CAPTULO 10

TRANSISTORES ESPECIAIS
INTRODUO
Os laboratrios das grandes fbricas de
dispositivos
semicondutores
procuram
continuamente melhorar as caractersticas e
diminuir as limitaes dos transistores utilizados
e tambm descobrir novos tipos com
caractersticas
diferentes
que
permitam
aplicaes at ento fora do campo dos
transistores e, de maneira geral, dos semicondutores.
Foram esto criados numerosos tipos de
transistores, muitos dos quais baseados no
mesmo princpio de operao do transistor
bipolar, mas, fabricados por meio de tcnicas
novas ou modificaes das tcnicas j
conhecidas. Outros tipos de transistores
baseiam-se em princpios diferentes do
transistor bipolar. So esses tipos que
estudaremos a seguir.

da barra, aplicada uma camada de silcio do

tipo oposto ao do material do canal (tipo N ou
P). Neste material feito contato hmico,
formando a porta ou gatilho (gate).
A figura 10-2 ilustra a constituio fsica
dos transistores TECJ com canais tipo N e P e
os respectivos smbolos. Conforme o material
do canal seja do tipo N ou P, a seta aponta
respectivamente, para dentro ou para fora do
transistor.
No TEC canal P, por exemplo, a seta
dirigida para fora do transistor. Com efeito, se o
material do canal do tipo N, o gatilho
formado de material tipo P e, portanto, a seta
aponta para dentro.
NOTA: Usaremos indistintamente as seguintes
nomenclaturas: porta ou gatilho (P de porta ou
G de gatilho); fonte ou supridouro (S de source
ou de supridouro).

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

O transistor de efeito de campo,
conhecido como TEC ou FET (Field Effect
Transistor), apresenta caractersticas eltricas
bastante interessantes que permitem sua
utilizao numa gama muito grande de
aplicaes prticas.
A diferena fundamental entre os
transistores de efeito de campo e os de juno
convencionais que nos primeiros, a corrente
dada pelo fluxo de portadores de um s tipo. Por
este motivo, os transistores de efeito de campo
so conhecidos como transistores unipolares em
contraposio aos demais que so bipolares.
Construo fsica
O mais comum dos transistores de efeito
de campo o tipo de juno, tambm chamado
de TECJ ou JFET. A figura 10-1 ilustra uma
sequncia da constituio fsica do TEC. Ele
formado por uma minscula barra de silcio, que
pode ser tipo N ou P, formando o que
conhecido com o nome de canal.
Em cada extremo da barra so feitos
contatos hmicos que so chamados de dreno
(drain) ou fonte (source). No centro, em torno

Figura 10-1 Seqncia da constituio fsica do

TEC canal N

10-1

Podemos observar, em A da figura 10-3,

onde a polarizao somente de 2 volts, que a
corrente atravs do canal do transistor grande;
ao contrrio, em B, onde temos a tenso de 6V
no gatilho, a corrente bem menor. A diferena
entre um TEC canal N e outro de canal P a
inverso da polaridade de todas as tenses, da
mesma forma como nos transistores comuns do
tipo PNP e NPN.
Curvas caractersticas

Figura 10-2 Constituio fsica e smbolos dos

transistores TEC canal tipo N e
canal tipo P
Funcionamento
Podemos observar, na figura 10-3, a
polarizao normal de funcionamento do TEC
canal tipo N.
O gatilho, normalmente polarizado
inversamente em relao fonte, faz com que a
entrada tenha alta impedncia. A tenso
aplicada ao gatilho tem alto poder de controle
sobre a corrente fonte-dreno, por causa do
aumento da rea de depleo e reduo da rea
efetiva de conduo.

Figura 10-3 Variao da corrente em funo da

polarizao inversa

A figura 10-4 mostra as curvas

caractersticas de um TEC tpico canal N.
Observamos que a corrente de dreno
mxima, ou seja, a corrente de saturao (8
mA), quando a polarizao entre gatilho e
supridouro igual a zero.
Quando aumentamos a polarizao
inversa, a corrente no dreno diminui gradativamente at chegar a zero. Isto acontece quando
a tenso de 6V aproximadamente. Esta
polarizao inversa, necessria para suprimir
totalmente a corrente atravs do transistor,
chamada de tenso de corte.

Figura 10-4 Curvas caractersticas de um TEC

canal N
10-2

Esta tenso de corte, para a maioria dos

transistores TEC est situada entre 6 e 10V.
Podemos tambm verificar, atravs de
curvas, que a variao de tenso do dreno acima
do joelho (5 volts) tem pouca influncia sobre a
corrente de dreno (ID).
Pelo espaamento regular que se obtm
com polarizaes at 2 volts nota-se que o
transistor pode amplificar sinais pequenos com
um mnimo de distoro.
A resistncia interna entre dreno e fonte
varia conforme a polarizao; assim, temos com
zero volts no gatilho (porta) uma resistncia
interna por volta de 150 ohms, enquanto que
com polarizao inversa acima de 6 volts
obtem-se valores superiores a 1000 megohms.
O TEC, da mesma forma como os
transistores comuns, tambm pode ser usado em
3 configuraes, sendo que a mais usada o
supridouro ligado massa, que corresponde ao
circuito emissor massa.
Como podemos observar, o circuito
muito semelhante ao de um amplificador usando
vlvula triodo.
A autopolarizao do TEC pode ser feita
da mesma maneira como na vlvula, isto , pelo
resistor do supridouro. Por exemplo, se
escolhermos o ponto de trabalho do transistor
em 5 miliampres e verificarmos, pelas curvas
caractersticas, que para isso necessria uma
polarizao no gatilho de 1 volt, o resistor de
supridouro (R1) deve ter um valor de:
1V
200 ohms .
R1 =
0,005 A
O resistor normalmente escolhido em
funo da frequncia de trabalho. O resistor R2
corresponde resistncia de carga (RL). A fase
do sinal de sada est 180 graus invertida em
relao ao sinal de entrada.

A principal vantagem do transistor de

efeito de campo diz respeito sua impedncia
de entrada que, na realidade, dada pela
impedncia de um diodo inversamente
polarizado, podendo atingir, dependendo do tipo
do TEC, valores to altos como centenas de
megohms.
Isto
possibilita
aplicaes
impossveis para os transistores bipolares.
Finalmente devemos apresentar outro
tipo de transistor de efeito de campo, o chamado
IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor),
tambm chamado MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor).
O funcionamento deste transistor
diferente do anterior no sentido de que, com
tenso VGS nula, no h nenhuma conduo no
dreno.
Quando aplicamos uma tenso positiva,
por exemplo, no caso da figura 10-6, surge na
superfcie da regio N um canal tipo P,
correspondente ao dreno e fonte, possibilitando, ento, o deslocamento de buracos
entre a fonte e o dreno.
A vantagem deste tipo de transistor a
elevadssima impedncia de entrada, e com
este tipo que se consegue obter os valores mais
elevados.
Outra extraordinria vantagem deste
ltimo tipo de FET que ele possibilita a fcil
fabricao de complexos arranjos integrados
com aplicaes sem limites no campo digital.

Figura
Figura 10-5 Amplificador tpico com TEC
10-3

10-6

Constituio e smbolo
MOSFET canal P

do

TRANSISTOR DE UNIJUNO

O transistor de juno nica (TJU ou

UJT) um dispositivo semicondutor de trs
terminais que tem sua principal aplicao em
circuitos osciladores no senoidais e de
comutao.
A figura 10-7 mostra a constituio
fsica e o smbolo do transistor de unijuno.
Ele constitudo por uma pequena barra de
silcio do tipo N, na qual so feitos contatos
hmicos nos extremos que so denominados
Base 1 (B1) e Base 2 (B2) e na parte lateral
feita uma juno PN, na qual tambm feito um
contato hmico, o que constitui o emissor.
Eletricamente, o TJU atua como divisor
resistivo de tenso, entre B1 e B2 e um diodo no
centro.

quando IB2 for igual a zero, a curva

caracterstica relacionando IE e VE ser a de um
diodo comum, como podemos observar na
curva 1 da figura 10-8.
Devemos observar que nesta figura a
corrente IE est representada no eixo das
abscissas e a tenso VE no eixo das ordenadas, o
que explica o aparecimento diferente da curva
1 de um diodo comum.
Alm disto, devemos salientar que a
curva 2 foi traada para uma dada tenso VBB,
obtendo-se curvas com aspecto semelhante para
diferentes tenses de VBB.

Figura 10-8 Curvas caractersticas de um

transistor unijuno

Figura

10-7

Partindo do ponto A, medida que a

tenso VE aumenta, a corrente vai aumentando
lentamente at que seja atingido o ponto
B(chamado de ponto de pico), a partir do qual
a tenso diminui e a corrente aumenta. Portanto,
o trecho BC caracterizado pelo fato,
aparentemente contraditrio, de uma diminuio da tenso provocar um aumento de
corrente.
Isto explicado se considerarmos que,
no trecho BC, o dispositivo apresenta uma
resistncia negativa, caracterstica esta que
permite a aplicao do transistor de unijuno
em osciladores (geradores dentes-de-serra, multivibradores, etc).
A figura 10-9 mostra as curvas
caractersticas de sada do transistor de
unijuno.
Podemos observar a relao entre a
corrente IB2 e a tenso de sada, entre as bases,
para diferentes valores da corrente no emissor
(IE).

Construo fsica, circuito

equivalente e smbolo eltrico
do TJU

Curvas caractersticas

Vimos que entre as bases B1 e B2, o

dispositivo apresenta a caracterstica de um
resistor comum. Quando a base B2 est aberta,
isto , quando IB2 igual a zero, temos apenas
no circuito a juno E-B1, polarizada
diretamente pela bateria VEE. Isto significa que,

10-4

Figura 10-9 Curvas caractersticas de um

transistor
de
unijuno,
relacionando IB2, VBB e IE
Aplicao

Um exemplo simples da aplicao do

TJU o circuito da figura 10-10 que um
oscilador de relaxao.
Quando o interruptor ligado, a ao
divisora de tenso, da resistncia da barra de
silcio do TJU, da base um e da base dois, em
srie produz uma queda de 12 volts,
aproximadamente, entre a base um e o lado N
da juno do emissor.
Neste momento, a tenso do emissor
zero, por causa do capacitor C1. O capacitor C1
comea a adquirir carga atravs do resistor R1.
Quando a tenso do capacitor chega a 12 volts,
a juno do emissor se polariza diretamente e
comear a fluir uma corrente pela base um,
reduzindo a resistncia interna. Esta ao
descarrega a energia armazenada no capacitor,
atravs do resistor R3. Logo, o ciclo se repete e
o capacitor se recarrega e volta a descarregar-se.

Figura 10-10 Oscilador de relaxao

Cada vez que o emissor se polariza
diretamente, diminui a resistncia total entre as
bases um e dois, o que permite um aumento na
corrente que passa pelo TJU.
Como resultado, na base um aparecer
um pulso positivo e na base dois um pulso
negativo, no momento em que o capacitor se
descarrega. Assim temos no emissor uma onda
dente-de-serra.

10-5