Eletrônica Básica

ELETRÔNICA BÁSICA
CAPÍTULO I - MEDIÇÕES ELETRÔNICAS
ERROS DE MEDIÇÕES
GENERALIDADES
A Matemática trata principalmente de relações entre conceitos abstratos como: números, retas, círculos, equações, etc.A Física trata, ao
contrário, de fenômenos encontrados realmente na natureza (peso, elétrons, fluxo de água, etc). Esses fenômenos só podem ser
conhecidos através da observação do homem, das experimentações e das medições. Assim, podemos definir a Física, (e a eletrecidade
que faz parte dela), como a Ciência do Mensurável. A psicologia, por exemplo, não pode ser ainda considerada como ciência, porque
nem todos os fenômenos psicológicos podem ser medidos.
ERROS DE OBSERVAÇÃO E DE MEDIÇÃO
Para medir uma grandeza física, (a intensidade da corrente, por exemplo), serão necessários em todos os casos de:
– um instrumento de medição (no caso, um amperímetro).

– um observador que fará a leitura e a interpretação do resultado.
Portanto, a grandeza física não poderá ser conhecida com a mesma exatidão que um ser matemático (Ö2 por exemplo), devido às
imperfeições dos instrumentos de medição e do observador. Teremos então erros de medição e de observação.
ERROS ABSOLUTOS
Seja, por exemplo, uma mesa de comprimento L. As medições sucessivas desse comprimento, feitas com um medidor, indicarão valores,
L1, L2, L3; etc... próximos de l mas diferentes devido aos erros, de tal modo que L não poderá ser conhecido exatamente. A média dos
valores experimentais indicarão um valor melhor. O erro poderá ser definido como:
L = LMedido - LReal
L não é conhecido em grandeza e em sentido, mas poderá ser avaliado aproximadamente, conforme o medidor utilizado. Por exemplo,
com o medidor da mesa, o erro será com grande probabilidade inferior a 1 centímetro. L é chamado erro absoluto. Ele tem a mesma
unidade que a grandeza.
ERROS RELATIVOS
Uma medição é considerada muita boa, quando para medir o comprimento de 1 km (ou seja 100.000 cm) houver um erro de 1 centímetro.
O mesmo erro de 1 centímetro para medir o comprimento de um pacote de fósforos de 10 centímetros, representa uma medição ruim.
Então, para representar a qualidade de uma medição é vantajoso definir o erro relativo:
L/L ou melhor 100 x (L/L) ... valor em porcentagem
Teremos então:
No primeiro caso 100 x (L/L) = 0,001% (muito boa)

No segundo caso 100 x (L/L) = 10% (insuficiente)
ERROS EM SOMA OU DIFERENÇA
1
Prof. Armando Célio Leal – email: armando.celiohotmail.com.br – Sete Lagoas – Minas Gerais
ELETRÔNICA BÁSICA
Para conhecermos o semi–perímetro da mesa p, teremos que medir o comprimento l, e depois a largura .. É muito provável que o erro
resultante seja maior que o erro de cada medição. Para tomar isso em consideração, teremos:
P = L + m
m um erro, por exemplo, de um centímetro para o comprimento e a largura, o erro resultante será de 2 cm. Na impossibilidade de se
conhecer o sentido dos erros, o erro resultante de uma diferenca de duas medições será também a soma dos erros absolutos parciais.
Então nos casos:
x = a + b ou x = a – b
x = a + b
ERROS NUM PRODUTO OU QUOCIENTE
Para conhecermos a superfície da mesa S, teremos que efetuar:
S =Lx m
O erro resultante será provavelmente superior ao erro de cada medição. Neste caso:
S + S = (L + L) x (m + m)
S = Lm + mL (desprezando L x m, que é muito pequeno).

S/S = L/L + m/m (no caso: L = 100cm; m = 50cm; L = m = 1 cm; 100 e termos que :
S/S =  3%
Será igualmente o caso para os quocientes onde os erros relativos se somam.
x/x = a/a + b/b
ERROS DOS INSTRUMENTOS DE MEDIÇÕES ELETRÔNICAS
Esses instrumentos dão um erro absoluto constante, qualquer que seja o valor da leitura. Esse erro pode ser avaliado conhecendo–se a
classe de Exatidão (indicada no instrumento em %, a qual é comumente chamada de Precisão!). Ressaltamos que há uma diferença entre
Classe de Exatidão e Classe de Precisão; visto que :
Classe de Exatidão  Define o grau de desvio da medida em relação ao valor considerado como Verdadeiro, Real e/ou Padrão.
Classse de Precisão  Define o grau de repetibilidade da leitura. O instrumento pode ser preciso sem no entanto ser exato!
O erro absoluto é igual ao produto da classe de precisão pelo calibre do instrumento.
Erro Absoluto = (Calibre x Classe %)/100

Exemplos:
Amperímetro classe  1,5%, calibre 5A I = (1,5 x 5)/100 =  0,075A

Wattímetro classe  0,6%, calibre 600W P = (0,5 x 6000/100 =  3W
Lendo–se 30W, o erro relativo será (P/P)x100 =  10%(Ruim)
2
ELETRÔNICA BÁSICA
Lendo–se 300W, o erro relativo será (P/P) =  1% (Boa); o que mostra o interesse em utilizar o instrumento de tal maneira a obter um
grande desvio do ponteiro (adaptação do calibre).
MEDIÇÕES DE TENSÕES CONTÍNUAS - PRINCÍPIO DE VOLTÍMETRO
É composto de um galvanômetro (magneto–elétrico) G, de resistência interna rg ligado em série com uma resistência de alto valor ôhmico
R. Ligado a uma fonte de tensão V, o voltímetro será percorrido por uma corrente i = V/(R+rg). Esta corrente nunca poderá ser superior
ao valor da corrente igmáx que produz o desvio máximo do galvanômetro.
O calibre do voltímetro será conseqüentemente: V = (R +rg) ig. Esta corente nunca poderá ser superior ao valor da corrente que produz o
desvio máximo (Igmáx ou IFS) do galvanômetro ... IFS = Full Scale Current ... Corrente de Fim de Escala
VOLTÍMETRO COM VÁRIOS CALIBRES
É realizado conforme o esquema seguinte:
Comutador
VDS
V1 a V5 são os diversos calibres escolhidos por meio de um comutador. O menor calibre, V 1 é composto do galvanômetro e da resistência
R 1. O calibre seguinte V2 é obtido acrescentando-se uma resistência suplementar R2 em série com R1 e Rg, de modo tal que : V2 = ( Rg +
R1 + R2) x Igmáx.
Procede-se da mesma maneira para os demais calibres. Por exemplo:
V4 = (Rg + R1 + R2 +R3 + R4) x Igmáx
Em outra palavras, a resistência a ser ligada em série com um galvanômetro para transformá-lo em um voltímetro de calibre V é igual a :
R = V/Igmáx - Rg
SENSIBILIDADE E RESISTÊNCIA INTERNA DE UM VOLTÍMETRO
Vimos que para se conseguir o desvio total do voltímetro, qualquer que seja o calibre utilizado, deverá circular por ele uma corrente
Igmáx. Esta corrente é retirada, pelo voltímetro, do circuito no qual ele está ligado. Se o desvio máximo é conseguido
por uma corrente muito pequena, podemos dizer que o voltímetro apresenta grande sensibilidade. Em outras palavras, a sensibilidade é
proporcional ao inverso da corrente necessária para o desvio máximo.
S = 1/Igmáx como I = V/R S = 1/(V/R)  S = R/V ... ohm/V ou K/V
A resistência interna de um voltímetro será, consequentemente, dada pela sua sensibilidade multiplicada pelo calibre, ou seja :
3
ELETRÔNICA BÁSICA
Ri = Re = S x Calibre
Exemplo :
- O galvanômetro de um voltímetro tem um consumo de Igmáx = 50A. Qual é a sensibilidade do voltímetro?
- Qual é a sua resistência interna no calibre de 160V?
Respostas :
S = 1/Igmáx = 1/ 50 x10-6 = 20.000/V
Ri = Re = S x Calibre = [ 20K/V ] x 160 V = 3,2M
Importante  Podemos concluir que :
- A sensibilidade de um voltímetro analógico (multímetros analógicos) é constante qualquer que seja o calibre.
- A resistência interna de um voltímetro analógico (VOM  Volt Ohm Meter) é variável dependendo do calibre utilizado.
- A resistência interna (ou resistência de entrada) de um voltímetro eletrônico (multímetro digital), é constante, qualquer que seja o
calibre utilizado.
- A sensibilidade do voltímetro eletrônico depende do calibre.
D – O VOLTÍMETRO ELETRÔNICO
Vimos que a ligação do voltímetro perturba o circuito onde ele está sendo utilizado, pois retira deste uma certa corrente. Para não haver
esta perturbação, a corrente retirada pelo voltímetro deveria ser nula, ou então, extremamente pequena. Consequentemente, o voltímetro
deferia ter uma altíssima resistência interna. O seu galvanômetro deveria ser extremamente sensível. Na prática, não é possível fabricar-
se galvanômetros robustos com sensibilidade maior que 10A-1, ou seja , com Igmáx = IFS 10A, o que daria uma sensibilidade S
100K/V. Uma maneira de aumentar a sensibilidade equivalente de um galvanômetro é associá-lo a um amplificador :
Se o ganho de corrente do amplificador é A = is/ig, a sensibilidade equivalente do conjunto amplificador – galvanômetro será A vezes a
sensibilidade do galvanômetro. Esse é o princípio básico do voltímetro eletrônico. Esquema de princípio :
A tenso a ser medida V é aplicada a um divisor composto de R 1 + R2 + R3 + R4 cuja soma poderá totalizar na prática valores de 10M ou
100 M . A saída deste divisor é aplicada através do comutador de calibres do amplificador. Quanto maior for a tensão
a ser medida, maior terá de ser a relação do divisor, de maneira a apresentar na entrada do amplificador uma tensão conveniente.
Importante :
- A resistência interna (ou resistência de entrada) de um voltímetro eletrônico é constante, qualquer que seja o calibre
utilizado, sendo muito alta, da ordem de 10M a 100 M.
- A sensibilidade do voltímetro eletrônico depende do calibre.
4
ELETRÔNICA BÁSICA
ESPECIFICAÇÕES DE MEDIDORES DIGITAIS
Algumas especificações atribuídas aos medidores digitais possuem a mesma interpretação que aquelas aplicadas aos medidores
analógicos. Entretanto, existem alguns termos que são exclusivos dos medidores digitais.
A – FAIXA DE TRABALHO
A “faixa de trabalho” de um medidor digital deve ser considerada de modo diferente daquele para um medidor analógico. Consideramos o
“fundo de escala” de um medidor digital o valor máximo que pode ser medido sem sobrecarga. Este valor está relacionado diretamente
com o número de dígitos inteiros do medidor. Consideramos dígitos inteiros aqueles capazes de registrar valores de 0 a 9. Para um
medidor de 3 dígitos possuirá um faixa máxima de 999V. A maioria dos medidores possuem indicação de sobrecarga, estando apto a
processar um valor maior que a leitura de fim de escala. Um medidor digital típico possui um capacidade de sobrecarga de 100%, o que
significa uma faixa de medição de 0V a 1999V, para o caso do medidor de 3 dígitos. Têm-se medidores com capacidade de sobrecarga
que pode variar de 20% a 200%, dependendo do projeto do aparelho. A sobrecarga é indicada através do acréscimo de um dígito na
posição mais significativa. O dígito adicional é chamado de “meio dígito”. Assim sendo, um medidor de 3 dígitos com 100% de sobrecarga
é chamado de medidor de 3 ½ dígito.
Exemplo :
Consideremos um medidor de 3 dígitos indicando 99,9V. Se a tensão passar para 100V e não houver meio dígito, teremos de mudar para
um faixa maior de medição e o medidor indicará 100V e, portanto, teremos perdido a indicação de décimos. Mudando para um faixa
maior, reduziremos a precisão e a sensibilidade do medidor de um fator de 10. Se considerarmos um sobrecarga de 100% e adicionado o
1.2 dígito, a indicação será de 100,0V e , portanto, mantendo-se a sensibilidade e a precisão da faixa inferior. Logo, um medidor de 3 ½
dígitos na faixa de 100V é capaz de medir até 199,9V.
B – RESOLUÇÃO
Devemos considerar uma distinção entre resolução, precisão e sensibilidade. Estes termos estão relacionados, mas não têm o mesmo
significado. Diremos que a resolução determina a capacidade de um medidor mostrar a diferença entre valores. Consideremos um
medidor de 3 ½ dígitos com diferentes faixas. Sendo a menor faixa 100mV e a maior faixa 1000V. Na faixa de 100mV, o dígito mais
significativo indica 100mV, o próximo dígito indica 10mV, depois 1mV e o dígito menos significativo 0,1mV. Logo, a menor tensão que
pode ser registrada na faixa de 100mV é 0,1mV e a mais alta é 100mV. Diremos que a resolução é de 0,1mV em relação à faixa de
100mV.
A resolução não vem a ser , na verdade, um valor de corrente ou tensão. É uma relação entre o valor mínimo que pode de ser
mostrado e o valor máximo para a mesma faixa . A sobrecarga não é considerada ao se especificar a resolução. Logo, para a faixa de
100mV, a resolução é de 0,1 para 100 ou 0,1%. Na faixa de 1000V a resolução deve ser a mesma. O dígito mais significativo é 1000V e o
menos significativo é 1V, o que resulta uma razão de 1 para 1000, ou seja, 0,1%. Isto não significa que o medidor tenha uma classe de
exatidão( muitas vezes referida como precisão!) de 0,1%.
C – SENSIBILIDADE
Vimos que na faixa de 100mV o medido pode sentir uma diferença tão pequena quanto 0,1mV. Logo, diremos que a sensibilidade deste
instrumento é de 0,1mV. Vemos que a sensibilidade indica o valor da menor variação que o medidor pode responder . Podemos
determiná-la multiplicando-se a menor faixa de medição pela resolução. Assim sendo, a sensibilidade de um instrumento de 3 ½ dígitos
com uma faixa de 100mV é de 0,001 x 100mV = 0,1mV.
D – PRECISÃO
A precisão (expressão geral usada no meio técnico, sendo que o termo correto seria CLASSE DE EXATIDÃO), é umaindicação do erro
máximo que pode ser esperado entre o valor real da grandeza medida e o que está sendo indicado pelo medidor. É dada nos medidores
digitais como seno uma porcentagem do fundo de escala . A porcentagem do fundo de escala é geralmente
expressa como mais ou menos um dígito, por exmplo :  0,2%  1 dígito, visto que, ao se efetuar a medição a porta de entrada do sinal
fica aberta por um período de tempo proporcional ao valor absoluto da tensão de entrada. Enquanto a porta está aberta os pulsos estarão
sendo contados. A porta pode fechar-se entre dois pulsos ou durante um pulso. É portanto, possível, para o dígito menos significativo,
voltar ou avançar entre dois dígitos adjacentes embora o medidor esteja medindo uma entrada com
valor constante. Os medidores digitais devem ser periodicamente calibrados, sendo que alguns medidores já possuem referências
internas para calibração.
5
ELETRÔNICA BÁSICA
CONSIDERAÇÃO SOBRE O ERRO QUANTITATIVO EM UM MEDIDOR DIGITAL
Considerando um medidor de 3 ½ dígitos, medindo 38,5V na faixa de 100V, vemos que o dígito menos significativo não nos permite
definir se a tensão real é de 38,50V ou 38,59V, pois a leitura não se modificará até que a entrada atinja 38,6V. Assim há um erro de 0,09V
na faixa de 100V. Um valor proporcional ao erro ocorrerá nas demais faixas.
RESISTÊNCIAS FIXAS
GENERALIDADES
As resistências fixas usadas em eletrônica ficam normalmente definidas da seguinte maneira :
Resistência Nominal : Valor indicado no corpo da resistência.
Tolerância : Indicada 3m %, representa o desvio do valor real com relação ao valor nominal no estado novo. Depois de algum tempo de
aplicação a tolerância pode aumentar.
Potência Nominal : Potência máxima suportável nas condições normais de temperatura(temperatura ambiente de 25 0C). Esta potência
deve ser reduzida no caso de temperaturas ambientes elevadas.
Tensão de ruído : Indicada em mV/V. Representa a tensão parasita provocada pela passagem da corrente em uma matéria heterogênea.
Coeficiente de Tensão : Variação do valor ôhmico com a tensão aplicada. Esta variação é mais importante nos elementos tipo
aglomerado, os quais não são mais fabricados.
RESISTÊNCIAS DE CAMADA DE CARBONO E METAL :
Constituição :
É constituída de um pequeno bastão de cerâmica no qual fica deposito um filme de matéria condutora(carbono e óxido metálico). O valor
exato da resistência é ajustado com o traçado de uma ranhura na camada condutora. A ilustração mostra detalhes construtivos de um
resistor de filme de carbono (carvão):
Qualidades :
- Grande precisão ... 0,05% a 1%

- Estabilidade elevada.
- Bom funcionamento em alta frequência.
Defeitos :
- Frágil quando não tem proteção externa.
- A camada externa não resiste a sobrecarga nem aos choques mecânicos.
RESISTÊNCIAS BOBINADAS :
6
ELETRÔNICA BÁSICA
Constituição :
É constituída de um fio resistente(níquel-cromo) enrolado em um cilindro vazado de porcelana e isolado com verniz ou vitrificado.
Qualidades :
- Estabilidade excelente. - Potências elevadas.

- Grande precisão. - Robusta
Defeitos :
- Custo elevado. - Não podem ser utilizadas em altas

- Grandes dimensões. frequências(HF).
RESISTÊNCIA DE PELÍCULA METÁLICA OU METAL FILM RESISTOR :
São utilizados em equipamentos profissionais, e oferecem alto fator de estabilidade, precisão e baixíssimo ruído. Podem atingir
tolerâncias muito pequenas, podem ser de uso geral, não inflamáveis e de precisão muito mais baixa que os de camada de carbono e
metal. São fabricados com o depósito de níque-cromo vaporizado sobre uma base de porcelana em ambiente a vácuo.
PADRONIZAÇÃO DA RESISTÊNCIAS
O valor das resistências fica indicado, seja com a inscrição do número nelas, seja com o código de cores, conforme quadro abaixo. O
primeiro processo é mais usado no caso de resistências de potência ou de alta precisão. O segundo se encontra mais
no caso de resistências de carbono.
CÓDIGO DE 4 ANÉIS COLORIDOS
Os valores das resistências são normalmente escolhidos no quadro abaixo, conforme a tolerância dos elementos. Está anexado também
quadros de valores mais completos e o código de cor para resistores de precisão.
7
ELETRÔNICA BÁSICA
Valores padronizados para resistores e capacitores (IEC - 63)
E192 E96(1%) E48(2%) E24(5%) E12 (10%) E6(20%) E3

100 100 100 10 10 10 10
101 11
102 102 12 12
104 13
105 105 105 15 15 15
106 16
107 107 18 18
109 20
8
ELETRÔNICA BÁSICA
110 110 110 22 22 22 22

111 24
113 113 27 27
114 30
115 115 115 33 33 33
117 36
118 118 39 39
120 43
121 121 121 47 47 47 47
123 51
124 124 56 56
126 62
127 127 127 68 68 68
129 75
130 130 82 82
132 91
133 133 133
135
137 137
138
140 140 140
143
145
147 147 147
149
150 150
152
154 154 154
156
158 158
160
162 162 162
164
165 165
167
169 169 169
172
174 174 174
176
178 178 178
180
182 182
184
187 187 187
189
191 191
193
196 196 196
198
200 200
203
205 205 205
208
210 210
9
ELETRÔNICA BÁSICA
213
215 215 215
218
221 221
223
226 226 226
229
232 232
234
237 237 237
240
243 243 243
246
249 249 249
252
255 255
258
261 261 261
264
267 267
271
274 274 274
277
280 280
284
287 287 287
291
294 294
298
301 301 301
305
309 309
312
316 316 316
320
324 324 324
328
332 332 332
336
340 340
344
348 348 348
352
357 357
361
365 365 365
370
374 374
379
383 383 383
388
392 392
397
402 402 402
10
ELETRÔNICA BÁSICA
407
412 412
417
422 422 422
427
432 432
437
442 442 442
448
453 453
459
464 464 464
470
475 475
481
487 487 487
493
499 499
505
511 511 511
517
523 523
530
536 536 536
542
549 549
556
562 562 562
569
576 576
583
590 590 590
597
604 604
612
619 619 619
626
634 634
642
649 649 649
657
665 665
673
681 681 681
690
698 698
706
715 715 715
723
732 732
741
750 750 750
759
768 768
11
ELETRÔNICA BÁSICA
777
787 787 787
796
806 806
816
825 825 825
835
845 845
856
866 866 866
876
887 887
898
909 909 909
920
931 931
942
953 953 953
965
976 976
988
MEDIÇÃO DE RESISTÊNCIAS
A – MÉTODO DO OHMÍMETRO TIPO SÉRIE
Este método é utilizado para se obter o valor da resistência com a leitura direta no instrumento. Abaixo vemos o circuito básico de um
ohmímetro tipo série. Neste método, a tensão é mantida constante tornando-se necessária somente a leitura da corrente.
Bateria interna do
aparelho
No caso de circuito aberto (Rx ∞), não há corrente no miliamperímetro. No caso de uma resistência Rx nula, a corrente é máxima no
miliamperímetro, ficando apenas limitada pela resistência de proteção Rp e a resistência interna Rg (Ri) do miliamperímetro. A escala do
miliamperímetro pode ser diretamente graduada em ohms.
12
ELETRÔNICA BÁSICA
Ig = E/(Rp + Rg)
Calíbre máximo do miliamperímetro
A leitura na escala depende, naturalmente, da tensão da bateria. À medida que se utilizar o aparelho, ocorrerá uma redução na tensão da
bateria. Para compensar a variação de tensão da bateria, coloca-se em série com o miliamperímetro um resistor variável Ra para zerar o
aparelho quando Rx = 0. Afim de obter calibres diferentes, pode-se alterar o valor de Rp, da tensão E e dos shunts do miliamperímetro.
B – MÉTODO DO OHMÍMETRO ELETRÔNICO (ANALÓGICO)
O ohmímetro serie, visto anteriormente, mede a corrente que passa na resistência desconhecida, quando a tensão do circuito é
constante. O ohmímetro eletrônico mede a tensão aos bornes da resistência Rx com um voltímetro eletrônico de resistência interna
praticamente infinita, conforme esquema abaixo.
Ficando a resistência desconhecida, Rx em série com uma resistência Re, teremos a tensão medida pelo voltímetro eletrônico.
Voltímetro
Eletrônico
Ve
Ou seja :
V = E .Rx/(Re + Rx) Para Rx = 0  Vel = 0; para Rx = ∞  Vel = E
Assim sendo o voltímetro eletrônico pode ser calibrado diretamente em ohms, como indicado na figura abaixo. Quando se tratar de um
instrumento analógico, o mesmo possuirá ajuste de calibração de “zero” e de “∞”.
O ajuste do zero é feito no voltímetro (tensão nula), com os bornes do ohmímetro em curto. O ajuste de desvio máxmo (Rx = ∞), é feito
com o ajuste de sensibilidade do ohmímetro (bornes do ohmímetro abertos). A mudança de calibre é obtida com a modificação dos
valores de Re.
OBS. : O multímetro digital, quando utilizado como ohmímetro, NÃO possui inversão da polaridade dos seus terminais em relação à
polaridade da bateria interna!
RESISTÊNCIAS VARIÁVEIS E AJUSTÁVEIS
13
ELETRÔNICA BÁSICA
Resistências Ajustáveis : São resistências que permitem um ajuste do seu valor ôhmico. Este ajuste é geralmente realizado apenas uma
vez, para aferição inicial do aparelho no qual são utilizadas. As resistencias ajustáveis podem ser do tipo reostato ou potenciômetro.
Resistências Variáveis : São resistências que permitem, a qualquer instante, variação do seu valor ôhmico. Ex. : Ajuste do volume de um
rádio receptor, controles de tonalidades(graves, agudos, médios; etc). As resistências variáveis podem ser do tipo reostato ou
potenciômetro.
SIMBOLOS :
Resistência Variável
Resistência Ajustável
OBS. : Na prática, geralmente apenas potenciômetros são fabricados, pois, para a ligação como reostato, basta adotar uma das seguintes
ligações do potenciômetro como reostato :
Reostato sem interrupção
Reostato com interrupção
TERMINOLOGIA :
- Resistência Nominal : Rn
- Resistência Residual de Fim de Curso : Rf
- Resistência - Residual de Início de Curso : Ri
- Temperatura Nominal de Serviço
- Potência Nominal : Pn ... É o valor da potência máxima que pode ser dissipada pela
totalidade do elemento na temperatura nominal de serviço.
- Deste valor Pn, pode-se deduzir Vn e In.
- Tensão de isolamento em relação à massa.
- Ângulo total de curso(ou distância no caso de comando linear).
- Tolerância e Lei de Variação
REALIZAÇÃO :
a) Elementos bobinados : São usados para potências superiores a 2W, com valores ôhmicos compreendidos entre 10 e 50K, e lei
de variação linear. Podem ser de alta precisão.
b) Elementos de grafite e carbono : Constituídos de uma fina camada de carbono depositada num suporte de baquelite. Dissipam
pequenas potências :  1W. São fabricados com valores nominais entre 100 e 10M, em arranjos duplos, comando simultâneo
ou independente, com ou sem interruptor. São relativamente frágeis em virtude da pouca espessura da camada de carbono. Um
melhor construção é feita com :
c) Elementos de pista moldada : Constituídos de uma forma de baquelite provida de um sulco no qual é moldada uma pista de liga à
base de carbono.
14
ELETRÔNICA BÁSICA
LEI DE VARIAÇÃO :
Pista de Carbono
Cursor
Forma de Baquelite
Eixo de Comando
A variação da resistência ôhmica em função do deslocamento(linear ou circular) do cursor pode ser linear ou logarítmica. O gráfico
seguinte representa dois tipos de variações da resistência em função do deslocamento ou ângulo do cursor :
R (% de Rn)
100%
1
2
0 100% (% de deslocamento)
Curva 1 : Variação Linerar  R = a . 

Curva 2 : Variação Logarítmica  R = 10a. ou Log R = a.
Os potenciômetros logarítmicos foram feitos em consequência de um fenômeno fisiológico natural, enunciado pela Lei de Fechner-
Mouson. São usados para fazer os controles de volume em amplificadores de audio.
Caracteristicas dos principais condutores
Material Resistividade -  Condutividade - c Coeficiente de Temperatura - 

[.mm /m]2
Alumínio 0,00292 34,2 0,0039
Bronze 0,067 14,9 0,002
Cobre puro 0,0162 61,7 0,00382
Cobre duro 0,0178 56,1 0,00382
Cobre recozido 0,0172 58,1 0,00382
Constantan 0,5 2 0,00001
Estanho 0,115 8,6 0,0042
Grafite 13 0,07 0,0005
Ferro puro 0,096 10,2 0,0052
Latão 0,067 14,9 0,002
Manganina 0,48 2,08 0
15
ELETRÔNICA BÁSICA
Mercúrio 0,96 1,0044 0,00089
Nicromo 1,1 0,909 0,00013
Níquel 0,087 10,41 0,0047
Ouro 0,024 43,5 0,0034
Prata 0,00158 62,5 0,0038
Platina 0,106 9,09 0,0025
 Liga A: 12Ni + 12Cr + 76Fe. Aplicada em resistências de aquecimento a temperatura moderada e reostatos de arranque de motores.
 Liga B: 36Ni + 11Cr + 53Fe. Aplicada em resistências de aquecimento a temperatura moderada. Aquecimento doméstico. Reostatos de
motores de tração.
 Liga C: 48Ni + 22Cr + 30Fe. Aplicada na fabricação de radiadores, fornos de tratamento a altas temperaturas e em aparelhos de
medida.
 Liga D: 60Ni + 15Cr + 25Fe. Aplicações análogas às da anterior.
Liga E: 80Ni + 20Cr. Aplicável em radiadores luminosos, fornos de tratamento a altas temperaturas, aparelhos de laboratório e
resistências de medidas.
RESISTÊNCIAS NÃO LINEARES
A resistência não linear é uma resistência que não obedece à Lei de Ohm V = R.I, isto é, a sua característica V = F(I) não é linear devido
às variações da sua própria resistência R. Esta resistência pode varias em grandes proporções sob a ação de fatores físicos como :
- A temperatura do elemento ... Termistor.

- O valor da tensão aplicada ... VDR (Voltage Dependent Resistor) , Varistor.
- A polaridade da tensão aplicada ... Retificadores.
- A intensidade luminosa ... Fotoresistor, LDR(Light Dependent Resistor).
- O campo magnético ... Magneto-resitor.
- O campo elétrico ... FET ou TEC(Transistor de Efeito de Campo)
- Pressão ... Piezo-resistor.
O TERMISTOR
O termistor é uma resistência constituída de um material semicondutor, de coeficiente de temperatura negativo muito elevado. O termistor
também é designado co resistência CTN ou NTC(Negative Temperature Coeficient). Existem também as resistências de coeficiente de
temperatura altamente positivo, denominadas PTC. A variação da resistência de um termistor pode ser causada tanto pela variação da
temperatura do meio ambiente, como pela variação da temperatura devido à energia dissipada na própria resistência por efeito Joule, pela
passagem da corrente. A resistência de um termistor diminui (NTC) em média de 2% até 6% por grau centígrado de elevação da
temperatura. O material empregado para a construção de um termistor pode ser, entre outros :
- Soluções sólidas de Fe2O4 (Óxido de Ferro) com Zr2TiO4 ou MgCr2O4.

- Óxido de Ferro Fe2O4 com pequenas quantidades de óxido de Titânio TiO2.
- Misturas de óxido de Níquel NIO e de óxido de cobalto CoO cm a adição de óxido de Lítio LiO 2.
16
ELETRÔNICA BÁSICA
APRESENTAÇÃO :
O construtor também fornece o gráfico permitindo a determinação da resistência para diferentes valores de temperatura, assim como o
gráfico da tensão em função da corrente, para diversos modelos, como indicado abaixo.
CARACTERÍSTICAS :
A relação aproximada entre o valor da resistência e a temperatura de um termistor é a seguinte :
Rt = Ro x e-t
Sendo :
Rt = Resistência na temperatura t.
Ro = Resistência na temperatura de 0oC.
e = Base dos logarítmos neperianos .... 2,7182.

 = Coeficiente de temperatura (negativo).
O coeficiente  pode também ser expresso como :
T = - B/T2
Sendo B uma constante que depende do material, T a temperatura em graus Centígrados ( oC). Através de transformações matemáticas
aplicadas às duas expressões anteriores, chegamos a :
RT = A . eB/T
Sendo A e B, constantes.
Podemos também utilizar as fórmulas I e II, abaixo :
RT = RTo . eB(1/T – 1/To) (I) RT = RTo . e[(To . T . (To/T)] (II)
RTo = Resistência do termistor a uma temperatura definida.

T = Coeficiente de temperatura do termistor a uma temperatura T
O fabricante geralmente indica o valor da resistência para 25 oC, assim como o valor de , o qual, pode também ser expresso em
centésimos por grau centígrado, ou seja , %/oC..
17
ELETRÔNICA BÁSICA
O construtor também fornece o gráfico permitindo a determinação da resistência para diferentes valores de temperatura, assim como o
gráfico da tensão em função da corrente, para diversos modelos, como indicado abaixo.
Curva V = F(I) para diversos valores de R

APLICAÇÕES :
- Controle de temperatura.
- Compensação de desvios térmicos nos transistores.

- Termostatos, detecção de incêndios.
- Relés temporizados.
- Proteção de filamentos de tubos de raios catódicos.
- Regulação de tensão.
- Wattímetros de Alta frequência (RF).
A RESISTÊNCIA VDR
A resistência VDR é um elemento (semicondutor) cuja resistência varia em função da tensão aplicada. A resistência VDR é às vezes
chamada “thyrite” (marca registrada). A temperatura tem apenas um efeito secundário sobre o valor da resistência.
SIOV
O material de base das... resistências
Siemens MetallÓxid Varistor
VDR é principalmente o carbureto de silício (também chamado de carborundo), misturado com argila,
vidro, ou uma liga de cerâmica. Os grânulos de carbureto de silício têm um diâmetro da ordem 0,1mm e são cobertos com uma finíssima
película de sílica (10-3m). A resistividade desta película é bem mais elevada que a do carbureto.
Grânulos de carbureto
Película de sílica
Um grande número de grânulos, separados pela camada de sílica e pela liga, forma uma rede complexa de circuitos série e paralelos. As
teorias que justificam o comportamento deste material quando é submetido a uma diferença de potencial não estão ainda bem definidas.
a) Pode-se admitir que as camadas separadoras de sílica são quase isolantes para pequenas tensões. À medida que a tensão
aumenta, o campo elétrico produz a ruptura de um número cada vez maior destas camadas, fazendo com que o elemento inteiro
tenha a sua resistência diminuída. A ruptura das camadas isolantes não é destrutiva, e o valor inicial da resistência, quando a tensão
é desligada, volta ao inicial.
18
ELETRÔNICA BÁSICA
b) Pode-se admitir também que o elemento é constituído de uma infinidade de barreiras de potencial (junções P e N), ligadas em série e
em paralelo, formando uma mistura de circuitos complexos, cujo resultado se traduz pela não linearidade da resistência do elemento.
APRESENTAÇÃO :
As resistências VDR são montadas com formas cilíndricas ou de discos, e com as extremidades metalizadas.
CARACTERÍSTICAS :
Um aumento da tensão aplicada numa resistência VDR produz uma diminuição da sua resistência. A variação de V = F(I) tem a forma
V
S = Disco
K = Tolerância
10 = Diâmetro em mm
300 = Valor Eficaz da tensão
máxima de serviço
geral seguinte :
A relação matemática aproximada que existe entre V e I é a seguinte :

V = C.I
V : Tensão nos terminais do VDR I = Intensidade de corrente que passa pelo VDR
B e C : Constantes par um tipo de VDR. O valor de  depende da composição do material e da fabricação. Ele varia entre 0,17 e 0,25. O
valor de C depende da forma e das dimensões (varia entre 100 e 500).
SK10/300
Para evitar cálculos os fabricantes fornecem também ábacos, que permitem achar rapidamente o valor da tensão em função da corrente,
para qualquer tipo de VDR. O ábaco compreende :
- Uma escala de corrente I.
- Uma escala de tensão V.
- Uma escala de potência W.
- Uma série de retas paralelas correspondentes aos valores usuais de  (0,17 a 0,25).
19
ELETRÔNICA BÁSICA
Exemplo :
Determinar a tensão que aparece aos bornes de um VDR cujo C = 340 e = 0,21, quando atravessada por uma corrente de 1,7 mA.
- Unir o ponto I = 1A da escala de corrente com V = 340V da escala de tensão. O ábaco não tem escala de C, ois se fizermos I = 1A,
veremos que V =C.1, V = C).
20
ELETRÔNICA BÁSICA
Por conseguinte, a constante C representa a tensão que deveria existir aos bornes do VDR, quando a corrente que a atravessa for de 1A.
- A reta que passa por estes dois pontos é prolongada até o ponto P na linha correspondente ao  = 0,21 (no nosso
exemplo). O ponto P , assim obtido, é particular ao tipo de VDR considerado. Deste ponto P saem todas as retas que
correspondem ao funcionamento particular desta resistência VDR. No nosso caso, a corrente é de 1,7mA.
- A partir deste valor (1,7mA = 0,0017A), traçamos a reta passando por P. A sua interseção com a escala das tensões
fornece o valor da tensão aos bornes : 90V no nosso caso. A sua interseção com a escala das potências fornece o valor da
potência dissipada: 0,16W.
APLICAÇÃO DAS RESISTÊNCIAS VDR :
Elas são usadas nas montagens estabilizadoras de tensão e nos circuitos de referência. São usadas também para compensar a não
linearidade de certas formas de onda (dente de serra) nos circuitos de varredura de televisão. São também usadas para dilatar ou
comprimir escalas de voltímetro, aumentar a sensibilidade de relés eletromagnéticos e para proteção dos contatos frágeis de relés de
proteção. Finalmente, são também utilizados em larga escala para a proteção contra sustos de tensão nas bobinas de tensão de
Wattímetros, Voltímetros, secundários de TP s (transformadores de potencial), Linhas telefônicas, modems; etc.
Os fabricantes fornecem também o gráfico de V = F(I), como indicado abaixo, para vários valores de C.
TECNOLOGIA DE CAPACITORES
CAPACITOR DE PAPEL IMPREGNADO :
O capacitor de papel é feito com duas folhas de alumínio separadas com papel impregnado em óleo e cera. As folhas são enroladas e
colocadas em um tubo de papelão, vidro, envoltório de cerâmica ou uma caixa metálica.
CARACTERÍSTICAS :
- Precisão : 20% - Tensões de serviço : 250V a 3000V

21
ELETRÔNICA BÁSICA
- Constante dielétrica : 3,5    4,5 - Temperatura de serviço : 1000C
- Fator de perda (tg ) : 30 . 10-4    60.10-4 - Resistência de isolamento : 10.000M/F
UTILIZAÇÃO :
- Para freqüências  1MHz - Filtros

- Ligações em BF (Baixa Freqüência) - Compensação do Fator de Potência
CAPACITORES DE PAPEL METALIZADO :
É uma lâmina de poliester ( espessura total  10m) ou policarbono metalizado sobre a qual fica vaporizada a vácuo uma fina camada de
alumínio (ou zinco) de 0,8m (no vácuo a 10000C).
CARACTERÍSTICAS :
- Em caso de curto, o isolamento constitui-se novamente (auto - regenerativo).

- Constante dielétrica () e Fator de Perdas (tg ) iguais ao do papel normal.
- Resistência de isolamento = 50M/F
UTILIZAÇÃO :
- Para freqüências mais altas, até 100MHz

- Para circuitos miniaturizados (tamanho bem menor)
CAPACITORES DE MICA :
É uma lâmina de mica prateada de cada lado, colocada em um envoltório de baquelite ou parafina.
CARACTERÍSTICAS :
Mais caro
Precisão elevada
Constante dielétrica 6,5    7
Fator de perda (tg ) = 5.10-4
UTILIZAÇÃO :
- Freqüências elevadas (até 10.000MHz)

OBS. : A mica pode ser substituída pelo vidro.
CAPACITOR DE FILME PLÁSTICO (Poliester) :
É constituído por uma folha de plástico (Poliester, mylar, policarbonato, teflon) de 6 a 10m de espessura, enrolada com folhas de
alumínio. Não regenerativo.
OBS. : Podem ser fabricados pelo processo de metalização.
CARACTERÍSTICAS :
- Constante dielétrica : 2    6
22
ELETRÔNICA BÁSICA
- Fator de perda (tg ) = 1.10-4  tg  4.10-4
- Boa presisão
- Resistência de isolamento : muito alta
CAPACITORES CERÂMICOS :
A cerâmica é uma mistura de silicatos de magnésio (ou alumínio) com titânio, bário, cálcio, conforme a constante dielétrica desejada. Esta
pasta colocada no forno será moldada com pressão e prateada de cada lado, sob a forma de discos ou bastão.
CARACTERÍSTICAS :
GRUPO 1 :
- Constante dielétrica 3    220
- Bastante estáveis com relação à temperatura. Suporta tensões e temperaturas elevadas
GRUPO 2 :
- Constante dielétrica 220    15000
- Fator de perda ( tg ) 100.10-4
Instável em relação à tensão e temperatura.
UTILIZAÇÃO : Ligações em circuitos de Áudio e Radio Freqüência (RF) em acoplamento, desacoplamento; etc.
CÓDIGO DE CORES PARACAPACITORES DE POLIESTER METALIZADO (Miniwatt – IBRAPE)
O valor do capacitor,"B", é de 3300 pF (picofarad

= 10-12 F) ou 3,3 nF (nanofarad = 10-9 F) ou 0,033
µF (microfarad = 10-6 F). No capacitor "A",
devemos acrescentar mais 4 zeros após os dois
primeiros algarismos. O valor do capacitor, que se
lê 104, é de 100000 pF ou 100 nF ou 0,1µ F.
Alguns capacitores apresentam uma codificação que é um tanto estranha, mesmo para os técnicos experientes, e muito difícil de
compreender para o técnico novato. Observemos o exemplo abaixo:
Capacitores usando letras em seus valores : Note nos capacitores seguintes, o aparecimento de uma letra maiúscula ao lado dos
números. Esta letra refere-se a tolerância do capacitor, ou seja, o quanto que o capacitor pode variar de seu valor em uma
temperatura padrão de 25° C. A letra "J" significa que este capacitor pode variar até ±5% de seu valor, a letra "K" = ±10% ou "M" = ±20%.
Segue na tabela abaixo, os códigos de tolerâncias de capacitância.
O desenho ao lado, mostra capacitores que tem os seus valores,

23
impressos em nanofarad (nF) = 10 F. Quando aparece no -9
capacitor uma letra

Prof. Armando Célio Leal – email: armando.celiohotmail.com.br "n" minúscula,
– Sete como um
Lagoas – Minas dos tipos
Gerais
apresentados ao lado por exemplo: 3n3, significa que este
capacitor é de 3,3nF.
ELETRÔNICA BÁSICA
Agora, um pouco sobre coeficiente de temperatura "TC", que define a variação da capacitância dentro de uma determinada faixa de
temperatura. O "TC" é normalmente expresso em % ou ppm/°C ( partes por milhão / °C ). É usado uma seqüência de letras ou letras e
números para representar os coeficientes. Observe o desenho abaixo.
Os capacitores ao lado são de coeficiente de temperatura linear e definido, com alta estabilidade de capacitância e perdas mínimas,
sendo recomendados para aplicação em circuitos ressonantes, filtros, compensação de temperatura e acoplamento e filtragem em
circuitos de RF. Na tabela abaixo estão mais alguns coeficientes de temperatura e as tolerâncias que são muito utilizadas por diversos
fabricantes de capacitores.
Outra forma de representar coeficientes de temperatura é mostrado abaixo. É usada em capacitores que se caracterizam pela alta
capacitância por unidade de volume (dimensões reduzidas) devido a alta constante dielétrica sendo recomendados para aplicação em
desacoplamentos, acoplamentos e supressão de interferências em baixas tensões.
Os coeficientes são também representados com seqüências de

letras e números como por exemplo: X7R, Y5F e Z5U. Para um
capacitor Z5U, a faixa de operação é de +10°C que significa
"Temperatura Mínima" e +85°C que significa "Temperatura Máxima"
e uma variação de "Máxima de capacitância", dentro desses limites
de temperatura, que não ultrapassa -56%, +22%.
OBS. : Os capacitores denominados STYROFLEX utilizam o dielétrico de poliestireno e placas de folhas de alumínio. São próprios para
circuito que exigem baixas perdas.
24
ELETRÔNICA BÁSICA
CAPACITORES COM DIELÉTRICO DE CERÂMICA MULTICAMADA
Capacitores de Poliéster Metalizado usando código de cores ... RESUMNO :
25
ELETRÔNICA BÁSICA
A capacitância muitas vezes é indicada por dois números e uma letra (n ou p); eis alguns exemplos : 4p7; 56p; 33n; 1n0; 22n; etc. As letra
n e p ocupam o lugar da vírgula decimal. No caso da letra n, a capacitância é expressa en nanofarads; já no caso da letra p, ela é
expressa em picofaradas.
CIRCUITOS RC
Os conjuntos de resistências e capacitores associados em série, seja em paralelo, ou ainda em circuitos combinando os dois, são
encontrados em todos os circuitos eletrônicos. Vejamos os princípios de seus comportamentos.
a) Carga de um capacitor através de uma resistência :
Desejamos conhecer a lei de variação da carga Q do capacitor em função do tempo t e da resistência R, ao fecharmos S. Ver circuito
abaixo :
i(t) R
E C
O tempo de carga será tanto maior quanto mais elevado for o valor de R e/ou C. Os cálculos matemáticos mostram que :
q(t) = Q x (1 – e-t/RC), ou q(t) = CE x (1 – e-t/RC)
e = 2,7182
q(t)=0,632 x Q E em Volts
C em Farads
R em ohms
t em segundos
Q em Coulombs
A curva acima é a representação gráfica da fórmula. No instante t = , temos que :
q = 0,632 x Q = 0,632 x CE
=RxC
Analogamente teremos: Vc = E(1 – e – t/R x C), cuja curva é mostrada abaixo:
Vc(t) = 0,632 x E/R
O tempo  representa o tempo para que a tensão aos bornes do capacitor atinja o valor :
26
ELETRÔNICA BÁSICA
Vc = 0,632 x E .
.. sendo E o valor da tensão da fonte. Ou o tempo necessário para que a intensidade de corrente atinja o valor de :
i = 0,368 x E/R = 0,368 . IO ... como indicado na curva abaixo.
... sendo IO o valor inicial da corrente de carga do capacitor, dada por E/R. Por outro lado, o comportamento da tensão aos bornes do
capacitor é dada por :
Vc = E x (1 – e-t/RC)
.... O valor 0,632 é obtido fazendo t =  = RC nas expressões matemáticas de Vc e q. Assim, após um tempo igual a :
t =  = RxC  A tensão Vc no capacitor, bem como a sua carga q, valem 2/3 do valor máximo.
t = 5 x  = 5 x RC  Vc = V e q = Q, com aproximação de 1/1000.
t = 7 x  = 7 x RC  Vc = V e q = Q, com aproximação de 1/10000.
Comportamento da corrente de carga do capacitor :
A intensidade da corrente de carga representa a todo instante a taxa de variação da carga q em função do tempo, ou seja :
i = dq/dt .. através de cálculo matemático chegamos a : i(t) = (E/R) x e – t/R x C ... A curva correspondente é uma
exponencial decrescente :
i(t) = 0,368 x E/R
Variação da tensão VR aos bornes da resistência. Para todo instante a Lei de Ohm nos dá :
A queda de tensão é máxima no instante t = 0 e vale R x I = V, tensão da fonte. Após, ela diminui exponencialmente. Temos também que
VR + VC = V. Veja gráfico abaixo :
VC
VR = R x i = R x e- t/RC
E = 10V
VR
Podemos verificar que a soma das ordenadas das curvas V R e VC é constante e igual a todo instante, à tensão da fonte.
27
VR = E x e - t/RC
ELETRÔNICA BÁSICA
Descarga de um capacitor através de uma resistência
O capacitor foi inicialmente carregado com uma quantidade de eletricidade Q e é ligado no instante t 0 a uma resistência R, por meio de
uma chave S. Ao fechar o interruptor, a tensão do capacitor V C = Q/C, é aplicada à resisistência R. Em seguida a tensão diminui porque o
capacitor perde a sua carga através da resistência. A lei da diminuição da carga do capacitor é : q = Q x e –t/RC ... e para então :
Vc = E x e – t/RC conforme indicado na figura abaixo :
q = 0,368 x Q
T=RxC=
Lei de variação da corrente i :
A corrente i pode ser calculada a partir da Lei de Ohm aplicada à resistência R :  i = VR/R
Sabemos que a tensão na resistência é numericamente igual, a todo instante, à tensão do condensador. Porém, notamos que a queda de
tensão VR durante a descarga, é de polaridade cpntrária à queda V R durante a carga. Convém, então, colocar o sinal
negativo para VR.
Vc
v(t)
VR
28
ELETRÔNICA BÁSICA
A corrente i é máxima, no instante t 0 e vale I = VC/R. Ela diminui seguindo uma variação exponencial e tem sinal negativo, pois circula em
sentido contrário ao sentido de carga.
t
i =0,682 x V/R
i(t)
T=RxC=
CIRCUITO RC DERIVADOR
Apliquemos um sinal retangular na entrada do seguinte circuito RC e observemos a forma de Vs, par adiferentes frequências do sinal
retangular de entrada, ou para diferentes valores de RxC :
A figura abaixo mostra a forma da tensão de saída V S quando o mesmo opera como CIRCUITO DERIVADOR. Para o funcionamento
como derivador deve-se ter :
R x C =    ... sendo  igual a T/2
Para Ve senoidal, teremos Vs defasada de 900 em avanço em relação a Ve, como indicado abaixo :
A tensão de saída é proporcional à corrente de carga e descarga do capacitor. Vemos que :
Vs
29
ELETRÔNICA BÁSICA
a) Para R x C , Vs = VR é aproximadamente igual a Ve.
b) Para R x C  , a tensão de saída é composta de um a série de curvas exponenciais, relativamente acentuadas.
c) Para R x C (10 caso visto), a tensão de saída é composta de uma série de pulsos breves, positivos e negativos. Cada um destes
pulsos representa as cargas e descargas sucessivas do capacitor. Este circuito, que transforma uma onda retangular em impulsos, tem
grande aplicação na eletrônica. Recebendo, pois, o nome de a derivador ou diferenciador, o que está coerente com a expressão
matemática de Vs. O valor da corrente no circuito é praticamente definida pelo valor do capacitor e vale. Para um circuito contendo um
capacitor, podemos considerar :
Q = C x V  dq = C x dV .... i = dq/dt  dq = i x dt e portanto, teremos : C x dV = i x dt  iC = C x dV/dt... Como a

tensão de saída é proporcional a Rxi, teremos :
Vs = R x C x dV/dt .... de onde provem o nome Derivador ou
Diferenciador, para o circuito.
Se neste circuito, operando como derivador, aplicarmos uma tensão Ve :
a) Constante  Não haverá nenhuma tensão na saída.
b) Variável  Haverá uma tensão na saída somente durante as variações de Ve, e com mesmo sinal destas variações.
c) Senoidal  Haverá na saída uma tensão cosenoidal, isto é, um sinal senoidal defasado de 90 0 ara a frente de Ve.
CIRCUITO INTEGRADOR
Apliquemos um sinal retangular na entrada do circuito abaixo :
30
ELETRÔNICA BÁSICA
Observemos as formas de onda daa tensão de saída Vs, para diferentes valores de frequência da tensão de entrada, ou para diferentes
valores de RxC. A tensão de saída é proporcional à carga q do capacitor. Visto que :
Q = C x Ve(t)  dq = C x dVe(t) ... por outro lado  i = dq/dt  dq = i xdt ... e assim, temos :
C x dVe(t) = i x dt  dVe(t) = i x dt/C e teremos para Vs:
Assim teremos :
a) Para R x C  , as cargas e descargas se realizam rapidamente e Vs é praticamente igual a Ve :
b) Para R x C  , as cargas e descargas são incompletas e Vs é composta de curvas exponenciais crescentes e decrescentes:
c) Para R x C , A cargas e descargas são apenas iniciadas, o que produz arcos de exponenciais confundíveis com segmentos de retas.
Por isso, a tensão de saída tem a forma aproximada de um sinal triangular. Um circuito funcionando desta forma recebe o nome de
integrador, o que está coerente com a expressão matemática de Vs .
31
ELETRÔNICA BÁSICA
Se neste circuito, operando como integrador, a tensão de entrada Ve, for :
a) Constante  A tensão de saída aumentará constantemente e com o mesmo sinal de Ve.

b) Variável  A tensão de saída ficará constante durante as variações de Ve. Somente teremos na saída o valor médio de Ve.
c) Senoidal  A tensão de saída derá proporcional a [- x cost], isto é, senoidal com defasamento de 900 para trás de Ve.
APLICAÇÕES - FILTROS RC
Filtros Passivos :
Genericamente , filtros são circuito que deixam passar só sinais de determinadas freqüências, atenuando outras. Podemos ter os
seguintes tipos de filtros:
a) Filtros Passa Altas (FPA ) b) Filtros Passa Baixas (FPB) c) Filtro Passa Faixa ( FPF) d) Filtro Rejeita Faixa ( FRF)
Se considerarmos o filtro ideal as curvas de respostas em freqüência serão as seguintes:
a) ganho b)
ganho
FPA FPB
fC fC
c) d) f
ganho CS
ganho
FPF
FCF
fCi fCS
fCi fCS
Fig. 1 - Tipos de Filtros - Curvas de resposta em freqüência - FPA ( a ) - FPB ( b ) - FPF ( c ) - FRF ( d )
FILTRO PASSA ALTAS :
Ve Vs
Para este circuito a expressão do ganho em função da freqüência é dada por :
32
ELETRÔNICA BÁSICA
VS 1
Ganho= =
√
Ve fC
1+( )2
f IMPORTANTE !!!
1
f C=
onde 2.π .R.C é a freqüência de corte inferior do filtro
Normalmente o ganho é expresso em decibéis ( dB ) :
1
Ganho ( dB)=20 . log
√ 1+(
fC 2
f
)
( dB ) IMPORTANTE !!!
A fase do ganho também varia em função da freqüência sendo dada por:

VS fC
fase de =arctg( )
Ve f
IMPORTANTE !!!
Para termos uma idéia destes gráficos vamos imaginar a freqüência variando de zero até valores muito altos , e observando o
comportamento do ganho e da fase.
COMPORTAMENTO DO GANHO EM FUNÇÃO DA FREQUÊNCIA
a) Se f = 0 ( ou tende para zero ) então a relação f C / f tende para infinito logo na expressão acima o Ganho tende para zero.
b) Se f = 0,1.fC  substituindo na expressão acima resulta em dB :
Ganho = -20dB
1 1
Ganho= ≃ =0 , 01
c) Se f = 0,01.fC  √1001 100 em dB Ganho= -40dB
1
Ganho= =0 ,707
d) Se f = fC  √2 em dB Ganho = - 3dB
Obs: muitas vezes a freqüência de corte é chamada de freqüência de meia potência
1
Ganho= ≃1
e) Se f = 10.fC  √1+0 , 01 em dB Ganho = 0 Db
Curva de Resposta em Freqüência :
20.logVs/Ve fC/100 fC/10 fC
- 3dB
Curva real
- 20dB Aproximação por segmentos de retas
Fig 3: Curva de resposta em freqüência do ganho de um filtro

passa alto
- 40dB
33
ELETRÔNICA BÁSICA
Comportamento da fase em função da freqüência :
VS fC
fase de =arctg( )
Ve f
fase
90º
45º
0º f
FC
Fig 4: Curva de resposta da defasagem de um filtro passa altas
Qual exatamente o significado do gráfico da Fig 4 ? Para freqüências muito acima da freqüência de corte não existe defasagem entre
entrada e saída. Exatamente na freqüência de corte a defasagem é 45º, sendo que a tensão de saída está adiantada em relação à
entrada. Para freqüências muito abaixo da freqüência de corte esta defasagem é 90º.
FILTRO PASSA BAIXAS :
O circuito é semelhante ao anterior , onde R e C trocam de posição, como indicado na figura abaixo :
Fig 5: Filtro Passa Baixas (FPB)

Para este circuito a expressão do ganho em função da freqüência é dada por :
VS 1
Ganho= =
√
Ve f 2
1+( )
fC onde :
1
f C=
2.π .R.C é a freqüência de corte superior do filtro.
Normalmente o ganho é expresso em decibéis ( dB ) :
1
Ganho ( dB)=20 . log
fC √
f 2
) 1+(
( dB )
A fase do ganho também varia em função da freqüência sendo dada por:
VS f
fase de =−arctg( )
Ve fC
34
ELETRÔNICA BÁSICA
Para termos uma idéia destes gráficos vamos imaginar a freqüência variando de zero até valores muito altos , e observando o
comportamento do ganho e da fase. Comportamento do ganho em função da freqüência :
a) Se f = 0 ( ou tende para zero ) então a relação f / f C tende para zero logo na expressão acima o Ganho tende para 1.
1 1
Ganho= ≃ =0,1
b) Se f = 10.fC  substituindo na expressão acima resulta √101 10 em dB
Ganho = -20dB
1 1
Ganho= ≃ =0 , 01
c) Se f = 100.fC  √1001 100 em dB Ganho= -40dB
1
Ganho= =0 ,707
d) Se f = fC  √2 em dB anho = -3dB
1
Ganho= ≃1
e) Se por f = 0,1.fC então √ 1+0 , 01 em dB Ganho = 0 dB
Curva de Resposta em freqüência
0dB fCS 10.fC 100fCS

S
-3dB
-20dB
-40dB
Curva real
Fig 6: Curva de resposta em freqüência Aproximação por trechos de retas
O comportamento da fase entre Ve e Vs em função da freqüência é dado por :
ou graficamente:
Fig 7: Curva de resposta da defasagem de um filtro passa baixas (FPB)
35
ELETRÔNICA BÁSICA
Vemos, pela Fig. 7, que para freqüências muito acima da freqüência de corte a defasagem entre entrada e saída é -90º, isto é, a saída
estará 90º atrasada em relação à entrada. Exatamente na freqüência de corte a defasagem é -45º. Para freqüências muito abaixo da
freqüência de corte esta defasagem é 0º. Considermos que um sinal é obtido somando-se uma senóide de freqüência 2KHz , 1V P, a uma
senóide de 200Hz, 10VP. e que desejamos obter somente o sinal de baixa freqüência novamente . Deveremos passar o sinal soma por
um filtro passa baixas com freqüência de corte menor do que 2KHz mas maior do que 200Hz, como indicado na Fig 8.
2KHz
Somador
200Hz FPB
Analógico
Fig 8: Separação ( filtragem ) de dois sinais senoidais de freqüências diferentes.
Exemplos práticos de realização de filtros RC

a) Passa - Alto :
FC = 1/2R1C1
Ve Vs
b) Passa – Baixo :
FC = 1/2R1C1
Ve Vs
c) Filtro Corta – Faixa :
Ve Vs
d) Filtro Passa – Faixa :
F1 = 1/2R1C1
F2 = 1/2R2C2 Vs
Ve
36
ELETRÔNICA BÁSICA
Eletrônica Básica - Semicondutor Intrínseco
1.1- Introdução
Como sabemos os materiais usados em eletrônica se classificam em condutores (cobre , alumínio, ferro, ouro, prata, etc) e isolantes
(madeira, borracha, ar, vidro, etc), mas existe um outro tipo de material chamado de semicondutor (pois tem resistividade intermediaria
entre condutor e isolante) que também são largamente usados em eletrônica principalmente depois dos anos 50.
Estes materiais ao contrario dos condutores tem a sua resistividade alterada quando é fornecida algum tipo de radiação (térmica
e luminosa principalmente). Devido às suas características esses materiais são usados construção de diodos, transistores, sensores,
circuitos integrados e numa vasta gama de componentes eletrônicos.
1.2 - Semicondutor Intrínseco

Que materiais são esses ? Quais as suas principais características ?
Os primeiros semicondutores usados foram o Germânio (Ge) e o Silício (Si ), mas outros semicondutores já estão sendo utilizados
atualmente, como Arsenieto de Gálio (AsGa) e outros. Daremos ênfase ao estudo considerando os dois primeiros.
Para entendermos as características de um semicondutor deveremos fazer uma analise do ponto de vista atômico. A fig 01a mostra a
estrutura de um átomo de Si, no qual podemos verificar que o mesmo tem 4 elétrons na camada de valencia ( ultima camada ). Como é
essa ultima camada que determinará as propriedades do Si, a partir de agora a só consideraremos o núcleo , positivo e os quatro
elétrons da camada de Valencia, fig 01b
(a) (b)
Fig 01: Estrutura simplificada do átomo de Si
É importante observar que o átomo é neutro, pois o numero de elétrons é igual ao numero de prótons. O Si é um cristal, isto é, o arranjo
geométrico dos átomos é feito de forma regular e ordenada em todas as direções.
No caso esse arranjo é chamada de cúbico, no qual cada átomo se liga com quatro átomos vizinhos através de ligações chamadas de
covalentes. A fig 02 mostra este tipo dearranjo.
37
ELETRÔNICA BÁSICA
Fig 02: Estrutura cristalina do Si a 0ºK ( -273ºC) - O material se comporta como isolante
Em temperaturas próximas do zero absoluto (-273ºC ) o Si se comporta como um isolante porque não existem elétrons livres disponíveis
para a condução, mas à medida que a temperatura aumenta a energia que é fornecida aos elétrons da ultima camada ( camada de
valência ) é suficiente para " quebrar" a ligação covalente fazendo com que os mesmos se tornem livres.
O extraordinário desse fenômeno é que , além do elétron que foi liberado, a ausência desse elétron na ligação covalente pode se
comportar como carga elétrica , e chamada de lacuna ou buraco . A fig 03 mostra a mesma estrutura da fig 02 considerando que algumas
ligações covalentes foram rompidas.A quantidade de energia necessária para quebrar uma ligação depende do semicondutor, no caso do
Ge é 0,72eV e para o Si 1,1eV, à temperatura ambiente.

Fig 03: Estrutura do Si a uma temperatura acima de 0ºK ( acima de - 273ºC ) - Geração de pares elétron-lacuna
Se agora for aplicado um campo elétrico (tensão elétrica) ao cristal uma corrente elétrica aparecerá. O mecanismo de condução devido
aos elétrons livres já é conhecido, expliquemos como é o mecanismo de condução devido a uma lacuna. A fig 04a mostra o cristal de Si
38
ELETRÔNICA BÁSICA
sendo submetido a um campo elétrico. Os elétrons livres se deslocarão contra o campo elétrico, enquanto as lacunas se deslocarão no
mesmo sentido do campo. Mas como isso acontece? Na mesma fig4a, num instante t 1.

Instante t1 :
Fig04a: Cristal de Si submetido a um campo elétrico ( tensão elétrica ) num instante t1.
Num instante t2 um elétron de valência , caso tenha energia suficiente (quem está fornecendo essa energia é a fonte externa ) poderá
ocupar a lacuna , mas ao fazer isso deixa uma lacuna, e assim sucessivamente.
As fig 04b e fig 04c mostram essa seqüência. Então tudo se passa com se uma carga positiva estivesse se deslocando para a direita do
cristal, na realidade são elétrons de valência que se deslocam no sentido contrário. Observar que esses elétrons de valência se
transformam em elétrons livres quando entram no metal (não esqueça o semicondutor está ligado à bateria através de fios de
cobre!!! ).

Instante t2 :
Fig04b: Cristal de Si submetido a um campo elétrico ( tensão elétrica ) num instante t2
Instante t3 :
39
ELETRÔNICA BÁSICA
FIG 04C. Cristal de Si submetido a um campo elétrico(tensão elétrica) num instante t3
A corrente total no cristal será a soma do fluxo de elétrons com o fluxo de lacunas : I T = Ie + I+.
No caso de um semicondutor intrínseco (puro) o numero de elétrons por unidade de volume (n) é igual ao numero de lacunas por unidade
de volume; isto é, (p): n = p =ni, ni é a concentração intrínseca do semicondutor.
O DIODO DE JUNÇÃO
Um diodo é um dispositivo que deixa a corrente passar somente num único sentido quando adequadamente polarizado(polarização
direta), bloqueando a corrente quando a polaridade da tensão inverter (polarização reversa). Obs: Não iremos detalhar a parte física do
diodo, visto que a mesma pode ser encontrada na bibliografia que adotaremos. A Fig. 01a mostra o diodo em polarização direta e a Fig.
01b com polarização reversa.
A = ANODO k = CATODO
Fig 01a - Diodo polarizado diretamente Fig 01b - Diodo polarizado reversamente
Para o diodo conduzir , mesmo deverá em polarização direta, receber entre anodo e catodo uma tensão ordem de 0,6V a 0,8V( em média
igual a 0,7V). Com polarização reversa a corrente no diodo será muito baixa ( da ordem de nA para diodos de Si ). Esta corrente reversa
também chamada de corrente de fuga só depende de aspectos construtivos (dopagem) e da temperatura(dobra de valor para cada 10
graus de aumento na temperatura ). Quando polarizado reversamente toda a tensão da fonte estará entre os terminais do diodo, que
deverá ter capacidade para suportar essa tensão reversa, caso contrário pode ocorrer um fenômeno chamado de avalanche o que pode
levar à destruição do diodo.
CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO
40
ELETRÔNICA BÁSICA
Parâmetros limites geralmente especificados :

I0 = IDC = IF(AV) = Intensidade de Corrente Média – Valor Médio ou Valor Contínuo.
IF(RMS) = Intensidade de Corrente Direta Eficaz – “Root Mean Square”.
IFSM = Intensidade de Corrente Direta de Surto Máxima.
IFRM = Intensidade de Corrente Direta Repetitiva Máxima.
Vo = VDC = Tensão Média = Tensão Contínua.
VRRM = Tensão Reversa Repetitiva Máxima.
Retificador Monofásico de de Meia Onda Sem Filtro
41
ELETRÔNICA BÁSICA
Existem muitas aplicações para um diodo aqui nos limitaremos às principais entre elas o uso do diodo como retificador.
Um retificador é a base para a construção de qualquer fonte de alimentação. A Fig02 mostra o retificador de meia onda.
Fig. 02
Sendo V o valor eficaz da tensão do secundário, teremos :
Io = IDC = IFAV = IM/ Vo = VDC = VM/ IDM =  x Io = 4,14 x Io -VDM = 2 x V IF = IM/2 = Io/2 = 1,57 x Io
Fz = FL Tond% = 121% ID = Io FP = 0,707
Na Fig. 02, a forma de onda da parte de cima é a tensão de entrada ( senoidal ) e a de baixo a tensão retificada. Observe que o diodo só
conduz quando a tensão de entrada é positiva ( semiciclo positivo ), pois nessas condições o diodo estará polarizado diretamente. Para a
forma de onda da saída interessa saber o seu valor médio ( valor contínuo ). Se o valor de pico da senóidede entrada é Vp, o valor médio
da tensão na carga será dado por: Vdc = Vp/
Retificador Monofásico de Meia Onda com Filtro Capacitivo
A colocação de um capacitor em paralelo com a carga melhora o desempenho do circuito através da diminuição do ripple e do aumento
na tensão contínua ( para um mesmo valor de tensão alternada ).A Fig01a mostra o circuito e a Fig01b a forma de onda na carga(RL).
Fig. 03
Retificador Monofásico de Onda Completa com center tap
No circuito da Fig04 , no semiciclo positivo conduz o diodo D1 e D2 está aberto. No semiciclo negativo conduz D2 e D1 corta. A tensão
média na saídam sem carga, é dada por :
42
ELETRÔNICA BÁSICA
A tensão de pico inversa máxima que estará submetido cada diodo vale 2V M (V M é o valor de pico da tensão em cada metade do
secundário). Dimensionamento do diodo : PIV > 2.V M IO > IDC /2 (IDC é a corrente média na carga), sendo PIV = máxima tensão de pico
inverso que pode suportar Io = máxima corrente média que o diodo suporta.
D1
D2
Fig. 04
Sendo V, o valor eficaz da tensão entre os extemos do secundário, teremos :
Io = 2 x IM/ = 0,63 x IM Vo = 2 x VM/ = 2 x V/ = 0,45 x V IDM =  x Io/2 = 1,57 x Io -VDM = 2 x V

IF1 = 0,79 x Io = IF2 = 1,11 x IoFZ = 2 x FL To% = 48,3% ID = Io/2 FP = 1
Retificador Monofásico de Onda Completa com Center Tap com Filtro
Fig. 05
43
ELETRÔNICA BÁSICA
Retificador de Onda Completa em Ponte sem Filtro
Fig. 06
Sendo V, o valor eficaz da tensão entre os extemos do secundário, teremos :
Io = 2 x IM/ = 0,63 x IM Vo = 2 x VM/ = 2 x V/ = 0,45 x V IDM =  x Io/2 = 1,57 x Io -VDM = 2 x V

IF1 = 0,79 x Io = IF2 = 1,11 x IoFZ = 2 x FL To% = 48,3% ID = Io/2 FP = 1
Uma ponte retificadora consiste de 4 diodos ligados como na Fig 01a. No semiciclo positivo conduzem os diodos D1 e D3, Fig01b. No
semiciclo negativo conduzem D2 e D4, Fig01c.
A forma de onda na carga é a mesma do retificador com “center tap“. A principal vantagem deste retificador é que não necessita de
transformador e a tensão inversa de pico( PIV) em cada diodo é igual à tensão de pico da tensão alternada que alimenta o retificador.
Dimensionamento do diodo : PIV > VM IO > IDC / 2 (IDC é a corrente média na carga)
Retificador Monofásico de Onda Completa em Ponte com Filtro
Fig. 07
RETIFICADOR TRIFÁSICO DE MEIA ONDA

44
ELETRÔNICA BÁSICA
Sendo V, a tensão eficaz entre fases (Tensão composta – Tensão de Linha), teremos :
Io = 3 x 3 x IM/2 = 0,827 x IM Vo = 3 x 3 x VM/2 x 3 = 3VM/2 = 0,675 x VM IDM = 1,21 x Io VDM = VM = 2 x V
IF1 = IF2 = IF3 = 0,59 x Io IF4 = 1,02 x Io FZ = 3 x FL Tond% = 18,3% ID = Io/3
RETIFICADOR TRIFÁSICO DE ONDA COMPLETA - ( PONTE GRAETZ)
Sendo V, a tensão eficaz entre fases (Tensão composta – Tensão de Linha), teremos :
Io = 0,995 x IM Vo = 0,995 x VM = 1,347 x V IDM = 1,05 x Io VDM = 1,05 x Vo = 2 x V = VM

IF1 = 0,851 x Io IF2 = 0,59 x Io IF3 = Io FZ = 6 x FL Tond% = 4,2% ID = Io/3
ROTEIRO PARA PROJETO DE FONTES DE ALIMENTAÇÃO

1) Dados do projeto :
Vo = ? Io = ? Tond% = ? ( A serem estabelecidos pelo projetista)
45 Vo
ELETRÔNICA BÁSICA
2) RL = Vo/Io ( Valor mínimo da resistência de carga) Vp
3) V(RMS)AC = (Tond% x Vo)/100
4) V = 2 x √ 3x V(rms)ac [ Valor de pico a pico da ondulação(ripple)]
5) Vp = Vo + V/2 [ Valor de pico da tensão de ondulação]
6) V = (Vp + KxVd)/√ 2 ( V = Tensão eficaz do secundário do transformador)

Se o transformador for com tap central, este valor de V se refere ao valor de cada metade do enrolamento
secundário).
K = 1 para ½ onda, bem como para onda completa com transformador com Tap central(ou derivação central).
K – 2 para onda completa em ponte.
7) CF = V x √ 2 x 106)/(2xnxFrxVx RL) Sendo Vc > 2 x V x √ 2 (para ½ onda)

Sendo Vc > V x √ 2 (para onda completa)
Fr = Frequência da rede Vc = Tensão nominal do capacitor
n = 1 para ½ onda e n = 2 para onda completa
8) sen  = Vo/Vx√ 2   = ...........
9) Fu = (1800 – 2 x )/3600 Fu = Fator de utilização.
10) IF(rms) = ( x Io)/(2 x √ 2 x √ Fu)  Para 1/2 onda. IFRM = ( x Io)x2Fu .... (para ½ onda)
IF(rms) = ( x Io)/(4 x √ 2 x √ Fu)  Para onda completa com tap central. IFRM = ( x Io)/4xFu .... (para onda completa)
IF(rms) = ( x Io)/(4 x √ Fu)  Para onda completa em ponte.
IF(rms) = Corrente eficaz no secundário do transformador
CIRCUITOS DOBRADORES DE TENSÃO
a) Dobrador de Latoor :
Vs = Tensão RMS do Secundário

Vp= Tensão de Pico do Secundário
VAM= +Vs x √ 2 = Vp
VBM = - Vs x √ 2 = Vp
VAB = 2 x Vp
b) Dobrador de Schenkel :
Vs = Tensão RMS do Secundário

Vp = Tensão de Pico do Secunsário
VAM = 2 x Vs x  2 = 2 x Vp
c) Gerador de HVDC – High Voltage DC
46
ELETRÔNICA BÁSICA
Vs = Tensão RMS do Secundário Vp = Vs x √ 2
VAM1 = VpVBM1 = 3 x Vp VCM1 = 5 x Vp
VDM2 = 2 x Vp VEM2 = 4 x Vp VFM2 = 6 x Vp
O DIODO ZENER
O diodo ZENER é um diodo que tem o seu funcionamento baseado no EFEITO ZENER. O EFEITO ZENER é a liberação de elétrons que
fazem ligação entre átomos, por ação de um campo elétrico. O diodo Zener possui uma dopagem mais intensa que um diodo de junção
convencional.
A principal característica do diodo Zener é que, para tensões de polarização reversa nos seus terminais, tensões estas com valores bem
definidos, obtem-se o Efeito Zener. Assim sendo, estabelece-se um corrente cujo valor dependerá da tensão da fonte aplicada bem como
da resistência externa. Quando em condução o diodo Zener apresenta uma resistência interna de valor extremamente pequeno, inclusive,
muito menor que a de um diodo de junção convencional polarizado diretamente.. O coeficiente de variação da tensão Vz com a
temperatura, Vz/T, será função :
a) Da intensidade da corrente através do diodo. b) Do gradiente de temperatura em que o diodo se encontra.
Este coeficiente poderá ser : menor, igual ou maior que zero, ou seja   = Vz/T    0;  = 0; 0
CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ZENER : O comportamento de Iz = F(Vz) é mostrado abaixo :
Ve
Iz Vz
47
ELETRÔNICA BÁSICA
Vê-se que a curva característica de Iz = F(Vz) é acentuadamente vertical o que caracteriza um resistência interna Ri = Vz/Iz, muito
pequena. Desde que Iz se mantenha dentro dos limites de Izmin e Izmáx, a tensão Vz nos terminais do diodo permanece praticamente
constante. Assim sendo, uma carga qualquer representada por RL(ver figura abaixo), colocada em paralelo com o diodo Zener, ficará
submetida a uma tensão praticamente constante. Polarizado diretamente, o diodo Zener se comporta como umdiodo de junção,apenas
entrando em condução com uma tensão ligeiramente inferior. A corrente Izmin( Iknee ), quando não especificada, poderá ser considerada
como sendo :
Izmin  0,1 x Izmáx = 0,1 x Pzmáx/Vz
IE IL
Rsa  (VEmáx – VZ)/(ILmin + IZmáx)

Iz
Vz RL Rsb  (VEmin – VZ)/(IZmin + ILmáx)
Ve
P = (VEmáx – VZ)2/Radotado
Radotado = (Rsa + Rsb)/2
APLICAÇÕES :
- Circuitos Estabilizadores de Tensão.

- Fornecer uma Tensão de Referência para Reguladors, Comparadores, Controladores, Osciladores; etc.
- Limitação de Surtos de tensão.
- Etc.
O TANSISTOR UNIJUNÇÃO - UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR)
O transistor unijunção é composto de :
a) Uma barra de silício tipo N em cujas extremidades são ligados dois contatos puramente ohmicos, chamados de Base 1 e Base 2, ou
seja B1 e B2.
b) Uma junção PN, realizada mais ou menos a uma distância de ¾ de B1, e cujo lado P recebe o nome de Emissor (E).
Vemos abaixo o símbolo do transistor unijunção :

V B2
D
B1
48
B1
ELETRÔNICA BÁSICA

E  
B2
(visto do lado dos pinos)
E
PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
Podemos considerar que o UJT equivale a dois resistores ligados em série com um diodo, conforme o esquema abaixo. É evidente que se
ligarmos dois resistores “lineares” em série com um diodo, o conjunto não se comportará com a mesma performance que no caso de um
transistor unijunção, visto que RB2 e RB1 em um UJT são resistências de uma barra de silício tipo N e portanto um material semicondutor
extrínseco e de comportamento não linear. As duas resistrências equivalem à resistência da barra de silício ou resistência interbase R BB.
O ponto de ligação do catodo do diodo corresponde ao ponto físico da junção PN sobre a barra de silício. Temos que :
RBB = RB1 + RB2
Alimentando a barra por uma tensão contínua V BB como indicado abaixo, teremos para o potencial do ponto A :
IE
V
A DS
VE VDS
VA = VBB x RB1/(RB1 + RB2) = VBB x RB1/RBB

A relação RB1/RBB = , e é chamada de Relação Intrínseca do transistor unijunção, e depende da posição na barra(se estiver no meio, 
vale 0,5). Portanto podemos escrever :
VA = xVBB
Aplicando agora um tensão positiva entre emissor e B1, podemos observar o seguinte :
a) Enquanto a tensão de emissor for inferior à tensão do ponto A, isto é xVBB, o diodo estará polarizado reversamente e portanto,
somente um pequena corrente reversa circulará pelo emissor.
49
ELETRÔNICA BÁSICA
b) Quando a tensão VE atingir um valor igual a xVBB + Vd, o diodo estará polarizado diretamente e circulará um corrente direta no
emissor. Esta corrente circulando na parte inferior da barra, fará com que a densidade de carga ( quantidade de carga por unidade de
volume) aumente na parte inferior da barra provocando uma redução da resistividade e consequentemente da resistência da parte inferior
da barra. Em consequência, teremos um aumento de IE em torno de aproximadamente 800 vezes. O gráfico abaixo mostra o
comportamento de VE em função de IE.
A parte AB da curva corrresponde à corrente inversa de emissor, no ponto A, VE = 0, e no ponto B, VE = xVBB. A partir do ponto B, o
aumento da tensão de emissor fica aplicado à junção, a qual fica agora, polarizada diretamente. No ponto P,a tensão máxima de emissor
é atingida. Este ponto é chamado Pico, sendo caracterizado pela corrente de pico Ip e pela tensão de pico Vp = Vd + xVBB. A regiaão de
P par a V é chamada de região de resistência negativa. O ponto V corresponde ao mínimo valor da tensão Ve e é chamado de Vale. Ele
se caracteriza pela tensão de vale Vv e pela corrente de vale Iv.
Exemplo de características de um transistor unijunção :
Tansistor 2N2646
VER = 30Vmáx IER = 12A máx ( com VE = 30V) P = 300mW máx IP = 5A
IV = 4 mA  = 0,56 mín; 0,75 máx RBB = 4,7K mín; 9,1K máx
APLICAÇÕES DO UJT :
- Oscilador de relaxação(oscilador livre), produzindo sinal dentre de serra e pulsos.

- Temporizadores/ Conversor tensão frequência,
- Conversor de T(variação de temperatura) em frequência.
- Conversor de P(variação de Pressão) em frequência.
- Etc.
Exemplo de aplicação :
P1
50
ELETRÔNICA BÁSICA
OBS. : Estamos utilizando o símbolo acima no circuito para representar o UJT em função de não haver no Electronics Work Bench o
respectivo símbolo para o Transistor Unijunção!
Considerações :
a) O resistor R2 no circuito introduz uma melhor estabilização na frequência de oscilação para variações da temperatura ambiente. O
mesmo é dado por :
R2 = 1,2 . RBB/VCC
b) Ra + P1 : Permitem o ajuste da frequência de oscilação
c) O período da oscilação é dado aproximadamente por :
F = 1/T
Normalmente fixa-se C e calcula-se os demais parâmetros. Para o cálculo de R1 é necessário saber o valor mínimo da tensão de disparo
Vdisparo do elemento a ser disparado ou comandado ( SCR, TRIAC, TRANSISTOR; etc). Assim sendo R 1 será dado por :
Funcionamento :
A tensão de emissor é fornecida pelo capacitor C. Ao ligar a fonte, o capacitor se carrega através de (R 1 + P1), com uma constante de
tempo t = (R1 + P1). Enquanto a tensão aos seus bornes não atingir a tensão de pico Vp = Vd + xVBB, nenhuma corrente circulará no
emissor. Quando a tensão no capacitor atingir a tensão depico Vp = Vd + xVBB, o emissor se tornará condutor, e a tensão aos seus
bornes cairá rapidamente ao valor de Vv e, consequentemente, o capacitor será descarregado a uma constante de tempo
aproximadamente igual a R1C.
As demonstrações matemáticas completas serão realizadas no curso de Eletrônica Industrial.
GERADOR DENTE DE SERRA
Da teoria de circuito sabemos que se um capacitor se carrega através de uma corrente constante I, a tensão em C varia linearmente com
o tempo de acordo com a expressão
51
ELETRÔNICA BÁSICA
I
VC = C .t.
Quanto maior o valor da corrente (fixado C), mais rapidamente se carregará o capacitor. Por outro lado se aumentarmos o valor de C
levará mais tempo para carregar C. A inclinação da reta na Fig 1b depende da relação entre a corrente que carrega o capacitor e o valor
do mesmo.
VC
I
C Vc
(a) (b) t
I
VC = C .t
Fig 1 - Carga de capacitor por corrente constante
Vemos no circuito abaixo que a corrente que carrega o capacitor nesse caso é constante, sendo igual à corrente de coletor (I C).
+Vcc
+Vcc
R1 R
I
R2
C
C
RB1 RB1
Fig 2 - Gerador dente de serra
No circuito da Fig 2, o transistor, R1,R2 e R simulam uma fonte de corrente constante, desta forma a carga de C é linear. Quando V C atingir
Vp, o UJT dispara e C se descarrega bruscamente. A Fig 3 é a forma de onda correspondente
T
VC
VP
52
ELETRÔNICA BÁSICA
VV
(V P −V V ).C (U 1 −0,7 ) R 1 . V CC
O periodo das oscilações é dado aproximadamente por : T = I onde I = R R +R
e U1 = 1 2
+15V
3K 1K
12K
10nF
47
O TRANSISTOR BIPOLAR
Transistor Construção Básica e Princípios de Funcionamento

Regiões do Transistor - Ligação Base Comum - Ligação Emissor Comum
Existem dois tipos básicos de transistores de acordo com o tipo de dopagem de cada terminal (base, coletor e emissor), NPN e PNP .
Fig. 01
Fig. 02
53
ELETRÔNICA BÁSICA
Cada uma das regiões do transistor tem uma característica:
1. A base é a mais estreita e menos dopada das três (é extremamente fina !!).
2. O emissor que emitirá os portadores de carga (elétrons no caso de transistor NPN ou lacunas no caso de transistor PNP) é a mais
dopada das três (maior concentração de impureza).
3. O coletor é a mais extensa , pois ai é que será dissipado potência.
De uma forma bem simplificada expliquemos como um transistor funciona:
Consideremos um transistor NPN (para o outro basta inverter o sentido das tensões e correntes). Em polarização normal (como
amplificador) a junção base emissor é polarizada diretamente e a junção base coletor é polarizada reversamente. Os elétrons são
emitidos no emissor já que a junção base emissor está polarizada diretamente. Os elétrons atingem a base, como ela é muito fina e
pouco dopada, a maior parte consegue atingir o coletor onde são acelerados pelo campo elétrico ai existente, apenas alguns poucos
elétrons (1% ou menos) conseguem se recombinar com as lacunas da base, formando a corrente de base.
Fig. 3a
Fig 3a: Configuração Base Comum. Valem as seguintes relações em um transistor:
IE = I C + I B
Onde : a é o ganho de corrente na configuração emissor comum. Outra forma de representar
uma conexão de transistor é a emissor comum, Fig. 3b.
Ligação Emissor Comum :
Para essa configuração chamada emissor comum define-se o ganho de corrente como sendo :
Esquemas elétricos correspondentes :
Fig. 3b
Curvas Características de Coletor (configuração emissor comum)

São gráficos que relacionam corrente de coletor com tensão entre coletor e emissor tendo como parâmetro a corrente de base.
54
ELETRÔNICA BÁSICA
Na Fig3.b, equacionando o circuito de coletor resulta: Vcc = RcIc + Vce ... ( equação 3) ... que é a equação de uma reta, a qual é
chamada de “ Reta de Carga “, sendo representada no plano I CxVCE que é um conjunto de curvas chamadas de curvas características
de coletor. Para desenhar essa reta só precisamos de dois pontos:
1º Ponto: Fazendo IC =0 na equação acima , obtemos V CE =VCC que fisicamente representa o corte. No corte as duas junções estão
polarizadas reversamente e portanto todas as três correntes são muito pequenas ( nA), nestas condições o transistor pode ser
considerado uma chave aberta, Fig 3d.
Obs: Para cortar um transistor de Si basta fazer V BE < 0V, porém se de Ge, VBE < -0,4V
Fig. 3c: Transistor no corte - Circuito e modelo simplificado Fig. 3d: Transistor em corte
2º Ponto : Fazendo VCE = 0 obtemos IC =VCC/RC que fisicamente representa a saturação.
Na saturação as duas junções estão polarizadas diretamente, neste caso para garantir que o transistor sature deve-se impor algumas
condições. A condição para considerar o transistor saturado é I C < b.IB , como o b de um transistor varia entre um mínimo e um máximo
para garantir a saturação usamos o mínimo , então I C < bmin.IB . As figuras 4.a e 4.b, mostram o modelo simplificado para um transistor
na saturação.
Fig 4.a: Transistor na saturação - Circuito e modelo simplificado Fig 4.b: Transistor no corte
Unindo os dois pontos obteremos uma reta, Reta de Carga.
55
ELETRÔNICA BÁSICA
Fig 05 : Curvas característica de coletor - montagem emissor comum mostrando a reta de carga.
Na Fig 5 o ponto de operação ou ponto quiescente( ponto Q ) estará sempre em cima da reta de carga. Os limites da reta de carga são o
corte, quando IB =0 e a saturação quando VCE =0 . Entre esses dois pontos o transistor operará como amplificador, isto é , a relação entre
IC e IB será dada por IC = b.IB.
O transistor na região ativa :
Ajuste o potenciômetro para que a tensão V CE seja aproximadamente 6V (região ativa). Anote o valor de I B e IC calculando em seguida a
relação IC/IB = b. Anote o resultado na tabela. Repita para os outros valores de V CE .
Fig. 06
Transistor no Corte e Saturação :
1. Monte o circuito abaixo e Anote na tabela Com a chave em B meça as correntes I B e IC. Anote os valores na tabela 2.
Tabela 1
Valores Calculados
Chave em A Chave em B
IB (mA) IC (mA) VCE (V) IB (mA) IC (mA) VCE(V)
56
ELETRÔNICA BÁSICA
Circuitos de Polarização - Polarização Por Corrente de Base Constante

Polarizar um transistor significa estabelecer as tensões e correntes contínuas ao redor das quais o sinal oscilará quando for aplicado um
sinal na entrada. Para um bom desempenho (principalmente para evitar a distorção) o ponto de operação deve ser bem localizado. Nos
amplificadores classe A a tensão coletor emissor (V CE) deve ser de aproximadamente a metade da tensão da fonte (V CC) para que a
excursão de pico a pico na saída seja a máxima possível .
Equações:
No circuito da Fig: 08 a corrente de base é constante sendo calculada por
A corrente de coletor é dada por : IC = b.IB então =
Como o b de uma família transistor pode variar entre um valor mínimo e um valor máximo, podemos concluir que esse tipo de
polarização é altamente instável. Ative o circuito medindo as corrente de base ( IB ) de coletor (IC ) e a tensão coletor emissor (VCE).
Calcule a relação IC/IB, anote o resultado na tabela 2 como bCalc.
Equações:
Tabela 1 - Calculado
bEfe =
IB(uA) =
IC(mA) =
VCE(V) =
Tabela2 - Medido
BC 337
IB(uA) =
IC(mA) =
VCE(V) =
IC/IB(b =
Fig 08: circuito de polarização por corrente de base constante

Polarização com Realimentação pelo Coletor
Equações:
57
ELETRÔNICA BÁSICA
Monte o circuito abaixo atve o circuito medindo as corrente de base (I B) de coletor (IC) e a tensão coletor emissor ( VCE ).Calcule a relação
IC/IB, anote o resultado na tabela 2 como bCalc.
Tabela 1 - Calculado
IB( mA) =
IC(mA) =
VCE(V) =
bEfe =
Tabela 2 - Medido
IB( mA) =
IC(mA) =
VCE(V) =
bCalc =
Fig 09: Polarização por realimentação no coletor
Polarização por Divisor de Tensão na Base
Os circuitos vistos anteriormente tem como principal limitação o fato do ponto de operação ser altamente sensível à variação de
temperatura e variação do beta. O circuito a seguir é preferível por ser praticamente insensível à variação do b.
(a) (b)
Fig 11: Circuito de polarização por divisor de tensão na base ( a ) e seu equivalente Thevenin ( b )
Equações :
Onde VTH e RTH são o equivalente Thevenin na base do transistor, sendo calculados por :
58
ELETRÔNICA BÁSICA
Se Resultará q ue o ponto Q “não depende do transistor”.
Como projetar um circuito de polarização por divisor de tensão:

As orientações que serão fornecidas a seguir são de caráter essencialmente prático.Em geral são especificados a tensão de alimentação
(VCC), a corrente quiescente de coletor, e o transistor , portanto são conhecidos o bmin e o bmáx.. Para que todas as receitas dadas a
seguir tenham validade , a corrente de base deve ser muito menor do que a corrente " descendo " pelo divisor de tensão, tudo se passa
como se a base estivesse "aberta."
1. Adotamos os seguintes percentuais da tensão de alimentação : V CE = 0,5.VCC VRE = 0,1.VCC e VRC = 0,4.VCC.
2. Como IC é dado então podemos calcular RE
3. Como IC = IE ( para   50), e VRC = 4.VRE então Þ RC =4.RE
4. R2 £ 0,1.bmin.RE (em geral usamos o valor que é igual , mais adiante veremos que escolher um valor muito baixo levará a
uma diminuição na impedância de entrada).
POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO - Classe A
ICQ = ICmáx/2
VCEQ = 50% de Vcc = 0,5 x Vcc

VREQ = 10% de Vcc = 0,1 x Vcc
Ic VRCQ = 40% de Vcc = 0,4 x Vcc
I1 Rc
R1
I2 = K x IBQ 2  K  10
IB IBQ = ICQ/
VCEQ Vcc
VBEQ (ou hfe) e VBEQ serão tirados das curvas
 = f(IC) e IC = f( VBE), respectivamente.
VAB = VBEQ + RE x IE
R2
Geralmente temos que : RC /10 RERC /2
OBS: Em qualquer projeto para 50

considerar  IC  IE
AMPLIFICADOR PUSH-PULL COM TRANSISTORES COMPLEMENTARES
1. Montagem com transistor PNP – Coletor Comum :
R2 I2 IE
VREQ
59
ELETRÔNICA BÁSICA
A base nào estando polarizada faz com que o transistor somente conduza durante as alternâncias negativas do sinal de entrada de
frequência de 1kHz senoisal e 3V de pico. Observar a saída na resistência de carga Rc de 10, com o osciloscópio.
2. Montagem com transistor NPN – Coletor Comum :
A base nào estando polarizada faz com que o transistor somente conduza durante as alternâncias positivas do sinal de entrada de
frequência de 1kHz senoidal e 3V de pico. Observar a saída na resistência de carga Rc de 10, com o osciloscópio.
3. Montagem com duas fontes de tensão :
Com o osciloscópio observar o sinal nos terminais da carga Rc, ou seja nos pontos B e M, com o gerador de sianis em 1kHz senoidal e
3V de pico. Variar a amplitude e obsevar quel é o mínimo valor de Ve para começar a aparecer sinal na saída. Fixando a tensão de saída
em torno de 3V de pico, levantar os oscilogramas indicados ao lado :
Calibres do Osciloscópio :
- Base de Tempo : _____________
- Calibre Vertical : _____________
60
ELETRÔNICA BÁSICA
Retirando do trnasistor BD 139
Calibres do Osciloscópio : t
- Base de Tempo : _____________
Retirando o transistor BD 140

Calibres do Osciloscópio :
+ Vcc = 10V
- Base de Tempo : _____________
3. Montagem com uma fonte de tensão :
Escolher C1 = C2 = 470F e Vcc = 10V
Observar o sinal aos bornes de Rc, pontos B e M , explicando porque o sinal é o mesmo do circuito anterior(com duas fontes!)
______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
Eliminar C1 ou C2 e observar o que ocorre e explicar porque :

______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
61
ELETRÔNICA BÁSICA
______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
Oscilogramas :
Com o gerador em 1kHz senoidal e 3V de pico, eliminar C 1 e com o oscil;oscópio aos bornes da carga, levantar as formas de onda da
saída para cada um dos 3 valores de C2 indicados.
C2 = 470F
Mudar a frequência do gerador para 100Hz e levantar os oscilogramas aos bornes da carga.
62
ELETRÔNICA BÁSICA
Conclusão a respeito de C2 :
______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
4. Montagem com o negativo da fonte na massa e C2 trocado de posição do Rc :
IE1
IE2
CL
Verificar o funcionamento da montagem, ligando o osciloscópio aos bornes de Rc, pontos B e M. Esplicar a função de CL
______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
63
ELETRÔNICA BÁSICA
Ligar o osciloscópio entre o ponto comum C das resistências de 1 e os emissores de T1 e T2, pontos D e E, e observar o comportamento
das correntes de emissor IE1 e IE2..
OSCILOGRAMAS :
a) Iemissor do BD 139
Calibre do Osciloscópio :
Base de Tempo : ________________
Calibre Vertical : ________________

b) Iemissor do BD 140
Qual a classe de funcionamnto da montagem ? _______________________
Observar a tensão entre o ponto A e a massa :
a) Sem sinal: __________________ b) Com sinal : __________________
5. Melhoria da montagem :
P1
1) Em corrente contínua, ou seja , sem o sinal de entrada :
a) Comparar as variações do potencial de A e C em relação à massa M de acordo com a posição do potenciômetro P1.
______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
b) Observar se existe variação na corrente de alimentação Ic com a experiência anterior.
64
ELETRÔNICA BÁSICA
______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
2) Em corrente lternada, ou seja, com o sinal na entrada :
a) Ligar o sinal de modo a Ter na carga uma tensão no l imite da distorção
b) Variar o potenciômetro e verificar a sua influência no sinal de saída :

______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
c) Observar as correntes dos emissores IE1 e IE2, de acordo com a posição do potencômetro P1.
______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
3 ) Qual a classe de funcionamento ? ________________________ Por que? _____________________________________________

______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
6. Montagem definitiva – Polarização dos tansistores :
P1
P2
NOTA : Deve-se tomar cuidado quando da montagem do circuito em ajustar P2 para a mínima resistência inicialmente !
1) Em corrente contínua (sem sinal) :
a) P1 será ajustado para se ter a simetria correta, ou seja o potencial V AM = VCC/2.
Logo  VAM = Vcc/2 = ..............
b) Calcular IECmáx e ICR (corrente de coletor de repouso), lembrando-se que :
VCE . ICE  PCmáx e ICR = PCmáx/5. VCE
c) Variar P2 e medir ICE e VCE, observando a influência de P2, não permitindo que os valores máximos calculados sejam ultrapassados.
______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________________
2) Em corrente alternada :
65
ELETRÔNICA BÁSICA
a) Observar com o osciloscópio, o sinal da saída e ajustar P 2 até aparecer a distroção de “limiar”- CROSS-OVER, observando que sem o
sinal, a corrente de repouso não ultrapasse o valor calculado anteriormente.
b) Medir com a ponte, o valor equivalente de R3 em paralelo com P 2.
REquivalente = ................ 
c) Qual a função de C1 neste circuito ? ____________________________________________________________________________
d) Qual a classe de funcioanameto ? ______________________________________________________________________________
7. Amplificador Push-Pull com driver :
1) Substitução no circuito anterior :
a) A resistência de polarização ( P2 e R3 ) é substituída pelo seu equivalente determinado anteriormente.
b) O resistor R2 está substituído pela resistência de saída do tansistor T 3.
2) Ajustes :
a) Regular a polarização do driver e do push-pull para se ter distorção mínima na saída.
b) Calcular a Pmáx de saída sem distorção.
Pmáx = ..................
MULTIVIBRADOR ASTÁVEL
66
ELETRÔNICA BÁSICA
Um astável é um oscilador, e para analisar o seu funcionamento consideremos como ponto de partida ( t = 0) o instante em que o Q 1, na
Fig1, estando cortado passa a saturado, ocorrendo o oposto com Q 2.
(a) (b)
Fig1 : Multivibrador astável , instante t = 0-.
Observe na Fig 1b que Q 1 começa a conduzir quando VC2 > 0, e que C 1 já está carregado nesse instante, logo num instante posterior (t =
0+) o circuito se encontrará na situação indicada na Fig 2
Fig2: Multivibrador astável : instante t = 0+

A partir desse instante os capacitores começam a se carregar, V C1 tende para +VCC com constante de tempo t 1 = R1.C1 e VC2 tende para -
VCC(de acordo com a polaridade indicada) com constante de tempo t Rec2 = RC2.C2 . Após um tempo T 1 = 0,69.R1.C1 a tensão em C1 começa
a ficar positiva fazendo Q2 saturar, enquanto isso, C2 já se carregou com um valor de tensão -V CC (de acordo com a polaridade
convencionada). A Fig 3 mostra o circuito após a transição (t = T 1+) e um pouco antes de mudar (t=T1-).
(a) (b)
Fig3: Multivibrador astável : ( a ) instantes t = T1- e ( b ) instante t = T1+
67
ELETRÔNICA BÁSICA
A partir desse instante (t = T 1+), VC2 tende a se carregar com +V CC com constante de tempo t 2 = R2.C2 e VC1 tenderá para -VCC com
constante de tempo tRec1 = RC1.C1 . Após um tempo T2 = 0,69.R2.C2 (contado a partir do instante t = T 1+ ) a tensão em C2 começa a ficar
positiva fazendo Q1 saturar, enquanto isso C1 já se carregou com -VCC.
A Fig 4 mostra o circuito no instante t= (T 1 + T2). Observe que esse instante é semelhante ao instante t = 0 -, isto é, a partir desse instante
as situações começam a se repetir e dizemos que foi completado um ciclo ou período.
O período das oscilações é dado por : T = T1 + T2 = 0,69.(R2.C2 + R1.C1).
Fig4 : Multivibrador astável : instante t = (T 1 + T2)- =0

A Fig 5 mostra as principais formas de onda, e podemos observar que as formas de onda são basicamente as mesmas do
monoestável. Formas de Ondas de Tensões :
Fig5: Multivibrador astável : Formas de onda.
No gráfico da Fig 5 as seguintes condições devem ser satisfeitas para que as formas de onda nos coletores não tenha muita distorção
(tempo de subida muito menor do que o período):
T1 = 0,69.R1.C1 > tRec2 = 4.RC2.C2 e T2 = 0,69.R2.C2 > 4.RC1.C1
ASTÁVEL SIMÉTRICO
No caso mais comum o astável é simétrico, isto é, T 1 = T2 = T/2 e isso é obtido fazendo-se R 1 = R2 = R e C1 = C2 = C, de forma que T 1 = T2
= 0,69.R.C e a condição acima para esse caso fica sendo 0,69.R.C > 4.R C.C admitindo que RC1 = RC2 = RC a expressão resulta: 5,8.RC <
R. Outra condição que deve ser satisfeita é, o transistor que está conduzindo deve estar saturado, e no caso do astável simétrico isso
será verdadeiro se for observada a condição:
R < bmin.RC
68
ELETRÔNICA BÁSICA
Combinando as duas condições resulta: 5,8.RC < R < bmin.RC ... esta desigualdade mais a expressão que dá o período:
T = 1,38.R.C ... permitem fazer facilmente qualquer projeto.
Fig6: Astável simétrico EXERCICIOS RESOLVIDOS 1. Projetar circuito astável simétrico que oscile na freqüência de 200Hz.
0,1F 0,1F
Dados:
VCC = 12V ICsat = 6mA bmin =100. Calcular R, RC e C.
Solução : RC = 12V/6mA = 2K 5,8.2K < R < 100.2K ou 11,6K < R < 200K, adotando :
R = 100K e como T = 1/200Hz = 5ms e T = 1,38.R.C obtemos :
C = ____5.10-3____ = 3,6.10-8 F C = 5.10-3 / 1,38.100.103 = 3,6.10-8F = 36nF

1,38.100.103
MULTIVIBRADOR MONOESTÁVEL - TEMPORIZADOR
Ti = 0,69.C1.Rb2
MULTIVIBRADOR BIESTÁVEL - DIVISOR POR 2
69
ELETRÔNICA BÁSICA
O TRANSISTORES JFET E MOSFET
1. Introduzir as noções básicas construtivas de transistores de efeito de campo
2. Entender o funcionamento dos transistores JFET
A compreensão do funcionamento dos Transistores de Efeito de Campo ( Field Effect Transistors - FET) é bastante facilitada ao
compararem-se estes dispositivos aos já conhecidos Transistores Bipolares de Junção (BJT). Como nos BJT, nos FET a tensão entre dois
terminais controla a corrente que circula no terceiro terminal, podendo ser utilizado como amplificador ou chave. O FET é conhecido
também como transistor unipolar porque a condução de corrente acontece por apenas um tipo de portador (elétron ou lacuna),
dependendo do tipo do FET, de canal n ou de canal p. O nome “efeito de campo” decorre do fato que o mecanismo de controle do
componente é baseado no campo elétrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controle. O Transistor JFET recebe este
nome porque é um transistor FET de Junção.
CONSTRUÇÃO SÍMBOLO
Óxido de Silicio
( Isolante)
Fig. 01 - O Transistor JFET
A figura 01 apresenta um JFET de canal n (existe também o JFET de canal p). Seu diagrama construtivo simplificado representa uma
“barra” de silício semicondutor tipo n (semicondutor dopado com impurezas doadoras) e contendo incrustadas duas regiões tipo p. O
JFET da figura 01 tem as seguintes partes constituintes:
70
ELETRÔNICA BÁSICA
FONTE: (source) fornece os elétrons livres.

DRENO: (drain) drena os elétrons.
PORTA: (gate) controla a largura do canal, controlando o fluxo dos elétrons entre a fonte e o dreno. As regiões p da porta são
interligadas eletricamente.
Ainda observando a figura 01, a seta apontando para dentro representa uma junção pn de um diodo. O JFET de canal p tem as mesmas
partes constituintes de um JFET de canal n, porém seu símbolo apresenta a seta em sentido contrário, e as correntes e tensões são
consideradas invertidas em relação ao JFET de canal n.
CARACTERÍSTICAS MAIS IMPORTANTES DO JFET
Controle por Tensão: a corrente entre o dreno e a fonte é controlada pela tensão aplicada na porta, em contraste com o transistor BJT,
cuja corrente de coletor é controlada pela corrente de base.
Alta Impedância de Entrada: para que seja possível o controle de corrente do canal n é necessário que se produza uma polarização
reversa das junções da porta, provocando desta forma um aumento na região de depleção destas junções e em decorrência disto um
estreitamento do canal; com isto, tem-se baixas correntes de porta, e conseqüentemente, alta impedância.
Curvas Características: O comportamento do JFET pode ser sumarizado por suas curvas de dreno e de transcondutânica.
Outras Características: os transistores JFET apresentam menores ganhos em relação aos transistores BJT e em decorrência disto têm
maior estabilidade térmica; geometricamente, os JFET têm dimensões menores quando comparados com os transistores BJT.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMENTO - POLARIZAÇÃO
– Curva Característica (Considerações)
Podemos então identificar dois tipos de comportamento do transistor :
a) O transistor se comportando como uma resistência variável controlada por tensão. O JFET opera deste modo na região A da
fig. 02 abaixo. Notamos que ID varia diretamente proporcional a VDS, como se fosse uma resistência. Entretanto, essa
variação, ou resistência, será maior ou menor, dependendo do valor de V GS, daí a denominação de “Resistência Variável Controlada por
tensão”, que é a tensão VGS. RD = VD /ID ... (resistência dinâmica), para VGS = cte. RD = VD /ID ... (resistência estática - no ponto), para
VGS = cte.
b) Na região B da fig. 02, a corrente ID não aumenta mais, apesar do aumento de VDS.
Região A VP Região B VGS
FIG. 02
A região B é a região ativa, de trabalho do JFET. À medida que V DS aumenta, a região dentro do canal vai se afunilando e aumentando o
congestionamento dos portadores de carga (elétrons em um JFET canal N), na saída do funil”, correspondendo
ao lado mais estreito. Por este estreitamento não passará mais do que uma mesma quantidade de elétrons por vez, fixando assim a
corrente. Este congestionamento é conhecido por “saturação”. Não devemos, no entanto, confundir a condição de “saturação” do JFET,
com a “saturação” do transistor Bipolar, pois no caso do JFET, a região B, que é chamada de saturada, é a região onde o transistor
71
ELETRÔNICA BÁSICA
trabalha como amplificador; como veremos no estudo dos métodos de polarização do JFET. Verifica-se também que quando aumentamos
VDS além de um certo valor máximo denominado BV DSS , BVGDO ou BVGSS , o canal entra em avalanche e a corrente I D aumenta
repentinamente. Pode-se notar pela fig. 02, que para cada valor de V GS existe um BVDSS correspondente, à medida que VGS diminui, o
valor de BVDSS também diminui.
Polarização e reta de carga
Para um JFET funcionar corretamente devemos ter uma polarização reversa entre PORTA e FONTE. Na fig. 03 temos um JFET canal N
polarizado, ou seja, com resistores ligados aos terminais para limitar tensões e correntes adequadamente, como vimos na polarização dos
transistores Bipolares (NPN e PNP). Na fig. 03 temos o tipo de polarização chamada de “autopolarização”, pois, a tensão VGS aparece
devido à corrente ID sobre RS, o que resulta em VRS. Esta tensão se distribui entre R G e a junção reversa, que, como tal, possui uma alta
resistência. Logo, temos VRG e VGS que somadas perfazem VRS. Portanto :
VRS = VRG + VGS

Da fig. 03 podemos tirar as seguintes relações :
I VDD = VRS +VDS + VGS sendo ID = IS, temos : II VRS = RS . IS = RD . ID III VRD = RD . ID
Substituindo II e III em I, tem-se : V DD = RS.ID + VDS + RD.ID
ID
VDS
IS
Fig. 03
IV VDD = ID (RS + RD) + VDS

Ainda da fig. 08 temos :
VRS = VRG + VGS e, VRG = RG.IG
Como a junção da porta está reversamente polarizada, tem-se que I G é muito pequena (da ordem de nA ou pA). Portanto, V RS é de valor
desprezível em relação a VGS. Logo :
VRS = VGS e, portanto :
V VGS = RS.ID
Afim de polarizarmos um JFET devemos saber a função do estágio, isto é, se o mesmo irá funcionar como um “resistor controlado por
tensão” ou como um amplificador. Como amplificador irmos trabalhar na região B da fig. 07, ou seja, à direita da linha de V P e à esquerda
da região de VDS de ruptura.
Exemplo :
VDD = 12V VDS = 5V VGS = -0,5V RS + RD = 3,7 K
De IV tiramos :
ID = (VDD - VDS)/(RS + RD)) = (12 - 5)/3,3 = 1,89mA

72
ELETRÔNICA BÁSICA
ID = 1,9mA
De V tiramos :
RS = VGS/ID = 0,5/1,9 = 263  RS = 270
Teremos para RD :
RD + RS = 3,7K  RD = 3700 - 263 = 3437  RD = 3,3 K
Utilizando o método da “reta de carga”, teríamos : Fazendo I D = 0 na equação IV, teremos : VDS = VDD
Este 1 ponto está sobre o eixo de VDS e vale VDD. O 2 ponto está sobre o eixo de ID e para achá-lo faremos VDS = 0, portanto :
ID = VDD/(RS + RD) = 12/3.700 = 3,2mA ID = 3,030mA Sendo que: VDS  BVDSS e ID  IDSS .... Colocando estes dois pontos
na curva característica teremos a reta de carga da fig. 04 abaixo :
FIG. 04
Observamos que se tomarmos o valor de 5V para V DS e “subirmos” verticalmente até a reta e depois horizontalmente até o eixo I D,
obtermos ID = 1,9mA. Assim, os valores de RS é RD serão :
RS = VGS/ID = 0,5/1,9x10-3 = 263 RD = 3700 - 263 = 3437
Vemos que são os mesmos resultados obtidos anteriormente, pelo método analítico.
Considerações Gerais
Seja a fig. 05 abaixo :
Fig 05
73
ELETRÔNICA BÁSICA
Fig. 05
Vemos um conjunto de curvas de VDS = f(VDS) de um dado JFET. Há uma região de saturação, uma região ativa e uma região de corte.
Como vimos anteriormente, com VGS = 0V (Porta e Fonte em curto), a corrente de Dreno aumenta rapidamente até que V DS atinja 4V.
Além deste valor de VDS, a corrente ID é praticamente horizontal. Entre 4V e 30V, a corrente I D é praticamente constante e JFET se
comporta como uma fonte de corrente de aproximadamente 10mA. Quando V DS ultrapassa os 30V, o JFET rompe-se. Logo, a região ativa
se situa entre 4V e 30V. A denominação de I D como sendo I DSS se refere à corrente I D com VGS = 0V e representa o valor máximo de I D
como visto anteriormente. Na Fig. 05 temos IDSS = 10mA para VDS = 15V. Sendo as curvas de
dreno do JFET praticamente horizontais, IDSS é de aproximadamente 10mA na região ativa. Fazendo s tensão V GS mais negativa, iremos
reduzir a corrente ID . Portanto teremos :
VGS = - 1V ID = 5,62mA. VGS = - 2V ID = 2,5mA

VGS = - 3V ID = 0,625mA VGS = - 4V ID  0mA
A curva inferior representa a região de corte, portanto :
VGS(Desligado) = VGS(OFF) = - 4V
Observando-se a região de saturação vê-se que quando o JFET está saturado, V DS se encontra entre 0V e 4V, dependendo da reta de
carga. Notemos que a tensão de saturação mais alta é de 4V, igual (em módulo) à tensão V GS de corte, isto é, VGS(Desligado) = - 4V. Esta é
uma propriedade de todos os JFETs; ela nos permite usar VGS(OFF) como uma estimativa da tensão máxima de saturação.
Assim sendo, se um dado JFET tem um VGS(OFF) = - 3V, podemos afirmar que o valor de V DS máximo na região de saturação será de
aproximadamente de 3V. Por exemplo, um 2N5457 tem um V GS(Desligado) = -2V. Portanto o VDS máximo na região de saturação é de
aproximadamente 2V.
Curva de Transcondutância Normalizada
A curva de transcondutância representa I D em função de VGS, ou seja, ID = f (VGS). Tomando-se os valores de ID e VGS na fig. 10, podemos
traçar a curva da fig. 06 abaixo indicada :
74
ELETRÔNICA BÁSICA
FIG. 06
As curvas de transcondutância de um JFET, em geral são semelhantes à da fig. 06c. A curva de transcondutância da fig. 11b é um trecho
de parábola. A sua equação é :
ID = IDSS (1 - VGS/VGS(OFF) ) 2
Esta equação se aplica a qualquer JFET. Muitos catálogos não trazem as curvas de transcondutância ou as curvas de I D , porém
fornecem os valores de IDSS e VGS(OFF) . Substituindo estes valores na equação anterior, calcularemos os valores de I D. Exemplo :
VGS(OFF) = - 2V IDSS = 4mA ID = 0,004(1 - VGS/- 2)2  ID = 0,004(1 + VGS/2)2
Podemos agora calcular a corrente de dreno para qualquer tensão V GS. A fig. 06c mostra a curva de transcondutância normalizada para
qualquer JFET. Pode-se plotar qualquer curva de transcondutância utilizando-se os três pontos internos indicados na fig. 06c.
Exemplo n 1 :
a) VGS = - 1V VGS(OFF) = - 4V IDSS = 12mA ID = 9/16(12) = 6,76mA b) VGS = - 2V
ID = 1/4(12) = 3mA c) VGS = - 3V ID = 1/16(12) = 0,75A
Exemplo n 2 :
A folha de dados de um 2N5951 fornece os valores típicos : I DSS = 10mA e VGS(OFF) = - 3,5V. Calcule a corrente de dreno para V GS
= - 1V e - 3V.
Teremos : a) VGS = - 1VID = 0,01[(1 - (-1/-3,5)]2 = 5,1mA b) VGS = - 2VID = 0,01[(1 - (-2/-3,5)]2 = 1,84mA
c) VGS = - 3VID = 0,01[(1 - (-3/-3,5)]2 = 0,204mA
A corrente de fuga entre a porta (G) e fonte (S) é indicada por I GSS. Se, por exemplo, IGSS = 10pA com V GS = 20V, qual será a resistência de
entrada do JFET ?
Rentrada = VGS/IGSS = 20/10-12 = 2000G
Vemos, pois, a vantagem de um JFET em relação ao transistor bipolar se deve alto valor da sua resistência de entrada em CC.
Trancondutância gm
A transcondutância é representada por gm e é dada por gm = ID/VGS VDS = Cte.
Unidade : Siemens, símbolo S - O valor da condutância é máximo quando V GS = 0V e é denominada de gmo , gfso nas folhas de dados.
gm = gmo(1 - VGS/VGS(OFF)
OBS. : O valor de VGS(OFF) é muito difícil de ser medido na prática. Já I DSS e gmo são fáceis de serem determinados com grande precisão.
Assim sendo, usamos a fórmula abaixo para calcular V GS(OFF).
VGS(OFF) = - 2IDSS/gmo
Transistores de Efeito de Campo MOS (MOSFET)
O transistor MOSFET é um transistor que funciona de forma semelhante ao JFET, porém não necessitando das junções entre porta (G) e
canal para conduzir a corrente. A porta (G) é apenas um contato metálico isolado do semicondutor, proporcionando uma maior
impedância de entrada em relação ao JFET - .MOSFET  METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFECT TRANSISTOR.
Transistores de Efeito de Campo MOS (MOSFET)
O transistor MOSFET é um transistor que funciona de forma semelhante ao JFET, porém não necessitando das junções entre porta (G) e
canal para conduzir a corrente. A porta (G) é apenas um contato metálico isolado do semicondutor, proporcionando uma maior
impedância de entrada em relação ao JFET - .MOSFET  METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFECT TRANSISTOR.
75
ELETRÔNICA BÁSICA
Constituição interna e funcionamento :
Tipo Enriquecido Tipo Depleção
FIG. 12
O transistor MOSFET é formado de um cristal semicondutor pouco dopado, chamado SUBSTRATO. Na parte superior do mesmo são
difundidas impurezas (dopagem) formando outro tipo de cristal semicondutor diferente do SUBSTRATO, porém bem mais dopado. Este
cristal formará as regiões da FONTE (S) e do DRENO(D).
O dreno D e a fonte S podem ser separados como no MOSFET tipo enriquecido (Enhancement - ou tipo Indução), ou interligados, como
no MOSFET tipo Depleção. O MOSFET é constituído então de três materiais diferentes, a saber : As camadas de Alumínio (AL) que
formam os contatos metálicos; uma camada de óxido de silício (SiO 2) , que isola os contatos metálicos entre si e o corpo do transistor,
feito de material semicondutor. Observando a fig. 12, notamos que o contato da porta (G), está
isolado em relação ao restante do transistor, o que leva este transistor a ser denominado de IGFET - ISOLATED GATE FIELD EFECT
TRANSISTOR ( Transistor de Efeito de Campo de Porta Isolada). Analisaremos em primeiro lugar o MOSFET tipo Enriquecido, como
indicado nas figuras 13 e 14 :
FIG. 13
76
ELETRÔNICA BÁSICA
FIG. 14
Como vimos, neste tipo de MOSFET, tanto o dreno como a fonte, são feitos de um mesmo tipo de cristal, diferente do cristal do substrato.
Seja um MOSFET com substrato de cristal tipo P, como indicado na fig. 13. Vimos que o JFET, para que houvesse circulação de corrente
entre dreno e fonte, era necessário colocar uma alimentação com o terminal positivo no dreno e o terminal negativo na fonte. Se fizermos
o mesmo com um MOSFET tipo enriquecimento, veremos que não vai existir corrente fluindo entre dreno e fonte (fig. 14).
Notamos que a junção dreno substrato opera como se fosse um diodo polarizado reversamente devido a V DS. Mesmo que
invertêssemos VDS, não haveria corrente entre dreno e fonte, pois a junção fonte-substrato, neste caso, é que estaria se comportando
como um diodo reversamente polarizado. O fato é que , se tivéssemos um canal de mesmo cristal entre dreno e
fonte, no caso N, interligando a fonte ao dreno, assim como tínhamos no JFET, a corrente I D entre dreno e fonte poderia circular.
Usamos, então um recurso com o qual podemos criar um canal e assim sendo, controlar a corrente I D. Veja a fig. 15 abaixo :
FIG. 15
Quando ligamos um capacitor a uma fonte de tensão contínua, as carga positivas se fixam na placa que está ligada ao polo positivo da
fonte, e as cargas negativas, na outra placa que está ligada ao polo negativo da fonte, criando-se então um campo elétrico entre as
77
ELETRÔNICA BÁSICA
placas. O número de elétrons numa placa é igual ao número de cargas positivas na outra. Baseando-nos nestes princípios aplicamos uma
tensão entre porta (G) e fonte (S), tensão V GS, como indicado na fig. 16 abaixo :
FIG. 16
Podemos fazer uma analogia entre a porta (G) da fig. 16 e a placa 1 do capacitor da fig. 15; o material isolante (Óxido de Silício -
SiO2) e o dielétrico e, o cristal tipo P do substrato entre a fonte e o dreno com a placa 2 da fig. 15. Se aumentarmos V GS gradualmente,
iremos colocando cargas positivas na porta (G), como se a mesma fosse a placa 1 do capacitor. Este acúmulo de cargas positivas na
porta cria um campo elétrico que começa a repelir as lacunas do substrato, e a atrair os elétrons. Logo, aumentando V GS chegaremos à
condição da fig. 17, em que o número de lacunas existentes na região compreendida entre fonte e dreno, torna-se igual ao número de
elétrons atraídos pelas cargas positivas. Nesta condição temos um equilíbrio momentâneo entre elétrons e lacunas. Quando
ultrapassamos este valor particular de V DS, chamado VT (Tensão de Limiar - Threshold), o número de elétrons superará o número de
lacunas. A partir deste ponto forma-se um verdadeiro canal entre dreno e fonte, devido à presença destes elétrons (fig. 18) :
FIG. 17
FIG. 18
A partir deste instante temos um canal tipo N interligando o contato metálico da fonte com o dreno. Assim teremos um canal para a
corrente ID circular, saindo do terminal positivo de VDS , atravessando o canal N que foi formado, chegando ao terminal negativo de V DS
(sentido convencional). Observando a fig. 19 abaixo, vemos que I D começa a circular apenas a partir do instante que V GS atinge o valor de
Limiar chamado VT ou VGS(Limiar). A partir deste ponto forma-se o canal e ID passa a aumentar exponencialmente com o aumento de V GS.
FIG. 19
ID = K[(VGS - VGS(Limiar) ]2
Se, agora, interligarmos o contato da fonte com o contato do substrato, como normalmente é feito na prática, iremos melhorar o
funcionamento do transistor. Fig. 20 :
78
ELETRÔNICA BÁSICA
FIG. 20
Podemos notar que com este procedimento estaremos atraindo as lacunas para o lado do substrato (SB) e, simultaneamente, repelindo
os elétrons do substrato para longe do contato SB do substrato. Com esta ligação teremos uma melhor analogia com o capacitor da fig.
15. Assim sendo os elétrons irão mais facilmente para o canal e as lacunas sairão mais facilmente do canal. Desse modo não será
preciso aumentar tanto a tensão V DS para se atingir a tensão de limiar V T. Veja no gráfico da fig. 20, que a tensão V T2 é menos que a
tensão VT1 da fig. 19.
Transistores idênticos aos que estamos estudando, cujos cristal da fonte e dreno são do tipo N, são chamados de “MOSFET
canal N”, evidentemente teremos os “ MOSFETs canal P ”. A equação de I D é uma parábola com o vértice em VGS(Limiar) :
ID = K[(VGS - VGS(Limiar) ]2 (A)
K = Constante que depende do MOSFET.
As curvas fornecidas nos manuais nos traz os valores de I D(Ligado) , VGS(Limiar) e VGS(Ligado) , como indica a fig. 20b. Substituindo estes valores
na equação (A), encontramos o valor de K. Exemplo :
ID(Ligado) = 8mA VGS(Limiar) = 3V VGS(Ligado) = 5V
Logo teremos : 0,008 = K(5 - 3)2 = 4K  K = 0,002
Portanto, a equação deste transistor MOSFET será :
ID = 0,002((VGS - 3)2 (B)
I - POLARIZAÇÃO DO MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
Com os MOSFETs do tipo intensificação, VGS tem que ser maior do que VGS(Limiar) para se obter a corrente I D. Isto elimina autopolarização,
a polarização por fonte de corrente e a polarização zero, porque todas elas operam no modo depleção. Sobra a polarização da porta e a
polarização por divisor de tensão. Estas duas funcionam com os MOSFETs do tipo intensificação. Além da polarização da porta por
divisor de tensão, há mais um modo de polarizar os MOSFETs do tipo intensificação. A fig. 21b, abaixo, mostra o ponto Q na curva de
transcondutância. Ele tem coordenadas, ID(Ligado) e VDS(Ligado).
As folhas de dados para os MOSFETs do tipo intensificação geralmente fornecem uma valor de I D(Ligado) para VGS(Ligado) = VDS(Ligado) ; isto
permite a fixação do ponto Q. Devemos encontrar um valor de R D que nos forneça o valor de VDS especificado.
FIG. 21
a) 79 b)
ELETRÔNICA BÁSICA
A fig. 21a mostra a polarização por realimentação do dreno, um tipo de polarização que somente podemos usar com JFETs do tipo
intensificação. Quando o MOSFET está conduzindo ele está com uma corrente de dreno I D(Ligado) e uma tensão do dreno de V DS(Ligado).
Como a corrente de porta (G) , é aproximadamente zero, não aparece nenhuma tensão através de R G. Portanto VGS = VDS(Ligado) . Assim
como a polarização pelo coletor, o circuito da fig 21a, tende a compensar as mudanças nas características do FET. Se I D(Ligado) tenta
aumentar por qualquer razão, VDS(Ligado) diminui. Isto reduz VGS,, que compensa parcialmente o aumento inicial de I D(Ligado) .
Logo :
RD = [(VDD - VDS(Ligado) ] / ID(Ligado)

Exemplo :
ID(Ligado) = 3mA VDS(Ligado) = 10V VDD = 25V logo:
RD = (25 - 10)/0,003 = 5K
FIG. 22
Amplificador de três estágios :
80
ELETRÔNICA BÁSICA
FIG. 23
J -CIRCUITO SAMPLE - AND - HOLD
Como o JFET, o MOSFET pode funcionar como uma chave, em derivação ou em série com a carga. O MOSFET tipo
intensificação é particularmente conveniente em aplicações de chaveamento porque ele normalmente está desligado. A fig. 24 abaixo,
mostra um circuito útil chamado amplificador amostra e mantém. Quando Vcon é alto, o MOSFET se liga, e o capacitor carrega até o valor
da tensão de entrada. A constante de tempo de carga é muito pequena porque r ds(Ligado) é pequena. Quando
Vcon desce, o MOSFET se abre e o capacitor começa a se descarregar através do resitor des carga. Se a constante de tempo de
descarga for muito grande, o capacitor poderá manter a sua carga durante um longo tempo.
81
ELETRÔNICA BÁSICA
FIG. 24
K - CARGA ATIVA
A fig. 25a abaixo mostra um MOSFET e uma carga passiva (resistor R D). Neste circuito de chaveamento, V ent ou é alto, ou é baixo e o
MOSFET funciona como uma simples chave. Quando V ent é baixo, o MOSFET estará cortado e V saída é igual a VDD. Por outro lado, quando
Vent é alta, e o MOSFET conduzirá totalmente e V saída cai para um valor muito baixo, próximo ao nível de massa. Já a fig. 25b, mostra um
MOSFET (o transistor inferior) e uma carga ativa (MOSFET superior). Devido à polarização por realimentação do dreno, o MOSFET de
cima está sempre conduzindo. O MOSFET superior já é projetado para que sua r ds(Ligado) seja pelo menos 10 vezes maior que a r ds(Ligado) do
MOSFET inferior. assim sendo, o MOSFET superior funciona como um resistor e o inferior como uma chave.
FIG. 25
L - INVERSOR CMOS
FIG. 26
Quando a Vent é baixa, o MOSFET inferior está desligado, mas o de cima está ligado. Portanto a tensão de saída é alta. Por outro lado,
quando Vent é alta, o MOSFET de baixo está ligado e o de cima está desligado. Neste caso, a tensão da saída é baixa.
M - MOSFET TIPO DEPLEÇÃO
82
ELETRÔNICA BÁSICA
Este MOSFET é construído com um canal entre fonte e dreno. Este canal é difundido logo abaixo da superfície isolante de óxido de silício,
interligando a fonte ao dreno, formando pois, o “MOSFET tipo DEPLEÇÃO”. A fig. 27 abaixo mostra um MOSFET tipo depleção
alimentado através de uma fonte entre fonte e dreno, originando a tensão V DS.
FIG. 27
Como já existe um canal formado entre dreno e fonte, teremos um corrente I D circulando através deste canal, mesmo sem aplicar tensão
entre porta (G) e fonte (S). Nota-se na figura que ao ligar o substrato (SB) à fonte (S), o canal toma uma forma afunilada como acontecia
com o JFET. No MOSFET tipo Depleção a ligação é feita entre o substrato (SB) e a fonte e não entre a porta (G) e a fonte (S), como no
JFET. Assim, a junção dreno substrato, fica polarizada reversamente alargando a zona de depleção na extremidade do canal próximo ao
dreno, afunilando-a.
A zona de depleção interna da região N não está representada na figura pois, se tratando de uma região altamente dopada, a zona de
depleção se torna muito estreita e praticamente acompanha o contorno da junção PN. O termo depleção vem do fato do canal ser
formado a partir de uma dopagem, ao contrario do MOSFET tipo enriqecimento, onde o canal é formado por indução de cargas. Vamos
agora colocar uma fonte variável entre a porta (G) e a fonte (S),como indicado na fig. 28 , admitindo uma variação de V GS desde valores
negativos a valores positivos.
FIG. 28
83
ELETRÔNICA BÁSICA
No caso da fig. 28, V GS está em zero volt e não provoca nenhuma alteração do canal, por ser V GS = 0V é o mesmo que ter um curto-
circuito entre a porta e a fonte e, consequentemente, um curto entre a porta e o substrato. Com esses curtos, a porta (G) e a fonte (S) e o
substrato (SB) terão o mesmo potencial que no caso é negativo, não se verificando o efeito capacitivo. Porém, se começarmos a
aumentar a tensão VGS para valores positivos como foi feito no caso do transistor tipo enriquecimento, veremos que ocorre um
alargamento do canal e, consequentemente, um aumento da corrente I D. Veja a fig. 29 abaixo :
FIG. 29
Podemos também fazer uma analogia com a variação de V GS, no caso dos JFETs de canal N, que era responsável pela variação da
largura do canal. Se começarmos a aumentar negativamente a tensão, ou seja, fazendo com que a porta (G) fique mais negativa em
relação à fonte, o canal começará a diminuir, como indicado na fig.30.
FIG. 30
84
ELETRÔNICA BÁSICA
Seguindo o mesmo raciocínio da analogia com o capacitor, verificamos que a polaridade negativa da porta repele os elétrons do canal,
enquanto que a polaridade positiva do substrato ajuda esse fenômeno, ao atrair esses elétrons para perto de SB. Com isso as lacunas
vão ocupando mais e mais o canal, cuja largura vai diminuindo. se continuarmos a aumentar o valor negativo de V GS, poderemos chegar
ao ponto de “fechar” o canal por completo, ou seja, diminuir o número de elétrons até interrompe o fluxo de corrente I D. Essa tensão
negativa de VGS no qual o fluxo de corrente é interrompido, é a tensão de limiar V T do transistor MOS tipo depleção. O comportamento de
ID em função de VGS está mostrado na fig. 31 abaixo :
FIG. 31
Nesta figura podemos ressaltar dois pontos importantes :
a) O ponto A, que mostra claramente a existência decorrente apesar de V GS ser igual a zero, o que se deve à preexistência do
canal.
b) O ponto B, onde podemos ver V T - tensão de limiar do MOSFET tipo depleção e que é negativa. Para o MOSFET canal P o
raciocínio é análogo, pois apenas inverte-se a polaridade das fontes. Então as lacunas do mesmo passam a se comportar como os
elétrons no caso anterior e vice-versa. Na fig. 32 podemos visualizar todos os tipos de transistores MOS e seu respectivos símbolos.
85
ELETRÔNICA BÁSICA
SIMGOLOGIA GERAL
FIG. 32
N - TRANSISTOR MOSFET – VMOS - COMPLEMENTO
86
ELETRÔNICA BÁSICA
A fig. 33a mostra novamente a estrutura do MOSFET do tipo intensificação num circuito integrado.Os elétrons livres fluem
horizontalmente da fonte para o dreno quando V GS é maior do que a tensão de limiar. esta estrutura convencional limita a corrente máxima
porque os elétrons livres precisam fluir ao longo da estreita camada de inversão, simbolizada pela linha
pontilhada. Pelo fato do canal ser tão estreito, os componentes MOS convencionais possuem pequenas correntes de , o que implica baixa
especificação de potência (tipicamente menor que 1W).
FIG. 33
CANAL VERTICAL :
A fig. 33b mostra a estrutura de um MOS Vertical - VMOS. Observe que ele possui duas fontes na parte de cima que geralmente estão
interligadas. Além disso, o substrato age como o dreno. Quando V GS é maior do que a tensão de limiar, os elétrons livres fluem
verticalmente para baixo das duas fontes para o dreno. Pelo fato do canal condutor ser muito largo ao longo dos dois lados do sulco em V,
as corrente pode ser muito maior. O efeito total é um MOSFET do tipo intensificação que pode suportar correntes e tensões muito
maiores do que um MOSFET convencional. Atualmente os VMOS oferecem um novo tipo de MOSFET que é melhor do que os transistor
bipolar em muitas aplicações que requerem alta potência de carga, incluindo os amplificadores de audio e RF.
DERIVA TÉRMICA :
Uma das maiores vantagens que os transistores VMOS têm sobre os transistores bipolares é a ausência de deriva térmica. Um transistor
VMOS tem um coeficiente térmico negativo. À medida que a temperatura do componente aumenta, a corrente de dreno diminui, o que
reduz a dissipação de potência. Por isso, o transistor VMOS não pode entrar em deriva térmica, e isto constitui uma grande vantagem em
qualquer amplificador de potência.
MAIOR VELOCIDADE DE CHAVEAMENTO :
Quando um transistor bipolar é usado como chave (atingindo a saturação), um projeto seguro procura a dotar uma corrente de base I B que
seja aproximadamente 0,1x Icmáx, ou, IBSAT = K x IBMINSat, sendo 5K10. Como a maioria dos transistores têm um  10, u excesso de
corrente de base garante a saturação de um transistor para outro. Mas o excesso de corrente de base também provoca um problema a
mais que não mencionamos até agora. Portadores extras são armazenados na região da base de um transistor saturado.
Quando o transistor tenta sair da saturação, há um pequeno atraso chamado tempo de atraso de saturação t S (também
chamado tempo de armazenamento). por exemplo, o tempo de armazenamento de um 2N3713 é de 0,3s Isto significa que leva
aproximadamente 0,3s para um 2N3713 sair da saturação depois que IB = 0. Uma outra vantagem que transistor VMOS tem sobre o
transistor bipolar é a falta do tempo de armazenamento . Pelo fato de não haver cargas extras armazenadas no VMOS quando está
conduzindo, ele pode sair da saturação quase que instantâneamente.Típicamente um VMOS pode reduzir uma corrente da ordem de
ampères em nanosegundos.
Isto representa 10 a 100 vezes mais rápido do que um transistor bipolar comparável. Na fig. 34 vemos um VMOS sendo utilizado como
uma interface para alimentação de um relé e um motor.
87
ELETRÔNICA BÁSICA
FIG. 34
O - ESTUDO SOBRE A POLARIZAÇÃO DA PORTA :
Na fig. 35a vemos a polarização da porta (semelhante à polarização da base de um transistor bipolar). A fig. 35b mostra o mesmo circuito
e modo simplificado. Esta é a pior forma possível de se estabelecer o ponto Q de um JFET. A razão disto é porque há uma variação
considerável entre os valores máximos e mínimos dos parâmetros de um JFET. Por exemplo, aqui estão os parâmentros de um 2N5459 :
IDSS VGS(Desligado)
Mínimo 4mA -2V
Máximo 16mA -8V
Isto implica que as curvas de transcondutância mínimo e máximo sejam deslocados como mostra a fig. 35c. A polarização da porta aplica
uma tensão fixa à porta, o que resulta num ponto Q altamente sensível ao JFET específico que for usado. Suponha, por exemplo, que V GS
= -1V, e que tracemos um linha vertical em V GS = -1V, como mostra a fig. 35c. Na produção em massa, um circuito com polarização da
porta usando o 2N5459 pode ter um ponto Q localizado em qualquer lugar entre Q 1 e Q2. A corrente de dreno para Q1 é :
ID = 0,16(1 - 1/8)2 = 12,3mA
A corrente de dreno para Q2 será :
ID = 0,004(1 - 1/2)2 = 1mA
A variação na corrente de dreno é tão grande que a polarização da porta está fora de questão ao se estabelecer o ponto Q.
P - AUTOPOLARIZAÇÃO
A fig. 35 e 36 mostram a autopolarização, uma outra forma de se polarizar um JFET. Já utilizamos este princípio anteriormente. A idéia
consiste em se usar a tensão sobre RS para produzir a tensão reversa de polarização porta-fonte. Se a corrente de dreno aumentar, a
88
ELETRÔNICA BÁSICA
queda de tensão sobre R S aumentará porque produto RS.ID aumenta. Isto produz um aumento da tensão reversa porta-fonte, o que faz o
canal estreitar-se mais, e reduz a corrente de dreno.
FIG. 35
FIG. 36
Por outro lado, se a corrente de dreno diminuir, a tensão reversa da porta-fonte diminuirá e o canal torna-se mais largo, o que permite um
aumento da corrente de dreno. Isto compensa parcialmente a diminuição inicial da corrente de dreno. Determinação da tensão porta fonte
:
Como a porta tem polarização reversa na fig. 36a, flui uma corrente de porta desprezível através de R G, e assim a tensão da porta com
relação ao terra é zero :
VG = 0
A tensão fonte terra é igual a: VS = IDRS
Logo teremos : VG = VGS + VS = 0  VGS = 0 - RSID
VGS = - RS ID
Tirando o valor de ID temos :
ID = -VGS / RS
VGS = 0V  ID = 0
VGS = -1V ID = 2mA
VGS = -2V ID = 4mA
Vemos que a corrente de dreno aumenta linearmente com a tensão V GS. A fig. 36b mostra uma curva de transcondutância com um IDSS
de 4mA e uma tensão VGS(Desligado) = -2V. Se plotarmos ID e VGS para uma resistência de 500, nos teremos a linha de
autopolarização indicada na fig. 36b. O ponto Q é o ponto de interseção entre a curva de transcondutância e a linha de auto polarização.
Observe que ID no ponto Q é ligeiramente menor que 2mA. A inclinação da linha de autopolarização é - 1/R S.
Efeito das variações de RS sobre o ponto Q :
89
ELETRÔNICA BÁSICA
A fig. 36d mostra as variações do ponto Q quando a R S varia. Na região intermediária há um valor ótimo para R S, que estabelece o ponto
Q próximo ao meio da curva de transcondutância. Quando a folha de dados de um JFET inclui uma curva de transcondutância (às vêzes
chamada característica de transferência), podemos encontrar o ponto Q para a autopolarização da seguinte forma :
1. Escolha qualquer valor conveniente de corrente de dreno.

2. Multiplique a corrente de dreno escolhida por RS.
3. Marque a ID e VGS correspondente no gráfico.
4. Plote a linha de autopolarização.
5. Leia as coordenadas do ponto Q.
Seja RS = 470 e que tenhamos a curva dada pelo fabricante como mostrado na fig. 37 abaixo :
FIG. 37 :
Inicialmente adotamos um valor conveniente de corrente de dreno. Suponhamos que seja a metade de I DSS, ou 5mA. teremos para a
queda de tensão sobre RS :
VS = 0,005 x 470 = 2,35V
O que significa que VGS = -2,35V
Plotando o ponto e a linha de autopolarização, lemos os valores :
ID = 4,4mA e VGS =-2V
Projeto gráfico
Termos dois processos a saber :
a) Se estivermos projetando um circuito com autopolarização, desenhamos a reta de autopolarização de forma que ela intercepte a curva
de transcondutância em algum ponto próximo do meio da curva de transcondutância. a seguir lemos as coordenadas do ponto Q, e
teremos para RS :
RS = -VGS / ID
b) Na fig. 38a, desenhamos um linha de autopolarização através do ponto de coordenadas I DSS e VDS(Desligado). Cada ponto na linha de
autopolarização deve satisfazer a Lei de Ohm. Plortanto :
RS = VGS(Desligado) / IDSS
satisfazendo esta equação, o projeto terá um JFET autopolarizado com um ponto Q em algum lugar próximo da metade da sua curva de
transcondutância. exemplo :
90
ELETRÔNICA BÁSICA
VGS(Desligado) = - 6V
IDSS = 10mA
RS = 6/0,010 = 600  620
A fig. 38b mostra a curva de transcondutância e a linha de autopolarização para um resistor de 600. O ponto Q está próximo do meio da
curva de transcondutância Se a folha de dados de incluir as duas curvas de transcondutância, a mínima e a máxima, podemos traçar a
linha de polarização através das duas curvas para obter um ponto Q próximo do meio de cada curva. Consideremos as curvas da fig. 38c,
na qual traçamos a linha de autopolarização passando pelo centro das duas curvas. Em seguida, lemos a corrente e a tensão para cada
ponto Q. Em seguida calculamos RS ótimo com -VGS/ID. Exemplo :
IDSSmím = 8mA VGS(Desligado) = -2V

IDSSmáx = 20mA VGS(Desligado) = - 6V
teremos :
RS = 2/0,008 = 250
RS = 6/0,020 = 300
O valor médio será : RS = 275
FIG. 38
A fig. 39 mostra a curva de transcondutância de um 2N5457. Se este JFET for usado num circuito autopolarizado, quais são a corrente e
a tensão quiescente para um RS de 100 ? Para um RS de 1K ? Que valor de RS obtemos com RS = VGS(Desligado) / IDSS ?
Temos : VGS = (-0,005) x (100) = - 0,5V. Para VGS = - 0,5V e IDSS = 5mA (linha superior de autopolarização). As coordenadas de Q1 são :
ID  3,33mA VGS  - 0,32V
Para um RS = 1k e ID = 2,5mA, teremos : VGS = (-0,0025)x (1000) = - 2,5V
91
ELETRÔNICA BÁSICA
FIG. 39
Plotando estes pontos teremos a linha de autoplarização inferior e as coordenadas de Q 3 serão :
VGS  1,2mA
ID  - 1,1V
A linha de autopolarização média é obtida utilizando-se a equação : R S = VGS(Desligado) / IDSS
RS = 2/0,005 = 400
Plotando esta linha de autopolarização, teremos a linha média, tendo o ponto Q 2 as coordenadas :
VGS = - 0,75V
ID = 1,9mA
Q - POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO
A fig. 40 mostra esta forma de polarizar o JFET. O método é semelhante à da polarização do transistor bipolar visto anteriormente. A
tensão de Thevenin da porta é :
VTH = VDD x R2/(R1 + R2)
VTH = VS + VGS , e portanto :
VS = VTH - VGS
A corrente de dreno será :
ID = (VTH - VGS )/RS (I)
A tensão cc do dreno será :
VD = VDD - RDID
FIG. 40
Se VTH for suficientemente grande para sobrepujar V GS, na equação (I), a corrente de dreno será praticamente constante para qualquer
JFET, como mostra a FIG. 40b.
Temos, porém, um sério problema : Em um transistor bipolar a tensão V BE é de aproximadamente 0,7V, com pequenas variações de um
transistor para outro. Num JFET, entretanto, V GS pode variar da vários volts de um JFET para outro. Com tensões de alimentação típicas
torna-se difícil fazer VTH suficientemente grande para realimentar VGS. Por este motivo este tipo de polarização não é tão eficiente com
JFETs como com os transistores bipolares.
92
ELETRÔNICA BÁSICA
R - POLARIZAÇÃO POR FONTE
A fig. 41 abaixo mostra este tipo de polarização.
A idéia é de sobrepujar as variações de V GS. Como a maior parte da tensão V SS aparece através de RS, a corrente ID é aproximadamente
igual a VSS/ RS . O valor exato é dado por :
ID = (VSS - VGS )/ RS
Para que a polarização funcione bem é preciso que V SS seja muito maior que V GS. Entretanto uma faixa de variação típica de V GS é de -1V
a -5V, logo podemos ter que uma realimentação perfeita não pode ser obtida com as tensões de alimentações típicas. Na fig. 41b, se a
tensão VGS mínima for de -1V, qual a corrente de dreno ? Qual a tensão de dreno ? Teremos :
O divisor de tensão produz uma tensão VTH = 15V
Logo teremos para ID :
ID = [(15 - (-1)]/7500
ID = 2,13mA
A corrente de dreno máxima será :
ID = [(15 - (-5)]/7500
ID = 2,67mA
FIG. 41
Quando ID = 2,13mA, a tensão de dreno será :
VD = [30 - (0,00213 x 4700)] = 20V FIG. 41
Quando ID = 2,67mA, a tensão de dreno será :
VD = [30 - (0,00267 x 4700)] = 17,5V
Entre Q1 e Q2, há um ligeiro aumento de I D e uma ligeira diminuição da tensão de dreno. Nossa conclusão é que a polarização por divisor
de tensão funciona muito bem na manutenção de um ponto Q fixo. Na fig. 42 vemos um estágio de amplificação de pequenos sinais
utilizando um JFET.
FIG. 42
Deve-se ressaltar que a camada isolante presente na porta de um MOSFET atribui-lhe uma altíssima impedância de entrada, muito maior
do que a dos transistores bipolares. Por outro lado, a presença do contato metálico na porta, torna este transistor muito sensível à
interferências eletromagnéticas. Temos ainda que ressaltar a sua alta sensibilidade a eletricidade estática. Num MOSFET sem proteção,
se tocarmos com os dedos nos seus terminais, iremos danificar a camada isolante de óxido metálico. Alguns tipos de transistores já
possuem proteção interna, como indicado na fig. 43 abaixo.
93
ELETRÔNICA BÁSICA
FIG. 43
O - EXEMPLO DE APLICAÇÕES EM ÇIRCUITOS DE TELECOMUNICAÇÕES :
a) Circuito misturador :
b) Estágio amplificador sintonizado para pequenos sinais :
94
ELETRÔNICA BÁSICA
FIG. 44
POLARIZAÇÃO DO JFET  COMPLEMENTO
Regiões de Depleção
ou de Barreira de
Potencial
Fig. 1 - Polarização do JFET Fig. 2 - Polarização do JFET
A figura 1 e 2 apresenta o circuito de polarização de um transistor JFET de canal n. Observa-se que para que seja possível o controle da
corrente de dreno são necessárias as seguintes condições:
VDD > 0 ou VGG < 0
O fluxo de elétrons da fonte para o dreno depende da largura do canal, isto é, polarização reversa na porta causa aumento das regiões de
depleção, diminuindo a largura do canal e dificultando desta forma a passagem da corrente entre o dreno e a fonte (é uma região de íons,
formada pela difusão pela junção). Desta forma temos as seguintes condições:
a) LARGURA DO CANAL: depende da tensão V GG, isto é, quanto mais negativa, maior será a região de depleção e portanto,
mais estreito o canal.
95
ELETRÔNICA BÁSICA
b) TENSÃO DE CORTE (VGS): é a tensão suficiente para desaparecer o canal (V GScorte) também conhecida como Tensão de
Deslocamente (pinch-off).
c) CORRENTE DE FUGA DA PORTA: Como a junção da porta opera em polarização reversa, tem-se uma corrente baixa; desta
forma, a CORRENTE DE DRENO é igual à CORRENTE DA FONTE (I D). Esta é a causa da alta impedância de entrada dos JFET.
OBS: Como a polarização reversa entre a porta e a fonte (V GS) não consome corrente e a largura do canal depende de V GS, o controle de ID
é efetivamente feito pela tensão da porta.
CURVA DE ID = F(VDS)
Fig. 3 - Curvas de Dreno do JFET
A figura 03 apresenta as curvas de dreno de um JFET tipo n. Observa-se que estas características são semelhantes às características de
um transistor BJT, apresentando as regiões de saturação, ruptura, e região ativa . Observa-se também que, nestas características, a
região entre VDS = 0 e VDS = 4V apresenta um comportamento linear (região ôhmica) e que a partir de V p a resistência aumenta. Para VGS =
0 (porta em curto) e uma tensão V DS = Vp a corrente de dreno assume o valor I DSS, que é a máxima corrente de dreno (drain-source short
circuit current).
Observa-se que há uma semelhança entre as características de dreno do transistor JFET com as características de coletor de um
transistor BJT. Nota-se uma região de saturação, compreendida entre V DS = 0 e VDS = Vp. Há uma equivalência entre corrente de dreno no
JFET e corrente de coletor do BJT, bem como entre a tensão dreno-fonte do JFET e a tensão coletor-emissor do BJT. A região de
saturação do JFET também é conhecida como REGIÃO ÔHMICA, pois nesta região a resistência entre dreno e fonte é dependente da
tensão de controle da porta. Daí o fato dos transistores FET poderem ser utilizados em circuitos onde se necessita o controle de
resistência através de tensão.
Uma característica importante do transistor FET é que este apresenta uma tensão V GS de corte igual a tensão Vp (máxima na saturação).
CURCA DE TRANSCONDUTÂNCIA
A curva de transcondutância relaciona a corrente de saída com a tensão de entrada de um JFET. Através da Equação de Schokley
relaciona-se a corrente ID com a tensão VGS, segundo uma relação quadrática:
Como o JFET apresenta uma relação quadrática entre a corrente de dreno-fonte e a tensão de controle V GS, diz-se que este dispositivo é
um dispositivo de Lei Quadrática.
96
ELETRÔNICA BÁSICA
Fig. 4 - Curva de Transcondutância
Na região ôhmica, o JFET apresenta a seguinte relação para a sua resistência de canal:
Idmax = KV2, onde K é uma constante especificada pelo fabricante.
CARACTERÍSTICAS DO JFET
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, você deverá ser capaz de:
1. Traçar as curvas características de dreno a partir de valores medidos.

2. Traçar as curvas características de transferência a partir de valores medidos.
3. Determinar a resistência de canal a partir de valores medidos.
4. Ligar o JFET como uma resistência variável em um circuito.
5. Determinar a transcondutância do JFET a partir de valores medidos.
2.0 DISCUSSÃO
O FET (nesta experiência usa-se o JFET de canal n) tem dois modos principais de operação:
1. Baixas tensões Vds, onde Vds/Ids é constante e denominado Rds. Neste modo, usa-se o FET como um atenuador, ou como um
resistor variável.
2. Altas tensões Vds, começando em Vp (também chamado de Vgs(off)), onde Id permanece quase constante enquando Vds é
aumentado. Neste modo, usa-se o FET como amplificador ou como fonte de corrente.
Nota: Há uma diferença de parâmetros entre os FETs de cada unidade, o que é perfeitamente normal.
3.0 PROCEDIMENTO
Efetuar a montagem abaixo :
97
ELETRÔNICA BÁSICA
Fig. 1 - Circuito com JFET

CURVAS DE DRENO
1. Meça e registre os valores das tensões e correntes para cada caso.
PRESTE ATENÇÃO: Mudanças na escala do amperímetro afetam as medidas e ajustes! Se mudar a escala do amperímetro, refaça o
ajuste de Vds. Usar o osciloscópio no modo HF Rej.
Vds[V] 0 0.1 0.25 0.5 1.0 2.0 5 10

Vgs[V] Id[mA]
0
-0.25
-0.5
-1.0
-3.0
Fig. 2 - Características do Dreno
2. Repita o passo anterior para todos os valores de Vgs da tabela e complete-a.

3. Em seguida, trace as Curvas Características de Dreno (conforme sugestão na figura 3), a partir dos valores medidos e responda:
Quais são os valores de Idss e Vp (quando Vgs = 0 ) ?
Fig. 3 - Curvas Características de Dreno
98
ELETRÔNICA BÁSICA
CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERÊNCIA
4. Usando os resultados obtidos na figura 2, registre as variações da corrente de dreno Id com a variação na tensão de porta Vgs, para
três tensões Vds diferentes, conforme indicado na figura 4.
Vgs[V] 0 -0.25 -0.5 -1.0 -3.0

Vds[V] Id[mA]
0.1
1
10
Fig. 4 - Características de Transferência
5. Trace as Curvas Características de Transferência conforme sugestão na figura 5.
Fig. 5 - Curvas Características de

Transferência
RESISTÊNCIA DO CANAL (Rds)
6. Retorne as fontes PS-1 e PS-2 aos seus valores mínimos (zerar as fontes). Monte o circuito de teste da figura Obs: Neste circuito, a
fonte PS-1 precisa ser ligada com fio. Use o voltímetro na menor escala.
Fig. 6 - Circuito Para Medida de Resistência "ON"
7. Ajuste a fonte PS-1 inicialmente para 1V (meça com o osciloscópio diretamente em Vin1).
8. Meça a tensão Vds para as duas situações indicadas na figura 7 e calcule o valor da resistência de canal Rds(on) em Ohms, para cada
caso, considerando-se que R3 vale 10k. Houve alteração no valor de Rds(on) ? Por que Vds tem que ser baixo ?
Vds [mV] PS-1 [V] Rds(on) []

1
2
Fig. 7 - Medidas de Resistência do Canal
99
ELETRÔNICA BÁSICA
O FET COMO RESISTÊNCIA VARIÁVEL (ATENUADOR)
9. Retorne as fontes PS-1 e PS-2 aos seus valores mínimos (zerar as fontes) e faça as ligações do circuito da figura 8. O circuito é um
divisor resistivo R3-Rds, observe !
10. Ajuste Vgs para 0V.
11. Ajuste a freqüência do gerador de sinais para 1kHz e sua amplitude para 200mVp-p com uma componente contínua de 100mV, como
mostra a Fig. 9.
Fig. 8 - O FET como Atenuador

200
100
Fig. 9 - Forma de Onda do Sinal de Entrada
12. Meça a tensão dreno-fonte Vds e anote os valores de pico-a-pico na Figura 10. Meça e registre o valor da tensão de entrada Vin1 ao
mesmo tempo. Mude os valores de Vgs de acordo com a tabela da Fig. 10 e complete-a. Responda:
As mudanças em Vds são lineares ? Por que ? Obs: Rds é diferente para cada Vgs.
Vgs [V] Vds [mVpp] Vin1 [mVpp]

0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-5.0
100
ELETRÔNICA BÁSICA
Fig. 10 - Medidas de Atenuação
13. Aumente Vent para 3Vp-p com uma componente contínua de 1.5V. Varie o valor de Vgs entre 0V para -5V e observe as mudanças
em Vds. Responda:
Há distorções ? Explique as causas.
TRANSCONDUTÂNCIA
14. Ligue o circuito da Fig. 11 para medir a transcondutância do FET.
Fig. 11 - Medidas de Transcondutância
15. Digite "*" para mudar o contador de experiências para 5 e ajuste Vgs (PS-2) para 0V (ou então ligue R4 ao terra).
16. Ajuste a fonte de tensão PS-1 para obter Id=Idss do seu FET (até a corrente se estabilizar).
17. Ajuste a freqüência de saída do gerador de sinais para 1 kHz e amplitude para 100mVp-p.
18. Meça e apresente as tensões de entrada e saída no modo AC do osciloscópio, e calcule a transcondutância de acordo com a seguinte
fórmula:
sendo que R2=2.2k

Obs: Quando Vgs=0, gm é chamada de gm0 e existe uma expressão alternativa para gm0 :
19. Recalcule e compare o resultado com o resultado anterior.
CARACTERÍSTICAS DOS TRANSISTORES VMOS-FET
1.0 OBJETIVOS
1. Introduzir as noções básicas construtivas de semicondutores de efeito de campo de óxido metálico (Transistores MOSFET);
2. Entender o funcionamento dos transistores MOSFET, comparando-os com os BJT.
2.0 DISCUSSÃO
Os Transistores FET de Óxido Metálico (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor - MOSFET) também são conhecidos como
Transistores FET de Porta Isolada (Insulated-Gate Field-Effect Transistor - IGFET), e estes nomes devem-se ao processo construtivo
utilizado nestes semicondutores. De acordo com a tecnologia de fabricação ou conforme o modo de operação, os MOSFET podem ser
classificados nos seguintes tipos (entre outros) :
 DEPLEÇÃO: (DEPLETION MOSFET)

101
ELETRÔNICA BÁSICA
 INTENSIFICAÇÃO: (ENHANCEMENT MOSFET)
 CONDUÇÃO VERTICAL: (VMOS)
2.1. MOSFET TIPO DEPLEÇÃO
A figura 1 apresenta o diagrama construtivo de um MOSFET tipo Depleção de canal n e o símbolo elétrico correspondente.
Fig. 1 - O Transistor MOSFET (canal n)
Quanto aos aspectos construtivos destacados na figura 1, observa-se que o dispositivo é construído sobre material semicondutor (silício)
fracamente dopado (baixa concentração de impurezas), chamado substrato (SS) e que tem com função principal a sustentação mecânica
do componente; na maioria dos dispositivos MOSFET o substrato é eletricamente conectado ao terminal S (fonte); a porta (gate) é isolada
do canal através de uma fina camada de Dióxido de Silício (SIO2), material isolante que é um tipo de vidro e funciona como dielétrico. A
isolação promovida pelo óxido é a responsável pela altíssima impedância de entrada deste tipo de dispositivo. A região n (canal) tem
dopagem em níveis convencionais” e as regiões n+ são fortemente dopadas (alta concentração de impurezas). Os contatos elétricos S e D
têm por função a conexão elétrica da pastilha ao meio externo, enquanto o terminal G também tem finalidade funcional, ao constituir a
porta do dispositivo. O símbolo apresentado na figura 1 representa a porta como um terminal isolado, os terminais de dreno e fonte com
acesso externo, o substrato ligado ao terminal de fonte, e o sentido da seta simbolizando o sentido do fluxo de portadores em um
MOSFET de canal n.
CARACTERÍSTICAS IMPORTANTES
Controlado por Tensão: A corrente entre o dreno e a fonte é controlada pela tensão aplicada na porta, em contraste com o transistor BJT,
Alta impedância de entrada: Para que seja possível o controle de corrente do canal tipo n é necessário que se produza uma polarização
no canal através da porta, com o transporte de portadores da região do canal, provocando desta forma um aumento ou diminuição de
portadores nesta região; em decorrência disto obtém-se uma variação da resistência do canal. Como a porta é isolada do canal através
da película de óxido de silício há uma altíssima impedância de entrada (da porta) para estes dispositivos.
FUNCIONAMENTO
a) VGS=0: Com uma polarização nula na porta, não há alteração do canal (fisicamente ou eletricamente) e a corrente que flui pelo canal é
devida aos elétrons livres, da mesma forma que ocorre nos transistores JFET.
b) VGS<0: Aplicando-se uma tensão negativa na porta estabelece-se um campo elétrico no material dielétrico de modo que os elétrons do
canal são repelidos em direção do substrato e as lacunas do substrato são atraídas, ocorrendo recombinação de portadores e causando
uma diminuição do número de elétrons livres no canal. Quanto mais negativa for a tensão V GS, menor a corrente entre o dreno e a fonte
(IDS).
c) VGS>0: Ao aplicar-se uma tensão positiva na porta, estabelece-se um campo elétrico que arrasta os portadores livres do substrato
(corrente de fuga), criando-se assim, novos portadores de corrente no canal a partir das colisões resultantes, e em decorrência disto há
um aumento na capacidade de condução de corrente no canal; isto é chamado de operação no modo intensificação.
102
ELETRÔNICA BÁSICA
CURVAS DE DRENO
Fig. 2- Curvas de Dreno do MOSFET
Fig. 3 - Curva de Transcondutância do MOSFET
2.2. MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO (ENHANCEMENT)
A figura 4 apresenta o diagrama construtivo de um MOSFET tipo Intensificação canal n e o símbolo elétrico correspondente.
Fig. 4 - O MOSFET intensificação (canal n)
103
ELETRÔNICA BÁSICA
Quanto aos aspectos construtivos destacados na figura 4, valem as mesmas observações do MOSFET tipo Depleção, exceto o fato de
não haver canal por dopagem; este tipo de dispositivo não tem a região do canal n, o qual é produzido por indução de portadores no
próprio substrato p-.
FUNCIONAMENTO
a) VGS0: Aplicando-se uma tensão diferente de zero entre dreno e fonte (V DS0) não haverá corrente circulando entre estes terminais
(IDS), uma vez que as junções pn estarão polarizadas reversamente e no substrato não há portadores livres suficientes para estabelecer
fluxo de corrente.
b) VGS>0: Aplicando-se uma tensão positiva na porta estabelece-se um campo elétrico tal que os elétrons do substrato (portadores
minoritários) são atraídos próximo à região de gate e as lacunas (portadores majoritários) são repelidas; os elétrons próximos do óxido de
silício (SiO2) estarão mais concentrados quanto maior for o valor de V GS, até permitir o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte, se houver
tensão VDS aplicada. Quanto maior for o valor de VGS, maior será a corrente ID .
Observação: A tensão VGS que permite o fluxo de corrente I DS é chamada de Vt (tensão de limiar) ou V GS(TH) (Threshold VGS). Para valores
de tensão menores do que este, não há corrente de dreno-fonte.
2.3. VMOS-FET (MOSFET DE CONSTRUÇÃO VERTICAL)
Fig. 5 - O MOSFET tipo V (construção vertical)
Quanto aos aspectos construtivos destacados na figura 5, valem as mesmas observações do MOSFET tipo Intensificação, com a
construção sendo vertical (não-planar); este tipo de construção permite um canal mais largo, com conseqüente maior capacidade de
corrente (dispositivos de maior potência). Outra vantagem deste tipo de construção é a menor resistência de canal
FUNCIONAMENTO
O funcionamento é idêntico ao MOSFET intensificação.
Particularidades dos Transistores MOSFET:
1) Altíssima impedância de entrada (no JFET por causa da polarização reversa, no MOSFET por causa da isolação promovida pelo
óxido);
2) Acúmulo excessivo de cargas nas extremidades da finíssima camada de óxido de silício, estabelecendo uma ddp que pode danificá-
la. É necessário manter os terminais do MOSFET em curto até o momento da inserção do componente no sistema
Deve-se ressaltar que a camada isolante presente na porta de um MOSFET atribui-lhe uma altíssima impedância de entrada, muito maior
do que a dos transistores bipolares. Por outro lado, a presença do contato metálico na porta, torna este transistor muito sensível à
interferências eletromagnéticas.
Temos ainda que ressaltar a sua alta sensibilidade a eletricidade estática. Num MOSFET sem proteção, se tocarmos com os dedos nos
seus terminais, iremos danificar a camada isolante de óxido metálico. Alguns tipos de transistores já possuem proteção interna, como
indicado na fig. 08 abaixo.
104
ELETRÔNICA BÁSICA
EXEMPLO DE APLICAÇÕES EM ÇIRCUITOS DE TELECOMUNICAÇÕES
a) Circuito misturador :
Fig. 09
b) Estágio amplificador sintonizado :
105
ELETRÔNICA BÁSICA
CARACTERÍSTICAS DOS TRANSISTORES MOS-FET
Os Transistores FET de Óxido Metálico (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor - MOSFET) também são conhecidos como
Transistores FET de Porta Isolada (Insulated-Gate Field-Effect Transistor - IGFET), e estes nomes devem-se ao processo construtivo
utilizado nestes semicondutores. De acordo com a tecnologia de fabricação ou conforme o modo de operação, os MOSFET podem ser
classificados nos seguintes tipos (entre outros) :
 DEPLEÇÃO: (DEPLETION MOSFET)
 INTENSIFICAÇÃO: (ENHANCEMENT MOSFET)
1. MOSFET TIPO DEPLEÇÃO
A figura 1 apresenta o diagrama construtivo de um MOSFET tipo Depleção de canal n e o símbolo elétrico correspondente.
Fig. 1 - O Transistor MOSFET (canal n) – Tipo Depleção
Quanto aos aspectos construtivos destacados na figura 1, observa-se que o dispositivo é construído sobre material semicondutor (silício)
fracamente dopado (baixa concentração de impurezas), chamado substrato (SS) e que tem com função principal a sustentação mecânica
do componente; na maioria dos dispositivos MOSFET o substrato é eletricamente conectado ao terminal S (fonte); a porta (gate) é isolada
do canal através de uma fina camada de Dióxido de Silício (SIO2), material isolante que é um tipo de vidro e funciona como dielétrico. A
isolação promovida pelo óxido é a responsável pela altíssima impedância de entrada deste tipo de dispositivo. A região n (canal) tem
dopagem em níveis convencionais” e as regiões n+ são fortemente dopadas (alta concentração de impurezas). Os contatos elétricos S e D
têm por função a conexão elétrica da pastilha ao meio externo, enquanto o terminal G também tem finalidade funcional, ao constituir a
porta do dispositivo. O símbolo apresentado na figura 1 representa a porta como um terminal isolado, os terminais de dreno e fonte com
acesso externo, o substrato ligado ao terminal de fonte, e o sentido da seta simbolizando o sentido do fluxo de portadores em um
MOSFET de canal n.
CARACTERÍSTICAS IMPORTANTES
Controlado por Tensão: A corrente entre o dreno e a fonte é controlada pela tensão aplicada na porta, em contraste com o transistor BJT,
Alta impedância de entrada: Para que seja possível o controle de corrente do canal tipo n é necessário que se produza uma polarização
no canal através da porta, com o transporte de portadores da região do canal, provocando desta forma um aumento ou diminuição de
portadores nesta região; em decorrência disto obtém-se uma variação da resistência do canal. Como a porta é
isolada do canal através da película de óxido de silício há uma altíssima impedância de entrada (da porta) para estes dispositivos.
FUNCIONAMENTO :
106
ELETRÔNICA BÁSICA
a) VGS=0: Com uma polarização nula na porta, não há alteração do canal (fisicamente ou eletricamente) e a corrente que flui pelo canal é
devida aos elétrons livres, da mesma forma que ocorre nos transistores JFET.
b) VGS<0: Aplicando-se uma tensão negativa na porta estabelece-se um campo elétrico no material dielétrico de modo que os elétrons do
canal são repelidos em direção do substrato e as lacunas do substrato são atraídas, ocorrendo recombinação de portadores e causando
uma diminuição do número de elétrons livres no canal. Quanto mais negativa for a tensão V GS, menor a corrente entre o dreno e a fonte
(IDS).
c) VGS>0: Ao aplicar-se uma tensão positiva na porta, estabelece-se um campo elétrico que arrasta os portadores livres do substrato
(corrente de fuga), criando-se assim, novos portadores de corrente no canal a partir das colisões resultantes, e em decorrência disto há
um aumento na capacidade de condução de corrente no canal; isto é chamado de operação no modo intensificação.
CURVAS DE DRENO
Fig. 02- Curvas de Dreno do MOSFET
107
ELETRÔNICA BÁSICA
Fig. 03 - Curva de Transcondutância do MOSFET
MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO (ENHANCEMENT)
A figura 4 apresenta o diagrama construtivo de um MOSFET tipo Intensificação canal n e o símbolo elétrico correspondente.
Fig. 04 – O MOSFET Intensificação – Canal N

Quanto aos aspectos construtivos destacados na figura 4, valem as mesmas observações do MOSFET tipo Depleção, exceto o fato de
não haver canal por dopagem; este tipo de dispositivo não tem a região do canal n, o qual é produzido por indução de portadores no
próprio substrato p. Observando a fig. 4a, abaixo, vemos que ID começa a circular apenas a partir do instante que
ID(mA)
ID = K[(VGS - VGS(Limiar) ]2
VT VGS(V)
VGS atinge o valor de Limiar chamado VT ou VGS(Limiar).
K = Constante que depende do MOSFET
As curvas fornecidas nos manuais nos traz os valores de I D(Ligado) , VGS(Limiar) e VGS(Ligado) , como indica a fig. 20b. Substituindo estes valores
na equação (A), encontramos o valor de K. Exemplo :
ID(Ligado) = 8mA VGS(Limiar) = 3V VGS(Ligado) = 5V
Logo teremos : 0,008 = K(5 - 3)2 = 4K  K == 0,002
Portanto, a equação deste transistor MOSFET será : ID = 0,002((VGS - 3)2
108
ELETRÔNICA BÁSICA
POLARIZAÇÃO DO MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
Com os MOSFETs do tipo intensificação, V GS tem que ser maior do que V GS(Limiar) para se obter a corrente I D. Teremos a polarização da
porta e a polarização por divisor de tensão. Estas duas funcionam com os MOSFETs do tipo intensificação. A fig. 4b, abaixo, mostra o
ponto Q na curva de transcondutância. Ele tem coordenadas, I D(Ligado) e VDS(Ligado). As folhas de dados para os MOSFETs do tipo
intensificação geralmente fornecem uma valor de I D(Ligado) para VGS(Ligado) = VDS(Ligado) ; isto permite a fixação do ponto Q. Devemos encontrar
um valor de RD que nos forneça o valor de VDS especificado.
Fig. 04a
A fig. 4a mostra a polarização por realimentação do dreno , um tipo de polarização que somente podemos usar com JFETs do tipo
intensificação. Quando o MOSFET está conduzindo ele está com uma corrente de dreno I D(Ligado) e uma tensão do dreno de V DS(Ligado).
Como a corrente de porta (G) , é aproximadamente zero, não aparece nenhuma tensão através de R G. Portanto VGS = VDS(Ligado) . Assim
como a polarização pelo coletor, o circuito da fig 4a, tende a compensar as mudanças nas características do FET. Se I D(Ligado) tenta
aumentar por qualquer razão, VDS(Ligado) diminui. Isto reduz VGS,, que compensa parcialmente o aumento inicial de I D(Ligado) . Logo :
RD = [(VDD - VDS(Ligado) ] / ID(Ligado)
Exemplo :
ID(Ligado) = 3mA VDS(Ligado) = 10V VDD = 25V logo: RD = (25 - 10)/0,003 = 5K
Fig. 04b
Fig. 04d
Fig. 04c
FUNDAMENTOS DO AMPLIFICADOR DIFERENCIAL E OPERACIONAL
109
ELETRÔNICA BÁSICA
Fig. 06 - Amplificador diferencial ideal
No caso ideal vS = Ad.Vd = Ad.(v1 – v2), onde Ad = Ganho diferencial de tensão V d = v1 – v2 = sinal diferença ou sinal erro. Se v 1 = v2 então
Vd = 0 e portanto vS = 0. Na pratica existirá sempre uma pequena tensão na saída quando v 1 = v2 ( situação esta chamada de modo
comum ). No caso de um AD real a expressão da tensão de saída em função da entradas é dada por v S =Ad.Vd + Ac.Vc ... onde, Vc = (v1
+ v2)/2 = Tensão de modo comum e Ac = Ganho em modo comum. Está claro pelo exposto que no caso de um AD ideal o valor de A c = 0.
Os valores de Ad e Ac dependem dos componentes usados na construção do AD, como veremos a seguir. No circuito da Fig. 7 vamos
admitir que os transistores são iguais e que a fonte de corrente é ideal ( I e1 + Ie2 = IO = constante ). Amplificador Diferencial Ideal com
Transistores :
IC1 IC2
Fig. 07
Fig. 7 - Amplificador diferencial discreto
Para fazer a analise do circuito da fig. 7, admitiremos que os dois transistores são iguais e que a fonte de corrente é ideal.
Consideremos a tensão na entrada 2 constante ( v 2 = E ) e a tensão na entrada 1 como sendo igual a v 1 = VM1.senwt + E, isto é , uma
tensão alternada senoidal com um nível médio E.
A Fig. 8 mostra as principais formas de onda do circuito considerando essas entradas. Quando v 1 = v2 =E os dois transistores conduzirão
a mesma corrente ( IE1 = IE2 = IO/2), pois admitimos inicialmente transistores idênticos , nessas condições a tensão do coletor para o terra
de cada transistor será igual a VS1 = VS2 = VCC - RC.IO/2 e portanto a tensão entre os coletores valerá v S = Vs1 – Vs2 = 0.
Quando Vs1 > Vs2 o transistor TR1 conduzirá mais que TR2 e portanto I C1 aumentará , diminuindo VS1( não esqueça VS1 = V CC – RC.IC1
! !) e por força da fonte de corrente I C2 diminuirá ( não esqueça que I O = IE1 + IE2 = constante, se IE1 aumentar IE2 deve diminuir ),
aumentando vS2.
Principais Formas de Ondas

Obs: VC1 = Vs1 e VC2 = VS2
110
ELETRÔNICA BÁSICA
(a)
(b)
Fig. 08 - Formas de onda – Amplificador diferencial discreto - coletores ( a ) - entrada 1 ( b )
Da Fig. 7 e considerando que os transistores são idênticos e que a fonte de corrente é ideal podemos concluir que :
O ganho diferencial de tensão, considerando a saída nos coletores, é igual a : A d =Vs1pico/VM1 = VS2pico/VM1 (VS1pico=VS2pico) VS1=
saída VM1 = entrada . Se a saída for entre os coletores o ganho será duas vezes maior. Dos gráficos da Fig4.3 também concluímos que
o sinal na saída 1( coletor 1) está defasado de 180º em relação à entrada1 , e o sinal na saída 2 ( coletor 2 ) está
em fase com a entrada 1. Por isso mesmo é que, se considerarmos a saída no coletor de TR2 a entrada 1 será chamada de não-
inversora (+) e a entrada 2 chamada inversora (-).
Na pratica os transistores nunca serão iguais e a fonte de corrente não será ideal. A Fig. 9 mostra o circuito de um AD pratico. Neste
circuito a fonte -VCC junto com RE simulam a fonte de corrente.
Amplificador Diferencial Real com Transistores
O circuito da Fig. 10 é um circuito que pode ser implementado, em relação ao da fig. 07, a diferença é que a fonte de corrente não é
mais ideal ( RE e -VCC )
111
ELETRÔNICA BÁSICA
Fig. 09 - Amplificador diferencial real
O valor da fonte de corrente é calculado fazendo-se v1 = v2 = 0 ( condições quiescentes), resultando : IO = (VCC – 0,7)/REVCC/RE .Para
esse circuito o ganho diferencial , considerando a saída nos coletores, será calculado por :
Ad = VS1/(v1 – v2) =VS2/(v1 – v2)  RC/2.re’
Onde re’= resistência incremental da junção base emissor, podendo o seu valor ser estimado por : r e’ = 25mV/IE a 25ºC sendo IE a
corrente quiescente de emissor. O ganho em modo comum (A c) do circuito é calculado por : Ac = RC/2.RE
Como é desejável um Ac o menor possível estaríamos tentado a aumentar R E o máximo possível , mas isso provocaria uma diminuição
nas correntes de polarização, diminuindo o ganho. Para manter o mesmo valor de corrente, se R E aumentar, devemos aumentar
proporcionalmente VCC, o que na prática tem limitações.
O circuito da Fig. 11 tem um melhor desempenho por causa de TR3 que simula uma alta resistência ( > 500K ) sem que seja necessário
um valor alto de VCC. Desta forma se obtém um a valor de A c muito baixo. Na figura 10 vemos o Amplificador Diferencial com uma Fonte
de Corrente Constante.
Fig. 10 - Amplificador diferencial com fonte de corrente constante
Amplificador Diferencial com Realimentação
O circuito da Fig. 10 tem um ganho instável por que o valor de r e’ não é o mesmo para um mesmo tipo de transistor e varia com
112
ELETRÔNICA BÁSICA
a temperatura. Uma forma de contornar o problema é aplicar realimentação ao circuito ( realimentação negativa ) como na Fig. 11. Neste
circuito a realimentação existente através de R E’ diminui o ganho mas deixa-o estável, isto é, se os transistores forem trocados ou se
temperatura variar o valor do ganho não muda ( na realidade varia um pouco ).
Fig. 11 - Amplificador diferencial com realimentação

O ganho de tensão considerando a saída nos coletores é dado por :
Ad = RC/2.(re’+ RE’)
Da expressão acima podemos verificar que , R E’ >> re’ as variações em re’ provocadas pela troca de transistor ou variação na temperatura
serão encobertas por RE’ e desta forma o ganho será estável e será dado por :
Ad = RC/2.RE’
INTRODUÇÃO AO AMPLIFICADOR OPERACIONAL
O amplificador operacional (AO) é um dispositivo em CI que tem grande aplicações em todas as áreas da eletrônica. Como o circuito
interno é muito complexo toda a analise a será feita considerando o modelo a ser visto a seguir na Fig a. Na realidade a Amplificador
operacional é constituído de um amplificador diferencial seguido de estágios de amplificação para fornecer o ganho em Elo Aberto(Av OL)
desejado, sguido de um estágio de baixa impedância de saída.
(Fig. a)
Vi = v1 – v2 é o sinal erro ou sinal diferença.
V1 = Tensão Aplicada na entrada NÃO INVERSORA ... ( + )
V2 = tensão aplicada na entrada INVERSORA ... ( _ )
Av ou AVOL ( Open Loop – Ele Aberto), é o ganho de tensão em malha aberta ( ganho sem realimentação).
113
ELETRÔNICA BÁSICA
Sem nenhuma carga ligada na saída, V S = AvVi = Av.(v1 – v2 ) = AVOL( V1 – V2), isto é, o AO pode ser considerado basicamente como
um amplificador diferencial , pois a saída responde somente à diferença entre as duas tensões de entrada, se v 1 = v2  VS = 0.
Um AO idealmente deveria ter as seguintes características :
a) Impedância de entrada infinita.

b) Impedância de saída nula.
c) Ganho de tensão em malha aberta ( AVOL)infinito.
d) Largura de faixa infinita(Banda Passante - BHz).
e) Ausência de offset na saída( Vs = 0 se v1 = v2 )
f) Slew rate infinito.
g) Sensibilidade à Variação da Tensão da Fonte de Alimentação - S V = 0
h) Sensibilidade à Variação da Temperatura Ambiente - S T = 0
i) Sensibilidade à Ruído = Nula, ou Relação Sinal/Ruído = 
j) Variação de Fase =  = 00
CIRCUITOS BÁSICOS COM AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
OBS. : No curso específico de Amplificadores Operacionais são estudados outros circuitos de aplicações e suas respectivas funções de
transferência..
AMPLIFICADOR INVERSOR
É um circuito com realimentação negativa, obtida através da rede de resistores R 2 e R1.
I2
I1
Vs
(Fig. b) - Amplificador inversor
Para obter a expressão do ganho com realimentação (A Vf = VS/Ve ) faremos algumas considerações :
1. Vamos admitir que o ganho de malha aberta é infinito, isto é, A V = VS/Vi = infinito, logo, Vi = Vs/AV = 0, isto é, o ponto A
tem o mesmo potencial do terra( dizemos que o ponto A é um terra virtual ).
2. Também consideraremos que Ri é infinito e em conseqüência I1 = I2.
Feitas as considerações acima da Fig b tiramos :
Ve = R1.I1 e VS = - R2.I2 portanto AVf = VS/Ve = - R2.I2/R1.I1 e como I1 = I2  AVf = - R2/R1  o sinal negativo indica
defasagem de 180º entre Ve e V S . A resistência de entrada do circuito é dada por R if = R1 ( é a resistência efetivamente “vista” pela
fonte Ve).
RO .R 2
A resistência de saída que a RL sente é dada por R of =
A V . R1
AMPLIFICADOR NÃO INVERSOR
114
ELETRÔNICA BÁSICA
Ë o circuito da Fig c, no qual podemos observar que a realimentação continua ser negativa, mas o sinal a ser amplificado é
aplicado na entrada não inversora.
(Fig. c) - Amplificador não- inversor
As mesmas considerações feitas para o amplificador inversor ( R i = infinita e AV = infinito ) também serão feitas para a obtenção do
ganho com realimentação ( AVf = Vs/Ve ), logo podemos escrever :
Ve = R1.I1 e VS = ( R1 + R2 ) .I1 ... o ganho com realimentação será dado por : AVf = VS/Ve = (R1 + R2).I1/R1.I1 = ( R1 + R2 )/R1 ou AVf = 1
+ R2/R1
A resistência de entrada com realimentação do circuito é muito alta sendo dada por :
R i . AV
R
1+ 2
Rif =
R1
E a resistência de saída é muito baixa sendo dada por :
( )
R2
1+
R1
RO .
AV
Rof =
BUFFER
(Fig d) - Seguidor de tensão ( buffer)
Um circuito derivado do amplificador não- inversor é o buffer ou seguidor de tensão o qual é obtido a partir da Fig c, fazendo-se R 1 =
infinito ( circuito aberto) e R2 = 0( curto circuito) resultando o circuito da Fig. d
Este circuito é caracterizado por ter ganho de tensão igual a 1, altíssima resistência de entrada e baixíssima resistência de saída, sendo
calculadas respectivamente por :
115
ELETRÔNICA BÁSICA
Rif = Ri.AV e Rof = RO/AV

A principal aplicação de um circuito buffer é isolar um circuito que tem alta resistência de saída de uma carga de baixo valor.
CARACTERISTICAS DE UM AMPLIFICADOR OPERACIONAL REAL
GANHO DE TENSÃO E LARGURA DE FAIXA
- 20dB/década = -6dB/oitava
(Fig. e) - Curva de resposta em freqüência
Na prática o ganho de tensão e a largura de faixa não são infinitos. O ganho de tensão diminui com o aumento da freqüência. A Fig. e,
mostra a curva de resposta em freqüência em malha aberta de um AO típico. A escala do ganho na Fig. epode ser especificada em dB
ou simplesmente ser igual à relação entre a saída e a entrada (Vs/Ve), sendo que o ganho em dB é calculado por : Ganho(dB) =
20.logVs/Ve.
A escala em dB é linear. Do gráfico podemos ver que o ganho em malha aberta vale 100.000 (100dB), ficando constante até 10Hz. Acima
de 10Hz o ganho diminui à taxa de 20dB por década, isto é,o ganho é atenuado de 10 vezes ( 20dB) cada vez que a frequencia é
multiplicada por 10. Um parâmetro importante de um AO é a freqüência de ganho unitário (f U). Nessa frequência o ganho de malha aberta
torna-se igual a 1. No gráfico vemos que fU =1MHz. Outro parâmetro importante é o produto ganhoxlargura de faixa(GxLF).Para qualquer
amplificador é válido :
GxLF = constante , isto é, em um amplificador se o ganho aumentar a LF( largura de faixa) diminui ou vice-versa. A LF de um amplificador
é definida como sendo : LF = fCs - fCi, sendo fCS = frequência de corte superior e fCi = frequência de corte inferior
A Fig.f mostra uma curva de resposta em frequência de um ampificador genérico. No caso de um AO como a f Ci = 0 ( o AO amplifica
tensões CC), a LF = fCS
(Fig. f) - Curva de resposta em freqüência genérica.
116
ELETRÔNICA BÁSICA
Para o AO da Fig f temos:
Em malha aberta : LF = 10Hz Ganho = 100.000 ... logo GxLF = 100.000.10Hz =10 6Hz=1MHz = fU ... Vamos supor que esse AO é
usado em um amplificador de ganho igual a 10. A Lf será igual a : LF = 10 6Hz/10 = 100KHz, isto é, o ganho diminuiu, mas para manter o
produto GxLF constante a LF aumentou na mesma proporção. A curva de resposta do amplificador passa a ser como na Fig. g
(Fig. g) - Curva de resposta em freqüência – amplificador de ganho 10.
Amplificadores operacionais – COMPLEMENTO
Como foi exposto anteriormente, um amplificador operacional consiste basicamente num amplificador de tensão diferencial, seguido de
estágios de amplificação de alro ganho. Possuem duas entradas: uma entrada inversora marcada com o sinal (-), e uma entrada não
inversora marcada com o sinal (+). Quando a variação de tensão aplicada na entrada (+), se faz num sentido, a variação da tensão na
saída do circuito se faz no mesmo sentido (figura h). Por outro lado, ao ser aplicado o sinal de entrada invernosa (-), a variação de tensão
na saída se faz em sentido contrário à da tensão de entrada (figura i).
(Fig. h)
(Fig. i)
[Fig. J]
117
ELETRÔNICA BÁSICA
Como em condições normais o ganho dos amplificadores operacionais é muito elevado, na amplificação pode ocorrer distorções
prejudiciais à finalidade do projeto. Nestas condições, com a finalidade, de se controlar o ganho do amplificador e também de reduzir a
distorção, é utilizado um circuito externo de realimentação negativa, conforme o mostrado na figura j.
O ganho do amplificador será então pela relação existente entre os resistores R1 e R2. Normalmente, para os amplificadores
tipo 741, o ganho sem realimentação é da ordem de 100000. Nas aplicações prática entretanto, a faixa de ganho é fixada entre 1 e 1000.
Na figura K temos uma configuração denominada como terra virtual. Nesta configuração, a entrada não inversora é mantida ligada à
terra, e a entrada inversora é mantida para realimentação negativa que fixa o ganho do diapositivo.
(Fig. K)
A impedância de entrada do circuito para este caso é dado pelo valor do próprio R1, enquanto a impedância de saída é dado pela
seguinte expressão:
Z out = Zs x Gr
G
Z out = Impedância de saída
Zs = Impedância de saída do amplificador operacional
GR = Ganho do amplificador como realimentação.
G = Ganho do amplificador sem realimentação.
No caso de um amplificador com ganho 100, por exemplo, e uma impedância de entrada de 100K, podemos utilizar os seguintes
componentes externos: R1 deve Ter um valor igual ao da Impedância de entrada, ou seja :
R1 = 100K
R2 deve ser 100 vezes maior que R1, ou seja:
R2 = 10M .... Se aplicarmos à entrada deste circuito um sinal senoidal de 0,1 V de amplitude, também senoidal (fig L).
(Fig. L)
Para o circuito da figura m ocorrem entretanto alguns problemas que em certas aplicações devem ser eliminados. Este problema consiste
no fato de que a senóide obtida na saída não é simétrica em relação ao potencial de referência (0 V).
Na verdade, se designarmos a entrada do circuito, veremos que na ausência de sinal não teremos uma tensão nula de saída
mas esta tenderá a um valor positivo considerável. Em suma, "em repouso" a tensão de saída não é nula, como deveria ser. Este
problema é causado pela necessidade de uma corrente de polarização de base na entrada.
A entrada de um amplificador operacional consiste em um par diferencial como mostrado na figura m. Para que este par funcione
corretamente é preciso que a corrente de emissor dos transistores seja constante. Se uma das entradas estiver
diretamente ligada à terra como no circuito tomado como exemplo, haverá um desequilíbrio entre as correntes de emissor e o resultado
será esta tendência do sinal de saída se deslocar para valores positivos.
118
ELETRÔNICA BÁSICA
(Fig. m)
Esse efeito pode ser compensado pela utilização de resistor ligado entre a entrada não inversora e a terra, conforme mostra na figura n. O
valor deste resistor deve ser equivalente ao obtido pela a ligação de R1 em paralelo com R2. Chamamos de R3 este componente,
podemos calcular então seu valor pela expressão:
R3 = R1 x R2
R1 + R2
(Fig. n)
Para o nosso circuito este resistor é da ordem de 99 k ... R3= 99 k. Com a utilização deste resistor, as tensões nas duas entradas se
mantém próximas e com isso, na ausência de sinal de entrada a tensão de saída tende a 0. Dizemos "tende à zero" porque, os
transistores não podem ter exatamente as características elétricas. Há portanto uma tendência da tensão de saída
fugir de "0" na ausência de sinal. Isso entretanto pode ser facilmente compensado por um ajuste externo denominado "Off-set Voltage
Adjustement". Na figura O temos a ligação de um resistor variável que pode ser usado para esta finalidade.
119
ELETRÔNICA BÁSICA
(Fig. O)
"Bandwidth"
De posse do amplificador tomado como exemplo no item anterior, supomos que a senóide aplicada à sua entrada tenha uma freqüência
de 100 kHz. Ao observamos a forma de onda obtida na saída veremos que ele está muito longe de ser uma senóide. Na verdade a
distorção introduzida faz com que ela tende a uma forma triangular, conforme mostra a figura P.
(Fig. P)
Essa distorção se deve ao fato do amplificador operacional, nesta freqüência não poder acompanhar as variações da tensão entrada.
Essa velocidade, segundo a qual a tensão saída pode aumentar ou diminuir de valor, é indicada pela expressão inglesa "slew rate", sendo
da ordem de 0,5 V/s para o 741. Outro problema que influi na resposta de freqüência do amplificador operacional, é o produto ganho x
faixa passante. Para o caso do 741, esse produto é de 1 MHz, o que significa que o produto do ganho do amplificador pela freqüência de
operação não deve exceder 1 MHz. Por exemplo, se fizermos o amplificador operacional operar com um ganho de 1000, esse ganho só
será obtido para sinal até 1 kHz porque: 1000 x 1 khz = 1 MHZ
Se o amplificador operar com ganho 100, o sinal já poderá ir até 10000 Hz, porque: 100 x 10000 Hz = 1 MHz. Na figura Q,
temos um gráfico que demostra bem este fenômeno. A curva I mostra o ganho sem realimentação. Verifique que este ganho cai
rapidamente à medida que a freqüência aumenta. Esta curva mostra uma atenuação de 20 dB por oitava, a qual tem por origem um
capacitor de 30 pF existente no interior do próprio integrado. A curva II mostra que, para um ganho de 100 vezes, este se mantém
constante até a freqüência de 10 kHz, a partir do que cai rapidamente.
(Fig. Q)
120
ELETRÔNICA BÁSICA
CORRENTES DE SAÍDA
Os amplificadores operacionais fornecem uma tensão de saída, se bem que existem tipos destinados a fornecer uma corrente de saída.
Assim, se a saída de um amplificador operacional for curto-circuitada, podem circular pelo componente correntes muito elevadas, às quais
podem causar a sua destruição. Muitos amplificadores operacionais possuem uma proteção interna contra curtos-circuitos de modo que
sua saída pode ficar indefinidamente curto-circuita com a terra. Para o caso do 741, existe uma proteção que limita a corrente de saída
em 25 mA.
OPERAÇÃO DIFERENCIAL
O que vimos no exemplo de aplicação foi a operação do amplificador de modo que o sinal como referência a terra. Em alguns casos o
sinal a ser aplicado é feito entre as duas entradas do amplificador, ou seja, deseja-se aplicar na realidade uma diferença de tensões para
ser amplificada. Dizemos nestas condições que o amplificador opera de modo diferencial (figura R). Na mesma figura R, temos as
fórmulas que permitem encontrar os valores dos resistores para esta configuração.
(Fig. R)
Na operação diferencial, se aplicarmos as duas entradas, duas ondas senoidais de mesma amplitude, conforme mostra a figura S, o
resultado será um "cancelamento" de modo que o amplificador as ignorará, mantendo nula a tensão de saída.Dizemos nestas condições
que o amplificador opera "de modo comum" e uma característica importante a ser considerada num amplificador é de quanto ele é capaz
de ignorar as duas "ondas" de entrada aplicadas. A maneira segundo a qual os sinais de modo comum são rejeitados é expressada pela
relação CCRR (Commom Mode Rejection Ratio) sendo tipicamente de 90 dB para o caso do 741. Isso quer dizer que duas senóides de
mesma amplitude aplicadas simultaneamente às duas entradas produzem um sinal de saída de 33 V se sua amplitude for de 1 V.
Fig. S
O amplificador operacional 741
O amplificador operacional 741 pode ser obtidos de diversos fabricantes, os quais mudam eventualmente sua denominação,
acrescentando prefixos indicativos de sua origem, ou então fornecendo-os com novas denominações. Em todos os casos entretanto, os
tipos podem ser substituídos entre si, sem problemas. Na figura T, temos dois invólucros mais comuns para o 741. Apresentamos
algumas de suas características principais :
Ao - Ganho sem realimentação (Open - Loop Voltage Gain) - 100 dB.

Zin - impedância de entrada (Input Impedance) - 1 M.
Zo - impedância de saída (output impedance) - 150
Ib - corrente de polarização (input bias current) 200 nA.
CMMR - Rejeição de modo comum - 90 dB.
fT - freqüência de transição - 1 MHz.
121
ELETRÔNICA BÁSICA
S - velocidade da variação de tensão (slew rate) – 0,5 V/s.
(Fig. T)
(Fig. U)
SLEW RATE - SR
Definimos o Slew Rate (SR) de um amplificador, como sendo a máxima taxa de variação da tensão de saída em relação ao tempo . O SR
nos dá a gandeza da velocidade de resposta do amplificador, e quanto maior for s SR do mesmo, melhor será o amplificador. O SR é
geralmente dado em V/s. Seu valor é dado por :
SR = 2FVp sendo :
Vp = Máxima amplitude, ou valor de pico, do sinal senoidal na saída.

F = Frequência máxima aplicada.
Nota-se que há uma interrelação entre F e Vp, em função do SR especificado pelo fabricante do amplificador operacional.
122
ELETRÔNICA BÁSICA
OBS. : No CURSO ESPECÍFICO DE “AMPLIFICADOR OPERACIONAL”, será feito um estudo mais detalhado das diversas montagens de
aplicação do AO, inclusive com detalhamento matemático das “Funções de Transferência”de cada circuito.
OSCILADORES – REALIMENTAÇÃO NEGATIVA E REALIMENTAÇÃO POSITIVA
Seja o diagrama de blocos abaixo, representando um amplificador com realimentação negativa. A realimentação é negativa, devido ao
fato de se aplicar na entrada uma amostra da tensão de saída em oposição de fase com o sinal de entrada.
is
Amplificador de
Ve Veo ganho Vs Rc Vc
GA R
Ve1
Ve1 = K . Vs
GA = Ganho Natural do Amplificador(Ganho sem Realimentação

GA = Ganho com Realimentação Negativa
Denominaremos GM o Ganho da Montagem e o mesmo será dado por G M = Vc/Ve
Teremos então :
Ga = Vs/Ve Ga = Vs/Veo Ve1 = R . is = R . Vs/(R + Rc) Ve1 = R/(R + Rc) . Vs K = R/(R + Rc) Ve1 = K . Vs
GA = Vs/Ve Veo = Ve – Ve1  Ve = Veo + Ve1 = Vs/GA + K . Vs = Vs(1/GA + K) = Vs[(1 + K . GA)/GA]
sendo K = R/(R + Rc) ... Taxa de Realimentação ( variando entre 0 e 1 ou 0 e 100%)
Logo :
GA = Vs/Ve = Vs/Vs[(1 + K . GA)/GA]  GA = GA/(1 + K . GA) “Equação de Black”
Vemos , pois, que o ganho de um amplificador com realimentação negativa GA, é menor que o ganho do mesmo sem realimentação.
Alguns parâmetros são afetados com a realimentação negativa, a saber :
a) Redução do ganho.
b) Aumento da Impedância de entrada.
c) Redução de distorções e ruídos.
d) Aumento da Banda Passante.
Para uma realimentação positiva, teríamos que : V eo = Ve + Ve1  Ve + K . Vs, e portanto :
GA = Vs/Ve = GA/(1 - K . GA)  GA
Sinal + = Realimentação Negativa Sinal - = Realimentação Positiva
Considerando a realimentação positiva, teremos uma condição muito particualr a saber :
K . GA = 1 ... vemos que nesta condição teríamos   GA = Vs/Ve = GA/(1 – K . GA) = GA/0 
Sendo Vs  0, vemos que GA = , implica que Ve = 0. Logo, teríamos um valor para Vs 0, com Ve = 0. Este fato caracteriza o circuito
operando como um OSCILADOR. Condições teóricas para a oscilação :
a) Realimentação positiva, isto é, realimentação em fase   = 00.

b) K . GA = 1( na prática, ligeiramente maior que 1, para compensar as perdas no circuito)
estas condições são conhecidas como as “Condições de Barkhaunsen”. Afim de que o circuito possa oscilar em um frequência bem
definida e específica, o circuito de realimentação é na maioria das vezes, constituído de um circuito de filtro seletivo, o qual definira a
frequência de oscilação.
123
ELETRÔNICA BÁSICA
Circuitos de filtros ou redes que poderiam ser utilizadas no ele de realimentação :
a) Rede RC em Escada com Capacitor à Frente :
Ve Vs
Para esta rede temos : F0 = 1/26 RC Vs/Ve = 1/29 ... atenuação  = 1800
b) Rede RC em Escada com Resistor à Frente :
Ve Vs
Para esta rede temos : F0 = 6/2RC Vs/Ve = 1/29 ...atenuação  = 1800
Circuitos osciladores
124
ELETRÔNICA BÁSICA
Osciladores Colpitts - (Divisor Capacitivo)
125
ELETRÔNICA BÁSICA
O SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER) – TIRISTOR
CARACTERÍSTICA IAK = F(VAK)
a) Armstrong b) Hartley C) Clapp d) Cristal
Processos de disparo :
Sendo injetado uma corrente de gate, será possivel disparar o SCR com tensões de anodo bem menores do que U BO. Quanto maior a
corrente de gate, menor a tensão de anodo que disparará o SCR. Após o disparo o gate perde o controle o sobre o SCR, isto é, após o
disparo o gate pode ser aberto ou curto circuitado ao catodo que o SCR continua conduzindo. O SCR só volta ao corte quando a corrente
de anodo cair abaixo da corrente de manutenção.
a) Aplicar pulso positivo no gatilho em relação ao catodo, estando o anodo positivo em relação ao catodo.
126
ELETRÔNICA BÁSICA
b) Dispato por dV/dt, devido à variações rápidas da tensão de anodo ( não desejável).
c) Disparo por tensão de ruptura VBO (não desejável).
A tensão máxima que pode ser aplicada entre anodo e catodo no sentido direto com I G=0 como vimos é chamada de UBO, mas muitas
vezes é designada de VDRM esta informação muitas vezes vem codificada no corpo do SCR, por exempo :
TIC 106 Y - 30V MCR 106 - 1 - 30V

TIC 106 F - 50V MCR 106 - 2 - 60V
TIC 106 A - 100V MCR 106 - 3 - 100V
TIC 106 B - 200V MCR 106 - 4 - 200V
TIC 106 C - 300V MCR 106 - 5 - 300V
TIC 106 D - 400V MCR 106 - 6 - 400V
Outra informação importante é a máxima tensão reversa que pode ser aplicada sem que ocorra breakdown, é designada por V RRM,
tipicamente é da mesma ordem de V DRM. Os valores de corrente também devem ser conhecidos , I T, é a máxima corrente que o SCR pode
manipular e pode ser especificada em termos de valor continuo ou eficaz(RMS) e depende da temperatura e do ângulo de condução ( F).
Por exempo, o TIC 106 pode conduzir uma corrente continua de até 5A. A corrente de gate necessária para disparar o SCR é designada
IGT e pode ser da ordem de A no caso do TIC 106.
Processos de bloqueio :
a) Tornar IAK = 0
b) Tornar IAK Ihmim. A corrente IH representa o menor valor da corrente entre anodo e catodo que ainda mantém a condução do SCR.
É denominada corrente de manutenção ou corrente de sustentação(Hold ... manter).
c) Aplicar tensão reversa entre anodo e catodo.
ELEMENTOS DE PROTEÇÃO DE UM SCR
F = Fusível contra sobre-correntes e curtos circuitos.

L = Indutor de amortecimento de di/dt. Este indutor reduz a taxa de variação da corrente de anodo.
RC = Porteção para variações rápidas da tensão de anodo ... dv/dt.
D = Evita correntes reversas de gatilho.
TP = Transformador de impulso. Isola o SCR do circuito de disparo, acoplando o pulso no gatilho.
Req = Resistor de equalização para ligação em série.
EXEMPLOS DE CIRCUITOS DE APLICAÇÃO
127
ELETRÔNICA BÁSICA
Circuito de
Disparo
VRMS
VDC
Fig 1- Retificador controlado de onda completa , circuito e formas de onda
Neste caso a tensão continua e a tensão eficaz na carga são calculadas por :
V M .(1+cosθ F )
VDC = π = tensão continua na carga
VM 1
VRMS = √ 2 . π √
.( π−θ F +
sen 2 .θ F
2
)
= tensão eficaz na carga
2. V M VM
No caso de F = 0º VDC = π e VRMS = √2 que são os mesmos valores do circuito retificador
de onda completa.
No caso de F = 180º VDC = 0 e VRMS = 0
128
ELETRÔNICA BÁSICA
CIRCUITOS DE DISPARO EM CA
CIRCUITO 1: Neste circuito o angulo de disparo é no máximo 90º, pois a tensão de anodo e a tensão de gate estão em fase. O diodo
protege o gate de tensão reversa no semi ciclo negativo. Se R V aumentar o angulo de disparo aumenta, pois será necessário mais
corrente ( portanto mais tensão) para disparar o SCR.
Fig – 2 Circuito de disparo1
CIRCUITO 2 : No circuito a seguir o capacitor atrasa a tensão de gate em relação à tensão de anodo , permitindo que o SCR possa
disparar além de 90º. O diodo D1 impõe sempre as mesmas condições iniciais no começo de cada semi ciclo positivo.
Fig 3 - Circuito de disparo 2.
CIRCUITO3 : O circuito da Fig2.19 permite um controle de disparo de quase 0º a quase 180º, permitindo um controle da potência de
aproximadamente máxima potência a quase zero.
129
ELETRÔNICA BÁSICA
Fig 4 - Circuito de disparo 3

CIRCUITO DE DISPARO POR PULSO SINCRONIZADO NA REDE
Rs
D1 D2
R
RL
Vz
VeVe
D3 D4 C
RB1
Fig 5 - Circuito de disparo por pulso.
VZ
VP VC
(a)
VRB1
T
(b)
130
ELETRÔNICA BÁSICA
VRL
(c)
 =.t
F
Fig 6 - Forma de onda do circuito da Fig 5
Da Fig 6 é importante observar que é o primeiro pulso que dispara o SCR, quando começa o semiciclo, os pulsos subseqüentes
não afetam mais o circuito. É importante notar também que no final do ciclo como a tensão no Zener (e conseqüentemente no UJT ) vai a
zero, nesse instante o capacitor estará descarregado totalmente , e portanto quando se iniciar novo semiciclo as condições iniciais serão
as mesmas. Este sincronismo é importante para que o ângulo de disparo não mude de ciclo para ciclo, o que ocorreria se a alimentação
do UJT fosse obtida de um circuito à parte.
TRANSFORMADOR DE PULSO
Deve ser usado quando houver necessidade de isolar o circuito de controle do circuito de potência, ou ainda quando a tensão CC em
RB1 , estando o UJT cortado, for suficiente para disparar o SCR. Os transformadores de pulso são usualmente do tipo 1:1 ( um
secundário ) ou 1:1:1 ( dois secundários ). Uma aplicação importante desses dispositivos é quando se deseja disparar dois SCR’s em
anti-paralelo, como na Fig 7b. Observe que não é possível a ligação do mesmo circuito de disparo no gate dos dois SCR’s . , pois isso
colocaria em curto circuito o anodo e o catodo dos dois SCR’s. A solução é o uso de um transformador de pulso 1:1:1 como na Fig 7a. O
circuito de disparo é o mesmo da Fig 5 com o resistor R B1 sendo substituído pelo primário do transformador. No semiciclo positivo da
tensão de entrada dispara o SCR1para um determinado angulo de disparo F (observe que os dois SCRs recebem pulsos mas só aquele
com anodo positivo em relação ao catodo conduz ). No semiciclo negativo será o SCR2 que dispara para o mesmo angulo de disparo. A
Fig 8 - mostra a forma de onda na carga para o circuito da Fig 7
Ve
Fig – 7 a Fig – 7 b
131
ELETRÔNICA BÁSICA
Conduz
SCR1
Conduz
SCR2
Fig 8 - Disparo de SCR’s em antiparalelo usando transformador de pulso
DIODO DE QUATRO CAMADAS UNILATERAL

Ë um diodo construido com quatro camadas PN alternadas
Fig 9 - Diodo de quatro camadas unilateral
Com polarização reversa o diodo se comporta como um diodo comum, apresentando altíssima resistência. Se a tensão reversa exceder a
tensão de breakdown (UBK) o diodo será destruido. Com polarização direta o diodo apresenta alta resistência enquanto a tensão for
menor do que um valor chamado de tensão de breakover (U BO). Acima destre valor o dispositivo dispara passando a conduzir, somente
voltando a cortar quando a tensão (corrente ) e de anodo cair abaixo de um valor chamado de tensão de manutenção, U H (corrente de
manutenção, IH ). Qualquer mecanismo que provoque um aumento das correntes internas pode levar ao disparo ( aumento de
temperatura, luz, injeção de corrente).
CIRCUITOS COM SCR EM CC.
Em CC deve ser previsto circuito de reset após o SCR disoparar.
132
ELETRÔNICA BÁSICA
1) ALARME 1
As chaves CH!, CH2 e CH3 podem ser ReedSwitch. Para desativar o alarme basta acionar a chave Reset.
+12V
2K2 Relé
Reset
CH1
CH2
CH3
2) ALARME2
+12V
33K
Relé
100K
Reset
LDR
Funcionamento: Enquanto o LDR estiver iluminado, como as sua resistência é baixa, a tensão no LDR será baixa e o SCR estará cortado.
Se o feixe de luz for cortado , aumenta a resistência do LDR e em conseqüência a tensão de gate disparando O SCR e acionando o
alarme
3) BIESTAVEL
+Vcc
CH1 CH2
RL1 RL2
C
R1 R1
SCR1 SCR2
R2 R2
133
ELETRÔNICA BÁSICA
Funcionamento: Inicialmente com as duas chaves abertas, os dois SCR's estão cortados. Se CH1 for pressionada, dispara SCR1
conectando RL1 e C se carrega por RL2 e SCR1 de forma que o seu terminal esquerdo fica negativo e o terminal direito positivo. Se a
chave CH2 for pressionada, dispara o SCR2 e fazendo a tensão em C ser aplicada no SCR1 carrega com polaridade contraria, e
reversamente cortando-o. desligando a carga RL1 e ligando RL2.Agora C se portanto se CH1 for pressionada a carga RL1 será ligada e
a carga RL2 desligada.
SCR EM CORRENTE ALTERNADA - DISPARO POR CC COM CARGA CA
Como foi visto anteriormente, quando o disparo é em CC com carga CC , é necessário circuito de reset para cortar o SCR, ao mesmo
tempo não é necessário manter corrente no gate. Quando o disparo é por corrente contínua (CC) mas a carga é CA, para manter o SCR
conduzindo é necessário manter sinal no gate , pois se o sinal de gate for retirado, o SCR cortará quando a tensão de anodo passar por
zero. A Fig1.13a mostra um circuito com disparo CC e carga CA e a Fig1.13b a forma de onda na carga quando a chave CH é fechada
num instante t1 e aberta em t2.
(a)
( t1 ) CH ( t2 )
(b)
(a)
Fig 10 - Disparo por CC com carga CA ( a ) e formas de onda ( b ).
No circuito da Fig 10 observar que , ao fechar a chave o SCR só disparará se a tensão de anodo for positiva. A partir desse instante toda
a tensão da rede cairá sobre a carga e a tensão no SCR será de aproximadamente 1V. Se a carga for resistiva podem ocorrer picos de
134
ELETRÔNICA BÁSICA
corrente excessivamente altos os quais podem destruir o SCR e/ou a carga. Para evitar isso é que existem circuitos que só disparam o
SCR quando a tensão da rede for próxima de zero, chamados de ZVS, ou seja, (Zero Voltage Switch).
DISPARO POR CA COM CARGA CA
No disparo por CA a alimentação de anodo e de gate é obtida da mesma fonte senoidal. O controle de disparo é feito controlando-se o
instante ( ou o angulo de disparo ) em que o SCR é gatilhado no semi-ciclo positivo. Para melhor compreensão vamos supor que o SCR
da Fig 11 entra em condução no instante que a tensão de entrada estiver passando por um angulo de fase F, chamado de ângulo de
disparo. A condução começa nesse ponto e termina quando a tensão de anodo cair abaixo da tensão de manutenção, U H, que
consideraremos desprezível face à tensão de pico da rede, V M.A Fig 12 mostra as principais formas de onda referentes à Fig 11.
VSCR
VL
CIRCUITO
DE
DISPARO
Fig 11 SCR – Disparo por CA
VRMS
VDC
135
ELETRÔNICA BÁSICA
Fig 12- SCR – Disparo por CA formas de onda
Através do cálculo diferencial e integral pode-se demonstrar que a tensão média ( contínua ) na carga é calculada por :
V M .(1+cosθ F )
VDC = 2.π = tensão média ( contínua ) na carga
Obs: A tensão média é a tensão que será medida por um voltímetro CC.
VM
Por exemplo se F = 0º resulta VDC = π e a forma de onda corresponde à forma de onda de um retificador meia onda com
diodo comum. Se F = 180º resulta VDC = 0, isto é , não existe tensão na carga.
Por cálculo integral também obtém-se a expressão que dá a tem eficaz ( V EF ou VRMS) na carga:
VRMS = 2 . π
VM 1
√
.( π−θ F +
VM
sen 2 .θ F
2
)
= tensão eficaz na carga
Por exemplo se F = 0º VRMS = 2 que é igual ao mesmo valor da tensão do retificador de meia onda.
Se F = 180º VRMS = 0
Obs: A tensão eficaz está relacionada à potência dissipada na carga
EXERCICIO RESOLVIDO
Considere que no circuito da Fig 11. 0 angulo de disparo é 60º e que R L = 100. Calcular : a) Tensão e corrente contínua na carga b)
Potência dissipada na carga. Dados : ve = 110. √ 2 .senwt(V)
Solução: a) F = 60º, cos60º = 0,5 VM =110. √ 2 (V)
V M .(1+cosθ F ) 110 . √ 2 .(1+cos60)

VDC = 2.π = = 2. π = 37V logo IDC = 37V/100 =0,37A
VM
1
b) VRMS = 2 . π √
.( π−θ F +
sen 2 .θ F
2
)
=
110 . √ 2 1
2 . π
π sen2 .60
.( π− +
3 2
)
√=75V
2
V RMS 752
PD =
R L = 100 = 56,25W
DIAC E TRIAC
O DIAC
O Diodo de quatro camada bilateral (DIAC = DIode AC) é um dispositivo de quatro camadas que pode conduzir nos dois sentidos
quando a tensão aplicada, com qualquer polaridade, ultrapassar um determinado valor chamado de tensão de breakover( U BO), voltando a
136
ELETRÔNICA BÁSICA
cortar quando a tensão ( corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão ( corrente) de manutenção , U H ( IH ).A Fig1.25 mostra a
estrutura interna, o símbolo e a curva característica.
Fig 12 DIAC - Estrutura – símbolo - Curva característica
TRIAC
Quando é necessário controlar a potência em um circuito AC, com corrente nos dois sentidos, pode ser usado o circuito visto com dois
SCR’s em antiparalelo ou usar um TRIAC. O TRIAC desta forma pode ser entendido como sendo equivalente a dois SCR’s ligados em
anti-paralelo.m OP TRIAC também pode ser entendido
137
ELETRÔNICA BÁSICA
SC1
+
(a) RL
- SC2
- RL
(b)
Fig 13 - Controle de potência em CA CA usando SCR’s em anti-paralelo ( a ) ou TRIAC ( b ).
O TRIAC também pode ser entendido como um DIAC no qual foi adicionado um terminal de controle permitindo disparar o dispositivo
com diferentes valores de tensão.
Como o TRIAC dispara com tensão positiva ou negativa não tem mais sentido em falar em anodo ( terminal +) e catodo ( terminal - ), ao
invés disso os dois terminais são chamados de terminal principal 1 (T 1) e terminal principal 2 ( T2).
O TRIAC também pode ser entendido como sendo um DIAC com o terminal de controle ( gate ), permitindo desta forma controlar a
tensão de disparo, pois assim como no SCR, com I G = 0, para disparar o TRIAC é necessário uma tensão entre T 2 e T1 muito alta. Com
IG  0 diminui o valor da tensão entre T 2 e T1 que dispara o TRIAC.
O TRIAC pode ser posto em condução tanto para tensão de gate positiva ou negativa independentemente da polaridade de T 1 em
relação a T2, desta forma existem quatro modos de se disparar um TRIAC, os quais estão indicados na Fig 14.
RL RL
Modo a IT Modo b
T2 T2 IT
RG G + RG G
+ T1 T1
IG + IG +
RL
Modo c RL Modo d
T2
RG G IT
T2 IT
RG G T1
T1 +
+
IG
IG
+
+
138
ELETRÔNICA BÁSICA
Fig 14 - TRIAC - Modos de disparo
Como a corrente principal (IT) tem influencia sobre a corrente de gate, o valor da corrente de gate necessária para disparar o TRIAC é
diferente, dependendo do sentido relativo de ambas as correntes. Se a corrente principal está em concordância com a de gate ( modos a
e b ), será necessário uma corrente menor, caso contrário (modos c e d ) a corrente de gate deverá ser maior. Por isso mesmo os
modos preferidos são os modos a e b
CIRCUITOS COM DIAC E TRIAC
1) CHAVE ESTÁTICA ASSINCRONA
O uso do TRIAC como chave assíncrona em circuitos CA leva algumas vantagens em relação à chave mecânica. Permite por exemplo
controlar grandes potências a partir de potências relativamente pequenas. O TRIAC não apresenta “trepidação “ ao conduzir, não há
aparecimento de arco voltaico, permitindo um grande número de operações. A grande desvantagem é a dissipação de calor, sendo
necessário o uso de dissipador
1 3
+ CH + 2
- -
RG RG
(a) (b)
Fig 15 - Chaves assíncronas estáticas
A chave CH na Fig1.28a pode ser uma chave comum, um reed switch, termostato, etc. O controle de gate pode vir de um transistor,
termistor, sensor de luz ou de um circuito lógico como na Fig1.29b.
RL
+Vcc
Circuito RL
RG + R1
+ Ve R2
EG -
Lógico +
Ve
-
R3
(a) (b)
Fig 16 - TRIAC-Disparo por CC com carga CA
2) CHAVE ESTÁTICA SÍNCRONA
139
ELETRÔNICA BÁSICA
O TRIAC operando no modo assíncrono tem como principal inconveniente o fato da possibilidade de serem gerados surtos de corrente
muito elevados no instante que o TRIAC é chaveado, principalmente se no instante que o TRIAC for gatilhado a tensão da rede estiver
passando por um pico e a carga for resistiva.
No modo síncrono o TRIAC é chaveado quando a tensão da rede estiver passando próximo do zero, daí os circuitos que efetuam este
tipo de controle serem chamados de Zero Voltage Switching (ZVS). Na Fig 17o circuito ZVS comanda o disparo do TRIAC somente
quando a tensão de entrada estiver passando próximo de zero, não deixando o TRIAC disparar se a tensão de entrada for muito alta.
Comando
Do ZVS
(a)
(b)
Fig 17 - Disparo síncrono do TRIAC
3) Dimmer
A luminosidade de uma lâmpada pode ser controlada através da variação da potência elétrica que lhe é entregue, e isso pode ser
feiro alterando-se o angulo de disparo durante cada semi ciclo. A Fig 18 mostra um circuito simples que controla a potência de uma
lâmpada.
140
ELETRÔNICA BÁSICA
Fig 18 - Dimmer – Controle de luminosidade usando TRIAC
Na Fig 18 o capacitor C2 é carregado( no semiciclo positivo ou semiciclo negativo) através do potenciômetro de controle R2 e a
resistência R1. Após um tempo o DIAC dispara quando a tensão no capacitor C3 atingir a tensão de disparo ( breakover). O capacitor C3
se descarrega através do DIAC e no gate do TRIAC disparando-o para um determinado angulo de disparo F . .A mudança brusca de
corrente de zero para um determinado valor produz radio freqüência (RF) que causa interferências em aparelhos de radio colocados na
mesma rede. O indutor L1 e o capacitor C1 funcionam como um filtro que reduz essa interferência a um nível aceitável
Fig1.32: Dimmer – Formas de onda na carga
4) Luz Crepuscular
No circuito da Fig 19 a luz acende automaticamente quando escurece e apaga quando amanhece. Quando o LDR é iluminado, a sua
resistência diminui desta forma impedindo que a tensão de disparo do diodo seja atingida, a lâmpada permanece apagada. Na ausência
de luz, a resistência do LDR aumenta permitido que a tensão no capacitor possa atingir a tensão de disparo do DIAC desta forma
disparando o TRIAC. Se o LDR for iluminado novamente a lâmpada apagará.
141
ELETRÔNICA BÁSICA
Fig 19 - Luz crepuscular com DIAC e TRIAC
TRANSISTOR UNIJUNÇÃO PROGRAMAVEL (PUT)
O transistor unijunção programável (PUT) é um UJT no qual o valor de  ( Razão Intrínseca de disparo ) pode ser imposta através de
resistores externos. A sua estrutura é análoga à de um SCR , tendo porém o gate na região N próxima do anodo. A Fig. 20 mostra a
estrutura, símbolo e circuito equivalente de um PUT.
(a) (b) (c)
Fig 20 - Transistor Unijunção Programável – Estrutura ( a ),Símbolo ( b ), Circuito Equivalente ( c )
Para compreender o seu funcionamento consideremos o circuito da Fig6.5.2a e o equivalente Thevenin, Fig1.35b.
(a) (b)
Fig 21 - Transistor Unijunção Programável – Circuito equivalente de gate
Na Fig 21 temos:
RB1 . RB 2 RB1
RTH = V TH = . V CC
R B 1+ R B 2 R B 1 +R B 2
Se substituirmos o PUT na Fig 21b pelo seu circuito equivalente resulta o circuito:
142
ELETRÔNICA BÁSICA
VBE
Fig 22 - PUT e circuito equivalente
Podemos verificar na Fig 22 que, se VTH + VBE > VA TR1 não conduzirá o mesmo ocorrendo com TR2. Quando porém V TH + VBE  VA
o transistor TR1 ficará polarizado diretamente conduzindo assim como TR2. Nessas condições a realimentação positiva existente
levará o PUT ao disparo ( análogo ao disparo do SCR ).Após ter disparado o PUT só voltará ao corte quando a corrente de anodo
cair abaixo da corrente de vale IV, análoga à cor de manutenção no SCR.
Se fizermos uma analogia com o UJT teremos no ponto de disparo :
UJT:
V P=η .V BB +V D
RB 1
V A= . V +V
PUT:
R B 1 +R B 2 CC BE
Comparando as duas expressões concluímos que a relação intrínseca de disparo do PUT vale
RB1
η=
R B 1 + R B 2 podendo ser ajustada externamente através de R e R
B1 B2
4.5.1 – OSCILADOR DE RELAXAÇÃO
O funcionamento do circuito é análogo ao do oscilador de relaxação com UJT. Ligada a alimentação e estando o capacitor
inicialmente descarregado ( VA = VC = 0 ) o PUT estará cortado ( TR1 polarizado reversamente ). O capacitor C se carrega através de
R.
Quando a tensão no capacitor ultrapassar a tensão de gate ( V RB1 ) em cerca de 0,7V TR1 começa a conduzir disparando o PUT.
Nesse instante C se descarregar através do PUT e de R L. Quando a tensão de anodo cair abaixo da tensão de vale, o PUT voltará a
cortar e C volta a se carregar novamente através de R.
143
ELETRÔNICA BÁSICA
VC
VD
VV
(a)
VRL T
(b)
Fig 23 - Oscilador de Relaxação com PUT ( a ) , Formas de Onda ( b )
Na Fig 23 temos :
RB1 1 RB1
V D= .V CC T =R .C .ln η=
R B 1 +R B 2 1−η onde
R B 1 + R B 2 = relação intrínseca de disparo
Controle de potência em onda completa, com impulsos sincronizados na rede – Trabalho Prático.
1. Montar o circuito abaixo, alimentando o primário com 127V/60Hz e observar as formas de onda nos terminais da carga.
2. Utilizar Vs ( tensão entre o Tap central e cada extremidade do secundário do transformador ) = 127 V
144
ELETRÔNICA BÁSICA
Vs medido = ........ V
D1 = D2 = 1N4007
D1
5,6 K/10W
4,7 K
KAG
D2 RL
100 K
100W/220V
1N4742 2N2646
100 
A
G
12V/1W TIC 106D

0,10,1F
F/16V K
100 
Como o Electronics Workbench não possui o símbolo para

o transistor UJT, utilizou-se o símbolo acima representado.
3. Desligando o canal 2 do osciloscópio, ligar apenas o canal 1 entre os terminais A e E, e observar a forma de onda nos terminais da
carga.
3. Completar a tabela abaixo :
Vo = Valor mélio ( DC) da tensão na carga VL(RMS) = Valor eficaz da tensão na carga
470
OBS. : Considerar  = 1800 para o cálculo de 2 e 4
d 300 450 900 1200 1350
Vo Calculado
Vo Medido
V(LRMS) Calculado
V(LRMS) Medido
CONTROLE DE POTÊNCIA EM CA COM TRIAC - TRABALHO PRÁTICO 04
1. Realizar a montagem abaixo : CIRCUITO A
145
ELETRÔNICA BÁSICA
5,6K/10W
127V/60Hz CARGA
LÂMPADA
470  220 V/100 W
4,7 K
2N2646
100 K
1 N4742 TIC 236D
12 V/1W
100 
0,1F 150 
Vs = Tensão entre o tap central e cada extremidade do secundário do transformador = 127 V
a) Observar a forma de onda nos pontos indicados, utilizando-se de apenas um canal do osciloscópio.
b) Ligar o canal do osciloscópio nos terminais da carga e completar a tabela abaixo.
OBS. : Considerar d em radianos para o cálculo do termo d/2
d 300 450 600 1200

VL(RMS) calculado
VL(RMS) medido
2. Realizar a montagem abaixo : CIRCUITO B ( Dupla constante de tempo )
T2
G 
T1
146
ELETRÔNICA BÁSICA
Ligar um canal do osciloscópio nos terminais da carga e completar a tabela abaixo :
Vo = 0 (Valor Médio da tensão na carga).
VL(RMS) = Valor Eficaz da tensão na carga.
d 300 450 600 1200
VL(RMS) calculado
VL(RMS) medido
O DIAC (RESUMO)
KAG
CIRCUITO INTEGRADO LM 555
T1 T2 G
147
ELETRÔNICA BÁSICA
148
ELETRÔNICA BÁSICA
CIRCUITO INTEGRADO LM 555
149
ELETRÔNICA BÁSICA
TEMPORIZADOR COM RETARDO NO LIGAMENTO
150
ELETRÔNICA BÁSICA
MULTIVIBRADOR ASTÁVEL (OSCILADOR DE ONDA QUADRADA)

151
ELETRÔNICA BÁSICA
+ Vcc
D1
152
ELETRÔNICA BÁSICA
MULTIVIBRADOR MOESTÁVEL - TEMPORIZADOR
Pino 2
Pin
153
ELETRÔNICA BÁSICA
154
ELETRÔNICA BÁSICA
ÇURVAS CARACTERÍSTICAS
BC 337
BC 337
BD 139
BD 139
155
ELETRÔNICA BÁSICA
2N 3055
SCR  TO – 220
TIC 106/116/126/206/216/226
156
ELETRÔNICA BÁSICA
K A G
CIRCUITOS RETIFICADORES COM DIODOS DE SILÍCIO

157
ELETRÔNICA BÁSICA
TERMINOLOGIA E PARÂMETROS LIMITES UTILIZADOS NO ESTUDO DAS CIRCUITOS RETIFICADORES
Io = Corrente Média = IDC = Valor Contínuo.
Vo = Tensão Média = VDC = Valor Contínuo.
V = Valor Eficaz(RMS) entre fases, como indicado nos circuitos.
IDM = Corrente Direta Máxima por diodo.
- VDM = Tensão Inversa Máxima por diodo.
ID = Corrente Média por diodo.
IF = Corrente Eficaz(RMS) no fusível.
FL = Frequência da Rede.
FZ = Fequência do zumbido ou da tensão de ondulação(Ripple).
Tond% = Taxa deOndulação = [V(RMS)AC/Vo] x 100 , sendo : V(RMS)AC = Valor Eficaz das componentes de ondulação(Ripple).
FP = Fator de PotÊncia do circuito = Po/ PL.
Po = Potência Ativa na Carga.
PL = Potência Aparente fornecida pela Fonte.
IF = Correnta Direta.
IFAV = Io = Corrente Direta Média calculada no período completo, sendo AV = Avarage = Médio.
IFRM = Corrente Direta de Pico Repetitiva, incluindo todas as componentes transitórias.
IFSM = Corrente direta de Surto Máxima(não repetitiva).
IR = Corrente Reversa.
VF = Tensão Direta. Tensão entre os terminais do diodo, quando em polarização no sentido direto.
VRWM = Tensão Reversa de Pico = Valor instanâneo mais elevado da tensão inversa que pode ser aplicado aos terminais do diodo,
excluindo todas as tensões transitorias repetitivas. Tensão inversa máxima de trabalho.
VRSM = Tensão Reversa de Pico não repetitiva = Valor instantâneo mais elevado da tensão reversa transitória não repetitiva, que pode ser
aplicada nos terminais do diodo.
VR = Tensão reversa Contínua = Valor da Tensão contínua que pode ser aplicada aos terminais do diodo no sentido reverso.
DECIBEL - CONCEITOS E SUAS APLICAÇÕES - PARTE A

158
ELETRÔNICA BÁSICA
INTRODUÇÃO :
O técnico eletrônica deve saber usar corretamente as noções de Bel e decibel. Estas unidades de atenuação ou de amplificação são de
fato muitos usadas. É comum se exprimir o ganho de um amplificador de dB (decibel). Exprime-se também a Largura da Faixa Passante
de um filtro ou equipamento qualquer, levando-se em consideração uma certa atenuação dada em decibel. Para traçar a curva de
resposta de um amplificador, usa-se correntemente escalas graduadas em dB.
As escalas dos voltímetros e milivoltímetros eletrônicos são muitas vêzes graduadas em dB. O ganho das antenas, a atenuação dos
filtros, o nível de saída dos microfones, sensibilidade de auto-falantes são outros exemplos. Não se trata de uma noção puramente
teórica, mas ao contrário, de uma noção essencialmente prática.
O uso do decibel não apresenta nenhuma dificuldade com a condição de conformar-se a certas regras precisas. Para evitar erros é
preciso compreender a origem dessa noção e as razões práticas que levam os técnicos a usá-la.
Depois de ter compreendido este tipo de notação, será preciso saber expressar em decibel uma relação de potências ou de tensões. É
necessário também saber efetuar a transformação inversa, que consiste em passar de um número de decibel a uma relação comum.
Existem tabelas especialmente elaboradas que nos auxiliam nestas conversões.
A – DEFINIÇÃO E BASES FÍSICAS DAS UNIDADES LOGARÍTMICAS :
Definição :
Consideremos um órgão de transmissão (amplificador, filtro; etc). Temos na entrada uma potência Pe (ou um sinal de potência Pe) e na
sua saída um de potência Ps.
Pe Orgão de Transmissão Ps
Existem três casos possíveis :
a) Ps > Pe
- O sinal é AMPLIFICADO.
- Diz-se que o órgão de transmissão é ATIVO.
- Seu Ganho G = Ps/Pe > 1
b) Ps = Pe
- O sinal na saída é IGUAL ao da entrada.

- Diz-se que o órgão de transmissão é NEUTRO.
- Seu Ganho G = Ps/Pe = 1
c) Ps < Pe
- O sinal é ATENUADO.
- Diz-se que o órgão de transmissão é PASSIVO.
- Seu Ganho G = Ps/Pe < 1
A ATENUAÇÃO é definida por :
 = 1/G = Pe/Ps > 1
Suponhamos agora que em certo amplificador, no qual aplicamos um potência de entrada Pe = 2W, obtemos , na saída, uma potência
de 2W. Se fizermos a relação das potências, acharemos 10 6.
G = Ps/Pe = 2/2x10-6 = 106
159
ELETRÔNICA BÁSICA
106 é um número que define perfeitamente o ganho de potência do amplificador. Agora, se tomarmos o Logarítmo Decimal deste número,
o novo número será por definição um número de Bel (nome do Físico Alexander Graham Bel – 1847 .... 1922).
GBel = log (Ps/Pe)
A experiência mostra que o Bel é uma unidade muito grande. Por exemplo : A relação das potências acústicas que se manifestam nos
fenômenos compreendidos entre o limiar da audibilidade e os ruídos de sons mais intensos é inferior a 15 Bels!
Nestas condições, é bem mais prático o uso do submúltiplo : o Decibel (símbolo dB) que equivale à décima parte do Bel.
1 Bel = 10 Decibéis
E portanto, teremos :
GdB = 10 . log (Ps/Pe)
Considerando o amplificador anteriomente citado teremos :
GdB = 10 . log (106) = 60 dB
O ganho em potência deste amplificador é por conseguinte de 60dB. O mesmo cálculo pode ser feito para calcular a atenuação, ou seja :
 = (1/G) = (Pe/Ps) > 1
 = 10 . log (Pe/Ps) = 10 . (log 1 – log G) = 10 . log 1 - 10 . log G = 0 – 10 . log (Ps/Pe), e considerando que 10 . log (Ps/Pe) é equivalente
a Gdb, teremos finalmente :
 = - GdB
POR QUE USAR LOGARÍTMOS ?
1) PARA COMODIDADE E RAPIDEZ DOS CÁLCULOS.
a) Consideremos um amplificador composto de vários estágios, montados um atrás do outro (diz-se montados em cascata). Se
caracterizarmos os vários estágios pelos seus ganhos (G = Ps/Pe) particulares, G 1, G2, G3, ... a amplificação total do conjunto é dada pela
expressão seguinte :
G = G1 . G2 . G3
P G1 G2 G3 P
e s
Usando logarítmos, essa multiplicação será uma simples adição, tendo-se em vista a propriedade dos logarítmos para a multiplicação :
log (a . b . c) = log a + log b + log c
Assim, exprimindo o ganho dos amplificadores em dB, teremos a relação seguinte, mais simples do que a anterior :
GdB = G1dB + G2dB + G3dB

b) Uma divisão será uma subtração :
log (a/b) = log a – log b
Considerando o atenuador, teremos :
160
ELETRÔNICA BÁSICA
Pe  Ps
Em dB, teremos :
dB = 10 . log (Pe/Ps) = 10 . log Pe – 10 . log Ps
c) Uma potenciação, será transformada em :
log (am) = m . log a
Sendo os amplificadores montados em cascata possuam ganho idênticos, o ganho total será :
(Ps/Pe) = G . G . G .... = Gn
e em dB, o ganho total será :
GdB = 10 . log (Ps/Pe) = 10 . log (Gn) = 10 . n . log G = n . 10 . log G ..... e portanto :
GdB = n x GdB
2) A SEGUNDA RAZÃO É BASEADA NUM FENÔMENO FISIOLÓGICO NATUARAL .
Suponhamos um certo alto-falante produzindo uma certa potência acústica, o que dá origem a uma sensação sonora definida.
Coloquemos junto a ele um outro alto-falante, produzindo a mesma potência acústica que o primeiro. É evidente que a potência acústica
será duas vêzes maior, pois temos agora dois alto-falantes idênticos fornecendo a mesma potência. Será que perceberemos uma
sensação de potência dobrada? De jeito nenhum!
Apenas observaremos uma ligeira diferença de sensação! A experiência mostra que, para obter uma sensação dobrada, seria necessário
uma potência acústica dez vêzes maior, e para obter uma sensação tríplice, seria preciso uma potência acústica cem vêzes maior . Não
podemos dizer que a sensação é proporcional à potência que a produz, o que é um fato já bem conhecido. A prova disto é que existe um
limiar de sensação. Sabemos que abaixo de uma certa potência acústica, não percebemos absolutamente nenhum som! A experiência
permite verificar estes fatos, que podemos evidenciar por meio do seguinte gráfico :
Colocamos no eixo das ordenadas (eixo y) as grandezas da sensação e no eixo das abscissas(eixo x), a potência de excitação (isto é, a
potência acústica do som que produz a sensação). Experiências práticas mostram que em média (para o ouvido normal), um som de
161
ELETRÔNICA BÁSICA
intensidade sonora de aproximadamente 10-16w/cm2correponde ao som de menor intensidade que ainda é audível. Este valor de potência
que equivale ao limiar de audição é tomado como referência.
Se aumentarmos continuamente a potência sonora, notaremos que a sensação aumenta cada vez menos, o que podemos observar no
gráfico a partir do ponto A na curva. Podemos imaginar esta curva abaixo do eixo horizontal (curva tracejada), que corresponde a sons
inaudíveis. Podemos tornar estes sons audíveis através da utilização de um amplificador que tornará estes sons audíveis!
Notamos também que esta curva completa tem a forma de uma Função Logarítmica, e assim, é justificada a famosa LEI DE FECHNER ,
que pode ser expressa da seguinte maneira :
“A INTENSIDADE DA SENSAÇÃO VARIA COM O LOGARÍTMO DA EXCITAÇÃO”
A expressão matemática abaixo representa uma função logarítmica :
y = log x ..... Observar a semelhança entre as duas curvas!
Esta lei fisiológica não pode ser demonstrada com o rigor matemático, mas inúmeras experiências mostraram que ela se verifica com
grande precisão. Consequentemente, é mais lógico e conveniente usar uma ESCALA LOGRARÍTMICA em lugar de uma ESCALA
LINEAR . Esta escala terá por unidade o Bel e equivalerá ao logarítmo decimal de uma RELAÇÃO DE POTÊNCIA Px pela POTÊNCIA DE
REFERÊNCIA Pr.
Assim, definimos o nível de intensidade  de uma onda sonora, cuja potência é Px, pela equação :
 = 10 . log (Px/Pr) .... Potências expressas em Watts
As consequências práticas desta lei em eletrônica são muito importantes. Suponhamos que desejamos estabelecer um gráfico indicando
a variação de um fenômeno acústico destinado a agir sobre o ouvido : trata-se por exemplo, da potência acústica desenvolvida pela
membrana de um alto-falante. Se nós colocarmos as pressões acústicas numa escala linear, obteremos uma gráfico que não estará de
acordo com as sensações traduzidas pelo ouvido!
Para restabelecer este acordo, basta trocar esta escala linear por uma escala logrítmica!
Mas, usar a noção especial log (Ps/Pe), com uma simples escala linear, equicale ao uso de uma escala logarítmica. Vemos então o
grande valor da unidade logarítmica (o dB), cda vez que se trata de um fenômeno em relação direta com um dos nossos sentido.
DECIBÉIS EXPRESSOS A PARTIR DE TENSÕES OU CORRENTES
Na prática, uma medição direta da potência num circuito quase nunca se realiza (uso do Wattímetro). geralmente realizam-se medições
de tensões ou correntes. Sabemos que a potência será dada por :
162
ELETRÔNICA BÁSICA
A relação entre as duas potências, P1 e P2 em dB será uma função da tensão :
CASO PARTICULAR :
Se as duas potências P1 e P2 são desenvolvidas em impedâncias exatamente idênticas, a fórmula de dB se reduz a :
Observamos a transformação de 10log(P 1/P2) em 20log(V1/V2) em 20log(V1/V2). Isto significa que uma relação de tensão provoca um
número de dB duas vezes maior que uma mesma relação de potência. Isto é devido ao fato de que a potência é proporcional ao quadrado
da tensão.
Podemos também calcular dB com relação de correntes :
dB = 10log(P1/P2) = 10log(Z1I12 cos1/Z2I22 cos2)
dB = 10log(Z1/Z2) + 20log(I1/I2) + 10log(cos1/ cos2)
CASO PARTICULAR :
163
ELETRÔNICA BÁSICA
Se as duas potências P1 e P2 são desenvolvidas em impedâncias exatamente idênticas, a fórmula de dB se reduz a :
dB = 20log(I1/I2)
dBm – dBW – dBK – dBsr :
Vimos que o decibel (dB) exprime a relação entre duas potências
dB = 10log(P1/P2)
Se convencionarmos que a potência de 1mW seja a nossa potência de referência P r , qualquer valor de potência (Px) referida a esta
referência, nos dará um valor de dBm, que significa :
- Nível de potência em relação a 1mW ( ou dB em relação a 1mW). Portanto, uma certa quantidade de dBm representa uma
potência, sendo assim, um VALOR ABSOLUTO, enquanto que uma quantidade de dB representa apenas uma relação, sendo
portanto, um valor RELATIVO.
Devido às suas características práticas, o dBm é muito utilizado em telecomunicações. Uma potência de 2mW será expressa como sendo
+3dBm, e uma potência de 500W equivalerá a – 3dBm. Uma potência de 1W equivale a 30dBm. Se tomarmos como referência a
potência de 1W, qualquer potência relacionada a estanova referência será expressa em dBW, o que significa :
- Nível de potência em relação a 1W (ou dB em relação a 1W) e assim sendo, termos que 1dBW = 30dBm. O dBW é usado para
exprimir potências de saída de transmissores. Da mesma forma, tomando como referência uma potência de 1KW, qualquer
valor de potência poderá ser expresso em dBk.
1dBk = 30dBW = 60dBm
IMPORTANTE :
- O dB é um valor RELATIVO (equivale a uma relação).

- O dBm é um valor ABSOLUTO (equivale a uma potência) assim como o dBW e o dBk.
MEDIÇÕES DE dB e dBm :
Vimos que é possível exprimir uma quantidade de dB a partir de uma relação : dB = 20Log(V 1/V2), num circuito de impedância constante.
Podemos portanto, graduar a própria escalado voltímetro usado na medições destas tensões V 1 e V2, diretamente em dB. Basta para isto,
definir o valor da tensão de referência V 2. Este valor poderia ser qualquer um, mas, como já existe um nível de potência de referência:
1mW = 0 dBm, e tendo-se em vista uma impedância de 600, esta potência de 1mW desenvolverá numa tal impedância um tensão de :
V = P x R =  10-3 x 600 = 0,6 = 0,775V
Esta tensão de 0,775V será a referência, isto é, o PONTO DE ZERO da escala de dB. A qualquer valor de tensão Vx, corresponde então
um valor na escala de dB, tal que :
dB = 20log(Vx/0,775)
Na prática, a maioria dos voltímetros ou milivoltímetros eletrônicos possui uma escala de dB, cujo ZERO a 0,775V, ou ainda, a 1mW em
600. Utilizando-se estes aparelhos um circuitos cuja impedância é de 600(resistivo), a leitura de dB fornece
diretamente o valor absoluto da potência do circuito em dBm. Se a impedância for diferente de 600 , a leitura da escala de dB não
corresponde absolutamente a NADA. Designaremos tal leitura (inclusive em circuitos de 600), como sendo um valor de “dB lidos na
escala” , que se escreve dBsr (dB scale reading). É evidente que podemos transformar um valor de dBsr em dBm, bastando para tal,
conhecer o valor exato da impedância do circuito, Zx, e somar à leitura obtida em dBsr o fator de correção seguinte :
164
ELETRÔNICA BÁSICA
dBm = dBsr + 10log(600/Zx)
1 - RELAÇÃO DE POTÊNCIAS EM DB
O dBW sendo o decibel referenciado à uma potência de 1Watt, será pois calculado pela expressão :
N[dBW] = 10 . log (P/Po) = 10 . log (P/1W) = 10 . log (P)
Onde N[dBW] é o resultado dado em dBW, Po é a potência de referência [1W] e P é a potência em watts que será dada em dbW. A tabela
1.2 exemplifica o exposto.
Dizer que um determinado amplificador é capaz de fornecer uma potência de 20dBw é o mesmo que dizer que ele é capaz de fornecer
uma potência de 100Watts. Mas para que utilizarmos o dBw se podemos usar o Watt? Devido à facilidade de operação em dB, pois nesse
caso basta irmos somando(ou subtraindo) os ganhos(ou as atenuações), dados em dB. Veja o exemplo abaixo:
165
ELETRÔNICA BÁSICA
Exemplo de operação com dBW em uma cadeia de amplificação
Por sua vez, o dBm expressando a potência em decibel referida à uma potência de referência de 1mW (um miliwatt), podemos escrever:
N[dBm] = 10. Log(P/Po) = 10 . Log (P/1mW) = 10 . Log (100 . P)
Onde N[dBm} é o resultado dado em dBm, Po é a potência de referência (1mW = 0,001 W) e P é a potência em Watts que será dada em
dBm, como mostra a tabela abaixo :
Se desejarmos encontrar o valor em dBm de uma tensão qualquer em cargas com impedâncias diferentes de 600 , deveremos utilizar a
fórmula já vista anteriormente :
N[dBm] = 20 . log (E/Eo) + 10 . log (Zo/Zx) Zo = 600 Eo = 0,775V
Utilizando esta equação podemos calcular o valor em dBm de uma tensão de 40V, aplicada a uma carga de 8 :
N[dBm] = 20 . log(40/0,775) + 10 . log (600/8) = 53dBm
166
ELETRÔNICA BÁSICA
Por outro lado a unidade dBu expressa, em decibel, a razão entre duas tensões, sendo que a tensão de referenência é a mesma a ser
aplicada a uma carga de 600 de modo a se obter uma potência de 1mW. Como visto anteriormente esta tensão é dada por :
v = P . R = 0,001 . 600 = 0,775V
N[dBu] = 10 . log (E/Eo)2 = 20 . log (E/Eo)
Onde N[dBu] é o resultado em dBu, Eo é a tensão de referência igual a 0,775V = 775mV e E é a tensão em volts que será dada em dBu. O
dBu somente será igual ao dBm se, e somente Exemplo de operação
se, for obtido em umacom dBm
carga de impedância igual a 600.
Exemplo de operação em dBu
O dBV expressa, em decibel, a razão entre duas tensões, sendo a tensão de referência igual a 1V. Assim :
N[dBV] = 10 . log(E/Eo)2 = 20 . log (E/Eo)
Onde N[dBV) é o resultado dado em dBV, Eo é a tensão de referência igual a 1V e E é a tensão em volts que será dada em dBV.
167
ELETRÔNICA BÁSICA
Exemplo de operação com dBV
TABELA DE CONVERSÃO DE POTÊNCIAS
168
ELETRÔNICA BÁSICA
2 - RELAÇÃO DE TENSÕES EM DB
TABELA DE CONVERSÃO DE TENSÕES
DISTRIBUIÇÃO DO CAMPO SONORO PARA

O OUVIDO HUMANO
CONVERSÃO DE dBm - dB - TENSÃO - POTÊNCIA

169
ELETRÔNICA BÁSICA
170
ELETRÔNICA BÁSICA
171
ELETRÔNICA BÁSICA
DECIBEL – PARTE B
1. A POTÊNCIA DO SOM
De fato, somente são notadas diferenças quando a potência sonora é multiplicada por um certo fator. Assim, ao nosso ouvido, a
passagem de 0,1W para 0,2W, parece ser tão grande quanto de 10W para 20W, pois em ambos os casos a potência foi dobrada. Por
esta razão é vimos anteriomente que não é adequado representar a potência em unidades absolutas, como por exemplo em Watts, mas
através da unidade relativa, o DECIBEL (dB).
Na figura 1 - A, vemos uma escala que permite a conversão de uma relação de potências em dB. Quando a potência P 2 é, por exemplo, o
dobro da potência P1, diz-se que P2 é 3dB maior que P1. Logo, 0,2W é, pois, 3dB maior que 0,1W, 20W estão 3dB acima de 10W; etc.
A escala da figura 1 – A, vai até 40dB, o que corresponde a uma relação de 10.000 entre P 2 e P1. Note-se que os valores em dB crescem
muito menos rapidamente que as relações P2/P1, lembrando-se ainda de que :
dB = 10 . log(P2/P1)
Observando-se através da figura 1 – A, que a escala de dB é linear, pode-se concluir que para se conseguir um controle que faça com
que a potência acústica de saída de um amplificador varie linearmente, deve-se empregar um dispositivo LOGARITMICO. Isto é feito
efetivamente, pois os controles de volume dos amplificadores utilizam potenciômetros LOGARIMICOS!
Nos potenciômetros lineares, a resistência varia linearmente com a rotação do cursor, ou seja :
Curva N 1 Variação Linear  R = a x 
Curva N 2 Variação Logarítmica  log R = 10a 
R (% de R)
100%
No 1
No 2
(% do deslocamento
100%
Nos potenciômetros logarítmicos, ao contrário, a resistência entre o cursor e o “lado inferior” aumenta lentamente, no início da rotação, e
rapidamente no fim do curso, segundo uma lei logarítmica.
Se utilizarmos um potenciômetro logarítmico como regulador da potência de saída de um amplificador, a energia sonora aumentará
lentamente, no início do curso do potenciômetro, e rapidamente no final. Como o nosso ouvido só é sensível a um aumento relativo e
logarítmico do nível sonoro, teremos a impressão de que o controle provoca um aumento linear do nível de saída. Mas se usarmos, nessa
mesma função, um potenciômetro linear, poderá ser observado que, quando o cursor é girado, o som aumenta rapidamente no início,
ficando o controle praticamente inoperante na maior parte do curso do potenciômetro.
172
ELETRÔNICA BÁSICA
Fig. 1
173
ELETRÔNICA BÁSICA
CURVAS DE FLETCHER – MUNSON REVELANDO QUE A SENSIBILIDADE AUDITIVA É FUNÇÃO DA

FREQUÊNCIA E DO VOLUME DE AUDIÇÃO
Fons
Fig. - 2
174
ELETRÔNICA BÁSICA
175
ELETRÔNICA BÁSICA
O nosso ouvido não é logarítmico apenas no que se refere à potência sonora, mas também no que concerne à frequência!
A diferença entre um som de 50Hz e outro de 60Hz é facilmente perceptível, mas terá um ouvido incrivelmente musical aquele que
perceber uma diferença entre um som de 5000Hz e outro de 5010Hz, se bem que nos dois casos a diferença seja de 10Hz. Aqui também
é exato que percebamos, apenas, as diferenças relativas : a diferença de altura musical entre um som de 50Hz e outro de 60Hz é a
mesma que a de uma som de 5000Hz e outro de 6000Hz!
Se a frequência de um som é o dobro da de outro, a diferença de altura musical é de uma oitava. O quarto Lá (A), a partir da
direita de um piano normal, possui a frequência de 220Hz; a sete teclas brancas à direita desta nota, encontra-se o Lá da oitava média
(A), que possui a fraquência de 440Hz. Outras sete teclas brancas à direita, e teremos outro Lá (A), com frequência de 880Hz, e assim
por diante. Nestas condições, após uma oitava, a frequência é sempre dobrada e isto vale, naturalmente, para todas as outras teclas do
nosso teclado.
Na figura 1-B, está representado um piano com uma escala linear e na figura 1 – C, um piano com uma escala logarítmica, onde a escala
segue uma progressão de frequências logarítmica.
A conclusão que podemos tirar de tudo isso é que a reprodução dos fenômenos de frequência sob a forma gráfica é muito mais clara
quando se utiliza uma escala logarítmica!
AS CURVAS DE FLETCHER - MUNSON ... COMENTÁRIOS
Retornemos mais uma vez ao decibel e lembremo-nos que ele é uma medida logarítmica relativa. Isto quer dizer que, fixando-se como
referência ou base, um determinado volume sonoro, é possível expressar os demais volumes em relação a este volume básico de
referência, em dB.
E assim foi feito, escolhendo-se como base um volume que se convencionaou chamar de “Limiar de Audição”. Este limiar
corresponde à potência de um som que qualquer indivíduo normal, ainda é capaz de perceber, e a ele corresponde Zero Fon.
A curva inferior da Figura 2 representa o limiar de audição, sendo indicado pela seta A. A curva indicada pela seta B corresponde ao
“limiar de sensação dolorosa”, ou “limiar da dor”. Se o volume exceder este limite, a audição será dolorosa. Para um som de 1000Hz, o
limiar se encontra em torno de 130dB acima do limiar de audição. Isto quer dizer que nossos ouvidos são concebidos para captar sons
que diferem, em potência, de 1012 ou 10.000.000.000.000 (dez trilhões) de vezes!!!
Tamanha faixa faixa de operação somente é possível porque nossos ouvidos funcionam de forma logarítmica!
A energia de um som de 1000Hz que ainda pode ser percebida, corresponde a zero dB. Os valores à esquerda do gráfico indicam,
portanto, a gradeza de uma energia sonora em relação à de 1000Hz, para cada volume de audição. Pelas curvas da Figura 2 pode ser
176
ELETRÔNICA BÁSICA
observado que, à medida que o volume de audição se aproxima do limiar, maiores precisam ser as diferençasde potência entre sons
graves e médios para um a idêntica percepção auditiva. Por exemplo, no limiar de audição pode-se constatar que a potência de um som
de 90Hz precisa ser 40dB maior que a de um som de 1000Hz, ou seja, 10000 vezes maior!
Aumentandose a potência de um som de 1000Hz de 10dB, a partir do limiar de audição, ter-se-à uma potência sonora
determinada, a qual chamaremos de 10Fons. Pode-se determinar, para cada frequência, a potência necessária para que sempre se
perceba o som com o mesmo volume de audição que o de 1000Hz, obtendo-se assim a curva dos 10Fons. Da mesma forma, serão
determinadas as curvas para 20, 30, 40 Fons: etc. Tais curvas, dadas na Figura 2, representam então os pontos de mesma potência
sonora, sendo chamadas de CURVAS DE FLETCHER- MUNSON.
A Figura 2 destaca o extraordinário comportamento de nossos ouvidos. Já citamos o fato de que sua sensibilidade aos sons graves é
sensivelmente menos que a sensibilidade aos sons da faixa média. Mas quanto menor?
Ajustando o volume sonoro em 0dB a 1000Hz (0 Fon) e reduzindo a altura do som até 90Hz, não se ouvirá mais nada. Para
perceber o som de 90Hz, será preciso aumentar a potência sonora de de 40dB. Isto, como já foi visto, equivale a uma potência 1000
vezes maior que a correspondente a 1000Hz!
Entretranto, se o amplificador for regulado de tal forma que a 1000Hz o volume de audição seja de 50Fons, e a altura do som
for, então, reduzida para 90Hz, mantendo-se constante a potência de saída do amplificador, será verificado que o volume de audição não
atingirá 20dB. Desejando-se ter o mesmo volume de audição que a 1000Hz, será preciso aumentar a potência sonora para quase 70dB,
pois em 90Hz essa potência corresponde, efetivamente, a 50Fons. Dos dois exemplos acima citados, resulta um importante constatação
a respeito do funcionamento de nossos ouvidos : a redução da sensibilidade auditiva aos sons graves depende do volume de audição!
Por isso, conforme pode ser visto na Figura 2, a curva correspondente a um volume de 100Fons é totalmente horizontal (plana)
entre 90Hz e 1000Hz; para um tal volume, nossos ouvido são igualmente sensíveis aos dois tons. Admitindo que um amplificador esteja
funcionando cm volume máximo e que estejamos escutando um conceto de órgão ( o órgão possui grande volume sonoro). Admitamos,
igualmente, que a relação de otência entre os sons agudos e graves esteja devidamente ajustada.
Se o volume do amplificador for reduzido de tal forma que a energia de todos os sons diminua proporcionalmente, e tendo-se em vista
que o ouvido é menos sensível aos nos graves, teremos a impressão de que a potência dos sons graves diminuiucom maior rapidez que
a dos sons médios e agudos! É por esta razão que os amplificadores de alta potência (não corrigidos) repoduzirá melhor os sons graves
queos de baixa potência.
Pode-se melhorar esse fenômeno reforçando-se os graves através do controle correspondente, à medida que o volume é
reduzido, através do controle de”nominado “controle de audibilidade”. Nossos ouvidos são sensíveis a sons de aproximadaente 20Hz a
20000Hz, havendo diferenças de sensibilidade de um indivíduo para outro. Não se deve esquecer de que os instrumentos musicais
produzem, além das frequências fundamentais, certo número de frequências harmônica, as quais são 2, 3, 4, etc.Saída
, vezes para
mais elevadas
que as frequências fundamentais. Veremos que os harmônicos determinam, principalmente, o timbre do som, sendo através da relação
de potência dos harmônicos que se reconhece, em grande parte, os instrumentos musicais. O tom mais alto de umopiano de cauda é o Dó
da 5a oitava (C ), com uma altura de somente 4186Hz. Entretanto, se um amplificador só é capaz de reproduzor frequências até, por
exemplo, 4200Hz, todos os harmônicos dos sons do piano acima destafrequência não serão reproduzidos, e a execução do instrumento
não será fiel. Deve-se considerar que, mesmo os harmônicos acima do limite de audibilidade devem ser reproduzidos pelo equipamento,
uma vez que embora não possam ser percebidos, exercem ainda um efeito perceptível sobre a reprodução final!
A figura abaixo mostra um controle de audibilidade (Loudness) usado em equipamentos mais antigos. Atualmente utiliza-se os
controles denominados “controles ativos”, utilizando-se circuitos integrados lineares (amplificadores operacionais). Estes controles
introduzem menor atenuação nas frequências baixas e altas, do que nas frequências médias, quando o volume de audição é reduzido.
Para a saída do controle da

tonalidade Paraa entrado do
amplificador
O potenciômetro R1 (logarítmico) é igual a : R1 = R1a + R1b, e R1a equivale a 20% do valor total de R1
Um exemplo :
177
ELETRÔNICA BÁSICA
COMPONENTE VALORES
R1 22k 47k 100k

R1a 5 k 10k 20k
R1b 17 k 37k 80k
R2 8,2 k 18k 33k
R3 470  680k 1,8k
C1 2200pF 1000pF 470pF
C2 0,82F 0,47F 0,22
Se o potenciômetro logarítmico R 1(potenciômetro de volume do amplificador de potência) a ser substituído for, por
exemplo, de 1M ou seja, 10 vezes maior que o de 100K, os valores de R2 e R3 serão também dez vezes
maiores que os valores adotados para o potenciômetro de 100K, e os capacitores C1 e C2 serão
respectivamente 10 vezes menores que os adotados na tabela para o potenciômetro de 100K.
EXEMPLO DE UM CONTROLE DE TONALIDADE ATUAL
178
ELETRÔNICA BÁSICA
Relação entre Potências – Tabelas - Considerações Complementares
179
ELETRÔNICA BÁSICA
A mais importante Unidade de Audio sem complicações
Entre todas as unidades utilizadas no campo da eletrônica e da acústica, o Bel (B) é, sem dúvida, a mais versátil. Curiosamente, porém, é a menos
conhecida quanto à sua real natureza. Isto porque, em princípio, é necessário o conhecimento de logarítmos.
Existem, no entanto, outras formas de se explicar o Bel sem ser necessário recorrer à noção de logarítmos. Daqui em diante faremos referência ao
Bel na forma de seu sub-múltiplo mais utilizado, o decibel (dB).
Inicialmente é preciso deixar bem claro dois princípios fundamentais:
 O decibel representa a relação (ou proporção) entre duas quantidades de potência, sejam elas acústicas ou elétricas;
 O decibel fundamenta-se no princípio da multiplicação. Adições sucessivas de decibeis correspondem a multiplicações

sucessivas.
Exemplificando:
 Se o amplificador A produz 10 vezes o número de watts que o amplificador B, a proporção entre as potências produzidas pelos
dois amplificadores será igual a 10;
 Se um amplificador gera 50W de potência na frequência de 1kHz e 20W na frequência de 20Hz a proporção entre as potências
geradas nas duas frequências é igual a 2,5.
A idéia de proporção entre duas potências é muito útil e temos que ter em mente que sempre que utilizamos o decibel estamos
multiplicando por um fator constante. Exemplificando:
 10 dB significa multiplicar por um fator igual a 10. Assim, cada nível de 10dB corresponde a uma multiplicação por 10. Então,
20dB é igual a 10dB+10dB que, portanto, significa 10x10 que é igual a 100;
 O amplificador A produz 10dB a mais de potência que o amplificador B. Isto significa que a amplificador A produz 10 vezes mais
potência que o amplificador B, ou seja, a proporção entre potências é igual a 10;
 Se o nível de um som qualquer, que denominamos A, é 20dB mais alto do que o nível de outro som que denominamos B, quer
dizer que o som A é 100 vezes mais alto que o som B.
A proporção entre as potências produzidas pelo som A e pelo som B é igual a 100. A partir destes princípios fundamentais, podemos
construir a Tabela 1. Note que para cada degrau de 10dB adicionamos um zero. Consequentemente, 10dB representa uma proporção
entre potências igual a 10, 20dB representa uma proporção entre potências igual a 100 e assim sucessivamente. Até agora, só
trabalhamos com degraus de 10dB. Podemos, então, perguntar :
Qual proporção de potências representa 1dB? Como já vimos, o decibel é representado por uma sequência de multiplicações.
100dB é igual a 10 degraus de 10dB.
Consequentemente, uma proporção de 10.000.000 é o resultado de 7 sucessivas multiplicações por 10. De forma idêntica, 10dB é igual a
10 degraus de 1dB. Como 10dB representa uma proporção entre potências igual a 10, é fácil concluir que esta relação entre potências é
obtida por 10 sucessivas multiplicações por 1,26 ou, mais precisamente, 1,25893. Portanto, 1dB corresponde a uma proporção entre
potências igual a 1,26. Esse número é suficientemente preciso para a maioria das aplicações práticas.
A Tabela 2 mostra proporção entre potências em incrementos de 1dB.
180
ELETRÔNICA BÁSICA
TABELA 1 TABELA 2
DB Proporção dB Proporção
10 10 1 1,26
20 100 2 1,58
30 1.000 3 2,00
40 10.000 4 2,51
50 100.000 5 3,16
60 1.000.000 6 3,98
70 10.000.000 7 5,01
80 100.000.000 8 6,31
90 1.000.000.000 9 7,94
100 10.000.000.000 10 10,00
110 100.000.000.000 - -
120 1.000.000.000.000 - -
Vejamos como as Tabelas 1 e 2 são úteis tomando alguns exemplos:
 Imaginemos uma proporção entre duas potências igual a 55dB. Consultando a Tabela 1 verificamos que 50dB corresponde a
uma proporção entre potências igual a 100.000 e, pela Tabela 2, verificamos que 5dB representa uma proporção entre
potências igual a 3,16. Relembrando que somar decibeis significa multiplicar proporções de potências, obtemos: 55dB =
50dB+5dB = 100.000x3,16 = 316.000. Portanto, 55dB representa uma proporção entre potências igual a 316.000.
 Extrapolando a Tabela 1, qual a proporção entre potências que representa 138dB se a mesma não excede 120dB?
Simplesmente acrescentando mais um zero. Desta forma obtemos:
138dB = 130dB+8dB = 10.000.000.000.000x6,31 = 63.100.000.000.000. Ou seja, uma proporção entre potências superior a 63
trilhões.
Conclusão : O decibel manipula relação entre potências representadas por números muito grandes de forma bastante simples.
Exemplos Práticos
Os exemplos seguintes são encontrados no cotidiano do profissional de áudio, em manuais de equipamentos e na literatura em geral.
 Suponhamos que a faixa dinâmica de um determinado equipamento, um CD player por exemplo, seja igual a 100dB. Isto quer
dizer que este equipamento é capaz de trabalhar com toda faixa de sinais de áudio compreendidos dentro de 100dB. Em outras
palavras, uma faixa dinâmica igual a 100dB denota a capacidade deste equipamento em operar com sinais de nível
extremamente baixo, 1 dB digamos, até sinais com nível extremamente alto, 100dB. A proporção entre o sinal com nível muito
baixo e o sinal com nível muito alto é de 10.000.000.000. Em outras palavras, o CD player tomado como exemplo é
suficientemente eficiente em reproduzir sinais que apresentam diferenças de nível igual a 10 bilhões sem alterar suas
características originais.
 Nosso amplificador predileto exibe uma relação sinal/ruído igual a 98dB. A relação sinal/ruído denota a diferença entre o nível
dos sinais que efetivamente serão utilizados e o nível de ruído gerado pelo próprio amplificador. Uma relação sinal/ruído igual a
98dB corresponde a uma relação entre potências igual a 6.310.000.000, ou seja, o nível de potência de ruído gerado pelo nosso
amplificador necessitaria de uma potência 6.310.000.000 maior para se equiparar aos sinais utilizados.
 Um alto-falante tem uma resposta em frequência que exibe um nível de 10dB em 35Hz tendo a frequência de 1kHz como
referência. Assim, em 35Hz teremos 1/10 da potência que seria obtida em 1kHz.
Relação entre Tensões
Até agora relacionamos decibéis somente com potências acústicas e elétricas. Todavia, quando trabalhamos com sinais de áudio
utilizamos quase sempre a unidade de tensão elétrica (volt) e seu sub-múltiplo mais comum, o milivolt (mV). Verificamos,
então, a necessidade de relacionar decibéis com tensões elétricas. Sabemos que a potência elétrica é o produto da tensão pela corrente,
(P = VI). Quando a tensão aumenta a corrente aumenta proporcionalmente. Se duplicamos a tensão a corrente também é duplicada. Mas
esse aumento proporcional não ocorre com a potência. Na verdade, a potência varia com o quadrado da variação da tensão. Aumentando
a tensão por um fator igual a 10 a potência aumentará por um fator igual a 100, que é o quadrado de 10, 10 2 = 100. Assim, o incremento
181
ELETRÔNICA BÁSICA
de tensão equivale à raiz quadrada do incremento de potência. Aumentando a potência 25 vezes a tensão aumentará 5 vezes, pois a raiz
quadrada de 25 é igual a 5.
Admitamos um incremento de potência de 20dB. Consultando a Tabela 1 verificamos que 20dB corresponde a uma relação entre
potências igual a 100. Porém, a proporção relativa ao incremento de tensão será a raiz quadrada de 100, que é igual a 10. Desta forma,
uma proporção entre tensões igual a 10 equivale a 20dB. Consequentemente, incrementos de 20dB correspondem a uma multiplicação
da tensão por 10. Verificando a Tabela 2, constatamos que 1dB equivale a uma proporção entre potências igual a 1,26. Assim, a
proporção entre tensões que representa 1dB é igual a raiz quadrada de 1,26, que é 1,12. Todas estas considerações permitem a
construção das
Tabelas 3 e 4, que facilita a transformação de decibeis em proporção de tensões.
TABELA 3 TABELA 4
dB Proporção dB Proporção
20 10 1 1,12
40 100 2 1,26
60 1.000 3 1,41
80 10.000 4 1,58
100 100.000 5 1,78
120 1.000.000 6 2,00
140 10.000.000 7 2,24
160 100.000.000 8 2,51
180 1.000.000.000 9 2,82
200 10.000.000.000 10 3,16
Exemplos Práticos :
Vejamos dois exemplos simples fazendo uso das Tabelas acima:
 Qual a proporção entre tensões equivalente a 62dB?

62dB = 60dB+2dB = 1.000x1,26 = 1260
 Qual a proporção entre tensões equivalente a 145dB?

145dB = 140dB+5dB = 10.000.000x1,78 = 17.800.000
Transformando Relações de Potências e Tensões em Decibéis
Até agora trabalhamos convertendo decibéis em proporção de potência ou tensão. Podemos fazer o procedimento inverso, ou seja,
converter proporções de potência ou tensão tomando como referência as Tabelas apresentadas.
Exemplificando:
 Suponhamos uma proporção entre potências igual a 200. Essa proporção equivale a quantos dB? Inicialmente, podemos
considerar que 200 = 100x2. Consultando a Tabela 1 verificamos que uma proporção de potências igual a 100 corresponde a
20dB.
 Pela Tabela 2 , uma proporção de potências igual a 2 corresponde a 3dB. 200 = 100x2 = 20dB+3dB = 23dB.
 Suponhamos uma proporção entre tensões igual a 200. Essa proporção equivale a quantos dB? Consultando as Tabelas 3 e 4,
obtemos: 200 = 100x2 = 40dB+6dB = 46dB.
 Um exemplo prático: Se consideramos que um amplificador qualquer apresenta um ganho de tensão de 46dB, que equivale a
uma relação de tensões igual a 200, significa que o mesmo é capaz de amplificar o sinal presente em sua
entrada em 200 vezes. Se aplicarmos na entrada deste amplificador um sinal com amplitude de 5 milivolts (0,005V) teremos em sua saída
o mesmo sinal com amplitude de 1 volt.
182
ELETRÔNICA BÁSICA
RELAÇÃO DE POTÊNCIAS EM dB
Decibel Negativo
É muito comum encontrarmos especificações onde o decibel aparece associado a um número negativo. Isto acontece quando
relacionamos dois sinais elétricos e queremos especificar a diferença, em decibeis, que existe entre eles. Exemplificando:
 Digamos que a relação sinal/ruído de um determinado equipamento seja de -80dB. Isto quer dizer que o nível de ruído gerado
pelo equipamento está 80dB abaixo do sinal que será efetivamente utilizado. 80dB corresponde a uma relação
entre potências igual a 100.000.000. Desta forma, a potência de ruído equivale a 1/100.000.000 da potência do sinal útil, ou, de outro
modo, o nível de ruído necessitaria de uma potência 100.000.000 de vezes maior para se equiparar à potência do sinal que será
amplificado.
O Decibel Absoluto
183
ELETRÔNICA BÁSICA
Pelo que foi exposto ao longo deste texto, podemos concluir que o decibel não denota características absolutas como acontece com
outras unidades elétricas e acústicas. Na verdade, o decibel expressa uma relação, ou proporção, entre potências ou tensões. Em
algumas situações, porém, o decibel aparece relacionado à uma unidade padrão de referência. Quando o decibel aparece relacionado à
uma unidade de referência estamos trabalhando com o decibel absoluto.
Em audiofrequência, especialmente na operação de equipamentos profissionais, é muito comum encontrarmos o decibel especificado
como dBm. O dBm nada mais é do que o decibel relacionado com um padrão de tensão, ou potência, sobre uma carga ou impedância
definida. Portanto, quando afirmamos que na saída de um equipamento qualquer existe um nível de 0dBm subentendemos que este
equipamento apresenta uma impedância de saída igual a 600ohms e a amplitude da tensão é de 0,775Vrms. Esta tensão, sobre uma
carga de 600ohms produz 0,001W (1 miliwatt). Ou, de outra forma, simplesmente 0dBm.
A Tabela 5 lista alguns padrões com os quais o decibel aparece referenciado. Muitas delas são amplamente utilizadas enquanto outras
têm uso restrito em determinadas áreas específicas.
TABELA 5
Nome Referência Observações
dBm 0,775Vrms/600 (1mW) 0dBm = 0,775V/600
dB 1000V -
dBW 1 watt Medição de altos níveis de potência.
dBrap 10-16 watts Decibeis acima do nível de referência da potência acústica.
dBrn diversas Relação entre ruído e um nível de referência pré-estabelecido.
dBv 1 volt -
Decibel e Logarítmos
Trabalhar com decibéis utilizando logarítmos é fácil quando se tem em mãos uma calculadora científica capaz de trabalhar com
logarítmos de base 10 (log10).
 A equação básica do decibel, quando relacionamos duas potências é:
dB = 10log10 (P2/P1)
onde P1 é a potência de entrada e P2 é a potência de saída.
 Quando relacionamos duas tensões, a equação básica toma a seguinte forma:
dB = 20log10 (V2/V1)
onde V1 é a tensão de entrada e V2 a tensão de saída.
É importante ressaltar que esta equação só é válida quando as tensões de entrada e saída são medidas sobre impedâncias iguais.
Quando as impedâncias de entrada e saída são diferentes a equação acima toma a seguinte forma:
dB = 20log10 (V2/V1) + 10log10 (Z1/Z2)
onde Z1 e Z2 são as impedâncias de entrada e saída, respectivamente.
Exemplos Práticos
 Um atenuador tem em sua entrada um sinal com amplitude de 6 volts e em sua saída medimos o mesmo sinal com amplitude
de 2 volts. Sendo as impedâncias de entrada e saída idênticas, qual é a taxa de atenuação deste atenuador?
dB = 20log10 (V2/V1) = 20log102/6 = 20log100,33 = 20x(-0,48) = 9,6dB
184
ELETRÔNICA BÁSICA
 Um pré-amplificador tem uma impedância de entrada igual a 1MW (1.000.000W) e uma impedância de saída igual a 600W. Em
sua entrada aplicamos um sinal de áudio com 0,05V (50mV) e, em sua saída, medimos 0,5V (500mV). Qual é o ganho de
tensão do pré-amplificador em dB?
dB = 20log10 (V2/V1) + 10log10 (Z1/Z2) = 20log100,5/0,05 + log101000000/600 = 20+32,2 = 52,2dB.
 Um amplificador de linha tem as impedâncias de entrada e saída iguais a 600W. Em sua entrada é aplicado um sinal com
amplitude igual a 0,775V e, em sua saída, obtemos 7,75V. Qual o ganho de tensão deste amplificador em dB?
185
ELETRÔNICA BÁSICA
dB = 20log10 (V2/V1) = 20log107,75/0,775 = 20log1010 = 20x1 = 20dB ..... ou, consultando a Tabela 3, um ganho de tensão igual a
10 vezes.
 Aplicando um sinal de 1mW na entrada de um amplificador obtemos em sua saída 1W. Qual o ganho de potência, em dB, deste
amplificador?
dB = 10log10P2/P1 = 10log101/0,001 = 10log101000 = 30dB.
UNIDADES DE DECIBEL UTILIZADAS EM ACÚSTICA
medida relativa valor de referência

medida absoluta
nome fórmula ( limiar )
nível de
dBSPL = 20 log (P / Po) P = pressão acústica Po = 0.00002 Newton/m2
pressão sonora
nível de
dBIL = 10 log (I / Io) I = intensidade acústica Io = 10 -12 watt/m2
intensidade sonora
nível de
dBPWL = 10 log (W / Wo) W = potência Wo = 10 -12 watt
potencia sonora
Significado das abreviações acima:
SPL = Sound Pressure Level ... Nível de Pressão Sonora

IL = (Sound Intensity Leve)l ou NIS (Sound Intensity Level) ... Nível de Intensidade Sonora
PWL = ( Sound Power Level ... Nível de Potência Sonora
a) Limiar Inferior da Audição Humana
O mínimo de energia sonora que o aparelho auditivo pode discriminar equivale à 10 -12 W/m2, correspondendo à pressão sonora
mínima de 20.10-6 Pa, ou 20Pa. Estes valores correspondem ao nível zero ou limiar inferior de audição humana.
b) Limiar Superior da Audição Humana
É o máximo de energia sonora que o aparelho auditivo consegue suportar. Corresponde, em intensidade, à 10 0 W/m2, ou, 1
W/m2, e em pressão sonora, à 200 Pa. A sensação é mais de desconforto (ou mesmo dor) do que tonal.
Grandezas Físicas da Acústica - Conceitos
a) Energia Acústica : É a energia mecânica transportada pela onda sonora.
b) Potência Acústica : É o fluxo de energia acústica por unidade de tempo. Medida em watts (W).
c) Intensidade Sonora (I) : É a potência acústica por unidade de área. Medida em W/m 2.
d) Pressão Sonora (p) : Força exercida pelas partículas do meio elástico sobre uma unidade de área. Medida em pascal (Pa).
e) Nível de Intensidade Sonora (NIS) : Chama-se Nível de Intensidade Sonora de um som, ao resultado numérico, expresso em
decibéis da expressão:
NISdB = 10 log(I/Iref)
onde Iref é o padrão de referência da intensidade. Corresponde ao nível zero de audição, (menor volume audível), ou seja, ao valor
numérico de 10-12 W/m2.
c) Nível de Pressão Sonora (NPS)
É definido como sendo o resultado numérico, expresso em decibéis, da expressão:
NPSdB = 20 log (P/Pref)
onde Pref é o padrão de referência da pressão. Equivale à menor pressão sonora audível, ou seja, ao valor numérico de 20 Pa( ou à
pressão de 0,00002N/m2)
186
ELETRÔNICA BÁSICA
d) Relação entre NIS e NPS
As expressões que nos fornecem os níveis de intensidade sonora e de pressão sonora nos informam que o processo de obtenção desses
valores, não é linear. Isto significa que operações matemáticas simples como adição e subtração, não podem ser realizadas. Ao invés
disso, é necessário operar com logarítmos. Isto significa que ao dobrarmos a intensidade sonora, o NIS aumenta apenas de 3 dB e, no
caso da pressão, ao duplicarmos a pressão sonora, o NPS aumenta em 6 dB.
Fontes Sonoras
São os instrumentos que geram as ondas sonoras. Muitos corpos podem servir como fontes sonoras, todavia, há um pré-requisito
indispensável para que ele funcione como tal: precisa ser capaz de vibrar. Para que um corpo seja posto em movimento vibratório, é
imprescindível que exista uma relação bem definida entre duas características importantes da matéria que o compõe: densidade e rigidez.
Ondas Sonoras – Considerações Comlementares
São ondas mecânicas, longitudinais e tridimensionais. Por serem longitudinais, são ondas de pressão, e caminham no meio de
propagação através de sucessivas compressões e rarefações das partículas do meio. A compressão acontece quando a partícula
empurra a que lhe segue imediatamente, e a rarefação é causada pelo vazio deixado pelas partículas que se afastaram daquela região.
As compressões e rarefações referem-se às pressões máximas e mínimas da propagação sonora, respectivamente. Os meios de
propagação são denominados meios elásticos por serem capazes de se deformarem à passagem das ondas sonoras e restaurarem sua
forma original após a passagem das mesmas. Qualquer meio material que propague uma onda sonora é considerado elástico. As ondas
ao se propagarem através de um meio elástico alcançam o ouvido causando a sensação sonora. O aparelho auditivo humano é sensível
a sons cujas freqüências estão compreendidas na região de 20 Hz à 20 kHz, conhecida como ESPECTRO DE AUDIOFREQUÊNCIAS.
Certos animais, no entanto, são sensíveis a freqüências superiores a 20kHz, como mostra a tabela abaixo:
Animais Faixa de Audição

Morcegos 10 kHz a 120 kHz
golfinhos 10 Hz a 240 kHz
cães 15 Hz a 50 kHz
gatos 10 Hz a 65 kHz
Outros exemplos :
Situação Nível Sonoro (dB)

Cochicho 20
Festa barulhenta 60
Trânsito intenso 80
Máquina agrícola (trator) 100
Conjunto de rock 110
Avião a ato decolando a 30 m de
140
distância
Características do Som
a. Intensidade Sonora
Está relacionada com a amplitude da onda sonora, ou seja, com a quantidade de energia transportada por ela. Dessa forma, quanto
maior for a amplitude da onda, maior será sua intensidade e consequentemente, maior volume terá o som.
b. Altura do Som
É a qualidade relacionada com a freqüência sonora. Dessa forma, podemos classificar a altura de um som, dentro de uma escala
que varia de grave à agudo. Os termos alto e baixo, referem-se a ondas sonoras de alta e baixa frequência respectivamente, sendo
portanto, equivalentes aos termos agudo (som alto) e grave (som baixo), nada tendo a ver com a intensidade sonora (o volume do
som) que pode ser forte ou fraca.
c. Timbre do Som
187
ELETRÔNICA BÁSICA
Este não é uma qualidade do som , mas sim da fonte sonora. O timbre de um som é função do conjunto de harmônicos que compõem a
onda sonora gerada. Através desse conjunto de harmônicos fornecidos pela fonte sonora, obtemos ondas de formato diferente e, dessa
forma, é possível diferenciar a mesma nota musical emitida por dois instrumentos diferentes, graças às várias componentes harmônicas
que cada instrumento (fonte sonora) possui. Ao se dedilhar uma corda esticada de um instrumento musical, geram-se ondas que se
propagam pela corda a partir do ponto em que se aplicou o impulso na direção de suas extremidades. Nesse caso as ondas se propagam
transversalmente à força aplicada (propagação transversal). No gráfico abaixo, o cone de um alto-falante se movimenta alternadamente
para frente e para trás produzindo sucessivos pulsos de compressão e rarefação de ar, que se propagam em forma de onda.
Graficamente, esse movimento de compressão e rarefação pode ser representado por uma onda, onde a parte acima do eixo horizontal
representa a compressão e a parte abaixo do eixo representa a rarefação:
CONCEITO DE DÉCADAS E OITAVAS
a) Uma freqüência F1 varia de uma década, quando assume um valor F2 tal que : F2 = 10 . F1
Generalizando, diremos que F1 variou de “n” décadas, quando : F2 = 10n . F1
b) Uma freqüência F1 varia de uma oitava, quando assume um valor F2 tal que : F2 = 2n . F1
Esta noção de décadas e oitavas são aplicadas quando da especificação de filtros, amplificadores, divisores de freqüência; etc.
freqüência relação
f original
2xf uma oitava acima
4xf duas oitavas acima
8xf três oitavas acima
188
ELETRÔNICA BÁSICA
16 x f quatro oitavas acima
A cada oitava dobra a freqüência. Veja quadro seguinte :
relação oitava (n) freqüência freqüência freqüência

original 0 f 2 elevado a 0 x f f
uma oitava acima 1 2xf 2 elevado a 1 x f 2xf
duas oitavas acima 2 2x2xf 2 elevado a 2 x f 4xf
três oitavas acima 3 2x2x2xf 2 elevado a 3x f 8xf
quatro oitavas acima 4 2x2x2x2xf 2 elevado a 4x f 16 x f
... ... ... ... ...
n oitavas acima n 2 x 2 x 2 x 2 x ...(n vezes) x f 2 elevado a n x f n
2 xf
189
ELETRÔNICA BÁSICA
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS :
1. ELETRÔNICA /A. P. MALVINO ... VOL I E II.
2. ELETRÔNICA NO LABORATÓRIO/A. P. MALVINO.
3. APOSTILAS/EFAP ... PROF. ROLAND M. ZURMELY.
4. EB 19 - DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES IV
ELETRÔNICA BÁSICA OCCIDENTAL SCHOOLS.
5. APOSTILA DE ELETRÔNICA BÁSICA E INDUSTRIAL

PROF. ARMANDO CÉLIO LEAL
“CONHECIMENTO e SABEDORIA, longe de serem UM,

Frequentemente não têm ligação entre si.
O CONHECIMENTO habita cabeças cheias
de pensamentos de outros homens.
A SABEDORIA mora em mentes atentas
A seus próprios pensamentos.
O CONHECIMENTO orgulha-se de ter aprendido tanto;
A SABEDORIA é humilde; sabe que pouco sabe!
(Autor desconhecido)
190

Eletrônica Básica

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Eletrônica Básica

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

ELETRÔNICA BÁSICA

CAPÍTULO I - MEDIÇÕES ELETRÔNICAS

ERROS DE OBSERVAÇÃO E DE MEDIÇÃO

– um instrumento de medição (no caso, um amperímetro).

L/L ou melhor 100 x (L/L) ... valor em porcentagem

No primeiro caso 100 x (L/L) = 0,001% (muito boa)

ERROS EM SOMA OU DIFERENÇA

ERROS NUM PRODUTO OU QUOCIENTE

Para conhecermos a superfície da mesa S, teremos que efetuar:

S = Lm + mL (desprezando L x m, que é muito pequeno).

Será igualmente o caso para os quocientes onde os erros relativos se somam.

x/x = a/a + b/b

ERROS DOS INSTRUMENTOS DE MEDIÇÕES ELETRÔNICAS

O erro absoluto é igual ao produto da classe de precisão pelo calibre do instrumento.

Erro Absoluto = (Calibre x Classe %)/100

Amperímetro classe  1,5%, calibre 5A I = (1,5 x 5)/100 =  0,075A

MEDIÇÕES DE TENSÕES CONTÍNUAS - PRINCÍPIO DE VOLTÍMETRO

VOLTÍMETRO COM VÁRIOS CALIBRES

É realizado conforme o esquema seguinte:

Procede-se da mesma maneira para os demais calibres. Por exemplo:

V4 = (Rg + R1 + R2 +R3 + R4) x Igmáx

SENSIBILIDADE E RESISTÊNCIA INTERNA DE UM VOLTÍMETRO

S = 1/Igmáx como I = V/R S = 1/(V/R)  S = R/V ... ohm/V ou K/V

- O galvanômetro de um voltímetro tem um consumo de Igmáx = 50A. Qual é a sensibilidade do voltímetro?

- Qual é a sua resistência interna no calibre de 160V?

Ri = Re = S x Calibre = [ 20K/V ] x 160 V = 3,2M

Importante  Podemos concluir que :

sensibilidade do galvanômetro. Esse é o princípio básico do voltímetro eletrônico. Esquema de princípio :

ESPECIFICAÇÕES DE MEDIDORES DIGITAIS

As resistências fixas usadas em eletrônica ficam normalmente definidas da seguinte maneira :

Resistência Nominal : Valor indicado no corpo da resistência.

RESISTÊNCIAS DE CAMADA DE CARBONO E METAL :

- Grande precisão ... 0,05% a 1%

- Frágil quando não tem proteção externa.

- A camada externa não resiste a sobrecarga nem aos choques mecânicos.

- Estabilidade excelente. - Potências elevadas.

- Custo elevado. - Não podem ser utilizadas em altas

RESISTÊNCIA DE PELÍCULA METÁLICA OU METAL FILM RESISTOR :

Valores padronizados para resistores e capacitores (IEC - 63)

E192 E96(1%) E48(2%) E24(5%) E12 (10%) E6(20%) E3

110 110 110 22 22 22 22

A – MÉTODO DO OHMÍMETRO TIPO SÉRIE

B – MÉTODO DO OHMÍMETRO ELETRÔNICO (ANALÓGICO)

V = E .Rx/(Re + Rx) Para Rx = 0  Vel = 0; para Rx = ∞  Vel = E

RESISTÊNCIAS VARIÁVEIS E AJUSTÁVEIS

Reostato sem interrupção

Reostato com interrupção

0 100% (% de deslocamento)

Curva 1 : Variação Linerar  R = a . 

Caracteristicas dos principais condutores

Material Resistividade -  Condutividade - c Coeficiente de Temperatura - 

Alumínio 0,00292 34,2 0,0039

Bronze 0,067 14,9 0,002

Cobre puro 0,0162 61,7 0,00382

Cobre duro 0,0178 56,1 0,00382

Cobre recozido 0,0172 58,1 0,00382

Constantan 0,5 2 0,00001

Estanho 0,115 8,6 0,0042

Grafite 13 0,07 0,0005

Ferro puro 0,096 10,2 0,0052

Latão 0,067 14,9 0,002

Manganina 0,48 2,08 0

Mercúrio 0,96 1,0044 0,00089