Caracterização de semicondutores e estudo do efeito de Hall

Pedro Pedrosa
October 29, 2022

Abstract
Neste trabalho procedeu-se ao estudo do efeito de Hall em semicondutores, sendo que para tal analisou-se a
dependência da tensão de Hall UH em função do campo magnético externo, da corrente elétrica, e da temperatura
de certas amostras. A partir destas análises também foi possı́vel a identificação tanto da Resistência de Hall RH
como o tipo de dopagem da amostra.
Estas análises foram feitas para duas amostras de Germânio (dopagens n e p), sendo o tipo de dopagem de
cada uma foi confirmado pelos resultados experimentais. Além disso obteve-se RH (p) = 0.31 ± 0.12 m3 C −1 e
RH (n) = −0.72 ± 0.15 m3 C −1 verificando-se ainda um comportamento linear de UH com o campo magnético Bext ,
com, a corrente elétrica na amostra Ip , porém não com temperatura T .

1 Introdução
Esta atividade realizou-se dia 13/10/2022, como parte da unidade curricular Laboratórios de Fı́sica III integrada na Licenciatura em Fı́sica
da Faculdade de Ciências da Universidade do Porto.

1.1 Semicondutores
Como sabemos os materiais podem ser separados de acordo com as suas propriedades elétricas em 3 tipos: condutores, semicondutores
ou isoladores. Fundamentalmente são distinguidos pelos gaps de energia inerentes à estrutura de bandas de cada um, pois tal promove
comportamentos diferenciados, entre as quais suas propriedades elétricas, que serão o foco desta atividade, em particular para materiais
semicondutores.

1.2 Efeito de Hall

Quando temos um material percorrido por uma corrente, caso este seja sujeito a um campo magnético, (não paralelo à corrente) então
⃗ = q⟨⃗
surgirá nas cargas em movimento uma força perpendicular a estes dois F ⃗ que alterará as suas trajetórias (ver exemplo abaixo).
v⟩ × B

Fig. 1: Sistema ilustrativo do Efeito de Hall

Disto resultará claro uma assimetria na distribuição de carga ao longo da amostra, que gerará por sua vez um campo elétrico,
responsável por uma força elétrica que mitigará a força de Lorentz, sendo crescente até a equilibrar:

qE = q⟨v⟩Bsinθ (1)

Porém a este campo elétrico está associado a tensão UH aplicada entre as duas faces (distanciadas de d):

UH = Ed = d⟨v⟩Bsinθ (2)
⃗ obtendo assim por fim uma relação entre a tensão, a
Sendo que podemos ainda relacionar com a corrente pois j = nq⟨v⟩ e I = ⃗j · S,
corrente e o campo magnético:

d
UH = RH IBsinθ (3)
S

1
 1
Onde se fez RH ≡ nq ≡ coeficiente de Hall; que depende assim tanto da densidade como do tipo de portadores de carga (informações
que permitem a caracterização de um semicondutor).
Com isto esperamos então observar nas análises propostas uma relação linear de UH com I e B. Quanto à temperatura não temos
uma expressão analı́tica para comparar porém a única coisa que poderá variar é o coeficiente de hall RH (T ). Além disto através desta
expressão também poderemos identificar o tipo de portadores interveniente no processo de condução elétrica, determinando assim se nos
deparamos com dopagem tipo p ou tipo n.

1.3 Dopagem de materiais

No caso dos semicondutores teremos um n pequeno =⇒ maior RH , aquando comparados a outros materiais, pelo que há nestes uma melhor
possibilidade de explorar o efeito de Hall, podendo estes ainda ser dopados com certos átomos de modo a melhorar a sua condutividade
elétrica, sendo o tipo de dopagem resumido a dois ramos:

• Dopagem p - Materiais capazes de doar eletrões à banda de condução.

• Dopagem n - Materiais capazes de aceitar eletrões na banda de valência, criando maioritariamente lacunas.

Nesta atividade, utiliza-se tal como referido anteriormente o Germânio dopado de modo a ter elevado coeficiente de Hall.

2
2 Método experimental
2.1 Material utilizado
O material utilizado nesta atividade foi o seguinte:

• Eletromagnete e respetiva fonte de alimentação

• Placas de amostra Ge tipo n e p, de dimensões 2 cm ×1 cm ×2.12 mm

• Sonda de Hall e Teslameter

• Bobinas

• Entreferros

• Multı́metros para medição tanto de corrente elétrica nas bobinas como de tensões na amostra

Importa realçar que tanto a corrente elétrica como a temperatura da amostra são medidas e indicadas pelo interface próprio do suporte
da placa de amostras.

2.2 Procedimento experimental

2.2.1 Parte 1 - Calibração do campo magnético
Nesta primeira parte pretendemos obter uma expressão matemática de calibração do campo magnético.

• Assim sendo, começamos por montar o circuito destinado a esta parte (ver figura 2);

• De seguida verifica-se inicialmente que a corrente nas bobinas é nula e regista-se o valor lido no voltı́metro, associado a um campo
remanescente;

• Feito isto, varia-se agora a corrente fornecida entre 0 e 1.5 A, registando o campo magnético respetivo, obtendo assim por fim a
curva de calibração pretendida.

2.2.2 Parte 2 - UH em função de Ip

• Para esta parte começamos por colocar a amostra a analisar no suporte do Teslameter;

• Ajustar display de modo a que se meça a corrente da amostra Ip ;

• Sujeitar as bobinas a uma corrente de 1 A;

• Variar por fim Ip em [−20, 20] mA, registando o valor de UH e associado, de modo a obter a curva pretendida.

2.2.3 Parte 3 - UH em função de B

• Para esta parte fixando Ip ∈ [15, 20] mA variar corrente das bobinas (de modo a variar campo magnético) e registar UH .

2.2.4 Parte 4 - UH em função de T

• Por fim para analisar a dependência UH (T ) começamos por definir no display a medição de temperatura;

• Primeiramente é importante fazer uma testagem do equipamento: ligar o aquecimento da amostra durante apenas ≈ 2 s e desligá-lo
depois, para garantir que se percebe o seu funcionamento e a sua sensibilidade.

• Feita a familiarização com o equipamento, de seguida optámos tanto por um registo contı́nuo como por bocados, em separado,
obtendo curvas UH (T ) nos dois casos (discutido adiante).

Nota: Para esta parte há um aspeto importante a referir: Todas as medições de UH (T ) (quer em contı́nuo quer por bocados) foram
feitas em regime de arrefecimento, pois não se revelou muito prático a aquisição de dados durante o aquecimento dada a velocidade alta
a que este ocorria.

3
2.3 Esquemas experimentais
Nesta atividade estava previsto utilizarmos os seguintes dois esquemas experimentais:

Fig. 2: Circuito simplificado para obtenção da curva de calibração B(I)

Fig. 3: Circuito suposto para realização das partes 2,3 e 4

4
 Porém a tı́tulo de descuido na atividade em vez deste último recorreu-se a outro que não obstante ter o mesmo fim revelou-se mais
propı́cio a erro:

Fig. 4: Circuito usado para realização das partes 2,3 e 4

5
3 Resultados experimentais
Nota: As partes 2, 3 e 4 idealmente deviam ter sido realizadas para ambas as placas de modo a caracterizar assim independentemente
ambas as amostras com tipos de dopagem distintos. No entanto devido a falta de tempo apenas se conseguiu realizar a parte 2 para a 2ª
placa utilizada, faltando assim a 3 e a 4 para esta.

3.1 Parte 1 - Calibração do campo magnético

Nesta primeira parte então variando a corrente que passa no circuito das bobinas, registando os respetivos valores do campo magnético,
obtivemos a seguinte curva:

Fig. 5: Ajuste linear de B(I)

Com os seguintes parâmetros de ajuste:

• m = 0.2198, u(m) = 0.0096

• b = 0.01346, u(b) = 0.0085

• r 2 = 0.9998
O parâmetro de r 2 realça o facto dos dados exibirem uma trend quase perfeitamente linear.
De qualquer modo podemos sempre subir uma ordem e efetuar um ajuste quadrático para obter uma melhor curva de calibração:

Fig. 6: Ajuste quadrático de de B(I)

6
 Com os parâmetros:

• a = −0.005

• b = 0.2

• c = 0.01

Visualmente não é percetı́vel a melhoria relativa ao ajuste linear particularmente pela já qualidade deste anterior, porém irá dar uma
melhor curva de calibração.
Nota: Incertezas dispostas no gráfico estão associadas à menor leitura possı́vel com o Teslameter, sendo que não identificam nenhum
ponto duvidoso neste caso.

3.2 Parte 2 - UH em função de Ip

Nesta parte procedeu-se então ao registo da tensão de Hall com a variação da corrente da amostra, obtendo-se a seguinte curva para a
placa 1:

Fig. 7: Curva UH (Ip ) da placa 1 com o respetivo ajuste

Com os seguintes parâmetros de ajuste:

• m = 1.120, u(m) = 0.087

• b = −0.01219, u(b) = 0.00017

• r 2 = 0.9995

7
 Já para a placa 2 (esta foi, como referido, a única parte com a qual se fizeram medições):

Fig. 8: Curva UH (Ip ) da placa 2 com o respetivo ajuste

Com os parâmetros

• m = −2.23, u(m) = 0.10

• b = 0.0495, u(b) = 0.0013

• r 2 = 0.994

Onde se utilizou nos dois casos para as barras de erro ±2σ, sendo este também o critério para identificação de pontos duvidosos (que
não serão tidos em conta adiante no cálculo de parâmetros, como o coeficiente de Hall).

8
3.3 Parte 3 - UH em função de B
Já nesta parte mantendo agora a corrente Ip constante procedeu-se à variação do campo magnético Bext ≡ B (para a placa 1):

Fig. 9: Curva UH (B) da placa 1 com o respetivo ajuste

Com os parâmetros do ajuste linear:

• m = 0.0180, u(m) = 0.0004

• b = −0.00555, u(b) = 0.0004

• r 2 = 0.998

9
3.4 Parte 4 - UH em função de T
Por fim nesta parte analisa-se a tensão de Hall em função da temperatura. Primeiramente aqueceu-se a amostra até T ≈ 100°C e registou-se
os pares de tensão, temperatura à medida que a amostra ia arrefecendo até cerca de T ≈ 30°C:

Fig. 10: Curva UH (T ) - contı́nuo

Este método no entanto revelou-se pouco eficiente para altas temperaturas, pois sendo a taxa de arrefecimento superior para temper-
aturas altas tornou difı́cil uma extração contı́nua de UH (T ) nesta gama, pelo que se optou assim também por um registo ”por bocados”:

Fig. 11: Curva UH (T ) - por bocados

10
4 Análise e discussão de resultados
4.1 Parte 1 - Calibração do campo magnético
Relativamente a esta primeira parte começamos esta passou então por obter uma relação entre a corrente fornecida às bobinas e o
campo magnético gerado por estas. Primeiramente realçamos que se espera à priori uma relação linear entre estas grandezas, dado que
teoricamente:

B = µ0 nI
(Onde n ≡ densidade linear de espiras.)
Observou-se para começar que ao variar a tensão da fonte Phywe se notava uma variação do campo magnético final: isto é esperado
pois sendo a resistência no circuito das bobinas, uma variação de Vb leva a que Ib varie e por sua vez assim o campo magnético B ∝ I.
Inclusivamente notou-se que com a fonte desligada também se detetava a existência de uma corrente e um campo magnético residual.
Estas correntes residuais podem surgir devido a pequenas diferenças de potencial ao longo do circuito, sendo que por sua vez dão
origem a um campo magnético residual.
Após obtermos então a curva desejada (figura 5) decidiu-se então realizar um ajuste linear para primeiramente verificar o comporta-
mento que estávamos a espera. Como podemos ver pelos parâmetros do ajuste (principalmente do r 2 ) conclui-se que o ajuste é bastante
bom pelo que a expressão acima de facto se verifica satisfatoriamente.
Feito isto podemos no entanto ainda realizar um ajuste quadrático (figura 6) aos dados que temos apenas para obtermos uma relação
ainda melhor entre estas duas variáveis, de modo que ao longo da experiência seja eliminada a necessidade de medir o campo magnético
e seja apenas necessária a medição da corrente à qual sujeitamos as bobinas.
(Nota: Um ajuste de ordem superior não será considerado apesar de dar uma expressão mais correta para a curva pois o ajuste
quadrático considera-se já satisfatório).
Novamente, apesar de não muito percetı́vel visualmente (devido à já grande qualidade do ajuste linear) obtemos claro com mais um
grau de liberdade um ajuste melhor. Com os parâmetros apresentados anteriormente obtemos assim a expressão para a curva de calibração.

4.2 Parte 2 - UH em função de Ip

Nesta parte estudamos então a variação da tensão Hall UH com a corrente que passa no semicondutor Ip . Fixando o valor do campo
magnético (mantivemos Ib = 1A) esperamos novamente observar uma relação de linearidade de acordo com, neste caso, UH (I).
Começemos primeiro a análise para a placa designada por placa 1.
Como se pôde observar (figura 7), a relação entre Uh e Ip revela-se de facto linear (com r 2 novamente bastante próximo de 1).
Fora isto relativamente a parâmetros em concreto é fulcral retirar daqui o tipo de dopagem à placa associada:
Como podemos ver o declive do gráfico é positivo (isto é o ponto importante, pois a ordenada na origem na origem apenas está
d 1
relacionado com a referência para UH ), ou seja relembrando a expressão (3) temos que S RH I > 0 ou seja concluimos que RH ≡ nq tem
de ser positivo e assim que a carga q do semicondutor também o é, o que nos leva a concluir que os transportadores de carga são neste
caso lacunas, ou mais concretamente concluimos que nos deparamos que a placa 1 é um semicondutor dopado do tipo p.
Ainda mais explicitamente podemos ainda calcular o valor do coeficiente de hall. Atendendo às dimensões da amostra referidas
anteriormente calculamos RH com θ = π 2 ; B obtido através da curva de calibração, temos que

d π 3 −1
maj = RH B sin ⇐⇒ RH ≈ (0.53 ± 0.12) m C
S 2
Onde a incerteza foi calculada partindo de propagação de erros (ver apêndice).
Repetindo esta análise para a placa 2:
Nesta parte no entanto as incertezas geridas pelo desvio padrão já evidenciaram a existência de pontos duvidosos. É de realçar que
a incerteza de Ip é de cerca de 1mA, que está na ou muito próximo da ordem de grandeza de I¯p , revelando-se assim potencialmente uma
das maiores fontes de erro desta parte.
Passando novamente ao tipo de dopagem e coeficiente de Hall da placa 2:
1
Repetindo a análise anterior notamos que neste caso por o declive ser negativo tem também de o ser o coeficiente de Hall nq , e deste
modo também a carga q do semicondutor. Assim sendo concluimos que a placa 2 é um semicondutor dopado do tipo n.
Quanto ao seu coeficiente de Hall, calculamo-lo da mesma forma, obtendo:

S 3 −1
maj = RH ⇐⇒ RH ≈ (−0.72 ± 0.15) m C
dB
No entanto atendendo a que o germânio tem um coeficiente de Hall tabelado de 1.55 · 10−2 m3 C −1 isto leva a que os erros sejam
superiores a 100%, o que é demasiado alto devido a encontrarmos então os valores para os nossos coeficientes experimentais desviados por
uma ordem de grandeza do valor suposto.
Tal possivelmente sugere que a experiência tenha sido afetada gravemente por algum erro experimental sistemático.

11
4.3 Parte 3 - UH em função de B
A realização desta parte da experiencia e semelhante à anterior, porém agora deixamos Ip fixo e variamos apenas a corrente nas bobinas
para termos então uma variação do campo magnético.
Para esta parte então só se realizou as medições para a placa dopada tipo p, pelo que esta análise deveria comprovar a conclusão da
parte anterior.
Como se pode ver pelo gráfico apresentado relativo a esta parte obtemos novamente uma tendência claramente linear, como seria de
esperar novamente da expressão de UH .
Nesta parte apesar de termos as incertezas elevadas como anteriormente (associadas a σ), pelo menos nenhuma é alta o suficiente para
que tenhamos pontos duvidosos.
Podemos agora tratar estes dados do mesmo modo como na parte anterior, porém agora com Ip = 20 mA fixo, variando apenas o
campo magnético.
De facto comprovamos novamente que a placa 1 corresponde ao doping tipo p devido a termos um declive de ajuste positivo, sendo
que podemos calcular novamente o coeficiente notando que este corresponde agora a:

d S 3 −1
maj = RH I ⇐⇒ RH = maj ≈ (0.083 ± 0.010) m C
S Id
Não obstante obtermos um valor para RH mais próximo do tabelado continuamos com um erro relativo demasiado grande para se
considerar satisfatório.
Relativamente às partes 2 e 3: estes grandes erros destas duas partes provavelmente estão interligados, no sentido em que tem de haver
um erro sistemático no decurso destas partes. É de realçar no entanto o seguinte: com o circuito adotado para estas 3 partes verificámos
no decurso das medições das tensões de Hall que esporadicamente obtinhamos valores completamente fora da gama, (várias ordens de
grandeza de diferença) o que nos levava a parar e resolver o problema em questão, sendo que uma das soluções tı́picas à qual recorremos
consistia em livrar-nos de carga acumulada no circuito através dum curto-circuito deste. No entanto, reiterando apenas procurávamos
resolver o problema quando sabiamos claramente que ele estava lá, isto para reforçar que é muito bem possı́vel que tenha ocorrido um
desvio suficiente para causar esta diferença em ordens de grandeza nos coeficientes de Hall porém insuficiente para nos alertar que algo nos
dados extraı́dos não estava correto (apesar de que dificilmente o irı́amos resolver sem recurso a alterar o circuito para a proposta inicial,
o que implicaria a extração dos dados de todas as partes 2,3 e 4 novamente, algo que não dispunhamos tempo).

4.4 Parte 4 - UH em função de T

Por fim para esta parte, após a testagem referida no procedimento, tivemos a opção de recolher então os dados de dois modos: ou fazendo
um aquecimento até a temperatura máxima recomendada (que ronda os 110°C) e depois registavamos as tensões de Hall continuamente
à medida que a amostra arrefecia e a temperatura descia, de modo ”contı́nuo” ou tentávamos replicar este processo mas ”por bocados”:
no sentido em que aqueciamos a amostra para uma dada temperatura, (subir 15-20°C) apontávamos as tensões de Hall no intervalo à
medida que a amostra arrefecia entre a temperatura final e a inicial e depois subiamos para uma gama superior, repetindo até chegarmos
à gama final (≈ 110 °C). Este último método teve como base tentar corrigir o problema da deficiência de pontos em algumas gamas
de temperatura, dado que no caso contı́nuo como a taxa de arrefecimento é proporcional à temperatura no caso contı́nuo verificou-se a
dificuldade de registar muitos pontos para temperaturas altas.
Como se pode ver pelas figuras 10-11, há realmente diferenças significativas entre os dois gráficos. Podemos ver no entanto que, de
certa forma, o comportamento global de UH é o mesmo em ambos os casos, no sentido em que observamos um certo regime assintótico à
medida que T tende para a temperatura ambiente, depois temos um máximo da tensão de Hall na porção intermédia da gama (T ≈ 70
°C) e por fim para temperaturas mais altas vê-se novamente o a tendência UH → 0.
Primeiramente no gráfico das medições por bocados, os próprios dados parecem segmentados, sendo que cada um representa aproxi-
madamente um comportamento semelhante entre os dados de outras regiões, apesar de sofrer uma translação. Este comportamento pode
ser interpretado como um análogo de ”histerese térmica”, em que o material preserva algumas das suas propriedades inclusivamente depois
de o aquecer. Deste modo pode ser possı́vel que em diferentes gamas de temperatura se tenha detetado comportamento semelhante.
Quanto ao gráfico contı́nuo visualizamos então uma tendência ”semelhante” ao anterior se os segmentos fossem ”colados” entre si.
Relativamente à justificação dos dois comportamentos UH (T ) (isto é, UH começa por aumentar, até uma temperatura crı́tica ≈ 70 °C,
após a qual começa a tender para 0), estes podem ser interpretados do seguinte modo; como previsto na introdução, o único parâmetro
que pode variar com a temperatura na expresão deduzida é o coeficiente de Hall ou seja:

• Para começar podemos interpretar o aumento de UH inicial como sendo justificado por uma diminuição do nº de transportadores
de carga em volume: esta pode resultar de um aumento da resistência do material em si, uma vez que a uma maior temperatura
iremos observar uma maior agitação das partı́culas que constituem o circuito e o próprio semicondutor, o que poderia conduzir a
um aumento das colisões dos portadores de carga com estes. Desta forma, a velocidade média ⟨v⟩ dos portadores de carga deve
diminuir, diminuindo assim o coeficiente de Hall.

• Já quanto à diminuição após os 70°C, isto pode acontecer devido à excitação térmica dos portadores de carga do semicondutor,
pois passam a ter energia suficiente para que um maior número destes sejam capazes de atingir a banda de condução, o que leva
então a que o nº de portadores de carga no circuito aumente e assim o coeficiente de Hall diminua.

12
5 Conclusões
• Na primeira parte começámos por verificar o comportamento linear do campo magnético em função da corrente fornecida às bobinas
previsto, porém utilizou-se um ajuste quadrático como curva de calibração para ainda maior fiabilidade em cálculos necessários.

• Na segunda parte começou por se verificar a linearidade esperada de UH (Ip );

Concluimos também que a amostra associada à placa 1 é um semicondutor do tipo p enquanto que a placa 2 era um semicondutor
do tipo n (respetivamente portadores de carga positivos e negativos).
Determinou-se ainda nesta parte o coeficiente de Hall associado a cada uma das placas, obtendo RH1 = (0.53 ± 0.12) m3 C −1 e
RH2 = (−0.72 ± 0.15) m3 C −1 , coeficientes estes que distam uma ordem de grandeza do valor tabelado, sugerindo a presença de
um erro sistemático.

• Já na terceira parte, esta consistiu essencialmente num análogo da última, porém em vez de variar Ip variou-se B. Posto isto
verificou-se a mesma relação de linearidade entre UH e B, sendo que, apesar de apenas se realizar para a parte 1, confirmou-se o
′
observado na parte anterior: a amostra da placa 1 é dopada do tipo p, com coeficiente de Hall de RH1 = (0.083 ± 0.010) m3 C −1 .
Apesar de já se encontrar na ordem de grandeza do valor tabelado, o grande erro relativo mantém-se suportando a ideia de algo
não ter sido efetuado corretamente.

• Por fim na última parte analisámos a dependência da tensão de Hall com a temperatura (através de dois regimes) e verificamos
que, pelo menos para esta amostra de tipo p, a tensão de Hall aumentava (em módulo) até uma certa temperatura crı́tica após a
qual tendia para zero. Conclui-se que tal ocorria devido à variação do número de portadores de carga com a temperatura.

13
6 Apêndice
6.1 Incertezas
Quanto ao cálculo de incertezas, tanto se recorreu ao cálculo do desvio padrão, à regra de menor divisão da escala ou ainda à propagação
de erros (no caso dos coeficientes de Hall), sendo que as expressões referentes à última são indicadas em seguida:
Para a parte 2: s 2  2
∂RH ∂RH
u(RH ) = u(m) + u(b)
∂m ∂b
onde

∂B
u(B) = u(Ip )
∂Ip
Notar que para o valor final de RH da placa 1 se fez a média das partes 2 e 3:

q
u ⟨RH ⟩ = u(RH (pt.2) )2 + u(RH (pt.3) )2

Já para a parte 3: s 2  2

S u(m) m
u(RH ) = + 2
u(Ip )
d Ip Ip

14