Relatório

Experimento: Determinação ótica da espessura e gap de semicondutores

Equipe 4 - Alunos: Adriana D. Dalla Costa, Luiz Natan P.H. da Silva e Marcelo
Gabriel Hasper
Turma: 1° Semestre 2024 / Sexta - 07h30
Disciplina: CF357 - Laboratório de Física Moderna
Professor: José Varalda

Foi realizado o ajuste do diafragma do equipamento que contém a lâmpada

incandescente a fim de registrar o espectro da lâmpada com a maior intensidade
possível, porém sem saturar o detector. O espectro da luz da lâmpada foi registrado
no seguinte gráfico:

Imagem 1: Espectro da lâmpada (Branco)

O registro do espectro obtido da lâmpada apresenta algumas oscilações, este

comportamento se difere do espectro de radiação do corpo negro. Este fato ocorre
devido às interferências construtivas e destrutivas de certos comprimentos de onda
na fenda do equipamento detector. O gráfico abaixo consta o que se esperava sem
as interferências:
 Imagem 2 - Intensidade Vs Comp. de Onda (unidades arbitrárias).

Em seguida foi inserido o filme de Si entre os imãs e registrado o espectro:

Imagem 3: Espectro do filme se Silício

 A partir dessa análise foi possível observar que o filme de Silício alterou o
perfil do espectro de transmissão de luz. Em comprimentos mais energéticos, abaixo
de 700 nm, os fótons tiveram energia suficiente para interagir com o material, devido
atingiram o band gap do semicondutor. E acima desse comprimento de onda,
quando ocorre oscilações de interferência que podem ser observadas no gráfico
(com seus máximos e mínimos alternados), a luz não possuía energia necessária
para atingir a energia de band gap, porém como estava sendo transmitida por um
filme envolto de ar, um meio menos denso, ocorreram fenômenos de interferência.
Estes podem ser observados como picos nas interferências construtivas e vales nas
interferências destrutivas.

Com o objetivo de obter a espessura da lâmina de silício, foi utilizado os

pontos dos vales de intensidade na região do infravermelho, visto que é possível
utilizar a equação deduzida na introdução do experimento que relaciona a espessura
do filme com máximos e mínimos de interferência da luz. A equação de mínimos foi
utilizada por ser mais simples.

2𝑛𝑡 = 𝑚 𝛌 , sendo m = 0,1,2,3…

Na qual, realizou-se as manipulações matemáticas necessárias para isolar λ e

m de forma que a equação se aproxime de uma equação de reta (y = ax + b). Sendo
assim, obtemos a seguinte relação, onde 1/λ é a variável dependente (eixo y) e m a
variável independente (eixo x).

1/𝛌 = 𝑚/2𝑛𝑡

Os valores de m e λ foram obtidos no gráfico pela ferramenta de valores

localizada no próprio programa do Origin. Os dados foram coletados admitindo que o
comprimento de onda mais elevado estava relacionado com o valor de m = 0, dessa
forma, pegou-se os mínimos consecutivos respeitando a ordem crescente de m.

Os valores de comprimento de onda dos vales foram anotados na tabela a

seguir:

m λ (nm) 1/λ (nm-1)

0 986 0,00101

1 972 0,00103

2 960 0,00104

3 948 0,00105

4 935 0,00107

5 924 0,00108
 6 912 0,00110

7 902 0,00111

8 890 0,00112

9 881 0,00114

10 871 0,00115

11 862 0,00116

12 852 0,00117

13 842 0,00119

14 834 0,00120

15 825 0,00121

Imagem 4: Regressão linear de 1/λ x m

Com os dados em mãos, plotou-se o gráfico de 1/λ por m a fim de obter o

coeficiente angular da reta que está relacionado a 1/2𝑛𝑡 . Para isolar a espessura da
lâmina, utiliza-se o valor do índice de refração obtido no gráfico a seguir que
compreende o intervalo entre 986 nm e 827 nm. Desse intervalo, obtém-se um
índice de refração de 3,650, no qual o valor de índice de refração real para o silício
está representado em vermelho:

Com todos os dados em mãos, pode-se calcular o valor de t substituindo na

equação 1/2nt = 1,31638X10-5 nm-1. Fazendo as manipulações matemáticas
necessárias, temos:

t = 1 / 1,31638x10-5 . 2 . 3,650 = 10.406 nm = 10,406x10-6 m

Obtemos um valor de 10,405 microns, coerente com o que foi informado pelo
professor (10 microns).

Para obtermos o valor do band gap da lâmina de GaAs, foi realizada a

mesma coleta de dados. Com os dados em mãos, realizou o plot do espectro de
transmitância por comprimento de onda no programa Origin, como mostrado a
seguir.
 Com base nesse gráfico, foi selecionada uma faixa de comprimentos de onda
próximos de 900 nm, onde é observada uma banda mais intensa no gráfico de
transmissão versus comprimento de onda para o GaAs. Os dados entre 890 e 910
nm de comprimento de onda foram plotados separadamente a seguir, e a eles se
aplicou um ajuste linear a fim de determinar em que valor de comprimento de onda a
reta tangente à banda corta o eixo X. O valor de energia correspondente a esse
valor, que é o band gap óptico do semicondutor analisado, isso porque para
comprimentos de onda menores do que ele (mais energéticos) a transmissão de luz
não é mais detectada, o que ocorre porque a energia luminosa é absorvida pelos
elétrons da banda de valência do GaAs, que ultrapassam o band-gap e são
promovidos para o nível de energia mais baixo possível da banda de condução do
material.

Esse valor de comprimento de onda no qual a reta tangente corta o eixo X foi
determinado a partir da equação da reta do seguinte ajuste linear:
 𝑦 = 𝑎𝑥 + 𝑏

Para obter o valor de λ quando a reta cruza o eixo x, faz-se y = 0:

0 = (− 2056, 52307) + (2, 31907)𝑥

𝑥 = (2056, 52307/2, 31907) = 886, 79 𝑛𝑚

Utilizando este valor de comprimento de onda para calcular a energia de

band-gap, temos:

𝐸bg = ℎ𝑐/𝛌 = 1240 𝑒𝑉. 𝑛𝑚 / 886, 79 𝑛𝑚

𝐸bg = 1,3983 ~ 1,40 eV

O valor de band-gap obtido para o semicondutor GaAs é muito próximo do

encontrado na literatura para esse material, de 1,43 eV sob temperatura de 300 K,
conforme descrito na introdução IEX desse experimento. Considerando que esse
seria o valor teórico que deveria ser alcançado, pode-se calcular o erro relativo do
valor que foi obtido no experimento:

% Erro = ((1,40 - 1,43) / 1,43) x 100 = 2,10 %

O erro obtido foi muito pequeno, sendo menor do que 5%, e indica que o
experimento e método de análise utilizado possibilita obter de maneira simples e
com uma boa exatidão o valor do band-gap do semicondutor GaAs.
 Essa determinação se baseia da seguinte forma: o fim da banda do espectro
de transmissão obtido para o material indica que a energia da fonte luminosa não
está mais sendo transmitida, mas sim absorvida. Os elétrons estão absorvendo a
energia equivalente ao band gap, sendo promovidos da banda de valência para a
banda de condução. O comprimento de onda precisa ser correspondente ao fim da
banda porque neste caso equivale à energia mínima necessária para promover o
elétron, indica o momento em que a luz deixa de ser tratada como onda
(transmissão, interferência) e passa a ser tratada como partícula (choque e
transferência de energia, promovendo elétrons). A relação entre o comprimento de
onda e energia utilizada é dada pela equação E = hc/λ.