Capitulo 4 Transistores Bipolares

John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley descobriram o efeito transistor e desenvolveram o primeiro dispositivo em Dezembro de 1947 nos laboratrios da Bell em Murray Hill, NJ. Eles ganharam o premio Nobel de fsica em 1956. 4.1. Construo bsica e princpios de funcionamento O nome transistor a contrao de duas palavras em ingls transfer resistor ou resistor de transferncia. Existem dois tipos bsicos de transistores de acordo com o tipo de dopagem de cada terminal (base, coletor e emissor), NPN e PNP. A figura a seguir mostra de forma simplificada a estrutura na forma de sanduche e a simbologia. Observar a assimetria existente. As reas cinzas de cada lado da juno representam as regies de carga espacial ou regio de depleo

(a)

(b) Figura 4.1: Tipos de transistor e simbologia ( a ) NPN ( b ) PNP

Cada uma das regies do transistor tem uma caracterstica: 1. A base a mais estreita e menos dopada das trs e extremamente fina. 2. O emissor que emitir os portadores de carga (eltrons no caso de transistor NPN ou lacunas no caso de transistor PNP) a mais dopada das trs (maior concentrao de impureza). 3. O coletor a mais extensa, pois ai que ser dissipada a potncia. De uma forma bem simplificada expliquemos como um transistor funciona: 68

Consideremos um transistor NPN (para o outro basta inverter o sentido das tenses e correntes). Em polarizao normal (como amplificador) a juno base emissor polarizada diretamente e a juno base coletor polarizada reversamente. Consideremos a configurao ilustrada na figura 4.2. Como a juno base emissor est polarizada diretamente os eltrons so emitidos no emissor, isto , existe uma corrente (de eltrons) indo do emissor para a base. Os eltrons atingem a base, e como ela muito fina e pouco dopada, a maior parte consegue atingir a regio de carga espacial (regio de depleo) da juno base-coletor onde so acelerados pelo campo eltrico ai existente indo para o coletor. Apenas alguns poucos eltrons (1% ou menos) dos eltrons emitidos no emissor conseguem se recombinar com as lacunas da base, formando a corrente de base, os outros 99% conseguem atingir a juno do coletor. Observar que, externamente o sentido indicado o convencional para as trs correntes: de base (IB), coletor (IC) e emissor (IE). A forma como o transistor est conectado chamada de Ligao em Base Comum. 4.2 Operao do transistor Considere a estrutura definida anteriormente ligada conforme a figura 4.2. Como a base comum tanto ao circuito de entrada como ao de sada esta forma de conectar o transistor chamada de ligao base comum. Observar que a juno base emissor polarizada diretamente e a juno base coletor reversamente. A polarizao direta faz aparecer um fluxo de eltrons indo do emissor para a base e como essa muito estreita e pouco dopada poucos eltrons se recombinam com lacunas existentes na base (1% ou menos dos eltrons emitidos). A maior desses eltrons emitidos consegue atingir a regio de carga espacial da juno base coletor onde so acelerados indo para o coletor. A corrente de base originada a partir da corrente de lacunas que se difunde no emissor e dos eltrons que se recombinam com lacunas na base sendo muito pequena (tipicamente 200 vezes menor que a de emissor). Na figura 4.2 esto indicadas as trs correntes do transistor sendo o sentido convencional o indicado.

69

Figura 4.2: Configurao base comum

Para um transistor valem as relaes entre as trs correntes: IE=IC+IB e Define-se =

IC IE

como sendo o ganho de corrente na configurao base

comum. Observar que um numero sem unidade e menor do que 1, mas prximo de 1( Ex: = 0,99 ) O desenho da figura 4.2 representado pelo circuito eltrico com o smbolo do transistor na figura 4.3.

Figura 4.3: Representao atravs de esquema eltrico do circuito da figura 4.2

A relao entre as trs tenses : VCE=VBE+VCB importante notar a notao usada para representar tenso: a primeira letra do ndice representa o ponto de maior potencial, por exemplo no caso da tenso entre a base e o emissor, a base mais positiva. No caso de transistor PNP a notao para essa mesma tenso VEB. Podemos representar o transistor de outra forma como indicado na figura 4.4. Neste caso a conexo chamada de emissor comum. A polarizao das duas junes continua como antes, juno base emissor polarizada diretamente e a base coletor reversamente. A operao exatamente igual explicada para a ligao base comum. 70

Figura 4.4 : Configurao emissor comum

Para essa configurao chamada emissor comum define-se o ganho de corrente, como sendo:
IC IB

Nesse caso o valor desse para metro muito maior do que 1, observando que
no tem unidade, (Ex: = 300 )

A relao entre os dois parmetros dada por:

+1

e =

O desenho da figura 4.4 representado pelo circuito eltrico com o smbolo do transistor na figura 4.5.

Figura 4.5: Representao atravs de esquema eltrico do circuito da figura 3.3

Valendo a relao entre as tenses: VCE=VBE+VCB A figura 4.6 mostra alguns exemplos de transistores comerciais.

71

(a) (b) (c) Figura 4.6: Transistores comerciais ( a ) baixa potencia BC548 ( b ) media potencia BD 140 ( c ) alta potencia 2N3055 Fontes: http://utfprinfo.wordpress.com - http://parts.digikey.com/ -

A tabela II mostra parcialmente, a folha de dados dos transistores BC546, BC547 e BC548 (NPN) com os principais limites.

Tabela II: Caractersticas eltricas mximas

Fonte: http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/B/C/5/4/BC548.shtml

4.3 Curvas Caractersticas de Coletor So grficos que relacionam corrente de coletor com tenso entre coletor e emissor tendo como parmetro a corrente de base so chamadas tambm de curvas caractersticas de sada. Considere o circuito da figura 4.7 onde a corrente de base fixada num determinado valor, digamos 1mA. A tenso entre coletor e emissor variada e para cada valor de V CE medida a corrente de coletor, em seguida esses valores so colocados em um grfico (ICxVCE). Resulta o grfico da figura 4.8. Nesse grfico, inicialmente para uma pequena variao em VCE, IC aumenta muito, essa regio chamada de saturao. Quando a juno base coletor comear a ficar polarizada reversamente o transistor entra na regio ativa ou regio de amplificao. A partir desse ponto 72

a corrente de coletor praticamente no varia quando VCE aumenta. Nessa regio o transistor se comporta como uma fonte de corrente constante. Na pratica haver um aumento na corrente de coletor quando VCE aumentar devido ao Efeito Early. Como a polarizao reversa da juno base coletor aumenta, a largura da regio de carga espacial avanar mais na base e desta forma mais eltrons emitidos podero ser capturados indo para o coletor.

Figura 4.7: Curvas caractersticas de coletor do transistor MJE240

Para IB=1mA a corrente de coletor vale IC=150mA isso significa um ganho de aproximadamente;
=
IC = 150 IB

Portanto era de se esperar que se IB=2mA a corrente de coletor tambm dobrasse de valor, o que realmente no acontece, o valor de aproximadamente 260mA. As curvas deveriam estar espaadas igualmente e o que se verifica que a separao diminui medida que as correntes aumentam. A explicao que o ganho de corrente no se mantm constante, 73

variando com a corrente de coletor. O grfico da figura 4.8 foi obtido da folha de dados do transistor BC548 e mostra a dependncia do ganho com a corrente de coletor para uma dada temperatura e tenso VCE. Obs: Muitas vezes o ganho de corrente vem com a notao hFE, isto , = hFE

Figura 4.8: Dependncia do ganho de corrente com a corrente de coletor Fonte: http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/B/C/5/4/BC548.shtml

Como pode ser verificado o ganho de corrente varia com a corrente de coletor, temperatura e tenso coletor emissor. 4.4 Regies de Operao - Reta de Carga Considere o circuito da figura 4.9 onde o transistor o mesmo cujas curvas esto representadas na figura 4.7.

Figura 4.9: Ligao emissor comum

Na figura 4.9 equacionando o circuito de coletor resulta: VCC = RC.IC + VCE que a equao de uma reta, a qual chamada de Reta de Carga , sendo representada no plano ICxVCE das curvas caractersticas de coletor.

74

Para desenhar essa reta s precisamos de dois pontos: 1 Ponto: Fazendo IC =0 na equao acima, obtemos V CE=VCC que

fisicamente representa o corte. No corte as duas junes esto polarizadas reversamente e portanto todas as trs correntes so muito pequenas (nA), nestas condies o transistor pode ser considerado uma chave aberta, figura 4.10b. Obs: Para cortar um transistor de Si basta fazer VBE < 0V, porm se for de Ge, VBE < -0,4V

(a)

(b)

Figura 4.10: Transistor no corte - ( a ) Circuito ( b ) modelo simplificado

2 Ponto : Fazendo VCE = 0 obtemos I C = saturao.

VCC RC

que fisicamente representa a

Na saturao o transistor se comporta como uma chave fechada e as duas junes esto polarizadas diretamente, neste caso para garantir que o transistor sature deve-se impor algumas condies. A condio para considerar o transistor saturado VCE 0 e para isso obter essa condio deve-se ter IC< .IB, como o de um transistor varia entre um mnimo e um mximo para garantir a saturao usamos o mnimo ( . A figura 4.11b mostra o modelo simplificado para um transistor na saturao (chave fechada).
min

) , ento IC <

min B

.I

75

(a) (b) Figura 4.11: Transistor na saturao - ( a ) Circuito e ( b ) modelo simplificado simplificado

Unindo os dois pontos obteremos uma reta, chamada de Reta de Carga. Obrigatoriamente, o ponto de operao, tambm chamado de ponto quiescente (Q) (valores de IBQ, ICQ, VCEQ) dever estar em cima da reta de carga. No grfico da figura 4.12 no ponto Q temos: IBQ=2mA, ICQ=273mA e VCEQ=4,6V.

Figura 4.12: Curvas caracterstica de coletor com a reta de carga

Na figura 4.12 o ponto de operao ou ponto quiescente (ponto Q) estar sempre em cima da reta de carga. Os limites da reta de carga so o corte, quando IB =0 e a saturao quando VCE =0. Entre esses dois pontos (saturao e corte) o transistor operar como amplificador, isto , a relao entre IC e IB ser dada por IC= .IB. Nessa regio, regio ativa, o transistor usado como amplificador. Para entender como um transistor funciona como amplificador, considere no circuito da figura 4.9 que uma pequena tenso alternada somada tenso de polarizao VBB desta forma no semiciclo positivo a corrente de base 76

aumenta

acima

de

IBQ

fazendo

corrente

de

coletor

aumentar

proporcionalmente e a tenso de coletor diminuir. A tenso obtida no coletor costuma ser maior que a tenso aplicada na base, dizemos que houve uma amplificao de tenso, alem disso essa configurao defasa a tenso de sada de 180o em relao de entrada. O grfico da figura 4.13 mostra essa operao.

(a)

(b) Figura 4.13: amplificao ( a ) circuito ( b ) analise grfica

Da analise feita fcil concluir que o ponto de operao (ponto Q) deve ser bem localizado para que seja possvel obter a maxima sada de pico a pico sem distoro. A melhor localizao no meio da reta de carga (VCEQ=VCC/2) pois permite VCC de mxima sada. Observe os trs casos representados na figura 4.14. No caso da figura 4.14 a mxima excurso de pico a pico possvel de 10V antes que ocorra o ceifamento (distoro) por saturao ou corte. Nos 77

outros dois casos, a mxima sada de pico a pico possvel de 4V. Se a entrada aumentar o sinal de sada distorcer.

(a) (b) (c) Figura 4.14: Influencia da localizao do ponto ( a ) meio da reta ( b ) prximo da saturao ( c ) prximo do corte

4.5 Potencia Dissipada Dissipadores Em um transistor a maior parte da potencia dissipada no coletor, por isso mesmo a maior das regies. A potencia dissipada em um transistor calculada aproximadamente por: PD=VCE.IC Em relao capacidade de dissipar potencia temos: transistores de baixa potencia (Ex: BC 548, BC109), media potencia (Ex: BD 140, TIP41) e alta potencia (Ex: 2N3055). A figura 4.15 mostra os principais encapsulamentos de transistores de baixa, media e alta potencia. Observar que o encapsulamento dos transistores de potencia prevem local para a colocao do dissipador.

(a) (b) (c) Figura 4.15: Encapsulamentos usuais ( a ) TO-92 ( b ) TO-220 ( c ) TO-3

Um dos maiores inimigos dos semicondutores o excesso de temperatura. Para que o dispositivo no sofra danos pelo excesso de calor o mesmo deve ser transferido de dentro do dispositivo para fora (meio ambiente). A forma mais usual de fazer isso atravs de uma placa metlica (de alumnio ou 78

cobre) que colocada junto ao corpo do transistor, essa placa chamada de dissipador de calor. Os dissipadores de calor usado em eletrnica so construdo em alumnio ou cobre, sendo os primeiros mais baratos porem menos eficientes que os de cobre. A figura 4.16 mostra alguns exemplos de dissipadores trmicos.

(a) (b) Figura 4.16: dissipadores ( a ) encapsulamento TO-220 ( b ) dissipador com 4 transistores em encapsulamento TO-3 ( a ) Fonte: www.newark.com/.../dp/34M8465 audio.co.uk/quad303upgrade.html ( b ) Fonte: www.net-

Por vezes, o dissipador est acoplado a um pequeno ventilador, chamado de cooler, que ajudar mais ainda a dissipao de calor. A figura 4.17 mostra o sistema de arrefecimento de uma CPU de um computador, que constitudo de um dissipador em contato com o a CPU atravs de pasta de silicone (facilita a transferncia de calor e elimina as bolhas de ar) e do cooler que ajuda a eliminar o calor gerado na CPU.

(a)

79

(b)

Figura 4.17: sistema de arrefecimento de uma CPU de computador ( a ) fotos ( b ) vista de perfil Fontes: mundodainformatica.wordpress.com/.../ www.chipsetinformatica.com.br/loja/index.php?...

4.6 A Conexo Darlington A conexo Darlington uma forma de ligar dois transistores obtendo-se um transistor equivalente com valor de ganho de corrente elevadssimo, figura 4.18.

(a) (b) Figura 4.18: ( a ) Ligao Darlington e ( b ) transistor equivalente

O transistor equivalente tem ganho de corrente igual a = 1.2 onde 1 e 2 so os ganhos dos transistores TR1 e TR2 respectivamente. A tenso base emissor quando em conduo vale VBE=VBE1+VBE2 Esse tipo de conexo usada na sada de estgios de potencia, fontes de alimentao e onde for necessrio detectar variaes de corrente extremamente baixas com fornecimento de grandes correntes.

80

(a) (b) (c) Figura 4.19: ( a ) Exemplo de par Darlington (PNP) ( b ) Circuito equivalente ( c ) grfico do ganho de corrente em funo de IC Fonte: http://www.fairchildsemi.com/

4.7 Teste com Transistores Para testar transistores usamos o mesmo principio do diodo com algumas informaes adicionais. Observe as situaes a seguir na figura 4.20:

(a) (b) Figura 4.20: ( a ) as duas junes polarizadas reversamente ( b ) as duas junes polarizadas diretamente

Agora observe o que acontece quando ligamos o multmetro entre emissor (E) e coletor (C), figura 4.21, em qualquer um dos casos existir sempre uma juno polarizada reversamente.

81

(a) (b) Figura 4.21:Polarizando reversamente ( a ) a juno coletor base ( b ) a juno emissor base

Qual a concluso obtida nas situaes indicadas nas figuras de 4.20 e 4.21 ? Que testando dois a dois, nos dois sentidos, os terminais de um transistor, quando encontramos resistncia alta entre dois terminais de uma forma ou do outra, o terminal que sobrou a base!! Para saber quem o coletor e emissor deveremos usar um multmetro analgico com escala de resistncia de Rx10K ou maior, figura 4.22, pois mediremos a resistncia reversa das duas junes, sendo a menor pois a sua dopagem maior. do emissor

Figura 4.22: Identificando emissor e coletor

4.8 Lendo Cdigos em Semicondutores A informao relativa ao valor da resistncia de um resistor esta codificada em faixas coloridas ao redor do mesmo. De uma forma semelhante, em um semicondutor (transistor, diodo, circuito integrado, e outros semicondutores) existe uma codificao para saber se o semicondutor de Ge, Si, se transistor ou diodo e outras informaes. Infelizmente no existe uma nica entidade que rege essas regras sendo que as mais conhecidas so: O Joint

82

Electron Device Engineering Council (JEDEC), o Pro-Electron e o Japanese Industrial Standard (JIS). 4.8.1 O Pro Electron Por exemplo se um semicondutor tem a especificao BC 548 A, o mesmo representa um transistor e essa informao obtida da segunda letra (C) que significa transistor, j a primeira letra significa o tipo de material (A para Ge e B para Si), os trs nmeros (548) representam um tipo especifico de transistor (famlia) e a letra seguinte, o sufixo, representa um grupo de ganho beta (A=baixo, B=mdio ganho, C=alto ganho, sem sufixo=qualquer ganho). A entidade que especifica desta forma um semicondutor chamada de ProEletron, sendo norma Europia. De uma forma geral a regra :

A primeira letra indica o material. A: Germnio (Ge) B: Silcio (Si) C: Arsenieto de Glio (GaAs) A segunda letra indica o tipo de componente A: diodo de RF B: Variac C: transistor, AF, pequeno sinal 83

D: transistor, AF, potencia E: diodo tnel F: transistor, HF, pequeno sinal K: dispositivo de efeito Hall L: transistor, HF, potencia N: acoplador tico R: tiristor, baixa potencia T: tiristor, potencia Y: retificador Z: zener A terceira letra indica aplicao industrial, podendo ser: W,X, Y ou Z Exemplos: BC547 BY100,BZX84C12, BD137 4.8.2 O Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC)

Essa norma americana e tem a forma:

O sufixo quando existir indica o grupo do ganho exatamente como a ProElectron

84

Exemplos: 1N4001 (diodo), 2N2222A (transistor), 2N5444 (TRIAC), 2N6399 (SCR), 1N475A (Zener), 2N3821(JFET). 4.8.3 Japanese Industrial Standard (JIS)

A outra norma japonesa e tem a forma geral:

As letras indicam a rea de aplicao de acordo com o cdigo: SA: PNP, transistor de alta freqncia SC: NPN, transistor de alta freqncia SE: diodos SM: Triacs SR: retificadores SB: PNP, transistor de udio SD: NPN, transistor de udio SF: tiristores SK: FET/MOSFET canal N SJ: FET/MOSFET canal P

85

4.8.4 Outras Formas de Especificao Alem das normas JEDEC, Pro-Electron e JIS alguns fabricantes tem a sua prpria forma de especificar. Assim que temos para os fabricantes os seguintes prefixos: MJ: Motorolla, dispositivo de potencia em invlucro metlico. Exemplo: MJ15004, MJE:Motorolla, potencia, invlucro plstico. Ejemplo: MJE 13003, MPS:Motorolla, baixa potencia, invlucro plstico. Exemplo: MPS3638 MRF:Motorolla, transistor para HF, VHF e microondas. MCR: Motorolla, tiristor. Exemplo: MCR 106 RCA:RCA RCS: RCS TIP:Texas Instruments, transistor de potncia, involucro plstico. Exemplo: TIP 36 TIC: Texas Instruments, tiristor, involucro de plastico. Exemplo: TIC 106, TIC 226C Fonte: http://www.tanker.se/lidstrom/trans.htm

86

Exerccios Resolvidos 1. No circuito sabendo-se que IC=2mA, =200 e o transistor de Si, calcular: a) VCE b) IB c) Valor de RBB d) Qual o estado do transistor (saturado/cortado/regio ativa)?

Soluo: a) equacionando a malha de sada: 10=3K.2mA + VCE VCE=10-6=4V b) A relao entre IB e IC dada pelo , logo: I B =
IC

obtemos

200 c) Equacionando a malha de entrada: 5= RBB.IB+0,7V ou

R BB = 5 0,7 = 430 K 10 A

2mA

0,01mA = 10 A

d) Como VCE=4V o transistor se encontra na regio ativa. 2. No circuito calcular RB e RC para que o transistor sature com IC=40mA. Dado: min=100 VCEsat=0V VBEsat=0,7V

Soluo: Com o transistor saturado toda a tenso da fonte estar aplicada em RC desta forma o valor pode ser calculado por:
RC = 10 V = 0,25K = 250 40mA

87

A corrente de base deve de no mnimo IB

ICsat 40mA = = 0,4mA min 100

Portanto a resistncia de base RB deve ser menor ou igual a

RB 5 0,7 = 10 ,75 K 0,4mA

adotado 10K

88

4.9 Circuitos de Polarizao Polarizar um transistor significa estabelecer as tenses e correntes contnuas ao redor das quais o sinal oscilar quando for aplicado um sinal na entrada. Para um bom desempenho (principalmente para evitar a distoro) o ponto de operao deve ser bem localizado. Nos amplificadores para pequenos sinais a melhor localizao no meio das reta de carga, isto , a tenso coletor emissor (VCE) deve ser de aproximadamente a metade da tenso da fonte (VCC) para que a excurso de pico a pico na sada seja a mxima possvel sem distoro. A seguir dois tipos de polarizao: polarizao por corrente de base constante e por diviso de tenso na base. 4.9.1 Polarizao por Corrente de Base Constante No circuito da figura 4.23 corrente de base constante sendo calculada por:

como a corrente de coletor dada por: IC = .IB ento V V BE V I C = . CC . CC RB RB

Figura 4.23: Polarizao por corrente de base constante

Como o de uma famlia de transistor pode variar entre um valor mnimo e um valor mximo podemos concluir que esse tipo de polarizao altamente instvel com a troca de transistor e temperatura.

4.9.2 Polarizao por Divisor de Tenso na Base

89

O circuito de polarizao por corrente de base constante alm de altamente dependente do beta tambm muito instvel quando a temperatura aumenta podendo levar a um disparo trmico (aumenta temperatura, aumenta corrente, mais temperatura, ....). O circuito da figura 4.22 a seguir prefervel por ser praticamente insensvel variao do , sendo chamado de circuito de polarizao por divisor de tenso na base e tem realimentao negativa em corrente de emissor, diminuindo VE aumenta, e CC o que permite estabilizar o ponto Q, isto , se a temperatura aumentar, aumentando a como a tenso na base (V B) constante obrigatoriamente VBE deve diminuir despolarizando a base e as correntes que inicialmente tinham aumentado devido temperatura. Claramente, o circuito possui um controle interno devido essa realimentao.

(a)

(b)

Figura 4.24: ( a ) Polarizao por divisor de tenso na base ( b ) circuito com equivalente na base

Para analisar o circuito consideremos o equivalente Thevenin na base, figura 4.24a:

VTH = R2 .VCC R1 + R2

RTH =

R1 .R2 R1 + R2

Considerando o circuito equivalente da figura 4.24b temos as equaes: Na malha de entrada escrevemos a sua equao:

90

VTH=RTH.IB+VBE+RE.IE
VTH = RTH . IC

e como

IE I C

IB =

IC

+V BE + I C .R E resultando:

VTH V BE RTH + RE ento IC =

IC VTH V BE RE

se calcularmos os componentes de forma que RE >>

RTH min

Portanto teremos um circuito no qual o ponto de operao (corrente de coletor) no depende do beta. A seguir os passos para especificar os valores das resistncias do circuito de polarizao de divisor de tenso na base. Essas orientaes so de carter essencialmente prtico, podemos at afirmar que uma "receita", com fundamentao terica nas expresses acima. Em geral so especificados a tenso de alimentao (V CC), a corrente quiescente de coletor, e o transistor , portanto so conhecidos o
min

eo

mx. Para que toda a receita dada a seguir tenha validade, a corrente de base deve ser muito menor do que a corrente " descendo " pelo divisor de tenso, tudo se passa como se a base estivesse "aberta ". Para o projeto em geral so conhecidos; Passos para determinar os valores do divisor 1. Adotamos os seguintes percentuais da tenso de alimentao: VCE = 0,5.VCC VRE = 0,1.VCC e VRC= 0,4.VCC. 2. Como IC dado ento podemos calcular RE
RE = 0,1.VCC V RE = IE IE

3. Como IC = IE e VRC =4.VRE ento RC =4.RE

91

4. R2 0,1.

min

.RE (em geral escolhemos um valor igual a 0,1.

min

.RE.

Mais adiante veremos que escolher um valor muito baixo levar a uma diminuio na impedncia de entrada). Obs: A deduo desta expresso no ser feita, mas ela intuitiva, isto , R2 no pode ser de grande valor, pois neste caso a condio de corrente de base desprezvel no seria verdadeira. 5. Conhecido o valor de R2 para calcular R1 , devemos lembrar que os dois resistores "esto em srie", portanto
R1 = U1 .R2 onde U2= 0,7+VRE U2

U1=VCC-U2

Exerccios Resolvidos 1. Projetar um circuito de polarizao por divisor de tenso na base sendo conhecidos a alimentao, o transistor e o valor da corrente de coletor. VCC=12V, min=100, ICQ=5mA ento R E =
VRE 1,2V = = 240 IE 5mA

Soluo: VRE=0,1.VCC= 0,1.12V=1,2V

RC=4.RE=4.240=960
R 2 0,1.min .R E = 0,1.100 .240 = 2400

R1 =

U1 10,1 .R 2 = .2,4K = 12,7K U2 1 ,9

Valores adotados: RE=220 RC=820

R2=2K2

R1=12K

Esses valores so comerciais e prximos dos valores calculados.

92