Edison Javier Rosero Salazar

Universidade Federal de Pernambuco Centro de Cincias Exatas e da Natureza e Departamento de F sica
Ps-Graduao em F o ca sica
DINAMICA EM LASER DE DIODO COM CAVIDADE EM ANEL Edison Javier Rosero Salazar DISSERTACAO DE MESTRADO
Recife Novembro de 2011
Universidade Federal de Pernambuco Centro de Cincias Exatas e da Natureza e Departamento de F sica
Edison Javier Rosero Salazar DINAMICA EM LASER DE DIODO COM CAVIDADE EM ANEL
Trabalho apresentado ao Programa de Ps-Graduao em o ca F sica do Departamento de F sica da Universidade Federal de Pernambuco como requisito parcial para obteno do ca grau de Mestre em F sica.
Orientador: Jos Roberto Rios Leite e
Recife Novembro de 2011
AGRADECIMENTOS
Ao CNPq pelo suporte nanceiro, sem o qual seria imposs vel a realizaao deste c trabalho.
iii
RESUMO
Nesta dissertao, estudamos experimentalmente a dinmica de um laser de diodo ca a operando com uma cavidade ptica externa implementada numa conguraao tipo anel. o c A cavidade externa tem um comprimento efetivo de 3 metros para uma oscilaao ptica. c o A cavidade e composta por trs espelhos que permitem um controle e caracterizaao dos e c modos de emisso. Vericou-se que os dois modos contrapropagantes funcionaram travaa dos em fase e frequncia para valores de corrente abaixo do limiar do laser sem cavidade e externa e apresentaram utuaoes de baixa frequncia acima deste valor. Instabilidades c e em funo do alinhamento da cavidade e da corrente de bombeio tambm foram observaca e das.Um sistema de deteco de pulsos com caracter ca sticas caoticas e duraao na escala de c nanosegundos foi montado com fotodetectores com respostas em frequncias de 2 GHz. e Sries numricas destas pulsaoes foram estudadas em suas composioes espectrais. Um e e c c tratamento das equaoes para a estabilidade de cavidades pticas foi realizado e a comc o parao dos espectros de frequncia dos modos no longitudinais observados tiveram boa ca e a comparao com os clculos. Modelos tericos para a dinmica dos pulsos, com equaes ca a o a co de taxas e incluindo a competiao dos modos foram tratados numericamente e compac rados com os experimentos. A incluso de efeitos de absorvedor saturvel, devido as a a regies da camada da junao diodo que no atige o limiar de amplicaao, foi testada nos o c a c modelos tericos. A dinmica observada experimentalmente uma boa comparao com o a ca estes modelos. Palavras-chave: Cavidade em anel,Semicondutor Laser, Flutuaes de Baixa Frequncia, co e Oscilaes autosustentadas, Pulsos Caticos. co o
iv
ABSTRACT
This dissertation describes experiments on the dynamics of a semiconductor diode laser operating with an external optical ring cavity. The cavity had a 3 m round trip length and was composed by three mirrors adjustable for characterization of the emission modes. With pump current below and near the solitary threshold the counter propagating modes were observed to be locked in frequency. Just above this threshold bidirectional instabilities appear with chaotic power drops typical of the Low Frequency Fluctuation that occur in Fabry-perot laser with feedback. Tilted alignment of the external cavity along with appropriate pump current changed the nature of the pulsed instability of higher order cavity modes. Up to 2 GHz frequency composition of the pulsed instabilities were characterized. Optical spectra and radio frequency spectra of pulsed power time series were obtained to compare with theoretical models. A model for ring cavity stability, predicting the expected optical frequency composition of the pulses was solved numerically. Good comparison was shown between the experimental observations and the calculation for the fundamental longitudinal and the rst transverse accepted modes of the cavity. A theoretical model for the pulsed dynamics, using rate equations, was also done and compared well with the observations. The model included the eects of saturated absorption due to the junction regions that do not attain the amplifying condition but are visited by the light beam created under external cavity operation. Keywords: Semiconductor Ring Laser, Self-Pulsation, Low Frequency Fluctuations, Chaotic pulsations.
SUMARIO
Cap tulo 1Introduo ca Cap tulo 2tica de cavidades o 2.0.1 2.0.2 2.0.3 2.0.4 2.0.5 2.0.6 2.0.7 2.0.8 Feixe Gaussiano . . . . . . . . . . . . . . . . . Interaao de raio gaussiano com lentes . . . . c Modos de ordem maior tipo Hermite-Gaussian Cavidades Laser . . . . . . . . . . . . . . . . . Modos em cavidades ticas: Fase de Gouy . . o Anlise de Raios . . . . . . . . . . . . . . . . a Matriz de Transferencia de Raios . . . . . . . Laser em anel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1 4 6 9 11 12 17 19 19 24 26 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 27 31 36 36 36 37 41 43 45 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 48 52 53 57 66 66
Cap tulo 3Lasers de Semicondutor 3.1 3.2 3.3 Princ pios de operaao . . . . . . . . . . . . . . . . . . c 3.1.1 Juno p-n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ca Interaao radiaao-matria num material semicondutor c c e Descrio Fenomenolgica . . . . . . . . . . . . . . . . ca o 3.3.1 Ganho . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.2 O parmetro . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 3.3.3 Equaes de Taxa . . . . . . . . . . . . . . . . . co Laser em anel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.1 Competio de dois modos . . . . . . . . . . . . ca
3.4
Cap tulo 4Resultados 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 Laser de semicondutor com cavidade externa tipo anel Implementaao do laser com cavidade externa . . . . . c Modos da cavidade . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Operao bidirecional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ca Oscilaes autosustentadas . . . . . . . . . . . . . . . . co 4.5.1 Modelo Terico . . . . . . . . . . . . . . . . . . o 4.5.2 Equaes de taxa . . . . . . . . . . . . . . . . . co
vi
SUMARIO
vii 69 69 71 74 76
Cap tulo 5Discusso a 5.1 5.2 Operao Bidirecional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ca Oscilaes Auto-sustentadas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . co
Cap tulo 6Concluses o Referncias Bibliogrcas e a
LISTA DE FIGURAS
2.1 2.2
Figura esquemtica que mostraos detalhes do anlisis proposto . . . . . . a a Distribuio da amplitude de campo para o raio gaussiano ou modo funca damental. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3 Observa-se a propagaao de um feixe gaussiano. Indica-se a cintura do c feixe onde as frentes de onda cam planas. Mostra-se a difrao de campo ca distante para o modo fundamental onde as frentes de onda cam esfricas e com variaao hiperblica da intensidade ao longo do eixo z. . . . . . . . . c o 2.4 Mostra-se o parmetro confocal z0 do feixe gaussiano. . . . . . . . . . . . a 2.5 Congurao modal criada na cavidade pelo connamento da radiaao. ca c Destaca-se o tempo de ida e volta e a constante de perdas associada com o fator Q. A emisso laser monomodo estabelecida quando um destes a e modos selecionado da larga faixa de frequncias que possui a curva de e e ganho emitida pelo material. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6 Cavidade tica composta por dois espelhos de diferente raio de curvatura. o Mostra-se o contorno do feixe e a localizao da cintura. . . . . . . . . . ca 2.7 Raio paraxial passando atravs de um elemento ptico. A sa do raio e o da depende das condioes de entrada e as propriedades ticas do elemento. c o Para raios paraxiais as quantidades na sa x2 e x2 so linearmente deda a pendentes das quantidades na entrada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8 Matrizes de raios para 4 elementos pticos simples empregados neste trao balho. De cima para abaixo da esquerda a direita so mostrados a transa ferncia do raio numa distncia d; a transferncia atravs de uma lente e a e e delgada com distncia focal f ; Mistura dos dois elementos anteriores e a por ultimo mostrada a matriz de transferncia de raios para um espelho e e esfrico de raio de curvatura R. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 2.9 Esquema ilustrativo para a compreenso f a sica da equaao 2.67, desenvolc vida na referncia [1] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 2.10 Laser em anel Bidirecional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 Bandas de energia de uma juno p-n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ca Bandas de energia de uma juno p-n quando se aplica uma voltagem . . ca Estrutura bsica para um laser de diodo de doble hetero-estrutura . . . . a Cavidade Fabry-Perot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Anlise de estabilidade para dois modos operando num meio como funao a c da constante de acoplamento C. Ti = i /ij , Oi = i /ij e O3 a soluao e c bidirecional. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5 7
8 11
15 16
20
20 22 25 28 29 30 33
44
viii
LISTA DE FIGURAS 4.1 Congurao passiva do ressonador em anel construido. 1 Espelho plano. ca 2 Lente convergente, distncia focal f = 3[mm]. 3 Espelho esferico, raio a de curvatura R = 1.44[m]. 4 Espelhos planos reetividade 99% e 70%. 16o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Esquema de raios para a cavidade em anel com o meio de ganho, o laser de semiconductor. A tica do anel exterior pode ser congurada para fazer o o anel no mesmo plano ou ortogonal ao o plano de junao. Observa-se c tambm os detectores das ondas contrapropagantes. . . . . . . . . . . . . e Cintura do feixe no espelho plano nmero 1 depois de uma oscilaao na u c cavidade. Calculado segundo a equaao 2.78. Regio de valores de L para c a os quais a condiao de estabilidade 2.66 valida. . . . . . . . . . . . . . . c e Nesta gura apresentase o calculo do cociente entre o tamanho de apertura do laser e o dimetro do feixe no plano tangencial e sagital expressado a procentualmente. O tamanho da sa no laser e de 3m 1m. . . . . da Curva Potena da luz/Corrente e Bombeio para o laser solitrio e o laser c a com realimentao ptica. Os valores obtidos para a corrente do limiar no ca o caso do laser sem cavidade e do laser operando com a cavidade em anel foram de 14, 5[mA] e 12, 9[mA]. Por consiguinte achamos um de 11% para uma distncia L da cavidade externa igual a 73, 5[m]. . . . . . . . . a Observa-se a montagem experimental. 1. Barras de material invar formando uma estrutura rigida, constituem o suporte para a cavidade. Os principais elementos que precisam da estabilidade mecnica e trmica tm a e e sido acoplados a esta. 2. O laser de semicondutor no suporte e o controle da temperatura mediante o circuito que inclui o mdulo Peltier. Na frente, o poss ver a lente colimadora anti-reexo colocada na sa do laser. e vel a da Esta ultima foi controlada atravs de suporte micromtrico em todas as e e direoes espaciais, usando um suporte U LT RAlignT M da Newport. 3. Esc pelho esfrico com recobrimento de ouro, montado no interior do suporte. e Parafusos micromtricos controlam o alinhamento do feixe de ida e volta. e Tem sido colocado um piezoelctrico neste espelho com o objetivo de exae minar pequenas diferencia na dinmica com aumento ou diminuio do a ca comprimento da cavidade. 4. Espelhos planos ortogonais os quais criam o caminho em anel. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Fases de Guoy tangencial e sagital T e S em funao do comprimento L c da cavidade, calculadas a partir da equaao 2.69 . . . . . . . . . . . . . . c Transformada rpida de Fourier da serie temporal obtida experimentala mente, no detetor CW mostrado na gura 4.2. 17 mA de corrente. . . . . Transformada rpida de Fourier da serie temporal obtida experimentala mente, no detetor CW mostrado na gura 4.2. 33 mA de corrente. . . . .
ix
45
4.2
46
4.3
48
4.4
49
4.5
50
4.6
51 52 53 53
4.7 4.8 4.9
LISTA DE FIGURAS 4.10 Operaao bidirecional. A escala da primeira gura de 5mV /div e a sec e gunda foi mudada para 20mV /div. O zero do n DC est denido na vel a parte superior da tela como o indica a seta azul numerada 2, com o incremento do n DC caracterizado pelo deslocamento do sinal negativamente vel conforme aumenta a potncia de luz detectada, devido ao fato de que o e detector e um fotodiodo polarizado inversamente. O sinal amarelo na gura a dereita e a transformada rpida de fourier do sinal azul mostrando a claramente as baixas frequncias das utuaoes. . . . . . . . . . . . . . . e c 4.11 Nivel DC medido no regime bidirecional. Demostra-se que as duas ondas contrapropagantes tm a mesma intensidade. . . . . . . . . . . . . . . . . e 4.12 Espectro ptico que carateriza a emisso do laser bidirecional construido, o a no intervalo de 13mA a 15mA, para as duas direes de propagaao, senco c tiod horario e anithorario (clockwise and counterclockwise . . . . . . . . 4.13 Acima de 15mA de corrente observa-se LFF (Low Frequency Fluctuations) nas duas direes de propagao. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . co ca 4.14 Curva Potencia da luz/Corrente e Bombeio para o laser solitrio e o laser a com realimentaao tica. Os valores obtidos para a corrente do limiar no c o caso do laser sem cavidade e do laser operando com a cavidade em anel foram de 14, 5[mA] e 14[mA]. Por conseguinte achamos um de 3, 5% para uma distncia L da cavidade externa igual a 73, 5[m]. . . . . . . . . a 4.15 Pulsaao estacionria obtida quando o alinhamento do laser em anel moc a e dicado, I = 14.3[mA]. Mostra-se somente a componente AC da pulsao, ca levando em conta que existe uma componente DC associada. Largura de banda do detetor foi aproximadamente de 500 MHZ.Utilizo-se alm do dee tetor um amplicador operacional de baixo ruido com largura de banda de aproximadamente 3 GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.16 Pulsaao estacionria obtida quando o alinhamento do laser em anel c a e modicado em relaao ` gura 4.15, I = 14.3[mA]. Mostra-se somente a c a componente AC da pulsao, levando em conta que existe uma componente ca DC associada. Largura de banda do detetor foi aproximadamente de 2 GHz. Utilizo-se alm do detetor um amplicador operacional de baixo e ruido com largura de banda de aproximadamente 3 GHz. . . . . . . . . . 4.17 Pulsaao estacionria obtida quando o alinhamento do laser em anel moc a e dicado, I = 14.3[mA]. Mostra-se somente a componente AC da pulsao, ca levando em conta que existe uma componente DC associada. Largura de banda do detetor foi aproximadamente de 2 GHz. Utilizo-se alm do detee tor um amplicador operacional de baixo ruido com largura de banda de aproximadamente 3 GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.18 Transformada rpida de Fourier da srie temporal da gura 4.15. E poss a e vel observar a frequncia dominante de 32M Hz. . . . . . . . . . . . . . . . . e 4.19 Transformada rpida de Fourier da srie temporal da gura 4.16. E poss a e vel observar frequncias dominantes de 22M Hz e 50M Hz. . . . . . . . . . . e 4.20 Transformada rpida de Fourier da srie temporal da gura 4.17. E poss a e vel observar a frequncia dominante de 50M Hz e mltiplos dela. . . . . . . e u
54 54
55 56
57
58
58
59 59 60 60
LISTA DE FIGURAS 4.21 Espectro ptico estacionrio correspondente ao estado reportado nas grcas o a a 4.17, 4.20, 4.15, 4.18. Durante a pulsaao do laser o espectro mantm a c e forma e a frequncia, portanto se consegue uma emisso estvel. . . . . . e a a 4.22 Fenmeno de oscilao resultante quando a lente de acoplamento nmero o ca u 2 na gura 4.1 foi trocada por uma lente 06 GLC 001 [2] da M ELLES GRIOT T M com uma distncia focal de 6.5mm e uma distncia de trabalho a a de 0.78mm. I = 25[mA] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.23 Transformada rpida de Fourier da srie temporal da gura 4.22. E poss a e vel observar a frequncia dominante de 50M Hz. . . . . . . . . . . . . . . . . e 4.24 Intensidade das oscilaes para diferentes valores de corrente. . . . . . . . co 4.25 Frequncias medidas experimentalmente para cada valor mostrado na e gura 4.24 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.26 Comparaao da soluo nmerica obtida pelas equaes de taxa propostas c ca u co para o valor da intensidade do campo |E|2 e o resultado obtido experimentalmente. No calculo, foi usado o fator de retroalimentaao baixo (1.5%), c e o tempo de retardo de nosso experimento (10 ns). Outras constantes foram: T12 = 2.65 , T21 = 1.6, T1 = 1.5 e T2 = 1.3 [3], = 0.015 = 1.5% , i = 22mA, 1 = 4.28 104 , 2 = 2.70 104 , 1 = 0.1834, 2 = 0.1748. . 4.27 Soluao nmerica das equaes de taxa propostas para os valores das poc u co pulaoes nas duas regies N1 , N2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . c o 5.1
xi
61
61 62 64 65
68 68
5.2
5.3
Soluo do modelo de yamada sem retroalimentaao de luz. Esta gura ca c permite a interpretaao do fenmeno das pulsaoes que foi explicada no c o c pragrafo acima . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 71 Compara-se o resultado da gura 4.26 com o clculo das equaes sem a co relacion-los com a difuso. Os parmetros usados foram mantidos com a a a objetivo de estabelecer a diferena entre a simulao dos comportamentos c ca com e sem a difuso de portadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 72 Comparao de resultados quando se varia o tempo de difuso entre regies. 73 ca a o
LISTA DE TABELAS
4.1
Parmetros usados no calculo numerico. Na referncia [4] so discutidos a a e a origem e o signicado f sico de algums parmetros que foram usados. . . a
67
xii
CAP ITULO 1
INTRODUCAO
Os lasers semicondutores tm gerado uma grande revoluao tecnolgica desde a sua e c o apario em 1962, sendo a principal fonte de radiaao coerente empregada em comuca c nicaes ticas devido ao fato de que este elemento atinge operao laser em escalas co o ca micromtricas, com a possibilidade de acoplamento em bras ticas e a vantagem de e o atingir uma rpida resposta da luz a modulaes eltricas. Os processos de fabricao a co e ca tm sido implementados em grande escala garantindo lasers de rpida manipulaao e e a c operaao, j que no apresentam elementos pticos suscept c a a o veis a desalinhamento. Entre as inmeras aplicaoes encontra-se o estudo do laser de semicondutor em presena de u c c uma cavidade externa. Neste caso possivel construi-la com elementos pticos [5] ou uma e o parte do mesmo laser pode ser usado como uma segunda cavidade atravs de processos e de fabricaao adequados [6]. Usando diversos tipos de cavidade tais como Fabry-Perot e c anel se conseguem diversas dinmicas quando parte da luz emitida reinjetada dentro da a e cavidade do laser de semiconductor. Estas conguraes so de grande importncia desde co a a o ponto de vista tecnolgico como tambm do ponto de vista da pesquisa da dinmica o e a no linear. Tal realimentaao afeta o comportamento da emisso laser, tendo diferena c a tes comportamentos para diferentes n veis de realimentaao e diversas conguraes de c co cavidade externa [7].
Lasers de semicondutor acoplados com cavidades externas foram sistemas inicialmente projetados com o objetivo de fornecer estabilidade na emisso e frequncia unica com a e um alto grau de supresso de modos secundrios. Adicionalmente poss ajustar o a a e vel comprimento de onda ao longo de um determinado intervalo. Existem duas conguraes co bsicas implementadas: a cavidade externa de grande comprimento, na qual, a diferena a c de frequncia entre os modos da cavidade chega a ser menor ou comparvel com e a as frequncias de relaxaao do laser( criadas na cavidade interna, devido ` ressonncias e c a a intrinsecas pela no-linearidade do meio de ganho, onde as populaoes de eltrons e ftons a c e o oscilam antes de atingir os seus valores estacionrios), com valores na faixa de megahertz, a ou seja, tempos de ida e volta das cavidade maiores a 1ns. Na conguraao de cavidade c curta, o espaamento entre frequncias modais da cavidade externa chega a ser maior que c e a frequncia das oscilaes de relaxaao, consequentemente ca na faixa de gigahertz, e co c 1
INTRODUCAO
com tempos de ida e volta menores a 1ns.
Se a cavidade externa for implementada com uma congurao em anel, ento ca a e poss vel ter duas direes de propagao para a luz laser gerada no material semiconco ca dutor. A interaao destes modos na regio de ganho do laser de material semicondutor, c a pode fornecer operao bidirecional ou unidirecional, com frequncias iguais para as duas ca e direes. Este tipo de sistema possui um grande potncial de aplicaoes na rea tecco e c a nolgica, j que poss quebrar a degenerescencia nas frequncias de propagaao da o a e vel e c luz para as duas direoes, simplesmente pela rotaao sob um eixo perpendicular ao plano c c do anel. As duas direes chegam a possuir frequncias de propagaao diferentes cuja co e c diferena ser proporcional com a frequncia de rotao (Efeito Sagnac). Ento, um laser c a e ca a em anel bidirecional tm aplicaao imediata na construao de giroscpios com um alto e c c o grau de sensibilidade.
Um laser em anel com meio semicondutor usado para construo de um giroscpio ca o pode ser mais simples, comparado com outros giroscpios pticos (usando lasers de gs o o a ou lasers de estado slido). Isto evidente dado que dispositivos semicondutores podem o e chegar a ser fabricados em massa com um baixo custo e com a vantagem de fcil integraao a c monol tica com outros tipos de dispositivos eletrnicos semicondutores. Alm disso, lasers o e com congurao em anel usando semicondutores so objeto de estudo, j que podem ca a a ser aplicados como portas lgicas em sistemas pticos de comutaao em computao, o o c ca quando usado o fato de que apresentam regimes de operao tais como bidirecional, e ca unidirecional e comportamentos caticos deterministicos dependendo de parmetros que o a podem controlados de diversas formas.
Este nmero de aplicaoes relevantes justica o estudo deste tipo de sistemas e constiu c tui a motivaao principal para a projeao e implementaao da primeira cavidade laser em c c c anel funcionando no grupo de Dinmica de Lasers do departamento de f a sica da Universidade Federal de Pernambuco (UFPE). Esta dissertaao portanto, o primeiro trabalho c e experimental e terico no nosso grupo nesta linha de pesquisa. Temos como objetivo o fornecer as bases para o desenvolvimento de pesquisas bsicas e avanadas no sistema a c de lasers em anel semicondutores. Esta dissertao est organizada da seguinte forma: ca a no primeiro cap tulo introduzimos alguns conceitos bsicos sobre a tica de cavidades, a o os quais sero usados para a projeao e estudo da cavidade laser montada experimentala c mente. Estudamos o comportamento da luz quando connada e os critrios de estabilie e
INTRODUCAO
dade para cavidades usadas na construo de um laser. No segundo cap ca tulo encontra-se uma reviso de conceitos bsicos sobre o laser semicondutor. Finalmente mostramos no a a terceiro cap tulo o resultado experimental da primeira tentativa de construo e operaao ca c inicial de um laser de semicondutor com cavidade em anel. Neste cap tulo so apresena tados os mtodos e materiais empregados, alm de medies de modos da cavidade e e e co estabilidade de operao em comparao com estudos tericos realizados. Feito isto, ca ca o e mostrado como resultado o funcionamento do laser nas duas direoes com frequncias c e iguais travadas na fase. Estudarom-se os comportamentos dinmicos conhecidos como a auto-pulsaes do laser devido a desalinhamento da cavidade. Foram feitas simulaoes co c para explicar ditos comportamento e comparadas com os resultados achados experimentalmente. No cap tulo dedicado a discusso avalia-se os resultados obtidos. a
CAP ITULO 2
OTICA DE CAVIDADES
Em geral, para qualquer cavidade tica constru para um sistema laser, observado o da e que a luz no interior mantm uma distribuiao de campo a qual permanece ao redor e e c perto do eixo do sistema, com uma frente de onda no planar. Ento, preciso procurar a a e as soluoes da equao de onda, as quais satisfazem os anteriores requerimentos. Feito c ca isto, necessrio avaliar estas solues para faz-las compat e a co e veis com uma dada estrutura de cavidade. Ento se considera uma onda monocromtica e a aproximao paraxial, na qual os a a ca campos eletromagnticos so uniformes e circular ou linearmente polarizados. O campo e a eltrico pode ser descrito por uma quantidade escalar e E(x, y, z, t) = E(x, y, z, t)exp(it) (2.1)
a equaao de onda para qualquer componente do campo ou potencial de uma onda elec tromagntica : e e 2 E + k 2 E = 0 (2.2) Uma soluao para a amplitude do campo pode ser obtida usando a integral de Fresnelc kirchho, que enuncia que para uma dada distribuiao E(x1 , y1 , z1 ) no plano z = z1 , a c distribuio resultante do campo E(x, y, z), do plano que ca numa coordenada z na ca direo de propagao da onda, dada pela seguinte equaao [8] ca ca e c i E(x, y, z) = exp(ikr) E(x1 , y1 , z1 ) cosdx1 dy1 r (2.3)
com r sendo a distncia entre o ponto com coordenadas (x1 , y1 ) e o ponto P com coora denadas (x, y), o angulo entre a linha que leva ao ponto P e a normal ao plano. A e integral dupla feita sobre a superf de abertura arbitrria, localizada no plano z1 , e cie a o comprimento de onda. e
OTICA DE CAVIDADES
Figura 2.1 Figura esquemtica que mostraos detalhes do anlisis proposto a a
Escrevendo r = (z z1 )2 + (x x1 )2 + (y y1 )2 e considerando a aproximaao pac 1 , ento raxial, onde se cumpre que |x x1 | , |y y1 | << |z z1 | e Cos = a (x x1 )2 + (y y1 )2 r (z z1 ) + = 2(z z1 ) substituindo 2.4 na equaao 2.3 temos que c (x x1 ) + (y y1 ) E(x1 , y1 , z1 )exp(ik )dx1 dy1 2(z z1 ) (2.5) a equaao 2.5 e a integral de Huygens-Fresnel-Kirchho na aproximao de Fresnel. No c ca entanto conhecido que as solues simples da equao de onda 2.2 independente do e co ca tempo, so ondas planas transversais. Contudo, estas soluoes simples no so adequadas a c a a quando tratamos com um feixe laser real ao interior de uma cavidade. As solues que co descrevem um comportamento mais prximo da realidade esto relacionadas com as ondas o a planas, mas as amplitudes iro variar transversalmente ao eixo de propagaao. Para luz a c viajando na direo do eixo z temos uma poss soluao dentro da aproximaao paraxial, ca vel c c onde a onda viaja a pequenos ngulos na direao z a c iexp(ik(z z1 )) E(x1 , y1 , z1 ) = (z z1 )
2 2
(2.4)
E(x, y, z) = (x, y, z)exp(ikz)
(2.6)
onde uma funao complexa de variao lenta e leva em conta a distribuiao de e c ca c intensidade no-uniforme: a expanso do raio com a distncia de propagao e a curvatura a a a ca das frentes de fase. Inserindo 2.6 em 2.2 e desprezando a segunda variaao de com z c
OTICA DE CAVIDADES
temos a soluo para a amplitude do campo E na forma diferencial: ca 2 2 + 2 2ik =0 x2 y z (2.7)
se substituirmos a equao 2.6 na 2.5, ento poss achar a soluo para o campo E, ca a e vel ca na forma integral e dentro dos limites da aproximaao paraxial. c i (x, y, z) = (z z1 ) (x1 , y1 , z1 )exp(ik (x x1 )2 + (y y1 )2 )dx1 dy1 2(z z1 ) (2.8)
as equaoes 2.7 e 2.8, so completamente equivalentes e fornecem a mesma soluao para c a c a amplitude do campo dentro da aproximao paraxial. ca 2.0.1 Feixe Gaussiano
Uma soluao de 2.7, pode ser escrita como: c (x, y, z) = exp[i(P (z) + k 2 r )] 2q(z) (2.9)
onde r2 = x2 + y 2 a distncia ao eixo de propagaao. P (z) representa um fator de e a c fase complexo, associado com a propagaao do feixe, e q(z) um parmetro complexo c e a descrevendo uma variao de tipo esfrica das frentes de fase perto do eixo de propagaao. ca e c Este tipo de soluao no a unica para a equaao 2.2, contudo a soluao 2.9 a mais c a e c c e importante, sendo conhecida como modo fundamental. Substituindo a equao 2.9 na 2.2, ca = i , q = 1. Para conseguir entender o signicado f temos que P sico e as propriedades q do modo fundamental, conveniente introduzir dois parmetros reais R e w, relacionados e a ao parmetro complexo q atravs de a e 1 1 i = q R w2 (2.10)
quando calculamos a intensidade do feixe dada pela equaao uu , e substitu c mos 2.10 achamos que ( ) 2r2 uu = exp (2.11) w2 ento, a equaao 2.11 mostra claramente a dependncia gaussiana da intensidade com a c e a distncia r. O signicado f a sico de w(z) uma medida do decaimento da amplitude e de campo com a distncia ao eixo z. Em outras palavras, w(z) a distncia ao eixo z a e a
OTICA DE CAVIDADES
a onde a intensidade diminui e12 do seu valor mximo sobre o eixo, consequentemente sua amplitude diminui consequentemente 1 do seu valor axial. O valor 2w(z) conhecido e e como o dimetro do feixe. R(z) o raio de curvatura das frentes de onda que cortam o a e eixo z. O feixe gaussiano atinge um dimetro m a nimo 2w0 em um ponto conhecido como a cintura do feixe. Nesta posiao a frente de fase das ondas plana. Usando equao c e ca 2.10 vemos que em 2w0 o raio de curvatura R innito portanto temos que: e q0 = i
2 w0
(2.12)
w2
a uma distncia z longe da cintura temos que o parmetro q q = q0 + z = i 0 + z. a a e Ento usando este fato e novamente a equao 2.10, temos para os parmetros R e a ca a (
2 w2 (z) = w0
1+ (
z 2 w0
)2 ) (2.13)
( R(z) = z 1+
2 w0 z
)2 ) (2.14)
Figura 2.2 Distribuio da amplitude de campo para o raio gaussiano ou modo fundamental. ca
pelas equaoes 2.13 2.14 ca claro que w(z) se expande com a distncia z seguindo c a uma hiprbole com ass e ntotas inclinadas em relaao ao eixo de propagaao, fazendo um c c 1 ngulo = T an w0 . Se a divergncia no for muito grande, ento = w0 . A gura a e a a 2.3, esquematiza estas propriedades.
OTICA DE CAVIDADES
Figura 2.3 Observa-se a propagao de um feixe gaussiano. Indica-se a cintura do feixe onde as ca frentes de onda cam planas. Mostra-se a difrao de campo distante para o modo fundamental ca onde as frentes de onda cam esfricas com variao hiperblica da intensidade ao longo do eixo e ca o z.
equaes 2.13, 2.14, podem ser aproveitadas para expressar w0 e z em termos de w e co R

2 w0 (z) = (
1+
w2 ( w2 )2 )
R
(2.15)
z=( 1+
R ( w2 )2 )
R
(2.16)
a fase complexa existente a uma distncia z da cintura do feixe pode ser calculada nesta a iw2 sequncia. Para isto poss usar o fato de que q = q0 + z = 0 + z com a equaao e e vel c i resultante da soluao 2.9 P = q , resultando em c P = integrando temos que iP (z) = ln( 1+( z z 2 ) ) iT an1 ( 2 ) 2 w0 w0 (2.18) i
2 iw0
(2.17)
+z
a parte real de P representa uma diferena de fase entre o feixe gaussiano e uma onda c plana ideal, enquanto a parte imaginria produz um fator de amplitude w0 que resulta a w na diminuiao da intensidade no eixo devido a expanso do feixe. Com estes resultados c a
OTICA DE CAVIDADES
o feixe gaussiano fundamental pode ser escrito na forma: u(r, z) = w0 1 ik exp(i(kz ) r2 ( 2 + )) w w 2R = T an1 ( 2.0.2 z ) 2 w0 (2.19) (2.20)
Interao de raio gaussiano com lentes ca
Uma lente pode ser usada para focalizar um raio laser, ou para produzir um feixe de dimetro e curvatura da frente de fase adequado para injeo em uma determinada a ca estrutura tica. Uma lente ideal deixa a distribuiao do campo transversal de um modo o c inalterado. Um feixe de entrada em modo gaussiano atravessar a lente e continuar a a sendo gaussiano. Ento uma lente ideal mudar somente o raio de curvatura do feixe a a gaussiano quando este o atravessa. O raio gaussiano principalmente caracterizado pelo e parmetro complexo q. Se o raio passa atravs de um meio isotrpico e homogneo, ento a e o e a o parmetro q varia de acordo com as equaes anteriormente descritas. Uma lente ideal a co delgada de distncia focal f transforma uma onda esfrica incidente com raio de curvatura a e R1 imediatamente ` esquerda da lente, em uma onda esfrica com raio de curvatura R2 a e imediatamente ` direita deste, em seguida temos a 1 1 1 = R2 R1 f (2.21)
a lente transforma as frentes de fase do raio e modica os raios de curvatura. O dimetro a do raio w permanece o mesmo (na aproximao de lente na) imediatamente depois de ca passar pela lente, por consequncia da equao 2.10 os parmetros q das ondas incidente e ca a e transmitida esto relacionados por a 1 1 1 = q2 q1 f (2.22)
se depois de atravessar a lente, os parmetros q1 e q2 , so medidos a distncias d1 e d2 a a a ento a 1 1 1 = (2.23) q2 d2 q1 d1 f
OTICA DE CAVIDADES
10
para o valor do parmetro q2 a ( q2 = 1

d2 f
( q1 + d1 + d2 ( ) q1 d1 + 1 f f
d1 d2 f
) (2.24)
se a lente colocada na posio z onde ca a cintura do feixe w01 e ca 1 = i 2 q1 + d 1 w01 o prametro q depois de atravessar a lente nestas condioes a c e 1 1 = i 2 q2 d2 w01 f reorganizando os termos se chega a 1 = q2 ( ) (d2 f ) + (
f 2 w01 2
(2.25)
(2.26)
)2
f d2 i w2
01
(d2 f ) + (f d2 )
(2.27)
pela condio Re q12 = 0 possivel achar a nova cintura do feixe aps percorrer a lente. ca e o Fazendo isto na equaao 2.27 c ( (d2 f ) + f 2 w01 f ( 1+ ( a quantidade
2 w01
)2 d2 = 0 (2.28)
d2 = )
f 2 w01
)2
(2.29)
conhecida como parmetro confocal z0 , e mede a distncia axial e a a dentro da qual o raio do feixe permanece dentro de um fator de 2 do seu valor m nimo w0 .
OTICA DE CAVIDADES
11
Figura 2.4 Mostra-se o parmetro confocal z0 do feixe gaussiano. a
se o parmetro confocal for muito menor que a unidade a cintura do feixe, depois de a passar pela lente, estar perto do ponto focal da lente. O dimetro w02 deste feixe, a a e dado pela anlise da parte imaginria da equaao 2.27 a a c w02 = ( 1+ w01 1 ( )2 ) 2
z0 f
(2.30)
se a lente no colocada na cintura do feixe incidente w01 , o novo dimetro do feixe, a e a depois de ser focalizado, pode ser achado pela seguinte equao (no ser demonstrado) ca a a w02 = ( 1+ w01 ( )2 ) 1 2
w01 R1
(2.31)
com w01 sendo o dimetro do feixe na entrada da lente e R1 o seu raio de curvatura na a entrada da lente. Se a lente estiver colimada (ondas planas) sobre a superf da lente cie (onde w01 seria o raio da lente). Usando 2.31 a nova cintura do feixe e w02 2.0.3 f w01 (2.32)
Modos de ordem maior tipo Hermite-Gaussian
Na seao anterior apenas uma soluo de 2.2 foi discutida. O chamado modo fundac ca mental, que um feixe de luz com a propriedade de que em cada seao transversal tem um e c perl de intensidade dado pela distribuiao gaussiana. A largura desta intensidade muda c
OTICA DE CAVIDADES
12
conforme o feixe se propaga ao longo de seu eixo. Entretanto, existem outras soluoes de c 2.2 com propriedades similares. Essas soluoes formam um conjunto completo e ortogonal c de funes e so chamados de modos de propagao. Cada distribuio arbitrria de luz co a ca ca a monocromtica pode ser expandida em termos desses modos. A soluao a c = g( pode ser substitu na 2.2 da d2 Hm dHm 2x + 2mHm = 0 2 dx dx x1 y1 g.h = Hm ( 2 )Hn ( 2 ) w w x1 y1 k 2 (x1 , y1 , z1 ) = Hm ( 2 )Hn ( 2 )exp(i(P + (x2 + y1 ))) w w 2q 1 (2.34) y1 k x1 2 ).h( )exp(i(P + (x2 + y1 ))) 1 w w 2q (2.33)
(2.35)
(2.36)
Estas funoes prprias particulares da equao de onda, podem ser expressas ento c o ca a como o produto dos polinmios de Hermite Hl e a funao gaussiana. m e n so nmeros o c a u inteiros que indicam modos transversais. Para conhecer a diferena de fase, temos que c levar em conta que o parmetro R o mesmo para todos os modos, implicando que a a e curvatura da frente de fase a mesma, e muda do mesmo jeito para todos os modos, sem e importar a ordem do modo. A diferena de fase uma funao do nmero de modo c e c u (m, n; z) = (m + n + 1)T an1 ( 2.0.4 Cavidades Laser z ) 2 w0 (2.37)
Diversos materiais nos quais se conseguem processos de emisso de radiao mediante a ca bombeio ptico ou eltrico numa certa largura espectral, podem ser usados na construao o e c de um laser. Mas, para que a radiaao emitida, seja de tipo coerente e unidirecional, c e preciso colocar o meio no interior de uma cavidade tica, a qual permitir realimentaao o a c e amplicaao dos processos de emisso pela cont c a nua passagem da luz atravs do meio. e Alm disso, a cavidade permite o processo de saturaao do ganho tico gerado pelo e c o material, estabilizando assim a intensidade de sa e permitindo selecionar uma largura da de banda em frequncias muito mais curtas do que a largura de banda do ganho. Desse e jeito poss conseguir uma emisso laser monomodo altamente coerente. No caso mais e vel a
OTICA DE CAVIDADES
13
simples, o ressonador ou cavidade tica consiste de dois espelhos planos (tipo Fabry-Perot) o ou esfricos que proporcionam repetidas reexes da luz e connamento na regio entre e o a os dois espelhos, resultando numa estrutura de modos pticos (ou frequncias ticas, o e o quando temos presena do meio de ganho). c Um ressonador ptico passivo dene-se como aquele que descrito quando o meio de o e ganho no est presente. O ressonador mais comum usado na construao de um laser a a c e a conguraao em aberto (sem connamento lateral). Uma propriedade importante dos c ressonadores abertos o baixo fator de qualidade para os modos que interagem com a e superf do espelho com um ngulo diferente de 90, assim a luz que se encontra oscilando cie a nesta conguraao modal chega a escapar do ressonador e, portanto chega a ter um baixo c fator de qualidade Q durante a passagem por este. Os unicos modos com pouca porcenta gem de perda chegam a ser os chamados modos longitudinais, os quais so estabelecidos a quando a luz pode ser reetida e viajar de um espelho a outro sem sair da cavidade. Ento, para dimenses nitas do ressonador, os unicos modos que podem ter fatores de a o qualidade altos so os modos longitudinais. Deste modo se consegue uma discriminaao a c e uma diminuio de modos dispon ca veis para emisso laser monomodo neste tipo de resa sonadores abertos. Numa primeira aproximao e para espelhos com reetividade de 1 ca os modos longitudinais so ondas estacionrias; ento para ter frequncias ressonantes a a a e na regio implica a condiao de que a longitude da cavidade deve ser igual a um nmero a c u inteiro da metade do comprimento de onda. A anterior uma condio necessria para e ca a satisfazer a condiao de contorno, que implica um campo eltrico nulo na superf dos c e cie espelhos. Portanto as frequncias ressonantes esto dadas pela equaao e a c c (2.38) 2L q Ento, a diferena da frequncia entre dois modos longitudinais consecutivos = 2L a c e e para um ressonador com espelhos paralelos (esfricos ou planos) tipo Fabry-Perot. A maie oria dos lasers usa este tipo de cavidade, embora esta seja suscept a retroalimentaao vel c de luz na cavidade. Se algum elemento tico reete luz em direo da cavidade do laser o ca esta pode desestabilizar a dinmica interna do material e inuenciar emisso multimodo a a ou instabilidades na potncia de sa e da. =q Um modo de um ressonador ou cavidade pode-se denir como una congurao do ca campo eletromagntico auto consistente [9]. O anterior implica que a distribuio do e ca campo ptico se reproduz depois de uma ida e volta no ressonador. Como j foi dito, o o a
OTICA DE CAVIDADES
14
connamento ptico permite a existncia de um conjunto de modos que possuem mesma o e distribuio espacial, transversalmente ao eixo ptico do ressonador. Estes so chamados ca o a de modos longitudinais. Associado a cada nmero inteiro que indexa um modo longiu tudinal existe um conjunto de modos os quais tem uma distribuiao diferente no plano c transversal ao eixo da cavidade. Estes so os chamados modos transversais. a Uma caracter stica universal de qualquer modo de cavidade e seu fator de qualidade Q, denido como: Energ media armazenada a Q= (2.39) Energ dissipada a ento o fator Q uma quantidade denida para estimar o valor das perdas pela reexo a e a nos espelhos, o espalhamento da luz e a difrao. Para uma cavidade tica ressonante, ca o um alto valor do fator Q implica baixas perdas para o modo ptico associado. Contudo, o importante ressaltar que a introduao do fator Q como parmetro que caracteriza a e c a ecincia de uma cavidade tem a ver com o chamado tempo de vida do fton, que por e o sua vez denido como o tempo de ida e volta do raio na cavidade, representado por e 2L = c , para uma cavidade Fabry-Perot, divido pelas perdas totais da cavidade as quais foram agrupadas na constante . O tempo de vida na cavidade ca ento a c = 2L c (2.40)
mas pela equao (Q), a energia armazenada h e a energia dissipada por ciclo ca e e d 1 h( dt )( . Usando o anterior e as denioes para Q e (Q) temos que c Q = 2c (2.41)
depois de passado um tempo , a intensidade da luz inicial 0 assume o valor reduzido t e (t) = e c 0 e o comportamento do campo eltrico em qualquer ponto no interior do ressonador e dentro da aproximao escalar pode-se escrever como ca E(t) = E(t) e 2c +it
t
(2.42)
o espectro de potncia do campo eltrico vem dado pela transformada de Fourier do e e 1 campo resultando numa lorentziana com largura de linha c = 2c . Finalmente o fator Q pode ser interpretado em termos do quociente da frequncia de ressonncia de um e a modo em particular e a largura de linha daquele modo a qual associada diretamente e
OTICA DE CAVIDADES
15
com as perdas. Na gura 2.5 se esquematiza esta situaao c Q= c (2.43)
Figura 2.5 Congurao modal criada na cavidade pelo connamento da radiao. Destaca-se ca ca o tempo de ida e volta e a constante de perdas associada com o fator Q. A emisso laser a monomodo estabelecida quando um destes modos selecionado da larga faixa de frequncias e e e que possui a curva de ganho emitida pelo material.
Os ressonadores mais comuns esto compostos por dois espelhos planos ou esfricos. a e Para conseguir entender a formao de modos na cavidade importante considerar a ca e natureza ondulatria, sendo isto feito, quando se estudam os feixes de tipo gaussiano o propagando-se entre os espelhos. Vamos supor que as dimenses dos espelhos so maiores o a que o dimetro do feixe considerado, devido a que no caso contrario, teria de considerar a os efeitos da difraao. O modo de um ressonador denido como uma conguraao de c e c campo autoconsistente no sentido de que os parmetros que caracterizam o feixe tm que a e ser os mesmos depois de fazer uma oscilao completa na cavidade, comeando num plano ca c arbitrrio da cavidade. Esta condio usada para calcular os parmetros associados com a ca e a os modos da cavidade O caso mais geral para um ressonador aberto constru com dois espelhos que no e do a tm o mesmo raio de curvatura. Dada uma posio dos espelhos, denida pela distncia e ca a
OTICA DE CAVIDADES
16
entre eles d, queremos achar a posiao da cintura no feixe que se encontra connado por c esta estrutura. Para fazer isto consideremos a equaao 2.16, expressada em funao do c c raio de curvatura ( ( 2 )2 ) w0 (2.44) R(z) = z 1 + z
Figura 2.6 Cavidade tica composta por dois espelhos de diferente raio de curvatura. Mostrao se o contorno do feixe e a localizao da cintura. ca
o sistema de referncia colocado na posiao da cintura do feixe, e as distncias ao e e c a longo do eixo z so medidas desde dito ponto. Ento temos que a a ( R(z) = z1 ( R(z) = z2 1+ 1+ ( (
2 w0 z1
)2 ) (2.45)
2 w0 z2
)2 ) (2.46)
manipulando algebricamente equaes 2.45 e 2.46, obtemos equaes quadrticas, que co co a resolvemos para obter o m nimo tamanho de feixe poss vel. R1 1 z1 = + 2 2
2 R1
( 4
2 w0
)2 (2.47)
OTICA DE CAVIDADES
17 R2 1 + z2 = 2 2
2 R2
( 4
2 w0
)2 (2.48)
mas, enxergando a gura 2.6 sabemos que d = z1 + z2 , usando este fato temos uma equao com a qual poss ca e vel encontrar a cintura m nima de feixe na cavidade e os dimetros nos espelhos a
4 w0
( )2 d (R1 d) (R2 d) (R2 R1 d) = (R2 R1 2d)2 (

4 w1
(2.49)
= ( =
R1 R2
)2 )2
(R2 d) d (R1 d) (R2 R1 d) (R1 d) d (R2 d) (R2 R1 d) as equaoes anteriores tomam a forma c g1 g2 (1 g1 g2 ) (g1 + g2 2g1 g2 )2 g2 g1 (1 g1 g2 ) g1 g2 (1 g1 g2 )
1 )4 1 )4
(2.50) (2.51)
4 w2
se escolhermos g1 = 1
d , R1
g2 = 1 ( d ( w1 = ( w2 =
d , R2
)1 ( 2
w0 =
(2.52)
d d
)1 ( 2 )1 ( 2
(2.53)
1 )4
(2.54)
das equaoes anteriores poss c e vel deduzir que para ter solues reais e nitas para o co parmetro do raio e os dimetros do feixe, os parmetros inclu a a a dos g1 , g2 , cam connados a uma regio de estabilidade denida por: a 0 g1 g2 1 (2.55)
sendo assim, a cavidade constitui um sistema estvel que focaliza o raio de igual maneira a em cada per odo (o equivalentemente, a cada ida e volta na cavidade). 2.0.5 Modos em cavidades ticas: Fase de Gouy o
Existe um fenmeno associado com a propagaao de um raio gaussiano,que consiste o c no fato de que quando este atravessa a regio da cintura adicionada uma fase, conhecido a e como efeito Guoy. Para o raio gaussiano da gura 2.3,l escolhendo como z = 0 a posio ca
OTICA DE CAVIDADES
18
do foco do raio, podemos calcular a diferena de fase axial relativa a este ponto. O c resultado dado pela equao e ca ( (z) = T an
1
z z0
) (2.56)
com z0 sendo o parmetro confocal. O efeito total dessa diferena de fase para o raio a c gaussiano fundamental, adicionar uma fase acumulativa de 2 sobre qualquer dos lados e da cintura do feixe ou uma fase total adicionada de quando se passa atravs da cintura. e A fase de Gouy indo de um plano z1 a um plano z2 , ao interior do ressonador, ento e a dada por ( ) ( ) z2 z1 1 1 (z)1,2 = (z2 ) (z1 ) = T an T an (2.57) z0 z0 a fase Guoy adquirida na ida e volta para o modo de um ressonador, pode ser achada, escolhendo um plano de referncia arbitrrio dentro do ressonador. O procedimento e a consiste em calcular a partir de um plano de referncia, e logo acompanhar o raio ao e plano de um dos dois espelhos, localizado em z2 , depois indo na direao oposta e chegando c ao espelho no outro plano z1 , para nalmente chegar de novo no plano de referncia e escolhido. Suponha que escolhemos o plano de referncia que corresponde a posiao da e c cintura m nima, vamos cham-lo z0 , j que ele ca no interior, do parmetro confocal. a a a = ((z2 ) (z0 )) + ((z1 ) + (z2 )) + ((z0 ) (z1 )) (2.58)
no contexto de um ressonador, e segundo a equao 2.55, este constitui um sistema estvel ca a quando os seus modos prprios tm dimenses transversais nitas nos espelhos. Ento o e o a para conhecer os modos prprios do ressonador mais geral esquematizado na gura 2.6, o precisamos que a curvatura das frentes de onda e a curvatura dos espelhos coincidam. Quando isso acontece, o parmetro confocal e as posioes dos espelhos 1 e 2, esto detera c a minadas pelo comprimento da cavidade d = z2 z1 e os raios de curvatura dos espelhos R1 e R2 . Segundo a equaao 2.57, para calcular a fase Guoy, precisamos conhecer os c z2 z1 quocientes z0 , z0 . Portanto se usamos as equaoes 2.52 , 2.53 , 2.54 , conclu c mos que z1,2 g2,1 (1 g1,2 ) = z0 g1 g2 (1 g1 g2 ) (2.59)
usando 2.59 em conjunto com 2.58, conseguimos achar a fase de Guoy para uma ida e volta da luz na cavidade descrita, composta por dois espelhos esfricos de diferentes raios e
OTICA DE CAVIDADES
19 = 2Cos1 ( g1 g2 )
de curvatura.
(2.60)
modos de ordem superior de Hermite-Gauss esto caracterizados a serem mltiplos inteia u ros da fase de Gouy fundamental. Para um modo de Hermite-Gaussiano com ndices de modo transverso m e n, a fase de Gouy de ida e volta dada por e mn = (m + n + 1) (2.61)
nalmente poss descrever as frequncias prprias de uma cavidade composta por e vel e o dois espelhos esfricos, incluindo componente axial e transversal e q,mn = c mn (q + ) 2d 2 (2.62)
o espectro resultante consiste, para cada ndice de modo longitudinal q, de pentes de frequncias equidistantes, onde a distncia entre as frequncias o espaamento do modo e a e e c c transversal T = 2d 2 . Os modos que tm igual e ndice longitudinal q e igual soma dos ndices de modo transversal (m + n), tm a mesma frequncia. Portanto, para cada q h e e a um (m + n + 1) vezes degenerada fam liade modos transversais. 2.0.6 Anlise de Raios a
O modelo de raios paraxiais usado na propagao de luz atravs das vrias estruturas ca e a ticas que formam um ressonador,revela importantes propriedades deste tipo de sistemas, o tais como a sua estabilidade e n veis de perda. Este modelo est descrito em termos de a matrizes de transferncia de raios. e 2.0.7 Matriz de Transferencia de Raios
Um raio paraxial numa seo transversal ao eixo ptico de um sistema, caracteriza-se ca o pela distncia x e a pendente x , ambas medidas a partir do eixo ptico z. A aproximaao a o c paraxial vlida sempre que x for pequeno. e a
OTICA DE CAVIDADES
20
Figura 2.7 Raio paraxial passando atravs de um elemento ptico. A sa do raio depende das e o da condies de entrada e as propriedades ticas do elemento. Para raios paraxiais as quantidades co o a na sa x2 e x2 so linearmente dependentes das quantidades na entrada. da
a relaao entre os parmetros de entrada e sa e dado pela matriz c a da ( ) ( )( ) x2 A B x1 = x2 C D x1
Figura 2.8 Matrizes de raios para 4 elementos pticos simples empregados neste trabalho. De o cima para abaixo da esquerda a direita so mostrados a transferncia do raio numa distncia d; a e a a transferncia atravs de uma lente delgada com distncia focal f ; Mistura dos dois elementos e e a anteriores e por ultimo mostrada a matriz de transferncia de raios para um espelho esfrico e e e de raio de curvatura R.
poss ento, fazer uma sequencia peridica de sistemas pticos que represente uma e vel a o o cavidade e descrever o seu comportamento usando o formalismo da matriz ABCD para
OTICA DE CAVIDADES
21
cada elemento do sistema. O teorema de Sylvester [10] assegura que para uma sequncia e de N elementos temos que: )N ( ) ( ) ( A B x1 x2 = C D x1 x2
A B C D
)N
[ ] ASen[N ] Sen[(N 1)] BSen[N ] 1 = Sen[] CSen[N ] DSen[N ] Sen[(N 1)] 1 Cos = [A + D] 2 Sen = 1 1 [A + D]2 4
(2.63)
estes tipos de arranjos pticos podem focalizar um raio que se propaga paraxialmente o atravs do sistema. Sempre que este tipo de sequncia mantm o raio se propagando no e e e seu interior, arma-se que o sistema estvel. Das equaoes anteriores poss deduzir e a c e vel a condiao de estabilidade. Para um raio que sai do sistema temos que: c x2 = ) 1 ( [ASenN [] Sen[N 1]] x1 + BSenN []x1 Sen (2.64)
de acordo com a equao 2.64, se o ngulo for real, ento x2 oscila como funao dos ca a a c elementos pticos que atravessa, e portanto a estrutura tem a capacidade de focalizar o o raio enquanto percorre o sistema completo. Mas, se chega a ser imaginrio ento Sen a a chega a ser uma funao hiperblica e pela equao 2.64 o raio chega a divergir cada vez c o ca mais longe do eixo ptico quando se propaga pelo sistema. A condiao para ser real e o c o Sen permanecer oscilatrio obtida atravs da equaao: o e e c |Cos| 1 1 [A + D] 1 2 (2.65) (2.66)
a matriz ABCD pode ser usada para descrever a propagaao de uma onda dentro da c aproximao paraxial em um sistema ptico, considerando 2.8, que enuncia a equao ca o ca integral de Huygens-Fresnel relacionando os campos de entrada e sa nos planos z1 e da z respectivamente, tal como pode ser visto na gura 2.9 e pode ser expressa segundo a
OTICA DE CAVIDADES
22
referncia [1] e
Figura 2.9 Esquema ilustrativo para a compreenso f a sica da equao 2.67, desenvolvida na ca referncia [1] e
i (x, y, z) = B
2 A(x2 + y1 + D(x2 + y 2 ) 2x1 x 2y1 y 1 (x1 , y1 , z1 )exp[ik( )] 2B (2.67)
Referindo-nos ao ressonador composto pelos espelhos esfricos com diferente raio de e curvatura e caracterizado pelos parmetros j denidos, g1 e g2 . Escolhendo o espelho a a (M1 ) como plano de referncia a propagao de um espelho esfrico ao outro uma distncia e ca e a igual ao comprimento do ressonador d dada pela e [ ] 1 d Md = 0 1 enquanto o efeito dos espelhos M1 e M2 [ Md = 1
2 R1,2
] 0 1
a matriz ABCD para uma ida e volta da luz no interior da cavidade igual a e [ M1 Md M2 Md = 1 + 2g2 ] 2dg2 4g1 g2 2g2 1
2 2g1 g2 g1 g2 d
OTICA DE CAVIDADES
23
usando a condiao de estabilidade 2.55, os autovalores desta matriz so c a 2 2 1,2 = 2g1 g2 1 2i g1 g2 g1 g2 usando a expresso 2.60 e a anterior equao conclu a ca mos que 1,2 = exp(i) (2.69) (2.68)
logo, o clculo da matriz ABCD para um sistema ptico nos permite conhecer diretamente a o a fase de Guoy e por consequncia, as frequncias prprias. Este fato ser usado para e e o a avaliar nosso experimento. A condio anterior pode ser calculada em geral fazendo a ca anlise da equaao 2.67, mas isto no ser descrito nesta dissertaao. a c a a c Usaremos matrizes ABCD assumindo que os modos de tipo Hermite-Gaussian so a caracter sticos da cavidade tica. A condio anterior requer que o parmetro complexo o ca a q que inalterado depois de uma ida e uma volta ao interior da cavidade. Comeando no c plano correspondente ao primeiro elemento ptico em z0 , e foraremos a condiao sobre o c c o parmetro do raio. a q + z0 = q (2.70) em termos de propagaao de raios, ns estamos procurando pelas frentes de onda esfricas c o e cujo raio de curvatura no afetado pela oscilao do raio na cavidade. Aplicando a lei a e ca ABCD temos que Aq(z0 ) + B (2.71) q(z0 ) = Cq(z0 ) + D ento, resolvendo para um q arbitrrio a equaao 2.71 a a c Cq 2 + Dq = Aq + B ( )2 ( )( ) 1 AD 1 B +2 C =0 q 2 q ( )2 AD 1 1 AD = + BC q 2B B 2 (2.72) (2.73)
(2.74)
o sistema ptico s pode existir se for imposta a condio de que AD BC = n1 , onde n o o ca n2 identica o ndice de refrao do meio que o raio percorre. No poss ca a e vel, portanto criar um funil ptico que transforme um dimetro de um feixe em um dimetro menor sem o a a
OTICA DE CAVIDADES
24
uma consequente diminuiao da energia do raio. Usando este fato a equao 2.74 ca c ca 1 AD = i q 2B pela deniao de c
1 q
( )2 1 A+D 2 B
(2.75)
1 1 i = q R w2 ento o raio de curvatura e o dimetro do feixe no plano z0 so dados por a a a R (z0 ) = w2 (z0 ) = 2B AD
(2.76)
(2.77)
|B| ( )2 1 A+D 2
(2.78)
2.0.8
Laser em anel
Um tipo importante de cavidade constru fazendo que o caminho dos raios percorra e do um circuito fechado ou congurao em anel. Neste caso, novamente as frequncias de ca e ressonncia ou modos longitudinais, podem ser calculadas impondo a condiao de que a a c diferena de fase total ao longo do caminho em anel L (per c metro total do anel). Deve ser igual a um numero inteiro de 2 =q c L (2.79)
em ressonadores lineares, a interferncia das duas ondas contrapropagantes, gera uma e modulaao da intensidade ao longo do eixo ptico. Devido a saturaao do ganho no c o c material isso resulta em uma distribuio de ganho modulada axialmente, referido na ca literatura tal como spatial holeburning. A modulao de frequncia depende da ordem do ca e modo axial. O spatial holeburning induz a uma competiao entre modos axiais, porque c diferentes modos so amplicados em diferentes reas do meio de ganho. Isso pode levar a a ` oscilaao multimodo com saltos aleatrios entre modos axiais. Alm disso, apresenta-se a c o e menor ecincia de extraao para os m e c nimos de intensidade e consequentemente, uma diminuio da potncia de sa ca e da, a menos que um elevado nmero de modos axial possa u coexistir. Para atingir o modo axial unico e operaao com alta potncia de sa c e da e necessrio evitar o spatial holeburning. a
OTICA DE CAVIDADES
25
Uma conguraao mais robusta frente a este tipo de problema a cavidade em anel. c e Em contraste com uma cavidade linear onde a luz oscila longitudinalmente na cavidade criando uma onda estacionria, a geometria de cavidades em anel permite que a luz circule a em torno da cavidade, o que gera uma onda viajante. Esta onda transita em ambas as direes ao redor da cavidade, tanto no sentido horrio quanto no anti-horrio. co a a
Figura 2.10 Laser em anel Bidirecional
A dinmica deste tipo de laser onde dois modos em diferentes direes podem oscilar a co simultaneamente ou independentemente, depende da natureza da interao quando os ca modos competem pelo ganho, em consequncia, devem ser estudados levando em conta o e tipo do meio de ganho e suas propriedades. O anterior ser discutido na prxima seo. a o ca
CAP ITULO 3
LASERS DE SEMICONDUTOR
Esta seao tem como objetivo fazer uma reviso dos conceitos bsicos da teoria do laser c a a de semicondutor. Em termos gerais, um laser um oscilador bombeado externamente, e composto de um meio de ganho que colocado no interior de uma cavidade tica para e o produzir realimentaao e amplicaao de luz. Nos lasers de semicondutor, um material c c semicondutor bombeado eletricamente usando uma junao p-n polarizada diretamente e c para injetar portadores de carga na capa ativa da junao, fornecendo ento, o ganho c a ptico necessrio. O connamento da radiao neste tipo de lasers poss devido ao o a ca e vel fato de que as faces que limitam a regio de ganho so polidas fazendo que atuem como a a um par de espelhos para formar uma cavidade tipo Fabry-Perot. A densidade de corrente injetada J controla o bombeio externo e o limiar do laser. O ultimo atingido quando J e alcana um valor cr c tico Jth , onde o ganho ptico supera o conjunto das perdas ticas na o o cavidade. Materiais semicondutores pode ser usado como meio de ganho na construao de um c laser. Para proporcionar ganho ptico um laser de semicondutor precisa ser bombeado o externamente. Embora o bombeio eltrico seja o mais comun, existe a possibilidade de e bombeio ptico. O connamento ptico modal feito pela introduo de um material o o e ca dieltrico que atua como gu de onda. e a 3.1 PRINC IPIOS DE OPERACAO
Trs ingredientes bsicos so necessrios para a aao laser: O mecanismo de ganho e a a a c para a radiao, dado pela recombinao eltron-buraco na regio da junao p-n. O ca ca e a c mecanismno de bombeio mantendo a inverso de populao na junao, fornecido pela a ca c injeo de corrente eltrica dentro da junao p-n. O mecanismo de realimentao, dado ca e c ca pelas faces polidas nas laterais do bloco semicondutor, formando uma cavidade FabryPerot.
26
3.1 PRINC IPIOS DE OPERACAO
27
3.1.1
Juno p-n ca
Os eltrons num semicondutor esto distribu e a dos em bandas de energia, compostas de agrupaes de um nmero grande de n co u veis de energia. Estas bandas quando so a completamente ocupadas denominam-se bandas de valncia. As bandas de conduo e ca correspondem a faixas de energia no ocupadas(ou parcialmente ocupadas) pelos eltrons. a e Os eltrons nesta banda podem mover-se pelo semicondutor. A separao entre esta e ca banda de valncia e a banda de conduao denomina-se o gap de energia, no existindo e c a nenhum n de energia dentro desta zona, quando o cristal perfeito. Num semicondutor vel e o gap de energia relativamente pequeno (0.1 0.2eV , portanto, requer-se pouca energia e para transferir os eltrons da banda de valncia para a banda de conduao. As utuaoes e e c c na temperatura ambiente ou as interaes ticas (absorao de um fton com energia co o c o maior que o gap de energia) podem facilmente excitar os eltrons da banda de valncia e e para a banda de conduao. O buraco deixado na banda de valncia se comporta como c e uma part cula de carga positiva. A distribuio de Fermi-Dirac descreve a distribuio ca ca de eltrons e buracos atravs do estado de energia E: e e f (E) = exp [ 1
EEf kT
] +1
(3.1)
Onde k a constante de Boltzman, T a temperatura absoluta e Ef o n de e e e vel energia de Fermi, que identica a fronteira entre estados vazios e estados cheios no limite T 0. Deve-se notar que a energia de Fermi no corresponde a alguma energia prpria a o de um eltron no cristal. Se o cristal semicondutor no tem defeitos, a energia de Fermi e a est localizada no centro do gap de energia entre as bandas, portanto, todos os estados a da banda de valncia esto ocupados, enquanto os estados da banda de conduo esto e a ca a vazios. Quando um semicondutor dopado com doadores ou aceitores, a populaao e c de eltrons ou buracos aumenta, ocupando estados na banda de conduao ou gerenado e c buracos na banda de valncia, mesmo no limite T 0. Neste caso o n de Fermi pode e vel ser deslocado para a banda de conduo (para materiais dopdos com doadores) ou para ca a a banda de valncia (para materiais dopados com aceitores). Quando o semicodutor no e a est em equil a brio trmico devido ao uxo de corrente ou a uma outra foto-excitao, e ca n veis quase Fermi so usados para cada uma das bandas ao invs de usar um n de a e vel Fermi unico. Esta descriao vlida sempre que o tempo de espalhamento dos portadores c e a dentro de uma banda seja muito mais curto que o tempo necessrio para o equl a brio entre as bandas, o qual sempre verdade para a grande densidade de portadores envolvida na e juno p-n. A escala de tempo para relaxao intra-banda 1013 [s], enquanto para a ca ca e
28
recombinao eltron buraco 1013 [s]. ca e e Uma juno p-n formada pela unio entre um bloco semicondutor tipo p (com ca e a impurezas aceitoras) e um tipo n (com impurezas doadoras). Quando eles cam inicialmente em contato, os seus n veis de Fermi no so iguais devido a que eles no esto a a a a em equil brio. Um equil brio rapidamente conseguido atravs da difuso de eltrons e e a e do lado n para o lado p, enquanto o processo inverso acontece para os buracos. Aqueles eltrons e buracos difundidos recombinam-se na juno. Aps um transiente, um e ca o equl brio alcanado e o campo eltrico gerado na junao, originado pelos aceitores care c e c regados negativamente do lado p e doadores carregados positivamente no lado n, evita uma nova difuso de eltrons e buracos. O n de Fermi ca cont a e vel nuo na junao p-n, c como mostrado na gura onde apresentado o diagrama de bandas de energia para e e uma homo-junao p-n. c
Figura 3.1 Bandas de energia de uma juno p-n ca
Quando se conecta o plo positivo de uma voltagem externa no lado p e plo negao o tivo no lado n de uma juno p-n, se estabelece um uxo de corrente atravs da juno ca e ca p-n. esta voltagem cria portadores de carga extra na junao (eltrons e buracos), dic e minuindo a barreira potencial. Como podemos ver na gura, h uma pequena regio a a dentro da juno, onde os eltrons e buracos esto presentes simultaneamente e podem ca e a recombinar-se mediante mecanismos radiatiovs ou no radiativos. Durante uma recoma binao radiativa, so emitidos ftons, cuja frequncia ou comprimento de onda ca a o e hc satisfaz a relaao de conservaao da energia h = Eg . Eg a energia do gap entre c c e
29
as bandas de valncia e de conduao, aproximadamente igual ` energia liberada pelos e c a pares eltron-buraco. No entanto, estes ftons podem tambm ser absorvidos atravs de e o e e um processo inverso gerando pares eltron-buraco. Existe um n de corrente, uindo e vel no bloco, no qual a emisso estimulada tem a mesma probabilidade de acontecer que a a absoro, este valor de corrente chamado transparncia. Para correntes abaixo da ca e e transparncia o sistema se comporta como um absorvedor, para correntes acima deste e valor a juno p-n consegue amplicar a radiaao eletromagntica. Uma condio conheca c e ca cida como a inverso da populao conseguida, e o sistema comea a ter ganho ptico. a ca e c o A emisso de radiao pode ser emisso espontnea ou emisso estimulada. No primeiro a ca a a a caso os fotons so emitidos em direes aleatrias sem nenhuma relaao de fase entre eles, a co o c produzindo luz incoerente. Na emisso estimulada o processo iniciado por um fton j a e o a existente. A caracter stica importante neste caso que o fton emitido tem casamento e o de fase, frequncia e direao de propagaao com o fton inicial, dessa maneira pode ser e c c o gerada luz coerente.
Figura 3.2 Bandas de energia de uma juno p-n quando se aplica uma voltagem ca
As recombinaoes no radiativas no so uteis para a ao laser, portanto, sempre c a a a ca procurado minimizar a sua ocorrncia. H vrios mecanismos de recombinaao no e e a a c a radiativa, entre eles os mais conhecidos so as recombinaes Auger, recombinaes nos a co co defeitos e recombinaes na superf co cie. No processo Auger, a energia liberada na recombinao por um par eltron-buraco absorvida por um portador de carga (eltron ou ca e e e buraco) o qual excita-se a um estado de maior energia dentro da banda. Este eltron e ou buraco relaxa ao seu estado inicial liberando energia na forma de vibraoes da rede c (fnons). O efeito Auger o mecanismo no radiativo mais dominante em lasers de o e a pequenos gap de energia, especialmente em altas temperaturas. Alm dos mecanismos e
30
de perdas internas, o ganho ptico para uma homojuno limitado devido ao pequeno o ca e tamanho da regio ativa ( 0.01[m]), sendo numa porao desta regio, onde eltrons a c a e e buracos coexistem, que acontece a inverso de populaao, e no h um mecanismo a c a a para connar os portadores de carga. Os primeiros lasers de diodo, baseados neste tipo de estrutura, tinham valores enormes no limiar de corrente e eles funcionavam pulsados a temperatura ambiente. O problema do connamento dos portadores solucionado e usando uma hetero-junao p-n. A gura para um laser de doble hetero-estrutura, onde c uma camada ativa, cuja espessura pode variar entre 0.1 0.3[m], colocada entre duas e camadas, uma tipo p e outra tipo n. Esta camada ativa tem um gap de energia menor que as duas outras camadas. Os eltrons e buracos podem-se mover livremente para a e regio ativa sob uma voltagem externa. No entanto, uma vez que estes portadores esto a a dentro da regio ativa, eles no podem atravessar para o outro lado devido a que existe a a uma barreira de potencial originada pela diferena entre os gaps de energia das camadas. c Alm de connar os portadores injetados na camada ativa, a hetero-estrutura tambm e e pode prover o connamento lateral da radiaao. A diferena no c c ndice de refrao entre ca as camadas pode criar um guia de onda dieltrico que conna, por reexo interna total, e a os ftons nos arredores da regio ativa. As estruturas mais ecientes so baseados nas o a a hetero-estruturas duplas e nas hetero-estruturas de paredes qunticas [11] e grande parte a dos lasers semicondutores modernos so constru a dos usando essas duas tcnicas, cujas e dscries detalhadas cam alm do objetivo desta dissertao e podem ser encontradas co e ca na literatura [11]
Figura 3.3 Estrutura bsica para um laser de diodo de doble hetero-estrutura a
3.2 INTERACAO RADIACAO-MATERIA NUM MATERIAL SEMICONDUTOR
31
3.2
INTERACAO RADIACAO-MATERIA NUM MATERIAL SEMICONDUTOR
A equaao de onda para o campo eletromagntico, propagando-se num meio semiconc e dutor, pode ser escrita como [12]: 2 E 0 E 1 2E 2P 2 2 = 0 2 t c t t (3.2)
sendo E o vetor de campo eltrico, P a polarizaao macroscpica, a condutividade e c o do material, 0 e 0 so, respectivamente, a permitividade e permeabilidade no vcuo, a a relacionadas com a velocidade da luz no vcuo, c, por meio da relao 0 0 = c12 . A a ca polarizaao P est relacionada com o operador momento de dipolo eltrico da mecncia c a e a quntica, p, por meio da equao: a ca P = T r [.] p (3.3)
onde o operador matriz densidade e a soma (Tr) feita sobre todos os estados de e e energia do meio. Na aproximao de dipolo para a interao, a evoluo dinmica do ca ca ca a operador densidade dado por: e ] d 1 [ 1 ( + ) + H0 p.E, = dt i 2 (3.4)
e onde H0 o operador Hamiltoniano no perturbado do meio, o operador decaimento a e considerando todos os mecanismos de decaimento, e considera a fonte de excitaes co novas devido ao bombeio externo. Solucionar a equao de onda 3.2 para o campo ca eletromagntico e a equaao da matriz densidade para o meio material envolve o seguinte e c procedimento auto-consistente: Considerando a mecnica quntica (equao 3.4), um campo eletromagntico E induz a a ca e um momento de dipolo eltrico pi em cada tomo (ou sistema de dois n e a veis) do meio amplicador. Uma mdia estat e stica, usando o operador matriz densidade 3.3, leva a uma polarizaao macroscpica P , e esta ultima atua como uma fonte na equaao 3.2. Esta c o c equao tem como soluo E, e de novo seguido todo o procedimento. S quando E = E ca ca e o a interaao radiao-matria descrita consistentemente. c ca e e Para campos pticos com variaoes temporais harmnicas, escritos como: o c o 1 E = E(r)eit + c.c. 2 (3.5)
32 (3.6)
1 P = P(r)eit + c.c. 2 sendo a frequncia angular tica a equao 3.2 se reduz a: e o ca 2 E+ 2 c

2
( ) 2 1i E= 2 P 0 c 0
(3.7)
sobre condies de estado estacionrio a resposta do meio ao campo eltrico relacionado co a e e pela susceptibilidade eltrica : e P = 0 ()E (3.8) Geralmente um tensor de segunda ordem, mas s vamos considerar o caso de meios e o isotrpicos, onde um escalar e no depende da posiao. Ao tratar com materiais o e a c semicondutores conveniente separar a susceptibilidade complexa, = i , em duas e partes: () = 0 () + b () (3.9) com 0 () a susceptibilidade do meio na ausncia de bombeio externo e b () a e e e contribuio ` susceptibilidade causada pelo bombeio externo. Em geral, 0 () e b () ca a so complexos. Escrevendo novamente a equaao de onda independente do tempo 3.7 e a c usando as equaes 3.8 e 3.9, obtemos: co 2 E + () 2 E=0 c2 (3.10)
() a funao dieltrica complexa dada pela expresso e c e a [ () = m () + b () i () 0 + 0 ] (3.11)
e m () = 1 + 0 () a constante dieltrica do meio sem bombeio externo. e e Os modos do oscilador laser so as soluoes estacionrias da equao de onda 3.10 a c a ca que satisfazem as condies de contorno impostas pela estrutura do laser espec co co. A estrutura bsica para um laser semicondutor consiste de uma camada ativa na colocada a entre duas camadas diferentes (dopadas) como mostrado na gura e neste caso o seu campo eltrico E uma funao de x, y, z. Para operaao multimodo os seus modos pticos e e c c o so denotados como Eqmn , onde os sub- a ndices q, m, n indicam os modos longitudinal ou axial (na direo z), lateral (na direo x, paralela ` camada ativa) e transversal (na ca ca a direo y, perpendicular ` camada ativa) respectivamente. Uma compreenso do nmero ca a a u de modos e as distribuioes do campo resultante essencial para o seu controle, quando c e
33
se deseja construir um laser que emita luz num s modo longitudinal. Para simplicar o a descriao do laser, ao invs de considerar o caso tridimensional, analisaremos s a c e o dependencia longitudinal z de um laser semicondutor de comprimento L, como mostrado e na gura, onde a regio central na fornece o ganho ptico. As faces forman a cavidade, a o onde a luz viajando na direo z parcialmente transmitida e reetida em cada face, ca e permitindo assim a realimentao tica. ca o
Figura 3.4 Cavidade Fabry-Perot
Considerando uma onda plana propagando-se na direao z: c E = E0 eikz sendo E0 a amplitude constante do campo eltrico, a equao 3.10 fornece e e ca k=n 1 + iabs c 2 (3.13) (3.12)
onde k a constante de propagaao dop vetor de onda complexo, n o e c e ndice de refrao e abs o coeciente de absorao de potncia. Nos semicondutores usualmente ca e c e abs << n c , e n e abs esto relacionados com a funao dieltrica complexa 3.11 pela a c e equao: ca n= m + b (3.14)
34
abs =
(0 + + ) b cn 0
(3.15)
as equaoes 3.14, 3.15 mostram que o c ndice de refraao n e o coeciente de absorao c c abs so afetados pelo bombeio externo devido ao termo b . Geralmente b << m e a a equao 3.14 pode ser aproximada por ca n = nm + nb = nm + b 2nm (3.16)
sendo nm = m o ndice de refrao do material sem bombeio e nb = 2nb a ca m e variaao do c ndice de refrao na presena de portadores de carga. Usualmente b ca c negativo, portanto nb tambm ser negativo. Embora a reduao do e a c ndice de refraao c seja frequentemente menor que 1%, isto afeta signicativamente a esttica, a dinmica e a a as caracter sticas espectrais dos lasers semicondutores. Isto contrario ao que acontece e em outros lasers, por exemplo lasers de gs, onde nb 0. O coeciente abs , dado a pela equaao 3.15, tem trs contribuies que resultam de diferentes fontes. O termo c e co 0 est relacionado as perdas do material, enquanto responsvel pela reduo destas a e a ca b conveniente descrever o efeito combinado das perdas perdas com o bombeio externo. E do material e sua reduao devido ao bombeio externo como o ganho ptico: c o g= ( + ) b cnb 0 (3.17)
O ultimo termo de equaao 3.15, int = 0 , considera as perdas internas devido a di c ferentes mecanismo, tais como absorao de portadores livres e espalhamento na interfaces c da hetero-estrutura. Portanto, o coeciente da absorao pode ser escrito como: c
abs = g + int
(3.18)
com sendo introduzido fenomenologicamente para levar em conta a frao da energia ca do modo contida na regio ativa, representando ento o fator de connamento. Quando a a o bombeio externo compensa as perdas internas e as perdas do material, tal que abs = 0, obtemos a condio de transparncia do material. A condiao limiar do laser, requer que ca e c o campo ptico 3.12 seja o mesmo depois de uma ida e uma volta dentro da cavidade de o comprimento L. Se R1 e R2 so as reetividades nas faces polidas, e supondo operaao a c monomodo, separando parte real e imaginria, resultam as condioes: a c R1 R2 eabs L = 1 (3.19)
35
2nL )=0 c Portanto o ganho ptico no limiar do laser dado por: o e Sen( gopt = g = int + 1 1 ln( ) 2L R1 R2
(3.20)
(3.21)
O segundo termo na equaao 3.21 conhecido como as perdas dos espelhos (neste c e caso faces polidas), e . Usando a condiao 3.19 as frequncias do laser, correspondentes c e `s frequncias de ressonncia da cavidade so a e a a c (3.22) 2nL j j em um inteiro e j = 2 o j-simo modo longitudinal da cavidade Fabry-Perot. A e e separao entre modos dado por = 2ncg L , onde ng = n + ( n ) o ca e e ndice de refraao c para a velocidade de grupo do material semicondutor dispersivo. este ndice, responsvel a pela propagaao de pulsos de luz no meio o c e ndice que impe a condiao de ressonncia. o c a j = j Uma caracter stica importante em lasers semicondutores que as frequncias do modo e e longitudinal e a sua separaao varia com o bombeio externo, devido `s variaoes do c a c ndice de refraao como inferido da equaao 3.14. Alm do ganho no limiar, existe uma quanc e c e tidade de interesse prtica muito importante na caracterizao de todos os lasers semia ca a corrente de laser para obter o limiar de ganho, chamada corrente do condutores. E limiar. Para relacionar o ganho e a densidade de corrente injetada, precisamos considerar a resposta do material semicondutor as campo ptico, ou seja, precisamos voltar o a equaao 3.4 e obter uma expresso para a susceptibilidade . A equaao 3.4 muito c a c e complicada para lasers semicondutores, devido ao fato de que o operador decaimento envolve processos interbanda (decaimento radiativo e o no radiativo, acontecendo numa a escala temporal da orden de 1[ns]) e processos intrabanda (espalhamento eltron-eltron e e ou eltron-buraco, acontecendo na regio temporal correspondente aproximadamente a e a 0.1[ps]. Um outro problema que a estrutura de banda e a densidade de estados nas e bandas necessrio para escrever o Hamiltoniano H0 . e a
3.3 DESCRICAO FENOMENOLOGICA
36
3.3 3.3.1
DESCRICAO FENOMENOLOGICA Ganho
Uma maneira simplicada de solucionar o problema de ganho considerar a dee pendncia deste com a densidade de portadores de forma emp e rica, e substituir esta dependncia na equaao do laser que descreve a interao radiao-matria. Uma aproe c ca ca e ximao fenomenolgica, usada com sucesso nos lasers semicondutores, baseada no fato ca o e de que o ganho calculado na frequncia de operaao do laser (correspondente ao valor e c em que o espectro do ganho apresenta um pico para uma dada densidade de corrente J) varia quase que linearmente com o nmero de portadores injetados, N , para todos os u valores de J. O ganho dado por e g(N ) = g (N N0 ) N (3.23)
g onde N0 o nmero de portadores na transparncia (g(N0 = 0) e N o coeciente do e u e e g ganho. O termo ( N N0 ) corresponde ao coeciente de absorao do material na ausncia c e de bombeio externo. Para completar a descrio fenomenolgica, o ca o ndice de refrao ca tambm tomado variando quase linearmente com o nmero de portadores injetados: e e u
n(N ) = nm +
n N N
(3.24)
n onde N uma constante, frequentemente determinada experimentalmente [13] Come parando as equaoes 3.23 e 3.24 com 3.16 e 3.17 pde-se notar que, nesta aproximao c ca fenomenolgica, a susceptibilidade complexa induzida pelo bombeio, b , varia linearmente o com o nmero de portadores N: u
b = nm (2 3.3.2 O parmetro a
n c g +i )N N N
(3.25)
Um parmetro muito importante na teoria dos lasers semicondutores a razo entre a e a a parte real e a parte imaginria da susceptibilidade induzida pelo bombeio externo, b , a e dado por: e = b c = 2 b
n N g N
(3.26)
37
n Devido a N ser sempre negativo, um nmero positivo adimensional. Este parmetro e u a marca a principal diferena entre os lasers semicondutores daqueles lasers de dois n c veis. Qualquer mudana na parte real da susceptibilidade (mudana na frequncia) deve estar c c e acompanhada de uma mudana na parte imaginria (ganho) [12] Portanto, o fator c a depende da dessintonizao entre a frequncia do campo ptico e a frequncia no pico de ca e o e ganho do material. Para o sistema de dois n veis este fator nulo na ressonncia. Isto no e a a acontece para materiais semicondutores, onde este parmetro varia entre os valores de a dois a seis [14], [15]. A origem de est ligada ` curva de ganho do material semicondutor. a a Devido ` presena de bandas de energia ao invs de dois n a c e veis de energia, a curva de ganho pe asimtrica e seu pico est numa frequncia para a qual o e a e ndice de refraao induzido c pelos portadores no nulo. Isto no ocorre para lasers de dois n a e a veis, onde a curva de ganho tem uma forma simtrica, Lorentziana, e onde no existem efeitos dispersivos na e a curva de ganho. O fator tem um forte impacto nas propriedades espectrais do laser e
tambm na sua estabilidade quando o laser perturbado por mecanismos externos. A e e largura de linha do campo do laser, 0 , dado pela equaao [14] e c 0 (1 + 2 ) (3.27) P onde 0 a taxa de decaimento do fton (inverso do tempo de vida do fton), P e o o o nmero mdio de ftons presente no modo. Da equaao 3.27 podemos notar que a e u e o c largura de linha do laser alargado por um fator de (1 + 2 ), devido a isto o parmetro e a conhecido na literatura como o fator de acentuaao ou ampliao da largura de linha e c ca (linewidth enhancement factor ) 0 3.3.3 Equaes de Taxa co
Para completar a descriao fenomenolgica necessrio uma relaao entre a densidade c o e a c de portadores N e a densidade de corrente J. Isto pode ser feito atravs de uma equao e ca de taxa que considere todos os mecanismos nos quais os portadores de carga so gerados a ou perdidos dentro do meio ativo. Assumindo uma neutralidade de carga, para garantir que a equaao de taxa para os buracos possa ser derivada daquela para os eltrons, em c e forma geral a equao de taxa para densidade de portadores (pares eltron-buraco) pode ca e ser escrita como: J N = D(2 N ) + R(N ) t qd (3.28)
38
D o coeciente de difuso do nmero de portadores. O segundo termo da equaao 3.28 e a u c considera a taxa de injeao dos portadores atravs da corrente de bombeio externo; q c e a carga do eltron e d a espessura da camada ativa. O ultimo termo, R(N ), est e e e a relacionado com as perdas de portadores devido a diferentes processos de recombinao ca (radiativos e no radiativos). Para a maioria dos lasers semicondutores as dimenses da a o camada ativa so muito menores que o comprimento da difuso. Ento, nesta regio a a a a a densidade de portadores N no varia signicativamente e pode ser considerado constante. a Assim, o termo de difuso na equaao 3.28 pode ser desprezado. Com esta aproximaao a c c N independente do espao (2 N = 0) e a derivada parcial N pode ser substitu e c da t dN dN pela derivada ordinria dt . No estado estacionrio, ( dt = 0), obtemos que a densidade a a de corrente dada por J = qdR(N ). O termo R(N ) pode ser separado em duas partes, e a primeira parte descrevendo as perdas da populao devidas ` emisso estimulada e a ca a a segunda parte considerando todas as outras perdas (emisso espontnea ou processos no a a a radiativos): N R(N ) = Rest Nf + (3.29) e (N ) o tempo de decaimento espontneo, e (N ) dado por [16] a e 1 = Anr + BN + CN 2 e (N ) (3.30)
Anr considera as recombinaoes no radiativas devido a defeitos (ou impurezas) na cac a mada ativa, BN tem em conta as recombinaoes radiativas espontneas, e CN 2 devido c a e aos processos de recombinao Auger. O primeiro termo Rest Nf da equao 3.30 deca ca e vido a recombinaao est c mulada que d origem ` emisso estimulada de luz. Este termo a a a directamente proporcional ao nmero de ftons dentro da cavidade. A taxa de emisso e u o a estimulada, Rest , dado por [11] e Rest = g g(N ) (3.31)
sendo g(N ) o ganho ptico dado pela equao 3.23 e g = ncg a velocidade de grupo o ca e do modo longitudinal. Este modelo fenomenolgico considera que os coecientes Anr , B o e C no dependem da injeao de corrente, mas esta uma pobre aproximao, devido a c e ca a que conhecido a dependncia de B com a densidade de portadores e C depende do e e aquecimento Joule provocado pelo uxo de corrente. Usando as equaes 3.28 e 3.21 co
39
podemos achar uma relaao para a corrente limiar do laser, Jlim c Jlim = qdNlim e (Nlim ) (3.32)
sendo Nlim a densidade de portadores no limiar, dado por: Nlim = N0 + e + int g N (3.33)
Para correntes acima de Jlim , o nmero de ftons por unidade de volume dentro da u o cavidade, Nf , est relacionado com a corrente de bombeio por meio da equaao a c Nf = i ( p )(J Jlim ) qd (3.34)
onde i , com valor entre 0 e 1, a ecincia quntica interna introduzida fenomee e a nolgicamente e p o tempo de vida do fton dentro da cavidade, que est relacionado o e o a com a velocidade de grupo g por meio de: 1 = g (e + int ) p (3.35)
A equao 3.35 mostra que uma vez atingido o limiar de operao, o nmero de ftons ca ca u o dentro da cavidade aumenta linearmente com a densidade de corrente J. A potncia e emitida pelo laser semicondutor por uma de suas faces dada por: e 1 Pout = hg e V Nf 2 (3.36)
onde V = Ld o volume do meio ativo. Portanto, a potncia total do laser dada em e e e funo da corrente de bombeio I, por meio da relao: ca ca Pout = h i i (I Ilim IL ) 2q e + int (3.37)
O termo IL considera aquela parte da corrente que no passa pela camada ativa. Da a equao 3.37 podemos notar que, caso Ilim e IL no varie de forma linear com I, a ca a potncia do laser no cresce linearmente com a corrente de bombeio. Existem trs e a e poss veis mecanismos de saturaao do processo de amplicao com o crescimento do c ca bombeio: (i) O termo IL pode aumentar de forma no linear com a corrente I, (ii) a O valor de Ilim pode tambm no depender linearmente da corrente e aumentar com e a
40
I. Um poss vel mecanismo o aquecimento na juno que pode diminuir o tempo de e ca recombinao e enquanto se aumenta a potncia do laser. (iii) As perdas internas int ca e aumentam com I. A aproximaao fenomenolgica descreve bastante bem as caracter c o sticas da emisso de um laser de semicondutor, sendo poss descrever a dinmica do laser a vel a observada experimentalmente. Solucionando as equaes 3.7 e 3.8 junto com as aproco ximaes 3.23 , 3.24 obtemos as equaoes de taxa para o laser de semicondutor: co c [ ] = 1 + i G(N ) 1 E 2 p J N= Anr N + BN 2 + CN 3 G(N ) |E|2 qd onde o ganho linear, G(N), dado por: e G(N ) = G0 N N0 1 + a |E|2 (3.40) (3.38)
(3.39)
sendo a o coeciente de ganho no linear introduzido fenomenolgicamente para consia o G derar o saturaao do ganho. O coeciente G0 = N representa o ganho modal. Separando c em amplitude (P) e fase () a variao lenta do campo eltrico E, podemos substituir as ca e equaes 3.39 por: co [ ] = G0 N N0 1 P P 1 + a |E|2 p G0 N N0 = 2 1 + a |E|2 (3.41)
(3.42)
Inicialmente existe uma equaao para a polarizaao P, resultante da equaao da matriz c c c densidade. A taxa de decaimento de P depende dos fenmenos intrabanda(defasamento o de coerncia quntica), que tm uma escala de tempo muito mais curta que os tempos e a e de vida dos ftons e dos portadores. Portanto, esta equaao de taxa para a polarizao o c ca = 0). Ficam assim as equaes 3.39-3.42 estabelecifoi eliminada adiabaticamente (P co das como as equaoes de taxa que descrevem um laser monomodo de juno diodo de c ca semicondutor. Modicaes destas equaes podem ser feitas para descrever a injeo co co ca de radiaao externa. Esta radiao pode ser de um outro laser ou da realimentaao da c ca c prpia radiao emitida e reetida no exterior. o ca
3.4 LASER EM ANEL
41
3.4
LASER EM ANEL
Ressonadores laser tipo anel, conseguem operar com ressonncias separadas e indea pendentes em duas direoes opostas ao longo do perimetro do anel. Unidirecionalidade c atingida quando, por exemplo, colocado um diodo ptico no interior da cavidade ou e e o uma das direoes retroalimentada para gerar travamento num modo s. Contudo, c e o e ainda mais importante, determinar o comportamento dinmico do laser quando os moa dos contrapropagantes esto presentes simultaneamente no meio de ganho. Interferncia a e entre estas duas ondas, produzir efeitos de batimentos e padres de onda estacionria a o a na intensidade ttica. Estes efeitos de interferncia por sua vez produziram modulaes o e co temporais e espaciais na quantidade de saturaao do meio laser. A interferncia proc e duzida entre duas ondas que possuem mesma frequncia, mas que viajam em diferentes e direes, pode produzir efeitos de spatial hole burning, que modica a saturaao de cada co c onda induzindo efeitos de grade tica quando as populaes so moduladas, o qual pode o co a gerar um acoplamento adicional entre as duas ondas. Considera-se uma situaao geral c na qual duas ondas propagando-se com amplitudes complexas E1 e E1 , frequncias 1 e e 2 e vetores de propagao 1 e 2 , esto simultaneamente presentes no meio atmico. A ca a o intensidade total I(z, t), em qualquer ponto z, num tempo t do meio de ganho pode ser escrita como: I(z, t) = |E(z, t)|2 = E1 (z, t) + E2 (z, t) + E1 (z, t)E2 (z, t)ei[(2 1 )t(2 1 )z] +c.c (3.43) A interferncia entre dois sinais com diferentes frequncias produzir uma variaao e e a c temporal da intensidade em cada ponto do meio atmico com uma frequncia senoidal o e igual a frequncia de pulsao pul = 2 1 . O efeito desta variaao temporal da e ca c intensidade sob o meio atmico e em particular o efeito sob a diferena de populaao o c c N (t) depende bsicamente das taxas de decaimento da populao . Se a frequncia a ca e de pulsaao for que , ento a variaao temporal desta modulao ser to rpida que a c a c ca a a a diferena de populao atmica no responder a esta frequncia. c ca o a a e Em outras situaoes, e importante por exemplo considerar a polarizaao das ondas c c E1 e E1 e a sua coerncia temporal, j que estas propriedades tambm determinam a ime a e portncia do termo de interferncia na equaao 3.43 e a sua inuncia sobre a diferena a e c e c da populaao. Porm, se a diferena de populao chega a ser signicativamente moduc e c ca lada pela frequncia de pulsao, ento a modulaao resultante produzir bandas laterais e ca a c a
3.4 LASER EM ANEL
42
nas duas frequncias iniciais. Por exemplo, a modulao da frequncia tica 2 pelas e ca e o variaoes temporais a pul , resulta em bandas laterais superiores a pul + 2 = 22 1 c e bandas laterais inferiores a 1 pul = 1 , e de maneira similar para a frequncia e tica 1 . Consequntemente, qualquer tipo de modulaao inuenciando o meio de gao e c nho de maneira no linear produzir acoplamentos cruzados entre as duas frequncias de a a e operaao. c Mesmo, se as ondas contrapropagantes no meio de ganho possuem iguais frequncias e ticas, existir um acoplamento cruzado por efeitos de variaoes espaciais no termo de o a c interferncia na equao 3.43. Estabelecendo estes fatos na equaao 3.43 temos que: e ca c I(z, t) = I1 (z) + I2 (z) + 2 I1 I2 cos [(2 1 )z + ] (3.44)
Se o padro de intensidade da equao 3.44 se apresenta por exemplo num meio atmico a ca o que satura homogeneamente, provavelmente produzir uma variao espacial da saturao a ca ca da forma N (z) 1 1 (3.45) = = Iz I1 (z)+I2 (z)+2 I1 I2 cos[z] N0 1 + Isat 1+ Isat Este tipo de variao espacial da saturao do ganho dado pela equaao 3.45 conhecido ca ca c e como spatial hole burning. Os efeitos de acoplamento espacial ou efeitos de grade, entre as duas direoes de propagao num laser com congurao em anel podem chegar a ser c ca ca importantes e inuenciar fortemente o comportamento dinmico. No laser de anel, duas a ondas planas podem circular em direes opostas num meio material. Se assumimos que co o ganho do meio material satura homogeneamente, ento cria-se uma onda estacionria a a com franjas de intensidade cujo per odo igual a metade do comprimento da onda. Se e este padro de interferncia ocorre no interior do meio, o resultado total gerar um maior a e e grau de saturao nos mximos do perl de intensidade e um grau menor de saturaao ca a c nos m nimos. Se usamos a equao 3.2 unidimensional usando a notao anterior ca ca d2 E(z) + 2 E(z) = 2 P (z) 2 dz (3.46)
usando a equao 3.8 onde a suceptibilidade em qualquer ponto ser saturada a um ca a b valor dado pela expresso a 0 = (3.47) b 1 + IIz sat a aproximaao matemtica c a
1 1+ IIz
sat
Iz Isat
(vlida para valores de corrente perto do a
3.4 LASER EM ANEL
43
limiar) deve ser feita para diminuir a complexidade dos clculos. Substituindo agora a a equao 3.43 na equao 3.49 temos que ca ca ] [ ] 2 1 1 2 dE dE d E2 dE 2i eiz + + 2i eiz 2 2 dz dz dz dz E1 + E2 + E1 E2 e2iz + E1 E2 e2iz 2 1 0 Isat [ ] E1 eiz + E2 eiz
2
(3.48)
a aproximaao de variaao temporal lenta usada para desprezar os termos com deric c e vadas de ordem superior. Alm disso, so desprezados os termos que tem a ver com e a acoplamentos cruzados depois da terceira ordem na equaao no linear. Em termos das c a intensidades e aplicando as anteriores aproximaoes a equaao 3.49 temos que: c c ] [ dI1 I1 + 2I2 2m0 1 I1 dz Isat ] [ dI2 2I1 + I2 2m0 1 I2 dz Isat
(3.49)
Com m0 = 1 . Ento, segundo este resultado, o excesso deste efeito de saturao a ca 0 2 cruzada (duplamente maior que auto-saturaao), no uma saturaao adicional causada c a e c pela outra onda, mas resulta num efeito de retroespalhamento tipo grade. Isto , em e termos f sicos, as ondas opostas viajam no meio de ganho e apresentam interferncia e que criam uma onda estacionria, que por sua vez criam uma grade de difrao pelas a ca modulaoes da saturao no meio de ganho. Esta grade possui o espaamento certo de c ca c modo que a onda 1 retroespalha na onda 2 e vise-versa. 3.4.1 Competio de dois modos ca
Quando dois modos operam acima do limiar num laser em anel as variaes temporais co da amplitude para os dois modos so expressadas pelas equaoes [17]: a c dI1 = [1 1 I1 12 I2 ] dt dI2 = [2 2 I1 21 I1 ] dt
(3.50)
3.4 LASER EM ANEL
44
Os coecientes 1 e 2 representam o parmetro de bombeio (ganho menos perda), ena quanto que os coecientes i e ij representam os coecientes de saturao cruzada e ca auto-saturao. Portanto, no estado estacionrio, para estas equaoes existem trs tica a c e pos de soluoes, dois de operaao unidirecional e uma de operaao bidirecional: Unic c c 1 2 direcional I1 = 1 , I2 = 0. Unidirecional I2 = 2 , I1 = 0. Bidirecional I1 = (1 (12 /2 ) 2 ) /(1 C)1 , I2 = (2 (21 /1 ) 1 ) /(1 C)2 . Onde C e um fator de acoplamento adimensional dado por C = 12 21 /1 2 . A anlise de estabilia dade feita na referncia [18] mostra que para acoplamentos fracos C < 1, existe uma e soluo estvel contra pequenas perturbaes na qual ambos modos podem oscilar sica a co multneamente, compartilhando o meio de ganho. Por outro lado, existe tambem uma a soluo para acoplamento forte C > 1, na qual ambas solues unidirecionais podem ca co acontecer e so estveis contra perturbaoes, todavia a soluo bidirecional poss a a c ca e vel mas tem um carater instvel. a
Figura 3.5 Anlise de estabilidade para dois modos operando num meio como funo da a ca constante de acoplamento C. Ti = i /ij , Oi = i /ij e O3 a soluo bidirecional. e ca
CAP ITULO 4
RESULTADOS
4.1 LASER DE SEMICONDUTOR COM CAVIDADE EXTERNA TIPO ANEL A primeira proposta da cavidade apresentada esquematicamente na gura 4.1 e
Figura 4.1 Congurao passiva do ressonador em anel construido. 1 Espelho plano. 2 Lente ca convergente, distncia focal f = 3[mm]. 3 Espelho esferico, raio de curvatura R = 1.44[m]. 4 a Espelhos planos reetividade 99% e 70%. 16o .
O primeiro espelho ` esquerda, representa o espelho do fundo da cavidade interna do a laser de semicondutor. A lente (numero 2), projeta uma imagem da sa do laser sobre da o espelho esfrico(numero 3), e focaliza a radiao que volta sobre a entrada do laser. e ca O foco da lente afeta a ecincia do retorno da luz proveniente da cavidade externa, e, e portanto, afeita tambm parmetros do laser tais como a largura de linha e a estabilidade e a do modo emitido. O espelho esfrico recebe um raio divergente da lente, a uma distncia e a L, a qual permite que os raios saiam colimados para os espelhos (numero4). E importante dizer que os raios divergentes provenientes da lente 2 chegam no espelho esferico, com um tamanho menor ( 4[cm]) que o dimetro do espelho ( 7, 1[cm]). A conguraoa de a c espelhos (nmero 4) tm reetividades altas. Os ultimos, tm sido arrumados em uma u e e 45
4.1 LASER DE SEMICONDUTOR COM CAVIDADE EXTERNA TIPO ANEL
46
congurao ortogonal, alinhados em relao ao centro do eixo ptico, e, a uma distncia ca ca o a P do espelho esfrico. Os espelhos planos na posio marcada como 4 na gura, tm e ca e como funao, criar o percurso em anel quando o raio que vm do espelho esfrico bate c e e nos espelhos e se formam as duas direes de propagaao. Na gura 4.2 se apresentam o co c esquema da propagao dos raios na cavidade. ca
Figura 4.2 Esquema de raios para a cavidade em anel com o meio de ganho, o laser de semiconductor. A tica do anel exterior pode ser congurada para fazer o anel no mesmo plano ou o ortogonal ao o plano de juno. Observa-se tambm os detectores das ondas contrapropagantes. ca e
Devido ` incidncia no normal no espelho inclinado, o raio de curvatura efetiva desse a e a espelho, e, portanto, o poder focal, sero diferentes para planos contendo o eixo ptico. a o No entanto, suciente considerar o comportamento em dois planos perpendiculares, e ambos contendo o eixo ptico, chamados de planos principais. O primeiro deles o plano o e denido pelo eixo y e o eixo ptico. Neste plano chamado de tangente, o raio efetivo de o curvatura esta dado pela RT = RCos (4.1) Neste caso = 2, assim, quando o ngulo aumenta, RT diminuir e, portanto, a a o efeito de focalizao do espelho no plano tangente aumentar. O segundo plano ca a e chamado de plano sagital e ele perpendicular ao plano tangente, e contem o eixo x e o e eixo ptico. O raio efetivo de curvatura dado pela o e RS = R Cos (4.2)
4.1 LASER DE SEMICONDUTOR COM CAVIDADE EXTERNA TIPO ANEL
47
quando o ngulo aumenta, RS incrementar e, portanto, o efeito de focalizaao do a a c espelho no plano tangente diminuir. Como resultado, a potncia total em uma viagem de a e ida e volta atravs do ressonador depende do anlise dos planos tangencial e plano sagital. e a A consequncia direta desta separao que os modos prprios so astigmticos de tipo e ca e o a a Hermite-Gaussian, com uma seo transversal el ca ptica. Alm disso, em vez de uma unica e fase de Gouy, ns temos agora duas fases Gouy, uma para cada plano. As frequncias o e prprias dos modos astigmatismticos tipo Hermite-Gaussian modos prprios para uma o a o cavidade composta por um espelho esferico inclinado, foram calculadas na referncia [19] e para um ressonador de tres espelhos onde um deles esferico e a normal deste inclinada um e ngulo com respecto a direo de incidencia da luz. O anterior ressonador equivalente a ca e ao ressonador pasivo apresentado na gura 4.1, ento, ditas frequncias tal como foram a e calculadas na referncia [19] so: e a q,mn [ ] c 1 T 1 S = q + (m + ) + (n + ) 2 2 2 2 2 (4.3)
Onde representa uma viagem a longo do ressonador, at o centro dos espelhos 4, e e 2 ento corresponde com o caminho total do anel. Neste caso = S + L + P . T a e S so as fases de Guoy dos planos tangencial e sagital. Em vista disso, estamos em a capacidade de calcular os valores das fases de Guoy nos diferentes planos, se conhecemos os autovalores da matriz ABCD para o sistema da 4.1 e ressolvemos a equaao 2.69. c A matrix ABCD do sistema da gura 4.1 para os planos tangencial T ou sagital S considerando uma viagem na cavidade e igual a ][ ] 1 [ ][ 1 0 1 L 1 S = 1 0 1 f 1 0 1 2
RT /S
MT /S
] 0 [ 1 P 0 1 1
A matriz ABCD para uma oscilaao da luz na cavidade comeando no espelho plano c c 1 por conseguinte e Mosc = MT /S .MT /S (4.4)
Usando a condiao de auto consistncia para um modo e a equaao 2.71 que descreve c e c a transformao do parmetro do raio q e os elementos da matriz ABCD, portanto coca a nhecemos a cintura do feixe e o raio de curvatura. Foram usados os seguintes valores no
4.2 IMPLEMENTACAO DO LASER COM CAVIDADE EXTERNA
48
calculo da matriz ABCD: S = 3.8 103 [m], P = 0.758[m], f = 3, 5 103 [m], = /2 = 2, 60 , R = 1.47[m].
120
Tangencial Sagital
Cintura do feixe [ m]
100
80
60
40
20
0 0,72 0,73 0,74 0,75 0,76 0,77
Comprimento L [m]
Figura 4.3 Cintura do feixe no espelho plano nmero 1 depois de uma oscilao na caviu ca dade. Calculado segundo a equao 2.78. Regio de valores de L para os quais a condio de ca a ca estabilidade 2.66 valida. e
4.2
IMPLEMENTACAO DO LASER COM CAVIDADE EXTERNA
Para implementaao de uma cavidade laser em anel foi utilizado um laser comercial c de semicondutor marca JDS Uniphase SDL-5400, caracter zado pela emiso de um unico a modo operando em solitario acima da corrente do limiar. Constituido por uma cavidade interna tipo Fabry-Perot, cuja regio ativa feita de GaAlAs e o connamento do campo a e electromgnetico nesta regio, atingido atravs de uma guia de onda fornecida pela a a e e discontinuidade dos indices de refraao da regio ativa e as capas revestidas de material c a dieltrico. O connamento do modo usando a diferena dos indices de refraao entre e c c os materiais garante uma emisso laser com alta potencia, baixo astimagtismo, largura a espectral estreita e o mais importante, uma conguraao de campo espacial distante c constituida por um unico modo gaussiano. O diodo laser foi colocado com o plano da juno no plano do plano tangente denido na seao anterior. Ento a maior divergencia ca c a 0 do raio dada pelo ngulo = 30 ca no plano sagital no plano contendo o eixo x e o a eixo ptico. Portanto, ns temos implementado uma cavidade no espao livre com um o o c laser de semiconductor, usando o espelho do fundo da cavidade laser (cavidade FabryPerot) como espelho ativo da cavidade em anel, conseguimos operar o laser abaixo da sua corrente de limiar sem cavidade.
49
a operaao estvel e num nodo s do laser de semiconductor acoplado com uma c a o cavidade externa, requer um alto grau de estabilidade trmica e mecnica na cavidade. e a Em particular, porque o tamanho do feixe associado com o ponto focal da lente, no a pode ser feito menor que as dimenses transversais da regio ativa. Em outras palavras, o a o acoplamento entre o meio de ganho e a cavidade externa nao foi fcil de alcanar, devido a c ao fato de que a area bombeada e o dimetro do feixe de bombeio (feixe que viaja de a dereita para esquerda na gura 4.2), nao tm dimetros comparaveis, levando a baixo e a acoplamento da cavidade com o meio de ganho.
Tangencial Sagital
Acoplamento do Feixe [%]
80
60
40
20
0 0,73 0,74 0,75 0,76
Comprimento L [m]
Figura 4.4 Nesta gura apresentase o calculo do cociente entre o tamanho de apertura do laser e o dimetro do feixe no plano tangencial e sagital expressado procentualmente. O tamanho da a sa no laser e de 3m 1m. da
Da gura 4.4, vemos a situaao anteriormente descrita. Mostra-se a taxa de acoplac mento entre o dimetro do feixe que retorna depois de fazer uma oscilao completa na a ca cavidade, e a entrada do laser usado. O nivel de realimentaao ou percentagem da luz c que retorna ao laser afeita as caracter sticas de emisso do laser. Quando o laser est a a sujeito a realimentaao tica, o limiar diminui linearmente com a taxa de realimentaao c o c . Usando as equaoes de taxa com um termo de campo reinjetado, temos uma mudana c c no n de perdas totais 0 , por tanto temos a nova condio limiar: G = 0 2 [20]. vel ca Denindo Ilim,real como a corrente limiar do sistema com realimentao e Ilim,sol como a ca corrente limiar do laser operando em solitario, temos 2 Ilim,sol Ilim,real = Ilim,sol 0 (4.5)
50
a equao 4.5 relaciona a reduao do limiar com os outros parmetros usados para ca c a quanticar a intensidade da realimentao. Portanto, pode expressar-se o n de realica vel mentao com a reduao do limiar induzida (em porcentagem) : ca c = [100 Ilim,sol Ilim,real ]% Ilim,sol (4.6)
Devido a que na equaao 4.6 inclui-se o efeito da realimentao sobre o laser, esta c ca medida toma em conta todas as perdas sofridas pela luz na viagem dentro da cavidade externa.
Laser sem cavidade externa Laser Com Cavidade Anel
1,2
Intensidade [mW]
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
10
15
20
25
30
35
Corrente [mA]
Figura 4.5 Curva Potena da luz/Corrente e Bombeio para o laser solitrio e o laser com c a realimentao ptica. Os valores obtidos para a corrente do limiar no caso do laser sem cavidade ca o e do laser operando com a cavidade em anel foram de 14, 5[mA] e 12, 9[mA]. Por consiguinte achamos um de 11% para uma distncia L da cavidade externa igual a 73, 5[m]. a
a quantidade de realimentaao depende dos componentes pticos dentro da cavidade c o externa(reetividade do espelho externo, lentes, separadores de feixe, etc.) e tambm do e fator de acoplamento que tem em conta a qualidade do alinhamento e o casamento do modo entre o feixe emitido e retornado. O casamento do modo controlado pela ao e ca da lente colimadora muito perto da cavidade do laser de semicondutor, o alinhamento e controlado pelos parafusos micromtricos que controlam a inclinaao do espelho esfrico. e c e Enxergando a gura 4.23, notamos que indiretamente pode ser demostrado que o nivel de realimentao chega a ser de um 11%. Referindo-nos na gura 4.4, vemos que o ca percentagem da luz que acopla com a entrada do laser no plano sagital e de aproximadamente 13% para esta distncia L = 73, 5[m], e para o plano sagital ao redor de um 5%. a Consequntemente essencial que a posiao do dispositivo possa ser estabilizada com e e c
51
uma preciso linear da ordem de um comprimento de onda, para evitar instabilidades a no modo. Caso contrrio, movimentos laterais do diodo (ou das lentes) no plano focal a das lentes, pode resultar em aberraoes pticas que levan a mudanas complicadas na c o c ecincia de acoplamento e portanto afeitan diretamente a resposta e os comportamentos e dinmicos da emisso. Deslocamentos axiais dos elementos da cavidade, pode perturbar a a as frequncias proprias da cavidade. A posiao do diodo e dos elementos suscet a e c e vel perturbaoes trmicas e mecnicas. Alm disso, o espectro de ganho e comprimento do c e a e percurso ptico dentro do diodo esto sujeitos a variaao com a sua temperatura. Por o a c esta razo, a estabilidade da temperatura do suporte do laser foi controlada usando um a Peltier, junto com um sensor de temperatura LM 35 e um termistor. Este sistema foi controlado eletrnicamente com uma preciso de 0.010 C, sendo mantido a uma temperatura o a de 200 C.
Figura 4.6 Observa-se a montagem experimental. 1. Barras de material invar formando uma estrutura rigida, constituem o suporte para a cavidade. Os principais elementos que precisam da estabilidade mecnica e trmica tm sido acoplados a esta. 2. O laser de semicondutor a e e no suporte e o controle da temperatura mediante o circuito que inclui o mdulo Peltier. Na o frente, poss ver a lente colimadora anti-reexo colocada na sa do laser. Esta ultima foi e vel a da controlada atravs de suporte micromtrico em todas as direes espaciais, usando um suporte e e co U LT RAlignT M da Newport. 3. Espelho esfrico com recobrimento de ouro, montado no interior e do suporte. Parafusos micromtricos controlam o alinhamento do feixe de ida e volta. Tem e sido colocado um piezoelctrico neste espelho com o objetivo de examinar pequenas diferencia e na dinmica com aumento ou diminuio do comprimento da cavidade. 4. Espelhos planos a ca ortogonais os quais criam o caminho em anel.
4.3 MODOS DA CAVIDADE
52
4.3
MODOS DA CAVIDADE
Conhecendo a matrix ABCD do sistema possivel usando a equaao 2.69, calcular as e c frequncias propias que apresenta a cavidade laser passiva para os modos longitudinais e ou axiais e os modos transversais associados. Mostrase o resultado na gura 4.7
Sagital Tangencial
0,3
Fase de Guoy
0,2
0,1
0,71
0,72
0,73
0,74
0,75
Comprimento L [m]
Figura 4.7 Fases de Guoy tangencial e sagital T e S em funo do comprimento L da ca cavidade, calculadas a partir da equao 2.69 ca
para a distncia L = 73, 5[m], e analizando a gura 4.7, notamos que S = 0, 10 a 2 T e 2 = 0, 24. Em vista disso mostramos o calculo dos modos transversais segundo a equao 2.79, 4.3, para os modos T EM00 e T EM10 , com = S + L + P 1, 51[m] ca
00
c = 2
( ) ] [( ) 1 c 1 0, 24 + 0, 10 = 0, 17 17[M Hz] 2 2 2
(4.7)
10
c = 2
[(
1 1+ 2
( ) ] 1 c 0, 41 41[M Hz] 0, 24 + 0, 10 = 2 2
(4.8)
4.4 OPERACAO BIDIRECIONAL
53
2,0
Intensidade [A.U]
1,5
1,0
0,5
0,0 300 400 500 600 700 800 900 1000
Frequncia [MHz]
Figura 4.8 Transformada rpida de Fourier da serie temporal obtida experimentalmente, no a detetor CW mostrado na gura 4.2. 17 mA de corrente.
Figura 4.9 Transformada rpida de Fourier da serie temporal obtida experimentalmente, no a detetor CW mostrado na gura 4.2. 33 mA de corrente.
4.4
OPERACAO BIDIRECIONAL
Um laser He-Ne comercial foi usado para alinhar o laser em anel. Atravs deste e mecanismo o acoplamento mximo obtido para uma distncia de 73, 5 foi o da gura 4.23 a a com uma percetagem de retroalimentaao igual a 11% c O n DC produzido pelo incremento de luz no regime de operao bidirecional entre vel ca 13mA e 15mA foi registrado colocando uma roda dentada no interior da cavidade.
54
Figura 4.10 Operao bidirecional. A escala da primeira gura de 5mV /div e a segunda foi ca e mudada para 20mV /div. O zero do n vel DC est denido na parte superior da tela como o a indica a seta azul numerada 2, com o incremento do n DC caracterizado pelo deslocamento vel do sinal negativamente conforme aumenta a potncia de luz detectada, devido ao fato de que e o detector e um fotodiodo polarizado inversamente. O sinal amarelo na gura a dereita e a transformada rpida de fourier do sinal azul mostrando claramente as baixas frequncias das a e utuaes. co
Figura 4.11 Nivel DC medido no regime bidirecional. Demostra-se que as duas ondas contrapropagantes tm a mesma intensidade. e
A retroalimentaao ptica de uma cavidade ptica externa tm sido usada para mec o o e lhorar o rendimento do laser de semicondutor. Como poss observar dos resultados, e vel
55
as vantagems de usar esta cavidade acoplada ao laser de diodo, permite ter operaao c estavel em frequncia unica com largura de linha estreita, sendo alm disso, sintonizvel e e a pela mudana do acoplamento da retroalimentaao. O limiar de operaao para o laser c c c operando acoplado com a cavidade laser em anel foi de aproximadamente 13mA, funcionando bidirecionalmente e com uma emisso monomodo como mostrado na gura 4.12, a e at uma corrente de 15mA. Quando este limite superado observamos a manifestaao de e e c comportamento dinmico conhecido como utuaoes de baixa frequncia. Neste ultimo a c e regime, a emisso do laser sempre multimodo em contraste com o espectro ptico achado a e o ` na operao bidirecional (4.12). E importante aclarar os termos laser monomodo e mulca timodo. Enquanto o laser opera com a cavidade externa (13 mA- 15 mA) os modos so a aqueles da cavidade laser com retroalimentaao porque o sistema s ir funcionar nac o a queles modos da cavidade acoplada, j denidos. No entanto, podemos reconhecer dois a tipos diferentes deescalas, uma associada com a ida e volta dentro do meio ativo (cavidade interna),que da ordem de 10 ps, e uma segunda associados a ida e volta o tempo e fora do meio que de cerca de 10 ns (cavidade externa). Os modos do laser solitario e que tem a ver com a apario das LFF apresentam dinmicas de ressonncias entre moca a a dos com frequncias de 100 GHz associadas por tanto a interaoes na cavidade interna. e c Consequntemente, quando o laser supera o seu limiar solitario (14.5 mA), modos da e cavidade interna iro desestabilizar a emisso monomodo gerando assim as uctuaoes a a c de baixa frequncia, coerentemente explicadas levando em conta este procedimento na e referncia [21] e
Figura 4.12 Espectro ptico que carateriza a emisso do laser bidirecional construido, no o a intervalo de 13mA a 15mA, para as duas direes de propagao, sentiod horario e anithorario co ca (clockwise and counterclockwise
56
Figura 4.13 Acima de 15mA de corrente observa-se LFF (Low Frequency Fluctuations) nas duas direes de propagao. co ca
E conhecido, que atravs do efeito Sagnac [22], os lasers com cavidade em anel so e a sens veis a rotaes, pela manifestao de no reciprocidade em frequncia das duas co ca a e direes de propagao associada diretamente com a velocidade de rotao aplicada ao co ca ca sistema gerando um regime de pulsaao pela interferncia das ondas contrapropagantes. c e Sagnac estabeleceu a relao entre a diferena de frequncia produzida pela rotaao do ca c e c sistema e a velocidade de rotaao atravs da equao: c e ca f = 4A P (4.9)
Com A igual a rea da cavidade, P o perimetro e o comprimento da onda. A a e e primeira demostraao de um laser de semicondutor em anel que apresenta a frequncia c e de pulsao f e que portanto pode operar como giroscpio, foi feita por Taguchi et ca o al [23]. A emisso laser reportada foi multimodo, o qual limitou a preciso da medida a a na frequncia de pulsao. Mignot et al [24] em 2009 reportaram a construo de uma e ca ca cavidade laser em anel com um laser de semicondutor tipo VCSEL operando com uma cavidade externa. Eles conseguiram atingir frequncia unica devido a uma retroalimentaao e c no perpendicular e observaram a frequncia de pulsao comprovando que seu sistema a e ca se comporta segundo a equaao 4.9. c Ns portanto, tentamos achar uma poss manifestaao da frequncia de batimento. o vel c e Para isto, as duas ondas contrapropagantes foram focalizadas sobre o mesmo detector. No foi encontrado um resultado positivo, indicando que as duas direes de propagaao a co c
4.5 OSCILACOES AUTOSUSTENTADAS
57
do laser em anel possuem caracter sticas de travamento na fase. 4.5 OSCILACOES AUTOSUSTENTADAS
Quando os parafusos micromtricos que controlam a posiao do espelho esfrico so e c e a deslocados da posiao na qual o laser encontra-se alinhado (maior percentagem de rec troalimentao), a sa do laser comea a apresentar comportamentos oscilatrios e ca da c o instabilidades induzidas pela forma como se distribue o modo ptico no interior do meio o de ganho. Em particular, a re-injeao de luz num diodo laser de semicondutor pode gerar c utuaes peridicas e aperidicas relacionadas com as oscilaes de relaxao e com as co o o co ca freqncias da cavidade externa [25]. ue
1,2
Laser com cavidade anel Laser sem cavidade externa
1,0
Intensidade [mW]
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0 0 5 10 15 20 25 30
Corrente [mA]
Figura 4.14 Curva Potencia da luz/Corrente e Bombeio para o laser solitrio e o laser com a realimentao tica. Os valores obtidos para a corrente do limiar no caso do laser sem cavidade ca o e do laser operando com a cavidade em anel foram de 14, 5[mA] e 14[mA]. Por conseguinte achamos um de 3, 5% para uma distncia L da cavidade externa igual a 73, 5[m]. a
Nesta situao, o desalinhamento e controlavel mudando micromtricamente a posiao ca e c do feixe. Para correntes abaixo do limiar em correspondecia com a gura 4.23, poss e vel controlar o modo ptico de emisso do laser acoplado com a cavidade. Se a resonncia o a a do laser (o laser solitario) internamente excitada atravs da realimentaao de luz, ento e e c a existe uma interaao nao linear dos modos longitudinais do laser operando com a cavidade c o qual poderia dar lugar a pulsaao entre dois modos [3]. Nosso laser de semicondutor sem c cavidade, emite a uma frequncia de 847[nm] e portanto sempre que foi namente sintoe nizada a frequncia do laser em anel para que funcionasse justo nesse valor de frequencia e do laser solitario apresentarounse pulsaoes mostradas a continuaao c c
58
Intensidade [A.U]
-8 0 50 100 150 200 250 300 350 400
Tempo [ns]
Figura 4.15 Pulsao estacionria obtida quando o alinhamento do laser em anel modicado, ca a e I = 14.3[mA]. Mostra-se somente a componente AC da pulsao, levando em conta que existe ca uma componente DC associada. Largura de banda do detetor foi aproximadamente de 500 MHZ.Utilizo-se alm do detetor um amplicador operacional de baixo ruido com largura de e banda de aproximadamente 3 GHz.
10
Intensidade [A.U]
-10
100
200
300
400
500
600
700
800
Tempo [ns]
Figura 4.16 Pulsao estacionria obtida quando o alinhamento do laser em anel modicado ca a e em relao ` gura 4.15, I = 14.3[mA]. Mostra-se somente a componente AC da pulsao, ca a ca levando em conta que existe uma componente DC associada. Largura de banda do detetor foi aproximadamente de 2 GHz. Utilizo-se alm do detetor um amplicador operacional de baixo e ruido com largura de banda de aproximadamente 3 GHz.
59
Intensidade [A.U]
-5 100 200 300 400
Tempo [ns]
Figura 4.17 Pulsao estacionria obtida quando o alinhamento do laser em anel modicado, ca a e I = 14.3[mA]. Mostra-se somente a componente AC da pulsao, levando em conta que existe ca uma componente DC associada. Largura de banda do detetor foi aproximadamente de 2 GHz. Utilizo-se alm do detetor um amplicador operacional de baixo ruido com largura de banda e de aproximadamente 3 GHz.
2,5
Intensidade [A.U]
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
Frequncia [MHz]
Figura 4.18 Transformada rpida de Fourier da srie temporal da gura 4.15. E poss a e vel observar a frequncia dominante de 32M Hz. e
60
2,5
Intensidade [A.U]
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0 0 50 100 150 200 250 300
Frequncia [MHz]
Figura 4.19 Transformada rpida de Fourier da srie temporal da gura 4.16. E poss a e vel observar frequncias dominantes de 22M Hz e 50M Hz. e
2,5
Intensidade [A.U]
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
Frequncia [MHz]
Figura 4.20 Transformada rpida de Fourier da srie temporal da gura 4.17. E poss a e vel observar a frequncia dominante de 50M Hz e mltiplos dela. e u
61
6
Intensidade [A.U]
0 845
846
847
848
849
850
Comprimento de Onda [nm]
Figura 4.21 Espectro ptico estacionrio correspondente ao estado reportado nas grcas 4.17, o a a 4.20, 4.15, 4.18. Durante a pulsao do laser o espectro mantm a forma e a frequncia, portanto ca e e se consegue uma emisso estvel. a a
Intensidade[A.U]
-2
-4
10
20
30
40
50
60
70
80
Tempo [ns]
Figura 4.22 Fenmeno de oscilao resultante quando a lente de acoplamento nmero 2 na o ca u gura 4.1 foi trocada por uma lente 06 GLC 001 [2] da M ELLES GRIOT T M com uma distncia focal de 6.5mm e uma distncia de trabalho de 0.78mm. I = 25[mA] a a
62
7 6
Amplitude [A.U]
5 4 3 2 1 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Frequncia [MHz]
Figura 4.23 Transformada rpida de Fourier da srie temporal da gura 4.22. E poss a e vel observar a frequncia dominante de 50M Hz. e
Testando a melhor conguraao de acoplamento entre a cavidade externa e o laser c de semicondutor, a lente de acoplamento nmero 2 na gura 4.1 foi trocada por uma u lente 06 GLC 001 [2], da M ELLES GRIOT T M , com uma distncia focal de 6.5mm a e uma distncia de trabalho de 0.78mm. Embora esta lente tenha sido fabricada para a acoplamento com lasers de diodo, sua utilizaao, nao levou a melhoras na percentagem de c acoplamento, devido ao fato de que este tipo de lente difracta o feixe com um angulo maior do que a primeira lente usada, e o dimetro deste ca maior quando chega no espelho a esferico gerando assim um alto grau de perdas. Este tipo de lente s foi usada para teste, o mas o fenmeno mostrado na gura 4.22 foi registrado quando sta foi colocada. o e Segundo a refrencia [26] tm sido demostrado que este tipo de oscilaoes nos laser de e e c semicondutor deven acontecer pela ocorrencia de duas situaoes: 1. A ressonncia interna c a do laser excitada (no nosso caso pela retroalimentao), atravs de interaao no-linear e ca e c a multimodo causando pulsaao em alta frequncia na emisso. 2. Defeitos no material c e a ativo atam como reas que passam a funcionar como absorvedores saturaveis. Aplicando u a estas duas ultimas armaoes ao nosso experimento e levando em conta que este ultimo c fenmeno da gura 4.22 no foi achado pela sintonizao da emisso do laser em anel o a ca a com a ressonncia interna do laser de diodo(Em contraste com as guras 4.17, 4.20), a e bem provvel que o desalinhamento e o baixo acoplamento, faam que para este caso em a c particular, existam regies nas camadas ativas do laser que so bombeadas e outras que o a
63
passam a operar como absorvedores saturaveis quando a regio que bombeada supera a e o limiar. Em vista disso, tentaremos explicar este ultimo fato por considerar a interaao c de um modo com dois regies de ganho, onde uma delas ata como absorvedor saturavel. o u A continuao se apresenta a observao da mudana na pulsaao, mostrada na gura ca ca c c 4.17, quando se variou a corrente de injeao no laser. Notse como a estrutura da pulsaao c e c comea a ser dissipada na serie temporal. Se observamos simultneamente o espectro de c a frequncias de cada sinal, percebemos a progressiva apariao das frequncias transversais e c e do modo fundamental que foram calculadas e corroboradas na gura 4.9. A oscilao das ca frequncias ticas nos valores acima de 15mA vericou-se multimodo em contraste com e o a gura 4.21.
64
Figura 4.24 Intensidade das oscilaes para diferentes valores de corrente. co
65
Figura 4.25 Frequncias medidas experimentalmente para cada valor mostrado na gura 4.24 e
66
4.5.1
Modelo Terico o
O fenmeno observado pode ser explicado com o modelo proposto por Yamada [4], o onde considera-se que uma das poss veis maneiras de se obter uma pulsao na sa do ca da laser deve-se ao fato de ter uma regio no bombeada no material semicondutor, a qual a a opera como absorvedor saturvel ao longo da direo longitudinal do laser. a ca No modelo foram assumidas as seguintes condioes: c A distribuio dos eltrons na regio ativa uniforme com densidade de portadores ca e a e N1 , baseado no fato de que a largura da faixa ativa muito mais estreita do que o e comprimento de difuso do eltron. a e As formas das distribuies eletrnicas nas regies absorvedoras so idnticas com co o o a e as distribuies do campo ptico, contudo elas tem mximos com valor 2N2 e valores co o a mdios N2 , j que os eltrons nestas regies so gerados pela absorao tica. e a e o a c o Efeitos de mistura dos eltrons entre as duas regies devido a difuso de portadores e o a so levados em conta pela introduao de termos proporcionais a N1 N2 . a c 4.5.2 Equaes de taxa co
As equaes para a amplitude complexa do campo, o nmero de portadores na regio co u a ativa (regio com bombeio) N1 e o nmero de portadores na regio absorvedora (no a u a a bombeada) N2 com a incluso de retroalimentao ou feedback de luz. a ca
dE 1 CN1 V1 = [(1 + i) 1 1 (N1 Nth1 )+(1 + i) 2 2 (N2 Nth2 )0 ]E+ +ei0 t E (t ) dt 2 T1 (4.10) I N1 N1 N2 dN1 = 1 1 (N1 Nth1 ) |E|2 dt e T1 T12 dN2 N2 N2 N1 = 2 2 (N2 Nth2 ) |E|2 dt T2 T21 (4.11)
(4.12)
Con 1 sendo a constante de proporcionalidade entre o coeciente de ganho e o nmero de portadores na regio i. u a i so os fatores totais de connamento ptico na regio i. a o a
67
Ni a densidade eletrnica acima da qual o ganho laser chega a ser positivo ou o e o n de transparncia na densidade eletrnica na regio i. vel e o a 0 a taxa de decaimento da cavidade ou o limiar para o ganho. e Ti o tempo de vida dos portadores na regio i. e a C o coeciente de emisso espontnea que d a taxa de acoplamento entre o campo e a a a espontneo e o modo laser. a Tij o tempo caracter e stico da difuso eletrnica da regio i para a regio j. a o a a o tempo de retardo da reinjeao. Para nosso caso ele toma um valor de 10ns. e c
Tabela 4.1 Parmetros usados no calculo numerico. Na referncia [4] so discutidos a origem a e a e o signicado f sico de algums parmetros que foram usados. a
Prametro a Comprimento Laser[L] Largura Laser [W] Espessura Laser [d] T12 0 1 2 Nth1 Nth2 C 1 2 T21
Valor 300 2-3 0.08 1.18-2.65 391 0.1834-0.2235 0.1748-0.1147 6.72 107 6.54 107 2 2.6 105 6.4 104 4.28 104 3 105 2.70 104 1.6-1.18 847
Dimenso a m m m ns ns1 Adimensional Adimensional Adimensional Adimensional Adimensional Adimensional s1 s1 ns nm
Referncia e [27] [4], [3] [4], [3] [4], [3] [4] [3], [4] [3], [4] [3], [4] [3], [4] [4] [4], [27] [4], [3] [4], [3] [3], [4] medido

Calculado Experimental 1,5
68
Intensidade (A.U)
1,0
0,5
0,0
50
60
70
80
90
100
Tempo [ns]
Figura 4.26 Comparao da soluo nmerica obtida pelas equaes de taxa propostas para ca ca u co o valor da intensidade do campo |E|2 e o resultado obtido experimentalmente. No calculo, foi usado o fator de retroalimentao baixo (1.5%), e o tempo de retardo de nosso experimento (10 ca ns). Outras constantes foram: T12 = 2.65 , T21 = 1.6, T1 = 1.5 e T2 = 1.3 [3], = 0.015 = 1.5% , i = 22mA, 1 = 4.28 104 , 2 = 2.70 104 , 1 = 0.1834, 2 = 0.1748.
1 2
1,540
1,535
1,530
N / Nth
1,525
1,520
1,515
160
170
180
190
200
Tempo [ns]
Figura 4.27 Soluo nmerica das equaes de taxa propostas para os valores das populaes ca u co co nas duas regies N1 , N2 . o
CAP ITULO 5
DISCUSSAO
Devido ao fato de que no se teve um casamento eciente da rea bombeada e o modo a a de cavidade do sistema, no conseguimos atingir os regimes de oscilaao particulares deste a c tipo de sistema [28], [29] (incluindo os caticos) . Na referncia [24] a rea bombeada e o e a o modo de cavidade so ambos circulares, sendo de dimetros comparveis, favorecendo a a a o incremento do fator de qualidade da cavidade. Se o meio de ganho semicondutor satura com uma largura homognea, ento, esperae a se que a dinmica do laser em anel, esteja principalmente governada por duas fontes de a acoplamento entre os campos em oposio, sendo uma delas devido a retroespalhamento ca da luz pelos elementos da cavidade e outro devido a saturaao espacial no uniforme do c a ganho ou fenmenos associados com auto-difrao e espalhamento devido ` modulaes o ca a co de populao criadas pela interferncia das duas ondas, como foi explicado na seao 3.4. ca e c Estes efeitos de travamento por injeao (retroespalhamento) e competio entre modos, c ca devem ser considerados quando o dispositivo constru e do. Deste o ponto de vista terico, o a reversibilidade do caminho ptico e a ausncia de reexes permitem descrever duas ono e o das contra-propagantes degeneradas compartilhando o mesmo meio de ganho. Se as duas ondas possuem a mesma frequncia, os efeitos de saturaao cruzada so maiores por um e c a fator de 2, segundo a equao 3.49, em relaao aos efeitos de saturaao prpria. Um laser ca c c o de anel operando nestas condies ideais, corresponde a um acoplamento grande C > 1, co situao que foi descrita na gura 3.5 . Ento, este laser deveria funcionar em operaao ca a c unidirecional biestvel, quando os efeitos de retroespalhamento de uma direo na outra a ca forem desprez veis. Portanto, as frequncias prprias de um laser de anel e as perdas due o rante um percurso total, so as mesmas para as duas ondas. A no reciprocidade signica a a que tal invarincia violada, e desta forma as frequncias prprias e as perdas chegam a a e e o ser diferentes para cada modo. No nosso experimento, achamos reciprocidade na regio a de variaao do parmetro corrente, entre 13 15mA . No foram variados outros tipos de c a a parmetros como: Polarizao da luz, temperatura do laser ou n a ca veis de perda. Quando as reexes so localizadas, elas destroem a invarincia rotacional do laser e os modos o a a 69
70
da cavidade chegam a ser ondas estacionrias no degeneradas [30]. Estes efeitos, junto a a com a interaao no linear das duas ondas no meio de ganho, resultam numa variedade c a de regimes, dentre os quais, os bidirecionais de que tm sido reportados para lasers em e anel classe B [31] e semicondutores [32], existe o regime de travamento das frequncias, e achado em nosso experimento. Contudo, no foi poss achar outros tipos de regimes a vel que incluem fenmenos como: Mudanas peridicas na direao de propagao das duas o c o c ca ondas, o regime de pulsao (beat note) e o regime de auto-modulaao que tem sido ca c chamado de oscilaoes alternadas [32]. Neste ultimo as modulaoes da populao criadas c c ca pela interferncia so de considervel importncia. A auto- difrao que leva a acoplae a a a ca mentos cruzados e prprios entre os modos, modica os coecientes de ganho e perda o de cada um, dando lugar a uma oscilaao onde se o modo 1 opera, o modo 2 no, para c a um certo intervalo de tempo e vice-versa. Mas para que este regime entre em operao ca no deve existir qualquer acoplamento das ondas por efeitos de retroespalhamento de a uma onda em direo da outra, j que neste caso o regime estvel sempre aquele que ca a a e foi enxergado experimentalmente. Uma das razes para explicar o por que do resultado o obtido, est baseado em dois fatos experimentais: primeiro, nosso experimento no conta a a com elementos pticos que possuam propriedades de antirreexo, porm, no se considera o e a sensivelmente a importncia deste fenmeno que da lugar ao travamento de frequncias. a o e Segundo, a incidncia paralela das duas ondas para bombear o laser abaixo do seu limiar e de operaao, e o baixo acoplamento do modo de cavidade com a regio de emisso de c a a luz no laser de semicondutor, favorece as condioes para injeao de luz de um modo para c c outro, gerando o fenmeno de travamento. Na referncia [24], onde se consegue o reo e gime de pulsaao importante para a aplicaao como giroscpio, a incidncia do bombeio c c o e (retroalimentao no nosso caso) foi feita a um ngulo de 45 graus, o qual impede esta ca a situao. ca E importante considerar que o fato da saturaao cruzada ser maior que a autoc saturao quando as duas ondas interagem no linearmente no meio de ganho leva a ca a uma situao onde o regime estvel sempre o unidirecional. Uma maneira de desesca a e tabilizar este regime introduzir acoplamentos adicionais como perdas dependentes da e diferena de intensidade entre as duas ondas. Efeitos relacionados a perdas pela manic pulao da polarizaao das intensidades permite fazer isto sem elementos no interior da ca c cavidade [33]. Isto ser estudiado posteriormente e considerado para melhorar a operaao a c de nossa cavidade. O excesso de saturaao cruzada que permite acoplamento de cada um c dos modos por auto-difrao com a modulao da populaao, deveria desaparecer se os ca ca c dois modos contrapropagantes so incoerentes. Alm disso, poss a e e vel que juntamente
5.2 OSCILACOES AUTO-SUSTENTADAS
71
com uma incoerncia espacial parcial das duas ondas, o padro de interferncia no meio e a e de ganho desaparea, consequentemente o acoplamento seria fraco e no ter c a amos a possibilidade de observar alguns dos regimes mencionados. Com a mudana da corrente foi c tambm obtido o regime de caos pela oscilao multimodo. e ca 5.2 OSCILACOES AUTO-SUSTENTADAS
No modelo de Yamada considera-se dois setores da regio ativa do laser, um deles a e bombeado tal que h uma inverso da populaao positiva (amplicaao), o outro tem a a c c uma inverso da populao negativa (absorvedor). Estes interagem a traves do campo a ca da cavidade e a difuso dos portadores de uma regio a outra. Sendo assim, o modelo a a para explicar as oscilaoes entendido em termos de variaes do nmero de ftons e c e co u o densidades eletrnicas. Abaixo da corrente do limiar, a densidade eletrnica na regio 1 o o a e incrementada pela injeo de corrente. Acima do limiar (N1 > NT h ), os ftons aparecem ca o e comea a absorao na regio 2, consequentemente a densidade eletrnica nesta regio c c a o a aumenta. Posteriormente, a taxa de absoro reduzida pelo incremento de N2 , portanto ca e o nmero de ftons continua aumentando. Logo, a densidade de portadores da regio 1 u o a e reduzida pela emisso laser. Nesse momento a operaao do laser concluida, resultando a c e em um nmero de ftons nulo. u o
6
24
N 2 N 1 Numero de Fotons
Numero X 10
Tempo [ns]
Figura 5.1 Soluo do modelo de yamada sem retroalimentao de luz. Esta gura permite a ca ca interpretao do fenmeno das pulsaes que foi explicada no pragrafo acima ca o co a
Segundo os resultados obtidos (Figura 4.27), com retroalimentaao tica o fundamenc o tal da pulsao o mesmo, mas, percebemos que a variaao muito mais complexa e ca e c e
72
a operao do laser concluida a cada 10 ns, o qual corresponde a um tempo de ida e ca e volta na nossa cavidade. A gura 4.26 mostra um sinal que oscila um nmero de vezes u a cada 10 ns, cujas carater sticas indicam que a intensidade do laser restabelece muito mais rpido que sua taxa de decaimento (similarmente para o nmero de portadores nas a u duas regies). Na referncia [34], foi constru um laser de semicondutor com uma cavio e do dade externa cujo acoplamento no foi otimizado e portanto apresentou regies que foram a o bombeadas e regies absorvedoras dando lugar a pulsaoes. Eles obtiveram resultados o c similares aos mostrados na gura 4.26 para frequncias de 20M Hz. Foi sugerido nesta e pesquisa que, devido a este fato experimental, as dinmicas de portadores envolvidas poa deriam estar relacionadas principalmente com a difuso. Contudo, eles no conrmaram a a ditas armaoes. Por esta razo, j que as frequncias para este tipo de pulsaoes achac a a e c das em nosso experimento caram na faixa de 10 100M Hz, prosseguimos em variar o parmetro T12 eT21 nas equaoes de taxa propostas. a c
Difusao
1,0
Sem difusao
Intensidade [A.U]
0,5
0,0
140
150
160
170
180
190
200
210
Tempo [ns]
Figura 5.2 Compara-se o resultado da gura 4.26 com o clculo das equaes sem relacion-los a co a com a difuso. Os parmetros usados foram mantidos com objetivo de estabelecer a diferena a a c entre a simulao dos comportamentos com e sem a difuso de portadores. ca a

T = 2.65 ns = 3.65 ns = 2 ns
73
12
10 8 6 4 2 0
T T
12
12
Intensidade [A.U]
150
160
170
180
190
200
210
Tempo [ns]
Figura 5.3 Comparao de resultados quando se varia o tempo de difuso entre regies. ca a o
E evidente que a frequncia das oscilaes depende da difuso, portanto para nosso e co a experimento os resultados da soluo nmerica ajustam-se qualitativamente mas no ca u a quantitativamente devido ao fato de que usamos tempos de difuso padro prospostos a a nas referncias citadas, onde considera-se um laser de semicondutor tipo narrow-stripe, e em contraste com o laser usado neste experimento (Multi-Quantum Well). Um anlisis a detalhado e um ajuste quantitativo das guras um trabalho que ser desenvolvido e a posteriormente de modo que no poss inclu a e vel -los nesta dissertaao. c
CAP ITULO 6
CONCLUSOES
Nesta dissertao estudamos um laser de semicondutor acoplado com uma cavidade ca em conguraao anel, quando parte da luz emitida reinjetada dentro da cavidade lac e ser por meio de trs espelhos externos. A primeira parte deste trabalho consistiu na e reviso bibliogrca dos principais conceitos na ptica que so usados na implementaao a a o a c de cavidades e as principais carater sticas dos lasers de semicondutor. Posteriormente mostramos nosso principais resultados obtidos. Nossa pesquisa foi principalmente encaminhada a atingir regimes de operao tipo ca catico e de poss aplicaao do sistema como giroscpio. Consequentemente, a maior o vel c o parte do tempo empregado neste estudo, foi dedicado a montagem experimental com toda a eletrnica e ptica necessria para a implementaao e operao deste tipo de sistema, o o a c ca nestes regimes. Embora este no seja o primeiro sistema tipo anel que constru em a e do nosso laboratrio [35], os resultados que esperavamos no foram obtidos j que este o o a a e primeiro a utilizar um meio semicondutor como material na construao do laser. Fizemos c multiplos testes com a ptica e a eletrnica que o laser em anel requer. Finalmente cono o seguimos realizar regimes bidirecional e de pulsaoes, explicando os fatos que justicam c estes comportamentos. Na parte ptica, observamos e explicamos as frequncias observao e das na cavidade e estabelecimos as carater sticas que poderiam fazer com que o sistema operasse da maneira desejada. Nesse sentido, os acoplamentos entre cavidade do laser e cavidade externa precisam ser melhorados, assim como a estabilidade dos elementos pticos empregados. Mtodos de aperfeioamento da cavidade foram sugeridos com o o e c objetivo de ser testados nos prximos meses. Na parte eletrnica, desenvolvemos e como o preendemos os elementos eletrnicos necessrios para o funcionamento estvel do laser o a a e da detecao ptica, atingindo detecoes com velocidades altas. Os regimes observados c o c foram explicados baseados em fenmenos simples, todavia no foram explicados outros, o a tal como a pulsao gerada quando a retroalimentaao excita a ressonncia interna do ca c a laser. Um conhecimento mais profundo da teoria da operaao oscilaao laser multimodo e c c fenmenos de ptica no linear ainda no estudados permitiro um posterior desenvolvio o a a a mento de idias sobre estes resultados. Uma simulaao numrica simples inclu e c e ndo nossos parmetros experimentais, usando um modelo j conhecido, permitiu explicar f a a sicamente 74
CONCLUSOES
75
as razes para mostrar um tipo de oscilaao achada quando a lente de acoplamento entre o c a cavidade externa e o laser foi trocada. Ns encontramos que as caracter o sticas deste regime de oscilao so principalmente denidas pelos tempos de difuso dos portadores ca a a entre as regies consideradas para baixos valores de realimentaao de luz. o c Esperamos que este trabalho seja uma motivaao para continuar estudando a dinmica c a do laser de diodo com cavidade em anel. Ainda falta muitas coisas por estudar, sobretudo na parte da interpretao f ca sica do sistema, o que levaria a uma melhor implementaao do c experimento. Estamos interessados em futuramente aproveitar este tipo de conguraao c para estudar no somente caos e poss a veis aplicaes tecnolgicas, queremos tambm co o e estudar seus fenmenos dinmicos como excitabilidade e pulsos gigantes gerados pela o a introduo de um outro laser atuando como absorvedor saturvel. ca a
REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
[1] S. Collins, Lens-system diraction integral written in terms of matrix optics, Journal of Optical Society of America, vol. 60, pp. 11681177, 1970. [2] M. Griot, The Practical Application of Light. Melles Griot, 1999. [3] G. Van Tartwijk and M. San Miguel, Optical Feedback on Self-Pulsating Semiconductor Laser, Journal of Quantum Electronics, vol. 32, pp. 11911202, February 1996. [4] M. Yamada, A Theoretical Analysisi of Self-Sustained Pulsation Phenomena in Narrow-Stripe Semiconductor Lasers, Journal of Quantum Electronics, vol. 29, pp. 13301336, July 1993. [5] K. R. Preston, K. C. Wollard, and K. H. Cameron, External cavity-controlled single-longitudinal-mode laser transmitter, Electronics Letters, vol. 17, pp. 931 932, November 1981. [6] L. A. Coldren, B. I. Miller, K. Iga, and J. A. Rentschler, Monolithic two-section gainasp/inp active-optical ressonator devices formed by reactive ion etching, Applied Physics Letters, vol. 38, pp. 315317, 1981. [7] M. Giudici, Non linear dynamics of a semiconductor laser with optical feedback. PhD thesis, Institut Non-Linaire de Nice-France, 1999. e [8] O. Svelto, Principles of lasers. Plenum Press, 1998. [9] P. W. Smith, Mode selection in lasers, Proceedings of the IEEE, vol. 60, pp. 422 440, April 1972. [10] Hodgson and Weber, Optical Resonators, Fundamentals, Advanced Concepts and Applications. Springer, 1997. [11] Hodgson and Weber, Long-Wavelength Semiconductor Lasers. Van Nostrand Reinhold, 1986. [12] A. Yariv, Quantum Electronics. John Wiley and Sons, 1989. [13] J. Manning, R. Olshansky, and C. B. Su, The Carrier-Induced Index Changes in AlGaAs and 1.3m InGaAsP Diode Lasers, Journal of Quantum Electronics, vol. QE-19, p. 1525, 1983.
76
77
[14] C. H. Henry, Theory of the Linewidth of Semicondutor Laser, Journal of Quantum Electronics, vol. QE-18, p. 259, 1982. [15] Christoph Harder, kerry Vahala, and Amnon Yariv, Measurament of the linewidth enhacement factor alpha of semicondutor lasers, Aplied Physics Letters, vol. 42, p. 328, 1983. [16] R. Olshansky, C. Su, J. Manning, and W. Powazinik, Measurement of radiative and nonradiative recombination rates in InGaAsP and AlGaaAs light sources, Journal of Quantum Electronics, vol. 20, no. 838, pp. 838854, 1984. [17] M. Sargent, M. Scully, and W. Lamb, Laser Physics. Addison-Wesley, 1974. [18] A. Siegman, Lasers. University Science Books, 1986. [19] D. C. Hanna, Astimagtic gaussian beams produced by axially asymetric laser cavities, Journal of Quantum Electronics, vol. QE-5, pp. 483488, October 1969. [20] J. F. Avila, Lasers de Diodo Caticos por Realimentao Otica, Masters thesis, o ca Universidade Federal de Pernambuco, 2002. [21] G. Huyet, S. Balle, C. Giudici, M.and Green, G. Giacomelli, and J. R. Tredicce, Low Frequency Fluctuations and Multimode Operation of a Semiconductor Laser with Optical Feedback, Optics Communications, vol. 149, pp. 341347, April 1998. [22] E. J. Post, Sagnac Eect, Reviews Of Modern Physics, vol. 39, pp. 475493, April 1967. [23] K. Taguchi, K. Fukushima, I. Atsuyuki, and M. Ikeda, Experimental Investigation of a Semiconductor Ring Laser as an Optical Gyroscope, Transactions on Instrumentation and Measurement, vol. 48, pp. 13141318, Dezember 1999. [24] P. Mignot, G. Feugnet, S. Schwartz, I. Sagnes, A. Garnache, C. Fabre, and J. Pocholle, Single-frecuency external-cavity semiconductor ring-laser gyroscope, Optics Letters, vol. 34, pp. 9799, January 2009. [25] O. Carrol, Y. Tanguy, J. Houlihan, and G. Huyet, Dynamics of self pulsing semiconductor lasers with optical feedback, Optics communications, vol. 180, pp. 317321, June 2000. [26] C. Mirasso, G. Van Tartwijk, E. Hernndez-Garc D. Lenstra, S. Lynch, P. Landais, a a, P. Phelan, J. OGorman, M. San Miguel, and W. Elsaber, Self-Pulsating Semiconductor Lasers: Theory and Experiment, Journal of Quantum Electronics, vol. 35, pp. 764770, May 1999. [27] Y. Arakawa and A. Yariv, Theory of Gain, Modulation Response, and Spectral Linewidth in AlGaAs Quantum Well Lasers, Journal of Quantum Electronics, vol. 21, pp. 16661674, October 1985.
78
[28] S. Schwartz, G. Feugnet, E. Lariontsev, and J. Pocholle, Oscillation Regimes of a Solid-State Ring Laser with Active Beat-Note Stabilization: From a Chaotic Device to a Ring-Laser Gyroscope, Physical Review A, vol. 76, p. 023807, January 2007. [29] H. Zeghlache, P. Mandel, N. Abraham, L. Hoer, G. Lippi, and T. Mello, Bidirectional ring laser: Stability analysis and time-dependent solutions, Physical Review A, vol. 37, pp. 470497, January 1988. [30] A. Perez-Serrano, J. Javaloyes, and S. Balle, Bichromatic Emission and Multimode Dynamics in Bidirectional Ring Lasers, Physical Review A, vol. 81, pp. 341347, 2010. [31] N. Kravtsov and E. Lariontsev, Nonlinear Dynamics of Solid-State Ring Lasers, Quantum Electronics, vol. 36, no. 3, pp. 192221, 2006. [32] M. Sorel, G. Giuliani, A. Scir`, R. Miglierina, S. Donati, and P. J. R. Laybourn, e Operating Regimes of GaAs-AGaAs semiconductor Ring Lasers: Experiment and Model, Journal of Quantum Electronics, vol. 39, pp. 11871195, October 2003. [33] S. Schwartz, G. Feugnet, P. Bouyer, A. Aspect, E. Lariontsev, and J. Pocholle, Mode-Coupling Control in ResonantDevices:Application to Solid-State Ring Lasers, Physical Review Letters, vol. 97, pp. 09390210939024, September 2006. [34] Y. Wong, H. Chen, Y. Lai, C. Kiang, and C. Yang, Self Modulation Phenomena in an External-Cavity Semiconductor Laser, Optics communications, vol. 239, pp. 429 436, July 2004. [35] L. Yudong and J. Rios Leite, A single mode line tunable co2 ring laser, Optics Communications, vol. 88, pp. 391396, May 1992.

Edison Javier Rosero Salazar

Enviado por

Dados do documento

Descrição original:

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Edison Javier Rosero Salazar

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Universidade Federal de Pernambuco Centro de Cincias Exatas e da Natureza e Departamento de F sica

Recife Novembro de 2011

Universidade Federal de Pernambuco Centro de Cincias Exatas e da Natureza e Departamento de F sica

Orientador: Jos Roberto Rios Leite e

Recife Novembro de 2011

Cap tulo 5Discusso a 5.1 5.2 Operao Bidirecional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ca Oscilaes Auto-sustentadas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . co

Cap tulo 6Concluses o Referncias Bibliogrcas e a

4.7 4.8 4.9

com tempos de ida e volta menores a 1ns.

Figura 2.1 Figura esquemtica que mostraos detalhes do anlisis proposto a a

E(x, y, z) = (x, y, z)exp(ikz)

temos a soluo para a amplitude do campo E na forma diferencial: ca 2 2 + 2 2ik =0 x2 y z (2.7)

equaes 2.13, 2.14, podem ser aproveitadas para expressar w0 e z em termos de w e co R

Interao de raio gaussiano com lentes ca

se depois de atravessar a lente, os parmetros q1 e q2 , so medidos a distncias d1 e d2 a a a ento a 1 1 1 = (2.23) q2 d2 q1 d1 f

para o valor do parmetro q2 a ( q2 = 1

Figura 2.4 Mostra-se o parmetro confocal z0 do feixe gaussiano. a

Modos de ordem maior tipo Hermite-Gaussian

com as perdas. Na gura 2.5 se esquematiza esta situaao c Q= c (2.43)

( )2 d (R1 d) (R2 d) (R2 R1 d) = (R2 R1 2d)2 (

a relaao entre os parmetros de entrada e sa e dado pela matriz c a da ( ) ( )( ) x2 A B x1 = x2 C D x1

2 A(x2 + y1 + D(x2 + y 2 ) 2x1 x 2y1 y 1 (x1 , y1 , z1 )exp[ik( )] 2B (2.67)

Figura 2.10 Laser em anel Bidirecional

3.1 PRINC IPIOS DE OPERACAO

3.1 PRINC IPIOS DE OPERACAO

Figura 3.1 Bandas de energia de uma juno p-n ca

3.1 PRINC IPIOS DE OPERACAO

3.1 PRINC IPIOS DE OPERACAO

Figura 3.3 Estrutura bsica para um laser de diodo de doble hetero-estrutura a

3.2 INTERACAO RADIACAO-MATERIA NUM MATERIAL SEMICONDUTOR

INTERACAO RADIACAO-MATERIA NUM MATERIAL SEMICONDUTOR

3.2 INTERACAO RADIACAO-MATERIA NUM MATERIAL SEMICONDUTOR

1 P = P(r)eit + c.c. 2 sendo a frequncia angular tica a equao 3.2 se reduz a: e o ca 2 E+ 2 c

() a funao dieltrica complexa dada pela expresso e c e a [ () = m () + b () i () 0 + 0 ] (3.11)

3.2 INTERACAO RADIACAO-MATERIA NUM MATERIAL SEMICONDUTOR

Figura 3.4 Cavidade Fabry-Perot

3.2 INTERACAO RADIACAO-MATERIA NUM MATERIAL SEMICONDUTOR

3.2 INTERACAO RADIACAO-MATERIA NUM MATERIAL SEMICONDUTOR

3.3 DESCRICAO FENOMENOLOGICA

DESCRICAO FENOMENOLOGICA Ganho

3.3 DESCRICAO FENOMENOLOGICA

3.3 DESCRICAO FENOMENOLOGICA

3.3 DESCRICAO FENOMENOLOGICA

3.3 DESCRICAO FENOMENOLOGICA

3.4 LASER EM ANEL

3.4 LASER EM ANEL

(vlida para valores de corrente perto do a

3.4 LASER EM ANEL

3.4 LASER EM ANEL

4.1 LASER DE SEMICONDUTOR COM CAVIDADE EXTERNA TIPO ANEL

4.1 LASER DE SEMICONDUTOR COM CAVIDADE EXTERNA TIPO ANEL

4.2 IMPLEMENTACAO DO LASER COM CAVIDADE EXTERNA

0 0,72 0,73 0,74 0,75 0,76 0,77

IMPLEMENTACAO DO LASER COM CAVIDADE EXTERNA

4.2 IMPLEMENTACAO DO LASER COM CAVIDADE EXTERNA

0 0,73 0,74 0,75 0,76

4.2 IMPLEMENTACAO DO LASER COM CAVIDADE EXTERNA

4.2 IMPLEMENTACAO DO LASER COM CAVIDADE EXTERNA

4.3 MODOS DA CAVIDADE

4.4 OPERACAO BIDIRECIONAL

0,0 300 400 500 600 700 800 900 1000

4.4 OPERACAO BIDIRECIONAL

4.4 OPERACAO BIDIRECIONAL