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CONCEITOS FUNDAMENTAIS
MATERIAL CRISTALINO:
Classificao dos materiais slidos: de acordo com a regularidade pelas
qual seus tomos ou ons esto arranjados (CALLISTER, 2011);
Material cristalino: um material no qual os tomos esto posicionados
em um arranjo repetitivo ou peridico ao longo de grandes distncias
atmicas, formando uma estrutura tridimensional que se chama rede
cristalina.
Formam estrutura cristalinas sob condies normais de solidificao:
todos os metais, muitos materiais cermicos e alguns polmeros.
Materiais no cristalinos ou amorfos: so materiais que no se
cristalizam, onde a ordem atmica de longo alcance ausente.
CONCEITOS FUNDAMENTAIS
ESTRUTURA CRISTALINA:
Algumas propriedades dos slidos cristalinos dependem do arranjo dos
tomos, ons ou molculas.
Existem inmeras estruturas cristalinas diferentes;
Podem variar desde estruturas simples, Ex.: metais; at estruturas
complexas, Ex.: alguns materiais cermicos e polimricos.
CONCEITOS FUNDAMENTAIS
REDE CRISTALINA:
Rede Cristalina: Arranjo tridimensional de pontos que coincidem com as
posies dos tomos, ou com os centros das esferas.
Modelo atmico de esfera rgida: Esferas slidas com dimetros definidos
que representam os tomos onde os vizinhos mais prximos se tocam.
Figura 01- Arranjos atmicos (BECKER, Daniela; 2009).
CLULAS UNITRIAS
ccc At 910C
Reticulado
formada por dois hexgonos sobrepostos e entre eles existe um plano intermedirio de trs
tomos. Nos hexgonos existem seis tomos nos vrtices e um outro no centro.
Observa-se que sua simetria aproximadamente hexagonal, como se deveria esperar da estrutura
cristalina do quartzo.
A maioria dos slidos cristalinos composta por um conjunto de muitos cristais pequenos
ou gros; so chamados policristalinos.
http://www.conversatorio.com.br/wp-
content/uploads/2013/04/Aula-03-04-2013.pdf
Crescimento dos
Pequenos ncleos de
cristalitos; obstruo de
cristalizao
alguns gros adjacentes
Simetria hexagonal:
Direes equivalentes no iro possuir mesmo conjuntos de ndices.
Sistema Coordenado
de Miller-Bravais [uvtw]
Sistema Coordenado de Miller-Bravais [uvtw]
u = 1/3 (2u- v)
v = 1/3 (2v u)
t = -1/3 (u+v) z
w = w
Exemplo 04 : Determine
os ndices para a
direo mostrada a2
na figura.
-
[010] = [1210] a3
a1
As orientaes dos planos em uma estrutura cristalina so
representadas de uma semelhante.
Em todos os sistemas cristalinos, excesso do sistema
hexagonal, os planos so especificados por trs ndices de
Miller na forma (hkl).
Quaisquer dois planos paralelos entre si so equivalentes e
possuem ndices idnticos.
O procedimento para determinar os valores dos ndices h, k e l
so:
Se o plano passa atravs da origem, ou outro plano paralelo deve ser
construdo no interior da clula unitria mediante uma translao
apropriada, ou uma nova origem deve ser estabelecida no vrtice da
outra clula.
Ou o plano cristalogrfico intercepta ou ele paralelo a um dos trs
eixos; o comprimento da interseo no infinito e, portanto, um
ndice igual a zero.
Os valores inversos desses nmeros so
obtidos. Um plano paralelo a um eixo pode ser considerado como tendo
uma interseo no infinito e, portanto, um ndice geral igual a zero.
Se necessrio, esses trs nmeros so mudados para o conjunto de
menores nmeros inteiros pela multiplicao, ou diviso por um fator
comum.
Finalmente, os ndices no inteiros, no so separados por vrgula, so
colocados entre parnteses (hkl)
Determinar os ndices de Miller para o plano abaixo:
Uma vez que o plano passa atravs da origem selecionada O, uma nova origem
deve ser escolhida no vrtice de uma clula unitria adjacente, identificada como
O e que est mostrada na figura (b). Esse plano paralelo ao eixo x e a interseo
pode ser tomada como a. As intersees com os eixos y e z, referenciadas nova
origem O, so b e c/2, respectivamente. Dessa forma, em termos dos parmetros
da rede a,b e c, essas intersees so , -1 e . Os inversos desses nmeros so 0,
-1 e 2; e uma vez que todos so inteiros, nenhuma reduo adicional necessria.
Finalmente, colocando entre parnteses, tem-se (012)
1/8 de tomo
Plano (1,1,1)
Justificando: Ra= 0,124 nm; =0,0711 nm; =46,21
1 tomo inteiro
Estrutura da aresta: a=4R3 > a=4 x 0,124 x 3 > a=0,859 nm.
n= 2 Dhlk sen > n= 2 x 0,4261 x sem 46,21 > n= 0,6152 > n=0,6152/0,0711 > n=8,652
n deve ser nmero inteiro - A lei especfica que ocorrer difrao para clulas unitrias que possuem tomos
posicionados somente no vrtice da clula. n igual a 8 vrtices.
A difratometria de raios X corresponde a uma das principais
tcnicas de caracterizao microestrutural de materiais
cristalinos.
Os raios X, ao atingirem um material (obstculos) podem
ser espalhados elasticamente sem perda de energia pelos
eltrons.
A difrao uma consequencia de relaes de fase
especficas estabelecidas entre duas ou mais ondas que
foram dispersas pelos obstculos. CALLISTER, 2007
As condies para que ocorra a difrao vo depender da
diferena de caminho percorrido pelos raios X e o
comprimento de onda da radiao incidente Lei de Bragg
n = 2 d sen
No entanto, em planos
cristalinos haver direes
preferenciais nas quais se d
interferncia construtiva ou
destrutiva dos raios X.
A tcnica consiste na incidncia
da radiao em uma amostra e na
deteco dos ftons difratados,
que constituem o feixe difratado.
Serve para estudar os efeitos
causados pelo material sobre esse
feixe de radiao.
Determina experimentalmente a
estrutura cristalina do material.
Os raios X de comprimento de onda 154 pm incidem num
cristal e so refletidos em um ngulo de 22,5.
Considerando que n=1, calculi o espaamento entre os
planos de tomos que so responsveis por essa reflexo.
Soluo:
d= n.
2 sen d = 154
d = 1 . 154
2 sen 22,5 2 . 0,383
Fonte: Cristalografia e Difrao em Raio X Michele Oliveira
d = 201 pm
No apresentam arranjo atmico regular e sistemtico ao
longo de distncias atmicas grandes;
Tambm chamados de slidos amorfos;
Suas estruturas atmicas lembram as de um lquido;
O termo j foi utilizado como sinnimo de vidro. Atualmente,
slido amorfo considerado o conceito abrangente e vidro
um caso especial.
So exemplos de materiais amorfos: vidros, gis, ceras,
plsticos, nanoestruturas;
Formados durante a solidificao do material;
Um material pode ser formado de maneira cristalina ou no,
dependendo da facilidade em que ele alcance um estado
ordenado durante o processo de solidificao;
Os materiais amorfos so caracterizados por uma estrutura
atmica complexa e que apresenta dificuldade de ordenao;
O resfriamento rpido, em temperaturas inferiores
temperatura de congelamento, favorece a formao de
materiais no-cristalinos pelo pouco tempo disponvel para a
ordenao durante o processo.
(a) (b)