PRÁTICAS ONLINE PRÉVIAS

CONCEITOS BÁSICOS EM SISTEMAS DE ATERRAMENTO 1

CONCEITOS BÁSICOS EM ATERRAMENTO DE SISTEMAS ELÉTRICOS

Proteção de Sobretensões e Aterramento de Sistemas Elétricos

MBA Energia Elétrica: Geração, Transmissão e Distribuição

Prof. Dr. Vilson Luiz Coelho

 CONCEITOS BÁSICOS EM SISTEMAS DE ATERRAMENTO 2

IPOG – INSTITUTO DE PÓS-GRADUAÇÃO E GRADUAÇÃO

Todos os direitos quanto ao conteúdo desse material didático são reservados ao(s)
autor(es).
 CONCEITOS BÁSICOS EM SISTEMAS DE ATERRAMENTO 3

/// PRÁTICAS ONLINE PRÉVIAS

Antes das aulas remotas da disciplina, sugerimos a leitura dessa apostila e a realização
da atividade prévia.
Nesse documento apresenta-se a parte inicial da disciplina que trata dos conceitos
básicos e a modelagem matemática das linhas de transmissão.
A atividade prévia foi desenvolvida com o objetivo de exercitar e fixar esse conteúdo.

/// PROFESSOR
Vilson Luiz Coelho, possui graduação em Engenharia Elétrica (1979), mestrado em
Engenharia Elétrica (2005) e doutorado em Engenharia Elétrica (2010) pela Universidade
Federal de Santa Catarina. Realizou um trabalho de pós-doutorado no Instituto de
Energia e Ambiente da Universidade de São Paulo em 2014. Entre 1980 e 2003 atuou
como engenheiro e gerente da área de normas e estudos de distribuição da Centrais
Elétricas de Santa Catarina, CELESC. Atualmente é professor do Centro Universitário
UNISATC e do Instituto de Pós-Graduação e Graduação (IPOG). Tem experiência na área
de Engenharia Elétrica, com ênfase em Transmissão e Distribuição de Energia Elétrica,
atuando principalmente nos seguintes temas: proteção, aterramento, descargas
atmosféricas e sistemas de potência.
 CONCEITOS BÁSICOS EM SISTEMAS DE ATERRAMENTO 4

SUMÁRIO

1 INTRODUÇÃO 5
2 IMPEDÂNCIA E RESISTÊNCIA DE ATERRAMENTO 6
3 RESISTÊNCIA DE ATERRAMENTO 7

3.1 Princípio Básico 7

3.2 Aterramento Composto por Uma Haste ou Cabo Vertical 9
3.3 Aterramento Composto por Várias Hastes Verticais 10
3.4 Aterramento com Eletrodo Horizontal 12
3.5 Aterramento em Malha 13

4 RESISTIVIDADE APARENTE 15

4.1 Resistividade Aparente para Aterramento Composto por Haste Única 16

4.2 Resistividade Aparente para Aterramentos com Topologias Complexas 16

5 FATORES DE INFLUÊNCIA NAS CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DO SOLO 19

5.1 Influência da Umidade 19

5.1.1 Influência da Umidade na Resistividade 19
5.1.2 Influência da Umidade na Permissividade Elétrica 22
5.1.3 Determinação do Teor de Umidade de Amostras de Solo 23

5.2 Influência da Temperatura 24

5.3 Influência das Características da Corrente de Falta 25
5.3.1 Influência da Frequência. 25
5.3.2 Influência da Amplitude. 26

6 MÉTODOS PARA REDUÇÃO DA RESISTÊNCIA DE ATERRAMENTO 28

6.1 Bentonita 29
6.2 Gel 29
6.3 GEM 30

7 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 35
 CONCEITOS BÁSICOS EM SISTEMAS DE ATERRAMENTO 5

1 INTRODUÇÃO
O conceito da Física para “aterramento” elétrico é um ente idealizado, capaz de fornecer
ou absorver a quantidade de carga elétrica que se fizer necessária à situação sem,
entretanto, alterar quaisquer de suas propriedades elétricas, mostrando-se sempre
eletricamente neutro ao ambiente que o cerca. Na prática tem-se excelente
aproximação para tal ente. Devido às suas características, a Terra mostra-se, na maioria
dos casos, produzir um excelente “aterramento elétrico”, pois a carga remanescente em
um corpo inicialmente carregado, após contato com a Terra é, em praticamente todas
as situações, desprezível.
Em engenharia define-se aterramento como sendo a ligação intencional de um
equipamento ou um sistema à terra, por meio de dispositivos condutores de
eletricidade adequados, de modo a criar um caminho seguro e de baixa
resistência/impedância.
A finalidade de um sistema de aterramento é garantir a operação correta dos
dispositivos de proteção de sobrecorrente e sobretensão e “descarregar” cargas
estáticas e com isso, a segurança de pessoas, equipamentos e instalações elétricas. Para
isso, os aterramentos em redes e instalações elétricas devem ter as seguintes
características:
• Manter o potencial do neutro em relação à terra, em condições normais de
funcionamento em qualquer ponto da rede. Alguns autores sugerem 10 V como
o máximo;
• Garantir os potenciais de passo e toque em valores seguros em condições de
defeito;
• No caso de aterramento com vistas à proteção contra descargas atmosféricas os
para-raios devem ser aterrados com o menor valor possível. Algumas normas
sugerem valores nunca superiores a 80 . No caso de redes e linhas com cabos
para-raios os aterramentos somente serão efetivos se as resistências forem
baixas. Algumas publicações adotam o seguinte critério: Rat < NBI/20.
Nos estudos do comportamento dos sistemas de aterramento frente às descargas
atmosféricas, o conhecimento das características dos aterramentos é de extrema
 CONCEITOS BÁSICOS EM SISTEMAS DE ATERRAMENTO 6

importância, já que as soluções de proteção são específicas para cada sistema em função
do seu formato e dimensões.

2 IMPEDÂNCIA E RESISTÊNCIA DE ATERRAMENTO

Um sistema de aterramento pode ser interpretado como sendo a impedância de entrada
de uma linha de transmissão (Zin), conforme mostra a Figura 2.1.

L
R

Zin C G

Solo

Figura 2.1 – Aterramento como uma Linha de Transmissão com Perdas – Circuito Equivalente

A impedância de entrada do sistema é também conhecida como impedância transitória,

já que é função da tensão e da corrente que são parâmetros variantes no tempo.

V (t )
Z (t ) = ( ) [2.1]
I (t )
A Figura 2.1 mostra um segmento de linha de transmissão, que representa um
aterramento, onde R é a resistência elétrica do eletrodo (haste ou condutor), L a
indutância interna e externa ao eletrodo, G a condutância e C a capacitância.
Pelo circuito equivalente percebe-se que quando a corrente de falta é contínua a
impedância do aterramento resume-se em Zin =R+1/G. Considerando que R<<1/G a
impedância de aterramento é então a própria resistência de aterramento, Rat = 1/G.
No entanto para aterramentos que são submetidos a correntes impulsivas ou de altas
frequências deve-se considerar a influência dos parâmetros indutância e capacitância.
No domínio da frequência, forma fasorial, a impedância de entrada (Zin) pode ser obtida
pela equação 2.2.
 CONCEITOS BÁSICOS EM SISTEMAS DE ATERRAMENTO 7

Z0
Zin =   [2.2]
tanh  l
onde:
j L
Z0 =   e  = j L ( G + jC )  rad/m ;
G + jC

considerando-se que em condições de alta frequência R<<L.

Para obtenção dos parâmetros L, C e G pode-se utilizar a metodologia indicada em [1].
Assim, um aterramento, quando submetido a uma corrente de alta frequência, pode
apresentar um valor de impedância (módulo) superior ao valor da resistência, valor este
medido por um terrômetro convencional que opera em baixas frequências. No entanto,
deve-se considerar que a resistividade do solo é um parâmetro que depende da
frequência [2], ou seja, a resistividade do solo diminui com o aumento da frequência, o
que pode significar que em determinadas condições a impedância pode ser inferior ao
valor de resistência medido em baixas frequências, no entanto, isto depende das
dimensões e do formato do sistema de aterramento.
Em baixas frequências (<10 kHz) os valores de impedância e resistência apresentam-se
bastante próximos para os sistemas de aterramento usuais.

3 RESISTÊNCIA DE ATERRAMENTO
Os sistemas de aterramento, em sua grande maioria, são projetados e desenvolvidos
considerando a perspectiva de se obter valores de “resistência” de aterramento que não
comprometam o sistema de proteção para eventuais correntes de curto-circuito em
60Hz. Ou seja, nestes casos pode-se considerar apenas a resistência de aterramento do
sistema.
Nos itens seguintes serão apresentadas informações e teorias sobre aterramento em
sistemas elétricos, em baixas frequências, baseados nas referências [3] a [7].

3.1 Princípio Básico

Considerando um eletrodo esférico com seu hemisfério inferior imerso em um solo de
resistividade , sendo transpassado por uma corrente I, haverá uma densidade de
corrente J distribuindo-se radialmente no solo, vide Figura 3.1.
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I
ro ar
solo
r

Figura 3.1 – Aterramento por Eletrodo Semiesférico

A uma distância r a densidade de corrente pode ser calculada por:

I
J(r ) = [3.1]
2 r 2

Pela Lei de Ohm:

E = J [3.2]
I
 E( r ) = [3.3]
2 r 2
r
Considerando: V = −  E (r )dr
ro

I   1 1
 V=  −  [3.4]
2  ro r 

Fazendo r →  :


V= I [3.5]
2 ro
onde:


Rat =  [3.6]
2 ro
Percebe-se que a resistência de aterramento depende da resistividade (ou
condutividade) do solo e da forma e da dimensão do sistema de aterramento. A
condutividade é o inverso da resistividade e é representada por “” e sua unidade de
medida é S/m, onde S significa Siemens.
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3.2 Aterramento Composto por Uma Haste ou Cabo Vertical

Adotando o mesmo procedimento de cálculo do item anterior é possível chegar a uma
equação para calcular o aterramento devido a uma haste ou condutor vertical (vide
Figura 3.2):

  4L 
R1H = ln     [3.7]
2 L  d 
onde ρ é a resistividade aparente do solo (Ω.m), L é o comprimento da haste (m) e d é o
diâmetro da haste (m).
Percebe-se na equação 3.7, que o valor de resistência é função da resistividade aparente
do solo e de um fator que depende apenas das dimensões da haste:

R1H = K H     [3.8]

onde:

1  4L 
KH = ln   [3.9]
2 L  d 
à proteção
da rede

Cabo
0,5 m

Solo

Haste f (mm)
L

Figura 3.2 – Aterramento com Uma Haste

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Exemplo:
Como exemplo de aplicação desta equação pode-se utilizar um solo homogêneo com
1.000 .m de resistividade e o modelo de haste de aterramento mais utilizado em
sistemas de aterramento: Haste aço-cobre, 5/8” (diâmetro mínimo = 14,3 mm) com 2,44
m de comprimento. Neste caso a resistência do aterramento com uma única haste seria:

1 4 × 2,44
𝐾𝐻 = 𝑙𝑛 ( ) = 0,4257
2 𝜋 × 2,44 0,0143

∴ 𝑅1𝐻 = 0,4257 × 1000 ≅ 426 𝛺.

3.3 Aterramento Composto por Várias Hastes Verticais

Nos casos em que uma única haste não é suficiente para a obtenção do valor de
resistência de aterramento desejado, podem ser utilizadas várias hastes verticais ligadas
em paralelo. A Figura 3.3 mostra um padrão de hastes alinhadas e interligadas
comumente utilizado em redes de distribuição de energia.

poste
0,5 m

Solo
LH .

e.
1m mín.

Figura 3.3 – Aterramento com Hastes Verticais Paralelas

A resistência de aterramento equivalente é determinada pelas seguintes equações

1 1 1 1
= + + ... + [3.10]
RnH R1 R2 Rn
n
Rh =  Rhm [3.11]
m =1

  4L 
p/ m = h  Rhh = ln    [3.12]
2 L  d 
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  (bhm + L )2 − ehm
2

p/ m  h  Rhm = 
ln  2   [3.13]
4  L  ehm − (bhm − L )2 

onde: bhm = L2 + ehm

2
e ρ é a resistividade aparente do solo para a topologia do sistema.

Exemplo:
Utilizando a modelo de haste e o solo do exemplo anterior, pode-se calcular qual seria
a resistência de 3 hastes interligadas:

Ao neutro
Cabo

Sol o
0,5 m

Haste:
f 14,3mm;
2,44 m

2,44m

3m 3m

Figura 3.4 – Aterramento com 3 Hastes Verticais Alinhadas

1000  4  2,44 
Para m = h  R11 = R22 = R33 = ln   = 425,7 
2   2,44  0,0143 
e12 = e23 = e21 = e32 = 3 m; e13 = e31 = 6 m
b12 = b23 = b21 = b32 = 2, 442 + 32 = 3,87 m
b13 = b31 = 2, 442 + 62 = 6 ,48 m

Para m  h 
4 ,43
32 ,61

1000  ( 3,87 + 2 ,44 )2 − 32 

R12 = R21 = R23 = R32 = ln    48,54 
4  2, 44  32 − ( 3,87 − 2 ,44 )2 
2 ,21
32 ,61

1000  ( 6 , 48 + 2 ,44 ) − 62  2

R13 = R31 = ln  2   25,91 

4  2 ,44  6 − ( 6 , 48 − 2 , 44 )2 
 CONCEITOS BÁSICOS EM SISTEMAS DE ATERRAMENTO 12

 R1 = R11 + R12 + R13 = 425,7 + 48,54 + 25,91 = 500,15 ;

R2 = R21 + R22 + R23 = 48,54 + 425,7 + 48,54 = 522,78 ;
R3 = R1 = 500,15 .

1 1 1 1
Então: = + +  R3 H  169 
R3 H 500,15 522,78 500,15

Considerando-se RnH = K nH  ter-se-ia neste caso que KnH = 0,169.

3.4 Aterramento com Eletrodo Horizontal

Para aterramentos executados com condutores enterrados horizontalmente a obtenção
da equação para cálculo da resistência de aterramento em um solo uniforme é um
pouco mais complexa. Segundo [7], a equação 3.14 permite estimar o valor de
resistência de aterramento de um condutor enterrado horizontalmente no solo a uma
profundidade p.

   2L  
RCP = ln   − 1   [3.14]
 L   dp  

onde: L é o comprimento e d é o diâmetro do condutor em metros.

Figura 3.5 – Aterramento com Condutor Horizontal

Exemplo:
Aterramentos com eletrodos horizontais são muito utilizados nas estruturas (torres) de
linhas de transmissão de potência. Muito utilizado como eletrodo é o arame de aço 4
BWG, que possui 6,05 mm de diâmetro. Na grande maioria dos casos, a profundidade
dos sistemas de aterramento é de 0,5 m. Considerando-se o mesmo solo dos exemplos
anteriores (1000 .m) pode-se estimar o valor da resistência de aterramento para um
eletrodo de 10 m de comprimento:
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31,83 363,63
⏞1000 ⏞ 2 × 10
𝑅10𝑚 = 𝑙𝑛 ( ) − 1 ≅ 156 𝛺
𝜋 × 10 √0,00605 × 0,5
[ ]

3.5 Aterramento em Malha

A equação de SVERAK permite estimar a resistência de aterramento de uma malha
composta por eletrodos horizontais e hastes verticais:

  
1 1   1 
Rmalha = a  + 1+  [3.15]
 LT 20 A  20  
  1+ p 
  A 

onde: Rmalha = resistência de aterramento (Ω); ρa = resistividade aparente do solo (Ω.m);

r = raio do círculo equivalente à área do sistema de aterramento (m); LT = comprimento
total dos condutores (m); p = profundidade da malha de aterramento (m); A = área da
malha de aterramento (m²).

LT = LC + 1,15 Lh [3.16]

onde: LC é o comprimento total dos cabos e Lh o comprimento total das hastes.

L  L 
LC =  1 + 1  L2 +  2 + 1  L1 [3.17]
 e1   e2 

Onde L1, L2, e1 e e2 estão indicados na malha exemplo da Figura 3.6.

Exemplo:
Malhas são utilizadas principalmente para aterramento de subestações de energia
elétrica. Para fins de exemplo, considera-se a malha da Figura 3.6, com L1 = L2 = 10 m e
e1 = e2 = 2,5 m. A profundidade da malha igual 0,5 m e o solo com uma resistividade
homogênea de 200 .m.
Para utilizar a equação 3.15, necessita-se saber a área da malha A e o comprimento total
dos condutores LC:
A área da malha será então 100 m2 e o comprimento total será:
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 10   10 
LC =  + 1 10 +  + 1  10 = 100 m
 2,5   2,5 

que é igual ao LT já que não está sendo considerado o uso de hastes.

Assim:
 0,0224  1,817 
  
1 1 1
R(1010) = 200  + 1 +    10 
100 20  100  20  
  1 + 0,5  
  100  

Figura 3.6 – Malha de Aterramento

 CONCEITOS BÁSICOS EM SISTEMAS DE ATERRAMENTO 15

4 RESISTIVIDADE APARENTE
A Figura 4.1 representa a composição de um solo típico. Ou seja, a composição do solo
não é uniforme e tipicamente um solo é composto de camadas horizontais que se
formaram ao longo dos tempos. A resistência final de sistema de aterramento depende
da topologia deste sistema e da resistividade do solo equivalente em função da
integração deste sistema com o solo, considerando a profundidade atingida pelo
escoamento das correntes elétricas. Sistemas de aterramento com a mesma topologia
em solos com camadas diferentes terão diferentes valores de resistência de
aterramento.
Assim para se calcular a resistividade do solo considerando a sua integração com a
malha, necessita-se definir resistividade aparente:
• Resistividade aparente é o valor de resistividade que produz como resultado
um valor de resistência de terra para o mesmo sistema de aterramento,
considerando como se o solo fosse homogêneo.

Figura 4.1 – Camadas de um Solo típico (adaptado de [8])

 CONCEITOS BÁSICOS EM SISTEMAS DE ATERRAMENTO 16

4.1 Resistividade Aparente para Aterramento Composto por Haste Única

A resistividade aparente de uma haste cravada verticalmente em um solo com duas
camadas (Figura 4.2) é dada pela equação abaixo, também conhecida como fórmula de
HUMMEL.

L1 + L2
 a = eq = [4.1]
L1 L2
+
1 2

Solo 1:
1
L1

Solo 2: L2
2

Figura 4.2 – Haste em Solo de duas Camadas

4.2 Resistividade Aparente para Aterramentos com Topologias Complexas

Para sistemas de aterramento complexos, composto por hastes alinhadas, malhas ou
contrapesos (cabos horizontais) em solos de duas camadas (Figura 4.3) a determinação
da resistividade aparente é feita a partir das equações seguintes [7]:

 a = M 0  1 [4.2]
M 0 = 2  M ( ) − M (2 ) [4.3]

(−k ) n
M ( ) = 1 + 2   1/ 2 [4.4]
n =1   2n  2 
1 +   
    
1 −  2
onde: k = ; = rh.
 2 + 1
r = raio equivalente do sistema de aterramento conforme a seguir:
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Tabela 4.1 – Equações para Cálculo do Raio Equivalente (r)

Malha Contrapeso Hastes Alinhadas

A LCP (n − 1) e
 2 2

Notas:
A = área da malha; LCP = comprimento do cabo contrapeso (condutor horizontal); n =
número de hastes; e = espaçamento entre hastes.

Figura 4.3 - Solo Estratificado em duas Camadas

Uma alternativa à obtenção da resistividade aparente a partir das equações 4.2 a 4.4 é
a utilização do ábaco da Figura 4.4.
Neste ábaco entra-se com o valor de  no eixo horizontal e prolonga-se uma linha reta
vertical até cruzar com a curva que determina o K calculado. A partir do ponto sobre a
curva do K prolonga-se uma linha horizontal até encontrar o eixo vertical onde se
determina o fator Mo.
Na aula online de revisão deste conteúdo será desenvolvido um exemplo de cálculo.
CONCEITOS BÁSICOS EM SISTEMAS DE ATERRAMENTO 18

Fator Mo
100 K=-0,99

K=-0,95
K=-0,9
10 K=-0,8

K=-0,6
K=-0,4
K=-0,2
1 K=0
K=0,2
K=0,4
K=0,6

0,1 K=0,8
K=0,9
K=0,95

0,01
0,10 1,00 10,00 100,00
α=r/h

Figura 4.4 – Fator Mo para Obtenção da Resistividade Aparente

 PROTEÇÃO DE SOBRETENSÕES E ATERRAMENTO DE SISTEMAS ELÉTRICOS 19
Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

5 FATORES DE INFLUÊNCIA NAS CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DO

SOLO
Os principais parâmetros do solo que interferem nos aterramentos são a resistividade e
a permissividade. A resistividade elétrica é o parâmetro do solo com a maior influência
na resistência do aterramento elétrico, enquanto a permissividade elétrica é um
parâmetro que tem influência significativa apenas na capacitância deste.
As intempéries podem afetar as caraterísticas do solo, principalmente a precipitação
pluviométrica e a temperatura ambiente que interferem na umidade e na temperatura
do solo. Tanto a umidade quanto a temperatura podem influenciar os valores de
permissividade e resistividade elétrica do solo.
Outros fatores de influenciam nos parâmetros do solo estão relacionados com a forma
de onda e a intensidade da corrente elétrica.

5.1 Influência da Umidade

O solo é a camada mais superficial da crosta terrestre e é composto por sais minerais,
água, seres vivos e rochas em decomposição. Em geologia, porosidade é a característica
de um solo poder armazenar fluidos em seus espaços interiores, chamados poros.
Assim, os poros dos solos, também chamados de volume de vazios, podem estar
preenchidos com água (quando o solo está saturado), com ar (quando o solo está
totalmente seco) ou com ambos, que é a forma mais comum encontrada na natureza
[10]. Consequentemente, tanto a permissividade quanto a resistividade do solo
dependem significativamente da umidade existente no meio e considerando que a
porosidade varia de acordo com o tipo de solo, a influência da umidade na
condutividade e permissividade também difere entre os vários tipos de solos.

5.1.1 Influência da Umidade na Resistividade

A partir de informações dos solos obtidas do Boletim de Pesquisa e Desenvolvimento 46

da EMBRAPA Solos [11], a referência [12] apresenta um estudo sobre o comportamento
da resistividade frente à umidade nos tipos de solo que apresentam maior ocorrência
na região que abrange os Estados de Santa Catarina e Rio Grande do Sul.
 PROTEÇÃO DE SOBRETENSÕES E ATERRAMENTO DE SISTEMAS ELÉTRICOS 20
Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

Os principais resultados desta pesquisa mostram que a resistividade para a condição de

40% de umidade corresponde apenas a 3% daquela apresentada em uma condição de
10% de umidade (Vide Figura 5.1). A maioria dos solos tende a saturar quando a
umidade supera 30%, o que implica na estabilização dos valores de resistividade. A
saturação acontece com o teor de umidade em torno de 40% para solos porosos,
enquanto solos de baixa porosidade se transformam em lama com apenas 30% de
umidade.

Figura 5.1 – Curvas Resistividade x Umidade

Além das conclusões do trabalho acima mencionado, relatório de medições de

resistividade realizadas em centenas de amostras de solo extraídas a uma profundidade
de 0,5 m, em diferentes locais do Rio Grande do Sul, em um período seco (chuva 60%
abaixo da média), mostraram que 84% das amostras apresentavam teor de umidade
superior a 10%. Assim, considerando esta como uma condição extrema, na Figura 5.2
apresentam-se os resultados no sistema por unidade (p.u.) tomando como base os
valores de resistividade correspondentes a 10% de umidade.
 PROTEÇÃO DE SOBRETENSÕES E ATERRAMENTO DE SISTEMAS ELÉTRICOS 21
Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

Figura 5.2 – Curvas Resistividade x Umidade (p.u.)

Com objetivo de avaliar o comportamento da resistividade do solo em diferentes

profundidades realizou-se uma pesquisa de campo que avaliou o comportamento da
resistência de aterramento de eletrodos com diversos comprimentos instalados em
diferentes tipos de solo (Figura 5.3).

1,0

0,9

0,8
y = x-0,08
0,7
Resistividade (p.u.)

0,6
y = x-0,15
0,5

0,4

0,3

0,2 y = x-0,22
0,1

0,0
0 50 100 150 200

Precipitação acumulada em 30 dias (mm)

1<d<2m d<1m 0<d<2m

Figura 5.3 – Comportamento da resistividade em função da precipitação acumulada nas camadas de

solo até 1m de profundidade (d<1m), entre 1 e 2 m (1<d<2m) e valores médios até 2m (0<d<2m)
 PROTEÇÃO DE SOBRETENSÕES E ATERRAMENTO DE SISTEMAS ELÉTRICOS 22
Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

Os principais resultados desta investigação podem ser resumidos conforme a seguir:

• A resistividade das camadas superficiais do solo depende significativamente
da sazonalidade ambiental. Em contraste, as chuvas têm menor influência
sobre a resistividade das camadas mais profundas.
• Em solos muito compactos, a umidade proveniente das precipitações
pluviométricas, não interfere em camadas superiores a 1 metro de
profundidade. Em contrapartida em solos muito porosos a umidade influencia
a resistividade do solo em profundidades de até 2 metros.
A equação 5.1 [12] possibilita o cálculo dos valores críticos de resistividade das camadas
superficiais do solo de uma determinada região a partir de valores medidos e valores
históricos de precipitação acumulada por 30 dias.

K
 p30 
 SL =  M  M  (.m) [5.1]
 p30 
 C 
onde:
ρSL: resistividade para uma condição crítica (m);
ρM: resistividade medida (m);
p30M: precipitação acumulada ao longo de um período de 30 dias no momento de
medição (mm);
p30C: condição crítica da precipitação acumulada por um período de 30 dias (mm);
K: constante que depende das características do solo.
Na ausência de um estudo regionalizado pode-se considerar para um solo médio um
valor de K = 0,22 para a camada de 1m de profundidade e K = 0,08, para a camada entre
1m e 2m.

5.1.2 Influência da Umidade na Permissividade Elétrica

Existem métodos bem conhecidos para se obter a permissividade de amostras de solo

em laboratório [13], no entanto, existe disponível um trabalho elaborado pela EPAGRI
SC [13], que apresenta um grande número de medidas efetuadas com um TDR (Time
Domain Reflectometry). Nesse trabalho a umidade volumétrica do solo está
correlacionada à constante dielétrica do meio (permissividade relativa). O gráfico da
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Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

Figura 5.4 mostra o resultado das medições e um polinômio de terceiro grau que
representa a linha de tendência dos pontos com uma correlação igual a 0,71. Importante
salientar que o TDR opera em altas frequências.

Figura 5.4 – Correlação entre Constante Dielétrica e Umidade Volumétrica do Solo [13]

A equação 5.2 representa a linha de tendência.

 = 0, 0034 Kg 3 − 0, 252 Kg 2 + 6, 3987 Kg − 12, 947 [5.2]

onde: Kg é a constante dielétrica ou permissividade relativa e  a umidade volumétrica

do solo.

5.1.3 Determinação do Teor de Umidade de Amostras de Solo

Existem basicamente duas formas de se determinar o teor de umidade do solo:

A umidade gravimétrica (U) é a relação entre a massa de água presente numa amostra
de terra e a massa seca da mesma amostra.

ma mu − ms
U=  100 =  100 [5.3]
ms ms
onde U é a umidade gravimétrica em porcentagem; mu é a massa da amostra úmida (g);
ms é a massa da amostra seca (g) e ma é a massa de água na amostra.
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Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

A umidade volumétrica ( ) é a relação entre o volume de água presente numa amostra

e o volume total da amostra.

Va ma mu − ms
=  100 =  100 =  100 [5.4]
V V V
onde  é dado em percentagem, Va é o volume de água na amostra (cm3); V é o volume
total da amostra (cm3).
A correlação entre os dois métodos de medida de umidade pode ser verificada pela
fórmula:

 =U d [5.5]
onde d é a densidade do solo que é a relação entre a massa de uma amostra de terra
seca e o seu volume na condição natural (sem destruir a estrutura) (g/ml).
Pela facilidade de uso, o método da umidade gravimétrica ou de base seca é
amplamente utilizado. Para determinação da massa seca, o método tradicional é a
secagem em estufa, na qual a amostra é mantida até que apresente peso constante, o
que significa que ela perdeu a sua água por evaporação.

5.2 Influência da Temperatura

A resistividade do solo é também influenciada pela temperatura, porém este fenômeno
é mais significativo no caso de temperaturas negativas e afeta apenas camadas muito
superficiais do solo.
Os diversos fatores que podem influenciar são:

• A incidência direta de sol;

• A ação dos ventos;
• Textura do solo;
• Cobertura vegetal.

Temperaturas negativas aumentam significativamente a resistividade do solo, já que o

congelamento inibe a migração iônica.
Nos casos de temperaturas positivas, a influência na condutividade é menos intensa e
irá depender das características do solo, tais como a composição químico-física e o teor
de umidade.
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Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

A Figura 5.5 mostra o comportamento da resistividade em um solo arenoso com 15,2%

de umidade.

Resistividade [.m]
Solo: Barro arenoso; Umidade: 15,2%

10000

1000

100

10

1
-20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25
Temperatura (oC)

Figura 5.5 – Resistividade do Solo em Função da Temperatura.

5.3 Influência das Características da Corrente de Falta

5.3.1 Influência da Frequência.

Estudos mostram que a frequência da corrente de falta interfere significativamente

tanto na permissividade quanto na resistividade do solo. Os gráficos da Figura 5.6
mostram os resultados de pesquisas realizadas pelos Professores Visacro, Portela e
Alípio [2][14].
Segundo Alípio [2], a resistividade e a permissividade relativa do solo, em função da
frequência, podem ser obtidas pelas equações a seguir:

 f − 100 
0,65

 r = 1 + h( 0 )   [5.6]
 10 
6

 r = 7, 6  103 f −0,4 + 1,3 [5.7]

onde r é o inverso da resistividade r, f a frequência da corrente de falta, o a

condutividade inicial (baixa frequência) e h( 0 ) = 1,5   0 −0,73 .
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Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

.m
Resistividade Permissividade
1200

10.000
R

1000

1.000
800

600
100

400

10
200

0
1
0,1 1,0 10,0 100,0 1.000,0 10.000,0
kHz
0 1 10 100 1.000 10.000
kHz
Scott Visacro/Portella Alipio Alipio Visacro/Portella

Figura 5.6 – Resistividade e Permissividade em Função da Frequência.

5.3.2 Influência da Amplitude.

Os elevados valores de corrente desenvolvidos nos casos de descargas diretas

ocasionam o fenômeno conhecido como ionização do solo, cujo comportamento
também depende das características do solo. Quando a densidade superficial de
corrente, e consequentemente o campo elétrico, excede um dado valor crítico, ocorre
um processo disruptivo no solo. Com isto, no entorno do eletrodo criam-se canais
plasmáticos com resistividade muito menor do que aquela apresentada pelo solo numa
condição normal. Assim, a região ionizada pode ser vista como uma extensão do
eletrodo, ou seja, como um acréscimo no diâmetro e no comprimento do mesmo e desta
forma, ocorre uma redução na impedância de aterramento (Figura 5.7).

IR
haste Superfície da terra
arco IR


 E  
D
streamer t
Condutividade
eletrolítica Codutividade
constante

Figura 5.7 – Fenômeno da Ionização do Sol (Adaptado de [15])

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Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

Para diferentes tipos de solo e condição de umidade, existem diferentes valores para
campo elétrico crítico (Ec). Valores relatados na literatura abrangem a faixa de 300 a
1100 kV/m [16] a [19].
A Figura 5.8 mostra o comportamento da impedância de um aterramento semiesférico
em função de uma corrente elétrica impulsiva em diferentes aplicações (F0074 a F0079)
com diferentes valores de pico. O solo ensaiado é o BV (Brunisém Avermelhado) com
30% de umidade gravimétrica.

900
800 Amostra 12 - 30 F0074
700
Impedância (Ω)

F0076
600
500
F0077
400
300
F0078
200
100 F0079
0
0 10 20 30 I40(A)
Figura 5.8 – Comportamento do Aterramento frente a Elevados Valores de Corrente [19]

Para a realização dos ensaios usou-se uma cuba e um eletrodo semiesférico conforme
detalhes mostrados na Figura 5.9. Os impulsos de tensão foram obtidos a partir de um
gerador de impulsos com circuito de ensaio conforme Figura 5.10.
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Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

Figura 5.9 – Aterramento Semiesférico – Detalhe da Cuba e Eletrodo [19].

Figura 5.10 – Aterramento Semiesférico – Circuito de Ensaio [19]

6 MÉTODOS PARA REDUÇÃO DA RESISTÊNCIA DE ATERRAMENTO

Em solos de alta resistividade é comum não ser possível a obtenção dos valores de
resistência dentro dos limites que garantam a perfeita operação dos dispositivos de
proteção, ou ainda, aos limites impostos pelas normas. Para a solução destes problemas,
pode-se recorrer a algumas técnicas, porém, o procedimento mais utilizado para a
redução da resistência de aterramento em solos de alta resistividade é o tratamento do
solo com algum tipo de produto químico que contribui para a redução da resistividade
aparente do solo. Este tipo de procedimento não deve ser realizado de maneira
indiscriminada e o produto utilizado deve ter algumas características importantes, tais
como: ser quimicamente estável, não ser tóxico ou causar danos à natureza, não ser
lixiviável (não ser levado pela água das chuvas), não causar corrosão nos elementos do
aterramento e ter a capacidade de reter umidade.
Existem diversos produtos que apresentam estas características, porém os mais
utilizados são os tratamentos a seguir apresentados. O tratamento com sal e carvão,
utilizado por algum tempo, não é recomendado pois não possui as características acima
descritas.
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Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

6.1 Bentonita
A Bentonita é um material argiloso com as seguintes características: absorve e retém
água, é boa condutora de eletricidade e não é corrosiva.
Hoje é empregada uma variação onde se adiciona gesso para dar maior estabilidade ao
tratamento.

6.2 Gel
O gel é constituído de uma mistura de diversos sais que, em presença da água, formam
o agente ativo do tratamento. Suas propriedades são: quimicamente estável, não é
solúvel em água, é higroscópico, não é corrosivo e não é atacado pelos ácidos contidos
no solo. Seu efeito é de longa duração.
A Figura 6.2 resume os passos que devem ser seguidos para a aplicação do gel em um
sistema de aterramento com hastes verticais.
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Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

Figura 6.1 – Etapas para Aplicação do Gel

O efeito esperado da aplicação do gel depende da resistividade do solo, conforme

sugere o gráfico da Figura 6.3

0,6
Fator de Redução
0,5

0,4
Mínimo
0,3

Máximo
0,2

0,1

0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000
Resistividade ( .m)

Figura 6.2 – Efeito Esperado da Aplicação do Gel

6.3 GEM
O GEM - Ground Enhancement Material, é um produto produzido pela nVent ERICO e
segundo este fabricante, esse produto reduz a resistividade do solo e
consequentemente o valor final da resistência de aterramento, mantendo este valor
por toda a vida útil do sistema. Atua em solos com diversas características, mesmo
depois de prolongados períodos de seca. O GEM não é lixiviável e nem se decompõe
com o tempo, não requer manutenção e não contamina o solo nem os lençóis freáticos.
Possui uma resisitividade cerca de 1% da resistividade da bentonita.
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Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

Figura 6.3 – GEM em Sacos ou Baldes

As metodologias para aplicação do GEM em eletrodos horizontais e verticais são as

seguintes:
Eletrodos horizontais (vide Figura 6.5):
Passo 1: Misturar o GEM com água para formar uma pasta. Usar entre 6 e 8 litros de
água por saco de GEM. Para misturar o GEM utilize uma betoneira ou misturar em uma
caixa massa ou em carrinho de pedreiro. Não misturar GEM com água salgada.
Passo 2: Colocar uma quantidade de GEM suficiente para cobrir uniformemente o fundo
da valeta (aproximadamente 2,5 cm de profundidade)
Passo 3: Colocar o condutor (eletrodo) sobre o GEM após a secagem do mesmo que leva
entre 15 e 20 minutos. As extremidades do eletrodo (interface solo/GEM) devem ser
protegidas com material isolante (cerca de 5 cm no GEM e 5 cm no solo)
Passo 4: Espalhar mais GEM sobre o eletrodo para cobri-lo completamente com uma
camada de aproximadamente 2,5 cm. Deixar o GEM endurecer por cerca de uma hora.
Passo 5: Cobrir cuidadosamente o GEM com uma camada de terra de cerca de 10 cm
que deve ser compactada. Certificar-se de não expor o eletrodo.
Passo 6: Completar a vala com o restante da terra extraída da vala.
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Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

Figura 6.4 – Aplicação do GEM em Eletrodo Horizontal (Fonte ERICO)

Eletrodos Verticais (vide Figura 6.6):

Passo 1: Usando um trado, fazer um furo (poço) no solo de 7,5 cm ou mais de diâmetro
e com profundidade de 15 cm inferior ao comprimento da haste de aterramento a ser
utilizada.
Passo 2: Cravar, cerca de 30 cm, a haste de aterramento no solo (fundo do poço). O topo
da haste de aterramento deverá ficar em torno de 15 cm abaixo do nível do solo. Nesta
etapa do trabalho, devem ser feitas as conexões e a proteção da haste nas interfaces
solo/GEM com material isolante.
 PROTEÇÃO DE SOBRETENSÕES E ATERRAMENTO DE SISTEMAS ELÉTRICOS 33
Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

3. Misturar GEM com água formando uma pasta fluida, usando entre 6 e 8 litros de água
limpa por saco de GEM. A aplicação do GEM de forma seca é aceitável para instalação
de hastes de aterramento verticais.
4. Derramar a quantidade apropriada de GEM em volta da haste de aterramento. Para
garantir o preenchimento completo do poço, fazer uma compactação ao redor da haste.
Esperar em torno de 1 hora antes de preencher o restante do poço com terra.
5. Preencha o resto do poço com a terra removida durante a perfuração.

Figura 6.5 – Aplicação do GEM em Eletrodo Vertical (Fonte ERICO)

As Tabelas 6.1 e 6.2, permitem estimar as quantidades necessárias de GEM em valas

(eletrodos horizontais) e furos ou poços (eletrodos verticais).
A redução da resistência de aterramento com a aplicação do GEM, pode ser estimada,
simplesmente, com a alteração do diâmetro do eletrodo nas fórmulas utilizadas para
cálculo das resistências de aterramento de eletrodos verticais e horizontais. Deve-se
considerar como diâmetro final o diâmetro do furo, para eletrodos verticais ou o
diâmetro equivalente do composto GEM mais eletrodo, no caso de eletrodos
horizontais.
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Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

Tabela 6.1 – Metros Lineares Estimados de Cobertura por Saco de GEM

Metros lineares estimados de cobertura por saco de GEM

Largura Espessura do GEM (Cm)
da Vala
(cm) 2.5 5.0 7.5 10.0
10.0 4.27 2.13 1.43 1.06
15.2 2.83 1.43 0.94 0.70
20.3 2.13 1.06 0.70 0.55
25.4 1.70 0.85 0.57 0.42
30.5 1.43 0.70 0.48 0.37

Tabela 6.2 – Sacos de GEM por Furo

Diâmetro Sacos de GEM por Furo

do Furo Profundidade do Furo (m)
(cm) 1,8 2,1 2,4 2,8 5,2 5,8 6,1
7,5 2 2 2 2 4 4 4
10 2 3 3 3 6 7 7
12,7 3 4 4 5 9 10 10
15,2 5 5 6 7 13 14 15
17,8 6 7 8 9 17 19 20
20,3 8 9 11 12 22 25 26
22,9 10 12 13 15 28 31 32
25,4 12 14 16 18 34 38 40
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Conceitos Básicos em Aterramento de Sistemas Elétricos

7 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
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