Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
INTRODUO DIFRAO
DE RAIOS-X EM CRISTAIS
Lucas Bleicher
Jos Marcos Sasaki
Setembro de 2000
Introduo
Quando se fala em raios-x, a primeira aplicao que vem mente da maioria das pessoas a radiografia, processo
que usa os raios-x para visualizar o interior de objetos (ou de pessoas) ao colocalos entre uma fonte de raios-x e uma
chapa fotogrfica. De fato, essa a mais
comum das aplicaes desse tipo de radiao e a primeira a ser utilizada desde a
descoberta desses raios. Porm, devido ao
fenmeno da difrao de raios-x, possvel estudar materiais a nvel atmico,
descobrindo e estudando sua estrutura.
Ao se estudar Qumica e Fsica no
segundo grau, comum que se estranhe
como possvel estudar e determinar modelos para coisas to pequenas que nenhum tipo de microscpio pode visualizar. Isso se deve ao fato de que, ao longo
dos anos, vrias tcnicas foram surgindo
para observar indiretamente tais entes,
e entre essas tcnicas se enquadram a
difrao de raios-x, os diferentes tipos de
espectroscopia, etc.
No presente material, direcionado
a quem nunca travou contato com a difrao de raios-x, pretendemos mostrar
como possvel obter dados de estruturas
da ordem de ngstroms atravs dessa tcnica. E o leitor ir verificar que esse tipo
de estudo no difcil de entender, pois
Histrico
A descoberta dos Raios-X se deu a
partir de experimentos com os tubos
catdicos, equipamentos exaustivamente utilizados em experimentos no final do
sculo XIX que consistiam em um tubo
de vidro, ligado a uma bomba de vcuo,
onde era aplicada uma diferena de
potencial entre dois terminais opostos,
gerando uma corrente eltrica dentro do
tubo. No final do sculo XIX, foi estabelecido que os raios provenientes do ctodo eram absorvidos pela matria e que a
sua absoro era inversamente relacionada com a voltagem de acelerao. E
mais: incidindo essa radiao em alguns
cristais, era provocada a emisso de luz
visvel, chamada fluorescncia. Em
1896, Thomson demonstrou que os raios
provindos do ctodo eram compostos por
pequenas partculas carregadas negativamente, tendo massa aproximadamente
igual a 1/1800 do menor tomo, o Hidrognio. Essa partcula passou a ser chamada de eltron, e teve sua carga absoluta
(1,601x1019 C) medida por Robert Milikan em 1910.
O fsico alemo Wilhelm Conrad
Rntgen (Fig. 1) passou a estudar os
chamados raios catdicos (nome utilizado na poca para designar o fluxo de
eltrons gerado no tubo) em 1894, e no
ano seguinte comeou a observar a radiao que chamaria de Raios-X, por sua
natureza desconhecida. Primeiramente,
Rntgen verificou que um papel pintado
com platino-cianeto de brio na mesma
mesa do tubo fluorescia mesmo estando o
tubo completamente envolto em papelo
preto. A radiao tinha ento propriedades semelhantes da luz, mas no era
possvel que fosse esse tipo de radiao,
j que o experimento havia sido feito com
o tubo blindado. Mas depois que o cientista percebeu a sombra de um fio met-
A Produo de Raios-X
K 1 ()
1.54056
0.70930
2.28970
1.78896
0.20901
1.65791
1.93604
K 1 ()
1.39221
0.63228
2.08487
1.62079
0.18437
1.50013
1.75661
Em 1914, Laue montou um experimento em que um feixe de raios-X incidia em um cristal e por trs do cristal havia uma chapa fotogrfica, como mostrado na figura abaixo:
atmico
= 2d sen
Hexagonal
Monoclnico
Triclnico
Parmetros de rede
a=b=c
= = = 90o
a=bc
= = = 90o
abc
= = = 90o
a=b=c
= = 90o
a=bc
= = 90o ; 120o
abc
= = 90o
abc
90o
Geometria
Para simplificar a representao
de planos cristalinos, utiliza-se uma representao chamada espao recproco.
Trata-se da utilizao de trs ndices, h, k
e l (conhecidos como ndices de Miller)
que correspondem ao inverso do valor em
que o plano corta os eixos convencionais.
Para facilitar o entendimento, mostraremos a representao de dois planos que
cortam um cristal cbico no espao real e
seus ndices no espao recproco:
No exemplo ao
lado, o plano corta
o cristal seguindo a
diagonal das faces.
Ele corta os eixos b
e c em 1 e no corta
o eixo a.
Logo, para calcular os ndices de
Miller dos planos, fazemos:
h = 1/ = 0
k = 1/1 = 1
l = 1/1 = 1
Pode-se ento chamar o plano de (011).
J no caso ao lado,
o plano passa no
eixo c em , cortando o cristal em
dois
paraleleppedos iguais.
Temos ento que:
h = 1/ = 0
k = 1/ = 0
l = 1/() = 2
Assim, podemos chamar este plano de
(002).
A vantagem da utilizao do espao recproco (cuja origem remonta ao sculo
XVIII com Abb Hay, e foi popularizada por W. H. Miller no sculo seguinte)
que um plano pode ser representado no
utilizando uma equao geomtrica, mas
apenas trs ndices.
Quando temos um cristal hexagonal, o sistema de ndices utilizados diferente. A figura abaixo mostra a clula
unitria de um cristal hexagonal:
A clula unitria do
cristal delimitada pelos
traos mais fortes. As
outras duas partes do
prisma hexagonal correspondem rotaes da
clula unitria.
Note que nesse caso h quatro eixos: a1 , a2 , a3 e c. Seus ndices de Miller
so chamados h, k, i e l. importante
observar que o vetor i o simtrico da
soma dos vetores h e k (isto , h + k = -i).
Vamos exemplificar a representao de
planos em um cristal hexagonal a seguir:
Nesse primeiro exemplo, o plano corta o cristal verticalmente. Note
que tanto para o eixo a1
como para o a3 , o plano
corta o eixo em 1. Em
a2 , o plano corta o eixo
em .
Assim, fazemos:
h = 1/(-1) = -1
k = 1/( ) = 2
i = - (h + k) = - (1) = -1
l = 1/ = 0 (o plano no corta o
eixo c)
O plano pode ento ser representado por:
(1 2 1 0)
10
11
Onde a, b e c so os parmetros de
rede do cristal considerado. Como exemplo, calcularemos a distncia entre dois
planos 220 (hkl=220) do cristal de NaCl
(simetria cbica, com parmetros de rede
a=b=c=5.640).
1
d hkl =
22
22
02
+
+
5.640 2 5.640 2 5.640 2
1
=
4
4
0
+
+
31.8096 31.8096 31.8096
1
=
= 1.994
8
31.8096
Substituindo ento o valor na lei
de Bragg, podemos encontrar o ngulo de
Bragg (ngulo onde h um pico de intensidade devido interferncia construtiva
das ondas espalhadas) relativo a esse
plano:
= 2d hkl sen
1.54 = 2(1.994) sen
1.54
sen =
= 0.386
3.988
= 22.7 o
25000
20000
220
15000
10000
420
222
422
5000
111
400
311
331
0
20
40
60
80
2 (graus)
de
difrao
de
12
As 14 Redes de Bravais
Em 1848, o cristalgrafo francs A. Bravais mostrou que na natureza s h 14 redes
cristalinas encontradas, redes essas que levam hoje seu nome e esto mostradas nas figuras
abaixo:
Cbico Simples
Ortorrmbico
Simples
Ortorrmbico
Corpo Centrado
Ortorrmbico Base
Centrada
Ortorrmbico Face
Centrada
Rombodrico
Hexagonal
Monoclnico
Simples
Monoclnico Base
Centrada
Tetragonal Simples
Tetragonal Corpo
Centrado
Triclnico
Sabe-se que cristais podem ter estruturas das mais diversas, e nem sempre as
posies atmicas em suas clulas unitrias ir coincidir com as posies dos pontos das
redes de Bravais. Como fazer ento para definir qual a rede de Bravais a qual pertence um
cristal? Para isso, vamos definir trs tipos de translao:
Corpo-centrado: 0 0 0,
Face-centrada: 0 0 0, 0 , 0 , 0
Base-centrada: 0 0 0, 0
Essas trs translaes esto exemplificadas na figura mostrada a seguir.
13
Corpo-centrado
Face-centrada
Base-centrada
Uma clula unitria ser de cada um desses tipos se, ao fizermos a translao que
leva seu nome, ela comece e termine em tomos do mesmo tipo. Para explicar melhor como
isso acontece, descobriremos qual a rede de Bravais do cristal de CsBr:
14
Clculo da Intensidade
Analisando o padro de difrao
do policristal de NaCl (NaCl na forma de
p), mostrado na figura 12, verificamos
que os picos referentes a planos diferentes
tm
intensidades
diferentes.
Se
construssemos o padro de difrao
usando apenas aspectos geomtricos (lei
de Bragg), seria esperado que, como em
todos os picos h interferncia construtiva, eles deveriam ter a mesma intensidade. Porm, h vrios aspectos fsicos
que interferem na intensidade. O primeiro
a ser considerado o fator de espalhamento atmico (f). Tal valor indica o
quanto um tomo pode espalhar a um
dado ngulo e um certo comprimento de
onda (geralmente os valores tabelados so
dados para valores de sen/), sendo
expressado como o quociente entre a
amplitude da onda espalhada por um
tomo sobre a amplitude da onda
espalhada por um eltron. H diversas
formas de calcular o fator de
espalhamento atmico. possvel encontrar uma excelente aproximao para fatores de espalhamento atmico para tomos
neutros de nmero atmico 1 a 54 na internet, atravs do seguinte endereo:
http://wings.buffalo.edu/~chem9982/fit.html
Fhkl = f ne
n =1
[
= 4 [7.618 e
+10.632 e 4i
= 4 [7.618+ 10.632]
= 73
15
d hkl =
d hkl =
1
22
02
02
+
+
2
2
5. 640
5. 640
5.640 2
1
4
0
0
+
+
31. 8096 31. 8096 31.8096
1
= 2. 82
4
31. 8096
= 2d hkl sen
1.54 = 2(2.82) sen
1.54
sen =
5.64
sen = 0.273
= 15.86 o
Consultando a tabela de fatores de
espalhamento
atmico
para
sen/=0.15-1 , obtemos 9.02 e 13.5 para
os valores de f para o sdio e o cloro,
respectivamente. Podemos ento calcular
o fator de estrutura:
16
[
= 4 [9.02 e
+ 13.5 e
2i
= 4 [9.02+ 13.5]
= 90
Finalmente,
calculamos
intensidade para essa reflexo:
1 + cos 2 (31.73)
2
I 200 = 90 6 2
sin (15.86 ) cos(15.86 )
I 200 = 8100 6 23.86
I 200 =
I 200
17
Exemplos
Nesta seo, analisaremos alguns difratogramas e suas particularidades. Abaixo,
vemos o padro de difrao do quartzo e do NaCl na forma de policristal (amostra na forma
de p):
4000
25000
3500
NaCl
20000
2500
3000
Quartzo
2000
1500
1000
500
15000
10000
5000
0
0
-500
20
30
40
50
60
70
80
20
40
60
80
Quando analisamos uma amostra, comum que ela seja formada por uma mistura
de diferentes materiais. Abaixo, vemos o resultado de uma medida que contenha uma
mistura de NaCl e Quartzo:
Prestando
ateno
na
figura, vemos que o difratograma
25000
ao lado uma superposio dos
dois
padres
de
difrao
20000
mostrados
acima.
Dessa
forma,
Quartzo + NaCl
para descobrir que materiais
15000
formam uma determinada amostra
(caracteriz-la), devemos testar
10000
simulaes de diferentes materiais
at obtermos um padro de
5000
difrao que coincida com o da
amostra na posio e intensidade
0
dos picos. Esse trabalho feito
utilizando
programas
de
20
30
40
50
60
70
80
computador como o DBWS e o
2
FULLPROF.
18
Log (I)(a.u.)
A figura ao lado
Al Ga As (200A)
Calculado
Al Ga As (20A)
0.01
mostra o padro de difraAl Ga As (200A)
GaAs (100A)
o calculado e o experi1E-3
.
.
mental de uma super-rede
.
1E-4
x
de semicondutores. Esse
10 periodos
1E-5
substrato GaAs
material consiste em careflexo (004)
1
E
6
madas de semicondutores
sobrepostas de forma peri1E-7
-1500
-1000
-500
0
500
1000
1500
dica. Esses materiais so
importantes devido s suas
1000
propriedades
pticas,
Experimental
sendo utilizados em diversos dispositivos eletrni100
cos. Devido espessura
muito
pequena
das
10
camadas de semiconduto-1500
-1000
-500
0
500
1000
1500
res (da ordem de angstheta (sec)
troms), necessrio um
controle rigoroso em sua
produo.
A difrao de raios-x de alta resoluo (note que o difratograma est em segundos e
no em graus) utilizada nesse controle. Atravs dela possvel estudar tenses mecnicas
e deformaes microscpicas durante o processo de crescimento.
O prximo exemplo de um cristal onde se fez implantao inica. Nesse
processo, ons so acelerados de forma a bombardear um cristal. De acordo com os desvios
de trajetria que ocorrem dentro do alvo, eles ficam implantados a diversas profundidades
(e em diversas concentraes) no cristal.
No grfico ao lado,
(004)GaAs CuK 1
+
mostrado o padro de difrao
200keV Zn
13
-2
de um cristal de GaAs onde
Dose=1.7x10 cm
foram bombardeados ons de
zinco. No grfico menor,
vemos a variao de tenso
em funo da profundidade.
Tenso definida como a
variao do parmetro de rede
(devido aos ons implantados,
que fazem com que ele
aumente), sobre o prprio
Profundidade (Angstrom)
parmetro de rede, sendo dado
por uma percentagem. Dessa
forma, como se houvessem
vrias camadas de parmetros
de rede prximos, resultando
-800
-600
-400
-200
0
200
em picos to prximos que se
(segundos)
assemelham a picos mais
suaves, como visto ao lado.
0.6
0.5
Tenso (%)
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
200
400
600
800
1-x
1-x
1-x
19
Apndice
Tabela de fatores de multiplicidade
Cbico
Hexagonal e
rombodrico
Tetragonal
Ortorrmbico
Monoclnico
Triclnico
hkl: 48
hk.l: 24
hhl: 24
hh.l: 12
0kl: 24 0kk: 12
0k.l: 12 hk.0: 12
hkl: 16
hkl: 8
hkl: 4
hkl: 2
hhl: 8
hhl: 4
hhl: 2
0kl: 8
h0l: 4
0k0: 2
hk0: 8
hk0: 4
11
22
33
d
V
Onde:
S11 =b2 c2 sen2
S22 =a2 c2 sen2
S33 =a2 b2 sen2
S12 =abc2 (cos.coscos)
S23 =ab2c(cos.coscos)
S13 =ab2c(cos.coscos)
12
23
13
hhh: 8 00l: 6
hh.0: 6 0k.0: 6 00. l: 2
hh0: 4
h00: 2
0k0: 4
0k0: 2
00l: 2
00l: 2
20
Bibliografia
Artigos
Introduo Histrica:
M ARTINS, R. A. A Descoberta dos Raios X: O primeiro comunicado de Rntgen. Revista Brasileira de Ensino
de Fsica. 20, 373-391 (1998)
Livros
A ZROFF, L. V. Elements of X-Ray Crystallography. McGraw-Hill Book Company, Inc. (1968)
CULLITY, B. D. Elements of X-Ray Diffraction. Addison-Wesley Publishing Company, Inc. (1956)
W ARREN, B. E. X-Ray Diffraction. Dover Publications, Inc. (1969)