“Transístor

Aula teórica :

bipolar” (T3)

Dr. José A. Chaljub Duarte

JACHD 1
Que informação tem a imagem da
figura?

JACHD 2
Fonte de corrente dependente de
corrente ideal

JACHD 3
 Fonte de corrente dependente de corrente
ideal

corrente de entrada corrente de saída

Tensão de saída

JACHD 4
Amplificação

AR L
 1  V2  V S
Ri

JACHD 5
Dispositivo que se comporta como uma
fonte de corrente dependente de
corrente ideal

JACHD 6
Reta de carga

V22  i2 R2  V2  0

Equação da reta de carga

JACHD 7
O transístor bipolar se assemelha a
uma fonte de corrente dependente
de corrente ideal

JACHD 8
Transistor bipolar (BJT)

JACHD 9
Base estreita e com menor concentração de
impurezas que o emissor

JACHD 10
Circuito base común (BC)

JACHD 11
Correntes no transístor bipolar
JC Polarizada
JE
em inverso
polarizada
em direto

JACHD 12
Correntes no transístor bipolar

I E  I pE  I nE

I C  I CO  I pC  I CO  I E

JACHD 13
Ganho de corrente de grande sinal
na configuração BC

I C  I CO
 
IE  0

JACHD 14
Equação para descrever o
comportamento do transístor
bipolar:

I C  I E  I CO (1  e VC / VT
)

JACHD 15
Característica VI de de saída do
BC

JACHD 16
Característica VI de entrada do BC

Las curvas se desplazan

como consecuencia del efecto
Early

JACHD 17
Regiões de trabalho do BJT

JACHD 18
 Emisor común (EC)

Tendência a polarizar JC
em inverso

O transístor é um nodo

I E  IC  I B
JACHD 19
EC: VI de saída e de entrada

JACHD 20
Combinando Emisor común (EC)

I C  I CO  I pC  I CO  I E

I E  IC  I B

I CO I B
IC  
1 1
JACHD 21
Define-se  como:



1
Ganho de corrente de grande sinal do EC

JACHD 22
Variação de  com Ic

JACHD 23
Na região ativa:

I C  (1   ) I CO  I B

IC
  hFE 
IB
JACHD 24
Curva VI de saída do EC

JACHD 25
 Voltaje Early

Útil para calcular Ro

JACHD 26
BJT: Parâmetros importantes (até o
momento)

 Icmax
 PDmax.
 VCBmax
 VBEmax
 Tiempos de conmutación

JACHD 27
Tempos de comutação
Tempos que demora em passar de
saturação a corte ou de corte a
saturação.

JACHD 28
2N3904

29 JACHD
2N3904

30 JACHD
EC em Corte

 ambas as uniões em inverso.

 /Ic/=/IB/=Ico

 IE=0

 VBE=0, Si.

JACHD 31
EC em saturación

Ambas as uniões em direto

VBE sat  0.8V.

VCEsat  0.2V

Condição necessária e suficiente:

IB> IBmin
Siendo IBmin= Ic/

JACHD 32
Estratégia para determinar
saturação

 Considerar saturação. Utilizar valores

típicos do VBE e VCE. Comprovar
IB>IBmin
 Considerar região ativa. Comprovar
VCE  0,3V.

JACHD 33
Reta de carrega em saturação

JACHD 34
fototransistor

Polarização : IB=0 (base não conectada) :

IC=(+1)(Ico + IL)

IL Componente de corrente gerada pela luz

JACHD 35
Exemplo 1: Se β=100, determine
Vo. Justifique sua resposta

JACHD 36
Exemplo 2: Se β=100, determine
Vo. Justifique sua resposta

JACHD 37
Exemplo 3: Se β=100, determine
Vo. Justifique sua resposta

JACHD 38
Exemplo 4: Se β=150, determine
Vo. Justifique sua resposta

JACHD 39