Eletrônica Básica - Transistores PDF

Eletrnica Bsica
Transistor de Juno Bipolar

1. Introduo
2. Operao Bsica
3. Caractersticas e Parmetros
4. Curvas Caractersticas de Coletor

5. Reta de Carga
6. O Transistor como uma Chave
7. Polarizao DC do Transistor
Fabio Bento
fbento@ifes.edu.br
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
1. Introduo - Breve histrico

Ao lado dos diodos, os dispositivos semicondutores mais populares so os
transstores, ou transistores de juno bipolar.
Em uma tarde de 23 de dezembro de 1947, Walter H. Brattain e John Bardeen
demonstraram a ao de amplificao do primeiro transistor nos laboratrios da
Bell Telephone Laboratories.
O primeiro transistor foi chamado de transistor de ponto de contato, o
antecessor ao transistor de juno bipolar inventado por Schockley.
O transistor deu origem a muitas outras invenes, inclusive os circuitos
integrados (CIs), pequenos dispositivos que possuem milhares de transistores.
1.
Introduo - Estrutura do Transistor
J2
J1
P
IF
Juno PN com polarizao direta
N
IR
Juno PN com polarizao reversa
1.
J2
J1
IF
IR
Polarizao direta
J1
N
J2
P
J2
Polarizao reversa
Transistor NPN
J1
N
Transistor PNP
1.
Transistor NPN
Transistor PNP
1.
Coletor
Base
C
B E
Emissor
Transistor NPN
1.
Coletor
Base
C
B E
Emissor
Transistor PNP
1.

Transistor NPN
Coletor
Base
Emissor
Transistor PNP
Coletor
Base
Emissor
1.
2.
Operao Bsica
Polarizao reversa
da juno CB
Polarizao reversa
da juno CB
Polarizao
direta da
juno BE
Polarizao
direta da
juno BE
2.
Operao Bsica
Polarizao do transistor NPN
Nenhuma corrente flui.
A juno BC est
polarizada reversamente.
2.
Operao Bsica
A juno BE est
polarizada diretamente.
Existe corrente
2.
Operao Bsica
IC
Quando as duas junes

esto polarizadas
H corrente
em todo lugar
Note que IB muito
menor que IE or IC.
IB
IE
2.
Operao Bsica
IC
Note que quando a chave se
abre todas as corrente vo para
zero.
Apesar de IB ser menor,

ela controla IE e IC.
IB
IE
2.
Operao Bsica
Corrente de eltrons
do coletor
IC
Coletor
Juno
CB
Transistor
NPN
Polarizao
reversa
Base
Juno
BE
Polarizao
direta
Emissor
Corrente
de
eltrons
do coletor
Corrente de
eltrons da base
IB
Corrente de
eltrons do emissor
IE= IC +IB
IC
2.
Operao Bsica
Corrente de eltrons
do coletor
IC
A polarizao reversa da
juno CB provoca aumento da
barreira de potencial e forma
uma
resistncia
de
valor
elevado.
Coletor
Juno
CB
Polarizao
reversa
Base
A polarizao direta da juno

BE provoca reduo na barreira
de potencial (resistncia de
baixo valor).
Juno
BE
Polarizao
direta
Emissor
Corrente de
eltrons da base
IB
Corrente de
eltrons do emissor
IE= IC +IB
Corrente
de
eltrons
do coletor
IC
2.
Operao Bsica
Corrente de eltrons
do coletor
IC
Se a juno CB estivesse
isolada, no haveria circulao
de corrente na mesma.
No entanto a injeo de
eltrons na base proveniente do
emissor, propicia a conduo da
corrente IC do coletor ao emissor
(sentido convencional), passando pela base que, como
dissemos
anteriormente,
muito estreita.
Na juno BE, por estar
diretamente polarizada, h fcil
circulao de corrente. Como a
base muito estreita e pouco
dopada, o valor da corrente de
base (IB) muito pequeno
Coletor
Juno
CB
Polarizao
reversa
Base
Juno
BE
Polarizao
direta
Emissor
Corrente de
eltrons da base
IB
Corrente de
eltrons do emissor
IE= IC +IB
Corrente
de
eltrons
do coletor
IC
2.
Operao Bsica
Corrente de eltrons
do coletor
IC
Coletor
Juno
CB
Polarizao
reversa
Base
No emissor as correntes de
base e de coletor juntam-se
formando a corrente de emissor
(IE)
Juno
BE
Polarizao
direta
Emissor
Corrente de
eltrons da base
IB
Corrente de
eltrons do emissor
IE= IC +IB
Corrente
de
eltrons
do coletor
IC
3.
Caractersticas e Parmetros
IB: Corrente de Base
IE: Corrente de Emissor

IC: Corrente de Coletor
VBE: Tenso na Base com relao ao Emissor
VCB: Tenso no Coletor com relao a Base

VCE: Tenso no Coletor com relao ao Emissor
3.
VCB
VBE
VCE
VBC
VEB
IE = IC + IB
I E = I C + IB
VCE=VCB+VBE
VEC=VBC+VEB
VEC
Ganhos de corrente DC e
3.
IC
IB
hFE
IC
IE
Exemplo
3.
Determine e IE para um transistor onde IB = 50A e IC = 3,65mA
I C 3,65mA

73
IB
50A
I E I C I B 3,65mA 50A 3,70mA
Anlise de Corrente e Tenso
3.
VBE 0,7 V
VRB = VBB - VBE
VRB = IB RB
IB RB = VBB - VBE
IB
BB
V BE
VCE = VCC - VRC

VRC = IC RC
VCE = VCC IC RC
VCB = VCE VBE
Anlise de Corrente e Tenso - Exemplo
3.
Determine IB, IC, IE, VCE, e VCB no circuito abaixo. O transistor tem =150
Anlise de Corrente e Tenso - Exemplo
3.
Determine IB, IC, IE, VBE, e VCB no circuito abaixo. O transistor tem =150
VBE 0,7 V
IB
BB
V BE
5 0,7
430A
10k
I C . I B (150)(430A) 64,5mA
I E I C I B 64,5mA 430A 64,9mA
VCE = VCC IC RC=10(64,5mA)(100)=10 -6,45=3,55 V

VCB = VCE VBE =3,55 0,7 = 2,85 V
VCB positivo, portanto a juno CB est reversamente polarizada.
Curvas Caractersticas de Coletor

Configuraes do Transistor
4.
O transistor, por possuir trs terminais, pode ser utilizado em trs

configuraes distintas, considerando que sempre um dos terminais ser a
entrada do circuito, outro ser sada e outro ser comum entrada e sada.
Cada configurao recebe uma denominao, relativa ao terminal comum
entre a entrada e a sada, a saber:
Emissor Comum (EC);
Base Comum (BC) e;

Coletor Comum (CC).

Configuraes do Transistor
4.
De forma simplificada, as configuraes do transistor esto apresentadas

abaixo:
NPN
Emissor Comum
Base Comum
Coletor Comum
Base Comum
Coletor Comum
PNP
Emissor Comum
Emissor Comum: utilizado na maioria das aplicaes;

Base Comum: pouco utilizado.
Coletor Comum: Utilizado em reas de controle e udio.

Variveis de Entrada e Sada
4.
As curvas caractersticas de coletor estabelecem relaes entre variveis de

entrada e de sada para a configurao emissor comum.
Nesse circuito, a entrada caracterizada pela corrente de base IB e pela tenso
VBE, e a sada caracterizada pela corrente de coletor IC e pela tenso VCE.
Sada
Entrada

4.
A curva caracterstica de entrada semelhante curva de um diodo

polarizado diretamente, j que a juno BE do transistor tambm deve ser
polarizada diretamente.
Entrada
Sada
A curva de sada mostra a curva caracterstica para a configurao emissor

comum.

4.
O grfico de sada relaciona, trs variveis simultaneamente, sendo duas de

sada, que so a corrente de coletor IC e a tenso VCE, e uma entrada que a
corrente de base IB
Entrada
Sada

Circuito para obteno das curvas
4.
Utilizando um circuito igual ao da figura abaixo, possvel gerar

conjunto de curvas caractersticas de coletor.
um
Estas curvas mostram como a corrente de coletor (IC) varia, em funo da

tenso entre coletor e emissor(VCE), para especificadas correntes de base (IB).

Famlia de Curvas
4.
Regio de Corte
Regio de
Saturao
Regio
Ativa
Regio de
Ruptura
Curva IC xVCE para um valor de IB
Famlia de curvas IC xVCE para diversos

valores de IB (IB1<IB2<IB3, etc)
Curvas Caracterstica de Coletor

Regio de Saturao
4.
Para esta condio, as junes BE e e BC esto polarizadas diretamente, com

VBE 0,7 V e VCE < 0,7 V.
Quando ambas junes esto polarizadas diretamente, O transistor est em
sua regio de saturao.
Regio de
Saturao
Regio
Ativa
Regio de
Ruptura

Regio Linear
4.
Esta situao indicada pela regio entre os pontos B e C da curva abaixo.

Idealmente, quando VCE supera 0,7 V, a juno CB fica polarizada
reversamente e o transistor vai para sua regio de linear (ou ativa) de operao.
Visto que a juno CB est polarizada reversamente, a corrente IC permanece
aproximadamente constante para um determinado valor de IB, medida que VCE
continua a aumentar.
Nessa regio o valor de IC determinado apenas pela j conhecida relao:

I C = . IB
Regio de
Saturao
Regio
Ativa
Regio de
Ruptura

Regio de Ruptura
4.
Quando VCE atinge uma tenso suficientemente alta, a juno CB reversamente

polarizada entra em ruptura.
A corrente aumenta rapidamente, conforme indicado na parte da curva
direita do ponto C.
O transistor no deve operar na regio de ruptura.
Regio de
Saturao
Regio
Ativa
Regio de
Ruptura

Regio de Corte
4.
Uma famlia de curvas produzida quando a relao IC X VCE traada para

vrios valores de IB.
Quando IB = 0, o transistor est na regio de corte, onde apenas uma pequena
corrente fuga observada no coletor.
Regio de Corte

Exemplo
4.
Esboce uma famlia de curvas de coletor para o circuito da figura abaixo, para
IB= 5A a 25A, em incrementos de 5A. Assuma =100 e que VCE no exceda
a tenso de ruptura.

Exemplo
4.
Utilizando a relao IC=.IB, os valores de IC so calculados e listados na

tabela abaixo:
IB
IC
5 A
0,5 mA
10 A
1,0 mA
15 A
1,5 mA
20 A
2,0 mA
25 A
2,5 mA
Estas curvas so ideais pois foi

desprezado o pequeno aumento em IC,
quando VCE aumenta durante a operao na
regio ativa.

Limitaes
4.

Potncia Dissipada pelo transistor
4.
IC
P
V
CE
IC(mx)
VCE(mx)

Potncia Dissipada pelo Transistor - Exemplo
4.
Um transistor opera com VCE = 6V.

Se a mxima potncia coletor do transistor 250mW, qual a mxima
corrente de coletor que transistor pode suportar?
I
V
CE
250mW
41,7mA
6V
Lembre-se que no necessariamente o mximo IC.

O transistor pode manipular uma corrente muito mais elevada se VCE for
reduzido, e a potncia mxima PCmx no seja excedida.
Reta de Carga
Anlise Grfica
5.
O transistor abaixo est polarizado com fontes de tenso varivel VBB e VCC
para obteno de certos valores de IB, IC, IE e VCE.
Utilizaremos as curvas caractersticas de coletor abaixo para ilustrar os efetos
da polarizao DC.
Transistor com polarizao DC
Curvas caractersticas de coletor
Reta de Carga
Anlise Grfica
5.
Associaremos 3 valores a IB e observaremos o que acontece com VCE e IC.
Primeiro ajustamos VBB para produzir um IB de 200A.

Visto que IC = .IB a corrente no coletor IC=20mA, e
Reta de Carga
Anlise Grfica
5.
VBB aumentado para produzir IB igual a 300A e um IC de 30mA.
Reta de Carga
Anlise Grfica
5.
VBB aumentado para produzir IB igual a 400A e um IC de 40mA.
Reta de Carga
Equao da Reta
5.
O significado da reta de carga que o ponto quiescente (de operao) do

transistor s pode estar sobre ela.
medida que VBB ajustado para mais e para menos, o ponto de operao DC
do transistor se move ao longo de uma linha reta, chamada reta de carga,
conectando cada ponto de operao.
SATURAO
IC
CC
V CE
CORTE
Reta de Carga
Corte
5.
O transistor encontra-se em corte quando:

VCE VCC
A juno BE est polarizada reversamente.
Reta de Carga
Corte
5.
A reta de carga intercepta o eixo de VCE em 10V, no ponto onde VCE=VCC.
Este o ponto de corte ideal onde IB=IC=0.

SATURAO
CORTE
Reta de Carga
Saturao
5.
O transistor encontra-se em saturao quando:

VCE < VBE
A junes BE e CB esto polarizadas diretamente.
Reta de Carga
Saturao
5.
A reta de carga intercepta o eixo de IC em 45,5mA (idealmente
Este o ponto de saturao ideal onde VCE=0 e IC=VCC/RC.
SATURAO
CORTE
Reta de Carga
Corte e Saturao
5.
SATURAO IDEAL
REGIO
ATIVA
IC
CORTE IDEAL
CC
V CE
Reta de carga em uma famlia de curvas ilustrando o corte e a saturao
Reta de Carga
Corte e Saturao
5.
I C CC
R
REGIO
ATIVA
I C V CC V CE
V
CE
V CC
Reta de Carga
Corte e Saturao
5.
SATURAO IDEAL
I C CC
R
REGIO
ATIVA
I C V CC V CE
CORTE IDEAL
CE
V CC
Reta de Carga
Corte e Saturao Exemplo
5.
Determine se o transistor da figura abaixo est em saturao.

Assuma VCE(sat)=0,2 V
Reta de Carga
Corte e Saturao Exemplo
5.
Determine se o transistor da figura abaixo est em saturao. Assuma

VCE(sat)=0,2 V:
Primeiro determine IC(sat):
Ento verifique se IB grande o suficiente para produzir IC calculado acima:
Isso mostra que com esse ganho, IB capaz de produzir um IC maior ainda que
IC(sat).
Portanto o transistor est saturado, a corrente de coletor 11,5mA nunca ser
atingida. Mesmo que voc aumente IB, a corrente de coletor manter o valor de
IC(sat).
6.
O Transistor como uma Chave
A figura abaixo ilustra a atuao do transistor como uma chave.
Na parte (a) , o transistor est em sua regio de corte, pois a juno BE no

est polarizada diretamente. Nessa condio existe, idealmente uma chave
aberta entre o coletor e o emissor.
Na parte (b) o transistor est em saturao pois as junes BE e CB esto
polarizadas diretamente, e a corrente de base est grande o suficiente para
causar uma corrente IC(sat) de saturao. Nessa condio o transistor age,
idealmente, como um curto entre coletor e emissor.
(a)
(b)

Condies para o Corte
6.
Conforme mencionado anteriormente, um transistor est na regio de corte

quando a juno BE est polarizada reversamente. Portanto:
VCE(corte) VCC
IC(corte) =.IB(corte) 0
(a)
(b)

Condies para o Saturao
6.
Conforme mencionado anteriormente, quando a juno BE est polarizada

diretamente, e h corrente IB suficiente para produzir um IC mxima de
saturao, o transistor est saturado. Portanto a equao para a corrente
mxima de saturao :
C ( sat)
CC
V CE ( sat)
B (min)
(a)
(b)
C ( sat)

Exemplo
6.
a) Qual o valor de VCE quando VIN=0 no transistor do circuito abaixo?

b) Qual o valor mnimo de IB necessrio para que o transistor entre em
saturao se =200? Considere VCE(sat)=0.
c) Calcule o mximo valor de RB para que o transistor entre em saturao
quando VIN=5V.

Exemplo
6.
a) Quando VIN=0, o transistor est em corte (age como uma chave aberta) e
VCE = VCC = 10V
b) Levando em conta que desprezamos VCE(sat) :
C ( sat)
CC
V CE ( sat)
B (min)
C ( sat)
V CC
10V
10mA
1k
10mA
50A
200
Este o valor de IB necessrio para levar o transistor para a saturao.

Qualquer incremento em IB saturar ainda mais o transistor.
c) Quando transistor est com VBE0,7V temos que:
RB
VIN VBE 5V 0,7V 4,3V
VRB
4,3V
RB(max) I B(min) 50A 86k

Uma aplicao simples
6.
O LED na figura requer 30 mA para emitir um nvel de luz satisfatrio.

Portanto a corrente de coletor deve ser de aproximadamente 30mA.
Para o circuito abaixo, determine a amplitude da onda quadrada necessria
para assegurar que o transistor sature. Utilize o dobro de IB(min) como margem
de segurana. VCC=9V; VCE(sat)=0,3V; RC=270; RB=3,3k e =50

Uma aplicao simples
6.
C ( sat)
CC
V CE ( sat)
B (min)
C ( sat)
9V 0,3V
32,2mA
270
32,2mA
644A
50
Para assegurar a saturao, utilizaremos o dobro de IB(min), ou seja 1,29mA
V
V
IN
RB
IB
R
V BE
R
V 0,7 2 I
IN
IN
B (min)
0,7
V IN
3,3k
RB 1,29mA 3,3k
1,29mA 3,3k 0,7 4,96V
7.
Polarizao DC do Transistor
A polarizao DC estabelece um ponto de operao apropriado para a

operao linear de um amplificador.
Quando um amplificador no est polarizado com as tenses DC corretas em
sua entrada e sada, ele pode ir para a saturao ou para o corte quando um
sinal aplicado.
Smbolo do
(a) Operao Linear: a sada
amplificador
amplificada tem a mesma forma
da entrada, exceto que est
invertida
(b) Operao No-linear :
tenso de sada limitada por
corte
(c) Operao No-linear : tenso
de sada limitada (grampeada)
por saturao
7.
Polarizar o transistor definir seu ponto de operao (quiescente).
Isso feito por meio de uma fonte de alimentao externa (VCC) e de

resistores.
A ligao destes componente de forma conveniente aos terminais do
transistor, garantem a sua correta operao, isto , com a juno base-emissor
polarizada diretamente e juno coletor-base reversamente
7.
H basicamente trs tipos de polarizao do transistor na configurao

emissor comum:
Polarizao por Corrente de Base Constante;
Polarizao por Corrente de Emissor Constante e ;

Polarizao por Diviso de Tenso na Base.
Corrente de Base
Constante
Corrente de Emissor
Constante
Divisor de Tenso de
Base
Corrente de Base Constante
7.
A tenso VBE praticamente constante e vale aproximadamente 0,7 V para os

transistores de silcio.
Como VCC tambm constante, a tenso VRB tambm o , de modo que a
corrente de base IB constante.
O clculo dos resistores de polarizao RB e RC deve ser feito a partir das:
Condies desejadas de operao do transistor;
Suas especificaes e;
Tenso da fonte de alimentao VCC
7.
A partir da malha externa do circuito, obtemos:
R I V
B
BE
V CC
V BE
CC
A partir da malha de sada do circuito, obtemos:
R I V
C
CE
V CC
R
C
CC
V CE
7.
Essa configurao possui alta instabilidade com relao temperatura.

Aplicao restringe-se operao do transistor como uma chave, ou seja,
entre o corte e a saturao.
SATURAO IDEAL
V
CC
IC
R
REGIO
ATIVA
CORTE IDEAL
CE
V CC
Corrente de Emissor Constante
7.
Este tipo de polarizao utiliza um resistor no emissor suja funo

estabilizar termicamente o transistor.
7.
Conforme vimos, o resistor RE tem a funo de estabilizar termicamente.
Para isso, a tenso sobre ele no precisa ser elevada.

Geralmente se utiliza 10% da tenso VCC para polarizar o emissor, de modo
que
RE
0,1 V CC RE I E 0,1 V CC
0,1 V CC
Como hFE>20 para praticamente todos os transistores, pode-se considerar
IE IC.
Essa aproximao valida porque o erro que ela insere de, no

mximo 5% no valor da corrente.
Este o mesmo valor da tolerncia de resistores comerciais
tpicos utilizados na polarizao.
7.
Para o clculo de RB e RC, devem ser consideradas:
As condies desejadas de operao do transistor;

As suas especificaes e;
A tenso da fonte de alimentao VCC.
R I V
B
BE
0,1 V CC V CC
0,9 V CC V BE
A partir da malha de sada do circuito, obtemos:
R I
C
0,1 V CC VCE V CC
0,9 V CC V CE
7.
Configurao possui alta instabilidade com relao temperatura.

Aplicao restringe-se operao do transistor como uma chave, ou seja,
entre o corte e a saturao.
SATURAO IDEAL
IC
V
R R
CC
REGIO
ATIVA
CORTE IDEAL
CE
V CC
Corrente de Emissor Constante Exemplo (1)
7.
Polarize o transistor BC547 com corrente de emissor constante, na regio

ativa, sendo IC=2mA. Use uma fonte de alimentao de 12V.
Especificao do transistor:
Cdigo: BC547 silcio
VBE = 0,6 V
hFEmn = 110
Dados:
VCC= 12 V
IC = 2 mA
VCE = VCC/2
Corrente de Emissor Constante - Exemplo (1)
7.

a) Clculo de RE
Como hFEmn=110, considere: IE =IC = 2mA
RE
0,1 VCC 0,1 12
RE 600
IE
2 103
Valor comercial adotado: RE = 560
b) Clculo de RB
I C 2 103
I B hFE 110 I B 18A
0,9 VCC VBE 0,9 12 0,6
RB 567k
RB
6
IB
18 10
Valor comercial adotado: RB = 560k
7.

c) Clculo de RC
Para polarizar o transistor no centro da regio ativa, pode-se usar:
V CE
RC
VCC 12
V CE 6V
2
2
0,9 VCC VCE 0,9 12 6
RC 2400
3
IC
2 10
Valor comercial adotado: RC = 2k2
7.
Determine a reta de carga do circuito anterior e localize no grfico o ponto

quiescente Q do transistor.
RC = 2k2
RB = 560k
VCE=6 V
RE = 560
VCC=12 V
7.
Determine a reta de carga do circuito anterior e localize no grfico o ponto

quiescente Q do transistor.
Ponto de corte
ICcorte 0
VCEcorte = VCC VCEcorte = 12V
VCEsat 0
Ponto de saturao
I Csat
V
R R
CC
12
I Csat 4,3mA
3
2,2 10 560
Ponto quiescente:
IC= 2mA
IB = 18A
VBE = 0,6 V
VCE = 6 V
7.
Dado o circuito da figura abaixo e considerando VRE=0,1.VCC, determine IB, IC e

VCE quiescente.
Cdigo: BC550B silcio
VBE = 0,6 V
hFEmn = 200
Dados:
VCC= 5 V
RB = 100k
RC = 220
RE = 22
7.
Dado o circuito da figura abaixo e considerando VRE=0,1.VCC, determine IB, IC e

VCE quiescente.
a) Clculo de IB
RB1
0,9 VCC VBE

0,9 VCC VBE
0,9 5 0,6
IB
IB
I B 39A
IB
RB
100 103
b) Clculo de IC
Como hFEmin=200, tem-se que IC=IB.hFE=39.10-6.200 IC=7,8mA
c) Clculo de VCE
RC
0,9 VCC VCE

V CE 0,9 VCC RC . I C
IC
0
,
9
220
7
,
8
10
V CE 2,78V
V CE
7.
Polarize o transistor BC557A com corrente de emissor constante, na regio

Cdigo: BC557A silcio
VBE = 0,6 V
hFEmn = 125
Dados:
VCC= 15 V
IC = 10mA
VEC = VCC/2
7.

a) Clculo de RE
RE
0,1 VCC 0,1 15
RE 150
IE
10 103
b) Clculo de RB
I C 10 103
I B hFE 125 I B 80A
0,9 VCC VEB 0,9 15 0,6
RB 161k
RB
6
IB
80 10
Valor comercial adotado: RB = 150k
7.

c) Clculo de RC
Para polarizar o transistor no centro da regio ativa, pode-se usar:
V EC
RC
VCC 15
V EC 7,5V
2
2
0,9 VCC VEC 0,9 15 7,5
RC 600
3
IC
10 10
Valor comercial adotado: RC = 560
Diviso de Tenso de Base
7.
Este tipo de polarizao utiliza um divisor de tenso na base composto por

dois resistores, RB1 e RB2.
Esse divisor de tenso, se bem projetado, torna o transistor muito mais
estvel.
7.
A ideia bsica dividir a tenso VCC em dois valores extremamente estveis,

de modo que a tenso em RB2 seja constante.
Isso conseguido fazendo com que a corrente I que atravessa RB1 seja bem
maior que IB, tornando esta ltima desprezvel. Assim a corrente RB2 ser
tambm igual a I.
J vimos que o aumento da temperatura
provoca aumento em IC e IE, tendendo a
deslocar o ponto quiescente regio de
saturao. O aumento de IE provoca o
amento de tenso em RE que fora uma
diminuo em VBE, j que a tenso em RB2
constante.
A reduo de VBE reduz

(consequentemente) de IC
IB
7.
Para o clculo de RB1 e RB2 preciso, ento, definir o valor da corrente I em

funo das caractersticas do transistor.
Vimos que I precisa ser bem maior do que IB. Uma relao prtica muito
utilizada considerar I igual a 10% da corrente de coletor IC. Assim I=0,1.IC
Novamente a tenso VRE 10% de VCC
para que o resistor RE possa servir como
sensor de variao de temperatura, isto ,
VRE=0,1.VCC.
7.
R I V
B2
BE
V RE RB 2 .0,1. I C V BE 0,1.V CC
R
B2
BE
0,1 V CC
0,1. I C
R R I V R R 0,1 I V
V
R 0,1. R
I
B1
B2
B1
CC
CC
B1
B2
B2
CC
7.
Na malha de sada do circuito, temos:
RE
0,1 V CC RE I E 0,1. I C
R I V
C
CE
0,1 V CC V CC
R
R
0,1 V CC
0,9 V CC V CE
7.
SATURAO IDEAL
IC
V
R R
CC
REGIO
ATIVA
CORTE IDEAL
CE
V CC
Diviso de Tenso de Base Exemplo (1)
7.
Polarize o transistor 2N3904 com divisor de tenso, na regio ativa, sendo

IC=10mA e usando uma fonte de alimentao de 12V.
Cdigo: 2N3904 silcio
VBE = 0,6 V
HFEmn = 100
Dados:
VCC= 12 V
IC = 10mA
VCE = VCC/2
7.

a) Clculo de RE
RE
0,1 VCC 0,1 12
RE 120
IE
10 103
b) Clculo de RB2
RB 2
VBE 0,1 VCC

0,6 0,1 12
RB 2 1,8k
3
0,1 I C
0,1 10 10
Valor comercial adotado: RB2 = 1,8k
7.

c) Clculo de RB1
RB1
VCC
12
RB 2
1800 RB1 10,2k
3
0,1 I C
0,1 10 10
Valor comercial adotado: RB1 = 10k

d) Clculo de RC
RC
0,9 VCC VCE

0,9 12 6
RC
RC 480
IC
10 103
Valor comercial adotado: RC = 470
7.
Dado o circuito da figura abaixo determine IB, IC e VCE quiescente.
Cdigo: BC547B silcio
VBE = 0,6 V
hFEmn = 200
Dados:
VCC= 9 V
VRE= 0,1 VCC
RC = 330
RE = 180
RB1 = 15k
RB2 = 3,3k
I = 0,1.IC
7.
Dado o circuito da figura abaixo determine IB, IC e VCE quiescente.

a) Clculo de IC
IC I E
VRE 0,1 VCC

0,1.9
IC
I C 5mA
RE
RE
180
b) Clculo de VCE
RC
0,9 VCC VCE

V CE 0,9 VCC RC . I C
IC
0
,
9
10
330 V CE 6,45V
V CE
c) Clculo de IB
I C 5 103
I B hFE 200 I B 25A
7.
Considere o circuito da figura abaixo e determine os valores de VCE e IC

quiescentes pelo traado da reta de carga, sabendo-se que IB=20A.
- Dados:
VCC= 30 V
RC = 2,2k
RE = 800
IB = 20A
7.

a) Traado da reta de carga
ICcorte 0
Ponto
de corte
VCEcorte = VCC VCEcorte =

30V
VCEsat 0
Ponto de
saturao
Csat
V
R R
C
Csat
CC
10mA
30
A
2,2 103 800
7.

b) Localizao do ponto Q
Conhecido o valor de IB, e como o
ponto Q localiza-se sobre a reta de
carga, o encontro da curva referente
a IB=20A com a reta de carga define
o ponto Q
c) Determinao de IC quiescente
Pelo ponto Q trace uma perpendicular
ao eixo IC, determinando o valor de
IC=5mA
d) Determinao de VCE quiescente
Pelo ponto Q trace uma perpendicular
ao eixo VCE, determinando o valor de
VCE=15V

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Transistor de Juno Bipolar

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1. Introduo - Breve histrico

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Introduo - Estrutura do Transistor

Juno PN com polarizao direta

Juno PN com polarizao reversa

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Nenhuma corrente flui.

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Polarizao do transistor NPN

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Polarizao do transistor NPN

Quando as duas junes

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Apesar de IB ser menor,

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A polarizao direta da juno

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IB: Corrente de Base

IE: Corrente de Emissor

VCB: Tenso no Coletor com relao a Base

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Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar

Determine e IE para um transistor onde IB = 50A e IC = 3,65mA

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VCE = VCC - VRC

VCB = VCE VBE

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VCE = VCC IC RC=10(64,5mA)(100)=10 -6,45=3,55 V

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Curvas Caractersticas de Coletor

O transistor, por possuir trs terminais, pode ser utilizado em trs

Base Comum (BC) e;

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Curvas Caractersticas de Coletor

De forma simplificada, as configuraes do transistor esto apresentadas

Emissor Comum: utilizado na maioria das aplicaes;

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Curvas Caractersticas de Coletor

As curvas caractersticas de coletor estabelecem relaes entre variveis de

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