Você está na página 1de 58

ISUTC- Instituto Superior de Transportes

e Comunicações
DTIC- Dpto. de Tecnologias da Informação e
Comunicações

Eletrónica de Rádio

Análise de Amplificadores Lineares


de Altas Frequências

Eng.º Adélio Francisco Tembe, MSc.


Elementos Concentrados

Nos elementos concentrados, a corrente elétrica circula através


destes e a diferença de potencial entre os terminais dos mesmos
estão bem definidas. A partir destas considerações, obtemos um
elemento concentrado

VAB e i(t )  Bem definidas

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 2


Principais Elementos Concentrados

Resistores

Com dois terminais : Indutores
Capacitores

Transistores
Com mais de dois terminais : 
Transformadores

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 3


Analise em Frequência
Integridade dos sinais em Engenharia Elétrica (SI) trata dos
problemas associados a geração, transmissão e distribuição de
sinais de alta frequência através de meios físicos.
Em altas frequências condutores, isolantes e dispositivos
eletrónicos possuem comportamento distinto do esperado em
baixas frequência.

Os modelo tradicionais dos dispositivos não funcionam


adequadamente.
Elementos parasitas alteram significativamente o
comportamento do circuito.

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 4


Abordagem de Problemas em
Circuitos Elétricos

Através de Parâmetros Concentrados


 Componentes são considerados pontuais
 Modelagem simplificada com elementos discretos de circuito (R, L, C)

Através de Parâmetros Distribuídos


 Efeitos das dimensões dos componentes e das interconexões devem ser
considerados;
 Efeitos de propagação e reflexão das ondas eletromagnéticas afectam a
análise de circuitos;
 Modelos relativamente complexos adequados para altas frequências
(Linhas de transmissão)…
Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 5
Definição de Altas Frequências

Parâmetros Concentrados
 Impedância dos elementos parasitas em série é maior que um décimo do
elemento principal (Zp>1/10 do elemento principal).
 Impedância dos elementos parasitas em paralelo é menor que dez vezes o
valor do elemento principal (Zp<10 x do elemento principal).

Parâmetros Distribuídos
 Comprimento das estruturas é maior que um décimo do comprimento de onda
do meio em questão (l>1/10λ)

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 6


Definição de Altas Frequências

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 7


Problemas em altas frequências

O primeiro problema são as chamadas ressonâncias espontâneas.


Todos os circuitos equivalentes anteriormente analisados, são constituídos
por resistências, indutores e condensadores.

Os elementos parasitas se
comportam como filtros o que
significa que em caso de
elementos ativos gerar-se-ão
oscilações indesejáveis que
podem danificar o circuito.

A este fenómeno dá-se o nome de ressonância espontânea.


Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 8
Problemas em altas frequências

O segundo problema tem a ver com a suposição, em baixas frequências, que


um elemento seja concentrado, que em altas frequências apenas vale quando
o tamanho físico do elemento em questão seja dez vezes menor que o
comprimento de onda do sinal de operação.

Considerando que o comprimento de onda em vazio de um sinal de 10[GHz]


vale cerca de 3 [cm], tem-se que os elementos a utilizar devem ser de um
tamanho menor que 3[mm]. No caso contrario, os elementos deveram ser
tratados como elementos distribuídos. Isto fará com que elementos com
tamanho superior a 3 mm sejam vistos, no circuito como linhas de
transmissão.

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 9


Conclusão

 Em baixas frequências (onde a presença das linhas de transmissão é


desprezável) é possível medir diretamente a impedância aos terminais de um
qualquer dispositivo relacionando a tensão com a corrente nos terminais.
 É possível também medir o ganho de um amplificador comparando a tensão
de entrada com a de saída.

Quando o comprimento das linhas se torna um factor importante, esta


medição não é possível pois a presença das linhas associadas ao aparelho de
medida altera por completo a mediação.

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 10


Conclusão

A solução para este problema passa então por medir as tensões incidentes e
refletidas e a partir destas inferir a impedância de entrada ou o ganho. Da
caracterização assim feita resultam os denominados parâmetros S ou
Distribuídos.

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 11


Amplificação em Altas Frequências
O desenho de amplificadores em RF defere bastante da aproximação
convencional para baixas frequências , em particular pela necessidade,
em RF, de um casamento constante de impedâncias da fonte e da carga
para reduzir o VSWR (coeficiente de onda estacionária) de modo a evitar
oscilações indesejáveis.

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 12


Características dos Amplificadores

As redes de casamento de entrada e saída são necessárias para reduzir reflexões


indesejáveis e melhorar as capacidade de fluxo de potência. Onde os transístores
são caracterizados pela matriz [S] de parâmetros distribuídos.

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 13


Parâmetros de análise de
amplificadores

Os parâmetros chave a serem analisados num amplificador são:


 Estabilidade
 Ganho
 Ruido
 Coeficientes de Reflexão
 VSWR
Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 14
Ganho de Potência e Coeficientes
de Reflexão

Potência
incidente

Potência entregue
na carga Potência
disponível

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 15


Ganho de Potência e Coeficientes
de Reflexão
Potência de entrada

Potência Disponível

16
MSc. Eng.º Adélio F. Tembe
Máxima Transferência de Potência

Na entrada, a máxima transferência de potência é atingida se a impedância


de entrada for igual ao complexo conjugado da impedância da fonte. O
mesmo serve para os coeficientes de reflexão.
Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 17
Ganhos no amplificador

Ganho de transdução – relação entre a potência na carga e potência


na fonte.

Considerando
que:

Teremos:

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 18


Ganhos no amplificador

Ganho unilateral de transdução: ignorando os efeitos de retroação


no amplificador, isto é, S12=0.

Ganho disponível: razão entre a potência disponível na saída do


amplificador e a potência disponível na fonte.

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 19


Ganhos no amplificador

Ganho de potência operacional: razão entre a potência disponível na


carga e a potência na entrada do amplificador.

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 20


Figura de mérito para o Ganho
Unilateral

Muitas vezes o ganho de transdução é feito unilateral considerando


que S12=0 (o que simplifica os cálculos), isto pode introduzir um erro
no cálculo que pode ser determinado da seguinte forma:

GT
Erro   
GTU

Figura de mérito
Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 21
Figura de mérito para o Ganho
Unilateral

No caso particular em que: e

1 1
 
1  u 2
1  u 2

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 22


Coeficientes de reflexão na fonte e
na carga

Coeficientes de reflexão na entrada

Coeficientes de reflexão na saída

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 23


Exemplo

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 24


Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 25
Estabilidade

Uma das primeiras exigências que um amplificador deve satisfazer é o


funcionamento estável no intervalo de frequências de interesse.
Principalmente em circuitos de alta frequência onde podem aparecer
oscilações indesejáveis, dependendo da frequência de operação e das
terminações.

Suponha um parâmetro
Portanto a tensão de retorno (positive feedback) aumenta em magnitude
causando instabilidade.

Mas, se a retroação for


negativa, o parâmetro

causa diminuição da tensão da onda de retorno.


Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 26
Estabilidade

Sendo o amplificador uma rede de dois diportos caracterizados por


parâmetros de espalhamento em seus terminais descritos por:

L e S
A estabilidade implica que as magnitudes dos coeficientes de reflexão
sejam menores que a unidade:

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 27


Estabilidade

No diporto de saída do amplificados é necessário definir condições


que satisfaçam a equação:

Considerando as quantidades complexas:

Substituindo estas quantidades na equação acima resulta no circulo


de estabilidade da saída:

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 28


Estabilidade
Onde o raio do círculo é dado por:

E o centro do círculo esta localizado em:

E no diporto de entrada

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 29


Círculos de Estabilidade

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 30


Círculos de Estabilidade

A análise que deve ser feita, nos círculos de estabilidade , é a seguinte:

Quando então

O que leva a duas conclusões diferentes:

A origem do círculo |ГL|=1 (ГL=0) pertence a região


estável.

A origem do círculo |ГL|=1 (ГL=0) pertence a região


instável. Ou seja, a única região estável é a de
interseçãoEng.º
entre os círculos |ГL|=1 e |Гin|=1
Adélio F. Tembe, MSc. 31
Círculos de Estabilidade

A análise que deve ser feita, nos círculos de estabilidade de saída é


semelhante a feita na entrada:

Quando então

O que lava a duas conclusões diferentes:

A origem do círculo |ГS|=1 (ГS=0) pertence a região


estável.

A origem do círculo |ГS|=1 (ГS=0) pertence a região


instável. Ou seja, a única região estável é a de
interseçãoEng.º
entre os círculos |ГS|=1 e |Гout|=1 32
Adélio F. Tembe, MSc.
Regiões Estabilidade e de
Instabilidade

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 33


Regiões Estabilidade e de
Instabilidade

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 34


Regiões de Estabilidade e de
Instabilidade
A definição de região de estabilidade não depende apenas dos módulos dos
coeficientes de reflexão serem menores do que 1, mas também da
comparação entre os módulos dos raios e dos centros dos círculos de
estabilidade.

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 35


Estabilidade Incondicional

De acordo com a análise feita anteriormente, pode concluir-se que para que
haja estabilidade incondicional, quando |S11|<1 e |S22|<1 os círculos de
estabilidade devem residir completamente fora dos círculos |ГL|=1 e |ГS|=1,
quando se analisa o plano complexo de ГS ou ГL.

A outra possibilidade é analisar o plano complexo de Гout, quando |S11|<1 e


|S22|<1, nesse caso particular os círculos de |ГL|≤1 e |ГS|≤1 deve encontrar-
se completamente dentro do círculo |Гout|=1.

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 36


Círculos de Instabilidade

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 37


Cálculo do MAG – Ganho Máximo
Disponível

Quando

Calcula-se o ganho máximo estável, MSG

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 38


Transístor Incondicionalmente
Estável

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 39


Transístor Potencialmente Instável
K<1

Círculos de Instabilidade
na Carta de Smith

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 40


Determinar a região de estabilidade de um transistor
de junção bipolar BFG505W polarizado a Vce=6V e
Ic=4mA. Os correspondentes parâmetros de
espalhamento encontram-se na tabela:

Solução

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 41


Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 42
Exercício
Investigar a região de estabilidade de um transístor cujos
parâmetros de espalhamento são:

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 43


Exemplo

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 44


Exemplo

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 45


Ganho constante Design unilateral

Ganho associado a fonte casada

Ganho associado a carga casada

Ganho associado a entrada casada

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 46


Ganhos máximos na fonte e na carga

Ganhos normalizados

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 47


O centro e o raio do círculo são:

Exemplo
Um transístor MESFET opera a 5,7GHz com os parâmetros S dados
abaixo.
a) Determine se o mesmo é estável ou instável

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 48


b) Determinar o ganho de potência máxima para um
escolha ótima dos coeficientes de reflexão, assumindo
(S12=0)

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 49


b) Determinar o ganho de potência máxima para um
escolha ótima dos coeficientes de reflexão, assumindo
(S12=0)

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 50


Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 51
Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 52
Exemplo

Solução

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 53


Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 54
Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 55
Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 56
Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 57
Carta de Smith

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 58

Você também pode gostar