1. Descreva as quatro estruturas possíveis das bandas eletrônicas para os materiais sólidos.

R: Um material sólido possui um grande número de átomos que se encontram inicialmente separados
e que posteriormente são agrupados e ligados para formar o arranjo eletrônico ordenado encontrado no
material cristalino. Conforme os átomos ficam mais próximos uns dos outros, os elétrons são influenciados
ou perturbados pelos núcleos de átomos adjacentes, essa influência é tal que cada estado atômico distinto
pode se dividir em uma série de estados eletrônicos espaçados e próximos uns dos outros, para formar a
banda de energia eletrônica.
São possíveis quatro tipos diferentes de estruturas de bandas a 0K.

A banda (a) é condutora, uma banda mais externa está parcialmente preenchida com elétrons. A
energia que corresponde ao estado preenchido mais alto a 0K é chamado de energia Fermi (Ef). Essa
estrutura de banda é característica de alguns metais com um único elétron de valência, como por exemplo o
cobre. Cada átomo de cobre possui um único elétron 4s, contudo, para um sólido composto pó N átomos, a
banda 4s é capaz de acomodar 2N elétrons. Dessa forma, somente metade das posições eletrônicas que estão
disponíveis dentro dessa banda 4s está preenchida.
A banda (b) é um isolante, também encontrada nos metais, existe uma superposição de uma banda
vazia com uma banda preenchida, um exemplo é magnésio. Cada átomo de Mg possui dois elétrons 3s.
Contudo, quando um sólido é formado, as bandas 3s, 3p se superpõem.
As duas últimas estruturas de bandas (c) um condutor e (d) um semicondutor, são semelhantes, uma
banda (de valência) está completamente preenchida com elétrons e está separada de uma banda de condução
vazia, e existe um espaçamento entre bandas de energia entre elas. A diferença entre as duas bandas reside
na magnitude do espaçamento, no condutor (c) este espaçamento é amplo e nos semicondutores (d) o
espaçamento é estreito. A energia de Fermi para essas duas estruturas de banda está localizada dentro do
espaçamento entre as bandas, próxima a sua região central. Para materiais puros, os elétrons não podem ter
energia localizadas dentro desse espaçamento.

2. Descreva suscintamente os eventos de excitação eletrônica que produzem elétrons livres/buracos nos:

(a) metais;
Nos metais que possuem qualquer uma das estruturas de bandas, existem estados de energia vazios
adjacentes ao estado preenchido mais elevado, dessa forma é necessária muita pouca energia para levar os
elétrons para os estados mais baixos que estão vazios.

(b) semicondutores (intrínsecos e extrínsecos);

Os estados vazios adjacentes ao topo da banda de valência estão disponíveis. Para se tornarem livres,
portanto, os elétrons devem ser levados através do espaçamento entre as bandas de energia, para estados
vazios na parte inferior. Isso só é possível dando ao elétron a diferença de energia entre esses dois estados,
que é aproximadamente a energia do espaçamento entre as bandas. Geralmente a energia de excitação vem
de uma fonte não elétrica, como o calor, ou a luz.

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 Intrínseca - São caracterizados pela estrutura da banda eletrônica. A banda de valência
completamente preenchida está separada de uma banda de condução vazia por uma zona proibida de
espaçamento entre bandas.
Os semicondutores básicos são o silício e o germânio, mas existe uma outra gama de materiais que
apresenta esse comportamento intrínseco, como o arseneto de gálio e o antimoneto de índio.
Extrínseco - Todos os semicondutores comerciais virtualmente são extrínsecos, o comportamento
elétrico é determinado pelas impurezas que quando presentes introduzem um excesso de elétrons, ou de
buracos.
Tipo N:
Um átomo de impureza tal como o fósforo , que possui 5 elétrons na camada de valência é
adicionada ao silício, que possui 4 elétrons, ficando assim um elétron livre.
Neste caso , os elétrons são os portadores majoritários, e as lacunas portadores minoritários.
Tipo P:
O efeito oposto é produzido pela adição de materiais trivalentes (três elétrons na camada de valência)
como o alumínio, o boro e o gálio, quando adicionados ao silício, formam uma lacuna na ligação covalente.
(c) isolantes.
Já no caso do isolante a banda de valência está preenchida e a região de energia proibida é
suficientemente larga de modo que dificilmente um elétron consegue passar para algum nível permitido de
energia. A mobilidade dos elétrons fica inibida o que resulta no comportamento dos materiais isolantes de
eletricidade. Nos materiais isolantes, como os polímeros e a maioria dos materiais cerâmicos, a banda
proibida é muito larga e difícil de ser suplantada. Por esta razão, a condutividade elétrica destes materiais é
muito baixa.

3. Diferencie os materiais semicondutores intrínsecos e extrínsecos.

R: Em semicondutores intrínsecos, para cada elétron excitado para a banda de condução fica uma
lacuna em uma ligação covalente ou, no conceito de bandas, um estado é deixado livre. Sob influência de
um campo elétrico há um movimento do elétron livre e de elétrons de valência em direções contrárias. O
movimento dos elétrons nas ligações covalentes pode ser visto como um movimento da lacuna. A lacuna
tem a mesma carga de um elétron, mas de sinal contrário.
Virtualmente todos os semicondutores comerciais são extrínsecos; isto é, o comportamento elétrico é
determinado por impurezas, que, quando presentes em concentrações até mesmo diminutas, introduzem
elétrons em excesso ou buracos em excesso. Por exemplo, uma concentração de impureza de 1 átomo em
1012 é insuficiente para tornar o silício extrínseco à temperatura ambiente.

4. Em um gráfico do logaritmo da concentração do portador (elétron, buraco) em função da temperatura

absoluta, trace curvas esquemáticas para materiais semicondutores tanto intrínsecos como extrínsecos.
R: o gráfico abaixo foi retirado do Callister 5ºedição Cap. 18, o gráfico demonstra a condutibilidade
elétrica como uma função do logaritmo da temperatura absoluta para silício intrínseco e também para silício
que foi dopado com 0,0013 e 0,0052 at% de boro, boro age como um aceitador no silício. Em temperaturas
abaixo de cerca de 800K (527oC), os materiais dopados com boro são extrinsecamente do tipo-p ; isto é,
virtualmente todos os buracos portadores resultam de excitações extrínsecas - transições de elétron a partir
da banda de valência para o nível do aceitador boro, que deixa para trás buracos na banda de valência.

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5. Defina a constante dielétrica em termos das permissividades.
R: como o vácuo é um meio linear, homogêneo e isotrópico, e suas constantes elétricas são
designadas por Ɛ0 é a permissividade de um vácuo. Ou seja, existem também a Ɛ. Que é a permissidade
elétrica do meio:
Ɛr = Ɛ/Ɛ0
Sendo que Ɛr é a constante dielétrica ou permissividade relativa. Constante dielétrica (ε) é uma propriedade
do material isolante utilizado em capacitores que influi na capacitância total do dispositivo. No vácuo ela
vale: 1, ou seja, a permissividade do vácuo, é a na verdade, uma constante da constante dielétrica que vale 1
proporcionalmente, quando equiparada com o meio.

6. Descreva sucintamente os fenômenos da ferroeletricidade e piezoeletricidade.

R: O grupo de materiais dielétricos denominado ferroelétricos exibem polarização espontânea, isto é,
polarização na ausência de um campo elétrico. Eles são análogos dielétricos dos materiais ferromagnéticos,
que pode exibir comportamento magnético permanente. A polarização espontânea é uma consequência do
posicionamento de íons Ba2+, Ti4+ e O2- dentro da célula unitária.
O fenômeno da piezoeletricidade se dá por uma propriedade incomum exibida por uns poucos
materiais cerâmicos, ou, literalmente, “eletricidade sob pressão”; polarização é induzida e um campo elétrico
é estabelecido através de uma amostra pela aplicação de forças externas. Reversão do sinal de uma força
externa (isto é, passando de tração para compressão) reverte o sentido do campo. Materiais piezoelétricos
são utilizados em transdutores, dispositivos que convertem energia elétrica em deformação mecânica, ou
vice versa.