ENGM61 TecnicasdeCaracterizacaoMicroestrutural Micros

23/10/2020
UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA

Escola Politécnica
Introdução
DCTM - Departamento de Ciência e Tecnologia dos Materiais
• Observação estrutural: macroestrutura e micro-
estrutura;
Técnicas de Caracterização • Observação da macroestrutura: a olho nu ou com

baixos aumentos (até ~10x, superfície externa);
de Materiais • Observação da microestrutura: microscopia óptica e
microscopia eletrônica.
Técnicas de Caracterização Microestrutural
(MO, MEV, MET)
Prof. Dr. Daniel Véras Ribeiro

verasribeiro@hotmail.com
1 2
Introdução Introdução
• Estrutura x escala • Olho humano: o pioneiro instrumento de análise
3 4
• Olho humano: o pioneiro instrumento de análise • Os primeiros instrumentos óticos
- Retina: projeção das imagens captadas pelo olho
http://micro.magnet.fsu.edu/primer/museum/leeuwenhoek.html
5 6
1
23/10/2020
• Séc. XVII Instrumentos óticos dotados de lentes objetiva • Resoluções* típicas obtidas por diversas técnicas de
e ocular, que permitem maior ampliação na imagem.; microscopia e a olho nu
Microscópios Resolução Ampliação Fonte Requisito

aproximada amostra
Material
Olho humano 0,1 mm -- Luz visível (volume)
Material
MO 100 nm até 2.000 x Luz visível (superfície)
polida
MEV 0,1 nm 10 - 1.000.000 x Feixe Material
eletrônico (volume)
MET 0,5 nm 1.000 - 3.000.000 x Feixe Filmes finos
eletrônico (e ~100 nm)
Robert Hooke (1635 - 1703): descoberta da estrutura celular.

* Resolução: menor distância distinguível entre dois pontos
Antony van Leeuwenhoek (1632-1723): estudos de bactérias.
Marcello Malpighi (1628-1694): estudos histológicos em plantas.
7 8
• Poder de Resolução • Profundidade de campo (depth of field – d)
9 10
O Microscópio Óptico (Séc. XIX)
Microscopia Óptica
(Metalografia)
Prensa para
alinhar amostra
11 12
2
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Microscopia Óptica Microscopia Óptica - Tipos
13 14
Microscopia Óptica Microscopia Óptica

• Luz Visível • Lentes convergentes
Para análise de raios-X ,

Os comprimentos de onda dos raios-X
comprimentos de onda entre
são da mesma magnitude que as
0,1 e 2,5 Å são usados.
distâncias atômicas.
1 nm = 10 Å = 10 -9 m
15 16
Microscopia Óptica Microscopia Óptica

• Características da Lente Objetiva • Resolução
R = (0,61.l)/(N.A.)
- A resolução (R) é definida como sendo a capacidade

do sistema ótico discernir com nitidez dois riscos
muito próximos. (¯ resolução, nitidez)
- Menor a resolução (distância entre 2 pontos) maior

será o detalhe estrutural que pode ser analisado
pelo microscópio ótico com nitidez
17 18
3
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Microscopia Óptica Preparação da Amostra

• Resolução • Corte das Amostras;
R = (0,61.l)/(N.A.)
- R : é a resolução do sistema ótico do microscópio
ótico
- l : é o comprimento de onda da fonte de luz
utilizada no sistema ótico • Embutimento;
- N.A. : é a abertura numérica da lente objetiva. Está
diretamente associado com a qualidade da lente
utilizada na ocular e na objetiva.
19 20
Preparação da Amostra Preparação da Amostra

• Embutimento • Resinas
- À quente
Resinas termofixas Resinas termoplásticas
Mais comum.
Baquelite PMMA - Acrílico
- À frio
Tubo de PVC (cano plástico de água) de 3 a 5
cm de altura e uma placa de vidro retangular
de aproximadamente 10 x 25 cm, com
aproximada-mente 5 mm de espessura.
•
- À vácuo
Amostras porosas e também para amostras
onde existem paredes finas que não podem ser
alteradas ou quebradas
21 22

• Resinas • Lixamento e Polimento;
- Baquelite
Manual, com
lixas # 240,
320, 400, 600.
Mecânica, com lixa # 800 e pano de feltro

com solução de alumina 1 µm.
23 24
4
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• Lixamento e Polimento; • Lixamento e Polimento;
Agentes de polimento
Pasta e suspensão de
Lixas de água Pano de polimento de alumina, sílica,
diamante
oxido de cromo
25 26

• Cuidados com as amostras. • Ataque Químico;
Efeito do ataque químico em uma superfície metálica polida
- Metálicas Þ susceptível a deformação;
- Cerâmicas Þ facilidade de surgimento de trincas;
- Poliméricas Þ material entre laminas de vidro

(microscópio ótico de luz transmitida
(a) amostra polida e não atacada quimicamente;

(b) amostra polida e atacada quimicamente;
(c) amostra polida e atacada quimicamente com maior intensidade.
27 28

• Ataque Químico; • Ataque Químico;
Efeito do ataque químico em uma superfície metálica polida
Cobre atacado com reagente Corpo de prova de cobre atacado em

adequado delineando os excesso (queimado) compare com
contornos de grãos microestrutura ao lado
29 30
5
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Escala Microscopia Óptica

• Nunca escrever o aumento no texto ou legenda!!!!
• A forma de distribuição, morfologia e
dimensão dos cristais;
• Presença de periclásio e cal livre;
• Considerações sobre o processo de moagem,
tempo e temperatura de clinquerização e
condições de resfriamento;
• Ataques químicos com reagentes;
• Quantificação
- Contagem de pontos.
31 32
Amostras de Clínquer Amostras de Clínquer

Microestrutura dos clínqueres calcinados a 1340°C, obtidas por
microscopia óptica. (A) Referência, (B) 0,5% de TiO2, (C) 1,0%
de TiO2 e (D) 2,0% de TiO2.
cristais de
belita
cristais de
alita
Mariani (2017) Gobbo (2003)
33 34
Amostras de Clínquer Amostras de Clínquer
Gobbo (2003)
Gobbo (2003)
35 36
6
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Amostras de Clínquer Amostras Metálicas
Gobbo
(2003)
37 38
Amostras Metálicas Amostras Metálicas

Estrutura Alumínio: a) puro b) baixa liga c) Al-silício d) Al-Cu Aço inoxidável duplex (22Cr-6Ni-3Mo)
estrutura: ferrítica / austenítica
39 40
Amostras Cerâmicas Melhor imagem

• Realce de contraste.
• Aplicação de pseudo-cores.
41 42
7
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Melhor imagem Análise Quantitativa

• Correção de foco. • Realizadas em superfícies opacas ou projeções
(lâminas finas);
• Medidas em duas dimensões podem representar
parâmetros em três dimensões;
• Pode-se determinar:
- Tamanho/forma/distribuição/quantificação de grão;
• Correção de luz. - Tamanho/forma/distribuição/quantificação de partícu-
las, fibras, microconstituintes, fase cristalina, poros,
defeitos;
- Proporção de fases (fração volumétrica).
43 44
Análise Quantitativa Análise Quantitativa

• Proporção de fases • Proporção de fases
- Norma ASTM E 562 – 11 (“Standard Test Methods for Determining Volume
- Tratamento Estatístico (n determinações) – ASTM E 562
Fraction by Sistematic Manual Point Count”)
( )
1/ 2
1 n é 1 n 2ù
Pi´100 P p = å Pp (i ) s=ê å Pp (i ) - P p ú
PP(i) = n i =1 ë n - 1 i =1 û
Pr
s 95%CL
Pi = Nº de pontos 95%CL = t ´ % RA = ´ 100
Pr = Nº de nós na rede n Pp
Dado pela Tabela 1 da ASTM E 562

RA < 10% à OK!
0,5 ponto 1,0 ponto t = f(nº de medidas)
45 46

• Proporção de fases • Tamanho médio de grãos
- Norma ASTM E 112 – 96 (“Standard Test Methods for Determining Average
Grain Size”)
Lt
Li =
p´m
- p = número de interceptos;
- Li = comprimento do intercepto linear
médio;
- Lt = 1 cm (10 mm);
- m = aumento.
Casos Especiais tangencial junção de 3 grãos

Lt Lt
1/2 intercepto 1/2 intersecção 1 intersecção 1,5 intersecção
47 48
8
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• Tamanho médio de grãos (G) • Tamanho médio de grãos
- Norma ASTM E 112 – 96 (“Standard Test Methods for Determining
Average Grain Size”).
1/ 2
Aumento de 100x
1 n
L = å L(i )
é 1 n
s=ê
n - 1
å ( ) 2ù
L(i ) - L ú
n i =1 ë i =1 û
G = -10 - 6,64 log Li
s 95%CL
Aumento diferente de 100x 95%CL = t ´ % RA = ´100
n L
2 log(m / 100) m = aumento;
G = G0 + G0 = Fórmula básica. Dado pela Tabela 1 da ASTM E 562
log 2 t = f(nº de medidas)
RA < 10% à OK!
49 50
Análise Quantitativa
• Tamanho médio de grãos (ASTM)
N = nº médio de grãos por polegada quadrada a uma

ampliação de 100x; Microscopia Eletrônica de
n = nº de tamanho de grão ASTM. Varredura
N = 2 n -1 (MEV)
51 52
Micr. Eletrônica de Varredura Micr. Eletrônica de Varredura

• Breve Histórico • Objetivo
- 1937: Manfred von Ardenn - Observação e análise microestrutural de materiais

sólidos.
- Bobinas de varredura adaptadas ao MET
- 20 minutos para gerar uma imagem • Características
- Amostras delgadas e aumento máximo de 8.000x. - Aumentos da ordem de104 x;
- Fonte: feixe de elétrons;
- 1942: primeiro MEV para observação de amostras
- Profundidade de campo – topografia de superfícies
espessas
irregulares;
- Resolução: 1 µm – Resolução do MO: 0,5 µm
- Versatilidade;
- 1965: primeiro MEV comercial, montado pela - Análise química localizada;
Cambridge Scientific Instrument Company, - Fácil preparação da amostra (corte/seccionamento e
adquirido pela DuPont. cobertura com material condutor)
53 54
9
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• Principais componentes do MEV

– Coluna ótico-eletrônica
(canhão de elétrons e
sistema de demagnifi-
cação)
– Unidade de varredura
– Câmara de amostra
– Sistema de detectores
– Sistema de visualização
da imagem
Esquema de um MEV.
(MALISKA)
55 56

• Canhão de elétrons – fontes de emissão: • Filamento de tungstênio
- Cerca de 100 μm de diâmetro
- Aplica-se uma corrente até que atinja a

temperatura de 2700K, quando são emitidos
elétrons do filamento por um processo
conhecido por emissão termiônica.
(a) Filamento de Tungstênio

(b) Hexaboreto de Lantâneo (LaB6)
(c) FEG (Field Emission Gun)
57 58

• Filamento de Hexaboreto de Lantâneo (LaB6) • FEG (Field Emission Gun)
- Possibilita a geração de densidade de corrente - Utiliza uma agulha fina de W (r < 100 nm);
mais alta, além de baixa taxa de evaporação;
- Emite forte campo elétrico em região altamente
- Vida útil até 100x maior que o de tungstênio; localizada, em condições de alto-vácuo;
- Desvantagens: elevada reatividade do material, o - Desvantagens: Custo muito elevado.

que requer grandes pressões, além do aquecimen-
to indireto do filamento, por meio dos suportes de
C e custo.
59 60
10
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• Interações Elétron-Amostra • Interações Elétron-Amostra
- Originam radiações que podem ser detectadas e - Elétrons Auger
mensuradas por diferentes tipos de detectores. - Ao preencher uma vacância, o elétron pode lançar
outro elétron do átomo em uma transição de baixa
emissão de radiação, chamada de efeito Auger.
Elétrons retroespalhados
Ex: Se um eletron da camada interna K é lançado e um
eletron da camada L preenche essa vacância, temos uma
transição Auger KL.
- É importante na caracterização de camadas

superficiais.
Sinais resultantes da interação do feixe de elétrons primário com a amostra.
61 62

- Elétrons Secundários (SE) - Elétrons Retroespalhados (BSE)
- Resultantes do espalhamento inelástico de um - Resultantes da re-emissão de elétrons incidentes que
elétron de alta energia com elétrons de valência mais atingem uma amostra grossa;
externos;
- A intensidade do espalhamento está relacionada ao
- Apenas os elétrons da superfície da amostra podem número atômico do átomo ( Z, eficiência);
escapar e contribuir com o sinal detectado;
- Sinais mais comuns para a formação de imagem
63 64

- Raios X - Raios-X
- Resultantes da interação de um elétron de alta - Possibilitam a microanálise.
energia com um átomo, podendo resultar na ejeção
Espectro de um Ânodo
de um elétron de uma camada atômica interna; de Molibdênio
- A variação de energia é única para um dado
elemento.
Radiação Característica =
Linha Espectral
Bremsstrahlung =
Espectro Contínuo
65 66
11
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• Sistemas de Detecção de Sinais • Sistemas de Detecção de Sinais
- Tipos de detectores: - Detectores de Elétrons Secundários (SE) – mais
utilizados
Elétrons secundários (SE) – mais utilizado
- SE ocorrem devido às interações inelásticas entre o feixe
Elétrons retroespalhados (BSE)
de elétrons primário e a amostra;
Raios-X - Permite maiores detalhes morfológicos;
Corrente da amostra - Superfícies mais próximas do detector ficam mais claras.
67 68

- Detectores de Retroespalhados (BSE)
- Detectores de Elétrons Secundários (SE) – mais
utilizados - O número de elétrons retroes-
palhados que chegam ao
detector é proporcional ao seu
número atômico (Z) ;
- Melhor contraste de número
atômico, adequado para amos-
tras polifásicas, com poucos
relevos superficiais;
- Menos sensíveis ao carrega-
mento (amostras sem recobri-
mento superficial)
69 70

- Detectores de Raios-X - Detectores de Raios-X
- Espectrômetro de dispersão de comprimento de onda Comparação
(WDS) – cristal polarizado de Si dopado com Li
- Espectrômetro de dispersão de energia (EDS) – cristais

analisadores de difração (mais modrno)
- Possibilitam microanálises qualitativas e quantitativas
e obtenção do mapa composicional da região observada
71 72
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- EDS - EDS
Al
Si
Fe
O, C, Ti, Ca, Si, Fe, S e Al Ti
O, C, Ti, Ca, Si, Fe, S e Al
73 74

- EDS - EDS
75 76

- EDS - Identificação Qualitativa de Fases: SE, BSE (+)
- Determinação da Composição das Fases: EDS
- Morfologia: SE
- Quantificação por meio do uso de imagens (poros,
fases principais, etc.): BSE
- Distribuição de Fases: BSE
- Distribuição elementar: EDS, WDS
E muito mais...
77 78
13
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• Preparação das Amostras (recobrimento) • Cuidados
- Deposição de íons (sputtering): Au-Pd; Au-Pt - Preparação das Amostras (secagem, impregnação,
- Evaporação de Carbono polimento);
Podem mascarar a superfície real
- Necessidade de Aquisição Automativa (elevado
Cuidado com a microanálise! número de análises para um resultado
estatisticamente representativo);
- Ferramentas de Aquisição e Análise Automática

precisam ser desenvolvidos!
79 80

• Aplicações • Exemplos
- Análise micromorfológica (estudos de fraturas,
morfologia de pós etc);
- Análises de texturas;
- Identificação, composição e quantificação de fases
etc.
MO
MEV
81 82

• Exemplos • Exemplos - Clínquer
Mariani (2017)
83 84
14
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• Exemplos • Exemplos
(a) (b)
85 86

• Exemplos • Exemplo: Relação entre cinética e microestrutura
1 3
4
2
2 3
87 88
Micr. Eletrônica de Transmissão

• Objetivo
- Observação e análise microestrutural de materiais
Microscopia Eletrônica de sólidos.
Transmissão • Características
- Aumentos da ordem de106 x;
(MET) - Fonte: feixe de elétrons;
- Permite análise de defeitos e fases internas;
- Imagens 2D (média através da espessura da amostra –
cuidado na interpretação);
- Preparação laboriosa das amostras.
89 90
15
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Micr. Eletrônica de Transmissão Micr. Eletrônica de Transmissão

• Principais componentes do MET • Preparação das Amostras
– Coluna submetida a vácuo – Espessura de 500 a 5000 Å
• Canhão de elétrons (fonte – Superfície polida e limpa dos dois lados
termoiônica ou FEG)
• Lentes magnéticas, aberturas – Tipos:
e diafragmas
– Lentes condensadoras • Lâminas finas do próprio material
– Lente objetiva – Metais/Ligas: corte de lâminas, afinamento por polimento
– Lentes projetivas mecânico, polimento eletrolítico final.
– Câmara de amostras – Polímeros/orgânicos: microtomia
– Cerâmicas: desbaste iônico
– Tela fluorescente, chapa • Réplicas de superfície
fotográfica ou câmara de – Plástico, Carbono ou Óxido
vídeo – O contraste tem origem nas variações de espessura.
91 92
• Formação de imagens: projeção • Padrões de difração característicos
• Origem do contraste: diferença de

espessura, ρ, coeficiente de absorção de (A) Materiais monocristalinos
elétrons, difração, etc. (B) Materiais policristalinos
(C) Materiais amorfos
93 94

• Padrões de difração característicos • Exemplos
Permitem identificar
a estrutura cristalina
e os parâmetros do
reticulado, assim co-
mo a orientação da
microrregião analisa-
da.
Difração de elétrons do ferro alfa
Padrão de difração de Cr2O3 policristalino

(esq) e monocristalino (dir)
95 96
16
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Micr. Eletrônica de Transmissão Trabalho (10,0 pontos)

• MET – exemplos: defeitos • Parte 01 (7,0 pontos)
- Caracterizar um material fornecido por Análises
Térmicas (TG/DTG) e microscopia (MEV).
- Escrito
- Oral (10 min)
• Parte 02 (3,0 pontos)

- Apresentar um artigo QUALIS A1-B2 que
envolva as duas técnicas (FTI-R e DRX)
- Oral (15 min)
Data: 05/12/2018 – 14h50 às 17h35
97 98
UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA

Escola Politécnica
DCTM - Departamento de Ciência e Tecnologia dos Materiais
Técnicas de Caracterização
de Materiais
Técnicas de Caracterização Microestrutural
(MO, MEV, MET)
Prof. Dr. Daniel Véras Ribeiro

verasribeiro@hotmail.com
99
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23/10/2020

UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA

Técnicas de Caracterização • Observação da macroestrutura: a olho nu ou com

Prof. Dr. Daniel Véras Ribeiro

Microscópios Resolução Ampliação Fonte Requisito

Robert Hooke (1635 - 1703): descoberta da estrutura celular.

O Microscópio Óptico (Séc. XIX)

Microscopia Óptica Microscopia Óptica - Tipos

Microscopia Óptica Microscopia Óptica

Para análise de raios-X ,

Microscopia Óptica Microscopia Óptica

- A resolução (R) é definida como sendo a capacidade

- Menor a resolução (distância entre 2 pontos) maior

Microscopia Óptica Preparação da Amostra

Preparação da Amostra Preparação da Amostra

Preparação da Amostra Preparação da Amostra

Mecânica, com lixa # 800 e pano de feltro

Preparação da Amostra Preparação da Amostra

Preparação da Amostra Preparação da Amostra

- Cerâmicas Þ facilidade de surgimento de trincas;

- Poliméricas Þ material entre laminas de vidro

(a) amostra polida e não atacada quimicamente;

Preparação da Amostra Preparação da Amostra

Cobre atacado com reagente Corpo de prova de cobre atacado em

Escala Microscopia Óptica

Amostras de Clínquer Amostras de Clínquer

Mariani (2017) Gobbo (2003)

Amostras de Clínquer Amostras de Clínquer

Amostras de Clínquer Amostras Metálicas

Amostras Metálicas Amostras Metálicas

Amostras Cerâmicas Melhor imagem

Melhor imagem Análise Quantitativa

Análise Quantitativa Análise Quantitativa

Dado pela Tabela 1 da ASTM E 562

Análise Quantitativa Análise Quantitativa

Casos Especiais tangencial junção de 3 grãos

1/2 intercepto 1/2 intersecção 1 intersecção 1,5 intersecção

Análise Quantitativa Análise Quantitativa

N = nº médio de grãos por polegada quadrada a uma

Micr. Eletrônica de Varredura Micr. Eletrônica de Varredura

- 1937: Manfred von Ardenn - Observação e análise microestrutural de materiais

Micr. Eletrônica de Varredura Micr. Eletrônica de Varredura

• Principais componentes do MEV

Micr. Eletrônica de Varredura Micr. Eletrônica de Varredura

- Aplica-se uma corrente até que atinja a

(a) Filamento de Tungstênio

Micr. Eletrônica de Varredura Micr. Eletrônica de Varredura

- Desvantagens: elevada reatividade do material, o - Desvantagens: Custo muito elevado.

Micr. Eletrônica de Varredura Micr. Eletrônica de Varredura

- É importante na caracterização de camadas

Sinais resultantes da interação do feixe de elétrons primário com a amostra.

Micr. Eletrônica de Varredura Micr. Eletrônica de Varredura

Micr. Eletrônica de Varredura Micr. Eletrônica de Varredura

Micr. Eletrônica de Varredura Micr. Eletrônica de Varredura

Micr. Eletrônica de Varredura Micr. Eletrônica de Varredura

Micr. Eletrônica de Varredura Micr. Eletrônica de Varredura

- Espectrômetro de dispersão de energia (EDS) – cristais

Micr. Eletrônica de Varredura Micr. Eletrônica de Varredura

O, C, Ti, Ca, Si, Fe, S e Al Ti

O, C, Ti, Ca, Si, Fe, S e Al

Micr. Eletrônica de Varredura Micr. Eletrônica de Varredura

Micr. Eletrônica de Varredura Micr. Eletrônica de Varredura

Micr. Eletrônica de Varredura Micr. Eletrônica de Varredura