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Transistores Como Chaves
Transistores Como Chaves
+
controle
Figura 2.5.1
PNP
NPN
Figura 2.5.2
coletor
coletor
base
base
emissor
emissor
NPN
PNP
Figura 2.5.3
Potncia dissipada=0,6Corrente
C
B
E
D (dreno)
G (porta)
S (fonte ou supridouro)
D
G
S
Figura 2.5.6 - Analogia hidrulica de um
Mosfet de canal N.
G
S
NO!
carga
carga
+V
+V
carga
NO!
C
carga
corrente
zero
+12V
D
S
S
+9 volts
Diodo
Carga indutiva
(indutor, rel,
transformador etc.)
Chave eletrnica
(transistor bipolar,
MOSFET, SCR etc.)
+12V
QUENTE !
corrente
zero
+3 volts
D
S
Figura 2.5.11
luz
fraca
+0,6V* a +30V
+6V
BC548
cada mA que
entra na base
provoca um
aumento de
100 a 800mA
no emissor
(hfe= ganho =
100 a 800)
E B C
mximo de 100 mA
carga
+6V
+6V
B
lmpada
pequena
de 6V
E
Emissor
ligado
ao terra (-)
desligado
ligado
Figura 2.5.12 - Funcionamento de um transistor NPN de pequena potncia atuando como chave.
+0,6V* a +30V
+6V
E B C
cada mA que
sai da base
provoca um
aumento de
75 a 475mA
no emissor
(hfe= ganho =
100 a 800)
mximo de 100 mA
BC558
C
carga
+6V
+6V
Emissor
ligado
ao +V
B
B
C
desligado
ligado
Figura 2.5.13 - Funcionamento de um transistor PNP de pequena potncia atuando como chave.
+12V
max. 200V
IRF640
S
Comea a
conduzir com
uma tenso
de 2 a 4V
no Gate.
Conduz 100%
com 10V ou mais.
mximo de 18 A
D S
lmpada de
farol
carga
D
+12V
re sistncia
que pode ser
desde
muito baixa
(curto) at
muito alta
(megaohms)
D
S
desligado
resistncia
que pode ser
desde
muito baixa
(curto) at
muito alta
(megaohms)
D
G
ligado
BC337
BC338
BC546
BC547
BC548
BC549
BC327
BC557
BC558
NPN
E B C
PNP
Imax (A)
0,5
0,5
0,1
0,1
0,1
0,1
Vmax (V)
45
25
65
45
30
30
hFE
100-800
100-800
110-450
110-800
110-800
200-800
0,5
0,1
0,1
45
45
30
100-800
75-475
75-475
Imax (A)
2N2222
Vmax (V)
hFE
Pot max(W)
Obs.
0,8
0,8
Transistores de baixa potncia e uso
0,5
geral. O mais popular o BC548.
0,5
0,5
0,5
Igual ao 548, mas com menos rudo.
0,8
0,5
0,5
Pot max(W)
30
NPN
E B C
0,8
2N2222A
40-300
0,5
65-220
0,3
40
C B E
BF494
NPN
0,03
20
Complementar do BC337.
Complementar do BC547.
Complementar do BC548.
Obs.
Transistor NPN de uso geral, com
capacidade de corrente um pouco
maior. Encontrado em encapsulamento
metlico (2N2222) ou plstico
(2N2222A). Particularmente popular
nos Estados Unidos.
1000
1200
680
1200
1800
470
1000
1200
680
1200
1800
100
150
220
1000
1800
2400
B E C
BD135
BD137
BD139
BD136
BD138
BD140
Imax (A)
NPN
PNP
1,5
EC B
metal
atrs
Vmax (V)
45
60
80
45
60
80
1,5
hFE
25-250
25-250
Imax (A)
Vmax (V)
hFE
Pot max(W)
Pot max(W)
TIP31C
TIP32C
NPN
PNP
100
10-50
2 a 40*
TIP41C
TIP42C
NPN
PNP
100
15-75
2 a 65*
TIP122
TIP127
NPN-Darlington
PNP-Darlington
100
1000 (min.)
2 a 65*
TIP142
TIP147
NPN-Darlington
PNP-Darlington
10
100
1000 (min.)
max. 125*
100
5 70
max. 90*
TIP3055
TIP2955
NPN
PNP
15
Imax (A)
2N3055
2N2955
NPN
Vmax (V)
hFE
Obs.
Pot max(W)
Complementar ao BD135
Complementar ao BD137
Complementar ao BD139
Obs.
Pares complementares de transistores
de uso geral e alta potncia. A letra C
no final indica que a voltagem mxima
entre emissor e coletor de 100V. A
indicaria 60V e B 80V.
47
82
120
47
56
10
18
24
470
1000
1200
220
470
560
1,5***
2,7***
3,9***
Obs.
3,9***
*** Valores calculados considerando o ganho (hFE) mnimo do transistor. Para manter a corrente de base em um valor pequeno que garanta a plena conduo, este valor deve ser
calculado de acordo com as caractersticas do circuito, pois possvel que correntes menores garantam a saturao (plena conduo). Considere tambm a possibilidade de
substituir o transistor por outro do tipo darlington, como o TIP142 ou TIP147.
IRFZ34
IRFZ44
IRFZ44N
IRFZ46
IRFZ46N
IRF640
IRF840
6N60
CANAL N
(enhanced)
Imax (A)
30
50
49
50
53
18
8
6,2
Vmax (V)
60
60
55
50
55
200
500
600
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Tenso para
deixar
ligado(V)
10