CAP VII

PROPRIEDADES
ELÉTRICAS E TÉRMICAS
 PROPRIEDADES ELÉTRICAS
CONDUTIVIDADE ELÉTRICA (s)
É o movimento de cargas
elétricas (elétrons ou íons) de
uma posição para outra.
s = 1/r= n.q.m
s= condutividade elétrica (ohm-1.cm-1)
r= resistividade elétrica (ohm.cm)
n= número de portadores de carga por cm3
q= carga carregada pelo portador
(coulombs) [q do elétron= 1,6x10-19 R = r . l/A
coulombs]
m= mobilidade dos portadores de carga
(cm2/V.s)
 PROPRIEDADES ELÉTRICAS

A condutividade elétrica de um material

depende:

• Tipo de transportador de carga (q-carga)

• Numero de condutor por unidades de volume(n).

• Mobilidade do condutor(m).

s = n.q.m
 PROPRIEDADES ELÉTRICAS

Tipos de transportadores de cargas:

• Elétrons Livres
• Íons- Cátions e anions
• Defeitos- Vazios eletrônicos
 Condutividade Elétrica nos Metais

Os elétrons de valência não estão ligados a nenhum

átomo específico, estão livres. Há atração entre os
elétrons livres (de valência) e os íons positivos (núcleo
mais elétrons de valência)

Os metais têm elevada condutividade elétrica devido

os elétrons estarem livres para moverem-se (alta
mobilidade).
Condutividade Elétrica nos Metais

Resistividades Elétrica dos Metais

A resistividade elétrica dos metais dependem de

um componente térmica (rT) resultante das
vibrações dos elétrons e um componente
residual (rR) que é devido a defeitos estruturais.

r = rT + rR
Efeito da temperatura na condutividade dos metais

A agitação térmica reduz o livre percurso médio dos

elétrons, a mobilidade dos mesmos e como
conseqüência a condutividade.

ESTRUTURA PERFEITA A
MOVIMENTO DOS ELÉTRONS A MAIS
BAIXA TEMPERATURA ALTA TEMPERATURA
Efeito dos defeitos na condutividade dos metais

• Os Defeitos na estrutura cristalina dificultam a mobilidade dos

elétrons, diminuindo assim a condutividade elétrica.
• A presença de átomos de soluto (intersticiais e substitucionais),
irá aumentar a possibilidade de colisões entre os
elétrons e os átomos de soluto.
• A presença de defeitos na
estrutura (discordâncias,
contornos de grãos,deformação
plástica, etc) reduzem a
condutividade pois aumentam o MOVIMENTO DOS ELÉTRONS
risco de colisões dos elétrons EM UMA ESTRUTURA COM
com o núcleo dos átomos. IMPUREZAS
Conduvidade elétrica nos materiais ionicos

• A condução elétrica nos sólidos iônicos é resultado

da soma de duas contribuições: a contribuição
eletrônica e a contribuição iônica (mais importante).
• A difusão dos íons dependem da existências de
defeitos puntiformes, principalmente lacunas
catiônicas e aniônicas na rede cristalina

• A condutividade elétrica em
ri = Ne2D compostos iônicos em geral
kT aumentam com a temperatura. Ao
se fundir um composto iônico
aumenta bruscamente condutividade
elétrica, devido a criações de íons.
Conduvidade elétrica nos materiais covalentes

Nos compostos covalentes os elétrons estão fortemente

ligados aos átomos em cuja a ligação covalente intervêm, e
não estão livres para que possam conduzir eletricidade.
Para liberar um elétron capaz de conduzir é necessário uma
grande energia.

Os defeitos cristalinos e a temperatura aumentam a

condutividades elétrica dos polímeros.
SEMICONDUTORES

· Tem resistividade entre metais e isolantes

10-6-10-4 W.cm 1010-1020 W.cm

o A resistividade diminui com o aumento de
temperatura (ao contrário dos metais)
o A resistividade diminui com a adição de certas
impurezas
o A resistividade aumenta com a presença de
imperfeições nos cristais.
PROPRIEDADES ELÉTRICAS EXEMPLOS
DE SEMICONDUTORES

· Silício, Germânio (Grupo IV da Tabela Periódica)

· GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da Tabela
Periódica)
· PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela
Periódica)

·95% dos dispositivos eletrônicos são fabricados com Silício

· 65% dos dispositivos de semicondutores do grupo III-V são
para uso militar
EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
SÃO USADOS PARA A FABRICAÇÃO DOS SEGUINTES
DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS E OPTOELETRÔNICOS
· Transistor
· Diodos
· Circuito integrado
· LEDS
· Detetores de infravermelho
Células solares, etc.
CAMPOS DE APLICAÇÃO DOS DISPOSITIVOS DE
SEMICONDUTORES

· Indústria de computadores (memórias, microprocessadores,

etc.)
· Indústria aeroespacial
· Telecomunicações
· Equipamentos de áudio e vídeo
· Relógios
· Na robótica
· Sistemas industriais de medidas e controles
· Sistemas de segurança
· Automóveis
· Equipamentos médicos,...
LIGAÇÃO QUÍMICA
B- SEMICONDUTORES
Todos os semicondutores têm ligação covalente,
com 4 elétrons de valência. Os semicondutores
compostos (grupos III-V e II-VI) têm 4 elétrons de
valência em média.

RESISTIVIDADE VERSUS TEMPERATURA PARA

UM SEMICONDUTOR
O aumento da temperatura fornece energia que
liberta transportadores de cargas adicionais.
 BANDAS DE ENERGIA
o Os semicondutores se caracterizam por sua estrutura eletrônica
em bandas de energia.
o Os elétrons de valência de dois átomos adjacentes interagem
entre si quando são aproximados um do outro, como acontece em
um sólido cristalino. Isso faz com que novos níveis de energia sejam
estabelecidos, originando então bandas de energia (são níveis
discretos de energia, mas com diferenças apenas infinitesimais)
o A banda de energia corresponde à um nível de energia de um
átomo isolado
· As bandas de energia nem sempre se sobrepõem
· Assim como orbitais, as bandas de energia podem comportar no
máximo dois elétrons.
GAP DE ENERGIA (BANDA
PROÍBIDA)
·É o espaço entre as bandas de energia

o É o que distingue um semicondutor de um

condutor ou isolante.
NÍVEL DE DE ENERGIA DE FERMI
·É definido como o nível de energia abaixo
do qual todos os estados de energia
estão ocupados a 0K.
 CONDUTOR

o Os elétrons não
preenchem todos os
estados possíveis da
banda de valência e por
Nível de Fermi
isso a condução ocorre
na banda de valência.
o Num metal o nível de
Fermi esta localizado na
banda de valência. Banda de valência
incompleta
 ISOLANTES
o Os elétrons BANDA
preenchem todos os DE
estados possíveis da CONDUÇÃO
banda de valência e por
isso a condução NÃO Nível de fermi GAP DE ENERGIA
ocorre na banda de
valência. BANDA
DE
Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de VALÊNCIA
energia

· Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV

· Gap de um isolante é maior
 SEMICONDUTOR
o Da mesma forma que BANDA
nos isolantes, os DE
elétrons preenchem CONDUÇÃO
todos os estados
possíveis da banda Nível de fermi GAP DE ENERGIA
de valência.
BANDA
DE
Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de VALÊNCIA
energia

· Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV

· Gap de um isolante é maior
SEMICONDUTOR
o Num semicondutor, os elétrons podem ser
excitados para a banda de condução por
energia elétrica, térmica ou óptica
(fotocondução)

o ð Quando um elétron é excitado para a banda de

condução deixa um buraco ou uma vacância na
banda de valência que contribui também para a
corrente.
CONDUÇÃO INTRÍNSECA
(SEMICONDUTOR INTRÍNSECO)

o É a condução resultante dos

movimentos eletrônicos nos materiais
puros.
· Um semicondutor pode ser tipo "p" ( condução
devido aos buracos) ou tipo "n" (condução
devidos aos elétrons)
· Este tipo de condução se origina devido a
presença de uma imperfeição eletrônica ou
devido a presença de impurezas residuais.

CONDUÇÃO INTRÍNSECA
 CONDUÇÃO INTRÍNSECA
(SEMICONDUTOR INTRÍNSECO)

É a condução resultante dos movimentos eletrônicos

nos materiais puros.
 CONDUÇÃO EXTRÍNSECA

o Quando adiciona-se intencionalmente uma impureza

dopante para proporcionar elétrons ou buracos extras.
o Os semicondutores extrínsecos podem ser:
Tipo p: com impurezas que proporcionam buracos extras.
Tipo n: com impurezas que proporcionam elétrons extras

Os processos utilizados para dopagem são difusão e

implantação iônica
(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P)

.Quando adiciona-se intencionalmente uma

impureza dopante para CRIAR buracos
extras.
· Impurezas tipo "p" ou aceitadores ð
proporcionam buracos extraS
o Exemplo: Dopagem do Si (valência 4) com
Boro (valência 3)
(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P)

BORO É UM DOPANTE
TIPO P PARA O SILÍCIO
PORQUE PROPORCIONA
BURACOS EXTRA
(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P)
NÍVEL DE FERM I
(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO N)

Impurezas tipo "n"

ou doadores.ð
proporcionam
elétrons extra
o Exemplo: Dopagem
do Si (valência 4)
com Fósforo (valência
5)
(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO N)
NÍVEL DE FERMI
CONDUÇÃO EXTRÍNSECA
CONSIDERAÇÕES GERAIS

o ð Os elétrons tem maior mobilidade que

os buracos.
o ð A presença de impurezas pode alterar o
tamanho do gap de energia do
semicondutor.
OPERAÇÃO DO DIODO (JUNÇÃO P-N)

n Dispositivos eletrônicos como transistores,

circuitos integrados, chips, etc... usam a
combinação de semicondutores extrínsecos
tipo “p” e tipo “n” .
o DIODO è é um dispositivo que permite a
corrente fluir em um sentido e não em
outro. É construído juntando um
semicondutor tipo “n” e tipo “p”.
 JUNÇÃO P-N
-Quando uma voltagem é aplicada como no
esquema abaixo, os dois tipos de cargas se
moverão em direção à junção onde se
recombinarão. A corrente elétrica irá fluir.
-Como no esquema abaixo, a voltagem
causará o movimento de cargas para longe
da junção. A corrente não irá fluir no
dispositivo.
Propriedades Térmicas
• Dilatação
• Condutividade
 Materiais
Dilatação Térmica

A dilatação que os materiais T1

sofrem por ação do calor é Lo
uma conseqüência do
aumento de sua energia
interna, que implica em uma T2
maior amplitude das
vibrações moleculares e, L
portanto, uma maior força DL
de retração, proporcionando T2>T1
um afastamento entre
seus átomos ou moléculas. DL = Lo.a . (T2-T1)
L = Lo + DL
 Dilatação Linear

Este aumento dimensional é característico de

cada material e expresso por um fator que
depende da temperatura, denominado
coeficiente de dilatação. Esse coeficiente
pode referir-se ao volume (coeficiente de
dilatação volumétrico), superfície (coeficiente
de dilatação superficial), ou a uma dimensão
(coeficiente de dilatação linear).
 Coeficiente de Dilatação Linear

É uma relação que expressa

qual a variação dimensional
que um material sofre quando
é aquecido ou resfriado.

a = DL
Lo.DT
a -Coeficiente de dilatação linear (oC-1)
DL- Dilatação linear ( m,cm,mm )
Lo – Comprimento inicial ( m,cm,mm ) a = tg q
DT – Variação de Temperatura (oC)
 Coeficiente de Dilatação Linear

Depende

• Da força de ligação inter-atômica

• Da compactação da Estruturas
 Coeficiente de Dilatação Linear

• Força de ligação atômica X coeficiente de

dilatação
Existe uma correlação entre o coeficiente de dilatação
e a energia de ligação (temperatura de fusão)
Materiais com alta Coefiente Temperatura
-1
energia de ligação Material de dilatação(°C ) de fusão (°C)
Magnesio 26 x 10-6 650
apresentam coeficientes Aluminio 23 x 10-6 660
de ligações térmicas Prata 19 x 10-6 961
Ferro 13 x 10-6 1536
baixos. -6
Platina 9 x 10 1769
Força de ligação P. fusão Molibidenio 7 x 10-6 2610
Carbeto de W 5 x 10-6 2850
 Coeficiente de Dilatação Linear

• Fator de empacotamento X coeficiente de ligação

Quanto maior o fator 45

dl/lo ( 10-3 )
de empacotamento 40

atômico maior é o 35

coeficiente de dilatação, 30

pois os átomos estão 25

mais próximos e 20

conseqüentemente a 15

repulsão atômica é 10

maior 5

0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700

Temperatura (ºC)
 Coeficiente de dilatação Linear

A variação dimensional de um
material em função da
temperatura é praticamente
linear desde que não ocorram
mudanças estruturais. Entretanto,
se durante seu aquecimento
ocorrem algumas transformação
(modificações polimorficas,
cristalização ou devitrificação,
pontos de transição, etc.), estas
aparecem na curva dilatométrica
como uma mudança de
inclinação, sendo esta tanto mais
pronunciada quanto mais intensa
for a transformação
 Condutividade Térmica

É o fenômeno pelo qual calor é transportado das

regiões de maior temperatura para as regiões de
menor temperatura. A propriedade que caracteriza a
habilidade de um material transferir calor é a
condutividade térmica ( k ).

q – fluxo de calor (J/m2 ou W/M2)

q = - k. dT
dx k – condutividade térmica (W/m)
dt/dx- gradiente de temperatura
no Meio condutor
 Condutividade Térmica

Mecanismo de transporte de calor

Nos sólidos o calor pode ser transportado de duas

maneiras:

• Pela movimentação de elétrons livres

• Por ondas de vibrações da rede (fônons)

k = kf + ke
 Condução térmica nos metais
Nos metais a condução de calor é realizada
principalmente por elétrons livres.

ke >>> kf

Como na condução elétrica os defeitos de estrutura

diminuem o livre caminho médio do elétrons
diminuindo assim a condutividade térmica.

kaço comum > k aço inox

 Condução térmica nos cerâmicos
• Nos materiais cerâmicos por não apresentarem elétrons
livres os fônons são os principais meios de condução térmica

kfonons >>> keletrons

• Irregularidades no reticulo cristalina afetam a
condutividade térmica, pois os defeitos difratam
os fônons (ondas).
kcristal > kvidro
• Materiais cerâmicos compostos de elementos com
peso atômicos e tamanhos similares
apresentam condutividade térmica
maiores que materiais formados kSiC> kUO2
elementos diferentes.
Fatores que afetam a condução térmica

Temperatura
• Normalmente a condutividade decresce com
temperatura, com exceção nos materiais amorfos.
• Nos materiais metálicos a temperatura tem pouca
influencia na condução.

Poros
A presença de poros reduz a condutividade térmica
dos materiais.
Difusividade térmica (h)

o A difusibilidade térmica é a propriedade que o

material possui em difundir calor no seu
interior, ela depende da: condutividade
térmica, capacidade calorífica e da densidade.

h= K K- condutividade térmica
Cp. r Cp
- capacidade térmica
r- densidade
h- Difusividade térmica
Choque térmico

A capacidade de resistir a variações bruscas de

temperatura sem sofre ruptura.

RCT = h . S
a.E
Difusividade térmica
- limite de resistência
S
- dilatação térmica
a
- Modulo de elasticidade
E
RCT- resistência ao choque térmico