Relatório do Experimento 3 – Gap do InSb

Grupo 4 – Luiz Gustavo Martinez Martins GRR20190272

Vitor Eduardo Emmerich Genilheu GRR20190709

O objetivo do experimento realizado foi determinar o gap do antimoneto de índio através da

variação da resistividade desse material com a variação de temperatura. Para isso foi montado um
setup de experimento que consiste em uma peça de antimoneto de indio soldada a um termopar e a
quatro polos de prova, protegidos por ampola de vidro e imersos em banho termostatizado. As
pontas de prova estavam ligadas a uma fonte de alimentação e um sensor que detectou a diferença
de potencial ma superfície do semicondutor.
A técnica utilizada para medir a diferença de potencial que se observa devido a passagem de
corrente pelo semicondutor foi o método de medição de 4 terminais, que consistem em utilizar dois
polos mais externos para inferir uma corrente continua (200 mA neste caso) e, nos dois polos mais
internos, um voltímetro de alta impedância, que impede a passagem de corrente em seus sistema
interno. Essa montagem evita que seja computada na medida as resistências de contato da fonte de
corrente e do próprio cabo de medição do potencial. A fim de aumentar a precisão dessa medida, um
gatilho para a rápida inversão de polos da fonte de corrente foi montado. Isso é interessante para se
evitar o acúmulo de cargas no entorno dos terminais de alimentação, o que pode perturbar a
passagem da corrente elétrica e mascarar os resultados. Portanto duas medidas de diferença de
potencial foram tomadas para uma mesma temperatura, uma em cada sentido da passagem da
corrente.
O comportamento esperado para um semicondutor é que com o aumento da temperatura,
mais elétrons tenham a energia necessária para vencer o gap eletrônico e passar da banda de
valência para a banda de condução. Em termos de resistência, espera-se observar uma diminuição
da resistência com o incremento de temperatura. Como a relação entre corrente elétrica, diferença
de potencial e resistência é dada por U = Ri, para i constante, e R diminuindo, espera-se observar
valores de diferença de potencial menores com o aumento da temperatura no experimento.
Foram coletados dados de ΔU para várias temperaturas, iniciando na mais baixa possível
com banho de gelo (~4°C) e com incremento de 5°C até o valor máximo alcançado pelo banho
termostatizado de 90°C, sempre promovendo a inversão dos polos de alimentação a cada passo.
Com os dados foi possível montar a seguinte tabela:
 Com os dados obtidos podemos elaborar um gráfico de ΔU(V) x T(K) para verificar o
comportamento do semicondutor durante o experimento:

O comportamento do material semicondutor no experimento está de acordo com a dedução da

resistividade (ρ) em função da temperatura (T) que pode ser expressa por:

ρ(T) = ρo(2kBT/h2)-3/2 exp(Eg/2kBT)

onde kB é a constante de Boltzmann; h é a constante de Planck, E g é a largura do gap e ρo é

resistividade residual a 0 K. Observe que a parcela exponencial da equação tem muito mais
influência no comportamento da curva, pois a taxa em que evolui é muito maior do que a parte
polinomial.
Para obtermos a largura do gap do InSb é útil a estrategia da linearização do gráfico acima, e
aplicando o logarítmo natural em ambos os lados da equação obtemos:

ln(ρ) = ln (ρo) – 3/2ln(2kBT) + 3ln(h) + Eg/ 2kBT

Para efeitos de simplificação, como o fenômeno observado é influenciado muito mais

fortemente pela parte exponencial da equação original, podemos aproximar os termos [ln (ρo) –
3/2ln(2kBT) + 3ln(h)] para uma constante, desprezando a influência da temperatura nesse termo.
Com essa consideração a equação toma a forma de uma reta e o coeficiente angular é
utilizado para calcular a largura do gap. Elaborando o gráfico de ln (ΔU) x 1/T, e aplicando a
regressão linear para obter a reta que descreve os dados e seus coeficientes temos:
 Sendo o coeficiente angular da reta Eg/2kB = 1,434263 103 K e kB = 8,6173 10-5 eV/K temos
que Eg vale 0,247 eV (T=0K). Os valores de referencia encontrados para o Gab do InSb foram de
0,17 eV (300K) e 0,23 eV (0K). Utilizando a referencia de mais baixa temperatura temos um erro
de 6,8% na determinação, o que indica que a aproximação feita para a linearização do grafico de
ΔU(V) x T(K) foi satisfatoria.
REFERÊNCIAS

http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Tables/Semgap.html (27/09/23)
http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InSb/index.html (27/09/23)