UNIVERSIDADE FEDERAL DE PERNAMBUCO

PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM CIÊNCIA DE MATERIAIS

PREPARAÇÃO E CARATERIZAÇÃO DE MATERIAIS II

MEDIDAS ELÉTRICAS

EDUARDO HENRIQUE LAGO FALCÃO

TAMIRES DA SILVA LIMA
tamires.lima@ufpe.br

2020.2
ESTRUTURAÇÃO

↳ Introdução
↳ Resistência
↳ Resistividade
↳ Condutividade
↳ Portadores de carga
↳ Faixas de condutividade: condutores, semicondutores, materiais isolantes
↳ Técnicas

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Introdução
↳ O comportamento dos materiais, em resposta à aplicação de um CAMPO ELÉTRICO, define as PROPRIEDADES
ELÉTRICAS dos materiais.

↳ As propriedades elétricas contribuem para distinguir os materiais.

↳ As propriedades elétricas dependem de diversas características dos materiais, dentre as quais podem-se
mencionar a configuração eletrônica, o tipo de ligação química e os tipos de estrutura e microestrutura.

https://www.certev.ufscar.br/

↳ A corrente elétrica é o movimento de portadores de carga que ocorre dentro dos materiais, em resposta à
ação de um campo elétrico externo.
3
Conceitos básicos

Propriedades físicas fundamentais:

Corrente elétrica Resistência elétrica Potencial elétrico

LEI DE OHM

Em 1827 Georg Simon Ohm, baseado em evidências experimentais e

utilizando o conceito resistência elétrica (R) de um corpo, formulou uma lei
que relaciona a voltagem (V) aplicada sobre o corpo com a corrente elétrica
(I) que o atravessa.

V = IR

4
Conceitos básicos

http://felipeb.com/unipampa/aulas/cm/eletricas_magneticas.pdf
Resistência e resistividade elétrica

Resistência elétrica (R) é uma grandeza física que expressa o "impedimento" sofrido
pelos portadores de carga, sujeitos à ação de um campo elétrico, ao atravessarem de
um ponto a outro em um determinado "corpo", sendo dependente das dimensões e do
tipo de material do qual este corpo é constituído.

Por outro lado, resistividade elétrica (ρ) é uma grandeza que também está relacionada
a um impedimento sofrido pelos portadores de carga, porém, é uma propriedade
intrínseca da matéria, sendo independente das dimensões do corpo estudado. Portanto,
resistividade é uma propriedade da matéria.

“A resistência é uma propriedade do corpo enquanto a resistividade é uma propriedade do material do qual o corpo é constituído”.
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Resistividade elétrica

Para um corpo cilíndrico de comprimento l e seção transversal de área A, define-se a resistividade elétrica (ρ) do
material do qual o corpo é constituído por:

𝑅𝐴
ρ=
𝑙
*o valor de R é influenciado pela configuração da amostra, e
geralmente independente da corrente. A resistividade é
independente da geometria, mas está relacionada a R pela
expressão acima.

V = IR
𝑅𝐴
ρ=
𝑙

𝑅𝐴
ρ=
𝐼𝑙 William D. Callister, Jr. E David G. 9ª Ed. 2016.

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Condutividade elétrica
A condutividade elétrica (σ) de um material é uma medida da facilidade com que ele é capaz de conduzir uma
corrente elétrica. Define-se a condutividade elétrica como sendo o inverso da resistividade, ou seja:
1
σ=
ρ

σ e ρ - valores diretamente relacionados e dependem do material pelo qual a corrente elétrica circula.

Em um condutor sujeito à ação de um campo elétrico, os portadores de carga fluem na direção deste campo. Sendo
assim, podemos definir a densidade de corrente elétrica nesse condutor.
Utilizando o conceito de condutividade (σ), a lei de ohm determina que a densidade de corrente (J) num dado
material é diretamente proporcional ao campo elétrico (E) aplicado sobre o mesmo.

V
J=σE E=
𝑙

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Condutividade elétrica

Condutividade elétrica de um material depende de três fatores:

↳ do tipo de portador de cargas (elétrons ou íons);
↳ da densidade de portadores de carga;
Quantidade de elétrons ou buracos, que estão livres para o
transporte de cargas, por unidade de volume. Esta
grandeza é a principal responsável pela gigantesca
diferença na condutividade dos sólidos isolantes e
condutores.

↳ da mobilidade do portador de carga (facilidade com a qual os portadores se movem na estrutura do material).

Define-se a mobilidade de um
portador como a razão entre a
velocidade de deriva que ele atinge e o
campo elétrico aplicado.
σ é a condutividade do material (S cm-1);
n é a densidade de portadores de carga (m-3);
q é a carga do elétron (C);
Z é a valência do portador de carga;
μ é a mobilidade dos portadores de carga (m2 V-1 s-1).
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Mobilidade do portador de carga
Investigação da mobilidade de portadores de carga no grafeno bicamada.

No grafeno, o movimento tanto dos elétrons quanto dos “buracos” (partículas

conceituais de carga positiva que equivalem à ausência de elétrons na rede
cristalina) podem gerar correntes elétricas no material. Porém, a mobilidade de
elétrons e buracos pode ser afetada pela existência de centros espalhadores de
cargas.

↳ Para realizar os experimentos, foi fabricado um dispositivo consistente em

duas camadas de grafeno depositadas num substrato de óxido de silício.

↳ O dispositivo foi colocado numa câmara de testes na qual foram realizadas

as medidas elétricas in situ a diversas temperaturas enquanto se
introduzia e retirava o fluxo de oxigênio.

↳ Os pesquisadores observaram que, num efeito de caráter reversível, o

oxigênio reduzia significativamente a mobilidade dos elétrons enquanto
aumentava a dos buracos.

9
ACS Nano, 2013, 7 (8), pp 6597–6604. DOI: 10.1021/nn402653b.
Condutância elétrica

Esta propriedade corresponde ao inverso da resistência e pode ser entendida fisicamente como a facilidade com
que um determinado material permite a condução de corrente elétrica. Sua unidade é definida como Ω-1.

Condutância (G) é o inverso da resistência elétrica.

1
G=
𝑅

A condutância elétrica não deve ser confundida com a condutividade elétrica, que é uma característica
específica de um material e recíproca da resistividade elétrica.

No interior da maioria dos materiais sólidos uma corrente tem origem a partir do escoamento de elétrons –
condução eletrônica.

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Condutividade elétrica

Os materiais sólidos podem ser classificados, de acordo com a magnitude de sua condutividade elétrica, em três
grupos principais: condutores, semicondutores e isolantes.

Faixa de condutividade

William D. Callister, Jr. E David G. 9ª Ed. 2016. https://silo.tips/download/propriedades-eletricas-do-materiais

↳ Materiais iônicos/cerâmicos
↳ Polímeros condutores 11
Teoria de bandas de energia

William D. Callister, Jr. E David G. 9ª Ed. 2016. 12

Mecanismos de condução e bandas de energia

Condutor metálico Condutor metálico Isolante Semicondutor

https://www.researchgate.net/figure/Figura-6-Possiveis-configuracoes-para-as-bandas-de-valencia-cinza-e-de-conducao_fig2_338456471

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Portadores de carga (elétrons, vacâncias)
Conceito de lacuna ou vacância
Lacunas referem-se a estados da banda de valência vazios, não preenchidos por elétrons. Elas são também
chamadas por buracos ou “holes”.

http://www.foz.unioeste.br/~lamat/downmateriais/materiaiscap15.pdf

O movimento da lacuna no sentido indicado significa o transporte de carga negativa em igual distância, mas em sentido oposto ao
transporte de carga positiva. Portanto, para o fluxo de portadores, a lacuna comporta-se como uma carga positiva, igual em
magnitude à da carga do elétron. Podemos então considerar, que as lacunas são entidades físicas cujo movimento constitui uma
corrente elétrica.

↳ Comportam-se como partículas de igual carga àquela do elétron, porém de sinal oposto;
↳ Sob a ação de um campo (E), se movem a favor do campo elétrico (direção oposta a dos elétrons);
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Propriedades de portadores de carga

Essas propriedades são definidas pelo comportamento dos portadores de carga: elétrons e buracos, portadores
de carga negativa e positiva respectivamente.

Se nosso semicondutor é um cristal puro, o número de elétrons n é igual ao número de buracos p, pois para
cada elétron que passa para a banda de condução, é criado um buraco na banda de valência. Estes são
denominados de portadores de carga intrínsecos.

Para uso prático de um semicondutor, é feita uma dopagem (inserção de impurezas) de tal forma que seja capaz
de doar elétrons para a banda de condução (fazendo com que seja um cristal tipo n) ou de aceitar elétrons da
banda de valência, criando buracos (fazendo com que seja um cristal tipo p). As impurezas que produzem este
efeito são denominadas de portadores carga extrínsecos.

Semicondutores – Condutividade eletrônica: silício, germânio (Grupo IV da Tabela Periódica) - GaAs, GaN,
InP, InSb, etc. (Grupo III-V da Tabela Periódica).
A condutividade aumenta com a adição de certas dopantes (impurezas).

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Técnicas

↳ Medida de Efeito Hall

↳ Medida de Absorção de Ressonância Ciclotrônica

↳ Medida de 4 Pontas

↳ Medida de Absorção Óptica

↳ Medida de Fotoluminescência

↳ Medida de Fotocondutividade

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Medida de Efeito Hall
Esta medida fornece as seguintes propriedades do semicondutor: tipo de portador majoritário, concentração do
portador majoritário e a mobilidade do mesmo.
O efeito Hall foi descoberto em 1879 por Edwin Hall e é resultado do fenômeno pelo qual um campo magnético
aplicado perpendicularmente à direção do movimento de uma partícula carregada exerce sobre a partícula uma
força perpendicular às direções tanto do campo quanto do movimento da partícula.
Uma fonte de corrente faz passar corrente, por exemplo, na direção x. Sendo o material do tipo p, esta corrente
será essencialmente composta por fluxo de lacunas. O campo magnético aplicado, por exemplo na direção z,
produz uma força de Lorentz na direção y dada por:

Ilustração esquemática da medida de efeito Hall de uma amostra tipo p. Uma

corrente elétrica é aplicada na direção x e um campo magnético é aplicado na
direção z, resultando no aparecimento da tensão Hall entre 2 terminais entre as
faces opostas na direção y.

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Jacobus W. Swart – Materiais Elétricos – Cap.08 – p.1-77.
Medida de Absorção de Ressonância Ciclotrônica

Esta medida permite determinar a massa efetiva dos portadores. Neste método, aplica-se um campo magnético e
constante e incide-se simultaneamente radiação de micro-ondas no cristal. A radiação será mais atenuada quando
a frequência da radiação incidente estiver em ressonância com a frequência de cíclotron.

Esquema da montagem experimental da medida de ressonância ciclotrônica. O sinal de

microondas sai do gerador, entra na porta 1 do circular e sai pela porta 2, atravessa a Espectro de absorção versus valor do campo magnético na medida de ressonância
amostra, reflete no espelho, atravessa novamente a amostra, entra pela porta 2 do ciclotrônica de uma amostra de Ge.
circulador e sai pela porta 3, chegando no receptor.

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Jacobus W. Swart – Materiais Elétricos – Cap.08 – p.1-77.
Medida de quatro pontas

Método duas pontas

Este método é válido somente se:

1) a quantidade de portadores de carga no material a ser analisado for alta;
2) sob pequenas variações de temperatura, a densidade desses portadores não seja muito afetada (como no caso
de materiais ôhmicos).

Se estas condições não forem satisfeitas, ocorrerão flutuações aleatórias da condutividade em função do tempo, o
que permitirá obter somente uma média temporal da condutividade elétrica do material analisado.

Se utilizarmos o método geral descrito para a técnica de duas pontas

para efetuarmos medidas de condutividade elétrica em materiais que
possuem uma alta resistência elétrica nos contatos amostra-
terminais, não estaremos utilizando o método mais adequado para
obtermos a resistividade elétrica.

Arranjo experimental para o método de duas pontas. 19

E. M. G., & S., I. A.. (2002). Quim. Nova, 25(4), 639-647.
Medida de quatro pontas

Quando medimos a resistência elétrica de uma amostra com a sonda de dois terminais, devemos considerar a
seguinte relação:

RT é a resistência elétrica total;

Rc é a resistência elétrica nos contatos;
Rpr é a resistência elétrica de propagação da
corrente;
Ra é a resistência elétrica da amostra.

A Rc surge do contato mecânico das pontas com a amostra e Rpr traduz a resistência encontrada pela corrente
quando flui da ponta para o interior da amostra. Ambas, Rc e Rpr, não podem ser precisamente calculadas e, portanto,
Ra não pode ser extraída com precisão da equação. Para resolver este problema, são utilizadas quatro pontas.

https://www.if.ufrj.br/~mms/cursopos/Aula3_ResistenciaDeFolha.pdf 20
Medida de quatro pontas

↳ O método de quatro pontas foi originalmente proposto por F. Wenner em 1915 para medir a resistividade
elétrica da terra (globo terrestre) e é conhecida dentre os Geofísicos como método de Wenner.

↳ Realizar medidas de resistividade elétrica em materiais semicondutores e, por esse motivo, é conhecida até
hoje como um método analítico para medidas de resistividade elétrica em sólidos, principalmente
semicondutores.

↳ Tem muita utilização para a medida de resistividades e resistências de folha e na caracterização de filmes
ultrafinos, monocamadas, na caracterização de filmes supercondutores.
↳ É o mais amplamente utilizado para a determinação da resistividade elétrica de condutores metálicos e
semicondutores, nas suas mais diversas formas (amostras cilíndricas, circulares, quadradas, etc.) ou arranjos
substrato/amostra (filmes finos depositados sobre substrato condutor ou sobre substrato isolante).

↳ O método da sonda quatro pontas é útil para medidas de rotina que requerem rapidez e precisão nos
resultados.

↳ Neste método, as sondas que monitoram a corrente e a tensão são contatos pontuais, usualmente montados
em um suporte especial com as pontas da sonda dispostas em linha, a uma distância equivalente umas das
outras (existe também a disposição quadrada). 21
Medida de quatro pontas

Quatro eletrodos são dispostos linearmente. A corrente é injetada através de dois dos eletrodos e é medida a tensão
sobre os outros dois. A configuração mais usual é utilizar os dois eletrodos externos para a injetar corrente e os dois
internos, para medir a queda de tensão, mas em princípio qualquer das possíveis combinações pode ser usada.

No caso em que se tem as pontas com espaçamentos variados sobre

uma superfície semi infinita prova se que a resistividade é dada por:

onde s1, s2 e s3 são os espaçamentos entre as pontas e V e I são a tensão

medida e a corrente injetada, respectivamente.

Para o caso em que as pontas estão igualmente espaçadas (s =s1=s2=s3)

a equação da resistividade reduz-se a:

Arranjo experimental para a sonda quatro pontas.

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E. M. G., & S., I. A.. (2002). Quim. Nova, 25(4), 639-647.
Medida de quatro pontas (Fator de correção)

Contudo, em muitos casos práticos a aproximação de um substrato semi infinito não é válido e a equação da
resistividade necessita de um fator de correção geométrico.

Para uma amostra de formato arbitrário, a resistividade elétrica é dada pela equação:

sendo F o fator de correção que depende do formato da amostra, de suas dimensões, de onde são colocadas as
pontas para a medida e ainda, de como está arranjada (tipo de substrato, por exemplo, no caso de um material
depositado).

↳ O fator de correção depende da geometria da amostra e deve ser utilizado para corrigir efeitos de espessura,
efeitos de fronteiras e efeitos de localização das pontas na amostra.

↳ Usualmente, o fator de correção F é um produto de vários fatores de correção independentes.

23
Medida de quatro pontas (Fator de correção)

Considerando os feitos de espessura, efeitos de fronteiras e efeitos de localização das pontas na amostra, podemos
reescrever a equação anterior subdividindo o fator de correção F em três outros:

sendo Fe o fator de correção para a espessura,

Fdl para as dimensões laterais
Flp o fator de correção para o local onde são colocadas as pontas (importante quando existem efeitos de borda).

Fatores de correção e as expressões apropriadas para a determinação da resistividade elétrica em alguns tipos de
formatos e arranjos substrato/amostra

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Medida de quatro pontas (Fator de correção)

Amostras depositadas sobre substratos condutores (e.g. ITO, metais, etc.)

1. Amostras circulares de dimensões laterais semi infinitas:

2. Amostras circulares de dimensões laterais finitas:

3. Amostras retangulares de comprimento finito a, largura finita d e espessura w:

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E. M. G., & S., I. A.. (2002). Quim. Nova, 25(4), 639-647.
Medida de Absorção Óptica

A medida de absorção óptica permite determinar o valor da banda proibida do semicondutor. Nesta medida, utiliza-
se amostra bem fina de semicondutor para permitir a transmissão de luz através da mesma.

A frequência limite para o início da absorção da

radiação pelo semicondutor está relacionada com
o valor de EG
A curva de absorção obtida fornece diretamente o
valor de EG

a) Esquema da montagem experimental da medida absorção ou transmissão de luz pelo

semicondutor; b) Resultado de medida de transmissão de luz através de um semicondutor.

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Jacobus W. Swart – Materiais Elétricos – Cap.08 – p.1-77.
Medida de Fotoluminescência

A medida de fotoluminescência fornece os níveis de energia de estados de elétrons dentro da banda proibida.
Nesta medida, o semicondutor é excitado por meio de uma fonte de laser com frequência de luz com energia maior
que o valor de EG.

É importante diferenciar os processos de emissão em semicondutores de gap direto e indireto.

Luminescência interbanda em semicondutores de gap direto Luminescência interbanda em semicondutores de gap indireto

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M. Fox, Optical Properties of Solids, 1st ed., Oxford University Press, New York, 2001.
Medida de Fotocondutividade
A medida de fotocondutividade é apropriada para a determinação do tempo de vida dos portadores. Uma fonte de
luz, com comprimento de onda apropriada, incide sobre o semicondutor, pelo qual é passado uma dada corrente
elétrica.

Esquema do experimento de fotocondução em semicondutor; b) curva da corrente, ilustrando o decaimento quando a fonte de luz é desligada.

↳ A luz incidente aumenta a concentração dos portadores e como consequência, a condutividade do material, ou
a corrente passando pelo circuito.
↳ Ao desligar-se a fonte de luz, a condutividade do material, ou a corrente elétrica pelo circuito, decai
gradualmente, na mesma taxa da redução da concentração dos portadores do semicondutor.
↳ O tempo de vida pode ser determinado a partir da taxa da redução da corrente elétrica após o desligamento da
fonte de luz.
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Jacobus W. Swart – Materiais Elétricos – Cap.08 – p.1-77.
Referências
E. M. G., & S. I. A. (2002). Medidas de resistividade elétrica DC em sólidos: como efetuálas
corretamente. Química Nova, 25(4), 639-647. https://doi.org/10.1590/S0100-40422002000400019
William D. Callister, Jr. E David G. Rethwisch. Ciência e Engenharia de Materiais - Uma Introdução, 9ª Ed.
2016.
EJ Zimney et al. (2007) Correction factors for 4-probe electrical measurements with finite size electrodes
and material anisotropy: a finite element study. Meas. Sci. Technol. 18 2067.
Jacobus W. Swart – Materiais Elétricos – Cap.08 – p.1-77.
M. Fox, Optical Properties of Solids, 1st ed., Oxford University Press, New York, 2001.
ACS Nano, 2013, 7 (8), pp 6597–6604. DOI: 10.1021/nn402653b.
A. L. Rogach, Semiconductor Nanocrystal Quantum Dots,Synthesis, Assembly, Spectroscopy and
Applications, 1st ed., Springer, Wein, 2008.

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 UNIVERSIDADE FEDERAL DE PERNAMBUCO
PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM CIÊNCIA DE MATERIAIS
PREPARAÇÃO E CARATERIZAÇÃO DE MATERIAIS II

MEDIDAS ELÉTRICAS

EDUARDO HENRIQUE LAGO FALCÃO

TAMIRES DA SILVA LIMA
tamires.lima@ufpe.br

2020.2