  v O  
' "
v1  1  2  v    2 v1  1  2  v 2
R1  R1  R1  R 1  R 3  R 4 
R2  R  1  R2  1  (R 2 / R1 ) 
vO   v1  1  2   v 2  vO   v1    v 2
R1  R 1  1  (R 3 / R 4 )  R1  1  (R 3 / R 4 ) 
Para obter um subtrator sem ponderação, isto é, v O  k v 2  v1  :
R 2 1  (R 2 / R 1 ) R 2 R3 R R R2 R4
  R2   R1  1 2  
R1 1  (R 3 / R 4 ) R4 R1 R1 R 3
5.7) CIRCUITO COMPARADOR

vI
vI + VT
vO
0 t
–
VT
vO
L+
VT = tensão de limiar
L+ = tensão de saturação alta do amp. op.
0 t
L– = tensão de saturação baixa do amp. op.
L–
Obs: este é o único circuito, dentre os que estamos estudando, que necessariamente explora uma
das não idealidades (no caso, uma não-linearidade) do amplificador operacional, que é a
saturação.
EXERCÍCIOS
E5.4) Determine a forma de vO para o circuito abaixo, assumindo que o amplificador operacional
é ideal.
vI (V) 10kΩ
5 10nF
–
1,5 3,5 +
0 0,5 1 2 2,5 3 t (ms) vI
+ vO
–5
E5.5) O circuito ao lado utiliza um amplificador 4R

operacional que pode ser considerado ideal.
Determine o seu ganho de tensão (vO/vI). R
–
R
+ vO
+
vI
Resposta: 5V/V.
E5.6) Deduza a expressão matemática da tensão de 4R

saída do circuito ao lado em função das tensões
de suas duas entradas. Assuma um amplificador R
operacional ideal. v1 –
R
v2 + vO
4R
Resposta: vO = 4 (v2 – v1)
E5.7) Determine a forma de onda de vO do circuito ao vI

–
lado para o sinal vI do exercício E5.4. O
vO
amplificador operacional pode ser considerado
ideal, exceto por saturar com 10V. +
2,5V
5.8) CONVERSOR D/A (DIGITAL-ANALÓGICO)
 Conceitos Básicos
Sistemas Numéricos
Decimal Binário Hexadecimal
0 0 0
1 1 1
2 10 2
3 11 3
4 100 4
5 101 5
6 110 6
7 111 7
8 1000 8
9 1001 9
10 1010 A
11 1011 B
12 1100 C
13 1101 D
14 1110 E
15 1111 F
Sistema Numérico Binário

cada dígito binário = bit
conjunto de oito bits = byte
Significado dos Algarismos na Base 10 (decimal)

Exemplo: (594)10 = 5102 + 9101 + 4100
Esquematicamente:
102 101 100
5 9 4
Significado dos Algarismos na Base 2 (binária) e Conversão para Base 10

Exemplo: (101)2 = 122 + 021 + 120 = (5)10
Esquematicamente:
22 21 20
1 0 1
MSB = Most Significant Bit (Bit Mais Significativo)
LSB = Least Significant Bit (Bit Menos Significativo)
Conversão de Base 10 para Base 2
Exemplo: converter o nº 47 (base 10) para a base 2
47 2
1 23 2
1 11 2  (101111)2 = (47)10
1 5 2
1 2 2
0 1
Níveis Lógicos (de tensão)
Nível Lógico 1 = NL1 NL1 = 5V

EXEMPLO 
Nível Lógico 0 = NL0 NL0 = 0V
 Circuito Básico (resistores com ponderação binária)
Seja um número binário de três bits (por exemplo): (ABC)2

Para converte-lo à base 10 basta fazer: n 10  A  2 2  B  21  C  20 ou
n10  A  22  B  21  C  20 22 22  22  A0  B1  C2 
2 2 2 
Associando aos bits (A, B e C) tensões v1, v2 e v3 e também ao número na base 10 um nível
de tensão vO, existirá um circuito conversor D/A que efetue essa conversão:
v1
v2
CONVERSOR vO
v v v 
v O  K  01  12  23 
v3 D/A 2 2 2 
Um conversor D/A não precisa vincular o valor da tensão em sua saída que seja igual ao
número em binário representado pelos níveis lógicos presentes nas tensões das entradas. O
importante é que exista uma correta proporcionalidade (escolhida pelo valor de K).
Estendendo a expressão anterior para um número qualquer (n) de entradas:
v v v v 
v O  K  01  12  23    nn1 
2 2 2 2 
O circuito somador inversor já estudado é capaz de efetuar uma soma ponderada.
Reescrevendo a expressão deduzida e adaptando-a à ponderação desejada:
R R R R  R R R R 
v O    f v1  f v 2  f v 3    f v n     f v1  f v 2  f v 3    n 1f v n 
 R1 R2 R3 Rn  R 2R 4R 2 R 
Rf  v 2 v3 vn 
 vO    v     
2 n 1 
1
R 2 4
Assim, resulta no circuito abaixo:
(MSB) v1 v2 v3 vn (LSB)
Rf
n-1
R 2R 4R    2 R
+ vO
Caso Particular: o módulo da tensão na saída corresponde ao número na base decimal

representado pela combinação binária das entradas.
Por conveniência: resultará vO = –1V para o número (000...1)2 representado nas entradas
pelos níveis lógicos correspondentes. Admitindo NL0 = 0:
R  0 0 NL1 R f 2 n 1
1   f 0  2  4    2 n 1   
R R NL1
 Circuito com Rede R-2R
O circuito passivo abaixo (rede R-2R) funciona como um conversor D/A, em cujas entradas
estão aplicados os sinais v1 , v2 , v3 ... vn , enquanto que vX é o sinal de saída.
2R R R 2R
vX
2R 2R 2R 2R
(LSB) v1 v2 v3 vn (MSB)
Análise do circuito: seja v1 = NL1 e v2 = v3 = ........ = vn = NL0 = 0.
2R R R i/8 i/2n 2R
i/2 i/2 i/4 vX i

2R 2R 2R 2R vX  2R
i i/4 i/8 i/2n 2n
NL1
As duas correntes que saem de cada nó são idênticas:
R 2R Req = R R Req = R
vX
2R 2R  2R R
Portanto:
2R Req = 2R
i/2 i/2 NL1 NL1/ 3 R NL1

2R i  vX  2R  vX 
i 3R 2n 2n 1 3
NL1
Obs: notar que as expressões para vX obtidas até este ponto são válidas apenas nesta
condição de análise. Sugere-se enfaticamente, que estas expressões não sejam utilizadas
nas resoluções dos correspondentes exercícios.
O acréscimo do amp. op. em uma configuração inversora: lembrar do conceito de curto

virtual.
Rf
2R R R 2R
–
vX ideal
2R 2R 2R 2R
+ vO
(LSB) v1 v2 v3 vn (MSB)
vO R
 f
vX 2R
5.9) CONVERSOR A/D (ANALÓGICO-DIGITAL)
vI + vCTRL CONTADOR
COMPARADOR Clock
– UP/DOWN
n bits
(saída)
ENTRADAS
vO D/A
vI = sinal de entrada analógico

vCTRL = sinal de controle "up/down"
Clock = sinal de "relógio" (base de tempo)
EXERCÍCIOS
E5.8) Dimensione um conversor D/A de 4 bits com amplificador operacional ideal e rede R-2R,
que na saída apresente o módulo da tensão idêntico ao valor representado pelo código
binário na entrada. Dados: NL1=5V e NL0=0V.
E5.9) Projetar um conversor D/A básico nas mesmas condições do exercício anterior.
E5.10) Desenhe (pelo menos) um período completo da forma de onda de vO do conversor D/A a
seguir. O contador de década opera com NL1 = 5V, NL0 = 0V e frequência de "clock"
igual a 1MHz. Dado: R = 250Ω.
600Ω
2R R R R 2R
–
ideal
2R 2R 2R 2R
+ vO
Q0 Q1 Q2 Q3
clock CONTADOR DE DÉCADA
6) SENSORES ELETRÔNICOS
6.1) SENSORES ÓPTICOS
6.1.1) Unidades Fotométricas (noções)
Candela (cd): intensidade luminosa numa dada

direção de uma fonte de radiação
monocromática de f = 540 THz
como intensidade energética de
1/683 W/sr. A
Esterradiano (sr): ângulo sólido Ω = A / r2

Ω
r
Lúmen (lm): fluxo luminoso emitido por uma
fonte puntiforme de uma candela no
interior de um ângulo sólido de um
esterradiano.
Lux (lx): um lux é a iluminância (illuminance)

ou iluminamento produzido numa
superfície plana de 1m2 que recebe
fluxo luminoso de um lúmen (lm).
6.1.2) LDR (Light Dependent Resistor)
É composto de um material semicondutor (fotocondutivo), usualmente o sulfeto de cádmio

(Cd S). Com a variação da incidência de luz, variam a quantidade de portadores de corrente (pares
elétron-lacuna) e, portanto, a resistência elétrica do material.
 Aspecto Físico (exemplos) e Simbologia

ELETRODOS
MATERIAL
FOTOCONDUTIVO
CONTATO
CERÂMICA
TERMINAIS
 Curvas Características Típicas [1], [2]
 Dois Exemplos de Aplicação
o Regulador de Tensão (com realimentação óptica)
i vI RLDR
i=  vO = v
* R+RLDR R+RLDR I
vI vO
* Lâmpada incandescente
Princípio de funcionamento: por exemplo, se vI diminui, o brilho da lâmpada também

diminui, acarretando o aumento de RLDR de modo a evitar a
diminuição de vO .
o Relé comandado por Luz
+VCC +VCC CARGA Princípio de funcionamento:
I1 R1a Por exemplo, se a intensidade luminosa

incidente sobre o LDR aumenta, R1b
D NA ~ diminui, acarretando o aumento da
R1b corrente I1 e, consequentemente, de I2, IB e
IC
IC o que propicia o acionamento do relé.
IB
R2a R2b : ajuste da sensibilidade de acionamento do relé. Por
I2 exemplo, a diminuição de R2b dificulta o acionamento,
pois, aumenta I2, ocasionando a diminuição de IB.
R2b
O comportamento de um indutor (ideal) sob regime de chaveamento
i(t) A tensão nos terminais de um indutor é diretamente proporcional à

variação da corrente:
( )
v(t) L 𝑣(𝑡) = 𝐿
L = indutância (henry  H)
Quando o TBJ passar da saturação para o corte, a corrente na bobina do relé é bruscamente
interrompida. Então, a derivada da corrente resultará elevada (principalmente para elevadas
indutâncias) e negativa, ou seja, v(t) < 0.
O indutor passa a operar como bipolo ativo, isto é, deverá descarregar

– a corrente que está armazenada em seu núcleo na forma de um campo
i(t) magnético. Portanto, quanto maior for a resistência presente entre os
terminais do indutor, maior será a tensão gerada. Como o TBJ passou da
v(t) L saturação para o corte, o indutor terá em paralelo uma elevada resistência,
gerando, portanto, uma elevada tensão. Assim, a tensão entre coletor e
emissor também será muito elevada e facilmente ultrapassará a máxima
+ admitida pelo TBJ.
A presença do diodo em paralelo com a bobina do relé elimina esse
problema, pois, conduzirá quando v(t) for negativa, não permitindo que a tensão ultrapasse sua
barreira de potencial.
Resumindo: o diodo protege o TBJ de uma sobretensão entre coletor e emissor quando o
mesmo passa da saturação para o corte.
6.1.3) FOTODIODO
É um diodo sensível à luz cuja resposta espectral depende do material semicondutor

utilizado, por exemplo: Si, InGaAs/InP, GaAsP, etc.
 Aspecto Físico e Simbologia [3], [4]
 Curvas Características Típicas [5], [6]

InGaAs/InP GaAsP
Obs: responsividade (responsivity) = fotocorrente gerada / potência óptica incidente

 Polarização e Capacitância Parasitária
+VCC
Um fotodiodo deve ser polarizado inversamente, pois, a corrente
I
CP gerada pela incidência de luz é bem baixa (da ordem de µA). O
circuito básico ao lado permite obter uma tensão vO diretamente
vO proporcional à luz incidente: vO = R I .
Portanto, para obter uma tensão vO significativa, R deve ser
R relativamente elevado. Contudo, esta providência causa uma resposta
lenta ao estímulo luminoso, pois:
 = R CP {
 = constante de tempo do circuito
CP = capacitância parasitária do diodo
 Diminuição da Constante de Tempo
+VCC Considerando um amplificador operacional

I ideal: vO = –R I .
I R
CP
–vO Para o fotodiodo haverá uma resistência em
– série nula (curto virtual). Portanto, τ' → 0.
vO
+ Para amplificador operacional real, ' não
será nulo, mas, ainda resultará ' <<  .
6.2) SENSORES DE TEMPERATURA
6.2.1) TERMISTORES (THERMISTORS  THERMAL RESISTORS)

Termistor é um resistor cuja resistência é sensível à temperatura. É composto de germânio,
silício ou uma mistura de óxidos de cobalto, níquel, estrôncio ou manganês. O composto utilizado
determina se o coeficiente de temperatura é positivo ou negativo.
 Formas de variar a temperatura de um termistor

 Internamente (auto-aquecimento): a corrente que percorre o termistor é elevada o
suficiente para aquecê-lo. Aplicações (exemplos gerais): detecção de nível de líquidos
ou medição do fluxo de massa de um gás.
 Externamente (sem auto-aquecimento): a corrente que percorre o termistor é baixa o

suficiente para não o aquecer de forma significativa. Aplicações (gerais): medida e/ou
controle de temperatura.
 NTC (Negative Temperature Coefficient)

 Aspecto Físico (exemplos) e Simbologia [7], [8]
 Curvas Características Típicas [9], [10]
Obs: Resistividade do material   (.cm)
A l
I R=l/A
R=V/I
 Aplicações (exemplos de circuitos) [11], [12]
COM AUTO-AQUECIMENTO SEM AUTO-AQUECIMENTO
PROTEÇÃO DA PONTE DE DIODOS MEDIDA DE TEMPERATURA

CONTRA CORRENTE DE SURTO
 PTC (Positive Temperature Coefficient)
 Aspecto Físico (exemplos) e Simbologia [13], [14]

 Curvas Características Típicas [15]
 Aplicações (exemplos de circuitos) [16]
COM AUTO-AQUECIMENTO SEM AUTO-AQUECIMENTO
RELÉ COM RETARDO DE TEMPO PROTEÇÃO DO TRANSISTOR

R  AJUSTE DO TEMPO CONTRA SUPERAQUECIMENTO
B  BOBINA DO RELÉ
6.2.2) TERMOPAR
É uma junção formada por dois metais distintos que produz uma tensão dependente da
temperatura dessa junção.
JR1
JM VM V = S T
JR2
TJM TREF REGIÃO ISOTÉRMICA
JM = junção entre dois metais (distintos) onde se deseja medir a temperatura (TJM)
JR1 = JR2 = junções de cada metal com os que levam aos pontos de medida de VM
TREF = temperatura de referência (tem de ser idêntica para JR1 e JR2)
VM = S (TJM – TREF) S = coeficiente de Seebeck
 Aspecto Físico (exemplo) [17]
Termopar tipo K
Metais: Ni-Cr/Ni-Al
Ni-Cr → "Cromel"
Ni-Al → "Alumel"
 Características de alguns Tipos [18]
Obs: Cu-Ni → "Constantan"

 Temperatura de Referência
 Banho de gelo fundente
Garantirá TREF = 0ºC para as junções JR1 e JR2 que estarão mergulhadas nesse banho. Assim,
VM = S (TJM), isto é, haverá proporcionalidade entre VM e TJM.
 Compensação do erro causado por TREF = TAMB (TREF ≠ 0)
Através do uso de um termistor termicamente acoplado a JR1 e JR2, pode-se gerar uma tensão
que compense o erro causado por TREF ≠ 0.
6.3) STRAIN GAUGE (sensor de deformação)
Útil na detecção de força, peso ou carga. Basicamente, é uma unidade resistiva elástica cuja
mudança de resistência é função do esforço aplicado.
 Aspecto Físico e Princípio Básico

Deformação "x"
Deformação "y"
RSG
Elemento resistivo Base elástica (colada na superfície de interesse)
Particularmente, este "strain gauge" é sensível apenas às deformações em "x", por conta da
geometria de seu elemento resistivo. Assim, com um maior tensionamento (em "x"), RSG aumenta.
Materiais típicos (elemento resistivo): Constantan (Cu-Ni), Cromel (Ni-Cr), Níquel, etc.
RSG: 120, 350, 700, 1000Ω (valores nominais típicos). Variação máxima (típica): 1%.
 Exemplos de Aplicações
 Ensaio ferroviário [19]
 Célula de carga de alta precisão [20]

 Geometria do elemento resistivo (exemplos) [21] [22]
REFERÊNCIAS
[1] Advanced Photonix, Inc. ALLDATASHEET.COM. Disponível em:

<https://html.alldatasheet.com/html-pdf/237788/ADVANCEDPHOTONIX/PDV-
P8102/1538/1/PDV-P8102.html> Acesso em: 30 de julho de 2020.
[2] Token Electronics Industry Co., Ltd. ALLDATASHEET.COM. Disponível em:

<https://html.alldatasheet.com/html-pdf/342718/TOKEN/PGM5516P/308/2/PGM5516P.html>.
Acesso em: 30 de julho de 2020.
[3] OSRAM, OSRAM Opto Semiconductors. Disponível em:

<https://dammedia.osram.info/media/resource/hires/osram-dam-5488328/BPX%2061_EN.pdf>
[4] OSRAM, OSRAM Opto Semiconductors. Disponível em:

<https://dammedia.osram.info/media/resource/hires/osram-dam-5467169/SFH%202505_EN.pdf>
[5] Roithner LaserTechnik GmbH, ALLDATASHEET.COM. Disponível em:

<https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/986958/ROITHNER/EPD-1300-0-3.0.html>
[6] Hamamatsu Corporation, ALLDATASHEET.COM. Disponível em:

<https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/62542/HAMAMATSU/G1126-02.html>
[7] Shenzhen DXM Technology Co., Ltd. Disponível em:

<http://www.dxmht.com/en/ProductDetail/2365380.html>
[8] Shenzhen DXM Technology Co., Ltd. Disponível em:

<http://www.dxmht.com/en/ProductDetail/2365379.html>
[9] KOA Speer Electronics, Inc. Disponível em: <https://www.alldatasheet.com/datasheet-

pdf/pdf/266913/KOA/NT731JT.html>
[10] IT Instrumentation Today. Disponível em:

<http://www.instrumentationtoday.com/thermistor-2/2011/08/>
[11] "List of Unclassifed Manufacturers". ALLDATASHEET.COM. Disponível em:

<https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/581267/ETC2/5D2-08LCS.html>
[12] TDK Electronics. NTC Thermistors - application notes. Disponível em: <https://www.tdk-
electronics.tdk.com/download/531110/5608e4b12153bb12af2808fbedc5a55b/pdf-
applicationnotes.pdf>
[13] KLS Electronic. Filament Preheat PTC Thermistor. Disponível em:

<http://www.cnkls.com/admin/product_upload/20120712180419KLS6-MZ11A.pdf>
[14] Protek Devices. Polymer PTC device. Disponível em:

https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/801077/PROTEC/PMPS260C-1812.html>.
[15] Thinking Electronic Industrial Co.,Ltd. SMD PTC Thermistor for Temperature Sensing.
Disponível em: <https://www.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/pdf/421877/THINKING/TPM0S541P115RT.html>.
[16] muRata. PTC Thermistor - Application Manual. Disponível em:

<https://pdf.directindustry.com/pdf/murata-electronics/ptc-thermistors-posistor-application-
manual/34044-561219-_10.html>.
[17] UNI-T. T01 temperature probe. Disponível em: <https://www.uni-t.cz/en/p/uni-t-t01-

temperature-probe>.
[18] RF Wireless World. Difference between Thermocouple, RTD and Thermistor. Disponível
em: <https://www.rfwireless-world.com/Terminology/Thermocouple-vs-RTD-vs-
Thermistor.html>.
[19] HBM. Ensaio ferroviário com a HBM. Disponível em:

<https://www.hbm.com/pt/0469/transporte-ferroviario/>
[20] HBM. Célula de Carga de Alta Precisão em Miniatura. Disponível em:

<https://www.hbm.com/pt/3026/celula-de-carga-miniatura-pw4m-de-alta-precisao/>.
[21] HBM. Catálogo de Strain Gauges. Disponível em:

<https://www.hbm.com/fileadmin/mediapool/hbmdoc/technical/S01265.pdf>.
[22] HBM. Resistive strain gauge VY series. Disponível em:

<https://www.directindustry.com/prod/hbm-test-measurement/product-6017-1264943.html>.

EL8210 NEA210 - Teoria v2.3

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EL8210/NEA210 – FUNDAMENTOS DE ELETRÔNICA (Prof. Alvaro) 1.

1.2) SIMBOLOGIA: A i K A  Anodo

1.3) DIODO IDEAL:

 UTILIZAÇÃO EM UM CIRCUITO EXTERNO

SEMICICLO NEGATIVO SEMICICLO POSITIVO

SENÓIDE RETIFICADA EM MEIA ONDA

 DEFINIÇÃO DE FATOR DE FORMA

a) +5V b) +5V c) +5V d) +5V

–5V –5V –5V –5V

Respostas: a) –5V, 1mA; b) 5V, 0A; c) 5V, 1mA; d) –5V, 0A.

E1.2) Idem exercício anterior para os dois circuitos abaixo.

+3V +1V I 1kΩ

Respostas: a) 3V, 8mA; b) 1V, 4mA.

 CURVA CARACTERÍSTICA (real) i

contato metálico contato metálico

silício silício Estrutura física simplificada

A) SILÍCIO INTRÍNSECO (cristal de Si puro)  material semicondutor

elétrons de ligações elétrons de ligações

IMPUREZAS DOADORAS (elemento pentavalente)  SILÍCIO TIPO n

C) JUNÇÃO PN E OS EFEITOS DE SUA POLARIZAÇÃO

vAK > 0  W diminui (menor barreira de potencial)

0 0,5 VD0 1,0 0 VD0 v

0 0,5 1,0 v (V) 0 VD0 v

 DIODO EMISSOR DE LUZ (LED)

E1.3) Refaça o exercício E1.1, considerando para os diodos:

Obs: por conveniência, os circuitos do exercício E1.1 são mostrados a seguir.

a) +5V b) +5V c) +5V d) +5V

–5V –5V –5V –5V

Respostas: 1º - a) –4,3V, 0,93mA; b) 5V, 0A; c) 4,3V, 0,93mA; d) –5V, 0A.

Respostas: 2,3V; 6,6mA.

2.1) FONTE DE ALIMENTAÇÃO CC (diagrama de blocos)

2.2) RETIFICADOR DE MEIA ONDA ideal VD0

VSM = valor de pico (valor máximo) da tensão no secundário do transformador.

 COM DOIS DIODOS

Obs: para o semiciclo positivo de vS conduz o diodo D1.

VSM = valor de pico (valor máximo) da tensão no secundário do transformador.

Obs: para o semiciclo positivo de vS conduzem os diodos D1 e D2.

VSM = valor de pico (valor máximo) da tensão no secundário do transformador.

1/60 sem capacitor t(s)

1/120 sem capacitor t(s)

 VALOR MÉDIO DA TENSÃO NA CARGA (AMBOS OS CASOS!!!)

Valor Médio da Tensão na Carga = VOCC  VOM  (Vr / 2)

Vr = tensão de "ripple" de pico a pico = tensão de ondulação de pico a pico

 RELAÇÃO ENTRE CAPACITÂNCIA E TENSÃO DE "RIPPLE"

f = frequência da ondulação (Hz)

E2.1) A fonte de alimentação a seguir utiliza um transformador de 127V/(9+9)V. Assuma diodos

Respostas: a) 0,424V; b) 25mA.

E2.2) Considere o circuito abaixo e determine a tensão eficaz no secundário do transformador e

Respostas: 9,65V; 1021F.

3.1) SIMBOLOGIA / CURVA CARACTERÍSTICA

VZ = TENSÃO ZENER (nominal) –IZT

3.2) ESPECIFICAÇÕES BÁSICAS: PZMÁX , VZ

PZMÁX  VZ I ZMÁX sendo: PZMÁX = POTÊNCIA MÁXIMA DE TRABALHO

3.4) REGULADORES DE TENSÃO INTEGRADOS (TENSÃO FIXA)

EXEMPLO  série 78XX (regulador positivo)

Tensão de Estabilização = XX (Volts) = 5, 6, 8, 9, 10,12, 15, 18, 24

 IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS

Resposta: 82Ω < RS < 161,5Ω.

Resposta: 7,39V < VI < 23,5V

4) TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)

4.1) ESTRUTURA FÍSICA / SIMBOLOGIA

tipo n tipo p tipo n Metal