Disciplina: Materiais Elétricos e

Magnéticos.

Prof. Sandro R. Zang – Sala 116-2

Departamento das Engenharias de Telecomunicações e Mecatrônica (DETEM)
Universidade Federal de São João del-Rei (UFSJ)
Campus Alto Paraopeba - Ouro Branco/MG
Comportamento Elétrico

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 Introdução

 Condução Elétrica: Resultado do movimento de

portadores de carga (elétrons) dentro do material;
 Conceito: o tipo de estrutura define as
propriedades do material (mecânicas, elétricas,
óticas, etc);
 A facilidade ou dificuldade de condução elétrica de
um material está associada ao conceito de níveis de
energia.
 Nos materiais sólidos, níveis de energia discretos
dão origem as bandas de energia.

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 Introdução
 Nos materiais sólidos, níveis de energia discretos
dão origem as bandas de energia.
 É o espaçamento relativo dessas bandas (em uma
escala energética) que determina a magnitude da
condutividade.
 Condutores: metais que possuem grande valor de
condutividade.
 Isolantes: Cerâmicas, vidros e polímeros, possuem
pequenos valores de condutividade.
 Semicondutores: possuem valores intermediários
de condutividade.
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Comportamento Elétrico

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 Portadores de carga e Condução

 A Condução Elétrica nos materiais ocorre por

meio de espécies individuais (em escala atômica)
chamada de portadores de carga.
 Elétron  Exemplo mais simples, partícula de 1,6
x 10 -19 C de carga negativa;
 Lacuna Eletrônica: conceito mais abstrato,
ausência de um elétron (buraco), 1,6 x 10 -19 C de
carga positiva.
 As lacunas tem um papel fundamental no
comportamento elétrico dos semicondutores.

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 Portadores de carga e Condução


 troca de elétrons):
Nos materiais iônicos (gerados por ligações iônicas

 Ânions: servem como portadores de carga

negativa.
 Cátions: são os portadores de carga positiva.
 Como vimos, a valência de cada íon indica carga
positiva ou negativa em múltiplos de 1,6 x 10 -19 C,
dependendo de quantos elétrons de valência são
compartilhados.

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Comportamento Elétrico

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 Determinação da Condutividade Elétrica
 Método mais Simples: A
magnitude do fluxo de corrente
(I), através de um circuito com
resistência (R), e a diferença de
potencial (V), são relacionados

V  RI
através da Lei de Ohm.

 O valor de R depende da
geometria da amostra:
 R aumenta com o comprimento
(l) e diminui com a área de seção
transversal (A).
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 Determinação da Condutividade Elétrica
 Resistividade (ρ) : é independente
da geometria.
 É a propriedade que mais
caracteriza os material.


RA
(Ω.m)
l
 Condutividade (σ): É O inverso
da resistividade:



1
(Ω-1.m -1)

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 Determinação da Condutividade Elétrica
 Condutividade (σ): É o parâmetro mais
conveniente para estabelecer um sistema de
classificação elétrica para os materiais.
 A Condutividade é o produto da densidade de
portadores de carga (n) com a carga transportada
por portador (q) e com a mobilidade de cada um

  nq (Ω-1.m -1)

(μ):

Mobilidade: velocidade média do portador (  )




  E
dividido pela intensidade de campo elétrico (E):

[m2/(V.s)]
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 Determinação da Condutividade Elétrica
 Quando os portadores de carga positivos e
negativos contribuem para a condução, ambos
devem ser levados em conta na equação do calculo
da condutividade:
  nn qn n  np q p  p
Onde:
n – negativo
p – positivo
 Para elétrons, lacunas e íons monovalente (troca de
apenas 1 elétron) a magnitude da carga (q) é 1,6 x
10 -19 C.
 Para íons multivalentes: q = ǀZ iǀ x 1,6 x 10 -19 (C)
 ǀZ iǀ  número de valência (Ex., 2 para O-2)

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Determinação da Condutividade Elétrica

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 Determinação da Condutividade Elétrica
 Exemplo 1: Calcule o valor da condutividade de uma
liga na qual apresenta queda de tensão de 432 mV quando
uma corrente de 10 A é aplicada. A amostra utilizada
possui comprimento de 1m e diâmetro de 1 mm.

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 Determinação da Condutividade Elétrica
 Exemplo 1: Calcule o valor da condutividade de uma
liga na qual apresenta queda de tensão de 432 mV quando
uma corrente de 10 A é aplicada. A amostra utilizada
possui comprimento de 1m e diâmetro de 1 mm.
R V  432  10 3

I 10
R  43, 2 103 
43, 2 10   0,5 10  
 3 3 2 

  RA l   

  33,9 109 m
1

  1   29,5 106  1m 1

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 Determinação da Condutividade Elétrica
 Exemplo 2: Supondo que a condutividade do cobre da
tabela anterior seja inteiramente devido aos elétrons
livre [com uma mobilidade de 3,5 x 10-3 m2 /(V·s)].
Calcule a densidade de elétrons livres no cobre em
temperatura ambiente.

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 Determinação da Condutividade Elétrica
 Exemplo 2: Supondo que a condutividade do cobre da
tabela anterior seja inteiramente devido aos elétrons
livre [com uma mobilidade de 3,5 x 10-3 m2 /(V·s)].
Calcule a densidade de elétrons livres no cobre em
temperatura ambiente.

 58 10
q 1, 6 1019  3,5 103 
n 
6

n  104 10 27
 m3 

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 Determinação da Condutividade Elétrica
 Exemplo 3: Calcule a velocidade de arraste dos
elétrons livres no cobre (exemplo anterior) para uma
intensidade de campo elétrico de 0,5 V/m.

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 Determinação da Condutividade Elétrica
 Exemplo 3: Calcule a velocidade de arraste dos
elétrons livres no cobre (exemplo anterior) para uma
intensidade de campo elétrico de 0,5 V/m.

  E


   3,5 10 3
 0,5


  1, 75 10
 3 m 
 s

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Comportamento Elétrico

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 Níveis de Energia
 Como vimos, os orbitais eletrônicos em um átomo
isolado estão associados a níveis de energia
discretos; Exemplo: Sódio (Na).
1s
2s 2p
Número atômico: 11 orbitais 3s 3p 3d
4s 4p 4d 4f
1s2 5s 5p 5d 5f
2s2 2p6 6s 6p 6d
3s1 7s

 Esta distribuição de elétrons entre os orbitais é

descrita pelo Princípio de Exclusão de Pauli.

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 Níveis de Energia
 Princípio de Exclusão de Pauli: Dois elétrons não
podem ocupar exatamente o mesmo estado
quântico; ou seja, no átomo de Na cada orbital
pode ser ocupado por dois elétrons porque eles
estão em estados diferentes (spins opostos –
orientação magnética de rotação do elétron em
torno do seu próprio eixo – momento angular).
 O princípio de exclusão de Pauli é a razão
fundamental para muitas das propriedades
características da matéria, desde sua estabilidade
até a existência das regularidades expressas
pela tabela periódica dos elementos.

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 Níveis de Energia

Agrupamento de Átomos na Formação de um

Sólido

 Os elétrons de cada átomo em um sólido estão

sujeitos à interação com os átomos vizinhos;
 Ao aproximarmos um átomo isolado a outros, os
níveis de energia de cada um são perturbados
levemente pela presença do vizinho pois
o Princípio de Exclusão de Pauli não permite que
ocupem níveis de energia iguais;

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 Níveis de Energia

Agrupamento de Átomos na Formação de um

Sólido

 Se aproximarmos um grande número de

átomos, teremos um grande número de níveis
de energia próximos uns dos outros,
 formando uma "banda de energia" quase
contínua no lugar dos discretos níveis de
energia que os átomos teriam
individualmente;

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 Níveis de Energia

Agrupamento de Átomos na Formação de um

Sólido

 A Banda de valência ou Banda de

Energia é formada por níveis de energia,
ocupada por elétrons semilivres, que estão um
pouco mais separados do núcleo que os
demais;
 É nesta banda de energia que se acumulam
as lacunas eletrônicas ou buracos eletrônicos;

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 Níveis de Energia
Agrupamento de Átomos na Formação de um
Sólido
 Os níveis de energia
estão preenchidos
até um ponto
intermediário da
banda de valência, e
completamente
vazios acima dele;

 Conceito verdadeiro
na temperatura do
zero absoluto

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 Níveis de Energia

Agrupamento de Átomos na Formação de um

Sólido

 A energia do estado mais alto preenchido na

banda de energia a 0 K é conhecido como
nível de Fermi - EF;
 O grau de preenchimento de determinado
nível de energia é indicado pela função de
Fermi, f (E);

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 Níveis de Energia

Agrupamento de Átomos na Formação de um

Sólido
 A função de Fermi, indica a probabilidade de
um nível de energia E, ser ocupado por um
elétron e pode ter valores entre 0 e 1;

 A temperatura de 0 K:

 f (E) = 1 até EF;

 Acima de EF é igual a 0;

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 Níveis de Energia

Agrupamento de Átomos na Formação de um

Sólido

 Na medida em que a temperatura aumenta, a

relação entre a função de Fermi, f(E) e a
temperatura absoluta, T, é:.

f E 
1
e  E  EF  / kT
1
Sendo k a constante de Boltzmann (86,2 x 10-6 eV/K).

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 Níveis de Energia

Agrupamento de Átomos na Formação de um

f E 
Sólido
1
e 1
E  EF  / kT

 Abaixo de EF, f(E) é

basicamente igual a 1;
 e exencialmente igual a 0
acima de EF.
 Próximo de EF varia de
forma suava entre os
extremos (1 e 0)
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 Níveis de Energia

Agrupamento de Átomos na Formação de um

f E 
Sólido
1
e 1
E  EF  / kT

 À medida que a
temperatura aumetne, o
intervalo acima do qual
f(E) cai de 1 a 0 aumente
e é da ordem de grandeza
de kT.

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 Níveis de Energia

Agrupamento de Átomos na Formação de um

Sólido
 Os metais são bons condutores elétricos
porque a energia térmica é suficiente para
promover elétrons acima do nível de Fermi;
 Nesses níveis, E > EF, a disponibilidade de
níveis desocupados em átomos adjacentes
gera uma alta mobilidade dos elétrons de
condução, conhecidos como elétrons livres,
através do sólido.
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 Níveis de Energia
Agrupamento de Átomos na Formação de um
Sólido
 Para um sólido, a promoção de um elétron da
banda de valência para a banda de condução
só ocorre quando o espaçamento entre as
bandas de energia Eg é vencido; (T = 298K)

Eg  2  E  EF 

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 Níveis de Energia
Agrupamento de Átomos na Formação de um
Sólido
 A probabilidade prevista por F(E) só pode ser
estimada nas bandas de valência e condução;
 Os elétrons não podem ter níveis de energia
entre as bandas.

Eg  2  E  EF 

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 Níveis de Energia
Agrupamento de Átomos na Formação de um
Sólido
 Para o diamante (C), a energia térmica não
consegue promover um número significativo
de elétrons para a banda de condução (ligação
covalente entre os átomos de carbono, com
banda de valência completa). Logo é Isolante!

Eg  2  E  EF 

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 Níveis de Energia
Agrupamento de Átomos na Formação de um
Sólido
 Semicondutor Silício (Si):
 forma um sólido com
ligações covalentes e com
estrutura cúbica semelhante
ao do carbono (do mesmo
grupo da tabela periódica).
 A diferença é que o Si possui
espaçamento entre as
bandas menor (Eg=1,107 eV,
em comparação com ~ 6 eV
do carbono!
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 Níveis de Energia
Agrupamento de Átomos na Formação de um
Sólido
 Semicondutor Silício (Si):
 O resultado é que, na temp.
ambiente (298K) a energia
térmica promove um número
significante de elétrons da
banda de valência para a
banda de condução.
 Cada promoção de elétron
cria um par de portadores de
carga (par elétron-buraco)

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 Níveis de Energia
Agrupamento de Átomos na Formação de um
Sólido
 Semicondutor Silício (Si):

 Consequentemente, buracos
são produzidos na banda de
valência em igual número de
elétrons na banda de
condução.

 Esses buracos são portadores

de carga positiva!

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 Níveis de Energia
Agrupamento de Átomos na Formação de um
Sólido

 Semicondutor Silício (Si):

 Com número moderado de

portadores de carga positiva
e negativa o Si apresenta
uma condutividade elétrica
moderada, intermediário
entre os metais e os
isolantes.

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 Níveis de Energia

 Exemplo 4: Qual a probabilidade de um elétron ser

promovido termicamente para a banda de condução no
diamante (Eg = 5,6 eV) na temperatura ambiente (25º
C).

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 Níveis de Energia

 Exemplo 4: Qual a probabilidade de um elétron ser

promovido termicamente para a banda de condução no
diamante (Eg = 5,6 eV) na temperatura ambiente (25º
C).

 E  EF     2,8 eV
Eg 5, 6 eV

f  E    E  E  / kT
2 2
 2,8/(86,2106 298)
1 1
1 e 1
f  E   4,58 10
e F
48

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 Níveis de Energia

 Exemplo 5: Qual a probabilidade de um elétron ser

promovido termicamente para a banda de condução no
silício (Eg = 1,07 eV) na temperatura ambiente (25º
C).

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 Níveis de Energia

 Exemplo 5: Qual a probabilidade de um elétron ser

promovido termicamente para a banda de condução no
silício (Eg = 1,07 eV) na temperatura ambiente (25º

 E  EF     0,5535 eV
C). Eg 1,107 eV

f  E    E  E  / kT
2 2
 0,5535/(86,2106 298)
1 1
e F 1 e 1
f  E   4,39 10 10

Embora esse número seja pequeno, é ~ 38 vezes maior que

o do diamante. É o suficiente para criar portadores de carga
suficientes para classificar o Si como semicondutor.
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