ESCOLA SUPERIOR DE CIÊNCIAS NÁUTICAS

DEPARTAMENTO DE RÁDIO

Posto de Transformação

Discentes: Docente:

Jamal Ismael Júnior PhD. Gove.

Maputo, Agosto de 2022

Índice Páginas

Índice de Figuras 3
1.Introdução......................................................................................................................................................4

1.2 Metodologia............................................................................................................................................4

1.3.Objectivos................................................................................................................................................4

1.3.1 Objectivos gerais...................................................................................................................................4

2. Dispositivos Ativos de Microndas................................................................................................................5

2.1 Díodo...........................................................................................................................................................5

2.1.2 Polarizacao do diodo............................................................................................................................6

2.1.3 Comportamento diodo.........................................................................................................................7

2.1.4 Especificações mínimas de um díodo...................................................................................................8

2.2.Rectificador de meia onda...........................................................................................................................8

2.3. Rectificador de onda completa...................................................................................................................8

2.3.1. Ponte Rectificadora..............................................................................................................................9

3.Díodo Zener....................................................................................................................................................9

3.1 Parametros do diodo zener...................................................................................................................10

4.Díodo de efeito de túnel...............................................................................................................................11

4.1 Funcionamento do diodo de tunel............................................................................................................11

5.Varactor........................................................................................................................................................12

6.Transístores..................................................................................................................................................13

6.1 Transístores bipolares................................................................................................................................13

6.2 Tipos de transístores bipolares..................................................................................................................13

6. Referências Bibliográficas............................................................................................................................14

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Índice de Figuras

Figura 1: Diodo
Figura 2 : Juncão do díodo

Figura 3 : Exemplo do funcionamento ideal de um díodo, como chave de comutação.

Figura 4 : Curva I-V característica de um díodo

Figura 4 : Curva I-V característica de um díodo

Figura 5 : Ponte rectificadora

Figura 6 :Curva I-V característica de um díodo Zener
Figura 7 : Simbolo do diodo zener

Figura 8 : Exemplo de aplicação do díodo Zener em dispositivos reguladores/estabilizadores de

tensão.

Figura 9 : Símbolo do díodo de túnel

Figura 10: Curva I-V característica do um díodo de túnel

Figura 12 : Gráfico mostrando a forma de variação não linear da capacidade com a tensão, num
varactor

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1.Introdução
Apresentação dos vários tipos de componentes activos existentes nos circuitos de microondas,
princípios de funcionamento, tecnologias defabricação e os seus modelos eléctricos

1.2 Metodologia
Pesquisa bibliográfica: Numa primeira fase da implementação do presente
projecto, recorreu-se á pesquisa bibliográfica, em que a pesquisador procurará
encontrar algumas abordagens de autores que relataram factos sobre o tema em
estudo.

1.3.Objectivos

1.3.1 Objectivos gerais

Elaborar um trabalho de pesquisa sobre dispositivos activos de micro-ondas
.

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2. Dispositivos Ativos de Microndas

Os dispositivos activos são aqueles que interferem no modo de circulação de cargas eléctricas,
de tal forma que a relação entre a corrente e a tensão resultante aos seus terminais não segue a
lei de Ohm. Esta relação não linear deve-se ao facto do dispositivo interferir na forma do sinal
eléctrico, podendo modificá-la. Esta capacidade designa-se de efeito de rectificação e é
traduzida por uma relação exponencial entre a corrente e a tensão, que é altamente dependente
do valor do sinal da tensão utilizada. A equação típica da corrente em função da tensão é a
que se segue,

onde I0 é a corrente de saturação (o menor valor de corrente que passa no circuito, pelo facto
de este não se comportar como um circuito aberto, quando polarizado inversamente); VT
designa-se de tensão limiar e corresponde à tensão mínima necessária aplicar ao dispositivo
para que este permita a circulação livre de cargas eléctricas; V é a tensão aplicada, em que o
sinal positivo significa que estamos a polarizar o dispositivo no sentido a que este deixe
passar o fluxo de cargas eléctricas (polarização directa) e o sinal negativo significa que
estamos a dificultar a passagem de cargas eléctricas (polarização inversa); b designa-se factor
de qualidade e tem um valor entre 1 e 2; K BT/q é o potencial equivalente gerado pela
temperatura T.

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2.1 Díodo

Por díodo entende-se um dispositivo com dois terminais acessíveis, respectivamente

designados de ânodo (polo positivo) e cátodo (pólo negativo).. Neste caso, o sentido da seta
indica o sentido correcto da circulação de cargas (polarização directa), em que o cátodo
corresponde à ponta da seta e o ânodo ao outro extremo. Isto é, o díodo pode ser considerado
como um dispositivo em que em polarização directa e a cima de uma dada tensão se comporta
como se tivesse associada uma resistência de baixo valor /resistência série, RS, e, quando
polarizado inversamente, é como se tivesse associado em paralelo com os seus terminais uma
resistência de valor muitíssimo elevado, RP.
Neste caso concreto, se tivermos um sinal alterno sinusoidal, de valor médio nulo, o que
constatamos é que nos semi períodos positivos, o díodo “deixa” passar o sinal, enquanto que
para os semi períodos negativos, tal não acontece. Isto é, o díodo comporta-se como um
interruptor que, em determinadas condições está “aberto” e noutras “fechado” (I0 tem, neste
caso o mesmo significado do que uma corrente de fuga). Este tipo de comportamento designa-
se de rectificante, sendo utilizado para transformar sinais de corrente alterna (ac) em sinais de
corrente contínua (dc), cujo valor médio já não é zero.

Figura 1: Diodo Fonte Autor

2.1.2 Polarizacao do diodo

7
 Figura 2 : Juncão do diodo
Como se indica nos esquemas acima, a polarização directa faz com que se “acumulem cargas
livres” próximo da região da junção, onde existem impurezas ionizadas (cargas fixas), de sinal
contrário aos portadores livres, de cada uma das regiões (no material tipo n, existem electrões
e impurezas doadoras ionizadas positivamente, enquanto que no lado p, existem buracos
livres e impurezas aceitadoras ionizadas negativamente). Tal faz com que a região associada à
presença de cargas fixas (tal como um condensador) vá diminuindo. Esta região designa-se de
carga espacial e a sua diminuição está também associada à diminuição da altura da barreira
de potencial.
Por outro lado, quando se polariza inversamente, a extensão da região de carga espacial
aumenta, o mesmo acontecendo á altura da barreira de potencial (é mais difícil a condução,
neste caso).

Figura 3 : Exemplo do funcionamento ideal de um díodo, como chave de comutação.

2.1.3 Comportamento díodo

O díodo, para além de se comportar como uma chave de comutação tem a propriedade
8
adicional direccional. Na figura ao lado mostramos o comportamento de uma curva
característica ideal de um díodo em que RS=0 e RP=.
Contudo, em termos reais, as condições anteriores não se verificam, uma vez que se sabe que
VT0 (vale 0,3 V para os díodos de Germânio e 0,7 V, para os díodos de Silício). Para além
disso, o isolamento da junção não é perfeito, pelo que existe uma corrente de fuga associado a
um valor não infinito de RP.
Assim, ao polarizar-se inversamente o díodo este deixa passar uma pequena corrente de fuga
(próxima de I0) até se alcançara tensão de rotura, tensão a partir da qual se pode fazer com que
o díodo se degrade, de uma forma irreversível (aumento brusco de corrente, associado a um
processo de avalanche ou tentativa de deslocamento das impurezas ionizadas (neste caso,
existe um hiper aquecimento do dispositivo que leva à destruição do mesmo).
Assim, ao polarizar-se inversamente o díodo este deixa passar uma pequena corrente de fuga
(próxima de I0) até se alcançara tensão de rotura, tensão a partir da qual se pode fazer com que
o díodo se degrade, de uma forma irreversível (aumento brusco de corrente, associado a um
processo de avalanche ou tentativa de deslocamento das impurezas ionizadas (neste caso,
existe um hiper aquecimento do dispositivo que leva à destruição do mesmo).

Figura 4 : Curva I-V característica de um díodo

A velocidade de comutação do díodo depende também do modo como foi produzido e
processado. Em geral, quanto menor o “chip” (dimensão da bolacha de semicondutor onde
este é processado, sem encapsulamento ou embalagens) maior é a velocidade de comutação.
Normalmente a geometria do “chip”, os níveis de dopagem utilizados no fabrico da junção pn
e a temperatura a que o processo se realizou, são os factores determinantes da velocidade de
comutação do díodo. O tempo de recuperação é normalmente um parâmetro limitativo e
corresponde ao intervalo de tempo que medeia, quando se comuta o díodo de ligado (on) para
desligado (off).
9
2.1.4 Especificações mínimas de um díodo
1. Tensão máxima inversa que suporta;
2. Corrente máxima directa (rated forward current);
3. Queda de tensão máxima aos seus terminais, em polarização directa;
4. Corrente de fuga máxima;
5. Tipo de empacotamento;
6. Tempo máximo de recuperação.

2.2. Rectificador de meia onda

Figura 4 : Curva I-V característica de um díodo

No caso de termos só um díodo, significa que se aplicarmos ao ânodo um sinal eléctrico

sinusoidal, no sinal de saída (cátodo) aparece só as semi arcadas positivas da função seno.
Neste caso diz-se que houve rectificação de meia onda

2.3. Rectificador de onda completa

Neste caso pretende-se garantir que as meias ondas que não “aparecem” à saída, no caso
anterior, passem a fazê-lo. Para isso, tudo se passa como se tivéssemos de inverter o sinal das
meias ondas, que foram bloqueadas. Uma das formas de se conseguir tal consiste na utilização
do dois díodos ligados aos terminais da saída de um transformador em que a massa
corresponde ao ponto médio da bobina do enrolamento do secundário e que se interligam
entre si (nódulo) ou estão ligados aos terminais de uma carga flutuante (nenhum dos seus
terminais está ligado à massa). Nestas condições, o resultado do sinal de saída corresponde á
soma de um sinal eléctrico sinusoidal normal com um outro invertido, pelo

que a soma corresponde a termos um sinal constituído por meias ondas, todas positivas.
10
 Tal como anteriormente, se tivermos em conta que o sinal sinusoidal é composto por sinais
com diferentes frequências e que o sinal dominante é o da frequência fundamental, então isto
quer dizer que como sinal de saída tem um período que é metade do sinal de entrada (o sinal
repete-se de T/2 em T/2), isto significa que a frequência angular dobrou.
O funcionamento qualitativo pode ser explicado eliminando o transformador e considerando o
circuito como constituído por duas fontes de tensão ligadas em série, com o terminal de
referência (massa), situado entre elas. Assim, quando vI>0, D1 comporta-se como um curto-
circuito e D2 como um circuito aberto. Quando v I é negativo, a situação inverte-se. Em
qualquer caso, a corrente na carga RL encontra-se orientada no mesmo sentido. Como a cada
semi- ciclo um dos díodos está em um curto-circuito,

2.3.1. Ponte Rectificadora

Tipicamente, na rectificação de onda completa recorre-se a circuitos, designados por pontes
rectificadoras, constituídas por 4 díodos associados da forma como se mostra e, onde o sinal
sinusoidal é aplicado aos terminais com o símbolo ~ e a saída da ponte se faz pelos terminais com
o símbolo + e – (polaridade), tal como se mostra na figura ao lado.

Figura 5 : Ponte rectificadora

3.Díodo Zener
Se submetermos um díodo a uma tensão inversa elevada, rapidamente se atinge o ponto de
rotura por avalanche (electrões de valência, que se tornam livres sob a acção do campo
eléctrico intenso a que são sujeitos, são suficientemente acelerados de modo que ao chocarem
com outros os libertam, dando rapidamente lugar ao processo de avalanche), passando este a
deixar passar corrente na direcção inversa. Quando este processo de avalanche acontece,
pequenas variações de tensão podem originar grandes variações de corrente.
O processo de rotura depende da intensidade do campo eléctricoaplicado, pelo que ao variar-se a
espessura da camada à qual a tensão é aplicada, podem-se formar díodos Zener, cujas tensões
vão desde cerca de 4 Volts a várias centenas de Volts.
de rotura
11
 Isto é, o díodo Zener opera em polarização inversa e permite manter/fixar a tensão num dado
ponto (designada de tensão de referência), independentemente da corrente que o atravessa
(obviamente limitada por parâmetros de construção do dispositivo, onde, por exemplo, o
tamanho da sua secção transversal é muito importante, quando o díodo Zener é utilizado para
estabilizar fontes de corrente de elevada amperagem).
Se verificarmos a curva I-V do díodo Zener constatamos que à medida que a tensão inversa
aumenta a corrente de fuga se mantém essencialmente constante, até se atingir o ponto de rotura
Zener (VZ), ponto a partir do qual a corrente aumenta drasticamente. A diferença essencial dos
outros díodos é que o díodo Zener funciona só a esta tensão, pelo que o seu grande campo de
aplicação é em circuitos
reguladores/ estabilizadores de tensão.

Figura 6 :Curva I-V característica de um díodo Zener Figura 7 : Simbolo do diodo zener

3.1 Parametros do diodo zener

(a) Tensão de funcionamento;

(b) Tolerância da tensão específica de funcionamento. As tolerâncias mais típicas são de

5% e 10%. Neste caso, deve ser também indicada a corrente de teste (IZ), com a
tensão e tolerância;
(c) A potência que é capaz de suportar. Valores típicos são ¼ W, 1W, 2W, 5W, 10W e 50 W.

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Figura 8 : Exemplo de aplicação do díodo Zener em dispositivos reguladores/estabilizadores de
tensão.

4.Díodo de efeito de túnel

Um díodo de túnel é um dispositivo de estado sólido
caracterizado por possuir uma região de resistência negativa
(quer dizer que não dissipa energia), que faz com que este tenha
uma elevada velocidade de comutação, tipicamente na faixa dos
5 GHz.

Figura 9 : Símbolo do díodo de

túnel

4.1 Funcionamento do diodo de tunel

O funcionamento do díodo de túnel é gerido pelos princípios físicos da mecânica quântica (é mais
fácil aos portadores “atravessarem” uma barreira do que “saltarem” através dela).
As curvas I-V típicas do díodo de túnel são as que se indicam nos gráficos que se seguem.

Np gráfico da direita assinala-se a região de resistência negativa (entre os pontos A e B), a mais
importante deste dispositivo activo. Nesta região, à medida que a tensão aumenta, a corrente
diminui, acontecendo precisamente o oposto do que acontece nos díodos normais. As
especificações mais importantes para este dispositivo são:
(a) A tensão de pico (Vp);

(b) A corrente de pico (Ip);

(c) A tensão (Vv) e a corrente no vale (Iv)

13
Figura 10: Curva I-V característica do um díodo de túnel

5.Varactor
O varactor é um díodo de junção pn a funcionar no modo de polarização inversa e tem uma
estrutura tal que a capacidade do díodo varia com a tensão inversa. Isto é, é um dispositivo de
capacidade controlada por tensão. A maior aplicação é em dispositivos de sintonia (exemplo, rádio,
etc.). Os valores típicos desta capacidade vão desde dezenas a centenas
de Pico farads. De notar que neste caso a capacidade não varia linearmente com a tensão
aplicada.

Figura 11: Simbolo do Varactor

Figura 12 : Gráfico mostrando a forma de variação não linear da capacidade com a tensão,
num varactor

6.Transístores
Por transístores designamos dispositivos activos de 3 terminais, que para além de modificar o sinal
de entrada, podem alterá-lo, ampliando-o ou atenuando-o. Contudo deve-se ter em atenção que a
atenuação ou amplificação se faz sobre os sinais de corrente ou tensão aplicados e não sobre a
energia em jogo. Isto é, o dispositivo não amplifica a energia que lhe é fornecida. Esta mantém-se
constante. Portanto, se a corrente é amplificada, a tensão é atenuada e vice-versa, de modo a que o
produto destas duas quantidades se mantenha constante. O nome transístor advém do facto de
existir uma transresistência entre o terminal de entrada e saída, activa, que é modificada, de acordo

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com a polarização do dispositivo e o sinal aplicado à entrada. Por polarização do circuito, entende-
se aplicar ao dispositivo as tensões/correntes de sinal continuo adequadas, de forma a permitirem o
funcionamento desejado do dispositivo. Existem formalmente dois grandes grupos de dispositivos
transistorizados: os bipolares (BJT) e os unipolares (UJT). No que se segue iremos explicar, de
forma genérica o modo de funcionamento destes dois tipos de transístores, para que entendamos
melhor a sua utilização/aplicação em circuitos reais.

6.1 Transístores bipolares

O transístor bipolar (“Bipolar Junction Transistor”-BJT) é essencialmente constituido por um par
de junções díodo PN que se encontram unidas pelas traseiras. Tal, forma uma sanduíche em que
um dado tipo de semicondutor se encontra colocado entre outros dois de natureza diferente e com
concentrações de impurezas também diferentes.

6.2 Tipos de transístores bipolares

NPN e a PNP. As três camadas que constituem o “sanduiche” designam-se de Colector,

Base e Emissor. Em termos de simbologia,o emissor é o terminal a que está sempre associada a
seta, sendo o terminal oposto o colector e o que fica no meio a base. De forma a que o dispositivo
funcione no chamadomodo normal, é necessário que a
junção base emissor esteja polarizada directamente e a junção base colector, polarizada
inversamente.
Em modulo, a concentração de impurezas no emissor é superior à da base e esta à do colector
(NE>NB>NC). Isto é, o dispositivo é assimétrico, em termos do nível de dopagem das suas
diferentes regiões. Adiante perceberemos o por quê desta condição de fabrico, nomeadamente
na urtilização destes dispositivos como amplificadores, chaves de comutação e inversores.

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 Figura 13 : Transístores bipolares

6. Referências Bibliográficas
DISPOSITIVOS DE MICROONDAS
Disponível em https://www.ufpe.br/documents/39830/1359036/215_SergioSouza/8bd963e6-144d-
4771-9ed4-b4cbc2ac1a1d
Acesso em: 01 de Setembro. de 2022 as 14 Horas
Dispositivos Activos de Microondas I:

Disponível em
https://dadun.unav.edu/bitstream/10171/18746/6/Tema4_DispositivosActivosI_2009v1.pdf

Acesso em: 02 de Setembro. de 2022 as 14 Horas

Dispositivos de microondas
https://pdfslide.net/documents/aplicacoes-de-dispositivos-de-microondas-aplicacoes-de-dispositivos-
de-microondas.html?page=1

Acesso em: 02 de Setembro. de 2022 as 14 Horas

Acesso em: 01 de Setembro. de 2022 as 14 Horas

Dispositivos Activos de Microondas I:

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Disponível em
https://dadun.unav.edu/bitstream/10171/18746/6/Tema4_DispositivosActivosI_2009v1.pdf

Acesso em: 02 de Setembro. de 2022 as 14 Horas

Dispositivos de microondas
https://pdfslide.net/documents/aplicacoes-de-dispositivos-de-microondas-aplicacoes-de-dispositivos-
de-microondas.html?page=1

Acesso em: 02 de Setembro. de 2022 as 14 Horas

Acesso em: 01 de Setembro. de 2022 as 14 Horas

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