Clase teórica: FET

Dr. José A. Chaljub Duarte

1
fonte de corrente excitada por voltagem

2
fonte de corrente excitada por voltagem

3
FET canal N

4
FET canal P

5
Polarização do FET

6
Polarização do FET

7
VDS vs ID (regiões )

8
 região de saturação
• ID=IDSS(1-VGS/VGSOFF)2
• IDSS= ID cuando VGS=0

9
 Na região óhmica se cumpre:

RDS= VP/IDSS

10
 Para determinar a região de trabalho:

• Achar RDS=VP/IDSS
• Achar VP’=ID*RDS. Calcular ID. Considerar
que se trabalha na região de saturação.
• Se VP’ < VDS  cálculos corretos
• Se VP’ > VDS  Trabalha-se na região óhmica.
repetir cálculos considerar o FET como um
resistor

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MOSFET enriquecimento (acumulação)

12
canal induzido

13
 saturação
• Em saturação:
• ID=K(VGS-VT)2
• Ó
• ID=K’*ID(ON)
•
• K’=((VGS – VT)/(VGS(ON) – VT))2
•
• ID(ON) Y VGS(ON)  Valores que identificam um ponto
qualquer da característica transferencial, para o qual, o
dispositivo conduz.
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ID vs VGS (voltagem joelho)

15
Voltagem Early

16
MOSFET de depleção (vazão)

17
ID=IDSS(1-VGS/VGSOFF)2

18
símbolos

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Polarizar

20
reta de polarização não passa pela origem

21
reta de polarização não passa pela origem

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polarização do MOSFET de acumulação

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