Determinação ótica da Espessura e do Gap de Semicondutores

Luiz Gustavo Martinez Martins GRR20190272

Vitor Eduardo Emmerich Genilheu GRR20190709

Para o experimento de determinação de Gap e espessura de semicondutores foi utilizado

uma fonte de luz de marca PASCO dotada de uma lampada incandescente e um obturador. Um
sensor de captação de luz que consiste num espectrofotômetro da marca Ocean Optics modelo Red
Tide USB650, um computador com os softwares necessários (OceanView e SciDAVis) além de
laminas de semicondutores silício (Si) e arseniato de gálio (GaAs) .
O comportamento esperado de uma lamina de um semicondutor exposta a uma fonte de luz
é que ocorra a absorção de parte da energia dos fótons que chegam à lamina para a promoção de
elétrons para a banda de condução. Com o auxilio do espectrofotômetro, pode-se obter uma curva
de transmissão da luz incidida sobre a lamina, e com base nessa curva determinar o comprimento de
onda mínimo (ou seja, a energia associada) em que ocorre o fenômeno da promoção de elétrons
para a camada de condução. Essa energia mínima necessária para promoção de elétrons é o Gap do
semicondutor.
Para obter uma base de comparação da luz antes e depois da presença do semicondutor foi
tomado um espectro da luz emitida pela lampada incandescente sem a presença de nenhuma lamina
de semicondutores. O resultado obtido é o gráfico 1 que mostra uma curva com comportamento
semelhante a uma gaussiana, porem com grande distorção na região do infravermelho, a partir de
800 nm. A fim de melhorar a linha de base do experimento, ajustou-se o obturador para uma
posição bem mais fechada, estreitando o feixe de luz que chegou ao espectrofotômetro. Com esse
ajuste obteve-se o gráfico 2, com um comportamento mais semelhante a uma gaussiana, e
evidenciado as oscilações provocadas pelas interferências construtivas e destrutivas da passagem da
luz pelo orifício de entrada do espectrofotômetro (fenômeno da difração).
 Ao se colocar uma lamina micrométrica de silício no caminho ótico, devidamente ajustado
bem próximo a entrada do espectrofotômetro, observou-se que a transmissão de luz foi alterada,
parte significativa da curva inicial do gráfico 2 foi perdida, resultando no gráfico 3, no qual pode-se
observar que houve absorção de ondas com comprimento inferior a 640 nm. Ajustando a primeira
rama linear do gráfico 3 pelo método dos mínimos quadrados, podemos obter o valor do
comprimento de onda associado ao gap do silício pela extrapolação da reta de ajuste, utilizando a
intensidade percebida como 0 (absorção total, ou seja y=0);

utilizando os dados da regressão linear obtemos um comprimento de onda associado ao gap do

silício de 635,9 nm o que é equivalente a 1,95 eV. Esse valor não é o esperado para o silício, e deve
ser resultado de impurezas, contaminantes ou dopagem na liga de silício utilizada. (valor esperado:
1000 nm 1,24 eV).
Ajustando o setup do experimento é possível perceber as oscilações devido a interferência
de luz durante o ensaio com a lamina de silício. Resultando no gráfico 4. Foi coletado os pares
ordenados de 15 pontos de máximos dessas oscilações (interferência construtiva). Resultando na
tabela a seguir:
 pares ordenados em relação ao pico contado (m):

m λ 1/λ
0 822,8 1,215E-03
1 832,4 1,201E-03
2 840,7 1,189E-03
3 850,1 1,176E-03
4 859,3 1,164E-03
5 858,9 1,164E-03
6 878,9 1,138E-03
7 888,9 1,125E-03
8 898 1,114E-03
9 909,9 1,099E-03
10 920,7 1,086E-03
11 931,9 1,073E-03
12 944,1 1,059E-03
13 955,6 1,046E-03
14 967,7 1,033E-03

Pode-se linearizar o gráfico pela mudança de variável de λ para 1/λ, obter a equação da reta
que descreve os pontos e relacionar com a descrição de interferência construtiva fornecida no
roteiro da disciplina.

Sendo a expressão da interferência construtiva 2nt = (m + 1/2)λ, ajustando a equação para as

mesmas variáveis do gráfico: tempos 1/λ = m/2nt + 1/4nt. Sendo assim os coeficientes linear e
angular da reta relacionados a espessura “t” e ao índice de refração do silício “n”. substituindo os
valores: n = 3,8 e o coeficiente linear de 0,0012169, obtemos a espessura de aproximadamente 10
μm;

Para o gap do GaAs foi utilizado o mesmo método aplicado ao calculo do silício, gerando o gráfico:

Resultando num comprimento de onda associado de 887,37 e uma energia de 1,39eV.