ELETRÔNICA A NALÓGICA E DIGITAL

CAPACITOR DE ACOPLAMENTO
– C APACITOR DE ACOPLAMENTO (T RANSISTORES EM ALTA FREQUÊNCIA):

 CONCEITOS:

Oitava: dizemos que uma determinada frequência é uma “oitava” superior a outra

frequência, quando: f1 = 2 x f0

Exemplo: f0 = 100 Hz  f1 = 2 x 100 Hz = 200 Hz  f1 é uma oitava acima de f0.

Explicação provável  Notas musicais:

dó(1) ré(2) mi(3) fá(4) sol(5) lá(6) si(7) .... dó(8) ré(9) ... (repete com o dobro da frequência)

Década: dizemos que uma determinada frequência é uma “década” superior a

outra frequência, quando: f1 = 10 x f0

Exemplo: f0 = 100 Hz  f1 = 10 x 100 hz = 1000 Hz  f1 é uma década acima de f0.

ENGENHARIA ELÉTRICA - 9/8/2019 - 15:47:42 HS 1

ELETRÔNICA A NALÓGICA E DIGITAL

 ANÁLISE:

Nesta análise, o ganho considerado é o ganho de tensão. Na Fig. 1, temos:

eg = fonte geradora do sinal;

Rg = resistência interna da fonte geradora do sinal;

Rin = resistência de entrada do circuito ligado à fonte geradora do sinal eg;

C = Ca = capacitor de acoplamento entre a fonte geradora do sinal e a entrada do próximo

circuito.

Sendo na Fig. 1:

 1 
eg  i .  Rg  Rin   i .  Rg  Rin  X C 
 j . .C 
e i .Rin Rin
Ganho  G  in  
eg  1  R R  1
i .  Rg  Rin  Fig. 1
j ..C 
g in
 j ..C

Dividindo o numerador e o denominador por (Rin+Rg), temos:

Rin Rin

G
 Rin  Rg  
 Rin  Rg  eq. 1
1 1
1 1
j ..C.  Rin  Rg  j .2. .f .C.  Rin  Rg 

Observação 1: Na Fig. 2, temos Gm = ganho máximo e da eq. 1, podemos analisar:

 Rin 
f    Gm  R  R  ganho máximo 
 in g 
 
Termo : 1
 0 (zero) 

 j .2. .f .C.  Rin  Rg  

f  0 (zero)  Gm  0 (zero) 
 
Termo : 1
  (infinito)
 j .2. .f .C.  Rin  Rg  
  Fig. 2

ENGENHARIA ELÉTRICA - 9/8/2019 - 15:47:42 HS 2

ELETRÔNICA A NALÓGICA E DIGITAL

Portanto:

1 Gm
G  Gm . 
1 1
1 1
j ..C.  Rin  Rg  j ..C.  Rin  Rg 
Sendo : G m  ganho máximo

Observação: DEFINIÇÃO DE PONTO DE MEIA POTÊNCIA.

Ganho em decibéis  relação entre as tensões (de saída e de entrada): eo / ein.

G  dB   20.log G
Ganho no Ponto "x":
2  2 2 1 
Gx  .Gm Justificativa : Px  V. I  V .I  0,5.V .I  Ponto de meia potência.
2  2 2 2 
 2   2  2
G x  dB   20.log  .Gm   20.log    20.log Gm   G x  dB   20.log Gm   20.log 
 2   2   2 
     
Sendo : Gm  dB   20.log Gm 
 2
20.log    3,0102999566398119521373889472449  3dB
 2 
 2
G x  dB   20.log Gm   20.log   G x  dB   Gm  dB   3dB
 2 
 

Sendo:

Gm
G
1
1 eq. 2
j ..C.  Rin  Rg 
Sendo : G m  ganho máximo Fig. 3

Supondo que  = B = frequência de corte em baixa frequência.

1
  B   eq.3  freqüência de corte em baixa freqüência
C.  Rg  Rin 

Substituindo a equação 3 na equação 2, temos:

Gm Gm G
G  para  =B     m
1 1 1 j
1 1
1 j
j. .C.  Rg  Rin 
C.  Rg  Rin 

ENGENHARIA ELÉTRICA - 9/8/2019 - 15:47:42 HS 3

ELETRÔNICA A NALÓGICA E DIGITAL

Gm 1
GdB    B   20.log  20.log Gm  20.log 1  j  Gm  dB   20. .log  2 
1 j 2

GdB    B   Gm  dB   10.log  2   Gm  dB   3dB          Sendo : 1  j  2

1   1  
2 2 2
2

Portanto:

1 1
B   Rg  Rin 
C.  Rg  Rin  B .C

2
Obs :  0,707106781  0,70  Em  %  70%
2

Nesta situação, o ganho (em tensão) obtido é aproximadamente 70% do ganho máximo.

Considerando, que o ganho acima deste valor ( 70% do Gm) é considerado bom para os

circuitos eletrônicos (por convenção). Neste caso, 70% equivalem ao ponto de -3dB,

quando em decibéis. A uma assíntota de queda do sinal é de -6 dB/oitava ou -20

dB/década.

ENGENHARIA ELÉTRICA - 9/8/2019 - 15:47:42 HS 4

ELETRÔNICA A NALÓGICA E DIGITAL

Exemplo:

1) Para o circuito da Fig. 4. Temos:

Rg = 2,2 k; Ca1 = Ca = 100 nF; Rb1 = 18 k; Rb2 = 3,3 k; Re = 200 ;

hfe = 100 e hie = 1 k (modelo simplificado).

Frequência de corte nas baixas:

Rin  Rb1 / / Rb 2 / /  hie  Re .  hfe  1  

1 1 1 1 1 1 1
     
Rin Rb1 Rb 2 hie  Re .  hfe  1  18000 3300 1000  200. 100  1 
Rin  18000 / /3300 / / 1000  200. 100  1 
Fig. 4
Rin  2464,537341
1 1
Rg  Rin   Rg  Rin 
B .C 2. .fB .C
1 1
 fB  
2. .C.  Rg  Rin  2. .100nF .  2,2k   2464,537341 
fB  341,2019916Hz

2) Para o circuito da Fig. 1 (pág. 2). Calcule a frequência de corte Fig. 5

nas baixas, sendo:

2.1) Ca = 100 F; Rg = 1 k; Rin = 2,2 k; Resposta = fa = 497,35920 mHz.

1 1
Rg  Rin   Rg  Rin 
B .C 2. .fB .C
1 1
 fB    497,35920 mHz
2. .C.  Rg  Rin  2. .100  F. 1000  2200 

2.2) Ca = 1 nF; Rg = 10 k; Rin = 10 k; Resposta = fa = 7,95775 kHz.

3) Para o circuito da Fig. 1(pág. 2). Calcule o capacitor, sendo:

3.1) fa = 1 kHz; Rg = 1 k; Rin = 1 k; Resposta = Ca = 79,57747 nF.

3.2) fa = 100 Hz; Rg = 100 ; Rin = 10 k; Resposta = Ca = 157,57915 nF.

ENGENHARIA ELÉTRICA - 9/8/2019 - 15:47:42 HS 5

ELETRÔNICA A NALÓGICA E DIGITAL

4) Dado as Fig. 6 e Fig. 7.

v g = 0,1 Vp; Rg = 10 ; RC = 1 k. hie = 2,7k; hfe = 220; hre = 150.10-6; hoe

= 18 S, Rb1 = 68 k; Rb2 = 12 k Fig. 6

Calcule o valor de Ca para a frequência de corte nas baixas.

4.1) fa = 1 kHz; Rin = 2667,583497 ;

Req = Rb1//Rb2//Rin= 2114,565775 

1 1
Ca    74,911751 nF
2. .f .  Rg  Rin  2. .1000Hz. 10  2114,565775 
Fig. 7
Resposta = Ca = 74,911751 nF (75 nF valor comercial).

4.2) fa = 100 Hz; RC = 5,1 k; Rin = 2545,850888 k; Req = 2037,343704 

Resposta = Ca = 777,372860 nF (750 nF ou 820 nF).

Apenas o capacitor Ca prejudica o circuito nas frequências baixas. Na prática o ganho

máximo (Gm) pode ser considerado quando tivermos 10 x fB (uma década acima).

ENGENHARIA ELÉTRICA - 9/8/2019 - 15:47:42 HS 6

ELETRÔNICA A NALÓGICA E DIGITAL

Exercícios:

1 – Calcule o novo valor do capacitor de acoplamento (Ca) do exemplo anterior para uma

frequência de corte de 1 kHz.

Resposta: Ca = 77,737286 nF (75 nF)  fB = 1,036497 kHz)

2 – Considerando o exercício anterior, calcule o valor de Ca para que frequência de corte

seja uma oitava acima da calculada.

fB = 2 x 1,036497 kHz = 2,072994 kHz

Resposta: Ca = 37,500000 nF (valor comercial  36 nF  fB = 2,159369 kHz)

3 – Considerando o circuito do exercício 1, qual o valor da frequência de corte nas baixas,

se a resistência interna do gerador for alterada para Rg = 10 k. Sendo: Ca = 33 nF.

Resposta: fB = 357,345030 Hz.

Quanto maior o valor de Rg (ou Rin) menor será a frequência de corte nas baixas.

4 – Considerando o circuito do exercício 1, qual o valor da frequência de corte nas baixas,

se a resistência interna do gerador for alterada para Rg = 100 . Sendo: Ca = 33 nF.

Resposta: fB = 2,256482 kHz.

5 – Calcule a frequência de corte (fB2) devido ao capacitor Ca2 do circuito da Fig. 4:

Dado: Rc = 1 kΩ; R2 = 1 kΩ e Ca2 = 10nF (não considere o valor de hoe);

Resposta: fB2 = 7,957747 kHz

6 – Qual deveria ser o valor do capacitor para a frequência de corte ser de 120 Hz ? (não

considere o valor de hoe).

Resposta: C = 663,145596 nF (valor comercial  680 nF  fB = 117,025693 Hz)

ENGENHARIA ELÉTRICA - 9/8/2019 - 15:47:42 HS 7

ELETRÔNICA A NALÓGICA E DIGITAL

Resistência de Entrada do Transistor do circuito da Fig. 8 (revisão):

 Calcule a resistência de entrada do transistor do modelo híbrido. (Rb1 = 18 k; Rb2 = 3,3 k).

v be  i b .hie  hre .v ce Equação  1

 
v ce  hfe .i b .  hoe / /Rc 
1 1 1 1 1
    hoe  g c  Req. 
Req. Roe Rc Req. hoe  gc
hfe .i b
v ce    Equação   2 
hoe  g c

Substituindo   a   equação   2   na   equação  1

  ,  temos :
hre .hfe .i b
hoe  g c
 h .h 
 ib .  hie  re fe 
v be  i b .hie  hre .v ce  ib .hie 
hoe  gc 
Fig. 8

Resistência de Entrada do Transistor :
v be i b  h .h  h .h
rin   .  hie  re fe   hie  re fe
ib ib  hoe  g c  hoe  g c
  

ENGENHARIA ELÉTRICA - 9/8/2019 - 15:47:42 HS 8