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SEXTA EDIÇÃO

DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
E TEORIA DE CIRCUITOS

ROBERT BOYLESTAD
LOUIS NASHELSKY

Tradução de

Alberto Gaspar Guimarães


Engenheiro de Telecomunicações e Mestre em Engenharia Elétrica pelo Instituto Militar de Engenharia

Luiz Alves de Oliveira


Engenheiro de Telecomunicações pelo Instituto Militar de Engenharia

Revisão Técnica

Alberto Gaspar Guimarães

ilc
EDITORA
Electronic Devices and Circuit Theory
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sem permissão expressa da Editora.
Dedicado a

ELSE MARIE; ERIC; ALISON, MARK e KELCY; STACEY e DOUGLAS; ]OHANNA

ea

KATRIN, KIRA, LARREN, TOMMY,JUSTIN e PATTY


Suinário

Prefácio, xi 3.10 Teste de Transistores, 93


Agradecimentos, xiii 3.11 Encapsulamento do Transistor e Identificação dos
Equações Importantes, xv Terminais, 98
3.12 Análise por Computador, 98

1 DIODOS SEMICONDUTORES, 1
1.1 Introdução, 1 4 POLARIZAÇÃO DC-TBJ, 102
1.2 Diodo Ideal, 1 4.1 Introdução, 102
1.3 Materiais Semicondutores, 1 4.2 Ponto de Operação, 102
1.4 Níveis de Energia, 4 4.3 Circuito com Polarização Fixa, 104
1.5 Materiais Extrínsecos - Tipos n e p, 5 4.4 Circuito de Polarização Estável do Emissor, 109
1.6 Diodo Semicondutor, 7 4.5 Polarização por Divisor de Tensão, 112
1.7 Níveis de Resistência, 13 4.6 Polarização DC com Realimentação de Tensão, 116
1.8 Circuitos Equivalentes de Diodo, 16 4.7 Configurações Mistas de Polarização, 118
1.9 Folhas de Especificações do Diodo, 18 4.8 Procedimentos de Projeto, 121
1.10 Capacitância de Transição e Difusão, 22 4.9 Circuitos de Chaveamento com Transistor, 125
1.11 Tempo de Reestabelecimento Reverso, 22 4.10 Técnicas de Solução de Problemas em Circuitos, 127
1.12 Notação do Diodo Semicondutor, 23 4.11 Transistores PNP, 130
1.13 Verificação do Diodo, 23 4.12 Estabilização da Polarização, 131
1.14 Diodos Zener, 24 4.13 Análise por Computador, 136
1.15 Diodos Emissores de Luz, 27
1.16
1.17
Arranjo de Diodos - Circuitos Integrados, 30
Análise por Computador, 32 s TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO, 150
5.1 Introdução, 150
2 APLICAÇÕES DO DIODO, 36 5.2
5.3
Construção e Características do JFET, 151
Características de Transferência, 155
2.1 Introdução, 36 5.4 Folha de Especificações (JFETs), 158
2.2 Análise por Reta de Carga, 36 5.5 Instrumentação, 158
2.3 Aproximações para o Diodo, 41 5.6 Relações Importantes, 161
2.4 Configurações Série de Diodos com Entradas DC, 42 5.7 MOSFET Tipo Depleção, 161
2.5 Configurações Paralela e Série-Paralela, 46 5.8 MOSFET Tipo Intensificação, 164
2.6 Portas E/OU, 47 5.9 Emprego do MOSFET, 170
2.7 Entradas Senoidais: Retificação de Meia-Onda, 49 5.10 VMOS, 170
2.8 Retificação de Onda Completa, 51 5.11 CMOS, 172
2.9 Ceifadores, 54 5.12 Quadro-Resumo, 173
2.10 Grampeadores, 59 5.13 Análise por Computador, 174
2.11 Diodos Zener, 62
2.12 Circuitos Multiplicadores de Tensão, 67
2.13 Análise por Computador, 69 6 POLARIZAÇÃO DO FET, 178
6.1 Introdução, 178
3 TRANSISTORES BIPOLARES DE 6.2 Configuração com Polarização Fixa, 178
JUNÇÃO, 80 6.3 Configuração com Autopolarização, 181
6.4 Polarização por Divisor de Tensão, 185
3.1 Introdução, 80 6.5 MOSFET Tipo Depleção, 188
3.2 Construção do Transistor, 80 6.6 MOSFET Tipo Intensificação, 191
3.3 Operação do Transistor, 81 6.7 Quadro-Resumo, 194
3.4 Configuração Base-Comum, 82 6.8 Circuitos Combinados, 194
3.5 Transistor como Amplificador, 85 6.9 Projeto, 197
3.6 Configuração Emissor-Comum, 86 6.10 Verificação de Defeitos, 199
3.7 Configuração Coletor-Comum, 91 6.11 FETs de Canal-P, 200
3.8 Limites de Operação, 91 6.12 Curva Universal de Polarização para o JFET, 201
3.9 Folha de Especificações do Transistor, 93 6.13 Análise por Computador, 204
Sumário viii

7 MODELAGEM DO TRANSISTOR TBJ, 213 10.10 Quadro-Resumo, 327


10.11 Sistemas em Cascata, 327
7.1 Introdução, 213 10.12 Análise por Computador, 332
7.2 Amplificação no Domínio AC, 213
7.3 Modelagem do Transistor TBJ, 214
7.4 Parâmetros Importantes: Zi, Z Av, Ai, 215
0,
11 RESPOSTA DE FREQÜÊNCIA DO TBJ E
7.5 Modelo re do Transistor, 219 JFET, 341
7.6 Modelo Híbrido Equivalente, 223
7.7 Determinação Gráfica dos Parâmetros h, 227 11.1 Introdução, 341
7.8 Variações dos Parâmetros do Transistor, 229 11.2 Logaritmos, 341
7.9 Análise por Computador, 231 11.3 Decibel, 343
11.4 Considerações Gerais sobre Freqüência, 345
11.5 Análise para Baixas Freqüências - Diagrama de Bode, 347
8 ANÁLISE DO TBJ PARA PEQUENOS 11.6 Resposta em Baixas Freqüências -Amplificador TBJ, 351
SINAIS, 236 11.7 Resposta em Baixas Freqüências - Amplificador FET, 357
11.8 Efeito da Capacitância de Miller, 360
8.1 Introdução, 236 11.9 Resposta em Altas Freqüências - Amplificador TBJ, 361
8.2 Configuração Emissor-Comum com Polarização 11.10 Resposta em Altas Freqüências - Amplificador FET, 366
Fixa, 236 11.11 Efeitos da Freqüência em Circuitos Multiestágios, 369
8.3 Polarização por Divisor de Tensão, 238 11.12 Teste de Onda Quadrada, 370
8.4 Circuito EC com Polarização no Emissor, 240 11.13 Análise por Computador, 372
8.5 Configuração Seguidor-de-Emissor, 244
8.6 Configuração Base-Comum, 246
8.7
8.8
Configuração com Realimentação no Coletor, 248
Configuração com Realimentação DC no Coletor, 251
12 CONFIGURAÇÕES COMPOSTAS, 377
8.9 Circuito Híbrido Equivalente Aproximado, 253 12.1 Introdução, 377
8.10 Modelo Híbrido Equivalente Completo, 256 12.2 Conexão em Cascata, 377
8.11 Quadro-Resumo, 260 12.3 Conexão Cascode, 380
8.12 Verificação de Defeitos, 262 12.4 Conexão Darlington, 381
8.13 Análise por Computador, 263 12.5 Par Realimentado, 385
12.6 Circuito CMOS, 387
12.7 Circuitos de Fontes de Corrente, 388
9 ANÁLISE DO FET PARA PEQUENOS 12.8 Circuitos Espelhos de Corrente, 390
SINAIS, 280 12.9 Circuito Amplificador Diferencial, 392
12.10 Circuitos Amplificadores Diferenciais BIFET,
9.1 Introdução, 280
BIMOS e CMOS, 397
9.2 Modelo do FET para Pequenos Sinais, 280
12.11 Análise por Computador, 398
9.3 Circuito JFET com Polarização Fixa, 285
9.4 Circuito JFET com Autopolarização, 286
9.5 Circuito JFET com Divisor de Tensão, 289
Circuito JFET Seguidor-de-Fonte (Dreno-Comum), 290
13 TÉCNICAS DE FABRICAÇÃO DE
9.6 CIRCUITOS DISCRETOS E
9.7 Circuito JFET Porta-Comum, 292
INTEGRADOS, 410
9.8 MOSFETs Tipo Depleção, 294
9.9 MOSFETs Tipo Intensificação, 295 13.1 Introdução, 41 O
9.10 Circuito E-MOSFET com Realimentação do Dreno, 295 13.2 Materiais Semicondutores, Si, Ge e GaAs, 41 O
9.11 Circuito E-MOSFET com Divisor de Tensão, 297 13.3 Diodos Discretos, 412
9.12 Projeto de Circuitos Amplificadores com FET, 298 13.4 Fabricação do Transistor, 413
9.13 Quadro-Resumo, 300 13.5 Circuitos Integrados, 414
9.14 Verificação de Defeitos (troubleshooting ), 302 13.6 Circuito Integrado Monolítico, 415
9.15 Análise por Computador, 302 13.7 Ciclo de Produção, 418
13.8 Circuitos Integrados de Filme Fino e Espesso, 423
10 ANÁLISE DE SISTEMAS - 13.9 Circuitos Híbridos Integrados, 427
EFEITO DE Rs E R1 , 312
10.1 Introdução, 312 14 AMPLIFICADORES OPERACIONAIS, 428
10.2 Sistemas de Duas Portas, 312 14.1 Introdução, 428
10.3 Efeito de uma Impedância de Carga (RL), 313 14.2 Operação Diferencial e Modo-Comum, 430
10.4 Efeito da Impedância da Fonte (R 5 ), 315 14.3 Amp-Ops Básicos, 432
10.5 Efeito Combinado de Rs e Ri, 318 14.4 Circuitos Amp-Op Práticos, 434
10.6 Circuitos TBJ EC, 319 14.5 Especificações do Amp-Op - Parâmetros de
10.7 Circuitos TBJ Seguidor-de-Emissor, 322 Desequilíbrio DC, 438
10.8 Circuitos TBJ BC, 324 14.6 Especificações do Amp-Op - Parâmetros de
10.9 Circuitos FET, 325 Freqüência, 440
ix Sumário

14.7
14.8
Especificações da Unidade Amp-Op, 442
Análise por Computador, 446
20 OUTROS DISPOSITIVOS DE DOIS
TERMINAIS, 567

15 APLICAÇÕES DO AMP-OP, 455 20.1


20.2
Introdução, 567
Diodos de Barreira Schottky (Portadores Quentes),
15.1 Multiplicador de Ganho Constante, 455 567
15.2 Soma de Tensões, 457 20.3 Diodos Varactor (V aricap ), 569
15.3 Buffer de Tensão, 459 20.4 Diodos de Potência, 573
15.4 Fontes Controladas, 459 20.5 Diodos Túnel, 57 4
15 .5 Circuitos para Instrumentação, 461 20.6 Fotodiodos, 577
15.6 Filtros Ativos, 464 20.7 Células Fotocondutivas, 580
15.7 Análise por Computador, 466 20.8 Emissores de IV, 581
20.9 Displays de Cristal Líquido, 581
16 AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA, 478
20.10 Células Solares, 585
20.11 Termistores, 587
16.1 Introdução-Definições e Tipos de Amplificadores, 478
16.2 Amplificador Classe A com Realimentação-Série, 479
16.3 Amplificador Classe A com Acoplamento a
Transformador, 482
21 pnpn E OUTROS DISPOSITIVOS, 591
21.1 Introdução, 591
16.4 Operação do Amplificador Classe B, 487
21.2 Retificador Controlado de Silício, 591
16.5 Circuitos Amplificadores Classe B, 489
16.6 Distorção do Amplificador, 493
21.3 Operação Básica do Retificador Controlado de
16.7 Dissipador de Transistor de Potência, 496 Silício, 591
16.8 Amplificadores Classe C e Classe D, 499 21.4 Características do SCR e Valores Nominais, 593
16.9 Análise por Computador, 500 21.5 Construção do SCR e Identificação dos Terminais, 594
21.6 Aplicações de SCR, 594
21.7 Chave Controlada de Silício, 598
17 CIS LINEARES-DIGITAIS, 504 21.8
21.9
Chave de Desligamento de Porta, 600
SCR Ativado a Luz, 601
17 .1 Introdução, 504
21.10 Diodo Schockley, 603
17.2 Operação da Unidade Comparadora, 504
21.11 DIAC, 603
17.3 Conversores Digitais-Analógicos, 509
17.4 Operação do CI Temporizador, 511 21.12 TRIAC, 604
17 .5 Oscilador Controlado por Tensão, 514 21.13 Transistor de Unijunção, 604
17 .6 Malha Amarrada por Fase (PLL), 515 21.14 Fototransistores, 612
17. 7 Circuitos de Interfaceamento, 518 21.15 Opto-Isoladores, 614
17.8 Análise por Computador, 521 21.16 Transistor de Unijunção Programável, 614

18 REALIMENTAÇÃO E CIRCUITOS
22 OSCILOSCÓPIOS E OUTROS
INSTRUMENTOS DE MEDIDA, 621
OSCILADORES, 528
18.1 Conceitos sobre Realimentação, 528 22.1 Introdução, 621
18.2 Tipos de Conexão de Realimentação, 528 22.2 Tubo de Raios Catódicos -Teoria e Construção, 621
18.3 Circuitos com Realimentação na Prática, 533 22.3 Operação do Osciloscópio de Raios Catódicos, 621
18.4 Amplificador com Realimentação - Considerações 22.4 Operação de Varredura de Tensão, 622
sobre Fase e Freqüência, 537 22.5 Sincronização e Disparo, 624
18.5 Osciladores, 538 22.6 Operação Multitraço, 628
18.6 Oscilador de Deslocamento de Fase, 539 22. 7 Medidas Usando Escalas Calibradas de CRO, 628
18.7 Oscilador com Ponte de Wien, 541 22.8 Recursos Especiais do CRO, 630
18.8 Circuito Oscilador Sintonizado, 542 22.9 Geradores de Sinais, 631
18.9 Oscilador a Cristal, 544
18.10 Oscilador com Transistor Unijunção, 545 APÊNDICE A PARÂMETROS HÍBRIDOS-
EQUAÇÕES DE CONVERSÃO (EXATAS
19 FONTES DE TENSÃO (REGULADORES E APROXIMADAS), 633
DE TENSÃO), 549 APÊNDICE B FATOR DE RIPPLE E CÁLCULOS
19 .1 Introdução, 549 DE TENSÃO, 634
19.2 Considerações Gerais sobre Filtros, 549 AP~NDICE C TABELAS E QUADROS, 638
19.3 Filtro a Capacitor, 550 APENDICE D PSPICE, 640
19.4 Filtro RC, 553 APÊNDICE E SOLUÇÕES PARA PROBLEMAS
19.5 Regulação de Tensão por Transistor, 554
19.6 Cls Reguladores de Tensão, 559 ÍMPARES SELECIONADOS, 641
19.7 Análise por Computador, 563 ÍNDICE, 646
Prefácio

Ao nos aproximarmos do 25.º aniversário deste livro, torna-se evi- é desafiar o professor ou o estudante com inconsistências plane-
dente que a 6.ª edição deve dar continuidade ao extenso trabalho de jadas. Na verdade, não há nada mais penoso para um autor do
revisão realizado na 5.ª edição. O crescente uso de softwares, Cls e a que ser comunicado de que há erros em seu texto. Após a ampla
ampla abordagem necessária nos cursos básicos determinaram o con- revisão realizada na edição anterior, podemos assegurar que este
teúdo da edição anterior e continuaram a ser fatores preponderantes livro contém o mais alto grau de precisão possível, em se tratan-
para a elaboração da edição nova. Ao longo dos anos, aprendemos do de uma publicação desse tipo.
que se pode melhorar a leitura aperfeiçoando-se o aspecto geral do
texto. Assim, dedicamo-nos a tomá-lo mais acessível e agradável a
um grande número de estudantes. Como no passado, nos preocu-
MODELAGEM DO TRANSISTOR
pamos com o aspecto didático do texto e com sua exatidão.
A modelagem do transistor TBJ pode ser feita de várias manei-
ras. Alguns autores empregam o modelo que contém somente r,,
DIDÁTICA enquanto outros preferem utilizar o modelo com parâmetros hí-
bridos, ou uma combinação destes dois. A sexta edição dará ên-
Tma das mais importantes melhorias implementadas neste livro foi, fase ao modelo rc, com uma abordagem suficiente do modelo
sem dúvida, a correta adaptação do seu conteúdo ao roteiro de um hfürido para permitir uma comparação entre os modelos e a apli-
curso. Mantivemos a alteração na ordem dos capítulos realizada na cação de ambos. Um capítulo inteiro (Capítulo 7) foi dedicado à
última edição. Nossa experiência de ensino permite-nos afirmar que, introdução dos modelos, proporcionando uma compreensão cla-
com a nova apresentação, o livro oferece agora uma didática mais ra e correta de cada uma das relações que existem entre os dois.
adequada, colaborando com o plano de estudos dos professores e
ajudando os estudantes a formar uma base necessária a estudos futu-
ros. O número de exemplos, que foi ampliado substancialmente na
PSpice E BASIC
edição anterior, foi mantido. Conceitos importantes e conclusões po-
dem ser identificados por expressões isoladas e em negrito. Também Nos últimos anos tem sido observado um crescimento contínuo
utilizam-se ícones para cada capítulo, a fim de facilitar a referência a da utilização de computadores em cursos básicos. Além dos pro-
um trecho particular do livro. Foram desenvolvidos problemas para cessadores de texto, normalmente abordados no primeiro semes-
cada seção do livro, com graus de dificuldade que vão desde o mais tre, várias instituições educacionais estão incluindo também em
simples até o mais complexo, sendo que os problemas mais difíceis seus cursos a utilização de planilhas e programas (softwares) para
são identificados por asteriscos. O título de cada seção também é re- a análise de circuitos, como por exemplo o PSpice.
produzido na seção de problemas, identificando de maneira clara os PSpice foi o software escolhido por este livro porque recen-
exercícios de interesse para um particular tópico de estudo. tes estudos indicam que é o programa mais freqüentemente uti-
lizado. Outras opções incluem o Micro-Cap III e o Breadboard
O PSpice permite que se escrevam arquivos de entrada para a
ANÁLISE DE SISTEMAS maioria dos circuitos analisados neste livro. Além disso, procu-
rou-se utilizar uma abordagem que não exige do estudante um
Em diversas visitas a outras escolas e institutos técnicos, assim como conhecimento prévio sobre softwares.
encontros de várias associações, foi observado que a "análise de sis- O programa PSpice para ambiente WINDOWS permite que
temas" deve ser abordada de modo que o estudante consiga compre- se entre com o esquema do circuito e que este seja analisado,
ender a aplicação de circuitos baseados em dispositivos integrados. fornecendo resultados similares aos obtidos com o PSpice para
Os Capítulos 8, 9 e 1Oforam especificamente reorganizados para apre- DOS. Alguns programas em BASIC são também incluídos com
sentar a base da análise de modelos com um grau de complexidade o intuito de demonstrar as vantagens e benefícios adicionais de
compatível com esta fase introdutória Embora possa ser mais fácil se utilizar uma linguagem de programação.
considerar os efeitos de R8 e Ri para cada configuração inicialmente
introduzida, estes efeitos proporcionam também uma oportunidade
para se aplicarem alguns dos conceitos fundamentais na análise de CORREÇÃO DE DEFEITOS
sistemas. Os capítulos posteriores que tratam de Amp-Ops e Cls irão
desenvolver os conceitos introduzidos nestes capítulos. A técnica de correção de problemas em circuitos (troubleshooting)
é, indubitavelmente, uma das mais difíceis de se introduzir, desen-
volver e demonstrar em um livro. É uma arte que pode ser aborda-
PRECISÃO da utilizando-se vários métodos, mas a experiência e prática são
obviamente os elementos-chave para se desenvolver a habilidade
Não há dúvida de que uma condição importante de qualquer pu- necessária. O conteúdo aqui apresentado é, essencialmente, uma
blicação é que ela não contenha erros. Certamente, o intuito não revisão das situações que normalmente ocorrem em um ambiente
xii Prefácio

de laboratório. Algumas dicas, como por exemplo a maneira pela los. Os tópicos sem vital importância no processo de aprendiza-
qual se isola uma região problemática do circuito, são fornecidas gem são deixados para os últimos capítulos, evitando-se, desta
junto com uma lista de causas prováveis. Não se espera que o es- maneira, que seja abordado um conteúdo excessivo sobre deter-
tudante se tome perito em reparos de problemas em circuitos, mas minado assunto na fase de desenvolvimento. Para cada disposi-
que pelo menos consiga compreender as técnicas envolvidas no tivo, o livro apresentou as configurações e aplicações mais im-
processo de troubleshooting. portantes. Selecionando exemplos e aplicações específicas, a
matéria de um curso pode ser reduzida sem que se prejudique o
desenvolvimento progressivo implementado pelo texto. Ainda
UTILIZAÇÃO DO LIVRO assim, se o professor considerar que uma determinada área é
importante, os detalhes para uma leitura mais abrangente do tex-
De maneira geral, o texto pode ser dividido em duas partes prin- to estão disponíveis.
cipais: a análise de e ac ou resposta de freqüência. Para alguns
cursos, a análise de é suficiente para um semestre, enquanto que
outros consideram que todo o livro pode ser abordado em um ROBERT BOYLESTAD
semestre se forem escolhidos tópicos específicos. De qualquer
forma, o tema do livro se desenvolve desde os primeiros capítu- LOUIS NASHELSKY
Agradeciinentos

Nossos mais sinceros agradecimentos aos professores que utilizaram o livro e nos enviaram comentários, correções e sugestões.
Queremos agradecer também a Rex Davidson, Editor de Produção na Prentice Hall, por cuidar dos diversos aspectos necessários à
produção. Nossos mais sinceros agradecimentos a Dave Garza, Editor, e Carol Robinson, Editora de Projetos, ambos da Prentice
Hall, pelo apoio prestado à 6.ª edição.
Gostaríamos de agradecer às pessoas que ofereceram suas sugestões e comentários ao longo das várias edições do livro. Sua
participação tomou possível o aprimoramento de Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos nesta nova edição.

Ernest Lee Abbott Napa College, Napa, CA


Phillip D. Anderson Muskegon Community College, Muskegon, MI
AIAnthony EG&G VACTEC Inc.
A. Duane Bailey Southem Alberta Institute of Technology, Calgary, Alberta, CANADA
Joe Baker University of Southem California, Los Angeles, CA
Jerrold Barrosse Penn State-Ogontz
Ambrose Barry University of North Carolina-Charlotte
Arthur Birch Hartford State Technical College, Hartford, CT
Scott Bisland SEMATECH, Austin, TX
Edward Bloch Toe Perkin-Elmer Corporation
Gary C. Bocksch Charles S. Mott Community College, Flint, MI
Jeffrey Bowe Bunker Hill Community College, Charlestown, MA
Alfred D. Buerosse Waukesha County Technical College, Pewaukee, WI
Lila Caggiano MicroSim Corporation
Robert Casiano lntemational Rectifier Corporation
Alan H. Czarapata Montgomery College, Rockville, MD
Mohammad Dabbas lTT Technical Institute
John Darlington Humber College, Ontario, CANADA
Lucius B. Day Metropolitan State College, Denver, CO
MikeDurren Indiana Vocational Technical College, South Bend, IN
Dr. Stephen Evanson Bradford University, UK
George Fredericks Northeast State Technical Community College
F. D. Fuller Humber College, Ontario, CANADA
Phil Golden DeVry Institute ofTechnology, Irving, TX
Joseph Grabinski Hartford State Technical College, Hartford, CT
Thomas K. Grady Westem Washington University, Bellingham, WA
William Hill ITT Technical Institute
Albert L. Ickstadt San Diego Mesa College, San Diego, CA
Jeng-Nan Juang Mercer Universiy, Macon, GA
Karen Karger Tektronix Inc.
Kenneth E. Kent DeKalb Technical Institute, Clarkston, GA
Donald E. King ITT Technical Institute, Youngstown, OH
Charles Lewis APPLIED MATERIALS, INC.
Donna Liverman Texas Instruments Inc.
George T. Mason Indiana Vocational Technical College, South Bend, IN
William Maxwell Nashville State Technical Institute
Abraham Michelen Hudson Valley Community College
John MacDougall University ofWestem Ontario, London, Ontario, CANADA
Donald E. McMillan Southwest State University, Marshall, MN
Thomas E. Newman L. H. Bates V ocational-Technical Institute, Tacoma, W A
Dr. Robert Payne University of Glamorgan, Wales, UK
E. F. Rockafellow Southem-Alberta Institute of Technology, Calgary, Alberta, CANADA
xiv Agradecimentos

Saeed A. Shaikh Miami-Dade Community College, Miami, FL


Dr. Noel Shammas School of Engineering, Beaconside, UK
Enc Sung Computronics Technology Inc.
Donald P. Szymanski Owens Technical College, Toledo, OH
Parker M. Tabor Greenville Technical College, Greenville, SC
Peter Tampas Michigan Technological University, Houghton, MI
Chuck Tinney University of Utah
Katherine L. Usik Mohawk College of Applied Art & Technology, Hamilton, Ontario, CANADA
Domingo Uy Hampton University, Hampton, VA
Richard J. Walters DeVry Technical Institute, Woodbridge, NJ
Julian Wilson Southem College of Technology, Marietta, GA
Syd R. Wilson Motorola Inc.
Jean Younes ITT Technical Institute, Troy, MI
Charles E. Yunghans Westem Washington University, Bellingham, W A
Ulrich E. Zeisler Salt Lake Community College, Salt Lake City, UT
Equações IInportantes

1 Diodos Semicondutores W = QV, 1 eV = 1,6 x 10- 19 J, 10 = l,(e"V[JITK - 1), Roe= VJ/0 , rd = t,.VjMd =
26 mVl/0 , r.v = âViMd, P0 = V 0 10 , Te= t,.V,t[V,(T1 - T0 ] ) x 100%

2 Aplicações do Diodo VBE = Vo = 0,7 V; meia-onda: vele= 0,318Vm; onda completa: vdc = 0,636Vm

3 Transistores Bipolares de Junção IE = lc + IB, lc = lemajorilários + leom,nontária,,' le = /E, VBE = 0,7 V,


~ = ldIE, lc = alt: + le80 , a;.~ = MdMt:, ICEo = lc8 d(l - a), /3dc = ld/8 , f3..c = MdM8 , a = {3/(/3 + 1), /3 = a/(1 - a),
lc = f3ls, lt: = (/3 + 1)/s, Pem., = VeElc

4 Polarização DC-IBJ Em geral: V8 E = 0,7 V, le = lt:, le = {318 ; polarização fixa: 18 = (Vce - VsdlR 8 ,
Va = Vce - leRc, lc,., = VeelRc,' emissor estabilizado: Is= (Vee - V8 t:)/(R 8 + (/3 + l)RE), R; = (/3 + l)Rt:, VCE: =
Vcc - lc(Rc + Rd, le,,. = Vcd(Re + Rt:); divisor de tensão: exato: RTh = R 1 1iR2 , ETh = R 2Ved(R 1 + R 2), Is= (ETh - V8 t:)I
(RTh + (/3 + l)Rt:), Vct: = Vce - lc(Re + RE); aproximada: V8 = R2Ved(R 1 + R2), f3Rt: ~ 10R2 , Vt: = V 8 - Vst:>
lc = IE = Vt:IRE; realimentação de tensão: Is= (Vee - VsE)l[R 8 + {3(Rc + RE)]; base-comum: 18 = (VEE - V 8 E)IRE; transistores
de chaveamento: t00 = t, + td, t0 n = t, + t1; estabilidade: S(/e0 ) = MclMe0 ; polarização fixa: S(/e0 ) = {3 + 1; polarização
do emissor: SUco) = (/3 + 1)(1 + RslRdl(l + f:3 + R 8 /RE); divisor de tensão: S(1e0 ) = (/3 + 1)(1 + RTh/RE)l(l + {3 + RThlRE);
polarização por realimentação: S(/e0 ) = (/3 + 1)(1 + R 8 1Rc)l(l + {3 + R8 1Rc), S(V8 E) = MelâV8 E; polarização fixa:
S(V8 E) = -{3IR 8 ; polarização do emissor: S(V8 E) = -{3/[R 8 + (/3 + l)Rd; divisor de tensão: S(V8 E) = -{3/[RTh + (/3 + l)RE];
polarização por realimentação: S(VsE) = -{3l(Rs + (/3 + l)Rc), S(/3) = t,.felâ{:3; polarização fixa: S(/3) = le//31; polarização
do emissor: S(/3) = IeiO + R 8 IRE)l[{3 1(1 + f3z + R 8 /RE)]; divisor de tensão: S(/3) = lei(l + · RThlRE)l[{31(1 + {32 + RThlRE)];
polarização por realimentação: S(/3) = le 1(Rs + Rc)l[{31(Rs + Rc(l + /32))), Me= S(/e0 ) Meo + S(Vsd âVsE + S(/3) â/3

5 Transistores de Efeito de Campo la = O A, 10 = l 0 ss(l - Vas!Vp)2, 10 = Is, Vas = Vp(l - ~ s ) , 10


l 05sf4 (se Vas = Vp/2), 10 = 105../2 (se Vas = 0,3 Vp), P0 = V0 sf0 , 10
= k(Vas - V7 )2

6 Polarização do FET Polarização fixa: Vas = -Vaa, V0 s = V00 - l 0 R 0 ; autopolarização: Vas = -l0 Rs, V 0 s =
V 00 - l 0 (Rs + R 0 ), Vs = lsRs; divisor de tensão: Va = R2V 0 J(R 1 + R 2), V 05 = V 0 - l 0 Rs, V 0 s = V 00 - l 0 (R 0 + R_.J;
MOSFET tipo intensificação: 10 = k(V05 - Vos(To/, k = lo(on/(V0 s(onJ - Vos(Thl)2; polarização por realimentação: V05 =
V 05, V 05 = V 00 - J0 R;; divisor de tensão: V 0 = R 2 V00 l(R 1 + R 2), Vas = V 0 - l 0 R 5 ; curva universal: m = IVPlll055 Rs,
M = m x V0 11Vpl, V0 = R2V 00 /(R 1 + R2)

7 Modelagem do Transistor IBJ Z; = V/1;, I; = (V, - V;)IR 1 = (V, - V )IR'"""' Z = Vj/ Av = VjV;,
10. " , 0 0 0 0,

Av, = Z;AVNLl(Z; + R,), A; = -A.Z/Rv '· = 26 mVIIE; base comum: Z; = r., zo = 00 n. Av = Rifr,, A; = -1; emissor
comum: Z; = {3r,, zo = 'º' Av = -RLlr,, A;= {3, h;, = {3r,, h1, = f3ac> h;b = r,, hfb = -a.

8 Análise do IBJ para Pequenos Sinais Emissor-comum: Av = -Rdr,, Z; = R 8 ll/3r,, Z = Re, A;= {3; divisor 0

de tensão: R' = R 1 IIR 2 , A.= -Reir,, Z; = R'll/3r., Z = Ró polarização do emissor: Zb = {3(r. + RE) = {3RE, Av = -{3Rcf
0

Zb = -Rd(r, + RE) = -RdRE; seguidor-de-emissor: Zb = {3(r, + RE), A.= 1, Z = r.; base-comum: Av = Rc;fr,, Z; = REllr,,
0

Z 0 = Ró realimentação do coletor: A.= -Reir,, Z; = {3r,11RiJIA.I, Z 0 = RcllRF; realimentação de do coletor: A.= -(RF2 IIRc)lr,,
Z; = RF1 llf3r,, Z 0 = RcllRF2; parâmetros híbridos: A;= h/(1 + h0 RL), Av = -h~if[h; + (h;h 0 - hjr,)Rd, Z; = h; - h/t,RLI
(1 + h0 RL), Z 0 = l/[h0 - (h/t/(h; + R,})J

9 Análise do FET para Pequenos Sinais 8m = 8mo(l - V0 sfVp), 8mo = 2105sflVpl; configuração básica:
A.= -gmR 0 ; resistência de fonte não desviada: A.= -gmR 0 /(1 + gmR 5 ); seguidor-de-fonte: A,, = gmRsl(l + gmR5 ); porta-comum:
A,, = 8m(Rollrd)
xvi Equações Importantes

Rs
10 Análise de Sistemas - Efeito de e RL TBJ: Av = RLAvNL/(RL + Ro), A; = -AvZ/Rv V; = R;V,/(R; + Rs);
polarização fixa: Av = -(RcllRL)/re, AVs = Z;A)(Z; + Rs), Z; = f3re, zo = R6 divisor de tensão: Av = -(RcllRL)/re, AVs =
Z;A)(Z; + R 5 ) , Z; = R 1 IIR 2llf3re, Z 0 = R6 polarização do emissor: Av = -(RcllRL)IRD Avs = Z;A)(Z; + R 5 ) , Z; = Rnllf3RE,
Z 0 = R6 realimentação do coletor: Av = -(RcllRL)/re, Avs = Z;A)(Z; + Rs), Z; = f3rellRJIAvl, Z 0 = RcllRF; seguidor-de-emissor:
R ~ = REIIRv Av = R ~/(R ~ + re), Avs = R ~l(R ~ + R//3 + re), Z; = R 8 llf3(re + R ~), Z 0 = REll(R/{3 + re); base-comum:
Av = (RcllRL)/re, A;= -1, Z; = 'e• zo = R6 FET: Rs desviado: Av = -gm(RvllRL), Z; = Ra, zo = RD; Rs não desviado:
Av = -gm(RvllRL)/(1 + gmRs), Z; = Rc, zo = RD; seguidor-de-fonte: Av = gm(RsllRL)l[l + gm(RsllRL)], Z; = Rc, z() = RsllrdllVgm;
porta-comum: A,,= gm(RvllRL), Z; = Rsllllgm, z() = Rv; em cascata: AVT = AVl. AV2. Av3··-Avn' A;T = ±Av~;/RL

11 Resposta de Freqüência do TBJ e JFET logea = 2,3 log 10a, lofü 0 1 = O, log 10alb = log 10a - log 10 b,
logwllb = -log 10 b, log 10ab = log 10a + log 10 b, Gd 8 = 10 log 10P 2/P1, GdBm = 10 log 10 Pzll mWl 6000 , Gd 8 = 20 log 10 V2!V1,
Gv = GVJ + GV2 + Gv3 + ... + Gvn, POHPF = 0,5POmid• BW = f1 - f2; baixas freqüências (TBJ): ÍLs = 1121r(Rs + R;)Cs, ÍLc =
1121r(R0 + RL)Cc, ÍLE = 1121rReCD Re = REll(R/{3 + re), R; = RjR 1IIR 2 , FET: ÍLa = 1/21r(Rsig + R;)Cc, ÍLc = 1121rR0 Cc,
ÍLs = 1121rReqCs, Req = R 5 II Vgm(rd = 00 O); efeito Miller: CM; = (1 - AJC1, CM 0 = (1 - l!AJC1; altas freqüências (TBJ):
ÍH; = l/21rRTh1C;, RTh1 = RsllR1 IIRJR;, C; = Cw; + cbe + CM;, ÍHo = 1121rRTh2Co, RTh2 = RcllRLllro, eº = Cwo + cce + eMo•
Í1> = 1/21rf3midre(Cbe + CbJ, ÍT = /3midÍ{>; FET: ÍH; = 1121rRTh1C;, RThJ = RsigllRc, C; = Cw; + cgs + CM;• ÍHo = 1121rRTh2Co,
RTh~ = RDIIRLllrd, C0 = Cw 0 + Cd, + CM 0 ; multiestágios: J; = //V2Pn - 1, f~ = ( ~ ) / 2 ; teste da onda quadrada:
ÍH; = 0,35/t,, % tilt = [( V - V')/V] X 100%, ÍLo = (P/1r)fs, P = (V - V')/V

12 Configurações Compostas Ganho de tensão diferencial: Av = f3Rcl2r;;


ganho de tensão em modo comum: f3Rcl[r; + 2(/3 + l)Rd

13 Técnicas de Fabricação de Circuitos Discretos e Integrados R = Rpw, CT = EAIW

14 Amplificadores Operacionais CMRR = A)Ac; CMRR(log) = 20 log 10(Ad/AJ; multiplicador de ganho constante:
V)V, = -R/R 1; amplificador não-inversor: V)V 1 = 1 + Rrf R 1; seguidor unitário: V 0 = V 1; amplificador somador:
V = -[(RrfR 1)V1 + (RrfRJV 2 + (RrfR 3)V3]; integrador: vo(t) = -(l!R 1C1)Jv 1dt
0

15 Aplicações do A:mp.;.Op Multiplicador de ganho constante: A = -R/R 1; não inversor: A = 1 + R/R 1; somador
de tensão: V0 = -[(R1/R 1)V1 + (RrfR 2 )V2 + (RrfR 3)V3]; filtro ativo passa alta: ÍoL = 1121rR 1C1; filtro ativo passa baixa:
J;,H = 1121rR 1e,

16 Amplificadores de Potência
Potência de entrada: P; VccfcQ
=
potência de saída: P0 V cEfc = I~Rc = V~E/ Rc rms
= VcEfc/2 = (/~/2)Rc = V~A2Rc) pico
= VcEfc/8 = (I~/8)Rc = V~A8Rc) pico a pico
eficiência: %7] = (P)P,) x 100%
eficiência máxima: Classe A, alimentado em série = 25%
Classe A, acoplado por transformador = 50%
Classe B, push-pull = 78,5%
relações do transformador: Vz!V1 = NzlN1 = I1fl2, R2 = (NzlN1)2R1; potência de saída: po = [(VcEmax - VCEmin)(/cmax - /Cmin)]/8;
amplificador de potência classe B: P; = Vcd(2/1r)/picol; P0 = VI(pico)/(2RL); % TJ = (1r/4)[VL(pico)!Vccl x 100%; PQ =
P2 Q/2 = (P; - P0 )!2; máximo P0 = V~cl2RL; máximo P; = 2V~cl1rRL; máximo P2Q = 2V~cl1r2RL; % distorção harmônica
total (% THD) = yD~ + D~ + D~ + ··· x 100%; dissipação de calor: T, = PDO,A + TA, o,A = 40°C/W (ar livre); PD
(T, - TA)/(0,c + 0cs + esA)

17 Cls Lineares-Digitais Circuito escada: Vº = [(Do X 2° + D1 X 2 1 + D2 X 22 + ... + Dn X 2n)/2n]Vref; 555


oscilador: f = l,44(RA + 2R 8 )C; 555 monoestável: Talto = 1,lRAC; VCO: f 0 = (2/R 1C 1)[(V+ - Vc)IV+]; loop de malha fechada
(PLL): / 0 = 0,3/R 1C1, ÍL = ±8/jV, fc = ±(l/21r) y21rfd(3,6 x 103)C2

18 Amplificadores Realimentados e Circuitos Osciladores A 1 = A!(l + {3A); realimentação em série; Z;1 =


Z;(l + {3A); realimentação em paralelo: Z;1 = Z/(1 + {3A); realimentação de tensão: Z 01 = Zj(l + {3A); realimentação de corrente:
Z 01 = Zu(l + {3A); estabilidade do ganho: dAJA 1 = 11(11 + f3Al)(dAIA); oscilador; {3A = 1; deslocamento de fase: f = l/21rRC\IÕ,
/3 = 1/29, A > 29; deslocamento de fase do FET: IAI = gmRv RL = RDrdl(Rv + rd); deslocamento de fase do TBJ: f = (l/27TRC)[l/
y6 + 4(Rc!R)], h1e > 23 + 29(Rc!R) + 4(R!Rc); ponte de Wien: RiR4 = RifR 2 + Cz/C1 , f,, = 1/21ryR 1C 1R 2 C2 ; sintonizado:
f = l/27T~, Ceq = C1Czl(C 1 + C2), Hartley: Leq = L 1 + L 2 + 2M, f,, = l/21rvr:;c
0
Equações Importantes xvii

19 Fontes de Tensão (Reguladores de Tensão) Filtros: r = V,(rms)/Vctc x 100%, V.R. = (VNL - VFL)IVFL x
100%, Vctc = Vm - V,(p-p)/2, V,(rms) = V,(p-p)/2y'3, V,(rms) = (lctj4\13)(VctjVm); onda completa, carga leve V,(rms) = 2,4/0jC,
vdc = vm - 4,17/d/C, r = (2,4/djCVdc) x 100% = 2,4/RLC x 100%, /pico= TIT, x /de; filtro RC: v~c = RL Vdj(R + RI.),
Xc = 2,653/C (meia onda), Xc = 1,326/C (onda completa), v;(rms) = (Xch/R 2 + X~); reguladores: IR = ([NL - !FL)!IFL x 100%,
VL = Vz(l + Rif R2), Vº = Vrer(l + R/R1) + /actl2

20 Outros Dispositivos de Dois Terminais Diodo varactor: CT = C(0)/(1 + IV/VTIY, Tcc = (i1C!Ca{T1 - Ti)))
x 100%; fotodiodo: W = 1/z/f, À.= v/f, 1 lm = 1,496 x 10- 10 w
21 PnPN e Outros Dispositivos UJT: R 88 = (R 81 + R 82 )1,E= 0 , VR 81 = 7]V88 l,E= o, 7J = Rs/(Rs, + Rs2)l,E= o,
Vp = 7JV88 + V 0 ; fototransistor: lc= h1/À; PUT: 7J = R 8/(R 81 + Rnz), Vp = 7JV88 + V0
DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
E TEORIA DE CIRCUITOS
Índice Alfabético

A Brattain, Walter H., 80 - - sistema


Bujfer de tensão, 459 - - - de feixe de elétrons, 417
Alfa, 84 - - - de pulverização, 422-423
Amortecimento, 577
Amp-op, 428, 432
e - - técnica de Czochralski, 411
- - teste, 426
- comparador, 505 -JFET,285
Capacitância - MOSFET, 294-298
- corrente - de transição, 22, 362-363
- - de desequilíbro de entrada, 438-439 - multiplicadores de tensão, 67-68
Características de transferência, 155-158
- - de polarização de entrada, 440 -ponte, 51-52, 597
Ceifadores, 54-59 - sintonizado, 572-573
- - e tensões de desequilíbrio 438 Célula
- especificações, 438, 440 442-446 - tanque, 577
- fotocondutiva, 580-581
- inversor, 446 ' - solares, 585-587 - transistores TBJ 213-232
- não-inversor, 448 Cls, ver Circuitos Integrados
Chave Classe(s)
- somador, 448, 467 - controlada de silício, 598-600
- tensão de desequilíbrio de entrada, 438-439 -A,478
- de desligamento da porta (GTO), 600-601 876-877
Amplificador(es) - estática série meia-onda, 594-596 ' - - acoplado por transformador, 482
- acoplado por transformador, 345 - - eficiência máxima, 481
Circuito
- com acoplamento - CMOS, 172-173, 387,405 - - realimentação em série, 479
- - direto, 345 -AB,479
- de chaveamento, 125-127 - B, 478,487,489
- -RC, 345 - de instrumentação, 461
- com realimentação, 528, 537 -C,479,499
- - an_iplificador de instrumentação, 463 -D,479,500
- - corrente em série, 531, 534 - - driver do display, 463
- - tensão em paralelo, 530, 535 Coeficiente
- - milivoltímetro ac, 462
- - tensão em série, 530, 533 - - milivoltímetro de, 462, 467 - de resistência negativo, 587
- de potência - de temperatura, 27
- de interface, 518
- - classe - - negativo, 4
- de polarização estável do emissor, 109-112
- - - A, 478,479,481,482 - - positivo, 4
- ~ simetria complementar, 491
-- -AB, 479 - diodo(s), 16-18 - - da capacitância, 572
- - - B, 478,487,489 Comparador, 504, 521
- - de barreira Schottky, 568-569
- - -C, 479,499 Comprimento de onda, 577, 586
- - túnel, 574
- - - D, 479, 500 - -Zener, 25
Comutação forçada, 593
- diferencial, 392-393, 397 Condição quiescente, 13, 102-103
- equivalente
- distorção do, 493 - -JFET, 285 Condutor, 2-3
- eficiência do, 479 Conexão(ões)
- - linear por partes, 16-18
- inversor, 434 - cascode, 380
- - MOSFET, 294-298
- não-inversor, 434 - Darlington, 381, 404-405
- - transistores TBJ, 213-232
- operacional, ver Amp-ops - escada, 509, 510, 521 Configuração
- somador, 435, 457 - integrado, 30-32, 410-427 - base-comum, 82-86, 120, 219-221, 225-226, 247 255-
Análise por computador, 32-34, 69-73, 100, 136-141, 256, 259-260, 324 '
- - aparato de refinamento de zona, 410-411
174, 204-207, 231-232, 263-274, 302-308, 332-335 - - ciclo de produção, 418 - coletor-comum, 91, 221-223
353-357, 359, 365, 368, 372, 398-405, 446-450, 466- - - configuração híbrida, 427 - com realimentação
473, 500-502, 521-525, 563-565 - - desenvolvimentos recentes, 414-415 - - de no coletor, 251-252
Análise por reta de carga, 36-40, 107-108 111 116 - - encapsulamento, 423 - - de tensão, 116-118
Angstrom, 577 ' ' - - endereçamento por fita, 414 - - no coletor, 248-251, 320-321
Antilogaritmo, 342 - - estrutura monolítica, 415-418 - composta, 377
Aparato de refinamento de zona 410 - - filme fino e espesso, 423 - de divisor de tensão, 238-240, 254
Arquivo de entrada, 69 ' - - híbrido, 427 - de polarização por divisor de tensão 112-116 238-240
Arranjo, 30-32 - - implantação de íons, 419 254,320 ' ' '
Arseneto - - lapidação e polimento, 419 - dreno-comutn, 290-292
- de Çiálio, 451,574,581,586 - - larguras de trilhas, 415 - emissor-comum, 86-91, 221-223, 225-227 236-246
- de Indio, 586 - - linear-digital, 504 248-274 ' '
Átomos - - máscara, 416 - fonte-comum, 285-290
- aceitadores, materiais semicondutores, 6 - - materiais semicondutores 410-412 - porta-comum, 292-294
- doadores, materiais semicondutores, 6 - - metalização, 423 ' - seguidor de emissor, 119-120, 244-246, 255, 322-324
- tetravalentes, 4 - - monolítico 415-418 Constante de Planck, 577
- - operação de fatiamento, 416 Controle de aquecimento, 597
- - passivação, 423 Conversão
B - - photoresist, 419 - analógica-digital, 509
- - porta NANO, 423 - de dupla inclinação, 509
Banda passante, 346 - -processo Conversores digital-analógico, 509
Bardeen, John, 80 - - - de difusão, 412 Corrente(s)
BASIC, 32-33, 138-141, 272-274 - - - de evaporação, 422 - de fuga, 82-83, 87
Beta, 88-90, 131-136 - - - fotolitográfico, 419 - de retenção, 593
BiFET, 377,397 - - receptor, 418 - de saturação reversa, 9, 11,131,568
BiMOS, 377,397 - - relação de rendimento, 41 O - escura, 579
Índice Alfabético 647

Corte, 102-104 - PSpice, 32-33, 69-73 Espelho de corrente, 390


Coulomb, 4 - região de depleção, 7-9 Estabilização; 131-136
Crescimento de junção - resistência, 13-17
- diodos, 412 --AC, 13, 17
- transistores TBJ, 413 - - DC, 13-17 F
Cristal, 3 - - média, 16-17
- líquido nemático, 583 - retificação Fator de Ripple, 550
- quartzo, 544, 545 - - de meia-onda, 49-51 FET metal óxido de silício, 161-173, ver JFET ou
- singular, 3 - - de onda completa, 51-53 MOSFET
- único, 410 - Schottk.y, 567-570, 586 Filtro(s)
Critério de Nyquist, 537 - sem polarização, 7-8 -AC,464
Curva universal de polarização do JFET, 201-204 - Shockley, 603, 604 - - passa-altas, 465, 470
Czochralski, técnica de, 411 - silício, 3-7, 11-12 - - passa-baixas, 464, 469
- símbolos, 22-23 - - passa-banda, 466,470
- tempo de restabelecimento, 22, 568 - capacitivo, 67-68
D - tensão de limiar, 11 - capacitor, 67, 68,550
- teste, 23-25 - configuração com polarização fixa, 104-108, 236-238,
Dacey, G.C., 151 -TPI, 18, 51, 52-54 253, 257-260, 312-313, 314-315, 319-320
De Forest, Lee, 80 -TPR, 18, 51, 52-54 • RC, 553
Década, 349 - transformador com derivação central, 52-53 Fleming, J.A., 80
Decibéis, 343-345 - túnel, 574-577 Fluxo
Decodificadores FSK, 518 - varactor, 569-573 - convencional, 7
Demodulação de freqüência, 516 - varicap, 569-573 - de buracos, 6-7
Detetor de proximidade, 603 - Zener, 24-27, 62-67, 601 - luminoso, 577-580
Diac, 603-604 - - aplicações, 62-67 - radiante, 581-587
Diagrama de Bode, 347-351, 353, 359, 361-366, 369 - - características, 24-25 Folhas de especificações
Diferenciador, 438 - - circuito equivalente, 25 - diodo, 18-22
Difusão - - coeficiente de temperatura, 27 - - de barreira de Schottk.y, 568-570
- capacitância, 22, 363 - - folha de especificações, 26 - - emissores de luz, 28
- diodos, 412 - - região, 10-11 - - túnel, 574
- transistores TBJ, 413 - - símbolo, 27 - - varactor, 571-572
Diodo(s), 1-34 Displays de cristal líquido, 581-585 - - Zener, 26
- análise Dispositivo(s) - JFETs, 158-161
- - por computador, 32-34, 69-73 - controlado -MOSFET
- - por reta de carga, 36-40 - - à corrente, 150 - - tipo depleção, 164
- aplicações, 36-73 - - por tensão, 150 - - tipo intensificação, 168-170
- arranjo, 30-32 - de crescimento epitaxial, 412 - opto-isolador, 614
- arseneto de gálio, 574 -pnpn - transistores, 93-97
- barreira - - chave de desligamento da porta (GTO), 600-601 - -TBJ, 93
- - de superfície, 567-570 - - diac, 603-604 Fonte(s)
- - Schottky, 567, 570 - - SCR ativado por luz, (LASCR), 601-603 - controladas, 457
- capacitância de transição, 22 Dissipação - de chaveamento de potência, 568
- ceifadores, 54-59 - de calor, 496, 573 - de corrente, 389
- circuitos equivalentes, 16-18, 568-569, 574 - de potência, 19 - - constante, 396
- - ideal, 40-41 Distorção, 493 - - - a Zener, 390
- configuração - do amplificador, 493 - - - com transistor bipolar, 389
- - paralelo, 46-47 - harmônica, 370-371, 494 - - controlada
- - série, 42-45 - - total, 494 - - - a corrente, 461
- - série-paralela, 46-47 Dobrador, 67-68 - - - a tensão, 460
- corrente de saturação reversa, 9, 11, 568 Dopagem, 3-7 - de tensão, 549
- crescimento - - controlada
- - de junção, 412 E - - - a corrente, 460
- - epitaxial, 412 - - - a tensão, 460
- de portadores quentes, 567-569 Efeito(s) Fotodiodos, 577-580
- de potência, 573 - da capacitância de Miller Fótons, 577, 580,581,585,586
- difusão, 412 - - entrada, 360 Fototransistores, 612-614
- - capacitância de, 22 - - saída, 361 Freqüência( s)
- dissipação - da freqüência em multiestágios, 369-370 - de ângulo, 345
- - máxima, 568 - de taxa, 600 - de banda, 345-346
- dissipadores de calor, 573 - de temperatura, 11-13 - de corte, 345-346
- dopagem, 3-7, 574 Eficácia luminosa, 28-30 - de meia-potência, 345-346
- efeitos de temperatura, 11-13 Eficiência de conversão, 213 - demodulação de, 516
- emissores de luz, 27-30, 583, 584, 612-614 Eletroluminescência, 27 - síntese de, 518
- fabricação, 7-13, 413 Elétron, 3
- folha de especificações, 18-22, 568-570, 571-572, 575 - de valência, 4-5
- fotodiodos, 577-580 - fluxo de, 7
G
- germânio, 3, 11-12, 574 Elétron-volt, 4
- grampeadores, 59-62 Emissor Ganho
- ideal, 1-2, 568-569 - circuito de polarização estável do, 109-112 - de amplitude constante, 433
- junção p-n, 574-575 - circuito EC com polarização no, 240-244, 254, 320 - de tensão
- liga, 412 - configuração seguidor de, 119-120, 244-246, 255, 322- - - com terminação dupla, 396
- ligação covalente, 4 324 - - com terminação simples, 394
- materiais - IV, 585 - margem de, 538
- - extrínsecos, 5-6 Endereçamento por fita, 414 - unitário, 433
- - intrínsecos, 4 Entrada(s) Ganho-banda passante, 363-364, 370, 440
- - tipo n, 5-6, 7-9 - com terminação Gerador
- - tipo p, 6-9 - - dupla, 428 - de dente serra, 601
- modelo equivalente aproximado, 39-40, 41 - - única, 428 - de forma de onda, 631
- multiplicadores, 67-68 - comuns, 430 - de onda quadrada, 67
- polarização - de mesma polaridade, 430 - de sinais, 631
- - direta, 9-10 - de polaridades opostas, 430 Germânio, 3, 11-12, 410-411, 574, 577-578, 587
- - reversa, 8 - diferencial, 430 Giacoletto, modelo de, 363
- portadores - somador, 435, 457 gm gráfico, 281
- - majoritários, 7 Equação de Shockley, 155-157 gm matemático, 281-282
- - minoritários, 7 Esaki, Leo, 574 gm versus / 0 , 283
- - quentes, 567-569 Escala gm versus VGS' 282-283
- portas e/ou, 47-49 - log-log, 342 gm, definição, 281
- potência, 573 - semi-log, 342 Gráfico de fase, 347,350
- - dissipação de, 19 Espalhamento dinâmico, 583 Grampeadores, 59-62
648 Índice Alfabético

I - - - tipo depleção, 188-191 - quase complementar, 492,501


- - - tipo intensificação, 191-194 PUT, ver Transistor de Unijunção Programável
Impedância - - tipo
- de entrada da configuração dreno-comum, 290 - - - depleção, 161-164
- de saída da configuração dreno-comum, 290-291 - - - intensificação, 164-170 R
Implantação de íons, 419 - - VMOS, 170-172
Infravermelho, 579 Multiplicador de ganho constante, 455 Região
Instrumentos de medição, 621 - ativa, 102-104
- de depleção, 7-9, 569-570, 574
Integrador, 436 N - Zener, 10-11
Intensidade luminosa axial, 28-30
Regulação, 63-67, 544
Interrupção de corrente do anodo, 593 Nêutron, 3 - amp-op, 556
Inversor, 125-127 Nível de energia, 4-6 - CI, 559
- amp-op, 446 Núcleo, 3 - de tensão, 549, 554-556
- amplificador, 434
- - ajustável, 562
Isolador, 3
o - - CI, 559
- - especificações, 560, 561
J Ohmímetro, 23, 97 - limitador de corrente, 556
Oitava, 349 - série, 555
JFET, ver Transistor JFET Operação(ões) - tensão-paralelo, 557, 558
Junção p-n, 574, 578, 581, 585 - astável, 511 - tensão-série, 555
- diferencial, 430 - Zener, 62-67
- modo-comum, 396 Regulador
K - monoestável, 513 - de carregamento, 596
- ponto de, 102-104 - - de bateria, 596
Kilby, Jack St. Clair, 410 Opto-eletrônicos, 577-580 - de tensão, 580
Opto-isoladores, 614 Rejeição modo-comum, 429, 430
ORC - razão de, 431
L - construção, 621 Relação de rendimento, 410, 414-415
- disparo, 626 Relé de retensão, 603
LASCR,601 - medida, 628 Resistência, 13-17
LCDs, 581-585 - - de amplitude, 628 -AC, 13-16
- de efeito de campo, 583-584 - - de largura de pulso, 629 - - média, 16-17
Liga(s) - - de tempo, 629 - DC, 13, 17
- diodos, 412 - multitraço, 628 - de contato, 15
- transistores TBJ, 413 - operação, 621 - de corpo, 15
Ligação covalente, 4 - sincronização, 624 - dinâmica, 13-17
Linguagem, 32 - varredura - estática, 13, 17
Logaritmo - - atrasada, 630 - negativa, 574-577
- comum, 341-345 - - de tensão, 622 Resistividade, 2-3, 415
- natural, 341-342 Oscilador(es) Resposta de freqüência(s)
Lumens, 577 - Colpitts, 542 . - amplificador com acoplamento
- controlado à tensão (VCO), 514 - - a transformador, 345
- cristal, 544 - - direto, 345
M - de relaxação, 610, 617-618 - -RC, 345
- de resistência negativa, 575 - banda passante, 346
Malha amarrada por fase, (PLL), 515 - deslocamento de fase, 539 - de banda, 345-346
Margem de ganho, 538 - - CI, 541 - de meia potência, 345-346
Máscaras, 416 - -FET, 539 - década, 349
Material(is) - - transistor, 540 - decibéis, 343-345
- extrínsecos, 5, 7 - Hartley, 543 - efeito
- intrínsecos, 4 - operação, 538 - - de Miller, 360-361
- semicondutores - ponte de Wien, 541 - - de multiestágios, 369-370
- - coeficiente de temperatura negativo, 4 - quartzo, 544 - gráfico de fase, 346-347, 350
- - - tipo n, 5-6, 7-9 - resistência negativa, 575 -modelo
- - -tipop, 7-9 - sintonizado, 542 - - de Giacoletto, 363
- - dopagem, 5-6 - tipo relaxação, 610, 617-618 - - Tr híbrido, 363
- - ligação covalente, 4 Osciloscópio de raios catódicos, ver ORC - oitava, 349
- - materiais - produto ganho-banda passante, 363-364, 370
- - - extrínsecos, 5-7 p - teste de onda quadrada, 370-372
- - - intrínsecos, 4 - transistores JFET, 357-359, 366-370
- - níveis de energia, 4-5 - transistores TBJ, 345-357, 360-368, 369-370
Par realimentado, 385
- - portadores - variação de {3, 363-364
Passivação, 423 Retificação
- - - majoritários, 7 Pés-candeias, 577, 579
- - - minoritários, 7 - de meia-onda, 594-596
Photoresist, 419 - de onda completa, 51-53, 597
- tipo n, 5-6, 7-9 Polarização da luz, 584
- tipop, 6-9 Retificador, 19, 49-54, 573
Ponto de operação, 102-104 - controlado a silício, 591-598, 607-610
Metalização, 423 Portador(es)
MMD,23, 97 - - aplicações, 594-598
- majoritários, 7, 567 - - características, 593-594
Modelo - minoritários, 7,567,578, 585
- de Bohr, 3 - - comutação forçada, 593
Portas e/ou, 47-49, 601,602,612 - - corrente de retenção, 593
- de transistor com parâmetro h, 253-260 Processo
- equivalente - - fabricação, 594
- de evaporação, 423 - - identificação de terminais, 594
- - com parâmetro h, 223-231, 253-260 - fotolitográfico, 419
- - híbrido, 223, 231 - - interrupção anodo-corrente, 593
Programa, 32 - - operação, 591-593
- nome do, 33 Projeto, 121-125, 197-199 - - símbolos, 591
- Tr híbrido, 363 Próton, 3 - - valores nominais, 593-594
- r,, 219-223, 236-225 PSpice - de onda completa com derivação central, 597-598
MOSFET -CMOS,405 Ross, Ian, 151
- FET, metal-óxido de silício, 161-173 - diodos, 33, 69 RS232-conversor TIL, 521
-tipo - MOSFETs, 305-308 Rubylith, 417
- - depleção, 161-164, 294-295 - TBJs, 100, 136-137, 263-271, 332, 353-357, 365-366,
- - intensificação, 295-298 401-405
- transistores, 161 - transistores JFET, 175, 302-307, 334,359,368, 399- s
- - análise ac, 294-298 400
- - CMOS, 172-174 Push-pull Saída com terminação dupla, 429
- - polarização - acoplado por transformador, 491 Saturação, 102-103, 105, 111, 116
Índice Alfabético 649

SCR, ver Retificador Controlado a Silício - impedância - - - gerais, 150


- ativado por luz, 601-603 - - de entrada, 215-216 - - circuito
ses, 589-600 - - de saída, 216-217 - - - de combinação, 194-197
Seguidor - junção - - - equivalente ac, 284
- de fonte, 290 - - de crescimento, 413 - - configuração de divisor de tensão, 289-290
- unitário, 435, 450-451 - - de liga, 413 - - construção, 151
Selênio, 577-578, 586 - limite de operação, 91-93 - - curva universal de polarização do, 201-204, 287-289
Seleniureto de cádmio, 580 - modelagem, 213-232 - - encapsulamento, 158
Semicondutores, 2-7 - modelo - - equação de Schockley, 155-157
Série de Fourier, 370-371 - - de Bohr, 3 - - folhas de especificações, 158
Shockley, William, 80, 155 - - equivalente híbrido, 223-231, 253-260 - - ganho de tensão ac, 286,287, 288, 290, 291,293,296,
Silício, 3-7, 11-12, 411, 577-578, 586,587 - - R,, 219-223 298
Síntese de freqüência, 518 - npn, 81, 85-86, 90, 104-129 - - gm, 280-283
Sistema(s) - operação, 81-82 - - identificação de terminais, 158
- de alarme, 599 - - limites de, 91-93 - - linha do modelo, 302
- de controle de fase, 596 - - ponto de, 102-104 - - modelo para pequenos sinais, 284
- de duas portas, 223-227, 312-325 - pnp, 81-82, 86, 91, 130-131 - - operação, 151-154
- de feixe de elétrons, 417-418 - polarização, 85, 90-91, 102-141 - - pinch-off 152,153
- de iluminação de emergência, 597-598 - - fixa, 104-108, 236-238, 253-254, 257-259 - - polarização
- de pulverização, 422-423 - projeto, 121-125 - - - canal n, 178-200, 201-207
- em cascata, 331, 377, 378, 399-404 - PSpice, 98, 136-138, 231-233, 263-272, 332-335, 354- - - - canalp, 200-201
Software, 32 357, 365 - - - por divisor de tensão, 185-188
Subtração de tensão, 458 - região ativa, 102-104 - - polarização fixa, 178-181, 285-286
Sulfeto de cádmio, 580-581, 586 - saturação, 92-93, 102-104, 106, 111-112, 116 - - porta-comum, 292-294, 327
- símbolos, 82 - - projeto, 197-199, 298-299
- teste, 93-98 - - - de amplificadores, 298-299
T - traçador de curvas, 97 - - PSpice, 175, 204, 302-308, 332-335, 359-360, 368
- transistores mesa, 413 - - resistência de fonte
Taxa de subida, 441 - variação de parâmetro, 229-231 - - - desviada, 286-287, 325
TBJs, 80-100, 236-274 - verificação de defeitos, 127-129, 262-263 - - - não-desviada, 326
- alfa(a), 85 Tempo de restabelecimento reverso, 22, 568 - - seguidor-de-fonte, 290-292, 327
- amplificação, 85-86 Temporizador, 511 - - símbolos, 154
- análise Tensão, ver Fonte de Corrente, Fonte de Tensão - - sistema em cascata, 327-322
- - AC, 236-274 - de limiar, 11 - - terminologia, 151
- - para pequenos sinais, 236-274 - fonte de, 549 - - traçador de curvas, 160
- - por computador, 98-100, 136-141, 231-232, 263-274, - - controlada - - troubleshooting (verificação de defeitos), 199-200,
302-308, 332-335, 365, 398-405, 446-450, 466-473, - - - a corrente, 460 302
500-502, 521-525, 563-565 - - - a tensão, 460 - - valores nominais máximos, 158
- base-comum, 82-86, 120, 219-220, 225-227, 246-247, - fotovoltaica, 585 - mesa, TBJ, 413
255-256, 259-260, 324 Termistores, 587-588 - NPN, 104-129
- BASIC, 138, 272-274 Termo fundamental, 370 - PNP, 130-131
- beta(/3), 88-90, 131-136 Terra virtual, 434 -TBJ
- circuito Teste - - planares, 413
- - combinados, 194-197 - circuitos integrados, 416,426 - - tipo epitaxial, 412
- - de chaveamento, 125-127 - de onda quadrada, 370-372 Treliça, 3
- - integrados, 415-418 - diodos, 23-24 TRIAC, 604
- coletor-comum, 91, 221-223, 244-246, 255 - transistores, 93-97
- configuração Tilt, 372
- - de polarização do emissor, 240-244, 254, 320
- - de realimentação
TPI, 11, 18, 51, 52-53, 598
TPR, 11, 18, 51, 52-53
u
- - - de do coletor, 251-252 Traçador de curvas, 23, 93-96, 160 UJT (transistor unijunção), 604-612
- - - de tensão, 116-118 Transformador, 482 Unijunção, 546
- - - do coletor, 248-251, 320-322 - com derivação central, 52-53 Unipolar, 150
- - divisor de tensão, 112-116, 234-240, 254 Transistor(es), ver TBJ, JFET ou MOSFET
- - mistas de polarização, 118-121 - bipolares de junção, ver TBJs
- - seguidor do emissor, 119-120, 244-246, 255, 322- - Darlington, 382 V
324 - de Efeito de Campo, ver JFET ou MOSFET
- construção, 80 - de potência, 496, 497 Válvula, 80
- corrente - de unijunção programável (PUT), 603-604, 614-618 VCO, ver Oscilador Controlado a Tensão
- - de fuga, 82-83, 87 - - chave controlada a silício (SCS), 598-600 Velocidade da luz, 577
- - de satura9ão reversa, 131-136 - - diodo Schockley, 603 Verificação de defeitos, 127-129, 199, 262, 302
- corte, 87, 92, 102-104 - - retificador controlado a silício (SCR), 591-598 VMOS, 170-172
- difusão, 413 - - TRIAC, 604
- efeito de R 5 e Ru 312-325 - JFET, 280-311, 324-327
- emissor-comum, 86-91, 221-223, 236-246, 251-274 - - análise por computador, 174, 204-207, 302-308, 359- w
- encapsulamento, 98 360, 368
- estabilização, 131-136 - - autopolarização, 181-185, 286-290 Wafer, 3
- do emissor, 109-112, 240-244, 254-255 - - BASIC, 204-207
- folha de especificações, 93 - - canal
- ganho - - - n, 151-153 z
- - de corrente, 218 ---p, 153-154
- - de tensão, 217-218 - - características, 151-155 Zener, ver Diodo(s)
- identificação de terminais, 98-100 - - - de transferência, 155-158 - fonte de corrente constante a, 390
CAPÍTULO

Diodos Semicondutores 1
a11mt1•••11•1•11•11•1.-1.-.-1m·•m.-m1m1•1.-.-1a1m11.-.-u.-.-.-.-.-a.-.-.-.-.-.-aa2.-111.-.-.-1n1e1nim11.-1n1L!a1m11•1 ~

1.1 INTRODUÇÃO qualquer tentativa de estabelecer corrente no sentido oposto. Em


resumo:
Algumas décadas após a introdução do transistor em 1940, tem- As características de um diodo ideal são aquelas de uma
se percebido uma mudança muito dramática na indústria eletrô- cha.ve que pode conduzir corrente somente em um sentido.
nica. A miniaturização crescente leva-nos a questionar sobre seus
Na descrição dos elementos a seguir, é importantíssimo que
limites. Sistemas completos aparecem agora sobre um wafer
as diversas letras dos símbolos, polaridades de tensão e sen-
milhares de vezes menor do que um simples elemento dos cir-
tidos de corrente sejam definidos. Se a polaridade da tensão
cuitos anteriores. As vantagens associadas com os sistemas atu-
aplicada é consistente com aquela mostrada na Fig. l. la, a
ais, quando comparados com circuitos a válvulas dos anos ante-
região da curva característica a ser considerada na Fig. 1.1 b
riores, são, para a maioria, imediatamente óbvias: menores ele-
está à direita do eixo vertical. Se uma tensão reversa for apli-
ves, nenhuma necessidade de aquecimento ou perda de calor
cada, a região esquerda da curva é considerada. Se a corrente
(como necessário para válvulas), construção mais robusta, mais
através do diodo tem a direção indicada na Fig. l. la, a região
eficiente, e não requer período de aquecimento.
da curva característica a ser considerada está acima do eixo
A miniaturização de anos recentes tem resultado em sistemas
horizontal, enquanto uma inversão no sentido exigiria o uso
tão pequenos que o objetivo principal do encapsulamento é sim-
da curva abaixo do eixo. Para a maioria das características do
plesmente fornecer algum meio de manusear o dispositivo e ga-
dispositivo mostradas neste livro, a ordenada (ou eixo "y")
rantir que as conexões mantenham-se adequadamente fixas ao será o eixo da corrente, enquanto a abscissa (ou eixo "x") será
wafer semicondutor. Os limites da miniaturização parecem ser o eixo da tensão.
estabelecidos por três fatores: a qualidade do material semicon- Um dos parâmetros importantes para o diodo é a resistên-
dutor, a técnica de projeto do circuito e os limites de fabricação cia no ponto ou região de operação. Se considerarmos a região
e equipamento de processamento. de condução definida pelo sentido de / 0 e polaridade V0 na Fig.

1.2 DIODO IDEAL


Vv
+
O primeiro dispositivo eletrônico a ser introduzido é chamado o ~ o
-+-
diodo. Ele é o mais simples dos dispositivos semicondutores, mas lv
exerce um papel vital em sistemas eletrônicos, com suas carac-
terísticas assemelhando-se às de uma simples chave. Ele apare- (a)
cerá em um conjunto de aplicações, estendendo-se do simples ao
mais complexo. Além dos detalhes de sua construção e caracte- + lv
rísticas, os dados essenciais e gráficos encontrados nas folhas de
-
Vo
t IJII '
especificação também serão cobertos, para garantir um entendi-
mento da terminologia empregada e para demonstrar a vasta in-
_./ '•
+
formação tipicamente disponível pelos fabricantes. o Vv
Antes de examinarmos a construção e características de um (+
dispositivo real, primeiro consideraremos o dispositivo ideal, para
fornecer uma base de comparação. O diodo ideal é um dispositi-
vo de dois terminais, tendo o símbolo e a curva característica
-
'
-Vo
IJII

'

mostrados na Fig. l. la e b, respectivamente. (b)


Idealmente, um diodo irá conduzir corrente no sentido defi-
nido pela seta no símbolo, e age como um circuito aberto para Fig. 1.1 Diodo ideal: (a) símbolo; (b) curva característica.
2 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Curto-circuito
+ Vv
0>-----111Ji,1
..- - - o -..
,~~~'·
(a)
o

o~--~IIJi,l
Vv +
...----o -.. o------a
-..
/--__/
! 0 =0

(b)

Fig. 1.2 Estados de (a) condução e (b) não-condução do diodo ideal determinados pela polarização aplicada.

1.1 a (quadrante superior direito da Fig. 1.1 b ), concluiremos que A resistência de po/arizaçiio reversa é suficientemente grande
o valor da resistência direta, R,, conforme definida pela lei de para permitir uma aproximação de circuito-aberto?
Ohm,é

RF = -Vi" = ------------------
OV 1.3 MATERIAIS SEMICONDUTORES
IF 2, 3, mA, ... , ou qualquer valor positivo
A própria expressão semicondutor apresenta uma sugestão so-
= OO (curto-circuito) bre sua característica. O prefixo semi- é normalmente aplicado a
onde V, é a tensão direta através do diodo e I, é a corrente direta uma faixa de níveis situada entre dois limites.
através do diodo. O termo condutor é aplicado a qualquer material que sus-
O diodo ideal é, portanto, um curto-circuito para a região tenta um fluxo de uso de carga, quando uma fonte de tensão
de condução. amplitude limitada é aplicada através de seus terminais.
Um isolante é o material que oferece um nível muito bai-
Se considerarmos agora a região de potencial negativo apli- xo de condutividade sob pressão de uma fonte de tensão
cado (terceiro quadrante), da Fig. l.lb, aplicada.
Um semicondutor é, portanto, o material que possui um
VR nível de condutividade entre os extremos de um isolante e
RR=-=
IR um condutor.
-5, -20, ou qualquer potencial de polarização reversa Inversamente relacionada à condutividade de um material está
=
OmA sua resistência ao fluxo de carga, ou corrente. Isto é, maior o nível
= oo O (circuito-aberto) de condutividade, menor o nível de resistência. Em tabelas, o
termo resistividade (p, letra grega rho) é geralmente usado quando
onde v. é a tensão reversa através do diodo, e I. é a corrente re- se compara aos níveis de resistência dos materiais. Em unidades
versa do diodo. métricas, a resistividade de um material é medida em O-cm ou
O diodo ideal é, portanto, um circuito-aberto na região de 0-m. As unidades de O-cm são obtidas pela substituição das
não-condução. unidades para cada quantidade da Fig. 1.4 na seguinte equação
(que se obtém da equação básica de resistência R = pl!A):
Em resumo, as condições descritas na Fig. 1.2 são aplicáveis.
Em geral, é relativamente simples determinar se um diodo está
na região de condução ou não-condução, observando-se simples- p = RA = (O)(cm2) ::;, O-cm (1.1)
mente a direção da corrente / 0 estabelecida por uma tensão apli- l cm
cada. Para o fluxo convencional (oposto ao fluxo do elétron), se
a corrente de diodo resultante tem o mesmo sentido que a seta
do símbolo do diodo, o diodo está operando na região de condu- o--~~
....----o - . . 0>----4---..---o
ção conforme descrito na Fig. 1.3a. Se a corrente resultante tem -..
a direção oposta, como mostrado na Fig. 1.3b, o circuito-aberto lo
equivalente é apropriado. (a)
Conforme indicado anteriormente, o propósito principal des-
ta seção é introduzir as características de um dispositivo ideal, o>---1~------0 - . . ~ ----a
J?Or comparação com as características da variedade comercial. ! 0 =0
A medida que avançamos nas próximas seções, devemos man-
ter as seguintes questões em mente: (b)

Quão próximo irá a resistência direta ou "ligada" de um Fig.1.3 Estados de (a) condução e (b) não-condução do diodo ideal, como deter-
diodo real equivaler ao nível 0-0 desejado? minado pelo sentido da corrente convencional estabelecida pelo circuito.
Diodos Semicondutores 3

~--R-----,

A = 1 cm 2 l= 1 cm

Fig. 1.4 Definindo as unidades métricas de resistividade.

De fato, se a área da Fig. 1.4 é 1 cm2 e o comprimento 1 cm,


o valor da resistência do cubo da Fig. 1.4 é igual à resistividade Fig. 1.5 Estrutura cristalina simples do Ge e Si.
do material, conforme demonstrado abaixo:
l (1 cm)
IRI = p-
A
= P (1 cm2)
= lµlohms Algumas das qualidades específicas do Ge e Si observadas
acima são devidas a suas estruturas atômicas. Os átomos de ambos
Será útil lembrar deste fato ao compararmos os níveis de os materiais formam um modelo bem preciso, que é periódico
resistividade nas discussões a seguir. por natureza (isto é, repetem-se continuamente). Um modelo
No Quadro 1.1, os valores típicos de resistividade são forne- completo é chamado cristal, e treliça é o arranjo periódico dos
cidos por três grandes categorias de materiais. Embora você possa átomos. Para Ge e Si, o cristal tem a estrutura de diamante tridi-
estar familiarizado com as propriedades elétricas do cobre e mica mensional da Fig. 1.5. Qualquer material composto apenas de
de estudos passados, as características dos materiais semicondu- estruturas cristalinas repetidas no mesmo tipo é chamado de uma
tores de germânio (Ge) e silício (Si) podem ser relativamente estrutura de cristal singular. Para materiais semicondutores de
inéditas. Como você verificará nos capítulos a seguir, eles não aplicação prática no campo de eletrônica, esta característica de
são, com certeza, os dois únicos materiais semicondutores. Eles cristal singular existe e, além disso, a periodicidade da estrutura
são, contudo, os dois materiais que têm recebido maior interesse não muda significativamente com a adição de impurezas no pro-
no desenvolvimento de dispositivos semicondutores. Em anos cesso de dopagem.
recentes, a tendência é a adoção do silício em detrimento do ger- V amos agora examinar a estrutura do átomo e observar como
mânio, mas o germânio ainda continua em modesta produção. ele poderia afetar as características elétricas do material. Como
Observe no Quadro 1.1 a diferença extrema entre os materi- se sabe, o átomo é composto de três partículas básicas; o elétron,
ais condutor e isolante para o comprimento de 1 cm (área de 1 o próton e o nêutron. Na estrutura atômica, os nêutrons formam
cm2) do material. Dezoito posições separam o ponto decimal de o núcleo, enquanto que os elétrons giram em tomo do núcleo em
um número para o outro. Justifica-se a atenção que Ge e Si rece- uma órbita fixa. Os modelos de Bohr dos dois semicondutores
bem por várias razões. Uma consideração muito importante é o mais comumente usados, germfJ.nio e silício, são mostrados na
fato de eles poderem ser fabricados em um nível muito grande Fig. 1.6.
de pureza. De fato, avanços recentes têm reduzido níveis de im- Conforme indicado pela Fig. 1.6a, o átomo de germânio tem
pureza no material puro para uma parte por 10 bilhões 32 elétrons orbitando, enquanto o silício tem 14. Em cada ca~o.
(l:10.000.000.000). Alguém poderia perguntar se estes níveis existem quatro elétrons na camada mais externa (valência). O
reduzidos de impureza são mesmo necessários. Eles certamente potencial (potencial de ionização) exigido para qualquer um
são, se considerarmos que a adição de uma parte de impureza (do
tipo adequado) por milhão em um wafer do material de silício
pode mudar aquele material de um condutor relativamente po-
bre para um bom condutor de eletricidade. Estamos lidando, é
claro, com um espectro totalmente novo de níveis de compara-
.- Núcleo
ção, quando lidamos com o meio semicondutor. A capacidade
de mudar significativamente as características do material atra-
vés deste processo, conhecido como "dopagem",já é uma razão
do porquê o Ge e Si têm recebido toda esta atenção. Outras ra-
zões incluem o fato de suas características poderem ser muito
alteradas pela aplicação de calor ou luz - uma consideração
importante no desenvolvimento de dispositivos sensíveis ao ca-
lor e luz.
El6troos
de~neia
(4 para cada))

QUADRO 1.1 Valores de Resistividade Típicos

Condutor Semicondutor Isolante


(b)
p =" 10-•n-cm p =" 50 ü-cm (germânio) p=" IO"ü-cm
(cobre) p =" 50 X 103 fl-cm (silício) (mica)
Fig. 1.6 Estrutura atômica (a) do germânio; (b) do silício.
4 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

À medida que a temperatura aumenta a partir do zero absolu-


to (O K), um número cada vez maior de elétrons de valência ab-
sorve energia térmica suficiente para quebrar a ligação covalen-
te e contribuir para o número de portadores livres, conforme
descrito acima. Este número maior de portadores irá aumentar o
índice de condutividade e produzir um menor nível de resistência.
Materiais semicondutores, como o Ge e o Si, que apresen-
tam uma redução da resistência com aumento da tempe-
ratura, são considerados possuidores de coeficiente de
temperatura negativo.
Você provavelmente verificará que a resistência da maioria
dos condutores aumenta com a temperatura. Isto se deve ao fato
de que a quantidade de portadores em um condutor não irá au-
mentar significativamente com a temperatura, mas sua vibração
em tomo de uma posição relativamente fixa tomará cada vez mais
difícil para elétrons atravessarem o material. Qualquer aumento
Fig. 1.7 Ligação covalente do átomo de silício. na temperatura resulta, portanto, em um nível de resistência maior
e um coeficiente de temperatura positivo.

destes quatro elétrons de valência é menor do que o necessário 1.4 NÍVEIS DE ENERGIA
para qualquer outro na estrutura. Em um cristal puro de germâ-
nio ou silício, estes quatro elétrons de valência estão ligados a Na estrutura atômica isolada existem níveis de energia discretos
quatro átomos de ligação, conforme mostrado na Fig. 1. 7 para o (individuais) associados com cada elétron em órbita, conforme
silício. Tanto Ge como Si são referidos como átomos tetravalen- mostrado na Fig. 1.8a. Cada material terá, de fato, seu próprio
tes, pois eles têm, cada um, quatro elétrons de valência. conjunto de níveis de energia permissíveis para os elétrons na sua
Uma ligação de átomos, baseada no compartilhamento de estrutura atômica.
elétrons, é chamada ligação covalente. Quanto maior a distância do elétron ao núcleo, maior o
estado de energia, e qualquer elétron que tenha deixado
Embora a ligação covalente resulte em uma ligação mais for-
te entre os elétrons de valência e seus átomos da matriz, ainda é seu átomo de origem apresenta um estado de energia maior
do que qualquer elétron na estrutura atômica.
possível para os elétrons de valência absorverem energia cinéti-
ca suficiente de fatores naturais, para quebrarem a ligação e as- Entre os níveis discretos de energia estão os gaps, nos quais
sumirem o estado "livre". O termo "livre" revela que seu movi- nenhum elétron na estrutura atômica isolada pode aparecer. À
mento é bem sensível aos campos elétricos aplicados, como os medida que os átomos de um material são unidos para formarem
estabelecidos pelas fontes de tensão, ou qualquer diferença de po- a estrutura da rede cristalina, existe uma interação entre os áto-
tencial. Estes fatores naturais incluem efeitos como a energia da mos, resultando em uma órbita particular para os elétrons de um
luz na forma de fótons e a energia térmica do meio. À tempera- átomo com níveis de energia ligeiramente distintos dos elétrons
tura ambiente, existem aproximadamente 1,5 X 10 10 portadores na mesma órbita de um átomo adicionado. O resultado é uma
livres em um centímetro cúbico de material de silício intrínseco. expansão dos níveis discretos dos estados de energia possíveis,
Materiais intrínsecos são aqueles semicondutores que fo- para os elétrons de valência para aquelas bandas, conforme mos-
ram cuidadosamente refinados para reduzirem as impu- trado na Fig. 1.8b. Observe que existem níveis de ligação e esta-
rezas a um nível muito baixo - essencialmente tão puro
dos de energia máxima, nos quais qualquer elétron na rede atô-
quanto possfvel através da tecnologia moderna. mica pode estar na região proibida, entre a banda de valência e
o nível de ionização, e lá permanecer. Lembre-se de que ioniza-
Os elétrons livres no material, devido somente aos fatores ção é o mecanismo pelo qual um elétron pode absorver energia
naturais, são referidos como portadores intrfnsecos. Na mesma suficiente para desprender-se da estrutura atômica e entrar na
temperatura, um material de germânio intrínseco terá aproxima- banda de condução. Iremos notar que a energia associada com
damente 2,5 X 10 13 portadores livres por centímetro cúbico. A cada elétron é medida em elétron volts (eV). A unidade de medi-
razão entre o número de portadores no germânio e o número no da é adequada, uma vez que
silício é maior do que 103, e indica que o germânio é melhor con-
dutor à temperatura ambiente. Isto pode ser verdade, mas am- eV (1.2)
bos são ainda considerados maus condutores no estado intrín-
seco. Observe que no Quadro 1.1 a resistividade também difere conforme obtido da equação definida para voltagem V= W/Q.
por uma razão em tomo de 1000:1, com o silício apresentando A carga Q é a carga associada com um elétron simples.
o maior valor. Obviamente, esse resultado está de acordo uma Substituindo-se a carga de um elétron e um potencial diferen-
vez que a resistividade e a condutividade estão inversamente re- te de l volt na Eq. (1.2), resulta em um nível de energia referido
lacionadas. como um elétron volt. Como a energia também é medida em
Um aumento na temperatura de um semicondutor pode joules, e a carga de um elétron= 1,6 X 10- 19 coulomb,
resultar em um aumento substancial no número de elétrons
livres no material. W = QV = (1,6 X 10- 19 C)(l V)
Diodos Semicondutores 5

Energia
Nível de valência (camada mais externa)
Gap de energia
Segundo nível (próxima camada interna)
Gap de energia
Terceiro nível (etc.)
etc.

~------• i Núcleo

(a)

Energia Energia Energia


Elétrons

..
Banda de conooção "livres"
para

--·
estabelecer Banda de condução
condução Banda de condução
Bandas se
1
E 8 >5eV
sobrepõem

Elétrons--
de valência
ligados à
estrutura
atômica

Ei =l,leV(~i) .
=
14'g 0,67 e.V.(Qr:)
l!,v =l,4:leV (GâAs)
Fig. 1.8 Níveis de energia: (a) níveis dis-
Isolante Semicondutor Condutor cretos nas estruturas atômicas isoladas; (b)
bandas de condução e de valência de um
(b) isolante, semicondutor e condutor.

e conseqüentemente, densidade de portadores maior na banda de


condução à temperatura ambiente!
(1.3)
1.5 MATERIAIS EXTRÍNSECOS -
Em O K, ou zero absoluto (-273,lSºC), todos os elétrons de
valência de materiais semicondutores encontram-se ligados na
TIPOS n Ep
camada mais externa do átomo, com níveis de energia associa-
As características dos materiais semicondutores podem ser alte-
dos com a banda de valência da Fig. 1.8b. Contudo, à tempera-
radas significativamente pela adição de certos átomos de impu-
tura ambiente (300 K, 25ºC), um grande número de elétrons de
rezas no material semicondutor relativamente puro. Estas impu-
valência adquire energia suficiente para deixar a banda de valên-
rezas, embora adicionadas na razão de apenas uma parte em 10
cia, atravessar o gap de energia definido por E8 , na Fig. 1.8b, e
milhões, podem alterar suficientemente a estrutura de banda e
entrar na banda de condução. Para o silício, E8 é 1,1 eV, para o
modificar totalmente as propriedades elétricas do material.
germânio é 0,67 eV, enquanto para o arseneto de gálio é 1,41 eV.
O valor de E8 é obviamente menor para o germânio porque o Um material semicondutor que sofreu o processo de
número de portadores naquele material é maior do que no silício dopagem é chamado material extrínseco.
em temperatura ambiente. Observe que, para o isolante, o gap Existem dois materiais extrínsecos de importância fundamen-
de energia é tipicamente 5 eV ou mais, que limita muito o núme- tal para a fabricação de um dispositivo semicondutor: tipo n e
ro de elétrons que pode entrar na banda de condução à tempera- tipo p. Cada um deles será descrito detalhadamente nos parágra-
tura ambiente. O condutor tem elétrons na banda da condução fos seguintes.
mesmo em OK. Obviamente, então, existem à temperatura am-
biente muito mais do que portadores livres suficientes para man-
terem um fluxo intenso de carga, ou corrente. Material Tipo n
Encontraremos na Seção 1.5 que, se certas impurezas são
adicionadas aos materiais semicondutores intrínsecos, surgirão Tanto o material do tipo n quanto o do tipo p são formados pela
estados de energia nas bandas proibidas que causarão uma redu- adição de um número predeterminado de átomos de impureza em
ção líquida em Eg para ambos os materiais semicondutores - uma base do germânio ou silício. O tipo n é criado introduzindo-
6 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Fig. 1.9 Impureza de antimônio no material tipo n. Fig. 1.11 Impureza de boro no material tipo p.

se os elementos de impureza que têm cinco elétrons de valência nível de energia, e têm menos dificuldade de absorver uma me-
(pentavalente), como o antirnônio, o arsênico e o fósforo. O efeito dida suficiente de energia térmica a fim de mover-se para banda
de tais elementos de impureza está indicado na Fig. 1.9 (usando de condução na temperatura ambiente. O resultado é que, à tem-
antimônio como a impureza em uma base de silício). Observe peratura ambiente, existe um grande número de portadores (elé-
que as quatro ligações covalentes ainda estão presentes. Existe, trons) no nível de condução, e a condutividade do material au-
contudo, um quinto elétron adicional devido ao átomo de impu- menta significativamente. À temperatura ambiente, em um ma-
reza, que está desassociado de qualquer ligação covalente em terial de Si intrínseco, existe cerca de um elétron livre para cada
particular. Este elétron adicional, fracamente ligado a seu átomo 10 12 átomos (1 em 109 para Ge). Se nosso nível de dosagem fos-
de origem (antimônio), está relativamente livre para mover-se se um em 10 milhões (107), a razão (10 12/107 = 105) indicaria que
dentro do material tipo n recentemente formado. Uma vez que o a concentração de portadores aumentou por uma razão de
átomo de impureza inserido contribuiu com um elétron relativa- 100.000:1.
mente "livre" para a estrutura:
Impurezas dispersas com cinco elétrons de valência são Material Tipo p
chamadas de átomos doadores.
O material tipo p é formado dopando-se um cristal de germânio
É importante compreender que mesmo que um grande núme-
ou silício puro com átomos de impureza apresentando três elé-
ro de portadores "livres" tenha sido estabelecido no material tipo
trons de valência. Os elementos mais freqüentemente usados para
n, ele ainda é eletricamente neutro, pois o número de prótons
este propósito são o boro, o gálio e o índio. O efeito de um des-
carregados positivamente no núcleo ainda é igual ao número de
tes elementos, o boro, sobre uma base de silício, é indicado na
elétrons "livres", que orbitam carregados negativamente na es-
Fig. 1.11.
trutura.
Observe que existe agora um número insuficiente de elétrons
O efeito deste processo de dopagem na condutividade relati-
para completar as ligações covalentes da rede recentemente for-
va pode ser mais bem descrito pelo uso do diagrama de banda de
mada. A lacuna resultante é chamada de buraco, e é representa-
energia da Fig. 1.10. Observe que um nível de energia discreto
da por um pequeno círculo ou sinal positivo devido à ausência
(chamado nível doador) aparece na banda proibida com um E8
de uma carga negativa. Uma vez que a lacuna resultante irá acei-
significativamente menor do que o do material intrínseco. Os
tar rapidamente um elétron "livre":
elétrons "livres" devido à impureza adicionada situam-se neste
As impurezas dispersas com três elétrons de valência são
chamadas átomos aceitadores.
Energia O material tipo p resultante é eletricamente neutro, pelas mes-
mas razões descritas para o material tipo n.

Fluxo de Elétrons versus Buraco


E, como antes
O efeito do buraco na condução é mostrado na Fig. 1.12. Se um
elétron de valência adquire energia cinética suficiente para que-
brar sua ligação covalente e preencher o vazio criado por um
buraco, então uma lacuna, ou buraco, será criada na ligação co-
valente que liberou o elétron; Existe, portanto, uma transferên-
cia de buracos para a esquerda, e de elétrons para a direita, con-
Fig. 1.10 Efeito das impurezas doadoras na estrutura da banda de energia. forme mostrado na Fig. 1.12. A direção a ser usada neste livro é
Diodos Semicondutores 7

Os materiais tipo n e tipo p representam os blocos básicos dos


sistemas semicondutores. Encontraremos na próxima seção que
a "união" de um material tipo n simples com um material tipo p
irá resultar em um elemento semicondutor de considerável im-
portância nos sistemas eletrônicos.

1.6 DIODO SEMICONDUTOR


Na Seção 1.5, ambos os materiais tipos n e p foram inseridos. O
diodo semicondutor é formado juntando-se simplesmente estes
materiais (construídos da mesma base - Geou Si), conforme
Fluxo de buraco mostrado na Fig. 1.14, usando-se técnicas a serem descritas no
Cap. 20. No momento em que os materiais são "unidos", os elé-
Fluxo de elétron
trons e buracos na região de junção se combinam, resultando em
Fig. 1.12 Fluxo de elétron 1·ersus fluxo de buraco. uma ausência de portadores na região próxima à junção.
Esta região de íons positivos e negativos não-combinados
é chamada de região de depleção, devido à depleção de
portadores nesta região.
a do fluxo convencional, que está indicada pela direção do fluxo
de buraco. Como o diodo é um dispositivo de dois terminais, a aplicação
de uma tensão através de seus terminais conduz a três possibili-
dades: nenhuma polarização (V0 = OV), polarização direta (V;,
Portadores Majoritários e Minoritários > OV) e polarização reversa (V0 < OV). Cada condição resulta
em uma resposta que o usuário deve entender claramente, para
No estado intrínseco, o número de elétrons livres no Geou Si é que o dispositivo seja aplicado de maneira correta.
devido somente àqueles poucos elétrons na banda de valência que
adquiriram suficiente energia das fontes térmicas ou luminosas
para quebrarem a ligação covalente, ou às poucas impurezas que Sem Polarização (V0 = O V)
não podem ser removidas. As lacunas deixadas para trás na es-
trutura de ligação covalente representam nossa fonte muito limi- Sob condições de não-polarização, quaisquer portadores mino-
tada de buracos. Em um material tipo n, o número de buracos ritários (buracos) no material tipo n que se encontrarem dentro
não mudou muito em relação ao nível intrínseco. O resultado, da região de depleção irão passar diretamente para o material tipo
então, é que o número de elétrons excede o número de buracos. p. Quanto mais próximo o portador minoritário estiver da jun-
Por isso: ção, maior é a atração para a camada de íons negativos, e menor
a oposição dos íons positivos na região de depleção do material
Em um material tipo n (Fig. 1.13a), o elétron é chamado tipo n. Para futuras discussões, devemos assumir que todos os
de portador majoritário, e o buraco, de portador portadores minoritários tipo n que se encontram na região de
minoritário. depleção, devido a seus movimentos randômicos, irão passar
Para o material tipo p, o número de buracos excede o número diretamente para o material tipo p. Um argumento semelhante
de elétrons, como mostrado na Fig. 1.13b. Então: pode ser utilizado para os portadores minoritários (elétrons) do
material tipo p. Este fluxo de portadores é indicado na Fig. 1.14
Em um material tipo p, o buraco é o portador majoritário, para os portadores minoritários de cada material.
e o elétron é o portador minoritário. Os portadores majoritários (elétrons) do material tipo n devem
Quando o quinto elétron de um átomo doador deixa o átomo superar as forças atrativas da camada de íons positivos no mate-
de origem, este átomo adquire uma carga positiva: por conseqüên- rial tipo n e o campo de íons negativos do material tipo p, a fim
cia, o sinal positivo na representação de íon doador. Por motivos de migrarem para a área da região de depleção do material tipo
semelhantes, o sinal negativo aparece no íon aceitador. p. Contudo o número de portadores majoritários é tão grande no

tons doadores tons aceitadores

Portadores

' + +e.
+e ' +e+e··
majoritários
'', ' •. +
e+ e·. + ··+.e+. e·
+.·. e.. +. -
Portadores
majoritários e + + e+
Portador
tipo n tipo p minoritário

Fig. 1.13 (a) Material tipo n; (b) material tipo p.


8 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Fluxo de portador minoritário

Região de depleção
~

p n

0o=OmA
'-------o+ VD= O V
(nenhuma polarização) Fig. 1.14 Junção p-n sem polarização externa.

material tipo n que existirá, invariavelmente, um número peque- Polarização Reversa (V0 < O V)
no de portadores majoritários com energia suficiente para passar
pela região de depleção para o material tipo p. Novamente, o Se um potencial externo de V volts é aplicado através da junção
mesmo tipo de argumento pode ser aplicado aos portadores ma- p-n em que o terminal positivo é conectado ao material tipo n e
joritários (buracos) do material tipo p. O fluxo resultante devido o terminal negativo é ligado ao material tipo p, conforme mos-
aos portadores majoritários também é mostrado na Fig. 1.14. trado na Fig. 1.16, o número de íons positivos não-combinados
Uma análise mais detalhada da Fig. 1.14 mostrará que as na região de depleção do material tipo n aumentará, devido ao
amplitudes relativas dos vetores do fluxo são tais que o fluxo grande número de elétrons "livres" arrastados para o potencial
resultante em cada direção é zero. Este cancelamento dos veto- positivo da tensão aplicada. Por motivos semelhantes, o número
res foi indicado por linhas cruzadas. O comprimento do vetor re- de íons negativos não-combinados aumentará no material tipo p.
presentando o fluxo de buraco foi desenhado maior do que para O efeito é, portanto, um alargamento da região de depleção. Este
o fluxo de elétrons, a fim de demonstrar que a amplitude de cada alargamento da região de depleção estabelecerá uma barreira tão
um não precisa ser a mesma para o cancelamento, e que os ní- grande para os portadores majoritários superarem que, efetiva-
veis de dopagem para cada material podem resultar em um fluxo mente, reduzirá o fluxo de portadores majoritários a zero, con-
desigual de portadores de buracos e elétrons. Em resumo, então: forme mostrado na Fig. 1.16.
Na ausência de uma tensão de polarização, o fluxo resul- Contudo o número de portadores minoritários que penetra na
tante de carga em qualquer direção para um diodo semi- região de depleção não será alterado, resultando em vetores de
condutor é zero.
O símbolo para o diodo é repetido na Fig. 1.15 com as regiões
I, Fluxo de portador minoritário
tipo n e p associadas. Observe que a seta está associada com o ~/majoritário= O
componente tipo p, e a barra com a região tipo n. Como indica-
do, para V0 = OV, a corrente em qualquer direção é O mA.

Vv=OV
+
o ~
__... o Região de depleção

I 0 =0mA

Fig. 1.15 Condições de não-polarização para um diodo semicondutor. Fig. 1.16 Junção p-n polarizada reversamente.
Diodos Semicondutores 9

Vo + ----1, }
o----1~----o _ _ _ _ _....,_ l . . .
ma)Or1tllno
lo = lmajoritjrio -Is
-+-!.,.

(Oposto) Região de depleção

Fig. 1.17 Condições de polarização reversa para um diodo semicondutor.

+
fluxo de portadores minoritários da mesma amplitude indicados
na Fig. 1.14, quando nenhuma tensão era aplicada. Fig. 1.18 Junção p-n polarizada diretamente.
A corrente que surge sob condições de polarização rever-
sa é chamada de corrente de saturação reversa, e é repre-
sentada por Is-
zação direta da curva característica da Fig. 1.19. Observe que a
A corrente de saturação reversa é raramente maior do que escala vertical da Fig. 1.19 está em miliamperes (embora alguns
poucos microamperes, exceto para dispositivos de alta potência. diodos semicondutores apresentem uma escala vertical medida
De fato, em anos recentes, seu nível tem-se situado normalmen- em amperes) e a escala horizontal na região de polarização dire-
te na faixa de nanoampere para sistemas de silício, e na faixa de ta tem um máximo de 1 V. Tipicamente, portanto, a tensão atra-
poucos microamperes para o germânio. O termo saturação vem vés de um diodo polarizado diretamente será menor do que 1 V.
do fato de ela alcançar ser valor máximo rapidamente, e não Observe, também, como a corrente aumenta rapidamente além
mudar significativamente com o aumento do potencial de pola- do joelho da curva.
rização reversa, como mostrado nas curvas características do Com o auxílio da física do estado sólido, pode-se mostrar que
diodo da Fig. 1.19, para V0 < OV. As condições da polarização as características gerais de um diodo semicondutor são defini-
reversa são descritas na Fig. 1.17 para o símbolo do diodo e jun- das pela seguinte equação para as regiões de polarização direta e
ção p-n. Observe, sobretudo, que a direção de Is é contrária à seta reversa:
do símbolo. Observe também que o potencial negativo é conec-
tado ao material tipo p, e o potencial positivo ao material tipo n 1... ·. I_f,). ·. );;'... · $ . . ._ ·.r,'. . J(..·. _:..._.
.·_·_I(·_e_··_k_.·_v ri_ •. _.-.1_)_· (1.4)
- a diferença em letras grifadas para cada região revela uma con-
dição de polarização reversa. onde Is = corrente de saturação reversa
k = 11.600/7] com 7J = 1 para o Ge e 7J = 2 para o Si,
Polarização Direta (Vn > O V) em níveis relativamente baixos de corrente de dio-
do (ou abaixo do joelho da curva), e 7J = 1 para Ge
Uma condição de polarização direta, ou "ligada", é estabeleci- e Si para níveis maiores de corrente de diodo (no
da aplicando-se o potencial positivo ao material tipo p, e o po- trecho da curva em que a corrente aumenta de for-
tencial negativo ao material tipo n, conforme mostrado na Fig. ma mais acentuada)
1.18. Para referência futura, portanto: TK = Te+ 273°
Um gráfico da Eq. (1.4) é fornecido na Fig. 1.19. Se expan-
Um diodo semicondutor é polarizado diretamente quando dirmos a Eq. (1.4) na seguinte forma, o elemento de contribui-
a associação tipo p e positivo, e tipo n e negativo, for esta- ção para cada região da Fig. 1.19 pode ser facilmente descrito:
belecida.
ln = lsekVolTK - Is
A aplicação de um potencial de polarização direta V0 irá "for-
çar" elétrons no material tipo n e buracos no material tipo p a Para valores positivos de V0 , o primeiro termo da equação
recombinarem-se com os íons próximos da fronteira, e reduzir a acima irá crescer muito rapidamente, e o efeito do segundo termo
largura da região de depleção como mostrado na Fig. 1.18. O será desprezível. O resultado é que para valores positivos de V0 ,
fluxo de portadores minoritários resultante de elétrons do mate- / 0 será positivo e crescerá da forma y = e' mostrado na Fig. 1.20.

rial tipo p para o material tipo n (e buracos do material tipo n para Em V0 = OV, a Eq. (1.4) vem a ser / 0 = Is (eº - 1) = /s(l - 1)
o material tipo p) não muda em intensidade (pois o nível de con- OmA, como mostra a Fig. 1.19. Para valores negativos de V0 , o
dução é controlado essencialmente pelo número limitado de primeiro termo cairá rapidamente para abaixo de Is, resultando
impurezas no material), mas a redução da região de depleção em/0 = -Is, que é simplesmente alinha horizontal da Fig. 1.19.
resultou em um fluxo denso de majoritários através da junção. A interrupção verificada na curva característica em V0 = OV é
Um elétron do material tipo n agora "vê" uma barreira reduzida simplesmente devido à mudança brusca na escala de mA para µA.
na junção, devido à região de depleção reduzida e uma forte atra- Observe na Fig. 1.19 que os dispositivos disponíveis comerci-
ção para o potencial positivo aplicado ao material tipo p. À me- almente apresentam uma curva característica deslocada em poucas
dida que a polarização aplicada aumenta em amplitude, a região dezenas de volts para a direita. Isto se deve à resistência interna do
de depleção continua a diminuir em largura até que o fluxo de "corpo" e à resistência externa dos "contatos" de um diodo. Am-
elétrons consiga atravessar a junção, resultando em um aumento bas as resistências contribuem para o surgimento de uma tensão
exponencial da corrente conforme mostrado na região de polari- adicional para um mesmo nível de corrente, como determina a lei
10 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

·r··1
r . J
·-1' l ' ' ' ,--1· 1!
·r 1
:
1
l
····· r ·
1
1

,1-1··
r 1. :
1
1
t J
.li
T '

1
1 1 r
1 1 1
Polaridade e sentido
-i
r-r .,
1 ·· 1· · ·•.' definidos para o gráfico ..,,]

- ··1
. .r·::·1.... -1 ~~~~1--~~ 1
rI
. r ·r····
T
1

1 Região de polarização direta i


l
>OV, 10 >0 mA) .J
!

Fig. 1.19 Curva característica do diodo


semicondutor de silício.

de Ohm (V=IR). Em tempo: à medida que os métodos de produ- aproximações em uma próxima seção, descartando a necessida-
ção se aperfeiçoarem, esta diferença irá diminuir e a curva real do de de aplicar a Eq. (1.4), fornecendo, assim, uma solução com
diodo irá se aproximar da prevista pela Eq. (1.4). um mínimo de dificuldade matemática.
É importante observar a mudança em escala para os eixos Antes de deixar o assunto sobre o estado de polarização dire-
vertical e horizontal. Para valores positivos de / 0 , a escala é em ta, as condições para condução (o estado "on") são repetidas na
miliamperes, e a escala de corrente abaixo do eixo é em Fig. 1.21 com as polaridades de polarização necessárias, e adi-
microamperes (ou, possivelmente, nanoamperes). Para V0 , a es- reção resultante do fluxo de portadores majoritários. Observe
cala para valores positivos é em décimos de volts, e para valores sobretudo como a direção da condução combina com a seta do
negativos, a escala é em dezenas de volts. símbolo (conforme esclarecido para o diodo ideal).
Inicialmente, a Eq. (1.4) parece um tanto complexa, e pode
originar um medo injustificado de sua utilização em todas as
aplicações do diodo a seguir. Contudo, felizmente, serão feitas
Região Zener
Mesmo que a escala da Fig. 1.19 seja de dezenas de volts na re-
gião negativa, existe um ponto onde a aplicação de uma tensão
y

+ Vo
o---111J)i111----<o

o 2 3 X +
(Semelhante)

Fig. 1.20 Gráfico de e'. Fig. 1.21 Condições de polarização direta para um diodo semicondutor.
Diodos Semicondutores 11

são conectados em paralelo para aumentarem a capacidade de


fluxo de corrente.

Silício versus Germânio


Diodos de silício apresentam, em geral, TPI, correntes nominais
Vz I, e faixas de temperatura maiores do que os diodos de germânio.
TPI nominais para o silício podem situar-se na faixa de 1.000 V,
t ao passo que o valor máximo para o germânio é de aproximada-
mente 400 V. O silício pode ser usado para aplicações em que a
temperatura chega a aumentar em tomo de 200ºC (400ºF), en-
quanto que o germânio apresenta um valor nominal muito me-
nor (lOOºC). A desvantagem do silício, entretanto, comparado
com germânio, conforme indicado na Fig. 1.23, é a maior tensão
de polarização direta exigida para alcançar a região de condu-
Fig. 1.22 Regiào Zener. ção. Este valor é da ordem de O,7 V para diodos de silício dispo-
níveis comercialmente, e de 0,3 V para diodos de germânio, quan-
do arredondados os valores. O maior valor para o silício é devi-
também negativa resulta em uma mudança brusca na curva ca- do, em primeiro lugar, ao fator ri na Eq. (1.4). Este fator tem
racterística, conforme mostrado na Fig. 1.22. A corrente aumen- influência na determinação da forma da curva apenas em níveis
ta a uma taxa muito rápida na direção oposta da região de tensão de corrente muito baixos. Quando a curva inicia seu aumento
positiva. O potencial de polarização reverso que resulta desta vertical, o fator ri cai para 1 (o valor contínuo para germânio).
brusca mudança na curva característica é chamado potencial Isto é evidenciado pelas semelhanças nas curvas, uma vez alcan-
Zener, e é dado pelo símbolo V,. çado o potencial de offset. O potencial em que este aumento ocorre
À medida que a tensão através do diodo aumenta na região de é comumente chamado potencial de ojfset, limiar ou de disparo.
polarização reversa, a velocidade dos portadores minoritários Freqüentemente, a primeira letra de um termo que descreve uma
responsáveis pela corrente de saturação reversa / 5 também aumen- quantidade particular é usada na notação para aquela quantida-
ta. Eventualmente, suas velocidades e energia cinética associa- de. Contudo, para assegurar que não haja muita confusão com
outros termos, como tensão de saída (V0 ) e tensão direta (V,), a
da (WK = -t mv2), serão suficientes para liberarem portadores
notação V7 foi adotada para este livro, da palavra "limiar"
adicionais através das colisões com estruturas atômicas estáveis. (threshold).
Isto é, o resultado é um processo de ionização, pelo qual elétrons Em resumo:
de valência absorvem energia suficiente para deixarem o átomo
de origem. Estes portadores adicionais podem, então, ajudar no
processo de ionização, até que uma alta corrente de avalanche seja
estabelecida e a região de ruptura em avalanche determinada.
A região de avalanche (V2 ) pode ser aproximada do eixo ver-
tical, aumentando-se os níveis de dopagem nos materiais p e n. Obviamente, quanto mais próxima a parte ascendente da curva
Contudo, à medida que V2 diminui para níveis muito baixos, tais está do eixo vertical, mais "ideal" o sistema. Contudo as outras
como - 5 V, um outro mecanismo, chamado ruptura Zener, con- características do silício, quando comparadas com o germânio,
tribuirá para a mudança brusca na curva característica. Isto ocorre ainda o tomaram a melhor escolha para a maioria dos elementos
porque existe um forte campo elétrico na região de junção que disponíveis comercialmente.
pode perturbar as forças de ligação dentro do átomo e "gerar"
portadores. Embora o mecanismo de ruptura Zener seja um ele-
mento considerável apenas em níveis menores de V2 , esta mu- Efeitos de Temperatura
dança brusca na curva característica em qualquer nível é chama-
da região Zener, e os diodos que empregam apenas esta porção A temperatura pode ter um efeito marcante sobre as característi-
da curva de uma junção p-n são chamados diodos 'Zener. Eles são cas de um diodo semicondutor de silício, como verificado para o
descritos em detalhe na Seção 1.14. diodo de silício típico da Fig. 1.24. Concluiu-se, experimental-
A região Zener do diodo semicondutor descrito deve ser evi- mente, que:
tada para que a resposta de um sistema não seja completamente A corrente de saturação reversa / 5 terá seu valor em am-
alterada pela mudança brusca na curva característica nesta região plitude aproximadamente dobrado para cada aumento de
de tensão reversa. JOºC na temperatura.
O potencial máximo de polarização reversa permitido,
Não é incomum para um diodo de germânio, com Is na ordem
para que o diodo não entre na região Zener, é chamado
de 1 ou 2 µ,A em 25ºC, apresentar uma corrente de fuga de
de tensão de pico inversa (referida simplesmente como TPI
100 µ,A= 0,1 mA, a uma temperatura de lOOºC. Níveis de cor-
nominal) ou tensão de pico reversa (denotada por TPR
rente desta magnitude na região de polarização reversa iriam cer-
nominal).
tamente questionar nossa desejada condição de circuito-aberto
Se uma aplicação exige uma TPI nominal maior do que a na região de polarização reversa. Valores típicos de Is para silí-
permitida para um único dispositivo, alguns diodos de mesmas cio são muito menores do que os de germânio, para os mesmos
características podem ser conectados em série. Diodos também níveis de corrente e potência, conforme Fig. 1.23. O resultado é
12 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

/0 (mA)

30

25

Ge Si
20

15

10

Is (Si)= 0,01 µA= 10 nA


Vz (Si) i Vz (Ge) i
2µA
Is (Ge)
3µA

Si Ge

Fig. 1.23 Comparação dos diodos semicondutores de Si e Ge.

que, mesmo em altas temperaturas, os níveis de / 5 para diodos de desenvolvimento e utilização em projetos. Fundamentalmente,
silício não alcançam os altos níveis obtidos para germânio- uma um circuito-aberto equivalente na região de polarização reversa
característica muito importante que explica por que os dispositi- é mais bem caracterizado em qualquer temperatura com o silício
vos de silício desfrutam um nível significativamente maior de do que com o germânio.

/ 0 (mA)

(392ºF) (-103ºF)
200°C lOOºC 25°C -75ºC
12 ·rT
r I
!...,._

8
__J"-
.. n"v,n"--"''i
~ !
6 ···/~·····························i
·· ······ · ·!

+ ;
(temperatura ambiente)
l
4 f ....
,~ ,, '~,
! i
,~.,,.-i
j
mM,nH'fm-n ,m-•,nu .... H~~
(V) i
60 50 40 30 20 10 ""m'""' ""' ...
i
"""+"""

......................
---- ------~-------------
----.--
#
1,5 2 Vv (V)

( :
1
--ª-----"" 2
3
1 :
1 :
1

1 : (µA)
Fig. 1.24 Variação nas curvas caracteásticas
do diodo com a mudança na temperatura.
Diodos Semicondutores 13

- ln(mA)
em um nível de corrente pré-ajustado (tipicamente, poucos mi-
liamperes).

EXEMPLO 1.1
Determine os níveis de resistência de para o diodo da Fig. 1.26 em
(a) / 0 = 2 mA
(b) /D= 20 mA
____,..o (e) V0 = -lOV
Vn(V)

ln(mA)
Fig. 1.25 Determinação da resistência de de um diodo, em um ponto de opera-
ção particular. 30

-silício
Os crescentes níveis de Is com a temperatura são responsáveis ·20 ---------
pelos diferentes níveis da tensão de limiar, conforme mostrado
na Fig. 1.24. Aumente simplesmente o nível de Is na Eq. (1.4), e
observe que o aumento na corrente de diodo é antecipado. Natu-
10
ralmente, o valor de TK também aumentará na mesma equação,
mas o aumento de Is irá prevalecer sobre a menor mudança per-
centual de TK. À medida que a temperatura aumenta, as curvas
-lOV 2
características estão, na verdade, se tomando mais "ideais", mas
concluiremos, quando analisarmos as folhas de especificações, -+-----i--º 1 µA o,s o,s Vn (V)
que temperaturas além da faixa normal de operação podem ter
um efeito muito prejudicial sobre a potência máxima e níveis de
corrente do diodo. Na região de polarização reversa, a tensão de Fig. 1.26 Exemplo J. 1.
ruptura cresce com a temperatura, mas observe o aumento inde-
sejável na corrente de saturação reversa. Solução

1. 7 NÍVEIS DE RESISTÊNCIA (a) Em / 0 = 2 mA, V = 0,5 V (da curva) e


0

À medida que o ponto de operação de um diodo move-se de uma


Ro = Vo = 0,5 V = 250 O
lo 2mA
região para outra, a resistência do diodo também será alterada
devido à forma não-linear da curva característica. Será demons- (b) Em/0 = 20 mA, V0 = 0,8 V (da curva) e
trado nos próximos parágrafos que o tipo da tensão ou sinal apli- VD _ O 8 V
cado irá definir o nível de resistência de interesse. Três níveis Ro -- - - ' = 40 .O
[D 20 mA
diferentes introduzidos nesta seção irão aparecer novamente,
quando analisarmos outros dispositivos. É, portanto, essencial que (e) Em V0 = -10 V, / 0 = -Is= -lµA (da curva) e
a sua determinação seja claramente compreendida. VD lOV
RD = - = - - = lOMO
/D 1 µA
Resistência DC ou Estática
reforçando claramente alguns dos comentários anteriores, com
A aplicação de uma tensão de num circuito contendo um diodo respeito aos níveis de resistência de de um diodo.
semicondutor resultará em um ponto de operação sobre a curva
do diodo inalterado com o tempo. A resistência do diodo no ponto
de operação pode ser encontrada simplesmente encontrando-se Resistência AC ou Dinâmica
os valores correspondentes de V0 e / 0 , conforme mostrado na Fig.
1.25, aplicando-se a seguinte equação: É óbvio da Eq. 1.5 e do Exemplo 1.1 que a resistência de de um
diodo é independente da forma da curva característica na região que
circunda o ponto de interesse. Se uma senóide, ao invés de uma
(1.5) entrada de, for aplicada, a situação mudará completamente. A en-
trada variando moverá o ponto de operação instantâneo para cima
Os níveis de resistência de no joelho e abaixo deste serão e para baixo em uma região da curva, definindo, portanto, uma
maiores do que os níveis de resistência obtidos para a região mudança específica na corrente e tensão, conforme mostrado na Fig.
de aumento vertical da curva. Os níveis de resistência na re- 1.27. Sem variações da tensão aplicada, o ponto de operação seria
gião de polarização reversa serão, naturalmente, bem maiores. o ponto Q, que aparece na Fig. 1.27 determinado pelos níveis de
Uma vez que, em geral,.ohmímetros empregam uma fonte de aplicados. A designação do ponto Q é obtida da palavra quiescen-
corrente relativamente constante, a resistência determinada será te, que significa "nível invariável ou estacionário".
14 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

(b) Determine a resistência ac em /0 = 25 mA


(e) Compare os resultados das letras (a) e (b) com as resistên-
cias de em cada nível de corrente.
lo(mA)
Curva caractcástica do diodo ~

r
Ili"
.j_.,,.,-
..
·· · f
Reta tangente

Ponto Q
f (operação de)
30 -------------------------

l :,
::
.
;
~

20
-------------------

----- - ----- -- - --- - - .. ··-- -,


ti.~

15

-·/ 10

Fig. 1.27 Definição da resistência dinãmica ou ac.

Uma linha reta desenhada tangente à curva através do ponto o 0,1 012 o,3 o,4 o,s o,6 o,7 o,s 0,9 1 V0 (V)
'-'-v-'
Q, conforme mostrado na Fig. 1.28, definirá uma variação parti- L\Vd
cular da tensão e corrente, e pode ser usada para determinar a
resistência ac ou dinâmica para esta região da curva característi- Fig. 1.29 Exemplo 1.2.
ca do diodo. Um esforço deveria ser feito para manter a variação
em tensão e corrente tão pequena quanto possível, e eqüidistante Solução
de cada lado do ponto Q. Na forma de equação,
(a) Para / 0 = 2 mA; a linha tangente em / 0 = 2 mA foi determi-
onde a significa uma variação nada como mostra a figura, e uma amplitude de 2 mA aci-
(1.6)
finita do parâmetro. ma e abaixo da corrente de diodo especificada foi escolhi-
da. Em/0 = 4 mA, V0 = 0,76 V e em/0 = OmA, V0 = 0,65
Quanto mais íngreme a inclinação, menor o valor de à Vd para a V. As variações resultantes em corrente e tensão são
mesma variação em Âld, e, conseqüentemente, menor a resistên-
cia. A resistência ac na região de aumento vertical da curva ca- Âld = 4 mA - O mA = 4 mA
racterística é, portanto, bem pequena, enquanto que a resistência e áVd = 0,76 V - 0,65 V= 0,11 V
ac é muito maior em níveis de corrente baixos.

e a resistência ac:

,d____
_ ÃVd _ 0,11 V -
áld 4 mA
_ l7 S
'
un

(b) Para / 0 = 25 mA; a linha tangente em / 0 = 25 mA foi dese-


nhada sobre a figura, e uma amplitude específica de 5 mA
acima e abaixo da corrente de diodo foi escolhida. Em 10 =
30 mA, V0 = 0,8 V e em 10 = 20 mA, V0 = 0,78 V. As
mudanças resultantes na corrente e tensão são

Ald = 30 mA - 20 mA = 10 mA
Fig. 1.28 Determinação da resistência ac no ponto Q. e avd = 0,8 V - 0,78 V= 0,02 V

e a resistência ac é
EXEMPLO 1.2
Para a curva característica da Fig. 1.29: rd = AVd = 0,02 V = 2 O
(a) Determine a resistência ac em / 0 = 2 mA áld 10 mA
Diodos Semicondutores 15

(c) Para/0 = 2 mA, V0 = 0,7 V e

Rv = Vv = 0,7 V= 350 !l ou (1.7)


10 2mA
muito maior do que o valor de rd de 27,5 n. O significado da Eq. (1.7) deve ser muito bem compreendido.
Para / 0 = 25 mA, V0 = 0,79 V e Ele indica que a resistência dinâmica pode ser encontrada sim-
plesmente substituindo-se o valor quiescente da corrente de dio-
R = Vv = 0,79 V = 31 62 !l do na equação. Não há necessidade de as curvas estarem dispo-
0 10 25 mA ' níveis, ou de nos preocuparmos em desenhar linhas tangentes,
conforme definido pela Eq. (1.6). É importante ter em mente, con-
muito maior do que o valor rd de 2 n.
tudo, que a Eq. (1.7) é precisa apenas para valores de / 0 na re-
gião de aumento vertical da curva. Para valores menores de / 0 , r,
= 2 (silício) e o valor de rd obtido deve ser multiplicado por um
Encontramos a resistência dinâmica graficamente, mas exis-
fator de 2. Para valores pequenos de / 0 abaixo do joelho da cur-
te uma definição básica em cálculo diferencial que diz:
va, a Eq. (1.7) toma-se inadequada.
A derivada de uma função em um ponto é igual à inclina- Todos os níveis de resistência determinados até o momento
ção da reta tangente traçada naquele ponto. foram determinados para a junção p-n, e não incluem a resis-
tência do material semicondutor (chamada resistência de cor-
A Eq. (1.6) definida pela Fig. 1.28, é, desse modo, determinada po) e a resistência introduzida pela conexão entre o material se-
essencialmente pela derivada da função no ponto Q de opera- micondutor e o condutor metálico externo (chamada resistên-
ção. Se encontrarmos a derivada da Equação geral (1.4) para o cia de contato). Estes níveis adicionais de resistência podem ser
diodo semicondutor com respeito à polarização direta aplicada, incluídos na Eq. (1.7), somando-se a resistência denotada por
e então invertermos o resultado, teremos uma equação para are- r., como aparece na Eq. (1.8). A resistência r,d inclui, portanto,
sistência dinâmica ou ac naquela região. Isto é, tomando-se a a resistência dinâmica definida pela Eq. 1.7 e a resistência r.
derivada da Eq. (1.4) com respeito à polarização aplicada, re- introduzida.
sulta em

ohms (1.8)

e O fator r. pode variar tipicamente de O, 1 n, em sistemas de


d/0 k alta potência, para 2 n, em alguns diodos de baixa potência de
- - = -:::-<Jo + Is) uso geral. Para o Exemplo 1.2, a resistência ac em 25 mA foi
dVo TK calculada como sendo de 2 O.. Usando a Eq. (1.7), temos
realizando algumas operações básicas do cálculo diferencial. Em rd = 26 mV 26 mV = l 04 !l
geral, / 0 ;,:,, Is na região de inclinação vertical da curva e lo 25 mA '
d/0
--==!
k
-Iv A diferença em tomo de 1 n pode ser considerada devido à con-
dV0 TK tribuição de r•.
Para o Exemplo 1.2, a resistência ac em 2 mA foi calculada
Substituindo-se r, = 1 para Ge e Si na região de inclinação ver-
como sendo de 27,5 O.. Usando a Eq. (1.7), mas multiplicando-
tical da curva, obtemos
se por um fator de 2 para esta região (no joelho da curvar, = 2),
k = 11.600 = 11.600 = 1l 600 26 mV)
T/ 1 . rd = 2( lo = 2 (26 mV)
2 mA = 2(13 fi) = 26 !l

e à temperatura ambiente A diferença de 1,5 n pode ser considerada devido à contribui-


ção r•.
TK = Te+ 273º = 25º + 273° = 298º Na verdade, a determinação de rd com um elevado grau de
precisão a partir da curva característica, usando-se a Eq. ( 1.6), é,
na melhor das hipóteses, um processo difícil, e os resultados
de modo que 11.600
--==! 38 93 devem ser tratados com um pouco de desconfiança. Nos níveis
298 ' baixos de corrente de diodo, o fator r. é normalmente pequeno o
suficiente comparado com rd para permitir que se despreze o seu
impacto sobre a resistência de diodo ac. Nos níveis altos de cor-
e d/0 rente, o nível de r. pode aproximar-se de rd, mas uma vez que
dVo = 38,93/0 existirão freqüentemente outros elementos resistivos de magni-
tude muito maior em série com o diodo, assumiremos neste li-
Considerando o resultado para definir uma relação de resistên- vro que a resistência ac só é determinada por rd e o impacto de r.
cia (R = Vil) nos dá será ignorado, a menos que se especifique o contrário. Avanços
tecnológicos de anos recentes sugerem que o nível de r. conti-
nuará a diminuir de valor e tomar-se-á eventualmente um fator
que, na certa, pode ser ignorado em comparação a rd.
16 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

A discussão acima concentrou-se somente na região de po- sição do alto valor em 2 mA para o baixo valor em 17 mA. A
larização direta. Na região de polarização reversa, assumiremos Eq. (1.9) define um valor que é considerado a média dos valo-
que a variação de corrente ao longo da linha /" de OV à região res ac de 2 a 17 mA. O fato de um nível de resistência poder ser
Zener, é nula, e a resistência ac resultante usando-se a Eq. (1.6) usado para esta ampla região da curva prova a utilidade da defi-
é suficientemente alta para permitir a aproximação de circuito- nição de circuitos equivalentes para um diodo em uma seção
aberto. posterior.

Resistência AC Média Quadro Resumo


Se o sinal de entrada for suficientemente grande para produzir a O Quadro 1.2 foi desenvolvido para reforçar as importantes con-
amplitude mostrada na Fig. 1.30, a resistência associada do dis- clusões das últimas páginas, e enfatizar a diferença entre os vá-
positivo para esta região é chamada resistência ac média. A re- rios níveis de resistência. Conforme indicado anteriormente, o
sistência ac média é, por definição, determinada pela linha reta conteúdo desta seção é a base para os cálculos de resistência a
desenhada entre as duas interseções estabelecidas pelos valores serem realizados nas seções e capítulos posteriores.
máximo e mínimo da tensão de entrada. Na forma de equação
(observe Fig. 1.30).
1.8 CIRCUITOS EQUIVALENTES DE
DIODO
(1.9)
Um circuito equivalente é uma combinação de elementos
Para a situação indicada pela Fig. 1.30, adequadamente escolhidos para melhor representarem as
características reais de um dispositivo, sistema ou região
ll.I d = 17 mA - ~ mA = 15 mA particular de operação.
e ll. Vd = O, 725 V - 0,65 V = 0,075 V Em outras palavras, uma vez definido o circuito equivalente,
o símbolo do dispositivo pode ser removido do esquema, e o cir-
cuito equivalente inserido em seu lugar sem afetar severamente
0,075 V= S O o comportamento real do sistema. Via de regra, o resultado é uma
com
configuração que pode ser resolvida usando-se técnicas tradicio-
15 mA
nais de análise de circuito.
Se a resistência ac (rd) fosse determinada em lv = 2 mA, seu
valor seria maior do que 5 O, e, se determinada em 17 mA, se-
ria menor. Entre estes valores, a resistência ac realizaria a tran- Circuito Equivalente Linear por Partes
Uma técnica para se obter um circuito equivalente para o diodo
é aproximar as características do dispositivo por segmentos de
reta, conforme mostrado na Fig. 1.31. O circuito equivalente
resultante é naturalmente chamado circuito equivalente li-
near por partes. Seria óbvio da Fig. 1.31 que os segmentos de
20 reta não resultam em uma reprodução exata das característi-
cas reais, em especial na região do joelho. Contudo os segmen- .
tos resultantes estão suficientemente próximos da curva real
para estabelecerem um circuito equivalente, fornecendo uma
15 excelente primeira aproximação do comportamento real do sis-
tema. Para a região de inclinação da curva equivalente, a re-
sistência ac média, como introduzida na Seção 1.7, é o nível
de resistência que aparece no circuito equivalente da Fig. 1.32
próximo ao dispositivo real. Em essência, ela define o nível
de resistência do dispositivo quando ele está no estado "liga-
do". O diodo ideal é incluído para estabelecer que só existe uma
direção de condução através do dispositivo e que uma condi-
ção de polarização reversa resulta no estado de circuito-aber-
5 to para o circuito. Como o diodo semicondutor de silício não
alcança o estado de condução até Vv atingir 0,7 V para polari-
zação direta (conforme mostrado na Fig. 1.31 ), uma bateria V,
opondo-se à direção de condução deve aparecer no circuito
equivalente, conforme mostrado na Fig. 1.32. A bateria espe-
O 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 cifica simplesmente que a tensão através do sistema deve ser
y maior do que a tensão limiar da bateria para que a condução
áVd através do dispositivo na direção imposta pelo diodo ideal
possa ser estabelecida. Quando isso ocorre, a resistência do
Fig. 1.30 Determinação da resistência ac média entre os limites indicados. diodo terá o valor específico de rav·
Diodos Semicondutores 17

QUADRO 1.2 Níveis de Resistência

Características Determinação
Tipo Equação Especiais Gráfica

De Definido como um ponto


ou R = Vo sobre a curva característica
estática O lo

Ac
rd=-=--
avd 26mV Definido por uma reta
ou tangente no ponto Q
11Id lo
dinâmica

ac médio ~ = avdl Definido por uma linha reta


av l1J
d pt. a pt. entre os limites de operação

Contudo tenha em mente que V1 no circuito equivalente não é ser discutida na Seção 1.9). Por exemplo, para um diodo semi-
uma fonte de tensão independente. Se um voltímetro for coloca- condutor de silício, se IF = 10 mA (uma corrente de condução
do nos terminais de um diodo isolado, sobre uma bancada de direta para o diodo) em V0 = 0,8 V, sabemos que é necessário
laboratório, não será obtida uma leitura de 0,7 V. A bateria re- um deslocamento de O, 7 V antes que a curva característica do
presenta apenas o nível horizontal da curva característica que deve dispositivo se eleve e
ser atingido para estabelecer a condução.
Em geral, o nível aproximado de r.v pode ser determinado de avd I o,8 v - 0,1 v 0,1 V =lOO
um ponto de operação específico da folha de especificações (a rav = à/d pt.apt. = 10 mA - O mA lOmA
lD(mA) conforme obtido para Fig. 1.30.

Circuito Equivalente Simplificado


10 ···--------
Para a maioria das aplicações, a resistência r.v é suficientemente
pequena para ser desprezada em comparação aos outros elementos
do circuito. A retirada de rav do circuito equivalente é o mesmo que
dizer que a curva característica do diodo apresenta a forma mostra-
da na Fig. 1.33. Na verdade, esta aproximação é empregada amiú-
de na análise de um circuito semicondutor, como demonstrado no
1 'av
1
1
1
1
1
1

....•.
1
1
1 VD
1
o 0,7V 0,8 V VD (V) !,___,-11.,'"'""··---o =;>-
(VT)

Fig. 1.31 Definição do circuito equivalente linear, usando-se segmentos de reta


para aproximar a curva característica. Fig. 1.32 Componentes do circuito equivalente linear.
18 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

+ Vo

av=ÜÜ

Fig. 1.33 Circuito equivalente simplificado para o diodo semicondutor de silício.

Cap. 2. O circuito equivalente reduzido aparece na mesma figura. 1.9 FOLHAS DE ESPECIFICAÇÕES DO
Isto indica que um diodo de silício polarizado diretamente em um
sistema eletrônico, sob condições de, tem uma queda de O, 7 V atra- DIODO
vés dele no estado de condução, em qualquer nível da corrente de
diodo (para valores nominais, naturalmente). Os dados sobre dispositivos semicondutores específicos são nor-
malmente fornecidos pelo fabricante de duas formas. Mais freqüen-
temente, trata-se de uma breve descrição, limitada talvez a uma
Circuito Equivalente Ideal página. O outro modo é uma análise completa das características,
usando-se gráficos, desenhos, tabelas e assim por diante. Em todo
Agora que r,v foi removido do circuito equivalente, vamos mais caso, entretanto, existem dados específicos dos dados que devem
a frente e estabelecer que um nível de 0,7 V pode muitas vezes ser incluídos para a utilização correta do dispositivo. São eles:
ser ignorado em comparação ao nível de tensão aplicada. Neste
caso, o circuito equivalente será reduzido para um diodo ideal 1. A tensão direta VF (para uma corrente e temperatura específicas).
somente, conforme mostrado na Fig. 1.34, com sua curva carac- 2. A corrente direta máxima IF (para uma temperatura específica).
terística. No Cap. 2, veremos que esta aproximação é muitas vezes e
3. A corrente de saturação reversa 1. (para uma tensão tempe-
feita sem perda considerável da precisão. ratura específicas).
Na indústria, uma substituição popular para a expressão "cir- 4. A tensão reversa nominal [IPI ou TPR ou T(BR), onde BR vem
cuito equivalente de diodo" é modelo de diodo - um modelo, do termo "ruptura" (breakdown) (a uma temperatura específica)].
por definição, é representação de um dispositivo, objeto, sis- 5. O nível máximo de dissipação de potência para uma tempe-
tema existente e assim por diante. De fato, esta terminologia ratura em particular.
substituta será usada quase que exclusivamente nos capítulos 6. Níveis de capacitância (conforme definido na Seção 1.10).
seguintes. 7. Tempo de recuperação reverso trr ( conforme definido na Se-
ção 1.11).
8. Faixa de operação de temperatura.
Quadro Resumo
Dependendo do tipo de diodo considerado, dados adicionais
Para elucidar, os modelos de diodo empregados para uma faixa
também podem ser fornecidos, tais como faixa de freqüência,
de parâmetros do circuito e aplicações· são fornecidos no Qua-
nível de ruído, tempo de chaveamento, níveis de resistência tér-
dro 1.3, com suas características lineares aproximadas. Cada mica e valores de pico repetitivos. Dependendo da aplicação, a
modelo será mais bem analisado no Cap. 2. Existem sempre ex-
importância do dado será muitas vezes aparente. Se a potência
ceções às regras gerais, mas é completamente seguro dizer que o
máxima ou dissipação nominal é também fornecida, ela é consi-
modelo equivalente simplificado será empregado com mais fre- derada igual ao seguinte produto:
qüência na análise de sistemas eletrônicos, enquanto que o dio-
do ideal será aplicado amiúde na análise de sistemas de alimen-
tação de potência, onde tensões maiores são encontradas. r. Pn"", · ==Volt) (1.10)

o
Fig. 1.34 Diodo ideal e sua curva característica.
Diodos Semicondutores 19

QUADRO 1.3 Circuitos Equivalentes de Diodo (Modelos)

Tipo Condições Modelo Características

Modelo linear
o

Modelo simplificado o

Sistema ideal R""' >> rav


E...,>> V, o

onde lv e Vv são a corrente e tensão do diodo em um ponto de D: Corrente direta contínua Irmáx = 500 mA (observe Ir ver-
operação particular. sus a temperatura na Fig. 1.36).
Se utilizarmos o modelo simplificado para determinada apli- E: Faixa de valores de VF para IF = 200 mA. Observe que ele
cação (um exemplo comum), podemos substituir Vv = V,= 0,7 excede V,= 0,7 V para ambos os dispositivos.
V para o diodo de silício na Eq. (1.10), e determinar a dissipação F: Faixa de valores de VF paralF = 1,0 mA. Observe, neste caso,
de potência resultante, para uma comparação com a potência como os limites superiores giram em tomo de 0,7 V.
máxima nominal. Isto é, G: Em v. = 20 V e para uma temperatura de operação típica
I. = 500 nA = 0,5 µA, enquanto que para uma tensão
I.·• ftti~sipada ;; {O, 7 Y)ID .· J (1.11) reversa maior, I. cai para 5 nA = 0,005 µA.
H: O nível de capacitância entre os terminais é em tomo de 8
Uma cópia exata dos dados fornecidos pela Fairchild Camera pF para o diodo BAY73, em v. = Vv = O V (nenhuma
and Instrument Corporation para seus diodos de alta tensão/bai- polarização) e uma freqüência de operação de 1 MH,.
xa fuga BAY73 e BA 129 aparece nas Figs. 1.35 e 1.36. Este I: O tempo de recuperação reverso é 3 µs para a lista de con-
exemplo representa a lista detalhada de dados e características. dições de operação.
O termo retificador é aplicado a um diodo quando ele é usado
em um processo de retificação, a ser descrito no Cap. 2. Algumas curvas da Fig. 1.36 empregam a escala log. Uma
Tópicos específicos da folha de especificações foram realça- breve investigação da Seção 11.2 iria ajudar na leitura dos gráfi-
dos, com uma letra de identificação correspondente à seguinte cos. Observe na figura da esquerda superior como Vr aumentou
descrição: de 0,5 V para mais de 1 V, à medida que IF aumenta de 10 µA
para mais de 100 mA. Na figura abaixo, vemos que a corrente de
A: As tensões de polarização reversa (TPRs) mínimas para cada saturação reversa varia consideravelmente com níveis crescen-
diodo em uma corrente de saturação reversa específica. tes de v., mas permanece abaixo de 1 nA à temperatura ambien-
B: Características de temperatura como indicado. Observe o v.
te, acima de = 125 V. Conforme observado na figura ao lado,
uso da escala Celsius e a grande faixa de utilização [lem- entretanto, nota-se como a corrente de saturação reversa aumen-
bre-se de que 32ºF = OºC = congelamento (H20) e 212ºF ta rapidamente com o aumento da temperatura (conforme pre-
= lOOºC = ebulição (H20)]. visto antes).
C: Nível máximo de dissipação de potência Pv = VJv = 500 Na figura à direita, no alto, observe como a capacitância dimi-
mW. A potência máxima nominal diminui a uma taxa de nui com o aumento na tensão de polarização reversa, e, na figura
3,33 mW por grau de aumento na temperatura, acima da abaixo, observe que a resistência ac (rd) vale apenas cerca de 1 O
temperatura ambiente (25ºC), conforme claramente indi- em 100 mA, e aumenta para 100 O em correntes menores do que 1
cado pela curva de redução de potência da Fig. 1.36. mA (como esperado da discussão das seções anteriores).
20 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

DIFFUSED SILICON PLANAR

A--t-- D0-35 OUTLINE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1)

8--t----_-,
Temperatures IJ
i~) MIN

0,180(4,57)
J40(3,S6)
C---1-----

Maximum Voltage and Currents


WIV Working Inverse Voltage BAY73 IOOV
BAl29 180V
0,021 (0,S3Jl
10 Average Reclified Current 200mA ---DIA
0,019 (0,483) o,o7S (1,91)
D---11---------!l~fi_:~.:M.~-~l,l;iil!IIIIIIIIIIIIJllll!llillll~llffilllllll!IIIII!.. (),060 (l,Sl> DIA
ir Peak RepétiüvêForwàrd Currerii 600 nÍA
NOTES:
Coppc-r clad steel leads, tin plated
Peak Forward Surge Current Gold plated leads available
Pulse Width = 1 s l,OA Hennetically sealed glass package
Pulse Width = 1 µs 4,0A Package weight is 0, 14 aram

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (2SºC

SYMBOL CHARACTERISTIC TEST CONDITIONS

E ---11----+- V F

G ---11----t--lR Reverse Current-----t----

BV Breakdown Voltage

NOTES
l Thcsç ratings are limiting valuc~ abovc which lhe scrvicea~ilicy of thc diode muy hc impuircd.
:? 'Tlk.~ are stcady slalc limits. The fuc1ory should bc consult1..-d on applica1ions involving pulses or low dury-cyclc opcrulion.

Fig. 1.35 Características elétricas dos diodos de alta tensão e baixa fuga, Fairchild BAY73-BA 129. (Cortesia da Fairchild Camera and Instrument Corporation.)*

A corrente retificada média, corrente direta do pico repetiti- possuindo este nível por um breve período de tempo, seu va-
vo e a corrente direta de surto de pico, apresentadas na folha de lor pode ser maior do que o nível contínuo.
especificações, são definidas a seguir: 3. Corrente direta de surto de pico. Em períodos durante o
chaveamento, mau funcionamento e assim por diante, existi-
1. Corrente retificada média. Um sinal retificado de meia onda rão correntes muito altas através do dispositivo, para interva-
(descrito na Seção 2.8) tem um valor definido por I.v = 0,318 los muito curtos de tempo (que não são repetitivos). Estepa-
/pico· A corrente média nominal é menor do que as correntes contí-
nuas ou direta de pico repetitiva, pois uma corrente de meia onda
terá valores instantâneos muito maiores do que o valor médio. *Os termos originais em inglês contidos nesta figura não foram traduzidos porque o que se
encontra na prática, no laboratório, são especificações escritas em inglês, com raras exce-
2. Corrente direta de pico repetitiva. Este é o máximo valor ins- ções. Deseja-se, com isto, que o leitor se acostume aos termos técnicos que ele encontrará
tantâneo da corrente direta repetitiva. Observe que, uma vez na sua vida profissional. (N. do T.)
Diodos Semicondutores 21

CURVAS TÍPICAS DE CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS


à temperatura ambiente de 25"C, a menos que assinalado de outra forma

TENSÃO DIRETA VERSUS CORRENTE DIRETA VERSUS CAPACITÁNCIA VERSUS


CORRENTE DIRETA COEFICIENTE DE TEMPERATURA TENSÃO REVERSA
soo
<e <e

l
1
1
s
e
.
:a
;;
·)
...e à
8 0,1 u
1
1
..:-
0,01 '---'--..._-'-_ _..__...,__ _.
012 o,4 o,6 o,s 110 1,2 º·º\ 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VF - Tensão direta - volts TC -Coeficiente de temperatura - mV/"C V8 - Tensão reversa - volts

TENSÃO REVERSA VERSUS CORRENTE REVERSA VERSUS IMPEDÁNCIA DINÂMICA VERSUS


CORRENTE REVERSA COEFICIENTE DE TEMPERATURA CORRENTE DIRETA

< :: : ~~f=~~5-~-~ .. +· " ==-- <e


"1
1
..~
>
s
i..
... o,,
E .
=
~
u
~
u 0,1

....
1 1
..... .....
25 50 75 100 125 110 .10 100 lK lOK
VR - Tensão reversa - volts TA - Temperatura ambiente - 'C R0 - Impedância dinâmica - O

CORRENTE RETIFICADA MÉDIA E


CORRENTE DIRETA VERSUS
CURVA DE REDUÇÃO DE PO'ftNCIA TEMPERATURA AMBIENTE
~ 500 .--~-,-··,---......,-·-,----,-,····, soo ......~-.-,-.,--,--,-,--,
e
.
·g
1 400
~
<U

8. 300 1

~
,g 200
ál'

! 1.
100

ro..."' 0o 2s so 75 10012s1so11s200 0o 25 so 75 10012s 1so 115200

TA - Temperatura ambiente - 'C TA - Temperatura ambiente -°C

Fig. 1.36 Características dos diodos de alta tensão Fairchild BAY73-BA 129. (Cortesia da Fairchild Camera and lnstrument Corporation.)
22 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

C(pF)

Fig. 1.37 Capacitância de transição e difusão versus polarização


(V) -25 -20 -15 -10 -5 o 0125 0,5 aplicada para um diodo de silício.

râmetro define o valor máximo e o intervalo de tempo permi- Embora o efeito descrito acima também esteja presente na re-
tido para estes surtos no nível de corrente. gião de polarização direta, ele é ofuscado pelo efeito da capaci-
tância diretamente dependente da taxa em que a carga é injetada
Quanto mais se toma contato com as folhas de especificações, mais para as regiões fora da região de depleção. Em outras palavras,
"amigáveis" elas se tomarão, especialmente quando o efeito de cada depende diretamente da corrente resultante do diodo. Níveis al-
parâmetro é claramente compreendido para a aplicação sob análise. tos de corrente resultam em níveis altos de capacitância de difu-
são. Contudo níveis altos de corrente geram níveis reduzidos de
1.10 CAPACITÂNCIA DE TRANSIÇÃO resistência associada (a ser demonstrado brevemente), e a cons-
tante de tempo resultante ( T = RC), que é muito importante em
E DIFUSÃO aplicações de alta velocidade, não se torna excessiva.
Os efeitos capacitivos descritos acima são representados por
Dispositivos eletrônicos são inerentemente sensíveis a freqüên- um capacitor em paralelo com o diodo ideal, conforme mostra-
cias elevadas. Muitos efeitos capacitivos de derivação podem ser do na Fig. 1.38. Para aplicações de baixa ou média freqüência
ignorados para freqüências menores, pois o valor da reatância Xc (exceto alta potência), entretanto, o capacitor não é normalmen-
= 1/2 nfC é muito grande (circuito-aberto equivalente). Este te incluído no símbolo que representa o diodo.
efeito, entretanto, não pode ser ignorado para freqüências muito
altas. Xc tornar-se-á suficientemente pequeno devido ao grande
valor de f, que introduz um caminho de baixa reatância. No dio- 1.11 TEMPO DE
do semicondutor p-n, existem dois efeitos capacitivos a serem REESTABELECIMENTO
considerados. Ambos os tipos de capacitância estão presentes nas
regiões de polarização direta e reversa, mas uma excede a outra REVERSO
dependendo da região de operação considerada.
Existem certos tipos de dados normalmente apresentados nas
Na região de polarização reversa, temos a capacitância folhas de especificações do diodo, fornecidas pelos fabrican-
da região de transição ou de depleção (CT), enquanto que tes. Um parâmetro ainda não considerado é o tempo de reesta-
na região de polarização direta, temos a capacitância de
belecimento reverso, denotado por trr· No estado de polariza-
difusão ( C0 ) ou de acwnulação.
ção direta, foi mostrado anteriormente que existe grande quan-
Lembre-se de que a equação básica para a capacitância de um tidade de elétrons do material tipo n avançando em direção ao
capacitor de placas paralelas é definida por C = eA/d, onde E é a material tipo p e um grande número de buracos no tipo n - uma
permissividade do dielétrico (isolante) entre as placas de área A, se- exigência para condução. Os elétrons no tipo p e buracos avan-
paradas por uma distância d. Na região de polarização reversa existe çando em direção ao material tipo n estabelecem um grande nú-
uma região de depleção (livre de portadores) que se comporta essen- mero de portadores minoritários em cada material. Se a tensão
cialmente como um isolante entre as camadas de carga opostas. Uma aplicada fosse invertida para estabelecer uma situação de pola-
vez que a largura de depleção (d) aumentará com a elevação dopo- rização reversa, gostaríamos de ver o diodo mudar instantanea-
tencial de polarização reverso, a capacitância de transição resultante mente do estado de condução para o estado de não-condução.
diminuirá, conforme a Fig. 1.37. O fato de a capacitância depender Contudo, devido ao grande número de portadores minoritários
do potencial de polarização reverso empregado tem aplicação em em cada material, o comportamento do diodo será invertido con-
alguns sistemas eletrônicos. De fato, no Cap. 20, um diodo será in- forme mostrado na Fig. 1.39, e ficará neste nível mensurável
troduzido com operação totalmente dependente deste fenômeno. no período de tempo ts (tempo de armazenamento) exigido para
os portadores minoritários voltarem a seu estado de portador
majoritário no material oposto. Em resumo, o diodo manter-se-
CT ou CD
á no estado de curto-circuito com uma corrente /reversa determi-
nada pelos parâmetros do circuito. Eventualmente, quando esta
o__._,___.[!JN-------'------o fase de armazenamento tiver passado, a corrente será reduzida
ao nível associado com o estado de não-condução. Este segun-
Fig. 1.38 Inclu~:to do efeito da capacitância de transi~ào ou difusão no diodo do período de tempo é denotado por t1 (intervalo de transição).
semicondutor. O tempo de reestabelecimento reverso é a soma destes dois
Diodos Semicondutores 23

Função de Teste do Diodo


Mudança de estado ( on-;, off)
la;re1o / exigida para t = t1 Um medidor com display digital,. com a alternativa de teste do
diodo, aparece na Fig. 1.42. Observe o pequeno símbolo de dio-
do como opção, abaixo do seletor de funções/escala. Quando o
seletor é colocado nesta posição, e ligado como mostrado na Fig.
1.43a, o diodo deve estar no estado "ligado" e o display fornece-
rá uma indicação de tensão de polarização direta, tal como 0,67
V (para Si). O medidor tem uma fonte de corrente constante in-
terna (em torno de 2 mA) que definirá o nível de tensão, como
indicado na Fig. 1.43b. Uma indicação OL realizando as cone-
xões mostradas na Fig. 1.43a revela um diodo defeituoso aberto.
Se as pontas de teste do medidor forem invertidas, uma indica-
Fig. 1.39 Definição do tempo de reestabelecimento reverso.
ção OL deve resultar, devido à equivalência de circuito-aberto
para o diodo. Em geral, portanto, uma indicação OL em ambas
as direções constitui uma indicação de um diodo aberto ou de-
intervalos: t,, = t, + t,. Naturalmente, trata-se de uma impor- feituoso.
tante consideração nas aplicações de chaveamento de alta ve-
locidade. A maioria dos diodos de chaveamento disponíveis Verificação através do Ohmímetro
comercialmente tem um t,, na faixa de poucos nanossegundos
até 1 µ,s. Entretanto há elementos disponíveis com um t,r de Na Seção 1.7 encontramos que a resistência de polarização dire-
apenas poucas centenas de picossegundos (10- 12). ta de um diodo semicondutor é bem pequena comparada ao ní-
vel encontrado para a polarização reversa. Logo, se medirmos a
resistência de um diodo usando as conexões indicadas na Fig.
1.12 NOTAÇÃO DO DIODO 1.44a, podemos esperar um valor relativamente baixo. A indica-
SEMICONDUTOR ção resultante do ohmímetro será função da corrente estabeleci-
da através do diodo, pela bateria interna (geralmente 1,5 V) do
A notação mais freqüentemente utilizada para diodos semicon- medidor. Quanto maior a corrente, menor o valor da resistência.
dutores é fornecida na Fig. 1.40. Para grande parte dos diodos, a Para a situação de polarização reversa, a leitura deve ser bem alta,
marcação de um ponto ou traço, conforme mostrado na Fig. 1.40, exigindo uma escala para medida de alta resistência no medidor,
aparece na extremidade do catodo. A terminologia anodo e cato- conforme indicado na Fig. 1.44b. Uma leitura de resistência ele-
do é remanescente da notação do tubo de vácuo. O anodo refere- vada em ambas as direções indica obviamente um comportamento
se ao potencial mais alto ou positivo, e o catodo refere-se ao ter- de circuito aberto (dispositivo defeituoso), enquanto uma leitura
minal de potencial mais baixo ou negativo. Esta combinação de de resistência muito baixa em ambas as direções irá indicar um
níveis de polarização resulta na condição de polarização direta dispositivo provavelmente em curto-circuito.
ou "ligada" para o diodo. Alguns diodos semicondutores dispo-
níveis comercialmente aparecem na Fig. 1.41. Alguns detalhes Traçador de Curva
da construção dos dispositivos, tais como os mostrados na Fig.
1.41, são fornecidos nos Caps. 12 e 20. O traçador de curva da Fig. 1.45 pode apresentar as curvas ca-
racterísticas de um grande número de dispositivos, incluindo o
diodo semicondutor. Conectando-se corretamente o diodo no
1.13 VERIFICAÇÃO DO DIODO painel de teste, no centro da base da unidade, e ajustando-se os
controles, o display da Fig. 1.46 pode ser obtido. Observe que
A condição de um diodo semicondutor pode ser determinada a escala vertical é 1 mA/div, resultando nos níveis indicados.
rapidamente, utilizando-se (1) um medidor com display digital Para o eixo horizontal, a escala é 100 mV/div, resultando nos
(MDD) com umafunção de teste do diodo, (2) afunção de níveis de tensão indicados. Para um nível de 2 mA, como foi
ohmímetro de um multímetro, ou (3) um traçador de curva. definido para um MDD, a tensão resultante seria em torno de

,.,..ou•, K etc.

Fig. 1.40 Notação de diodo semicondutor.


24 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

(a)

(b)

(e)

Fig. 1.41 Vários tipos de diodos de junção. [(a) Cortesia da Motorola Inc.; e (b) e (c) Cortesia da Intemational Rectifier Corporation.]

625 mV = 0,625 V. Embora o instrumento pareça inicialmen- obtidos sem uma quantidade excessiva de esforço e tempo. O
te bem complexo, o manual de instrução e algum manuseio mesmo instrumento aparecerá em mais de uma ocasião nos
revelarão que os resultados desejados podem muitas vezes ser capítulos a seguir, à medida que investigarmos as característi-
cas dos vários dispositivos.

1.14 DIODOS ZENER


A região Zener da Fig. 1.47 foi discutida com alguns detalhes na
Seção 1.6. A curva cai de uma forma quase vertical para um
potencial de polarização reverso denotado por V2 • O fato de a
curva cair abaixo e se distanciar do eixo horizontal, em vez de
para cima para a região V0 positiva, revela que a corrente na re-
gião Zener tem uma direção oposta àquela de um diodo polari-
zado diretamente.
Esta região de característica única é empregada no projeto de
diodo Zener cujo símbolo gráfico aparece na Fig. 1.48a. Ambos
os diodos, semicondutor e Zener, são apresentados lado a lado
na Fig. 1.48, para garantirem que o sentido de condução de cada

pontade
teste vennelha
(VO)
! ! pontade
teste preta
(COM)
2 r----..-11-
o 0,67V

(a) (b)

Fig. 1.42 Medidor de display digital com capacidade de verificar o estado do


diodo. (Cortesia da Computronics Technology, Inc.) Fig. 1.43 Verificação do diodo no estado de polarização direta.
Diodos Semicondutores 25

Ponta
teste de
vermelha
(VO)
! !
(Ohmímetro)
R relativamente baixo
Ponta
teste de
preta
(COM)
IOmA

9mA
Vertical
por div.
1
mA

+ ..., - 8mA
Horizontal
7mA por div.
(a) 100
6mA mV

Ponta de
teste preta
! !
R relativamente alto

Ponta de
teste vermelha
5mA

4mA
e
e '

r:l
(COM) (VO)
3mA
L.:J
'
- ~...IJ)il--~-+
2mA I /300 Km
(b) lmA por div.

Fig. 1.44 Teste do diodo com um ohmímetro. OmA


V
OV 0,1v 0,2v 0,3V 0,4V 0,5V 0,6V 0,7V 0,8V 0,9V 1,ov ' - - - - '

Fig. 1.46 Resposta do traçador de curva para o diodo de silício 1N4007.


um foi muito bem compreendido, juntamente com a polaridade
exigida da tensão aplicada. Para o diodo semicondutor, no esta-
do "ligado" irá fluir uma corrente no sentido da seta. Para o dio- primeira aproximação que os resistores externos são muito mai-
do Zener, o sentido de condução é oposto ao da seta do símbolo, ores em valor do que o resistor Zener equivalente, e que o circui-
como salientado na introdução desta seção. Observe ainda que to equivalente é apenas aquele indicado na Fig. 1.49b.
as polaridades de V0 e V, são as mesmas, e obtidas consideran- Uma ampliação da região Zener é dada na Fig. 1.50, permi-
do-se que cada elemento é um elemento resistivo. tindo a descrição dos dados do diodo Zener que aparecem no
A localização da região Zener pode ser controlada variando- Quadro 1.4 para um diodo 1N961, Fairchild, 500-mW, 20%. O
se os níveis de dopagem. Um aumento na dopagem, produzindo termo "nominal" associado com V, indica que ele é um valor
um aumento no número de impurezas adicionais, diminuirá o médio típico. Uma vez que este é um diodo 20%, aceita-se que o
potencial Zener. Diodos Zener são disponíveis, apresentando potencial Zener varie da maneira 10 V± 20%, ou de 8 a 12 V,
potenciais Zener de 1,8 a 200 V, com potência máxima de ta para esta faixa de aplicação. Também disponíveis são os diodos
50 W. Devido a suas características de temperatura e de corren- de 10 a 5%, com as mesmas especificações. A corrente de teste
te, o silício é geralmente utilizado na fabricação de diodos Zener. Izr é a corrente definida pelo nível de potência de t, e Zzr é a
O circuito completo equivalente do diodo Zener na região impedância dinâmica para este nível de corrente. A impedância
Zener inclui uma pequena resistência dinâmica, e uma bateria de máxima ocorre para a corrente de joelho lv:. A corrente de satu-
de valor igual ao potencial Zener, como mostrado na Fig. 1.49. ração reversa é fornecida para um nível de potencial particular e
Para todas as aplicações a seguir, contudo, devemos assumir como IZM é a corrente máxima para as unidades cuja tolerância é de 20%.
O coeficiente de temperatura reflete a variação percentual de
V, com a temperatura. Ele é definido pela equação

Te 1'00% %/ºC (1.12)

Vz
---+.:,r""···················
.• .. o

.:.:
.....
Fig. 1.45 Traçador de curva. (Cortesia da Tektronix, lnc.) Fig. 1.47 Análise da região Zener.
26 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

+ + lz

Vz
Vz

(a) (b)

Fig.1.48 Sentido de condução: (a) diodo Zener: (b) diodo semicondutor.

~rd = 8,5 il=Zzr

(a) (b)

Fig. 1.49 Circuito equivalente Zener: (a) completo; (b) aproximado. Fig. 1.50 Características de teste do Zener (Fairchild IN961).

QUADRO 1.4 Características Elétricas (temperatura ambiente 25ºC, a menos que outra seja observada)

Voltagem Impedância Impedância Corrente Corrente


Zener Corrente Dinâmica da Curva Reversa Tensão de Reguladora Coeficiente de
Nominal de Teste, Máxima Máxima Máxima Teste Máxima Temperatura
Tipo V, [z,, Zzrem lzr z,.em l,, !,em V, V, IZM Típico
Jedec (V) (mA) (fl) (fl) (mA) (µA) (V) (mA) (%ºC)

1N961 10 12,5 8,5 700 0,25 10 7,2 32 +0,072

lmpedinda dldmica
l'USU corrente Zener
lkn~~-~~·

sI 500 l--1'1.,-++.-i:·;0~:+
200
1q:.}: .. 1~::.:r+rt
N' 100
J 50
~ 20
,8 -0,04 10

i -0,08
;g
5

2
8 -0,120 1~~~~~~~~~~~~~

I 1 0,050,1 0,5 1 5 10 50100 º·' 0,2 0,5 1 2 5


Corrente Zener, 12 -(mA) Corrente Zener, 12 - (mA) Fig. 1.51 Características elétricas de um diodo
Zener Fairchild 500 mW. (Cortesia da Fairchild
(a) (b) Camera and Instrument Corporation.)
Diodos Semicondutores 27

onde  V, é a variação resultante no potencial Zener devido à


variação na temperatura. Observe na Fig. 1.5 la que o coeficien-
te de temperatura pode ser positivo, negativo, ou até mesmo zero
para diferentes níveis de tensão Zener. Um valor positivo signi-
fica aumento V, com um aumento na temperatura, enquanto um
valor negativo resulta em decréscimo no valor de V, com aumento
na temperatura. Os níveis 24-V, 6,8-V e 3,6-V referem-se aos três
diodos Zener que apresentam estes valores nominais dentro da
família de Zeners do 1N961. A curva para o Zener 1N96110 V
situa-se obviamente entre as curvas dos dispositivos 6,8 V e 24 V.
Voltando à Eq. (1.12), T0 é a temperatura na qual V2 é obtido
(normalmente temperatura ambiente - 25ºC) e T1 é o novo va-
lor. O Exemplo 1.3 demonstrará o uso da Eq. (1.12).

Fig. 1.53 Diodos Zener. (Cortesia da Siemens Corporation.)


EXEMPLO 1.3
Determine a tensão nominal de um diodo Zener Fairchild 1N961
do Quadro 1.4, em uma temperatura de lOOºC.
muito semelhante ao diodo semicondutor. Algumas áreas de
Solução aplicação para o diodo Zener serão examinadas no Cap. 2.

DaEq. 1.12, 1.15 DIODOS EMISSORES DE LUZ


TcVz
AVz = lOO (T, - To) O uso crescente de displays digitais em calculadoras, relógios e
todas as formas de instrumentação contribuiu para o grande in-
A substituição dos valores no Quadro 1.4 leva a
teresse atual em estruturas que emitem luz quando devidamente
polarizadas. Os dois tipos de uso comum, hoje em dia, que rea-
AV = (0,0?2)(10 V) (lOOºC - 25ºC) lizam esta função são os diodos emissores de luz (LED) e o
z 100
display de cristal líquido (LCD). Uma vez que o LED faz parte
= (0,0072)(75) da fanu1ia dos dispositivos de junção p-n, e estará em alguns dos
circuitos dos próximos capítulos, ele será introduzido neste ca-
= 0,54 V pítulo. O display LCD é descrito no Cap. 20.
e devido ao coeficiente de temperatura positivo, o novo poten- Como o nome indica, o diodo emissor de luz (LED) é um diodo
cial Zener, definido por V' z, é que emite luz visível quando energizado. Em qualquer junção p-n
polarizada diretamente, existe, dentro da estrutura e próximo prin-
V~= Vz + 0,54 V cipalmente da junção, uma recombinação de buracos e elétrons. Esta
= 10,54 V recombinação exige que a energia do elétron livre não ligado seja
transferida para um outro estado. Em todas as junções p-n do
semicondutor, parte desta energia será emitida na forma de calor e
A variação da impedância dinâmica (fundamentalmente, sua parte na forma de fótons. No silício e germânio, a maior parte é na
resistência em série) com a corrente aparece na Fig. 1.15b. No- forma de calor, e a luz emitida é insignificante. Em outros mate-
vamente, o Zener 10 V aparece entre os Zeners 6,8 V e 24 V. riais, como fosfeto de arsenieto de gálio (GaAsP) ou fosfeto de gálio
Observe que quanto mais intensa a corrente (ou quanto mais (GaP), o número de fótons da energia luminosa é suficiente para
vertical a elevação na Fig. 1.47), menor o valor da resistência. criar uma fonte de luz bem visível.
Observe também que à medida que você se desloca para abaixo
O processo de emissão de luz, aplicando-se uma fonte elé-
do joelho da curva, a resistência aumenta a níveis significativos.
trica de energia, é chamado de eletroluminescência.
A identificação dos terminais e o encapsulamento para alguns
diodos Zener aparecem na Fig. 1.52. A Fig. 1.53 é uma fotogra- Conforme mostrado na Fig. 1.54 com seu símbolo gráfico, a
fia real de vários dispositivos Zener. Observe que seu aspecto é superfície de condução conectada ao material p é muito menor,
permitindo desta forma a emersão de um grande número de fó-
tons de energia luminosa. Observe na figura que a recombina-
ção dos portadores injetados devido à junção polarizada direta-
mente resulta em uma luz emitida do local de recombinação. Pode
existir, naturalmente, alguma absorção dos pacotes de energia do
-Anodo-1 fóton na própria estrutura, mas uma percentagem muito grande
consegue ser emitida, como mostrado na figura.

-c.--T O aspecto e características de uma miniatura de lâmpada de es-


tado sólido de alta eficiência fabricada pela Hewlett-Packard apa-
rece na Fig. 1.55. Observe que na Fig. 1.55 (b) a corrente direta má-
xima é de 60 mA, e 20 mA um nível típico de operação. No entan-
Fig. 1.52 Identificação dos terminais do Zener e símbolos. to, nas condições de teste indicadas na Fig. 1.55 (c), a corrente di-
28 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

/ Luz visível
/ emitida

+ .-/f
o l)il o
-+-
(-) lv Vv
(b)

Contato/ ""- Contato


metálico metálico

(a)

Fig.1.54 (a) Processo de eletroluminescência no LED; (b) símbolo gráfico.

Taxas Máximas Absolutas em T. = 25ºC


Vermelho Ejf. Alto
Parâmetro 4160 Unidades

Dissipação de potência 120 mW


Corrente direta média 20°> mA
Corrente direta de pico 60 mA
Faixa de temperatura de ope- -55ºC a lOOºC
ração e armazenamento
Temperatura de soldagem 230ºCpara3
[1,6 mm (0,063 in) do corpo] segundos

'''Acima de 50°C, reduzir 0,2 mAf'C.

(a) (b)

Características Elétricas/Ópticas em T. = 25°C


Vermelho Eff. Alto 4160
Sfmbolo Descrição Min Tip Máx Unidades Condições de Teste

IV Intensidade luminosa axial 1,0 3,0 mcd 1, = lOmA


28112 Ângulo incluído entre pontos de 80 deg Observação 1
meia intensidade luminosa
'\ico Comprimento de onda de pico 635 nm Medida no pico
A,, Comprimento de onda dominante 628 nm Observação 2
T, Velocidade de resposta 90 ns
c Capacitância 11 pF V,= O;f= 1 MHz
eJC Resistência térmica 120 ºCIW Junção ao catodo em
0,79 mm (0,031 in) do corpo
V,. Voltagem direta 2,2 3,0 V I, = !OmA
BVR Voltagem de ruptura reversa 5,0 V l, = 100 µA
11,. Eficácia luminosa 147 lm/W Observação 3

OBSERVAÇÕES:
1 811, é o ângulo do eixo-off no qual a intensidade luminosa é a metade da intensidade luminosa axial.
2 O comprimento de onda À,1 é obtido do diagrama de cromaticidade CIE e representa o comprimento de onda singular que define a cor do sistema.
3 Intensidade radiante, /,, em watts/steradian, pode ser encontrada da equação I, = l/'TJ,., onde I,, é a intensidade luminosa em candeias e 'T/,, é a eficácia luminosa em lúmens/watt.

(c)

Fig.1.55 Lâmpada miniatura vermelha de estado sólido de alta eficiência da Hewlett-Packard: (a) aspecto; (b) valores máximos absolutos; (c) características elétri-
ca/ótica; (d) intensidade relativa versus comprimento de onda; (e) corrente direta versus tensão direta; (f) intensidade luminosa relativa versus corrente direta; (g)
eficiência relativa versus corrente de pico; (h) corrente de pico máximo versus duração do pulso; (i) intensidade luminosa relativa versus deslocamento angular.
(Cortesia da Hewlett-Packard Corporation.)
Diodos Semicondutores 29

1,0

..
..;=:
õ
,:,:
-g" 0,5
~e
J!!
.:

o 750
500 550 600 650 700
Comprimento de onda - nm

(d)

1,6

T,4 = 25'C
3,0 .... 'f.4 = 1,5
< ~ 1,4
s "O
15 < 1,3
1

2,0 - .~;
.,_ 1.2
1l ~ 1, l
10 .$. o

~1 1,0

5
~1 0,9
0,8
.s
0,7

oO-----~--'---'----'
0,5 ),0 1.5 2,0 2,5 3,0 5 10 15 20 lO 20 30 40 50 60

VF - Tensão direta - V lF - Corrente direta - mA I,;.,, - Corrente de pico - mA

(e) (f) (g)

~ i
_i .....,-5
10 100 1000 10,000
tp - Duração do pulso - µ,s

(h) (i)

Fig. 1.55 Continuação.


30 Dispositivos Eletrônicos e Te oria de Circuitos

T ~><~~.35"
0600" · ....... · .. •· _L_
_j_ ~ ~
Lo.600. J 0,100" Tipo--1

l<'ig. 1.56 Display do segmento Litronix.

reta é de 1O mA. O nível de V0 sob condições de polarização direta contêm dois LEDs, de modo que uma inversão na polarização
está listado como VF e estende-se de 2,2 até 3 V. Em outras pala- muda a cor de verde para vermelho, ou vice-versa. LEDs estão
vras, pode-se esperar uma corrente de operação típica em tomo de disponíveis atualmente em vermelho, verde, amarelo, laranja e
1O mA em 2,5 V para uma boa emissão de luz. branco. A introdução da cor azul parece ser uma possibilidade
Duas quantidades ainda não definidas aparecem listadas nas em um futuro bem próximo. Em geral, LEDs operam em níveis
características elétrica/ótica em T,.1 = 25ºC. Elas são a intensidade de tensão de 1,7 até 3,3 V, que os tornam completamente com-
luminosa axial (/J e a eficiência luminosa ( r,,.). A intensidade da patíveis com circuitos de estado sólido. Eles apresentam um tem-
luz é medida em candeia. Uma candela emite um fluxo de luz de po rápido de resposta (nanossegundos) e oferecem bons níveis
41r lúmens e estabelece uma iluminação de 1 ft-cd em 1 ff de área de contraste para visibilidade. A especificação de potência é ti-
e a 1 ft da fonte de luz. Mesmo que esta definição não forneça um picamente de 10 a 150 mW com um tempo de vida de 100.000
claro entendimento de candeia como unidade de medida, seu nível +horas.A construção do semicondutor acrescenta um fator de
pode certamente ser comparado entre dispositivos semelhantes. O robustez significativo.
termo eficácia é, por definição, uma medida da capacidade de um
sistema produzir um certo efeito. Para o LED, esta é a razão do
número de lúmens gerados por watt aplicado de energia elétrica. A
1.16 ARRANJO DE DIODOS -
eficiência relativa é definida pela intensidade luminosa por unida- CIRCUITOS INTEGRADOS
de de corrente, como mostrado na Fig. 1.55g. A intensidade relati-
va de cada cor versus o comprimento de onda aparece na Fig. 1.55d. As características dos circuitos integrados serão introduzidas no
Como o LED é um dispositivo de junção p-n, ele apresentará Cap. 12. Contudo alcançamos um estágio na nossa introdução
uma curva característica polarizada diretamente (Fig. l .55e) se- de circuitos eletrônicos que nos permite no mínimo uma análise
melhante às curvas de resposta do diodo. Observe o aumento superficial dos arranjos de diodo em pastilhas de circuito inte-
quase linear da intensidade luminosa relativa com a corrente di- grado. Verificar-se-á que o circuito integrado não é um disposi-
reta (Fig. l .55f). A Fig. 1.55h revela que quanto mais longa a tivo único, com características totalmente diversas daquelas que
duração de um pulso em uma freqüência particular, menor o pico analisamos nos capítulos introdutórios. Ele representa apenas uma
de corrente permitido (após passar o valor de corte tp). A Fig. l .55i redução significativa do tamanho dos sistemas eletrônicos. Em
revela simplesmente que a intensidade é maior para Oº (ou visão outras palavras, internamente ao circuito integrado estão os sis-
frontal) e mínima em 90º (quando se vê o dispositivo de lado). temas e dispositivos discretos, que estavam disponíveis muito
Displays com LED estão hoje disponíveis em muitos tama- antes da existência do circuito integrado, que, como sabemos,
nhos e formas diferentes. A região emissora de luz é encontrada tornou-se uma realidade hoje em dia.
com comprimentos de 0,1 até 1 in. Números podem ser criados Um arranjo possível aparece na Fig. 1.58. Observe que oito
por segmentos, tais como os mostrados na Fig. 1.56. Aplicando- diodos compõem internamente ao arranjo de diodos 1410 M
se uma polarização direta ao segmento do material do tipo p, Fairchild FSA. Isto é, no encapsulamento mostrado na Fig. 1.59
qualquer número de O a 9 pode ser apresentado. existem conjuntos de diodos em um wafer de silício simples, que
O display da Fig. 1.57 é utilizado em calculadoras e fornece apresentam todos os anodos conectados ao pino 1 e os catodos
oito dígitos. Existem também lâmpadas de LED de dois fios que aos pinos de 2 a 9. Observe na mesma figura que o pino 1 é de-

Fig. 1.57 Display de calculadora de oito dígitos e sinal. (Cortesia! de Hewlett-Packard Corporation.)
Diodos Semicondutores 31

FSA1410M

PLANAR AIR-ISOLATED MONOLITHIC DIODE ARRAY

• C ••• 5.0 pF (MAX)


•1:!.VF ••• 15 mv (MAX) @lOmA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1) CONNECTION DIAGRAM
Temperatures FSA1410M
Storage Temperature Range -55ºC to +200ºC
Maximum Junction Operating Temperature +150ºC
Lead Temperature +260ºC
Power Dissipation (Note 2)
Maximum Dissipation per Junction at 25ºC Ambient
per Pacl:age at 25ºC Ambient
Linear Derating Factor (from 25ºC) Junction
Package
400mW
600mW
3,2mWfC
4,BmWfC
ltttttttt
2 3 4 5 6 7 8 9

See Package Outline T0-96


Maxi.mum Voltage and Currents
WIV Working lnverse Voltage 55V
lp Continuous Forward Current 350mA
ir (surge) Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1,0 s 1,0A
Pulse Width = 1,0 µs 2,0A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (2SºC Ambient Temperature unless otherwise noted)

SYMBOL CHARACTERISTIC MIN MAX UNITS TEST CONDITIONS

Bv Breakdown Voltage 60 V IR= IOµA


Vp Forward Voltage (Note 3) 1.5 V lp=500mA
1.1 V Ip=200mA
1.0 V lp= lOOmA
IR Reverse Current 100 nA VR=40V
Reverse Current (TA = 150'C) 100 µA VR=40V
e Capacitance 5.0 pF VR=O, f= 1 MHz
VFM Peak Forward Voltage 4.0 V Ir =500mA,t,. <lOns
trr Forward Recovery Time 40 ns Ir = 500 mA, t,. <a 10 ns
trr Reverse Recovery Time 10 ns Ir =Ir= 10-200mA
RL = 1000, Rec. to 0.1 Ir
50 ns =
Ir 500 mA, I, = 50 mA
RL = 1000, Rec. to 5 mA
l:!.Vp Forward Voltage Match 15 mV lp= lOmA
NITTES
1 These ratings are limiting values above which life or satisfactory performance may be impaired.
2 These are steady state limits. The factory jhould be coosulted on applications involving pulsed or low duty cycle operation.
3 VF is measured using an 8 ms pulse.

Fig. 1.58 Arranjo de diodo monolítico. (Cortesia da Fairchild Camera and Instrument Corporation.)*

Forma de
isolante
pode
variar

Notas: Fig. 1.59 Esquema do encapsulamento T0-96 para o ar-


9 Condutores Kovar, ranjo de diodo FSA 14 IOM. Todas as dimensões estão em
revestidos a ouro, polegadas. (Cortesia da Fairchild Carnera and Instrument
selados hermeticamente. Corporation.)
Peso é de 1,32 gramas.

*N.T.: Os termos originais em inglês contidos nesta figura não foram traduzidos porque o que se encontra na prática, no laboratório, são especificações escritas em inglês, com raras
exceções. Deseja-se, com isto, que o leitor se acostume aos termos técnicos que ele encontrará na sua vida profissional.
32 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Encapsulamento T0-116-2

Diagramas de Conexão
1 FSA2500M

Veja Esquema do Encapsulamento T0-116-2

Plano
de base
. ~· fflfflTT
_L
max.
f
Notas:
Liga de 42 pinos,
revestido de estanho
Pinos revestidos, encapsulamento de
cerâmicu seladt1 hermetic:.imi.:-nlt..'

Fig. 1.60 Arranjo de diodo monolítico. Todas as dimensões estão em polegadas. (Cortesia da Fairchild Camera and lnstrument Corporation.)

terminado como sendo aquele localizado à esquerda de uma pe- gero é empregada para analisar um sistema, desenvolve-se um pro-
quena saliência existente no encapsulamento, observando de grama que define seqüencialmente as operações a serem executa-
baixo para o CI. Os outros números seguem, então, em seqüên- das - na maioria das vezes na mesma ordem em que realizamos a
cia. Se apenas um diodo for usado, então somente os pinos 1 e 2 mesma análise feita a mão. Neste tipo de análise, um passo errado
(ou qualquer número de 3 a 9) seriam usados. Os diodos restan- fará o resultado obtido perder completamente o sentido. Com o
tes seriam deixados em aberto, não afetando o circuito no qual tempo e a prática, as alternativas mais eficientes visando uma solu-
os pinos 1 e 2 estão conectados. ção tomar-se-ão óbvias. Uma vez montados da "melhor'' forma, os
Um arranjo de diodo aparece na Fig. 1.60. Neste caso, a pas- programas podem ser catalogados para uso futuro. A vantagem
tilha é diferente, mas a numeração em seqüência aparece no es- importante da linguagem é que um programa pode ser adaptado para
quema. O pino 1 é o pino diretamente acima do pequeno enta- satisfazer todas as necessidades especiais do usuário. Ela permite
lhe, como se pode observar no dispositivo acima. caminhos inovadores pelo usuário, que podem resultar em impres-
sões de dados de maneira mais informativa e interessante.
A abordagem alternativa referida acima utiliza um software
1.17 ANÁLISE POR COMPUTADOR aplicativo para executar a análise desejada. Um software aplica-
tivo é um programa escrito e testado durante certo tempo, proje-
O computador vem-se tomando parte integrante da indústria ele- tado para executar um determinado tipo de análise ou síntese, de
trônica, de modo que as utilidades desta "ferramenta" de trabalho uma forma eficiente e com um nível elevado de precisão.
devem ser introduzidas na primeira oportunidade. Para os estudan- O aplicativo não pode ser alterado pelo usuário, e sua aplica-
tes sem nenhuma experiência com computador há um receio inici- ção é limitada às operações estabelecidas no sistema. O usuário
al normal em relação a este sistema poderoso, aparentemente com- deve ajustar suas necessidades ao conjunto de opções oferecidas
plicado. Com isto em mente, a análise por computador deste livro pelo aplicativo. Além disso, ele deve entrar com a informação
foi preparada para oferecer um sistema computacional mais "ami- da maneira solicitada pelo aplicativo, ou os dados correm o ris-
gável", revelando a facilidade relativa com a qual ele pode ser apli- co de serem mal interpretados. O software aplicativo seleciona-
cado para realizar algumas tarefas úteis e especiais, em um tempo do para este livro é o PSpice, * disponível em dois formatos: DOS
mínimo e com um alto grau de precisão. O assunto foi escrito com e Windows. O formato DOS foi o primeiro a ser oferecido e, hoje
a suposição de que o leitor não tem qualquer experiência computa- em dia, é o mais popular. Contudo, a versão para Windows está
cional anterior, ou contato prévio com a terminologia a ser utiliza- ganhando terreno, uma vez que os usuários começaram a desco-
da. Não existe também nenhuma indicação de que o teor deste li- brir suas reais possibilidades. Isto comumente ocorre: quando nos
vro seja suficiente para permitir um completo entendimento dos sentimos satisfeitos com determinado método que atende às nos-
"cornos" e "porquês" que certamente surgirão. O propósito aqui é sas necessidades, ficamos pouco motivados a utilizar parte do
somente introduzir alguma terminologia, discutir um pouco de suas nosso tempo para aprender uma outra técnica cujos resultados
capacidades, revelar as possibilidades disponíveis, mencionar al- são similares. Os autores, entretanto, podem afirmar que quando
gumas de suas limitações e demonstrar sua versatilidade com al- conhecemos melhor a versão para Windows, descobrimos que
guns exemplos cuidadosamente escolhidos. há algumas características interessantes e que valem a pena se-
Em geral, a análise por computador de sistemas eletrônicos pode rem investigadas. A versão para DOS empregada neste texto é a
adotar um dos dois métodos: usando uma linguagem como BASIC, versão 6.0, e, para Windows, a versão 6.1. O programa foi de-
Fortran, Pascal, ou C; ou utilizando um software aplicado tal como, senvolvido pela MicroSim de Irvine, Califórnia. A Fig. 1.61 apre-
por exemplo, PSpice, MicroCap II, Breadboard ou Circuit Master. senta uma fotografia da versão 6.2 completa em CD-ROM. Uma
Uma linguagem, através de sua notação simbólica, forma a ponte versão mais sofisticada, identificada simplesmente como SPICE,
entre o usuário e o computador que permite um diálogo entre os tem grande aplicação na indústria.
dois para o estabelecimento das operações a serem realizadas.
A linguagem empregada neste livro é o BASIC, escolhida por-
que utiliza várias palavras e frases familiares da língua inglesa que
resumem as operações a serem executadas. Quando uma língua- *PSpice é marca registrada da MicroSim Corporation.
Diodos Semicondutores 33

2 DI 3
( ~>--)----111111.IN-,- (~)

Fig. 1.62 Denominações do PSpice para a entrada do diodo no programa, na


análise de um circuito.

A especificação de um diodo em um circuito apresenta duas


componentes. A primeira determina a localização e o nome do
modelo, e a outra inclui os parâmetros referidos acima. O for-
mato para definir a localização e o nome do modelo do diodo,
para o diodo da Fig. 1.62 é o seguinte:
J__,
+
Fig.1.61 Software aplicativo PSpice. (Copyright 1990, MicroSim Corporation.) nome nó nónome do
modelo
Observe que um diodo é especificado pela letra maiúscula D
Em resumo, portanto, um software é desenvolvido para reali- no começo da linha, seguido pelo rótulo aplicado ao diodo no
zar uma série de cálculos e operações específicas, fornecer os esquema. A seqüência de nós (pontos de conexão para o diodo)
resultados em um formato definido. Uma linguagem permite define o potencial em cada nó e a direção de condução do diodo
maior flexibilidade, mas também deixa de favorecer-se da extensa da Fig. 1.62. Em outras palavras, a condução é do nó positivo
análise e pesquisa normalmente dedicadas ao desenvolvimento para o nó negativo. O nome do modelo é o nome atribuído à descri-
de um software "confiável". O usuário deve definir que melhor ção do parâmetro a seguir. O mesmo nome pode ser aplicado a
aproximação se adapta às necessidades do momento. Obviamen- outros diodos no circuito, tais como D2, D3, e assim por diante.
te, se um software existe para a análise ou síntese desejada, ele Os parâmetros são especificados usando-se uma expressão
deverá ser considerado antes de se optar pelas muitas horas ne- MODEL, que apresenta o seguinte formato para o diodo:
cessárias para desenvolver um programa confiável e eficiente. .MODEL Q! D(IS = 2E-15)
Além disso, pode-se adquirir os dados necessários para uma aná- '-.-'

lise em particular baseada em um software, e então voltar para a modelo nome do especificações do parâmetro
linguagem e definir o formato de saída. De muitas maneiras, os modelo
dois métodos se completam. Se dependermos da análise compu- A especificação começa com a entrada, .MODEL, seguida
tacional continuamente, o conhecimento do uso e limite de am- pelo nome do modelo, como mostrado na descrição da localiza-
bos, linguagem e software, torna-se uma necessidade. A escolha ção, e a letra maiúscula D para indicar que se trata de um diodo.
de qual linguagem ou software a serem utilizados é antes de tudo As especificações do parâmetro aparecem dentro de parênteses
uma função do tipo de aplicação. Felizmente, entretanto, um e devem usar a notação recomendada pelo manual do PSpice. A
conhecimento fluente de uma linguagem ou um pacote aplicati- corrente de saturação reversa é listada como IS e tem o valor de
vo em particular geralmente ajudará o usuário a adaptar-se a 2 X 10- 15 A. Este valor foi escolhido porque resulta em uma ten-
outras linguagens e softwares. Os objetivos e procedimentos são são de diodo em torno de 0,7 V, para níveis de corrente de diodo
semelhantes, facilitando a transição de um método para outro. tipicamente encontrados nas aplicações discutidas do Cap. 2.
Em cada capítulo será feito algum comentário a respeito da aná- Desta maneira, o computador e a análise feita a mão apresenta-
lise por computador. Em alguns casos, um programa BASIC e uma rão resultados relativamente próximos. Embora só um parâme-
aplicação do PSpice aparecerão, enquanto que, em outras situações, tro tenha sido especificado na listagem acima, a lista pode incluir
somente um dos dois será utilizado. À medida que forem necessá- todos os 1O mencionados no manual. Para todas as declarações
rios maiores detalhes, um background suficiente será fornecido para introduzidas acima, é muito importante seguir o formato como
permitir, no mínimo, um entendimento superficial da análise. foi mostrado. A ausência de um ponto antes de MODEL, ou a
ausência da letra D na mesma linha, invalidará completamente a
PSpice (Versão DOS) entrada.

Este capítulo lida especificamente com as características do dio- PSpice para Windows
do semicondutor. No Cap. 2 o diodo é investigado utilizando-se
o aplicativo PSpice. Como um primeiro passo em direção a esta Quando se utiliza a versão do PSpice para Windows, o usuário
análise, o "modelo" para o diodo semicondutor será agora intro- desenha o esquema do circuito na tela, em vez de defini-lo linha
duzido. A descrição do diodo no manual do PSpice exige um total por linha usando nós de referência. Uma fonte para cada elemento
de 14 parâmetros para definir suas características. Ela inclui a deve, portanto, estar disponível para permitir colocá-los na tela.
corrente de saturação, resistência em série, capacitância de ter- Primeiro, deve-se criar uma tela esquemática (seguindo um pro-
minal, tensão de ruptura reversa, corrente de ruptura reversa e cedimento que o usuário deve conhecer), na qual seleciona-se a
vários outros fatores que podem ser especificados, se necessá- opção Draw a partir da barra de menu. Uma vez selecionada,
rio, para o esboço ou análise a serem realizados. aparecerá uma lista de opções onde se escolhe Get New Part.
34 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Uma caixa de diálogo aparecerá; selecione Browse que resulta- § 1.5 Materiais Extrínsecos - Tipos n e p
rá na caixa de diálogo Get Part. Escolha a biblioteca eval.slb a
partir da lista de bibliotecas, e então role a lista Part até achar 12. Descreva a diferença entre os materiais semicondutores tipo n e
D1N4148. Quando clicado, Description revelará que se trata de tipo p.
13. Descreva a diferença entre as impurezas doadoras e aceitadoras.
um diodo. Clique OK e o símbolo do diodo irá aparecer na tela
14. Descreva a diferença entre portadores majoritário e minoritário.
esquemática. Depois de mover o diodo para a posição desejada, 15. Esboce a estrutura atômica do silício e insira uma impureza com-
um clique adicional irá fixar o diodo e adicionar as designações posta de arsênico, como demonstrado para o silício na Fig. 1.9.
Dl e D1N4148. Clicando-se o botão direito do mouse, comple- 16. Repita o Problema 15, mas insira agora uma impureza composta
tamos a seqüência de entrada do diodo. Se os parâmetros do di- de índio.
odo tiverem que ser modificados, basta clicar uma vez (e somente 17. Pesquise e encontre uma outra explicação para o fluxo de lacuna
uma) no símbolo do diodo e então clicar na opção Edit da barra versus elétron. Usando ambas as descrições, apresente com suas
de menu. Selecione Modele depois Edit lnstance Model (uma palavras o processo da condução de buraco.
vez que desejamos ajustar parâmetros apenas para uma única
aplicação), aparecendo então a caixa de diálogo Model Editor § 1.6 Diodo Semicondutor
com os parâmetros do diodo. Na caixa de diálogo podem ser fei-
tas alterações no modelo do diodo para a aplicação corrente. Sem 18. Descreva com suas palavras as condições estabelecidas pelas situ-
ações de polarização direta e reversa em um diodo de junção p-n,
a tela para visualizar, pode ser um tanto difícil acompanhar e e como afetam a corrente resultante.
compreender o procedimento descrito acima. O melhor seria 19. Descreva o que você sabe dos estados de polarização direta e reversa
estabelecer o modelo a ser analisado, montar a tela e realizar as do diodo de junção p-ri. Isto é, tente lembrar-se de qual potencial
operações na ordem indicada. Será apresentado no próximo ca- (positivo ou negativo) é aplicado a um determinado terminal.
pítulo um circuito real, que nos auxiliará no processo de revisão. 20. Usando a Eq. (1.4). determine a corrente de diodo a 20ºC para um
diodo de silício com Is = 50 nA e uma polarização direta aplicada
de0,6 V.
21. Repita o Problema 20 para T = lOOºC (ponto de ebulição da água).
PROBLEMAS Assuma que Is aumentou para 5,0 µ,A.
22. ( a) Usando a Eq. ( 1.4), determine a corrente de diodo a 20ºC para
§ 1.2 Diodo Ideal um diodo de silício com Is = O, 1 µA em um potencial de po-
larização reversa de -10 V.
1. Descreva com suas próprias palavras o significado da palavra ide- (b) O resultado é esperado? Por quê?
al aplicada a um dispositivo ou sistema. 23. (a) Trace a função y = e', com X de O a 5.
2. Descreva com suas próprias palavras as características do diodo (b) Qual é o valor de y = ex em x = O?
ideal e como elas determinam os estados ligado e desligado do (c) Baseado nos resultados da letra (b), por que o fator -1 é im-
dispositivo. Isto é, descreva por que o curto-circuito e circuito-aber- portante na Eq. (1.4)?
to equivalente são adequados. 24. Na região de polarização reversa, a corrente de saturação de um
3. Qual é a diferença importante entre as características de uma cha- diodo de silício gira em tomo de O, 1 µ,A (T = 20ºC). Determine
ve simples e as de um diodo ideal? seu valor aproximado se a temperatura for aumentada para 40°C.
25. Compare as características de um diodo de silício e de germânio, e
§ 1.3 Materiais Semicondutores determine qual você prefere para a maioria das aplicações práti-
cas. Forneça detalhes. Consulte uma lista do fabricante, e compare
4. Com suas palavras, defina semicondutor, resistividade, resistên- as características de um diodo de germânio e de silício e que apre-
cia bulk e resistência ôhmica de contato. sentem especificações semelhantes.
5. (a) Usando o Quadro 1.1, determine a resistência de uma amos- 26. Determine a queda de tensão direta através do diodo cujas caracte-
tra de silício apresentando uma área de 1 cm2 e um compri- rísticas aparecem na Fig. 1.24, em temperaturas de -75ºC, 25ºC,
mento de 3 cm. 1OOºC e 200ºC, e uma corrente de 1OmA. Para cada temperatura,
(b) Repita a letra (a) se o comprimento for de 1 cme aárea4 cm2 • determine o nível da corrente de saturação. Compare as situações
(c) Repita a letra (a) se o comprimento for de 8 cm e a área 0,5 extremas, e comente baseado na razão dos resultados obtidos para
cm2. as duas situações.
(d) Repita a letra (a) para o cobre e compare os resultados.
6. Esboce a estrutura atômica do cobre e discuta por que ele é um bom § 1. 7 Níveis de Resistência
condutor e de que forma sua estrutura é diferente da do germânio e
do silício. 27. Determine a resistência estática ou de do diodo da Fig. 1.19 para
7. Defina, com suas palavras, um material intrínseco, um coeficiente uma corrente direta de 2 mA.
de temperatura negativo e ligação covalente. 28. Repita o Problema 26 para uma corrente direta de 15 mA e compa-
8. Pesquise e liste três materiais que apresentem um coeficiente de re os resultados.
temperatura negativo e três que possuam um coeficiente de tem- 29. Determine a resistência estática ou de do diodo da Fig. 1.19 para
peratura positivo. uma tensão reversa de -10 V. Seu valor é próximo ao resultado
determinado para uma tensão reversa de - 30 V?
§ 1.4 Níveis de Energia 30. (a) Determine a resistência dinâmica (ac) do diodo da Fig. 1.29
para uma corrente direta de 10 mA, usando a Eq. (1.6).
9. Qual é a energia em joules necessária para mover uma curva de (b) Determine a resistência dinâmica (ac) do diodo da Fig. 1.29
6 C através de uma diferença de potencial de 3 V? para uma corrente direta de 10 mA, usando a Eq. (1.7).
1O. Se 48 e V de energia é necessário para mover uma carga através de (c) Compare as soluções das letras (a) e (b).
uma diferença de potencial de 12 V, determine a carga envolvida. 31. Calcule a resistência de e ac para o diodo da Fig. 1.29 em uma
11. Pesquise e determine o nível de E8 para GaP e ZnS, dois materiais corrente de 10 mA, e compare os resultados.
semicondutores utilizados na prática. Além disso, determine o nome 32. Usando a Eq. (1.6), determine a resistência ac para as correntes de
de cada material. 1 mA e 15 mA, do diodo da Fig. 1.29. Compare as soluções e de-
Diodos Semicondutores 35

senvolva uma conclusão geral que relacione a resistência ac e os


níveis crescentes de corrente de diodo.
33. Usando a Eq. (1.7), determine a resistência ac para as correntes 1
mA e 15 mA, do diodo da Fig. 1.19. Modifique a equação, se ne- +
cessário, para níveis reduzidos da corrente de diodo. Compare com
os resultados obtidos no Problema 32. V; lOkil
34. Determine a resistência ac média para o diodo da Fig. 1.19, para a
região entre 0,6 e 0,9 V.
35. Determine a resistência ac para o diodo da Fig. 1.19 em 0,75 V e
compare com a resistência ac média obtida no Problema 34.
Fig. 1.63 Problema 49.
§ 1.8 Circuitos Equivalentes de Diodo

36. Encontre o circuito equivalente linear para o diodo da Fig. 1.19. § 1.14 Diodos Zener
Use um segmento de reta que intercepte o eixo horizontal em 0,7
V, e que melhor aproxime a curva para a região acima de 0,7 V. 50. As seguintes características são especificadas para um diodo Zener
37. Repita o Problema 36 para o diodo da Fig. 1.29. em particular: V,= 29 V, V, = 16,8 V, /zr = 10 mA, I. = 20 µA e
IZM = 40 mA. Esboce a curva característica da maneira exposta na
§ 1. 9 Folhas de Especificação do Diodo Fig. 1.50.
*51. Em que temperatura o diodo Zener Fairchild 1N961 10-V apresen-
*38. Trace/, versus Vp usando escalas lineares para o diodo Fairchild tará uma tensão nominal de 10,75 V? (Sugestão: Observe o dado
da Fig. 1.36. Observe que o gráfico apresentado emprega log para no Quadro 1.4.)
o eixo vertical (escalas log são abordadas nas Seções 11.2 e 11.3). 52. Determine o coeficiente de temperatura de um diodo Zener de 5 V
39. Comente sobre a variação no nível de capacitância com aumento (estimado em 25ºC), se a tensão nominal cai para 4,8 V em uma
no potencial de polarização reverso para o diodo BAY73. temperatura de lOOºC.
40. A corrente de saturação reversa do diodo BAY73 varia significati- 53. Usando as curvas da Fig. 1.51a, que valor para o coeficiente de
vamente em amplitude para potenciais de polarização reversos na temperatura você esperaria para um diodo de 20 V? Repita para
faixa de -25 V a -100 V? um diodo de 5 V. Assuma uma escala linear entre os níveis de ten-
*41. Para o diodo da Fig. 1.36, determine o nível de I, à temperatura são nominal e um nível de corrente de 0,1 mA.
ambiente (25ºC) e para o ponto de ebulição da água (lOOºC). A 54. Determine a impedância dinâmica para o diodo de 24 V com I, =
mudança é significativa? O nível quase dobra para cada lOºC de 1O mA da Fig. 1.51 b. Observe que é uma escala log.
aumento na temperatura? *55. Compare os níveis de impedância dinâmica para o diodo 24 V da
42. Para o diodo da Fig. 1.36, determine a resistência ac (dinâmica) Fig. 1.51b com os níveis de corrente de 0,2 mA, 1 mA e 10 mA.
máxima para uma corrente direta de O, 1 mA, 1,5 mA e 20 mA. Com- Como os resultados influem no aspecto da curva característica nesta
pare os níveis e comente se os resultados confirmam as conclusões região?
obtidas nas seções anteriores deste capítulo.
43. Usando as características apresentadas na Fig. 1.36, determine os § 1.15 Diodos Emissores de Luz
níveis de dissipação de potência máxima para o diodo à tempera-
tura ambiente (25ºC) e a 1OOºC. Assumindo que V, permanece fixo 56. Referindo-se à Fig. 1.55e, o que parece ser um valor apropriado de
em 0,7 V, como o valor máximo de/, variou entre os dois níveis V, para este dispositivo? Compare ao valor obtido de V, para o si-
de temperatura? 1ício e germânio.
44. Usando as curvas características apresentadas na Fig. 1.36, deter- 57. Usando a informação fornecida na Fig. 1.55, determine a tensão
mine a temperatura na qual a corrente de diodo terá 50% do seu direta através do diodo se a intensidade luminosa relativa for de
valor à temperatura ambiente (25ºC). 1,5.
*58. (a) Qual é o aumento percentual na eficiência relativa do dispo-
§ 1.10 Capacitância de Transição e Difusão sitivo da Fig. 1.55, se a corrente de pico for aumentada de 5
para lOmA?
*45. (a) Referindo-se à Fig. 1.37, determine a capacitância de transi- (b) Repita a letra (a) quando varia de 30 para 35 mA (o mesmo
ção para potências de polarização reversas de -25 V e -10 aumento na corrente).
V. Determine a razão entre a variação do valor de capacitân- (e) Compare o aumento percentual das letras (a) e (b). Em que
cia e a variação na tensão. ponto da curva você apontaria um pequeno ganho devido a
(b) Repita a letra (a) para potências de polarização reversas de um aumento na corrente de pico?
-10 V e -1 V. Determine a razão entre a variação do valor *59. (a) Referindo-se à Fig. 1.55h, determine a corrente de pico má-
da capacitância e a variação no valor da tensão. xima tolerável se o período de duração do pulso for de 1 ms,
(c) Compare as razões determinadas nas letras (a) e (b). Baseado a freqüência de 300 Hz e a corrente de máxima tolerável de
nisto, conclua qual faixa de operação permite maior aplica- 20mA.
ção na prática? (b) Repita a letra (a) para uma freqüência de 100 Hz.
46. Referindo-se à Fig. 1.37, determine a capacitância de difusão para 60. (a) Se a intensidade luminosa em um deslocamento angular de
OVe0,25 V. 0° for de 3,0 mcd para o dispositivo da Fig. 1.55, em que ân-
47. Descreva com suas próprias palavras qual a diferença entre as gulo será 0,75 mcd?
capacitâncias de difusão e transição. (b) Para que ângulo a redução da intensidade luminosa é maior
48. Determine a reatância apresentada por um diodo, descrito pela curva do que 50%?
característica da Fig. 1.37, para um potencial direto de 0,2 V e para *61. Esboce a curva de redução de corrente para a corrente direta mé-
um potencial reverso de -20 V, se a freqüência aplicada for de 6 MHz. dia do LED vermelho de alta eficiência da Fig. 1.55 versus a tem-
peratura. (Observe os valores máximos absolutos.)
§ 1.11 Tempo de Reestabelecimento Reverso

49. Esboce a forma de onda para a corrente ido circuito da Fig. 1.63
se t, = 2t5 e o tempo de reestabelecimento reverso total é de 9 ns. *Observação: Os asteriscos indicam os problemas mais diffceis.
CAPÍTULO

Aplicações do Diodo 2
2.1 INTRODUÇÃO
o liJ,I º---
la que emprega todas as características. Neste livro, a ênfase é
direcionada ao desenvolvimento de um conhecimento suficien-
A construção, as características e os modelos de diodos te de um dispositivo, através do uso de aproximações apropria-
semicondutores foram introduzidos no Cap. 1. O objetivo inici- das, evitando, assim, um nível desnecessário de complexidade
al deste capítulo é desenvolver conhecimento suficiente do fun- matemática. Detalhes suficientes serão normalmente fornecidos,
cionamento do diodo em várias configurações, utilizando mode- entretanto, para permitirem uma análise matemática detalhada,
los apropriados para cada tipo de aplicação. Ao final do capítu- se desejada.
lo, o padrão fundamental de comportamento de diodos em cir-
cuitos de e ac deve estar perfeitamente compreendido. Os con-
ceitos aprendidos neste capítulo terão importância significativa 2.2 ANÁLISE POR RETA DE CARGA
nos capítulos seguintes. Por exemplo, diodos são freqüentemen-
te empregados na descrição da fabricação de transistores e na A carga aplicada terá normalmente um impacto importante no
análise, nos domínios de e ac, de circuitos que empregam tran- ponto ou região de operação de um dispositivo. Se a análise for
sistores. feita de maneira gráfica, uma reta poderá ser desenhada sobre a
O conteúdo deste capítulo irá revelar um lado interessante e curva característica do dispositivo, representando a carga apli-
muito positivo do estudo de áreas como dispositivos e sistemas cada. A interseção da reta de carga com a curva característica
eletrônicos - uma vez entendido o comportamento básico de um determinará o ponto de operação do sistema. Tal análise é cha-
dispositivo, sua função e resposta podem ser determinadas para mada, por motivos óbvios, análise por retá de carga. Embora a
uma variedade infinita de configurações. A faixa de aplicação não maioria dos circuitos com diodos analisados neste capítulo não
tem limites, ainda que as características e modelos permaneçam empregue a abordagem da reta de carga, a técnica é freqüente-
os mesmos. A análise desenvolvida será desde a que emprega a mente utilizada nos capítulos subseqüentes, e esta introdução
característica real do diodo até a que utiliza modelos aproxima- apresenta a aplicação mais simples do método. Permite ainda uma
dos quase que exclusivamente. Torna-se importante que o papel validação da técnica aproximada, descrita ao longo de todo o
e a resposta de vários elementos em um sistema eletrônico se- restante deste capítulo.
jam entendidos sem que se tenha que recorrer continuamente a
Considere o circuito da Fig. 2. la, empregando um diodo que
procedimentos matemáticos extensos. Isto é realizado pelo pro-
tem as características da Fig. 2.lb. Nesta Fig. 2.la, note que a
cesso de aproximação, o qual pode exigir muita habilidade.
"pressão" estabelecida pela bateria tenta forçar uma corrente atra-
Embora os resultados obtidos utilizando as características reais
vés do circuito no sentido horário. O fato de esta corrente e o
possam ser um pouco diferentes daqueles obtidos pela utiliza-
sentido de condução do diodo estarem "casados" revela que o
ção de várias aproximações, tenha em mente que as próprias
diodo está no estado "ligado" e a condução foi estabelecida. A
características fornecidas por uma folha de especificações podem
polaridade resultante através do diodo será como mostrada e o
ser ligeiramente diversas das características do dispositivo na
prática. Em outras palavras, as características de um diodo primeiro quadrante (VD e /D positivo) da Fig. 2.lb será a região
semicondutor 1N4001 podem variar de um elemento para outro de interesse para polarização direta.
em um mesmo lote. A variação pode ser pequena, mas será qua- Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff no circuito em série
se sempre suficiente para validar a aproximação empregada na da Fig. 2.la, resulta em
análise. Considere também os outros elementos do circuito: o
E- Vo - VR = O
resistor com valor nominal de 100 n é exatamente de 100 O? A
tensão aplicada é exatamente de 10 V, ou talvez de 10,08 V? ou (2.1)
Todas estas tolerâncias contribuem para a crença geral de que uma
resposta determinada por meio de um conjunto apropriado de As duas variáveis da Eq. (2.1) (VD e /D) são as mesmas re-
aproximações pode normalmente ser "tão precisa" quanto aque- presentadas pelos eixos coordenados da Fig. 2. lb, que mostra
Aplicações do Diodo 37

E= Vv+loR
= O V+ loR

e (2.2)
+
E ( como mostrado na Fig. 2.2. Se atribuirmos /0 = OA na Eq. (2.1)
e solucioná-la para V0 , temos o valor de V0 no eixo horizontal.
Portanto, com 10 = OA, A Eq. (2.1) toma-se como mostrado
E= Vv + /DR
(a)
= Vo + (O A)R
e (2.3)
na Fig. 2.2. Uma linha reta traçada entre os dois pontos definirá

.:..
a reta de carga, desenhada na Fig. 2.2. Modifique o valor de R (a
carga) e a interseção com o eixo vertical modificar-se-á. O re-
sultado será uma mudança na inclinação da reta de carga e um

...:: ponto de interseção diferente entre a reta de carga e a curva ca-


racterística do dispositivo .

....•
:
Temos agora uma reta de carga definida pelo sistema e uma
curva característica definida pelo dispositivo. O ponto de inter-
. seção entre as duas curvas representa o ponto de operação para
:
. este circuito. Desenhando simplesmente uma linha vertical até o

•·•··
.. eixo horizontal, a tensão do diodo V00 pode ser determinada,
enquanto que uma linha horizontal do ponto de interseção até o
o eixo vertical fornecerá o valor de 10 º. A corrente / 0 é, na verda-
(b) de, a corrente que circula em toda a configuração série na Fig.
2.la. O ponto de operação é normalmente chamado ponto
Fig. 2.1 Configuração série do diodo: (a) circuito; (b) curva característica. quiescente (abreviado "pt Q") para refletir suas qualidades de
"imobilidade, inércia", assim definidas para um circuito de.
A solução obtida pela interseção das duas curvas é a mesma
que seria obtida por uma solução matemática simultânea das Eqs.
a curva característica do diodo. Esta semelhança permite tra- (2.1) e (1.4) [/0 = 1,( év0 1r, - 1)]. Uma vez que a curva para um
çar graficamente a Eq. (2.1) sobre a curva característica da Fig. diodo possui características não-lineares, a matemática envolvi-
2.lb. da exigiria a utilização de técnicas não-lineares que estão além
As interseções da reta de carga com a curva característica do da necessidade e alcance deste livro. A análise por reta de carga
diodo podem ser facilmente determinadas empregando-se o fato descrita acima fornece uma solução com um mínimo de esforço
de que, em qualquer ponto do eixo horizontal, 10 = OA e de que, e provê uma descrição "pictorial" do motivo pelo qual os valo-
em qualquer ponto do eixo vertical, V0 = OV. res da solução para V00 e l Do foram obtidos. Os próximos dois
Se atribuirmos V0 = OV na Eq. (2.1) e solucioná-la para 10 , exemplos demonstrarão técnicas introduzidas acima e revelarão
temos o valor de 1 no eixo vertical. Portanto, como V = OV, a
0 0 a facilidade relativa com a qual a reta de carga pode ser determi-
Eq. (2.1) toma-se nada utilizando as Eqs. (2.2) e (2.3).

lo

li.
E .j _,,,.,,,- Curva característica (dispositivo)
: Ponto Q

- - - Reta de carga (circuito)

o E

Fig. 2.2 Desenhando a reta de carga e determinando o ponto de operação.


38 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o -.i o

10
/0 (mA)

-------:
.
+ 9 •
8
i
:
Si 7 !
6 :i
•1
:1
+ 5
:1
E lOV R 1 k(l VR 4 •I
:1
3 :1
2
• .
:
:1
1
1
••• 1

o 0,5 0,8 Vo (V)


(a) (b)

Fig. 2.3 (a) Circuito; (b) características.

A diferença nos resultados é devida à precisão com a qual o grá-


EXEMPL02.1 fico pode ser lido. Idealmente, os resultados obtidos em ambos
Para a configuração série do diodo da Fig. 2.3a, e empregando os métodos deveria ser os mesmos.
as características do diodo da Fig. 2.3b, determine:
(a) V°º e Iv.i.
(b) VR'
EXEMPL02.2
Solução Repita a análise do Exemplo 2.1 com R = 2 kO.

(a) Eq. (2.2): lv = !!...I = lO V = 10 mA Solução


R V 0 =0 V 1 kfi
Eq. (2.3): Vn = El1"=0 A = 10 V (a) Eq. (2.2): 10 =E1 = lO V = 5 mA
R V0 =0V 2 kO
A reta de carga resultante aparece na Fig. 2.4. A interseção entre
a reta de carga e a curva característica define o ponto Q como Eq. (2.3): Vo = El10 =0 A= 10 V

Vn 0== 0,78 V A reta de carga resultante aparece na Fig. 2.5. Note que, quanto
maior o valor da carga, menor é a inclinação da reta e menor a
100 == 9,25 mA corrente do diodo. O ponto Q resultante é definido por
O valor de V0 é certamente uma estimativa, e a precisão de 10 é
V0 (!= 0,7 V
limitada pela escala escolhida. Maior precisão exigiria um dia-
grama muito maior e seria, provavelmente, impraticável. / 00 =4,6 mA
(b) Vn = lnR = l 00R = (9,25 mA)(l kO) = 9,25 V (b) Vn = InR = lvºR = (4,6 mA)(2 kO) = 9,2 V
ou VR = E - V0 = 10 V - 0,78 V= 9,22 V com VR = E - V0 = 10 V - 0,7 V = 9,3 V

lo (mA)
E
R~
J0 Q ;;;9,25 mA 9
8
7
6
5
4
3
2

3 4 5 6 7 8 9 10 ~ (V)
(P)

Fig. 2.4 Solução para o Exemplo 2.1.


Aplicações do Diodo 39

lo (mA)

10
9
8
7
li 6
1
OQ
;;;46;14
1

3
2
(do Exemplo 2.1)

2 3 4 5 6 7 8 9 10 ~(V)
(p)

Fig. 2.5 Solução do Exemplo 2.2.

A diferença nos valores é novamente devida à precisão com que VvQ = 0,7 V
o gráfico pode ser lido. Certamente, entretanto, os resultados
fornecem um valor esperado para a tensão v•. lvQ = 9,25 mA
Os resultados obtidos no Exemplo 2.3 são extremamente inte-
Como visto nos exemplos acima, a reta de carga é determinada ressantes. O valor de I D é exatamente o mesmo obtido no Exem-
unicamente pela configuração empregada, enquanto que a curva plo 2.1, utilizando um; curva característica muito mais fácil de
característica é definida pelo dispositivo escolhido. Se adotarmos desenhar do que a da Fig. 2.4. O valor de V0 = 0,7 V é bastante
agora o modelo aproximado para o diodo e não alterarmos a confi- diferente de 0,78 V do Exemplo 2.1; entretanto, se compararmos
guração do sistema, a reta de carga será exatamente a mesma obti- às outras tensões do circuito, são certamente valores aproximados.
da nos exemplos acima. Na realidade, os próximos dois exemplos
repetem a análise dos Exemplos 2.1 e 2.2, utilizando o modelo
aproximado, permitindo, assim, uma comparação dos resultados. EXEMPL02.4
Repita o Exemplo 2.2, utilizando o modelo equivalente aproxi-
mado para o diodo semicondutor de silício.
EXEMPL02.3
Repita o Exemplo 2.1, utilizando o modelo equivalente aproxi- Solução
mado para o diodo semicondutor de silício.
A reta de carga é redesenhada na Fig. 2.7 com as mesmas inter-
Solução seções definidas no Exemplo 2.2. A curva característica do cir-
cuito equivalente aproximado para o diodo também foi traçada
A reta de carga é redesenhada na Fig. 2.6 com as mesmas inter- no mesmo gráfico. O ponto Q resultante:
seções definidas no Exemplo 2.1. A curva característica do cir-
Vv0 = 0,7 V
cuito equivalente aproximado para o diodo também foi traçada
no mesmo gráfico. O ponto Q resultante: lv 0 = 4,6 mA

lo (mA)

10
loQ;;;9125 mA 9
8
7
6
5
4
3
2

o I º.,S\1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ~ (V)
VoQ;;;o,1v

Fig. 2.6 Solução do Exemplo 2.1, utilizando o modelo aproximado do diodo.


40 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

lv (mA)

10
9
8
7
6
10 ;;;46mA 5 -
Q 1 4
3
2

O 0,5\I 2 3 4 5 6 7
VvQ;;; 0,7V

Fig. 2.7 Solução do Exemplo 2.2, utilizando o modelo aproximado do diodo.

agora a reta de carga no eixo vertical. O ponto Q é definido, por-


No Exemplo 2.4, os resultados obtidos tanto para Vva como
tanto, por
para 10 Q são iguais aos obtidos utilizando-se• as características
completas no Exemplo 2.2. Os exemplos acima demonstraram VvQ = OV
que os níveis de corrente e tensão obtidos utilizando-se o mode-
lo aproximado foram bem próximos dos resultados encontrados 10 Q = 10 mA
para os casos em que foram empregadas as características com-
pletas. Isto sugere, e será aplicado nas seções a seguir, que o uso
Os resultados geram desconfiança quanto à precisão, pois são
de aproximações apropriadas pode produzir soluções que são
muito diferentes dos encontrados no Exemplo 2..1. Certamente eles
muito próximas à resposta real, sem se preocupar muito em re-
fornecem alguma indicação dos valores de tensão e corrente para se~
produzir apropriadamente as características e escolher uma es-
rem esperados relativos aos outros valores de tensão do circuito, mas
cala suficientemente grande. No próximo exemplo iremos um
o esforço adicional de simplesmente incluir a queda de O,7 V sugere
passo adiante e substituiremos o modelo ideal. Os resultados
que a abordagem empregada no Exemplo 2.3 é mais adequada.
revelarão as condições que devem ser satisfeitas para se aplicar
A utilização do modelo ideal do diodo deve, portanto, serre-
o modelo equivalente adequadamente.
servada aos casos em que a função de um diodo é mais impor-
tante do que níveis de tensão que diferem em dezenas de volts, e
nos casos em que as tensões aplicadas são consideravelmente
EXEMPL02.5 maiores do que a tensão de limiar V'" Nas próximas seções, o
Repita o Exemplo 2.1, utilizando o modelo ideal do diodo. modelo aproximado será empregado exclusivamente, pois os
níveis de tensão obtidos serão sensíveis a variações próximas de
Solução V,. Nas seções posteriores, o modelo ideal será empregado mais
amiúde, uma vez que as tensões aplicadas serão freqüentemente
Como mostrado na Fig. 2.8, a reta de carga continua sendo a muito maiores que V, e, além disso, os autores desejam assegu-
mesma, entretanto a curva característica do diodo ideal intercepta rar que a função do diodo seja entendida clara e corretamente.

lv (mA)

lv =10mA10 PontoQ
Q 9 -
8 -

E\
4-, IM,=>
3 -
2 -
1 -

o"' 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Vzi (V)

Fig. 2.8 Solução do Exemplo 2.1, utilizando o modelo ideal do diodo.


Aplicações do Diodo 41

2.3 APROXIMAÇÕES PARA O DIODO minimize a necessidade de extensos desenvolvimentos


matemáticos.
Na seção 2.2, revelamos que os resultados obtidos utilizando o
modelo equivalente aproximado eram bem próximos, se não iguais, O modelo equivalente completo introduzido no Cap. l não foi
aos resultados encontrados utilizando todas as características do empregado na análise por reta de carga porque r.v é tipicamente
diodo. Na verdade, se levarmos em conta todas as possíveis varia- muito menor do que os outros elementos em série do circuito. Se
ções devido a tolerâncias, temperatura, e assim por diante, certa- o valor de r.v for próximo aos valores dos outros elementos em
mente poderíamos considerar uma solução "tão precisa" quanto a série do circuito, o modelo equivalente completo pode ser apli-
outra. Uma vez que a utilização do modelo aproximado normal- cado da maneira descrita na Seção 2.2.
mente resulta em uma redução de esforço e tempo para se obter os Como preparo para as análises que estão por vir, o Quadro 2.1
resultados desejados, esta será a abordagem empregada neste livro, foi desenvolvido para recordar as características importantes,
a menos que se especifique o contrário. Relembre o seguinte: modelos e condições de aplicação para os modelos ideal e apro-
ximado do diodo. Embora o diodo de silício seja utilizado quase
O propósito principal deste livro é desenvolver um conhe- que exclusivamente, devido sobretudo às suas características de
cimento geral do comportamento, capacidades, e possíveis temperatura, o diodo de germânio é ainda utilizado, e portanto
áreas de aplicação de um dispositivo de tal maneira que incluído no Quadro 2.1. Assim como o diodo de silício, o diodo

QUADRO 2.1 Modelo de Diodos Semicondutores Ideal e Aproximado


lo + 0,7V -
___.,...~ ~1--<>-
T:· 0.7V
Si/feio lo

o~
___.,...~
I 0 =0A

lo + 0,3V -
Germânio
___.,...~
lo

O 0,3V

___.,...a.l
! 0 =0A

Modelo ideal (Si ou Ge) lo


+ ov + Vo=OV -

--------
___.,...~
lo
==>
----0-----0--
lo

(E» Vr,R » rav)


--1 ==>
"\
Vo
- E + + Vr

___.,...~ ==> ---0


lo=OA
e---
10 =0A
42 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Si

Ge

(a) (b)

Fig. 2.9 (a) Notação do modelo aproximado; (b) notação do modelo ideal.
Fig. 2.11 Determinando o estado do diodo da Fig. 2.10.

de germânio é considerado um circuito aberto para tensões abai-


xo de V,.. Este diodo entrará no estado "ligado" quando V0 2::: Vr Para cada configuração, substitua mentalmente os diodos por
= 0,3V. elementos resistivos e note a direção resultante da corrente como
Não esqueça de que 0,7 V e 0,3 V nos circuitos equivalentes sendo resultado das tensões aplicadas ("pressão"). Se a direção
não são fontes independentes de energia. Estes valores de tensão resultante está no mesmo sentido que a seta do símbolo do dio-
existem para simplesmente nos lembrar que há um "preço a pa- do, a condução será estabelecida através do diodo, e o dispositi-
gar", quando se liga um diodo. Um diodo isolado em uma ban- vo está no estado "ligado". A descrição acima depende, é óbvio,
cada de laboratório não indicará O, 7 V ou 0,3 V se um voltímetro de a fonte fornecer uma tensão maior do que a tensão do limiar
for colocado entre os seus terminais. A queda de tensão no dio- (Vr) de cada diodo.
do ocorrerá quando este estiver "ligado", e indica o nível de ten- Se um diodo está no estado "ligado", tanto se pode conside-
são mínimo necessário para que a condução seja estabelecida. rar uma queda de 0,7 V através do elemento, como o circuito pode
Nas próximas seções, demonstraremos o impacto dos mode- ser redesenhado com o circuito equivalente mostrado no Quadro
los do Quadro 2.1 na análise de configurações de diodo. Nas si- 2.1. Normalmente, a preferência será incluir a queda de 0,7-V
tuações em que o circuito equivalente aproximado for emprega- através de cada diodo "ligado", e desenhar uma linha através de
do, o símbolo do diodo aparecerá como mostrado na Fig. 2.9a, cada diodo no estado "desligado" ou aberto. Inicialmente, entre-
para os diodos de silício e germânio. Se as condições são tais que tanto, o método de substituição será utilizado para assegurar que
o modelo ideal do diodo pode ser empregado, o símbolo do dio- as tensões apropriadas e os níveis de corrente estão determina-
do será como mostrado na Fig. 2.9b. dos.
O circuito em série da Fig. 2.1 O, descrito com alguns detalhes
2.4 CONFIGURAÇÕES SÉRIE DE na Seção 2.2, será utilizado para demonstrar a abordagem des-
crita nos parágrafos acima. O estado do diodo é determinado
DIODOS COM ENTRADAS DC primeiro substituindo-se mentalmente o diodo por um elemento
resistivo, como mostrado na Fig. 2.11. A direção resultante de I
Nesta seção, o modelo aproximado é utilizado para investigar está "casada" com a seta do símbolo do diodo, e já que E > V,., o
configurações série de diodos com entradas de. O assunto esta- diodo está no estado "ligado". O circuito é, portanto, redesenhado
belecerá uma base na análise do diodo, cuja abordagem será fei- conforme Fig. 2.12, com o modelo equivalente apropriado para
ta nas seções e capítulos seguintes. O procedimento descrito pode, o diodo de silício diretamente polarizado. Note que a polaridade
na verdade, ser aplicado a circuitos com uma quantidade qual- de V0 corresponderia à mesma polaridade se o diodo fosse um
quer de diodos e em várias configurações. elemento resistivo. A tensão resultante e os valores de corrente
Para cada configuração, o estado de cada diodo deve ser ini- são os seguintes:
cialmente determinado. Quais diodos estão "ligados" e quais estão
"desligados"? Uma vez definidos, o equivalente apropriado que (2.4)
se estabeleceu na Seção 2.3 pode ser substituído, e os parâme-
tros restantes do circuito determinados. (2.5)

Em geral, um diodo está no estado "ligado" se a corrente (2.6)


estabelecida pelas fontes é tal que sua direção está no
mesmo sentido que a seta do símbolo do diodo, e V0 2::: O, 7
V para o silício e V0 2::: 0,3 V para o germânio.

Si

E

Fig. 2.10 Configuração série do diodo. Fig. 2.12 Substituindo pelo modelo equivalente o diodo "ligado" da Fig. 2.10.
IJlil Aplicações do Diodo 43

----1~ + Vo=E

V''''' +F 11- ,R
Si
+
E R
+
VR
+
E
r1 R
+
VR
E R
+
VR

.Fig. 2.13 Invertendo o diodo da Fig.


2.10. Fig. 2.15 Substituindo pelo modelo
Fig. 2.14 Determinando o estado do equivalente o diodo "desligado" da
diodo da Fig. 2.13. Fig. 2.13.

Na Fig. 2.13 o diodo da Fig. 2.10 foi invertido. A substitui- Solução


ção do diodo por um elemento resistivo, como mostrado na Fig.
2.14, revela que o sentido da corrente não está de acordo com o Removendo o diodo, descobrimos que o sentido de I é oposto à
símbolo do diodo. O diodo está no estado "desligado", resultan- seta do símbolo do diodo, e o equivalente do diodo é o circuito-
do no circuito equivalente da Fig. 2.15. Como o circuito está aberto, não importando o modelo empregado. O resultado é o
aberto, a corrente do diodo é OA, e a tensão através do resistor R circuito da Fig. 2.17, onde/,,= OA devido ao circuito-aberto. Já
é a seguinte:
VR = IRR = lvR = (0 A)R = O V
O fato de v.
= OV faz com que se estabeleça E volts através do
circuito aberto, assim definido pela lei das tensões de Kirchhoff.
Tenha sempre em mente que, sob quaisquer circunstâncias -de,
ac, valores instantâneos, pulsos etc. - , a lei das tensões de
Kirchhoff deve ser satisfeita!

EXEMPL02.6 Fig. 2.17 Determinando as incógnitas do Exemplo 2.7.


Para a configuração série com diodo da Fig. 2.16, determine V0 ,
V. e / 0 • que v. = I.R, v. = (O)R = OV. A aplicação da lei das tensões de
Kirchhoff na malha produz
+ Vo
E-V0 VR =O
il,R -

+
E
F8V
Si

R
+
2,2 kn VR
e Vo =E - VR = E - O= E= 8 V

Em particular, note no Exemplo 2.7 que, apesar de alta ten-


são aplicada ao diodo, ele está no estado "desligado". A corrente
é nula, mas a tensão é significativa. Como revisão, tenha em
mente, nas análises a seguir, o seguinte:

Fig. 2.16 Circuito do Exemplo 2.6. 1. Um circuito aberto pode ter qualquer valor de tensão através
de seus terminais, entretanto a corrente é sempre zero.
2. Um curto-circuito possui OV em seus terminais, e a corrente
Solução é limitada somente pelo circuito restante.
Uma vez que a tensão aplicada estabelece uma corrente no sen-
No próximo exemplo, a notação da Fig. 2.18 será empregada
tido horário, de acordo com a seta do símbolo do diodo, o diodo
para a tensão aplicada. Esta notação é comumente utilizada e o
está no estado "ligado".
leitor deve tomar-se bastante familiarizado com ela. Tal notação
Vo = 0,7 V e outros níveis de tensão definidos serão abordados mais tarde
noCap. 4.
VR = E - V0 = 8 V - 0,7 V = 7,3 V
E=+ lOVo
VR 7,3 V
/0 = IR = -R = ,. == 3,32 mA
2,2 ku

EXEMPL02.7
Repita o Exemplo 2.6 com o diodo invertido. Fig. 2.18 \'ota~·üo uc IÚlllc.
44 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o IJi,I

Solução
EXEMPL02.8
Para a configuração com diodo em série da Fig. 2.19, determine Uma abordagem similar àquela utilizada no Exemplo 2.6 reve-
v.
VD, e ln. lará que a corrente resultante tem o mesmo sentido das setas dos
símbolos de ambos os diodos, resultando no circuito da Fig. 2.22,
pois E= 12 V> (0,7V + 0,3 V)= 1 V.Noteafonteredesenhada
de 12 V e a polaridade de V0 através do resistor de 5,6-kll. A

Fº Si
tensão resultante
V0 = E - VT, - VT2 = 12 V - 0,7 V - 0,3 V= 11 V
E 0,5V
e ln = IR = VR = Vo = 1l V 1 96 mA
R R 5,6 kll == '

Fig. 2.19 Circuito em série com diodo do Exemplo 2.8.

Solução

Embora a "pressão" estabeleça uma corrente com o mesmo sen-


tido da seta do símbolo do diodo, o valor de tensão aplicada é
insuficiente para "ligar" o diodo de silício. O ponto de operação
é mostrado na Fig. 2.20, determinando o circuito-abertb como a
aproximação adequada. Os valores de tensão e corrente resultan- Fig. 2.22 Determinando as incógnitas do Exemplo 2.9.
tes são, portanto, os seguintes:
ln= OA
VR =IRR = InR = (O A)l,2 kll = O V EXEMPLO 2.10
e Vn =E= 0,5 V Determine ! 0 , VDi e V0 para o circuito da Fig. 2.23.

Fig. 2.23 Circuito do Exemplo 2.10.

O / 0,7V
VD =0,5 V Solução

Fig. 2.20 Ponto de operação com E = 0,5 V. A remoção dos diodos e a determinação do sentido da corrente re-
sultante I originam o circuito da Fig. 2.24. O sentido da corrente do
diodo de silício está de acordo com o seu sentido de condução,
porém o mesmo não acontece com o diodo de germânio. A combi-
EXEMPL02.9 nação de um curto-circuito em série com um circuito-aberto resul-
Determine V0 e ! 0 para o circuito em série da Fig. 2.21. ta sempre em um circuito-aberto e !0 = OA, conforme a Fig. 2.25.

Fig. 2.21 Circuito do Exemplo 2.9. Fig. 2.24 Determinando o estado dos diodos da Fig. 2.23.
o lllil Aplicações do Diodo 45

/=O
....... Solução

As fontes são desenhadas, e o sentido da corrente é indicado na


Fig. 2.28. O diodo está conduzindo, e a notação da Fig. 2.29 é
incluída para indicar este estado. Note que o estado "ligado" só
é percebido porque V0 = O, 7 V é incluído na figura. Isto elimina

Fig. 2.25 Substituindo pelo estado equivalente o diodo aberto.

Pelo que substituiremos o diodo de silício é a questão que


permanece. Para a análise a seguir neste e nos próximos ca-
pítulos, lembre-se simplesmente, para o diodo real, de que,
quando / 0 = O A, V0 = O V (e vice-versa), como descrito no
Cap. 1 para a situação em que não há polarização. As condi-
ções descritas por / 0 = OA e Vv, = OV estão indicadas na Fig.
2.26.
Fig. 2.28 Determinando o estado do diodo do circuito da Fig. 2.27.

a necessidade de redesenhar o circuito, e evita qualquer confu-


são que poderia surgir com a presença de outra fonte. Como
mencionado na introdução desta seção, este talvez seja o méto-
do utilizado por quem já tem uma certa intimidade na análise de
configurações com diodo. Posteriormente, toda análise será fei-
ta com referência apenas ao circuito original. Lembre-se de que

Fig. 2.26 Determinando as incógnitas do circuito do Exemplo 2.10.


+ 0,7V-

+
+
e VD 2 = Vcircuito aberto = E = 12 V
E,rov 2,2 kQ R2 Vz
~ Vo

A aplicação da lei das tensões de Kirchhoff no sentido horário


5Vl E2
nos dá

E - Vv, - Vv, - V0 =O
+
J.
Fig. 2.29 Determinando as incógnitas do circuito da Fig. 2.27.
e Vv, =E - Vv, - V0 = 12 V - O- O
= 12 V um diodo reversamente polarizado pode ser indicado simples-
mente por uma linha através do dispositivo.
A corrente resultante através do circuito é
com
I = E1 + E2 - Vv = 10 V+ 5 V - 0,7 V= 14,3 V
Ri+ R 2 4,7 k!l + 2,2 k!l 6,9 k!l
~ 2,07mA
EXEMPLO 2.11
Determine /, Vi, V2 e V0 para a configuração em série de da Fig; e as tensões são
2.27.
Vi= IR 1 = (2,07 mA)(4,7 k!l) = 9,73 V
V2 = IR 2 = (2,07 mA)(2,2 kfi) = 4,55 V
A aplicação da lei das tensões de Kirchhoff à malha de saída no
sentido horário resulta em
+ V2 - V = O
-E2 0

e V = V2 - E2 = 4,55 V - 5 V = -0,45 V
0

E2 =-5V O sinal de menos indica que V0 tem uma polaridade oposta à que
aparece na Fig. 2.27.
Fig. 2.27 Circuito do Exemplo 2.11.
46 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

2.5 CONFIGURAÇÕES PARALELA E limitada a um valor seguro de 14,09 mA, com a mesma tensão
nos terminais.
SÉRIE-PARALELA
Os métodos aplicados na Seção 2.4 podem ser estendidos à aná-
lise de configurações paralela e série-paralela. Para cada aplica- EXEMPLO 2.13
ção, simplesmente adapte as etapas seqüenciais utilizadas nas Determine a corrente I para o circuito da Fig. 2.32.
configurações série com diodo.
Si

I
~ R
EXEMPLO 2.12
E1 = 20 V 2,2k0
Determine V I,, /Di e Iv, para a configuração da Fig. 2.30.
0,

Si
~ o,33kn
.....-~~'V'l..----<t---~~..-~-o+
R fD1 i1D2 Fig. 2;32 Circuito do Exemplo 2.13.

E 10 V D1 Si D2 Si Solução

Redesenhando o circuito, como mostra a Fig. 2.33, verificamos


que o sentido de corrente resultante é tal que o diodo D 1 man-
tém-se ligado, e o diodo D 2 desligado. A corrente resultante I é,
Fig. 2.30 Circuito do Exemplo 2.12.
portanto,

Solução l= E 1 -E2 -Vv = 20V-4V-0,7V = 695 mA


R 2,2 kO '
Para a tensão aplicada, a "pressão" da fonte estabelece uma cor-
rente através de cada diodo com o mesmo sentido, conforme Fig.
2.31. Como o sentido da corrente resultante está de acordo com
a seta do símbolo de cada diodo, e a tensão aplicada é maior do
que 0,7 V, ambos os diodos estão conduzindo. A tensão através II R=2,2k0
de elementos em paralelo é sempre a mesma e +
V0 = 0,7 V

Fig. 2.33 Determinando as incógnitas para o circuito do Exemplo 2.13.

EXEMPLO 2.14
Determine a tensão V0 para o circuito da Fig. 2.34.
Fig. 2.31 Determinando as incógnitas do circuito do Exemplo 2.12.
12V
A corrente

11 = VR = E - Vv = 10 V - O, 7 V = 28 lS A
R R 0,33 kO ' m
Si Ge
Assumindo que os diodos possuem características semelhantes,
temos
11 28,18 mA = 14,09 mA
lv = lv = - 2
' 2 2
2,2 kn
O Exemplo 2.12 demonstrou uma razão para colocarmos
diodos em paralelo. Se a corrente· máxima nominal dos diodos
da Fig. 2.30 for apenas de 20 mA, uma corrente de 28,18 mA
danificaria o dispositivo, se cada um deles aparecesse sozinho
na Fig. 2.30. Colocando-se os dois em paralelo, a corrente fica Fig. 2.34 Circuito do Exemplo 2.14.
Aplicações do Diodo 47

Solução Vr1
+ 07V-
Inicialmente, poder-se-ia imaginar que a tensão aplicada faria os
dois diodos "conduzirem". Entretanto, se ambos estivessem "li- ~ V0z+
.
vi
gados", a queda de O,7 V através do diodo de silício não estaria
de acordo com a queda de 0,3 V do diodo de germânio, uma vez E 20V Vr2 0,1v RI 3,3k0
que a tensão através de elementos em paralelo tem que ser a
mesma. Na realidade, o que ocorre é que, quando é ligada, a fon- r _____________ ] a
te aumenta a tensão fornecida de OV a 12 V em um certo perío-
5,6 kO
do de tempo - provavelmente milissegundos. No instante em
- V2 +
que a tensão no diodo de germânio atinge 0,3 V, este passa a
"conduzir", e mantém o valor da tensão em 0,3 V. O diodo de Fig. 2.37 Determinando as incógnitas do Exemplo 2.15.
silício nunca terá, portanto, a oportunidade de conduzir, já que
em seus terminais nunca haverá a tensão de 0,7 V. Por isso, o
diodo de silício permanece no estado de circuito-aberto como
mostra a Fig. 2.35. O resultado: I = Vr, = O,? V = O212 mA
1 R1 3,3 kfi '
V0 = 12 V - 0,3 V = 11, 7 V A aplicação da lei das tensões de Kirchhoff na malha indicada,
no sentido horário, produz

~
Si - V2 + E - Vr, - Vr, = O
e V2 = E - Vr, - Vr, = 20 V - 0,7 V - 0,7 V= 18,6 V

V2 18,6 V
com
º•i t Vr o,3v
12 = R2 = S, 6 k!l = 3,32 mA

No nó inferior (a),
~1
lo,+ li= /2
e ln, = 12 - 11 = 3,32 mA - 0,212 mA = 3,108 mA
2,2 kO

2.6 PORTAS E/OU


Fig. 2.35 Detenninando V0 para o circuito da Fig. 2.34.
As ferramentas de análise estão agora a nossa disposição, e a
oportunidade de estudar uma configuração utilizada em compu-
tadores demonstrará a faixa de aplicação deste dispositivo rela-
tivamente simples. Nossa análise limitar-se-á a determinar os
EXEMPLO 2.15
níveis de tensão e não incluirá uma discussão detalhada sobre
Determine as correntes / 1, / 2 e Iv, para o circuito da Fig. 2.36. álgebra booleana ou lógicas positiva e negativa.
O circuito a ser analisado no Exemplo 2.16 é uma porta
Si OU para lógica positiva. Isto significa que o nível 10 V da
Fig. 2.38 corresponde a "1", segundo a álgebra booleana,
D1 enquanto que a entrada de O V corresponde a "O". Uma porta
OR é tal que o nível de tensão de saída será 1 se uma ou ambas
E 20V S) D2 as entradas forem 1. A saída é O se ambas as entradas estive-
rem no nível O.
lv2
R2
Si
12 S,6k0 (1) E= lOV
l
D1
Fig. 2.36 Circuito do Exemplo 2.15.
Si
(O) ov Vº
Solução 2
D2

A tensão aplicada (pressão) é suficiente para ligar ambos os


diodos, como se percebe pelos sentidos das correntes no circuito
da Fig. 2.37. Note o uso de uma notação abreviada para os diodos
"ligados", e que a solução é obtida por meio de técnicas aplica-
das aos circuitos de série-paralelo. Fig. 2.38 Porta OU para lógica positiva
48 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

A análise de portas E/OU torna-se muito mais fácil, utilizan- <luzindo. Nossas afirmações parecem confirmadas pelas tensões
do-se o equivalente aproximado de um diodo em vez do modelo e corrente resultantes, e podemos assumir como correta nossa
ideal, já que podemos estipular que a tensão através do diodo deve análise inicial. O nível de tensão de saída não é 10 V, definido
ser 0,7 V (0,3 V para Ge) para que o diodo de silício "conduza". para a entrada 1, mas 9,3 V é suficiente para ser considerado como
Em geral, a melhor técnica é simplesmente estabelecer um nível 1. A saída está, portanto, no nível 1 com apenas uma entra-
sentimento sobre o estado dos diodos, observando o sentido e a da ativada, o que sugere que a porta seja uma porta OU. Uma
"pressão" estabelecidos pelos potenciais aplicados. A análise irá, análise do mesmo circuito com duas entradas de 1O V mostrará
então, confirmar ou negar as afirmações iniciais. ambos os diodos no estado "ligado" e uma saída de 9,3 V. Uma
entrada de O V em ambas as entradas não fornecerá os O, 7 V
exigidos para que os diodos entrem em condução, e a saída será
Odevido ao nível de O-V na saída. Para o circuito da Fig. 2.40, o
EXEMPLO 2.16 valor da corrente é determinado por
Determine V0 para o circuito da Fig. 2.38.
l=E-Vv= 10V-0,7V = 9 JmA
Solução R 1 kfi '

Inicialmente, perceba que só há um potencial aplicado; 10 V no


terminal 1. O terminal 2 com uma entrada de O V está aterrado,
como mostra o circuito redesenhado da Fig. 2.39. A Figura 2.39
EXEMPLO 2.17
Determine o nível de saída da porta E de lógica positiva da Fig.
"sugere" que D 1 talvez esteja "ligado" devido aos 10 V aplica-
dos, enquanto D 2 com seu lado "positivo" a O V esteja provavel- 2.41.
mente "desligado". Assumindo esses estados, teremos a confi-
guração da Fig. 2.40. (1) Si
E1 =lOV
1
D1
+
(0) Si

I
E2 =0V Vº
2
D2
r------+--o Vº R 1 kO

E lOV
R lkO
E .I. lOV

ov
Fig. 2.41 Porta E de lógica positiva.
Fig. 2.39 Circuito redesenhado da Fig. 2.38.
Solução
A próxima etapa é simplesmente verificar que não há contra- Note que neste caso uma fonte independente aparece no ramo
dição em nossas afirmações. Isto é, observe que a polaridade atra- aterrado do circuito. Por motivos que logo se tornarão óbvios, a
vés de D 1 é suficiente para ligá-lo, e que a polaridade através de fonte tem o mesmo nível lógico da entrada. O circuito é
D 2 o mantém desligado. ParaD 1, o estado "ligado" estabelece V0 redesenhado na Fig. 2.42, com nossas suposições iniciais sobre
em V0 = E- V0 = lOV - 0,7V = 9,3 V. Com9,3 V no catodo o estado dos diodos. Com 10 V no catodo de D 1, assume-se que
( - ) de D 2 e OV no anodo ( +), D 2 está definitivamente no estado D 1 está no estado "desligado", apesar de haver uma fonte de 10
"desligado". O sentido da corrente e o caminho resultante de V conectada ao anodo de D 1 através do resistor. Entretanto lem-
condução vêm confirmar nossa suposição de que D 1 esteja con- bre-se que mencionamos na introdução desta seção que o uso do

r--0-,-----0 V0 = VD= O, 7 V (0)

R 1 kO

Fig. 2.40 Estados assumidos para os diodos da Fig. 2.38. Fig. 2.42 Substituição pelos supostos estados dos diodos da Fig. 2.41.
Aplicações do Diodo 49

modelo aproximado será um auxílio à análise. Para D 1, onde virá +


0,7 V, se as entradas e as fontes de tensão estão no mesmo nível + +
criando "pressões" opostas? Supõe-se que D 2 esteja no estad~
"ligado" devido à baixa tensão no catodo e ao fato de a fonte de
1O-V estar conectada ao anodo de D 2 através do resistor de 1 kO.
Para o circuito da Fig. 2.42, a tensão V0 é 0,7 V, devido à
polarização direta do anodo D 2 • Com 0,7 V no anodo de D 1 e 10
V no catodo, D 1 está definitivamente no estado "desligado". A v, = V., sen <ut
corrente Iterá o sentido indicado na Fig. 2.4 2, e um valor igual a
Fig. 2.43 Retificador de meia-onda.
I = E - Vo = 10 V - 0,7 V _
R 1 kO - 9 •3 mA
onda irá gerar uma forma de onda v0 que possuirá um valor médio
Os estados dos diodos são, portanto, confirmados, e nossa de uso particular no processo de conversão ac-dc. Quando empre-
análise anterior estava correta. Embora não seja de OV (definida gado no processo de retificação, um diodo é tipicamente denomi-
anteriormente como sendo o nível 0), a tensão de saída é sufici- nado retificador. Sua potência e valor máximo de corrente são nor-
entemente pequena para ser considerada como um nível O. Para malmente muito maiores do que os dos diodos empregados em
a porta E, portanto, uma única entrada Oresultará em um nível O outras aplicações, como computadores e sistemas de comunicação.
na saída. Os outros estados dos diodos para as hipóteses de duas Durante o intervalo t = O ~ T/2 na Fig. 2.43, a polaridade da
entradas O e nenhuma entrada O serão examinados nos proble- tensão aplicada V; é tal que estabelece uma "pressão" no sentido
mas ao final do capítulo. indicado e liga o diodo com a polaridade indicada. Substituindo
pelo curto-circuito equivalente para o diodo ideal, resulta no cir-
cuito equivalente da Fig. 2.44, onde é bem óbvio que o sinal de
saída é uma réplica exata do sinal da entrada. Os dois terminais
2. 7 ENTRADAS SENOIDAIS: definindo a tensão de saída são conectados diretamente ao sinal
RETIFICAÇÃO DE MEIA-ONDA de entrada, via o curto-circuito produzido pelo diodo.
Para o período T/2 ~ T, a polaridade da entrada v; é mostrada
A análise de diodo será agora ampliada para incluir funções va- na Fig. 2.45, e a polaridade resultante através do diodo ideal pro-
riantes no tempo, como a forma de onda senoidal e a onda qua- duz um estado "desligado" com um circuito-aberto como mode-
drada. Não há dúvida quanto ao fato de que o grau de dificulda- lo equivalente. O resultado é a ausência de um caminho para que
de irá aumentar, mas, uma vez compreendidas algumas técnicas, as cargas fluam e V0 = iR = (O)R = OV para o período T/2 ~ T.
a análise será completamente direta e seguirá uma linha comum. A entrada V; e a saída v0 foram traçadas juntas na Fig. 2.46 para
O circuito mais simples de ser examinado com um sinal varian- que possa haver uma comparação. O sinal de saída vO tem agora
te no tempo aparece na Fig. 2.43. No momento, utilizaremos o uma área resultante média determinada por
modelo ideal (note a ausência da legenda Si ou Ge) para assegurar
(2.7)
que a abordagem não inclua mais uma complexidade matemática. meia-onda
Ao longo de um ciclo completo, definido pelo período T da Fig. O processo de ser remover metade do sinal de entrada para
2.43, o valor médio (a soma algébrica das áreas acima e abaixo do estabelecer um nível de é apropriadamente denominado retifica-
eixo) é zero. O circuito da Fig. 2.43 chamado retificador de meia- ção de meia-onda.

+
+ + + + Vo

V; R Vo _ . . V; V0 =V;

~ .

Fig. 2.44 Região de condução lO ~ T/2).

+ o----;,
+ +

~
v0 =0V
V; R Vo _ . . V; V0 =0V

T
+ +

Fig. 2.45 Região de não-condução (T/2 ~ T).


50 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

O efeito de se utilizar um diodo de silício com Vr = O, 7 V está


demonstrado na Fig. 2.47 para a região em que o diodo é direta-
mente polarizado. O sinal aplicado deve, agora, ser de no míni-
mo 0,7 V para que o diodo possa "ligar-se". Para valores de V;
menores do que 0,7 V, o diodo é ainda um circuito-aberto e v0 = 1
1
OV, como mostra a mesma figura. Quando em condução, a dife- 1
1
rença entre v0 e V; é um valor fixo de V,= 0,7 V e v0 = V; - V,., 1
como mostrado na figura. O efeito na prática é a redução da área 1
1
acima do eixo, que naturalmente reduz o nível de tensão de re- 1
1
sultante. Para situações onde Vm > > V.,., a equação 2.8 pode ser 1
aplicada para determinar o valor médio com um relativo alto grau 1
1
de precisão. ---' Vc1c=01318Vm

(2.8) o
T~
Na verdade, se Vm é suficientemente maior do que V,, em geral
a Eq. 2. 7 é utilizada como uma primeira aproximação para Vc1c· Fig. 2.46 Sinal retificado de meia-onda.

+ Vr -
V;
r--o--1
+ 07V
1
+

V; R
O1 11 T Tt
1 112
~
Diferença devida a V T

Fig. 2.47 Efeito de Vr no sinal retificado de meia-onda.

Solução
EXEMPLO 2.18
(a) Esboce a saída v0 e determine o nível de de saída para o cir- (a) Nesta situação, o diodo conduzirá durante a parte negativa
cuito da Fig. 2.48. (b) Repita o item (a) para o caso em que o diodo da entrada como mostra a Fig. 2.49, e vO terá a forma mostra-
ideal é substituído por um diodo de silício. (e) Repita os itens (a) da na mesma figura
e (b) para Vm = 200 V, e compare as soluções, utilizando as Eqs.
(2.7) e (2.8). Vdc = -0,318Vm = -0,318(20 V)= -6,36 V
O sinal negativo indica que a polaridade da tensão de saída é
oposta à definida na Fig. 2.48.
V; + + (b) Utilizando um diodo de silício, a saída tem a forma da Fig.
2.50e
V;
Vdc = -0,318(Vm - 0,7 V)= -0,318(19,3 V)= -6,14 V
A queda resultante no nível de é 0,22 V, ou aproximadamente
o T t
3,5%.
(e) Eq. (2.7): Vdc = -0,318Vm = -0,318(200 V)=
Fig. 2.48 Circuito do Exemplo 2.18. = -63,6 V

V; -1-4 + Vo

02kü
+
V; Vo
o T
2
+

Fig. 2.49 Saída v0 resultante para o circuito do Exemplo 2.18.


Aplicações do Diodo 51

2.8 RETIFICAÇÃO DE ONDA


COMPLETA
O T Circuito Ponte
2
\ O nível de obtido a partir de uma entrada senoidal pode ser melho-
20 V - 0,7 V= 1913 V
rado 100%, utilizando-se um processo chamado retificação de onda
Fig. 2.50 Efeito de V7 no sinal de saída da Fig. 2.49. completa. O circuito mais usual empregado para realizar tal fun-
ção aparece na Fig. 2.52, com seus quatro diodos em uma configu-
ração em ponte. Durante o período de t = Oaté T/2, a polaridade do
sinal de entrada está mostrada na Fig. 2.53. As polaridades resul-
Eq. (2.8): Vdc = -0,318(Vm - Vy) = tantes através dos diodos ideais são apresentadas também na Fig.
= -0,318(200 V - 0,7 V) 2.53, revelando que D 2 e D 3 estão conduzindo enquanto que D 1 e
= -(0,318)(199,3 V)= -63t38 V D 4 estão no estado "desligado". O resultado é a configuração da Fig.
2.54, com sua corrente e polaridade através de R indicadas na Fi-
que é uma diferença que pode certamente ser desprezada para a gura. Uma vez que os diodos são ideais, a tensão na carga v0 = vi,
maioria das aplicações. Para o item c, a diferença e queda na como mostrado na mesma figura.
amplitude devido a VT não seria perceptível em um osciloscópio Para a região negativa do sinal de entrada, os diodos D, e D 4
típico, se uma escala adequada fosse utilizada. estão conduzindo, resultando na configuração da Fig. 2.55. O
resultado importante é que a polaridade através do resistor de
carga Ré a mesma da Fig. 2.53, estabelecendo um segundo pul-
so positivo, conforme a Fig. 2.55. Ao longo de um ciclo com-
TPI (TPR) pleto, as tensões de entrada e saída serão da forma mostrada na
Fig. 2.56.
A tensão de pico inversa (TPI) [ou TPR (tensão de pico reversa)]
máxima é de suma importância no projeto de sistemas de retifi-
V;
cação. Lembre-se de que a tensão máxima nominal do diodo não +
deve ser ultrapassada na região de polaridade reversa, ou o dio-
do entrará na região de avalanche Zener. A TPI máxima permi-
tida para o retificador de meia-onda pode ser determinada da Fig. V;
2.51, que mostra ó diodo reversamente polarizado da Fig. 2.43 T
com uma tensão aplicada máxima. Aplicando a lei das tensões
de Kirchhoff, toma-se óbvio que a TPI máxima do diodo deve
igualar-se ou ser maior do que o valor de pico da tensão aplica-
da. Portanto
Fig. 2.52 Retificador em ponte de onda completa.
(2.9)

_ V(TPI) +
' ~ t
~ / =0----.--.-0- - - 0

Vm J R V0 =IR=(O)R=OV

+ +
Fig. 2.51 Determinando a TPI máxima exigida para retificador de meia-onda. Fig. 2.53 Circuito da Fig. 2.52 para o período O ~ T/2 do sinal de entrada V;·

l l
2 2

Fig. 2.54 Caminho de condução para a região positiva de v;.


52 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

I
,-, \
I \
o o l T
2

Fig. 2.55 Caminho de condução para a região negativa de v;-

TPI

A TPI exigida para cada diodo (ideal) pode ser determinada


da Fig. 2.58, obtida no pico positivo do sinal de entrada. Para o
o T Tt loop indicado, a tensão máxima através de Ré Vm e a TPI máxi-
2
ma é definida por
Fig. 2.56 Formas de ondas dos sinais de entrada e saída para um retificador de (2.12)
onda completa. retificador em ponte de onda completa

Como a área acima do eixo para um ciclo completo é agora o


dobro da área obtida por um retificador de meia-onda, o nível de
foi também dobrado e

V,1c = 2(Eq. 2,7) = 2(0,318V,,,)


ou (2.10)
onda completa

Se diodos de silício ao invés de diodos ideais fossem em- Fig. 2.58 Determinando a TPI permitida para a configuração em ponte.
pregados como mostra a Fig. 2.57, a aplicação da lei das ten-
sões de Kirchhoff ao longo do caminho de condução resulta-
ria em

V; - Vr - Vu - Vr =o Transformador com Derivação Central


e V0 = V; - 2Vr
("Center Tap")
O valor de pico da tensão de saída V0 é, portanto, Um retificador de onda completa também popular aparece na Fig.
2.59 com dois diodos somente; entretanto, neste caso, há a ne-
Vºmáx= Vm - 2Vr cessidade de um transformador com derivação central (center tap)
para que o sinal de entrada apareça em cada seção do secundário
Para situações onde Vm >> 2 V,., Eq. 2.11 pode ser aplicada para
do transformador. Durante a porção positiva de V; aplicado ao
o valor médio com relativo alto grau de precisão.
primário do transformador, o circuito se comportará como mos-
(2.11) tra a Fig. 2.60. D 1 assume o curto-circuito equivalente, e D 2 o

Novamente, portanto, se Vm é bem maior do que 2V,., então a Eq.


2.10 é normalmente aplicada como uma primeira aproximação
para vdc·

o T T t
2

Fig. 2.57 Determinando V0 ,,,~ para diodos de silício na configuração em ponte. Fig. 2.59 Retificador de onda completa, utilizando transformador center tap.
Aplicações do Diodo 53

1:2
vi

o
Vo

t
~=1
Fig. 2.60 Condições do circuito para a região positiva de v,.

vi
- +
~·\
I \
I \ R
O T o T T
2 2

Fig. 2.61 Condições do circuito para a região negativa de v,.

circuito-aberto equivalente, determinados pelas tensões no secun-


dário e pelos sentidos das correntes resultantes. A tensão de sa- EXEMPLO 2.19
ída aparece como mostra a Fig. 2.60. Determine a forma de onda de saída do circuito da Fig. 2.63, e
Durante a porção negativa do sinal de entrada, o circuito com- calcule o nível de na saída e a TPI exigida para cada diodo.
porta-se como mostra a Fig. 2.61, invertendo as funções dos
diodos, mas mantendo a mesma polaridade da tensão através do
resistor de carga R. O efeito observado na prática é a mesma sa-
+
ída mostrada na Fig. 2.56, com os mesmos níveis de.

TPI

O circuito da Fig. 2.62 nos auxiliará a determinar a TPI para


cada diodo neste retificador de onda completa. Aplicando a ten-

Fig. 2.63 Circuito em ponte do Exemplo 2.19.


TPI +

Solução

O circuito comportar-se-á como mostra a Fig. 2.64 para a região


positiva do sinal de entrada. Redesenhando o circuito, resulta na
configuração da Fig. 2.65, onde v0 = v/2 ou V,,m,, = (10 V)/2 =
5 V, como mostra a Fig. 2.65. Para a parte negativa do sinal de
entrada, as funções dos diodos serão invertidas e v,, será como
mostrado na Fig. 2.66.
Fig. 2.62 Determinando o valor da TPI para os diodos do retificador de onda
completa com transformador CT.
V;
+

são máxima no secundário, e Vm sendo determinada pelo loop


V;
adjacente, resulta em
TPI = Vsecundária + VR
= Vm + Vm
e (2.13)
transformador CT retificador da onda completa Fig. 2.64 Circuito da Fig. 2.63 para a região positiva de v1•
54 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de- Circuitos

entrada, sem distorcer o restante da forma de onda alternada. O


+ +
"º retificador de meia-onda da Seção 2. 7 é um exemplo da forma
2 kü 11,. mais simples de um ceifador com diodo - um resistor e diodo.
Dependendo da orientação do diodo, a região positiva ou nega-
l'; 2 kü tiva do sinal de entrada é "ceifada".
o T Há duas categorias gerais de ceifadores: série e paralelo. A confi-
2 kü 2 guração série é definida como aquela que tem o diodo em série com a
carga, enquanto a paralela tem o diodo em um ramo paralelo à carga.

Fig. 2.65 Circuito redesenhado da Fig. 2.64. Série


A resposta da configuração série da Fig. 2.67a para várias for-
mas de onda é fornecida na Fig. 2.67b. Embora inicialmente in-
troduzido como um retificador de meia-onda (para formas de
onda senoidais), não há limite aos tipos de sinais que podem ser
aplicados a um ceifador. A inclusão de uma fonte de, mostrada
na Fig. 2.68, pode ter um efeito pronunciado na saída de um
ceifador. Nossa discussão inicial será limitada a diodos ideais,
com o efeito de V, reservado a um exemplo na conclusão.
o T T Não há um procedimento geral para a análise de circuitos do
2
tipo mostrado na Fig. 2.68, mas existem algumas idéias para se
Fig. 2.66 Saída resultante do Exemplo 2.19. ter em mente que auxiliam na busca de uma solução.

1. Imagine um esboço da resposta do circuito baseado na


O efeito da retirada de dois diodos da configuração em ponte direção do diodo e nos níveis de tensão aplicados.
foi, portanto, para reduzir o nível de disponível ao seguinte valor:
Para o circuito da Fig. 2.68, a direção do diodo sugere que o
Vdc = 0,636(5 V) = 3,18 V sinal v1 deva ser positivo para ligá-lo. Além disso, a fonte de exi-
mesmo valor disponível de um retificador de meia-onda com o ge que a tensão V; seja maior do que V volts para ligar o diodo. A
mesmo sinal de entrada. Entretanto, a TPI, assim como foi de- região negativa do sinal de entrada está "pressionando" o diodo
terminada na Fig. 2.58, é igual à máxima tensão através de R, para o estado "desligado", apoiado pela presença da fonte de. Em
que é 5 V ou metade daquela exigida para um retificador de meia- geral, portanto, podemos estar bem certos de que o diodo com-
onda com a mesma entrada. porta-se como um circuito-aberto (estado "desligado") para a
região negativa do sinal de entrada.

2. Determine a tensão aplicada (tensão de transição) que


2.9 CEIFADORES causará a mudança de estado do diodo.

Há uma variedade de circuitos com diodos chamados ceifadores* Para o diodo ideal, a transição entre os estados ocorrerá no
que possuem a característica de "ceifar" uma porção do sinal de ponto em que vd = OV e id = OA. A aplicação da condição id =

+
V;

(a)

V;

(b)
Fig. 2.67 Ceifador série.

*N.T.: Os circuitos ceifadores são também conhecidos como limitadores de tensão (ou de
corrente), seletores de amplitude ou cortadores.
Aplicações do Diodo 55

V; V;
V

~t----f-----<>+

-T V; R 1L
1 21
1 1
1 1
1 1
1 t
1 1
Fig. 2.68 Ceifador série com uma fonte de. 1 1
Vo: 1
1 1
1 1 1
1 1 1
+Vm-VI
1 1
O em vd = O para o circuito da Fig. 2.68 resulta na configuração 1 1 1
da Fig. 2.69, onde se sabe que o valor de V; que causará uma tran- o T T
sição do estado é 2
(2.14) Fig. 2.71 Determinando valores de v0 •

V vd=OV É, portanto, possível que a tensão de saída seja traçada a par-


tir de pontos de v0 , como demonstra a Fig. 2. 71. Tenha em mente
~.---~+,___-o---.-1-"---<>+ que, em um valor instantâneo de V;, a entrada pode ser conside-
rada uma fonte de daquele valor e o correspondente valor de (o
V; V0 =ifll=i,ll= (O)R=OV valor instantâneo) da saída determinado. Por exemplo, em V; =
Vw para o circuito da Fig. 2.68, o circuito a ser analisado apare-
ce na Fig. 2.72. Para Vm > Vo diodo está no estado de curto-cir-
cuito, e v0 = Vm - V, como mostra a Fig. 2.71.
Fig. 2.69 Determinando o nível de transição para o circuito da Fig, 2.68. Em vi= V, os diodos mudam de estado, e em V;= - Vm, v0 =
O V, e a curva completa para vO pode ser traçada conforme a Fig.
2.73.
Para uma tensão de entrada maior do que V volts, o diodo está
no estado de curto-circuito, enquanto que para tensões de entra-
da menores do que V volts o diodo se encontra no estado de cir-
cuito-aberto, ou "desligado". +
3. Esteja sempre ciente dos terminais e da polaridade R
de v 0 •

Quando o diodo está no estado de curto-circuito, tal como


mostra a Fig. 2.70, a tensão de saída v0 pode ser determinada, Fig. 2.72 Determinando v0 , quando v, = V,..
aplicando-se a lei das tensões de Kirchhoff no sentido horário

v; - V - v,, = O (direção CW) V;

e (2.15)

VI
~---------o
T t
V o
1•, = V (diodos mudam de estado)

··n
+ +
Fig. 2.73 Traçando v 0 •
R

EXEMPLO 2.20
Fig. 2.70 Determinando v0 •
Determine a forma da onda de saída para o circuito da Fig. 2.74.

Solução
4. Pode ser útil traçar o sinal de entrada acima da saída,
e determinar a saída a partir de valores instantâneos A experiência passada sugere que o diodo estará no estado "li-
da entrada. gado" para a região positiva de V; - especialmente quando con-
56 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

V=SV EXEMPLO 2.21


~1----1,----.----0 Repita o Exemplo 2.20 para a onda quadrada, como entrada da
+ + + Fig. 2.78.

Fig. 2.74 Ceifador série para o Exemplo 2.20.

T
sideramos o efeito de V= 5 V. O circuito ficará como mostra a
Fig. 2.75 e v 0 =V;+ 5 V. Substituindo id = O em vd = O para os
níveis de transição, obtemos o circuito da Fig. 2. 76 e V; = - 5 V.
Fig. 2.78 Sinal aplicado do Exemplo 2.21.

o----Ji---o-----<>----.-~---o
+- sv + + Solução

Para V;= 20 V (O~ T/2), o resultado é o circuito da Fig. 2.79. O


diodo está no estado de curto-circuito, e vO = 20 V + 5 V = 25
V. Para V;= -10 V o resultado é o circuito da Fig. 2.80, colo-
cando o diodo no estado "desligado" e v0 = i~ = (O)R = OV. A
Fig. 2.75 v0 com o diodo no estado ligado. tensão de saída resultante aparece na Fig. 2.81.

+ _l~jv
+ +
20V R

Fig. 2.76 Determinando o nível de transição para o ceifador da Fig. 2.74.


Fig. 2.79 v0 com v, = +20 V.

Para V; mais negativo do que -5 V, o diodo entrará no seu


estado de circuito-aberto, enquanto que para tensões maiores do
que - 5 V o diodo está no seu estado de curto-circuito. As ten-
sões de entrada e saída aparecem na Fig. 2.77.
lr-=1+
sv
R
+
IOV
+

20 v;+S V='20V +5V=25V Fig. 2.80 v0 com v1 = -!O V.

- - - - Vº= O V+ 5 V= 5 V
...
f \ T t
25V
v0 =-S V +SV=OV

Fig. 2.77 Traçando v0 do Exemplo 2.20. T

Fig. 2.81 Esboçando v0 para o Exemplo 2.21.


A análise dos circuitos ceifadores tendo como entradas ondas
quadradas é, na realidade, mais fácil de ser realizada do que com
entradas senoidais, pois apenas dois níveis são considerados. Em
outras palavras, o circuito pode ser analisado como se tivesse dois Note no Exemplo 2.21 que o ceifador não somente corta o sinal
níveis de na entrada, com a saída resultante v determinada de O em 5 V de sua excursão total como também aumenta o nível de
forma apropriada. em5V.
Aplicações do Diodo 57

+ R +

o o
-V -V

Fig. 2.82 Resposta ao ceifador paralelo.

Paralelo O estado de transição pode ser determinado da Fig. 2.85, onde


a condição id = O A com vd = OV foi imposta. O resultado é v;
O circuito da Fig. 2.82 é a mais simples das configurações em (transição) = V= 4 V.
paralelo com diodos, com a saída resultante para os mesmos si- Uma vez que a fonte de está obviamente "pressionando" o
nais de entrada da Fig. 2.67. A análise das configurações em diodo a ficar no estado de curto-circuito, a tensão de entrada deve
paralelo é muito semelhante à utilizada em configurações série, ser maior do que 4 V para o diodo entrar no estado "desligado".
como demonstrado no próximo exemplo. Qualquer valor de tensão na entrada menor do que 4 V resulta
em um diodo no estado de curto-circuito.
Para o estado de circuito-aberto, o circuito comporta-se como
EXEMPLO 2.22 mostra a Fig. 2.86, onde v0 = v;. Completando o traçado de v0
Determine v0 para o circuito da Fig. 2.83. resulta na forma de onda da Fig. 2.87.

vR=OV

+ +
+ R + id=OAl
vd=OV
V;
+
Vo V;
l v,,

o
V -I 4V
o o
V

I
4V
o

J<'ig. 2.85 Determinando o nível de Fig. 2.86 Determinando v,, para


transição para o Exemplo 2.22. o estado "desligado" do diodo.
Fig. 2.83 Exemplo 2.22.

Solução
_ _ _ _ 4-V nível de transição
A polaridade da fonte de e a direção do diodo sugerem fortemente 1 T
que o diodo estará no estado "ligado" para a região negativa do 1
1
sinal de entrada. Para esta região, o circuito comporta-se-á como 1
1
mostra a Fig. 2.84, onde os terminais definidos para v0 exigem 1
1
que v,. = V = 4 V. 1
1
1
lv
1 o
1
R +
V;
T T
2

Fig. 2.87 Traçando v,, para o Exemplo 2.22.


Fig. 2.84 v,, para a região negativa de v;.
58 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Para examinar os efeitos de V, na tensão de saída, o próximo


exemplo especificará um diodo de silício ao invés de um diodo
ideal equivalente. + +

EXEMPLO 2.23
V; J J;0,7V
Repita o Exemplo 2.22, utilizando um diodo de silício com Vr =
0,7V. o,o-·--------~---.oo I- 4V _ Fig. 2.89 Determinando vO para o diodo
da Fig. 2.83 no estado "ligado".

Solução
A forma de onda resultante na saída aparece na Fig. 2.90. Note
A tensão de transição pode ser inicialmente determinada aplican- que o efeito de V, foi somente abaixar o nível de transição de 4 V
do a condição id = O A em vd = V0 = 0,7 V, e obtendo o circuito para3,3 V.
da Fig. 2.88. Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff na malha
de saída no sentido horário, concluímos que
V;+ VT- V= o
e v;=V-V7 =4V-0.7V=3.3V T T
VR=iRR =idR =(O)R =o V 2
R

~
Fig. 2.90 Traçando v0 para o Exemplo 2.23.

'7-] 0,7 V"'\


~ + ~ ~
Não há dúvida de que a inclusão dos efeitos de V, complica a
análise de alguma forma, mas uma vez compreendida a análise
+ com o diodo ideal, o procedimento para a solução, incluindo os
o ~
VI-
4V
o
efeitos de V,., não será difícil.
Fig. 2.88 Determinando o nível de transição para o circuito da Fig. 2.83.
Sumário
Para tensões de entrada maiores do que 3,3 V, o diodo com-
Vários ceifadores série e paralelo com a saída resultante para a
portar-se-á como um circuito aberto, e v0 = V;. Para tensões de
entrada senoidal são mostrados na Fig. 2.91. Em particular, note
entrada menores do que 3,3 V, o diodo estará no estado "ligado"
a resposta da última configuração, com a característica de remo-
e resulta no circuito da Fig. 2.89, onde
ver uma seção positiva e uma seção negativa, determinada pela
V0 = 4 V - O, 7 V = 3,3 V amplitude das fontes de.

Ceifadores em Sé1ie Simples (Diodos ideais)


POSITIVO NEGATIVO

V; Vo Vo
o ~ r
o
Vm
+ + + +
\'·1 R Vo \';.

o ·t Vo

o
o

Ceifadores em Série Polarizados (Diodos ideais)


V; Vo

~r +
~lt-----------<l+
V ("' - V)
V; R Vo o V; R Vo O t
-V -V ---------

o---11----.~~---o
+ + V +
V; R V; R
V ---------
01---..,---

Fig. 2.91 Circuitos ceifadores.


Aplicações do Diodo 59

Ceifadores Paralelos Simples (Diodos ideais)

+ R + + R +
V;

Ceifadores Paralelos Polarizados (Diodos ideais)

;~
~ V
~ •• ~ ·~ o o
V
-o I
- -
o
VI ; -V

~
~ V
~ o V; "~ Q
V -V
~ T; ;
V
I ;

V1
o 1""""""""11-----+-
- V2

Fig. 2.91 Circuitos ceifadores (cont.).

2.10 GRAMPEADORES Durante o intervalo O ~ T/2, o circuito comportar-se-á como


mostra a Fig. 2.93, com o diodo no estado efetivamente "liga-
O circuito grampeador é aquele que "grampeia" o sinal em do", "retirando" o efeito do resistor R. A constante de tempo RC
um nível de diferente. O circuito deve ter um capacitor, um resultante é tão pequena (R determinado pela resistência ineren-
diodo, e um elemento resistivo, mas pode-se empregar uma te do circuito) que o capacitor se carregará a V volts muito rápi-
fonte de independente para introduzir um deslocamento adi- do. Durante este intervalo, a tensão de saída está diretamente
cional. O valor de R e C deve ser escolhido de maneira que a através do curto-circuito e v0 = O V.
constante de tempo r = RC seja grande o suficiente para as- Quando a entrada chaveia para o estado - V, o circuito com-
segurar que a tensão através do capacitor não descarregue sig- porta-se como mostra a Fig. 2.94, com o circuito-aberto equiva-
nificativamente durante o intervalo em que o diodo não está lente para o diodo determinado pelo sinal aplicado e a tensão
conduzindo. Durante toda a análise, assumiremos que o armazenada através do capacitor - ambos "pressionando" a
capacitor se carrega ou descarrega completamente durante corrente através do diodo do catodo para o anodo. Agora que R
cinco constantes de tempo. está de volta ao circuito, a constante de tempo determinada pelo
O circuito da Fig. 2.92 grampeará o sinal de entrada ao nível produto RC é suficientemente grande para estabelecer um perío-
zero (para diodos ideais). O resistor R pode ser o resistor de car- do de descarga 5rmuito maior do que o período T/2 ~ T, e pode-
ga ou uma combinação paralela do resistor de carga e um resistor se assumir que o capacitor mantém sua carga e, portanto, a ten-
projetado para fornecer o valor desejado de R. são (já que V = QIC) durante este período.

e e e
~1------.~--~--o+
1/
~-
R
+
V-
f;j:- R
+

Vo
R v_ () V"

+ -

Fig. 2.93 Diodo "ligado" e o capacitor Fig. 2.94 Determinando v0 com o diodo
Fig. 2.92 Grampeador. carregando para V volts. "desligado".
60 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Já que v0 está em paralelo com o diodo e o resistor, pode ser dese- A afirmação acima pode exigir que se despreze um intervalo ini-
nhado também na posição alternativa mostrada na Fig. 2.94. A apli- cial de entrada (como demonstrado no exemplo a seguir), mas a
cação da lei das tensões de Kirchhoff na malha de entrada resulta em: análise não será estendida desnecessariamente por esta razão.
-V-V-v0 =0 2. Durante o período que o diodo está no estado "ligado",
e v0 = -2V assuma que o capacitar carrega-se instantaneamente
a um nível de tensão determinado pelo circuito.
O sinal negativo resulta do fato de a polaridade de 2V ser oposta
à polaridade definida para v0 • A forma de onda resultante na sa- 3. Assuma que, durante o período em que o diodo está no
ída aparece na Fig. 2.95 com o sinal de entrada. O sinal de saída estado "desligado", o capacitar se mantém em seu ní-
é grampeado a O V para o intervalo de O a T/2, mas mantendo a vel de tensão estabelecido.
mesma excursão total (2V), como na entrada.
4. Durante toda a análise, possua um conhecimento con-
V; tínuo da localização e polaridade de referência de v0
para assegurar que os níveis apropriados para v0 fo-
ram obtidos.

5. Tenha em mente a regra geral que a excursão total da


saída deve estar de acordo com a excursão do sinal de
entrada.

EXEMPLO 2.24
Determine vO para o circuito da Fig. 2.96 para a entrada indicada.

Solução
o T
2
Note que a freqüência é de 1000 Hz, resultando em um período
de 1 ms e um intervalo de 0,5 ms entre os níveis. A análise co-
meçará com o período t 1 ~ t 2 do sinal de entrada, já que o diodo
está em seu estado de curto-circuito, como recomendado pelo
comentário 1. Para este intervalo, o circuito comportar-se-á como
Fig. 2.95 Traçando v,, para o circuito da Fig. 2.92. mostra a Fig. 2.97. A saída está sobre R, mas está também dire-
tamente sobre a bateria de 5 V se você reparar a conexão direta
entre os terminais definidos para vO e os terminais da bateria. O
Para um circuito grampeador: resultado é v0 = 5 V para este intervalo. A aplicação da lei da
tensão de Kirchhoff ao longo da malha de entrada resulta em
A excursão total da saída é igual à excursão total do sinal -20 V+ Vc - 5 V= O
de entrada.
e Vc = 25 V
Este fato é uma excelente ferramenta de verificação para o re- O capacitar portanto carregará até 25 V, como afirmado no
sultado obtido. comentário 2. Neste caso, o diodo não provoca um curto-circui-
Em geral, os seguintes passos podem ser úteis na análise de to no resistor R, mas um circuito equivalente de Thévenin daquela
circuitos grampeadores. porção do circuito que inclui a bateria e o resistor, resultando em·
RTh = On com ETh = V = 5 V. Para o período t 2 ~ t 3 o circuito
1. Inicie a análise de circuitos grampeadores, consideran- comportar-se-á como mostra a Fig. 2.98.
do a parte do sinal de entrada que polarizará direta- O circuito-aberto equivalente para o diodo livrará a bateria de
mente o diodo. 5 V de possuir qualquer efeito sobre v0 , e a aplicação da lei das

C = lµF

+ +

V; R IOOkQ V0

V 5V

Fig. 2.96 Sinal aplicado e circuito para o Exemplo 2.24.


Aplicações do Diodo 61

e Uma vez que o intervalo t 2 ~ t3 durará apenas 0,5 ms, certamen-


~1--+~..-~-...~~---0+
te uma boa aproximação é considerar que o capacitor manterá
\{:
sua tensão durante o período de descarga enti.-e os pulsos do si-
nal de entrada. A saída resultante aparece na Fig. 2.99 com o si-
20V
+ R 1ookn v0
nal de entrada. Note que a excursão do sinal de saída de 30 V
V 5V está de acordo com a excursão do sinal de entrada, como mencio-
+ nado na etapa 5.

Fig. 2.97 Determinando v0 e v,. com o diodo no estado "ligado".


EXEMPLO 2.25
tensões de Kirchhoff ao longo da malha de saída do circuito re- RepitaoExemplo2.24, utilizando um diodo de silício com VT = 0,7V.
suita em
Solução
+10 V+ 25 V - V0 = O
e V0 = 35 V Para o estado de curto-circuito, o circuito agora fica conforme
mostrado na Fig. 2.100, e v0 pode ser determinado pela lei das
A constante de tempo do circuito de descarga da Fig. 2.98 é tensões de Kirchhoff aplicada à seção de saída.
determinada pelo produto RC e tem o valor
+5V-0,7V-v0 =0
T = RC = (100 k!l)(O, 1 µ,F) = 0,01 s = 10 ms
e V0 = 5 V - 0,7 V= 4,3 V
O tempo total de descarga é, portanto, 5T = 5(1 O ms) = 50 ms.

~->------'I~
+
25V+
+

lOV
5VJ_

LTK

Fig. 2.98 Determinando v0 com o diodo no estado "desligado". Fig. 2.100 Determinando v e Vc com o diodo no estado "ligado".
0

Para a seção de entrada, a lei das tensões de Kirchhoff resultará


em
-20 V+ Vc + 0,7 V - 5 V= O
e Ve = 25 V - O, 7 V = 24,3 V
Para o período t2 ~ t 3 o circuito agora aparecerá conforme
mostrado na Fig. 2.1 O1, sendo a única modificação a tensão atra-
vés do capacitor. A aplicação da lei das tensões de Kirchhoff
produz
+ 10 V + 24,3 V - V0 =O
e V0 = 34,3 V
35

T
30V
~24,3V
+ +

o
l lOV

Fig. 2.99 V; e v0 para o grampeamento da Fig. 2.96. Fig. 2.101 Determinando v0 com o diodo no estado aberto.
62 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

A saída resultante aparece na Fig. 2.102, verificando a afirmati- Alguns circuitos grampeadores e seus efeitos sobre o sinal de
va de que as excursãoes dos sinais de entrada e saída são iguais. entrada são mostrados na Fig. 2.103. Embora todas as formas de
onda que aparecem na Fig. 2.103 sejam ondas quadradas, circui-
tos grampeadores operam igualmente bem para sinais senoidais.
Na verdade, uma abordagem para a análise de circuitos
grampeadores com entradas senoidais é substituir o sinal senoidal
por uma onda quadrada com os mesmos valores de pico. A saída
resultante formará, portanto, uma envoltória para a resposta
senoidal, como mostra a Fig. 2.104 para um circuito que aparece
no canto inferior direito da Fig. 2.103.

2.11 DIODOS ZENER


A análise de circuitos empregando diodos Zener é muito seme-
o lhante àquela aplicada para diodos semicondutores nas seções
anteriores. Inicialmente o estado do diodo deve ser determina-
Fig. 2.102 Traçando v0 para o grampeador da Fig. 2.96 com um diodo de silício. do, e em seguida deve haver uma substituição do modelo apro-
priado e uma determinação das outras variáveis do circuito. Ex-

Vo

V +1e + r----1e +
o V; R Vo o V; R Vo

-V 2V {)

-2V 1

Vo

r----1e + +1e +
v, R Vo
V1
o v, R Vo
V1 V1
V1
o

V,;

rie + rl-------o+
e
V; R V{ R

Fig. 2.103 Circuitos grnmpcadon:s com diodos ideais 15, ~ 5RC :,o. T/21.

V;

~e +
V; R
lOV
+

Fig. 2.104 Circuito grampeador com uma entrada senoidal.


IJII
Aplicações do Diodo 63

+
=> 1 + I Se V 2::: V,, o diodo Zener está "ligado", e o modelo equivalente
da Fig. 2.105a pode ser substituído. Se V< V,, o diodo está "des-

f'
Vz V=> ligado", e o circuito-aberto equivalente da Fig. 2.105b é substi-
tuído.

{Vz >V> OV)


I 2. Substitua o circuito equivalente apropriado, e resolva
as variáveis desejadas.
on off
(a) (b) Para o circuito da Fig. 2.106, o estado "ligado" resulta no cir-
cuito equivalente da Fig. 2.108. Já que as tensões através de ele-
Fig. 2.105 Equivalentes do diodo Zener para os estados (a) ligado (on) e (b) des- mentos em paralelo devem ser iguais, concluímos que
ligado (0ft).
(2.17)
ceto especificado o contrário, o modelo de Zener a ser emprega-
do para o estado "ligado" será como mostra a Fig. 2.105a. Para o
estado "desligado", definido por uma voltagem menor do que V,, IR R
mas maior do que OV com a polaridade indicada na Fig. 2.105b,
o equivalente Zener é o circuito aberto que aparece na mesma ~~--""""'---~-/z--lt h
figura.
+
V; Vz
Vi e R Fixos
O circuito mais simples que utiliza diodo Zener aparece na Fig.
2.106. A tensão de aplicada é fixa, como o resistor de carga. A
V;
análise pode fundamentalmente ser dividida em duas etapas.
Fig. 2.108 Substituindo o equivalente Zener pela situação "ligado".
R

+ A corrente no diodo Zener deve ser determinada pela aplicação


Vz da lei das correntes de K.irchhoff. Ou seja,
IR= lz + h
e (2.18)

Fig. 2.106 Regulador Zener básico. onde

e
1. Determine o estado do diodo Zener, removendo este do
circuito e calculando a tensão através do circuito-aber- A potência dissipada pelo diodo Zener é determinada por
to resultante.
(2.19)
Aplicando a etapa 1 ao circuito da Fig. 2.106, resulta no cir-
cuito da Fig. 2.107, onde uma aplicação da regra do divisor de que deve ser menor do que a P2M especificada para o dispositi-
tensão resultará em vo.
Antes de continuar, é muito importante perceber que a primeira
(2.16) etapa foi empregada para somente determinar o estado do diodo
Zener. Se o diodo Zener está no estado "ligado", a tensão atra-
vés do diodo não é V volts. Quando o sistema é ligado, o diodo
Zener "ligará" assim que a tensão através do diodo Zener atingir
R V2 volts. Ele irá, portanto, "travar" neste nível, e nunca alcança-
rá o nível mais elevado de V volts.
Diodos Zener são mais freqüentemente utilizados em circui-
+ tos reguladores ou como uma referência de tensão. A Fig. 2.106
V; V
é um regulador simples projetado para manter uma tensão fixa
através da carga Ri. Para valores de tensão aplicada maiores do
que a exigida para "ligar" o diodo Zener, a tensão através da carga
será mantida em V2 volts. Se o diodo Zener é empregado como
uma tensão de referência, ele fornecerá um nível para a compa-
Fig. 2.107 Determinando o estado do diodo Zener. ração com outras tensões.
64 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

EXEMPLO 2.26 (b) A aplicação da Eq. (2.16) resultará agora em


(a) Para o circuito com diodo Zener da Fig. 2.109, determine
Vl, VR, / 2 e P 2 • (b) Repita a parte (a) com Rl = 3 kO. = RLVi = 3 k0(16 V) = 12 V
V R + RL 1 kO + 3 kO
Já que V = 12 V é maior do que V2 = 10 V, o diodo está no es-
+ VR - tado "ligado", resultando no circuito da Fig. 2.112. A aplicação
R
da Eq. (2.17) produz
lkO
!lz + VL = Vz = 10 V
V; 16V Vz=lOV RL 1,2k0 VL e VR = V; - VL = 16 V - 10 V =6V
PZM=30mW
VL lOV
com h =- = - - = 3 33 mA
RL 3k0 '
VR 6V
Fig. 2.109 Regulador com diodo Zener para o Exemplo 2.26. e IR =R = 1 kO = 6 mA
portanto lz=IR-h [Eq. (2,18)]
Solução = 6 mA - 3,33 mA
(a) Seguindo o procedimento sugerido, o circuito é redesenhado = 2,67 mA
como mostra a Fig. 2.110. A aplicação da Eq. (2.16) dá A potência dissipada,
= Vzlz = (10 V)(2,67 mA) = 26,7 mW
Pz
V= RR;~L = ll~~k~il,~ :~ = 8,73 V
que é menor do que a especificada P = 30 m W. 7M

R
IR + VR

lk!l
-+-
fz
=i)h R

+ 1 kO
+ ~lz +
v; 16V V RL lk!l VL
v; 16V Vz lOV RL 3k!l VL

Fig. 2.110 Determinando V para o regulador da Fig. 2.109.


Fig. 2.112 Circuito da Fig. 2.109 no estado "ligado".

Uma vez que V = 8, 73 V é menor do que V2 = 10 V, o diodo


está no estado "desligado" como mostrado na curva característi-
ca da Fig. 2.111. A substituição do circuito-aberto equivalente Vi Fixo, RL Variável
resultará no mesmo circuito da Fig. 2.11 O, donde concluímos que
Devido à tensão V,, há uma faixa específica de valores de resistor
VL =V= 8,73 V (e portanto corrente de carga) que garantirá o estado "ligado" do
Zener. Uma resistência de carga RL muito pequena resultará em
VR = V; - VL = 16 V - 8,73 V = 7,27 V uma tensão VL através do resistor de carga menor do que V,, e o
lz= O A dispositivo Zener estará no estado "desligado".
Para determinar a resistência de carga mínima da Fig. 2.106
e Pz = Vzlz = V2 (0A) = OW que ligará o diodo Zener, calcule simplesmente o valor de R, que
resultará em uma tensão na carga VL = V2 • Ou seja,
iz (mA)
RLV;
VL = Vz = -"--'--
RL +R
Vz= lOV Solucionando para R,, temos
\ o Vz
8173V (2.20)

Qualquer valor de resistência de carga maior do que o RL obtido


Fig. 2.111 Ponto de operação resultante para o circuito da Fig. 2.109. da Eq. (2.20) assegurará que o diodo Zener está no estado "liga-
Aplicações do Diodo 65

do" e que o diodo pode ser substituído por sua fonte V, equiva- A tensão através do resistor R é, portanto, determinada pela Eq.
lente. (2.22):
A condição definida pela Eq. (2.20) estabelece o Ri mínimo,
mas por sua vez especifica o li máximo como VR = V; - Vz = 50 V - 10 V = 40 V
e a Eq. (2.23) fornece o valor de I.:
(2.21)
VR 40V
IR =R = 1 kO = 40 mA
Quando o diodo está no estado "ligado", a tensão através de R
permanece fixa em O valor mínimo de li é, portanto, determinado pela Eq. (2.25):

(2.22) h.,., = IR - IZM = 40 mA - 32 mA = 8 mA


com a Eq. (2.26) determinando o valor máximo de Ri:
e IR permanece fixa em

(2.23)
Um gráfico de Vi versus Ri aparece na Fig. 2.114a, e para Vi
A corrente no Zener versus li, na Fig. 2.114b.

(2.24) (b) Pmáx = Vz IZM


= (10 V)(32 mA) = 320 mW
resultando em / 2 mínimo, quando li é máximo, e um máximo !,,
quando li é mínimo, já que IR é constante.
Uma vez que I, é limitado ao valor IZM fornecido na folha de
especificações, ela influencia na faixa de Ri e, portanto, li- Subs-
tituindo IZM por I,, estabelece um valor mínimo para li como

(2.25).

e a resistência máxima de carga como


O 2500 1125k0
(2.26)
(a)

EXEMPLO 2.27
(a) Para o circuito da Fig. 2.113, determine a faixa de valores
de Ri e li que manterá VRL em 10 V.
(b) Determine a potência nominal máxima do diodo.
O 8mA 40mA
Solução
(b)
(a) Para determinar o valor de Ri que ligará o diodo Zener, apli-
que a Eq. (2.20): Fig. 2.114 VL versus R, e ( para o regulador da Fig. 2.113.

R = RV2 = (1 kO)(lO V) = 10 kO = 250 fi


r.,.,,. V; - Vz 50 V - 10 V 40
RL Fixo, vi Variável
IR Para valores fixos de Ri na Fig. 2.106, a tensão V; deve ser sufi-
lkQ --,...
cientemente grande para ligar o diodo Zener. A tensão mínima
+ R
ilz V; = lt. . que liga o diodo é determinada por

V;=50V Vz = lOV Ri V;
IZM=32mA Vi= Vz=---
Ri +R

e (2.27)
}'ig. 2.113 Regulador de tensão do Exemplo 2.27.
66 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

O valor máximo de V; é limitado pela corrente de Zener má- Os resultados do Exemplo 2.28 revelam que para o circuito
xima Iv,. Já que /z,., = I, - IL, da Fig. 2.115 com um RL fixo, a tensão de saída permanecerá fixa
em 20 V para uma faixa de valores de tensão de entrada que se
(2.28) estende de 23,67 V até 36,87 V.
Na verdade, a entrada poderia ser da forma mostrada na Fig.
Uma vez que IL está fixa em V/RL e /ZM é o valor máximo de / 2 ,
2.117, e a saída permaneceria constante em 20 V, conforme
a máxima tensão V; é definida por
Fig. 2.116. A forma de onda que aparece na Fig. 2.117 é ob-
tida pela filtragem, de uma saída de meia-onda ou meia-onda-
V;mJ., = VR"'" + Vz retificada - um processo descrito em detalhes em um capí-
(2.29) tulo posterior. O efeito na prática, entretanto, é estabelecer
uma tensão de estável (para uma faixa definida de V;) tal como
aquela mostrada na Fig. 2.116 de uma fonte senoidal com valor
médio nulo.
EXEMPLO 2.28
Determine a faixa de valores de V; que manterão o diodo de Zener
da Fig. 2.115 no estado "ligado".
40
36187 V
IR
R _.. 30
+ 220n ilz =tth +
23,67V
20
V; Vz=20V Ri 1,2kn Vi
IZM =60mA
10

o
Fig. 2.115 Regulador para o Exemplo 2.28.

Fig. 2.117 Forma de onda gerada por um sinal retificado filtrado.

Solução
Dois ou mais níveis de referência podem ser estabelecidos
Eq. (2.27): V. = (RL + R)Vz = colocando-se os diodos Zener em série como mostra a Fig. 2.118.
, ..,.. RL
Quando V; for maior do que a soma de Vz1 e Vz,, ambos os diodos
= (1200 O + 220 0)(20 V) = 67 V estarão no estado "ligado", e as três tensões de referência esta-
1200 n 23 ' rão disponíveis.
VL Vz 20 V
h =- =- = = 16 67 mA
RL RL l,2k0 '
+ 20V _
Eq. (2.28): /Rm,h = IZM + h = 60 mA + 16,67 mA
5kn + +
= 76,67 mA IOV CVz1)
Eq. (2.29): V;"'" = /Rm,,R + Vz +
= (76,67 mA)(0,22 kO) + 20 V V; 50V 30V
+
= 16,87 V + 20 V 20V (Vz 2)
= 36,87 V
Um gráfico de VL versus V; é mostrado na Fig. 2.116.

Fig. 2.118 Estabelecendo três níveis de tensão de referência.

20V -------
Dois Zeners colocados em posição oposta também podem
ser utilizados como um regulador ac, como mostra a Fig.
2.119a. Para o sinal senoidal v;, o circuito comportar-se-á
o 10
como mostra a Fig. 2.119b no instante em que v; = 10 V. A
região de operação para cada diodo está indicada na figura
23,67 V 36,87 V
adjacente. Note que Z 1 está em uma região de baixa impe-
Fig. 2.116 V,_ versus V, para o regulador da Fig. 2.115.
dância, enquanto que a impedância de Z 2 é muito grande,
correspondendo à representação de circuito-aberto. O resul-
Aplicações do Diodo 67
V;
+ SkQ +
Z1
V; 20-V~ Vo
Zeners
Z2

(a)

SkQ

20V
V;= IOV
o V

(b)

Fig. 2.119 Regulação ac senoidal: (a) Regulador ac senoidal de 40 V pico-a-pico; (b) operação do circuito em V;= 10 V.

tado é que v0 = V; quando V;= 10 V. A entrada e saída conti- 2.12 CIRCUITOS MULTIPLICADORES
nuarão a dobrar o seu valor até atingir 20 V. Z2 , neste momen-
to, "ligar-se-á" (como um diodo Zener) enquanto Z 1 estará DE TENSÃO
em uma região de condução com um valor de resistência su-
ficientemente pequeno comparado ao resistor de 5 kfl em sé- Circuitos multiplicadores de tensão são empregados para man-
rie, podendo ser considerado um curto-circuito. A saída re- terem uma tensão de pico relativamente pequena no transforma-
sultante para a faixa completa de valores de V; é fornecida dor, enquanto multiplica a tensão de pico na saída em duas, três,
na Fig. 2.119(a). Note que a forma de onda não é puramente quatro ou mais vezes da tensão de pico retificada.
senoidal, mas seu valor rms é menor do que aquele associa-
do a um sinal completo com 22 V de pico. O circuito está Dobrador de Tensão
efetivamente limitando o valor rms da tensão disponível. O
circuito da Fig. 2.119a pode ser estendido a um gerador sim- O circuito da Fig. 2.121 é um dobrador de tensão de meia-onda.
ples de onda quadrada (devido à ação de corte do sinal) se o Durante o meio-ciclo de tensão positiva no transformador, o di-
sinal v,. for aumentado para, talvez, 50 V de pico com Zeners odo D 1 secundário conduz (e o diodo D 2 está cortado), carre-
de 10 V, como mostra a Fig. 2.120 com a forma de onda re- gando o capacitor C 1 até a tensão de pico retificada (V"'). O diodo
sultante na saída. D 1 é idealmente um curto durante este meio-ciclo, e a tensão
de entrada carrega o capacitor C 1 até Vm com a polaridade mos-
trada na Fig. 2.122a. Durante o meio-ciclo negativo da tensão
V;
secundária, o diodo Dt está cortado, e o diodo D 2 continua car-
regando o capacitor C2 • Uma vez que o diodo D 2 age como um
curto durante o meio-ciclo negativo (e o diodo D 1 está aberto),
+ Skn + +

V; ,~v<
Zeners
Z1

+
Z2
Vo
podemos somar as tensões ao longo da malha de saída (ver Fig.
2.122b):
-Vc2 + Vc, + Vm = O
- VC + Vm + Vm = O
2

do qual

lOV • •
-lOV 111111.- +

Fig. 2.120 Gerador simples de onda quadrada. Fig. 2.121 Dobrador de tensão de meia-onda.
68 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o IJlil
DiodoD2 Diodo D
/
não conduzindo / conduzindo

Diodo D1 DiodoD1
conduzindo não conduzindo

(a) (b)

Fig. 2.122 Operação dupla, mostrando cada meio-ciclo da operação: (a) meio-ciclo positivo; (b) meio-ciclo negativo.

No próximo meio-ciclo positivo, o diodo D2 não está conduzindo, transformador (ver Fig. 2.124a), o diodo D 1 continua carregan-
e o capacitor descarregará através da carga. Se não há carga do o capacitor C 1 a uma tensão de pico Vm. O diodo D 2 não está
conectada no capacitor C2, os capacitores mantêm-se carregados - conduzindo neste momento.
C 1 em Vm e C2 em 2Vm. Se, como seria esperado, há uma carga Durante o meio-ciclo negativo (ver Fig. 2.124b) o diodo D 2
conectada na saída do dobrador de tensão, a tensão através do conduz carregando o capacitor C2 , enquanto que o diodo D 1 não
capacitor C2 sofre uma queda durante o meio-ciclo positivo (na está conduzindo. Se não há corrente de carga sendo drenada do
entrada), e o capacitor é recarregado até 2Vm durante o meio-ciclo circuito, a tensão através dos capacitores C 1 e C2 é 2Vm. Se há
negativo. A forma de onda na saída através do capacitor C2 é a de corrente de carga sendo drenada do circuito, a tensão através dos
um sinal de meia-onda filtrado por um capacitor (que age como capacitores C 1 e C2 é a mesma verificada quando um capacitor é
filtro). A tensão de pico inversa através de cada diodo é 2Vm. alimentado por um circuito retificador de onda completa. Uma
Outro circuito utilizado é o dobrador de onda completa da Fig. diferença é que a capacitância efetiva é resultado de C 1 e C2 em
2.123. Durante o meio-ciclo positivo da tensão secundária do série, que é menor que a capacitância de C 1 ou C2 somente. Uma
capacitância de menor valor produzirá uma filtragem mais po-
bre do que o circuito de filtragem com um capacitor.
D1 + A tensão de pico inversa através de cada diodo é de 2Vm, como
+ ocorre para o filtro com capacitor. Em resumo, o dobrador de
vm C1
tensão de meia-onda ou de onda completa produz o dobro da
tensão de pico do secundário do transformador, não exigindo a
2Vm utilização de um transformador center tap, e a TPI nominal má-
xima para os diodos é de somente 2 Vm.
+
vm C2
Triplicador e Quadruplicador de Tensão
A Fig. 2.125 apresenta uma extensão do duplicador de tensão de
meia-onda, que produz três e quatro vezes a tensão de pico de
entrada. Observando o padrão de conexão do circuito, deve ser
Fig. 2.123 Dobrador de tensão de onda completa. óbvio como diodos e capacitores adicionais podem ser conectados

Di /Conduzindo / Não conduzindo

+ ,---.----191'----,
1
1

J
C1 1+

~li vm
~li vm

+
:;:: v..
1-
1
1

1
:+
C2:;:: Vm
,-
1
____ _ . . ___ ..J1

02 "- Não conduzindo Dz ~Conduzindo


Fig. 2.124 Meios-ciclos alternados de operação para o dobrador
(a) (b) de tensão de onda completa.
Aplicações do Diodo 69

Trlpliaulor (3 V.) .,

tll D3

C4
D4

+ 2Vm - 1
+ 2Vm
t + - - - - Dupllaulor (2 V.,) ---=----i
1+---------- Quadrupllcador (4 V.,) - - - - - - - - - i .,
Fig. 2.125 Triplicador e quadruplicador de tensão.

de forma que a tensão de saída possa atingir também cinco, seis,


sete, ou mais vezes a tensão de pico básica (V,.).
O capacitor C 1 em operação carrega através do diodo D 1 a uma
tensão de pico, Vm, durante o meio-ciclo positivo da tensão do
secundário do transformador. O capacitor C2 carrega até duas
vezes a tensão de pico, 2Vm, produzida pela soma das tensões
através do capacitor C1 e do transformador, durante o meio-ci-
clo negativo da tensão no secundário do transformador.
Durante o meio-ciclo positivo, o diodo D 3 conduz, e a tensão
através do capacitor C2 carrega o capacitor C3 à mesma tensão
de pico 2Vm. No meio-ciclo negativo, os diodos D2 e D4 condu-
zem com o capacitor C3, carregando C4 à 2Vm. Fig. 2.126 Fig. 2.27 redesenhada para a análise pelo PSpice.
A tensão através do capacitor C2 é 2Vm, dos C 1 e C3 é 3Vm e
dos C2 e C4 é 4 Vm. Se outras seções com diodos e capacitores são
incluídas, cada capacitor será carregado para 2Vm. Medindo a entradas é uma descrição do circuito utilizando os nós escolhi-
partir do extremo superior do enrolamento do transformador (Fig. dos e o formato específico exigido pelo PSpice para cada elemen-
2.125), obtêm-se múltiplos ímpares de Vm na saída, enquanto que to. Os Comandos de Análise definem as quantidades a serem
medindo a partir do extremo inferior, a tensão de saída será múl- determinadas. A última entrada deve ser a expressão .END exa-
tipla par da tensão de pico, Vm. tamente da forma indicada. Não colocando o ponto, invalidará
A tensão nominal máxima do transformador é somente Vm, e todo o arquivo de entrada.
cada diodo no circuito deve possuir uma TPI nominal máxima O arquivo de entrada para o circuito da Fig. 2.126 é fornecido
de 2Vm. Se a carga é pequena e os capacitores apresentam pouca na Fig. 2.128. A linha de título especifica o "Circuito com diodo
fuga, valores de tensão de extremamente altos podem ser produ- da Fig. 2.126" como o circuito a ser analisado. A primeira linha
zidos por este tipo de circuito, utilizando muitas seções para de descrição do circuito especifica a fonte de lOV. Para todas as
multiplicar a tensão de. fontes de, a primeira letra da linha deve ser a letra maiúscula V
seguida pelo nome da fonte. O nome é simplesmente uma esco-
lha de letras e/ou números para identificar a fonte na estrutura
do circuito. Posteriormente, o nó com o lado positivo da fonte é
2.13 ANÁLISE POR COMPUTADOR

PSpice (Versão DOS)


A análise por computador deste capítulo empregará, inicialmen-
te, a versão DOS do PSpice para determinar as incógnitas do
circuito da Fig. 2.27 (Exemplo 2.11). A primeira etapa seria
redesenhar o circuito como mostra a Fig. 2.126, identificar os nós,
e numerá-los em uma ordem lógica. O terra é escolhido como o
nível de referência e identificado com o número O. O diodo de
silício está entre os nós 2 e 3. A tensão de saída do Exemplo 2.11
é tomada do nó 3 para a terra. A tensão V1 é considerada entre os
nós 1 e 2, e V2 entre os nós 3 e 4.
A informação sobre o circuito entra no computador por meio
de um arquivo de entrada mostrado na forma de bloco na Fig.
2.127. A primeira entrada deve ser uma linha contendo o título
para identificar a análise a ser realizada. O próximo conjunto de Fig. 2.127 Componente de um arquivo de entrada.
70 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

apenas no valor indicado. Se o segundo nível fosse diferente, a


análise seria realizada do primeiro para o segundo nível, em ní-
veis definidos pelo incremento, cujo valor é informado na próxi-
ma entrada da linha. Apesar da nossa análise ser feita em apenas
um nível, exige-se uma entrada para o incremento. Neste caso
entrou-se com 1 V, valor tipicamente utilizado para este propó-
sito. Desta forma, quando o programa estiver rodando e o com-
putador notar a repetição do valor 1O V, ele realizará a análise
em um nível só (10 V) e ignorará o incremento. É desnecessário
incluir a segunda fonte de nesta expressão. A entrada .DC especi-
Fig. 2.128 Arquivo de entrada para o circuito da Fig. 2.126.
fica o tipo de análise em um nível de E 1 = 10 V com todos os
outros elementos detalhados da forma mostrada na descrição do
circuito.
informado, seguido pela polaridade negativa. O valor da fonte A expressão ,PRINT define os parâmetros que serão incluí-
entra, portanto, como indicado. dos nos dados de saída. O parâmetro V (3) é a tensão do nó 3
A próxima entrada do arquivo de entrada é um elemento para a terra - a tensão de saída da Fig. 2.126. A próxima é a
resistivo, que requer a letra maiúscula R para iniciar a linha se- corrente através do diodo seguida pelas tensões entre os nós in-
guido pelo seu nome (neste caso, simplesmente o número 1 para dicados.
relacionar ao seu índice no circuito da Fig. 2.126). A "pressão" A entrada .OPTIONS NOPAGE é um comando para "econo-
da fonte de 1O V sugere que a corrente resultante determinará o mizar papel", limitando os dados fornecidos no arquivo de saí-
nó 1 como positivo em relação ao nó 2 - justificando a ordem da, exceto os requisitados especificamente. O arquivo de entra-
dos nós no arquivo de entrada. O valor do resistor é especificado da finaliza necessariamente com a expressão .END.
como sendo de 4,7 k!l. Uma vez introduzido apropriadamente o arquivo de entrada,
O formato de entrada para o diodo foi introduzido no Cap. 1. o programa PSpice pode ser "rodado", e a informação desejada
Note a entrada na linha 3 da descrição do circuito e a descrição obtida no formato do arquivo de saída mostrado na Fig. 2.129.
do modelo do diodo na linha 6. Lembre que IS foi especificado Note na figura a localização da linha de título e a repetição de
como sendo 2E-15 paraobterumaquedade 0,7 V (ou mais per- toda a descrição do circuito. Em seguida, os parâmetros do mo-
to possível deste nível) através dos diodos de silício no estado delo especificados são listados seguidos pelos resultados dese-
"ligado", com valores de corrente típicos para sistemas eletrô- jados. VEl é simplesmente uma repetição do nível de E 1
nicos. (l.OOOE+ 1 = 10) controlado pelo computador para determinar
As próximas duas entradas são o segundo resistor e a fonte de as condições sob as quais os cálculos foram feitos (lembre da
tensão. Note que, em cada caso, há uma tentativa de definir os expressão ,DC). O valor V(3) = V0 = -4,455E-01 = -0,4455V
nós positivo e negativo pela ordem de entrada dos nós. Uma su- assemelha-se bastante ao valor -0,45 V obtido no Exemplo 2.11.
posição incorreta, entretanto, acarretará simplesmente um sinal A corrente do diodo I(Dl) = / 0 = 2,07 mA está perfeitamente
negativo para a tensão através de um elemento particular. de acordo com o Exemplo 2.11. A tensão V(l,2) = V1 = 9,73 V
A entrada .DC especifica uma análise de com a fonte E 1 em bate com 9,73 V do Exemplo 2.11, e V(3,4) = V2 = 4,554 V bate
1O V. A análise .DC pode ser especificada para uma faixa de com 4,55 V do mesmo exemplo. O último elemento do arquivo
valores, por isso há a repetição do nível 1OV na linha de entrada. de saída é a tensão através do diodo, que para o nível de corrente
Se o nível é repetido, como neste caso, a análise será realizada e IS escolhidos foi de O, 715 V, próximos aos O, 7 V empregados

Fig. 2.129 Arquivo de saída para o circuito da Fig. 2.126.


Aplicações do Diodo 71

no Exemplo 2.11. Lembre do Cap. 1 em que a tensão do diodo é reduzida clicando-se simplesmente em R na caixa de diálogo Add
uma função de vários elementos, como corrente de saturação Parte depois em OK; entretanto, a seqüência acima permite um
reversa, nível de corrente, temperatura, e outros, e não pode ser primeiro contato com uma importante lista de bibliotecas e op-
simplesmente especificado como O, 7 V, a menos que se utilize o ções. O resistor aparecerá na horizontal, o que é perfeito para Ri·
modelo incluindo tudo. Mova o resistor para uma posição adequada e clique o botão es-
Analisando-se os resultados, chega-se à conclusão que eles querdo do mouse - o resistor R 1 está no lugar. Observe a ma-
estão perfeitamente de acordo com aqueles obtidos no Exem- neira como ele se ajusta à estrutura de grade.
plo 2.11, como devia ser, já que foi tomado o cuidado apropri- Agora nós temos que introduzir R2 , mas R2 está na vertical na
ado em ambos os métodos. A primeira apresentação de qual- Fig. 2.126. Pressionando Ctrl e R simultaneamente, você con-
quer técnica nova, como a análise pelo programa PSpice segue girar o resistor 90°, o que permite colocá-lo na posição
introduzida nesta seção, deixará naturalmente dúvidas e ques- vertical apropriada. Como não há mais resistores no diagrama,
tões sobre a sua aplicação. Entretanto esteja ciente de que nos- basta clicar no botão direito do mouse e o processo estará com-
sa intenção principal neste livro é apenas expor ao leitor os pleto. As designações Ri e R 2 estão corretas, mas os valores cor-
vários métodos por computador, não necessariamente os deta- respondentes precisam ser definidos.
lhes exigidos para realizar a análise de uma variedade de con- Para alterar um valor, dê um duplo click no valor que está na
figurações. Isto não significa que a descrição acima não seja tela (primeiro Ri) e a caixa de diálogo Set Attribute Value irá
suficiente para analisar uma boa parte das configurações com aparecer. Digite o valor 4, 7k e o introduza no diagrama, moven-
diodo, mas para certas dúvidas que podem surgir exige-se um do a pequena caixa para a posição desejada com o botão do mouse
estudo dirigido em sala ou a presença do manual do PSpice. O pressionado. Solte o botão para fixar o valor 4, 7k no diagrama.
exemplo acima é uma amostra do tipo de análise pelo PSpice Uma vez posicionado, um clique adicional em qualquer lugar da
que será utilizado durante todo o livro. Esteja ciente de que o tela irá remover as caixas e finalizar o processo. Se, posterior-
PSpice é um dos programas utilizados com mais freqüência na mente, você desejar alterar o valor 4,7k, basta clicar uma vez no
comunidade educacional, e alguns conhecimentos de sua apli- valor e as caixas irão reaparecer. Repita o procedimento acima
cação auxiliarão em qualquer método de análise por computa- para o valor do resistor R 2 •
dor que você possa eventualmente escolher.
E
PSpice para Windows As fontes de tensão são ajustadas acessando a biblioteca
(Windows Design Center Analysis) source.slb de Get Part e escolhendo VSRC. Clicar OK produz
um símbolo de fonte na tela que pode ser colocado onde se deseja.
A versão PSpice para Windows será agora aplicada também ao Após clicá-lo em uma posição, a designação Vl irá aparecer. Para
circuito da Fig. 2.126, permitindo uma comparação entre os modificá-lo para El, basta clicar duas vezes em Vl e a caixa de
métodos e soluções. Com descrito no Cap. 1, a utilização da ver- diálogo Edit Reference Designator ficará disponível. Altere a
são para Windows possibilita o desenho do circuito em uma tela designação para El, clique OK e El irá aparecer na tela dentro de
esquemática. Os próximos parágrafos introduzirão os fundamen- uma caixa. A caixa pode ser removida seguindo o mesmo procedi-
tos para se desenhar o circuito na tela. Indubitavelmente, você mento realizado para os resistores. Ao escolher a posição correta,
necessitará obter algumas informações (referências) adicionais basta clicar o mouse mais uma vez e E 1 estará no lugar.
em manuais quando da análise de outras configurações; contu- Para definir o valor de Ei, clique o símbolo duas vezes para
do, esta descrição deve apresentar os fundamentos sem grandes que a caixa de diálogo El PartName: VSRC apareça. Selecione
dificuldades. Talvez você deseje acompanhar a análise do circuito DC= e coloque o valor 10 V. Antes de deixar a caixa de diálo-
da Fig. 2.130 com um manual de referência. go, lembre de acionar Save Attr. Clique OK e E 1 é ajustado para
Em geral, é fácil desenhar o circuito se a grande estiver na tela e 10 V, embora este valor não apareça no circuito. Para inserir a
se todos os elementos estiverem na grade. Estas medidas também designação 1O V no circuito, selecione Draw na barra de menu
asseguram que as conexões entre os elementos serão realizadas. A seguido de Text. Digite lOV e clique OK; uma caixa vazia irá
tela pode ser estabelecida clicando-se, inicialmente, Options na aparecer, podendo ser movida para a posição desejada. Quando
barra de menu seguido de Display Options. A caixa de diálogo clicado no lugar, 1OV irá aparecer na tela. Clique o botão direito
Display Options permitirá fazer todas as seleções necessárias re- do mouse para terminar a tarefa e então clique no botão esquer-
lativas ao tipo de display desejado. No nosso caso, escolheremos do para remover a caixa. O procedimento será o mesmo para E 2,
Grid On, Stay on Grid, e um Grid Size de 0,1". As outras opções mas lembre-se de incluir o sinal de menos.
disponíveis são deixadas para você investigar. Uma vez realizadas
as especificações com pequenos x nas caixas apropriadas, clicando- DIODO
se OK o display será ajustado com as opções desejadas.
O diodo é encontrado na biblioteca eval.slb da caixa de diá-
R logo Get Part. Clicando no diodo D1N4l48 e em OK, o símbolo
do diodo será colocado na tela. Mova o diodo para a posição
Inicialmente colocamos o resistor R 1 na posição apropriada correta e clique uma vez. As designações Dl e D1N4148 irão
clicando-se Draw na barra de menu, seguido de Get New Parte aparecer próximo ao diodo. Clique o botão direito do mouse para
Browse. A caixa de diálogo Get Partirá aparecer e se rolarmos finalizar a manobra de posicionamento do diodo. Na Fig. 2.126
a lista de bibliotecas até surgir analog.slb, podemos clicá-la, aparece a designação Si, em vez de D 1• Um clique duplo em Dl
disponibilizando uma lista de opções sob o cabeçalho Part. Ro- disponibilizará o Edit Reference Designator para a alteração
lando até a visualização de R, podemos clicá-lo e então clicar em para Si. Se a designação Dl não desaparecer completamente,
OK; um resistor aparecerá na tela. Toda a seqüência pode ser utilize o comando Ctrl L para redesenhar o circuito e remover
72 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

qualquer linha remanescente. Se você deseja alterar as caracte- R1 01


rísticas do diodo, clique no seu símbolo uma vez e depois siga a
seqüência Edit-Model-Edit lnstance Model. O Model Editor 4.7k D1N4148
irá aparecer e permitirá que se alterem alguns dos itens do dio- 2.066[-03 R2 2.2k
do. Para esta análise Is foi modificada para 2E- l 5, em vez do valor
default de 1 pA.
E1 -=-10V E2 -=-5V
MEDIDOR DE CORRENTE 1 T+
(IPROBE)
t
A corrente de um circuito pode ser mostrada inserindo-se uma Fig. 2.130 Resposta Windows para o circuito da Fig. 2.126.
IPROBE em série com os elementos do circuito. A IPROBE é
encontrada na biblioteca special.slb e é representada na tela pela
lista dos elementos do circuito e o número associado a cada nó.
face frontal de um medidor. A IPROBE irá fornecer uma res-
O conteúdo desta lista pode ser alterado para ficar de acordo com
posta positiva se a corrente entrar pela extremidade inferior, com
a Fig. 2.126, por uma simples seqüência de insert/delete para cada
a escala sendo representada por um arco. Como desejamos uma
nó do circuito. Para esta análise, a identificação dos nós foi mo-
resposta positiva nesta análise, a IPROBE deve ser instalada
dificada de acordo com a Fig. 2.126.
como mostrado na Fig. 2.130. Neste exemplo, quando o símbo-
lo surge na tela, ele está defasado em 180º em relação à corren-
te desejada. Portanto, é necessário clicar a seqüência Ctrl R duas
vezes para girar o símbolo, antes de colocá-lo no lugar. Estando
na posição correta, um clique irá completar o processo. Um
clique no botão direito do mouse irá finalizar a inserção da
IPROBE.

LINHA (UNE)

Os elementos agora precisam ser conectados selecionando-se


Draw e depois Wire. O lápis que aparece na tela pode desenhar
as linhas desejadas da seguinte maneira. Mova o lápis para o início
da linha e clique o botão esquerdo do mouse. Desenhe então a
linha e clique novamente o botão esquerdo no fim da linha. Se
for necessário desenhar somente uma linha, o processo pode ser
terminado clicando-se o botão direito do mouse. Se forem ne-
cessárias linhas adicionais, basta teclar a barra de espaço após
terminar uma linha e desenhar a próxima.

EGND

O circuito deve ter um terra para servir como um ponto de


referência para os nós. O terra (Earth Ground-EGND) faz parte
da biblioteca port.slb e pode ser introduzido no circuito da mes-
ma maneira que os outros elementos.

PONTO DE MEDIDA
(VIEWPOINT)

As tensões dos nós podem ser mostradas no diagrama após a


simulação utilizando-se VIEWPOINTS encontrados na biblio-
teca special.slb da caixa de diálogo Get Part. Basta colocar a
seta do símbolo VIEWPOINT no ponto onde se deseja obter a
tensão com relação ao terra. Se necessário, um VIEWPOINT
pode ser colocado para cada nó do circuito. O circuito agora está
completo como mostrado na Fig. 2.130.

IDENTIFICAÇÃO DOS NÓS

Quando os elementos são introduzidos da maneira descrita


acima, nada assegura que os nós associados a cada elemento es-
tejam de acordo com a designação utilizada na Fig. 2.126. En-
tretanto, é possível alterar a identificação dos nós clicando-se Fig. 2.131 Arquivo de saída para a análise do circuito da Fig. 2.126 pelo PSpice
Examine Netlist sob o cabeçalho Analysis. O resultado é uma (Windows).
Aplicações do Diodo 73

ANÁLISE sões dos nós importantes e correntes desejadas impressas correta-


mente no diagrama.
O circuito está pronto para a análise. Para iniciá-la, clique em
Analysis e escolha Probe Setup. Selecione Do not Auto-Run
Probe,jáque Probe não é apropriado para esta análise. É uma opção
que será introduzida em um capítulo posterior, quando estivermos PROBLEMAS
lidando com parâmetros que variam com o tempo, freqüência ou
outra variável importante. Prossiga com OK-Analysis-Simulate § 2.2 Análise por Reta de Carga
para realizar a análise. Se tudo correu bem, uma caixa de diálogo
1. (a) Utilizando a curva característica da Fig. 2.130b, determine ln,
do PSpice irá aparecer indicando que a análise de foi completada. Vn e V, para o circuito da Fig. 2.130a.
Saia da caixa e então serão apresentadas a corrente e a tensão do nó (b) Repita a letra (a), utilizando o modelo aproximado do diodo e
para o diagrama, como mostra a Fig. 2.130. A corrente do circuito compare os resultados.
de 2,07 mA é igual à obtida em DOS, e a tensão do nó de -0,46 V (c) Repita a letra (a), utilizando o modelo ideal do diodo e com-
está muito próxima a -0,45 V obtida na solução em DOS. pare os resultados.
O arquivo de saída pode ser apresentado com a seqüência 2. (a) Utilizando as características da Fig. 2.130b, determine ln e Vn
Analysis-Examine Output. Vários trechos importantes do ar- para o circuito da Fig. 2.131.
quivo de saída aparecem na Fig. 2.131. Observe que a identifi- (b) Repita a letra (a) com R = 0,47 kO.
(c) Repita a letra (a) com R = 0,18 kO.
cação dos nós na Schematics Netlist está de acordo com a Fig.
(d) Os níveis de Vn é relativamente próximo a 0,7 V em cada caso?
2.126. Os parâmetros do diodo são repetidos na lista Diode Os valores de ln são próximos? Comente.
MODEL PARAMETERS. Em SMALL SIGNAL BIAS 3. Determine o valor de R para o circuito da Fig. 2.131 que resulta
SOLUTION são incluídas todas as tensões dos nós, com as cor- em uma corrente no diodo de 10 mA com E= 7 V. Utilize a curva
rentes listadas abaixo em VOLTAGE SOURCE CURRENTS. característica da Fig. 2.130b para o diodo.
OPERA TING POINT INFORMATION revela que lv é 2,07 4, (a) Utilizando as características aproximadas do diodo de Si, de-
mA e a tensão através do diodo é 0,749 V, em vez de 0,7 V uti- v.
termine o valor de Vn, ln e para o circuito da Fig. 2.132.
lizada na análise sem computador - uma possível explicação (b) Faça a mesma análise da letra (a), utilizando o modelo ideal
para a pequena diferença obtida na tensão do nó. do diodo.
(c) Os resultados obtidos nas letras (a) e (b) sugerem que o mo-
A análise está agora completa usando a versão para Windows delo ideal pode fornecer uma boa aproximação para a respos-
do PSpice. Inicialmente pode parecer que há muito para se con- ta real sob certas condições?
figurar na análise realizada em Windows. Porém, dê uma opor-
tunidade para o programa demonstrar sua versatilidade quando § 2.4 Configurações Série de Diodos com Entradas DC
examinarmos outras de suas características. Obviamente, o usu-
ário tem um aproveitamento muito maior construindo o circuito, 5. Determine a corrente I para cada uma das configurações da Fig.
e, é claro, o resultado é um circuito desenhado com todas as ten- 2.133, utilizando o modelo equivalente aproximado do diodo.

+ Vv
Si

+
E 8V R 0,33k'1 ~

(a)

Fig. 2.132 Problemas 1 e 2.

(b)
74 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

* 7. Determine o valor de V,. para cada circuito da Fig. 2.137.


__..
lv
Si
+
20V
o
Si
~
Ge
~ w.,-1-0
2k0
li,

E [ _ _ _ _ _ _ _ _R__. 2,2k0 VR
l'"""
Fig. 2.133 Problemas 2, 3. (a)

lOV
Si

I,; Si 4,7k0
+
E 30V R 2,2k0 ~ -2V

(b)

Fig. 2.137 Problema 7, 51.


Fig. 2.13..J Prohlema ~-
* 8. Determine V0 e / 0 para os circuitos da Fig. 2.138.

12V
+ I

(a)

(a)

+20V
+
Si J1 -SV
Si
100 lOV 100
(b)
Si
Fig. 2.138 Problema 8.

(b) (e) * 9. Determine V.,, e V.,. para os circuitos da Fig. 2.139.


Si
Fig. 2.135 Problema 5. +12 V o---al----<o--..J\N\r-------o V,,2
V,,I

Ge

6. Determine V,, e l,, para os circuitos da Fig. 2.136.

lv
-5V ..._ +8V (a)
Vo Vo
Si 1,2k0
2,2k0 4,7ill

lvJ. Si

(a) (b) (b)

Fig. 2.136 Problemas 6, 52. Fig. 2.139 Problema 9.


11>1 Aplicações do Diodo 75

§ 2.5 Configurações Paralela e Série-Paralela *13. Determine v;, e l,, para o circuito da Fig. 2.143.
10. Determine V0 e / 0 para os circuitos da Fig. 2.140.

15 V
+lOV

+20V Si
--..--ov,, Si Si

Fig. 2.143 Problemas 13, 54.


Si
§ 2.6 Portas E/OU
2,2kn
14. Determine V para o circuito da Fig. 2.38 com O V em ambas as
0
-5V entradas.
15. Determine V para o circuito da Fig. 2.38 com 10 V em ambas as
0
(a) (b) entradas.
16. Determine V0 para o circuito da Fig. 2.41 com O V em ambas as
Fig. 2.140 Problemas 10, 53. entradas.
17. Determine V0 para o circuito da Fig. 2.41 com 10 V em ambas as
entradas.
18. Determine V0 para porta OU de lógica negativa da Fig. 2.144.
19. Determine V0 para a porta E de lógica negativa da Fig. 2.145.
*11. Determine v;, e Tpara os circuitos da Fig. 2.141. 20. Determine o valor de V0 para a porta da Fig. 2.146.
+16V 21. Determine v;, para configuração da Fig. 2.147.
+lOV

-SV -5V
~l Si
F Si Si

Si Si ov ov
Si Ge o---f----4>--,0 V,, o-------4>---0 v,;
Si Si
lk'1 2,2kn
V,, V,,

lk'1 4,7k'1 -5V

12V Fig. 2.1-U Prohk:111a IX. Fig. 2.145 Problema 19.

(a) (b) lOV 5V


Fig. 2.141 Problema 11. Si Si

lOV 5V
o----1--~~--ov,, o----t----4~-,o V,,
Si Ge
lk'1 2,2k'1
12. Determine v;,, , v;,, e l para o circuito da Fig. 2.142.

lOV

Fig. 2.146 Problema 20. Fig. 2.147 Problema 21.

~l § 2. 7 Entradas Senoidais: Retificação de Meia-Onda


20V Si Ge
22. Considerando o diodo ideal, esboce V;, vd e id para o retificador de
meia-onda da Fig. 2.148. A entrada é uma forma de onda senoidal
com uma freqüência de 60 Hz.
*23. Repita o Problema 22 com um diodo de silício (V,= 0,7 V).
*24. Repita o Problema 22 com uma carga de 6,8 kO aplicada como
mostra a Fig. 2.149. Esboce vi e i,.
Fig. 2.142 Problema 12. 25. Para o circuito da Fig. 2.150, esboce v0 e determine Vdc.
76 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

=
......
id
Ideal
(b) Determine /máx para V;máx 160 V.
(e) Determine a corrente através de cada diodo para Vm = 160 V.
Vc1c =2 V (d) A corrente determinada na letra (e) é menor do que o valor
+ + vd
máximo determinado na letra (a)?
Vi (e) Se somente um diodo estivesse presente, determine a corrente
2,2kn do diodo e compare com o valor máximo nominal da letra (a).

l Fig. 2.148 Problemas 22, 23.


§ 2.8 Retificação de Onda Completa

28. Um retificador em ponte de onda completa com uma entrada


+ vd senoidal de 120 V rms possui um resistor de carga de 1 Idl.
Ideal V11c =2V (a) Se diodos de silício são empregados, qual é a tensão de dis-
V;

......
id
=i.1i +
ponível na carga?
(b) Determine a TPI nominal de cada diodo.
(e) Ache a corrente máxima através de cada diodo durante a con-
2,2kn VL dução.
(d) Qual é a potência nominal exigida para cada diodo?
29. Determine v0 e a TPI nominal exigida para cada diodo na configu-
Fig. 2.149 Problema 24. ração da Fig. 2.153.

2,2kn
+ +
V; = 110 V (nns) Ideal v0 (Vc1c)

Fig. 2.150 Problema 25. -IOOV

*26. Para o circuito da Fig. 2.151, esboce v0 e i,.

+ nn +
Si lOkQ v0

Fig. 2.153 Problema 29.


Fig. 2.151 Problema 26.

*30. Esboce v para o circuito da Fig. 2.154 e determine a tensão de


0

*27. (a) Dado Pmáx = 14 mW para cada diodo da Fig. 2.152, determi- disponível.
ne a corrente máxima nominal de cada diodo.

-IOOV

Si lmu.
~
Vo
+ +
V; 417 kn 56kn
Si

Fig. 2.152 Problema 27. Fig. 2.154 Problema 30.


Aplicações do Diodo 77

*31. Esboce v para o circuito da Fig. 2.155 e determine a tensão de


0 *34. Determine v0 de cada circuito da Fig. 2.158 para o sinal de entrada
disponível. mostrado abaixo.

+
Diodos 2 V Ideal
ideais
o--1
V; + +
V; .lkO Vo

-170V
-5V
(a)
Fig. 2.155 Problema 31.
Ideal
V; Vo
§ 2.9 Ceifadores

32. Determine vO de cada circuito da Fig. 2.156 para o sinal de entrada 2,2kn
mostrado abaixo.
V;
Si +5V

+ + (b)

V; 2,2Ul Vo
Fig. 2.158 Problema 34.

-20V *35. Determine vO de cada circuito da Fig. 2.159 para o sinal de entrada
mostrado abaixo.
(a)
V;
5V Ideal + 2,2k0 +
+~
Si
+
V; Vo

V; 6,8k0 Vo 4V

o I o
(a)

(b)

Fig. 2.156 Problema 32.

33. Determine vO de cada circuito da Fig. 2.157 para o sinal de entrada


mostrado abaixo.
v;~Tvº 2,2k0
4V

Si

V;
Si
Vo
...
(b)

l,2k0 Fig. 2.159 Problema 35.

36. Esbocei.e v0 do circuito da Fig. 2.160 para o sinal de entrada mos-


-lOV trado abaixo.
(a)
V; lOkO
Si 5V
V; O IJ)t 1 Vo
+ ~ +
jR
Si Si
V; Vo
4,7k0
s,Jv
o I 7~VT
o

(b) Fig. 2.157 Problema 33. Fig. 2.160 Problema 36.


78 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

§ 2.10 Grampeadores *40. Projete um circuito grampeador para realizar a função indicada na
Fig. 2.164.
37. Esboce v,, de cada circuito da Fig. 2.161 para o sinal de entrada mos-
trado abaixo.

e Diodos idellis

~
20V
+

-20V
(a)
-20V
e
V; o---jt-----'---t>---0 V 0

Ideal
R

(b)

Fig. 2.161 Problema 37. -IOV

38. Esboce vO de cada circuito da Fig. 2.162 para o sinal de entrada mos- Fig. 2.164 Problema 40.
trado abaixo. Seria uma boa aproximação considerar o diodo como
sendo ideal em ambas as configurações? Por quê?
*41. Projete um circuito grampeador para realizar a função indicada na
V; e Fig. 2.165.
o 1 Diodos de Silício
+ +
V; Si R Vo

(a)

e -IOV
O>--~n1~~.--~--~--n
+ +
R
E 20V o

(b)

Fig. 2.162 Problema 38. -17,3 V


Fig. 2.165 Problema 41.
*39. Para o circuito da Fig. 2.163:
(a) Calcule 5T.
(b) Compare 5 T à metade do ciclo do sinal aplicado.
(e) Esboce 1·,,. § 2.11 Diodos Zener

e *42. (a) Determine VL, IL, lz e I. para o circuito da Fig. 2.166 se RL =


o--1-----~-----~~ 180!1.
(b) Repita a letra (a) se RL = 470 n.
+ 011 µF +
Si (c) Determine o valor de RL que estabelece as condições de má-
V; R 56kn Vo
xima potência para o diodo Zener.
(d) Determine o valor mínimo de RL que assegura que o diodo
2V Zener está no estado "ligado".
-10 *43. (a) Projete o circuito da Fig. 2.167 para manter VL em 12 V para
!= 1 kHz uma variação na carga (/J de Oaté 200 mA. Ou seja, determi-
Fig. 2.163 Problt!ma 39. ne R5 e Vr
Aplicações do Diodo 79

Rs Rs
V; o----."'i..A----<---,
+ --.. 2200 íVL
.+ 910
IR fz
Vz=8V
Vz=lOV
20V RL vL Pzmax=400mW
Pz"""' =400mW

Fig. 2.168 Problemas 44, 55.


Fig. 2.166 Problema 42.

§ 2.12 Circuitos Multiplicadores de Tensão

16 vo--"'"'"----=a
Rs
h
47. Determine a tensão disponível de um dobrador de tensão da Fig.
2.121, se a tensão no secundário do transformador é de 120V (rms).
48. Determine o TPI nominal exigido para os diodos da Fig. 2.121 em
termos de tensão de pico no secundário Vm.

I
Fig. 2.167 Problema 43.
§ 2.13 Análise por Computador

49. Escreva um arquivo de entrada do PSpice (DOS) para determinar


as correntes / 1, / 2, e / 0 , da Fig. 2.36 (Exemplo 2.15).
50. Utilizando o PSpice (DOS), escreva um arquivo de entrada para
determinar V para o circuito da Fig. 2.38.
0

51. Escreva um arquivo de entrada do PSpice (DOS) para determinar


V0 do circuito da Fig. 2.137b.
(b) Determine Pz.," do diodo Zener da letra (a). 52. Realize uma análise do circuito da Fig. 2.136b utilizando PSpice
*44. Para o circuito da Fig. 2.168, determine a faixa de V; que manterá (Windows).
VL em 8 V e não excederá a potência máxima nominal do diodo 53. Realize uma análise do circuito da Fig. 2.140b utilizando PSpice
Zener. (Windows).
45. Projete um regulador de tensão que mantenha uma tensão de saída 54. Realize uma análise do circuito da Fig. 2.143 utilizando PSpice
de 20 V através de uma carga de 1 kO, com uma entrada que varia (Windows).
entre 30 e 50 V. Ou seja, determine o valor apropriado de Rs e a 55. Realize uma análise geral para o circuito com Zener da Fig. 2.168
corrente máxima I ZM" utilizando o PSpice (Windows).
46. Esboce a saída do circuito da Fig. 2.120, se a entrada for uma onda 56. Repita o problema 49 utilizando BASIC.
quadrada de 50 V. Repita para uma onda quadrada de 5 V. 57. Repita o problema 50 utilizando BASIC.

*Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.


CAPÍTULO

Transistores
Bipolares de Junção 3
/3 1 Ili J IEH

3.1 INTRODUÇÃO
Durante o período de 1904 até 1947, a válvula foi indubi-
tavelmente o dispositivo eletrônico de interesse e desenvolvi-
mento. Em 1904, o diodo a válvula foi introduzido por J. A.
Fleming. Logo depois, em 1906, Lee De Forest adicionou um
terceiro elemento, chamado de grade de controle, ao diodo a
válvula eletrônica, resultando no primeiro amplificador, o
triado. Nos anos seguintes, o rádio e a televisão proporciona-
ram um grande estímulo à indústria de válvulas. A produção
cresceu de aproximadamente 1 milhão de válvulas em 1922
para cerca de 100 milhões em 1937. No início da década de
30, o tétrodo de quatro elementos e o pêntodo de cinco ele-
mentos ganharam importância na indústria de válvulas eletrô-
nicas. Posteriormente, a indústria tornou-se uma das mais im-
portantes, e foram obtidos rápidos avanços nas áreas de proje-
to, técnicas de fabricação, aplicações de alta potência, alta fre-
qüência e miniaturização. Fig. 3.1 O primeiro transistor. (Cortesia Bell Telephone Laboratories.)
Em 23 de dezembro de 1947, entretanto, a indústria eletrô-
nica estava prestes a experimentar uma linha de interesse e
desenvolvimento completamente nova. Foi durante a tarde des- função de amplificação do primeiro transistor, nos laboratórios
te dia que Walter H. Brattain e John Bardeen demonstraram a da companhia Bell Telephone. O transistor original (um tran-
sistor de contato de ponta) está mostrado na Fig. 3.1. As vanta-
gens deste dispositivo de estado sólido de três terminais em re-
lação à válvula eram imediatamente óbvias: menor e mais leve,
não apresentava necessidade ou perdas de aquecimento; mais
robusto; mais eficiente, já que menos potência era absorvida pelo
dispositivo, estava instantaneamente disponível para utilização,
não necessitando de um período de aquecimento; e tensões de
operação menores poderiam ser utilizadas. Observe na discus-
são acima que este capítulo é a nossa primeira abordagem sobre
dispositivos de três ou mais terminais. Você descobrirá que to-
dos os amplificadores (dispositivos que aumentam a tensão, cor-
rente ou nível de potência) possuirão no mínimo três terminais
com um deles controlando o fluxo entre os outros dois.

3.2 CONSTRUÇÃO DO TRANSISTOR


Co-inventores do primeiro transistor no Bell Laboratories: Dr. William Schockley
(sentado); Dr. John Bardeen (à esquerda); Dr. Walter H. Brattain. (Cortesia da O transistor é um dispositivo semicondutor no qual existe uma
AT&T Archives.) Por esta contribuição, todos dividiram o prêmio Nobel em 1956. camada do tipo p entre duas camadas do tipo n, ou uma ca-
/3 Transistores Bipolares de Junção 81

mada do tipo n entre duas camadas p. O primeiro é denomi- + Portadomi majoritários


nado transistor npn, enquanto que o último é chamado tran-
sistor pnp. Ambos são mostrados na Fig. 3.2, com a polari- + - +
zação de apropriada. Verificaremos no Cap. 4 que a polari- ,----E.,.- +P-. +-
+ -
zação de é necessária para estabelecer a região apropriada de +-+'-
operação para a amplificação ac. As camadas externas do
transistor são materiais semicondutores mais fortemente
dopados, com larguras muito maiores do que a camada inter-
na tipo p ou n. Para os transistores mostrados na Fig. 3.2, a +
razão entre a largura total e a largura da camada central é de
0,150/0,001 = 150:1. A dopagem da camada interna é tam-
bém consideravelmente menor do que a das camadas exter-
nas (tipicamente, 10: 1 ou menor). Este nível de dopagem me- Fig. 3.3 Junção diretamente polarizada de um transistor pnp.
nor reduz a condutividade (aumenta a resistência) deste ma-
terial, diminuindo o número de portadores "livres".
Para a polarização mostrada na Fig. 3.2, os terminais mente a mesma, se as funções dos buracos e elétrons fossem tro-
são normalmente indicados pela letra maiúscula E para cadas. Na Fig. 3.3, o transistor pnp foi redesenhado sem a pola-
emissor, C para coletor e B para base. Uma avaliação para rização base-coletor. Note as semelhanças entre esta situação e
esta escolha de notação será desenvolvida quando discu- aquela do diodo diretamente polarizado do Cap. 1. A região de
tirmos a operação básica do transistor. A abreviação TBJ, depleção foi reduzida em largura devido à tensão aplicada, re-
transistor bipolar de junção, é usualmente aplicada a este sultando em um fluxo denso de portadores majoritários do ma-
dispositivo de três terminais. O termo bipolar reflete o terial tipo p para o material tipo n.
fato de que buracos e elétrons participam do processo de Vamos agora remover a polarização base-emissor do tran-
injeção no material opostamente polarizado. Se um por- sistor pnp da Fig. 3.2a como mostra a Fig. 3.4. Considere as
tador somente é empregado (elétron ou buraco), o dispo- semelhanças entre esta situação e aquela do diodo reversamente
sitivo é considerado unipolar. O diodo Schottky do Cap. polarizado da Seção 1.6. Lembre-se de que o fluxo de portado-
20 é um exemplo. res majoritários é zero, resultando apenas em um fluxo de por-
tadores minoritários, como indicado na Fig. 3.4. Em resumo,
portanto:
3.3 OPERAÇÃO DO TRANSISTOR
Uma junção p-n de um transistor está reversamente pola-
A operação básica do transistor será agora descrita utilizando o rizada, enquanto a outra está diretamente polarizada.
transistor pnp da Fig. 3.2a. A operação do transistor npn é exata-

r p
0,150pol1
0,001 pol.
----, r=---
p
Na Fig. 3.5, ambos os potenciais de polarização foram apli-
cados a um transistor pnp, com o resultante fluxo de portado-
res majoritários e minoritários indicado. Note na Fig. 3.5 as
larguras das regiões de depleção, indicando claramente qual
junção está diretamente polarizada e qual está reversamente
polarizada. Como indicado na Fig. 3.5, inúmeros portadores
majoritários serão injetados através da junção p-n diretamen-
B te polarizada, no material tipo n. A questão, portanto, é se estes
portadores contribuirão diretamente para a corrente de base
/ 8 , ou se passarão diretamente para o material tipo p. Já que o

material tipo n, interno, é muito fino e apresenta uma baixa


condutividade, um número muito pequeno de tais portadores
(a) adotará este caminho de alta resistência para o terminal da
base. O valor da corrente de base é tipicamente da ordem de

r 0,150pol~
0,001 pol.
----, r=---
+ Portadomi minoritários

+
(b) Vcc
Fig. 3.2 Tipos de transistores: (a) pnp; (b) npn. Fig. 3.4 Junção reversamente polarizada de um transistor pnp.
82 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos f3
microamperes, enquanto a corrente de coletor e emissor é de 3.6 para a configuração base-comum com transistores pnp e npn.
miliamperes. Um número maior destes portadores majoritá- A terminologia base-comum deriva do fato de a base ser comum
rios será injetado, através da junção reversamente polariza- tanto à entrada quanto à saída da configuração. Além disso, a base
da, no material tipo p conectado ao terminal de coletor, con- é normalmente o terminal aterrado ou com um nível de potencial
forme a Fig. 3.5. A razão da relativa facilidade com que por- mais próximo ao terra. Em todo este livro, os sentidos de corrente
tadores majoritários podem atravessar a junção reversamente irão referir-se ao fluxo convencional (buracos) ao invés de ao flu-
polarizada é facilmente compreendida se considerarmos que xo de elétrons. Esta opção foi adotada principalmente pelo fato de
para o diodo reversamente polarizado os portadores majori- uma vasta soma de referências de instituições educacionais e in-
tários comportar-se-ão como portadores minoritários no ma- dustriais empregarem o fluxo convencional, e as setas em todos os
terial tipo n. Em outras palavras, houve uma injeção de porta- símbolos eletrônicos possuírem uma direção definida por esta con-
dores minoritários no material tipo n da base. Combinando isto venção. Lembre-se de que a seta no símbolo do diodo definia o
com o fato de que todos os portadores minoritários na região de sentido de condução para a corrente convencional. Para o transistor:
depleção atravessarão a junção reversamente polarizada de um
diodo, obtém-se o fluxo indicado da Fig. 3.5. A seta do símbolo gráfico define o sentido da corrente de
Aplicando a lei das correntes de Kirchhoff ao transistor da Fig. emissor (fluxo convencional) através do dispositivo.
3.5 como se fosse um nó simples, obtemos

[~lc+ i~ (3.1)
Todos os sentidos de corrente apresentados na Fig. 3.6 são os
sentidos reais, definidos pelo fluxo convencional. Note em cada
e descobrimos que a corrente de emissor é a soma das cor-
rentes de base e coletor. A corrente de coletor, entretanto, é
composta de dois elementos - os portadores majoritários e
minoritários indicados na Fig. 3.5. A componente de porta-
dores minoritários é chamada corrente de fuga, e é dado o
símbolo Ico - (corrente Ic com terminal do emissor aberto
Open). A corrente de coletor, portanto, é determinada pela
Equação 3.2.

(3.2)

Para os transistores usuais, Ic é da ordem de miliamperes, enquan-


to Ico é medido em microamperes ou nanoamperes. Ico, assim e
E
como Is, para um diodo reversamente polarizado, é sensível à
temperatura e deve ser analisado cuidadosamente quando a fai-
xa de variação da temperatura para a aplicação for extensa. Em
temperaturas elevadas, este parâmetro pode afetar consideravel-
mente a estabilidade de um sistema que não considera apropria- B
damente seu efeito. Melhorias implementadas nas técnicas de
construção resultaram em níveis significativamente menores de (a)
Ico, chegando a um ponto em que seu efeito pode, na maioria das
vezes, ser ignorado.

3.4 CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM


A notação e símbolos para o transistor, utilizados atualmente na
maioria dos textos e manuais publicados, estão indicados na Fig.

+ Portadores minoritários VEE Vcc


p
/E h lc
........
~E e lc
_.. E
........ e

(b)
Vcc
Fig. 3.6 Notação e símbolos utilizados para a configuração-base comum: (a) tran-
Fig. 3.5 Fluxo de portadores majoritários e minoritários de um transistor pnp. sistor pnp; (b) transistor npn.
f3 Transistores Bipolares de Junção 83

caso que IE = Ic + IB. Note também que as polarizações aplica- diodo (ambas correntes de fuga reversas), é sensível à tempera-
das (fontes de tensão) são tais que estabelecem uma corrente com tura. Em temperaturas mais elevadas, o efeito de IcBo pode tor-
o sentido indicado em cada ramo. Ou seja, compare o sentido de nar-se um importante fator, uma vez que este aumenta rapida-
I Eà polaridade de VEE para cada configuração, e o sentido de Ic à mente a temperatura.
polaridade de Ycc· Observe na Fig. 3.8 que à medida que a corrente de emissor
Para descrever totalmente o comportamento de um dispositi- aumenta a partir de zero, a corrente de coletor aumenta até um
vo de três terminais, como os amplificadores em base-comum da valor essencialmente igual àquele da corrente de emissor, deter-
Fig. 3.6, são exigidos dois conjuntos de curvas características - minada pelas relações básicas de corrente no transistor. Note ain-
um para o ponto de excitação, ou parâmetros de entrada, e o outro da o efeito quase que desprezível de VCB sobre a corrente de
para a saída. O conjunto de entrada para o amplificador em base- coletor para a região ativa. As curvas indicam claramente que uma
comum, mostrado na Fig. 3.7, relacionará uma corrente de en- primeira aproximação para a relação entre IE e Ic na região ati-
trada ([E) a uma tensão de entrada (VBE) para vários níveis de ten- va é dada por
são de saída (VCB).
O conjunto de saída relacionará uma corrente de saída (/e) a (3.3)
uma tensão de saída (VcB) para vários níveis de corrente de en-
trada (/E), como mostra a Fig. 3.8. O conjunto de curvas caracte- Como se pode inferir de seu nome, a região de corte é definida
rísticas de saída ou de coletor tem três regiões de interesse como a região onde a corrente de coletor é OA, mostrada na Fig.
indicadas na Fig. 3.8: ativa, corte e saturação. A região ativa é 3.8. Além disso:
aquela normalmente empregada para amplificadores lineares
(não-distorcidos). Em particular: Na região de corte, as junções coletor-base e base-emis-
sor de um transistor estão reversamente polarizadas.
Na região ativa, a junção coletor-base está reversamente
polarizada, enquanto a junção base-emissor está direta- A região de saturação é definida como aquela que se situa à
mente polarizada. esquerda de VcB = O V. A escala horizontal foi expandida para
mostrar as diferenças marcantes desta região. Observe o aumen-
A região ativa é definida pelos esquemas de polarização da to exponencial da corrente de coletor à medida que a tensão VCB
Fig. 3.6. No extremo inferior da região ativa, a corrente de emis- aumenta em direção a OV.
sor (/E) é zero, a corrente de coletor é devida exclusivamente à
corrente de saturação reversa Ico, como indicado na Fig. 3.8. O Na região de saturação, as junções coletor-base e base-
valor de corrente Ico é tão pequeno (microamperes) comparado emissor estão diretamente polarizadas.
à escala vertical de Ic (miliamperes), que ela localiza-se virtual-
mente na mesma linha horizontal de Ic = O. As condições de As curvas características de entrada da Fig. 3.7 revelam que
circuito que existem quando IE = O para a configuração base- para valores fixos de tensão de coletor (VcB), a corrente de
comum estão mostradas na Fig. 3.9. A notação utilizada mais emissor aumenta quando a tensão base-emissor aumenta, com-
amiúde para Ico em folhas de especificação e de dados é, como portamento que se assemelha às características do diodo. Na
indicado na Fig. 3.9, IcBo· Devido a técnicas de fabricação avan- verdade, valores crescentes de VCB têm um efeito tão pequeno
çadas, o valor de IcBo para transistores de propósito geral (sobre- que para uma primeira aproximação consideram-se desprezí-
tudo o silício) na faixa de baixa e média potência é normalmente veis as modificações introduzidas pela variação de VcB• de
tão pequeno que o seu efeito pode ser ignorado. Entretanto, para modo que a curva característica pode ser desenhada tal como
níveis de potência maiores, IcBo. ainda se situará na faixa de mostrado na Fig. 3.10a. Se fizermos uma aproximação de
microamperes. Além disso, saiba que IcBo• assim como Is para o maneira linear da curva, resulta na Fig. 3.10b. Prosseguindo
e ignorando a inclinação da curva, e portanto a resistência
associada à junção diretamente polarizada, resulta na curva
/E (mA)
característica da Fig. 3 .1 Oc. Para as análises posteriores deste
livro, o modelo equivalente da Fig. 3.10c será empregado em
VCB=20V toda análise de de circuitos com transistor. Ou seja, estando o
transistor no estado "ligado", a tensão base-emissor adotada
8 será a seguinte:
VcB=lOV
7

6 VcB= 1 V 1 VBE = 0,7 V 1 (3.4)

5 Em outras palavras, o efeito das variações devido à VCB e à inclina-


4 ção da curva característica de entrada será ignorado. No nosso es-
tudo, desejamos analisar circuitos com transistor de um modo que
3 forneça boas aproximações para os resultados reais, sem se envol-
2 ver muito com variações de parâmetros de menor importância.
É importante avaliar totalmente a informação obtida da curva
característica da Fig. 3.1 Oc. Ela especifica que com o transistor
o 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 VBE (V) no estado "ligado", ou ativo, a tensão de base para o emissor será
O, 7 V, qualquer que seja o valor da corrente de emissor contro-
Fig. 3.7 Curvas características de entrada para um transistor amplificador de si- lada pelo circuito externo. Na verdade, para qualquer configura-
lício em base-comum. ção de transistor no modo de, pode-se agora afirmar imediata-
84 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f3
fc (mA)

.. R egiao
·- ativa area nao som b read a )
7 mA
7 ,-

6 mA
6 , ..
'
5 ..!!
,.. ...,o 5 mA

::::1
4 mA
4 - ';;;
"'<li
"O
3 mA
3 - i~
"@,
<li 2mA
p:::
2 -
/E= I mA

1

1 1 IE=OmA 1
1 1 1
o 1

1 () :, J(l 15 20 V CH(V)
·- de corte
Reg1ao

Fig. 3.8 Curvas características de saída ou de coletor para um transistor amplificador em base-comum.

mente que a tensão da base para o emissor é de O, 7 V, se o dispo- (d) Novamente da Fig. 3.8, !E= lc = 4 mA. Entretanto, na Fig.
sitivo estiver na região ativa - uma conclusão muito importan- 3 .1 Oc V8 E é O, 7 V para qualquer valor de corrente de emissor.
te para a análise de que vem a seguir.

Alfa (a)
EXEMPL03.l
(a) Utilizando as curvas características da Fig. 3.8, determine Na análise de, os valores dele e !E devidos aos portadores majo-
a corrente de coletor resultante de !E= 3 mA e Ve8 = 10 V. ritários são relacionados por um parâmetro denominado alfa e
(b) Utilizando as curvas características da Fig. 3.8, determine a definido pela equação:
corrente de coletor resultante se 1E permanece em 3 mA, mas
Ves é reduzido para 2 V.
(e) Utilizando as curvas características das Figs. 3.7 e 3.8, de- (3.5)
termine V8 E sele= 4 mA e Ve8 = 20 V.
(d) Repita a letra (e) utilizando as curvas características das Figs.
3.8 e 3.10c. onde lc e Ir: são os níveis de corrente no ponto de operação. Ape-
sar da curva característica da Fig. 3.8 sugerir que ex = 1, os dis-
Solução positivos na prática apresentam valores de alfa variando entre 0,90
e 0,998, sendo que a maioria deles possui um alfa próximo ao
(a) A curva característica indica claramente que/e= !E= 3 mA. extremo superior da faixa. Como alfa é definido exclusivamente
(b) O efeito da variação de Ves é desprezível, e fc continua a ser para portadores majoritários, a Eq. (3.2) toma-se
3mA.
(3.6)
(e) Da Fig. 3.8, !E= le = 4 mA. Na Fig. 3.7, o valor resultante
de V8 E é aproximadamente de 0,74 V.
Para a curva característica da Fig. 3.8, quando !E= O mA, le é
igual a leso, entretanto, como já foi mencionado, o valor de leso é
normalmente tão pequeno que não é possível detectá-lo no gráfi-
co da Fig. 3.8. Em outras palavras, quando I;. = O mA na Fig. 3.8,
assume-se também o valor de OmA para a faixa de valores de Ves·
Em situações de análise ac, onde o ponto de operação se move
sobre a curva característica, alfa ac é definido por

(3.7)
Fig. 3.9 Corrente de saturação reversa.
/3 Transistores Bipolares de Junção 85

/E (mA) /E(mA)

8 8 8

7 7 7
_........-Qualquer Vc8
6 6 6

5 5 5

4 4 4

3 3 3

2 2 2

/i0,7 V li0,7 V

o 0,2 0,4 0,6 0,8 VBE (V) o 0,2 0,4 0,6 0,8 VBE (V) o 0,2 0,4 0,6 o,s VBE (V)

(a) (b) (e)

Fig. 3.10 Desenvolvendo um modelo equivalente com análise de para ser empregado para a região base-emissor de um amplificador.

O alfa ac é formalmente chamado de base-comum, curto-circui- associar as letras npn com aquelas em itálico de não apontando
to,fator de amplificação, por motivos que serão óbvios quando para dentro e as letras pnp com aquelas em itálico de apontado
analisarmos os circuitos equivalentes do transistor no Cap. 7. Por para dentro.*
enquanto, observe que a Eq. (3.7) especifica que uma pequena
variação na corrente de coletor é dividida pela variação corres-
pondente de !E, com a tensão coletor-base mantida constante. Para 3.5 TRANSISTOR COMO
a maioria dos casos, os valores de ª•e e ade são bem próximos,
permitindo a substituição de um pelo outro. O uso da equação AMPLIFICADOR
(3.7) será demonstrado na Seção 3.6.
Agora que a relação entre Ice !E foi estabelecida na Seção 3.4, a
operação básica de amplificação do transistor pode ser introduzi-
Polarização da, mesmo que a um nível superficial, utilizando a estrutura da Fig.
3.12. A polarização de não aparece na figura, já que nosso interes-
A polarização apropriada da configuração base-comum na região se será limitado à resposta ac. Para a configuração base-comum, a
ativa pode ser determinada rapidamente, utilizando a aproximação resistência de entrada ac determinada pela curva característica da
= =
Ic /E e assumindo, por enquanto, que 18 OµA. O resultado é a Fig. 3.7 é extremamente pequena, e varia de 10 até 100 O. A resis-
configuração da Fig. 3.11 para o transistor pnp. A seta do símbolo tência de saída determinada pelas curvas da Fig. 3.8 é extremamente
define o sentido do fluxo convencional para !E Ic. As fontes de= alta (quanto mais horizontal a curva, mais alta a resistência) e varia
são inseridas com uma polaridade de acordo com o sentido da corren- tipicamente entre 50 kO e 1 MO ( 100 kO para o transistor da Fig.
te resultante. Para o transistor npn, as polaridades serão invertidas. 3.12). A diferença de valores entre as resistências de entrada e sa-
Para lembrar o sentido correto da seta do símbolo do transis- ída é devida à junção diretamente polarizada na entrada (base para
tor, alguns estudantes associam as letras que formam o nome do emissor) e à junção reversamente polarizada na saída (base para
tipo do transistor com certas letras das frases "apontando para coletor). Utilizando um valor usual de 20 O para a resistência de
dentro" e "não apontando para dentro". Por exemplo, pode-se entrada, concluiremos que

I; pnp h
E e E e
+
B
R; Rº
V;=200 mV R 5Ul VL
20n IOOUl
IB=OµA

Fig. 3.12 Operação básica de amplificação de tensão da configuração base-


+ comum.
Vcc

Fig. 3.11 Estabelecendo a polarização apropriada para um transistor pnp, em base * N.T.: A tradução deste parágrafo para o português não faz muito sentido, uma vez que o
comum na região ativa. autor faz associação com palavras em inglês.
86 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
/3
V; 200 mV aos terminais de coletor e base). Dois conjuntos de curvas carac-
I·1 = - = = 10 mA terísticas são novamente necessários para descreverem totalmente
R; 200
o comportamento da configuração emissor-comum: um para o
Se assumirmos, por enquanto, que aac = 1 ((. = I,), circuito de entrada ou base-emissor e um para o circuito de sa-
ída ou coletor-emissor. Ambos são mostrados na Fig. 3.14.
h = I; = 10 mA As correntes de emissor, coletor e base são mostradas com o
sentido convencional adotado para as correntes. Apesar de a con-
e VL=hR figuração para o transistor ter sido mudada, as relações de cor-
= (10 mA)(5 kO) rente desenvolvidas anteriormente para a configuração base-co-
mum são ainda aplicáveis. Isto é, IE = lc + Is e lc = a/E.
= 50V Para a configuração emissor-comum, as características de
saída são representadas pelo gráfico da corrente de saída (/e)
A amplificação de tensão é versus a tensão de saída (VcE), para uma faixa de valores de cor-
rente de entrada (Is), As características de entrada são represen-
A = VL = 50 V = 250 tadas pelo gráfico de corrente de entrada (/s) versus a tensão de
v V; 200 mV entrada (VsE), para uma faixa de valores de tensão de saída (VcE).
Observe que nas características apresentadas pela Fig. 3 .14 o
Valores típicos de amplificação de tensão para a configuração base-
valor de Is está em microamperes, comparado aos miliamperes
comum variam de 50 até 300. A amplificação de corrente (ldlE) é sem-
de lc. Considere também que as curvas de Is não estão tão hori-
pre menor do que 1 para a configuração base-comum. Esta última ca-
zontais quanto aquelas obtidas para IE na configuração base-co-
racterística é óbvia, já que lc = w., e a é sempre menor do que 1.
mum, indicando que a tensão coletor-emissor influencia no va-
A operação básica de amplificação foi produzida transferin-
lor da corrente de coletor.
do-se uma corrente Ide um circuito de baixa resistência para um
A região ativa para a configuração emissor-comum é a porção
circuito de alta resistência. A combinação destes dois termos em
do quadrante superior direito que apresenta a maior linearidade, isto
itálico resulta no nome transistor; isto é,
é, a região na qual as curvas de Is são mais ou menos retas e estão
igualmente espaçadas. Na Fig. 3.14a, esta região situa-se à direita
transferência + resistor ~ transistor da linha vertical em VcE,a, e acima da curva para Is igual a zero. A
região à esquerda de VCE,ai é chamada região de saturação.
3.6 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM Na região ativa de um amplificador em emissor-comum,
a junção coletor-base está reversamente polarizada,
A configuração mais freqüentemente utilizada para o transistor enquanto a junção base-emissor está diretamente polari-
aparece na Fig. 3.13, com transistores pnp e npn. É denominada zada.
configuração emissor-comum, uma vez que o emissor é comum Observe que a afirmação acima estabelece as mesmas condi-
com relação aos terminais de entrada e saída (neste caso, comum ções que existiam na região ativa da configuração base-comum.

lc lc
~ -+-

......
1 1
le le
~
Vcc Vcc
B B

Vee Vse

.-----oc .-----oc

E E

(a) (b)

Fig. 3.13 Notação.: símbolos utilizados na configuração emissor-comum: (a) transistor npn; (b) transistor pnp.
{3 Transistores Bipolares de Junção 87

lc (rnA)

ls(µA)
VcE = l V
100
Vc,;: =IOV
(Região de saturação) VcE=20V
90
80
70
60
50
40
30
20
10

20 VcE (V) o 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 VBE (V)


(Região de corte)
IcEo5:. Blcso

(a) (b)

Fig. 3.14 Curva característica de um transistor de silício na configuração emissor-comum: (a) características do coletor; (b) características de base.

A região ativa da configuração emissor-comum pode ser empre- Na Fig. 3.15, as condições que envolvem esta corrente são de-
gada para amplificação de tensão, corrente ou potência. monstradas com o seu sentido de referência assinalado.
A região de corte da configuração emissor-comum não é defini- Para uma amplificação linear (distorção mínima), are-
da da mesma maneira estabelecida para a configuração base-comum.
gião de corte para a configuração emissor-comum será
Note nas características de coletor da Fig. 3.14 que lc não é igual a
definida por lc = lcEo-
zero quando 18 é zero. Para a configuração base-comum, quando a
corrente de entrada l E era igual a zero, a corrente de coletor era igual Em outras palavras, a região abaixo de 18 = O µA deve ser
somente à corrente de saturação reversa lco, de modo que a curva lE evitada para que o sinal não seja distorcido.
= Oe o eixo das tensões eram considerados coincidentes. Quando empregado como chave em um circuito lógico de
A razão para esta diferença observada nas características de computador, o transistor terá dois pontos de operação de interes-
coletor pode derivar de uma manipulação apropriada das Eqs. se: um na região de corte e outro na região de saturação. A con-
(3.3) e (3.6). Ou seja, dição de corte deveria idealmente estabelecer lc = O mA para a
tensão VcE escolhida. Como o valor de lCEo é tipicamente baixo
Eq. (3.6): lc = afe + lcBo para o silício, o corte em ternws de chaveamento ocorrerá quando
Substituindo, vem lc = 0t(lc + 18 ) + leso 18 = OµA ou lc = lcE0 ,para transistores de silício somente. Para
transistores de germânio, entretanto, o corte para o chaveamento
alB lCBo ocorrerá quando houver as condições resultantes de lc = leso·
Rearranjando, aparece lc=--+-- (3.8)
1- a l - a Em geral, esta condição pode ser obtida em transistor de
germânio, invertendo-se a polarização da junção base-emissor em
Se considerarmos o caso discutido acima, onde 18 = O A, e algumas dezenas de volts.
substituirmos por um valor típico de OI., tal como 0,996, a corren- Lembre-se de que, para a configuração base-comum, o con-
te de coletor resultante é a seguinte: junto de curvas características para a entrada era aproximadamen-
lc = a(O A) + lcBo te uma linha reta, resultando em V8 E = O,7 V para qualquer valor
de lE maior do que OmA. Para a configuração emissor-comum,
1- a 1 - 0,996
lcBo
= 0 004 = 250lc80
'
Se leso fosse 1 µA, a corrente de coletor resultante com 18 = OA seria
250(1 µA)= 0,25mA,refletindonacurvacaracterísticadaFig. 3.14.
Como referência futura, a corrente de coletor definida para a
condição 18 = O µA terá a notação indicada pela Eq. (3.9)

(3.9)
Fig. 3.15 Condições do circuito relacionadas a lcm·
88 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos f3
a mesma consideração pode ser feita, resultando na Fig. 3.16. Os ser introduzido no Cap. 7. As letras FE são derivadas da ampli-
resultados apóiam nossa conclusão anterior de que para um tran- ficação de corrente direta (forward) e configuração emissor-co-
sistor na região ativa ou "ligada" a tensão base-emissor é de O, 7 mum, respectivamente.
V. Neste caso, a tensão está fixa para qualquer valor de corrente Para a análise ac, um beta ac foi definido como se segue:
de base.
(3.11)

EXEMPL03.2
(a) Utilizando as características da Fig. 3.14, determine lc em O nome formal para /3.c é fator de amplificação de corrente di-
Is = 30 µA e VcE = 10 V. reta em emissor-comum. Uma vez que a corrente de coletor é,
(b) Utilizando as características da Fig. 3.14, determine lc em normalmente, a corrente de saída para a configuração emissor-
VsE = 0,7 V e VcE = 15 V. comum, e a corrente de base é a corrente de entrada, o termo
amplificação é incluído na nomenclatura acima.
Solução A Equação (3.11) é semelhante em formato à equação para
ª•e na Seção 3.4. O procedimento para a obtenção de ª•e das
(a) Na interseção de Is = 30 µ,A e VCE = 10 V, lc = 3,4 mA. curvas características não foi descrito por causa da dificuldade
(b) Utilizando a Fig. 3.14b, Is = 20 µA em V8 E = 0,7 V. Da de se medir variações de lc e IE nas curvas. A Equação (3.11),
Fig. 3.14a, descobrimos que lc = 2,5 mA na interseção de entretanto, pode ser descrita com alguma clareza e, na verdade,
Is = 20 µ,A em VCE = 15 V. o resultado pode ser utilizado para se determinar ª•e• utilizando
uma equação a ser descrita em breve.
Nas folhas de especificação, /3.c é normalmente incluído
como h1,. Observe que a única diferença entre a notação utili-
Beta (/3) zada para o beta de, especificamente, f3dc = hFE• é o tipo de le-
tra subscrita. A letra minúscula h continua se referindo ao cir-
Na análise de os valores de lc e Is são relacionados por um parâ-
cuito equivalente híbrido a ser descrito no Cap. 7, efe refere-se
metro denominado beta e definido pela seguinte equação:
ao ganho de corrente direita (forward) na configuração emis-

~
sor-comum.
(3.10) A utilização da Eq. (3.11) é mais bem descrita através de um
exemplo numérico, utilizando o conjunto de características mos-
trado na Fig. 3.14a e repetido na Fig. 3.17. Vamos determinar
onde lc e 18 são determinados por um ponto de operação particu- f3ac para uma região do gráfico definida pelo ponto de operação
lar na curva característica. Os dispositivos na prática apresentam Is= 25 µAe VcE = 7,5 V, como indicado na Fig. 3.17. A restri-
valores de f3 que variam tipicamente de 50 até 400, concentra- ção de VcE ser constante exige que uma linha vertical seja dese-
dos, em sua grande maioria, no meio da faixa. Assim como a, f3 nhada através do ponto de operação VcE = 7,5 V. Em qualquer
certamente mostra o valor relativo de uma corrente em relação a ponto desta linha vertical, a tensão VCE é de 7,5 V, uma constan-
outra. Para um dispositivo com um f3 de 200, a corrente de coletor te. A variação em Is (Ms) como a que aparece na Eq. (3.11) é,
é 200 vezes maior do que a corrente de base. portanto, definida pela escolha de dois pontos acima e abaixo do
Nas folhas de especificações, f3dc é normalmente incluído ponto Q, ao longo de uma linha vertical, com distâncias aproxi-
como hm com h derivado de circuito equivalente ac híbrido, a madamente iguais em relação ao ponto Q. Para esta situação, as
curvas Is= 20 µA e Is= 30 µ,A atendem à exigência sem se
distanciarem muito do ponto Q. As curvas também estabelecem
/s(µA) valores para 18 , sendo desnecessária a interpolação de valores.
Deve ser mencionado que a melhor determinação é normalmen-
te feita mantendo-se Ms o menor possível. Nas duas interseções
100 de I8 e o eixo vertical, os dois valores de Ict e Icz são obtidos do
90 eixo das ordenadas. O f3ac resultante para a região pode ser deter-
minado por
80
70
60
50
3,2 mA - 2,2 mA 1 mA
40 = 30 µ,A - 20 µ,A 10 µ,A
30
20 = 100
10 A solução acima revela que, para uma entrada ac na base, a cor-
rente de coletor será aproximadamente 100 vezes maior do que
o 0,2 0,4 0,6 I 0,8 VsE(V) a corrente de base.
Se determinarmos o beta de no ponto Q:
0,7V

Fig. 3.16 Aproximação linear equivalente à curva característica do transistor da f3dc = licB = 2, 7 mA = 108
Fig. 3.14b. 25 µ,A
Transistores Bipolares de Junção 89

lc(mA)

lei

Mcf~~~btt~.
1e 1 /z .--::::;:::

o 5 10 15 20 25
Vrn = 7,5 V

Fig. 3.17 Determinando {3., e {3.,, das curvas características para o coletor.

Embora não sejam exatamente iguais, em geral, os valores de esta fornece um conjunto de curvas características que pode ser
/3,c e f3dc são bem próximos e podem ser empregados indistinta- comparado aos resultados obtidos de um traçador de curva (a ser
mente. Isto é, se /3.c é conhecido, assume-se que o valor de {3dc descrito em breve).
seja mais ou menos o mesmo, e vice-versa. Tenha em mente que Na análise a seguir, o subscrito de ou ac não será empregado
em um mesmo lote o valor de f3ac irá variar de um transistor para para {3, evitando-se, assim, que as expressões tenham símbolos
outro, apesar de todos os transistores possuírem o mesmo núme- desnecessários. Para situações de análise de, {3 será reconheci-
ro de código. A variação pode não ser significativa, mas, para a do simplesmente como {3dc, e para a análise ac, f3ac· Se um valor
maioria das aplicações, é certamente suficiente para validar a de {3 é especificado para uma configuração em particular do tran-
aproximação feita acima. Genericamente, quanto menor for o sistor, normalmente serão realizados ambos os cálculos, de e ac.
valor de I cEo• mais próximos são os valores dos dois betas. O que Utilizando-se as relações básicas desenvolvidas até o momen-
se verifica na prática são valores de ICEo cada vez menores, vali- to, uma expressão pode ser desenvolvida relacionando {3 e a.
dando a aproximação anterior. Usando /3 = IdlB, temos IB = Id/3, e de a= ldIE, temos /E= Id
Se as curvas características têm o aspecto mostrado na Fig. 3.18, a. Substituindo em
o valor de f3ac é o mesmo em qualquer região das curvas. Observe
que o intervalo para IB é constante e igual a 10 µA, e a distância h = Ic + Ia
vertical entre as curvas é a mesma em qualquer ponto- neste caso, nós temos
2 mA. O cálculo do valor de f3ac no ponto Q indicado resulta em lc Ic
-=Ic+-
/3 = Me 1 = 9 mA - 7 mA = 2 mA = 200 a /3
ac li/a VcE=constante 45 µ,A - 35 µ,A 10 µA e dividindo ambos os lados da equação por Ic resulta em
A determinação do beta de no mesmo ponto Q resulta em 1
= l +-
f3dc=-=
lc 8 mA
=200
ª /3
la 40 µA
ou {3 = a/3 +a= (/3 + l)a
revelando que, se as curvas têm o aspecto mostrado na Fig. 3.18,
o valor de /3ac e {3dc será o mesmo em qualquer ponto da curva.
Em particular, note que IcEo = O µA.
Embora na prática não se encontre um conjunto de transisto- portanto (3.12a)
res com curvas características exatamente iguais às da Fig. 3.18,
90 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f3
fc(mA)

ln=60µA

II -
l 8 =50µA
101---------------------
9- -------------- Ponto-Q 118 = 40 µA
8 1 - - - - - - - - - -...- - - - - - - - - - -
7~-------------- J1 ls=30µA
61----------~'-----------~
s-
ls=20µA
4 1 - - - - - - - - - -......- - - - - - - - - - - - -
3-

21-----------..;---------------
1-
1
1
ls= IOµA

18 = OµA UcEO= OµA)


1 1 1 1 /
o 5 IO 15 20 VcE

Fig. 3.18 Curvas características nas quais f3ac é o mesmo em qualquer ponto, e f3ac = {3"'.

ou (3.12b) (3.14)

Além disso, lembre que


e já que /E= Ic + /8
/cBO
ICEo = - - -
1- a
= J3IB + IB
mas usando a equivalência
nós temos (3.15)
1
--=/3+1 As duas equações acima têm um papel importante na análise
1-a
desenvolvida no Cap. 4.
chegamos a
IcEO = (/3 + 1)/cBO Polarização

ou A polarização apropriada de um amplificador em emissor-comum


(3.13)
pode ser determinada de maneira semelhante àquela introduzida
para a configuração base-comum. V amos assumir que temos um
como indicado na Fig. 3. l 4a. Beta é um parâmetro particularmen- transistor npn tal como mostra a Fig. 3.19a, e a proposta é polari-
te importante, porque fornece uma relação direta entre níveis de zar apropriadamente o dispositivo para operá-lo na região ativa.
corrente dos circuitos de entrada e saída para uma configuração O primeiro passo é indicar o sentido de I E• determinado pela
emissor-comum. Isto é seta no símbolo do transistor da Fig. 3.19b. Em seguida, outras

+
? Vcc

(a) (b) (c)

Fig. 3.19 Determinando a polarização apropriada para um transistor rrpn em configuração emissor-comum.
f3 Transistores Bipolares de Junção 91

correntes são introduzidas como mostrado, sabendo-se que Ic


+ /8 = /E, segundo a lei das correntes de Kirchhoff. Finalmen-
te, as fontes são introduzidas com polaridades que estão de
acordo com os sentidos de / 8 e lc, A mesma abordagem pode Bo----~
ser feita para os transistores pnp. Se o transistor da Fig. 3.19
fosse um transistor pnp, todas as correntes e polaridades da Fig.
3.19c seriam invertidas.

3.7 CONFIGURAÇÃO
COLETOR-COMUM Fig. 3.21 Configuração coletor-comum utilizada para casamento de impedância.

A terceira e última configuração utilizada é a configuração coletor-


comum mostrada na Fig. 3.20 com as notações adequadas de tensão se invertendo o sinal da tensão coletor-emissor das curvas. Fi-
e corrente. A configuração coletor-comum é utilizada principalmente nalmente, há uma diferença sutil na escala vertical de Ic para as
para o casamento de impedância, uma vez que esta configuração curvas do emissor-comum, se Ic é substituído por /E para as cur-
apresenta uma alta impedância de entrada e uma baixa impedância vas características do coletor-comum (pois a ::e 1). Para o cir-
de saída, revelando-se em uma situação diferente daquela encontra- cuito de entrada da configuração coletor-comum, as curvas ca-
da para as configurações coletor-comum e base-comum. racterísticas levantadas para a base do emissor-comum são sufi-
Uma configuração coletor-comum está mostrada na Fig. 3.21 cientes para se obter as informações necessárias.
com o resistor de carga conectado do emissor para a terra. Ape-
sar de o transistor estar conectado de uma forma que se asseme-
lha à configuração emissor-comum, o coletor está aterrado. Do 3.8 LIMITES DE OPERAÇÃO
ponto de vista de projeto, não há necessidade de um conjunto de
curvas características sobre a configuração coletor-comum, para Para cada transistor, há uma região de operação nas curvas que
escolher os parâmetros do circuito da Fig. 3.21. O projeto pode assegura que os limites para o transistor serão respeitados e
ser feito, utilizando-se as características do emissor-comum da que o sinal de saída conterá um mínimo de distorção. Esta
Seção 3.6. Na prática, as curvas características de saída para a região foi definida para as curvas características de um tran-
configuração coletor-comum são iguais às curvas características sistor da Fig. 3.22. Todos os limites de operação são defini-
da configuração emissor-comum. Para a configuração coletor- dos, baseados em uma folha de especificações típica, descrita
comum, o gráfico de /E versus VEc para um conjunto de valores na Seção 3.9.
de / 8 representa a curva característica da saída. A corrente de Alguns dos limites de operação são auto-explicativos, como
entrada, portanto, é a mesma para as configurações coletor-co- a corrente máxima de coletor (normalmente referida nas folhas
mum e emissor-comum. O eixo horizontal representando a ten- de especificações como corrente de coletor contínua) e a tensão
são para a configuração coletor-comum é obtido simplesmente máxima coletor-emissor (freqüentemente abreviada como VcEO

1
p
Is
~
VEE

p
V8s Vss
e fc

/e
~
E E

B
.........
Is

lc~

e e
(a) (b)

Fig. 3.20 Notação e símbolos utilizados para a configuração coletor-comum: (a) transistor pnp; (b) transistor npn.
92 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos /3
1
1 1

··--r·-----···r--
1

,
1

1 1

Região de
saturação

20--------+

lOµA
1O ·····-·········-·······-···················· ...

IB=OµA

o 5 10 15 VcE (V)
r0,3V
Região de
VcEsat corte

Fig. 3.22 Definindo a região linear (sem distorção) de operação do transistor.

ou V(BRJcEo na folha de especificação). Para o transistor da Fig. Se agora escolhermos o valor máximo de VCE, 20 V, o valor de lc
3.22, Icrrrax e VcEo foram especificados como sendo de 50 mA e é o seguinte:
20 V, respectivamente. A linha vertical no gráfico, representan- (20 V)/c = 300 mW
do VCE,.,, especifica o valor mínimo de VCE que pode ser aplicado
sem que o transistor caia na região não-linear, denominada re- 300mW
gião de saturação. Em geral, o valor da VCE,a, é de cerca de 0,3 V lc = 20 V = 15 mA
especificada para este transistor.
O valor máximo de dissipação de potência é determinado pela definindo um segundo ponto na curva de potência.
seguinte equação: Escolhendo agora um valor intermediário de lc, como, por
exemplo, 25 mA, e solucionando para o valor resultante de VCE,
(3.16) obtemos
[ Pc.~. = Vcslcj
VcE(25 mA) = 300 mW
Para o dispositivo da Fig. 3.22, a potência de coletor dissi-
pada é de 300 mW. A questão que surge é de como traçar a e 300 mW -- ll V
VcE=----
curva de dissipação de potência de coletor, especificada pelo 25 mA
fato de que
como indicado também na Fig. 3.22.
Pcmi, = VcElc = 300 mW Uma estimativa grosseira da curva real pode normalmente ser
ou obtida utilizando-se os três pontos definidos acima. É claro que,
VcElc = 300 mW
quanto mais pontos você tem, mais precisa é a curva; entretanto
uma estimativa aproximada é quase sempre suficiente.
Em qualquer ponto das curvas, o produto de VcE por lc deve A região de corte é definida como a região abaixo de Ic = IcEO·
ser igual a 300 mW. Se escolhermos o valor de Ic máximo, 50 Esta região também deve ser evitada para que o sinal de saída
mA, e substituirmos na relação acima, obtemos apresente o mínimo de distorção. Nas folhas de especificações,
somente lc80 é fornecida. Deve-se utilizar a equação IcEO = f3lc80
VcEic = 300 mW para que se tenha alguma idéia do nível de corte. A operação na
VcE(50 mA) = 300 mW região resultante da Fig. 3.22 assegurará uma distorção mínima
do sinal de saída e valores de corrente e tensão que não danifica-
300mW rão o dispositivo.
VcE = = 6V Se as curvas características não estão disponíveis ou não cons-
50mA
tam da folha de especificações (o que normalmente ocorre), deve-
Como resultado, achamos que I e= 50 mA, portanto VCE = 6 se simplesmente assegurar que lc, VcE e o seu produto VcEic se
V na curva de dissipação de potência, como indicado na Fig. 3.22. situem nos intervalos determinados pela Eq. 3 .17.
/3 Transistores Bipolares de Junção 93

um gráfico da Fig. 3 .23f, que apresenta sua variação com a


corrente de coletor. Na Fig. 3.23j, o efeito da temperatura~
da corrente de coletor no valor de hFE Cf3aJ é demonstrado. A
(3.17) temperatura ambiente (25ºC) observe que hFE (f3ctJ a~resen~a
um valor máximo de 1 em aproximadamente 8 mA. A medi-
da que Ic aumenta a partir deste valor, hFE cai a metade em Ic
Para a configuração base-comum, a curva de máxima potência é = 50 mA. Se Ic diminui para 0,15 mA, hFE também se reduz
definida pelo seguinte produto dos parâmetros de saída: a metade. Como se trata de uma curva normalizada, se em-
pregarmos um transistor com f3ctc = hFE = 50 a temperatura
(3.18)
ambiente, o valor máximo em 8 mA é de 50. Em Ic = 50 mA,
h cai para 50/2 = 25. Em outras palavras, normalizar signi-
fita que o valor real de hFE• para qualquer valor de Ic, foi di-
3.9 FOLHA DE ESPECIFICAÇÕES DO vidido pelo valor máximo de hFE naquela temperatura e Ic =
8 mA. Observe ainda que a escala horizontal da Fig. 3.23j é
TRANSISTOR uma escala logarítmica. Escalas logarítmicas são examinadas
a fundo no Cap. 11. Quando encontrar tempo, você pode de-
Já que a folha de especificações é o elo de comunicação entre o sejar voltar os gráficos desta seção para rever as primeiras
fabricante e o usuário, torna-se muito importante que a informa- seções do Cap. 11.
ção fornecida seja reconhecida e corretamente compreendida. Antes de abandonarmos a descrição das características, tome
Embora, até então, não tenham sido apresentados todos os parâ- nota do fato de as características reais do coletor não serem for-
metros, a partir deste momento um vasto número deles passará a necidas. Na verdade, a maioria das folhas de especificações, ofe-
ser familiar ao leitor. Os parâmetros restantes serão introduzidos recidas por grande parte dos fabricantes, falha ao não dar as ca-
em capítulos posteriores. A referência será, portanto, feita a esta racterísticas completas. Em um projeto, espera-se que os dados
folha de especificações, para rever a maneira em que o parâme- fornecidos sejam suficientes para que se utilize o dispositivo efe-
tro é apresentado. tivamente.
A informação fornecida na Fig. 3.23 é retirada diretamente de Como se observou na introdução desta seção, nem todos os
Transistores de pequenos sinais, FET's, e Diodos, que são pu- parâmetros da folha de especificações foram definidos nas se-
blicações preparadas pela Motorola Inc. O 2N4123 é um transis- ções ou capítulos anteriores. Entretanto a folha de espe-
tor npn de aplicação geral com a identificação do encapsulamento cificações fornecida na Fig. 3.23 será mencionada continuamen-
e dos terminais mostrados no canto superior direito da Fig. 3.23a. te nos capítulos seguintes, à medida que parâmetros forem in-
Grande parte das folhas de especificações são divididas em Va- troduzidos. A folha de especificações pode ser uma ferramenta
lores nominais máximos, características térmicas, e caracterís- extremamente útil no projeto e na análise, e todo esforço deve
ticas elétricas. As características elétricas são divididas posteri- ser feito para que se conheça a importância de cada parâmetro,
ormente em "ligado", "desligado" e características para peque- e como ele pode variar com a corrente, temperatura, e assim por
nos sinais. As características "ligado" e "desligado" referem-se diante.
a limites de, enquanto as características de pequenos sinais in-
cluem os parâmetros importantes para a operação ac.
Observe na lista de valores máximos permitidos (Maximum 3.10 TESTE DE TRANSISTORES
Ratings) que VcEmáx. = VcEO = 30 V com Icmáx. = 200 mA. A
dissipação máxima permitida para o dispositivo (total device Como no caso dos diodos, há três maneiras de se verificar um
dissipation) é 625 mW. O fator de redução de capacidade transistor: com o traçador de curvas, os medidores digitais, e o
(derating factor) especifica que o valor máximo de potência ohmímetro.
dissipada deve diminuir 5 mW a cada 1° de aumento na tempe-
ratura acima de 25ºC. Nas características "desligado" ("off'), Traçador de Curvas
I é especificado como sendo de 50 nA, e nas características
CSO • h '
"ligado" ("on") VCEsat = 0,3 V. O valor previsto para FE vana O traçador de curvas da Fig. 1.45 produzirá o display da Fig.
de 50 até 150 em Ic = 2 mA e VCE = 1 V, e um valor mínimo de 3.24 se todos os controles estiverem corretamente ajustados. Os
25 em um valor mais alto de corrente (50 mA) na mesma ten- displays menores da direita determinam as escalas ~tilizadas
são. para as curvas. A sensibilidade vertical é de 2 mA/div, resul-
Os limites de operação foram agora definidos para o disposi- tando na escala mostrada na esquerda da tela do monitor. A
tivo, e são repetidos abaixo no formato da Eq. (3.17), utilizando sensibilidade horizontal é de 1 V/di v, resultando na escala apre-
hFE = 150 (limite superior) e IcEo = f3Icso = (150)(50 nA) = sentada abaixo das curvas. A função intervalo (step) revela que
7 ,5 µA. Certamente, para muitas aplicações o valor 7 ,5 µA = as curvas são separadas por uma diferença de 1O µA, come-
0,0075 mA pode ser considerado como sendo de O mA. çando em O µA para a curva inferior. O último fator de escala
Limites de Operação fornecido pode ser utilizado para determinar rapidamente o
7 ,5 µA ~ lc ~ 200 mA parâmetro f3ac em qualquer região das curvas. Simplesm~n~e
multiplique o fator mostrado no display pelo número de divi-
0,3 V ~ VCE ~ 30 V sões entre as curvas de Is na região de interesse. Por exem-
plo, vamos determinar f3ac em um ponto Q de Ic = 7 mA e VcE
VCElc ~ 650 mW = 5 V. Nesta região do display, a distância entre as curvas de
Nas características para pequenos sinais (small-signal Is é -fõ de uma divisão, como indicado na Fig. 3.25. Utilizando
characteristics) o valor de h1e (/3aJ é fornecido juntamente com o fator especificado, achamos que
94 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos f3

MAXIMUM RATINGS

2N4123
CASE 29-04, STYLE 1
T0-92 (T0-226AA)

THERMAL CHARACTERISTICS
,, ~~-
2 3

GENERAL PURPOSE
1Emincr

Characteristic Symbol Max Unit


Thennal Resiscance. Junction to Case R1uc 83.3 °CW TRANSISTOR
Thennal Resistance. Junction to Ambient 200 "CW NPNSILICON
R9JA

ELECTRICAL CHARA<-'TERISTICS (TA= 25'C unless otherwise notedl


Characteristic Symbol Mln Max Unit
OFF CHARACTERISTICS

Emittcr Cutoff Current


(VeE = 3.0 Vdc, lc= O)
ON CHARACTERISTICS

Base-Emitter-Saturation Voltage( 1)
(lc= 50 mAdc, 18 = 5.0mAdc)
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
Current-Gain - Bandwidlh Product fT 250 MHz
Oc = 10 mAdc. VcE = 20 Vdc, f = 100 MHz)
Output Capacitancc c,,i., 4.0 pF
(Yç8 = !1.0 Vdc, IE = O. f= HlO MHz)
Input Capacitance ciho 8.0 pF
(V 8 E =0.!I Vdc, lc=O. f= l(XlkHz)
Collector-Base Capacitance c,.h 4.0 pF
(IE=O. Vce =!I.OV.f= IOOkHz)

Current Gain - High Frequency


Clc= IOmAdc, VcE=20Vdc,f= 100MHz) 25
(lc=2.0mAdc, Vce = IOV,f= 1.0lc.Hz) 50 200
Noise Figure NF 6.0 dB
Clc= IOO"Adc, VcE = S.OVdc, Rs = 1.0 k ohm. f= 1.0kHz)
( 1) Pulse Test: Pulse Width =300 "•· Duty Cycle = 2.0%
(a)

Fig. 3.23 Folhas de especificações do transistor.*

* N.T.: Os termos originais em inglês contidos na parte (a) desta figura não foram traduzidos porque o que se encontra na prática, no laboratório, são especificações escritas em inglês, com
raras exceções. Deseja-se, com isto, que o leitor se acostume aos termos técnicos que ele encontrará na sua vida profissional.
/3 Transistores Bipolares de Junção 95

Figura 1 - Capacitância Figura 2 - Tempos de Chaveamento


200

7,0
100
5,0 70
G::'
.e, --;;- 50
.!. 5
::! 3,0 o
e. 30
<OI
.-=;l e
g. ~ 20 ....
U
2,0
10,0 ·
7,0
5,0
0,2 0,3 0,5 0,71,0 2,0 3,0 5,0 7,0 10 20 3040 1,0 2,0 3,0 5,0 10 20 30 50 100 200
Tensão reversamente polarizada (V) lc, Corrente de coletor (mA)

(b) (e)

CARACTERÍSTICAS DE ÁUDIO PARA PEQUENOS SINAIS


FIGURA DE RUÍDO

<VcE =5 Vdc, TA =25ºC)


Banda passante = 1,0 Hz
Figura 3 - Variações de Freqüência Figura 4 - Resistência de Fonte
12

10 12

ci:i'
~ 8
o o
;,! ;,!
:,
~ 8
~
.
"Q
6 "Q
...
e:, e 6
; .§
4 ~

u.." ~
~ ~
2 2

0,2 0,4 2 4 10 20 40 100 0,2 0,4 1,0 2,0 4,0 10 20 40 100


f, Freqüência (kHz) R5 , Resistência de Fonte (kO)

(d) (e)

Fig. 3.23 Folhas de especificações do transistor (cont. ).

/3ac = W 9 d1v. (2ºº)


div = 180
Medidores Digitais Avançados
Medidores digitais avançados disponíveis atualmente, tal como
Utilizando a Eq. (3.11), teremos o mostrado na Fig. 3.26, podem fornecer o valor de hFE• utilizan-
do os soquetes que aparecem no lado esquerdo inferior do painel
8,2 mA - 6,4 mA do medidor. Observe a opção entre pnp ou npn mais a disponibi-
Me
/3 - - -I lc2 - Ic,
----C..á-~
lidade de duas conexões para emissor, possibilitando a utiliza-
ac - llls VCE=constante - [8 2 - Is, 40µA-30µA ção de transistores que apresentam diferentes posições para os
1,8 mA = 180 terminais. No medidor Testmate 175A, o valor de hFE é determi-
nado para uma corrente de coletor de 2 mA. Note que este versá-
IOµA
til instrumento também pode testar o funcionamento de um diodo.
Pode medir capacitância e freqüência, além das funções normais
verificando a determinação acima para tensão, corrente e medidas de resistência.
96 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f3

PARÂMETROSh
VCE = 10 V, f= 1 kHz, TA= 25ºC
Figura 5 - Ganho de Corrente Figura 6 - Admitância de Saída

<Jl
o
.e 50
<I)
E
e ,.=:
to "'
:5! 20
u
<I) ;}l
"O 100 <I)
o
.e
"O 10
e "'e

o"' 70 '5 \O
~
~ 'ê
"O
50
<
~
~ 2,0

0,2 0,5 1,0 2,0 5,0 10 0,2 0.,5 lJO 2,0 5,0 10
l e, Corrente de coletor ( mA) /0 Corrente de coletor (mA)
(f) (g)

Figura 7 - Impedância de Entrada · Figura 8 - Razão de Tensão de Realimentação

/0 Corrente de coletor (mA) /0 Corrente de coletor (mA)


(h) (i)

CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
Figura 9 - Ganho de Corrente DC

0,2 0,3 0,5 o, 7 1,o 2,0 3,0 5}0 7)0 1O 20 30 50 70 100 200
/0 Corrente de coletor (mA)
(j)

Fig. 3.23 Folhas de especificações do transistor (cont.).


f3 Transistores Bipolares de Junção 97

18mA Vertical
por div
2mA
l6mA

14mA
Horizontal
por ciiv
12mA IV

Por
SmA intervalo
boµA 10 ,.A
6mA
. , 1 ······· 12oµh
4mAll~,--!----!,,,---!,,,. ....j..._.liiiji,,..........,,-,.....,__-!--"'!""""\!""!'"
i j3ou g
IOµA por div
2mAIL,,,..~--..,i,.,--..,i,.,.......,i,.,.....i!!j!!.....-!--...,."""'---!-----!"'"... 200

Fig. 3.24 Resposta do traçador de curvas para o transistor


ol~
OmA'ill!ll!lall\'llllllllilll!lilllll'lll\ill!llli!lll!l!illl!llill!lllll!lllill!'I'
npn2N3904. ov IV 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V IOV

=m div /Ponto Q
Uc=7 mA,VcE=5V)
la =30 µA
lc 1 = 614 mA '- ==;.;;;.;=-=--!.---~---------- 1

Fig. 3.25 Determinando /3,,, para as curvas características do transistor da


Fig. 3.24 emlc = 7 mA e Vce = 5 V.

Na verdade, no modo de teste do diodo, o medidor pode ser


usado para se verificar as junções p-n de um transistor. Com o
coletor aberto, a junção base-emissor deve estar em uma tensão
de aproximadamente 0,7 V, com o terminal vermelho (positivo)
conectado à base, e o terminal preto (negativo) conectado ao
emissor. Uma inversão dos terminais deve resultar na indicação
O.L., para representar a junção reversamente polarizada. Analo-
gamente, com o emissor aberto, os estados direta e reversamente
polarizados da junção base-coletor podem ser verificados.

Ohmímetro
Um ohmímetro, ou as escalas de resistência de um MMD, pode
ser utilizado para determinar o estado de um transistor. Lembre-
se de que, para um transistor na região ativa, a junção base-emis-
sor está diretamente polarizada, e a junção base-coletor está
reversamente polarizada. Assim, portanto, a junção diretamente
polarizada deve registrar um valor de resistência mais ou menos
baixo, enquanto a junção reversamente polarizada, um valor
muito mais alto de resistência. Para um transistor npn, a fun-
ção diretamente polarizada (polarizada pela fonte interna do
ohmímetro) da base para o emissor deve ser testada, como mos-
tra a Fig. 3.27, resultando em uma leitura que, tipicamente, cai
na faixa de 100-0 até alguns kilohms. Para um transistor npn, a
junção reversamente polarizada (polarizada pela fonte interna
do medidor) deve ser verificada como mostrado na Fig. 3.28
Fig. 3.26 Verificador de transistor. (Cortesia Computronics Technology, Inc.) com uma leitura típica maior do que 100 kfi. Para um transis-
98 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f3
Baixo R 3.11 ENCAPSULAMENTO DO
TRANSISTOR E IDENTIFICAÇÃO
DOS TERMINAIS
Após o transistor ter sido fabricado, utilizando uma das técnicas
descritas no Cap. 12, terminais de, tipicamente, ouro, alumínio
Fig. 3.27 Verificando a junção base-emissor diretamente polarizada de um tran- ou níquel são acrescentados à estrutura e encapsulados em um
sistor npn. invólucro do tipo mostrado na Fig. 3.29. Aqueles de construção
mais robusta são dispositivos de alta potência, enquanto os de
canecos reduzidos ou estrutura de plástico são dispositivos de
baixa a média potência.
Sempre que possível, no encapsulamento do transistor have-
rá alguma marca indicando os terminais que estão conectados ao
emissor, coletor ou base de um transistor. Alguns dos modelos
normalmente utilizados estão indicados na Fig. 3.30.
A construção interna de uma pastilha T0-92 da linha
Fairchild aparece na Fig. 3.31. Observe o tamanho bem redu-
zido do dispositivo semicondutor real. Há fios de conexão de
ouro, uma armação de cobre, e um encapsulamento de mate-
rial epóxi.
Fig. 3.28 Verificando a junção base-coletor reversamente polarizada de um tran- Quatro (quad) transistores de silício pnp individuais podem
sistor npn. ser agrupados em um invólucro duplo de plástico de 14 pinos
mostrado na Fig. 3.32a. As conexões internas dos pinos apa-
recem na Fig. 3.32b. Assim como o encapsulamento CI do
tor pnp, os terminais devem ser trocados de posição para cada diodo, a indentaçãO na superfície superior determina os pinos
junção. Obviamente, uma resistência pequena ou grande em de 1 a 14.
ambas as direções (invertendo os terminais), para cada junção
de um transistor npn ou pnp, indica que se trata de um disposi- 3.12 ANÁLISE POR COMPUTADOR
tivo defeituoso.
Se ambas as junções do transistor fornecem leituras adequa- No Cap. 4 um circuito com transistor será investigado, utilizan-
das, o tipo do transistor também pode ser determinado se, sim- do-se o BASIC e o PSpice (versões DOS e Windows). A análise
plesmente, for observada a polaridade dos transistores ao rea- usando BASIC será comparada à análise feita sem o auxílio do
lizar uma medida na junção base-emissor. Se o terminal positi- computador, enquanto a análise por meio do PSpice (versão DOS)
vo ( +) é conectado à base, e o terminal negativo (-) ao emis- empregará um modelo de transistor a ser introduzido nos próxi-
sor, a leitura de uma baixa resistência indica um transistor npn. mos parágrafos.
A leitura de uma alta resistência denota um transistor pnp.
Embora um ohmímetro possa ser utilizado para a determina-
ção dos terminais de um transistor (base, coletor e emissor), PSpice (Versão DOS)
assume-se que esta determinação possa ser feita simplesmen-
te observando-se a orientação dos terminais no encapsula- A expressão PSpice para a introdução dos elementos do transis-
mento. tor tem o seguinte formato:

(a) (b) (e) (d)

Fig. 3.29 Vários tipos de transistores (a) Cortesia General Electric Company; (b) e (c) Cortesia da Motorola lnc.; (d) Cortesia da International Rectifier Corporation.
f3 Transistores Bipolares de Junção 99

T'!
~nto) (Encapsu-
e
ff Ponto,. branco
"
;

e
~ B
E e
B

Fig. 3.30 Identificação dos terminais do transistor.


E B C
• E

3 4 QN
~
.MODEL
~
QN NPN (BF = 140 IS = 2E-15)
nome C B E nome do modelo nome do tipo parâmetros a ser especificados
modelo
A letra Q é necessária para identificar o dispositivo como um
transistor. O número 1 é o nome escolhido para o transistor, Como indicado, a expressão deve iniciar com .MODEL e ser
embora seja permitido incluir até sete caracteres (números ele- seguida pelo nome do modelo do transistor, como mostrado na
tras). Em seguida, os terminais são introduzidos na ordem que expressão anterior. Em seguida, o tipo de transistor é indicado,
aparece acima. O último dado de entrada é o nome do modelo, e os valores dos parâmetros a serem especificados são incluí-
para orientar o software (programa) a utilizar os parâmetros que dos entre parênteses. A lista de parâmetros que aparece no
definem o transistor. manual do PSpice é extensa, e de fato inclui 40 termos. Para as
A expressão para o modelo tem o seguinte formato: nossas necessidades atuais, só há dois parâmetros que precisam

Injeção axial de
composto moldado
Chip passivado

Estrutura de cobre / Invólucro de epóxi

Saliências travantes

(b)

(a) (e)

Fig. 3.31 Construção interna de um transistor Fairchild em uma pastilha T0-92. (Cortesia Fairchild Camera and lnstrument Corporation.)
100 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos f3
Vista superior

e B E NC E B e

e B E NC E B e
NC - Sem conexão interna
(a) (b)

Fig. 3.32 Quatro transistores pnp de silício encapsulados tipo Q2T2905 da Texas Instruments: (a) aspecto; (b) conexões dos pinos. (Cortesia Texas Instruments
lncorporated.)

ser especificados. Beta, referido como BF, e a corrente de sa- 2. Qual é a maior diferença entre um dispositivo bipolar e um unipolar?
turação reversa IS, com um valor que resulte em uma tensão
base-emissor de aproximadamente O, 7 V quando o dispositivo § 3.3 Operação do Transistor
estiver "ligado".
3. De quanto devem ser polarizadas as duas junções dos transistores
Ambas as expressões listadas acima aparecerão na análise for- para que o transistor atue como um amplificador?
necida no Cap. 4, na seção de análise por computador. Na verda- 4. Qual é a fonte de corrente de fuga de um transistor?
de, elas serão as únicas expressões diferentes daquelas que apare- 5. Esboce uma figura semelhante à Fig. 3.3 para a junção diretamen-
cem na análise do diodo do Cap. 2. Em outras palavras, novos ele- te polarizada de um transistor npn. Descreva o movimento resul-
mentos podem ser introduzidos na biblioteca do PSpice sem mo- tante dos portadores.
dificar os procedimentos já descritos. Utilizando desta maneira o 6. Esboce uma figura semelhante à Fig. 3.4 para a junção reversamente
programa PSpice, fazemos uma verdadeira "experiência constru- polarizada de um transistor pnp. Descreva o movimento resultante
tiva", com a possibilidade de análise de circuitos extremamente dos portadores.
7. Esboce uma figura semelhante à Fig. 3 .5 para o fluxo dos portado-
complicados com o uso de apenas poucas expressões.
res majoritários e minoritários de um transistor npn. Descreva o
movimento resultante dos portadores.
PSpice para Windows (Windows Design 8. Qual das correntes do transistor tem o maior valor? Qual tem o me-
nor? Quais das correntes são relativamente próximas em amplitude?
Center Analysis) 9. Se a corrente de emissor de um transistor é 8 mA e/B é 1/100 de lc,
determine os valores lc e IB.
A seleção do transistor no programa PSpice para Windows é feita
clicando-se inicialmente Draw na barra de menu da janela § 3.4 Configuração Base-Comum
Schematics. Em seguida, escolha Get New Parte depois Browse 10. De memória, esboce o símbolo do transistor para um transmissor
para visualizar a lista disponível. Ache eval.slb na lista de library pnp e um npn, e em seguida introduza os sentidos convencionais
e, após clicar no local correspondente, percorra a lista de disposi- do fluxo de cada corrente.
tivos disponíveis. Ao clicar de um item para o próximo, a caixa 11. Utilizando as curvas características da Fig. 3.7, determine VBE em
Description irá aparecer descrevendo o tipo de dispositivo. Uma !E= 5 mA para VcB = 1 V, 10 V e 20 V. É razoável assumir que
vez escolhido o transistor desejado, basta clicar no dispositivo e VcB não influi muito na relação entre V8E e /E?
em OK; ele aparecerá na tela para introdução no circuito. O Cap. 12. (a) Determine o valor médio da resistência ac para as curvas ca-
4 descreverá como modificar os parâmetros do transistor escolhi- racterísticas da Fig. 3.10b.
(b) Para os circuitos nos quais o valor dos elementos resistivos é
do e como realizar a análise de um circuito com transistor.
tipicamente de kilohms, a aproximação feita na Fig. 3.10c é
válida, baseado nos resultados da letra (a)?
13. (a) Utilizando as curvas características da Fig. 3.8, determine a
PROBLEMAS corrente de coletor resultante se /E= 4,5 mA e Vc8 = 4 V.
(b) Repita a letra (a) para /E= 4,5 mA e Vca = 16 V.
(c) Como a variação em Vc8 afetou o valor resultante de Ic?
§ 3.2 Construção do Transistor (d) De maneira aproximada, determine como I E e I e estão relacio-
nados, com base nos resultados acima?
1. Quais nomes são empregados para os dois tipos de TBJ? Esboce a 14. (a) Utilizando as curvas características das Figs. 3.7 e 3.8 deter-
construção básica de cada um e identifique os portadores minori- mine Ic se Vca = 10 V e V8 E = 800 mV.
tários e majoritários. Desenhe o símbolo gráfico próximo a cada (b) Determine V8 E se lc = 5 mA e Vc8 = 10 V.
um. Se trocarmos o transistor de silício por um de germânio, algu- (c) Repita a letra (b) utilizando as curvas da Fig. 3.10b.
ma informação é alterada? (d) Repita a letra (b) utilizando as curvas da Fig. 3.10c.
f3 Transistores Bipolares de Junção 101

(e) Compare as soluções para VsEdas letras (b), (e) e (d). A dife- 26. (a) Dado que ade = 0,987, determine o valor correspondente de /3de·
rença pode ser ignorada, se normalmente encontramos valo- (b) Dado f3dc = 120, determine o valor correspondente de a.
res de tensão da ordem de poucos volts? (e) Dado que {3de = 180 e Ic = 2,0 mA, determine IE e 18 •
15. (a) Dado ade de 0,998, determine Ic se IE = 4 mA. 27. De memória, e somente de memória, esboce a configuração emis-
(b) Determine ade se IE = 2,8 mA e Is= 20 µ.A. sor-comum (para npn e pnp) e introduza a polarização apropriada
(e) Ache IE se 18 = 40 µ.A e ade é 0,98. com os sentidos de correntes para 18 , Ice IE.
16. De memória, e somente de memória, esboce a configuração base-
comum de um TBJ (npn e pnp) e indique a polaridade da polariza- § 3. 7 Configuração Coletor-Comum
ção empregada e os sentidos das correntes resultantes.
28. Uma tensão de entrada de 2 V rms (medida da base para terra) é
§ 3.5 Transistor como Amplificador aplicada ao circuito da Fig. 3 .21. Assumindo que a tensão de emis-
sor segue exatamente a tensão de base e que V,,,. (rms = O, l V),
17. Calcule o ganho de tensão (Av = VJV;) para o circuito da Fig, 3.12 calcule a amplificação de tensão do circuito (A,, = V jV;) e a cor-
se V; = 500 m V e R = 1 k!l. (Os outros parâmetros do circuito rente de emissor para RE = 1 k!l.
permanecem os mesmos.) 29. Para um transistor apresentando as curvas características da Fig.
18. Calcule o ganho de tensão (Av = V/V;) para o circuito da Fig. 3.12, 3.14, esboce as curvas de entrada e saída da configuração coletor-
n
se a fonte tem uma resistência interna de 100 em série com V;. comum.

§ 3.6 Configuração Emissor-Comum § 3.8 Limites de Operação

19. Definalc8 o e IcEO· De que forma elas são diferentes? De que forma 30. Determine a região de operação para um transistor que apresente
elas estão relacionadas? Seus valores são normalmente próximos? as curvas características da Fig. 3.14 se Ic_ = 7 mA, IcE- = 17
20. Utilizando as curvas da Fig. 3.14: VePCmáx=40mW.
(a) Ache o valor de Ic correspondente a VsE = + 750 mV e VCE 31. Determine a região de operação para um transistor que apresente
= +5v. as características da Fig. 3.8 se Icmáx = 6 mA, Vcs áx = 15 V e P e áx
(b) Ache o valor de VCE e V8 Ecorrespondente a Ic = 3 mA e Is= = 30mW. m m

30 µ.A.
*21. (a) Para as curvas características de emissor-comum da Fig. 3.14, § 3.9 Folha de Especificações do Transistor
ache o beta de e um ponto de operação de VcE = + 8 V e Ic =
2mA. 32. Tendo como referência a Fig. 3.23, determine a faixa de tempera-
(b) Ache o valor de a correspondente a este ponto de operação. tura permitida para o dispositivo em graus Fahrenheit.
(e) Em VCE = + 8 V, ache o valor correspondente de IcEo· 33. Utilizando a informação fornecida na Fig. 3.23 com relação a Pºmáx'
(d) Calcule o valor aproximado de lc80, utilizando o valor beta VcEmáx' Ic- e VcE,a1• esb°:e os extremos,de operação do dispositivo.
de obtido na letra (a). 34. Baseado nos dados da Fig. 3.23, qual e o valor esperado para IcEo
*22. (a) Utilizando as curvas características da Fig. 3.14a, determine usando o valor médio de /3de?
IcEo em VcE = 10 V. 35. Como a faixa de valores de hFE [Fig. 3.23(j), normalizado para hFE
(b) Determine f3dc em Is= 10 µ.A e VcE = 10 V. = 100] se compara com a faixa de valores de hf, [Fig. 3.23 (t)] para
(c) Utilizando o valor de /3de determinado na letra (b), calcule leso· IcdeO,l mAaté lOmA?
23. (a) Utilizando as curvas características da Fig. 3.14(a), determi- 36. Utilizando as curvas características da Fig. 3.23b, determine se a
ne /3de emls= 80 µ.Ae VcE = 5 V. capacitância de entrada na configuração base-comum aumenta ou
(b) Repita a letra (a) para 18 = 5 µ.A e VcE = 15 V. diminui para valores crescentes de potencial reverso de polariza-
(e) Repita a letra (a) para 18 = 30 µ.A e VcE = 10 V. ção. Você pode explicar por quê?
(d) Revisando os resultados obtidos de (a) a (e), o valor de /3de varia *37. Utilizando as curvas características da Fig. 3.23f, determine o quan-
de ponto a ponto nas curvas? Onde se situam os valores mais to hfe variou do seu valor em 1 mA para o seu valor em 10 mA.
altos? Você pode elaborar algu