Diodo Schottky

Descrição

•O diodo Schottky é um diodo semicondutor caracterizado por possuir uma

baixa tensão direta e ser capaz de operar em frequências muito altas,
devido à sua rapidez de chaveamento.

Comparação Schottky P-N (Si)

Tensão Direta 0,15 ~ 0,45 V 0,6 ~1,7 V
Ordem de frequência máxima
de operação GHz kHz
 Construção
• O tipo de junção deste diodo é metal-semicondutor, diferentemente dos
diodos convencionais que utilizam junção P-N
(semiconductor–semiconductor). A barreira de potencial formada é
chamada de barreira Schottky (dedicado ao Físico alemão Walter H.
Schottky, que descobriu o fenômeno) .
• Os metais tipicamente utilizados são: molibdênio, platina, cromo e
tungstênio. Para o semicondutor, é utilizada uma junção N (Silício
levemente dopado).
• O metal age como um anodo enquanto o material tipo N age como um
catodo. A barreira formada possui potencial baixo e alta capacidade de
chaveamento.

Metal N-type
material
Funcionamento
❑ Os elétrons do material tipo N possuem menor energia que o
material metálico, impossibilitando que os elétrons atravessem a
barreira de potencial.
❑ Em polarização direta, os elétrons citados ganham energia,
vencem a barreira de potencial, cruzam a junção e se chocam
com o metal, com grande energia.

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 6
VI characteristics of Schottky diode
 Tempo de recomposição
reversa
(Reverse recovery time)
• Quando se trata de diodos de junção P-N, ao inverter a
polaridade da fonte, o diodo necessita de um tempo de
recuperação que geralmente é da ordem de 100 nanosegundos.
O diodo Schottky possui um tempo de recomposição reversa
infinitamente menor que os diodos comuns, podendo operar
tranquilamente em frenquências mais altas. Este tempo se dá
devido à depleção de portadores na junção P-N, fenômeno que
não acontece na barreira Schottky.
Características importantes

• O diodo Schottky é uma junção metal-semicondutor;

• O semicondutor é, geralmente, um material do tipo N;

• O material do tipo N é levemente dopado;

• É capaz de operar tanto na faixa de MHz quanto na faixa de alguns

GHz.
Limitações
• Suporta baixa tensão reversa, da ordem de 50V;
• É termicamente instável, portanto, não possui comportamento
estável em temperaturas muito altas.
Aplicações
• Circuitos de proteção contra surto e correntes reversas;

• Retificadores de sinal em alta frequência;

• Lógica TTL (baixa tensão);

• Dispositivos que envolvem chaveamento em alta frequência.

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