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ESPALHAMENTO DE RAIOS X A BAIXO NGULO

TEORIA, MEDIDAS E APLICAES

Resumo do seminrio para o curso de Fsico-Qumica de Solues de Polmeros e Surfactantes

28nov2001

Leide Passos Cavalcanti

leide@ifi.unicamp.br

CONTEDO

CARACTERIZAO ESTRUTURAL - ASPECTOS GERAIS ..............................3 ESPALHAMENTO DE RAIOS X A BAIXO NGULO (SAXS) ...........................4
Elementos da Teoria de SAXS ..................................................................................... 5 Micelas esfricas ......................................................................................................... 6 Vesculas e placas lamelares....................................................................................... 7

DIFRAO DE RAIOS X..........................................................................9

Elementos da Teoria de DRX..................................................................................... 10 Informaes Fornecidas pelos Experimentos ........................................................... 13 Distncias de Repetio e Tamanho dos Domnios Cristalinos ............................... 13 Estruturas Lamelares ................................................................................................ 14 Perfil de Densidade Eletrnica das Estruturas Lamelares....................................... 14

CARACTERIZAO ESTRUTURAL - ASPECTOS GERAIS

Para este pequeno compndio, utilizei alguns exemplos de sistemas lipdeo/gua objeto da minha tese de doutoramento Estudo estrutural de membranas modelo utilizando radiao sncrotron, IF-UNICAMP, 2001. As fases lamelares dos sistemas lipdeo/gua so caracterizadas atravs da determinao de alguns parmetros tais como o tamanho do agregado, periodicidade da estrutura lamelar, incorporao e localizao de outras molculas ou grupos moleculares. As dimenses caractersticas destes sistemas esto todas dentro do intervalo de alguns Angstrons (a ordem do comprimento de onda dos raios X) at algumas centenas de Angstrons. Uma das tcnicas mais adequadas para este estudo estrutural o espalhamento de raios X a alto e a baixo ngulo. Todo processo de espalhamento caracterizado pela lei de reciprocidade que fornece uma relao inversa entre o tamanho da partcula e o ngulo de espalhamento 2 (Ver Figura 1). Os termos alto e baixo ngulo referem-se, portanto, caracterizao das estruturas com dimenses da ordem de alguns Angstrons e de algumas centenas de Angstrons respectivamente.

Figura 1: Esquema da geometria de transmisso para o espalhamento de raios X a alto e a baixo ngulo, sendo 2 o ngulo de espalhamento, qo o vetor da onda incidente e q o vetor de espalhamento (q=4sen/).

Outras tcnicas usualmente empregadas na caracterizao dos sistemas lipdeo/gua so a microscopia eletrnica e o espalhamento de luz dinmico ou QELS para avaliar parmetros de forma e polidispersidade e tambm a calorimetria diferencial de varredura na caracterizao das transies de fase termotrpicas.

ESPALHAMENTO DE RAIOS X A BAIXO NGULO (SAXS*)

O espalhamento de raios X a baixo ngulo um processo de espalhamento elstico que ocorre quando o feixe de raios X atravessa a amostra e interage com os eltrons do material. A radiao reemitida pelos eltrons de cada tomo espalhada isotropicamente e as ondas espalhadas interferem umas com as outras se cancelando totalmente em algumas direes. A curva de espalhamento em funo do ngulo tem um mximo em zero, onde todas as ondas esto exatamente em fase, e decresce suavemente medida que o ngulo aumenta como mostra a Figura 2.

Intensidade (u. arb.)

2 (ngulo de espalhamento - 10-2 rad)

Figura 2: As curvas de espalhamento 1, 2, 3 e 4 correspondem a partculas cujas dimenses lineares tm as razes 1:2:3:41

Supondo que os centros espalhadores esto no vcuo, a amplitude de espalhamento proporcional ao nmero de moles de eltrons por unidade de volume, ou seja, densidade eletrnica. Se os centros espalhadores esto imersos em outro meio, apenas a diferena de densidade eletrnica ser relevante no espalhamento de raios X. Neste caso, os centros espalhadores so vistos como inomogeneidades, ou seja, flutuaes na densidade eletrnica da amostra. A tcnica de espalhamento de raios X a baixo ngulo fornece informaes estruturais sobre inomogeneidades de densidade eletrnica com dimenses caractersticas de dez a algumas centenas de ngstrm. Exemplos de tais inomogeneidades so poros de um slido, nanocristais de uma matriz amorfa, micelas e vesculas em soluo. No caso de partculas em suspenso em um solvente, o espalhamento surge do contraste de densidade eletrnica entre a partcula e o solvente. Este contraste pode ser muito fraco para alguns sistemas como, por exemplo, as solues aquosas de macromolculas biolgicas, sendo
*

Small Angle X Ray Scattering

essas essencialmente compostas de tomos leves, tais como H, C, N, O e P. A utilizao da radiao sncrotron para os experimentos de espalhamento de raios X a baixo ngulo torna possvel registrar esses casos de contraste fraco com maior eficincia devido ao alto fluxo do feixe que incide sobre a amostra.

Elementos da Teoria de SAXS

A amplitude A(q) de uma onda espalhada elasticamente na direo do vetor de espalhamento q por um tomo localizado na posio r pode ser expressa por*:
rr r r A ( q ) = ( r ) e i q r

sendo (r) a densidade eletrnica mdia do sistema. A amplitude total espalhada F(q) na direo do vetor q a integrao das ondas espalhadas por todos os tomos da amostra. Ento,
rr r r r F(q) = ( r )e i qr d r

ou seja, a amplitude total espalhada, ou o fator de forma, F(q), a transformada de Fourier da distribuio eletrnica da amostra. Na prtica, os experimentos de SAXS nos fornecem a intensidade da onda, ou seja, o mdulo ao quadrado de F(q):

r r 2 I(q ) = F(q ) = FF*

r r r r r r r r I(q ) = ( r1 )( r2 )e i q(r1 r2 )d r1d r2

Introduzindo a funo ( r ) como sendo a seguinte integral de convoluo

2

r r r r 2 (r ) = ( r1 )( r1 r )d r1 , transformamos a expresso acima em:

rr r r r I ( q ) = 2 ( r ) e i q r d r

E calculando a mdia do fator de fase para um sistema com simetria esfrica, temos:

I(q) = 4r 2 2 (r )
que pode ser escrito como:

sen qr dr qr

A expresso que relaciona o vetor q, o ngulo de espalhamento 2 e o comprimento de onda incidente :

q=|q|=(4/)sen

I(q) = 4p(r )
2 2

sen qr dr qr

sendo p( r ) = r ( r ) a funo de autocorrelao ou PDDF (pair distance distribution function) que expressa a probabilidade de encontrar um par de eltrons separados pela distncia r. Quando introduzimos a integral de convoluo, ( r ) , estamos embutindo no
2

clculo uma diferena de densidade eletrnica que expressa exatamente o significado de inomogeneidades comentado anteriormente. O espalhamento vai ser mais intenso quanto maior for o contraste entre as inomogeneidades e o meio. O tratamento dos dados de SAXS consiste, ento, em determinar p(r) a partir da transformada de Fourier da intensidade I(q) medida e, atravs da deconvoluo de

2 (r ) , inferir sobre a distribuio de densidade eletrnica do sistema. Programas de

computao com rotinas numricas especiais como a transformao de Fourier indireta (ITP) e a tcnica de convoluo da raiz quadrada (DECON)2 so normalmente utilizados para este propsito.

Micelas esfricas
Para sistemas monodispersos, tais como micelas em soluo, possvel determinar o tamanho dos centros espalhadores diretamente atravs da intensidade I(q) medida. Para tanto utilizamos a aproximao de Guinier3 para regies do espectro a mais baixo ngulo (q~0.01-1),

r q 2 R g 2 / 3 I(q ) e
a partir da qual possvel determinar o raio de giro, Rg, das partculas, ou seja, a raiz quadrtica mdia das distncias de todos os eltrons em relao ao seu centro de gravidade. Em primeira aproximao, podemos supor simetria esfrica para as micelas. Neste caso, a relao entre o raio de giro e o raio da partcula expresso da seguinte forma:

3 Rg2 = r2 5
A curva de espalhamento de tal micela esfrica se constitui de uma srie de mximos como esquematizado na Figura 3. A figura indica no exatamente uma curva

7 terica, mas uma tendncia geral como mostrado no trabalho de Otto Glatter4 sobre sistemas anfiflicos.

Figura 3: Padro de espalhamento de micelas esfricas com raio R. I(h) a transformada de Fourier de p(r) que a convoluo ao quadrado da distribuio de densidade eletrnica (r). Uma esfera perfeita apresentaria zeros na curva I(h) como indica a linha tracejada. (Obs.: No presente trabalho utilizamos a letra q para a mesma varivel que definida como h nesta figura que foi extrada do trabalho de Otto Glatter.)

Em sistemas reais, a condio esfrica nunca perfeitamente cumprida. Isso se reflete nos pontos de mnimo da curva I(q) que deveriam ser zeros na condio ideal. Notamos que (r)=0 para r>R, limite da partcula, e p(r)=0 para r>2R, separao entre duas partculas.

Vesculas e placas lamelares

A funo de espalhamento I(q) e a distribuio p(r) para vesculas e placas lamelares mostrada na Figura 4. Um sistema monodisperso de vesculas apresentaria alta frequncia de oscilaes, como indica as linha tracejada na curva I(q). A frequncia de oscilaes estaria associada ao raio da vescula. A linha envelope das oscilaes, mostrada na figura com ponto e trao, indica um sistema ideal de placas lamelares apresentando zeros na curva I(h).

Figura 4: Padro de espalhamento de vesculas e placas lamelares. I(h) a transformada de Fourier de p(r) que a convoluo ao quadrado da distribuio de densidade eletrnica (r). (Obs.: No presente trabalho utilizamos a letra q para a mesma varivel que definida como h nesta figura que foi extrada do trabalho de Otto Glatter.)

A partir dos resultados do espalhamento de sistemas no ideais, foi observado que so muito sutis as diferenas entre as curvas de espalhamento devidas a partculas cilndricas e a placas lamelares ou vesculas. Neste caso, utilizamos a aproximao de Guinier para o espalhamento devido espessura t. Para um sistema de vesculas unilamelares, supomos que a funo t(r) depende somente da distncia x do plano central das lamelas. Dessa forma, utilizamos a seguinte expresso da distribuio de espessura,

p t ( x ) = t 2 (x )
que est relacionada intensidade espalhada devido distribuio de espessura It(q):

I(q)q 2 = cte I t (q) = 2 p t ( x ) cos(qx )dx

0

A Figura 5 mostra o grfico da funo I(q)q2q que usualmente chamado de thickness Guinier plot, para sistemas de vesculas e placas lamelares. Atravs desta aproximao, possvel determinar as funes pt(x) e t(x) aproveitando os programas de computao mencionados anteriormente. A determinao da distribuio t(x) d informao da estrutura interna das lamelas bastante relevante para os estudos de membrana.

Figura 5: Aproximao de Guinier para espessura no espalhamento de sistemas de vesculas e placas lamelares. (Obs.: No presente trabalho utilizamos a letra q para a mesma varivel que definida como h nesta figura que foi extrada do trabalho de Otto Glatter.)

Nem sempre as dimenses mdias dos sistemas de partculas lamelares esto dentro do domnio dos experimentos de espalhamento de raios X a baixo ngulo. Em caso de vesculas muito grandes, os mesmos parmetros poderiam ser estimados por experimentos de espalhamento de luz visvel. Para as LUVs (vesculas unilamelares), podemos utilizar a aproximao de Guinier para a espessura. Entretanto, para vesculas multilamelares (LMLVs), no podemos fazer a mesma aproximao devido estrutura peridica intrnseca do sistema. Na literatura encontramos alguns trabalhos que propuseram aproximaes mais adequadas para o estudo de LMLVs5,6,7,8. A caracterizao da estrutura peridica das lamelas que compem as vesculas multilamelares feita normalmente atravs da difrao de raios X a baixo ngulo e as dimenses destes sistemas podem ser estimadas atravs da microscopia eletrnica de criofratura ou ainda atravs da determinao do raio de giro pelo espalhamento de luz visvel.

DIFRAO DE RAIOS X
Materiais que apresentam ordenamento a nvel atmico com unidades de repetio da ordem de alguns Angstrons, apresentam um padro de difrao de raios X (DRX). A base dos fenmenos de interferncia e difrao est na periodicidade do ordenamento dos sistemas. Mas para que o fenmeno de interferncia e difrao seja observado, as dimenses do ordenamento devem ser da ordem do comprimento de onda incidente. A Figura 6 mostra uma estrutura ordenada com perodos iguais a d, e um feixe de radiao de comprimento de onda que incide sobre a estrutura em uma direo que forma um ngulo com os planos do ordenamento. Neste caso, haver interferncia construtiva de duas ou

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mais frentes de onda que tenham a mesma fase, se todos os parmetros satisfazem a condio de Bragg, h=2dsen, com h=1,2,3...

Figura 6: Esquema de uma estrutura lamelar com distncia de repetio igual a d. o ngulo de incidncia e 2 o ngulo de espalhamento.

Para os sistemas de vesculas multilamelares ou sistemas de multicamadas com espaamento interlamelar da ordem de 60, observamos a primeira ordem de difrao (n=1) em torno de 2=1.5 quando trabalhamos com a radiao K do Cu (=1.54). A matriz dos grupos metilenos das cadeias hidrocarbonadas tambm se constitui em uma estrutura ordenada dentro dos sistemas de vesculas. O espaamento entre as cadeias hidrocarbonadas, menor do que o espaamento interlamelar, da ordem de 5. Nas mesmas condies anteriores, a primeira ordem de difrao das cadeias hidrocarbonadas s observada em torno de 2=22, que no mais considerado baixo ngulo. A literatura denomina WAXS (Wide Angle X ray Scattering) os experimentos de difrao de raios X a altos ngulos nos quais existe geometria de transmisso (condies de medida de algumas amostras deste trabalho).

Elementos da Teoria de DRX

A informao dos experimentos de difrao de raios X a baixo ngulo tambm tratada com base nos mtodos usados normalmente na determinao de estruturas cristalinas9. O fator de espalhamento atmico fj , descrito como a eficincia de espalhamento de cada tomo, em uma determinada direo, devido ao espalhamento

11 elstico (Thomson) de todos os seus eltrons. Sendo (r) a densidade eletrnica do material, expressamos fj da seguinte maneira:

r sen qr dr . f j (q) = 4r 2 (r ) qr
Para o caso de materiais com ordenamento peridico, o fator de estrutura F(q) o resultado da interferncia de todas as ondas espalhadas pelos tomos da unidade de repetio e depende da diferena de fase entre elas, do fator de espalhamento, fj ,e das coordenadas de cada tomo dentro da cela unitria, conforme a expresso abaixo:
r r r i q r r F(q) = j f j (q)e j

O resultado do experimento, ou seja, a curva da intensidade I do feixe difratado, proporcional ao quadrado do mdulo da amplitude da onda espalhada, I |F(q)| , e,
2

portanto, a informao da fase da onda perdida. A Figura 7 mostra o diagrama de fase para F(q)=|F(q)|ei.

Figura 7: Diagrama de Argand para F(q)=|F(q)|ei.

A determinao da fase associada ao Fator de Estrutura o que se constitui o chamado Problema da Fase. Muitas tcnicas so utilizadas para solucionar o problema da fase. Anlises qumicas ou bioqumicas podem determinar se uma cela unitria do arranjo da amostra composta por alguma regio de densidade eletrnica constante, como uma cadeia hidrocarbonada ((CH2)n) de um cido graxo ou de alguma regio com alta densidade eletrnica. Essas informaes permitem, por exemplo, determinar se um sistema possui uma estrutura centro-simtrica.

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Se uma estrutura centro-simtrica, ento, para cada tomo localizado em (xj, yj, zj), existe um tomo idntico em (-xj, -yj, -zj) e, portanto, F(q) real:

F(q) = Fhkl = f j exp 2i hx j + ky j + lz j

j N/2 j

( (

)) ))

F(q) = Fhkl = 2 f j cos 2 hx j + ky j + lz j

( (

e, para o caso unidimensional da estrutura lamelar das membranas, temos:

F(q) = F00l = 2 f j cos 2 lz j j

N/2

( ( ))

F(q ) =| F(q ) | e i , com = 0 ou .

Sendo a funo F(q) real, aquele problema de muitas possibilidades foi reduzido a um problema de somente duas possibilidades para cada reflexo, como vemos no diagrama de Argand da Figura 8. Ainda assim, ficamos com um conjunto de 2n possibilidades (n, o nmero de reflexes). Este conjunto pode ser usado para calcular perfis de densidade eletrnica tentativos que podero ser comparados com o perfil esperado a partir da composio qumica das lamelas. Alm deste mtodo de tentativa e erro, existe, dentre outros, um mtodo que baseado na variao do fator de estrutura com o inchamento da membrana (swelling method)10.

Figura 8: Diagrama de Argand para F(q) de estruturas centro-simtricas.

Encontradas as fases, atravs de algum dos mtodos disponveis, recuperamos a funo F(q), mdulo e fase, a partir das intensidades das ordens de difrao (n=1,2,3...) e a

13 aplicao do teorema da amostragem11,12, desenvolvido por Shannon. O teorema afirma que: Se uma funo d(x) nula fora do intervalo |x| d/2, ento a sua transformada de Fourier F(q) pode ser determinada de maneira contnua atravs dos valores discretos, mdulo e fase, que ela assume nos pontos de uma determinada amostragem.

A anlise de Shannon indica ainda que existe uma e somente uma funo F(q) que contm os pontos da amostragem e cuja transformada de Fourier, d(x) limitada ao intervalo |x| d/2. Os pontos da amostragem so as intensidades das vrias ordens de difrao, (|F(q)|) com os respectivos sinais das fases (1 ou 1 j que as fases de sistemas centro-simtricos seriam = 0 ou ). Como os espaamentos da estrutura lamelar das vesculas so grandes (30 a 50 ), possvel observar vrias ordens de difrao em um mesmo espectro. Quanto mais ordens observadas, maior preciso alcanada na reconstruo da funo densidade eletrnica. Definida a amostragem, o caminho usual da reconstruo da funo F(q) utilizar uma soma de funes sinc ponderadas pelos valores daquele conjunto. E, por fim, a transformada de Fourier da funo F(q) determina o perfil de densidade eletrnica do sistema estudado.

Informaes Fornecidas pelos Experimentos

Os resultados de difrao de raios X dos experimentos fornecem principalmente quatro tipos de informao sobre os sistemas estudados: 1) as distncias de repetio, ou parmetros de rede, dos materiais ordenados, 2) o tamanho dos domnios cristalinos, 3) a presena de estruturas lamelares e 4) o perfil de densidade eletrnica na direo perpendicular aos planos lamelares.

Distncias de Repetio e Tamanho dos Domnios Cristalinos

Esses dois primeiros itens so determinados de forma direta a partir do perfil de intensidade medido. A posio do pico, ou seja, o valor de 2 colocado na lei de Bragg, permite determinar os valores das distncias de repetio da estrutura lamelar das vesculas multilamelares ou das multicamadas depositadas, o valor do espaamento entre as cadeias

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hidrocarbonadas e tambm os parmetros de rede de compostos cristalinos incorporados aos sistemas de vesculas em soluo. Para determinar o tamanho t dos domnios cristalinos de tais compostos, podemos utilizar a aproximao de Scherrer13 que relaciona a largura do pico (B) ao tamanho do domnio cristalino na direo da reflexo estudada.

t=

0.9 B cos B

Essas informaes so importantes para caracterizar as diferentes fases existentes no material bem como as suas transies. O ordenamento entre as cadeias aclicas fundamental para a estabilidade da estrutura. O reconhecimento de variaes nessa estrutura bastante importante para detectar o momento em que uma mudana de fase ocorre, ou seja, as distncias entre as cadeias apresentam variaes e o pico de difrao sofre deslocamentos. No caso das fases cristalinas formadas no sistema, possvel acompanhar a nucleao e o crescimento de tais domnios.

Estruturas Lamelares
possvel obter a terceira informao, ou seja, verificar a existncia de estruturas lamelares, atravs da observao dos picos de difrao a baixo ngulo. A presena ou no destes picos um importante parmetro que caracteriza, por exemplo, os sistemas mistos micelasvesculas por atuar como indicador do surgimento de vesculas multilamelares formadas nos sistemas em soluo. A posio do pico determina ainda, o espaamento entre as camadas com preciso de centsimos de Angstrons.

Perfil de Densidade Eletrnica das Estruturas Lamelares

As multicamadas de lipdeos depositadas sobre substrato de vidro tm espaamentos da ordem de algumas dezenas de Angstrons, portanto podemos observar algumas ordens de difrao de raios X a baixo ngulo. As multicamadas depositadas so um importante modelo de estudo sobre as interaes das molculas anfiflicas com outros compostos e a sua localizao dentro da estrutura lamelar. A incorporao de compostos nas membranas alteram o perfil de densidade eletrnica da cela unitria que pode ser caracterizado atravs da transformada de Fourier da amplitude espalhada F(q) reconstruda atravs do teorema da amostragem mencionado anteriormente.

15 CAPTULO VI CONCLUSES E PERSPECTIVAS

BIBLIOGRAFIA

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