RESUMO DO ARTIGO

Grupo:
Gabriela Mozone Scobar
Gabriel Ramos pires
Glauber Hualison Batista Oliveira
Lizzie Tavares de Toledo Garofalo
Stela Levi Schmeiske de Souza

Título: Contaminação de lâminas de silício por metais durante a imersão em solução

diluída de ácido fluorídrico ou de água deionizada contendo cloretos metálicos.
O artigo é demonstrado que a importância do controle do metal superficial em
lâmina de silício nas indústrias de semicondutores, principalmente aqueles que
possuem a tecnologia do silício. Essa exigência é necessária principalmente na
produção de dispositivos que são mais suscetíveis a contaminação por conta de suas
maiores áreas dos chips, proporções menores e junções rasas, como nos dispositivos
ULSI (ultra large scale Integration).
A presença de metais na rede de silício prejudica o desempenho em dispositivos,
reduzindo o tempo de vida de produtos com pequenas cargas e aumentando a fuga de
correntes em junções pn. Durante o processo de produção são permitidos certos níveis
de contaminação residual, já os dispositivos mais atuais necessitam de níveis mais
baixos de contaminação pois esses produtos possuem dispositivos menores
requisitando menores níveis.
É abordado diferentes mecanismos de contaminação, destacando a importância de
diferentes estrategas para evitar a contaminação durante o processamento e produção
de circuitos integrados, como armadilha mento de impurezas e processos de limpezas
sendo para evitar a contaminação, e demonstra o comportamento de diferentes metais
em soluções com metais de transição e água ultrapura. Além de tudo, identifica-se
resultados experimentais relacionado a contaminação de lâmina de silício
intencionalmente por cloretos metálicos, discutindo os possíveis mecanismos
envolvidos e a presença de cloretos metálicos sobre a superfície das lâminas.
Um dos principais desafios é a contaminação por metais de transição se tornado
uma grande complicação principalmente na tecnologia de semicondutores,
destacando-se várias impurezas de metais de transição, como o níquel, cobalto, ferro e
cobre. Esses materiais abrangem negativamente e introduzem perturbações a
qualidade do óxido de silício de porta em dispositivos MOS, ocupando posições
substitucionais ou intersticiais na rede de silício.
logo, o artigo demonstra a importância no controle na contaminação de lâmina de
silício, além de demonstrar estratégias para minimizar a contaminação dele na
indústria de semicondutores para minimizar sua contaminação, mostrando e
destacando a complexidade do problema mostrando a interferência e presença de
diferentes metais em ralação ao silício, demonstrando como cada um interage de uma
certa forma com o silício.