Disciplina de Resistência e Falha dos Materiais, Artigo (2023.

1)

Universidade Federal De Santa Catarina

Graduação em Engenharia de Materiais

Análise do Comportamento Mecânico do Carbeto de Silício

Luiza Coan Philipi dos Santosa a Departamento de Engenharia, Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC), Campus

Blumenau, 89036-002 Blumenau, SC, Brasil

Informações Resumo

Entrega do artigo: 03/07/2023

O Carbeto de Silício é considerado um material cerâmico avançado devido às suas notáveis
Disciplina ministrada pelo Prof Dr.
propriedades. Ele apresenta características mecânicas excepcionais, como alta resistência a altas
Wanderson Santana da Silva temperaturas, resistência ao desgaste, elevada dureza e uma densidade relativamente baixa em
comparação com os metais. O SiC possui uma estabilidade térmica relativamente alta, com a
Palavras-chave: decomposição começando em temperaturas de 2000°C, o SiC é uma substância extremamente
estável, não apresentando corrosão em diversas soluções líquidas, uma nova dureza de Mohs de
Carbeto de Silício 13 é exibida pelo SiC, tornando-o o material mais duro disponível após o diamante e o carbeto de
Comportamento boro, O SiC possui um módulo de elasticidade alto, seus átomos constituintes são relativamente
Mecânico leves e a diferença de peso atômico é pequena. Como resultado, as vibrações da rede facilmente
Propriedades se tornam harmônicas, conferindo ao material uma alta condutividade térmica para uma
cerâmica. As propriedades dos materiais cerâmicos são determinadas pela microestrutura, a qual
Microestrutura é influenciada pelas características e pelo processo de fabricação, como as propriedades da
matéria-prima, dos aditivos, as condições de moldagem e sinterização, entre outros, dessa forma,
a seleção da composição química e da abordagem de processamento é feita levando em
consideração as aplicações e as geometrias desejadas. Discutimos os quatro principais métodos
de sinterização utilizados, cada um resultando em propriedades e microestruturas diferentes. O
presente trabalho tem o objetivo de analisar as propriedades e comportamento mecânico do
carbeto de silício, levando em conta que as propriedades dos materiais cerâmicos estão
intimamente ligadas às características da sua microestrutura, que, por sua vez, são influenciadas
pelas características do material e pelo processo de fabricação adotado.

1. Introdução metálicos e/ou não metálicos, para os quais a ligação atômica

1.1 Materiais cerâmicos
A trajetória dos materiais cerâmicos acompanha a jornada
da humanidade ao longo da história. Quando a capacidade
transformadora do fogo foi descoberta, percebeu-se que ele
podia modificar as propriedades dos materiais expostos ao
seu calor. Assim, a humanidade começou a utilizar o processo
térmico para modificar as características da argila. Essa
prática deu origem à indústria cerâmica, considerada a mais
antiga entre todas as indústrias. (COSTA, 2000)
A palavra cerâmica é proveniente do grego keramikos, que
significa matéria prima queimada e tem sua origem
aproximada de 5000 a.C., que faz referência de como a
humanidade produzia e ainda usualmente produz os
materiais cerâmicos, por meio de um processo de tratamento
térmico em temperatura elevada (CALLISTER, 2000).
Por definição, os cerâmicos são materiais inorgânicos,
compostos por pelo menos dois elementos, sendo eles
varia desde puramente iônica até totalmente covalente. Cabe
ressaltar que muitos cerâmicos exibem uma combinação
desses dois tipos de ligação, sendo o nível do caráter iônico
dependente das eletronegatividades dos átomos
(CALLISTER, 2000).
De maneira geral, os materiais cerâmicos podem ser
divididos em duas categorias: cerâmicos tradicionais e
cerâmicos de engenharia (ou avançados). Os cerâmicos
tradicionais são compostos principalmente de argila e sílica,
e são utilizados na fabricação de tijolos, azulejos e porcelanas.
Por outro lado, os cerâmicos de engenharia consistem
principalmente de compostos puros ou quase puros, como
alumina, zircônia e carbeto de silício. A produção desses
materiais requer parâmetros precisos e controlados, devido à
sua natureza e propriedades específicas.
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1.2 História do Carbeto de Silício
O carbeto de silício (SiC) foi inicialmente observado por
Berzelius em 1810, mas foi Acheson quem percebeu o seu
enorme potencial. Em 1891, Acheson conseguiu obter SiC
através da passagem de uma corrente elétrica intensa por uma
mistura de argila e coque. Ele deu o nome de carborundum a
esse novo material, acreditando que era uma mistura de
carbono e córindum. Análises químicas posteriores revelaram
que o carborundum era na verdade um composto de silício e
carbono com uma proporção de 1:1, ou seja, SiC.
(GUICHELAAR, 1997)
1.3 Carbeto de Silício
O carbeto de silício é classificado como um tipo de material
cerâmico avançado devido às suas propriedades excepcionais.
Entre essas propriedades, destacam-se suas excelentes
características mecânicas, incluindo alta resistência em
temperaturas elevadas, resistência ao desgaste, alta dureza e
densidade relativamente baixa em comparação com metais.
(SILVA, 2011)
Devido a essas características, o carbeto de silício (SiC)
desperta interesse em aplicações que demandam materiais de
alto desempenho. Alguns exemplos dessas aplicações incluem
blindagens balísticas, resistências elétricas, mobiliário para
fornos especiais, componentes diversos de bombas
hidráulicas, peças expostas a ambientes de alta temperatura e
meios agressivos, como válvulas e selos mecânicos. O SiC
demonstra ser uma escolha adequada para esses contextos
devido à sua capacidade de lidar com condições extremas.
(VIVIAN apud RICHERSON, 2014).
2. Desenvolvimento
2.1 Estrutura cristalina do Carbeto de Silício
O carbeto de silício (SiC) exibe uma ampla variedade de
propriedades devido ao seu excelente desempenho mecânico
em altas temperaturas e alta dureza. Essas características são
resultado da sua natureza predominantemente covalente,
onde as ligações covalentes são intrinsecamente fortes e
direcionais. Essas ligações ocorrem entre os átomos de silício
(Si) e carbono (C), uma vez que os dois elementos possuem
valores de eletronegatividade muito próximos. Materiais
sólidos com ligações covalentes, em geral, apresentam baixa
densidade, pois o empacotamento dessas estruturas é
limitado pela direcionalidade das ligações covalentes.
(SILVA, 2011)
A estrutura cristalina do SiC se caracteriza pela formação
de tetraedros coordenados do tipo Si4C ou SiC4. A figura 1 a
seguir ilustra a estrutura em questão: (CHIMELLI, 2010)
Figura 1: Estrutura cristalina SiC
Fonte: CHIMELLI, 2010
O carbeto de silício possui diferentes formas polimórficas,
sendo uma delas cúbica e as demais hexagonais e
romboédricas. A distinção entre as formas não cúbicas ocorre
devido a um deslocamento helicoidal durante o processo de
formação. A forma cúbica é conhecida como carbeto de silício
beta (β-SiC), enquanto as formas não cúbicas são chamadas
de carbeto de silício alfa (α-SiC). (SILVA, 2011)
A estrutura tetraédrica de SiC apresenta formas
polimórficas diversas. Há duas fasesde SiC características e
bem definidas, a saber: (CHIMELLI, 2010)
• α-SiC
o Constitui a fase mais estável;
o Apresenta estrutura cristalina hexagonal
ou romboédrica;
o Ocorre em temperaturas superiores a
2000 °C;
o Geralmente decorre da redução
carbotérmica da sílica.
• β-SiC
o Constitui a fase menos estável;
o Apresenta estrutura cristalina cúbica;
o Ocorre em temperaturas inferiores a 2000
°C;
o Geralmente decorre da conversão química
de polímeros.
A forma α-SiC é mais estável termicamente, já que em
temperaturas na ordem de 2000 °C ocorre uma
transformação cristalográfica β para α. Com isso, a fase β-
SiC se caracteriza com uma fase termicamente metaestável.
Geralmente, a rota de conversão química de precursores
poliméricos leva à formação da forma beta, enquanto a
redução carbotérmica da sílica em altas temperaturas resulta
em cristais de carbeto de silício alfa. Na verdade, a forma alfa
é a mais estável. A conversão de beta para alfa ocorre quando
a forma beta é aquecida a temperaturas superiores a 2000°C.
(SILVA, 2011)
Tanto o silício quanto o carbono possuem quatro elétrons
em sua camada de valência. Esses elétrons são distribuídos
em quatro orbitais de energia equivalente através da
hibridização sp3, que é resultado da combinação de um
orbital s e três orbitais p. No carbeto de silício (SiC), esses
orbitais se distribuem espacialmente formando um arranjo
tetraédrico, e a ligação entre o silício e o carbono ocorre
quando os orbitais de um se sobrepõem aos orbitais do outro.
(SILVA, 2011)
Devido à pequena diferença de eletronegatividade entre os
elementos, a ligação entre o silício e o carbono é
predominantemente covalente, com cerca de 88% de caráter
covalente. Essa ligação covalente exibe força e direcionalidade
intrínsecas, o que contribui para as propriedades de
resistência em altas temperaturas e dureza observadas no SiC.
(SILVA, 2011)
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Sua unidade básica consiste em um arranjo tetraédrico em função da temperatura de sinterização é mostrada na
empilhado de duas formas distintas: empilhamento paralelo, Figura 3. (GUICHELAAR, 1)
cujos cristais formados são cúbicos e compõe a fase β,
denominada carbeto de silício beta (β-SiC), conforme as
figuras 1.1 e 2, (a); ou empilhamento antiparalelo, cujos
cristais são hexagonais ou romboédricos e formam a fase α,
denominada carbeto de silício alfa (α-SiC), demonstrada na
Figura 1.1 (b) (DIAS, 2011).

Figura 1.1: Estrutura cristalina SiC

Fonte: SHAFFER, 1991

A estrutura do carbeto de silício na forma α-SiC permite a

existência de uma variedade infinita de polítipos, sendo o
polítipo 6H o mais comumente encontrado. A nomenclatura
dos polítipos é determinada pela combinação de letras (H, R
ou C) para indicar se pertencem às classes hexagonal,
romboédrica ou cúbica, respectivamente, seguidas por
números que representam o número de camadas duplas Figura 3: Estabilidade das fases de SiC em função da temperatura
empilhadas. (SILVA, 2011) Fonte: GUICHELAAR, 1997

O carbeto de silício é uma substância que ocorre

naturalmente em quantidades muito pequenas e em locais
geológicos específicos, como paredes de diamante, crateras
vulcânicas e alguns meteoritos. Foi descoberto no estado do
Arizona, EUA, por Ferdinand Frederick Henri Moissan em
1921, quando ele coletou amostras de meteoritos no "Canyon
Diablo". Moissan identificou cristais de SiC no meteorito, e
em sua homenagem, o mineral recebeu o nome de Moissanita,
como está ilustrado na figura 4. No entanto, as aplicações do
carbeto de silício utilizam principalmente o material sintético,
Figura 2: Estrutura cristalina SiC que foi desenvolvido por Edward Goodrich Acheson em 1891,
Fonte: CHIMELLI, 2010 quando ele conseguiu produzir SiC em um forno elétrico.
(SANTANA, 2010 e NASSAU, 2000)
O carbeto de silício (SiC) tem uma estrutura cristalina
compacta que, dependendo da ordem de empilhamento, pode
existir em orientações cúbicas (ABCABC ...) ou hexagonais
(ABAB ...). Numerosos tipos de poli SiC foram identificados,
no entanto, os de ordem inferior são os mais significativos.
Usando a notação de Ramsdell (1947), os politipos de SiC
mais comuns são 3C (cubic or β phase), 4H, 6H, 15R e 27R.
As formas hexagonal (H) e romboédrica (R) constituem α-
SiC e variam em sequência de empilhamento na direção
[0001]. Politipos de período mais longo foram observados
durante processos de vapor ou solvente e normalmente
envolvem a incorporação de defeitos de superfície, levando a
falhas de empilhamento. A estabilidade relativa dessas fases
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Figura 4: Mineral Moissanita
Fonte: MEDEIROS, 2016
A coloração do carbeto de silício está diretamente
relacionada à sua composição, e existem dois tipos básicos:
preto e verde. O carbeto de silício preto é geralmente mais
econômico em comparação ao tipo verde. A cor verde é
atribuída à presença de nitrogênio, enquanto a cor preta é
devido à existência de pequenas quantidades de alumínio ou
óxido de alumínio. Os rebolos fabricados com carbeto de
silício verde são levemente mais abrasivos em comparação
aos de cor preta. Embora ambos tenham praticamente a
mesma dureza, os rebolos de carbeto verde geralmente
apresentam maior tenacidade. (SANTANA, 2010)
2.2 Síntese do Carbeto de Silício
O método predominante para a produção em larga escala
de carbeto de silício (SiC) é a redução carbotérmica da sílica
(SiO2). Nesse processo, uma fonte de SiO2, como areia, é
combinada com uma fonte de carbono, como coque de
petróleo ou carvão. A reação de redução carbotérmica que
ocorre durante esse processo é descrita abaixo: (CHIMELLI,
2010)
SiO2(s) + C(s) → SiO(g) + CO(g)
SiO(g) + 2C(s) → SiC(s) + CO(g)
Estas duas reações resultam na reação global:
SiO2(s) + 3C(s) → SiC(s) + 2CO(g)
A síntese do carbeto de silício (SiC) ocorre em um forno
através da aplicação de corrente elétrica nos eletrodos de
carbono. Essa corrente elétrica aquece a fonte de carbono a
altas temperaturas, em torno de 2600 °C, acelerando a
cinética da reação de transformação do dióxido de silício
(SiO2) e carbono em SiC. Esse método específico de
fabricação é conhecido como processo Acheson. A figura 5
representa o forno utilizado na síntese do SiC. (CHIMELLI,
2010)
Figura 5: Forno processo Acheson
Fonte: CHIMELLI, 2010
O resultado do processo de fabricação é um bloco de
grande tamanho de carbeto de silício (SiC). Devido à
geometria do forno utilizado, as regiões internas sofrem
diferentes tratamentos térmicos, como é comum em muitos
processos industriais que envolvem variações significativas
de temperatura. Isso leva à formação de um gradiente de
temperatura dentro do forno, resultando em diferentes fases
microestruturais dependendo da temperatura local. Na região
próxima aos eletrodos, onde a temperatura atinge cerca de
2000 °C, forma-se a fase α-SiC. Por outro lado, em regiões
mais distantes dos eletrodos, onde a temperatura é
significativamente menor que 2000 °C, forma-se a fase β-SiC.
(CHIMELLI, 2010)
No processo Acheson, o carbeto de silício é geralmente
obtido na forma de grandes blocos que precisam ser reduzidos
em tamanho para obter o pó com partículas menores. A
distribuição do tamanho das partículas no pó resultante
depende do tempo e do processo de moagem utilizado. A
presença de impurezas, como o oxigênio, afeta a qualidade do
pó produzido. Para remover essas impurezas, o pó é
submetido a um processo de lavagem com ácido fluorídrico
em temperatura ambiente. (LEE, 1994)
Além do processo Acheson, há outros métodos para obter
carbeto de silício, como a decomposição térmica de
organosilanos, a conversão química de polímeros
organometálicos e a síntese em fase gasosa. Embora exista
uma variedade de rotas de síntese para o carbeto de silício, o
processo Acheson continua sendo o mais amplamente
utilizado. Ele permite a produção da fase alfa do carbeto de
silício (α-SiC) em temperaturas mais elevadas (2000 -
2600°C) ou da fase beta do carbeto de silício (β-SiC) em
temperaturas mais baixas (1500 - 2000°C). (SILVA, 2011)
2.3 Sinterização do Carbeto de Silício
Apesar das propriedades físicas e químicas excelentes do
SiC, aproveitar todo o potencial desse material é desafiador
devido à dificuldade de sinterização. A sinterização de sólidos
covalentes é um processo complexo devido à alta energia das
ligações covalentes, o que requer uma energia de ativação
elevada para que a autodifusão ocorra. Isso implica em
dificuldades na consolidação do material cerâmico. (LEE,
1994)
A densificação do corpo verde de SiC enfrenta desafios
devido à baixa difusividade do material, mesmo com o uso de
granulometrias finas. Portanto, a seleção da composição
química e da rota de processamento é determinada pelas
aplicações e geometrias desejadas. (CHIMELLI, 2010)
Abaixo estão os quatro principais processos de
sinterização utilizados, cada um resultando em propriedades
e microestruturas distintas:
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2.3.1 Sinterização em estado sólido do Carbeto de
Silício
Durante o processo de sinterização em estado sólido,
ocorre o transporte de material por difusão. Esse transporte
pode ocorrer por meio do movimento de átomos ou lacunas
ao longo de superfícies, contornos de grão ou mesmo no
volume do material. A redução do excesso de energia
associada às superfícies impulsiona esse processo. No caso do
SiC, a sinterização é inibida devido à alta relação entre a
energia do contorno de grão e a energia de superfície. Para
superar essa dificuldade, é necessário adicionar aditivos de
sinterização. No caso do carbeto de silício, os aditivos mais
comuns são o boro e o carbono. O boro diminui a energia do
contorno de grão por meio de uma segregação seletiva,
enquanto o carbono aumenta a energia da superfície através
da desoxidação e remoção de SiO2. (BARSOUM, 1997)
Devido aos fatores mencionados anteriormente, alcançar
altas densidades em carbeto de silício sinterizado em estado
sólido é extremamente desafiador. Para isso, são necessários
pós de alta pureza com tamanhos de partículas na escala
micrométrica ou sub-micrométrica, além de temperaturas
muito elevadas, acima de 2000°C. (SILVA, 2011)
No processo SES, a densificação resulta do coalescimento
das partículas viabilizado pela diminuição de energia livre de
superfície. Por outro lado, para densidades mais elevadas, há
um aumento significativo de dificuldade de sinterização
decorrente da elevada razão entre as energias de contorno de
grão e de superfície das partículas de SiC. Por isto, se faz
necessária a incorporação deaditivos de sinterização, como B
e C. Os mecanismos associados aos aditivos são o aumento de
energia superficial pelo C através da desoxidação e remoção
da SiO2 ea diminuição da energia de contorno de grão pelo B
através de uma segregação seletiva e adsorção de impurezas.
O transporte de material por difusão ocorre em etapas, são
elas:
• Na fase inicial, ocorre o rearranjo das partículas,
formação de ligações fortes e desenvolvimento de
pescoços entre as partículas. Isso resulta em um
aumento de cerca de 10% na densidade e uma redução
de aproximadamente 50% na superfície específica.
• Na fase intermediária, ocorre a formação dos contornos
de grão, aumentando o número de pontos de contato e
diminuindo a porosidade. Isso leva a uma densificação
em torno de 90%.
• Na fase final, os poros são fechados, os grãos crescem,
mas não há uma densificação substancial em
comparação com as etapas anteriores.
Apesar de exigir matéria-prima altamente pura, com
tamanho de partícula na ordem de micrômetros, e
temperaturas em torno de 2000 °C, a obtenção de um corpo
sinterizado por meio do processo de sinterização em estado
sólido (SES) resulta em propriedades mecânicas
extremamente elevadas. (CHIMELLI, 2010)
2.3.2 Sinterização em estado líquido do Carbeto de
Silício
A sinterização em fase líquida do carbeto de silício é
realizada através do uso de aditivos de sinterização
específicos, que têm a capacidade de formar uma fase líquida
durante o processo de sinterização. Esses aditivos são
geralmente misturas de óxidos ou nitretos, cuja composição
possui pelo menos um ponto de eutética ao longo da faixa de
composição química do diagrama de fases. (BARSOUM,
1997)
A presença da fase líquida durante a sinterização facilita o
rearranjo das partículas e promove mecanismos de difusão
mais eficientes. O transporte de material através da fase
líquida é mais rápido em comparação ao transporte através
do material sólido. Além das altas temperaturas necessárias,
a utilização de matéria-prima altamente pura e com tamanho
de partícula reduzido, e longos tempos de sinterização, há
outro desafio associado a essas técnicas. Tanto a sinterização
em estado sólido quanto em fase líquida causa uma
considerável contração na peça sinterizada. Portanto, é
necessário realizar usinagem nas peças sinterizadas, o que
não é uma tarefa simples, requerendo máquinas
automatizadas e ferramentas de corte diamantadas. Todos
esses fatores contribuem para aumentar o custo de
processamento de componentes à base de SiC. (SILVA, 2011)
2.3.3 SiC ligado por reação (LR ou RBSiC)
O processo LR é caracterizado pela formação de uma
estrutura porosa de SiC a partir da infiltração de uma mistura
de Si metálico e fonte de carbono com vapor de Si ou Si
fundido. Esse processo ocorre em atmosfera inerte ou a vácuo.
Variáveis importantes do processo incluem fatores químicos,
como concentração, tempo e temperatura, e fatores
mecânicos, como mistura e prensagem. Devido à baixa
retração linear, o produto final apresenta dimensões
próximas ao formato desejado ("near net shape"), o que
permite a obtenção de geometrias mais complexas.
(CHIMELLI, 2010)
2.3.4 Prensagem a quente (PQ)
O processo de prensagem a quente se caracteriza pela
formação de um produto sinterizado de densidade
extremamente elevada e, em decorrência, excelentes
propriedades mecânicas. Em contrapartida, há uma elevada
dificuldade na obtenção de geometrias complexas e sua
produtividade é limitada.
A aplicação de pressão no processo gera um elevado nível de
tensões internas, gerando um aumento de difusividade e
possibilitando que o processo ocorra em temperaturas mais
baixas em relação à SES. O processo de PQ possibilita a
sinterização em fase líquida ou em estado sólido.
2.3.5 Microestruturas do Carbeto de Silício
É possível então definir que as propriedades dos materiais
cerâmicos dependem das características da microestrutura,
que por sua vez são influenciadas pelas características e pelo
processo de fabricação (propriedades da matéria-prima,
propriedades dos aditivos, condições de moldagem, condições
de sinterização etc.) do material.
A resistência à abrasão, por exemplo, depende
significativamente das dimensões dos grãos e dos poros,
enquanto a resistência à corrosão e ao calor são afetadas pela
composição e estrutura das fronteiras de grãos cristalinos.
Portanto, é extremamente importante selecionar uma
microestrutura adequada à aplicação e manter o controle
sobre o processo de fabricação. (YAMADA, MOHRI, 1991)
É possível de alcançar propriedades superiores através da
minimização de impurezas, que afetam tanto a resistência à
corrosão quanto à resistência ao calor. Além disso, estabelecer
um processo de fabricação capaz de produzir uma
microestrutura uniforme, livre de crescimento anormal de
grãos. (YAMADA, MOHRI, 1991)
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A Figura 6 mostra microestruturas de compactos de SiC
que foram sinterizados em diferentes temperaturas. Embora a
diferença de temperaturas de sinterização seja de
aproximadamente 100°C, há pouco crescimento de grãos e
nenhuma redução na resistência. Consequentemente, é
possível fabricar produtos com qualidade extremamente
estável. (YAMADA, MOHRI, 1991)
• Alta resistência à oxidação, mantendo sua integridade
mesmo em ambientes oxidantes.
• Baixo coeficiente de expansão térmica, o que significa
que esses materiais têm menor tendência a se expandir
ou contrair com variações de temperatura.
• Resistência ao choque térmico, ou seja, capacidade de
suportar mudanças bruscas de temperatura sem se
quebrar.
• Baixa densidade em comparação com materiais
metálicos, o que os torna mais leves em peso.

Essas propriedades tornam as cerâmicas avançadas

altamente atrativas para aplicações onde é necessária
resistência, durabilidade e desempenho em condições
extremas.
No entanto, os materiais cerâmicos também possuem
algumas limitações em relação às suas propriedades, o que
pode restringir suas aplicações em certos casos. Algumas
dessas limitações incluem:

• Alto custo de fabricação: O processo de fabricação de

materiais cerâmicos pode ser mais caro em comparação
a outros materiais devido à complexidade dos métodos
envolvidos.
• Dificuldade de sinterização: A sinterização, que é o
processo de compactação e densificação dos materiais
cerâmicos, pode ser desafiadora e requer altas
temperaturas e longos tempos de processamento.
• Restrição na obtenção de geometrias complexas: A
fabricação de peças cerâmicas com formas complexas e
alta densidade pode ser difícil de alcançar, devido à
queima e contração durante o processo de sinterização.
• Fragilidade intrínseca: Os materiais cerâmicos são
conhecidos por sua fragilidade, o que significa que eles
têm pouca capacidade de deformação plástica antes de
se romperem. Isso resulta em baixa tenacidade dos
componentes cerâmicos e limita sua resistência a
impactos e cargas mecânicas.
Essas limitações precisam ser consideradas ao selecionar e
projetar componentes cerâmicos, a fim de encontrar soluções
adequadas para as aplicações desejadas. (CHIMELLI, 2010)
Figura 6: (a) Sinterização em baixa temperatura, densidade de 3,17
g/cm3, resistência à flexão de 64 kg/mm2. (b) Sinterização em alta 2.6 Propriedades do Carbeto de Silício
temperatura, densidade de 3,17 g/cm3, resistência à flexão de 63
Conforme mencionado anteriormente, o SiC pode ser
kg/mm2.
Fonte: (YAMADA, MOHRI, 1991) processado e sinterizado de diferentes maneiras, e cada
processo utilizado resulta em microestruturas e propriedades
2.4 Propriedades cerâmicas avançadas distintas.
O avanço no processamento cerâmico e nas matérias- No geral, o SiC possui características como alta dureza e
primas utilizadas resultou no desenvolvimento da segunda resistência mecânica, alto ponto de fusão (refratariedade),
geração de materiais cerâmicos, conhecida como cerâmicas resistência química e alta resistência ao choque térmico e à
avançadas ou de engenharia. Esses materiais apresentam um oxidação. No entanto, certas propriedades são
conjunto único de propriedades, o que lhes confere um alto significativamente influenciadas pelo método de
potencial de aplicação em diversas áreas industriais. Algumas processamento adotado, como tenacidade à fratura, módulo
dessas propriedades são destacadas abaixo: (CHIMELLI, de elasticidade e resistência à fluência. (CHIMELLI, 2010)
2010) É possível analisar com base na tabela 1.
Um aspecto essencial a ser considerado nos materiais
cerâmicos, especialmente no caso do SiC, é o impacto da
• Alta dureza e resistência mecânica, mesmo em altas
densidade nas propriedades mecânicas do produto final.
temperaturas.
Como os processos de sinterização resultam em densidades
• Capacidade de suportar temperaturas elevadas sem diferentes, isso influencia as propriedades mecânicas obtidas.
sofrer deformação ou fusão. (CHIMELLI, 2010)
• Resistência à fluência, ou seja, resistência à deformação
lenta sob carga constante em altas temperaturas.
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Sinterização Prensado a 3. Comportamento mecânico do Carbeto de Silício

Propriedade
Convencional quente
Densidade 3,14 g/cm²
Densidade Teórica
(g/cm3)
3,2 3,2 Dureza 24 GPa
Módulo de Elasticidade Módulo de Young 430 Gpa
(GPa) 207 – 483 207 – 483
Módulo de Cisalhamento 180 Gpa
Tenacidade à Fratura
(Mpa.√m) 4,8 – 6,1 4,8 Coeficiente de Poisson 0,16
Coeficiente de Expansão Resistência a flexão 100-820 Mpa
Térmica (10-6 (ºC)-1) 4,6 4,5
Condutividade térmica Resistência a compressão 3100 Mpa
(W/m.K) 85 71 Tenacidade à fratura 4,6 Mpa
Tabela3: Propriedades físicas e mecânicas do Carbeto de Silício
Calor Específico (J/Kg.K) 670 590 Fonte: Adaptado pelo autor, YAMADA, MOHRI, 1991

Resistividade Elétrica 3.1 Propriedades Elásticas

1,0 x 109 1,0 x 109
(W.m) A Tabela 3 mostra as propriedades elásticas medidas
Tabela 1: Propriedades Carbeto de Silício usando a técnica “pulse echo”. O SiC possui alta elasticidade e
Fonte: adaptado pelo autor, CHIMELLI, 2010 apresenta forte resistência à deformação, visto que seu
módulo de Young teve como resultado 430 GPa e seu
A tabela 2 apresenta a diferença em algumas propriedades módulo de cisalhamento 180 GPa.
resultantes de diferentes métodos de processamento. Além
disso, destaca a capacidade do SiC de manter suas 3.2 Dureza
propriedades em altas temperaturas, o que o torna altamente A Tabela 3 mostra a microdureza Vickers. O SiC é superado
recomendado para aplicações que exigem resistência e dureza em dureza apenas pelo diamante, BN cúbico e B4C, tornando-
a quente. Essa característica confere uma vantagem o adequado para aplicações como selos mecânicos e
competitiva em relação aos metais. (CHIMELLI, 2010) rolamentos que requerem resistência à abrasão. (YAMADA,
MOHRI, 1991)
Propriedades x Processamento
Tensão de Ruptura (MPa)
A dureza em carbetos de silício é medida utilizando
Módulo de Coef. Expansão Condutividade
Rota de
Young Térmica (10 -6 K- indentador Knoop ou Vickers. A dureza Knoop do SiC
Processamento 25 °C 1000 °C 1375 °C Térmica (W.m -1 .K-1 )
(GPa) 1
) varia de 250 a 280 MPa, dependendo da porosidade
Prensagem a quente
690 620 330 317 3 30 a 15 residual. (SILVA, 2011)
(aditivo MgO)
A medição e análise de dureza em cerâmicos são tarefas
Sinterizado
(aditivo Y2O3)
655 585 275 236 3,2 28 a 12 complexas, pois a dureza depende fortemente do método de
teste utilizado. Ao fazer a indentação de um cerâmico, o
210 345 380 380 2,8 06 a 03
Reação de ligação material inicialmente deforma elasticamente, após a
deformação elástica o material trinca. Posteriormente, a
Tabela 2: Propriedades x processamento Carbeto de Silício penetração do indentador serve para propagar a trinca a
Fonte: CHIMELLI, 2010 partir da indentação. (SILVA, 2011)
Então, em materiais cerâmicos, a dureza medida é função
Em sumo, o carbeto de silício é um material notável que do módulo de elasticidade, tenacidade à fratura e da energia
exibe uma ampla gama de propriedades altamente de propagação da trinca. (SILVA, 2011)
interessantes para aplicações em engenharia. Essas
excelentes propriedades são resultado das diversas 3.3 Resistência
possibilidades microestruturais que o SiC oferece. Tanto o SiC A Tabela 3 mostra a resistência à compressão e a resistência à
sinterizado convencional como o ligado por reação são flexão de três pontos. O SiC possui resistência relativamente
conhecidos por sua extrema dureza, resistência e alta alta para uma cerâmica, mas o valor é baixo quando
capacidade de suportar abrasão, corrosão, oxidação e choque comparado com nitreto de silício, por exemplo. Isso se deve a
térmico. (SILVA, 2011) uma baixa energia efetiva de fratura γe na tensão de fratura αf
Assim como acontece com outros materiais cerâmicos, a da equação abaixo, que é derivada da teoria de fratura de
resistência mecânica do SiC não é determinística, mas varia Griffith. (YAMADA, MOHRI, 1991)
de acordo com o modelo estatístico proposto por Weibull,
conforme veremos a seguir. Dependendo do método de
processamento do SiC, a resistência à flexão média pode
variar significativamente em uma ampla faixa. Por exemplo, E é o módulo de elasticidade, γe é a energia efetiva de fratura
de acordo com Wachtman, a resistência pode variar entre 350 e C é o raio da trinca. A resistência a flexão foi relatada para
e 550 MPa, enquanto o módulo de Weibull varia entre 6 e 15. um compacto de SiC prensado a quente, mas isso é atribuído
(SILVA, 2011) a uma pequena origem de fratura (diâmetro da trinca).
(YAMADA, MOHRI, 1991)
A Figura 7 mostra uma origem de fratura em um compacto
de SiC. Trata-se de um poro de aproximadamente 30 mícrons,
 Disciplina de Resistência e Falha dos Materiais (2023.1)
e normalmente poros e inclusões com menos de 50 mícrons
se tornam origens de fratura. No futuro, espera-se que uma
maior resistência seja alcançada por meio da redução das
origens de fratura por meio de processos de fabricação
aprimorados e do aumento da tenacidade à fratura, que serão
discutidos abaixo. (YAMADA, MOHRI, 1991)
Figura 7: Fratura em um compacto de Carbeto de Silício
Fonte: (YAMADA, MOHRI, 1991)
3.4 Tenacidade à Fratura
A Tabela 3 mostra Kic medida por um método de microfratura
por endentação. Como mostrado na equação do tópico 3.2 a
resistência depende das dimensões e da forma da trinca e não
representa as propriedades do material em si.
De acordo com a dinâmica de fratura, a fratura em materiais
frágeis ocorre como resultado da concentração de tensões na
área ao redor da ponta da trinca. O grau dessa concentração
de tensões é definido como coeficiente de expansão de tensão
Kic. Kic é mostrado na equação abaixo como um coeficiente
crítico de expansão de tensão no momento em que a
concentração de tensões na ponta da trinca começa a causar
uma fratura. KiC não é exclusivo do material, mas oferece
uma representação mais clara da diferença de resistência
entre materiais. (YAMADA, MOHRI, 1991)
Kic: 4,6 Mpa.m0,5
Atualmente, no entanto, é difícil melhorar a tenacidade sem
sacrificar as propriedades em altas temperaturas; quando
Al2O3 é adicionado para aumentar a razão de aspecto do
tamanho cristalino sinterizado, por exemplo, a resistência em
altas temperaturas diminui. (YAMADA, MOHRI, 1991)
3.5 Resistência em Altas Temperaturas
A Figura 8 mostra uma comparação da resistência à flexão de
três pontos em altas temperaturas para SiC e Si3N4. Em
temperaturas acima de 1200°C, o SiC possui maior resistência
do que o Si3N4. (YAMADA, MOHRI, 1991)
Na verdade, o SiC possui melhor resistência em altas
temperaturas do que qualquer outro material, incluindo
metais. Existe uma tendência de aumento da resistência do
SiC em altas temperaturas, e foi relatado que o relaxamento
de tensões na ponta da trinca é um possível mecanismo
responsável. (YAMADA, MOHRI, 1991)
O SiC possui resistência térmica superior e promete ser um
material de alta temperatura para uso em turbinas a gás,
trocadores de calor etc. (YAMADA, MOHRI, 1991)
Figura 8: Dureza em altas temperaturas comparação SiC e Si3N4
Fonte: (YAMADA, MOHRI, 1991)
O SiC possui uma estabilidade térmica
relativamente alta, com a decomposição começando
em temperaturas de 2000°C ou mais no ar
(temperatura de dissociação: aproximadamente
2400°C). (YAMADA, MOHRI, 1991)
3.6 Resistência ao Choque Térmico
A Figura 9 mostra a temperatura de resistência ao choque
térmico medida pelo método de choque térmico (método de
Hasselman). (YAMADA, MOHRI, 1991)
O valor medido foi de aproximadamente 450°C. Entre
as cerâmicas de alta densidade, esse valor é o segundo maior,
não superando apenas o Si3N4 (aproximadamente 600-
9OO°C). (YAMADA, MOHRI, 1991)
Geralmente, em condições de resfriamento rápido como as
usadas nesse método, a resistência ao choque térmico é
avaliada pela equação abaixo. (YAMADA, MOHRI, 1991)
Aqui, αf é a tensão de fratura, ν é o coeficiente de Poisson, E é
o módulo de elasticidade e α é o coeficiente de expansão
térmica. Por outro lado, em resfriamento gradual, a
resistência ao choque térmico é avaliada pela equação a
seguir. (YAMADA, MOHRI, 1991)
Aqui, k é a condutividade térmica. Quando são usados dados
em temperatura ambiente, os compactos de SiC da Sumitomo
Chemical possuem um R de 200k e um R' de 29 kw/m.
(YAMADA, MOHRI, 1991)
Os mesmos valores para Si3N4 são 400-600k e 7-10kw/m,
respectivamente, melhores do que os valores para SiC sob
condições de resfriamento rápido, mas não tão bons quanto
aqueles sob resfriamento gradual. (YAMADA, MOHRI, 1991)
O valor R = 200k é inferior ao valor medido de 450k, devido
ao fato de que a técnica de choque térmico não é para
condições de resfriamento infinitamente rápidas, e a
 Disciplina de Resistência e Falha dos Materiais (2023.1)
influência da condutividade térmica deve ser levada em
consideração. (YAMADA, MOHRI, 1991)
Figura 9: Resistência ao choque térmico do Carbeto de Silício
Fonte: (YAMADA, MOHRI, 1991)
3.7 Propriedades térmicas do Carbeto de Silício
Tabel4: Propriedades térmicas do Carbeto de Silício
Fonte: Adaptado pelo autor, YAMADA, MOHRI, 1991
A Tabela 4 mostra a condutividade térmica e a difusividade
térmica medidas pelo método de flash a laser. O SiC é um
material que possui uma alta condutividade térmica, sendo
relatado que a condutividade térmica do SiC monocristalino é
de 500 W/(m·K). (YAMADA, MOHRI, 1991)
O SiC prensado a quente contendo BeO (condutividade
térmica: 270 W/(m·K)) foi desenvolvido como um substrato
IC de alta condutividade térmica, mas como material
estrutural, o valor do SiC comum varia entre 50 e 120
W/(m·K). Os compactos de SiC produzidos pela Sumitomo
Chemical apresentam uma alta condutividade térmica de 146
W/(m·K), mas isso se deve principalmente à ausência de
impurezas que inibem a condução térmica nas fronteiras de
grãos cristalinos. (YAMADA, MOHRI, 1991)
A condutividade térmica é uma propriedade importante
não apenas para materiais de alta temperatura que requerem
resistência ao choque térmico, mas também para materiais
resistentes à abrasão. Em geral, é desejável uma alta
condutividade térmica em materiais utilizados para selos
mecânicos e rolamentos. (YAMADA, MOHRI, 1991)
3.8 Resistência à corrosão do Carbeto de Silício
Resistencia à Corrosão
Solução Peso Perdido (mg/dm2)
HF:H2O (34:66) 0,07
HF:NH4F (10:90) 0,1
HF:HNO3 (86:14) 0,17
H2SO4 0,3
H2O:H2SO4 (50:50) 0,15
NAOH:H2O (50:50) 0,13
Tabela 5: Resistência à corrosão do Carbeto de Silício
Fonte: Adaptada pelo autor, YAMADA, MOHRI, 1991
A Tabela 5 mostra a resistência à corrosão em várias
soluções líquidas. O SiC possui uma resistência extremamente
alta à corrosão e não é corroído por ácidos ou álcalis. No
entanto, quando há numerosas impurezas presentes, a
resistência à corrosão diminui, tornando importante a
fabricação de compactos de SiC de alta pureza. (YAMADA,
MOHRI, 1991)
O SiC é uma substância extremamente estável, não
apresentando corrosão mesmo quando fervido em HCI,
H2SO4, HF ou HF + HNO3. Também não é corroído por uma
solução líquida concentrada de soda cáustica. No entanto, é
corroído por Na20 ou por fusões de Na2CO3 + KNO3. Também
reage com cloro em temperaturas de 900°C e acima, e com
vapor de enxofre em temperaturas de 1000°C e acima. Em
contato com o ar, a oxidação começa em temperaturas de
aproximadamente 850°C, resultando na formação de um
filme de SiO2. A taxa de oxidação é fortemente influenciada
pelas propriedades do filme de Si02, mas como o filme de SiO2
é mais denso em comparação com o caso de Si3N4, a
resistência à oxidação é muito maior. (YAMADA, MOHRI,
1991)
3.9 Confiabilidade (Reliability) mecânica do
Carbeto de Silício
Quando cerâmicas são usadas como materiais estruturais,
a confiabilidade mecânica é o fator mais importante. Como
descrito anteriormente, a resistência à fratura de materiais
cerâmicos de baixa tenacidade depende muito das dimensões
e do número de vários defeitos (poros, inclusões, partículas
grosseiras), e há uma ampla distribuição estatística. Sabe-se
que, na prática, essa distribuição segue a distribuição de
Weibull, conforme mostrado na equação a seguir.
F é a probabilidade de fratura, Ve é o volume efetivo, αf é o
estresse de fratura, αo é a constante de normalização e m é o
coeficiente de Weibull. É possível estimar a dependência
dimensional do estresse de fratura usando o coeficiente de
Weibull, conforme mostrado na equação a seguir.
Geralmente, o coeficiente de Weibull para
cerâmicas é aproximadamente 10, o SiC fica atrás
apenas do nitreto de silício, é possível analisar na figura 10.
 Disciplina de Resistência e Falha dos Materiais (2023.1)

Tabela 5: Gráfico de Weibull para Amostras de SiC Figura 11

Fonte: Material Complementar prof. Wanderson

Dadas essas condições, a melhoria da confiabilidade das

cerâmicas requer abordagens relacionadas ao projeto,
Figura 10: Gráfico de Weibull para AIN, SiC e Si3N4
Fonte: Mechanical Behavior of Material
incluindo a evitar concentração de estresse, esforços para
aumentar a tenacidade à fratura e esforços para reduzir
defeitos que causam fraturas (ou seja, um aumento no
coeficiente de Weibull). Os esforços para aumentar o
coeficiente de Weibull dependem muito do processo de
fabricação, e isso, juntamente com as tecnologias de teste não
destrutivo, constitui uma tarefa importante para aqueles
envolvidos na fabricação de cerâmicas.

2.4 Aplicações do Carbeto de Silício

O carbeto de silício (SiC) é amplamente utilizado em
cerâmicas avançadas devido ao seu excepcional desempenho
mecânico, tornando-o adequado para diversas aplicações.
Apesar das limitações inerentes, o avanço das técnicas de
processamento possibilitou o uso do SiC em elementos
estruturais e aplicações funcionais. Abaixo estão algumas das
aplicações do SiC: (CHIMELLI, 2010)

• Selos mecânicos: O SiC é empregado em selos mecânicos

devido à sua alta resistência ao desgaste e à corrosão.
• Revestimentos: O SiC é utilizado como revestimento
para proteger superfícies contra desgaste, corrosão e
erosão.
• Elementos de aquecimento: O SiC é empregado em
elementos de aquecimento de alta temperatura devido à
sua estabilidade térmica e resistência a altas
temperaturas.
• Tubeiras: O SiC é usado em tubeiras, especialmente em
aplicações de alta temperatura e corrosivas, devido à sua
resistência química e térmica.
• Blindagem balística: O SiC é utilizado em componentes
de blindagem balística devido à sua alta dureza e
resistência ao impacto.

A utilização do SiC na fabricação de elementos estruturais

oferece uma série de benefícios, incluindo maior tempo de
vida útil dos componentes e menor custo de manutenção.
Essas vantagens resultam da excepcional resistência do SiC à
abrasão, corrosão, oxidação e choque térmico, tornando-o
uma escolha valiosa para aplicações de alto desempenho.
(CHIMELLI, 2010)

Figura 11: Gráfico de Weibull para Amostras de SiC

Fonte: Material Complementar prof. Wanderson

Aplicações do SiC
Aplicação Condições de trabalho Benefícios observados pelo cliente
Sede de selos, válvulas, Vida longa, demonstra baixa manutenção
partes de bombas, liners
Abrasão, erosão, frequente degradação,
em processos químicos, refino, marinho,
de ciclone
faixa de temperatura
Queimadores e tubos de Alta temperatura, algumas vezes abrasão
troca de calor e/ou ambiente químico, choque térmico
Revestimento térmico para
proteção de tubos
Alta temperatura
Rolamentos de bombas
Degradação, desgaste, temperatura Seguro, tempo de vida longo, baixa
acima de 370 °C
Tabela 6: Aplicações do Carbeto de Silício
Fonte: Adaptado pelo autor, CHIMELLI, 2010
4. Conclusão
O Carbeto de Silício é considerado um material cerâmico
avançado devido às suas notáveis propriedades. Ele apresenta
características mecânicas excepcionais, como alta resistência
a altas temperaturas, resistência ao desgaste, elevada dureza e
uma densidade relativamente baixa em comparação com os
metais. A estrutura básica do SiC é composta por um arranjo
tetraédrico empilhado de duas maneiras diferentes. No
empilhamento paralelo, os cristais formados são cúbicos,
constituindo a fase β do carbeto de silício (β-SiC). Já no
empilhamento antiparalelo, os cristais são hexagonais ou
romboédricos, formando a fase α do carbeto de silício (α-SiC).
Explorar plenamente o potencial do SiC é um desafio
devido às dificuldades encontradas no processo de
sinterização, apesar das suas notáveis propriedades físicas e
químicas. A densificação do material cerâmico composto de
Carbeto de Silício apresenta desafios devido à sua baixa
difusividade, mesmo quando granulometrias finas são
utilizadas. Assim, a escolha da composição química e do
método de processamento é determinada com base nas
aplicações e geometrias desejadas. Foram abordados os
quatro principais métodos de sinterização empregados, cada
um resultando em propriedades e microestruturas distintas.
De maneira geral, o carbeto de silício (SiC) apresenta
atributos como elevada dureza e resistência mecânica, alto
ponto de fusão, resistência química e excelente capacidade de
resistir a choques térmicos e à oxidação. No entanto, é
importante ressaltar que certas propriedades são
significativamente influenciadas pelo método de
processamento adotado. A tenacidade à fratura, o módulo de
elasticidade, a resistência à fluência e a resistência à flexão,
por exemplo, são características que podem variar
consideravelmente dependendo das técnicas de fabricação
utilizadas. Em resumo, o carbeto de silício (SiC) é um material
notável que apresenta uma variedade de propriedades
altamente interessantes para aplicações em engenharia. Essas
excelentes propriedades são atribuídas às diversas opções
microestruturais oferecidas pelo SiC. Tanto o SiC sinterizado
convencional quanto o SiC ligado por reação são reconhecidos
por sua extrema dureza, resistência e capacidade de suportar
abrasão, corrosão, oxidação e choque térmico.
Com base em tudo que foi exposto, podemos afirmar que
as propriedades dos materiais cerâmicos estão diretamente
relacionadas às características da microestrutura, as quais,
por sua vez, são influenciadas pelas características e pelo
processo de fabricação do material, como propriedades da
matéria-prima, aditivos, condições de moldagem e
sinterização, entre outros fatores.
Disciplina de Resistência e Falha dos Materiais (2023.1)
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