APOSTILA

¶
MATERIAIS ELETRICOS ¶
E MAGNETICOS

PROFESSORA ARTHEMIS

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA
¶
ELETRICA

FACULDADE DE TECNOLOGIA
1 Introdu»
c~
ao ao Estudo dos Cristais
1.1 Liga»c~
oes At^
omicas
Vamos considerar inicialmente o caso do s¶olido do tipo do cloreto de s¶odio

O tende a capturar um el¶etron extra para completar sua camada eletr^onica

e se tornar est¶avel. O tende a perder seu u ¶nico el¶etron da camada para que as
duas camadas interiores formem um n¶ ucleo fechado. Isto origina 2 ¶³ons de cargas el¶etricas
opostas e
A atra»ca~o eletrost¶atica tende ent~ao a manter os dois ¶³ons juntos. Os a¶tomos de e
juntos formam um sistema que tem menor energia do que quando est~ao longe um do
outro.
Quando os dois ¶³ons se aproximam muito, a repuls~ao entre os el¶etrons mais externos faz
com que a energia aumente impedindo uma maior aproxima»c~ao. A ¯gura 1.1 mostra a
depend^encia da energia potencial em fun»ca~o da dist^ancia interat^omica Vemos que
para um grande ¶e pequeno e torna-se cada vez menor at¶e uma separa»c~ao de equil¶³brio
. Para valores menores do que cresce muito e tende ao in¯nito.

Figura 1.1: Energia de intera»c~

ao efetiva entre um ¶³on e um ¶³on em fun»c~
ao da dist^
ancia entre seus
n¶ucleos.

Liga»c~
ao I^
onica
¶ uma liga»ca~o muito forte e por isso o ponto de fus~ao do material ¶e alto. Como
E
os el¶etrons est~ao fortemente ligados aos a¶tomos, estes cristais t^em baixa condutividade
el¶etrica e t¶ermica, isto ¶e, s~ao bons isolantes. A aus^encia de el¶etrons livres resulta tamb¶em
numa boa transpar^encia ¶optica.Ex: S¶olidos i^onicos s~ao os halogenetos alcalinos (NaCl,
KCl, NaBr, etc...), v¶arios o¶xidos (ZnO, TO), sulfetos, selenetos, etc...
 Liga»c~
ao Covalente
Os el¶etrons de val^encia s~ao compartilhados entre ¶atomos vizinhos. A atra»ca~o ¶e devida
µa presen»ca dos el¶etrons entre os a¶tomos, que atraem simultaneamente ¶atomos vizinhos
que foram deixados positivos com sua aus^encia. Possuem ponto de fus~ao menor que
os compostos i^onicos de maior dureza. Ex: Si, Ge, Ca, GaAs.

Liga»c~
ao Molecular
E¶ bem mais fraca. Resulta da atra»ca~o entre dipolos el¶etricos formados nos a¶tomos
por um pequeno deslocamento das camadas eletr^onicas em rela»c~ao aos n¶ ucleos. Possuem
ponto de fus~ao muito baixo, menor do que 10K . Ex: Gases solidi¯cados, O, N e outros
gases inertes.

Liga»c~
ao Met¶
alica
A liga»ca~o met¶alica pode ser considerada i^onica. Os metais formados por ¶atomos que
t^em alguns el¶etrons fora de sua u
¶ ltima camada cheia, sendo, portanto, fracamente ligados
ao n¶
ucleo. Quando colocados juntos, estes a¶tomos liberam seus u
¶ ltimos el¶etrons que ¯cam
passeando livremente entre eles, formando um mar de el¶etrons. Este mar negativo de
el¶etrons tende a manter juntos os ¶³ons positivos devido µa atra»ca~o eletrost¶atica. A liga»ca~o
¶e razoavelmente fraca, o ponto de fus~ao ¶e baixo, possuem maleabilidade, ductibilidade e
grande condutividade t¶ermica e el¶etrica.
Na ¯gura 1.2 podemos ver um esquema destes quatro tipos de liga»co~es.

Figura 1.2: Ilustra»c~

ao esquem¶ atica dos quatro principais tipos de liga»c~
ao em s¶olidos:
Liga»c~
ao i^
onica; Liga»c~
ao covalente; Liga»c~
ao molecular; Liga»c~ao met¶alica.
1.2 Introdu»
c~
ao ao Estudo dos Cristais
Nem todos os s¶olidos s~ao cristalinos, alguns n~ao possuem uma estrutura peri¶odica
(amorfos) e outros s~ao compostos por muitas regi~oes cristalinas pequenas (policristalino).
S¶olido cristalino ¶e aquele no qual os ¶atomos est~ao arranjados de um modo peri¶odico.
Um cristal ideal ¶e constitu¶³do pela repeti»ca~o in¯nita de uma mesma estrutura
elementar.
Na ¯gura 1.3 podemos notar a classi¯ca»ca~o cristalina de acordo com o arranjo at^omico.

Figura 1.3: Classi¯ca»c~

ao cristalina de acordo com o arranjo cristalino.

O arranjo peri¶odico dos a¶tomos no cristal ¶e chamado de rede. (Agrupamento peri¶odico

regular de pontos no espa»co).

Redes Espaciais

A rede ¶e um conceito abstrato de pontos no espa»co. Se associarmos aµ ela uma base,

formamos o que chamamos de estrutura cristalina, como pode ser visto na ¯gura 1.4.
 Figura 1.4: Estrutura Cristalina.

Existem muitos modos diferentes de se colocar os a¶tomos em um volume, as

dist^ancias entre eles e as origens podem ser diversas.
Em muitos casos as redes cont^em um volume, chamado de c¶elula unit¶aria, a qual ¶e
representativa de toda a rede e ¶e regularmente repetida atrav¶es do cristal.
Podemos de¯nir vetores e tais que, se a c¶elula unit¶aria ¶e transladada por m¶ ultiplos
inteiros desses vetores, uma nova c¶elula unit¶aria id^entica a original ¶e encontrada. Na
¯gura 1.5 podemos ver uma rede bidimensional onde a c¶elula unit¶aria ¶e formada pelos
vetores e Esta mesma c¶elula poder¶a ser transladada atrav¶es de toda a rede
aplicando-se o vetor de transla»c~ao
 Figura 1.5: Rede Bidimensional onde a c¶elula unit¶
aria ¶e formada pelos vetores e

Os vetores , e (se a rede for tridimensional) s~ao chamados vetores de base para
a rede. Os pontos dentro da rede s~ao indistingu¶³veis se o vetor entre os pontos for:

Onde , e s~ao n¶ umeros inteiros, e ¶e um vetor de transla»ca~o na rede conforme

mostrado na ¯gura 1.5.
A menor c¶elula unit¶aria que pode ser repetida para formar a rede ¶e chamada de c¶elula
primitiva. A c¶elula primitiva de uma rede bidimensional pode ser encontrada aplicando-se
o seguinte processo µa rede;
a) Desenhamos linhas ligando um dado ponto da rede com os pontos mais pr¶oximos,
linhas pontilhadas na ¯gura 1.6.
b) Na metade de cada um destes segmentos e perpendicular a eles tra»camos novas
linhas, linhas cheias como mostrado na ¯gura 1.6.
Para uma rede tridimensional, as linhas perpendiculares ser~ao trocadas por planos
perpendiculares aµs linhas que ligam os a¶tomos mais pr¶oximos, de forma a formar um
menor volume.

Figura 1.6: C¶elula Primitiva para uma rede bidimensional.

 A import^ancia da c¶elula unit¶aria est¶a no fato de que podemos analisar o cristal como
um todo estudando apenas um volume representativo. Sabemos, por exemplo, que a
partir da c¶elula unit¶aria podemos encontrar a dist^ancia entre os ¶atomos vizinhos mais
pr¶oximos, para calcular as for»cas que mant¶em a rede. Podemos tamb¶em a partir da c¶elula
primitiva determinar qual ¶e a fra»ca~o da c¶elula unit¶aria que est¶a preenchida por a¶tomos e
relacionar a densidade do s¶olido com o arranjo at^omico.
No entanto o mais importante para dispositivos eletr^onicos ¶e que as propriedades da
rede cristalina peri¶odica determinam as energias permitidas dos el¶etrons que participam do
processo de condu»c~ao. Por isso, a rede n~ao determina somente as propriedades mec^anicas
do cristal, mas tamb¶em suas propriedades el¶etricas.

Tipos de Redes Tridimensionais

Existem 14 tipos diferentes de redes cristalinas em 3 dimens~oes. Elas s~ao agrupadas em
7 sistemas de acordo com o tipo da c¶elula unit¶aria, como podemos ver na ¯gura 1.7.

Figura 1.7: C¶elulas unit¶

arias das 14 poss¶³veis redes cristalinas em tr^es dimens~
oes.
 O sistema c¶
ubico, por exemplo, possui 3 redes; a c¶
ubica simples (sc), a c¶
ubica de corpo
centrado (bcc), e a c¶
ubica de face centrada (fcc).
A dimens~ao para uma c¶elula unit¶aria c¶
ubica ¶e chamada constante de rede ou par^ametro
de rede. Na ¯gura 1.7 podemos ver os tr^es tipos de rede c¶
ubica e seus respectivos vetores
de base.
Nas ¯guras 1.8 e 1.9 podemos ver alguns exemplos de redes c¶
ubicas.

Figura 1.8:A estrutura cristalina do cloreto de c¶esio. A rede espacial ¶e c¶

ubica simples, e a base possui um ¶³on
Cs em e um ¶³on Cl em 12 12 12 .

A dist^ancia entre os ¶atomos vizinhos ser¶a determinada pelo balan»co de energia entre
as for»cas que os atraem e as for»cas que o repelem.
 Figura 1.9 : Estrutura cristalina do cloreto de s¶
odio.

Exemplo 1: Observando a ¯gura 1.10 calcule a fra»ca~o m¶axima do volume da rede que
pode ser preenchida com a¶tomos quando os aproximamos por esferas r¶³gidas, para uma
c¶elula fcc de lado a, de modo que os vizinhos mais pr¶oximos se toquem.

Figura 1.10: Rede fcc com esferas r¶³gidas.

Para uma fcc a dist^ancia ao vizinho mais pr¶oximo ¶e metade da diagonal da face, .
Assim, para o a¶tomo centrado na face tocar os ¶atomos dos cantos o raio da esfera deve ser
metade dessa dist^ancia, . Cada a¶tomo do canto ¶e dividido com outras sete c¶elulas.

Por isso cada c¶elula unit¶aria cont¶em da esfera em cada um dos 8 cantos, dando um total
de 1 a¶tomo. A c¶elula fcc cont¶em metade de um a¶tomo em cada uma das 6 faces, no total
de 3 a¶tomos.
¶
Atomos por c¶elulas
Dist^ancia do vizinho mais pr¶oximo
Raio de cada esfera
Volume de cada esfera
de esferas volume de cada
Fra»ca~o M¶axima Preenchida
volume total da c¶elula
Preenchida

Para a sc fra»c~ao m¶axima

Para a bcc fra»ca~o m¶axima
Para a diamante fra»ca~o m¶axima

Rede Diamante
A estrutura de rede b¶asica para muitos semicondutores importantes (Sil¶³cio, Germ^anio)
¶e a rede diamante.
A rede diamante pode ser constru¶³da a partir de uma estrutura fcc onde colocamos
¶atomos extras nas posi»c~oes de cada um dos a¶tomos da fcc. A ¯gura 2.9 mostra
a estrutura da c¶elula unit¶aria de uma rede de diamante e a dos quatro vizinhos mais
pr¶oximos.

Figura 1.11: Estrutura da c¶elula unit¶

aria de uma rede de diamantes e dos quatro vizinhos mais pr¶
oximos.
 Cada a¶tomo dessa estrutura (diamante ou zinc blende) ¶e circundada por 4 vizinhos
mais pr¶oximos.
Notamos que quando os vetores com componentes do cubo em cada dire»ca~o s~ao
desenhados, somente 4 pontos adicionais dentro da mesma c¶elula unit¶aria s~ao alcan»cados.
Vetores de quaisquer outros ¶atomos simplesmente determinam pontos correspondentes
nas c¶elulas unit¶arias adjacentes. Este m¶etodo de constru»ca~o implica que a fcc original

tem associada a ela uma segunda rede fcc interpenetrando-a e deslocada por , , .
Se os a¶tomos s~ao todos iguais n¶os chamamos esta estrutura de REDE DIAMANTE,
(Si, Ge) se os a¶tomos forem diferentes em s¶³tios alternados a estrutura ¶e ZINC BLENDE
(AlAs, AlGaAs, GaAs).
Se uma subrede fcc ¶e composta de ¶atomos de G¶alio e a subrede que interpenetra ¶e
Ars^enio, o resultado ¶e a estrutura Zincblende do GaAs.
Alguns compostos II- IV s~ao arranjados em uma estrutura levemente diferente, chamada
rede WURZITA.

Planos e Dire»
c~
oes
Quando estudamos cristais ¶e muito u
¶til podermos nos referir a planos e dire»c~oes dentro
da rede. A nota»ca~o geralmente adotada usa um conjunto de tr^es n¶ umeros inteiros para
descrever a posi»c~ao de um plano ou de uma dire»c~ao de um vetor dentro da rede. Os tr^es
n¶
umeros inteiros que descrevem um plano particular s~ao encontrados do seguinte modo:
1. Encontre as intersec»co~es do plano com o eixo do cristal e expresse-os como
m¶
ultiplos inteiros dos vetores de base, por exemplo, , e .
2. Tome os inversos destes n¶
umeros, e
3. Reduza-os aos menores valores inteiros, no nosso exemplo, eles s~ao multiplicados
por , logo resulariam em: , e . A esses valores chamamos de h, k e l.
4. O plano ser¶a (h,k,l) ou (2,1,4).

Os 3 inteiros h,k e l s~ao chamados ¶Indices de Miller e de¯nem um conjunto de planos

paralelos na rede.
Podemos veri¯car o resultado atrav¶es da ¯gura 1.12:
 Figura 1.12: Determina»c~
ao dos ¶³ndices de Miller por um plano qualquer.

A vantagem de se tomar o inverso do ponto de intersec»c~ao ¶e evitar-se o in¯nito na

nota»ca~o. A intersec»ca~o ¶e in¯nita para um plano paralelo a um eixo, contudo, o inverso ¶e
zero. Se o plano cont¶em um dos eixos, ele ser¶a paralelo µaquele eixo e n~ao o interceptar¶a.
Se o plano passa atrav¶es da origem ele pode ser transladado para uma posi»ca~o paralela
para calcularmos os ¶³ndices (h, k, l), se a intersec»ca~o ocorre no ramo negativo do eixo, um
sinal negativo ¶e colocado acima do ¶³ndice (h, k, ).
O fato dos a¶tomos no cristal estarem arranjados em certos planos ¶e muito
importante para as propriedades mec^anicas, metal¶ urgicas e qu¶³micas do material. Por
exemplo, cristais podem ser clivados (cortados) ao longo de certos planos resultando em
superf¶³cies excepcionalmente planas (diamantes para j¶oias).
Do ponto de vista cristalogr¶a¯co, muitos planos em uma rede s~ao equivalentes, isto
¶e, um plano com um dado ¶³ndice de Miller pode ser deslocado na rede simplesmente
escolhendo-se uma outra posi»ca~o e orienta»ca~o da c¶elula unit¶aria. Na ¯gura 1.13 podemos
ver os planos equivalente de uma rede c¶ ubica.
 Figura 1.13: Planos equivalentes de uma rede c¶
ubica.

Na ¯gura 1.14 podemos ver as dire»c~oes na rede c¶

ubica:

Figura 1.14: Dire»c~

oes na rede c¶
ubica.

Os ¶³ndices desses planos equivalentes s~ao colocados entre colchetes em vez de par^enteses
hkl .
A dire»c~ao na rede ¶e expressa como um conjunto de 3 inteiros com a mesma rela»ca~o
que as componentes do vetor naquela dire»c~ao, os tr^es n¶ umeros inteiros s~ao reduzidos a
seu menor valor. Exemplo: Diagonal da rede c¶ubica composta por , e .
Como no caso dos planos, muitas dire»c~oes na rede s~ao equivalentes, dependendo
somente da escolha da orienta»ca~o dos eixos. As dire»co~es equivalentes s~ao colocadas
entre . Os eixos cristalinos na rede c¶
ubica [100], [010] e [001] s~ao todos equivalentes e
s~ao chamados dire»ca~o 100 . Para as redes c¶
ubicas, podemos notar que a dire»c~ao [h k l]
¶e sempre perpendicular ao plano (h k l).
A ¯gura 1.15 mostra os ¶³ndices de alguns planos importantes da rede c¶
ubica:
 Figura 1.15: ¶Indices de alguns planos importantes da rede c¶
ubica.

1.3 Materiais para Dispositivos Eletr^

onicos

Monocristais
Crescidos pelos m¶etodos de Bridgmann e Czochralski. Dispositivos e circuitos
integrados usados em microeletr^onica s~ao fabricados sobre substratos que s~ao l^aminas de
sil¶³cio (Si) fatiadas do bast~ao de monocristal do mesmo. Um diagrama esquem¶atico do
m¶etodo Czochralski pode ser visto na ¯gura 1.16:

Figura 1.16: Diagrama esquem¶

atico do m¶etodo Czochralski.
 Cer^
amicas e Vidros
Compostos inorg^anicos n~ao met¶alicos, duros quebradi»cos e com alto ponto de fus~ao.
S~ao s¶olidos amorfos ou policristalino.
Quartzo quando cristaliza»c~ao ¶e feita a partir de uma u
¶ nica semente.
Policristalino mais de uma semente. A cristaliza»c~ao ocorrer¶a a partir de
muitos pontos de material.
Se o resfriamento for r¶apido, os a¶tomos n~ao ter~ao tempo para encontrar as posi»c~oes de
menor energia e n~ao ser¶a formada uma rede cristalina.
Na forma amorfa ¶e Alumina.
Na forma cristalina ¶e Sa¯ra.

Pol¶³meros
Cadeias longas de mol¶eculas, que resultam da combina»ca~o qu¶³mica de certo n¶
umero de
unidades mais simples chamadas mon^omeros, repetidas de maneira regular ou aleat¶oria.
Alguns exemplos de pol¶³meros e seus mon^omeros s~ao mostrados na ¯gura 1.17:

Figura 1.17: Exemplos de pol¶³meros e mon^

omeros.

Os materiais polim¶ericos utilizados na eletr^onica s~ao os pl¶asticos que servem de isolantes

t¶ermicos para cobertura de ¯os, para encapsulamento de dispositivos, etc.
Nos u¶ ltimos anos foram descobertos v¶arios pol¶³meros e subst^ancias org^anicas que
conduzem corrente el¶etrica de forma semelhante a metais, semicondutores e
supercondutores. A t¶³tulo de ilustra»ca~o, pode ser visto na ¯gura 1.18 uma estrutura
pl¶astica °ex¶³vel que cont¶em circuitos el¶etricos e transistores de ¯lme ¯no feitos com o
pol¶³mero Pentaceno.
 Figura 1.18: Transistor de ¯lme ¯no org^
anico sobre substrato pl¶
atico °ex¶³vel.

Cristais L¶³quidos
Os cristais l¶³quidos s~ao materiais que tem uma estrutura molecular com caracter¶³sticas
intermedi¶arias entre a ordem orientacional e posicional de longo alcance dos cristais e a
desordem t¶³pica dos l¶³quidos e gases. Os cristais l¶³quidos tamb¶em apresentam propriedades
que n~ao s~ao encontradas nem em l¶³quidos e nem em s¶olidos, tais como: forma»ca~o de
monocristais com a aplica»c~ao de campos el¶etricos; atividade ¶optica muito maior que s¶olidos
e l¶³quidos t¶³picos; grande sensibilidade a temperatura que pode resultar em mudan»cas de
sua cor.
A ¯gura 1.19 mostra a classi¯ca»c~ao dos materiais segundo a orienta»c~ao de suas
mol¶eculas.

Figura 1.19: Classi¯ca»c~

ao do material.

Para quanti¯car o quanto de ordem est¶a presente no material, de¯nimos o par^ametro

de ordem S. Dado por:
 Os sinais denotam uma m¶edia sobre todas as mol¶eculas na amostra.
Para um liqu¶³do isotr¶opico, a m¶edia dos termos em cosseno ¶e zero. S=0.
Para um cristal perfeito o par^ametro de ordem avaliado ¶e 1. S=1.
Para o cristal l¶³quido valores t¶³picos s~ao: 03 .

Filmes Finos de Semicondutores

O m¶etodo de crescimento de cristal mais importante para aplica»c~ao em dispositivos, ¶e
o crescimento de uma camada ¯na sobre um substrato de cristal compat¶³vel. O substrato
pode ser do mesmo material que ser¶a crescido ou diferente, mas com uma mesma estrutura
de rede. Neste processo o substrato servir¶a como uma semente sobre a qual um novo
material cristalino crescer¶a. O cristal crescido mant¶em a mesma estrutura e orienta»ca~o
que o substrato. A t¶ecnica de crescimento de camadas orientadas sobre um substrato ¶e
chamada de Crescimento Epitaxial ou Epitaxia. O crescimento epitaxial ¶e realizado em
temperaturas abaixo do ponto de fus~ao do material do substrato. Uma variedade de
m¶etodos ¶e usada para fornecer os ¶atomos apropriados aµ superf¶³cie da camada a ser crescida.
CVD Deposi»c~ao por vapor qu¶³mico ( Policristalino/Amorfo)
VPE Epitaxia por fase vapor (cristalino);
LPE Epitaxia por fase liquida;
MBE Epitaxia por feixe molecular;
MOMBE Epitaxia por feixe molecular metalorg^anico;
Com estas t¶ecnicas de crescimento epitaxial ¶e poss¶³vel crescer-se uma grande variedade
de cristais para aplica»c~ao em dispositivos, possuindo propriedades designadas
especi¯camente para dispositivos eletr^onicos ou optoeletr^onicos. Na ¯gura 1.20 ¶e
mostrado um sistema de MBE.
 Figura 1.20: Sistema de epitaxia por feixe molecular (MBE).

1.4 Difra»c~
ao de RX
Para pesquisar uma estrutura cristalina, devemos usar as ¯guras de difra»ca~o
produzidas por ondas que interagem com os ¶atomos e que possuam comprimento de
onda compar¶aveis com a ordem de grandeza das dist^ancias interat^omicas (par^ametro
de rede ). Onde
Estudamos a estrutura cristalina atrav¶es da difra»ca~o de f¶otons, n^eutrons e el¶etrons. A
difra»ca~o depende da estrutura cristalina e do comprimento de onda da radia»c~ao.
Os raios X podem ser gerados tanto pela desacelera»ca~o dos el¶etrons num alvo met¶alico,
quanto pela excita»ca~o dos el¶etrons dos ¶atomos do alvo.
A energia de um f¶oton de raio X ¶e relacionada com seu comprimento de onda por:

Onde, frequ^encia
constante de Planck
velocidade da luz

Para os estudos dos cristais, os f¶otons devem possuir energias entre 10 e 50 keV.

Difra»c~
ao de El¶
etrons

Muito usada para an¶alise da superf¶³cie do cristal, pois como os el¶etrons possuem
cargas el¶etricas eles interagem fortemente com a mat¶eria, penetrando numa dist^ancia
relativamente curta no interior do cristal.
 Lei de Bragg

W.L.Bragg apresentou uma explica»c~ao simples para os feixes difratados por um

cristal. Suponhamos que as ondas incidentes sejam re°etidas especularmente,(o ^angulo de
incid^encia igual ao a^ngulo de re°ex~ao), por planos de ¶atomos paralelos no interior do
cristal, e cada plano re°ete somente uma pequena fra»c~ao da radia»c~ao, como um espelho
pouco prateado.
Os feixes difratados formam-se quando as re°ex~oes provenientes dos planos paralelos
de a¶tomos produzem interfer^encia construtiva conforme indicado na ¯gura 1.21:

Figura 1.21: Feixes difratados por planos pararelos.

A re°ex~ao de Bragg s¶o pode ocorrer para , onde ¶e a dist^ancia entre os planos
de a¶tomos paralelos . Por esta raz~ao a luz n~ao pode ser usada
para produzir tal efeito, mas o pode.
A diferen»ca de caminho para os raios re°etidos por planos adjacentes ¶e
A interfer^encia construtiva da radia»c~ao proveniente de planos sucessivos ocorre
quando a diferen»ca de caminho for um numero inteiro de comprimento de onda. A lei
de Bragg pode ser escrita como:

Embora a re°ex~ao em cada plano seja especular, somente para certos valores
de somar-se-~ao as re°ex~oes provenientes de todos os planos paralelos, por estarem elas
em fase, e fornecer~ao um forte feixe re°etido.

Rede Rec¶³proca

Cada estrutura cristalina possui duas redes: a rede cristalina e a rede rec¶³proca.
A ¯gura de difra»ca~o de um cristal pode ser encarada como uma representa»ca~o da rede
rec¶³proca do cristal, enquanto que a imagem microsc¶opica ¶e uma representa»c~ao da
estrutura cristalina real.
 A rede cristalina ¶e uma rede no espa»co real. Possui dimens~ao de [comprimento].
A rede rec¶³proca ¶e uma rede no espa»co de Fourier. Possui dimens~ao de [comprimento] .
As duas redes est~ao relacionadas por:

Em (1.6) , e s~ao vetores de base primitivos da rede cristalina e e

vetores de base primitivos da rede rec¶³proca. Qualquer conjunto arbitr¶ario de vetores
, e de uma rede cristalina conduz ao mesmo conjunto de pontos da rede rec¶³proca.
Cada vetor ¶e ortogonal a dois outros vetores da rede cristalina.
Assim: e
Logo um vetor da rede rec¶³proca pode ser escrito como:

Onde h, k e l s~ao inteiros. Aten»ca~o n~ao confundir os n¶

umeros h, k, l com os ¶³ndices de
Miller vistos anteriormente.

Zona de Brillouin
A zona de Brillouin ¶e de¯nida como uma c¶elula primitiva de Wigner-Seitz na rede
rec¶³proca. A ¯gura 1.22 mostra uma c¶elula de Wigner-Seitz para uma rede quadrada.

Figura 1.22: Rede rec¶³proca quadrada com vetores da rede rec¶³proca indicados por linhas pretas. As linhas
brancas s~
ao perpendiculares e bissetoras aos vetores da rede rec¶³proca. O quadrado central ¶e o menor volume
em torno da origem delimitado completamente pelas linhas brancas. O quadrado ¶e a c¶elula primitiva de Wigner-
Seitz da rede rec¶³proca. Ele ¶e denominado zona de Brillouin.
 Rede Rec¶³proca da Rede SC

Figura 1.23: Vetores da base primitiva para as redes c¶

ubicas simples, c¶
ubica de fase centrada, e c¶
ubica de corpo
centrado.

Conforme visto na ¯gura 1.23, temos:

Logo;

A rede rec¶³proca ¶e ela pr¶opria, uma rede c¶

ubica simples, por¶em com constante de rede
igual a Os limites da primeira zona de Brillouin s~ao planos perpendiculares aos

vetores da rede rec¶³proca , , tra»cados pela metade de cada vetor, ou seja;

Os seis planos delimitam um cubo de aresta e Este cubo ¶e a zona de

Brillouin da rede c¶
ubica simples.

Rede Rec¶³proca da Rede BCC

Conforme a ¯gura 1.23, temos:

Logo;

Esses vetores s~ao precisamente os vetores de base de uma rede fcc, portanto
uma rede fcc ¶e uma rede rec¶³proca de uma rede bcc. Do mesmo modo como feito acima,
encontramos que a zona de Brillouin da bcc ¶e um s¶olido regular com 12 faces, um
dodecaedro r^ombico, conforme pode ser visto na ¯gura 1.24.
 Figura 1.24: Primeira zona de Brillouin da rede c¶
ubica de corpo centrado.

Rede Rec¶³proca da Rede FCC

Conforme a ¯gura 1.23, temos:

Logo:

Esses vetores e s~ao os vetores de uma rede bcc, por isso a rede rec¶³proca da rede
fcc ¶e uma bcc. A ¯gura 1.25 mostra a zona de Brillouin da fcc que ¶e um octaedro
truncado.

Figura 1.25: Zona de Brillouin da rede c¶

ubica de face centrada.
 Exerc¶³cios
Sil¶³cio, o semicondutor mais importante da eletr^onica, cristaliza na estrutura
diamante, cuja c¶elula unit¶aria est¶a mostrado na ¯gura 1.11. A temperatura
ambiente o par^ametro de rede ¶e 5,42 º
A. Sendo do grupo IV da tabela per¶³odica, o a¶tomo
de Si tem quatro el¶etrons de val^encia. Calcule o n¶
umero total de el¶etrons de val^encia do Si
por unidade de volume, em cm
Mostre que as fra»co~es m¶aximas de volume da c¶elula unit¶aria que podem ser
preenchidas com esferas r¶³gidas nas redes sc, bcc e diamante s~ao 0.52; 0.68; e 0.34
respectivamente.

Rede Espacial Hexagonal: Os vetores de transla»c~ao primitivos da rede espacial

hexagonal s~ao dados por:

Mostre que o volume da c¶elula primitiva ¶e dado por:

Mostre que os vetores de transla»ca~o primitivos da rede rec¶³proca s~ao dados por:

De modo que a rede rec¶³proca ¶e a pr¶opria rede espacial por¶em com uma rota»ca~o de
eixos.
Desenhe os planos (6 4 3) e (2 1 2) em um sistema de eixos cartesianos e mostre
todos os passos seguidos.
O que ¶e c¶elula unit¶aria e o que ¶e c¶elula primitiva?
O que ¶e rede rec¶³proca?
O que ¶e zona de Brillouin?
2 No»
co
~es de Mec^
anica Qu^
antica

2.1 Introdu»
c~
ao
Assim como a teoria da relatividade, a f¶³sica qu^antica representa uma generaliza»c~ao da
f¶³sica cl¶assica, que inclui as leis cl¶assicas como casos especiais. Muitos eventos envolvendo
el¶etrons e ¶atomos n~ao obedeciam as leis cl¶assicas da mec^anica, por isso foi necess¶ario
desenvolver a mec^anica qu^antica.
Assim como a relatividade se estende ao campo de aplica»c~ao das leis f¶³sicas para a
regi~ao de grandes velocidades, a f¶³sica qu^antica estende este campo aµ regi~ao de pequenas
dimens~oes; e assim, como uma constante universal de signi¯cado fundamental, a
velocidade da luz (c) caracteriza a relatividade, tamb¶em uma constante universal de
signi¯cado fundamental, a chamada constante de Planck (h) caracteriza a f¶³sica
qu^antica.

Postulado de Planck: Qualquer ente f¶³sico com um grau de liberdade cuja

\coordenada", (comprimento de uma mola; posi»ca~o angular de um p^endulo; amplitude
de uma onda, etc...), seja uma fun»ca~o senoidal do tempo (isto ¶e, executa oscila»co~es
harm^onicas simples) pode possuir apenas energias totais que satisfa»cam a rela»ca~o:

Onde, N¶
umero Qu^antico
frequ^encia da oscila»ca~o
constante de Palnck
A energia que obedece ao Postulado de Planck ¶e dita quantizada e os estados de
energia poss¶³veis s~ao ditos estados qu^
anticos.

2.2 Efeito Fotoel¶

etrico
Einstein interpretou um experimento importante que demonstrou claramente a na-
tureza discreta (quantiza»c~ao) da luz. O efeito fotoel¶etrico ¶e a emiss~ao de el¶etrons de uma
superf¶³cie devido aµ incid^encia de luz sobre a mesma.
Quando a energia absorvida pelos el¶etrons ¶e alta o su¯ciente, eles podem ser ejetados
do material para o v¶acuo.
Einstein prop^os que a energia radiante est¶a quantizada em pacotes concentrados, que
mais tarde vieram a ser chamados f¶otons.
 Figura 2.1: Aparelho Utilizado para Estudar o Efeito Fotoel¶etrico

Onde: Placa Met¶alica do Catodo

Coletor Met¶alico
Amper¶³metro Mede a corrente de fotoel¶etrons
O aparelho mostrado na ¯gura 2.1 foi usado para estudar o efeito fotoel¶etrico. Um
inv¶olucro de vidro encerra o aparelho em um ambiente no qual se faz v¶acuo. Luz
monocrom¶atica incidente atrav¶es de uma janela de quartzo cai sobre a placa de metal A e
libera el¶etrons, chamados de fotoel¶
etrons. Os el¶etrons podem ser detectados sob a

forma de uma corrente se forem atra¶³dos para o coletor met¶alico B atrav¶es de uma
diferen»ca de potencial V estabelecida entre A e B. O amper¶³metro G mede essa corrente
fotoel¶etrica.
A curva a na ¯gura 2.2 ¶e um gr¶a¯co da corrente fotoel¶etrica, em um aparelho como
o da ¯gura 2.1, em fun»ca~o da diferen»ca de potencial V. Se V ¶e muito grande, a corrente
fotoel¶etrica atinge um certo valor limite (ou de satura»ca~o) no qual todos os fotoel¶etrons
emitidos por A s~ao coletados por B. Se o sinal de V ¶e invertido, a corrente fotoel¶etrica
n~ao cai imediatamente a zero, o que sugere que os el¶etrons s~ao emitidos de A com alguma
energia cin¶etica. Alguns alcan»car~ao o coletor B apesar do campo el¶etrico opor-se ao seu
movimento. Entretanto, se essa diferen»ca de potencial tornar-se su¯cientemente grande,
um valor chamado de potencial limite ou de corte (potencial de retardo) ¶e
atingido, e a corrente fotoel¶etrica cai a zero. Essa diferen»ca de potencial multiplicada
pela carga do el¶etron, mede a energia cin¶etica m¶axima do mais r¶apido fotoel¶etron
emitido, isto ¶e,

Onde: ¶e a carga do el¶etron.

Experimentalmente nota-se que ¶e independente da intensidade da luz incidente,
como mostrado na curva b da ¯gura 2.2, na qual a intensidade da luz foi reduzida aµ
metade do valor usado para obter a curva a .
A ¯gura 2.3 mostra o potencial para o s¶odio (Na) em fun»ca~o da freqÄ
u^encia da luz
incidente. Note que h¶a um limiar de frequ^ encia ou freqÄ
u^encia de corte , abaixo
da qual o efeito fotoel¶etrico deixa de ocorrer. Estes dados foram obtidos em 1914 por
Milikan, que recebeu em 1923 o pr^emio Nobel por este trabalho.
Tr^es aspectos principais do efeito fotoel¶etrico n~ao podem ser explicados em termos
da teoria ondulat¶oria da luz.
A teoria ondulat¶oria requer que a amplitude do campo el¶etrico oscilante da
onda luminosa aumente se µa intensidade da luz for aumentada. J¶a que a for»ca apli-
cada
ao el¶etron ¶e , isto sugere que a energia cin¶etica dos fotoel¶etrons deveria crescer ao
se aumentar a intensidade do feixe luminoso. Vemos da ¯gura 2.2 que , e
independente da intensidade da luz.
De acordo com a teoria ondulat¶oria, o efeito fotoel¶etrico deveria ocorrer para
qualquer freqÄ u^encia da luz, desde que esta fosse intensa o bastante para dar energia
necess¶aria aµ eje»c~ao dos el¶etrons. Observou-se que, para cada superf¶³cie existe um limiar
de freqÄu^encia caracter¶³stico. Para freqÄ u^encias menores que o efeito fotoel¶etrico n~ao
ocorre, qualquer que seja a intensidade da ilumina»c~ao.

Figura 2.2: Gr¶

a¯cos da corrente em fun»c~
ao da voltagem
 Na teoria cl¶assica, a energia luminosa est¶a uniformemente distribu¶³da sobre a
frente de onda. Portanto, se a luz ¶e su¯cientemente fraca, deveria haver um intervalo
de tempo mensur¶avel entre o instante em que a luz come»ca a incidir sobre a superf¶³cie
e o instante da eje»ca~o do fotoel¶etron. Durante esse intervalo, o el¶etron deveria estar
absorvendo energia do feixe, at¶e que tivesse acumulado o bastante para escapar. Contudo,
nenhum retardamento foi jamais medido.
Einstein colocou em quest~ao a teoria cl¶assica da luz. Ele n~ao concentrou sua aten»ca~o
na forma ondulat¶oria familiar com que a luz se propaga, mas sim na natureza corpuscular
com que ela ¶e emitida e absorvida.
Einstein sup^os que um pacote de energia (f¶oton) est¶a localizado em um pequeno
volume do espa»co, e que permanece isolado µa medida que se afasta da fonte com velocidade
.
Ele sup^os que a energia do pacote, ou f¶oton, est¶a relacionada com sua
freqÄ
u^encia pela equa»c~ao:

Sup^os tamb¶em que no processo fotoel¶etrico, um f¶oton ¶e completamente absorvido

por um el¶etron no fotocatodo.
Quando um el¶etron ¶e emitido da superf¶³cie do metal, sua energia cin¶etica ¶e:

Os el¶etrons recebem uma energia da luz e perdem uma quantidade para escapar
da superf¶³cie do metal.
Onde ¶e o trabalho necess¶ario para remover os el¶etrons do metal, ou melhor, energia
necess¶aria para superar os campos atrativos dos ¶atomos na superf¶³cie e as perdas da
energia cin¶etica devido µas colis~oes internas dos el¶etrons.
No caso da liga»ca~o mais fraca e nenhuma perda interna o fotoel¶etron vai emergir com:

Onde ¶e a energia caracter¶³stica do metal chamada fun»ca~o trabalho e ¶e a energia

m¶³nima necess¶aria para um el¶etron atravessar a superf¶³cie do metal e escapar das for»cas
atrativas que normalmente ligam o el¶etron ao metal.
 Figura 2.3:Potencial limite versus frequ^encia

Onde: Limiar de frequ^encia, frequ^encia de corte ou limiar fotoel¶etrico.

A inclina»ca~o da reta nos fornece o valor de .
Sabe-se que o f¶oton s¶o existe com velocidade e tem massa de repouso nula.
Einstein explicou tr^es aspectos do efeito fotoel¶etrico que n~ao podiam ser explicados
pela teoria ondulat¶oria da luz, como se segue:
Dobrar a intensidade da luz s¶o dobra o n¶umero de f¶otons e portanto duplica a
corrente fotoel¶etrica; isto n~ao muda a energia de cada f¶oton.
Se temos;

Signi¯cando que um f¶oton com freqÄ

u^encia tem exatamente a energia necess¶aria para
ejetar os fotoel¶etrons, e nenhum excesso que possa aparecer como energia cin¶etica.
Se os f¶otons n~ao t^em energia individual necess¶aria para ejetar el¶etrons.
A aus^encia de retardamento ¶e eliminada pela hip¶otese do f¶oton, pois a energia
necess¶aria ¶e fornecida em pacotes concentrados. Ela n~ao se espalha uniformemente sobre
a a¶rea. Se houver luz incidindo sobre o catodo, haver¶a pelo menos um f¶oton que o atinge;
este f¶oton ser¶a imediatamente absorvido por algum ¶atomo, causando a imediata emiss~ao
de um fotoel¶etron se .

2.3 Dualidade Onda-Part¶³cula

Alguns experimentos enfatizam a natureza ondulat¶oria da luz, enquanto outros
experimentos revelam a natureza discreta dos f¶otons. A luz se propaga na forma de ondas
e interage com a mat¶eria na forma de part¶³cula. Esta dualidade ¶e fundamental para
o processo qu^antico.
 Hoje a hip¶otese do f¶oton ¶e usada em todo o espectro eletromagn¶etico, n~ao apenas na
regi~ao do vis¶³vel. A ¯gura 2.4 mostra o espectro eletromagn¶etico na escala logar¶³tmica.

Figura 2.4: Espectro eletromagn¶etico, mostrando o comprimento de onda, a frequ^encia e a energia por fot¶
on em
escala logarit¶³mica.
2.4 Espectro At^
omico
Um dos experimentos mais valiosos da f¶³sica moderna ¶e a an¶alise de absor»c~ao e emiss~ao
da luz pelos ¶atomos.
No espectro de emiss~ao do hidrog^enio (H) vemos muitas linhas verticais que
representam os picos de emiss~ao na escala do comprimento de onda como podemos
ver na ¯gura 2.5.

Figura 2.5: Espectro de emiss~

ao do hidrog^enio.

A energia do f¶oton est¶a relacionada ao por:

Onde, velocidade da luz.

As linhas do espectro de emiss~ao do H s~ao chamadas de s¶eries de Lyman, Balmer e
Paschen. Essas s¶eries no espectro seguem uma certa forma emp¶³rica:
Lyman:

Balmer:

Paschen:

Onde, velocidade da luz

constante de Rydberg
 Se as energias dos f¶otons s~ao plotadas para valores sucessivos de n inteiros, pode-
mos notar que cada energia pode ser obtida pela soma ou diferen»ca de outras energias no
espectro. A ¯gura 2.6 mostra o diagrama de n¶³veis de energia para o ¶atomo de
hidrog^enio (H) at¶e n=5. Desta ¯gura pode-se observar o princ¶³pio de combina»ca~o
de Ritz, que mostra

Figura 2.6: Diagrama de n¶³veis de energia para o a

¶tomo de hidrog^enio.

2.5 Modelo de Bohr

Os resultados do espectro de emiss~ao conduziram Niels Bohr aµ constru»c~ao de um
modelo para o ¶atomo de hidrog^enio, baseado na matem¶atica do sistema planet¶ario. O
el¶etron no ¶atomo de hidrog^enio pode ser excitado para uma ¶orbita mais externa e ent~ao
cair para uma mais interna, dando a energia correspondente a uma das linhas.
Postulados necess¶arios para o desenvolvimento do modelo:
¶
. Orbita circular est¶avel ao redor do n¶
ucleo;
O el¶etron pode se deslocar para uma o¶rbita de energia mais alta ou mais baixa
ganhando ou perdendo energia igual µa diferen»ca nos n¶³veis de energia;
O momento angular do el¶etron na o¶rbita ¶e sempre um n¶ umero inteiro multiplicado
por h

Onde,
Sabe-se que ¶e a carga do el¶etron e que a for»ca el¶etrica neste caso ¶e igual a for»ca
centr¶³peta , ou seja:
 Onde;
massa do el¶etron
velocidade do el¶etron

Generalizando (raio da n-¶esima o¶rbita)

Elevando-se ao quadrado, tem-se:

Substituindo temos

Logo o raio da n-¶esima o¶rbita ser¶a:

Calculando a energia total do el¶etron na ¶orbita, podemos calcular a energia envolvida

nas transi»c~oes entre ¶orbitas. Ou seja,

Sabendo-se que a energia cin¶etica ¶e e tem-se,

, energia potencial, ¶e a for»ca eletrost¶atica multiplicada pela dist^ancia logo,

A equa»ca~o (2.18) pode ser reescrita como:

A diferen»ca de energia entre as o¶rbitas e ¶e:

A frequ^encia da luz emitida na transi»ca~o de energia entre as duas ¶orbitas ser¶a:

A teoria de Bohr fornece um bom modelo para as transi»co~es eletr^onicas dentro do

¶atomo de hidrog^enio, contudo n~ao revela os desdobramentos (splitting) de energias e n~ao
pode ser aplicada a a¶tomos mais complicados.
2.6 Ondas de Mat¶
eria
Assim como o f¶oton tem associado a ele uma onda luminosa que governa o seu
movimento, tamb¶em uma part¶³cula material (por exemplo, o el¶etron) tem associada a
ela uma onda de mat¶eria que governa o seu movimento.
De Broglie formulou a hip¶otese de que o comportamento dual, isto ¶e, onda e part¶³cula
da radia»ca~o tamb¶em se aplica µa mat¶eria. De acordo com de Broglie, tanto para a mat¶eria
quanto para a radia»c~ao a energia total est¶a relacionada aµ freqÄ
u^encia da onda associada
ao seu movimento pela equa»ca~o (2.3), ou seja, , e o momento ¶e relacionado com
o comprimento de onda pela equa»c~ao:

Rela»
c~
ao de De Broglie:
A equa»ca~o (2.24) prev^e o comprimento de onda de De Broglie de uma onda de mat¶eria
associada ao movimento de uma part¶³cula material que tem um momento
Exemplo 1:
Qual ¶e o comprimento de onde de De Broglie de uma bola se movendo a veloci-
dade de

Resposta:

Qual ¶e o comprimento de onda de De Broglie de uma el¶etron cuja energia cin¶etica

¶e

Resposta:

Coment¶ario:
O ¶e muito pequeno quando comparado µa dimens~ao dos
objetos comuns (no caso a bola). Por isso os efeitos de difra»ca~o e interfer^encia que s~ao
caracter¶³sticas das ondas n~ao podem ser observadas, e s~ao portanto desprez¶³veis.
Para o comprimento de onda ¶e da mesma ordem de grandeza da
dimens~ao dos a¶tomos e da dist^ancia entre eles na mat¶eria. Por isso os efeitos
ondulat¶orios s~ao importantes na escala at^omica.
Para observar aspectos ondulat¶orios no movimento da mat¶eria, precisamos de sistemas
com aberturas ou obst¶aculos de dimens~oes convenientemente pequenas (dimens~ao
caracter¶³stica de par^ametro de rede).Considerando os comprimentos de onda de de Broglie
calculados no exemplo 1 acima, vemos que n~ao podemos esperar a detec»ca~o de qualquer
evid^encia de movimento ondulat¶orio para uma bola, onde , pois a =1º
A, mas
para uma part¶³cula de massa muito menor onde o momento p ¶e reduzido e o ¯ca
su¯cientemente grande para que os efeitos de difra»ca~o sejam observ¶aveis.
A natureza ondulat¶oria da mat¶eria pode ser testada da mesma forma que a natureza
ondulat¶oria dos raios X havia sido, ou seja, fazendo-se com que um feixe de el¶etrons de
energia apropriada incida sobre um s¶olido cristalino.Os a¶tomos do cristal agem como
um arranjo tridimensional de centros de difra»ca~o para a onda eletr^onica, espalhando
fortemente os el¶etrons em certas dire»co~es caracter¶³sticas, exatamente como na difra»c~ao de
raios X. Esta id¶eia foi con¯rmada por experi^encias realizadas por Davisson e Germer nos
Estados Unidos e por Thomson na Esc¶ocia.
A ¯gura 2.7 mostra o equipamento de Davisson e Germer. El¶etrons emitidos por um
¯lamento aquecido s~ao acelerados atrav¶es de uma diferen»ca de potencial V e emergem
do canh~ao de el¶etrons G com energia cin¶etica eV. O feixe incide segundo a normal sobre
um monocristal de n¶³quel em C. O detector D ¶e colocado num a^ngulo particular e
para v¶arios valores do potencial acelerador V s~ao feitas leituras da intensidade do feixe
espalhado

Figura 2.7: Equipamento de Davisson e Germer.

.
A ¯gura 2.8, por exemplo, mostra que um feixe de el¶etrons fortemente espalhado ¶e
detectado em = 50 para V = 54V. A exist^encia deste pico demonstra qualitativamente
a validade do postulado de de Broglie,porque ele s¶o pode ser explicado como uma
interfer^encia construtiva de ondas espalhadas pelo arranjo at^omico peri¶odico nos planos do
cristal. O fen^omeno ¶e an¶alogo µa Re°ex~ao de Bragg, vista anteriormente. N~ao pode ser
entendido com base no movimento cl¶assico de part¶³culas, mas apenas com base no
movimento ondulat¶orio. Part¶³culas cl¶assicas n~ao podem exibir interfer^encia, mas ondas
sim!
 Figura 2.8: Difra»c~
ao dos feixes de el¶etrons.

2.7 Probabilidade e Principio da Incerteza

¶ imposs¶³vel descrever com absoluta precis~ao eventos que envolvam part¶³culas na escala
E
at^omica. N¶os falamos de valores m¶edios ou valores esperados de posi»ca~o, momento e
energia de uma part¶³cula tal como um el¶etron. O tamanho dessa incerteza inerente ¶e
descrita pelo Principio de Heisenberg.
Em qualquer medida da posi»ca~o e momento de uma part¶³cula, a incerteza nas
duas quantidades medidas estar¶a relacionada por:

Ou seja, se
Em uma experi^encia n~ao ¶e poss¶³vel determinar exatamente a posi»ca~o do el¶etron
e seu momento simultaneamente. Existe uma incerteza m¶³nima no processo de medida.
A incerteza na medida da energia est¶a relacionada µa incerteza no tempo no qual
a medida foi feita.

Se a medida ¶e efetuada em um intervalo ¯nito, existe uma incerteza na

determina»ca~o da energia.
Uma implica»ca~o do principio da incerteza ¶e que n¶os n~ao podemos falar da posi»ca~o
de um el¶etron, mas sim da probabilidade de encontr¶a-lo em uma certa posi»ca~o.
A ¯gura 2.9 mostra uma experi^encia imagin¶aria idealizada por Bohr. Usa-se um
microsc¶opio para ver o el¶etron, contudo, para que possamos v^e-lo, precisamos
ilumin¶a-lo. J¶a aqui, mesmo antes de qualquer c¶alculo, surge o princ¶³pio da incerteza.
S¶o o ato de observarmos o el¶etron o perturba. No instante que iluminamos o el¶etron,
ele interage com o f¶oton de luz. Se n~ao o iluminarmos n~ao poderemos v^e-lo. Portanto
o princ¶³pio da incerteza diz respeito ao processo de medida em si, e expressa o fato
de que sempre existe uma intera»c~ao n~ao determin¶avel entre o observador e o que ¶e
observado, n~ao podemos fazer nada para evitar a intera»c~ao ou para corrigir seus efeitos.

Figura 2.9: Experi^encia imagin¶

aria do microsc¶
opio de Bohr.

Um dos resultados importantes da mec^anica qu^antica ¶e que uma fun» c~

ao
densidade de probabilidade pode ser obtida para uma part¶³cula em um certo ambiente,
e esta fun»c~ao pode ser usada para encontrar os valores esperados de quantidades
importantes tais como: posi»c~ao, momento e energia.
Dada a fun»c~ao densidade de probabilidade para um problema unidimensional,
a probabilidade de encontrar a part¶³cula entre e ¶e . Como a part¶³cula pode
estar em qualquer lugar, esta de¯ni»ca~o implica que:
 Onde que ¶e normalizada
Para encontrar o valor m¶edio de uma fun»ca~o de , s¶o precisamos multiplicar o valor da
fun»c~ao em cada incremento pela probabilidade de encontrar a part¶³cula em e somar
sobre todo o . O valor m¶edio de ¶e:

Onde, indica o valor esperado ou valor m¶edio.

Se a Densidade de Probabilidade n~ao ¶e normalizada, a equa»c~ao ser¶a:

2.8 A Fun»
c~
ao da Onda

O estado de um el¶etron ou de qualquer part¶³cula material, ¶e caracterizado por uma

fun»c~ao de onda e suas derivadas em rela»ca~o a s~ao continuas, ¯nitas e un¶³vocas.
As fun»co~es de onda s~ao instrumentos de c¶alculo, que tem signi¯cado apenas no
contexto da teoria de Schroedinger, da qual elas fazem parte.
Veremos que uma fun»ca~o de onda cont¶em toda informa»c~ao que o princ¶³pio da
incerteza permite que tenhamos a respeito da part¶³cula associada.
As fun»co~es de onda, por serem complexas n~ao existem ¯sicamente como as ondas
da a¶gua. Uma grandeza complexa n~ao pode ser medida por qualquer instrumento f¶³sico
real.
Se num instante t ¯zermos uma medida para determinar a localiza»ca~o da part¶³cula
com fun»ca~o de onda , a probabilidade de encontr¶a-la entre e ¶e dada por
onde:

conjugado complexo
Como a probabilidade de encontrar a part¶³cula em todo o espa»co ¶e 1:

Esta condi»ca~o ¶e su¯ciente para determinar a amplitude da fun»ca~o de onda com uma
forma conhecida. Dizemos que a fun»c~ao de onda que satisfaz a equa»c~ao acima est¶a
normalizada.
 Vetor de Onda (n¶
umero de onda k)
¶ um vetor cuja dire»ca~o e sentido ¶e o da propaga»c~ao da onda. Seu m¶odulo est¶a
E
relacionado com o comprimento de onda por:

Mas o comprimento de onda de De Broglie ¶e , como visto na equa»c~ao (2.24)

Sabendo-se que h, tem-se:

FreqÄ
u^encia Angular ( )

Esta grandeza bem como o vetor de onda, s~ao introduzidos para que as vari¶aveis n~ao
¯quem no denominador e porque elas absorvem um fator que de outra forma sempre
apareceria quando escrev^essemos uma fun»ca~o de onda senoidal.

Operador Diferencial e Momento

Pegando-se a fun»ca~o de onda da part¶³cula livre (onda plana com vetor de onda

e derivando-a em rela»ca~o a tem-se:

Substituindo a equa»ca~o (2.35) na equa»c~ao (2.36), tem-se:

Sabendo-se que ent~ao:

 Isto indica que existe uma rela»c~ao entre e o operador diferencial, ou seja

O efeito de multiplicar a fun»ca~o por tem o mesmo efeito quando fazemos agir
sobre ela o operador diferencial.
Em tr^es dimens~oes o operador vetor momento ¯ca:

O mesmo pode ser feito para a energia , s¶o que agora derivamos a fun»ca~o de onda
em rela»c~ao ao tempo. Lembrando que: mas assim:

Encontramos que o operador diferencial ¶e:

Quando um operador aplicado a , reproduz multiplicada por uma constante,

dizemos que ¶e uma autofun»c~ao deste operador e que a constante ¶e o seu autovalor.
As rela»co~es (2.39) e (2.42) valem para outras fun»co~es de onda, e n~ao somente para
a part¶³cula livre.
Considerando-se a energia total

A energia cin¶etica ¶e, ent~ao:

Substituindo as grandezas e por seus operadores diferenciais teremos:

Rearranjando chegamos a uma equa»ca~o para operadores:

 A equa»c~ao (2.46) s¶o tem signi¯cado quando aplicada a qualquer fun»ca~o de onda ,
no sentido de que s~ao obtidos resultados id^enticos quando se efetuam as opera»co~es
indicadas em ambos os lados da express~ao sobre a fun»ca~o de onda.
:

Onde ¶e uma fun»ca~o de onda qualquer. Chegamos a essa equa»c~ao considerando

um caso especial, o caso de uma uma part¶³cula livre, ou seja, constante.
N~ao podemos provar que a Equa» ca~o de Schroedinger seja v¶alida no caso geral, ou
seja, quando variar em fun»ca~o de e . Contudo, vamos postular que seja v¶alida.
Podemos ent~ao tomar a Equa» ca
~o de Schroedinger como a equa»ca~o de onda da mec^anica
qu^antica cujas solu»co~es nos d~ao as fun»c~oes de onda que devem ser associadas
ao movimento de uma part¶³cula de massa sob in°u^encia de for»cas descritas pela
fun»c~ao

2.9 A Equa»c~
ao de Schroedinger independente do Tempo
A Equa»ca~o de Schroedinger ¶e uma equa»ca~o diferencial parcial, assim as solu»c~oes na
forma de produto de fun»co~es s~ao aceit¶aveis. Cada uma das fun»co~es cont¶em apenas uma
das vari¶aveis que aparecem na equa»ca~o. A t¶ecnica de separa»ca~o de vari¶aveis ¶e utilizada por
que reduz a equa»c~ao diferencial parcial a um conjunto de equa»co~es diferenciais ordin¶arias.

A solu»c~ao na forma acima ¶e verdadeira desde que o potencial n~ao dependa do tempo
, de forma que a fun»ca~o potencial possa ser escrita como
Como na mec^anica qu^antica, da mesma forma que na mec^anica cl¶assica, quase todos
os sistemas t^em energias potenciais com esta forma (em fun»ca~o da posi»ca~o), a condi»ca~o
n~ao ¶e uma restri»ca~o muito s¶eria.
Substituindo (2.48) na Equa»ca~o de Schroedinger (2.47) e fazendo , tem-se:

Mas,
 Da mesma forma,

Assim;

Dividindo tudo por obtemos:

Logo a primeira parte da equa»c~ao independe do tempo e a segunda parte independe

do espa»co Assim, o valor comum deve ser uma constante que n~ao dependa nem de
e nem de a qual chamaremos de .

Resolvendo para primeiro:

deve ser uma fun»c~ao exponencial, onde, ¶e uma constante a ser deter-
minada.

Logo;

Assim:

Vemos que ¶e uma fun»c~ao oscilat¶oria no tempo de freqÄ

u^encia Mas de acordo
com De Broglie- Einstein, a freqÄ
u^encia tamb¶em deve ser dada por onde ¶e a
energia total da part¶³cula associada a fun»ca~o de onda correspondente a , logo .
Usando este valor de na equa»ca~o espacial temos:
Equa»c~ao de Schroedinger Independente do Tempo:
 Operador de energia total, chamado de Hamiltoniano (H):

Assim, a forma da fun»ca~o de onda ¯ca:

A equa»ca~o ¶e uma equa»ca~o de autovalores. Sua solu»ca~o d¶a a parte

espacial das autofun»c~oes bem como os autovalores de energia.
A forma completa da fun»c~ao de onda na forma vetorial ¶e:

Onde ¶e uma autofun»ca~o com energia A probabilidade de encontrar a part¶³cula

com a fun»c~ao de onda da equa»ca~o (2.57) na posi»ca~o ¶e:

A probabilidade ¶e independente do tempo. A part¶³cula nesta situa»ca~o permanece num

estado estacion¶ario. Isto signi¯ca que se a part¶³cula tem num certo instante uma fun»ca~o de
onda dada por uma (x,t) = cos(kx-wt) + isen(kx-wt) ela permanecer¶a inde¯nidamente
com a mesma fun»ca~o.

2.10 Potencial Nulo: Caso do el¶

etron Livre
A Equa»ca~o de Schroedinger independente do tempo mais simples ¶e aquela na qual
constante. Uma part¶³cula se movendo sob a a»ca~o de um potencial desse tipo ¶e uma
part¶³cula livre, pois a for»ca que atua sobre ela ¶e . Isso ¶e v¶alido para
qualquer valor da constante, logo podemos coloc¶a-la como zero . Sabemos da
mec^anica cl¶assica que uma part¶³cula livre pode estar ou em repouso ou se movendo com
momento constante. Em qualquer dos casos, a energia total ¶e constante.
A Equa»ca~o de Schroedinger, representada na equa»ca~o (2.54), ¯ca:

As solu»co~es s~ao as autofun»co~es e as fun»c~oes de onda

Os autovalores s~ao iguais aµ energia total da part¶³cula.
 A solu»ca~o da equa»c~ao (2.59) pode ser escrita na forma:

Substituindo na equa»ca~o (2.59) obtemos:

Como e , temos :

A qual ¶e uma fun»ca~o de ondas planas, pois as fontes de onda ou superf¶³cies de fase
constante s~ao planas. Para a onda se propaga com velocidade constante na dire»ca~o
. Para a onda se propaga com velocidade constante na dire»ca~o . Nos
dois casos o h est¶a relacionado com a por que ¶e exatamente a energia
cin¶etica de uma part¶³cula livre.
Neste problema, n~ao h¶a qualquer condi»ca~o que restrinja o valor de , que pode variar
continuamente entre e
A partir da equa»c~ao (2.61) podemos obter a Rela»ca~o de Dispers~ao do el¶etron
livre. Usando h como de¯nido na equa»ca~o (2.41). Substituindo o valor
de na equa»ca~o (2.61) encontramos:

Fun»ca
~o Parab¶
olica

: As ondas planas s~ao usadas matematicamente para construir um pacote

de onda. Um pacote de onda se propaga com velocidade de grupo.

Na ¯gura 2.10 podemos ver a forma»ca~o de um pacote de onda. Duas ondas de freqÄ
u^encia
e n¶
umeros de onda ligeiramente diferentes interferem, ora de forma construtiva, ora de
forma destrutiva, de maneira a produzir uma sucess~ao de grupos. Tanto esses grupos,
quanto aµs ondas individuais neles contidas, est~ao se movendo no sentido positivo do
eixo x. A velocidade do grupo de ondas de mat¶eria ¶e exatamente igual aµ velocidade
da part¶³cula cujo movimento ela governa.
Figura 2.10: Forma»c~
ao de um pacote de onda.(a) Pacote de ondas que descreve o estado de uma part¶³cula livre
localizada numa regi~ao do espa»co. (b) Transformada de Fourier do pacote de ondas mostrado em (a).

De uma maneira mais formal vamos mostrar que a energia de uma part¶³cula livre
n~ao ¶e quantizada.
Considerando o caso de uma onda se propagando no sentido crescente. A autofun»ca~o
e a fun»c~ao de onda ¶e:

Uma suposi»ca~o ¶obvia seria que a part¶³cula cujo movimento ¶e descrito por estas fun»co~es
tamb¶em est¶a se movendo no sentido de crescente. Para veri¯car isso vamos calcular o
valor esperado do momento, da part¶³cula:

Como de¯nido na equa»c~ao (2.39), sabe-se que h , assim:

Substituindo o valor de h da equa»ca~o acima pelo encontrado na equa»ca~o (2.61), temos:

Desta forma substituindo na equa»ca~o (2.66) o valor encontrado para , teremos:

Sabendo-se que temos:

Este ¶e exatamente o momento que seria esperado para uma part¶³cula se movendo no
sentido de crescente com energia total em uma regi~ao de energia potencial nula.
Portanto, a part¶³cula tem igual probabilidade de ser encontrada em qualquer local,
a incerteza em sua posi»ca~o ¶e: . O princ¶³pio da incerteza a¯rma que nessas situa»co~es
podemos saber o momento da part¶³cula com total precis~ao, j¶a que e .
Como temos um intervalo de tempo para medir a de uma part¶³cula se movendo
sobre uma regi~ao de extens~ao in¯nita, o pr¶³ncipio da incerteza para permite
que sua energia seja conhecida com precis~ao. Assim n~ao h¶a quantiza»ca~o da energia no
caso do el¶etron livre.

2.11 El¶
etron no Po»co Potencial In¯nito
Assumimos uma part¶³cula num po»co potencial com paredes in¯nitamente altas, onde:

Dentro do po»co onde podemos usar a equa»c~ao da onda da part¶³cula livre:

As solu»c~oes s~ao da forma de e (onda estacion¶aria), onde logo:

Contudo, agora para escolher uma solu»ca~o temos que examinar as condi»c~oes de
contorno.
Ou ¶ nico valor permitido para ¶e ser zero nas paredes, porque de outra forma,
a probabilidade de encontrar a part¶³cula fora da caixa seria diferente de zero, e isso ¶e
imposs¶³vel, pois a part¶³cula n~ao pode penetrar numa barreira in¯nita.
Com em estamos dizendo que a onda estacion¶aria possui n¶os
nas paredes da caixa.
Para em devemos tomar somente a solu»c~ao em , assim,
onde ¶e a amplitude da fun»c~ao de onda.
Para em , deve ser m¶
ultiplo inteiro de onde

Podemos agora encontrar a energia total para cada valor do inteiro , assim,

Para cada valor de temos uma associada.

A energia ¶e quantizada. Somente certos valores de energia s~ao permitidos.
A fun»c~ao de onda e o estado de energia correspondente descrevem o estado
qu^antico da part¶³cula. A constante ¶e encontrada atrav¶es do c¶alculo de probabilidade.

Logo:
 Onde: autovalores
autofun»co~es
A ¯gura 2.11 mostra algumas das primeiras autofun»co~es de um po»co de potencial
quadrado in¯nito e tamb¶em as energias poss¶³veis associadas aos quatro primeiros n¶
umeros
qu^anticos n

Figura 2.11: Fun»c~

oes de onda e energias de uma part¶³cula num po»co de potencial in¯nito, para os quatro
primeiros valores do n¶umero qu^
antico n.

2.12 Efeito T¶
unel
Este tipo de efeito ¶e muito importante para alguns dispositivos de estado s¶olido (por
exemplo: diodo t¶unel).
Vamos considerar uma barreira de potencial de altura e espessura conforme pode
ser visto na ¯gura 2.12. Se a barreira ¶e n~ao in¯nita, as condi»c~oes de contorno n~ao for»cam
a fun»c~ao de onda ser zero na barreira. Devemos agora usar o fato de que e devem
ser cont¶³nuas em cada limite da barreira. Assim, tem um valor diferente de zero dentro
e fora da barreira. Isso nos leva a ter uma probabilidade de A part¶³cula n~ao passa
sobre a barreira pois sua energia total ¶e assumida ser menor do que O mecanismo pelo
qual a part¶³cula penetra a barreira ¶e chamado TUNELAMENTO.
 Figura 2.12:(a) Barreira de potencial ¯nito e espessura w. (b) Densidade de probabilidade para um el¶etron
com energia menor do que indicando que a fun»c~
ao de onda atravessa a barreira.

O tunelamento qu^antico est¶a intimamente ligado ao princ¶³pio da incerteza. Se a

barreira ¶e su¯cientemente ¯na, n¶os n~ao podemos a¯rmar que a part¶³cula exista somente de
um lado. Contudo, a amplitude da fun»ca~o de onda para a part¶³cula ¶e reduzida pela
barreira, assim, fazendo maior podemos reduzir a fun»ca~o de onda do outro lado e
somente um tunelamento negligenci¶avel ocorre.
O tunelamento se torna importante em pequenas dimens~oes. Ele ¶e de grande
import^ancia na condu»ca~o de el¶etrons em s¶olidos. Recentemente um novo dispositivo
eletr^onico chamado DIODO DE TUNELAMENTO RESSONANTE foi desenvolvido.

2.13 El¶
etron em um Potencial Per¶
odico
O modelo de el¶etrons livres utilizados at¶e agora desprezou os efeitos de intera»ca~o de
el¶etrons com a rede cristalina. Vamos come»car a considerar estes efeitos fazendo algumas
observa»co~es sobre o efeito da varia»c~ao peri¶odica do potencial. O potencial no cristal
varia de forma peri¶odica, ele n~ao ¶e mais constante. A periodicidade da rede faz com que
as fun»co~es de onda para uma rede in¯nitamente longa n~ao sejam do tipo progressivas
senoidais de amplitude constante, mas sim ondas que exibem a periodicidade da rede
em sua amplitude. Al¶em disto, os el¶etrons podem ser espalhados pela rede. Quando
o comprimento de onda de De Broglie dos el¶etrons corresponde aµ periodicidade no
espa»camento dos ¶³ons os el¶etrons interagem fortemente com a rede. Veremos que esses
efeitos produzem, entre outras coisas, uma mudan»ca da resist^encia do cristal µa condu»ca~o
de eletricidade.
O efeito da periodicidade ¶e mudar a autofun»ca~o da part¶³cula livre de forma que, em vez
de uma amplitude constante, ela ter¶a amplitude vari¶avel que muda com a periodicidade
da rede.
Na ¯gura 2.13 vemos a ilustra»c~ao de como o potencial visto por um el¶etron que se move
numa rede cristalina pode ser aproximada pelo modelo Kronig-Penney, uma sucess~ao de
po»cos de potencial quadrados e barreiras de potencial.

Figura 2.13: Ilustra»c~

ao de como o potencial visto por um el¶etron que se move numa rede cristalina pode ser
aproximado pelo modelo de Kronig e Penney, sucess~ ao de po»cos de potencial quadrados e barreiras de potencial.

Segundo Block, se a periodicidade espacial da rede ¶e , as autofun»c~oes para um sistema

unidimensional n~ao tem a forma da onda progressiva da part¶³cula livre como
mostrado na equa»ca~o (2.65), mas sim a forma:

Onde amplitude vari¶avel com o per¶³odo da rede.

Onde a periodicidade da rede exige que:

O efeito da periodicidade ¶e de modular de forma peri¶odica a amplitude da solu»ca~o de

part¶³cula livre. A fun»ca~o de onde ser¶a:

Onde a exponencial descreve uma onda de que se propaga na dire»ca~o de se

e de se e o fator descreve a modula»ca~o. A fun»ca~o se assemelha
µa autofun»c~ao para um a¶tomo isolado. Sua forma exata depende do potencial particular
considerado e do valor de .
Uma boa aproxima»c~ao para de um cristal ¶e uma sucess~ao de po»cos e barreiras
de potencial retangulares de periodicidade id^entica aµ da rede, ¯gura (2.13).Cada po»co
representa uma aproxima»ca~o do potencial produzido por um ¶³on.
Para po»cos profundos e bem espa»cados, o el¶etron de energia n~ao muito alta ¯ca
praticamente ligado dentro de um dos po»cos, de modo que os autovalores de mais baixa
energia s~ao os do po»co isolado e u
¶nico.
 Para po»cos mais pr¶oximos uns dos outros, as autofun»co~es podem mais facilmente
penetrar nas barreiras de potencial. Isto resulta num alargamento do n¶³vel de energia
u
¶nico original em uma banda de n¶³veis de energia. A banda torna-se mais larga µa medida
que a separa»c~ao entre os po»cos ¶e reduzida.
No limite de barreiras com espessura zero, obtemos um u ¶ nico po»co, in¯nitamente
largo, onde todas as energias ser~ao permitidas, isto ¶e, obtemos o modelo do el¶etron livre.
Cada banda permitida corresponde a um n¶³vel discreto do po»co u ¶nico. Aparecem
bandas proibidas mesmo com energias maiores do que a profundidade do po»co .
As larguras das bandas ir~ao se aproximar das larguras dos n¶³veis quando "a"
aumentar (para ¯xo) e de um cont¶³nuo quando "a" diminuir. Na ¯gura 2.14 podemos
ver os n¶³veis de cont¶³nuo de energia para um po»co isolado e as bandas de energia para
po»cos peri¶odicos.

Figura 2.14: Energias permitida para um el¶etron num po»co de potencial isolado e energias permitidas para um
el¶etron num conjunto de po»cos e barreiras periodicamente espa»cados.

Equa»c~
ao de Schroedinger para o Modelo de Kronig-Penney

Para resolv^e-la deveremos satisfazer as condi»co~es de continuidade de e Isto

restringe a validade das solu»co~es de Bloch a alguns intervalos de energia dando origem aµs
bandas permitidas. A ¯gura 2.15 mostra as energias permitidas em fun»ca~o do vetor de
onda k, para uma rede unidimensional de periodicidade a.
Figura 2.15: Energias permitidas em fun»c~ao do vetor de onda k, para uma rede unidimensional de periodicidade
a. Para efeitos de compara»c~
ao representamos por uma linha tra»cejada o resultado do modelo do el¶etron livre. As
bandas de energias permitidas e proibidas resutantes aparecem µ
a direita.

Para valores de energia situados nas bandas proibidas as autofun»co~es s~ao

amortecidas rapidamente por um fator decrescente real.
Os intervalos proibidos ou descontinuidades em energia ocorre para valores de
dados por, onde ¶e a periodicidade espacial da rede.
Para os valores de especi¯cados acima, observam-se as bandas proibidas,
enquanto que para valores de afastados daqueles a depend^encia em da energia ¶e muito
semelhante µa dos el¶etrons livres (par¶abola).
Cada banda permitida corresponde a solu»co~es da Equa»c~ao de Schroedinger para
as quais tem valores positivos num intervalo e valores negativos num intervalo
Os intervalos proibidos entre o topo de uma banda permitida e a base da
pr¶oxima, podem ser entendidos como o resultado da REFLEXAO ~ DE BRAGG das ondas
progressivas que descrevem um el¶etron se propagando ao longo da rede. Se uma onda
propagando-se para a direita, incide sobre um conjunto de barreiras que representam
as regi~oes entre ¶³ons da rede, uniformemente espa»cadas de , ela ser¶a parcialmente
re°etida por cada uma das barreiras. Em geral, as ondas re°etidas que se propagam para
a esquerda, n~ao estar~ao em fase entre si, e em conseqÄ u^encia n~ao se combinar~ao
construtivamente para produzir uma onda re°etida de amplitude grande. Mas, elas
estar~ao em fase se o comprimento de onda das ondas incidentes e re°etidas satisfazer
a condi»c~ao de Bragg onde e ¶e a dist^ancia extra percorrida nas re°ex~oes
de barreiras sucessivas, de modo que, se esta for igual a um n¶
umero inteiro de comprimento
de onda, as ondas re°etidas estar~ao todas em fase e haver¶a uma onda re°etida resultante
de amplitude id^entica µa onda incidente. Como , a condi»ca~o de Bragg pode ser,
ou seja: onde a introdu»ca~o dos sinais leva
em conta o fato de que a onda incidente pode estar se deslocando para ou .
Vemos que os valores de para os quais ocorrem intervalos proibidos ou
descontinuidades na fun»ca~o s~ao os mesmos correspondentes aos comprimentos de
onda que satisfazem a condi»ca~o de Bragg de re°ex~ao construtiva.
Os intervalos proibidos aparecem, porque h¶a duas maneiras diferentes da amplitude da
onda re°etida ser igual aµ amplitude da onda incidente, para cada valor cr¶³tico de para o
qual essas amplitudes s~ao iguais. Vimos que tem que ser un¶³voca, ou seja, ter um u ¶nico
valor para cada .
Exemplo 2: Uma onda incidente de amplitude unit¶aria se move para a direita ao longo
do eixo dos com A autofun»c~ao da onda progressiva ser¶a ent~ao A
onda re°etida, de amplitude tamb¶em unit¶aria para este valor de ser¶a: . A
autofun»ca~o total ser¶a obtida pela soma ou pela diferen»ca das duas.

Em ambas, a onda re°etida tem a mesma amplitude que a onda incidente, logo ambas
combinam-se para formar uma onda estacion¶aria.
Os dois casos diferem muito em rela»c~ao aµ localiza»c~ao dos n¶os da onda estacion¶aria e
portanto na localiza»c~ao dos m¶aximos e m¶³nimos da densidade de Probabilidade A
¯gura 2.16 mostra a origem da lacuna de energia.

Figura 2.16: (a) Varia»ca

~o da energia potencial de um el¶etron de condu»c~
ao no campo dos ¶³ons de uma rede
linear. (b) Distribui»c~
ao de densidade de probabilidade na rede para
¶e para um onda caminhante.

No caso que proporcional ao a ser¶a m¶aximo em

No caso que proporcional ao a para os mesmos pontos do

caso a cima.
Na ¯gura 2.15 vemos os dois valores de em cada um dos valores cr¶³ticos de onde
ocorre uma re°ex~ao de Bragg. Vemos tamb¶em como este fato provoca na curva um
desvio de no comportamento parab¶olico pr¶oprio do el¶etron livre em cada regi~ao entre
os valores cr¶³ticos de . O intervalo de valores de entre e de¯ne o que se chama de
primeira zona de Brillouin. O intervalo entre e de¯ne a segunda zona e assim por
diante. Se resolv^essemos a equa»ca~o de Schroedinger para o potencial peri¶odico, ter¶³amos
encontrado solu»co~es de ondas senoidais para certos intervalos de energia (as bandas
permitidas) e solu»c~oes de ondas exponenciais reais decrescentes em outros intervalos de
energia (as bandas proibidas).
 Exerc¶³cios
Para que os efeitos qu^anticos fossem percept¶³veis no dia a dia de nossas vidas,
qual deveria ser a ordem de grandeza m¶³nima de h?

A energia necess¶aria para que um el¶etron seja removido do s¶odio ¶e 2,3 eV. O s¶odio
apresenta efeito fotoel¶etrico para a luz amarela, com
Qual ¶e o comprimento de onda de corte para a emiss~ao fotoel¶etrica do s¶odio?
Quanta energia ¶e necess¶aria para remover um el¶etron de um a¶tomo de hidrog^enio
em um estado com n=8?
Por que a natureza ondulat¶oria da mat¶eria n~ao nos ¶e aparente em nossas
observa»co~es?
Um el¶etron ¶e uma part¶³cula? E¶ uma onda? Explique.
Mostre que a rela»c~ao de incerteza para uma part¶³cula, em termos das incertezas
na posi»ca~o e no comprimento de onda , que podem ser medidos simultaneamente ¶e

dada por .
Podem existir solu»co~es com E 0 para a equa»c~ao de Schroedinger independente
do tempo para o potencial nulo? Justi¯que sua resposta.
Veri¯que por substitui»ca~o que a solu»ca~o geral de onda estacion¶aria,

onde satisfaz a equa»c~ao de

Schroedinger independente do tempo para o po»co de potencial in¯nito na regi~ao de
dentro do po»co.
A exist^encia de um limiar de frequ^encia no efeito fotoel¶etrico ¶e frequentemente
encarada como a obje»c~ao mais forte µa teoria ondulat¶oria da luz. Explique porque.
Nas experi^encias do efeito fotoel¶etrico a corrente (n¶
umero de el¶etrons por unidade
de tempo) ¶e proporcional aµ intensidade da luz. Pode este resultado isolado ser usado para
fazer a distin»ca~o entre as teorias qu^antica e cl¶assica? Explique.
Apartir das medidas do efeito fotoel¶etrico mostrado na ¯gura 2.3:
Calcule a fun»c~ao trabalho do s¶odio em eV.
Calcule o potencial de retardo de uma c¶elula com fotocatodo de s¶odio,
iluminada por luz de comprimento de onda
Uma montagem de medida do efeito fotoel¶etrico utiliza uma c¶elula com
fotocatodo de alum¶³nio, cuja fun»ca~o trabalho ¶e 4,2 eV. A luz ultravioleta empregada tem
comprimento de onda de 180nm:
Qual ¶e a frequ^encia de corte do alum¶³nio?
Qual ¶e o potencial de retardamento do alum¶³nio para este comprimento de onda?
 Calcule a energia cin¶etica do el¶etron mais r¶apido emitido.
Qual ¶e a energia do el¶etron no alum¶³nio, que ao ser emitido ¶e o mais lento?
Calcule as tr^es primeiras energias para um el¶etron em um po»co qu^antico de
largura 10º
A com paredes in¯nitas.
Usando os dados anteriores, qual ser¶a a frequ^encia do f¶oton emitido durante
uma transi»c~ao entre o estado maior de energia para o de menor energia?
3 Modelos de Condutividade El¶
etrica
3.1 Bandas de Energia nos S¶
olidos, Metais, Isolantes e
Semicondutores.
Em um s¶olido, muitos ¶atomos s~ao colocados juntos, assim os n¶³veis de energia formam
uma banda cont¶³nua de energia. Na ¯gura 3.1 podemos ver a forma»c~ao imagin¶aria de um
cristal de diamante a partir de a¶tomos de carbono isolados.

Figura 3.1: Forma»c~

ao da bandas de energia em um cristal de diamante a partir da aproxima»c~
ao de a
¶tomos de
carbono isolados.

Cada a¶tomo de carbono (C) isolado possui a estrutura at^omica no estado

fundamental. Cada ¶atomo possui dois estados dois estados e seis estados Se
considerarmos ¶atomos, teremos e estados do tipo e respectivamente.
A medida que a separa»ca~o interat^omica diminui,estes n¶³veis de energia transformam-se
em bandas (como visto nas se»co~es anteriores), come»cando com as camadas mais externas
. A medida que as bandas e crescem, elas se fundem em uma s¶o banda
composta pela mistura de dois n¶³veis de energia. Esta banda " " cont¶em
estados poss¶³veis. Quando a dist^ancia de separa»ca~o at^omica aproxima-se de um valor
de equil¶³brio para o espa»camento interat^omico do diamante, estas duas bandas se separam
outra vez em duas bandas. Elas s~ao separadas, por uma regi~ao de energia proibida
chamada de \gap de energia" . A banda superior (Banda de Condu»ca~o) cont¶em
estados e a banda inferior (Banda de Val^encia) tamb¶em cont¶em estados. O n¶³vel ¶e
muito baixo e possui el¶etrons fortementes ligados que n~ao in°uenciar~ao no mecanismo de
condu»ca~o el¶etrica do material, podendo assim ser ignorado.
A banda est¶a preenchida com el¶etrons que vem dos estados de cada ¶atomo
isolado. Contudo, existiam el¶etrons nas camadas isoladas . Estes el¶etrons
devem ocupar os estados na banda de val^encia ou na banda de condu»c~ao no cristal. Em
os el¶etrons ocupar~ao os estados de mais baixa energia dispon¶³veis para eles. No
caso do diamante existem exatamente estados na banda de val^encia dispon¶³veis para
os el¶etrons. Por isso, em todos os estados na banda de val^encia estar~ao
preenchidos, enquanto que os da banda de condu»ca~o estar~ao completamente vazios de
el¶etrons.
Os s¶olidos possuem sua pr¶opria estrutura de banda de energia caracter¶³stica. Esta
varia»ca~o na estrutura de banda ¶e respons¶avel por uma grande variedade de caracter¶³stica
el¶etricas observadas em v¶arios materiais. A estrutura de banda do diamante mostrado
na ¯gura 3.1 da uma id¶eia de o porque do diamante ser um bom isolante. Para chegar a
essa conclus~ao, devemos considerar as propriedades das bandas de energia completamente
preenchidas e completamente vazias no processo de condu»c~ao de corrente.
Antes de discutir os mecanismos de °uxo de corrente nos s¶olidos, devemos observar
que para que os el¶etrons experimentem uma acelera»c~ao quando submetidos a um campo
el¶etrico, eles devem ser capazes de se mover para novos estados de energia. Isto implica na
exist^encia de estados vazios (estados de energia permitidos que n~ao estejam ocupados por
). No caso da estrutura diamante da ¯gura 3.1 a banda de val^encia est¶a completamente
preenchida com os el¶etrons em e a banda de condu»c~ao est¶a vazia. N~ao pode haver
transporte de energia dentro da banda de val^encia, uma vez que n~ao existem estados
vazios nos quais os el¶etrons possam se mover. N~ao h¶a el¶etrons na banda de condu»ca~o,
assim, nenhum transporte de carga pode ocorrer ali. Por isso, o carbono na estrutura
diamante possui alta resistividade, ou seja, t¶³pica de isolantes.
Materiais semicondutores em tem basicamente a mesma estrutura dos isolantes,
banda de val^encia cheia, separada da banda de condu»c~ao vazia por um gap de energia
(estados de energia proibidos). A diferen»ca est¶a no tamanho da energia de gap a qual
¶e muito menor em semicondutores do que em isolantes. Por exemplo, o semicondutor
sil¶³cio (Si) tem , enquanto que o diamante possui . A pequena
dos semicondutores conforme pode ser visto na ¯gura 3.2 permite que el¶etrons sejam
excitados da banda de val^encia para a banda de condu»c~ao por uma quantidade razo¶avel
de energia t¶ermica ou ¶optica. Por exemplo, na temperatura ambiente um
semicondutor com tem um n¶ umero signi¯cante de el¶etrons excitados
termicamente atrav¶es da para a banda de condu»ca~o, enquanto que um isolante com
, ter¶a n¶
umero negligenci¶avel de excitados.
 Figura 3.2: Estrutura de banda t¶³pica na temperatura de 0K.

Em metais as bandas ou se superp~oem ou s~ao parcialmente preenchidas. Por isso,

el¶etrons e estados vazios est~ao misturados dentro das bandas, assim os el¶etrons se movem
facilmente sob a in°u^encia de um campo el¶etrico. Metais t^em alta condutividade el¶etrica.

Semicondutores com gap de energia direto e indireto

Mostramos que poder¶³amos formar as bandas de energia permitidas e proibidas,
assumindo um el¶etron viajando atrav¶es de uma rede perfeitamente peri¶odica. Vimos
tamb¶em, que energias permitidas podiam ser plotadas versus a constante (vetor de
onda). Uma vez que a periodicidade de muitas redes ¶e diferente em varias dire»c~oes, o
diagrama pode ser feito para v¶arias dire»c~oes e . Dessa forma, a
rela»c~ao entre e ¶e uma superf¶³cie complexa se visualizada em tr^es
dimens~oes. A ¯gura 3.3 ilustra um exemplo em tr^es dimens~oes para dois tipos de rede;
fcc e bcc. Os s¶³mbolos etc... denotam certos pontos especiais na zona de Brillouin
que s~ao determinados atrav¶es da teoria de grupo das propriedades de simetria da rede

cristalina, teoria essa que n~ao ser¶a mostrada nesta apostila.

 Figura 3.3: Pontos e eixos de simetria das zonas de Brillouin das redes fcc e bcc.

A estrutura de banda do GaAs tem um m¶³nimo da banda de condu»c~ao e um

m¶aximo de banda da val^encia para um mesmo valor de . Por outro lado, o Si
tem o m¶aximo da banda de val^encia em um valor de diferente daquele para o
m¶³nimo da banda de condu»c~ao como pode ser visto na ¯gura 3.4.

Figura 3.4: Bandas de energia com a) gap direto (por exemplo o GaAs) e b) gap indireto (por exemplo o Si).

Por isso, um el¶etron fazendo uma transi»c~ao entre a banda de condu»c~ao para a banda
de val^encia no GaAs n~ao precisa mudar o seu valor de , enquanto que no Si, ¶e necess¶ario
uma mudan»ca no valor de . Da¶³ surgem duas classes de semicondutores, os diretos e os
indiretos.
Em um semicondutor direto como GaAs, um el¶etron na banda de condu»ca~o pode
\cair" para um estado vazio na banda de val^encia, liberando o excesso de energia como
um f¶oton de luz. Por outro lado, um el¶etron na banda de condu»ca~o do Si (indireto) n~ao
pode "cair" diretamente para a banda de val^encia, ele deve primeiro mudar o seu momento
bem como mudar sua energia. Por exemplo, ele pode ir at¶e um estado de defeito dentro do
gap de energia e ent~ao chegar µa banda de val^encia. Em transi»c~oes indiretas, que envolvem
a mudan»ca de , a energia ¶e geralmente transformada em, calor e fornecida aµ rede, em
vez de ser emitida como luz (f¶oton).
Esta diferen»ca entre estruturas de banda direta e indireta ¶e muito importante
quando se decide qual semicondutor deve ser usado para a confec»ca~o de dispositivos
emissores de luz como LEDs e Lasers.

3.2 El¶
etrons e Buracos (Lacunas)

A medida que a temperatura ¶e aumentada a partir de , alguns el¶etrons na banda de

val^encia recebem energia t¶ermica su¯ciente para serem excitados atrav¶es do gap de energia
at¶e a banda de condu»ca~o. O resultado ¶e um material com alguns el¶etrons na banda de
condu»ca~o que antes estava vazia e alguns estados desocupados na banda de val^encia
que antes estavam preenchidos. Os estados vazios na banda de val^encia s~ao chamados de
buracos (ou lacunas). Se o el¶etron da banda de condu»ca~o e o buraco da banda de val^encia
s~ao criados pela excita»ca~o do eletron de val^encia para a banda de condu»ca~o eles s~ao
chamados par el¶etron-buraco (electron-hole pair {EHP).
Caracter¶³sticas do buraco:
1. Vetor de Onda
2. Energia
3. Carga

Massa Efetiva
Os el¶etrons em um cristal n~ao s~ao completamente livres, mas interagem com o potencial
peri¶odico da rede. Como resultado, seu movimento de onda-part¶³cula n~ao pode ser o
mesmo que o do el¶etron no espa»co livre. Por isso, se um campo el¶etrico ou magn¶etico
for aplicado ao cristal, o el¶etron ¶e acelerado relativamente µa rede como se possu¶³sse uma
massa diferente (massa efetiva ) daquela do el¶etron livre .
O el¶etron ¶e um pacote de onda que se movimenta com velocidade de grupo
e sua .
Logo:
 Se o el¶etron for submetido a uma for»ca devida a, por exemplo, um campo el¶etrico
aplicado, sua energia total variar¶a durante um percurso Sabendo que e
que onde ¶e o momento, temos:

Mas , assim:

Vemos que a rede n~ao afeta a forma da equa»c~ao da varia»ca~o do momento. O que altera
¶e a depend^encia da energia com o momento, que corresponde a mudar a massa do el¶etron.

Mas , logo:

A equa»c~ao da massa efetiva depende n~ao s¶o do m¶odulo de , mas tamb¶em da sua
dire»ca~o. A ¶e uma grandeza tensorial. No caso do el¶etron livre, cuja

Temos:

Vemos que a est¶a relacionada aµ curvatura da banda

A fun»c~ao ¶e mais curvada na banda de condu»ca~o do que na banda de val^encia,
como pode ser visto na ¯gura 3.5, assim . Colocando-se esse resultado na
equa»ca~o da vemos que

Figura 3.5: Vista simpli¯cada da estrutura indicando os extremos das bandas de um semicondutor que cont¶em
gap direto.
 Se for fun»ca~o s¶o de (par¶abola) ent~ao independe de e ¶e constante sobre toda
a banda em quest~ao. A ¯gura 3.5 mostra o esquema de uma estrutura de banda com gap
de energia direto.
Esquema de uma estrutura de banda. O zero de energia est¶a no m¶aximo da
banda de val^encia.
A rela»c~ao de dispers~ao para a banda de condu»c~ao ser¶a:

Para a banda de val^encia teremos:

Podemos notar que existe uma diferen»ca de curvatura entre a banda de condu»ca~o
e a banda de val^encia . Desta diferen»ca resulta que a Isto ¶e o caso para
semicondutores reais.
Alguns semicondutores t^em mais do que uma banda de val^encia. Da ¯gura 3.5
vemos que por isso os buracos dessas bandas s~ao chamados de pesados
e leves respectivamente. No GaAs e onde ¶e a massa do
el¶etron livre.

3.3 Semicondutor Intr¶³nseco

Um cristal semicondutor perfeito com nenhuma impureza ou defeitos na rede ¶e chamado
de semicondutor intr¶³nseco. Nestes materiais n~ao existem portadores de carga em ,
uma vez que a banda de val^encia est¶a preenchida com el¶etrons e a banda de condu»ca~o
est¶a vazia. Em temperaturas maiores que os pares el¶etrons- buracos s~ao gerados, e eles
ser~ao os u
¶ nicos portadores de carga no material intr¶³nseco. Como os el¶etrons e buracos
s~ao criados em pares, a concentra»ca~o de el¶etrons na banda de condu»ca~o ¶e
igual aµ concentra»ca~o de buracos na banda de val^encia buracos . Cada uma dessas
concentra»c~oes intr¶³nsecas de portadores ¶e comumente chamada de

3.4 Semicondutores Extr¶³nsecos

Al¶em dos portadores intr¶³nsecos gerados termicamente, ¶e poss¶³vel criar portadores
nos semicondutores propositalmente introduzindo-se impurezas no cristal. Este processo
¶e chamado de dopagem e ¶e a t¶ecnica mais comum para variar a condutividade do
semicondutor.
 Por dopagem alteramos a concentra»ca~o de el¶etrons ou de buracos, por isso existem
dois tipos de semicondutores dopados; tipo n (mais el¶etrons) e tipo p (mais buracos). A
¯gura 3.6 mostra um modelo esquem¶atico de um cristal de Si onde um dos ¶atomos foi
substitu¶³do por uma impureza doadora (ars^enio-As) e outro ¶atomo por uma impureza
aceitadora (G¶alio-Ga).

Figura 3.6: Modelo esquem¶

atico de um cristal de Si dopado com impurezas de Ga (aceitador) e As (doador). As
bolas brancas representam os ¶
atomos de Si.

As impurezas de As e de outros elementos do grupo V da tabela peri¶odica s~ao doadores,

pois doam el¶etrons para a banda de condu»ca~o. Os semicondutores com impurezas doado-
ras
t^em maior concentra»ca~o de el¶etrons do que de buracos e por isso s~ao chamados
semicondutores do tipo n.
No caso de impurezas do grupo III, como o Ga, h¶a um el¶etron a menos dos quatro
necess¶arios para completar a liga»c~ao covalente com os vizinhos. As impurezas do
grupo III s~ao chamadas aceitadoras e formam semicondutores tipo p.
A ¯gura 3.7 mostra a representa»c~ao esquem¶atica dos n¶³veis de impureza no gap do
semicondutor. E e E representam as energias m¶axima e m¶³nima das bandas de val^encia
e condu»ca~o respectivamente.

Figura 3.7: Representa»c~

ao esquem¶
atica dos n¶³veis de impurezas no gap de semicondutores dopados.

Podemos calcular a energia de liga»ca~o aproximada necess¶aria para excitar um

el¶etron de um a¶tomo doador para a banda de condu»c~ao (energia de liga»ca~o). Vamos
assumir que o a¶tomo de As possui 4 el¶etrons fortemente ligados e o el¶etron fracamente
ligado. Uma aproxima»ca~o para esse modelo ¶e usar os resultados do modelo de Bohr.
Para o estado fundamental (n=1) temos:

Onde o valor de deve ser modi¯cado do seu valor no espa»co livre para,
onde ¶e a constante diel¶etrica do material semicondutor. Al¶em disso deve-se usar a
massa efetiva do semicondutor no lugar de m.
: Calcule a energia de liga»c~ao do doador para o Ge

Esta ¶e a energia necess¶aria para excitar o el¶etron doador do estado n=1 para o estado
livre (n= ). Esta energia corresponde aµ diferen»ca de energia .
Nos compostos III- V, impurezas da coluna VI ocupam os s¶³tios dos elementos V e
servem como doadores. Por exemplo S, Se e Te s~ao doadores no GaAs, pois eles ocupam
o s¶³tio do As substituindo-o e dessa forma fornecendo um el¶etron extra. Similarmente, as
impurezas da coluna II (Be,Zn,Cd) substituem os a¶tomos da coluna III para formar s¶³tios
aceitadores nos compostos III- V.
Um caso diferente resulta quando o composto III-V (GaAs) ¶e dopado por Si
ou Ge, ambos da coluna IV. Estas impurezas s~ao chamadas de anfot¶ericas, signi¯cando
que o Si e o Ge podem servir como doadores ou aceitadores, dependendo se eles ser~ao
incorporados nos s¶³tios III ou V respectivamente.
O mais comum ¶e o Si no sitio do Ga, ou seja ele ¶e um doador, contudo,
dependendo das condi»co~es de crescimento (temperaturas, velocidade, press~ao, etc...) ele
pode ser incorporado no s¶³tio do As e se torna aceitador.
A import^ancia da dopagem se tornar¶a o¶bvia quando formos estudar os dispositivos
eletr^onicos feitos da jun»ca~o de um semicondutor tipo n com um tipo p.
Quando um semicondutor ¶e dopado tipo n ou tipo p, um dos tipos de
portadores ¶e dominante. Chamaremos o pequeno n¶ umero de buracos no material tipo n
de portadores minorit¶arios e o grande n¶ umero de el¶etrons da banda de condu»c~ao de
portadores majorit¶arios. Do mesmo modo, el¶etrons s~ao minorit¶arios no tipo p e os buracos
s~ao majorit¶arios.

3.5 El¶
etrons e Buracos no Po»co Qu^
antico
At¶e agora n¶os discutimos n¶³veis de energia discretos no gap de energia resultante da
dopagem e um cont¶³nuo de energia de estados permitidos nas bandas de val^encia e de
condu»ca~o. Uma terceira possibilidade ¶e a forma»ca~o de n¶³veis discretos para el¶etrons
e buracos como resultado do con¯namento qu^antico.
O crescimento de multicamadas semicondutoras pela t¶ecnica de MBE, permite a
deposi»ca~o de camadas adjacentes de materiais com energias de gap diferente conforme
mostra a ¯gura 3.8

Figura 3.8: Descontinuidade na banda de energia de uma camada de GaAs sanduichada entre camadas de
AlGaAs que possui gap de energia maior. Neste caso, a regi~
ao do GaAs e t~ ao ¯na que estados qu^
anticos s~
ao
formados nas bandas de condu»c~ao e val^encia.

Vemos uma varia»ca~o espacial nas bandas de condu»c~ao e val^encia para a estrutura
multicamada onde uma camada ¯na de GaAs ¶e sanduichada entre duas camadas de
AlGaAs, as quais possuem energia de gap maior do que a do GaAs. Uma conseqÄ u^encia
do con¯namento de el¶etrons e buracos em uma camada ¯na ¶e que estas part¶³culas se
comportam como uma part¶³cula num po»co potencial. Assim, ao inv¶es de termos um
cont¶³nuo de estados poss¶³veis na banda de condu»ca~o, os el¶etrons da banda de condu»ca~o no
material de menor est~ao con¯nados a estados qu^anticos discretos, conforme descrito
pela equa»ca~o modi¯cada para a massa efetiva e barreiras de altura ¯nita.
Tamb¶em, os estados poss¶³veis na banda de val^encia para os buracos s~ao restritos aos
n¶³veis discretos no po»co qu^antico.
Do ponto de vista de um dispositivo pr¶atico, a forma»ca~o de estados qu^anticos
discretos na camada de GaAs, muda a energia na qual os f¶otons podem ser emitidos. Um
el¶etron no estado discreto da banda de condu»ca~o pode fazer uma transi»ca~o para um
n¶³vel discreto vazio na banda de val^encia no po»co qu^antico de GaAs , dando um f¶oton
com energia maior do que a do GaAs. Lasers semicondutores t^em sido
feitos usando o po»co qu^antico para aumentar a energia de transi»ca~o do infravermelho que
¶e o t¶³pico do GaAs, para a por»c~ao vermelha do espectro.
3.6 Concentra»c~
ao de Portadores
Nos c¶alculos das propriedades el¶etricas dos semicondutores e nas an¶alises dos
comportamentos dos dispositivos, ¶e frequentemente necess¶ario conhecer-se o n¶ umero de
portadores de carga por volume (n ou p) no material. A concentra»c~ao de portadores
majorit¶arios ¶e ¶obvia no material pesadamente dopado, uma vez que o n¶ umero de
portadores majorit¶arios ¶e obtido para cada a¶tomo de impureza (por exemplo,
10 ¶atomos fornecem 10 el¶etrons).
A concentra»ca~o de portadores minorit¶arios e tamb¶em a depend^encia das concentra»co~es
de portadores com a temperatura, n~ao ¶e t~ao simples de obter. Para encontrar as equa»co~es
para as concentra»c~oes de portadores devemos estudar a distribui»c~ao dos portadores sobre
os estados de energia poss¶³veis. Este tipo de distribui»ca~o n~ao ¶e dif¶³cil de calcular, mas
requer conhecimento de m¶etodos estat¶³sticos. Desde que estamos somente interessados
na aplica»ca~o destes resultados aos materiais semicondutores e dispositivos, aceitaremos a
fun»c~ao distribui»ca~o como dada.

N¶³vel de Fermi

Os el¶etrons nos s¶olidos obedecem µa estat¶³stica de Fermi-Dirac (part¶³culas cl¶assicas

obedecem µa estat¶³stica de Maxwell-Boltzamnn e os f¶otons obedecem a de Bose-Einstein).
No desenvolvimento da estat¶³stica de Fermi-Dirac, devemos considerar que os el¶etrons
s~ao indistingu¶³veis, que eles s~ao tamb¶em onda e que o princ¶³pio de exclus~ao de Pauli ¶e
v¶alido (em um a¶tomo multieletr^onico nunca pode haver mais de um el¶etron ocupando o
mesmo estado qu^antico). O resultado destes argumentos estat¶³sticos ¶e que a distribui»ca~o
dos el¶etrons sobre todos os n¶³veis de energia permitidas no equil¶³brio t¶ermico ¶e:

onde:
k = 1,38 J/K ¶e a constante de Boltzmann
¶e a fun»ca~o distribui»c~ao de Fermi-Dirac
¶e o n¶³vel de Fermi ou energia de Fermi
A d¶a a probabilidade que um estado de energia poss¶³vel em seja ocupado por
um el¶etron na temperatura . Podemos notar que, quando a probabilidade de
ocupa»ca~o ¶e:

1
Assim um estado de energia no n¶³vel de Fermi tem uma probabilidade de 2
de ser
ocupado por um el¶etron, conforme pode ser visto na ¯gura 3.9. Para a temperatura
 a distribui»ca~o de tem a forma retangular mostrada na ¯gura, se
e se estados de energia abaixo de est~ao
preenchidos em T =0K e os estados de energia acima de est~ao vazios em T = 0K. Para
T 0K, h¶a uma probabilidade de que existam estados de energia acima do n¶³vel de Fermi
preenchidos. Na ¯gura podemos ver ainda que ¶e a probabilidade de que os estados
acima de estejam cheios, logo a probabilidade descreve a possibilidade de
existirem estados vazios abaixo de .A fun»c~ao de Fermi ¶e sim¶etrica em torno de
para todas as temperaturas.A probabilidade que o estado acima de
esteja preenchido ¶e a mesma que a probabilidade que o estado abaixo
de esteja vazio. Esta simetria torna o n¶³vel de Fermi uma refer^encia natural para o

c¶alculo das concentra»c~oes de el¶etrons e buracos nos semicondutores.

Figura 3.9 { Fun»c~

ao distribui»c~
ao de Fermi-Dirac.

Podemos visualizar melhor a rela»ca~o entre e a estrutura de banda do semicon-

dutor na ¯gura 3.10. Para o material intr¶³nseco sabemos que a concentra»ca~o de buracos
na banda de val^encia e de el¶etrons na banda de condu»ca~o s~ao iguais, assim o n¶³vel de
Fermi est¶a no meio do gap de energia ( ) (veremos mais adiante que devido aµs massas
dos portadores el¶etron e buraco serem diferentes, esta energia estar¶a levemente deslocada
em rela»c~ao ao meio do gap).
Para o material tipo n existe alta concentra»ca~o de el¶etrons na banda de condu»ca~o
comparado aµ concentra»c~ao de buracos na banda de val^encia, assim a fun»ca~o distribui»ca~o
se desloca para cima em rela»c~ao µa sua posi»ca~o no material intr¶³nseco. Uma vez

que ) mant¶em sua forma para uma mesma temperatura, uma maior concentra»ca~o de

el¶etrons na banda de condu»ca~o no material tipo implica uma menor concentra»ca~o

de buracos na banda de val^encia . Notamos que, o valor de para cada n¶³vel de
energia na banda de condu»ca~o aumenta a medida que move-se para mais pr¶oximo de
. Por isso, a diferen»ca de energia nos fornece uma medida da concentra»ca~o de
el¶etrons ( ), cuja rela»ca~o matem¶atica veremos mais adiante.

Para o material tipo , o n¶³vel de Fermi ¯ca mais pr¶oximo da banda de val^encia.
O valor de indica uma forte dopagem tipo .
Nos diagramas de energia indicamos somente a posi»ca~o da energia de Fermi ,
em vez de . Isto nos d¶a informa»c~ao su¯ciente, desde que para uma dada temperatura,
a posi»ca~o do n¶³vel de Fermi implica nas distribui»co~es da ¯gura 3.10.

Figura 3.10 { Fun»c~

ao distribui»ca
~o de Fermi-Dirac aplicada aos semicondutores a) intr¶³nseco; b) tipo n e c) tipo p.

Concentra»c~
ao de el¶
etrons e buracos no equil¶³brio

A fun»ca~o distribui»ca~o de Fermi pode ser usada para calcular as concentra»co~es de

buracos e el¶etrons em um semicondutor, se as densidades de estados poss¶³veis nas bandas
de condu»c~ao e val^encia s~ao conhecidas. Por exemplo, a concentra»c~ao de el¶etrons na banda
de condu»ca~o ¶e:

onde ¶e a densidade de estados por volume no intervalo de energia . O ¶³ndice \0"

usado na concentra»ca~o de el¶etrons e buracos e indica as condi»co~es de equil¶³brio. O
n¶
umero de el¶etrons por unidade de volume no intervalo de energia ¶e o produto da
densidade de estados e a probabilidade de ocupa»ca~o . Por isso a concentra»c~ao de
el¶etrons na equa»ca~o 3.13 ¶e a integral sobre toda a banda de condu»ca~o (limite inferior ).
Como a f(E) torna-se muito pequena para grandes valores de , o limite superior da in-
tegral n~ao ¶e muito importante.
A fun»ca~o pode ser calculada usando-se a mec^anica qu^antica e o princ¶³pio de
exclus~ao de Pauli.O c¶alculo n~ao ser¶a mostrado aqui, apenas o resultado:

/h

Vemos ent~ao que a densidade de estados na banda de condu»ca~o aumenta com a energia
do el¶etron. Por outro lado, a fun»ca~o de Fermi torna-se muito pequena para grandes
energias. O resultado ¶e que o produto diminui muito rapidamente acima de
e muito poucos el¶etrons ocupar~ao estados de energia muito acima do fundo da banda de
condu»ca~o. Da mesma forma, a probabilidade de encontrarmos estados vazios (buracos)
na banda de val^encia diminui muito rapidamente abaixo de e muitos buracos ocupar~ao
estados muito pr¶oximos ao topo da banda de val^encia como pode ser visto na ¯gura 3.11.

Figura 3.11 { Diagrama de banda, densidade de estados, distribui»c~ ao de Fermi Dirac e concentra»c~ ao de
portadores para semicondutores no equil¶³brio t¶ermico a) intr¶³nseco; b) tipo n e c) tipo p.
 O resultado da equa»ca~o 3.13 ser¶a onde ¶e a densidade de estados
efetiva:

Assumindo que est¶a muitos abaixo da banda de condu»ca~o, o termo exponencial

em 3.16 ¯ca grande quando comparado com a unidade e assim pode ser simpli¯cada
para . Na temperatura ambiente (300K) . Logo:

Da mesma forma, a concentra»ca~o de buracos na banda de val^encia ser¶a

onde ¶e a densidade de estados efetiva:

Para maior do que por alguns temos:

As equa»co~es 3.17 e 3.20 s~ao v¶alidas para materiais intr¶³nsecos ou dopados, desde que
o equil¶³brio t¶ermico seja mantido. Por isso, para um material intr¶³nseco, o n¶³vel de Fermi
estar¶a em algum n¶³vel intr¶³nseco pr¶oximo ao meio do gap, e as concentra»co~es intr¶³nsecas
de el¶etrons e buracos ser~ao:

O produto de e no equil¶³brio ¶e uma constante para um dado material a uma dada

temperatura. Assim:

Onde ¶e a energia de gap .

Do mesmo modo:
 As concentra»co~es intr¶³nsecas de buracos e el¶etrons s~ao iguais, pois eles s~ao criados
aos pares, logo:

O produto constante da concentra»ca~o de el¶etrons e buracos pode ser escrita como:

A equa»c~ao 3.26 ¶e uma equa»c~ao muito importante e ser¶a bastante utilizada mais adiante.
Por exemplo, a concentra»ca~o intr¶³nseca do sil¶³cio (Si) a temperatura ambiente (300K) ¶e
conhecida e tabelada e vale .
Comparando-se as equa»co~es 3.21 e 3.25 vemos que o n¶³vel intr¶³nseco est¶a no meio
do gap de energia , se as densidades e forem iguais. Como j¶a vimos,
existe uma diferen»ca nas massas efetivas dos el¶etrons e dos buracos, assim as express~oes
de e s~ao ligeiramente diferentes. Logo, o n¶³vel intr¶³nseco estar¶a levemente deslocado
do meio do gap.
Uma outra forma de se escrever as equa»co~es para e ¶e:

Estas equa»c~oes indicam diretamente que a concentra»ca~o de el¶etrons ser¶a quando

e que aumenta exponencialmente quando se afasta de em dire»c~ao a
banda de condu»ca~o. O mesmo ¶e verdadeiro para os buracos, ou seja, varia de para
grandes valores a medida que move-se para mais perto da banda de val^encia.

: Uma amostra de Si ¶e dopada com ¶atomos de ars^enio (As)/cm . Qual ¶e

a concentra»c~ao de buracos no equil¶³brio em T = 300K? Onde est¶a relativamente a
? .

: Como ¶e muito maior do que n , podemos aproximar e:

De temos:
 Depend^
encia na temperatura da concentra»c~
ao de portadores

A varia»c~ao da concentra»ca~o de portadores com a temperatura ¶e indicada pelas equa»co~es

3.27 e 3.28. Inicialmente, a varia»ca~o de e com a temperatura parece ser direta
nesta rela»ca~o. O problema torna-se complicado pelo fato de que tem uma
forte depend^encia com a temperatura e tamb¶em .Examinando primeiro .Usando os
valores das equa»co~es 3.15 e 3.18 obteremos:

A depend^encia exponencial na temperatura domina na equa»ca~o 3.29 e um gr¶a¯co

de versus ¶e quase linear como mostra a ¯gura 3.12. Nesta ¯gura negligenci-
amos a varia»ca~o devida a dependente da fun»c~ao densidade de estados e tamb¶em o
fato que varia com a temperatura (para o Si a energia do gap varia de 1,11 eV para
para at¶e 1,16 eV em 0 K). O valor de em qualquer temperatura ¶e um n¶
umero
de¯nido para um dado semicondutor e ¶e conhecido para v¶arios materiais. Assim podemos
tomar como dado no c¶alculo de e . Com e T dados, os termos desconhecidos na
equa»ca~o de e s~ao as concentra»co~es de portadores e o n¶³vel de Fermi em rela»c~ao a .
Uma destas duas quantidades precisa ser dada para que a outra possa ser conhecida.
 Figura 3.12 { Concentra»ca
~o de portadores intr¶³nsecos para o Ge, Si e GaAs como uma fun»ca ~o do inverso da
temperatura. Os valores para a temperatura ambiente s~ ao marcados para refer^encia.

A depend^encia com a temperatura da concentra»ca~o de el¶etrons em um semicon-

dutor dopado, pode ser vista na ¯gura 3.13. Nesta ¯gura o Si ¶e dopado tipo n com
.Em temperaturas baixas, poucos pares el¶etron-buraco existem, e os el¶etrons
doadores ainda est~ao ligados aos ¶atomos doadores. A medida que a temperatura aumenta,
estes el¶etrons s~ao excitados para a banda de condu»ca~o, e em uma temperatura de 100 K
todos os a¶tomos doadores est~ao ionizados. Esta regi~ao de temperatura ¶e chamada de
regi~ao de ioniza»ca~o. Uma vez que os doadores est~ao ionizados, a concentra»ca~o de el¶etrons
na banda de condu»ca~o ¶e , pois um el¶etron ¶e obtido de cada a¶tomo.
Quando muitos el¶etrons extr¶³nsecos foram transferidos para a banda de condu»ca~o, ¶e vir-
tualmente constante com a temperatura at¶e que a concentra»ca~o de portadores intr¶³nsecos

torne-se compar¶avel µa concentra»ca~o de extr¶³nsecos . Em temperaturas muito altas,

torna-se muito maior do que e assim a concentra»c~ao de portadores intr¶³nsecos domina.
Em muitos dispositivos ¶e desej¶avel se controlar a concentra»ca~o de portadores por dopagem
em vez da gera»ca~o t¶ermica de pares el¶etron-buraco. Por isso dopamos o material de tal
forma que a regi~ao extr¶³nseca se estenda at¶e as altas temperaturas nas quais o dispositivo
ser¶a usado.

Figura 3.13 { Concentra»c~

ao de portadores versus o inverso da temperatura para o Si dopado
.

Compensa»ca
~o e neutralidade de carga espacial

Quando o conceito de dopagem foi introduzido, n¶os assumimos que o material continha
ou doadores ou aceitadores, assim a concentra»ca~o de portadores majorit¶arios
extr¶³nsecos era ou . Contudo, frequentemente acontece de o semicon-
dutor conter ambos, doadores e aceitadores. A ¯gura 3.14 mostra um semicondutor com
ambas as dopagens, onde ¶e maior do que . A predomin^ancia de doadores faz o
material tipo n, assim o n¶³vel de Fermi est¶a na parte superior do gap de energia. Como
o n¶³vel de Fermi est¶a bem acima do n¶³vel aceitador , este n¶³vel est¶a essencialmente
preenchido com el¶etrons. Contudo, com a energia de Fermi acima de , n¶os n~ao podemos
esperar uma concentra»c~ao de buracos na banda de val^encia comensurada com a concen-
tra»ca~o de aceitadores. De fato, o preenchimento dos estados ocorre as custas dos
el¶etrons doadores na banda de condu»c~ao. O mecanismo pode ser visualizado como se
segue. Assumindo que o estado aceitador esteja preenchido com el¶etrons da banda de
val^encia, resultando em buracos na banda de val^encia. Este buraco ¶e ent~ao preenchido
pela recombina»c~ao com um el¶etron da banda de condu»ca~o. Estendendo esta l¶ogica a todos
os ¶atomos aceitadores, esperamos que a concentra»ca~o de el¶etrons resultante na banda de
condu»ca~o seja ao inv¶es do total de . Este processo ¶e chamado de compensa»ca~o.
Por este processo ¶e poss¶³vel come»car-se com um semicondutor tipo n e adicionar aceita-
dores, at¶e que e n~ao existam mais el¶etrons doados na banda de condu»ca~o. Em tal
material compensado, e a condu»ca~o intr¶³nseca ¶e obtida. Com mais dopantes
aceitadores o semicondutor torna-se tipo p com uma concentra»c~ao de buracos .

Figura 3.14: Compensa»c~

ao em um semicondutor tipo n

A rela»c~ao exata entre el¶etrons, buracos, concentra»ca~o de doadores e aceitadores, pode

ser obtida considerando-se a neutralidade de carga espacial. Se o material permanece
eletrostaticamente neutro, a soma das carga positivas (buracos e doadores ionizados)
deve balancear a soma das cargas negativa (el¶etrons e aceitadores ionizados):
 A concentra»c~ao l¶³quida de el¶etron na ¯gura 3.14 ¶e:

Se o material ¶e dopado tipo n ( ¶e muito maior ) e todas as impurezas est~ao ionizadas

temos que . Uma vez que o semicondutor intr¶³nseco ¶e por ele mesmo neutro
eletrostaticamente, a equa»ca~o 3.30 deve ser mantida no equil¶³brio. As concentra»co~es de
el¶etron e buraco e o n¶³vel de Fermi s~ao ajustados de forma que a equa»ca~o 3.30 e a equa»ca~o
3.27 sejam satisfeitas.

3.7 Condutividade e mobilidade

O conhecimento da concentra»c~ao de portadores em s¶olidos ¶e necess¶ario para calcular-

se o °uxo de corrente na presen»ca de campos el¶etricos e magn¶eticos. Al¶em dos valores
de n e p, devemos levar em conta as colis~oes dos portadores de carga com a rede e
com impurezas. Estes processos afetar~ao a facilidade com que el¶etrons e buracos °uem
atrav¶es do cristal, isto ¶e, sua mobilidade dentro do s¶olido. Como esperado as colis~oes e os
processos de espalhamento dependem da temperatura, a qual afeta o movimento t¶ermico
dos a¶tomos da rede e a velocidade dos portadores.

Os portadores de carga no s¶olido est~ao em constante movimento, mesmo no

equil¶³brio t¶ermico. Na temperatura ambiente, o movimento t¶ermico dos el¶etrons in-
dividuais pode ser visualizado como um espalhamento rand^omico nos a¶tomos da rede,
impurezas, outros el¶etrons e defeitos. Como o espalhamento ¶e rand^omico, n~ao existe
movimento l¶³quido do grupo de el¶etrons por volume em qualquer per¶³odo de tempo.
Isto n~ao ¶e verdadeiro para um u
¶nico el¶etron. O el¶etron da ¯gura 3.15 tem uma proba-
bilidade muito pequena de retornar ao seu ponto de partida depois de um certo tempo.
Contudo, se um n¶
umero muito grande de el¶etrons no semicondutor tipo n) ¶e
considerado, n~ao existir~ao dire»c~oes preferenciais para o movimento do grupo de el¶etrons
e nenhum °uxo de corrente l¶³quida. Se um campo el¶etrico ¶e aplicado na dire»ca~o , cada
el¶etron experimentar¶a uma for»ca . Esta for»ca pode ser insu¯ciente para alterar apre-
ciavelmente o caminho rand^omico de um u
¶nico el¶etron; o efeito sobre a m¶edia total de
el¶etrons, contudo, ¶e um movimento do grupo na dire»c~ao . Se ¶e a componente do
momento total do grupo, a for»ca do campo sobre os n el¶etrons por volume ¶e:

A equa»ca~o 3.32 parece indicar uma acelera»ca~o cont¶³nua dos el¶etrons na dire»ca~o . Este
n~ao ¶e o caso, porque a acelera»c~ao l¶³quida ¶e exatamente balanceada no estado estacion¶ario
pela desacelera»ca~o dos processos de colis~ao. Por isso, enquanto o campo estacion¶ario
produz um momento , a taxa l¶³quida de mudan»ca do momento quando as colis~oes
s~ao inclu¶³das deve ser zero no caso de °uxo de corrente no estado estacion¶ario. Para
encontrar a taxa total das mudan»cas do momento das colis~oes, devemos investigar as
probabilidades de colis~ao mais a fundo. Se as colis~oes s~ao rand^omicas, existir¶a uma
probabilidade constante de colis~ao em qualquer tempo para cada el¶etron.

Figura 3.15 { Movimento t¶ermico do el¶etron.

Vamos considerar um grupo de el¶etrons no tempo e de¯nir como o n¶

umero
de el¶etrons que n~ao tenham sofrido uma colis~ao no tempo . A taxa de diminui»c~ao em
em qualquer tempo ¶e proporcional ao n¶
umero que deixou de ser espalhado em t:

Onde ¶e uma constante de proporcionalidade e representa o tempo m¶edio entre os

eventos de espalhamento, chamado de tempo livre m¶edio ou tempo de colis~ao ou tempo
de relaxa»c~ao. A solu»ca~o da equa»ca~o 3.33 ¶e uma fun»ca~o exponencial:

A probabilidade de qualquer el¶etron ter uma colis~ao no intervalo de tempo ¶e . Por

isso, a mudan»ca na diferencial em p devido aµs colis~oes no tempo dt ser¶a:

A taxa de varia»c~ao de devido aµ desacelera»ca~o pelas colis~oes ¶e:

 A soma das acelera»c~oes e desacelera»co~es deve ser zero no estado estacion¶ario. Somando
-se as equa»c~oes 3.32 e 3.36 temos:

O momento m¶edio por el¶etron ¶e:

Como esperado para o estado estacion¶ario a equa»ca~o 3.38 indica que os el¶etrons tem
na m¶edia uma velocidade l¶³quida na dire»c~ao de negativo:

Os el¶etrons individualmente se movem em muitas dire»co~es durante um dado per¶³odo

de tempo mas pela equa»ca~o 3.39, vemos que existe uma deriva l¶³quida dos el¶etrons em
resposta ao campo el¶etrico. A velocidade de deriva descrita acima, ¶e muito menor do
que a velocidade rand^omica devido ao movimento t¶ermico . A densidade de corrente
resultante desta deriva ¶e o n¶
umero de el¶etrons que cruzam a unidade de a¶rea por unidade
de tempo multiplicada pela carga do el¶etron:

Substituindo-se pela equa»c~ao 3.39 o valor da velocidade m¶edia obtemos:

A densidade de corrente ¶e proporcional ao campo el¶etrico, como esperado pela lei de

Ohm:

Onde ¶e a condutividade e pode ser escrita como onde:

¶e a mobilidade e descreve a facilidade com que os el¶etrons derivam no material. A mo-

bilidade ¶e um par^ametro muito importante na caracteriza»ca~o de materiais semicondutores
e no desenvolvimento de dispositivos. A mobilidade tamb¶em pode ser expressa como a

velocidade de deriva m¶edia da part¶³cula pela unidade de campo el¶etrico:

 O sinal menos na de¯ni»c~ao resulta em um valor positivo para a mobilidade, pois os
el¶etrons derivam em dire»c~ao oposta ao campo. A densidade de corrente pode ser escrita
em termos de mobilidade como:

Estas equa»c~oes foram obtidas e baseadas na hip¶otese da corrente ser devida primaria
mente a el¶etrons. Para a condu»ca~o por buracos, trocamos n por p {q por +q e por
onde = . Se ambos, el¶etrons e buracos participam , teremos:

Como vemos que .Vemos tamb¶em que para um grande, as mobili-

dades tamb¶em o ser~ao. Veremos mais adiante que ¶e dependente da temperatura e da
concentra»c~ao de impurezas no semicondutor.

Deriva e Resist^
encia
Se uma barra semicondutora como o da ¯gura 3.16 cont¶em ambos os portadores, a
equa»ca~o 3.46 nos d¶a a condutividade do material. A resist^encia da barra ser¶a:

Onde ¶e a resistividade do material.

O mecanismo f¶³sico da deriva de portadores requer que os buracos na barra se
movam como um grupo na dire»ca~o do campo el¶etrico e que os el¶etrons se movam como
um grupo na dire»c~ao oposta. Ambas as componentes de corrente (do el¶etron e do buraco)
est~ao na dire»ca~o do campo el¶etrico, uma vez que a corrente convencional ¶e positiva na
dire»ca~o do °uxo de buracos e oposta aµ dire»ca~o do °uxo de el¶etrons.

Figura 3.16 { Deriva de el¶etrons e buracos em uma barra semicondutora.

 A densidade de corrente ¶e constante atrav¶es da barra. Se considerarmos que os
contatos feitos na barra s~ao o^hmicos (eles s~ao fontes e sumidouros perfeitos para os dois
tipos de portadores), e que a corrente ¶e levada para o circuito externo por el¶etrons, n~ao
h¶a problema de visualizarmos el¶etrons °uindo de uma ponta aµ outra da barra (sempre
oposto a corrente). Assim, para cada el¶etron que deixa a barra em , outro entra em
, logo , a concentra»ca~o de el¶etrons na barra permanece constante e igual a n. Mas o
que acontece com o buraco nos contatos? Quando um buraco alcan»ca o contato o^hmico
em , ele se recombina com um el¶etron, que foi suprido pelo circuito externo. Como
este buraco desapareceu, um outro buraco deve aparecer em e manter a neutralidade
¶ razo¶avel considerar a fonte deste buraco com sendo a gera»ca~o de um
de carga espacial. E
par el¶etron buraco em , com buracos °uindo na barra e el¶etrons °uindo no circuito
externo.

Efeitos da temperatura e da dopagem sobre a mobilidade

Os dois tipos b¶asicos de mecanismos de espalhamento que in°uenciam a mobilidade

de el¶etrons e buracos s~ao: espalhamento pela rede (f^onons) e espalhamento por impurezas.
No espalhamento pela rede um portador se movendo atrav¶es do cristal ¶e espalhado pela
vibra»c~ao da rede, resultante do efeito da temperatura (vibra»co~es coletivas de a¶tomos no
cristal s~ao chamadas de f^onons). A freqÄ
u^encia de tal evento de espalhamento aumenta
com o aumento da temperatura, uma vez que a agita»ca~o da rede torna-se maior. Portanto,
esperamos que a mobilidade diminua com o aquecimento da amostra, conforme mostra a
¯gura 3.17.
Por outro lado o espalhamento por defeitos do cristal, tal como as impurezas ionizadas,
torna-se o mecanismo dominante a baixas temperaturas. Uma vez que os ¶atomos de uma
rede \gelada" s~ao menos agitados, o espalhamento pela rede torna-se menos importante ;
por¶em, o movimento t¶ermico dos portadores ¶e tamb¶em mais lento.

Figura 3.17 { Depend^encia aproximada da mobilidade com a temperatura com ambos os tipos de espalhamento,
 pela rede e por impurezas.

Um portador movendo-se lentamente ¶e espalhado mais fortemente por uma in-

tera»ca~o com um ¶³on carregado do que um portador com grande momento, eventos de
espalhamento por impurezas causam uma diminui»c~ao na mobilidade com a diminui»ca~o da
temperatura. Como pode ser visto da ¯gura 3.17, existe uma depend^encia de com
a temperatura para o espalhamento pela rede e de pelo espalhamento por impurezas.

Figura 3.18 { Varia»c~

ao da mobilidade com a concentra»c~
ao total de impurezas (N + N ) para o Ge, Si e GaAs
a T = 300K.

Uma vez que a probabilidade de espalhamento dada por ¶e inversamente

proporcional ao tempo livre m¶edio e portanto µa mobilidade, as mobilidades devidas aos
dois ou mais mecanismos de espalhamento somados inversa
mente s~ao ... .Como resultado, o mecanismo que causa uma mobilidade
mais baixa deve dominar, como pode ser visto na ¯gura 3.17. A medida que a concen-
tra»ca~o de impurezas aumenta, os efeitos do espalhamento por impurezas s~ao sentidos em
temperaturas mais altas. Na ¯gura 3.18 vemos um exemplo. A mobilidade do el¶etron
de um sil¶³cio intr¶³nseco a 300 K ¶e . Com uma concentra»c~ao de doadores
de , contudo, ¶e de apenas . Por isso a presen»ca de doadores
ionizados introduz uma quantidade signi¯cante de impurezas espalhadoras.

Efeitos de alto campo

Inicialmente, supusemos que a Lei de Ohm ¶e v¶alida para o processo de deriva de

portadores. Assumimos que a corrente de deriva era proporcional ao campo el¶etrico e que
a constante de proporcionalidade ( ) n~ao era fun»ca~o do campo el¶etrico. Esta hip¶otese ¶e
v¶alida para uma larga regi~ao do campo el¶etrico. Contudo, campos muito altos (maiores
do que podem causar velocidades de deriva e portanto densidades de corrente
que exibem uma depend^encia sublinear com o campo el¶etrico. Esta depend^encia da
condutividade com o campo ¶e um exemplo do efeito de portadores quentes, o qual implica
que a velocidade de deriva ¶e compar¶avel a velocidade t¶ermica . Na ¯gura 3.19 podemos
notar esta efeito. Em muitos casos o limite superior ¶e alcan»cado para velocidade de
deriva do portador em altos campos. Isto ocorre pr¶oximo aµ velocidade t¶ermica m¶edia
(aproximadamente ) e representa o ponto no qual a energia somada pelo campo
¶e transferida para a rede ao inv¶es de aumentar a velocidade do portador. O resultado
desta velocidade limitada pelo espalhamento ¶e uma corrente bastante constante em altos
campos. Este comportamento ¶e t¶³pico para o Si e o Ge e alguns outros semicondutores.

Figura 3.19 { Satura»ca

~o da velocidade de deriva do el¶etron para o Si em campos el¶etricos altos.

Contudo, existem outros efeitos interessantes em alguns outros materiais, como por
exemplo, uma diminui»ca~o na velocidade de deriva em altos campos para o GaAs e outros
materiais; o que resulta em uma condutividade negativa e instabilidades de corrente
na amostra. Outro efeito importante em altos campos ¶e o efeito de multiplica»ca~o por

avalanche que veremos mais adiante.

Efeito Hall

Se um campo magn¶etico ¶e aplicado perpendicularmente µa dire»c~ao na qual os buracos

derivam em uma barra semicondutora tipo p, o caminho dos buracos tende a ser de°etido,
como pode ser visto na ¯gura 3.20. Usando- se a nota»ca~o vetorial, a for»ca total sobre um
u
¶nico buraco devido aos campos el¶etricos e magn¶eticos ¶e:

A for»ca na dire»ca~o y ¶e . O resultado importante ¶e que a menos que um

campo el¶etrico esteja aplicado ao longo da largura da barra, cada buraco experimentar¶a
uma for»ca l¶³quida (e por isso uma acelera»c~ao) na dire»ca~o devido ao produto .
Portanto para manter um °uxo de buracos no estado estacion¶ario para baixo no sentido do
comprimento da barra, o campo el¶etrico deve equilibrar-se exatamente com o produto
, assim a for»ca l¶³quida ser¶a zero. Fisicamente o campo el¶etrico aparece quando
o campo magn¶etico desloca a distribui»ca~o de buracos na dire»c~ao . A medida que
torna-se grande o su¯ciente para ser comparado com , nenhuma for»ca lateral ser¶a
experimentada pelos buracos a medida que eles derivam pela barra. O aparecimento de
uma campo el¶etrico ¶e conhecido como Efeito Hall, e a tens~ao resultante ¶e
chamada de Tens~ao Hall. Usando a express~ao para a velocidade de deriva e
usando e para os buracos, o campo torna-se:

Assim, o campo Hall ¶e proporcional ao produto da densidade de corrente e o °uxo

do campo magn¶etico. A constante de proporcionalidade ¶e chamada de coe¯ciente Hall
(R ). A medida da tens~ao Hall para uma corrente conhecida e um dado campo magn¶etico

fornece o valor da concentra»c~ao de buracos p :

 Como as quantidades do lado direito da equa»ca~o 3.50 podem ser medidas, o efeito Hall
pode ser usado para dar valores muito precisos para a concentra»c~ao de portadores. Se
medirmos a resist^encia R, a resistividade da amostra pode ser calculada por:

Como a condutividade ( = 1/ ) ¶e dada por q p , a mobilidade ¶e simplesmente a

raz~ao do coe¯ciente Hall e a resistividade:

Tais medidas (gr¶a¯cos de p x T e x T) s~ao muito u

¶teis na an¶alise de materiais
semicondutores. Resultados similares s~ao obtidos para o material tipo . Usando o valor
negativo para a carga dos el¶etrons, a tens~ao Hall e o coe¯ciente Hall ser~ao negativos. O
sinal da tens~ao Hall ¶e comumente usado para determinar se a amostra ¶e do tipo ou do
tipo .

Figura 3.20 { Efeito Hall.

3.8 Difus~
ao

Quando um excesso de portadores ¶e criado n~ao uniformemente em um semicondutor,

a concentra»ca~o de el¶etrons e buracos varia com a posi»c~ao na amostra. Toda varia»ca~o
espacial (gradiente) em n e p signi¯ca um movimento l¶³quido de portadores da regi~ao de
mais alta concentra»ca~o para a regi~ao de mais baixa concentra»c~ao de portadores. Este tipo
de movimento ¶e chamado de difus~ao e representa um importante processo de transporte
de cargas em semicondutores. Os dois processos b¶asicos de condu»c~ao de corrente s~ao
difus~ao atrav¶es do gradiente de portadores e o de deriva devido ao campo el¶etrico.

Difus~
ao e deriva de portadores

Se um campo el¶etrico est¶a presente em adi»ca~o ao gradiente de concentra»ca~o, a den-

sidade de corrente ter¶a um componente devido µa deriva e outro componente devido aµ
difus~ao. Em uma dire»c~ao teremos:

A densidade de corrente total ser¶a a soma de e :

Na ¯gura 3.21 assumimos um campo el¶etrico e as distribui»co~es e de

portadores diminuindo com o aumento de . Assim temos e e a difus~ao
ocorre na dire»ca~o positiva de . As correntes de difus~ao de el¶etrons e buracos e
est~ao em dire»co~es opostas. Buracos derivam na dire»ca~o do campo, enquanto os
el¶etrons derivam em dire»ca~o oposta devido aµ sua carga negativa. A corrente de deriva
resultante para ambos, contudo, est¶a na dire»ca~o de positivo.

Figura 3.21 { Dire»c~

oes para deriva e difus~
ao de el¶etrons e buracos devido a um gradiente de concentra»ca
~o e a um
campo el¶etrico. Os °uxos das part¶³culas s~ao indicados pelas setas pontilhadas e as correntes resultantes pelas
setas s¶
olidas.
 Um resultado importante ¶e que os portadores minorit¶arios contribuem signi¯cante-
mente para a corrente atrav¶es da difus~ao. Os termos de deriva s~ao proporcionais µa con-
centra»ca~o de portadores, assim os portadores minorit¶arios contribuem muito pouco para
a corrente de deriva. Por outro lado, a corrente de difus~ao ¶e proporcional ao gradiente da
concentra»c~ao. Por exemplo, em um material tipo a concentra»c~ao de buracos minorit¶arios
p pode ser muitas ordens de grandeza menor do que a concentra»ca~o n, mas o gradiente
pode ser signi¯cante. Como resultado, a corrente de portadores devido µa difus~ao, pode
ser as vezes t~ao alta quanto µa corrente de portadores majorit¶arios.

Na ¯gura 3.22 podemos ver a in°u^encia do campo el¶etrico aplicado sobre as energias
do el¶etron no diagrama de bandas. Assumindo um campo , esbo»camos as bandas
como mostrado na ¯gura 3.22, para incluir a mudan»ca na energia potencial dos el¶etrons no
campo. Como os el¶etrons derivam na dire»ca~o oposta ao campo, esperamos que a energia
potencial para os el¶etrons aumente na dire»c~ao do campo. O potencial eletrost¶atico
varia na dire»ca~o oposta, uma vez que o mesmo ¶e de¯nido em termos de cargas positivas e
est¶a relacionado a energia potencial do el¶etron por . Da de¯ni»c~ao de campo
el¶etrico temos:

Podemos relacionar com no diagrama de bandas escolhendo uma refer^encia na

banda para o potencial eletrost¶atico. Estamos interessados somente na varia»ca~o espacial
em . Escolhendo com refer^encia temos:

A dire»c~ao da inclina»ca~o na banda, relativa a ¶e simples para lembrar: uma vez que
o diagrama indica energias do el¶etron, sabemos que a inclina»c~ao da banda deve ser tal
que o el¶etron derive para baixo no campo. Portanto aponta para cima no diagrama de

bandas.
 Figura 3. 22 { Diagrama de banda de energia de um semicondutor em um campo el¶etrico.

No equil¶³brio, n~ao h¶a °uxo l¶³quido de corrente no semicondutor. Assim qualquer

°utua»c~ao poderia iniciar uma corrente de difus~ao o que faria aparecer um campo el¶etrico
o qual redistribuiria os portadores por deriva. Vemos assim, que o coe¯ciente de difus~ao

e a mobilidade est~ao relacionados. O n¶³vel de Fermi no equil¶³brio n~ao varia com , e a

derivada de ¶e como j¶a visto. Assim a equa»ca~o 3.57 reduz-se µa:

conhecida como rela»c~ao de Einstein.

Difus~
ao e recombina»
c~
ao; A equa»c~
ao da continuidade

Quando estudamos a difus~ao do excesso de portadores, n¶os desprezamos a recom-

bina»c~ao. Este efeito deve ser inclu¶³do na descri»c~ao do processo de condu»c~ao, uma vez
que a recombina»ca~o pode causar uma varia»ca~o na distribui»c~ao de portadores. Por exem-
plo, considerando um comprimento diferencial de uma amostra semicondutora com
¶area A no plano , conforme mostrado na ¯gura 3.23. A densidade de corrente de
buracos que deixa o volume ,pode ser maior ou menor do que a densidade de
corrente entrando, , dependendo se existe gera»ca~o e recombina»ca~o de portadores den-
tro da amostra. O aumento l¶³quido de portadores buracos por unidade de tempo , ¶e
a diferen»ca entre o °uxo de buracos por unidade de volume entrando e saindo, menos a
taxa de recombina»ca~o.
 Figura 3.23 - Entrada e sa¶³da da corrente no volume .

Podemos transformar a densidade de corrente de buracos em densidade de °uxo de

buracos dividindo por . As densidades de corrente j¶a s~ao expressas por unidade de
¶area; assim, por teremos o n¶
umero de portadores entrando por unidade de volume
por unidade de tempo e ¶e o n¶
umero saindo por unidade de volume e tempo:

A medida que tende a zero, podemos escrever a mudan»ca na corrente na forma de

derivadas:

Esta equa»c~ao ¶e chamada de equa»ca~o da continuidade para buracos.

Para os el¶etrons temos:

Quando a corrente ¶e composta somente pelo termo de difus~ao (deriva ¶e desprez¶³vel),

podemos trocar as correntes nas equa»co~es 3.60 e 3.61 pelas express~oes para a corrente de
difus~ao, por exemplo, para a difus~ao de el¶etrons temos:

Substituindo a equa»ca~o 3.62 em 3.61 obteremos a equa»ca~o de difus~ao para os el¶etrons:

Igualmente para buracos teremos:

 Inje»ca
~o de Portadores no Estado Estacion¶
ario e Comprimento de Di-
fus~
ao

No estado estacion¶ario as equa»c~oes de difus~ao 3.63 e 3.64 tornam-se:

onde ¶e chamado de comprimento de difus~ao do el¶etron e similarmente

¶e o comprimento de difus~ao do buraco.

O signi¯cado f¶³sico do comprimento de difus~ao, pode ser entendido melhor com

um exemplo. Vamos assumir que um excesso de buracos s~ao injetados em uma barra
semicondutora semi-in¯nita em , como pode ser visto na ¯gura 3.24, e a inje»ca~o de
portadores buracos no estado estacion¶ario mant¶em constante a concentra»c~ao em excesso
de buracos no ponto de inje»ca~o . Os buracos injetados difundem-se ao
longo da barra, recombinando-se com um tempo de vida caracter¶³stico . No estado

estacion¶ario esperamos que a distribui»ca~o do excesso de buracos decaia para zero para
grandes valores de , devido aµ recombina»ca~o. Para este problema usaremos a equa»ca~o
3.66 da difus~ao em estado estacion¶ario para buracos. A solu»c~ao desta equa»ca~o tem a
forma:

As constantes e s~ao determinadas das condi»c~oes de contorno. Como a recom-

bina»c~ao deve reduzir-se a zero para grandes valores de , em igual a in¯nito assim
Da mesma forma, a condi»c~ao nos d¶a e a solu»ca~o ser¶a:

A concentra»c~ao em excesso de buracos injetados decai exponencialmente em devido

µa recombina»ca~o, e o comprimento de difus~ao representa a dist^ancia na qual o excesso de
buracos ¶e reduzido a de seu valor no ponto de inje»c~ao. ¶e a dist^ancia m¶edia que o
buraco difunde antes de recombinar .
Figura 3. 24 { Inje»c~
ao de buracos em x = 0, resultando em uma distribui»c~
ao de buracos no estado estacion¶
ario
p(x) e em uma densidade de corrente de difus~ao .

Para calcular o comprimento de difus~ao m¶edio, devemos obter uma express~ao para a
probabilidade que um buraco injetado tem de recombinar-se num intervalo particular .
A probabilidade que um buraco injetado em sobreviva em sem recombinar ¶e :

= e- , que ¶e a raz~ao entre a concentra»ca~o no estado estacion¶ario em e em

zero. Por outro lado, a probabilidade que o buraco em se recombine em um intervalo
subseqÄ
uente ¶e:

Assim, a probabilidade do buraco injetado em recombinar-se em um dado ¶e o

produto das duas probabilidades:

Calculando a m¶edia temos :

Um excesso de buracos no estado estacion¶ario causa difus~ao, e portanto, uma corrente

de buracos, na dire»c~ao da diminui»ca~o de concentra»c~ao. Das equa»co~es 3.54 e 3.68 temos:

Como , a derivada espacial envolve somente o excesso de concentra»ca~o.

Notamos que como ¶e proporcional a sua derivada para uma distribui»ca~o exponencial,
a corrente de difus~ao em qualquer ¶e proporcional ao excesso de concentra»ca~o naquela
posi»c~ao.
 1)Calcule a dist^ancia entre o n¶³vel de Fermi e o meio do gap em e em puro
a . Explique porque n~ao est¶a no meio do gap.

2) Tr^es pastilhas de s~ao dopadas com impurezas de com concentra»co~es ,

e ¶atomos/ respectivamente. Considere e suponha que todas as
impurezas sejam ionizadas: a) Calcule o n¶³vel de Fermi em cada pastilha;b) Veri¯que se a
aproxima»ca~o da equa»ca~o 3.16 para a fun»ca~o de Fermi-Dirac ¶e boa nos tr^es casos;c)Calcule
a resistividade de cada pastilha.

3)Uma pastilha de ¶e dopada com impurezas doadoras com concentra»ca~o

¶atomos / Supondo que todas as impurezas estejam ionizadas, calcule a resistividade
da pastilha e compare com o valor obtido no exerc¶³cio 2 para o com mesma concentra»ca~o.

4) a)Explique, qualitativamente, usando poucas palavras e alguns gr¶a¯cos, porque o

n¶³vel de Fermi no semicondutor tipo est¶a mais pr¶oximo da banda de condu»ca~o do que
da banda de val^encia, e no tipo est¶a mais pr¶oximo da banda de val^encia;b)Explique,
qualitativamente, usando poucas palavras e alguns gr¶a¯cos, como o n¶³vel de Fermi varia
com a temperatura num semicondutor tipo .

5) Encontre a resistividade do germ^anio ( )a , sabendo que e

e .

6)a) Uma amostra de ¶e dopada com ¶atomos de boro/ . Qual ¶e a concentra»ca~o

em ?b) Uma amostra de ¶e dopada com ¶atomos de antim^onio( )/ .
Usando a neutralidade de carga espacial, calcule a concentra»ca~o de em . O
valor de pode ser obtido na ¯gura 3.12.

7) Uma amostra de ¶e dopada com doadores/ e aceitadores / .

Encontre a posi»ca~o do n¶³vel de Fermi com respeito a em . Qual ¶e o valor e o sinal
do coe¯ciente Hall?

8) Sabendo que e , calcule as densidades de estados efetivas

e para o a . Calcule a concentra»ca~o de portadores intr¶³nseca e compare

com os valores da ¯gura 3.12.

9) Quanto tempo em m¶edia um el¶etron leva para se deslocar no puro quando

sujeito a um campo el¶etrico ? Repita para .

10) Uma amostra de ¶e ligada e orientada em um campo magn¶etico como

mostrado na ¯gura 3.19. A corrente que °ui na amostra ¶e de . As dimens~oes da
amostra s~ao , e . Os seguintes dados foram obtidos:
e . Encontre o tipo e a concentra»c~ao dos portadores majorit¶arios e
a sua mobilidade. Dado .

11) a) Uma amostra de ¶e dopada com ¶atomos de boro, e um certo n¶

umero de
doadores rasos. O n¶³vel de Fermi est¶a acima de a . Qual ¶e a concentra»ca~o
de doadores ?b) Uma amostra de cont¶em ¶atomos aceitadores de (¶³ndio)
e um certo n¶
umero de doadores rasos. O n¶³vel aceitador de est¶a acima de ,
e est¶a acima de em . Quantos a¶tomos de n~ao foram ionizados?
4 Jun»co
~es e Diodos
4.1 Potencial de Contato
Vamos considerar as regi~oes e de materiais semicondutores inicialmente separadas
e ent~ao vamos junt¶a-las para formar a jun»ca~o. A ¯gura 4.1 mostra as propriedades de
uma jun»ca~o no equil¶³brio.
O material possui muitos el¶etrons e poucos buracos, o contr¶ario ¶e v¶alido para o ma-
terial tipo . Depois de juntarmos os dois tipos, esperamos que uma difus~ao de portadores
se inicie devido ao gradiente de concentra»ca~o de portadores. Assim, buracos se difundem
do lado para o lado e el¶etrons se difundem do lado para o lado . Esta corrente
de difus~ao n~ao se mant¶em in¯nitamente devido ao campo el¶etrico oposto que ¶e criado na
jun»c~ao. Este campo ¶e um campo el¶etrico intr¶³nseco. Considerando que el¶etrons se difun-
dem de para deixando para tr¶as ¶³ons doadores no material tipo , e os buracos
na regi~ao deixando aceitadores ionizados , podemos visualizar o desenvolvimento de
uma regi~ao de carga espacial positiva pr¶oxima µa jun»c~ao no lado e uma carga espacial
negativa pr¶oxima µa jun»ca~o no lado . O campo el¶etrico resultante est¶a dirigido da carga
positiva para a carga negativa. Desta forma o campo el¶etrico est¶a numa dire»ca~o oposta
µas correntes de difus~ao de cada tipo de portadores (lembrando que a corrente de el¶etrons
¶e oposta ao °uxo dos mesmos). Assim o campo cria componentes de corrente de deriva
de para , opostas aµs correntes de difus~ao.
Como no equil¶³brio n~ao deve existir °uxo de corrente na jun»ca~o, a corrente devida aµ
deriva de portadores deve cancelar exatamente a corrente de difus~ao.

O campo el¶etrico intr¶³nseco aparece numa certa regi~ao pr¶oxima aµ jun»c~ao, e nessa
regi~ao aparecer¶a uma diferen»ca de potencial no equil¶³brio . No diagrama do potencial
eletrost¶atico mostrado na ¯gura 4.1, existe um gradiente no potencial na dire»c~ao oposta
ao campo el¶etrico intr¶³nseco, de acordo com a rela»ca~o Vamos assumir que
nas regi~oes neutras fora de . Assim, nestas regi~oes o potencial ¶e constante e igual
a no material neutro e no material neutro . A diferen»ca de potencial entre os
dois lados ser¶a:
 Figura 4.1 { a) Regi~oes isoladas e neutras dos materiais tipo p e tipo n e energia de bandas para as regi~ oes
isoladas; b) Jun»c~
ao, carga espacial dentro da regi~ao de deple»ca~o , campo el¶etrico resultante , potencial de
contato e separa»ca
~o das bandas de energia; c) Dire»co~es das quatro componentes de °uxo de part¶³culas dentro
da regi~
ao de deple»c~
ao e dire»c~
oes das correntes resultantes.

A regi~ao ¶e chamada de regi~ao de transi»ca~o ou camada de deple»c~ao ou regi~ao de

carga espacial. O potencial ¶e chamado de potencial de contato.
O potencial de contato que aparece atrav¶es de ¶e uma barreira de potencial
intr¶³nseca, que serve para manter o equil¶³brio necess¶ario aµ jun»ca~o. Por de¯ni»ca~o ¶e um
valor de equil¶³brio, e nenhuma corrente l¶³quida pode resultar dele. O potencial de contato
separa as bandas de energia, as bandas de condu»ca~o ) e as bandas de val^encia
est~ao mais altas no lado do que no lado por uma quantidade , como pode ser visto
na ¯gura 4.1. Esta separa»c~ao das bandas no equil¶³brio ¶e necess¶aria para fazer o n¶³vel de
Fermi constante em todo o dispositivo. Assim conhecendo o diagrama de bandas do
material isolado (incluindo a posi»ca~o de ) poderemos encontrar a separa»ca~o de bandas
para a jun»ca~o no equil¶³brio, simplesmente alinhando os n¶³veis de Fermi.
Para obter uma rela»ca~o quantitativa entre e a concentra»c~ao de dopagem de
cada lado da jun»ca~o, devemos usar a condi»ca~o de equil¶³brio nas equa»co~es das correntes
de difus~ao e deriva. Por exemplo, os componentes de deriva e difus~ao das correntes de
buraco se cancelam no equil¶³brio.

Rearranjando a equa»ca~o 4.4 chegamos a:

onde ¶e tomado arbitrariamente de para . O campo el¶etrico pode ser escrito em termos
do gradiente do potencial assim:

usando a rela»ca~o de Eistein (3.58) para . A equa»c~ao 4.6 pode ser resolvida integrando-se
nos limites apropriados. Neste caso, estamos interessados no potencial em cada lado da
jun»c~ao, e e na concentra»c~ao de buracos na borda da regi~ao de deple»c~ao em cada lado,
e ( buracos no lado portadores majorit¶arios e buracos no lado portadores
minorit¶arios). A concentra»ca~o de el¶etrons e buracos nas regi~oes neutras s~ao os valores
para a concentra»ca~o no equil¶³brio. Como assumimos uma geometria unidimensional, e
s~ao fun»co~es s¶o de . Assim, integrando temos:

onde os limites inferior e superior s~ao respectivamente e e e .

onde . Escrevendo em fun»c~ao da concentra»ca~o de portadores no equil¶³brio

em cada lado da jun»ca~o:

Considerando que a jun»ca~o foi feita com aceitadores/ no lado e doadores/

no lado , podemos escrever:

Consideramos que a concentra»c~ao de portadores majorit¶arios ¶e a concentra»c~ao de

dopantes em cada lado. Outra forma u
¶til de se escrever a equa»ca~o 4.9 ¶e:

Usando a condi»ca~o de equil¶³brio temos:

4.2 N¶³vel de Fermi no Equil¶³brio

J¶a observamos que o n¶³vel de Fermi ¶e constante atrav¶es do dispositivo no equil¶³brio.

Uma vez que assumimos que e s~ao os valores na regi~ao neutra no equil¶³brio, podemos
escrever a equa»c~ao 4.11 como:

onde:

como pode ser visto da ¯gura 4.1, onde as bandas de energia de cada lado da jun»ca~o
s~ao separadas pelo vezes ; assim a diferen»ca ¶e justamente igual a . A
equa»ca~o resulta do fato de que os n¶³veis de Fermi de cada lado da jun»ca~o s~ao iguais no
equil¶³brio ( ).

4.3 Carga Espacial na Jun»c~

ao

Dentro da regi~ao de deple»ca~o, el¶etrons e buracos est~ao em tr^ansito de um lado para

outro lado da jun»c~ao. Alguns el¶etrons difundem de para e alguns s~ao sugados pelo
campo el¶etrico intr¶³nseco de para e vice-versa para os buracos. Existem contudo,
muito poucos portadores dentro da regi~ao de transi»c~ao em qualquer tempo, uma vez que
o campo serve para retirar os portadores que tenham se aventurado dentro da camada de
deple»c~ao . Podemos ent~ao considerar, como uma boa aproxima»ca~o, que a carga espa-
cial dentro da regi~ao de deple»c~ao ¶e devida somente aos ¶³ons aceitadores e doadores. A
densidade de carga dentro de ¶e mostrada na ¯gura 4.2. Desprezando-se os portadores
dentro da regi~ao de deple»ca~o, a densidade de carga no lado ser¶a e a densidade de
cargas negativas no lado ser¶a . A hip¶otese da deple»ca~o de portadores dentro de
e a neutralidade de cargas fora de ¶e conhecida como aproxima»c~ao de deple»c~ao. Uma
vez que o dipolo em torno da jun»ca~o deve ter um n¶
umero igual de cargas de cada lado
( ), a regi~ao de deple»ca~o estende-se de forma diferente nas regi~oes e , dependendo
da dopagem relativa de ambos os lados. Por exemplo, se o lado ¶e menos dopado do que
o lado ( ), a regi~ao de deple»c~ao dever¶a se estender mais no lado do que no lado
para equilibrar uma quantidade equivalente de carga. Para uma amostra de a¶rea , a
carga total em cada lado da jun»ca~o ser¶a:

onde ¶e a penetra»c~ao da regi~ao de deple»ca~o no lado e ¶e a penetra»ca~o no lado

, como podemos ver na ¯gura 4.2. A largura total da regi~ao de deple»c~ao ¶e a soma de
.

Figura 4.2 { Carga espacial e distribui»c~ao do campo el¶etrico dentro da regi~

ao de deple»c~
ao de uma jun»c~ao
com : a) regi~ao de deple»c~
ao com de¯nido na jun»c~
ao; b) densidade de carga dentro da regi~ ao de
deple»c~
ao, desprezando as cargas dos portadores livres; c) distribui»c~
ao do campo el¶etrico, onde a dire»ca
~o de
refer^encia para ¶e arbitr¶aria e tomada com sendo a dire»c~ ao positiva de .

Para calcular a distribui»ca~o do campo el¶etrico intr¶³nseco dentro da regi~ao de

deple»c~ao, n¶os usaremos a Equa»c~ao de Poisson , que relaciona o gradiente do
campo el¶etrico µa carga espacial local em qualquer ponto , onde ¶e a constante diel¶etrica
do material.
 A equa»c~ao 4.16 pode ser simpli¯cada se desprezarmos a contribui»c~ao dos portadores
e dentro da regi~ao de deple»ca~o. Com esta aproxima»ca~o teremos duas regi~oes de deple»ca~o
constante:

assumindo uma ioniza»ca~o completa das impurezas e . Podemos

ver destas duas equa»co~es que o gr¶a¯co da ¯gura 4.2c na regi~ao de deple»ca~o tem duas
inclina»co~es; positiva ( aumenta no lado ) e negativa ( torna-se mais negativo) no lado
. Existe um valor m¶aximo para o campo em (na jun»ca~o), e ¶e sempre
negativo em qualquer lugar dentro da regi~ao de deple»ca~o. Esperamos que seja
negativo na regi~ao de deple»ca~o, uma vez que sabemos que aponta na dire»c~ao negativa
de , de para (das cargas positivas para as cargas negativas). O campo el¶etrico ¶e
assumido ser zero na interface da regi~ao de deple»ca~o, pois desprezamos qualquer campo
nas regi~oes neutras e . Finalmente, teremos um m¶aximo na jun»ca~o, uma vez que
este ponto est¶a entre as cargas e de cada lado da jun»ca~o.
O valor de na jun»c~ao, pode ser encontrado integrando-se qualquer das duas equac~oes
4.17 ou 4.18 com os limites apropriados:

Assim o valor m¶aximo de ser¶a:

¶ simples relacionar o
E ao

Assim, o negativo de ¶e a a¶rea sob o tri^angulo da ¯gura 4.2c. Isto relaciona o potencial
de contato aµ largura da camada de deple»c~ao :

Como o balan»co de cargas requer ,e ¶e , podemos escrever

e assim:
 Resolvendo para , teremos uma express~ao para a largura da camada de deple»ca~o em
termos de , da concentra»c~ao de dopantes e de e :

Podemos escrever em termos da concentra»ca~o de dopantes:

Podemos tamb¶em calcular a penetra»ca~o da regi~ao de deple»ca~o nos materiais tipo e

tipo :

Como esperado, estas duas u

¶ ltimas equa»co~es predizem que a regi~ao de deple»ca~o estende-
se mais na regi~ao com menor dopagem. Por exemplo, se muito maior do que ,
ser¶a muito menor do que .
A equa»ca~o 4.26, mostra a varia»ca~o de com a raiz quadrada de . Nesta deriva»ca~o,
consideramos somente o potencial de contato no equil¶³brio. Mais tarde, veremos que uma
tens~ao aplicada µa amostra pode aumentar ou diminuir este potencial.
: Uma jun»ca~o de Si com e possui uma
¶area de jun»ca~o circular com di^ametro igual a 0,02 polegadas. Calcule , , e
para esta jun»c~ao no equil¶³brio e T = 300K.
 :

Note que

4.4 Descri»
c~
ao Qualitativa do Fluxo de Corrente na Jun»
c~
ao

Vamos assumir que o potencial aplicado aparece somente na camada de deple»c~ao, e

n~ao nas regi~oes neutras e . Tomamos como positivo quando a polariza»ca~o externa ¶e
positiva no lado e negativa no lado . Como aplicado muda a barreira de potencial
), tamb¶em o campo el¶etrico provocar¶a mudan»cas nas v¶arias componentes da corrente
na jun»c~ao. A ¯gura 4.3 mostra os efeitos da polariza»c~ao aplicada a uma jun»c~ao . A
separa»ca~o das bandas de energia e a largura da camada de deple»c~ao s~ao tamb¶em afetadas
pela aplica»ca~o de uma polariza»ca~o externa.
A barreira de potencial na jun»ca~o ¶e abaixada pela aplica»ca~o de uma polariza»ca~o
direta (forward bias) do seu valor de equil¶³brio para . O abaixamento da
barreira de potencial ocorre porque uma polariza»ca~o direta ( positivo em rela»ca~o a )
aumenta o potencial no lado em rela»ca~o ao lado .
Para uma polariza»ca~o reversa (reverse bias) , o oposto ocorre; o potencial do
lado ¶e menor do que no lado , e a barreira de potencial torna-se maior .
O campo el¶etrico dentro da regi~ao de transi»ca~o pode ser deduzido da barreira de
potencial. Notamos que o campo diminui com ,pois o campo aplicado se op~oe ao campo
intr¶³nseco Com uma polariza»c~ao reversa o campo na jun»c~ao ¶e aumentado.
A mudan»ca no campo el¶etrico na jun»ca~o sugere uma mudan»ca na largura da ca-
mada de deple»ca~o . Esperamos que diminua para uma polariza»c~ao direta (menor
campo, menos cargas ionizadas) e aumente para uma polariza»ca~o reversa . As equa»co~es
4.24, 4.26 e 4.27 podem ser usadas para calcular , e se for trocado pela nova
altura de barreira .

Figura 4.3 { Efeitos da polariza»c~ ao sobre a largura da regi~ ao de deple»c~ao, sobre o campo el¶etrico, sobre o
potencial eletrost¶
atico, sobre o diagrama de energia e sobre o °uxo de part¶³culas e as dire»c~oes da corrente de uma
jun»c~
ao quando a) equil¶³brio; b) polariza»ca
~o direta e c) polariza»c~
ao reversa.

A separa»c~ao das bandas de energia ¶e uma fun»c~ao direta da barreira de potencial

na jun»ca~o. A altura da barreira de energia do el¶etron ¶e simplesmente a carga eletr^onica
vezes a altura da barreira potencial. Assim, as bandas est~ao menos separadas
para uma polariza»ca~o direta do que no equil¶³brio e mais separadas para uma
polariza»ca~o reversa. Assumimos que o n¶³vel de Fermi dentro de cada regi~ao neutra est¶a
essencialmente no seu valor de equil¶³brio; portanto, o deslocamento das bandas de energia,
sob uma polariza»c~ao aplicada, implica uma separa»ca~o dos n¶³veis de Fermi em cada lado
da jun»ca~o. Sob uma polariza»c~ao direta, o n¶³vel de Fermi no lado est¶a acima do
por uma energia ; para uma polariza»ca~o reversa, ¶e mais alta do que .Em
unidades de energia , os n¶³veis de Fermi nas duas regi~oes neutras est~ao separados por
uma energia numericamente igual µa tens~ao aplicada ( ), ou seja, .
A corrente de difus~ao ¶e composta de portadores el¶etrons majorit¶arios do lado ,
que vencem a barreira de potencial para se difundirem no lado , e de buracos ma-
jorit¶arios que vencem a barreira de potencial de para . Com uma polariza»c~ao direta,
contudo, a altura da barreira ¶e diminu¶³da e muito mais el¶etrons da banda de
condu»ca~o do lado ter~ao energia su¯ciente para difundir de para . Assim, a corrente de
difus~
ao de el¶etrons ¶e aumentada para uma polariza»c~ao direta aplicada. Do mesmo modo,
os buracos tamb¶em se difundem para o lado n quando a barreira ¶e diminu¶³da. Para uma
polariza»c~ao reversa, a altura da barreira ¯ca maior assim, os el¶etrons da banda
de condu»ca~o do lado ou os buracos da banda de val^encia do lado n~ao ter~ao energia
su¯ciente para passar pela barreira. Portanto, a corrente de difus~
ao ¶e diminu¶³da sob uma
polariza»c~ao reversa.
As correntes de deriva s~ao relativamente n~ao sens¶³veis aµ altura da barreira de po-
tencial. A raz~ao para isto est¶a no fato que as correntes de deriva s~ao limitadas n~ao
pela velocidade com que os portadores s~ao sugados para baixo na barreira, mas pela
freqÄ
u^encia com que isto acontece. Por exemplo, el¶etrons minorit¶arios no lado que se
aventuram na regi~ao de deple»ca~o ser~ao sugados barreira abaixo pelo campo , resultando
em uma corrente de deriva de el¶etrons. Contudo, esta corrente ¶e pequena n~ao por causa
do tamanho da barreira, mas porque existem muito poucos el¶etrons minorit¶arios no lado
que participam desta corrente de deriva. Os el¶etrons do lado que se difundiram at¶e a
regi~ao de deple»ca~o, ser~ao sugados para baixo da barreira de potencial independentemente
se esta barreira ¶e alta ou baixa. O mesmo se aplica aos buracos minorit¶arios da corrente
de deriva de pra . As correntes de deriva de el¶etron e buraco independem do potencial
aplicado.
O suprimento de portadores minorit¶arios em cada lado da jun»c~ao necess¶arios para
a componente de deriva da corrente ¶e fornecido (gerado) pela excita»ca~o t¶ermica dos pares
el¶etron-buraco . Por exemplo um criado pr¶oximo µa jun»c~ao no lado fornecer¶a
um el¶etron minorit¶ario ao material . Se o ¶e gerado dentro do comprimento de
difus~ao na regi~ao de deple»ca~o, este el¶etron pode difundir-se para a jun»ca~o e ser sugado
barreira abaixo at¶e o lado . A corrente resultante devido aµ deriva de portadores gerados
atrav¶es da jun»c~ao ¶e comumente chamada de corrente de gera»c~ao, uma vez que seu valor
depende inteiramente da taxa de gera»ca~o de .
A corrente total atrav¶es da jun»c~ao ¶e composta pela soma das componentes de difus~ao
e de deriva. As correntes de difus~ao de el¶etrons e buracos s~ao ambas dirigidas de para
, e as correntes de deriva s~ao ambas dirigidas de para . A corrente l¶³quida que
atravessa a jun»ca~o ¶e zero no equil¶³brio. Sob um potencial reverso, ambos os componentes
de difus~ao (el¶etrons e buracos) s~ao desprez¶³veis, devido µa grande altura da barreira de
potencial e a corrente devida a deriva ¶e relativamente pequena (e independente
da polariza»c~ao aplicada). Esta corrente ¶e a corrente de gera»c~ao de para . A ¯gura 4.4
mostra uma curva da caracter¶³stica de uma jun»ca~o . Nesta ¯gura podemos
ver que a dire»ca~o positiva para a corrente ¶e tomada de para e a tens~ao aplicada
¶e positiva quando o terminal positivo da bateria ¶e conectado ao lado e o negativo ao
lado . O u
¶nico °uxo de corrente °uindo neste dispositivo de jun»c~ao para uma tens~ao
negativa ¶e a pequena corrente de gera»c~ao devido aos portadores gerados na regi~ao
de deple»ca~o ou portadores minorit¶arios que se difundiram at¶e a jun»ca~o onde s~ao coletados.
A corrente em (equil¶³brio) ¶e zero, uma vez que as correntes de difus~ao e de deriva
se cancelam.
Como veremos mais adiante, um potencial aplicado aumenta a probabili-
dade de um portador se difundir atrav¶es da jun»c~ao por um fator . Por isso, a
corrente de difus~ao sob uma polariza»c~ao direta ¶e dada pelo seu valor no equil¶³brio multi-
plicada por este fator; do mesmo modo para uma polariza»c~ao reversa a corrente de difus~ao
¶e reduzida do seu valor de equil¶³brio pelo mesmo fator, com Uma vez que a cor-
rente de difus~ao no equil¶³brio ¶e igual em m¶odulo a , a corrente de difus~ao com uma
polariza»ca~o aplicada ¶e simplesmente . A corrente total ¶e ent~ao a corrente de
difus~ao menos o valor absoluto da corrente de gera»ca~o, a qual chamaremos de :

A tens~ao aplicada pode ser positiva ou negativa, ou . Quando ¶e

positivo e maior do que poucos (0,0259 eV na temperatura ambiente T = 300K), o
termo exponencial ¶e muito maior do que 1. A corrente ent~ao aumenta exponencialmente
com Quando ¶e negativo e muito grande, o termo exponencial vai a zero e a
corrente total tende a , a qual est¶a na dire»ca~o de para . A corrente de gera»ca~o neg-
ativa ¶e tamb¶em chamada de corrente de satura»c~ao reversa. A corrente °ui praticamente
livre para e quase n~ao existe corrente para .

Figura 4.4 { Curva caracter¶³stica I x V para uma jun»c~

ao p-n.

4.5 Inje»
ca
~o de Portadores

Do que foi discutido acima, esperamos que a concentra»ca~o de portadores minorit¶arios em

cada lado da jun»ca~o varie com a polariza»c~ao aplicada por causa das varia»co~es na
difus~ao de portadores atrav¶es da jun»c~ao. A raz~ao no equil¶³brio da concentra»ca~o de buracos
em cada lado como visto na equa»c~ao 4.11 torna-se com a polariza»c~ao:

A equa»ca~o 4.29 usa barreiras alteradas para relacionar a concentra»c~ao de buracos no

estado estacion¶ario nos dois lados da regi~ao de deple»ca~o com polariza»ca~o direta ou reversa
( positivo ou negativo). Para um baixo n¶³vel de inje»ca~o podemos negligenciar as mu-
dan»cas nas concentra»c~oes de portadores majorit¶arios, os quais variam muito pouco com
a polariza»ca~o quando comparadas com seus valores no equil¶³brio. Com esta simpli¯ca»ca~o
podemos escrever as duas equa»co~es 4.11 e 4.29 como:

Com uma polariza»c~ao direta a equa»c~ao 4.30 sugere um grande aumento na concentra»ca~o
de portadores buracos minorit¶arios na borda da regi~ao de deple»ca~o do lado ) em
rela»c~ao ao equil¶³brio. Para uma polariza»c~ao reversa, a concentra»ca~o ¶e reduzida
abaixo de seu valor de equil¶³brio . O aumento exponencial da concentra»ca~o de buracos
em com uma polariza»ca~o direta ¶e um exemplo de inje»c~ao de portadores minorit¶arios.
A ¯gura 4.5 mostra a distribui»ca~o de portadores minorit¶arios nos dois lados da regi~ao de
deple»c~ao. Podemos ver que uma polariza»ca~o direta resulta em uma inje»c~ao de excesso
de buracos no estado estacion¶ario na regi~ao e el¶etrons na regi~ao . Podemos calcular
facilmente o excesso de concentra»c~ao de buracos na borda da regi~ao de deple»ca~o
subtraindo a concentra»ca~o de buracos no equil¶³brio da equa»ca~o 4.30:

e do mesmo modo para os el¶etrons:

Como j¶a visto anteriormente, esperamos que a inje»ca~o conduza a uma concentra»ca~o
estacion¶aria de do excesso de buracos em , produzindo uma distribui»c~ao do excesso
de buracos no material . A medida que os buracos se difundem mais para dentro na
regi~ao , eles se recombinar~ao com os el¶etrons no material e a distribui»ca~o do excesso
de buracos resultantes ¶e obtido como uma solu»c~ao da equa»ca~o da difus~ao 3.65 e 3.66.

Figura 4.5 { Distribui»c~

ao dos portadores minorit¶
arios nos dois lados da regi~
ao de deple»c~
ao para uma jun»c~
ao
polarizada diretamente. Esta ¯gura mostra as de¯ni»c~ oes das dist^
ancias e medidas a partir das
bordas da regi~
ao de deple»c~
ao.
 Se a regi~ao ¶e muito longa quando comparada com o comprimento de difus~ao
dos buracos , a solu»ca~o da equa»c~ao de difus~ao ser¶a exponencial . Simi-
larmente, os el¶etrons injetados no material se difundem e se recombinam, dando uma
distribui»c~ao do excesso de el¶etrons exponencial. Por conveni^encia vamos de¯nir duas
novas coordenadas: e como visto na ¯gura 4.5. Esta conven»c~ao simpli¯car¶a muito a
matem¶atica.
Podemos escrever as equa»co~es de difus~ao para cada lado da jun»ca~o e resolver para a
distribui»c~ao do excesso de portadores ( e ) assumindo que as regi~oes e s~ao muito
longas:

A corrente de difus~ao de buracos em qualquer ponto no material pode ser calculado

por:

Onde ¶e a a¶rea da se»ca~o da jun»ca~o. Assim a corrente de difus~ao de buracos em

cada posi»ca~o ¶e proporcional ao excesso de concentra»ca~o de buracos naquele ponto. A
corrente total de buracos injetados no material na jun»c~ao pode ser obtido resolvendo-se a
equa»ca~o 4.35 em :

Por uma an¶alise similar, a inje»ca~o de el¶etrons no material tipo conduz aµ corrente de
el¶etrons na jun»c~ao de:

O sinal menos na equa»ca~o acima signi¯ca que a corrente de el¶etrons ¶e oposta aµ dire»ca~o
, isto ¶e, a dire»c~ao verdadeira de ¶e a dire»ca~o positiva de , somando-se a na corrente
total. Se desprezarmos a recombina»c~ao na regi~ao de transi»ca~o, podemos considerar que
cada el¶etron injetado em deve passar atrav¶es de . Assim a corrente total do diodo
em pode ser calculada como a soma de e . Se tomarmos a dire»ca~o
positiva de como refer^encia para a corrente total, devemos usar o sinal negativo em
para levar em conta o fato que ¶e de¯nido na dire»ca~o negativa de :
 A equa»c~ao 4.39 ¶e conhecida como a Equa»
ca
~o do Diodo ou Equa»
c~
ao de Schockley.
Nada na equa»ca~o do diodo exclui a possibilidade de que a tens~ao de polariza»ca~o possa
ser negativa; por isso a equa»ca~o do diodo descreve a corrente total atrav¶es do diodo para
polariza»ca~o direta ou reversa. Podemos calcular a corrente para uma polariza»ca~o reversa
:

Se ¶e maior do que , a corrente ¶e a corrente de satura»c~

ao reversa:

Outro resultado da equa»ca~o do diodo ¶e que a corrente total na jun»ca~o ¶e dominada

pela inje»ca~o de portadores do lado mais pesadamente dopado para o lado menos dopado.
Por exemplo, se o material ¶e mais pesadamente dopado e a regi~ao ¶e menos dopada,
a concentra»ca~o de portadores minorit¶arios no lado ¶e desprez¶³vel se comparado com
a concentra»c~ao de portadores minorit¶arios no lado . Por isso, a equa»ca~o do diodo
pode ser aproximada somente pela inje»ca~o de buracos, como visto na equa»ca~o 4.36. Isto
signi¯ca que a carga armazenada em uma distribui»ca~o de portadores minorit¶arios ¶e de-
vida mais a buracos no lado . A ¯gura 4.6 mostra a estrutura chamada de jun»ca~o
onde o sobrescrito signi¯ca dopagem pesada. Na mesma ¯gura ainda pode-se ver
as propriedades desta jun»ca~o com as polariza»c~oes a)direta e b) reversa aplicadas. Outra
caracter¶³stica da estrutura ou ¶e que a regi~ao de deple»ca~o estende-se mais na regi~ao
menos dopada, como discutido anteriormente. Dispositivos tais como diodos chaveadores
e transistores fazem uso deste tipo de arranjo ( ou ).
Nesta discuss~ao de inje»c~ao de portadores e distribui»c~ao de portadores minorit¶arios
n¶os assumimos uma polariza»c~ao direta. As distribui»c~oes para polariza»ca~o reversa podem
ser obtidas das mesmas equa»co~es, se o valor de for introduzido. Por exemplo, se
a equa»c~ao 4.31 pode ser aproximada para:

para muito maior do que e da mesma forma . Por isso para uma
polariza»ca~o reversa de mais do que poucas dezenas de volt, a concentra»ca~o dos portadores
minorit¶arios em cada borda da regi~ao de deple»ca~o torna-se essencialmente zero µa medida
que o excesso de concentra»ca~o se aproxima do negativo da concentra»ca~o no equil¶³brio.
As concentra»co~es em excesso dos portadores minorit¶arios nas regi~oes neutras ainda s~ao
dados pelas equa»co~es 4.33 e 4.34, assim a deple»c~ao de portadores abaixo dos valores de
equil¶³brio estende-se por aproximadamente um comprimento de difus~ao al¶em de cada lado
da regi~ao de deple»ca~o. Esta deple»c~ao de portadores minorit¶arios resultante da polariza»ca~o
reversa ¶e conhecida com extra»c~ao de portadores minorit¶
arios, an¶alogo µa inje»c~ao para a
polariza»ca~o direta. Fisicamente, a extra»ca~o ocorre porque os portadores minorit¶arios
nas bordas da camada de deple»ca~o s~ao sugados barreira abaixo na jun»c~ao para o outro
lado e n~ao s~ao substitu¶³dos pelos portadores difundindo na dire»c~ao oposta. Por exemplo,
quando buracos em s~ao sugados atrav¶es da jun»ca~o para o lado pelo campo , um
gradiente na distribui»c~ao de buracos no lado existe, e buracos na regi~ao difundem
atrav¶es da jun»c~ao. O estado estacion¶ario da distribui»c~ao de buracos na regi~ao tem a
forma exponencial invertida como pode ser visto na ¯gura 4.6 b.
¶ importante lembrar que, apesar de a corrente de satura»ca~o reversa ocorrer na jun»ca~o
E
devido aµ deriva de portadores para baixo na barreira, esta corrente ¶e alimentada de cada
lado pela difus~ao atrav¶es da jun»ca~o de portadores minorit¶arios nas regi~oes neutras. A taxa
de portadores derivando atrav¶es da jun»ca~o (corrente de satura»ca~o reversa) depende da
taxa na qual os buracos chegam em (e el¶etrons em por difus~ao do material neu-
tro. Os portadores minorit¶arios s~ao supridos pela gera»c~ao t¶ermica, e pode-se mostrar que
a express~ao para a corrente de satura»c~ao reversa da equa»c~ao 4.41 representa a taxa na
qual os portadores s~ao gerados termicamente dentro do comprimento de difus~ao em cada
lado da regi~ao de deple»ca~o. Considerando um volume de material tipo n de a¶rea , com
comprimento igual a . A taxa de gera»ca~o t¶ermica de buracos dentro deste volume ¶e
pois e assumindo que cada buraco gerado termicamente
difunda-se para fora do volume antes de recombinar. A corrente de buraco resultante
ser¶a que ¶e a mesma que a corrente de satura»ca~o reversa para a jun»c~ao .
Conclu¶³mos que a corrente de satura»ca~o ¶e devida a captura de portadores minorit¶arios
termicamente gerados dentro do comprimento de difus~ao da cada lado da regi~ao de de-
ple»ca~o.
 Figura 4.6 {Propriedades de uma jun»c~
ao com a) polariza»c~
ao direta e b) polariza»c~
ao reversa.

4.6 Corrente de Portadores Minorit¶

arios e Majorit¶
arios

N¶os calculamos a corrente total do diodo considerando s¶o as correntes de difus~ao

dos portadores minorit¶arios, determinadas nas bordas da regi~ao de deple»c~ao. Isto foi
poss¶³vel por que os portadores minorit¶arios s~ao injetados em cada lado por uma polar-
iza»c~ao direta e extra¶³dos por uma polariza»ca~o reversa. A deriva de portadores minorit¶arios
pode ser desprezada nas regi~oes neutras fora de , porque a concentra»c~ao de portadores
minorit¶arios ¶e pequena comparada com os portadores majorit¶arios. Se os portadores mi-
norit¶arios contribuem para a corrente total no todo, sua contribui»c~ao deve ser atrav¶es da
difus~ao. Mesmo uma pequena concentra»c~ao de portadores minorit¶arios pode ter um efeito
apreci¶avel sobre a corrente se a varia»ca~o espacial for grande.
O c¶alculo da corrente dos portadores majorit¶arios nas duas regi~oes neutras ¶e simples,
depois de encontrado a corrente de minorit¶arios. Como a corrente total tem que ser con-
stante atrav¶es do dispositivo todo, a componente de portadores majorit¶arios da corrente
¶e a diferen»ca entre e a componente minorit¶aria. Na ¯gura 4.7 podemos ver as compo-
nentes das correntes de el¶etron e buraco na regi~ao de uma jun»c~ao polarizada dire-
tamente. Na jun»ca~o ,a ¶e igual a corrente de difus~ao de buracos na borda . Como
¶e proporcional ao excesso de concentra»ca~o de portadores em cada posi»ca~o no ma-
terial , , ela decresce exponencialmente em com a diminui»c~ao de
. Assim a componente de corrente de el¶etron deve aumentar com para manter
a corrente . Longe da jun»c~ao, a corrente no material ¶e quase toda devida a el¶etrons.
A explica»c~ao f¶³sica disto ¶e que os el¶etrons devem °uir de para recompor os el¶etrons
perdidos pela recombina»c~ao com o excesso de buracos pr¶oximo aµ jun»ca~o. Se a jun»ca~o
fosse em vez de , tanto os el¶etrons quanto os buracos seriam injetados atrav¶es da
regi~ao de deple»ca~o, a corrente incluiria um °uxo de el¶etrons su¯ciente para suprir
n~ao somente a recombina»ca~o pr¶oxima a , mas tamb¶em a inje»c~ao de el¶etrons para o lado
. O °uxo de el¶etrons no material atrav¶es da jun»ca~o constitui uma corrente na dire»ca~o
positiva de , contribuindo para a corrente total .

Figura 4.7 { Componentes das correntes de el¶etron e buraco na regi~

ao n de uma jun»ca ~o polarizada
diretamente. Em uma jun»c~
ao , os el¶etrons tamb¶em seriam injetados atrav¶es da jun»c~
ao de para .

4.7 Ruptura (breakdown) na polariza»c~

ao reversa

Vimos que uma jun»ca~o polarizada reversamente, exibe uma corrente pequena, essencial-
mente uma corrente de satura»ca~o que independe do potencial aplicado. Isto ¶e verdadeiro,
at¶e que uma polariza»c~ao reversa cr¶³tica ¶e alcan»cada, para a qual uma ruptura reversa
ocorre. Nesta tens~ao critica a corrente reversa atrav¶es do diodo aumenta muito
rapi-damente, e correntes muito grandes podem °uir com um pequeno aumento na tens~ao.
A exist^encia de tens~ao de ruptura introduz uma apar^encia de um ^angulo quase reto na
curva de muitos diodos.A ¯gura 4.8 mostra a curva para a tens~ao cr¶³tica.
Isto n~ao ¶e destrutivo. Se a corrente ¶e limitada a um valor razo¶avel pelo circuito ex-
terno, a jun»ca~o pode operar no modo reverso de ruptura t~ao seguro quanto para
a polariza»ca~o direta. Por exemplo, a corrente m¶axima reversa que pode °uir na ¯gura
4.8 ¶e ; a resist^encia em s¶erie pode ser escolhida de modo a limitar a corrente a
um n¶³vel seguro para um uso particular do diodo. Se a corrente n~ao for limitada exter-
namente, a jun»ca~o pode ser dani¯cada pelo excesso de corrente, a qual superaquece o
¶ importante lembrar que a destrui»c~ao do dispositivo n~ao ¶e necessariamente
dispositivo. E
devida ao mecanismo u
¶nico da ruptura reversa; resultado similar ocorre se o dispositivo
passa corrente excessiva na dire»ca~o direta.

Figura 4.8: Ruptura reversa para uma jun»ca

~o .

A ruptura reversa ocorre por dois mecanismos distintos, cada um requer um campo
el¶etrico cr¶³tico na regi~ao de transi»c~ao da jun»c~ao. O primeiro mecanismo ¶e chamado de
efeito Zener, e ¶e operado em baixas tens~oes (poucos volts na polariza»c~ao reversa). Para
rupturas ocorrendo em altas tens~oes (milhares de volts) o mecanismo ¶e chamado de rup-
tura por avalanche.
 Ruptura Zener

Quando uma jun»ca~o dopada pesadamente ¶e polarizada reversamente, as bandas de energia

tornam-se superpostas em tens~oes relativamente baixas (a banda de condu»ca~o do lado
aparece opostamente aµ banda de val^encia do lado ).
Na ¯gura 4.9 podemos ver as bandas alinhadas (cruzadas) colocando lado a lado
um grande n¶
umero de estados vazios na banda de condu»ca~o do lado com muitos es-
tados cheios na banda de valencia do lado . Se a barreira de separa»ca~o entre as duas
bandas for estreita, o tunelamento dos el¶etrons pode ocorrer. O tunelamento de el¶etrons
da banda de val^encia do lado para o lado da banda de condu»c~ao constitui uma corrente
reversa de para ; este ¶e o efeito Zener.
O requisito b¶asico para a corrente de tunelamento ¶e um grande n¶
umero de el¶etrons
separados de um grande n¶
umero de estados vazios, por uma barreira ¯na e de altura ¯nita.
Como a probabilidade de tunelamento depende da largura da barreira , ¶e importante
que a jun»ca~o crescida seja bastante abrupta e com dopagem bem alta, assim, a regi~ao
de transi»ca~o se estender¶a somente em uma curta dist^ancia em cada lado da jun»ca~o.
A medida que as bandas se cruzam, a dist^ancia de tunelamento pode se tornar grande
para um tunelamento apreci¶avel. Contudo, torna-se menor a medida que a polariza»ca~o
reversa aumenta. Isto mostra que a regi~ao de transi»c~ao n~ao aumenta muito com o
pot^encial reverso. Para baixas tens~oes e dopagem pesada em cada lado da jun»c~ao, esta ¶e
uma boa hip¶otese. Contudo, se a ruptura Zener n~ao ocorre para uma tens~ao de poucos
volts, o mecanismo de avalanche torna-se dominante.

Figura 4.9: Efeito Zener; a) jun»c~

ao dopada pesadamente no equil¶³brio; b) polariza»c~
ao reversa com tunelamento
de el¶etrons de para ; c) caracter¶³stica .
 Ruptura por avalanche

Para jun»co~es levemente dopadas o tunelamento de el¶etrons ¶e desprez¶³vel, e o mecanismo

de ruptura envolve a ioniza»ca~o por impacto dos a¶tomos pelos portadores energizados. O
evento normal de espalhamento pela rede (f^onon) pode resultar na cria»ca~o de um
se o portador espalhado possuir energia su¯ciente. Por exemplo, se o campo el¶etrico
na regi~ao de transi»ca~o ¶e grande, um el¶etron entrando do lado pode ser acelerado com
energia cin¶etica alta su¯ciente para causar uma colis~ao ionizante com a rede.Na ¯gura
4.19 podemos ver o fen^omeno de avalanche para uma jun»c~ao .Tal intera»ca~o simples
resulta na multiplica»ca~o de portadores; o el¶etron original e o el¶etron gerado s~ao ambos
sugados para o lado da jun»ca~o, o buraco gerado ¶e sugado para o lado . O grau de
multiplica»c~ao pode tornar-se muito alto se os portadores gerados na regi~ao de transi»ca~o
tamb¶em sofrerem colis~oes ionizantes com a rede. Por exemplo, um el¶etron pode ter uma
colis~ao com a rede e criar um ; cada um destes portadores tem a chance de criar
um novo , e cada um destes pode criar mais um e assim por diante. Este ¶e o
processo de avalanche, uma vez que cada portador pode iniciar a cria»ca~o de um grande
n¶
umero de novos portadores.

Figura 4.10: Pares el¶etron-buraco criados por ioniza»c~

ao de impacto:a) colis~ao ionizante simples com um el¶etron;
b) colis~
oes prim¶
arias, secund¶
arias e terci¶
arias.

4.8 Varia»c~
ao com o tempo da carga armazenada

Na ¯gura 4.5 podemos ver o excesso de portadores de uma jun»ca~o sob uma polariza»ca~o.
Qualquer mudan»ca na corrente deve conduzir a uma mudan»ca da carga armazenada na
distribui»c~ao de portadores. Como um aumento ou uma diminui»ca~o na distribui»c~ao de
portadores ¶e dependente do tempo, a corrente tamb¶em ser¶a, logo a equa»ca~o 4.36 pode ser
reescrita como:

e a corrente total injetada incluido a depend^encia temporal ser¶a:

Este resultado indica que a corrente de buracos injetados da jun»ca~o (aproximada-

mente a corrente total do diodo) ¶e determinada por dois efeitos de carga armazenada: 1)
termo de recombina»c~ao usual no qual a distribui»ca~o do excesso de portadores ¶e trocada
a cada segundos, e 2) o termo de aumento ou diminui»ca~o ,o qual ¶e permitido pelo
fato que a distribui»ca~o do excesso de portadores pode estar aumentando ou diminuindo
no tempo. No estado estacion¶ario .
¶ razo¶avel pensar-se que a corrente de buracos injetada em qualquer tempo deve suprir
E
os portadores minorit¶arios que se recombinam e tamb¶em para as varia»co~es que ocorrem
na carga armazenada total.
Muitos dos problemas de carga armazenada podem ser reduzidos fazendo um diodo
com uma regi~ao bem estreita. Se a regi~ao ¶e mais curta do que o comprimento
de difus~ao, muito poucas cargas s~ao armazenadas. Assim menos tempo ¶e necess¶ario para
chavear o diodo de o®-on. Este tipo de estrutura ¶e chamado de diodo de base estreita.

4.9 Transiente de recupera»c~

ao reversa

Em muitas aplica»co~es de chaveamento o diodo ¶e chaveado da condu»c~ao direta para o

estado de polariza»ca~o reversa e vice-versa. O transiente devido aµ carga armazenada ¶e
mais complicado do que o transiente simples de ligar e desligar. Um resultado importante
deste exemplo ¶e que uma corrente reversa muito maior do que a corrente de satura»ca~o
reversa normal pode °uir na jun»ca~o durante o tempo necess¶ario para o ajustamento das
cargas armazenadas.
Vamos assumir que uma jun»ca~o ¶e alimentada por um gerador de onda quadrada
que varia periodicamente de para volts, como mostrado na ¯gura 4.11. Enquanto
¶e positivo o diodo ¶e polarizado diretamente, e a corrente °ui atrav¶es da jun»ca~o no es-
tado estacion¶ario. Se ¶e muito maior do que uma pequena tens~ao direta da jun»c~ao, a ten-
s~ao da fonte aparecer¶a quase inteiramente no resistor e a corrente ser¶a aproximadamente
. Quando o gerador de tens~ao ¶e invertido , a corrente deve inicialmente
reverter para . A raz~ao para esta grande corrente reversa n~ao usual atrav¶es
do diodo ¶e que a carga armazenada (e por isso a tens~ao na jun»ca~o) n~ao pode ser mu-
dada instantaneamente. Assim, a medida que a corrente ¶e invertida, a tens~ao na jun»ca~o
permanece em um pequeno valor direto que ela tinha antes em . A grande corrente
reversa deve °uir temporariamente enquanto a corrente ¶e negativa atrav¶es da jun»ca~o,
a inclina»ca~o da distribui»c~ao ¶e positiva em .

Figura 4.11: Tempo de armazenamento em um diodo :a) circuito e onda de entrada quadrada;b)
distribui»c~
ao de buracos na regi~
ao como fun»c~ao do tempo durante o transiente;c) varia»c~ao da corrente e tens~
ao
com o tempo; d) esbo»co do transiente da corrente e da tens~
ao sobre a curva caracter¶³sitca do dispositivo.

A medida que a carga armazenada ¶e retirada da vizinhan»ca da jun»ca~o poderemos encon-

trar a tens~ao na jun»c~ao outra vez pela equa»ca~o 4.31. Se ¶e positivo, a tens~ao na jun»ca~o
¶e positiva e pequena; assim at¶e que Quando a carga
armazenada ¶e esvaziada e torna-se negativo, a jun»c~ao exibe uma tens~ao negativa.
Como a tens~ao de polariza»ca~o reversa torna-se grande, a tens~ao na fonte come»ca a se
dividir entre e a jun»c~ao. A medida que o tempo passa, o tamanho da corrente reversa
se torna menor quanto maior aparecer atrav¶es da jun»c~ao polarizada reversamente, at¶e
que ¯nalmente a u
¶nica corrente ser¶a a pequena corrente de satura»c~ao reversa que ¶e carac-
ter¶³stica do diodo. O tempo necess¶ario para que a carga armazenada (tens~ao na jun»ca~o)
torne-se zero ¶e chamado de tempo de atraso de armazenamento . Este tempo de
atraso ¶e um importante par^ametro na avalia»c~ao do diodo para aplica»ca~o em chaveamento.
Deseja-se que seja pequeno comparado com o tempo de chaveamento desejado. O
par^ametro cr¶³tico na determina»c~ao de ¶e o tempo de vida do portador ( para o exem-
plo da jun»c~ao ). Desde que a taxa de recombina»ca~o determina a velocidade com a qual
o excesso de buracos pode desaparecer na regi~ao , esperamos que seja proporcional a
:

Um resultado importante desta equa»ca~o ¶e que pode ser calculado de modo direto
da medida do tempo de armazenamento. A ¯gura 4.12 mostra os efeitos do sobre um
sinal de chaveamento.

Figura 4.12: Efeito do atraso do tempo de armazenamento:a) tens~

ao de chaveamento; b) corrente no diodo.

4.10 Capacit^
ancia da jun»
c~
ao

Existem basicamente dois tipos de capacit^ancia associados com a jun»ca~o: 1) capacit^ancia

da jun»ca~o (capacit^ancia da camada de deple»c~ao) devido aos dipolos na regi~ao de deple»ca~o
e 2) capacit^ancia de carga armazenada (capacit^ancia de difus~ao) resultante do atraso da
tens~ao em rela»c~ao aµ mudan»ca na corrente, devido aos efeitos de carga armazenada. Ambas
as capacit^ancias s~ao importantes, e elas devem ser consideradas no \design" do dispositivo
de jun»c~ao para uso com sinais variantes no tempo. A capacit^ancia da jun»ca~o ¶e
dominante em condi»c~oes de polariza»c~ao reversa, e a capacit^ancia de carga armazenada ¶e
dominante quando a jun»c~ao ¶e polarizada diretamente. Em muitas aplica»co~es de jun»co~es
, a capacit^ancia ¶e um fator limitante na utiliza»c~ao do dispositivo; as capacit^ancias aqui
discutidas podem ser u
¶teis nas aplica»co~es de circuito e fornecer importantes informa»co~es
a respeito da estrutura da jun»ca~o .
A capacit^ancia da jun»ca~o de um diodo ¶e facilmente visualizada na distribui»c~ao de carga
na regi~ao de deple»c~ao como mostrado na ¯gura 4.2. Os ¶³ons aceitadores do lado fornecem
a carga negativa, e os ¶³ons doadores do lado as cargas positivas na regi~ao de deple»ca~o. A
capacit^ancia do dipolo resultante ¶e um pouco mais dif¶³cil de calcular do que a capacit^ancia
de um capacitor de placas paralelas.
A express~ao comum , que ¶e aplicada aos capacitores nos quais a carga ¶e uma
fun»c~ao linear da tens~ao, deve ser usada na forma da de¯ni»ca~o mais geral:

uma vez que a carga em cada lado da regi~ao de transi»c~ao varia n~ao linearmente com a
tens~ao aplicada. Podemos demonstrar esta depend^encia n~ao linear revisando a equa»ca~o
para a largura da camada de deple»ca~o e a carga resultante. O valor de no equil¶³brio
¶e dado pela equa»c~ao 4.25. No caso de n~ao equil¶³brio (com uma tens~ao aplicada) teremos:

Como esperado a largura de aumenta com um potencial reverso e diminui

para um potencial direto .Como as cargas em cada lado da jun»c~ao variam com
, as varia»c~oes no potencial aplicado resultam numa varia»ca~o das cargas. O valor de
pode ser escrito em termos da concentra»c~ao de dopagem e de em cada lado da jun»ca~o:

Das equa»co~es 4.27 e 4.28 temos:

 Assim, a carga de cada lado do dipolo ¶e:

A carga ¶e sem d¶
uvida uma fun»c~ao n~ao linear da tens~ao aplicada. Desta express~ao e
da express~ao da capacit^ancia podemos calcular a capacit^ancia da jun»ca~o .
Como a tens~ao que varia a carga na regi~ao de deple»c~ao ¶e , temos:

A quantidade ¶e uma capacit^ancia de tens~ao vari¶avel. Existem muitas aplica»co~es

importantes para um capacitor vari¶avel. O dispositivo de jun»c~ao que faz uso desta
propriedade de tens~ao vari¶avel de ¶e chamado de varactor, que veremos mais adiante.
Apesar da carga do dipolo estar distribu¶³da na regi~ao de transi»c~ao da jun»c~ao, a forma
da f¶ormula do capacitor de placas paralelas ¶e obtida das express~oes de e .

Em analogia com o capacitor de placas paralelas, a regi~ao de deple»ca~o corresponde

µa separa»ca~o das placas do capacitor convencional.
No caso de uma jun»ca~o com assimetria na dopagem, a regi~ao de transi»ca~o se estender¶a
menos no lado mais dopado e a capacit^ancia ¶e determinada por um s¶o tipo de concentra»ca~o
de dopante. Para e ¶e desprez¶³vel:

¶ portanto poss¶³vel obter-se a concentra»ca~o da regi~ao menos dopada atrav¶es de medidas

E
de capacit^ancia. Por exemplo, em uma jun»ca~o polarizada reversa pode ser muito
maior do que . Se a a¶rea da jun»c~ao puder ser medida, um valor resulta da medida
.
A capacit^ancia de jun»ca~o domina a reat^ancia de uma jun»ca~o sob polariza»ca~o
reversa; para uma polariza»c~ao direta, contudo, a capacit^ancia de uma carga armazenada
torna-se dominante. Para calcular a capacit^ancia devido aos efeitos de carga armazenada,
vamos assumir que a jun»c~ao ¶e polarizada diretamente com uma corrente estacion¶aria
 . A carga armazenada na distribui»ca~o de buracos injetados ¶e:

para .
A capacit^ancia devido a pequenas mudan»cas na carga armazenada ¶e:

Similarmente podemos determinar a condut^ancia permitindo pequenas mudan»cas

na corrente:

Assim a componente da corrente ser¶a:

Onde e .
A capacit^ancia de carga armazenada pode ser uma s¶eria limita»ca~o para a jun»ca~o
polarizada diretamente em circuito de alta freqÄ
u^encia. A resposta de alta freqÄ
u^encia
de uma jun»ca~o pode ser melhorada reduzindo-se o tempo de vida do portador.
Como ¶e proporcional a , um tempo de vida curto pode tornar a capacit^ancia de uma
jun»c~ao polarizada diretamente aceitavelmente pequena para muitas aplica»co~es.

4.11 Jun»c~
ao Metal-Semicondutor
Muitas das propriedades da jun»ca~o podem ser obtidas formando-se simplesmente
um contato apropriado entre um metal e um semicondutor. Isto ¶e bastante atrativo por
causa da simpli¯ca»ca~o de fabrica»c~ao; e tamb¶em como veremos mais adiante, as jun»co~es
metal-semicondutor s~ao muito u
¶teis quando alta velocidade de reti¯ca»ca~o s~ao necess¶arias.
 Na se»c~ao 2.2 n¶os estudamos o efeito fotoel¶etrico e de¯nimos a fun»ca~o trabalho
para o metal. Uma energia de ¶e necess¶aria para remover um el¶etron do n¶³vel de Fermi
para o v¶acuo fora do metal. Valores t¶³picos de para superf¶³cies limpas s~ao para
o alum¶³nio ( ) e para o ouro ( ).Quando cargas negativas s~ao colocadas pr¶oximas
µa superf¶³cie do metal, cargas imagem positivas s~ao induzidas no metal. Quando a for»ca
desta imagem ¶e combinada com o campo el¶etrico aplicado, a fun»c~ao trabalho efetiva ¶e
reduzida. Tal abaixamento da barreira ¶e chamado de efeito Schottky, e este termo ser¶a
usado sempre quando discutirmos as barreiras de potencial resultantes dos contatos metal-
semicondutor.Os contatos reti¯cadores s~ao chamados de diodos de barreira Schottky.
Vamos considerar uma jun»ca~o metal-semicondutor ideal. Quando um metal com
fun»c~ao trabalho ¶e colocado em contato com um semicondutor que tem fun»c~ao traba-
lho , uma transfer^encia de cargas ocorre at¶e que o que os n¶³veis de Fermi se alinhem
no equil¶³brio. Isto pode ser visto na ¯gura 4.13. Por exemplo, quando , o n¶³vel de
Fermi do semicondutor est¶a inicialmente mais alto do que o do metal antes do contato.
Para alinhar os dois n¶³veis de Fermi, o potencial eletrost¶atico do semicondutor deve ser
aumentado (isto ¶e, a energia dos el¶etrons deve ser abaixada) relativamente ao metal.
Em um semicondutor tipo , como o da ¯gura 4.13, a camada de deple»ca~o ¶e for-
mada pr¶oxima µa jun»ca~o.A carga positiva devido aos ¶³ons doadores ionizados dentro de ,
atraem cargas negativas no metal. O campo el¶etrico e a inclina»ca~o das bandas dentro de
s~ao similares aos efeitos j¶a discutidos para as jun»c~oes . Por exemplo, a largura
da camada de deple»ca~o no semicondutor pode ser calculada da equa»ca~o 4.25 usando a
aproxima»ca~o (isto ¶e, assumindo que a carga negativa no dipolo ¶e uma ¯na l^amina de
carga no lado esquerdo da jun»ca~o). Similarmente, a capacit^ancia da jun»ca~o ¶e , como
na jun»ca~o .
O potencial de contato no equil¶³brio, o qual evita a difus~ao l¶³quida de el¶etrons
da banda de condu»c~ao do semicondutor para o metal, ¶e a diferen»ca nas fun»co~es trabalho
. A altura da barreira de potencial para a inje»c~ao de el¶etrons do metal para a
banda de condu»c~ao do semicondutor ¶e onde (a¯nidade eletr^onica) ¶e medida do
n¶³vel de v¶acuo at¶e o fundo da banda de condu»c~ao. A diferen»ca do potencial de equil¶³brio
pode ser diminu¶³da ou aumentada pela aplica»ca~o de uma polariza»c~ao direta ou reversa,
como na jun»c~ao .
 Figura 4.13: Barreira Schottky formada pelo contato de um semicondutor tipo com um metal que possui
fun»c~
ao trabalho maior; a) Diagrama de bandas para o metal e o semicondutor antes do contato;b) diagrama de
banda no equil¶³brio para a jun»c~
ao.

A ¯gura 4.14 mostra uma barreira Schottky para um semicondutor tipo , com
. Neste caso o alinhamento dos n¶³veis de Fermi no equil¶³brio requerem cargas
positivas no lado do metal e cargas negativas no lado do semicondutor. A carga negativa ¶e
acomodada pela camada de deple»ca~o na qual os aceitadores ionizados s~ao deixados
pelos buracos. A barreira de potencial que retarda a difus~ao de buracos do semicondutor
para o metal ¶e , e como antes esta barreira pode ser aumentada ou abaixada pela
aplica»c~ao de uma tens~ao µa jun»ca~o. Para visualizar a barreira para os buracos, podemos
voltar aµ ¯gura 4.1, a qual mostra que a barreira de potencial para cargas positivas ¶e oposta
a barreira para os el¶erons no diagrama de energia.
Os dois casos para o contato ideal metal-semicondutor ( para o semicondutor
tipo e para o tipo ) resultam em contatos n~ao reti¯cadores.
 Figura 4.14: Barreira Schottky entre um semicondutor tipo p e um metal tendo fun»c~
ao trabalho menor:a)
diagrama de bandas antes da jun»c~
ao: b) diagrama de bandas para a jun»c~
ao no equil¶³brio.

Quando uma polariza»c~ao direta ¶e aplicada a uma barreira Schottky como a da ¯gura
4.13a, o potencial de contato ¶e reduzido de para como pode ser visto na
¯gura 4.15a. Como resultado, os el¶etrons na banda de condu»ca~o do semicondutor podem
difundir-se atrav¶es da regi~ao de deple»c~ao at¶e o metal. Isto aumenta a corrente direta
(metal para o semicondutor) atrav¶es da jun»ca~o. Para uma polariza»c~ao reversa a altura da
barreira aumenta para , e o °uxo de el¶etrons do semicondutor para o metal torna-
se desprez¶³vel. Para qualquer caso, o °uxo de el¶etrons do metal para o semicondutor ¶e
di¯cultado pela barreira . A equa»c~ao do diodo resultante ¶e similar na forma µaquela da
jun»c~ao

como sugere a ¯gura 4.15c. Neste caso a corrente de satura»c~ao reversa n~ao ¶e simplemente
derivada como feito para a jun»ca~o . Um aspecto importante que pode ser predito,
contudo, ¶e que a corrente de satura»ca~o depende do tamanho da barreira para a inje»ca~o
de el¶etrons do metal para o semicondutor. A barreira (a qual ¶e para o caso ideal
mostrado na ¯gura 4.15) n~ao ¶e afetada pela tens~ao de polariza»ca~o. Esperamos que a
probabilidade de um el¶etron passar por esta barreira seja dada pelo fator de Boltzamann.
Assim:
 A equa»ca~o do diodo 4.57 aplica-se tamb¶em aµ jun»ca~o semicondutor tipo da ¯gura 4.14.
Neste caso uma polariza»ca~o direta ¶e de¯nida com o semicondutor polarizado positivamente
em rela»ca~o ao metal. A corrente direta aumenta a medida que a tens~ao diminui a barreira
de potencial ¶ claro, que uma
e os buracos °uem do semicondutor para o metal. E
polariza»ca~o reversa aumenta a barreira para o °uxo de buracos e a corrente torna-se
desprez¶³vel.

Figura 4.15: Efeitos da polariza»ca

~o direta e reversa sobre a jun»c~
ao da ¯gura 4.13:a)polariza»c~
ao
direta;b)polariza»c~
ao reversa;c) curva caracter¶³stica.

Em ambos os casos o diodo de barreira Schottky ¶e reti¯cador, com f¶acil °uxo de

corrente na dire»ca~o direta e pequena corrente na dire»ca~o reversa. Podemos notar tamb¶em
que a corrente direta em cada caso ¶e devido aµ inje»ca~o de portadores majorit¶
arios do
semicondutor para o metal. A aus^encia de inje»c~ao de portadores minorit¶arios e o tempo
de atraso de armazenamento s~ao aspectos importantes dos diodos de barreira Schottky.
Apesar de alguma inje»ca~o de portadores minorit¶arios ocorrer para altos n¶³veis de corrente,
eles s~ao essencialmente dispositivos de portadores majorit¶arios. As propriedades de alta
frequ^encia e r¶apido chaveamento s~ao portanto nuito melhores nos diodos Schottky do que
nas jun»c~oes t¶³picas .
 Antigamente a tecnologia dos semicondutores permitia que os contatos reti¯cadores
fossem feitos simplesmente pela press~ao do metal contra a superf¶³cie do semicondutor. Nos
dispositivos modernos, contudo, o contato metal-semicondutor ¶e feito pela deposi»ca~o de
um ¯lme de metal apropriado sobre uma superf¶³cie semicondutora limpa e o padr~ao sendo
de¯nido por fotolitogra¯a. Dispositivos de barreira Schottky s~ao particularmente aceitos
para circuitos integrados de alta densidade porque menos m¶ascaras fotolitogr¶a¯cas s~ao
necess¶arias em compara»ca~o com os dispositiovs de jun»ca~o .

Em muitos casos ¶e desej¶avel ter-se um contato ^ohmico entre um metal e um semicon-

dutor com uma curva caracter¶³stica linear em ambas as polariza»co~es. Por exemplo,
a superf¶³cie de um circuito integrado t¶³pico ¶e um labirinto de regi~oes e , as quais de-
¶ importante que tais contatos sejam
vem ser muito bem conectadas e interconectadas. E
^ohmicos, com resist^encia m¶³nima e nenhuma tend^encia a reti¯car os sinais.
Os contatos metal-semicondutor ideais s~ao ^ohmicos quando a carga induzida no
semicondutor devida ao alinhamento dos n¶³veis de Fermi ¶e de portadores majorit¶arios,
como pode ser visto na ¯gura 4.16. Por exemplo, no caso de (tipo ) da ¯gura
4.16a, os n¶³veis de Fermi s~ao alinhados no equil¶³brio pela transfer^encia de el¶etrons do
metal para o semicondutor. Isto aumenta as energias dos el¶etrons ( abaixa o potencial
eletrost¶atico) relativo ao metal no equil¶³brio (¯gura 4.16b). Neste caso a barreira para o
°uxo de el¶etrons entre o metal e o semicondutor ¶e pequena e ¶e transposta facilmente
com uma pequena tens~ao aplicada. Do mesmo modo, o caso de (tipo ) resulta
na facilidade do °uxo de buracos °uirem atrav¶es da jun»c~ao (¯gura 4.16d). Diferente-
mente do caso dos contatos reti¯cadores discutidos acima, nenhuma camada de deple»ca~o
aparece no semicondutor nestes casos, pois a diferen»ca na energia potencial necess¶aria para
alinhar os n¶³veis de Fermi no equil¶³brio faz com que os portadores majorit¶arios se acu-
mulem no semicondutor.
Um m¶etodo pr¶atico para formar contatos o^hmicos ¶e pela dopagem pesada do semi-
condutor na regi~ao do contato.Por isso se existe uma barreira na interface, a camada
de deple»ca~o ¶e pequena o su¯ciente para permitir aos portadores tunelarem atrav¶es dela.
Por exemplo, contendo uma pequena percentagem de (antim^onio) pode ser aderido
ao tipo , formando uma camada na superf¶³cie do semicondutor e formando tamb¶em
um excelente contato o^hmico. Do mesmo modo para o material tipo , uma camada su-
per¯cial ¶e necess¶aria no contato com o metal. No caso do (alum¶³nio) sobre tipo
, o contato met¶alico fornece os dopantes aceitadores. Assim a superf¶³cie ¶e formada
durante um breve aquecimento do contato depois que o ¶e depositado.

Figura 4.16:Contato o
^hmico entre metal-semicondutor:a) para um semicondutor tipo ;b)diagrama de
banda no equil¶³brio para a jun»ca
~o;c) para um semicondutor tipo ;d)jun»c~
ao no equil¶³brio.

A discuss~ao dos contatos ideais de metal-semicondutor n~ao inclui certos efeitos da

jun»c~ao entre os dois materiais distintos. Diferentemente do que ocorre para a jun»ca~o ,
a qual ¶e feita em um u
¶ nico semicondutor, a jun»ca~o barreira Schottky inclui a termina»c~ao
do cristal semicondutor. A superf¶³cie do semicondutor cont¶em devido
a liga»c~oes covalentes incompletas a a outros efeitos, que podem conduzir a cargas na
interface metal-semicondutor. Al¶em disso o contato ¶e raramente feito de forma abrupta
entre o semicondutor e o metal. Existe tipicamente uma ¯na camada interfacial, a qual
n~ao ¶e met¶alica nem semicondutora. Por exemplo, cristais de sil¶³cio s~ao cobertos por uma
¯na ( ) camada de o¶xido mesmo depois do ataque qu¶³mico ou clivagem realizada
em condi»co~es atmosf¶ericas ideais. Portanto, a deposi»ca~o de um metal sobre a superf¶³cie
do produz uma camada cristalina na jun»c~ao. Entretanto os el¶etrons podem tunelar
atrav¶es desta ¯na camada, ela n~ao afeta a barreira para o transporte de corrente atrav¶es
da jun»ca~o.
Por causa dos estados de superf¶³cies da camada interfacial, de aglomerados mi-
crosc¶opicos de fases de metal-semicondutor, e de outros efeitos, ¶e dif¶³cil fabricar jun»co~es
com barreiras pr¶oximas aos valores ideais preditos a partir das fun»c~oes trabalho dos dois
materiais isolados. Em semicondutores compostos a camada interfacial introduz estados
no gap do semicondutor que colam o n¶³vel de Fermi em uma posi»ca~o ¯xa, independente
do metal usado. A ¯gura 4.17 mostra o n¶³vel de Fermi colado pelos estados de superf¶³-
cie dentro do gap do semicondutor. Por exemplo, um conjunto de estados de interface
localizado abaixo da banda de condu»ca~o cola o na superf¶³cie do tipo
, e a altura da barreira Schottky ¶e determinada deste efeito de colagem ao inv¶es daquele
atrav¶es da fun»ca~o trabalho do metal. Um caso interessante ¶e o do tipo (¯gura
4.17b), no qual o na interface ¶e colado acima da banda de condu»ca~o. Como resultado,
o contato o^hmico para o tipo pode ser feito depositando-se qualquer tipo de metal
na superf¶³cie. Para o , boas barreiras Schottky s~ao formadas por v¶arios metais, tais
como ou (platina). No caso da , com um aquecimento resulta uma camada de
silicato de platina, a qual fornece barreira Schottky com sobre o tipo .

Figura 4.17: N¶³vel de Fermi colado pelos estados de superf¶³cies em semicondutores compostos:a) ¶e colado
pr¶
oximo a no tipo , independentemente da escolha do metal;b) ¶e colado acima de
no tipo , fornecendo um excelente contato ^ ohmico.

4.12 Heterojun»
co
~es

J¶a estudamos as jun»c~oes simples (homojun»c~oes ) e a jun»ca~o entre metal e semicondu-

tor. A terceira classe de jun»c~oes consiste na jun»ca~o entre dois semicondutores diferentes
mas com casamento dos par^ametros de rede. Por semicondutores diferentes entende-se
gap de energia diferentes.
Quando semicondutores de diferentes gaps e diferentes a¯nidades eletr^onicas s~ao colo-
cados juntos para formar uma jun»c~ao, n¶os esperamos que haja uma descontinuidade nas
bandas de energia aµ medida que os n¶³veis de Fermi se igualam. A ¯gura 4.18 mostra uma
heterojun»c~ao ideal entre um semicondutor tipo com gap grande e um semicondutor tipo
com gap menor.
A descontinuidade na banda de condu»c~ao e na banda de val^encia aco-
modam a diferen»ca na energia do gap entre os semicondutores . No caso ideal,
deveria ser a diferen»ca das a¯nidades eletr^onicas e poderia ser encontrado
de . Na pr¶atica, as descontinuidades das bandas s~ao encontradas experimen-
talmente para o semicondutor particular. Por exemplo, no sistema , a
diferen»ca no gap de energia direto entre o maior gap e o menor , ¶e
repartido para aproxi-madamente 2/3 na banda de condu»ca~o e 1/3 na banda de val^encia
para a heterojun»ca~o. O potencial de contato ¶e dividido entre os dois semicondutores como
imposto pelo a-linhamento dos n¶³veis de Fermi. A camada de deple»ca~o resultante em cada
lado da jun»ca~o e o potencial intr¶³nseco de cada lado (construindo o potencial de contato
) s~ao encontrados resolvendo-se a equa»c~ao de Poisson com as condi»co~es de contorno da
continuidade da densidade de °uxo el¶etrico na jun»ca~o.

Figura 4.18: Heterojun»c~

ao ideal entre um semicondutor tipo com gap de energia grande e um semicondutor
tipo com gap de energia pequeno:a) diagrama de banda antes da jun»c~ao;b) descontinuidade e inclina»c~
ao da
banda no equil¶³brio.

A barreira que os el¶etrons devem vencer quando se movem do lado para o lado
pode ser diferente da barreira para os buracos que se movem de para . A regi~ao de
deple»c~ao em cada lado ¶e an¶aloga µa descrita pelas equa»co~es 4.27 e 4.28, exceto que devemos
levar em conta as constantes diel¶etricas diferentes para os dois semicondutores.

Na ¯gura 4.19 podemos ver um exemplo importante de heterojun»ca~o, na qual um

tipo pesadamente dopado ¶e crescido sobre levemente dopado. Nesta ¯gura
a descontinuidade na banda de condu»ca~o permite aos el¶etrons derramarem-se do lado
para o lado , onde eles s~ao armadilhados no po»co de potencial. Como
resultado, os el¶etrons s~ao coletados no lado da heterojun»c~ao e movem o n¶³vel de
Fermi acima da banda de condu»ca~o do pr¶oximo µa interface. Estes el¶etrons s~ao
con¯nados em um po»co de potencial estreito na banda de condu»c~ao do .
Figura 4.19: Heterojun»c~
ao entre e levemente dopado ilustrando o po»co de potencial para os
el¶etrons formado na banda de condu»c~
ao do . Se este po»co ¶e su¯cientemente ¯no, estados discretos de
energia ser~
ao formados.

Se construirmos um dispositivo no qual a condu»ca~o ocorra paralela aµ interface, os

el¶etrons em tal po»co de potencial formam um g¶as de el¶etrons bidimensional com pro-
priedades muito interessantes. Por exemplo, el¶etrons com alta mobilidade. Esta alta
mobilidade ¶e devida ao fato de que os el¶etrons nesse po»co vem do , e n~ao da
dopagem do . Como resultado, existe um espalhamento de impurezas desprez¶³vel no
po»co e a mobilidade ¶e controlada quase que inteiramente pelo espalhamento da rede
(f^onons). Em temperaturas baixas, onde o espalhamento por f^onons ¶e baixo, a mobilidade
nessas regi~oes pode ser muito alta. Se a inclina»ca~o da banda de condu»ca~o do ¶e su¯-
cientemente forte, o po»co de potencial pode ser muito estreito, e assim, estados discretos
tais como e podem ser formados.
Outro aspecto ¶obvio ¶e que o conceito de barreira de potencial de contato , para
ambos, el¶etron e buraco na homojun»ca~o n~ao ¶e mais v¶alido para a heterojun»ca~o. A barreira
para el¶etrons ¶e menor que a barreira para buracos. Esta propriedade da hetero-
jun»c~ao pode ser usada para alterar a inje»ca~o relativa de el¶etrons e buracos.
4.13 Diodo de jun»
c~
ao

A propriedade mais o¶bvia de uma jun»c~ao ¶e sua natureza unilateral, isto ¶e, para
uma boa aproxima»ca~o, ¶e que ele conduz corrente em uma u
¶ nica dire»c~ao. Podemos pensar
um diodo ideal como um curto-circuito quando ele ¶e polarizado diretamente e como um cir-
cuito aberto quando polarizado reversamente. A ¯gura 4.20 mostra a curva caracter¶³stica
do diodo de jun»ca~o.

Figura 4.20: a) Curva caracter¶³stica para o diodo ideal; b) Diodo ideal com o®set de tens~
ao; c) Diodo ideal
com o®set de tens~ao e resist^encia associada que simula a inclina»c~
ao da curva para um potencial direto aplicado.

O diodo de jun»c~ao n~ao funciona como na descri»ca~o acima, mas a curva de

muitas jun»co~es pode ser aproximada por um diodo ideal em s¶erie com outros elementos
de circuito para formar um circuito equivalente. Por exemplo, muitos diodos polarizados
diretamente exibem uma tens~ao de o®set , a qual pode ser aproximada no modelo
de circuito por uma bateria em s¶erie com o diodo ideal. A bateria em s¶erie no modelo
mant¶em o diodo ideal desligado para tens~oes aplicadas menores que . Esperamos que
seja aproximadamente o potencial de contato da jun»ca~o. Em alguns casos a aproxima»ca~o
da curva caracter¶³stica do diodo ¶e melhorada colocando-se um resistor em s¶erie no
circuito equivalente.
 Um diodo ideal pode ser colocado em s¶erie com uma fonte de tens~ao para promover
a reti¯ca»c~ao do sinal. Como a corrente pode °uir s¶o na polariza»ca~o direta do diodo,
somente os meio ciclos positivos da onda de entrada podem passar. A tens~ao de sa¶³da
¶e uma onda senoidal meio reti¯cada. Devido µa sen¶oide de entrada n~ao possuir um valor
m¶edio, o sinal reti¯cado tem um valor m¶edio positivo e por isso cont¶em uma componente
. Usando um ¯ltro adequado, o n¶³vel pode ser extra¶³do do sinal reti¯cado.
Os diodos de jun»c~ao que devem ser usados para reti¯ca»c~oes devem ter uma curva
o mais pr¶oximo do diodo ideal. A corrente reversa deveria ser desprez¶³vel e a corrente
direta exibir uma corrente direta com pouca depend^encia da tens~ao ( ¶e desprez¶³vel para
tens~ao direta). A tens~ao de ruptura reversa deveria ser grande e a tens~ao de o®set na
dire»ca~o direta deveria ser pequena. Infelizmente, nem todos os requisitos acima podem
ser alcan»cados em um dispositivo simples; compromissos devem ser feitos no \design" do
dispositivo para conseguir-se um diodo com esses requisitos.
A energia de gap ¶e importante na escolha para um diodo reti¯cador. Como ¶e
pequeno para materiais com gap grandes, a corrente de satura»ca~o reversa (que depende dos
portadores gerados termicamente) diminui com o aumento de . Um reti¯cador feito com
um material de gap grande pode operar em temperaturas mais altas, pois a cria»ca~o de
¶e reduzida pelo tamanho do gap. Os efeitos de temperatura s~ao criticamente importantes
nos reti¯cadores, os quais levam correntes altas na dire»ca~o direta e s~ao por isso suscet¶³veis
ao aquecimento. Por outro lado, o potencial de contato e a tens~ao de o®set aumentam
com . Este infort¶
unio ¶e sobreposto pelas vantagens de uma baixa concentra»c~ao ; por
exemplo, o sil¶³cio ¶e preferido ao germ^anio para reti¯cadores de pot^encia porque possui
maior, uma pequena corrente de satura»ca~o e uma tens~ao de ruptura alta, al¶em de
propriedades de fabrica»ca~o mais convenientes.
A concentra»c~ao de dopagem na jun»c~ao in°uencia a tens~ao de ruptura por avalanche, o
potencial de contato e a resist^encia em s¶erie do diodo. Se a jun»ca~o tem um lado
pesadamente dopado e outro levemente dopado , a regi~ao levemente dopada de-
termina muitas das propriedades da jun»ca~o. A regi~ao com alta resistividade deve ser
usada em um dos lados da jun»c~ao para aumentar a tens~ao de ruptura . Contudo, isso
faz com que a resist^encia direta aumente, contribuindo ent~ao para o problema do efeito
t¶ermico devido ao aquecimento . Para se reduzir a resist^encia da regi~ao levemente
dopada, ¶e necess¶ario aumentar a a¶rea e diminuir o seu comprimento. Portanto a geome-
tria f¶³sica do diodo ¶e outra vari¶avel de \design" importante. Limita»c~oes nas ¶areas para
o diodo incluem o problema da obten»c~ao de materiais uniformes. Defeitos causados na
uniformidade da jun»c~ao podem causar rupturas reversas prematuras em pequenas regi~oes
do dispositivo. Do mesmo modo, regi~ao levemente dopada da jun»c~ao n~ao pode ser feita
muito pequena. Um dos principais problemas que ocorre nesse caso ¶e o efeito chamado
de punch-through. Como a regi~ao de transi»ca~o aumenta com a polariza»ca~o reversa
e estende-se mais na regi~ao levemente dopada, ¶e poss¶³vel que aumente at¶e preencher
todo o comprimento dessa regi~ao. O resultado do punch-through ¶e uma ruptura abaixo
do valor esperado.
A montagem de uma jun»ca~o reti¯cadora ¶e critica para sua habilidade no manejo de
pot^encia. Para diodos usados em circuitos de baixa pot^encia, um encapsulamento de
vidro ou pl¶astico ¶e adequado. Contudo, dispositivos para altas correntes que dissipam
grandes quantidades de calor, uma montagem para transferir energia t¶ermica para longe
da jun»ca~o ¶e necess¶aria. Um reti¯cador de pot^encia de Sil¶³cio ¶e montado sobre um disco
de Molibd^enio ou Tungst^enio que s~ao casados µas propriedades de expans~ao t¶ermica do
Sil¶³cio. O disco ¶e preso a um grande peda»co de cobre ou outro material que conduz bem
calor e que pode ser parafusado a um tanque de calor com facilidade de esfriamento. O
contraste entre o tamanho e o tipo de montagem entre um diodo reti¯cador de pot^encia
e um diodo de baixas correntes pode ser visto na ¯gura 4.21.

Figura 4.21: a) Reti¯cador de pot^encia; b) Diodo para baixas correntes. O reti¯cador de pot^encia opera em
, com de tens~
ao reversa m¶axima enquanto que o diodo pequeno opera em correntes inferiores a 1A,
com tens~
oes de ruptura da ordem de algumas centenas de volts.
 Na discuss~ao dos diodos reti¯cadores enfatizamos a import^ancia de minimizar a cor-
rente de polariza»c~ao reversa e perda de pot^encia sob uma polariza»c~ao direta. Em muitas
aplica»c~oes, o tempo de resposta ¶e tamb¶em importante. Se um diodo de jun»ca~o ¶e usado
para chavear rapidamente de um estado condutor para um estado n~ao condutor e voltar
outra vez, considera»co~es especiais devem ser feitas para as propriedades de carga con-
trolada. Vimos anteriormente que um diodo, para possuir propriedades de chaveamento
r¶apido deveria ter ou muito pouca carga armazenada nas regi~oes neutras para correntes
diretas estacion¶arias, ou ter um tempo de vida dos portadores muito curto ou ambos.
Uma t¶ecnica comum para melhorar a velocidade de chaveamento de um diodo ¶e adi-
cionar centros de recombina»c~ao e¯cientes ao volume do material. Para diodos de sil¶³cio,
o ouro (Au) serve bem para esse prop¶osito. Uma boa aproxima»ca~o ¶e que o tempo de vida
do portador varia com o rec¶³proco da concentra»ca~o dos centros de recombina»c~ao. Por isso,
por exemplo, um diodo de sil¶³cio pode ter e tempo de recupera»c~ao reversa de
depois da dopagem com ouro. Se a adi»c~ao de reduz o de
, 10 poderiam reduzir o para e para . Contudo
este processo n~ao pode continuar inde¯nidamente. A corrente reversa devida µa gera»ca~o
de portadores nos centros de ouro na regi~ao de deple»c~ao torna-se apreci¶avel com a grande
concentra»c~ao de ouro. Al¶em disso, aµ medida que a concentra»c~ao de ouro se aproxima da
dopagem mais leve da jun»ca~o, a concentra»ca~o de portadores no equil¶³brio daquela regi~ao
pode ser afetada.
Outra t¶ecnica para melhorar a velocidade de chaveamento ¶e fazer a regi~ao menos
dopada com tamanho menor do que o comprimento de difus~ao do portador minorit¶ario.
A este tipo de diodo chamamos de diodo de base estreita. Neste caso, a carga armazenada
para a condu»ca~o direta ¶e muito pequena, uma vez que os portadores difundem-se atrav¶es
da regi~ao levemente dopada at¶e o contato ¯nal. Quando este diodo ¶e chaveado para
condu»ca~o reversa, pouco tempo ser¶a necess¶ario para eliminar a carga armazenada na
regi~ao estreita.
 Como j¶a visto, a tens~ao reversa de ruptura de uma jun»ca~o pode ser variada pela
escolha da concentra»ca~o de dopagem da jun»ca~o. O mecanismo de ruptura ¶e o efeito Zener
(tunelamento) para as jun»co~es abruptas com dopagens extremamente pesadas; mas a
ruptura mais comum ¶e por avalanche (ioniza»ca~o por impacto), t¶³picas para jun»co~es menos
dopadas. Variando-se a dopagem pode-se fabricar diodos com tens~oes de ruptura reversa
variando de menos de at¶e centenas de volts. Se a jun»ca~o for bem desenhada (cons-
tru¶³da), a ruptura ser¶a bem aguda e a corrente depois da ruptura ser¶a independente da
tens~ao.
Quando o diodo ¶e constru¶³do para uma tens~ao de ruptura espec¶³¯ca, ele ¶e chamado
diodo de ruptura. A ¯gura 4.22 mostra um diodo de ruptura. Tais diodos tamb¶em
s~ao chamados de diodos Zener, apesar do fato de o mecanismo de ruptura ser o efeito
avalanche.
Os diodos de ruptura podem ser usados como reguladores de tens~ao em circuitos com
entradas vari¶aveis. Na ¯gura 4.22 vemos um diodo de ruptura que mant¶em a sa¶³da do
circuito em uma tens~ao constante de , enquanto a entrada varia em tens~oes maiores
que . Por exemplo, se ¶e um sinal reti¯cado e ¯ltrado composto de uma compo-
nente de e varia»c~ao de pequena onda acima e abaixo de de , a sa¶³da
permanecer¶a constante em . Circuitos reguladores de tens~ao mais complicados po-
dem ser constru¶³dos usando diodos de ruptura, dependendo do sinal a ser regulado, e da
natureza da carga de sa¶³da. Em uma aplica»ca~o similar, tal diodo pode ser usado como
um diodo de refer^encia; como a tens~ao de ruptura de um diodo particular ¶e conhecida,
a tens~ao atrav¶es dele durante a ruptura pode ser usada como refer^encia no circuito que
requer um valor conhecido de tens~ao.

Figura 4.22: Diodo de ruptura:a) caracter¶³stica ; b) aplica»c~

ao como regulador de tens~
ao.
 Diodo varactor

O termo varactor ¶e uma forma reduzida para reator vari¶avel, referindo-se µa ca-
pacit^ancia vari¶avel com a tens~ao de uma jun»ca~o polarizada reversamente. As equa»co~es
derivadas anteriormente indicam que a capacit^ancia depende da tens~ao aplicada e do de-
senho da jun»c~ao. Em alguns casos a jun»c~ao com polariza»c~ao reversa ¯xa pode ser usada
como uma capacit^ancia de um valor determinado. Mais comumente, o diodo varactor
¶e constru¶³do para explorar a propriedade de tens~ao vari¶avel da capacit^ancia da jun»ca~o.
Por exemplo, um varactor (ou conjunto de varactores) pode ser usado na sintonia de um
receptor de r¶adio para substituir um capacitor de placas paralelas vari¶avel. O tamanho
do circuito ¯ca bastante reduzido. Outras aplica»co~es do diodo varactor incluem uso em
gera»ca~o de harm^onicos, multiplica»c~ao de freqÄ
u^encia de microondas e ¯ltros ativos.
Se a jun»ca~o ¶e abrupta, a capacit^ancia varia com a raiz quadrada do potencial
reverso como pode ser visto na equa»ca~o 4.50. Em uma jun»ca~o gradual, a capacit^ancia
pode ser escrita usualmente na forma:

Por exemplo, em uma jun»ca~o linearmente gradual o expoente de ¶e . Assim a

sensibilidade com a tens~ao de uma ¶e maior para uma jun»ca~o abrupta que para uma
linearmente gradual. Por esta raz~ao, os diodos varactores s~ao freqÄ
uentemente constru¶³dos
pela t¶ecnica de epitaxia (produz interfaces muito abruptas). Pode-se construir dispositivos
de forma a obter maior que . Tais jun»co~es s~ao chamadas de hiperabruptas. Na ¯gura
4.23 vemos tr^es diferentes per¯s de dopagem para uma jun»c~ao onde a camada de
deple»c~ao estende-se toda no lado . Os tr^es per¯s tem distribui»ca~o de doadores
dados por onde ¶e constante e ¶e ou . Pode-se mostrar que o expoente
na equa»ca~o da jun»ca~o abrupta ¶e . Assim, ¶e para jun»ca~o abrupta e
para a jun»ca~o gradual. A jun»c~ao hiperabrupta com igual a ¶e particularmente
interessante para certas aplica»co~es do varactor, uma vez que para a capacit^ancia
ser¶a proporcional a . Quando tal capacitor ¶e usado com um indutor em um circuito
ressonante, a freqÄ
u^encia ressonante varia linearmente com a tens~ao aplicada ao varactor:

Por causa da grande variedade de depend^encias de pela escolha dos per¯s dos
dopantes, o diodo varactor pode ser constru¶³do para aplica»c~oes especi¯cas. Para algumas
aplica»c~oes em alta freqÄ
u^encia, os varactores podem ser constru¶³dos para aproveitar a
capacit^ancia de carga armazenada na polariza»ca~o direta.

Figura 4.23: Per¯s de jun»c~

oes graduais:linear,abrupta e hiperabrupta.

Diodo t¶
unel

O diodo t¶
unel ¶e um dispositivo de jun»ca~o que opera em certas regi~oes da sua
curva caracter¶³stica pelo tunelamento qu^antico de el¶etrons atrav¶es da barreira de
potencial da jun»ca~o. O processo de tunelamento para corrente reversa ¶e essencialmente
o efeito Zener, contudo uma polariza»ca~o reversa desprez¶³vel ¶e necess¶aria para se iniciar o
processo no diodo t¶
unel. Este dispositivo pode ser usado em muitas aplica»c~oes, incluindo
chaveamento de alta velocidade de circuitos l¶ogicos. O diodo t¶
unel exibe um aspecto
importante de resist^encia negativa em uma por»ca~o da curva .

Semicondutores degenerados:
Se a concentra»c~ao de doadores (aceitadores) ¶e muito alta os ¶atomos estar~ao
muito pr¶oximos uns dos outros e n¶os n~ao poderemos mais considerar um n¶³vel doador
(aceitador) como composto de estados discretos de energia. De fato, doadores (aceita-
dores) formam uma banda, a qual se sobrep~oe ao fundo da banda de condu»ca~o (ao topo
da banda de val^encia). Se a concentra»ca~o de el¶etrons na banda de condu»c~ao (buracos
na banda de val^encia) ( ) exceder a densidade efetiva de estados ( ), o n¶³vel de
Fermi n~ao estar¶a mais no centro do gap, mas se estender¶a dentro da banda de condu»ca~o
(de val^encia). Quando isso ocorre, o material ¶e chamado de tipo ( ) degenerado. Do
mesmo modo, todos os estados acima de est~ao ocupados. Assim, em um semicondutor
degenerado ( ) a regi~ao entre e ( e ) est¶a preenchida por el¶etrons (buracos).
 Opera»c~ao do diodo t¶
unel:
Na ¯gura 4.24 vemos uma jun»ca~o degenerada. A jun»c~ao est¶a em equil¶³brio.
est¶a abaixo da banda de val^encia do lado e est¶a acima da banda de condu»ca~o no
lado . Assim, para que seja o mesmo para os lados e , haver¶a uma superposi»ca~o
na energia das bandas.

Figura 4.24: Diagrama de banda e curva caracter¶³sitiva para o diodo t¶

unel em v¶aria condi»c~
oes de
polariza»c~
ao. a) no equil¶³brio, sem tunelamento;b) pequena polariza»c~
ao reversa, tunelamento de el¶etrons de
para ; c) pequena polariza»c~ ao direta, el¶etrons tunelando de para ; d)maior polariza»c~
ao direta, el¶etrons
tunelando de para diminuindo a superposi»c~ ao entre as bandas.

Esta superposi»ca~o ¶e muito importante; signi¯ca que com uma pequena polariza»ca~o
direta ou reversa, os estados cheios e os vazios estar~ao opostos um ao outro, separados
essencialmente pela largura da camada de deple»c~ao. Se a jun»ca~o for bem abrupta, a regi~ao
de deple»ca~o ser¶a muito estreita para altas concentra»c~oes de dopagem e o campo el¶etrico
na jun»c~ao ser¶a muito grande. Assim, as condi»c~oes para o tunelamento do el¶etron s~ao
satisfeitas { estados vazios e cheios separados por uma barreira de potencial estreita e
¯nita.
 Como as bandas j¶a est~ao superpostas no equil¶³brio, uma pequena tens~ao reversa per-
mite o tunelamento do el¶etron da banda de val^encia cheia (estados abaixo de ) para a
banda de condu»ca~o vazia (estados acima de ). Esta condi»c~ao ¶e similar ao efeito Zener
exceto que nenhuma polariza»ca~o ¶e necess¶aria para criar as condi»c~oes de superposi»c~ao das
µ medida que a polariza»c~ao reversa aumenta,
bandas. A continua a se mover para baixo
na escala de energia com respeito a , colocando mais estados vazios opostos aos cheios.
Por isso, o tunelamento de el¶etrons de para aumenta com o aumento da polariza»ca~o
reversa. A corrente convencional ¶e oposta ao °uxo de el¶etrons, ou seja, ela vai de para
. O tunelamento de el¶etrons de para ¶e igual ao de para , por isso a corrente liquida
¶e zero.
Quando a polariza»ca~o direta ¶e aplicada, move-se para cima na energia em rela»ca~o
a por uma quantidade . Assim, el¶etrons abaixo de no lado s~ao colocados
opostamente aos estados vazios acima de no lado . O tunelamento de el¶etrons ocorre
de para , e uma corrente de para surge. Esta corrente direta de tunelamento
continua a aumentar com o potencial direto aplicado enquanto os estados cheios s~ao
colocados em oposi»c~ao aos estados vazios. Contudo, µa medida que sobe em rela»ca~o a
, ¶e alcan»cado um ponto em que as bandas come»cam a passar uma pela outra. Quando
isto acontece, o n¶
umero de estados cheios opostos aos vazios diminui. Resultando em uma
diminui»c~ao da corrente de tunelamento. Esta regi~ao da curva ¶e importante porque
aparece uma diminui»ca~o da corrente de tunelamento com um aumento da polariza»ca~o
direta, produzindo assim, uma regi~ao de inclina»ca~o negativa . Esta resist^encia negativa
¶e u
¶ til em um grande n¶
umero de aplica»co~es. Se a polariza»ca~o direta ¶e aumentada acima
da regi~ao de resist^encia negativa, a corrente come»ca a aumentar novamente, como pode
ser visto na ¯gura 4.25.
Como as bandas j¶a passaram uma pela outra, a curva se assemelha a de um diodo
convencional. A corrente direta ¶e agora dominada pela corrente de difus~ao, el¶etrons
vencendo a barreira de potencial de para e buracos de ¶ l¶ogico que a
para . E
corrente de difus~ao est¶a presente durante o tunelamento, contudo ela ¶e desprez¶³vel em
rela»c~ao aµ corrente devida ao tunelamento.
Figura 4.25: a) Diagrama de banda e b) caracter¶³stica para o diodo t¶
unel acima da regi~
ao da corrente de
tunelamento. Em b) a componente da corrente de tunelamento ¶e a curva s¶ olida e a componente da corrente de
difus~
ao ¶e a curva pontilhada.

A curva caracter¶³stica de um diodo t¶

unel tem a forma geral de um , assim ¶e comum
referir-se a essa curva como exibindo uma resist^encia negativa tipo . Ela ¶e tamb¶em
chamada de resist^encia negativa controlada por tens~ao, signi¯cando que a corrente diminui
rapidamente em alguma tens~ao cr¶³tica (neste caso tens~ao de pico ) tomada no ponto de
maximo tunelamento.
Os valores de corrente de tunelamento de pico e corrente de vale , mostrados na
¯gura 4.26,determinam o tamanho da inclina»ca~o da resist^encia negativa para o diodo de
um dado material. Por isso, sua raz~ao ¶e usada freqÄ
uentemente como ¯gura de m¶erito
para o diodo t¶
unel. A raz~ao ¶e a medida das varia»co~es da tens~ao entre duas regi~oes de
resist^encia positiva.

Figura 4.26: Caracter¶³sitca total do diodo t¶

unel.
 Aplica»c~oes em circuitos:
A resist^encia negativa do diodo t¶
unel pode ser usada de v¶arios modos para chavea-
mento, oscila»c~ao, ampli¯ca»ca~o e outras fun»co~es de circuito. Este largo espectro de aplica»c~oes
associado com o fato de que o processo de tunelamento n~ao apresenta demora no tempo
(atraso) de deriva e difus~ao, torna o diodo t¶
unel uma escolha natural para certos circuitos
de alta velocidade. Contudo, o diodo t¶
unel n~ao ¶e muito utilizado devido a sua baixa
corrente de opera»c~ao e tamb¶em devido µa competi»ca~o com outros dispositivos.
 1) Uma jun»ca~o de tem em cada lado impurezas com concentra»co~es
e . a) Calcule as posi»c~oes do n¶³vel de Fermi em cada lado a , em
rela»c~ao aµs bandas de val^encia e de condu»c~ao. b) Desenhe o diagrama de energia da jun»ca~o
em equil¶³brio, indicando os valores das energias relevantes, e a partir dele determine o
potencial de contato .

2) Calcule o campo el¶etrico m¶aximo, a espessura da regi~ao de deple»ca~o (em m) e a

capacit^ancia da jun»ca~o do exerc¶³cio 1, considerando que ela tem uma se»c~ao circular
de di^ametro 300 m.

3) Considere duas jun»co~es abruptas feitas com semicondutores diferentes, uma

de e outra de . Ambas t^em as mesmas concentra»co~es de impurezas,
e , e a mesma se»c~ao circular de di^ametro . Suponha tamb¶em que
os tempos de recombina»c~ao s~ao todos iguais, .a)Calcule as correntes de
satura»ca~o das duas jun»co~es em .b) Fa»ca o gr¶a¯co , com variando na faixa
e limitado a .

4) Um diodo feito com uma jun»ca~o de , como o do exerc¶³cio 3, ¶e colocado no circuito

da ¯gura abaixo. A bateria tem for»ca eletromotriz de e resist^encia interna eo
resistor ¶e de . a) Utilizando a equa»ca~o do diodo, calcule analiticamente a corrente e a
tens~ao no diodo.b) Utilizando a curva obtida no exerc¶³cio 3, calcule gra¯camente a
corrente e a tens~ao no diodo e compare com os valores obtidos no ¶³tem a).

5) Fa»ca um diagrama de bandas simples de uma jun»ca~o no equil¶³brio, mostrando

esquematicamente os °uxos de difus~ao e gera»ca~o dos buracos.

6) Dada uma jun»ca~o de , para a qual as densidades totais de doadores e aceita-

dores s~ao , mantidos a , discuta qual curva corrente-tens~ao caracter¶³stica voc^e
esperaria observar. Compare com a curva a .

7) Calcule a densidade de corrente de satura»ca~o reversa da jun»c~ao de . Assuma

que a dopagem em ambos os lados da jun»ca~o ¶e impurezas ionizadas por e que a vida
m¶edia de ambos os portadores ¶e . Note que os coe¯cientes de difus~ao dos portadores
podem ser calculados dos valores de mobilidade, os quais s~ao e,
Compare seu resultado com os valores observados para os diodos de
sil¶³cio na temperatura ambiente, dados na ¯gura 3.18.

8) Explique a in°u^encia do tamanho do gap de energia na concentra»c~ao de portadores

na temperatura ambiente.
9) A a¯rma»c~ao "O °uxo de el¶etrons devido µa difus~ao produz um campo el¶etrico que
se op~oe ao °uxo aumentando a energia do el¶etron no lado da jun»ca~o", est¶a certa ou
errada? Explique a sua resposta.

10) Dada uma jun»c~ao de a na qual a densidade de portadores extr¶³nsecos

¶e em cada lado da jun»ca~o, calcule o aumento nos buracos minorit¶arios injetados
no lado para um potencial direto .

11) a) Fa»ca um esbo»co do diagrama de bandas de uma jun»c~ao polarizada dire-

tamente e indique com setas as dire»co~es e magnitudes relativas a todos os °uxos de
part¶³culas e todas as densidades de correntes envolvidas. b) Fa»ca o mesmo para uma
jun»c~ao polarizada reversamente.

12) Assumindo que o campo cr¶³tico para a ruptura Zener ¶e , calcule a pola-
riza»c~ao reversa necess¶aria para este tipo de ruptura na seguinte jun»ca~o de : no lado
= no lado = . Assuma que a ruptura pode ocorrer se o pico do campo
el¶etrico na jun»ca~o alcan»ca .

13) Uma jun»c~ao de ¶e dopada com no lado , onde

e . A a¶rea da jun»c~ao ¶e . Calcule a corrente de satura»ca~o reversa e a
corrente direta quando

14) Para a jun»ca~o de do exerc¶³cio 13, encontre: a) a capacit^ancia da jun»ca~o

com polariza»ca~o reversa de e b) a capacit^ancia de carga armazenada com
polariza»ca~o direta de 0,6 V.

15) Assuma que uma barreira Schottky ideal ¶e formada sobre um tipo tendo
. A fun»ca~o trabalho do metal ¶e , e a a¯nidade eletr^onica do ¶e
. Esboce um diagrama no equil¶³brio como o da ¯gura 4.13. Esboce os diagramas para
polariza»ca~o direta e reversa como os da ¯gura 4.15, pra e .

16) Esboce o diagrama de bandas para sobre para a) ,

, b) , intr¶³nseco, c) , intr¶³nseco. Esta com-
posi»c~ao de ¶e direta, com . Assuma .

17) Uma barreira Schottky ¶e formada entre um metal com fun»ca~o trabalho de e
o tipo ( a¯nidade eletr^onica de ). A dopagem de aceitador no ¶e de .
a) Esboce o diagrama de banda no equil¶³brio, mostrando o valor n¶
um¶erico para . b)
Esboce o diagrama de banda para uma polariza»ca~o direta de . Repita para uma
polariza»ca~o reversa de .
5 Transistores
5.1 Transistor Bipolar de Jun»
c~
ao (BJT)
Sua opera»ca~o ¶e feita atrav¶es da inje»ca~o e coleta de portadores minorit¶arios. Ambos,
el¶etron e buraco s~ao portadores importantes neste dispositivo, por isso ele ¶e chamado de
BIPOLAR. O transistor ¶e um dispositivo de tr^es terminais onde a corrente atrav¶es de
dois terminais pode ser controlada por pequenas mudan»cas feitas na corrente ou tens~ao
no terceiro terminal. Este controle permite a ampli¯ca»ca~o de um pequeno sinal ou o
chaveamento de on-o®.

Considerando um dispositivo de dois terminais que possui uma curva caracter¶³stica

n~ao linear, conforme pode ser visto na ¯gura 5.1. Esta curva foi determinada experi-
mentalmente medindo-se a corrente para v¶arias tens~oes aplicadas. Quando este dispositivo
¶e polarizado com uma combina»c~ao simples de bateria-resistor, valores estacion¶arios de
e s~ao alcan»cados. Por uma quest~ao de nota»c~ao estamos usando para a corrente
total, para seu valor e para sua componente .

Figura 5.1: Dispositivo n~

ao linear de dois terminais: a) circuito de polariza»c~
ao;b) caracter¶³stica e linha de
carga.

Para encontrar e escrevemos a equa»ca~o da malha do cirucuito:

que possui duas inc¶ognitas ( e ). Podemos encontrar outra equa»ca~o da forma

na curva. Assim teremos duas equa»co~es e duas inc¶ognitas. Contudo, uma
equa»ca~o ¶e anal¶³tica e a outra ¶e gr¶a¯ca, assim precisamos coloc¶a-las primeiro na mesma
forma. E ¶ f¶acil tornar a equa»ca~o 5.1 em gr¶a¯co. Os pontos extremos da reta s~ao: para
 e para .Os dois gr¶a¯cos se cruzam em e . Somamos agora um
terceiro terminal, o qual controlar¶a a curva do dispositivo. Por exemplo, assumindo
que a curva possa mover-se para cima, quando a corrente de controle ¶e aumentada,
como mostrado na ¯gura 5.2. Isto resulta em uma fam¶³lia de curvas , dependendo
da escolha de .

Figura 5.2: Dispositivo n~

ao linear de tr^es terminais que pode ser controlado por uma corrente no terceiro
terminal : a) Circuito polarizado:b) Caracter¶³stica e linha de carga. Se , o valor de
e s~ao mostrados pela linha pontilhada.

Se os valores de e s~ao encontrados na interse»ca~o e s~ao

e respectivamente. Para qualquer valor da corrente de controle no terceiro terminal,
os valores de e s~ao obtidos dos pontos na linha da equa»ca~o 5.1. Esta linha ¶e chamada
de linha de carga.

Se uma fonte ¶e adicionada aµ corrente de controle, podemos alcan»car varia»c~oes de

com pequenas mudan»cas em . Por exemplo, a medida que varia seu valor
por , varia seu valor por . Assim, a ampli¯ca»ca~o do sinal ser¶a
. Este tipo de ampli¯ca»ca~o do sinal por corrente ¶e t¶³pica dos e ¶e largamente
usada em circuitos trasistorizados.

Outra fun»ca~o importante dos transistores ¶e o chaveamento controlado do dispositivo

o® e on. Na ¯gura 5.2 vemos que podemos chavear na linha de carga de at¶e quase
atrav¶es de mudan»cas em . Este tipo de chaveamento com controle no terceiro
terminal ¶e muito u
¶til em circuitos digitais.
 Um dispositivo de inje»ca~o de buracos e¯ciente ¶e uma jun»ca~o diretamente po-
larizada. Como j¶a visto no cap¶³tulo 4, a corrente na jun»ca~o ¶e devida primeiramente aos
buracos injetados de para o lado .Se ¯zermos o lado de uma jun»c~ao polarizada direta-
mente, ser o mesmo que o lado de uma jun»ca~o polarizada reversamente , obteremos
um dispositivo como o mostrado na ¯gura 5.3. Com esta con¯gura»c~ao, a inje»ca~o de buracos
de no centro da regi~ao , fornece os portadores minorit¶arios buracos para participar
na corrente reversa atrav¶es da jun»c~ao ¶ importante que os buracos nesta regi~ao n~ao
. E
se recombinem antes de poderem se difundir na camada de deple»c~ao da jun»ca~o polarizada
reversamente. Por isso, a regi~ao deve ser feita muito estreita quando comparada ao
comprimento de difus~ao dos buracos.

Figura 5.3: Representa»c~

ao esquem¶atica de um dispositivo : a) Com uma polariza»c~
ao direta na jun»c~
ao
emissora e uma polariza»c~
ao reversa na jun»c~
ao coletora;b) Caracter¶³stica da jun»c~
ao polarizada
reversamente em fun»c~ ao da corrente no emissor.

A estrutura descrita acima ¶e um . A jun»ca~o polarizada diretamente e

que injeta buracos no centro da regi~ao ¶e chamada jun»c~ao emissora, e a jun»ca~o polarizada
reversamente, a qual coleta os buracos injetados ¶e chamada jun»c~ao coletora. A regi~ao ,
que ¶e a fonte dos buracos injetados ¶e chamada de emissor (E), e a regi~ao na qual os
buracos s~ao sugados pela jun»c~ao reversamente polarizada ¶e chamado de coletor (C). A
regi~ao no centro ¶e chamada de base (B). Nos primeiros transistores, esta regi~ao servia
de suporte mec^anico para o emissor e o coletor, por isso se chamava base, e assim ¯cou
at¶e hoje. O tipo de arranjo mostrado na ¯gura 5.3 ¶e chamado de con¯gura»c~ao de base
comum, uma vez que o eletrodo da base ¶e comum aos circuitos emissor e coletor.
Para ter um bom transitor , precisamos que quase todos os buracos injeta-
dos pelo emissor na base sejam coletados. Assim a regi~ao da base tipo deve ser estreita
e o tempo de vida do buraco deve ser longo:

onde ¶e o comprimento do material neutro da base (medido entre as regi~oes de

deple»c~ao das jun»co~es E e C), e o comprimento de difus~ao dos buracos da base dado
por . Se a equa»ca~o 5.2 for satisfeita, a m¶edia de buracos injetados pela jun»ca~o
E difundir¶a para a regi~ao de deple»ca~o da jun»ca~o C sem se recombinar na base. A outra
condi»ca~o ¶e que a corrente que atravessa a jun»ca~o E seja composta quase inteiramente
de buracos injetados na base, em vez de el¶etrons que cruzam da base para o emissor. Esta
condi»ca~o ¶e satisfeita dopando-se levemente a base em rela»ca~o ao emissor, .
¶ claro que uma corrente
E °ui no emissor de um transistor propria-
mente polarizado e que °ui para fora do coletor, uma vez que a dire»ca~o do °uxo de
buracos ¶e do emissor para o coletor. Contudo, a corrente na base merece um pouco
mais de aten»ca~o. Em um bom transistor, a corrente de base deve ser muito pequena
pois ¶e essencialmente uma corrente de buracos e a corrente ¶e quase igual a .
A corrente ¶e formada ¯sicamente por tr^es mecanismos dominantes (¯gura 5.4):
1) Existe alguma recombina»ca~o dos buracos injetados com os el¶etrons na base, mesmo
se . Os el¶etrons perdidos na recombina»ca~o devem ser recolocados atrav¶es do
contato da base por .
2) Alguns el¶etrons s~ao sugados para a base atrav¶es da jun»ca~o coletora reversamente
polarizada devido aµ gera»c~ao t¶ermica no coletor. Esta pequena corrente reduz a que
deve ser fornecida aµ base.
3) Alguns el¶etrons ser~ao injetados de para na polariza»ca~o direta da jun»ca~o emissora,
mesmo se o emissor estiver mais dopado quando comparado µa base. Estes el¶etrons tamb¶em
devem ser recolocados na base por uma .
As fontes dominantes de s~ao: a)recombina»ca~o na base e b) inje»ca~o na regi~ao
emissora.Ambos os efeitos podem ser reduzidos atrav¶es do "design" apropriado do dis-
positivo. Em um transistor bem projetado ser¶a uma fra»ca~o muito pequena de .
Em um transistor as tr^es dire»co~es das correntes ser~ao invertidas, uma
vez que el¶etrons °uem do emissor para o coletor e buracos s~ao supridos para a base. O
mecanismo f¶³sico para a opera»ca~o pode ser entendido simplesmente invertando-se
as regras de el¶etrons e buracos na discuss~ao do .
 Figura 5.4: Resumo dos °uxos de buracos e el¶etrons em um transistor p-n-p com a polariza»c~ ao apropriada: (1)
Buracos injetados e perdidos por recombina»c~ ao na base;(2) Buracos que alcan»cam a jun»c~ ao coletora polarizada
reversamente;(3) El¶etrons e buracos gerados termicamente e que comp~ oem uma corrente de satura»ca ~o reversa da
jun»c~
ao coletora;(4) El¶etrons fornecidos a
µ base pelo contato externo para recombina»c~ ao com os buracos;(5)
El¶etrons injetados atrav¶es da jun»c~
ao emissora pela polariza»c~
ao direta.

A ¯gura 5.5 mostra o esquema das bandas de energia para o transitor

Figura 5.5: Na ¯gura de cima s~

ao mostrados os diagramas de banda do transisitor no equil¶³brio e na
¯gura de baixo os diagramas de banda com polariza»c~
ao direta no emissor e reversa no coletor.
 Basicamente, o transistor ¶e u ¶ til na ampli¯ca»ca~o porque as correntes no e no s~ao
controladas por uma corrente de base relativamente pequena. Um ampli¯cador ¶e um
dispositivo que aumenta a amplitude de um sinal . Como n~ao podemos tirar mais energia
de um dispositivo do que originalmente colocamos, o que est¶a acontecendo realmente no
ampli¯cador ¶e uma convers~ao de energia, colocando uma corrente e pegando uma
sa¶³da a qual ¶e proporcional a de entrada. Uma vez que o dispositivo multiplicou a
corrente de entrada, n¶os falamos que o ampli¯cador proporcionou um ganho de corrente,
que ¶e a constante de proporcionalidade entre os sinais de entrada e sa¶³da . Podemos
relacionar as correntes no terminal do transistor , e com v¶arios fatores importantes.
Vamos desprezar aqui a corrente de satura»ca~o reversa no coletor (componente (3) na ¯gura
5.4) e tamb¶em efeitos como recombina»ca~o nas regi~oes de deple»ca~o.
A id¶eia b¶asica ¶e a exist^encia de uma neutralidade el¶etrica na regi~ao da base. Se
aumentarmos o °uxo de el¶etrons na base, o °uxo de buracos no emissor (e por isso no
coletor) dever¶a aumentar para manter a neutralidade de cargas. Se o °uxo de el¶etrons
diminui o °uxo de buracos tamb¶em deve diminuir. A corrente no coletor ¶e inteiramente
composta pelos buracos injetados do emissor que n~ao s~ao perdidos pela recombina»ca~o,
conforme pode ser visto na ¯gura 5.4. Por isso ¶e proporcional aµ componente da corrente
de buracos do emissor :

onde ¶e uma constante de proporcionalidade que ¶e a fra»ca~o de buracos injetados que

atravessam a base at¶e o coletor; ¶e o fator de transporte da base. A corrente do emissor
¶e composta pela corrente de buracos e pela corrente de el¶etrons injetados da
base para o emissor:

A e¯ci^encia de inje»c~ao do emissor ¶e de¯nida como:

Para um transistor e¯ciente, esperamos que e sejam pr¶oximos de , isto ¶e, a

corrente do emissor deveria ser composta somente por buracos e todos os buracos
injetados deveriam participar na corrente do coletor . A rela»ca~o entre as correntes
do coletor e emissor ¶e:
 O produto ¶e de¯nido como fator , chamado de
, a qual representa a ampli¯ca»ca~o da corrente do emissor para o coletor. N~ao h¶a uma
ampli¯ca»ca~o real entre essas correntes, pois ¶e menor do que . Por outro lado, a rela»ca~o
entre e ¶e mais promissora para ampli¯ca»ca~o. Na corrente de base devemos incluir
a taxa na qual os el¶etrons s~ao perdidos da base pela inje»c~ao atrav¶es da jun»ca~o emissora
( ) e a taxa de recombina»c~ao dos el¶etrons com os buracos na base. Em cada caso,
os el¶etrons perdidos s~ao refornecidos pela corrente de base . Se a fra»ca~o de buracos
injetados que atravessam a base sem se recombinar ¶e , ent~ao ¶e a fra»c~ao de buracos
que se recombinam na base. Assim, a corrente na base ¶e:

desprezando-se a corrente de satura»ca~o do coletor. A rela»c~ao entre e ser¶a ent~ao:

O fator relaciona a corrente no coletor com a corrente na base e ¶e o fator de ampli-

¯ca»c~ao da corrente da base para o coletor. Desde que seja pr¶oximo de , ¶e claro que
pode ser muito grande, e a corrente no coletor ser¶a muito grande quando comparada µa
corrente na base.
Vamos mostrar agora que a corrente pode ser controlada por varia»co~es na pe-
quena corrente . A partir da neutralidade de carga espacial poderemos mostrar que
pode ser usada para determinar a magnitude de . Vamos considerar o transitor mostrado
na ¯gura 5.6 , no qual a ¶e determinada pela polariza»c~ao do circuito
Para simpli¯car, vamos assumir que e a corrente de satura»ca~o no coletor ¶e desprez¶³vel.
 Figura 5.6: Exemplo de ampli¯ca»c~ ao de um transistor em circuito com emissor comum: a) Polariza»c~
ao do
circuito; b) Adi»c~
ao de uma varia»c~
ao da corrente de base para o valor de , resultando em uma
componente ac de .

Como a regi~ao tipo ¶e eletrost¶aticamente neutra entre as duas regi~oes de deple»ca~o,

a presen»ca de um excesso de buracos em tr^ansito do emissor para o coletor necessita ser
compensado por um excesso de el¶etrons que vem do contato da base. Contudo, existe
uma diferen»ca importante no tempo que os el¶etrons e buracos gastam na base. O excesso
de buracos m¶edio, gasta um tempo , de¯nido como tempo de tr^ansito do emissor para
o coletor. Como o tempo de tr^ansito ¶e muito menor do que o tempo de vida do
buraco na base. Por outro lado, o excesso de el¶etrons m¶edio fornecido dos contatos da
base gasta segundos na base para fornecer a neutralidade de carga espacial durante o
tempo de vida do excesso de buracos m¶edio. Enquanto os el¶etrons esperam segundos
para se recombinarem, muitos buracos individuais podem entrar e sair da regi~ao da base,
cada um com um tempo de tr^ansito m¶edio . Em particular, para cada el¶etron entrando
na base, buracos podem passar do emissor para o coletor enquanto a neutralidade de
carga ¶e mantida. Por isso a raz~ao:
 O circuito da ¯gura 5.6 ¶e chamado de circuito emissor comum, pois o eletrodo emis-
sor
¶e comum µa base e ao coletor. A jun»c~ao emissora ¶e polarizada diretamente pela bate-
ria na base do circuito. A queda de tens~ao na jun»c~ao emissora polarizada diretamente ¶e
pequena, por isso, quase toda a tens~ao entre o coletor e o emissor aparece na jun»ca~o cole-
tora polarizada reversamente. Como ¶e pequeno para a jun»ca~o polarizada diretamente,
podemos desprez¶a-lo e aproximar i = .Se e ,
e a corrente no coletor ¶e 10 mA. Neste exemplo do circuito coletor aparecem no
resistor de e servem para polarizar reversamente a jun»ca~o coletora. Se uma pe-
quena ¶e sobreposta a corrente de base, a corrente correspondente aparece no
circuito coletor. A por»ca~o que varia no tempo de ser¶a multiplicada por , e resulta
um ganho.

Vamos assumir basicamente que os buracos s~ao injetados na base vindos da jun»ca~o
emissora polarizada diretamente e que ent~ao eles se difundem atrav¶es da base at¶e a jun»ca~o
coletora. O primeiro passo ¶e resolver a equa»c~ao de difus~ao para o excesso de buracos na
base, e o segundo passo ser¶a determinar as correntes do emissor e do coletor ( , ) a
partir do gradiente de concentra»c~ao de cada lado da base. Assim, a corrente da base ( )
poder¶a ser encontrada da soma das duas correntes ou da an¶alise do controle de carga da
recombina»c~ao na base.
Para simpli¯car os c¶alculos, vamos fazer algumas hip¶oteses:
1) Buracos se difundem do emissor para o coletor; a deriva na regi~ao da base ¶e des-
prez¶³vel.
2) A corrente do emissor ¶e devida inteiramente aos buracos;
3) A corrente de satura»c~ao no emissor ¶e desprez¶³vel.
4) A a¶rea da se»ca~o transversal do transistor ¶e uniforme; assim o problema torna-se
unidimensional. O °uxo de corrente da base ¶e unidimensional do emissor para o coletor.
5) Supomos que n~ao h¶a gera»c~ao nem recombina»ca~o de portadores nas regi~oes de de-
ple»ca~o.
6) Todas as correntes e tens~oes s~ao tomadas no estado estacion¶ario.
 Os buracos injetados °uem do emissor para o coletor por difus~ao. Os buracos entram
na base vindos da jun»c~ao emissora e formam a corrente do emissor . Os buracos que
saem da base para ir para a jun»ca~o coletora formam a corrente do coletor . Se puder-
mos resolver para a distribui»ca~o do excesso de buracos na regi~ao da base, ¯ca simples
determinar o gradiente da distribui»ca~o nas fronteiras da base para encontrar as correntes.
Vamos considerar a ¯gura 5.7, na qual a largura da base ¶e entre as duas regi~oes de
deple»c~ao e a a¶rea da se»c~ao ¶e . O excesso de buracos na borda da camada de deple»ca~o
na regi~ao do emissor ¶e e a concentra»ca~o correspondente a regi~ao do coletor ser~ao
encontrados a partir da equa»ca~o 4.31:

Se a jun»ca~o emissora for polarizada fortemente diretamente e a jun»ca~o

coletora for fortemente polarizada reversa , o excesso de buracos pode ser
simpli¯cado para:

O sinal negativo na equa»ca~o 5.11 signi¯ca que os portadores est~ao sendo extra¶³dos
em vez de injetados. Podemos resolver para o excesso de concentra»ca~o de buracos em
fun»c~ao da dist^ancia na base usando condi»c~oes de contorno apropriadas na equa»ca~o
de difus~ao 3.66:

A solu»c~ao desta equa»ca~o ¶e:

onde ¶e o comprimento de difus~ao dos buracos na regi~ao da base. Diferentemente do

problema simples da inje»ca~o na regi~ao visto anteriormente, n¶os n~ao podemos eliminar
uma das constantes assumindo que o excesso de buracos desaparece para grande. Uma
vez que para o transistor, muitos dos buracos injetados alcan»cam o coletor em
.Neste caso as solu»c~oes apropriadas s~ao:
Resolvendo para os par^ametros e obtemos:

Estes par^ametros aplicados a equa»ca~o 5.13 fornecer~ao uma express~ao completa para
a distribui»ca~o de buracos na regi~ao da base. Por exemplo, se assumirmos qua a jun»ca~o
coletora est¶a fortemente polarizada reversa (equa»c~ao 5.11) e a concentra»ca~o de buracos
no equil¶³brio ¶e desprez¶³vel comparado com a concentra»c~ao de buracos injetados ,
o excesso da distribui»ca~o de buracos torna-se:

Figura 5.7: Geometria simpli¯cada de um transistor usada para os c¶

alculos.
 Tendo obtido a distribui»c~ao de buracos na base do transistor, podemos determinar
agora as correntes do emissor e coletor a partir do gradiente da concentra»c~ao de buracos
em cada borda da regi~ao de deple»ca~o. Da equa»ca~o 3.54 temos:

Para teremos a componente de buracos da corrente do emissor:

Da mesma forma, se desprezarmos os el¶etrons que cruzam do coletor para a base na

corrente de satura»c~ao reversa, torna-se completamente devido aos buracos que entram
no coletor vindos da regi~ao da base. Para na equa»ca~o 5.19 teremos a corrente no
coletor:

Substituindo e pelas equa»co~es 5.16 e 5.17 respectivamente, as correntes do emis-

sor e do coletor tomam uma forma que ¶e mais facilmente escrita em termos de fun»co~es
hiperb¶olicas:

Podemos agora obter o valor de pela soma das correntes, notando que a soma
das correntes da base e do coletor que deixam o dispositivo deve ser igual a corrente do
emissor entrando. Se para :
 Usando a equa»ca~o de difus~ao, determinamos as tr^es correntes do transistor em
termos dos par^ametros materiais, largura da base e excesso de concentr»co~es e .
Al¶em disso, uma vez que os excessos de concentra»ca~o est~ao relacionados diretamente com
as jun»co~es polarizadas emissora e coletora (equa»c~ao 5.10), torna-se f¶acil determinar a
¶ importante notar que
performance do transistor para v¶arias condi»c~oes de polariza»c~ao. E
as equa»c~oes 5.23, 5.24 e 5.26 n~ao se restringem ao caso do transistor polarizado de modo
usual. Por exemplo, pode ser para uma polariza»c~ao reversa do coletor, ou
pode ser um n¶ umero positivo signi¯cante se o coletor for polarizado positivamente. Esta
generaliza»ca~o ser¶a vista mais adiante quando consideraremos os circuitos chaveadores.

Se a jun»ca~o coletora do transistor ¶e polarizada diretamente, n¶os n~ao podemos des-

prezar ; devemos usar uma distribui»ca~o de buracos mais geral na regi~ao da base.
Quando ambos emissor e coletor s~ao polarizados diretamente e s~ao n¶
umeros
positivos, conforme pode ser visto na ¯gura 5.8a. As equa»c~oes 5.23, 5.24 e 5.26 podem ser
¶ interessante notar que estas equa»co~es podem ser consideradas
usadas para esta situa»ca~o. E
como superposi»co~es lineares dos efeitos de inje»ca~o para cada jun»c~ao.

Figura 5.8: Determina»c~ ao da distribui»c~

ao de buracos em termos dos componentes devido aos modos normal e
invertido: a) Distribui»c~
ao de buracos aproximada na base com emissor e coletor polarizados diretamente; b)
Componente devido a inje»c~ ao e coleta no modo normal; c) Componente devido ao modo invertido.

Por exemplo, a linha da distribui»c~ao de buracos da ¯gura 5.8a pode ser quebrada
em duas componentes mostradas nas ¯guras 5.8b e 5.8c. Uma componente (¯gura 5.8b)
leva em conta os buracos injetados pelo emissor e coletados no coletor. As correntes re-
sultantes e neste caso ser~ao chamadas de componentes no MODO NORMAL,
uma vez que elas s~ao devidas aµ inje»c~ao do emissor para o coletor. A componente da
¯gura 5.8c resulta nas correntes e , as quais descrevem a inje»ca~o no MODO IN-
VERTIDO de inje»ca~o do coletor para o emissor.E ¶ claro que estas componentes invertidas
ser~ao negativas, uma vez que o °uxo de buracos op~oem-se aµs suas de¯ni»c~oes originais de
e .
Para o transistor sim¶etrico, estas v¶arias componentes s~ao descritas pelas equa»co~es
5.23 e 5.24. De¯nindo e , teremos:

e com

e com
As quatro componentes s~ao combinadas por superposi»c~ao linear das equa»co~es 5.23 e 5.24:

onde e
Para ser mais geral, podemos relacionar as quatro componentes das correntes aos
fatores que permitam uma ASSIMETRIA nas duas jun»co~es. Por exemplo,a corrente no
emissor no modo normal pode ser escrita como:

com
onde ¶e a corrente de satura»ca~o do emissor no modo normal. Como neste modo,
implica . Por isso consideramos como a corrente de satura»ca~o do emissor, com
a jun»c~ao coletora curto circuitada.
Do mesmo modo a corrente do coletor no modo invertido ser¶a:

com
onde ¶e a corrente de satura»ca~o do coletor com . O sinal negativo signi¯ca que
no modo invertido os buracos s~ao injetados no sentido oposto ao de¯nido para .
As correntes coletadas para cada modo de opera»ca~o podem ser escritas, de¯nindo-se
um novo para cada caso:
onde e s~ao as raz~oes das correntes coletadas pelas correntes injetadas em cada modo.
Notamos que no modo invertido a corrente injetada ¶e e a coletada ¶e .
As correntes totais s~ao obtidas pela superposi»ca~o das componentes:

Estas equa»co~es foram derivadas por J.J.Ebers e J.L.Moll e s~ao conhecidas como
EQUAC ~
» OES DE EBERS -MOLL. Enquanto que a forma geral ¶e a mesma das equa»co~es
5.28 para o transistor sim¶etrico, estas equa»c~oes permitem a varia»ca~o em , , e
devido a assimetria entre as jun»co~es. N~ao mostraremos aqui, mas ¶e poss¶³vel mostrar por
argumentos de reciprocidade que:

mesmo para transistores n~ao sim¶etricos.

Figura 5.9 : Circuito equivalente resumindo as equa»c~

oes de Ebers-Moll.
 Um aspecto interessante das equa»co~es de Ebers-Moll ¶e que e s~ao descritos
por termos parecidos com as rela»c~oes do diodo ( e ), mais os termos devido ao
acoplamento entre as propriedades do emissor e coletor ( e ). Esta propriedade
de diodo acoplado ¶e mostrado na ¯gura 5.9. Nesta ¯gura usamos as equa»c~oes 5.10 para
escrever as equa»co~es de Ebers-Moll na forma:

¶ u
E ¶ til relacionar as correntes umas com as outras bem como aµs correntes de satu-
ra»ca~o. Podemos eliminar a corrente de satura»c~ao do termo acoplado em cada parte das
equa»co~es de Ebers-Moll. Por exemplo multiplicando por a equa»ca~o 5.32a e subtraindo
o resultado da equa»ca~o 5.32b, temos:

Do mesmo modo, a corrente do emissor pode ser escrita em termos da corrente do

coletor:

Os termos e podem ser abreviados como e ,

respectivamente, onde ¶e a magnitude da corrente de satura»ca~o do coletor com a jun»ca~o
emissora aberta ( ), e ¶e a magnitude da corrente de satura»ca~o do emissor com
o coletor aberto. As equa»co~es de Ebers-Moll tornam-se:

e o circuito equivalente ¶e mostrado na ¯gura 5.10a. Nesta forma as equa»co~es descrevem

ambas correntes do emissor e do coletor em termos de uma simples caracter¶³stica de diodo
mais um gerador de corrente proporcional µa outra corrente. Por exemplo, sob polariza»ca~o
normal o circuito equivalente reduz-se a forma mostrada na ¯gura 5.10b. A corrente do
coletor ¶e vezes a corrente do emissor mais a corrente de satura»ca~o do coletor, como
esperado. A caracter¶³stica resultante do transistor aparece como uma s¶erie de curvas de
diodo polarizado reverso, deslocadas por incrementos proporcionais aµ corrente do emissor
(¯gura5.10c).
 Figura 5.10: Circuitos equivalentes do transistor em termos das correntes e das correntes de satura»ca
~o de
circuito aberto: a) Resumo das equa»c~oes 5.28; b) Circuito equivalente com polariza»c~
ao normal; c) Caracter¶³stica
do coletor com polariza»c~
ao normal.

Chaveamento
O transistor na opera»c~ao de chaveamento ¶e normalmente controlado em dois es-
tados de condu»c~ao, os quais s~ao chamados de estado "on" e estado "o® ". Idealmente,
um curto circuito quando a chave esta "on" e um circuito aberto quando a chave esta
"o® ". Contudo, ¶e desej¶avel chavear-se o dispositivo de um estado para outro no menor
tempo poss¶³vel. Os transistores n~ao funcionam neste modo ideal, mas eles podem servir
como uma aproxima»ca~o u ¶til em circuitos eletr^onicos pr¶aticos. Os dois estados de um
transistor no chaveamento podem ser vistos no emissor comum mostrado na ¯gura 5.11.
Nesta ¯gura a corrente do coletor ¶e controlada pela corrente de base fornecendo uma
fam¶³lia de curvas caracter¶³sticas. A linha de carga mostra os pontos permitidos ( ,- )
para o circuito. Se ¶e tal que os pontos de opera»c~ao estendem-se entre os dois pontos
¯nais da linha de carga (¯gura 5.11b), o transistor opera no modo ativo normal. Isto ¶e,
a jun»ca~o emissora est¶a polarizada diretamente e a coletora est¶a reversamente polarizada,
com um valor razo¶avel de °uindo para fora da base. Por outro lado, se a corrente ¶e
zero ou negativa, o ponto C ¶e alcan»cado no limite inferior da linha de carga, e a corrente
no coletor ¶e desprez¶³vel. Este ¶e o estado "o® " do transistor, e o dispositivo est¶a operando
em regime de "cuto® ". Se a corrente da base ¶e positiva e su¯cientemente grande, o
dispositivo ¶e levado ao regime de satura»c~ao, marcado como S. Este ¶e o estado "on" do
transistor, no qual uma grande corrente °ui com uma pequena queda de tens~ao .
Como veremos abaixo , o in¶³cio do regime de satura»c~ao corresponde a perda da polariza»ca~o
reversa atrav¶es do coletor. Na opera»c~ao de chaveamento t¶³pica a corrente da base muda
de positiva para negativa, levando o dispositivo da satura»c~ao para o "cuto®" e vice-versa.

Figura 5.11:Circuito de chaveamento simples para um transistor no modo emissor comum:a)circuito

polarizado;b) caracteristica coletor e linha de carga para o circuito, com as regi~
oes de cuto® e satura»c~
ao
indicados.

Se a jun»c~ao emissora ¶e polarizada reversamente no regime de cuto® ( negativo),

n¶os podemos aproximar a concentra»ca~o de excesso de buracos nas bordas das jun»co~es
reversamente polarizadas emissora e coletora como:

a qual implica em . Com a aproxima»ca~o de uma linha reta, o excesso da dis-

tribui»c~ao de buracos na base aparece constante em , como mostrado na ¯gura 5.12a.
Na verdade, existe uma pequena inclina»ca~o na reta em cada borda devido as correntes
de satura»c~ao na jun»c~ao, mas a ¯gura 5.12a est¶a aproximadamente correta. A corrente
de base pode ser aproximada para um transistor sim¶etrico como . Neste
c¶alculo o excesso de concentra»ca~o de buracos negativo corresponde a gera»c~ao, do mesmo
modo que uma distribui»c~ao positiva indica recombina»c~ao. Fisicamente, uma pequena
corrente de satura»ca~o °ui de para em cada lado da jun»ca~o reversamente polarizada, e
esta corrente ¶e fornecida pela corrente de base ( a qual ¶e negativa quando °ui na base
de um dispositivo ). Uma determina»c~ao mais geral das correntes pode ser obtida
das equa»co~es de Ebers-Moll aplicando a equa»ca~o 5.38 µa equa»c~ao 5.34:

Se a corrente de satura»ca~o curto circuitada e s~ao pequenas e e s~ao

ambos pr¶oximos de um, estas correntes ser~ao desprez¶³veis e o regime de cuto® estar¶a na
condi»ca~o o® de uma chave ideal. Um circuito equivalente ¶e mostrado na ¯gura 5.12b.

Figura 5.12: Regime de cuto® de um transitor : a) Distribui»c~

ao do excesso de buracos na regi~
ao da
base com as jun»c~
oes emissora e coletora polarizadas reversamente; b) Circuito equivalente correspondente a µ
equa»ca
~o 5.39.
 O regime de satura»c~ao come»ca quando a polariza»ca~o reversa atrav¶es da jun»ca~o
coletora reduz-se a zero, e continua at¶e que a jun»ca~o coletora torne-se diretamente po-
larizada. O excesso da distribui»c~ao de buracos neste caso ¶e mostrado na ¯gura 5.13. O
dispositivo torna-se saturado quando , e a polariza»ca~o direta da jun»ca~o coletora
conduz a um positivo, levando o dispositivo at¶e a satura»c~ao. Com uma linha de
carga ¯xa pela bateria e pelo resistor de da ¯gura 5.11, a satura»c~ao ¶e alcan»cada pelo
aumento da corrente de base . Podemos ver como um grande valor de conduz µa
satura»ca~o aplicando um controle de carga razo¶avel µa ¯gura 5.13. Desde que uma certa
quantidade de carga armazenada ¶e necess¶aria para acomodar uma dada (e vice-versa),
um aumento em pede um aumento na ¶area da distribui»ca~o .

Figura 5.13: Excesso de distribui»c~

ao de buracos na base de um transistor saturado: a) In¶³cio da satura»c~
ao;
b)Supersatura»c~
ao.

Na ¯gura 5.13a o dispositivo come»cou a saturar, e a jun»ca~o coletora n~ao est¶a mais
polarizada reversa. A implica»c~ao desta condi»ca~o para o circuito da ¯gura 5.11 ¶e f¶acil de
se observar. Desde que a jun»ca~o emissora est¶a polarizada diretamente e a jun»c~ao coletora
tem polariza»c~ao zero, a queda de tens~ao qua aparece entre o coletor e o emissor ¶e muito
pequena. O valor de ¶e de uma fra»c~ao de volts. Assim, quase toda a tens~ao da
bateria aparecer¶a atrav¶es do resistor, e a corrente do coletor ser¶a de aproximadamente
. A medida que o dispositivo torna-se mais saturado (¯gura 5.13b) a
corrente no coletor torna-se essencialmente constante enquanto que a corrente de base
aumenta. Nesta condi»ca~o de satura»ca~o o transistor est¶a no estado on da chave ideal.
Apesar do grau de supersatura»ca~o n~ao afetar signi¯cantemente o valor de , ele ¶e
importante na determina»ca~o do tempo necess¶ario para chavear o dispositivo de um estado
para o outro. Por exemplo, de experi^encias anteriores n¶os esperamos que o tempo para
passar da satura»c~ao para o cuto® seja maior para grandes valores de carga armazenada
na base.
5.2 Transitor Efeito de Campo de Jun»c~
ao (JFET)
O JFET ¶e um dispositivo de tr^es terminais o qual envolve somente um tipo de por-
tador majorit¶ario (UNIPOLAR). Ele possui uma alta imped^ancia de entrada. A corrente
no dispositivo ¶e controlada por uma tens~ao aplicada. A id¶eia b¶asica do JFET ¶e variar a
extens~ao espacial da camada de deple»ca~o de uma jun»ca~o reversamente polarizada,
variando-se a magnitude do potencial reverso aplicado. A extens~ao espacial da camada
de deple»ca~o controla a condut^ancia de um canal no semicondutor, controlando assim a
corrente que °ui atrav¶es do canal.
Na ¯gura 5.14 , a corrente °ui atrav¶es de um canal tipo entre duas regi~oes
Uma polariza»ca~o reversa entre as regi~oes e o canal causa uma regi~ao de deple»c~ao que
se concentra toda no lado , fazendo com que a largura do canal torne-se menor. Uma
vez que a resistividade da regi~ao do canal ¶e ¯xa pela dopagem, a resist^encia do canal
variar¶a com a mudan»ca na ¶area da se»c~ao. Por analogia, a regi~ao com camada de deple»ca~o
vari¶avel serve como duas portas de um port~ao, as quais abrem e fecham a condutividade
do canal.

Figura 5.14: Vis~ao simpli¯cada de um transistor JFET: a) Geometria do transistor; b) Detalhe do canal e
varia»c~
ao da tens~
ao ao longo do canal com e su¯cientemente pequeno.

Na ¯gura 5.14 el¶etrons no canal tipo derivam da direita para a esquerda, oposto
ao °uxo da corrente. A extremidade do canal do qual os el¶etrons °uem ¶e chamado de
FONTE (S) e a extremidade do canal para a qual os el¶etrons °uem ¶e chamada de DRENO
(D). As regi~oes tipo s~ao chamadas de PORTA (G). Se o canal for tipo , buracos °uir~ao
da fonte para o dreno, na mesma dire»c~ao que a corrente, e as regi~oes das portas ser~ao
¶ pr¶atica comum conectar eletricamente as duas regi~oes da porta; assim, a tens~ao
.E
refere-se ao potencial de cada porta G em rela»c~ao a fonte S. Como a condutividade
da regi~ao pesadamente dopada ¶e alta, podemos assumir que o potencial ¶e uniforme
atrav¶es de cada porta. No canal o material ¶e levemente dopado, assim, o potencial varia
com a posi»c~ao dentro do mesmo (¯gura 5.14b). Se o canal da ¯gura 5.14 for considerado
como um resistor distribu¶³do onde °ui uma corrente , ¶e claro que a tens~ao pr¶oxima ao
dreno deve ser maior do que a tens~ao pr¶oxima µa fonte. Para valores baixos de corrente,
podemos assumir uma varia»c~ao linear no canal, variando de no dreno at¶e zero na
fonte (¯gura 5.14b).

Na ¯gura 5.15 estamos considerando o canal de um modo simpli¯cado, desprezando

a queda de tens~ao entre a fonte e o dreno e os eletrodos do dreno com os respectivos ¯ns
do canal. Por exemplo, assumamos que a tens~ao no dreno ¶e a mesma que a do eletrodo do
dreno D. Esta ¶e uma boa aproxima»ca~o se as regi~oes da fonte e do dreno s~ao relativamente
grandes, assim s¶o uma pequena resist^encia aparece entre os ¯nais do canal e os eletrodos.
Na ¯gura 5.15 as portas s~ao curto circuitadas em rela»ca~o a fonte , de modo que o
potencial em ¶e o mesmo em qualquer ponto na regi~ao das portas. Para uma pequena
corrente, as larguras das regi~oes de deple»ca~o est~ao pr¶oximas ao seu valor no equil¶³brio
(¯gura 5.15a). A medida que a corrente ¶e aumentada, torna-se maior mais pr¶oximo
ao dreno do que pr¶oximo a fonte. Desde que uma polariza»ca~o reversa atrav¶es de cada
ponto na jun»c~ao canal-porta ¶e simplemente quando ¶e zero, podemos estimar a forma
das camadas de deple»c~ao como mostradas na ¯gura 5.15b. A polariza»c~ao reversa ¶e maior
pr¶oximo ao dreno e diminui para zero pr¶oximo µa fonte. Como resultado,
a camada de deple»ca~o entra mais no canal no lado do dreno e a a¶rea efetiva do canal
torna-se menor.
 Figura 5.15: Regi~oes de deple»c~
ao no canal de um JFET com polariza»c~ ao da porta igual a zero para v¶
arios
valores de : a) Regi~ao linear; b) Pr¶
oximo ao pinch-o®; c) Acima do pinch-o®.

Como a resist^encia de um canal estreitado ¶e mais alta, o gr¶a¯co para o canal

inicia a partir de uma linha reta a qual ¶e v¶alida para baixas correntes. A medida que e
a corrente aumentam, a regi~ao do canal pr¶oxima ao dreno torna-se mais estreita e a re-
sist^encia do canal continua a aumentar. A medida que ¶e aumentada, existe uma tens~ao
na qual as regi~oes de deple»ca~o encontram-se pr¶oximo ao dreno e estrangulam (pinch-o®)
o canal (¯gura 5.15c). Quando isto acontece, a corrente n~ao pode mais aumentar com
o aumento de . Acima do pinch-o® a corrente ¶e saturada e seu valor ¶e o valor de pinch-
o®. Depois que a corrente satura acima do pinch-o®, a resist^encia diferencial do canal
torna-se muito alta. Uma boa aproxima»ca~o ¶e calcular a corrente no pinch-o® e
assumir que ela n~ao mude mais acima deste ponto, mesmo com um aumento de .

O efeito de uma polariza»ca~o negativa ¶e aumentar a resist^encia do canal e induzir

o pinch-o® em valores mais baixos de corrente (¯gura 5.16). Uma vez que as camadas
de deple»c~ao s~ao mais largas com negativo, a largura efetiva do canal ¶e diminu¶³da e
sua resist^encia ¶e mais alta na regi~ao de correntes menores na curva caracter¶³stica. Assim,
as inclina»co~es das curvas versus abaixo do pinch-o® tornam-se menores a medida
que a tens~ao na porta torna-se mais negativa (¯gura 5.16b). A condi»c~ao de pinch-o® ¶e
alcan»cada em tens~oes mais baixas, e a corrente de satura»ca~o ¶e mais baixa do que no
caso de polariza»ca~o zero na porta. A medida que varia, uma fam¶³lia de curvas ¶e obtida
para a curva caracter¶³stica do canal, como mostrado na ¯gura 5.16b.

Figura 5.16: Efeito de uma polariza»c~

ao negativa na porta: a) Aumento da largura da regi~
ao de deple»c~
ao com
negativo; b) Fam¶³lia de curvas para o canal em fun»c~
ao de .

Acima da tens~ao de pinch-o® a corrente do dreno ¶e controlada por . Variando

a tens~ao na porta podemos obter uma ampli¯ca»ca~o do sinal . Desde que a tens~ao
controlada de entrada aparece atrav¶es de uma jun»ca~o polarizada reversamente, a
imped^ancia de entrada deste dispositivo ¶e alta.
Podemos calcular a tens~ao de pinch-o® representando simplesmente o canal de
uma forma aproximada, como mostrado na ¯gura 5.17. Se o canal ¶e sim¶etrico e o efeito
das portas ¶e o mesmo em cada metade da regi~ao do canal, podemos restringir nossa
aten»c~ao a uma u ¶nica metade, cuja largura ¶e medida de uma linha central . A
largura do canal desprezando-se a regi~ao de deple»ca~o ¶e . Podemos encontrar a tens~ao
de pinch-o® calculando a polariza»ca~o reversa entre o canal e a porta na regi~ao do
dreno . Por simplicidade vamos assumir que a largura do canal no dreno diminui
uniformemente a medida que a polariza»c~ao reversa ¶e aumentada at¶e o pinch-o®. Se a
polariza»ca~o reversa entre a porta e o dreno ¶e , a largura da regi~ao de deple»c~ao em
pode ser encontrada da equa»ca~o 4.47:

Nesta equa»ca~o assumimos que o potencial de contato no equil¶³brio ¶e desprez¶³vel quando

comparado a e que a camada de deple»ca~o extende-se toda no canal para uma jun»ca~o
.

Figura 5.17: Diagrama simpli¯cado de um canal com a de¯ni»c~

ao das dimens~
oes e o volume diferencial para os
c¶
alculos.

O pinch-o® acontecer¶a no dreno do canal quando:

isto ¶e, quando . Se de¯nirmos o valor de no pinch-o® como , temos:

A tens~ao de pinch-o® ¶e um n¶
umero positivo; sua rela»c~ao com e ¶e:

onde ¶e zero ou negativo para uma opera»ca~o normal do dispositivo. Uma polariza»ca~o
direta na porta causa uma inje»ca~o de buracos das regi~oes no canal, eliminando assim
o efeito de controle do dispositivo por meio do campo. Da equa»c~ao 5.41 ¶e claro que o
pinch-o® resulta da combina»ca~o da tens~ao entre porta e fonte e da tens~ao entre dreno e
fonte. O pinch-o® ¶e alcan»cado em valores baixos de (e portanto valores baixos de )
quando uma polariza»ca~o negativa ¶e aplicada aµ porta, de acordo com a ¯gura 5.16b.
 O c¶alculo da corrente exata no canal ¶e complicado, contudo a matem¶atica ¶e bastante
simpli¯cada acima do pinch-o®. A aproxima»c~ao que usaremos ser¶a a de encontrar uma
express~ao para no pinch-o®, e ent~ao assumiremos que a corrente de satura»c~ao acima
do pinch-o® permanece constante neste valor.
No sistema de coordenadas de¯nido na ¯gura 5.17, o centro do canal perto do
dreno ¶e tomado como origem. O comprimento do canal na dire»ca~o ¶e , e a profundidade
do canal na dire»c~ao ¶e . Chamaremos a resistividade do canal tipo de (v¶alido
somente na regi~ao neutra do material , fora das regi~oes de deple»ca~o). Se considerarmos
o volume diferencial do material neutro do canal , a resist^encia do elemento de
volume ¶e . Como a corrente n~ao muda com a dist^ancia ao longo do canal, ¶e
relacionado a queda de tens~ao diferencial no elemento pela condut^ancia do elemento:

o sinal menos associado com simplesmente indica que dimnui com o aumento de
ao longo do canal. O termo ¶e a largura do canal em .
A metade da largura do canal em um ponto depende da polariza»ca~o reversa
entre a porta e o canal :

onde e . Impl¶³cito na equa»ca~o 5.43 est¶a a hip¶otese que a express~ao

para ) pode ser obtida por simples extens~ao da equa»ca~o 5.38 no ponto do canal. Isto
¶e chamado de aproxima»ca~o gradual e ¶e v¶alida se n~ao varia abruptamente em qualquer
elemento .
A tens~ao ser¶a negativa desde que a tens~ao na porta seja zero ou negativa
para uma opera»ca~o pr¶opria. Substituindo a equa»ca~o 5.43 em 5.42 temos:

Resolvendo esta equa»c~ao obtemos:

onde ¶e negativo e ¶e a condut^ancia do canal para desprez¶³vel, isto

¶e, com nenhuma tens~ao na porta e baixos valores de . Esta equa»ca~o ¶e v¶alida somente
at¶e o pinch-o®, onde . Se assumirmos que a satura»ca~o da corrente permanece
essencialmente constante neste valor de pinch-o®, temos:
onde . A fam¶³lia de curvas resultante para o canal corroboram os
resultados previstos qualitativamente na ¯gura 5.16b. A corrente de satura»ca~o ¶e maior
quando ¶e zero e torna-se menor com negativo.
Podemos representar o dispositivo polarizado na regi~ao de satura»ca~o por um cir-
cuito equivalente onde mudan»cas na corrente do dreno est~ao relacionadas a mudan»ca na
tens~ao da porta por:

A quantidade ¶e a transcondut^
ancia m¶
utua, em unidades chamada Siemens ,
algumas vezes chamada de mho.
E¶ determinado experimentalmente que uma lei ao quadrado da caracter¶³stica aprox-
ima a corrente do dreno na satura»ca~o:

onde ¶e a corrente do dreno saturada com .

A apar^encia de um valor constante da resistividade do canal (em termos de ) nas
equa»co~es 5.45 e 5.47 implica que a mobilidade do el¶etron ¶e constante. Como mencionado
no item 3.7.3 a velocidade de satura»ca~o do el¶etron em altos campos pode tornar esta
hip¶otese inv¶alida. Isto ¶e v¶alido particularmente em canais muito curtos, onde mesmo
uma tens~ao moderada no dreno pode resultar em campos altos ao longo do canal. Outro
defeito do modelo ideal resulta no fato que o comprimento efetivo do canal diminui a
medida que a tens~ao do dreno ¶e aumentada acima do pinch-o®, como sugere a ¯gura
5.15c. Em dispositivos de canal curto este efeito pode causar que aumentam acima do
pinch-o®, pois aparece no denominador da equa»c~ao 5.46 em . Portanto, a hip¶otese
de corrrente de satura»ca~o constante n~ao ¶e v¶alida para dispositivos de canais curtos.

5.3 Transistor Efeito de Campo Metal-Isolante-Semicondutor (MISFET)

Um dos dispositivos eletr^onicos mais usados, particularmente em circuitos integrados
digitais, ¶e o transistor metal-isolante-semicondutor. Neste dispositivo a corrente no canal
¶e controlada por uma tens~ao aplicada no eletrodo porta, o qual ¶e separado do canal por um
isolante. O dispositivo resultante pode ser chamado genericamente de transistor efeito de
campo de porta isolada (IGFET). Contudo, muitos destes dispositivos s~ao feitos usando
o sil¶³cio para o semicondutor, ¶oxido de sil¶³cio para o isolante e alum¶³nio ou outro
metal para o eletrodo porta, assim o termo MOSFET ¶e comumente utilizado.
 Um transistor MOS b¶asico ¶e mostrado na ¯gura 5.18 para o caso de um canal tipo
formado sobre um substrato de sil¶³cio tipo . As regi~oes da fonte e do dreno s~ao difundi-
das ou implantadas em um substrado tipo levemente dopado, e uma ¯na camada de ¶oxido
separa a porta met¶alica de alum¶³nio da superf¶³cie do sil¶³cio. Nenhuma corrente °ui atrav¶es
do dreno para a fonte sem que exista um canal entre eles, uma vez que a combina»ca~o
dreno-substrato-fonte inclui dire»c~oes opostas na jun»ca~o em s¶erie.

Figura 5.18: Transistor MOS de canal : a) Se»c~ ao do dispositivo; b) Ilustra»c~

ao esquem¶atica do canal
induzido e d e regi~
ao de deple»c~
ao pr¶
oximo ao pinch-o®; c) Caracter¶³stica corrente do dreno-tens~
ao como fun»c~
ao
da tens~
ao na porta.

Quando uma tens~ao positiva ¶e aplicada a porta relativa ao substrato (o qual ¶e

conectado a fonte neste caso), cargas positivas s~ao depositadas na porta met¶alica. Em
resposta, cargas negativas s~ao induzidas na camada de sil¶³cio logo abaixo, formando uma
regi~ao de deple»ca~o e uma regi~ao na superf¶³cie contendo el¶etrons m¶oveis. Estes el¶etrons
induzidos formam o canal de um FET, e permitem a corrente °uir do dreno para a fonte.
Como sugere a ¯gura 5.18c, o efeito da tens~ao da porta ¶e variar a condut^ancia deste canal
induzido para baixa tens~ao entre dreno e fonte, semelhante ao caso do JFET. Para um
dado valor de existir¶a uma tens~ao de dreno para a qual a corrente torna-se saturada
depois da qual permanece constante.
Um par^ametro importante nos transistores MOS ¶e a tens~ao limite , a qual ¶e a
tens~ao m¶³nima da porta necess¶aria para induzir o canal. Em geral, uma tens~ao positiva na
porta de um dispositivo de canal (¯gura 5.18) deve ser maior do que o valor de antes
do canal condutor ser induzido. Da mesma forma, um dispositivo com canal (feito sobre
um substrato tipo e fontes e drenos implantados tipo ) necessita uma tens~ao de porta
mais negativa do que o valor de para induzir as cargas positivas (buracos m¶oveis)
no canal. Existem contudo exce»c~oes µa esta regra. Por exemplo, um dispositivo que j¶a
possui um canal para tens~ao na porta igual a zero, ent~ao uma tens~ao negativa na porta ¶e
necess¶aria para colocar o dispositivo no estado o®. Este dispositivo que est¶a normalmente
on ¶e chamado de transistor no MODO DE DEPLEC ~ uma vez que a tens~ao na porta ¶e
» AO,
usada para esvaziar o canal que j¶a existia no equil¶³brio. O transistor MOS mais comum ¶e
normalmente o® com tens~ao zero na porta, e opera no MODO DE ENRIQUECIMENTO
quando uma tens~ao grande o su¯ciente ¶e aplicada µa porta para induzir o canal.
O controle da corrente de dreno ¶e obtido no eletrodo porta o qual est¶a isolado da
fonte e do dreno pela camada de o¶xido. Assim a imped^ancia de entrada de um dispositivo
MOS pode ser muito alta.

Os efeitos de superf¶³cie em uma estrutura MOS, s~ao algumas vezes muito dif¶³ceis
de serem tratados, por isso iniciaremos com o caso ideal (sem estes efeitos) e depois
trabalharemos com uma superf¶³cie mais real.
Algumas de¯ni»c~oes importantes s~ao feitas no diagrama de banda de energia da
¯gura 5.19. A fun»c~ao trabalho caracter¶³stica do metal pode ser de¯nida em termos da
energia necess¶aria para mover um el¶etron do n¶³vel de Fermi para fora do metal. No caso
da estrutura MOS ¶e mais conveniente usarmos uma fun»c~ao trabalho modi¯cada para
a interface metal-¶oxido. A energia ¶e medida do n¶³vel de Fermi do metal at¶e a banda
de condu»ca~o do o¶xido. Do mesmo modo, ¶e a fun»c~ao trabalho modi¯cada na interface
semicondutor-¶oxido. Nesta caso ideal assumimos que , assim n~ao h¶a diferen»ca nas
duas fun»c~oes trabalho. Outra quantidade que ser¶a u ¶til nas pr¶oximas discuss~oes ¶e ,a
qual mede a posi»c~ao do n¶³vel de Fermi abaixo do n¶³vel intr¶³nseco para o semicondutor.
Esta quantidade indica o qu~ao fortemente dopado tipo est¶a o semicondutor.
 Figua 5.19: Diagrama de bandas para uma estrutura MOS ideal no equil¶³brio.

A estrutura MOS da ¯gura 5.19 ¶e essencialmente um capacitor no qual uma placa ¶e

o semicondutor. Se aplicarmos uma tens~ao negativa entre o metal e o semicondutor (¯gura
5.10a), n¶os estaremos efetivamente depositando cargas negativas no metal. Em resposta,
esperamos que uma igual quantidade de cargas positivas se acumulem na superf¶³cie do
semicondutor. No caso do substrato tipo isto ocorre por uma acumula»c~ao de buracos
na interface semicondutor-¶oxido.
Uma tens~ao negativa diminui o potencial eletrost¶atico do metal em rela»ca~o ao semi-
condutor, as energias dos el¶etrons s~ao aumentadas no metal em rela»c~ao ao
semicondutor. Como resultado, o n¶³vel de Fermi para o metal ¯ca acima da posi»ca~o
de equil¶³brio por uma quantidade , onde ¶e a tens~ao aplicada.
Figura 5.20: Efeitos de uma tens~ao aplicada a um capacitor MOS ideal: a) Tens~ ao negativa causa um ac¶
umulo
de buracos no lado ; b) Tens~ ao positiva esvazia os buracos da superf¶³cie do semicondutor; c) Uma tens~ao
positiva ainda maior causa a invers~
ao-uma camada tipo na superf¶³cie do semicondutor.
 Como os valores de e n~ao mudam com a tens~ao aplicada, o movimento de
para cima em rela»ca~o a energia E causa uma inclina»c~ao na banda de condu»c~ao do
¶oxido. Devido a esta inclina»c~ao um campo el¶etrico aparece e provoca um gradiente em
(e tamb¶em em e ) como descrito na se»ca~o 3.8.1 equa»c~ao 3.57:

As bandas de energia do semicondutor se inclinam pr¶oximo µa interface para acomo-

dar o ac¶
umulo de buracos. Desde que (equa»c~oes 3.27 e 3.28):

¶e claro que um aumento na concentra»ca~o de buracos implica em uma aumento em

na superf¶³cie do semicondutor.
Como nenhuma corrente passa atrav¶es da estrutura MOS, n~ao existe varia»ca~o no
n¶³vel de Fermi do semicondutor. Portanto se ¶e aumentado, isto deve ocorrer pelo
movimento de para cima na superf¶³cie. N¶os notamos na ¯gura 5.20a que o n¶³vel de
Fermi pr¶oximo µa interface est¶a mais pr¶oximo da banda de val^encia, indicando uma maior
concentra»c~ao de buracos do que aquela que resulta da dopagem do semicondutor tipo .
Na ¯gura 5.20b aplicamos uma tens~ao positiva do metal para o semicondutor. Isto
aumenta o potencial do metal, diminuindo o n¶³vel de Fermi por relativo a sua posi»ca~o
de equil¶³brio. Como resultado, a banda de condu»c~ao do o¶xido ¶e outra vez inclinada.
Notamos que a inclina»ca~o desta banda, obtida simplesmente movendo-se o lado do metal
para baixo em rela»ca~o ao lado do semicondutor, est¶a na dire»ca~o correta para o campo
eletrico aplicado.
A tens~ao positiva deposita cargas positivas no metal e cargas negativas aparecer~ao
na superf¶³cie do semicondutor. Tais cargas negativas em um material tipo resultam
da deple»ca~o de buracos da regi~ao pr¶oxima aµ superf¶³cie, deixando para tr¶as aceitadores
ionizados negativamente. Isto ¶e an¶alogo a regi~ao de deple»c~ao da jun»c~ao p-n discutida
anteriormente. Na regi~ao de deple»ca~o a concentra»ca~o de buracos diminui, movendo
para mais pr¶oximo de , e inclinando as bandas para baixo pr¶oximo µa superf¶³cie do
semicondutor.
Se continuarmos a aumentar a tens~ao positiva, as bandas na superf¶³cie do semi-
condutor inclinar-se-~ao mais para baixo. De fato, uma tens~ao su¯cientemente alta, pode
inclinar abaixo de (¯gura 5.20c). Este ¶e um caso interessante, pois implica
em uma grande concentra»ca~o de el¶etrons na banda de condu»ca~o.
A regi~ao pr¶oxima aµ superf¶³cie do semicondutor neste caso tem propriedades de
condu»ca~o t¶³picas de um material tipo , com uma concentra»ca~o de el¶etrons dada pela
equa»ca~o 3.27. Esta camada de superf¶³cie tipo n~ao ¶e formada por dopagem, mas pela
 invers~ao do semicondutor tipo devido a uma tens~ao aplicada. Esta camada invertida,
separada do material tipo do substrato pela camada de deple»c~ao, ¶e a chave para a
opera»ca~o de um transistor MOS.
Vamos olhar mais de perto a regi~ao de invers~ao, uma vez que ela torna-se o canal
de condu»ca~o do FET. Na ¯gura 5.21 de¯nimos um potencial em qualquer ponto ,
medido em rela»c~ao a posi»ca~o de equil¶³brio . A energia nos mostra quanto a banda
inclinou-se em , e representa a inclina»ca~o da banda na superf¶³cie. Notamos que
¶e a condi»ca~o de banda nivelada para o caso do MOS ideal. Quando , a banda se
inclina para cima na superf¶³cie e n¶os temos uma acumula»ca~o de buracos (¯gura 8.20a).
Similarmente, quando , n¶os temos a deple»c~ao (¯gura 5.20b). Finalmente, quando
¶e positivo e maior do que , as bandas na superf¶³cie inclinam-se para baixo de modo
que ¯que abaixo de , e a invers~ao ¶e obtida.

Figura 5.21: Inclina»c~

ao das bandas do semicondutor no in¶³cio da invers~
ao forte: o potencial de superf¶³cie ¶e duas
vezes o valor de no material neutro tipo .

Apesar da condi»c~ao fornecer uma superf¶³cie invertida, precisamos de um

crit¶erio pr¶atico para ter certeza de que um canal condutor tipo n existe realmente na
superf¶³cie. O melhor crit¶erio para forte invers~
ao ¶e que a superf¶³cie esteja t~ao fortemente
dopada tipo quanto o substrato est¶a tipo . Isto ¶e, a diferen»ca entre e deve ser
igual em m¶odulo na superf¶³cie e no volume. Esta condi»ca~o ocorre quando:
Um potencial de superf¶³cie de ¶e necess¶ario para inclinar as bandas abaixo da condi»ca~o
intr¶³nseca na superf¶³cie , e deve ent~ao ser diminu¶³do na superf¶³cie para
obter a condi»ca~o chamada de forte invers~ao.
As concentra»co~es de el¶etrons e buracos est~ao relacionadas ao potencial de¯nido
na ¯gura 5.21. A concentra»ca~o de el¶etrons no equil¶³brio ¶e :

podemos facilmente relacionar a concentra»ca~o de el¶etrons em qualquer ponto a este

valor:

e similarmente para os buracos:

em qualquer ponto . Poder¶³amos combinar estas equa»c~oes com a equa»ca~o de Poisson

(equa»ca~o 5.53) e a express~ao da densidade de carga (equa»c~ao 5.54) para resolver :

A distribui»c~ao de carga, o campo el¶etrico e o potencial eletrost¶atico para a super-

f¶³cie invertida est~ao mostrados na ¯gura 5.22. Por simplicidade usamos a aproxima»ca~o
de deple»ca~o j¶a vista no cap¶³tulo 4 nesta ¯gura, assumindo uma deple»ca~o completa para
, e materiais neutros para . Nesta aproxima»ca~o a carga por unidade de
¶area devida a aceitadores na regi~ao de deple»cao ¶e .
Figura 5.22: Distribui»c~
ao aproximada de carga, campo el¶etrico e potencial eletrost¶
atico em um capacitor MOS
na invers~
ao. A largura relativa da regi~
ao de invers~
ao est¶
a exagerada apenas para melhor visualiza»c~
ao, mas ¶e
desprezada nos diagramas de campo e potencial
 A carga positiva no metal ¶e balanceada pela carga negativa no semicondutor,
a qual ¶e a carga da camada de deple»ca~o mais a carga devido aµ regi~ao de invers~ao :

A largura da regi~ao de invers~ao est¶a exagerada na ¯gura 5.22 somente para melhor
visualiza»c~ao. A largura desta regi~ao ¶e menor do que 100 Aº. Por isso, n¶os a desprezamos
nos diagramas de campo e potencial. No diagrama de distribui»ca~o do potencial vemos que
a tens~ao aplicada V aparece parcialmente atrav¶es do isolante e parcialmente atrav¶es
da regi~ao de deple»ca~o do semicondutor :

A tens~ao atrav¶es do isolante est¶a obviamente relacionada aµs cargas em cada lado,
dividida pela capacit^ancia:

onde ¶e a permissividade do isolante e ¶e a capacit^ancia do isolante por unidade de

¶area. A carga ser¶a negativa para o canal , fornecendo uma positiva.
Usando a aproxima»ca~o de deple»ca~o, podemos resolver como fun»ca~o de . O
resultado ¶e o mesmo que obter¶³amos para uma jun»c~ao , para a qual a regi~ao de deple»ca~o
extende-se quase inteiramente na regi~ao :

Esta regi~ao de deple»ca~o cresce com o aumento da tens~ao atrav¶es do capacitor at¶e
que a forte invers~ao seja alcan»cada. Depois disto, um aumento na tens~ao resulta em uma
invers~ao mais forte em vez do que mais deple»c~ao. Por isso o valor m¶aximo da largura de
deple»c~ao ¶e:

usando a equa»ca~o 5.49. Conhecemos as quantidades nesta express~ao, assim pode ser
calculada.
Encontre a largura m¶axima da regi~ao de deple»ca~o para um capacitor
MOS ideal sobre sil¶³cio tipo com . A constante diel¶etrica do sil¶³cio ¶e 11,8.
 A carga por unidade de ¶area na regi~ao de deple»c~ao na forte invers~ao ¶e:

A tens~ao aplicada deve ser grande o su¯ciente para criar esta carga de deple»ca~o mais o
potencial de superf¶³cie . A tens~ao limite requerida para a forte invers~ao, usando as
equa»co~es 5.49,5.56 e 5.57, ¶e:

Assumindo que a carga negativa na superf¶³cie do semicondutor na invers~ao ¶e devida a

carga de deple»ca~o . A tens~ao limite representa a tens~ao m¶³nima necess¶aria para alcan»car
a forte invers~ao, e ¶e extremamente importante para os transitores MOS.
A curva caracter¶³stica capacit^ancia - tens~ao de uma estrutura MOS ideal (¯gura
5.23) varia dependendo se a superf¶³cie do semicondutor est¶a no modo de acumula»ca~o,
deple»c~ao ou invers~ao. Para tens~oes negativas, buracos s~ao acumulados na superf¶³cie (¯gura
5.20a). Como resultado, a estrutura MOS aparece quase como um capacitor de placas
paralelas, dominado pelas propriedade do isolante . A medida que a tens~ao torna-
se positiva, a superf¶³cie do semicondutor ¶e esvaziada (depletada). Assim a capacit^ancia
da camada de deple»c~ao ¶e somada em s¶eria com :

onde ¶e a permissividade do semicondutor e ¶e a largura da camada de deple»c~ao da

equa»ca~o 5.58. A capacit^ancia total ¶e:

A capacit^ancia diminui com tens~oes positivas a medida que aumenta, at¶e que a
invers~ao seja alcan»cada em . Com a invers~ao n~ao h¶a mais mudan»ca na , uma vez que
a largura de deple»ca~o alcan»cou o seu valor m¶aximo, .
Se as medidas de capacit^ancia s~ao feitas usando-se frequ^encias muito baixas (10Hz),
a cin¶etica de recombina»ca~o-gera»c~ao dos el¶etrons na camada de invers~ao podem variar em
resposta aµs varia»c~oes na tens~ao. Assim, existir~ao pequenas varia»co~es da medida a-c na
regi~ao de invers~ao ao inv¶es delas aparecerem na camada de deple»ca~o. Por causa deste
efeito, para medidas em baixa frequ^encia o capacitor MOS na invers~ao se assemelha a um
capacitor de placas paralelas outra vez .
Figura 5.23: Rela»c~
ao capacit^ancia-tens~
ao para um capacitor MOS de canal (substrato ). A curva pontilhada
para ¶e observada somente para medidas realizadas com frequ^encias muito baixas.

Usando as condi»c~oes do exemplo 5.1 e camada de de espessura

, calcule os pontos principais da curva da ¯gura 5.23. A constante diel¶etrica
relativa do ¶e 3,9.

Quando dispositivos MOS s~ao feitos usando materiais t¶³picos , mu-

dan»cas no caso ideal descrito anteriormente podem afetar fortemente os valores de e
outras propriedades. Primeiro, a fun»ca~o trabalho do n~ao ¶e igual a do . Segundo,
existem cargas na interface e tamb¶em dentro do o¶xido, as quais devem ser levadas
em conta.
 Diferen»ca na Fun»ca~o Trabalho:
Espera-se que varie em fun»ca~o da dopagem do semicondutor. A ¯gura 5.24
ilustra as diferen»cas entre as fun»co~es frabalho para o sobre a medida
que a dopagem varia. Notamos que ¶e sempre negativa para este caso, e ¶e mais negativa
para dopado tipo pesadamente.
Se tentarmos construir um diagrama no equil¶³brio com negativo (¯gura 5.25a),
quando alinhamos devemos incluir uma inclina»ca~o na banda de condu»ca~o do ¶oxido (im-
plicando em um campo el¶etrico). Assim o metal ¶e carregado positivamente e o semicondu-
tor na superf¶³cie ¶e carregado negativamente no equil¶³brio, para acomodar esta diferen»ca na
fun»c~ao trabalho. Como resultado, as bandas inclinam-se para baixo pr¶oximo aµ superf¶³cie
do semicondutor. De fato, se ¶e su¯cientemente negativo, uma regi~ao de invers~ao pode
existir sem ter sido aplicado nenhuma tens~ao externa. Para obter a condi»ca~o de BANDA
NIVELADA (¯gura 5.25b), devemos aplicar uma tens~ao negativa ao metal .

Figura 5.24: Varia»c~

ao da diferen»ca da fun»c~
ao trabalho metal-semicondutor com a concentra»c~
ao de
dopagem do substrato para .
Figura 5.25: Efeito da diferen»ca da fun»c~
ao trabalho negativa : a) Inclina»c~
ao da banda e forma»c~
ao de
cargas negativas na superf¶³cie do semicondutor; b) Aplica»c~
ao de uma tens~ao negativa para alcan»car a condi»c~
ao
de banda nivelada.

Cargas na Interface:
Al¶em da diferen»ca na fun»ca~o trabalho, a estrutura MOS no equil¶³brio ¶e afetada por
carga no isolante e na interface entre o semicondutor e o o¶xido (¯gura 5.26). Por exem-
plo, ¶³ons de metais alcalinos (particularmente ) podem ser incorporados sem querer no
¶oxido durante o crescimento ou depois nos outros passos
do processo. Como o s¶odio ¶e um contaminante comum, ¶e necess¶ario usar-se materiais
qu¶³micos extremamente puros, a¶gua, gases, e ambiente de processamento para minimizar
seus efeitos sobre as camadas isolantes. Os ¶³ons de s¶odio introduzem cargas positivas ( )
no o¶xido, as quais induzem cargas negativas no semicondutor. O efeito de tais cargas
i^onicas positivas no o¶xido dependem do n¶ umero de ¶³ons envolvidos e de sua dist^ancia da
superf¶³cie do semicondutor. A carga negativa induzida no semicondutor ¶e maior se os
¶³ons estiverem mais pr¶oximos µa interface do que se eles estiverem longe. O efeito
desta carga i^onica sobre a tens~ao limite ¶e complicada pelo fato de que os ¶³ons s~ao
relativamente m¶oveis no , particularmente em temperaturas elevadas, e podem por
isso derivar com um campo el¶etrico aplicado. Felizmente, a contamina»ca~o do o¶xido com
pode ser reduzida a n¶³veis toler¶aveis por cuidados na limpeza durante o processamento.
O o¶xido tamb¶em cont¶em cargas armadilhadas ( ) devido aµs imperfei»co~es no .
Al¶em das cargas do o¶xido,existe um conjunto de cargas positivas resultantes de
estados de interface no . Estas cargas, as quais chamaremos de , resultam da
termina»ca~o abrupta da rede cristalina do semicondutor na interface com o o¶xido. Pr¶oximo
µa interface existe uma camada de transi»ca~o ( ) contendo cargas ¯xas ( ). A medida
que a oxida»ca~o come»ca a acontecer para a forma»ca~o da camada de , o ¶e removido
da superf¶³cie e reage com o oxig^enio. Quando a oxida»c~ao ¶e terminada, alguns i^onicos
s~ao deixados pr¶oximos aµ interface. Estes ¶³ons, junto com as liga»co~es de pendentes na
superf¶³cie, resultam em uma l^amina de cargas positivas pr¶oximo µa interface. Estas
cargas dependem da taxa de oxida»ca~o e do tratamento t¶ermico subsequente, e tamb¶em
da orienta»ca~o do cristal.
Por simplicidade vamos incluir as v¶arias cargas do o¶xido e da interface em uma
carga efetiva positiva na interface . O efeito desta carga ¶e induzir uma carga
negativa equivalente no semicondutor. Por isso, um componente adicional deve ser somado
a tens~ao de banda nivelada:

Como tanto a diferen»ca na fun»ca~o trabalho como as cargas positivas da interface tendem a
inclinar a banda para baixo na superf¶³cie do semicondutor, uma tens~ao negativa deve ser
aplicada ao metal relativa ao semicondutor para alcan»car a condi»c~ao de banda nivelada
da ¯gura 5.26b.

Figura 5.26: Efeitos das cargas no ¶oxido e na interface: a) De¯ni»c~

oes das densidades de carga devido
as v¶
µ arias fontes; b) Representa»ca
~o destas cargas como uma l^ amina equivalente de cargas na interface
oxido-semicondutor. Estas cargas positivas induzem cargas negativas equivalentes na superf¶³cie do
¶
semicondutor, o que requer uma tens~ ao negativa para alcan»car-se a condi»c~
ao de banda nivelada.
 A tens~ao necess¶aria para alcan»car a condi»c~ao de banda nivelada deve ser somada
µa equa»c~ao do potencial limite 5.61 obtida para uma estrutura MOS ideal (na qual foi
assumido uma tens~ao de banda nivelada igual a zero):

Assim a tens~ao necess¶aria para criar uma forte invers~ao deve ser grande o su¯ciente para
primeiro alcan»car a condi»c~ao de banda nivelada (termos e ), ent~ao acomodar a carga
na regi~ao de deple»ca~o ( ), e ¯nalmente induzir a regi~ao invertida ( ). Esta equa»ca~o
leva em conta os efeitos dominantes na tens~ao limite para os dispositivos MOS. Ela pode
ser usada para ambos os substratos tipo e tipo se sinais apropriados forem inclu¶³dos
em cada termos (¯gura 5.27). Tipicamente ¶e negativa, apesar de seu valor variar
como mostrado na ¯gura 5.24. A carga da interface ¶e positiva, assim a contribui»ca~o do
termo ¶e negativa para qualquer tipo de substrato. Por outro lado, a carga na regi~ao
de deple»ca~o ¶e negativa para aceitadores ionizados (substrato tipo , dispositivo de canal
) e ¶e positiva para doadores ionizados (substrato tipo , dispositivo de canal ). Tamb¶em
o termo , o qual ¶e de¯nido como no substrato neutro, pode ser positivo ou
negativo, dependendo do tipo de condutividade do substrato. Considerando os sinais na
¯gura 5.27, vemos que todos os quatro termos d~ao contribu»c~oes negativas para o caso do
canal tipo . Assim esperamos uma tens~ao limite negativa para dispositivos t¶³picos de
canal . Por outro lado, dispositivos de canal podem ter valores positivos ou negativos
para a tens~ao limite, dependendo dos valores relativos dos termos na equa»c~ao 5.65.
Todos os termos na equa»ca~o 5.65, exceto dependem da dopagem do subs-
trato. Os termos e tem pequenas varia»co~es relativamente a quando esta se
move para cima ou para baixo. Mudan»cas maiores podem ocorrer em , a qual varia com
a raiz quadrada da concentra»ca~o de impurezas como mostrado na equa»ca~o 5.60. Na ¯gura
5.27 est¶a ilustrado a varia»ca~o da tens~ao limite em fun»ca~o da concentra»ca~o de dopagem
do substrato. Como esperado da equa»c~ao 5.65, ¶e sempre negativo para o canal . No
caso do canal , os termos da tens~ao de banda nivelada podem dominar para substratos
levemente dopados tipo , resultando em uma tens~ao limite negativa. Contudo para
substratos mais pesadamente dopados, a contribui»ca~o da para o termo domina e
torna-se positiva.
Figura 5.27: In°u^encia dos par^ametros do material para a tens~
ao limite: a) Equa»c~
ao da tens~
ao limite indicando
o sinal das v¶
arias contribui»c~
oes; b) Varia»c~
ao de com a dopagem do substrato para dispositivos de canal e
canal .

Calcular para a estrutura MOS descrita nos exemplos 5.1 e 5.2, incluindo
os efeitos de banda nivelada. Se o ¶e usado para a porta, a ¯gura 5.24 indica
para . Assuma uma carga de interface de .

Este valor corresponde ao ponto para o caso do canal .

 EXERC¶ICIOS
1) Desenhe a ¯gura 5.4 para um transistor , e explique as v¶arias componentes
do °uxo de portadores e as dire»co~es das correntes.
2) Esboce um diagrama de bandas de energia para o transistor e
no equil¶³brio e com uma polariza»c~ao ativa aplicada (emissor polarizado direto e coletor
polarizado reverso).
3) Um transistor tem uma ¶area uniforme de e largura da base
de . A dopagem do emissor ¶e e a dopagem da base ¶e . O tempo de vida
do buraco na base ¶e de , e a mobilidade pode ser encontrada na ¯gura 3.18. a) Calcule
e , com e desprez¶³vel. b) Encontre .
4) Para o transistor do exerc¶³cio 3, calcule ,B, e . Assuma o emissor longo quando
comparado a , e no emissor.
5) Para o transistor do exerc¶³cio 3 calcule a corrente de satura»ca~o .

6) Assuma que a base de um transistor de ¶e dopada com

e o coletor com . Encontre a largura da regi~ao de deple»ca~o na base do
lado da jun»ca~o coletora para e
7) Um transistor de tem um emissor dopado com e a base
com dopagem de . Em qual polariza»ca~o direta da jun»ca~o emissora
ocorrer¶a um alto n¶³vel de inje»ca~o (el¶etrons injetados igual a concentra
»ca~o de dopagem da base). Comente sobre a e¯ci^encia de inje»ca~o do emissor para
el¶etrons.
8) Um transistor bipolar de tem as seguintes propriedades: ,
para o emissor e coletor; a base tem e a a¶rea do transis-
tor ¶e de e . a) Calcule ;b) Calcule para ,
assumindo .
9) Assuma que o JFET mostrado na ¯gura 5.17 ¶e de e tem a regi~ao dopada com
e canal com . Se a largura da metade do canal ¶e
, compare com . Que tens~ao ¶e necess¶aria para causar o pinch-o® quando
¶e inclu¶³do? Com , em qual valor de a corrente satura.
10) Redesenhe as ¯guras 5.20,5.21 e 5.22 para o caso de um canal (substrato tipo ).
11) Um transistor MOS de canal tem porta de e ¶e feito sobre substrato de
dopado com . A espessura do ¶e de na regi~ao da porta, e a carga
efetiva da interface ¶e . a) Encontre , e ;b) Esboce a curva
para o dispositivo e coloque os valores num¶ericos em escala.
12) Um transistor MOS de canal tem porta de e ¶e feito sobre substrato de
dopado com .A espessura do ¶e de na regi~ao da porta e a carga
efetiva da interface ¶e . a) Encontre , e ;b) Esboce a curva
para o dispositivo e coloque os valores num¶ericos em escala.
13) Encontre a tens~ao limite para um transistor MOS de com canal com ,
, = , e espessura do o¶xido de . Repita para um canal
com os mesmos par^ametros (exceto para o qual pode ser calculado
das mudan»cas em ).
6 Dispositivos Optoeletr^
onicos

6.1 Gera»c~
ao e Recombina»c~
ao de Portadores

Em uma dada temperatura existe uma certa concentra»ca~o de pares el¶etron-buraco

.Obviamente, se a concentra»c~ao de portadores no estado estacion¶ario ¶e mantida,
deve existir uma recombina»ca~o dos EHP na mesma taxa em que eles s~ao gerados. A
recombina»c~ao ocorre quando um el¶etron na banda de condu»c~ao faz uma transi»ca~o (direta
ou indireta) para um estado vazio (buraco) na banda de val^encia, aniquilando assim o
par el¶etron-buraco. Chamando a taxa de gera»ca~o de de e a taxa de
recombina»c~ao de , o equil¶³brio requer que:

Cada uma dessas taxas ¶e dependente da temperatura. Por exemplo aumenta quando
a temperatura aumenta, e uma nova concentra»ca~o de portadores ¶e estabelecida tal que
a taxa de recombina»ca~o mais alta se equilibrar¶a com a gera»c~ao. Em qualquer ,
podemos predizer que a taxa de recombina»c~ao de el¶etrons e buracos ¶e proporcional µa
concentra»c~ao de equil¶³brio de el¶etrons e de buracos :

O fator ¶e a constante de proporcionalidade a qual depende do mecanismo particular

pelo qual a recombina»c~ao acontece.

6.2 Excesso de Portadores em Semicondutores

Muitos dispositivos funcionam a partir da cria»ca~o de portadores de carga em excesso

do seu valor no equil¶³brio t¶ermico. Esse excesso de portadores pode ser criado por ex-
cita»c~ao o¶ptica ou bombardeamento de el¶etrons, ou eles podem ser injetados quando uma
jun»c~ao ¶e polarizada diretamente.

Uma t¶ecnica importante para a medida da energia do gap de um

semicondutor ¶e a absor»c~ao de f¶otons incidentes pelo material. Neste experimento, f¶otons
com comprimentos de onda (freqÄ u^encia) selecionados, s~ao direcionados para a amostra, e
a transmiss~ao relativa de v¶arios f¶otons ¶e observada. Os f¶otons com energia maior que
s~ao absorvidos, e os f¶otons com energia menor s~ao transmitidos. Um f¶oton com energia
pode ser absorvido pelo semicondutor (¯gura 6.1). Como a banda de val^encia tem
muitos el¶etrons e a banda de condu»ca~o tem muitos estados vazios para os quais os el¶etrons
podem ser excitados, a probabilidade do f¶oton ser absorvido ¶e alta. O el¶etron excitado
 para a banda de condu»c~ao pela absor»ca~o ¶optica pode inicialmente ter mais energia do que
¶e comum para os el¶etrons da banda de condu»c~ao(como j¶a vimos, os el¶etrons se distribuem
em energias pr¶oximas a , ou seja, no fundo da banda de condu»ca~o, exceto se a amostra
estiver pesadamente dopada) desta forma, os el¶etrons excitados perdem energia para a
rede em eventos de espalhamento at¶e que sua velocidade alcance a velocidade de equil¶³brio
t¶ermico dos outros el¶etrons da banda de condu»ca~o. Os el¶etrons e buracos criados por este
processo de absor»ca~o ¶optica s~ao excessos de portadores, visto que eles est~ao fora do balan»co
com seu ambiente eles devem se recombinar.

Figura 6.1: Absor»c~ao ¶

optica de um f¶
oton com : a) Um EHP ¶e criado durante o processo de absor»c~
ao;
b) O el¶etron excitado fornece energia a
µ rede por eventos de espalhamento; c) O el¶etron recombina com um
buraco da banda de val^encia.

Enquanto o excesso de portadores existir em suas respectivas bandas, eles est~ao

livres para contribuir para a condutividade do material.
Um f¶oton com energia menor que ¶e incapaz de excitar um eletron da banda de
val^encia para a banda de condu»ca~o. Por isso, em um semicondutor puro, a absor»ca~o de
f¶otons com ¶e desprez¶³vel. Isto explica porque alguns materiais s~ao transparentes
em certas regi~oes do espectro. N¶os somos capazes de ver atrav¶es de certos isolantes, por
exemplo um bom cristal de , por que o gap de energia ¶e muito grande e n~ao cont¶em es-
tados de el¶etrons. Se o ¶e da ordem de somente longos ( infravermelhos) e parte do
vermelho do espectro vis¶³vel s~ao transmitidos, por outro lado da ordem de permite
que o infravermelho e todo espectro vis¶³vel seja transmitido.
 Se um feixe de f¶otons com incide sobre o semicondutor, existir¶a uma
quantidade previs¶³vel de absor»c~ao, determinada pelas propriedades do material. Espe-
ramos que a taxa de intensidade da luz incidente transmitida dependa do comprimento
de onda do f¶oton e da espessura da amostra ( na ¯gura 6.2 podemos ver um experimento de
absor»c~ao o¶ptica). Para calcular esta depend^encia, vamos assumir que um feixe de f¶otons
de intensidade ¶e dirigido para a amostra de espessura O feixe cont¶em
somente f¶otons de selecionados por um monocromador. A medida que o feixe passa
atrav¶es da amostra, sua intensidade numa mesma distancia da superf¶³cie pode ser cal-
culada considerando-se a probabilidade de absor»ca~o dentro de qualquer . A degrada»ca~o
da intensidade menos ¶e proporcional aµ intensidade que permanece em :

A solu»c~ao dessa equa»c~ao ¶e:

e a intensidade de luz transmitida atrav¶es da amostra com espessura ¶e:

O coe¯ciente ¶e chamado de coe¯ciente de absor»c~ao e tem unidade . Este

coe¯ciente varia de acordo com o comprimento de onda do f¶oton e com o material.

Figura 6.2:Experimento de absor»c~

ao ¶
optica

Na ¯gura 6.3 podemos ver um gr¶a¯co do coe¯ciente de absor»ca~o versus compri-

mento de onda. Existe uma absor»ca~o desprez¶³vel para longos ( pequenos) e uma
grande absor»ca~o de f¶otons com energia maior que a energia do gap.
Figura 6.3: Depend^encia do coe¯ciente de absor»c~
ao o
¶ptica para um semicondutor em fun»c~
ao do comprimento
de onda da luz incidente.

A ¯gura 6.4 mostra as energias de para alguns semicondutores mais comuns,

relativamente µas regi~oes vis¶³vel, infravermelho e ultravioleta do espectro. O , , ,
, est~ao na regi~ao de infravermelho. O eo ¶ importante
est~ao no vis¶³vel. E
notar que um semicondutor absorve f¶otons com energias iguais ou maiores que , assim,
o absorve f¶oton com mas tamb¶em mais curtos, incluindo a parte vis¶³vel do
espectro.

Figura 6.4: Energias de gap de alguns semicondutores comuns relativas ao espectro ¶

optico.

Quando pares eletron-buraco s~ao gerados em um semicondutor ou quando portadores

s~ao excitados para n¶³veis de impureza mais altos a partir dos quais eles \caem" para
seus valores de equil¶³brio, luz pode ser emitida pelo material. Muitos semicondutores s~ao
usados para emiss~ao de luz, principalmente os de gap diretos. Existem tr^es categorias de
acordo com o mecanismo de excita»ca~o:
1)Fotoluminesc^encia: Se os portadores s~ao excitados por absor»ca~o de f¶otons e a radia»ca~o
resultante vem da recombina»ca~o dos portadores excitados.
2)Catodoluminesc^encia: Se os portadores s~ao excitados pelo bombardeamento com
el¶etrons de alta energia.
3)Eletroluminesc^encia: Se a excita»ca~o dos portadores ocorre a partir da introdu»c~ao de
uma corrente na amostra.

1) Fotoluminesc^encia:
O exemplo mais simples de emiss~ao de luz de um semicondutor ocorre para a ex-
cita»c~ao direta e recombina»ca~o do EHP. Se a recombina»ca~o ocorre direta-
mente, sem a utiliza»ca~o de um n¶³vel de defeito, luz de energia iqual ao do gap ¶e fornecida.
Para excita»ca~o no estado estacion¶ario, a recombina»ca~o de EHPs ocorre na mesma taxa que
a gera»c~ao, e um f¶oton ¶e emitido para cada f¶oton absorvido. A recombina»c~ao direta ¶e um
processo r¶apido; o tempo de vida do EHP ¶e da ordem de ou menos. Por isso a emiss~ao
de luz cessa ap¶os aproximadamente depois que a fonte de excita»c~ao ¶e desligada. Este
processo r¶apido ¶e chamado de °uoresc^encia. Em alguns materiais, contudo, a emiss~ao
continua por per¶³odos de segundos ou at¶e minutos depois que a excita»c~ao ¶e removida.
Este ¶e um processo lento e ¶e chamdo de fosforesc^encia, e os materiais nos quais isto
acontece s~ao chamados de f¶osforos. Um exemplo do processo lento ¶e mostrado na ¯gura
6.5. Este material cont¶em n¶³veis de defeito (talvez devido aµ impurezas) no gap os quais
tem uma forte tend^encia em capturar (armadilhar) temporariamente el¶etrons da banda
de condu»c~ao. Os eventos mostrados na ¯gura 6.5 s~ao:a) f¶oton incidente com ¶e
absorvido, criando um EHP; b) o el¶etron excitado fornece energia µa rede por espalhamento
at¶e chegar pr¶oximo ao fundo da banda de condu»c~ao;c) o el¶etron ¶e armadilhado pelo n¶³vel
de impureza e permanece armadilhado at¶e que ele possa ser reexcitado termicamente de
volta aµ banda de condu»ca~o d);e) ¯nalmente a recombina»ca~o direta ocorre com o el¶etrons
caindo para um estado vazio da banda de val^encia, emitindo um f¶oton ( ) com energia
aproximadamente igual ao do gap. O tempo decorrido entre a excita»c~ao e a recombina»ca~o
pode ser relativamente longo se a probabilidade de reexcita»c~ao t¶ermica da amardilha (d)
for pequena. Um tempo ainda maior pode ser observado se o el¶etron ¶e rearmadilhado di-
versas vezes antes da recombina»ca~o. Se a probabilidade de o el¶etron ser armadilhado for
maior do que a probabilidade de recombina»c~ao, um el¶etron pode fazer muitas viagens
entre a armadilha e a banda de condu»c~ao antes que ocorra a recombina»c~ao. Nestes mate-
riais a emiss~ao de luz fosforescente persiste por tempos muitos longos mesmo depois que
a excita»c~ao ¶e removida.
 Figura 6.5: Mecanismos de excita»c~
ao e recombina»c~ao em fotoluminesc^encia com n¶³veis de armadilha para
el¶etrons.

A cor da luz emitida por um f¶osforo tal como o ZnS depende primeiramente da
presen»ca de impurezas, pois muitas transi»co~es radiativas envolvem n¶³veis de impureza
dentro do gap. A sele»c~ao de cores ¶e particularmente u¶ til na fabrica»ca~o de telas de TV
coloridas.
Um dos exemplos mais comuns de fotoluminesc^encia ¶e a l^ampada °uorescente.
Tipicamente esta l^ampada ¶e composta de um tubo de vidro preenchido com g¶as (mistura
de arg^onio e merc¶ urio), com uma camada °uorescente no interior do tubo (p¶o branco
aderido aµ superf¶³cie interna do vidro). Quando uma descarga el¶etrica ¶e induzida entre
os eletrodos no tubo, ¶atomos excitados do g¶as emitem f¶otons, nas regi~oes vis¶³veis e ultra
violeta do espectro. Esta luz ¶e absorvida pela cobertura luminescente e f¶otons vis¶³veis s~ao
emitidos. A e¯ci^encia desta l^ampada ¶e consideravelmente melhor do que a da l^ampada
incandescente, e a mistura de comprimento de onda na luz fornecida pode ser ajustada
por uma sele»c~ao pr¶evia do material °uorescente que ser¶a usado.
2) Catodoluminesc^encia
O exemplo mais comum de excita»ca~o de materiais luminescentes por el¶etrons en-
erg¶eticos ¶e o tubo de raios cat¶odicos (CRT). A luz emitida pelo tubo ¶e a base de sistemas
como oscilosc¶opio, televis~ao e outros displays visuais. O princ¶³pio b¶asico do CRT ¶e a
excita»ca~o seletiva de uma tela fosforescente por um feixe de el¶etrons energ¶eticos den-
tro de um tubo de v¶acuo (¯gura 6.6). El¶etrons s~ao emitidos de um catodo quente e
s~ao acelerados por um campo el¶etrico at¶e o anodo carregado positivamente. O feixe de
el¶etrons passa atrav¶es de um orif¶³cio no anodo e vai para o sistema de de°ec»ca~o onde
a trajet¶oria dos el¶etrons ¶e inclinada por um campo el¶etrico ou magn¶etico. Variando-se
esta de°ec»c~ao o feixe de el¶etron pode ser dirigido para qualquer ponto na tela. Como
os el¶etrons energ¶eticos colidem com a cobertura de f¶osforo, eles fornecem energia ao
f¶osforo e seus el¶etrons s~ao excitados para estados de energia mais altos dentro do ma-
terial. Quando estes el¶etrons se recombinam, a tela fornece luz no ponto desejado. No
tubo de televis~ao, a intensidade e a posi»ca~o dos feixes ¶e variada para fornecer uma r¶eplica
da imagem que est¶a sendo recebida.

Figura 6.6: Esquema simpli¯cado de um tubo de raios cat¶

odicos.

No tubo da TV colorida a tela ¶e coberta por um conjunto padr~ao de pontos de

f¶osforo, os quais s~ao dopados para emitir as cores prim¶arias vermelho, verde e azul (red,
green and blue - RGB). Para excitar pontos espec¶³¯cos, tr^es feixes de el¶etrons s~ao jogados
juntos sobre a tela. Cada feixe controla a excita»c~ao de um ponto do f¶osforo. Variando a
intensidade relativa da luz emitida por cada ponto, um grande leque de cores pode ser
sintetizado.

3) Eletroluminesc^encia
Existem muitos modos pelo qual a energia el¶etrica pode ser usada para gerar
uma emiss~ao de f¶otons em um s¶olido. Em LEDs ( diodos emissores de luz) uma cor-
rente el¶etrica causa a inje»c~ao de portadores minorit¶arios nas regi~oes do cristal onde
eles podem se recombinar com os portadores majorit¶arios, resultando na emiss~ao da ra-
dia»ca~o de recombina»ca~o. Este efeito importante (inje»c~ao eletroluminescente) ser¶a visto
mais adiande quando estudarmos o LED.

6.3 Tempo de vida dos portadores e Fotocondutividade

Quando um excesso de el¶etrons e buracos s~ao criados em um semicondutor, existe
um aumento correspondente na condutividade da amostra:
 Se o excesso de portadores resulta de uma excita»c~ao ¶optica, o aumento resultante
na condutividade ¶e chamado de fotocondutividade. Este ¶e um efeito importante, com
aplica»c~oes u
¶ teis na analise dos materiais semicondutores e na opera»ca~o de muitos tipos de
dispositivos.

Recombina»c~
ao Direta de El¶
etrons e Buracos
Na recombina»ca~o direta, o excesso de popula»c~ao de el¶etrons e buracos decai, pela
transi»c~ao de um el¶etron da banda de condu»ca~o para os estados vazios na banda de val^encia.
A energia liberada pelo el¶etron quando ele faz esta transi»c~ao ¶e fornecida como um f¶oton.
A recombina»ca~o direta ocorre espont^aneamente, isto ¶e, a probabilidade de um el¶etron
e um buraco se recombinarem ¶e constante no tempo. Como no caso do espalhamento
do portador, esta probabilidade constante nos conduz a esperar uma solu»ca~o do tipo
exponencial para o decaimento do excesso de portadores. Neste caso, a taxa de decaimento
dos el¶etrons em qualquer tempo ¶e proporcional ao n¶ umero de el¶etrons remanescentes em
e o n¶umero de buracos, com alguma constante de proporcionalidade . A taxa l¶³quida de
mudan»ca na concentra»ca~o de el¶etrons na banda de condu»c~ao ¶e a taxa de gera»c~ao t¶ermica
menos a taxa de recombina»c~ao:

Vamos assumir que um excesso na popula»ca~o de el¶etrons e buracos ¶e criado em

, por exemplo, por um °ash curto de luz, e que a concentra»ca~o inicial de el¶etrons
e a concentra»ca~o de buracos s~ao iguais a e (em ). Usaremos e
para o excesso instant^aneo da concentra»c~ao de portadores, e como el¶etrons e buracos se
recombinam aos pares . Podemos escrever a equa»c~ao da taxa l¶³quida em termos
dos valores de equil¶³brio e e em termos do excesso de portadores . Usando
temos:

Esta equa»c~ao n~ao linear ¶e dif¶³cil de resolver, felizmente, podemos simpli¯c¶a-la

para o caso de baixo n¶³vel de inje»c~ao. Se os excessos de concentra»ca~o de portadores s~ao
pequenos , podemos negligenciar o termo . Al¶em disso, se o material ¶e extr¶³nseco,
podemos desprezar o termo que representa os portadores minorit¶arios no equil¶³brio. Por
exemplo, se o material ¶e tipo ( ) e a equa»ca~o 6.9 torna-se:

A solu»c~ao desta equa»c~ao ¶e uma exponencial decrescente da concentra»ca~o de excesso

de portadores original :
 O excesso de el¶etron em um semicondutor tipo recombina-se com uma constante
de decaimento , chamada de tempo de vida de recombina»ca~o. Como o c¶alculo
¶e feito em termos dos portadores minorit¶arios, ¶e chamado de tempo de vida do portador
minorit¶ario.
No caso da recombina»ca~o direta, o excesso de portadores majorit¶arios decai exa-
tamente na mesma taxa que os portadores minorit¶arios.
Uma express~ao mais geral para o tempo de vida do portador ¶e:

e ¶e v¶alida para materiais tipo ou se o n¶³vel de inje»ca~o ¶e baixo.

Recombina»c~
ao Indireta; Armadilhas

Em semicondutores do grupo IV e em certos compostos, a probabilidade de recom-

bina»c~ao direta de el¶etron-buraco ¶e muito pequena. Existe alguma luz que sai de alguns
materiais como o eo durante a recombina»ca~o, mas esta radia»c~ao ¶e t~ao fraca que
s¶o pode ser medida com equipamentos muito sens¶³veis. A grande maioria de eventos de
recombina»c~ao em materiais indiretos ocorrem via n¶³veis de recombina»c~ao no gap de ener-
gia, e a energia perdida pelo el¶etron ¶e geralmente fornecida aµ rede como calor, ao inv¶es da
emiss~ao de f¶otons. Qualquer impureza ou defeito na rede pode servir como um centro de
recombina»c~ao se ele for capaz de receber um portador de um tipo e em seguida capturar
o outro portador de tipo oposto, aniquilando o par. A ¯gura 6.7 mostra um n¶³vel de
recombina»c~ao que est¶a abaixo de no equil¶³brio e portanto est¶a todo preenchido com
el¶etrons.

Figura 6.7: Processo de captura no n¶³vel de recombina»c~

ao: a) Captura do buraco no centro de recombina»c~
ao
cheio; b) Captura do el¶etron no centro vazio.
 Quando um excesso de el¶etrons e buracos s~ao criados neste material, cada EHP
recombina-se em em dois passos: a) captura de buracos e b) captura de el¶etrons. Como
os centros de recombina»ca~o est~ao cheios no equil¶³brio, o primeiro evento no processo de re-
combina»ca~o ¶e a captura do buraco. Este evento ¶e equivalente a um el¶etron em \cair"
para a banda de val^encia deixando para tr¶as um estado vazio no n¶³vel de recombina»ca~o.
Por isso a captura de um buraco fornece calor µa rede. Similarmente, energia ¶e fornecida
quando um el¶etron da banda de condu»ca~o \cai" para a o estado vazio em . Quando
ambos os eventos aconteceram, o centro de recombina»ca~o volta ao seu estado original
(preenchido com el¶etrons), mas outro EHP j¶a est¶a a caminho e o centro de recombina»ca~o
participa outra vez.
O tempo de vida do portador, resultante de uma recombina»ca~o indireta ¶e um pouco
mais complicado que o caso da recombina»ca~o direta, pois ¶e necess¶ario levar-se em conta
os diferentes tempos necess¶arios para a captura de cada portador. Em particular, a
recombina»c~ao ¶e freqÄ
uentemente retardada pela tend^encia que o portador capturado tem
de ser reexcitado para sua banda original antes da captura do portador de tipo oposto
ocorrer. Por exemplo, na ¯gura 6.7, se o el¶etron capturado n~ao \cair" imediatamente ap¶os
a captura do buraco, o buraco pode ser reexcitado termicamente para a banda de val^encia.
Para que este processo aconte»ca ¶e necess¶aria energia para elevar um el¶etron da banda de
val^encia at¶e o estado vazio no n¶³vel de recombina»ca~o. Este processo ¶e demorado, pois o
buraco precisa ser capturado outra vez antes que a recombina»c~ao possa ser completada.
Quando um portador ¶e temporariamente armadilhado em um centro e ent~ao re-
excitado sem que houvesse a recombina»c~ao, o processo ¶e chamado de armadilha tem-
por¶aria.
A recombina»c~ao pode ser lenta ou r¶apida, dependendo do tempo m¶edio que o
primeiro portador ¶e \preso" antes que o segundo seja capturado. Em geral, n¶³veis de
armadilha localizados profundamente no gap de energia s~ao mais lentos na libera»ca~o
de portadores armadilhados do que os n¶³veis localizados pr¶oximos a uma das bandas.
Isto acontece por que mais energia ¶e necess¶aria, por exemplo, para reexcitar um el¶etron
armadilhado no meio do gap para a banda de condu»ca~o do que um el¶etron armadilhado em
um centro mais pr¶oximo µa banda de condu»ca~o. A ¯gura 6.8 mostra um exemplo de n¶³veis
de impurezas em semicondutores. Neste diagrama o superescrito indica se a impureza
¶e um doador ionizado positivamente ou um aceitador ionizado negativamente. Algumas
impurezas introduzem n¶³veis m¶ ultiplos no gap de energia. Por exemplo, o introduz um
n¶³vel localizado a acima da banda de val^encia em um segundo n¶³vel de
pr¶oximo ao meio do gap. Cada ¶atomo de impureza de ¶e capaz de aceitar dois el¶etrons
do semicondutor, um em um n¶³vel mais baixo e o outro no n¶³vel mais alto.
Figura 6.8: N¶³veis de impurezas no . As energias s~ ao medidas da borda da banda mais pr¶ oxima ( ou ).
Os n¶³veis doadores s~
ao designados pelo sinal positivo e os n¶³veis aceitadores pelo sinal negativo.

Gera»c~
ao de Portadores no Estado Estacion¶
ario
Equil¶³brio: este termo refere-se aµ condi»c~ao de nenhuma excita»c~ao externa exceto a
temperatura, e nenhum movimento l¶³quido de cargas (temperatura constante, no escuro,
sem campo aplicado)
Estado estacion¶ario: refere-se µas condi»co~es de n~ao equil¶³brio nas quais todos os
processos s~ao constantes e s~ao equilibrados por processos opostos (uma amostra com uma
corrente constante ou uma gera»ca~o ¶optica de EHP balanceada pela recombina»ca~o).
Por exemplo, um semicondutor em equil¶³brio tem uma gera»c~ao t¶ermica de EHPs
na taxa . Esta gera»ca~o ¶e balanceada pela taxa de recombina»ca~o assim as concen-
tra»co~es de portadores no equil¶³brio e s~ao mantidas:

Se uma luz estacion¶aria ¶e colocada sobre a amostra, uma taxa de gera»ca~o ¶optica
dever¶a ser somada ao termo de gera»ca~o t¶ermica, e a concentra»c~ao de portadores
e ser¶a aumentada para um novo valor estacion¶ario. N¶os podemos escrever o balan»co
entre gera»ca~o e a recombina»ca~o em termos das concentra»co~es de portadores e partindo do
equil¶³brio e :

Para a recombina»ca~o no estado estacion¶ario e nenhuma armadilha logo:

O termo ¶e igual a . Assim, desprezando para n¶³veis de excita»ca~o

baixos, temos:

O excesso de concentra»ca~o de portadores pode ser escrito como:

Assumindo que s~ao criados opticamente em em uma

amostra de com e , o excesso de concentra»c~ao de portadores
(el¶etrons e buracos) ser¶a ent~ao . Enquanto a mudan»ca percentual na concen-
tra»ca~o de portadores majorit¶arios ¶e pequena, a mudan»ca na concentra»ca~o de portadores
minorit¶arios muda de:

no equil¶³brio
para no estado estacion¶ario
Note que a equa»c~ao de equil¶³brio n~ao pode ser usada sem os sub¶³ndices,
isto ¶e, quando um excesso de portadores est¶a presente.
¶ desej¶avel referir-se aos estados estacion¶arios da concentra»ca~o de el¶etrons e bura-
E
cos em termos do n¶³vel de Fermi, o qual est¶a inclu¶³do nos diagramas de banda para v¶arios
dispositivos. O n¶³vel de Fermi usado na equa»ca~o 3.27 ¶e signi¯cante somente quando
nenhum excesso de portadores est¶a presente. Podemos escrever as express~oes para as
concentra»c~oes de portadores no estado estacion¶ario na mesma forma que as express~oes no
¶
equil¶³brio de¯nindo-se os QUASI NIVEIS DE FERMI e para el¶etrons e buracos.
As equa»co~es resultantes para as concentra»co~es de portadores s~ao:

: A concentra»ca~o de el¶etrons no estado estacion¶ario ¶e (usando os dados

do exemplo anterior):
na temperatura ambiente. A posi»ca~o do quasi n¶³vel de Fermi do el¶etron ser¶a:

Ent~ao ¯ca 0,233 eV acima do n¶³vel intr¶³nseco. De um modo an¶alogo chega-se ao valor
do quasi n¶³vel de Fermi para buracos de 0,186 eV abaixo de . Neste exemplo, o n¶³vel
de Fermi no equil¶³brio ser¶a:

acima do n¶³vel intr¶³nseco.

6.4 Absor»c~
ao Luminosa; Forma»c~
ao do EHP; Recombina»c~
ao

A opera»ca~o de quase todos os dispositivos optoeletr^onicos e baseada na cria»ca~o ou

aniquila»ca~o de pares e{h. Absor»c~ao: f¶otons incidentes (ou qualquer outra part¶³cula) sobre
um semicondutor, que possuam energia su¯cientes s~ao absorvidos, fornecendo energia aos
el¶etrons da banda de val^encia, promovendo-os para a banda de condu»ca~o. Recombina»c~ao:
¶e o processo inverso µa absor»ca~o, el¶etrons se recombinam com os buracos deixados na
banda de val^encia. N~ao radiativa: o excesso de energia devido aµ recombina»c~ao e dividido
para os f^onons e dissipada na forma de calor. Radiativa: o excesso de energia ¶e dissipado
como f¶otons que tem energia semelhante ao gap ( ).

Fotodiodos

Dispositivos de jun»ca~o podem ser usados para melhorar a velocidade de resposta e a

sensibilidade ¶optica. Os dispositivos de dois terminais que respondem aµ absor»ca~o do f¶oton
s~ao chamados de fotodiodos. A eletr^onica moderna envolve freqÄ uentemente sinais o¶pticos
e el¶etricos, assim o fotodiodo ¶e muito importante.
Corrente-Tens~ao em uma Jun»ca~o Iluminada:
Quando estudamos a jun»ca~o n¶os negligenciamos a gera»c~ao de pares el¶etron-
buraco criados por efeito o¶ptico. Agora, se a jun»c~ao ¶e uniformemente iluminada por f¶otons
com energia maior que a energia do gap, uma taxa de gera»ca~o adicional
participa na corrente do diodo (¯gura 6.9). O n¶ umero de buracos criados por segundo
dentro do comprimento de difus~ao no lado ¶e . Similarmente el¶etrons s~ao
gerados por segundo dentro do comprimento de difus~ao do el¶etron , tamb¶em
portadores s~ao gerados na camada de deple»c~ao .
Figura 6.9: Gera»c~
ao o
¶ptica de portadores em uma jun»c~
ao : a) Absor»c~
ao de luz pelo dispositivo;b) Corrente
resultante da gera»c~
ao de EHP dentro do comprimento de difus~ ao da jun»c~
ao no lado ; c) Caracter¶³stica
de uma jun»c~
ao iluminada.

A corrente resultante devido a esses portadores opticamente gerados ¶e

Se somarmos a essa corrente aµquela j¶a discutida anteriormente, que ¶e devida aos
portadores gerados termicamente:

Encontraremos a corrente reversa total com ilumina»ca~o. Esta corrente ¶e dirigida de ,

assim, a equa»ca~o do diodo torna-se:

Por isso a curva ¶e abaixada por uma quantidade proporcional, a taxa de gera»ca~o.
Quando o dispositivo ¶e curto circuitado ( , os termos da equa»ca~o do diodo
tendem a zero. Contudo existe uma corrente de curto circuito de igual a . Por
isso, a caracter¶³stica cruza o eixo em valores negativos proporcionais a . Quando
o circuito est¶a aberto e ¶e:
 Para o caso especial de uma jun»ca~o sim¶etrica e podemos escrever a
equa»ca~o 6.23 em termos da taxa de gera»ca~o e gera»c~ao o¶ptica . Negligenciando
a gera»ca~o dentro da camada de deple»c~ao:

Onde representa a taxa de recombina»c~ao-gera»ca~o t¶ermica no equil¶³brio.

Como a concentra»c~ao de portadores minorit¶arios ¶e aumentada pela gera»ca~o ¶optica
de pares el¶etron-buraco, ¯ca cada vez menor, e ¯ca maior ( ¶e ¯xo para um dado
e ). Contudo, n~ao pode aumentar inde¯nidamente com o aumento da taxa de
gera»ca~o; de fato o limite de ¶e o potencial de contato no equil¶³brio (¯gura 6.10). Este
resultado ¶e esperado, uma vez que ¶e a polariza»ca~o direta m¶axima que pode aparecer
atrav¶es da jun»ca~o. O aparecimento de uma tens~ao direta na jun»ca~o iluminada ¶e conhecido
como efeito fotovoltaico.

Figura 6.10: Efeitos da ilumina»c~

ao sobre a tens~
ao de circuito aberto da jun»c~
ao: a) Jun»c~
ao no equil¶³brio; b)
Aparecimento de uma tens~ ao com a ilumina»c~
ao.

Dependendo da aplica»c~ao desejada, o fotodiodo pode operar no 3 ou no 4

quadrante da sua caracter¶³stica ., como pode ser visto na ¯gura 6.11.
Pot^encia ¶e entregue ao dispositivo por um circuito externo quando I e V s~ao
ambos positivos ou negativos (1 e 3± quadrantes).
No 4 quadrante, a tens~ao ¶e positiva e a corrente ¶e negativa. Neste caso a
pot^encia ¶e entregue da jun»c~ao para um circuito externo (4 quadrante a corrente °ui do
lado negativo de V para o lado positivo, como uma bateria).
Em aplica»co~es como um fotodetector geralmente polarizamos a jun»ca~o reversa-
mente e operamos no 3 quadrante. Se queremos extrair pot^encia do dispositivo usamos
o 4 quadrante.

Figura 6.11: a) Opera»ca~o de uma jun»c~ao iluminada em v¶ arios quadrantes de sua curva caracter¶³stica ; b)
Pot^encia ¶e entregue ao dispositivo por um circuito externo; c) O dispositivo libera pot^encia para a carga.

C¶elula solar:
Converte energia solar em energia el¶etrica. Considerando o 4 qua-
drante, vemos que alguma pot^encia pode ser fornecida por um dispositivo individual.
A tens~ao ¶e restrita a valores menores que , o qual ¶e geralmente menor que . Para
o . A corrente gerada depende da ¶area iluminada; valores t¶³picos de s~ao
para uma a¶rea de . Contudo, se muitos dispositivos s~ao usados, a pot^encia
resultante pode ser signi¯cante.
Para utilizar a quantidade m¶axima de energia o¶ptica dispon¶³vel, ¶e necess¶ario fa-
bricar uma c¶elula solar com grande a¶rea da jun»ca~o localizada pr¶oxima aµ superf¶³cie do
dispositivo. A superf¶³cie da jun»ca~o ¶e coberta com um material para reduzir a re°ex~ao e
diminuir a recombina»c~ao na superf¶³cie.
Compromissos para o design da c¶elula: a profundidade no material , per-
mite aos buracos gerados pr¶oximos µa superf¶³cie difundir-se na jun»ca~o antes de recombinar-
se. Similarmente , a espessura da regi~ao deve ser tal que os el¶etrons gerados nessa regi~ao
possam difundir-se at¶e a jun»ca~o antes de recombinar. Isto implica em compromisso entre
e a espessura da regi~ao e tamb¶em da profundidade de penetra»c~ao ¶optica. E ¶ desej¶avel
um alto para obter-se uma fotovoltagem elevada, isto ¶e conseguido com dopagem pe-
sada. Por outro lado, tempos de vida elevados s~ao desejados e eles s~ao diminu¶³dos com
dopagem pesada. Para reduzir a resist^encia em s¶erie do dispositivo, contatos na regi~ao
requerem um desenho especial. Os contatos podem ser distribu¶³dos na superf¶³cie formando
¯nos dedos. Estes contatos estreitos reduzem a resist^encia em s¶erie sem interferir na luz
incidente. Uma con¯gura»c~ao de c¶elula solar pode ser vista na ¯gura 6.12:

Figura 6.12: Con¯gura»c~

ao de uma c¶elula solar: a) Vista aumentada de uma jun»c~
ao planar; b) Vista do topo
mostrando os dedos met¶ alicos.

A corrente de curto cicuito e a tens~ao de circuito aberto s~ao determinados

para um dado n¶³vel de luz pelas propriedades da c¶elula. A pot^encia m¶axima liberada para
uma carga por esta c¶elula ocorre quando o produto ¶e m¶aximo. Chamando estes valores
de e (¯gura 6.13), podemos ver que a pot^encia m¶axima liberada ¶e menor que .
A raz~ao ¶e chamada de FATOR DE PREENCHIMENTO e ¶e um par^ametro
muito importante para a c¶elula solar.

Figura 6.13: Curva caracter¶³stica de uma c¶elula solar iluminada. O ret^

angulo sombreado ¶e a pot^encia
m¶axima.
 Fotodetector ¶e um dispositivo que absorve energia ¶optica e a converte em energia
el¶etrica, a qual se manifesta como uma fotocorrente.
Tr^es passos no processo de fotodete»ca~o:
1) Absor»c~ao da energia o¶ptica e gera»ca~o de portadores.
2) Transporte de portadores fotogerados atrav¶es da regi~ao de tr^ansito com ou sem
ganho.
3) Captura dos portadores e gera»ca~o de uma fotocorrente, que °ui para um circuito
externo.
Fotodetetores s~ao largamente usados em sistemas de comunica»ca~o ¶optica. Os detetores
recebem os pulsos o¶pticos transmitidos e os convertem, com a menor perda poss¶³vel, em
pulsos eletr^onicos que podem ser usados por computadores, telefones ou outros terminais.
Requisitos para um bom fotodetector:
1) Alta sensibilidade;
2) Baixo ru¶³do;
3) Grande largura de banda;
4) Alta con¯abilidade;
5) Baixo custo;
Os 3 principais tipos de detetores s~ao: fotocondutores, diodos PIN, fotodiodos
avalanche
A e¯ci^encia qu^antica de um fotodetetor ¶e dada por:

onde ¶e a pot^encia o¶ptica incidente.

A e¯ci^encia qu^antica ¶e o n¶umero de portadores (EHP) coletados para produzir a
fotocorrente dividido pelo n¶ umero de f¶otons incidentes. = ¶e a e¯ci^encia qu^antica
externa do dispositivo. ¶e a e¯ci^encia qu^antica interna. depende do coe¯ciente de
absor»c~ao do material e da espessura ( ) da regi~ao que est¶a absorvendo:

¶e fun»c~ao do comprimento de onda do f¶oton.

A responsividade de um detector ¶e de¯nida como:
 Para ¯xo, aumenta linearmente com , mas depende de , que depende de
. Assim, para detectores reais, um corte em altos da resposta espectral ¶e determi-
nada pela borda de absor»ca~o, ou . Para baixos o valor de ¶e elevado para muitos
semicondutores e toda energia o¶ptica incidente ¶e absorvida pr¶oxima µa superf¶³cie (¯gura
6.14).
Exemplo 6.3 : Determine o de corte de um fotodetector de fosfeto de ¶³ndio, cujo
em .
Para ser absorvido pelo detector a energia do f¶oton tem que ser maior do que :

Figura 6.14: Responsividade em fun»c~

ao do comprimento de onda de luz incidente, a linha pontilhada mostra o
comportamento para um fotodetector ideal.

Fotodiodo PIN:
Um fotodiodo com uma regi~ao n~ao dopada ou pouco dopada intr¶³nseca inserida
entre regi~oes e ¶e chamado de fotodiodo PIN (¯gura 6.15). Como esta regi~ao possui
poucos portadores livres, possui alta resist^encia. Assim, qualquer polariza»ca~o aplicada
ser¶a toda concentrada na camada , a qual ¶e toda depletada para baixos valores de po-
lariza»ca~o reversa ou . Se o tempo de vida dos portadores na regi~ao ¶e maior que
o tempo de tr^ansito , os portadores ser~ao coletados nas regi~oes e . O diodo PIN
tem uma camada de deple»ca~o controlada que pode ser melhorada para a fotorresposta e
largura de bandas desejadas.
Para alta velocidade de resposta a camada de deple»c~ao tem que ser pequena.
 Para alta responsividade ou alta e¯ci^encia qu^antica a camada de deple»c~ao tem que
ser grande.

Figura 6.15: Absor»ca

~o e gera»c~
ao de portadores em um diodo PIN polarizado reversamente.

Quando o fotodiodo ¶e operado no 3 quadrante, da curva corrente versus tens~ao, a

corrente essencialmente independe da tens~ao, mas ¶e proporcional a taxa de gera»ca~o ¶optica.
Estes dispositivos s~ao u
¶ teis para medir n¶³veis de ilumina»ca~o ou converter sinais o¶pticos
que variam no tempo.
Em muitas aplica»co~es a velocidade de resposta ¶e critica. Por exemplo, se o foto-
diodo deve responder a uma s¶erie de pulsos de luz com intervalo de , os portadores
fotogerados devem difundir na jun»ca~o e serem sugados para o outro lado num tempo
menor que esse. A etapa de difus~ao de portadores est¶a consumindo um certo tempo e
poderia ser eliminada. Assim ¶e desej¶avel que a camada de deple»ca~o aumente, de modo que
mais f¶otons sejam absorvidos nela em vez de serem absorvidos nas regi~oes e neutras.
Quando um EHP ¶e criado na regi~ao de deple»c~ao, o campo el¶etrico suga o el¶etron para o
lado e o buraco para o lado . Como essa deriva de portadores ocorre num tempo curto,
a resposta do fotodiodo ¶e r¶apida.

Fotodiodo avalanche:
Se sinais o¶pticos de baixo n¶³vel precisam ser detectados, ¶e desej¶avel operar o
fotodiodo na regi~ao de avalanche de sua curva . Neste modo, cada portador fotogerado
resulta em uma mudan»ca signi¯cante na corrente, devido aµ multiplica»ca~o por avalanche.
Alta sensibilidade para n¶³veis baixos de sinais e resposta de . Esses diodos s~ao u
¶ teis
para sistemas de comunica»ca~o por ¯bras o¶pticas.
6.5 Diodo Emissor de Luz (LED)

Em uma jun»ca~o LED, f¶otons com energias da ordem de s~ao gerados pelo processo
de inje»ca~o luminescente ou eletroluminesc^encia (¯gura 6.16), na qual uma popula»ca~o
grande de el¶etrons, injetados na banda de condu»ca~o por uma polariza»ca~o direta, recombi-
nam-se com os buracos da banda de val^encia.
Luz ¶e emitida por emiss~ao espont^anea.
Baixa polariza»c~ao e densidade de corrente menores que lasers.
F¶otons emitidos tem fase rand^omica, LED ¶e uma fonte de luz incoerente.
A largura de linha de emiss~ao espont^anea ¶e aproximadamente igual aµ largura de linha
da fotoluminesc^encia, a qual ¶e em . Por isso muitos modos ¶opticos s~ao
suportados e assim o LED ¶e uma fonte o¶ptica multimodal, aceit¶avel para o uso com ¯bras
multimodo.

Figura 6.16: Inje»c~

ao de portadores minorit¶
arios em uma jun»c~
ao p-n polarizada diretamente, conduzindo µ
a
emiss~ao espont^
anea de f¶
otons.

Vantagens do LED como fonte de luz : Fabrica»ca~o simples, baixo custo, circuito
de alimenta»ca~o simples. Operam em baixas pot^encias e por isso n~ao sofrem degrada»ca~o.
Exibe uma caracter¶³stica linear entre a corrente e a luz emitida, aceit¶avel para modula»ca~o
anal¶ogica. A caracter¶³stica luz-corrente n~ao ¶e muito sens¶³vel aµ temperatura.
Sob uma polariza»c~ao direta, portadores s~ao injetados em ambos os lados da jun»ca~o,
o excesso difunde-se para longe da jun»c~ao, recombinado-se com os portadores majorit¶arios.
O excesso de buracos no lado ¶e dado pela equa»c~ao:

sendo o mesmo ¶e v¶alido para el¶etrons.

Muitos portadores minorit¶arios em excesso em ambos os lados da jun»ca~o recom-
binam-se radiativamente com os portadores majorit¶arios e criam f¶otons de freqÄ
u^encia
dada por:
 Uma pequena fra»c~ao desses portadores minorit¶arios em excesso recombinam-se
n~ao-radiativamente, e o excesso de energia desses portadores ¶e dissipado como calor na
rede.
A taxa de recombina»ca~o radiativa ¶e normalmente proporcional µa taxa de inje»ca~o
com polariza»ca~o direta, e por isso a corrente do diodo ser¶a:

E¯ci^encia qu^antica interna: ¶e de¯nida como a taxa de emiss~ao de f¶otons dividida

pela taxa de inje»c~ao de el¶etrons (menor que 100%). Pode existir a reabsor»ca~o de f¶otons,
uma vez que a transi»ca~o banda a banda tem energias maiores que o gap.
Existem ainda as transi»co~es radiativas induzidas por impurezas tais como: banda-
impureza e aceitador-doador.
Um aspecto interessante dos n¶³veis de impureza, que ¶e importante para a opera»ca~o
do LED ¶e descrito abaixo.
Um portador ¶e armadilhado no potencial da impureza e portanto ¶e localizado no
espa»co. A medida que o n¶³vel da impureza torna-se mais profundo, ou sua energia de
liga»ca~o aumenta, a localiza»c~ao do portador tamb¶em aumenta. Como conseqÄ u^encia do
principio da incerteza de Heisenberg, a localiza»ca~o espacial dos portadores nos n¶³veis de
impureza causa um alargamento nos valores de seu momento ( ). O alargamento dos n¶³veis
de impureza no espa»co ¶e su¯ciente para permitir a exist^encia de uma taxa signi¯cante
de transi»co~es entre o estado de impureza e a banda de val^encia, sem o envolvimento de
f¶onon. Este efeito aumenta a e¯ci^encia radiativa de semicondutores com gap indiretos.
O oxig^enio (O) no ¶e um n¶³vel doador profundo de abaixo da banda de
condu»ca~o. Para essas transi»c~oes a radia»c~ao resultante (f¶oton) tem energia menor que o
gap ( ), n~ao sendo sujeito a reabsor»c~ao.
Escolha dos materiais para o LED: O comprimento de onda da luz emitida dese-
jada dita a escolha dos materiais, em termos da . Outro fator importante ¶e a capacidade
de poder-se dopar pesadamente ou para fabricar a jun»ca~o do diodo.
pequenos emiss~ao no infravermelho e infravermelho distante.
altos ( 2eV) s~ao fonte de luz vis¶³vel.
Altos implicam em elevado ponto de fus~ao e baixa estabilidade estrutural,
al¶em de elevada resistividade e di¯culdade de dopagem.
Os compostos semicondutores dos grupos III { V mais importantes para o a apli-
ca»ca~o LED s~ao: , , .
( ) em emite na regi~ao do infravermelho
pr¶oximo. (zinco difundido) ou dopado com . E¯ci^encia qu^antica interna para
o ¶e de aproximadamente . Contudo o ¶e mais caro que o .
possui indireto de ( ), sendo necess¶ario o uso de impurezas
no para que a e¯ci^encia de luz emitida seja aumentada.
(verde) e¯ci^encia menor que .
(amarelo).
(vermelho).
A liga muda de gap direto para indireto com . (
para essa composi»c~ao).
emite no vermelho.
emite no laranja.
emite no amarelo
Para maiores comprimentos de onda, na regi~ao do infravermelho pr¶oximo, compos-
tos baseados em fosfeto de ¶³ndio ( ) de e s~ao importantes.
Dispositivos feitos com esses materiais operam numa regi~ao de a , a qual se
sobrep~oe µa regi~ao espectral de baixa perda e dispers~ao m¶³nima em ¯bras ¶opticas. Materiais
importantes para comunica»ca~o por ¯bra o¶ptica:
emite no azul, comunica»c~ao por sat¶elite.
, e bem como seu seus tern¶arios est~ao em estudo para aplica»co~es
em LEDs de luz vis¶³vel.

O dispositivo ¶e feito de maneira que muito da radia»ca~o radiativa aconte»ca no lado da

jun»c~ao mais pr¶oxima da superf¶³cie (¯gura 6.17) onde a probabilidade de absor»ca~o ¶e bem
reduzida. Isto ¶e feito, arranjando que o °uxo de corrente atrav¶es do diodo seja feito por
portadores que sejam injetados na camada da superf¶³cie.
O processo tem tr^es est¶agios:
1) Inje»c~ao: a energia dos portadores ¶e aumentada pela polariza»ca~o direta.
2) Recombina»ca~o; f¶otons s~ao emitidos ap¶os a recombina»c~ao de buracos e el¶etrons.
3) Extra»ca~o: f¶otons gerados deixam o semicondutor e provocam um estimulo o¶ptico ao
olho ou produzem uma fotocorrente em um detector.
 Figura 6.17: Estrutura LED planar com emiss~
ao pela superf¶³cie constru¶³da por: a) Difus~
ao; b) Crescimento
epitaxial.

Cada um dos processos possui uma e¯ci^encia caracter¶³stica. A e¯ci^encia total do

dispositivo (e¯ci^encia de convers~ao externa) pode ser expressa como:

onde ¶e a e¯ci^encia de inje»c~ao, ¶e a e¯ci^encia de recombina»ca~o e ¶e a e¯ci^encia

de extra»ca~o.
Fra»ca~o da corrente do diodo total que ¶e levada pela difus~ao dos
el¶etrons que s~ao injetados no lado da jun»ca~o:

Usando a rela»ca~o de Einstein e temos:

Para ioniza»c~ao completa .

Para muitos compostos III-V e assim . Podemos ent~ao
garantir uma elevada fazendo (jun»ca~o assim¶etrica).
 Figura 6.18: Espectro de absor»c~
ao e luminesc^encia (emiss~
ao) de: a) ; b) na temperatura
ambiente.

E¯ci^encia de recombina»c~ao: E ¶ a raz~ao entre o n¶ umero de f¶otons gerados e o

n¶
umero de el¶etrons injetados (e¯ci^encia qu^antica interna ou radiativa ).
Materiais de direto possuem para dispositivos de homojun»ca~o, quando
estruturas de heterojun»ca~o duplas s~ao usadas ¯ca entre e . Materiais de
indireto: .
¶ esta e¯ci^encia que realmente determina pois de nada
E¯ci^encia de extra»c~ao : E
adianta e com valores altos, se a luz n~ao pode ser extra¶³da e¯cientemente.
O coe¯ciente de absor»ca~o( ) do semicondutor no de emiss~ao ¶e importante. Se
o semicondutor absorve radia»c~ao no mesmo que emite ¶e o¶bvio que a luz emitida ser¶a
reabsorvida (¯gura 6.18).
A geometria do LED tamb¶em ¶e importante. Quando a superf¶³cie de emiss~ao do
LED ¶e do tipo planar, a distribui»c~ao da intensidade da radia»ca~o ¶e do tipo Lambertiana
(¯gura 6.19), na qual a pot^encia radiada por unidade de a¶rea em um a^ngulo s¶olido ¶e
constante em todas as dire»c~oes. Contudo, muito da radia»c~ao emitida choca-se na interface
semicondutor-ar com um ^angulo maior do que um a^ngulo cr¶³tico ( ) e assim sofre re°ex~ao
interna total. O grande ¶³ndice de refra»ca~o do semicondutor torna este a^ngulo cr¶³tico muito
pequeno. O a^ngulo cr¶³tico ¶e dado por:

onde e ¶e ¶³ndice de refra»c~ao do semicondutor.

Uma forma de minimizar a re°ex~ao interna da radia»ca~o emitida ¶e transformar a
superf¶³cie em uma superf¶³cie do tipo direcional (¯gura 6.19b).

Figura 6.19: Distribui»ca

~o da intensidade da radia»c~
ao da luz emitida pelo LED: a) Lambertiana; b) Direcional.

A transmiss~ao (luz radiada pela luz total gerada) na interface semicondutor-ar ¶e

dada aproximadamente por:

Duas t¶ecnicas podem ser usadas para aumentar como mostrado na ¯gura 6.20.
Na ¯gura 6.20a a superf¶³cie do semicondutor ¶e feita na forma de um hemisf¶erio, isto
contudo, al¶em de n~ao ser pr¶atico ¶e muito caro e impratic¶avel para muitas aplica»co~es. O
tipo mostrado na ¯gura 6.20b ¶e uma t¶ecnica mais barata e usa um encapsulamento em
forma de domo feito de material transparente com alto ¶³ndice de refra»ca~o.

Figura 6.20: Dois tipos de constru»c~

ao de LED para aumentar a transmiss~ ao de luz do dispositivo: a) Superf¶³cie
do dispositivo na forma hemisf¶erica; b) Dispositivo encapsulado ou LED domo.

E¯ci^encia qu^antica externa: Ou e¯ci^encia de convers~ao. E ¶ de¯nida como a raz~ao

entre a pot^encia ¶optica de sa¶³da e a pot^encia el¶etrica de entrada :

Valores t¶³picos de para LEDs comuns est~ao entre e . Para o LED usado
diariamente e em aplica»c~oes comuns ¶e importante ainda, levar-se em conta o impacto ¯-
siol¶ogico do dispositivo, ou seja, a resposta do olho humano, ou e¯ci^encia de luminosidade
:
 Como um exemplo, o LED verde ( ) aparecer¶a 30 vezes mais brilhante
que o LED vermelho ( ) mesmo que a e¯ci^encia qu^antica seja a mesma (¯gura
6.21).

Figura 6.21: Resposta espectral do olho humano normalizada, tamb¶em conhecida como curva visual.

Em muitos dispositivos pr¶aticos a sa¶³da da luz ¶e acoplada em uma ¯bra. Este processo
introduz perdas por acoplamento onde ¶e o a^ngulo de aceita»c~ao , conforme
pode ser visto na ¯gura 6.22.

Figura 6.22: Geometria do acoplamento da luz em uma ¯bra o

¶ptica.
6.6 LED de heterojun»c~
ao

No LED de homojun»c~ao que foi estudado at¶e aqui, existem dois problemas principais
com sua estrutura que limitam sua e¯ci^encia qu^antica interna.
1) Os estados de superf¶³cie na camada do tipo pr¶oxima aµ jun»ca~o que emite luz,
contribuem para as recombina»co~es n~ao radiativas. Se a superf¶³cie for colocada longe da
jun»c~ao a reabsor»c~ao aumenta.
2) Os el¶etrons injetados de para como portadores minorit¶arios difundem-se para
longe da jun»c~ao e recombinam-se com os portadores majorit¶arios.
Dessa forma, o mesmo numero de f¶otons s~ao criados em um volume muito grande de
material, reduzindo assim a e¯ci^encia qu^antica interna e aumentado a reabsor»ca~o.
Ambos os problemas s~ao resolvidos com um diodo de dupla heteroestrutura (¯gura
6.23).

Figura 6.23: Estrutura do dispositivo e diagrama de banda para um LED de dupla heteroestrutura
 1) A camada na qual os el¶etrons s~ao injetados, oriundos da camada
pode ser feita muito ¯na (1000 a 2000 º A). E estes el¶etrons s~ao mantidos nessa mesma
camada pela barreira de potencial da heterojun»ca~o
2) A camada de topo do , serve para muitas fun»co~es:
a) A densidade de estados de superf¶³cie nessa jun»ca~o com par^ametros de rede casados
¶e de muitas ordens de grandeza menores que os estados de superf¶³cie livre, diminuindo
assim a recombina»c~ao n~ao radiativa.
b) Tendo uma grande ela atua como uma camada janela na qual os f¶otons emitidos,
com , n~ao ser~ao reabsorvidos.
c) A e¯ci^encia de inje»ca~o ¶e aumentada.
Esses fatores ajudam a aumentar as e¯ci^encias qu^anticas internas e externas.
Para se obter uma radi^ancia maior e um acoplamento e¯ciente da luz emitida
para a ¯bra usa-se uma geometria para o LED de heteroestrutura chamado de LED de
BURRUS (¯gura 6.24) A ¯bra o¶ptica ¶e alinhada ao LED de modo a otimizar o acopla-
mento com a radia»c~ao emitida. Contudo ainda existem perdas devido a distribui»c~ao ser do
tipo Lambertiana. Uma forma de minimizar este efeito, seria a confec»ca~o da extremidade
da ¯bra em uma forma esf¶erica ou a coloca»c~ao de uma micro lente entre o LED e a ¯bra,
para fazer convergir a radia»ca~o emitida para a ¯bra.

Figura 6.24: Estrutura de um LED emissor de superf¶³cie de dupla heteroestrutura (tipo BURRUS).
6.7 LASERS

A palavra LASER vem das inicias Ligh Ampli¯cation by Stimulated Emission of

Radiation (ampli¯ca»c~ao da luz por emiss~ao estimulada da radia»c~ao). O laser ¶e um guia
de onda ¶optico terminado por espelhos ou faces re°etoras que formam uma cavidade
ressonante. A a»ca~o laser em semicondutores envolve a estrutura de banda ¶e ¶e muito
diferente do que acontece no sistema de dois n¶³veis. Contudo, ¶e u ¶til rever-se os princ¶³pios
b¶asicos do sistema de dois n¶³veis, a ¯m de elucidar as diferen»cas e entender como o efeito
laser acontece.
Emiss~ao e absor»c~ao em um sistema de dois n¶³veis: Supondo um ¶atomo isolado
que tenha dois n¶³veis de energia: o estado fundamental e o estado excitado (¯gura
6.25). No equil¶³brio t¶ermico muitos el¶etrons est~ao em e poucos em . A distribui»ca~o
dos el¶etrons entre os dois estados segue a distribui»ca~o de Boltzmann:

Onde e e s~ao as densidades de estados nos n¶³veis inferior e

superior.

Figura 6.25: a) Absor»c~

ao do f¶
oton; b) Emiss~
ao espont^
anea; c) Emiss~
ao estimulada em um sistema de dois n¶³veis.

Se um f¶oton com energia incidir sobre o sistema, os seguintes processos acon-

tecem:
1) O f¶oton ser¶a absorvido resultando em um el¶etron adicional em .
2) Este el¶etron voltaria para o n¶³vel depois de um tempo , que ¶e de¯nido como o
tempo de vida espont^aneo do portador .
3) O f¶oton que incide sobre o sistema poder¶a produzir um processo o qual ¶e o inverso
do processo de absor»c~ao (Ele induz uma transi»ca~o para baixo de um el¶etron que j¶a estava
no n¶³vel ). Neste processo, chamado emiss~ao estimulada, o n¶³vel ¶e for»cado a soltar
um el¶etron pela a»ca~o do campo do f¶oton que est¶a passando. Este el¶etron se recombina
com o buraco e um f¶oton ser¶a emitido. Este f¶oton induzido ¶e emitido da mesma forma
que o f¶oton incidente.
A emiss~ao estimulada gera um f¶oton no tempo , chamado tempo de emiss~ao
estimulada. Este f¶oton tem a mesma freqÄ u^encia, dire»ca~o de propaga»c~ao e fase do f¶oton
incidente.
O evento da recombina»ca~o espont^anea, o qual n~ao requer que o f¶oton esteja pre-
sente, gera f¶otons que se propagam em dire»co~es rand^omicas, contudo sua freqÄ u^encia ¶e
tamb¶em .
Absor»ca~o e emiss~ao estimulada s~ao ambos intera»co~es ressonantes entre f¶otons e
portadores.
O pr¶e-requisito para existir a emiss~ao estimulada ¶e que el¶etrons energizados de-
veriam existir no n¶³vel e estados vazios deveriam existir no n¶³vel . O f¶oton incidente
acoplaria ressonantemente com o el¶etron energizado de mesma freqÄ u^encia e fase, para
produzir um f¶oton de mesma fase que o incidente. Lembrando que a popula»ca~o total
e el¶etrons energizados, todos com a mesma freqÄ u^encia, mas com fases diferentes dar~ao
emiss~ao espont^anea. Dos f¶otons emitidos, poucos s~ao f¶otons estimulados. Com a cria»ca~o
de uma popula»c~ao fora de equil¶³brio, ou invers~ao de popula»c~ao, f¶otons adicionais s~ao
produzidos e a taxa de estimula»ca~o cresce com a densidade de f¶otons. Normalmente, sob
condi»co~es de equil¶³brio t¶ermico a popula»ca~o ¶e pequena. A invers~ao de popula»ca~o ¶e
necess¶aria, na qual a popula»c~ao e o ganho o¶ptico tornam-se poss¶³veis.
Einstein mostrou que as taxas de absor»c~ao, emiss~ao espont^anea e emiss~ao esti-
muladas est~ao relacionadas.
A taxa de absor»ca~o ou a taxa de transi»co~es estimuladas para cima, , ¶e
proporcional a e a densidade de radia»c~ao na freqÄ u^encia :

onde ¶e coe¯ciente de Einstein para transi»co~es estimuladas para cima (absor»ca~o).

Os el¶etrons no n¶³vel podem decair de duas formas, por emiss~ao espont^anea ou
estimulada.
O tempo de vida m¶edio de um portador gasta em antes que a emiss~ao espon-
t^anea ocorra ¶e de¯nido como tempo de vida do portador ¶ importante notar que
. E
o tempo para emiss~ao estimulada ocorrer ¶e diferente e depende da radia»ca~o incidente e
outros fatores.
A taxa de emiss~ao espont^anea ¶e o produto de e , ou onde
¶e o coe¯ciente de Einstein para emiss~ao espont^anea.
A taxa de transi»ca~o estimulada para baixo de el¶etrons de ¶e dada por
onde ¶e o coe¯ciente de Einstein para emiss~ao estimulada.
 A taxa de transi»c~ao total de ser¶a:

No equil¶³brio t¶ermico = :

Um par^ametro importante para a a»c~ao laser ¶e a raz~ao da taxa de emiss~ao esti-

mulada pela taxa de emiss~ao espont^anea:

Para alcan»car uma fonte coerente na qual a emiss~ao estimulada seja dominante,
deve ser alto e . Para criar a invers~ao de popula»c~ao, uma grande quanti-
dade de energia ¶e necess¶aria para excitar portadores para . Isto ¶e alcan»cado por bom-
bardeamento, o que cria condi»c~oes de n~ao equil¶³brio no meio. Para um laser t¶³pico, o
bombardeamento ¶e alcan»cado por meio externo, feixe o¶ptico intenso.
Ganho em um meio laser de dois n¶³veis: A intensidade da luz que varia ao longo do
caminho devido µa absor»c~ao ¶e (¯gura 6.26):

onde ¶e a intensidade do feixe em e ¶e o coe¯ciente de absor»c~ao.

N~ao ser¶a deduzido aqui, mas o coe¯ciente de absor»ca~o pode ser escrito na forma:

onde ¶e o coe¯ciente de refra»ca~o do meio laser e ¶e a velocidade da luz.

Se e ent~ao ser¶a positivo e o meio exibir¶a perdas. Por outro lado,
se ent~ao ser¶a negativo e a intensidade do feixe crescer¶a com . Podemos de¯nar
o ganho como sendo:

Este ganho ¶e essencial para o meio laser.

 Figura 6.26: Transmiss~
ao de um feixe coerente atrav¶es de um meio laser.

Para haver o efeito laser, duas condi»co~es s~ao necess¶arias:

1) O ganho deve ser pelo menos igual aµs perdas no meio.
2) A radia»c~ao deve ser coerente.
A coer^encia ¶e obtida colocando-se o meio laser em uma cavidade (cavidade de
Fabry-Perot)(¯gura 6.27), onde a ampli¯ca»c~ao seletiva de uma frequ^encia possa ocorrer.
A ampli¯ca»ca~o seletiva ¶e o resultado de uma retro alimenta»ca~o positiva para a frequ^encia
na qual uma onda estacion¶aria ¶e formada na cavidade e o ganho supera as perdas. A
luz que sai inicialmente ¶e devida a transi»c~oes espont^aneas entre as bandas e o espectro ¶e
seletivamente ampli¯cado nas viagens entre os extremos da cavidade. A a»ca~o laser ocorre
quando o ganho na cavidade for maior do que as perdas em uma viagem de ida e volta.

Figura 6.27: Esquema da cavidade de Fabry-Perot.

 Condi»c~ao limite para o laser: Em um laser semicondutor, o guia de onda ¶e a
cavidade de Fabry-Perot, e as faces clivadas se aproximam muito de um espelho onde
(semicondutor) (ar). A re°etividade ( e ) dos espelhos s~ao um pouco diferentes,
um re°ete mais do que o outro, pois quando o efeito laser acontecer, este deve poder
deixar a cavidade e sair para o meio externo. Todos os tipos de perdas s~ao expressas por
, menos a transmiss~ao nos espelhos. Para calcular o ganho limite vamos considerar a
mudan»ca na intensidade do feixe de luz para uma viagem de ida e volta na cavidade de
comprimento . A intensidade de luz no centro da cavidade depois de percorrer ser¶a:

Se a intensidade ser¶a ampli¯cada. Quando e .Assim o

ganho limite ser¶a:

onde o segundo termo do lado direito ¶e a sa¶³da u

¶til do laser.
O comprimento de onda do f¶oton que participa da emiss~ao estimulada ¶e determi-
nado pelo comprimento da cavidade ressonante:

onde m ¶e um n¶
umero inteiro.

O princ¶³pio de opera»ca~o de um laser semicondutor n~ao ¶e muito diferente daquele

discutido para o LED. Da mesma forma que ¯zemos para o LED, estudaremos primeiro
um laser de homojun»ca~o. No caso do laser, al¶em da inje»c~ao de portadores fornecida pela
polariza»ca~o direta da jun»ca~o , s~ao necess¶arias condi»co~es de emiss~ao estimulada e
retroalimenta»ca~o ¶optica. O diagrama de bandas de uma homojun»ca~o simples ¶e mostrado
na ¯gura 6.28. As regi~oes e devem ser degeneradas, pois isto ¶e essencial para a cria»ca~o
de uma grande densidade de el¶etrons e buracos.Tamb¶em uma grande polariza»ca~o direta
¶e aplicada para criar a condi»ca~o de banda nivelada ( ). Sob estas condi»c~oes, uma
grande densidade de el¶etrons e buracos s~ao injetados nos lados opostos. Em muitos lasers
semicondutores, o efeito laser ocorre no lado p pela inje»ca~o de el¶etrons, uma vez que a
e¯ci^encia de inje»ca~o de el¶etrons ¶e maior do que a de buracos para uma mesma quanti-
dade de polariza»c~ao. Em um comprimento de difus~ao pr¶oximo a interface, a densidade
de portadores injetados ¶e muito maior do que no equil¶³brio, criando uma densidade de
portadores fora do equil¶³brio e uma invers~ao de popula»ca~o nesta estreita regi~ao, a qual
 chamaremos de regi~ao ativa. Nesta regi~ao el¶etrons e buracos se recombinam radiativa-
mente para produzir f¶otons e a taxa de recombina»c~ao radiativa pode ser alta, dependendo
do n¶³vel de inje»c~ao. Os f¶otons emitidos espont^aneamente podem estimular transi»c~oes para
baixo ou para cima. A transi»c~ao para cima ¶e o processo de absor»ca~o. Quando o f¶oton
estimula a transi»ca~o para baixo de um el¶etron, ocorre a emiss~ao de um f¶oton com a mesma
fase e frequ^encia do f¶oton original. Se a taxa desta emiss~ao estimulada ¶e su¯cientemente
alta, o meio pode exibir um ganho. Uma das condi»co~es para que o efeito laser ocorra
¶e que nas viagens dentro da cavidade o ganho exceda as perdas. As perdas nas regi~oes
ativas dos lasers podem ocorrer devido a absor»ca~o de portadores livres, espalhamento por
defeitos e outras transi»c~oes n~ao radiativas.

Figura 6.28: Jun»c~

ao degenerada: a) Em equil¶³brio; b) Com polariza»c~
ao direta.

Na regi~ao ativa do laser de jun»ca~o, o ganho eventualmente superar¶a as perdas com

um aumento na taxa de emiss~ao estimulada. Fora da regi~ao ativa as perdas dominam. Isto
pode ser visto na ¯gura 6.29. A invers~ao de popula»ca~o ou o ganho, ocorrem na camada
ativa de espessura , a qual na homojun»ca~o ¶e aproximadamente igual ao comprimento de
difus~ao dos portadores injetados. Contudo, a espessura sobre a qual o modo ¶optico se
extende ¶e , que ¶e maior do que .
 Figura 6.29: Esquema de um laser de jun»c~
ao de grande a
¶rea com as faces clivadas.

O con¯namento no laser de homojun»c~ao ¶e extremamente pobre, e a regi~ao ativa

¶e de¯nida pela emiss~ao estimulada e pelo ganho resultante na regi~ao. Como a taxa de
emiss~ao estimulada aumenta na regi~ao ativa, o ganho na viagem de ida e volta na cavidade
sobrep~oem µas perdas e o efeito laser come»ca. A corrente de inje»c~ao na qual isto ocorre ¶e
chamada de corrente limite, mostrada na ¯gura 6.30.

Figura 6.30: Caracter¶³stica corrente-sa¶³da de luz de um laser semicondutor ideal.

A natureza do espectro de sa¶³da, mostrado na ¯gura 6.31, tamb¶em muda a me-

dida que a emiss~ao espont^anea abaixo do limite ¶e trocada pelos modos dominantes do
laser acima do limite. Abaixo do limite o espectro de sa¶³da resulta das recombina»co~es
espont^aneas na regi~ao ativa (¯g.6.31a). No limite, os modos lasers emergem e s~ao vistos
distintamente (¯g.6.31b). Acima do limite um u
¶ nico pico ¶e observado na sa¶³da (¯g.6.31c).

Figura 6.31: Sa¶³da de luz em fun»c~

ao da frequ^encia para um laser de jun»ca
~o : a) Abaixo do limite; b)
Modos do laser no limite; c) Modo dominante do laser acima do limite

Laser de heterojun»
c~
ao

O laser de heterojun»ca~o ¶e mais e¯ciente que o de homojun»ca~o e trabalha a tempe-

ratura ambiente. Os portadores injetados s~ao con¯nados, assim a invers~ao de popula»ca~o
ocorre em n¶³veis de corrente mais baixo. A mudan»ca no ¶³ndice de refra»c~ao na heterojun»ca~o
forma um guia de onda para o con¯namento ¶optico dos f¶otons. Um esquema do diagrama
de banda e distribui»c~ao da radia»ca~o de um laser de heterojun»c~ao ¶e mostrado na ¯gura
6.32.
Figura 6.32: Estrutura das camadas, diagrama de bandas, ¶³ndices de refra»c~
ao e con¯namento ¶
optico.
6.8 Fotocondutores

A taxa e a densidade de transmiss~ao de dados, dependem da velocidade de resposta

do dispositivo. Os el¶etrons e buracos fotogerados movem-se em dire»c~oes opostas na regi~ao
ativa sob uma polariza»ca~o aplicada. A fotocorrente resultante persistir¶a at¶e que ambos
os portadores sejam coletados nos eletrodos, ou at¶e que eles se recombinem antes de
alcan»car os respectivos contatos. Assim o de recombina»ca~o dos portadores minorit¶arios
¶e um par^ametro importante. O tempo para a dete»ca~o da corrente fotogerada ¶e limitado
pelo tempo de tr^ansito ( ) entre os eletrodos, do portador mais r¶apido (geralmente o
el¶etrons). Portanto, um tempo de resposta mais curto (maior largura de banda) pode
ser obtido minimizando a dist^ancia entre os contatos. Assumindo que a polariza»ca~o ¶e tal
que os portadores viajam na sua velocidade de satura»ca~o e notando que a persist^encia do
buraco mais lento no canal tipo depois que o el¶etron ¶e coletado aumentar¶a o tempo de
resposta, teremos:

onde

Largura de banda ¶e uma medida comum e conveniente da velocidade do sinal. E ¶

a largura do espectro do sinal no dom¶³nio da freqÄ
u^encia.
Contudo, a persist^encia continuada do buraco no canal requerer¶a mais el¶etrons
para manter a neutralidade da carga. Isso constitui um ganho na fotocorrente, que ¶e
de¯nido como:

Experimentalmente, podemos escrever:

Onde ¶e uma constante que ¶e determinada pelo tempo de tr^ansito do el¶etron.

Se o ganho for igual a a largura de banda ¶e proporcional a .
 EXERC¶ICIOS
1) Uma c¶elula solar de com tem uma taxa de gera»ca~o ¶optica de
no comprimento de da jun»c~ao. Se a camada de deple»c~ao tem
de espessura, calcule a corrente de curto circuito e a tens~ao de circuito aberto para esta
c¶elula.
2) Uma c¶elula solar de que possui corrente de satura»ca~o no escuro de ¶e
iluminada de tal forma que a corrente de curto circuito seja . Desenhe a curva
para a c¶elula como mostrado na ¯gura 6.13 (lembrando que ¶e negativo mas ¶e plotado
como positivo).
3) Discuta os diferentes processos e suas e¯ci^encias as quais se combinam para produzir
a e¯ci^encia de convers~ao externa de um LED. Qual delas ¶e mais signi¯cante? D^e raz~oes
para a sua resposta.
4) Um LED planar de exibe uma e¯ci^encia de pot^encia externa de quando
alimentado com uma corrente de . A tens~ao desenvolvida em seus terminais ¶e .
Estime a pot^encia o¶ptica gerada dentro do dispositivo assumindo que a transmiss~ao seja
para o ar.
5) LEDs feitos de GaAs e de Si possuem as mesmas dimens~oes e mesmo n¶³vel de
dopagem. Qual voc^e espera que possa exibir uma maior largura de banda para modula»ca~o
e por qu^e?
6) Descreva os processos de emiss~ao espont^anea e emiss~ao estimulada.
7) Em que comprimento de onda as taxas de emiss~ao espont^anea e emiss~ao estimulada
s~ao iguais para o sistema de dois n¶³veis na temperatura ambiente?
8) F¶otons com energia incidem sobre um sistema de dois n¶³veis e sob
condi»co~es de equil¶³brio t¶ermico a taxa de transi»ca~o para cima ¶e igual a taxa de transi»ca~o
para baixo. Os coe¯cientes de Einstein s~ao , e para transi»co~es estimulada para
cima, estimulada para baixo e espont^anea para baixo respectivamente. Mostre que em
alta temperaturas .
9) Discuta algumas vantagens que o Laser tem sobre o LED como fonte para comuni-
ca»ca~o por ¯bra o¶ptica.