UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA CURSO DE ENGENHARIA ELTRICA

JFET-TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNO

Felipe Gregrio Ribeiro dos Santos Gustavo da Cunha Fonseca caro Henrique Thomazella Leonardo Travalini Rodrigo Cardoso Lopes

Bauru, 2008

FELIPE GREGRIO RIBEIRO DOS SANTOS RA:710806 GUSTAVO DA CUNHA FONSECA RA:711012 CARO HENRIQUE THOMAZELLA RA: 710709 LEONARDO TRAVALINI RA:711081 RODRIGO CARDOSO LOPES RA: 711071

JFET-TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNO

Trabalho acadmico da disciplina de Eletrnica I do departamento de Engenharia Eltrica da Universidade Estadual Paulista, ministrado pelo professor Alceu Ferreira Alves, com o objetivo de apresentar os conceitos do transistor JFET e suas caractersticas.

Bauru 2008

SUMRIO INTRODUO.....................................................................................................3 CURVAS DE DRENO..........................................................................................5 CORRENTE MXIMA DE DRENO.....................................................................6 REGIO HMICA...............................................................................................6

TENSO NA PORTA (GATE).......................................................................................7 Tenso de corte

CURVA DE TRANSCONDUTNCIA..................................................................8 POLARIZAO NA REGIO HMICA..............................................................9 POLARIZAO DA PORTA ............................................................................10 SATURAO FORTE.......................................................................................10 BIBLIOGRAFIA.................................................................................................12

INTRODUO O transistor de efeito de campo de juno, JFET, um dispositivo de trs terminais utilizado em vrias aplicaes, como: pr-amplificador de vdeo para cmeras de TV, estgios amplificadores de RF para receptores de comunicaes, instrumentos de medio, etc. e que realiza muitas das funes do transistor bipolar de juno (BJT), embora que haja diferenas importantes entre os dois dispositivos. A principal diferena entre os dois tipos de transistores o fato de que o BJT um dispositivo controlado por corrente, enquanto que o JFET um dispositivo controlado por tenso. Em outras palavras, a corrente IC do BJT depende diretamente de IB, e para o JFET a corrente ID depende diretamente da tenso VGS aplicada ao circuito de entrada. Em ambos os casos a corrente de sada est sendo controlada por algum parmetro de circuito de entrada, em um caso, o nvel de corrente, e no outro, a tenso aplicada. Assim como nos transistores bipolar de juno, existem transistores de efeito de campo de canal n e canal p. Entretanto, importante observar que o BJT um dispositivo bipolar, enquanto que o JFET um dispositivo unipolar, ou seja, depende somente da conduo realizada por eltrons (canal n) ou lacunas (canal p). Uma das caractersticas mais importantes do JFET a alta impedncia de entrada. Esta caracterstica muito relevante no projeto de amplificadores. Por outro lado o BJT apresenta maior sensibilidade s variaes do sinal aplicado. Assim, as variaes de corrente de sada so tipicamente maiores para os BJTs do que para os FETs, para uma mesma variao do sinal de entrada, por isso que os ganhos de tenso dos amplificadores adquiridos com a utilizao dos BJTs so superiores que aos ganhos de tenso adquiridos com a utilizao de amplificadores com FETs. Em geral os FETs so mais estveis com relao a temperatura do que os BJTs.

4 O JFET A construo de um JFET na prtica bastante complicada, pois necessria uma tecnologia de dopagem nos dois lados de um substrato de semicondutor tipo P ou tipo N.

Figura 1 JFET

O JFET formado por um estreito canal semicondutor tipo P ou N em cujas extremidades so feitos contatos denominados de Dreno(D), de onde as cargas eltricas saem, e Fonte(S), por onde as cargas eltricas entram. O terminal Gate(G) que faz o controle da passagem das cargas. A polarizao do JFET diferente do BJT. Num transistor bipolar polarizamos diretamente o diodo base-emissor, porm, em um JFET, sempre polarizamos reversamente o diodo porta-fonte. Essa polarizao reversa na porta faz com que aumente a regio de depleo, diminuindo a largura do canal e dificultando assim a passagem de corrente entre dreno e fonte. Quanto mais negativa for tenso da porta, mais apertado o canal, portanto a tenso da porta controla a corrente.

Figura 2 Polarizao do JFET

CURVAS DE DRENO
As caractersticas das curvas de dreno de JFET tipo n so semelhantes as caractersticas de um transistor BJT, apresentando as regies de saturao, ruptura e regio ativa.

ID
Parbola Id=kV
2

VGS = 0
Idss= 10mA

Vp VGS = -1
5.62mA

VGS = -2
2.5mA 0.625mA 4 15

VGS = -3
30

VGS = -4 V DS

Figura 3 Curva de Dreno JFET tipo n

Para um valor constante de V , o JFET age como um dispositivo resistivo linear (na regio hmica) at atingir a condio de pinamento ou estrangulamento. Acima da condio de estrangulamento e antes da ruptura por avalanche, a corrente de dreno permanece aproximadamente constante. Os ndices I referem-se corrente do dreno para a fonte com a porta em curto (V =0V). I a corrente de dreno mxima que um JFET pode produzir. Na Figura 3, mostrado um exemplo de curva para um JFET. Quando o JFET est saturado (na regio hmica), V situa-se entre 0 e 4V, dependendo da reta de carga. Para polarizar um transistor JFET necessrio saber a funo do estgio, isto , se o mesmo ir trabalhar como amplificador ou como resistor controlado por tenso. Como amplificador, a regio de trabalho o trecho da curva aps a condio de pinamento, e esquerda da regio de tenso V de ruptura. Se for como resistor controlado por tenso a regio de trabalho entre V igual a zero e antes de atingir a condio de pinamento.

CORRENTE MXIMA DE DRENO

A corrente de dreno para VGS = 0, no seu ponto mximo, denominada corrente de curto-circuito dreno e fonte ou DRAIN-SOURCE SHORTED CURRENT (I ). a corrente de dreno quando VGS for igual zero (0) volts e corresponde a corrente de dreno mxima que o JFET pode conduzir. Podemos observar esta caracterstica do JFET na figura abaixo.

VGS = 0

(Vpo)

Figura 4 Corrente Mxima de dreno, quando a tenso VGS for igual a zero.

REGIO HMICA
Para um valor constante de VGS, o JFET age como um dispositivo resistivo linear (na regio hmica) at atingir a condio de pinamento ou estrangulamento. Acima da condio de estrangulamento e antes da ruptura por avalanche, a corrente de dreno permanece aproximadamente constante. Podemos observar na figura abaixo a regio hmica destacada de amarelo.

Regio hmica

Figura 5 Regio hmica do transistor JFET.

7 TENSO NA PORTA (GATE)

Quando os eltrons circulam da fonte para o dreno, eles tm de passar atravs do estreito canal entre duas camadas de depleo. Quanto mais negativa for a tenso da porta, mais apertado o canal se trona, ou seja, a tenso da porta pode controlar a corrente atravs do canal. Quanto mais negativa a tenso da porta, menor a corrente entre a fonte e o dreno. O JFET um dispositivo controlado por tenso porque reversamente polarizado. Alteraes em V determinam o quanto de corrente pode fluir da fonte para o dreno, portanto V a grandeza na entrada de controle. Um JFET menos sensvel s variaes na tenso de entrada do que um transistor bipolar. Ex: em um JFET a variao de 0,1v na tenso da porta produz uma variao da corrente de dreno menor que 10 mA e em um transistor bipolar a mesma variao em base-emissor produz uma variao na corrente de sada muito maior que 10mA. O JFET funciona como uma fonte de corrente quando est operando ao longo da parte quase horizontal da curva de dreno. Essa parte est entre a tenso mnima e a tenso mxima ( ) . A tenso mnima chamada de tenso de constrio ou estrangulamento (Pinchoff) e a mxima de tenso de ruptura. Obs: Pela Figura 3 quando tm-se a corrente mxima de dreno, = 0, portanto sabe-se que a tenso mnima ou estrangulamento ou mesmo constrio =4V e a tenso mxima ou tenso de ruptura =30V. Nota-se que quando se tm uma ( menor ser a tenso fonte-dreno ( ruptura. ( ) )< ) para constrio e levemente maior para

Deve-se notar tambm que quando = 4 , a corrente de dreno reduzida a praticamente zero. Essa tenso aplicada chamada de tenso de corte portafonte( ). ( ) Com isso, vemos que a tenso mnima ou constrio tm mdulos iguais:
( )

e a tenso de corte

(1)

CURVA DE TRANSCONDUTNCIA A curva de transcondutncia de um JFET dada atravs de um grfico de forma corrente de dreno ( ) versus a tenso porta-fonte ( ). Lendo os valores de e de obtidos na curva de dreno, podemos traar a curva de transcondutncia. A curva de transcondutncia de qualquer JFET seguir a se apresentar da seguinte forma:

Figura 6 Curva de transcondutncia do JFET

Esse grfico caracterstico de todos os JFETs, mudando apenas os valores para cada um em especfico, que variam entre si devido ao tamanho da regio dopada, nvel de dopagem e outros fatores, assim esse grfico segue a seguinte expresso:

(1

(2)

Essa equao utilizada para se descobrir o valor da corrente de dreno, a corrente de dreno mxima, a tenso da porta e a tenso de corte porta-fonte. Mas em algumas especificaes de transistores trazem o grfico da figura 6, com os valores especficos, assim tm-se os valores de modo direto, sem a necessidade da parte algbrica. E ainda essa equao de modo quadrtico, pois o grfico uma parte de uma parbola. Esse fator ainda estabelece uma vantagem de um JFET em relao ao bipolar quando se trata da sua aplicao em circuitos para equipamentos de comunicao. Exemplo: Suponha que um JFET tenha a corrente de dreno para = - 2 V. = 9 mA e = - 5 V. Calcule

Resoluo: Podemos calcular a corrente de dreno atravs da equao, = 9 1 = 3,24 .Podemos ainda calcular a corrente de dreno pelo

grfico,figura 7, o qual nos d o valor direto da corrente de dreno.

Figura 7-grfico de ID X VGS

POLARIZAO NA REGIO HMICA A regio hmica de um JFET a regio na qual ele funciona como se pequeno resistor. Tm-se que numa anlise grfica do JFET, a regio hmica aquela na qual a curva de dreno praticamente vertical, sendo ela equivalente regio de saturao de transistor bipolar. Essa parte do grfico inicia-se com e iguais a zero e vai at a tenso de constrio ( ), que a tenso onde a curva de dreno se torna quase horizontal e onde separa-se as duas regies de operao do JFET. A resistncia nessa regio dada atravs de:

(3)

E para que o JFET atue na regio hmica necessrio que se tenha uma tenso baixa em , sendo que podemos ter qualquer polarizao tanto em como em , contanto que estas estejam com os valores adequados para que o transistor esteja atuando na sua regio hmica, os quais variam de transistor para transistor. Podemos ver melhor as duas regies no grfico:

Figura 8 Regies do JFET

O importante a notar-se neste grfico que tem-se uma curva linear da origem at sendo que o grfico de IxV, ou seja, dessa relao explica-se o

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nome hmica, pois nessa regio de atuao do JFET ele funciona como um resistor hmico. POLARIZAO DA PORTA Polarizao reversa para funcionamento normal, ou seja, tenso portafonte (VGS) sempre negativa. Algebricamente: V 0

Dessa forma, quanto mais negativa VGS, maior ser a camada de depleo e mais estreito ser o canal. Isso diminui o nmero de portadores, fazendo com que a corrente de dreno (ID) mxima diminua. SATURAO FORTE Assumindo-se a regio de saturao como a regio em que no h portadores livres, em tal regio o transistor atua com comportamento prximo a uma fonte de corrente (regio praticamente plana da curva de dreno). A figura 9 apresenta as curvas de dreno de um JFET mostrando a regio hmica e de saturao.

Figura 9 Regio hmica e regio de saturao nas curvas de dreno

A saturao forte ocorre quando o ponto de operao tende regio de ruptura na curva de dreno. A figura 10 (a) apresenta as curvas de dreno juntamente com a reta de carga do circuito dado como exemplo (b).

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Figura 10- Curvas de dreno com reta de carga (a) do circuito dado como exemplo (b)

12 BIBLIOGRAFIA

Site acessados entre os dias 29 de outubro e 02 de novembro de 2008:

http://www.josematias.pt/Alunos/TextoTransistorJFET.pdf http://pasta.ebah.com.br/download/transistores-unipolares-jfet-mosfet-doc-2054 http://www.radiopoint.com.br/fet.htm http://www.almhpg.com/public/apostilas/tr_fet/fet.htm http://www.dee.feb.unesp.br/~alceu/Apostila%20EletrDig%20Parte%202.pdf http://www.getec.cefetmt.br/~luizcarlos/Tele/Receptor%20AM%20FM/Eletr%F4 nica%20Digital%203.doc http://www.universia.com.br/mit/6/6071/PDF/f02-lec17_val.pdf http://paginas.fe.up.pt/~fff/Homepage/Ficheiros/E1_Cap5.pdf http://www.dee.ufcg.edu.br/~gutemb/Apostila%20Eletronica.pdf

http://www.josematias.pt/Alunos/TextoTransistorJFET.pdf http://www.dee.feb.unesp.br/~alceu/Apostila%20EletrDig%20Parte%202. pdf

MALVINO, Albert Paul. Eletrnica Vol. I, 4 ed. So Paulo, Makron Books, 1997.