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Aula 03n PDF
Aula 03n PDF
}
• Equação de Shockley não é válida para este dispositivo.
A região de fonte e dreno devem
estar alinhadas com a porta.
MOSFET canal N
• Canal para condução só
existirá após aplicação
de tensão na porta.
Slide 2 Operação Básica e Curvas Características
• Para VGS = 0 V, não existe o cana N formado por uma grande quantidade de portadores
livres, ao contrário de um JFET canal N, onde para esta situação ID = IDSS.
Para VGS = 8 V, a
saturação ocorre para
VDS = 6 V.
VDS = f(VGS)
Portanto, VT = 2 V.
I D (ligado)
k= [5.14]
(VGS(ligado) − VT) 2
ID (ligado)
VGS (ligado) } Ponto particular das curvas.
Slide 6 Operação Básica - Saturação
ID(ligado) = 10 mA
VGS(ligado) = 8 V
K = 0,278x10-3 A/V2
ID(ligado) = 7 mA
VGS(ligado) = 7 V
K = 0,28x10-3 A/V2 ID = 0,28x10-3(VGS – VT)2 (ii)
Slide 7 Curva de Transferência
ID x VGS
{ ID = 0A, VGS < VT
ID = k(VGS – VT)2, VGS > VT
Slide 8 MOSFET Tipo P
Slide 9 MOSFET Tipo P
Slide 10 Símbolos
Slide 11 Folha de Dados
Slide 12
Exemplo 5.4:
Utilizando os dados fornecidos na folha de dados da figura 5.41, e considerando uma tensão
de limiar VT = 3 V, determine:
a)K.
b)A curva de transferência.
k=? ID = 3 mA
VGS = 10 V
VT = 3 V