Capítulo 15

Propriedades Ópticas
e Materiais Supercondutores

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Figura 15.1 Novas tecnologias. Seção transversal do projeto de um trem de levitação avançado
(Japanese National Railway).

(De “Encyclopedia of Materials Science and Technology”, MIT Press, 1986, p. 4766.)
Figura 15.2 O espectro eletromagnético da região do ultravioleta ao infravermelho.
Tabela 15.1 Índices de refração de alguns materiais importantes.
Figura 15.3 Diferença de potencial ΔV aplicada a uma amostra de fio metálico de seção
transversal A.
Figura 15.4 Diagrama indicando o ângulo crítico c para reflexão interna total da luz passando de
um meio com alto índice de refração n para outro com baixo índice de refração n'. Observar que o raio
2, que tem ângulo de incidência 2 maior do que c, é totalmente refletido de volta para o meio com alto
índice de refração.
Figura 15.5 Transmitância da luz através de uma placa de vidro na qual ocorre refletância nas
superfícies inferior e superior e absorção no interior da placa.
Figura 15.6 Transmitância percentual versus comprimento de onda para vários tipos de
vidros claros.
Figura 15.7 Múltiplas reflexões internas nas interfaces das regiões cristalinas
reduzem a transparência de termoplásticos parcialmente cristalinos.
Figura 15.8 Absorção óptica de fótons em semicondutores. A absorção ocorre em (a) se h > Eg,
(b) se h > Ea e (c) se h > Ed..
Figura 15.9 Variações de energia durante a luminescência. (1) Pares elétron-lacuna são criados pela
excitação de elétrons até a banda de condução ou para dentro de armadilhas.
(2) Os elétrons podem ser excitados termicamente de uma armadilha a outra ou para o interior da banda
de condução. (3) Os elétrons podem cair para níveis superiores de ativadores (doadores) e, em seguida,
para níveis mais baixos de receptores, emitindo luz visível.
Figura 15.10 Vista em corte de uma lâmpada fluorescente mostrando a geração de elétrons em um
eletrodo e a excitação dos átomos de mercúrio que fornecerão a luz UV para excitar o revestimento de
fósforo na superfície interna do tubo da lâmpada. O revestimento de fósforo excitado então gera luz
visível por luminescência.
Figura 15.11 Esquema mostrando a disposição das listras verticais de fósforos vermelha (R), verde
(G) e azul (B) na tela de um televisor em cores. Também são mostradas várias das
aberturas alongadas da máscara de sombreamento em aço.

(Cortesia da RCA.)
Figura 15.12 Diagrama esquemático ilustrando a emissão de um fóton “estimulado” por um fóton
“ativo” de mesma frequência e comprimento de onda.
Figura 15.13 Diagrama esquemático de um laser de rubi pulsado.
Figura 15.14 Diagrama simplificado de níveis de energia para um sistema laser de três níveis.
Figura 15.15 Esquema das etapas no funcionamento de um laser de rubi pulsado. (a) No equilíbrio.
(b) Excitação por uma lâmpada de arco de xenônio. (c) Alguns fótons emitidos espontaneamente
iniciam a emissão estimulada de fótons. (d) Refletidos de volta, os fótons continuam a estimular a
emissão de mais fótons. (e) O feixe de laser é finalmente emitido.

(De R.M. Rose, L.A. Shepard and J. Wulff, “Structure and Properties of Materials”, vol. IV, Wiley, 1965.)
Tabela 15.2 Aplicações importantes dos lasers no processamento de materiais.
Figura 15.16 (a) Laser de GaAs de homojunção simples. (b) Laser de GaAs de heterojunção
dupla. As camadas de AlxGa1-x–n e AlxGa1-x–p possuem falhas de energia mais extensas e índices de
refração mais baixos, e confinam os elétrons e lacunas no interior da camada ativa de GaAs-p.
Figura 15.17 Elementos básicos de um sistema de comunicação de fibra óptica.
(a) Transmissor de laser de InGaAsP. (b) Fibra óptica para transmissão de fótons de luz.
(c) Fotodetector de diodo PIN.
Figura 15.18 Comparação entre fibras ópticas (a) monomodo e (b) multimodo em termos da seção
transversal, índice de refração, trajetória luminosa e sinais de entrada e saída.
O sinal de saída mais forte da fibra monomodo é preferido para sistemas ópticos de comunicação de
longa distância.
Figura 15.19 Vista esquemática do processo modificado de deposição de vapores químicos para
produção das preformas de vidro para fabricação de fibras ópticas.

(Propriedade de AT&T Archives. Reproduzido com permissão de AT&T.)

Figura 15.20 Vista esquemática do dispositivo para trefilação de fibra de vidro óptica a partir de
uma preforma de vidro.

(De “Encyclopedia of Materials Science and Technology”, MIT Press, 1986, p. 1992.)
Figura 15.21 Rolo de fibra óptica.

(Cortesia de AT &T.)
Figura 15.22 (a) Diodo de laser de InGaAsP com heteroestrutura de substrato químico enterrada
usada em sistemas de comunicação de fibra óptica de longa distância. Observar o efeito focalizador do
canal em V sobre o laser. (b) Fotodetector PIN para sistemas ópticos de comunicação.

(Propriedade de AT&T Archives. Reproduzido com permissão de AT&T.)

Figura 15.23 Resistividade elétrica de um metal normal (Cu) em função da temperatura comparada
àquela de um metal supercondutor (Hg) nas proximidades de 0 K. A resistividade do metal
supercondutor cai subitamente para um valor imensuravelmente pequeno.
Tabela 15.3 Temperatura crítica para supercondução, Tc, de alguns supercondutores metálicos,
intermetálicos e compostos cerâmicos.
Figura 15.24 Campo crítico versus temperatura. (a) Caso geral. (b) Curvas para vários
supercondutores.
Figura 15.25 O efeito Meissner. Quando a temperatura de um supercondutor do tipo I é diminuída
para abaixo de Tc e o campo magnético for menor do que Hc, o campo magnético é completamente
expulso de uma amostra, exceto por uma fina camada superficial.
Figura 15.26 Curvas de magnetização para supercondutores ideais dos tipos I e II. Os
supercondutores do tipo II são penetrados pelo campo magnético entre Hc1 e Hc2.
Figura 15.27 Seção transversal de um fio supercondutor transportando corrente elétrica.
(a) Supercondutor do tipo I ou tipo II sob a ação de um campo fraco (H < Hc1).
(b) Supercondutor do tipo I ou tipo II sob a ação de campos fortes (Hc1 < H < Hc2) mostrando a corrente
sendo transportada por uma rede de filamentos.
Figura 15.28 Ilustração esquemática dos fluxoides magnéticos em um supercondutor do tipo II sob
a ação de um campo magnético entre Hc1 e Hc2.
Figura 15.29 Seção transversal do fio compósito de Ti-Cu-46,5Nb (% em peso) fabricado para o
superacelerador de partículas supercondutor. O fio possui diâmetro de 0,0808 cm (0,0318 polegadas),
razão volumétrica Cu:NbTi de 1,5, 7.250 filamentos com 6 μm de diâmetro e Jc = 2.990 A/mm2 a 5 T e
Jc = 1.256 A/mm2 a 8 T. (Ampliação de 200×).

(Propriedade de AT&T Archives. Reproduzido com permissão de AT&T.)

Figura 15.30 Estrutura cristalina ortorrômbica idealizada do YBa 2Cu3O7. Observar a localização dos
planos do CuO2.
Figura 15.31 (a) Teor de oxigênio versus constantes da célula unitária para o YBa 2Cu3Oy. (b) Teor
de oxigênio versus Tc para o YBa2Cu3Oy. Reproduzido com permissão de MRS. Bulletin.

De J.M. Tarascon and B.G. Bagley, “Oxygen Stoichiometry and the High Tc Superconducting Oxides”, MRS Bulletin, vol. XIV, n. 1, (1989), p. 55.
Figura 15.32 Micrografia eletrônica de transmissão de alta resolução na direção [100]
ao longo das cadeias cobre-oxigênio e filas de átomos de Ba e Y na célula unitária de YBa 2Cu3Oy,
conforme indicado pela flecha.

(Segundo J. Narayan, JOM, January 1989, p. 18.)