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Díodos
Roteiro
O Díodo ideal
Noções sobre o funcionamento do Diodo
semicondutor
Equações aos terminais
Modelo de pequenos sinais
+ Vd -
Vd
Id corrente
1 / rd
Id 0,7V v D 0 .7 V rD
D1 15
10
V1
A m p lit u d e
10V 100Hz 0Deg 5
R1
0
0 0,005 0,01 0,015 0,02
-5
-10
-15
te m po (s )
2 D2
V1 Rectificador de onda completa
10V 100Hz 0Deg
4 1
15
R1 10
1B4B42
Am plitude
3 5
0
-5 0 50 100 150 200 250
-10
Nota: a massa na saída não é igual á -15
0.5ohm T1 C1 100ohm D3 R3
200uF 500ohm
311.13V 50Hz
V1
220 V rms Ajuste final num
26:1 programa de simulação
D2
Fonte com tensão DC de 5V e capaz de fornecer 25mV de corrente. Diodo de Zener tem 10 para
Iz=20mA que necessita de uma corrente de cerca de 5mA para funcionar correctamente.
Escolhendo uma tensão de pico no secundário de 12V de forma a distribuir cerca de 3V para
oscilação no condensador, 3V para queda de tensão na resistência, e 1 V de queda de tensão nos
diodos temos:
C1 = I t / V = (25mA+5mA) / 50 Hz / 3 V = 200uF
A resistência R2 deve ser suficientemente pequena para fornecer os 30mA à carga mas deve
limitar ao máximo a corrente no zener (a 30mA) quando a carga é de impedância elevada e a
tensão no condensador toma valores máximos, para limitar a potencia dissipado por este, ou seja
devemos ter R2=3V/ 30mA= 100 . Mas este assunto não é inteiramente desta cadeira.
A resistência R2 é responsável por perdas na fonte.
0.5ohm T1 C1 C2 R3
500ohm
311.13V 50Hz
V1
220 V rms
D2
D2 etc
R1
D3
Junção p-n
É uma aproximação do diodo real.
Constituída pela junção de dois materiais
semicondutores, tipo-p e tipo-n.
p n
Semicondutor Semicondutor
tipo-p tipo-n
Região de N N
depleção E VO VT ln A 2 D
V ni
+ p - + n -
- +
NA
- + ND
Diferença de
potencial, V < 0
0
Campo eléctrico (E) x
VO
Potencial (V)
0
Carga -
+ x
p p0 N A 2
p (x) Escala logarítmica pn 0
ni
ND
v( x)
n
2
pn ( x ) p n 0 e Vt nno N D
n p0 i
n(x) NA
p n
Região de depleção - W
Região de depleção
ou região de transição
E
Região de V
depleção
+ p - + n -
- +
- +
-+
Provoca o alargamento da região de depleção e o aumento
da barreira de potencial, até bloquear a passagem da
corrente.
Funciona como um condensador cuja carga é armazenada na
região de depleção.
+-
Provoca o estreitamento da região de depleção e a
diminuição da barreira de potencial. Facilita a
passagem da corrente.
Lp Dp p Caracteristca de um Diodo
com Is=10e-14A
Ln Dn n 0,1
Vd~0,7V
Tempo de vida médio 0,08
Co rren te (A)
0,06
Comprimento de
difusão 0,04
I S corrente 0,02
0.7V Vd
Disrupção
Para pequenos C j0
Cj s q 1
sinais:
1
VR C j0 A
2
N A N D VO
1 1 1
C j A s / dep VO
n VT Vd
rd
ID
vd(t)
ID 1
f ' VD
Fórmula de Taylor n Vt n Vt rd
id vd / rd
vD VD vd i D I D id
2Vpp
Resistência ohmica RS RS 0
VO
nvVd
id I S e t 1
Tensão intrinseca VJ 1V
RS
Capacidade da junção
CJ 0 CJ
com polarização nula 0
0F
Coeficiente de
gradiente
m M 0,5
+
Id
Vd Cd
Tempo de transito T TT 0s -
Corrente inversa na
saturação
I ZK IBV 1e-10A
v( x)
v( x)
n p ( x) n p 0 e Vt
pn ( x ) pn 0 e Vt
2
p (x) n
pn 0 i
ND
n
2 nno
n p0 i
n(x) NA
p n
Região de depleção - W
e Lx vD 2
ni
pn ( x) pn 0 e e 1 1
P Vt 0
LP pn 0
ND
Como nesta zona só existe corrente de difusão (o campo eléctrico é nulo),
temos que a componente da corrente devida às lacuna é dada por:
2
ni VtD 1
v
pn ( x)
i p AqDP AqDP e 1
x ND
LP
Como a corrente de electrões ou de
lacunas é aproximadamente
2 DP DN vVtD
constante ao longo da junção, iD A q ni e 1
juntando a corrente devida aos N D LP N A LN
electrões livres fica: