Engenharia Eltrica Eletrnica

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Professor: Alvaro Cesar Otoni Lombardi

Prof. Alvaro

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Bipolares de Juno (TBJ ou BJT)
So controlados pela variao da corrente de base (na
maioria das aplicaes)
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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (FET)
Do ingls Field Effect Transistor
So controlados pela variao da tenso
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET)

JFET
J Junction ou Juno
FET
DEPEO
MOSFET
INTENSIFICAO
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MOS Metal Oxid Semiconductor

Semicondutor de Metal xido

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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (FET)
FET Canal N

Contato hmico Dreno (D)

Canal N

Porta (G)
Gate
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Regio de Depleo Fonte (S)

Source

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento
A regio de Depleo no possui portadores livres,
portanto no conduz.
VG = 0 V VDD +

No passa corrente do Gate

para Dreno.
VGS = 0V e VDS > 0V
Se VG ficar mais negativo, mais
aumentar a regio de depleo.
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Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento
No diodo a polarizao reversa faz aumentar a regio de
depleo.
A corrente que passa atravs da Porta (Gate) IG = 0 A.
Caracterstica relevante do FET.
G D e G S proporcionam alta impedncia de entrada.
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento
Variao dos potenciais reversos de polarizao atravs da
juno p - n de um JFET de canal N.

25 a 75% dos potenciais reversos do

FET ficam na regio de depleo
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Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento
Mantendo o VGS = 0V e
Se aumentar VDS, aumenta tambm a regio de depleo.
A corrente ID subir at um determinado nvel:
Limitado pela reduo do canal;
Causando aumento da resistncia do canal
Reduo do Canal

Aumento da Regio de Depleo

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Aumento de VDS

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento
A reduo do canal levar a corrente a um nvel de
saturao.
Nvel de Saturao para VGS = 0V
IDSS

Aumento da Resistncia devido

ao Estreitamento do Canal

Resistncia do Canal
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VP

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Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento
Os dois parmetros observados devido ao nvel de
saturao quando VGS = 0V
VP
IDSS
So parmetros dos FETs que aparecem nos data sheets.
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento
IDSS S (Saturation) ID = IDSS
VP (Pinch-off)
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Pinch-off ou Constrio

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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento
IDSS a mxima corrente de dreno para um JFET e
definida pela condio VGS = 0 V e VDS > |VP|

O valor de VGS para ID = 0 mA definido por VGS = VP

Para o canal N VP Negativo

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VGS = VP
Para o canal P VP Positivo

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento
Lugar Geomtrico dos Valores de Pinch-off
Lugar Geomtrico dos Valores de pinch-off
Regio
hmica
Regio de Saturao
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Os Transistores Efeito de Campo (FET) Funcionamento
Resistor controlado do tenso. rO
rd = 2
V
1 GS
VP
Regio
hmica rO = a resistncia apresentada por VDS x IDSS
I I 1 1 rd = a resistncia apresentada na regio
= dss = d = =
V P VDS rO rd hmica para um determinado valor de VGS
Id 1
= = Controle da resistncia pela tenso pode
VDS rd
ser empregado em controle automtico de
ganho.
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET)
SIMBOLOGIA
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FET canal N FET canal P

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Os Transistores Efeito de Campo (FET)
Curva Caracterstica de Transferncia

No TJB :

I C = f ( I B ) = I B
Varivel de Controle
Constante

No FET :
Varivel de Controle
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2
VGS
I D = I DSS 1
VP

Constante

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET)
Curva Caracterstica de Transferncia
Quando ID = IDSS , VGS = 0 V

2
V
I D = I DSS 1 GS
VP

Quando VGS = VP, ID = 0 mA

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Os Transistores Efeito de Campo (FET)
2
Ex.1: Dado VP = 4V e IDSS = 8 mA V
Calcule VGS = ? para ID = 4,5 mA I D = I DSS 1 GS
VP
2
VGS
4,5 = 8 1
4
2
2 VGS VGS
0,5625 = 1 + +
4 16
2
VGS VGS
+ + 0,4375 = 0
16 2
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2
VGS + 8VGS + 7 = 0

VGS e VGS ' = 1 e 7volts

S VGS = 1volt vlido

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET)
2
Ex.1: Dado VP = 4V e IDSS = 8 mA V
Calcule VGS = ? para ID = 4,5 mA I D = I DSS 1 GS
VP
2
VGS
4,5 = 8 1
4
2
VGS
0,5625 = 1+
4
VGS
0,75 = 1 +
4
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VGS = (0,75 1) 4
VGS = 0,25 4 = 1volt

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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (FET)
2
Ex.2: Dado VP = 4V e IDSS = 8 mA V
Calcule ID = ? para VGS = 2V I D = I DSS 1 GS
VP
2
2
ID = 8 1
4
2
1
ID = 8 1
2
2
1 1
ID = 8 = 8 = 2mA
2 4
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (FET)
2
Relaes interessantes de VGS ID V
I D = I DSS 1 GS
VP

ID
VGS ID
IDSS
0 IDss
0,3 VP IDss/2 IDSS/2

0,5 VP IDss/4 IDSS/4

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VGS
VP 0 mA VP 0,3VP
0,5VP

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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo
Depleo)
O corte;
A saturao e
IDSS
Do JFET semelhante ao MOSFET tipo Depleo;
A diferena est nas curvas caractersticas:
Se estendem at a polaridade oposta para VGS.
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Depleo)
Funcionamento

Espessa camada de Material tipo P

O terminal SS pode ser conectado ao terminal

FONTE ou no.
Quando o terminal SS no conectado ao
terminal FONTE o dispositivo fabricado
com 4 terminais
FONTE e DRENO so conectados atravs
de contatos metlicos regies n dopadas do
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tipo n
As regies n dopadas do tipo n so
interligadas entre si por um canal n.

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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Depleo)
Funcionamento

A PORTA (GATE) permanece isolada do

canal n por uma fina pelcula de xido de
Silcio SiO2.
SiO2 um dieltrico pois estabelece campos
eltricos opostos quando submetidos a um
campo externo aplicado.
No h ligao eltrica entre o gate e o canal n.
Se no h ligao eltrica entre o gate e o
canal n, ento no existe corrente.
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A impedncia de entrada exageradamente

alta.

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Depleo)
Funcionamento

Para VGS = 0V, no existe campo eltrico

Eltrons percorrem da FONTE para o

DRENO.

O sentido convencional da Corrente de

DRENO para a FONTE.
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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Depleo)
Funcionamento

VGS negativo = modo depleo

VGS positivo = modo intensificao
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Depleo)
Funcionamento

O que acontece com o Canal n quando o

VGS positivo?
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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Depleo)
Simbologia
Prof. Alvaro

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificao)
No existe a parte de Depleo.
Por onde passar a corrente
entre o Dreno e a FonteID?

O SiO2 isolante e portanto o

Gate isolado do Substrato
que isolado da Regio tipo n
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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificao)
Smbolo Substrato desligado
da Fonte (S)

MOSFET Canal n
Substrato ligado
Fonte (S)
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ID = 0A

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo
Intensificao)
Caractersticas
O controle de corrente para esse dispositivo de canal n
realizado por uma tenso VGS positiva.
MOSFET depleo possui canal
MOSFET intensificao no possui canal (Inexistncia de
Canal).
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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificao)
Caractersticas
Para VDS positivo, VGS = 0V e SS ligado Fonte (Source), equivale a:
duas junes p-n reversamente polarizadas entre
as regies dopadas tipo n e os substratos p
que se opem a qualquer fluxo significativo entre o dreno e a fonte.

ID = 0A
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificao)
Funcionamento
Alimentao de VDS e VGS
positiva em relao Source
Corrente de Gate 0A e
independe do valor de VGS
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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificao)
Funcionamento

VGS pressiona as lacunas

(cargas iguais se repelem) para
o substrato p por toda a
extenso da camada de SiO2
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O potencial positivo do Gate

repele as lacunas.

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificao)
Funcionamento

Limite de esvaziamento da
regio de portadores tipo p
Atrao dos eltrons para a
porta devido ao potencial
positivo.
O resultado uma regio de
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depleo prxima camada

isolante de SiO2 livre de
lacunas

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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificao)
Funcionamento
Com o aumento de VGS Regio de Depleo
intensificado a concentrao de
eltrons prximo superfcie
O negativo a fonte de eltrons
intensificado at um nvel que
a regio induzida tipo n possa
suportar o fluxo entre o Dreno e
a Fonte
Prof. Alvaro

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificao)
Funcionamento Incio de Pinch-off
O nvel de VGS que produz um
aumento significativo da
corrente de dreno chamado de
tenso de limiar.
A tenso de limiar
representado por VT ou VGS(Th)

Th Threshold = limiar
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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo
Intensificao)
Tem o MOSFET
que tem o canal e
o que no tem o canal
Ambos so de intensificao, porm o nome de
intensificao foi dado ao ltimo pois o nico modo de
operao.
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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo
(MOSFET tipo Intensificao)
Quando VGS aumenta aps o limiar,
aumenta a corrente de dreno (ID).
Se VGS for mantida e aumentar VDS;
ID atinge um nvel de saturao por
constrio.
VDG = VDS VGS

VDG D
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S VDS

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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo
Intensificao) VDG D
VDG = VDS VGS
G
Se VGS = 8V e VDS for aumentado de 2V para 5V;
S VDS
Ento VDG cair de 6V para 3 V;
VDG = 2V 8V = 6V;
VDG = 5V 8V = 3V;
Se VDS aumenta, VDG fica menos positivo;
Reduz as foras atrativas para os eltrons provocando
a reduo da largura do canal; VDG
O canal reduzido at a condio de saturao
Prof. Alvaro

(PINCH-OFF)

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo
Intensificao) VDG D
VDG sat = VDS VT
G
Para valores de VGS < VT , ID(MOSFET intensificao) = 0 mA
S VDS
VT = Nvel de Limiar
Lugar Geomtrico de VDS sat

VDG
Prof. Alvaro

VGS = VT = 2 V

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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo
Intensificao)
Curvas caractersticas de Dreno de um MOSFET VT = 2V e
k = 0,278 10 3 A/V 2

Lugar Geomtrico de VDS sat

Prof. Alvaro

VGS = VT = 2 V

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificao)
Constante k (A/V 2)
dado pelos valores de VGS (Ligado) e
ID (Ligado)
So valores fornecidos pelo fabricante
VT
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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificao)
De posse do valor de VGS (Ligado) e de ID (Ligado)
Encontra-se k pela frmula

ID (Ligado)
k= ID = k (VGS VT)2
(VGS (Ligado) VT )2

Para qualquer valor dado de VGS, pode-se encontrar ID

desde que k seja conhecido.
Prof. Alvaro

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificao)
Curva caracterstica de transferncia
Prof. Alvaro

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 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os Transistores Efeito de Campo (MOSFET tipo Intensificao)
Manuseio
Alta impedncia de gate;
associada fina camada do isolante SiO2,
Eletricidade esttica acumulada:
no corpo humano ou
qualquer outro material isolante
Pode romper a camada de isolante e danificar o componente.
Maiores detalhes de manuseio, consultar manual do fabricante ou
livro pag 196.
Prof. Alvaro

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os Transistores Efeito de Campo (VMOS tipo Intensificao)
Compensa a baixa potncia limitante do MOSFET;
V do VMOS devido estrutura vertical de crescimento do canal;
Maiores velocidades de chaveamento.
Leitura complementar opcional livro pag 197.
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