UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS

FACULDADE DE ENGENHARIA ELÉTRICA E DE COMPUTAÇÃO

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA BIOMÉDICA

TRANSDUÇÃO E MEDIDA DE DESLOCAMENTO

Prof.Dr. Eduardo Tavares Costa

Partes deste texto foram compiladas pelos Engenheiros Ricardo Grossi Dantas
(MEE) e Cláudio Moro (MEE). Versão final de E.T. Costa.

Maio de 2001
 1. Introdução

A medida de deslocamento pode ser realizada direta ou indiretamente. No

caso de medição direta, pouco freqüente em aplicações biomédicas, podemos
citar aquelas em que se deseja medir a contratilidade do músculo cardíaco (em
preparações de músculo isolado), ou quando se realizam estudos das
propriedades de ossos submetidos à tensão. Já as medidas indiretas são muito
freqüentes e muito utilizadas e aplicações biomédicas. Muitos dos transdutores de
pressão e transdutores de força hoje no mercado se utilizam dos princípios de
transdução e medição de deslocamento (de uma haste ou de um diafragma). Os
principais tipos de transdutores de deslocamento podem ser classificados em: 1)
resistivos; 2) capacitivos; 3) indutivos; 4) ultra-sônicos. Estaremos tratando de
diversos destes transdutores neste texto, sem conseguir esgotar o assunto.

2. Transdutores resistivos

Os transdutores resistivos podem ser divididos em dois grandes grupos: 1) os

do tipo potenciômetro e 2) os do tipo extensômetro.

2.1 – Transdutores do tipo potenciômetro

Os transdutores do tipo potenciômetro são resistores com resistência variável

que são colocados sob tensão elétrica, fazendo parte de um circuito elétrico
simples. O circuito tem uma saída que é obtida por meio de um contacto móvel
preso ao dispositivo que se movimenta o qual se deseja mensurar seu
deslocamento. Relaciona-se a tensão de saída com o deslocamento ocorrido.
Podem ser do tipo translação ou do tipo rotação (ver Figura 1). Geralmente os
resistores são do tipo discreto, feitos de fio metálico enrolado em uma haste de
suporte, embora também se encontrem os do tipo contínuo, feitos de cerâmica
condutora ou plástico condutor. Sua resistência pode variar de forma senoidal,
logarítmica ou linear.

Figura 1 – Transdutores resistivos tipo potenciômetro (rotacional e linear)

 Suas principais características são:
• Deslocamento máximo: 0,2cm a 150cm (tipo translação) ou 10º até 50
voltas (tipo rotação)
• Exatidão: usualmente melhor que ±1% (tipos contínuo ou fio enrolado)
• Linearidade máxima: > ±0,1% (fio enrolado, translação) e > ±0,02% (fio
enrolado, rotação volta única)

Em Engenharia biomédica, uma linearidade de ±1% é bastante razoável.

Para se obter linearidade máxima, cuidados especiais devem ser tomados para
que a carga imposta pelo equipamento de medida não provoque distorção. Isto
pode ser visto na Figura 2, em que se verifica que o efeito da resistência dos
bornes de saída do transdutor (RL) é tal que seu valor comparado com a
resistência total do transdutor (R) deve ser muito grande. Ao tender a infinito, sua
influência será nula. Entretanto, se seus valores forem comparáveis, o efeito é um
aumento da não linearidade da saída para diferentes deslocamentos. Uma
possível minimização deste problema seria colocar uma resistência de valor igual
a RL no circuito conforme mostrado na Figura 2. Isto reduziria sua influência
tornando o sistema mais linear.
Um outro problema encontrado com transdutores resistivos do tipo
potenciômetro é sua resolução variável para os que são de fio enrolado. Esta
resolução é limitada pelo diâmetro do fio e pelo tamanho da ponta do cursor. Isto
leva a degraus de tensão de saída variáveis conforme o cursor excursiona sobre o
fio enrolado. Isto pode ser visto na Figura 3. Este problema não ocorre com os do
tipo contínuo. A resolução máxima pode chegar a 20µm (que corresponde a 500
voltas por centímetro).
Outro aspecto importante a ser considerado é o da inércia do cursor.
Idealmente, a impedância mecânica de entrada deve ser nula. Para transdutores
do tipo rotacional, o torque inicial, o torque em movimento e o momento de inércia
do contacto móvel deveriam ser pequenos (ou nulos). Para os transdutores do tipo
translação, a força inicial e a força em movimento do cursor móvel também
deveriam ser pequenas (ou nulas). Entretanto, isto não ocorre na prática e torques
iniciais têm valores típicos de 5g cm a 50g cm e força inicial próximo de 200g.
 Figura – 2 Efeito da resistência de carga sobre o transdutor resistivo.

Figura 3 – Resolução não uniforme do transdutor com fio enrolado. O efeito ocorre
devido ao cursor curto-circuitar dois enrolamentos do resistor em alguns pontos.
2.2 – Transdutores tipo extensômetro

Os transdutores de deslocamento do tipo extensômetros são muito

utilizados em biomédica. Eles são comumente chamados de strain gauges e
podem ser divididos em: 1) metálicos ou semicondutores; 2) elásticos. Os strain
gauges elásticos servem para medir grandes deslocamentos e uma aplicação em
biomédica seria uma fita ao redor do abdome de um recém nascido que varia em
diâmetro de acordo com a respiração. Esta poderia então ser monitorada pela
variação da resistência do strain gauge elástico. Já os strain gauges metálicos ou
semicondutores servem para medir pequenos deslocamentos (menores que
20µm). estes dispositivos necessitam de uma grande força de atuação e são
usados para medir força, pressão e aceleração.

Os transdutores elásticos são feitos por tubos elásticos cheio com fluido
condutor tais como mercúrio, sulfato de cobre, pasta eletrolítica (de EEG, por
exemplo). As extremidades do tubo são seladas por eletrodos que podem ser de
cobre, prata ou platina. Estes transdutores têm menor aplicação em biomédica e
suas características são as seguintes:
Diâmetro interno: 0,5 mm
Diâmetro externo: 2 mm
Comprimento: 3 a 25 cm
Resistência: 0, 02 a 2 Ω/cm
Não linearidade: ±1% até ±4% dependendo do percentual de distensão

Os strain gauges metálicos ou semicondutores baseiam-se na variação

da resistência de um fio (ou filme depositado sobre uma superfície fina) ou ainda
de um semicondutor (silício ou germânio). Sabemos que a resistência elétrica
pode ser definida pela expressão:
R = ( ρL / A )
onde ρ = resistividade do material
L = comprimento do fio
A = área da seção transversal do fio

Como comentado acima, os strain gauges têm grande aplicação em

biomédica, e serão tratados em mais detalhes a seguir. Kelvin (1856), utilizando
um galvanômetro e uma ponte de Wheatstone, demonstrou que a variação relativa
da resistência elétrica ∆R/R de um fio metálico de comprimento L é linear, se uma
deformação ∆L ocorrer na região elástica do material, portanto:
K = (∆R / R) / (∆L / L)
O strain gauge metálico é um resistor elétrico onde a variação da
resistência elétrica é proporcional à variação do comprimento K = (∆R/R)/(∆L/L).
É projetado para ser facilmente aderido às superfícies sólidas, sempre na direção
principal do esforço, caracterizando-se aí a necessidade de se ter conhecimento
sobre análise de tensões (mecânicas) para sua aplicação adequada. Se
definirmos strain como (∆L / L) e stress como F/A, onde F é a força aplicada e A
é a área da secção transversal do extensômetro, é possível verificar-se que, para
pequenos deslocamentos, onde o limite de elasticidade do material do
extensômetro não foi excedido, o strain é diretamente proporcional ao stress.
A expressão geral que define a sensibilidade K (gauge factor) de um strain
gauge é deduzida supondo-se um fio de comprimento L e diâmetro D pela
expressão:
4⋅ L ⋅ ρ
R = R( ρ , L, D) =
π ⋅ D2
onde ρ = resistividade

Supondo uma deformação infinitesimal dL, pode-se definir, supondo dR a

diferencial de R, que:

dD
dR dL
R
=
L
−2
dD dρ
D
+
ρ
e sendo −
dL
D= υ
L

υ = coeficiente de Poisson, temos

dR dρ
R ρ
K = = 1 + 2ν +
dL dL L
L

Pressupondo-se que ( dρ ρ ) não varia com ( dL / L) , K deve ser função

somente de υ, no caso dos metais:

K = 1+ (2)(0,3) = 1,6 para maioria dos metais

O fator K pode ainda ser determinado experimentalmente pela expressão:

ε = ∆L = 1 . ∆R
L K R
Atualmente são produzidos também strain gauges de materiais
semicondutores, fabricados basicamente de silício e em casos especiais de
germanium. A variação da resistência é de 50 a 80 vezes maior que a dos metais.
O grande problema dos semicondutores é a não linearidade devido à alta
sensibilidade à variação de temperatura. São produzidos a partir de cristais de
silício de alta pureza, dopados artificialmente. A sensibilidade depende da
dopagem, densidade, orientação dos cristais e do processo de fabricação.
 O fator de sensibilidade K para os semicondutores é definido pela
expressão:

K = 1 + 2υ + πE
onde π é o coeficiente piezoresistivo (m2/N) e E é o módulo de Young

Neste caso, o produto π E é a parcela dominante na equação, ao

contrário dos metais.

A sensibilidade K e a resistência R são fornecidas pelos fabricantes, ∆R é

obtido pela diferença entre a resistência do extensômetro não tensionado e a
resistência do extensômetro tensionado. Vale dizer que os valores de ∆R são
muito pequenos, o que dificulta a sua medida através de métodos tradicionais.
Os strain gauges metálicos podem ser confeccionado em forma de grade
plana (Figura 4), grade bobinada e grade tipo folha (Figura 5). Devido aos avanços
nas técnicas de circuitos impressos os strain gauges tipo grade plana são os mais
utilizados.

Os strain gauges devem ter tamanho reduzido para captar deformações no

ponto de máxima concentração de tensões; possuir rigidez que não interfira
(reforço ou amortecimento) na peça onde for aderido; apresentar linearidade,
estabilidade, repetibilidade e reprodutibilidade, ser insensíveis a variações
ambientais, ter reduzida sensibilidade transversal, possuir capacidade de medidas
estáticas e dinâmicas; apresentar baixo custo e alta velocidade de resposta.
Figura 4. Strain gauge tipo grade plana.
Figura 5. Strain gauge tipo grade bobinada e tipo folha.
 A tabela 1 mostra os principais materiais e ligas utilizados para a confecção
da grade (extensômetros metálicos) e seus coeficientes de variação de
temperatura e resistividade (metálicos e semicondutores).
Tabela 1

MATERIAIS DA GRADE
Material da Composição Sensibilidade Resistividade Coef. Temp
Grade K Ω ⋅ Oc (10-4) ( Ω ⋅ C).10
o -4

Ω Ω
Nicrome 80% Ni; 20% Cr + 2,0 112 3
Constantancopel 45% Ni; 55% Cr + 2,0 49 0,1
Isoelastic 36% Ni; 8% Cr; 0,5 % + 3,5 112 2
Mo; 55,5% Fe
Manganin 4% Ni; 12% Mn; 84% + 0,47 48 0,1
Cu
Irídio-Platina 5% Ir; 95% Pt + 5,10 24 10
Monel 67% Ni; 33% Cu + 1,9 42 20
Níquel - 12,0 7,8 60
Silicio tipo p 100 a 170
Silicio tipo n -100 a -140

∗ Constantancopel: De uso mais comum, sensibilidade razoável, baixo

coeficiente de temperatura, fácil de manipular e soldar.
∗ Isoelastil: Útil para medidas dinâmicas, alta sensibilidade e alto
coeficiente de temperatura.
∗ Manganin: Baixa sensibilidade e baixo coeficiente de temperatura.
∗ Irídio-Platina: Usado para termômetros de resistência.
∗ Monel: Alto coeficiente de temperatura.
∗ Níquel: Fator gauge negativo.

O material da grade do strain gauge deve ter as seguintes características:

Alta sensibilidade (fator K)

Alta resistividade ρ
Baixa sensibilidade a variação de temperatura
Alta tensão de escoamento
Fácil manuseio
Boa soldabilidade
Baixa histerese
Baixa fem (força eletromotriz) térmica quando ligado a outros materiais
Boa resistência à corrosão
Os strain gauges são sensíveis a campos eletromagnéticos, mas do ponto
de vista do usuário o fator mais preocupante é a sensibilidade à variação de
temperatura, tanto ambiente como devido a alimentação do sistema. Os fatores
envolvidos são:
• O coeficiente de dilatação diferencial (entre a grade e o suporte). O strain gauge
estará aderido a uma superfície que possui determinado coeficiente de dilatação
térmica. Se o coeficiente de dilatação térmica do strain gauge for diferente,
aparecerá um estado de tensão (tração ou compressão) proveniente desta
diferença.
• A variação da resistência elétrica específica do material da grade do strain
gauge devido à variação da temperatura. Esta variação é função do coeficiente
térmico de resistividade.
• O fator de sensibilidade K também sofrerá variação, pois o comprimento da
resistência será alterado devido à variação de temperatura.
Estes fatores devem ser considerados na avaliação dos sinais obtidos. O
que interessa são os efeitos provenientes da deformação do material e não os
devidos à variação da temperatura.
Os fabricantes fornecem strain gauges com curva de deformação própria
praticamente linear. Os strain gauges são autocompensados para os principais
materiais de base. A autocompensação é realizada pelos fabricantes interferindo
na composição das ligas. A tabela 2 mostra o coeficiente de dilatação térmica de
alguns materiais para os quais são fornecidos strain gauges autocompensados:

Tabela 2
• aço α = 12 x 10-6 °C -1
• alumínio α = 23 x 10-6 °C -1
• plástico α = 65 x 10-6 °C -1
• titânio α = 9 x 10-6 °C -1
• aços austenídicos α = 16 x 10-6 °C -1

A deformação aparente é aquela proveniente exclusivamente da variação

de temperatura (diferença entre a dilatação térmica da base e da grade e variação
da resistência elétrica da grade).

• Correção da variação de temperatura através do strain gauge fictício

(DUMMY GAGE)

Este método de contornar o problema da variação da temperatura é muito

simples. Consiste na colagem de um strain gauge em um corpo de prova
independente da peça, porém submetido às mesmas condições ambientais, sem
estar submetido às tensões. Se ambos estiverem ligados em braços adjacentes da
ponte, o strain gauge fictício cancela o efeito de variação de temperatura do ativo
A Figura 6 mostra o esquema aplicando este princípio. Este princípio é muito
utilizado, e se o strain gauge for colado de maneira adequada irá compensar a
temperatura e ainda aumentar a sensibilidade.
Figura 6 – Colocação de um dummy gauge para compensar os efeitos da variação
de temperatura.

MÉTODO DE LIGAÇÃO DOS EXTENSÔMETROS

Ponte de Wheatstone:

A deformação ε pode ser determinada pela variação da resistência do

strain gauge. O fator de sensibilidade K e e a resistência R são fornecidos pelos
fabricantes necessitando apenas medir-se a variação da resistência elétrica do
strain gauge. É freqüente medir variações com resoluções da ordem de 0,001Ω.
Para tal utiliza-se o recurso da ponte de Weatstone.

Ponte Balanceada:

O circuito ponte de Wheatstone está representado pela figura abaixo, onde

os quatro resistores R1, R2, R3, R4 estão ligados de modo a formar os lados de
um quadrado e é aplicada uma tensão V em dois vértices opostos A e C, gerando
uma corrente I no circuito. Nos outros dois vértices B e D é instalado um
galvanômetro, que acusa a passagem de corrente.

Ponte de Wheatstone
 Quando não há passagem de corrente pelo galvanômetro, dizemos que a
ponte está em equilíbrio ou balanceada.

Portanto: porém:
V BD = 0 V AD = R1 ⋅ I 1
V AD = V AB V AB = R2 ⋅ I 2
V DC = V BC V DC = R4 ⋅ I 1
I = I1 + I 2 V BC = R3 ⋅ I 2
Substituindo, conclui-se que:

R1 R4 = R2 R3
ou
R1 ⋅ R3 = R2 ⋅ R4
Portanto, quando uma ponte de Wheatstone está em equilíbrio, o produto
das resistências opostas é igual entre si.

'
Se fizermos R1 ser a resistência de um extensômetro e R
1 o valor da
resistência desse extensômetro quando a peça em que ele está colado sofre uma
deformação, para conseguirmos novamente o equilíbrio da ponte de Wheatstone,
'
deveremos variar R 2 para um valor R2 conhecido, através por exemplo de um
banco de resistências.

'

⋅ R3 ⋅'R3
R1 = R 2 calculamos
'
R1 = R 2 '
R4 R4
• Ponte Desbalanceada:

Quando ocorre um desequilíbrio na ponte de Wheatstone pela variação da

R1 → R1
'
resistência do extensômetro surge uma corrente no galvanômetro e
gera-se uma tensão V DB proporcional à deformação acusada pelo
extensômetro.
O desenvolvimento da eletrônica possibilitou medir V
DB e os resultados
transformados fornecem diretamente a medida das deformações.
 Para medir V DB utiliza-se amplificadores de impedância muito elevada, o
que torna a corrente entre estes pontos, praticamente nula.
Portanto: V DB = f ( R1,R2,R3,R4,VCA )
Pela Lei de Kirchoff VDB = VAD - VAB
onde V AD = R1 . I1
VAB = R2 .I2

Portanto: VDB = R1 I1 - R2 I2

mas I1 = V CA ( R1 + R 4)
I2 = V CA ( R2 + R 3)

V DB R1 R2
Substituindo = -
V CA R1 + R4 R2 + R3

• Circuito em ¼ de ponte

Consiste em substituir um dos resistores da ponte por um extensômetro dito

“ativo”. Na prática, o que se faz é utilizar quatro extensômetros de mesmo valor de
resistência nominal, sendo que apenas um deles é ativo e os outros três atuam
como resistores.
Sendo R1 a resistência inicial do extensômetro e 1 + ∆ 1 após a
R R
deformação, teremos:

V DB R1 + ∆ R1 R2
= - ,
V CA R1 + ∆ R1 + R4 R2 + R3
mas R1 = R2 = R3 = R4 = R

V DB ∆ R1
então = ,
V CA 4 R + 2 ∆ R1
∆ R1
onde =K ε
R
 V DB Κ ⋅ε ⋅ R
portanto =
V CA 4 R + 2 ⋅ Κ ⋅ ε ⋅ R
Transformando esta equação para unidade usual em micro-
deformações, temos:

V DB Κ ⋅ µε ⋅ 10−6
=
V CA 4 + 2 ⋅ Κ ⋅ µε ⋅ 10− 6

Nesta equação, 4 2⋅Κ ⋅ ⋅ µε 10−6 e na maioria dos casos a equação

pode ser considerada linear e o erro desprezível. Em leituras que envolvem alto
grau de deformação ou alta precisão, o erro deve ser considerado. A sua ordem
de grandeza é de 0,1% a 1000 µε , 1% a 10000 µε e 10% a 100000 µε .

• Circuito em ½ ponte

Existem várias combinações que podem ser feitas entre os

extensômetros de uma ponte, tornando-os ativos ou não, atuando no sentido da
deformação ou oposto a ela ou mesmo perpendicular à deformação (efeito
Poisson). Algumas dessas combinações tornam linear o sinal de saída com a
deformação.
Os circuitos de ½ ponte apresentam dois extensômetros ativos R1 e R4 ou
R2 e R3.
Utilizando-se da equação da ponte de Wheatstone desbalanceada e
desenvolvendo deduções análogas ao circuito de ¼ de ponte, obtemos equações
particulares para cada caso como vemos nos exemplos a seguir:

Dois extensômetros ativos instalados em braços opostos (R1 e R3),

atuando ambos na mesma direção: tração/tração ou
compressão/compressão:

V DB Κ ⋅ µε ⋅ 10−6
= (equação não linear)
V CA 2 + Κ ⋅ µε ⋅ 10−6

Dois extensômetros ativos instalados em braços adjacentes (R1 e R4),

atuando em direções opostas: tração/compressão:
V DB Κ ⋅ µε ⋅ 10−6
= (equação linear)
V CA 2
Dois extensômetros ativos instalados em braços adjacentes (R1 e R4),
atuando em sentidos perpendiculares, de modo a R4 ser sensível ao efeito
de Poisson, sendo ambos tração ou compressão:

V DB Κ ⋅ µε ⋅ (1 − ν ) ⋅ 10−6
= ( ν é o coeficiente de Poisson)
V CA 4 + 2 ⋅ Κ ⋅ µε ⋅ (1 − ν ) ⋅ 10 −6

• Circuitos de ponte completa

Nos circuitos de ponte completa, os quatro extensômetros são ativos. Como

no circuito de ½ ponte, temos diversas combinações de montagem:

Os extensômetros instalados em braços opostos atuam no mesmo

sentido, isto é R1 e R3 em tração, e R2 e R4 em compressão ou vice-versa.

V DB
= Κ ⋅ µε ⋅ 10−6 (equação linear)
V CA
Os extensômetros instalados em braços opostos atuam não só em
sentidos opostos, mas com dois deles segundo o efeito de Poisson, isto é
R1 e R3 em tração, R2 e R4 em compressão, ou vice-versa, sendo R2 e R4
segundo Poisson.

V DB Κ ⋅ µε ⋅ (1 + ν ) ⋅ 10−6
= (equação não linear)
V CA 2 + Κ ⋅ µε ⋅ (1 − ν ) ⋅ 10−6
Os extensômetros instalados em braços opostos atuam no mesmo
sentido, (tração ou compressão), mas com dois deles segundo o efeito de
Poisson.

V DB Κ ⋅ µε ⋅ (1 + ν ) ⋅ 10−6
= (equação linear)
V CA 2
 • Intensidade do sinal de saída

A intensidade do sinal de saída é dada pela relação da tensão de leitura e a

de alimentação, e depende do tipo de ponte que foi adotada. É importante que o
instrumento de leitura esteja adequado à intensidade do sinal de saída.

Para efeito comparativo vejamos alguns exemplos onde:

K=2
µε = 1000 µ m/m

♦ Circuito em ¼ de ponte:

V DB Κ ⋅ µε ⋅ 10−6 2 ⋅ 1000 ⋅ 10−6

= = =
V CA 4 + 2 ⋅ Κ ⋅ µε ⋅ 10− 6 4 + 2 ⋅ 2 ⋅ 1000 ⋅ 10− 6
0,5.10-3

V DB
= 0,5 mV/ V
V CA
♦ Circuito em ½ ponte, com deformação em sentidos opostos e braços
adjacentes:

V DB Κ ⋅ µε ⋅ 10−6 2 ⋅ 1000 ⋅ 10−6 -3

= = = 10 = 1 mV/ V
V CA 2 2
♦ Circuito em ponte completa, trabalhando dois a dois, opostos em
tração/compressão:

V DB
= Κ ⋅ µε ⋅ 10−6 = 2.1000.10-6 = 2.10-3 = 2 mV/ V
V CA
Comparando os exemplos acima, percebemos que o circuito de ponte
completa nos dá um maior sinal de saída, o que favorece na hora da leitura.
COMPARAÇÃO ENTRE EXTENSÔMETROS METÁLICOS E
SEMICONDUTORES

Analisando a tabela 1 mostrada anteriormente, verificamos que o gauge

factor (K) dos metais é consideravelmente maior que 1,6, que foi o utilizado na
modelagem anterior do comportamento de uma deformação. Isto se deve em
parte ao efeito piezoresistivo e possivelmente à variação do volume total do
extensômetro, fato ignorado na dedução deste fator. Ainda, notamos que os
semicondutores são cerca de 50 a 70 vezes mais sensíveis que os metais. Isto se
deve ao efeito piezoresistivo que é predominante neste tipo de transdutor.
Entretanto, como já vimos, eles apresentam maior não linearidade e maior
sensibilidade a variações de temperatura.
As principais características dos extensômetros metálicos podem ser
resumidas abaixo:
• (∆L/L)MAX = 5000 x 10-6
• para K = 2 (∆R/R) = 1%
• (∆L)MAX = 0,005 cm correspondente à força de 30g, dando Vout = 40mV para
uma tensão de excitação da ponte Vexcit = 5V (resistência nominal do strain
gauge = 100 - 1kΩ )

As principais características dos extensômetros semicondutores podem ser

resumidas abaixo:
• (∆R/R) = 120 (∆L/L) + 4000 (∆L/L)2 (silício tipo p com ρ = 2x10-2Ωcm
• (∆R/R) = -110 (∆L/L) + 10000 (∆L/L)2 (silício tipo n com ρ = 3,1x10Ω-4cm
• as carcterísticas acima mostram que o gauge factor depende de maneira
significativa da resistividade do material (que é determinada pelo grau de
dopagem do mesmo), e da orientação do cristal
• a não linearidade aumenta com a diminuição da dopagem do material

Embora quase sempre os extensômetros metálicos estejam colados

(bonded) à estrutura de interesse, podem também ser formados por fios enrolados
em hastes, presos a braços das estruturas mas não colados à sua superfície
(strain gauges não colados – unbonded).
Na figura10 abaixo podem ser vistas algumas aplicações de strain gauges
semicondutores.
 Figura 10 – Alguns tipos de strain gauges semicondutores.

3. Transdutores Indutivos

Os transdutores de deslocamento também podem ser baseados em outros

princípios de transdução. Nesta seção, trataremos dos transdutores indutivos. O
princípio de funcionamento deste tipo de transdutor é o da variação da indutância
(L) de uma bobina ou da indutância mútua (M) de duas bobinas.
Sabemos que:

L = n2 G µ onde: n = número de espiras

G = fator geometria
µ = permeabilidade efetiva do meio
 Cada um destes parâmetros pode variar por processos mecânicos. Na figura
11 são mostradas algumas possíveis montagens de transdutores indutivos.
Podemos notar que, nos esquemas (a), (b), (c) e (f) é utilizada somente uma única
bobina, enquanto que nos esquemas (d) e (e) são usadas duas bobinas. A
medição de deslocamento é conseguida prendendo-se a parte móvel do
transdutor à estrutura que sofre variações de tamanho ou movimento. O
movimento da estrutura altera alguma parte do transdutor e, portanto, altera sua
indutância e, assim, podemos relacionar deslocamento com indutância (ou um
sinal a ela associado). Assim, tomando por base a figura 11, podemos notar que a
variação de indutância ocorre diferentemente em cada esquema:
(a) o deslocamento provoca mudança na geometria da bobina variando sua
indutância;
(b) o deslocamento faz variar a permeabilidade (ou relutância) do meio;
(c) o deslocamento faz variar a permeabilidade (ou relutância) do meio;
(d) o deslocamento modifica o acoplamento magnético entre as bobinas de
duas maneiras: 1) pela variação da distância entre elas; e 2) pela variação
da posição de um núcleo comum às duas;
(e) o deslocamento modifica o acoplamento magnético entre o primário e os
dois secundários através do movimento de um núcleo comum. Veremos
adiante seu funcionamento em detalhes, pois este é conhcido como LVDT
(linear variable differential transformer – transformador diferencial variável
linearmente);
(f) o deslocamento faz variar as correntes de Foucault (eddy currents)
induzidas em uma superfície.

Figura 11 – Princípios de funcionamento de alguns transdutores indutivos.

 O LVDT é um dos transdutores indutivos mais utilizados em diversos
sistemas de medição, dada sua característica de sua tensão de saída variar
linearmente com o deslocamento do núcleo. Este é conectado à estrutura que
se movimenta (ou se desloca). Pelo esquema da figura 12, vemos que ele é
um transformador que tem um primário (a-b) e dois enrolamentos secundários
(c-e e d-e) conectados em série e em oposição. Assim, quando seu núcleo é
movimentado em uma direção, favorecendo, por exemplo, o acoplamento entre
o primário e o secundário 2, aumentará a tensão induzida no secundário 2 e
diminuirá a induzida no secundário 1, que é somada (na verdade subtraída)
vetorialmente pela ligação em série e em oposição dos secundários. Se o
movimento ocorrer no outro sentido, o mesmo ocorrerá só que com o
acoplamento do primário com o secundário 1 aumentando e com o secundário
2 diminuindo. Pode-se ver na figura 12 a variação da tensão de saída em
função da tensão de entrada ou de excitação, que é alternada e mantida com
mesma amplitude pico a pico. Medindo-se o módulo ou valor RMS da tensão
de saída, podemos verificar que sua variação é linear. Além disso, é possível
verificar-se o sentido do movimento. Um circuito de excitação com um LVDT e
detecção de movimento é mostrado na figura 13. Podemos perceber que há a
necessidade de um oscilador que gera a tensão de excitação do primário do
LVDT. Este oscilador ainda envia informação a um circuito de correção de
fase, que alimentará o circuito detector de fase. Este circuito compara a tensão
do circuito de correção de fase (ou seja, que está em fase com a tensão do
primário, que é a mesma do oscilador) com a tensão de saída do LVDT, que é
amplificada pelo circuito de amplificação da portadora. Esta tensão estará em
fase com a do primário se o movimento for em uma direção ou defasada de
180° se for o movimento for na direção oposta. Assim, haverá modulação da
portadora que é a saída do LVDT. Na figura 14, mostramos um LVDT usado
como transdutor secundário e montado em um tubo de Bourdon para medir
pressão.

Algumas características de LVDTs podem ser vistas abaixo:

• excitação do primário: de 60Hz a 20kHz
• sensibilidade: 0,5 mV a 2 mV para deslocamento de 0,01mm por 1 Volt de
excitação do primário
• deslocamento máximo: 0,1 mm a 250 mm
• linearidade: ± 0,25%
• deslocamento mínimo detectado: menor que 0,1µm
Figura 12 – Esquema básico de um LVDT e esquema de ligação do secundário (a
- b); Sinais de entrada e de saída de um sistema com LVDT (c-d).
 Figura 13 – Diagrama de blocos de um circuito de medição com um LVDT.

Figura 14 – Um LVDT montado em tubo de Bourdon para medição de pressão.

Podemos dizer que a sensibilidade do LVDT é maior que a sensibilidade dos

extensômetros mas o LVDT requer um sistema de processamento da informação
muito mais sofisticado. Enquanto os extensômetros só necessitam de circuitos em
ponte e amplificadores simples, o LVDT precisa ser excitado com tensão alternada
e contar com circuito sensível à fase.
Além do LVDT, mostramos a seguir uma aplicação de transdutores indutivos
em biomédica. No caso a seguir, temos o micromanômetro de Allard-Laurens que,
quando posicionado dentro de uma das câmaras do coração, permite a captação
simultânea da onda de pressão e dos sons fonocardiográficos. Ele é mostrado na
figura 15 abaixo. Seu princípio de funcionamento é descrito a seguir. O transdutor
utiliza uma única bobina com núcleo móvel (feito de uma liga metálica) para medir
o deslocamento de um diafragma. Um segundo diafragma, conectado do lado
oposto, é mantido à pressão constante. Quando a pressão a ser medida aumenta
(na ponta do cateter), o primeiro diafragma é deslocado e o núcleo avança dentro
da bobina, aumentando assim sua indutância. A bobina faz parte de um oscilador
LC e, para pequenos deslocamentos, a variação da freqüência de oscilação é
aproximadamente proporcional à diferença de pressão entre os dois diafragmas.
Devido à pequena massa do sistema, sua resposta em freqüência é plana para
freqüências maiores que 1kHz. A onda de pressão e os ruídos fonocardiográficos
são captados simultaneamente e separados por filtragem.

Figura 15 – Sistema do micromanômetro de Allard-Laurens.

4. Transdutores capacitivos

Os transdutores de deslocamento também podem ser baseados em outros

princípios de transdução, como já vimos. Nesta seção, trataremos dos
transdutores capacitivos. O princípio de funcionamento deste tipo de transdutor é
o da variação da capacitância ( C ) de um capacitor ou de dois capacitores
interligados. Sabemos que, para um capacitor de placas paralelas, sua
capacitância pode ser expressa por:
 C = ε0 εr A / x

Onde: ε0 = permissividade do vácuo

εr = constante dielétrica do isolante
A = área das placas
x = distância entre as placas

Em princípio, pode-se medir deslocamentos através da variação de todos

os parâmetros da equação acima. Entretanto, o método mais fácil de ser
implementado é o da variação do parâmetro x, que é a distância entre as placas.
Na figura 16, podemos ver diversos esquemas de variação de capacitância com
um ou mais capacitores.

Figura – 16 Princípios de funcionamento e esquemas de variação de capacitância

de transdutores capacitivos.

Na figura 16, vemos que os esquemas (a), (b) e (c) à esquerda utilizam um
único capacitor, e os da direita utilizam 2 capacitores. Em (a ) o deslocamento
provoca a variação da distância entre as placas e em (b) e (c) o deslocamento
provoca a variação da área dos capacitores pelo movimento relativo das placas.
Um exemplo de aplicação de transdutor capacitivo pode ser visto na figura 17
abaixo. Neste exemplo, o transdutor capacitivo de deslocamento tem resposta em
freqüência estendida até DC.
 Figura 16 – Sistema de medição de deslocamento linear com transdutor
capacitivo.

Na figura 16, em (a) vêem-se as características físicas do transdutor e em

(b) o esquema de ligação em circuito apropriado. O transdutor é um capacitor (Cx)
com distância entre suas placas variável, colocado na realimentação de um
amplificador de alto ganho. Um segundo capacitor fixo (Ci) é conectado à entrada
inversora do amplificador. O conjunto é conectado é excitado por uma fonte
senoidal de alta freqüência. Em paralelo à Cx deve ser colocada uma resistência
para fornecer a corrente de polarização para o amplificador (operacional FET). As
equações que descrevem o funcionamento do transdutor podem ser vistas abaixo:

V0(jω) / V1(jω) = - Zf(jω) / Zi (jω) = [ - 1 / jω Cx ] / [ 1 / jω Ci ] = - Ci / Cx

ou V0(jω) = - [ Ci x V1(jω) ] / [ε0 εr A]

Portanto, a amplitude da tensão de saída é linearmente proporcional à

separação entre as placas do capacitor de realimentação Cx. Assim, sendo a fonte
de excitação (V1) uma senoide com freqüência igual a 50kHz, a tensão de saída é
um sinal modulado em amplitude, e o valor de x é achado por demodulação e
filtragem (filtro passa-baixas).

Características da versão comercial:

Freqüência de excitação: 50kHz
Deslocamento máximo: de 0,0025cm até 2,5cm
Resolução máxima: 0,2 um
Resposta em freqüência: plana até 500Hz

Os transdutores capacitivos ainda podem ser colocados em circuitos em

ponte em configuração diferencial (figura 17)

Figura 17 – Transdutor capacitivo diferencial em configuração Ponte de

Wheatstone.

As equações que descrevem o funcionamento deste transdutor são

mostradas abaixo:

C1 = [ ε0 εr A ] / [ d – x ] C2 = [ ε0 εr A ] / [ d + x]

Portanto:

C1 – C2 = [ ε0 εr A ] [ 1 / (d – x ) – 1 / ( d + x)]

C1 – C2 = [ ε0 εr A ] [ 2 x / ( d2 – x2 ) ]

Ainda:

C1 + C2 = [ ε0 εr A ] [ 1 / (d – x ) + 1 / ( d + x)]

C1 + C2 = [ ε0 εr A ] [ 2 d / ( d2 – x2 ) ]

Dividindo uma pela outra vem:

[ C1 – C2 ] / [C1 + C2 ] = 2 x / 2 d = x / d (linearidade)

Analisando a ponte, temos:

No braço com C3 e C4, as tensões em C3:e C4 serão dadas por:

V34 (jω) = [ (1 / jω C4) Vin ( jω ) ] / [ ( 1 / jω C3 ) + ( 1 / jω C4 ) ]

V34 (jω) = [ C3 / ( C3 + C4 ) ] Vin ( jω )

De modo similar para o braço com C1 e C2, temos que:

V12 (jω) = [ C2 / ( C1 + C2 ) ] Vin ( jω )

Mas: V0(jω) = V34 (jω) + V12 (jω)

Daí:

V0(jω) = { [C3 / ( C3 + C4)] – [ C2 / ( C1 + C2 ) ] } Vin ( jω )

Como C4 é ajustado para ser igual a C3, temos:

V0(jω) = { 1 / 2 – [ C2 / ( C1 + C2 ) ] } Vin ( jω )

V0(jω) = { [ C2 + C1 – 2 C2 ] / 2 ( C1 + C2 ) ] } Vin ( jω )

V0(jω) = ( C1 – C2 ) / 2 ( C1 + C2 ) Vin ( jω )

V0(jω) = [ x / 2 d ] Vin ( jω )

Mostramos assim que, neste transdutor, a tensão de saída independe da

área (A) e da permissividade ε.

5. Transdutores de velocidade e de aceleração

O conhecimento do deslocamento em função do tempo [ x = f (t) ] permite,

em princípio, que conheçamos a velocidade [ v = dx/dt ], bem como a variação da
velocidade no tempo, obtendo a aceleração [ a = dv/dt = d2x/dt2 ]. No entanto,
como a operação de diferenciação acentua o ruído (sobretudo de alta freqüência)
do sinal original, torna-se quase impossível determinar eletronicamente a
aceleração a partir do conhecimento do deslocamento. Já o processo inverso, que
consiste na obtenção da velocidade e deslocamento em função do tempo a partir
do conhecimento da aceleração, é bem mais viável eletronicamente. Na figura 18
estão ilustrados estes dois procedimentos. Entretanto, quando realizamos a
operação de integração eletronicamente, devemos nos preocupar com o desvio
“dc” do integrador que pode se tornar um problema e levar a resultados incorretos.
 Figura 18 – Modos de obtenção de deslocamento, velocidade e aceleração,
dependente do processo de transdução utilizado.

5.1 – Transdutores de velocidade

Existem diversos métodos possíveis de se medir velocidade, sendo os mais

utilizados em biomédica os que utilizam o desvio Doppler (método ultra-sônico) e o
método eletromagnético. Estes dois tipos de transdutores serão descritos quando
tratarmos com medição de fluxo sangüíneo.
No caso de sistema de desvio Doppler, quando uma radiação ultra-sônica
ou eletromagnética é emitida ou refletida por um objeto em movimento, esta
radiação sofre uma mudança da freqüência observada (desvio Doppler). Se a
velocidade da onda é muito maior que a do objeto, a variação de freqüência é
proporcional à velocidade do objeto. Como a radiação ultra-sônica penetra
bastante bem nos tecidos, ela é muito utilizada em biomédica (por exemplo, nas
medidas de fluxo sangüíneo, funcionamento das válvulas cardíacas, etc). A
radiação eletromagnética também é utilizada para medir fluxo em regiões
periféricas, já que tem pouca penetração nos tecidos humanos.

5.2 – Transdutores de aceleração

Os transdutores de aceleração baseiam-se na Lei de Newton [ F = m a ] e
medem a força necessária para acelerar uma massa de valor conhecido. A força é
geralmente medida de duas maneiras: 1) medindo-se o grau de compressão [∆L/L]
de uma mola que suporta a massa conhecida; 2) medindo-se por meio de um
transdutor piezoelétrico a força exercida pela massa.

Já vimos o funcionamento de transdutores de deslocamento que medem o

grau de compressão, os chamados strain gauges. Como exemplo de aplicação de
um strain gauge para medir aceleração, pode-se ver na figura 19 dois tipos de
acelerômetro. Na figura 19-a, o acelerômetro é constituído 2 strain gauges não
colados que estão presos a braços com molas. Quando há movimento, a massa
movimenta os braços com os strain gauges que estão ligados a um sistema de
medida, fornecendo uma tensão proporcional à aceleração da massa. O sistema
da figura 19-b é similar para a medição de aceleração do objeto (massa) que está
em posição de cantilever, e os strain gauges estão colados.

Figura 19 – Transdutores de aceleração com strain gauges como elementos

sensores: (a) não colados; (b) colados à estrutura em movimento.
5.3 – Transdutores de Força
 Apesar da força não ser uma grandeza fundamental mas definida pela
equação F = m a, vemos que é dependente de massa (grandeza fundamental) e
da aceleração (dependente de 2 grandezas fundamentais, tempo e comprimento).
Dado que a aceleração da gravidade é essencialmente constante com o tempo e
varia com uma maneira conhecida com o local e a altitude, provê um excelente
meio de massas conhecidas serem usadas para criar forças que podem ser
medidas acuradamente. Na figura 20 podemos ver alguns métodos de medir-se
forças.

Figura 20 – Métodos para medição de força: (a) balanceamento; (b)

acelerômetro; (c) balanceamento de força eletromagnética; (d) transformação
de força em pressão de fluido.

Os diversos métodos para medição de força podem ser sumarizados

abaixo:
a) por balanceamento de força desconhecida contra a força gravitacional de
uma massa padrão.
 b) medindo-se a aceleração de uma massa conhecida na qual a força é
aplicada.
c) por balanceamento da força contra uma força desenvolvida
eletromagneticamente.
d) por conversão da força aplicada a um pressão fluídica e a medição desta
pressão.
e) Medindo o strain produzido em um membro elástico pela força
desconhecida.

O método (e) é bastante empregado em biomédica e já foi visto

anteriormente. Os demais métodos são bastante utilizados na indústria. Pode-se
ver pela figura 20 que os diversos princípios de medida utilizam sensores ou
transdutores conhecidos e descritos anteriormente.

5.4 – Transdutores piezoelétricos

Os transdutores piezoelétricos são consituídos de materiais que produzem

um sinal elétrico ao serem pressionados (aplicação de força em sua superfície) e,
do contrário, ao receberem um sinal elétrico, variam sua forma. O mais conhecido
é a cerâmica piezoelétrica. Ela é consituída de ligas de diversos óxidos,
sinterizadas em fornos e são eletricamente polarizadas. Estes dispositivos são a
base dos transdutores de ultra-som e serão melhor discutidos quando tratarmos
dos equipamentos de ultra-som e seus dispositivos principais.