Patrynie Garcia Barbosa

RELATÓRIO DE CARACTERIZAÇÃO
ELÉTRICA DE UM SEMICONDUTOR

Campo Grande – MS
2018

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 Patrynie Garcia Barbosa

RELATÓRIO DE CARACTERIZAÇÃO
ELÉTRICA DE UM SEMICONDUTOR

Relatório apresentada na disciplina de

Laboratório de Física III, ministrada na
Universidade Federal do Mato Grosso
do Sul pela Prof. Dorotéia, com o teor
avaliativo
Campo Grande- MS
2018

1. OBJETIVOS
O objetivo desta experiência é determinar tensões e correntes em circuitos com
diodo empregando a lei do diodo, e identificar o comportamento dos mesmos nesse tipo
de material.
2. INTRODUÇÃO

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 Os elétrons são responsáveis pela condução de corrente elétrica nos materiais.
Dessa forma, um material pode ser isolante, condutor ou semicondutor, dependendo de
sua configuração elétrica. Essa classificação pode ser vista pela figura 1.
Figura 1- configuração eletrônica de matérias isolantes, condutores e semicondutores

Os elétrons ligados a um átomo, só podem existir em alguns valores discretos de

energia de ligação com o núcleo. No entanto, em um sólido cristalino, devido ao grande
número de átomos envolvidos, teremos vários desses valores discretos espaçados de
valores muito pequenos entre si. Isso forma uma banda, ou seja, pode ser entendido
como uma faixa contínua de valores que o elétron pode ter. Isso dá origem às bandas de
condução e de valência, sendo que a banda de condução é onde estão localizados os
elétrons responsáveis pela condução de corrente elétrica, e a banda de valência pode ser
entendida aqui, como um “reservatório” de elétrons. À distância em energia entre essas
duas bandas, damos o nome de GAP.
Nos materiais condutores, a energia do GAP é nula, ou muito baixa, sendo que
elétrons possam facilmente passar para a banda de condução e estabelecer uma
corrente. Nos materiais isolantes, essa banda é bastante larga, o que dificulta essa
passagem e por consequência, a corrente.
Nos materiais semicondutores a banda de valência também se encontra
completamente preenchida e a banda de condução vazia, como no caso do isolante,
porem a GAP é bem menor, da ordem de 1eV, mas sob alguma ação externa, como
temperatura, iluminação ou campo elétrico, passam a conduzir. Essa diferença de energia
entre as bandas de valência e a banda de condução corresponde a energia necessária
para o elétron “saltar” de uma para a outra.

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 Os dispositivos semicondutores são importantes na fabricação de componentes
eletrônicos, tais como diodo, transistores e outros diversos graus de complexidade
tecnológica.
 Diodos semicondutor
Quando utilizados em um circuito, o diodo semicondutor é um componente que
permite a passagem de corrente elétrica em um sentido de polarização da tensão, mas
não do outro. Isto ocorre devido as características de funcionamento do diodo da junção
p-n.
 A polaridade positiva P de um diodo é onde há falta de elétrons, sendo essa
região também chamada de lacuna ou buraco. A parte negativa N possui excesso de
elétrons. Manifesta-se então uma corrente de difusão, com os elétrons seguindo para o
lado P e os buracos para o lado N. A acumulação de íons positivos na zona N e de íons
negativos na zona P, cria um campo elétrico (E) que atuará sobre os elétrons livres da
zona N e sobre os buracos da zona P com uma determinada força que se oporá à
corrente de difusão até que um equilíbrio seja atingido. A região que contém
esses átomos ionizados e, portanto, desprovida de cargas livres é chamada de região de
depleção, esse processo é representado pela figura 2.

Figura 2- (a) Antes da difusão (b) Depois da difusão

A condução de corrente elétrica dependerá da forma como o diodo está

polarizado, podendo ser de duas formas. Na polarização direta, o polo positivo da fonte
de tensão está conectado ao lado P do diodo. Isso faz com que o lado positivo torne-se
ainda mais positivo, e o lado N, ainda mais negativo. As cargas elétricas conseguem
atravessar a barreira de potencial existente entre o lado P e o lado N do diodo, portanto,
há condução de corrente.
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 Já na polarização reversa, o terminal positivo da fonte de tensão é conectado ao
lado N da junção PN do diodo. Isso faz com que a barreira de potencial aumente. Nesse
caso, a resistência do circuito é muito alta, e a corrente elétrica não consegue atravessá-la.
O valor de tensão no qual a corrente começa a aumentar rapidamente é chamado tensão
de joelho do diodo, esse comportamento é representado pela figura 3.
Figura 3- comportamento da corrente em um semicondutor

A relação entre tensão e corrente no diodo é dado pela equação 1, conhecida

como lei do diodo.
vd
v0
I diodo=I 0 .e

O parâmetro v 0 é a tensão joelho, v d é a tensão no diodo e I 0 é a corrente de

saturação.

3. MATERIAIS E MÉTODOS

 Fonte de tensão;
 Fios condutores encapados;
 2 Multímetros digitais;
 1 resistores.

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 A curva característica do diodo pode ser obtida através da montagem de circuito,
representado pela figura 4. São utilizados dois multímetros para tomada de dados, um é
colocado em serie com o dispositivo, para medirmos a corrente elétrica, outro em
paralelo, para medirmos a tensão.
Figura 4- circuito experimental

4. RESULTADOS E DISCUSSÕES

A tabela 1, mostra os dados colhidos na primeira durante o experimento. Na

segunda coluna tem os dados de tensão medidos nos terminais do dispositivo e na
terceira os valores da corrente correspondente.
Tabela 1- dados de tensão da fonte, do diodo e corrente

Tensão da fonte (V) Tensão do diodo Corrente (mA)

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 (V)
0,2 0,193 0,00003
0,4 0,348 0,00105
0,6 0,495 0,06813
0,8 0,538 0,8
1,0 0,628 1,6384
1,2 0,671 4,466
1,4 0,682 5,846
1,6 0,695 7,808
1,8 0,704 9,630
2,0 0,711 11,410
2,2 0,715 12,605
2,4 0,719 14,760
2,6 0,722 15,450
2,8 0,725 16,030
3 0,730 19,697
4 0,748 30,360
5 0,762 40,09
6 0,769 49,49
7 0,776 59,53
8 0,780 68,95
9 0,786 78,67

O gráfico 1 foi plotado com os dados da tabela 1 e mostra a curva característica

do diodo.

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 Gráfico 1- Curva característica do diodo
80

60
Corrente (mA)

40

20

−20
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
Tensão (V)
A princípio observou-se, que a partir de 0,7V o valor da corrente deixava de ser
nulo. Isso ocorre porque o diodo não permite a passagem de corrente elétrica na
polarização inversa, e porque só há corrente quando existe energia suficiente para os
elétrons da banda de valência saltarem para a banda de condução. A partir desse ponta a
corrente cresce exponencialmente. Então, através do valor da tensão joelho podemos
afirmar que o material utilizado na fabricação do diodo é silício.

5. CONCLUSÃO

Os resultados foram satisfatórios e as propriedades do dispositivo semicondutores

verificadas, de acordo com a literatura. A partir do circuito montado foi possível colher os
dados e obter a curva característica do diodo. A curva mostrou que é permitido o fluxo de
corrente elétrica apenas no sentido direto da polarização e que há um valor especifico a
partir do qual a corrente cresce exponencialmente. Esse valor corresponde a GAP do
material dominante no qual é composto o dispositivo (junção p-n).

Bibliografia

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[1] SILVA, R. P. Eletrônica Básica: um enfoque voltado à informática.

[2] HALLIDAY,D.;RESNICK,R., Fundamentos de Física, volume 3, 4ª edição.