X RAYS PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY

XPS/ESCA

Prof. Dr. FURIO DAMIANI

Prof. Dr. PETER JRGEN TATSCH

Aluno: Roberto Ribeiro Neli

Campinas, Maio de 2000

NDICE:

I GENERALIDADES:
1 - Introduo
2 - Evoluo do XPS
3 - Aplicaes Tpicas
4 - Principio Fsico de Funcionamento do ESCA
5 - Emisso de Eltrons
6 Profundidade de Escape de Eltrons
7 - Principais Caractersticas de um XPS

II - INSTRUMENTAO:
1 - Consideraes Experimentais
2 - Preparao da Amostra
3 - Introduzindo a Amostra
4 - Amostras Sujas: Como Limpar as Amostras para Extrair Dados
teis
5 - Condies de Vcuo
6 - O Bombeamento
7 - Canho de ons
8 - Fonte de Excitao
9 - Analisador
10 - Detetor
11 - Processamento de Dados

III ANLISE:
1 - Quais informaes podemos obter dos nveis internos num
espectro XPS

2 - Quais so as vantagens de se usar o XPS para anlise de superfcie

3 - Aquisio de Dados
4 - Interpretao dos Espectros
5 - Anlise de Dados
6 - Erro de Analise
7 - Quantificao em XPS
8 - Exigncias para as Amostras
9 - Informaes Suplementares

IV - COMPARAES COM OUTROS MTODOS:

1 - Como a substncia qumica troca informaes com o XPS
comparado com outras tcnicas de anlise de superfcie
2 - Outras diferenas importantes entre analises com AES e XPS

V - ALGUMAS APLICACES NA MICROELETRNICA:

1. Aplicao em Siliceto/Metal
2. ADXPS de Nitreto de Silcio

VI - SITUAO ATUAL DO XPS

1 - O Sistema SAGE 300

VII - BIBL IOGRAFIA

I GENERALIDADES:

1 - Introduo:

Corroso, falha de adeso e corte eltrico so algumas das causas mais

comuns de falhas em dispositivos microeletrnicos e em muitos casos, estas
falhas ocorrem porque a superfcie dos dispositivos so expostos a condies
imprprias.
Uma das tcnicas usadas para estudar e medir a composio qumica da
estrutura das camadas superficiais o ESCA ( electron spectroscopy for chemical
analysis ), tambm chamado de XPS ( x-ray photoelectron spectroscopy ). A figura
I.1, mostra os fenmenos fsicos e as propriedades relacionadas com a
profundidade na qual eles ocorrem.

Figura I.1
4

Os dispositivos eletrnicos tornam-se cada vez menores, e com isso, o

tamanho da regio a ser analisada tambm diminui. Desta forma, os problemas
para identificao tornam-se proporcionalmente maiores com a diminuio dos
dispositivos.
O ESCA usado principalmente nos seguintes campos de aplicao:
corroso, catalise, materiais, semicondutores, polmeros e fundamentalmente
investigao.
O processo fotoeltrico um processo de interao direta do fton com o
tomo. Este referido como UPS quando luzes ultravioleta incidem na amostra, e
XPS quando so usados raios-x, por esse motivo, em anlise de materiais, a
escala de energia do fton que interessa corresponde a regio ultravioleta do raiox. A figura I.2 mostra um grfico de energia, comprimento de onda do espectro de
ondas eletromagnticas.

FIGURA I.2 - Grfico de energia, comprimento de onda do espectro de ondas

eletromagnticas
Na prtica se estende de 10 eV, prximo a energia ligante ( 13,6 eV ) do
eltron num tomo de hidrognio, at energias em torno de 0,1 MeV. Nessas
energias, ftons podem penetrar no slido e interagir com os eltrons no interior
da superfcie. Ftons de baixa energia so utilizados para estabelecer o espectro
visvel, associado a eltrons fracamente ligados mais externos. Esses eltrons
mais externos esto envolvidos na ligao qumica e no esto associados com

nenhum tomo especifico e consequentemente no so teis para identificao do

elemento.
A espectroscopia do fton - induzido vem tendo o maior avano devido ao
advento dos eltrons sncronos, aos quais produzem uma intensa fonte de ftons
monocromticos sobre uma ampla faixa de energia. Alguns laboratrios produzem
raios-x na regio de 1 - 15KeV.

2 - Evoluo do XPS:

O XPS / ESCA s comeou a ser usado a partir dos anos 50, apesar dos
estudos sobre fotoemisso terem sido iniciados no incio do sculo. Esta tcnica
s passou a ser utilizada com o aperfeioamento dos sistemas de bombeamento
de UHV ( vcuo ultra alto ), sendo que pesquisadores dirigidos por Siegbahn,
fizeram as primeiras medidas de energia de eltrons liberados por irradiao de
raio-x. Este grupo mostrou, numa srie de publicaes, que o XPS podia ser
usado para identificar no apenas elementos qumicos, mas tambm, compostos
qumicos . Mais tarde, foi descoberto que os fotoeltrons de energia mais baixa
emergiam das camadas mais superficiais dos materiais slidos.
Com essas descobertas, comearam a aparecer os sistemas comerciais de
XPS no final dos anos 60 e incio

dos anos 70, com a funo de medir as

propriedades dos slidos. Exemplos de medidas precisas de picos de fotoeltrons

demostraram a habilidade e inabilidade para caracterizar filmes finos. Uma
abordagem sobre o estado-da-arte em instrumentao proporcionar uma noo
correta da energia de UHV e da manipulao das amostras.

3 - Aplicaes Tpicas:

Anlise de contaminao de filmes finos

Medida de composio elementar de materiais isolantes (por exemplo polmeros,
vidros)
Identificao do estado qumico de elementos (por exemplo metal ou xido)
Estimao quantitativa de camadas finas de isolante

4 - Principio Fsico de Funcionamento do ESCA:

A analise de superfcie de um material realizada pelo XPS/ESCA atravs

da analise de energia de eltrons emitidos de uma amostra atingida por raios-x
monoenegticos. Raios-x Mg K ( 1253,6 eV ) ou Al K ( 1486,6 eV ) so os
comumente utilizados. Estes ftons tem uma fora de penetrao no slido,
limitada na ordem de 1 a 10 micrmetros. Eles interagem com os tomos na
regio da superfcie, pelo efeito fotoeltrico, causando a emisso de eltrons.
Esta emisso de eltrons tem a energia cintica dada pela frmula:
KE = h - EB - sp , onde:
KE = energia cintica
h = constante de Planck
= freqncia
h = energia do fton
EB = energia de ligao
sp = funo de trabalho do espectrmetro
Na figura abaixo, podemos ver um grfico mostrando esse efeito:

Figura I.3

A energia de ligao pode ser considerada como a energia de ionizao do

tomo. O ESCA reproduz diretamente a estrutura a nvel eletrnico, desde as
camadas mais internas at a superfcie atmica. Todos os elementos, desde o
Ltio at o mais pesado, podem ser analisados, mesmo que os elementos sejam
s uma parte de um composto qumico.
As energias cinticas do fotoeltron e do eltron Auger so caractersticas
de cada elemento; assim a distribuio de energia dos eltrons emitidos revela
todos os elementos presentes na superfcie com exceo de H. Na figura I.4 podese observar a intensidade em funo da energia cintica dos eltrons como
resultado de uma incidncia de raios-x:
- o "background" sobre o lado de baixa energia mais alto,
-

h pequenos picos presentes.

Figura I.4 Grfico de Intensidade (vertical ) X Energia (horizontal)

Estes ltimos so fotoeltrons que perderam energia durante o caminho
superfcie. Posto que o caminho livre mdio desde sua origem at uma coliso

inelstica extremamente curto, os eltrons que escapam sem perda de energia

devem ter-se originado em uma camada muito fina de no mximo 3 , chamada
profundidade de escape, ver figura I.5. A profundidade de escape em funo da
energia mostrado na figura I.6. Quando um eltron de valncia removido da
ligao qumica, os eltrons que permanecem so atrados mais firmemente pelo
ncleo. Isto leva a um incremento da Eb das camadas mais internas. As medidas
desta "variao qumica" permitem a determinao do estado de tal tomo.

Figura I.5 Profundidade de escape X Energia

Figura I.6 Profundidade

Para uma determinao quantitativa da composio, se integra a rea de

pico depois de subtrair o "background", ver figura I.7. Essas reas so divididas
por fatores de sensibilidade elementar relativa os quais tm que ser obtidos de
compostos conhecidos estequiomtricamente, ver figura I.8. Para uma amostra
que homognea dentro do volume analisado se obtm precises de 5 a 20%.

10

Figura I.7

Figura I.8
11

5 - Emisso de Eltrons:

Fotoeltrons so emitidos no processo fotoeltrico e eltrons Auger so

emitidos devido ao relaxamento dos ons energticos que sobram aps a
fotoemisso. Ver figura I.9.
Esta emisso do eltron Auger, ocorre aproximadamente 10 - 14 segundos
aps o evento fotoeltrico. A emisso de um fton de raio-x fluorescente um
processo insignificante na escala de energia, ocorrendo pelo menos de 1% em
cada vez.
No processo Auger, um eltron cai dentro da vaga orbital interna, e um
segundo eltron emitido, carregando o excesso de energia. O eltron Auger
possui energia cintica igual a diferena entre a energia do on inicial e a dupla
carga do on final, e independente do modo de ionizao inicial. certo que as
energias dos eltrons emitidos no podem exceder

a energia dos ftons

ionizastes.

Figura I.9 Principio da Fotoemisso

12

6 Profundidade de Escape de Eltrons:

A faixa de energia cintica aproveitvel dos fotoeltrons excitados por

radiaes caractersticas de andos de raio-x de magnsio e alumnio est entre
cerca de 100 - 1400 eV (da mesma forma que a faixa de energia cintica mais til
de eltrons Auger est entre 50-2500 eV). Estas energias de eltrons so
geralmente consideradas consistentes com a alta seco reta de espalhamento
nos slidos (Figura I.10). Assim, eltrons nesta faixa de energia devem se originar
prximo da superfcie. A figura I.10 apresenta alguns resultados da profundidade
de escape mdio de eltrons (Auger ou fotoeltrons) em funo da energia
cintica [3]. Na faixa de energia de interesse o alcance da profundidade de escape
e de uma a dez monocamadas.
Devemos notar, entretanto, que o espalhamento de eltrons dependente
da densidade de eltrons do material slido, bem como da energia cintica. 0
termo "Anlise de Superfcie" far referncia neste texto as primeiras camadas
atmicas de um material ou a monocamadas em interfaces (Figura I.11).

Figura I.10 - Medidas Experimentais da Profundidade de escape de eltrons

13

Figura I.11 Regime de anlise de superfcie, filme fino e anlise de

volume

14

7 - Principais Caractersticas de um XPS:

Disponibilidade comercial

Muito grande

Anlise de dados

Biblioteca de dados grande e avanada

Facilidade de Uso

Fcil e muito rpido

Danos de excitao

Mnimas

Informao

Qumica, Elementar

Anlise detalhada

Com alguns limites

Vantagem principal

Anlise espacial

Desvantagem principal

Baixa Resoluo Espacial

Popularidade

Grande

Quantificao

Melhor que +/- 10%

Reproducibilidade

Alta (erro de 1%)

Profundidade de amostragem

3 - 10 nm.

Resoluo Espacial

Normalmente 1 - 5 mm, Melhor 5 micro m.

Sensibilidade

0.3 - 0.5%, Pequenas Fraes de monocamadas

Preparao da Amostra

Fcil

Carregamento da Superfcie

Em materiais no condutores, Sim.

Estado da Arte

Avanado, Estabelecido

Exigncias de Vcuo

UHV

Gama de Elementos

Todos, menos H e He

Destrutivo?

Anlise elementar

No, mas alguns danos ocorrem em materiais

sensveis ao raio-x
Sim,

Semi-quantitativa

sem

padronizaes;

Quantitativa com padronizaes

Informao da Estrutura Qumica Sim

Profundidade Analisada

5 - 50 Angstroms.

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Profundidade de Perfil

Resoluo de profundidade
Resoluo lateral

Sim,

acima

de

50

Angstroms.

Maiores

profundidades requerem sputter do perfil

Algumas dezenas de Angstroms; dependendo de
condies
5 mm 75 micro m;
Materiais compatveis ao vcuo;

Exigncias das Amostras

Amostras planas ;
Tamanho aceitado depende de instrumento de
particular usado.

Usos principais

Custo
Tamanho

Determinao da composio do estado qumico

elementar no mximo em 30 Angstroms.
$

200.000

1.000.000;

dependendo

das

capacidades
10' X 12'

16

II - INSTRUMENTAO

Instrumentos de XPS consistem em uma fonte de raio-x, um analisador de

energia para o fotoeltrons, e um detetor de eltron. A anlise para identificao
de fotoeltrons requerer que a amostra seja colocada em uma cmara de alto
vcuo. Considerando que a energia de fotoeltron depende de energia do raio-x, a
fonte de excitao deve ser monocromtica. A energia do fotoeltron analisada
por um analisador eletrosttico, e o fotoeltrons so identificados por um tubo
multiplicador de eltron ou um detetor multicanal.

Figura II.1 Elementos bsicos de um XPS

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1 - Consideraes Experimentais:

Os processos bsicos de interesse em espectropia de fotoeltrons so a

absoro de um quantum de energia h e a ejeo de um eltron, o fotoeltron,
cuja energia cintica, referente a uma energia zero est relacionada energia de
ligao de um eltron no tomo alvo.
Neste processo, um fton incidente transfere sua energia total para o
eltron ligado e a identificao do elemento determinada pela medida da energia
dos eltrons que escapam da amostra sem perda de energia.
Como indicado na figura II.2, a espectropia de fotoeltrons requer uma fonte
de radiao monocromtica e um espectrmetro de eltron. Como comum para
toda espectroscopia de eltron onde a profundidade de escape 10-20 , so
requeridos cuidados na preparao da amostra e do sistema de vcuo puro.

Figura II.2

18

2 - Preparao da Amostra:

A maior parte da preparao que ocorre antes da insero no

espectrmetro destinada a preparar uma amostra em um manipulador, deste
modo, a superfcie a ser estudada apresentada para anlise com mnima
contaminao.
Mtodos de moldagem da amostra variam de amostra para amostra e de
um laboratrio para outro, e esto freqentemente sujeitos ao fator humano. O
lugar onde as amostras vo ser analisadas esto normalmente na temperatura
ambiente, isto , no requerem qualquer tipo de exigncias de aquecimento ou
esfriamento.
Espectrmetros modernos fornecem um porta amostra padro cujo tipo
varia com o fabricante, mas todos tem duas coisas em comum.
Primeiramente, eles tem aspectos tais como: canais ou ranhuras que os
permitem ser transferidos do sistema manipulador de insero e posteriormente,
existe uma rea plana na qual a amostra realmente colocada.
A diferena aparece na maneira pela qual as amostras formadas
inadequadamente podem ser fixadas nesta rea, de modo que os materiais
usados para fixar no interfiram na anlise da superfcie da amostra. Amostras
planas so sempre mais fceis, se o lado contrrio no de interesse, elas podem
ficar imobilizadas no porta amostra com uma gota de metanol o qual seca
rapidamente e as segura firmemente mesmo aps secagem.
A montagem de amostras formadas irregularmente uma funo da
geometria da amostra individual. Em alguns casos, a amostra pode ser presa de
forma suficientemente firme contra o porta amostra com uma tira simples de algum
metal malevel tal como nquel, o qual pode ser moldado para a forma da
amostra. O final da tira pode tambm ser ponto de fixao no porta amostra ou
fixado sobre os parafusos.
Em outros casos, pode ser necessrio envolver a amostra em folha de
metal, freqentemente de platina, deixando a superfcie de interesse exposta.

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Podem surgir alguns problemas com ps. Se eles no podem ser, ou no

devem ser prensados ou compactados, eles podem ser colocados soltos, em um
encaixe qualquer fixado a um carregador ou parte de um carregador modificado,
mas existem alguns riscos. Se a despressurizao inicial da presso atmosfrica
se realiza muito rapidamente, distribuir muito p ao redor do sistema de vcuo.
mais provvel que o p caia quando o carregador for movido ou transferido de
uma parte do espectrmetro para outra. Em algumas configuraes do
espectrmetro, a superfcie analisada deve ser inclinada a um ngulo de pelo
menos 30, a qual novamente deve conduzir distribuio do p dentro do
sistema. Um meio recomendado de " fixar " um p para anlise distribuir um
pouco do p sobre um pedao de folha de ndio, obtendo uma cobertura
aproximadamente uniforme e ento pressionar cuidadosamente para baixo a
camada do p com um pedao de metal limpo, duro, tal como molibdnio ou
tungstnio. Ento a quantidade suficiente do p se torna embutida na superfcie do
ndio para dar uma superfcie contnua para anlise, e o excesso do p pode ser
retirado. Este mtodo tem a vantagem adicional que a proximidade do ndio reduz
efeitos de carregamento de superfcie, a qual pode ser rigoroso na anlise de p
soltos.
Na situao mais complicada onde a amostra tem que ser aquecida ou
esfriada, antes ou durante a anlise, geralmente a montagem da amostra
necessita de maior preciso. Os programas experimentais envolvendo tais
anlises sero de perodo mais longo do que aquelas, nas quais, as amostras so
transferidas

aos

carregadores.

As

amostras

so

portanto,

montadas

individualmente e diretamente no manipulador em vez de ser transferido para ele.

O aquecimento fornecido indiretamente a um filamento quente, isolado
sobre o substrato que est apoiando a amostra e o esfriamento por passagem de
nitrognio lquido para dentro de um tanque, a qual o substrato conectado por
uma fita de cobre.
Em geral conveniente usar uma sonda ou ligao destinada a um ou
outro, desde que a sonda duplamente proposta tenha limitaes inerentes nas
temperaturas que ela pode atuar. Como a temperatura atual alcanada por uma

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amostra durante cada aquecimento ou resfriamento depende muito da extenso

de contato trmico entre a amostra e o substrato, sempre conveniente (se puder
ser feito sem danificar a amostra), colocar um termopar diretamente a ele, melhor
do que contar com um termopar colocado no substrato. Alternativamente, uma
amostra simulada pode ser usada no princpio, de modo que uma calibrao da
temperatura do substrato pode ser obtida em termos da temperatura atual da
amostra.
Um dos aspectos crticos do mtodo de aquecimento da amostra, isto , por
conduo de um substrato aquecido, que as impurezas presentes no substrato
podem tornar-se mveis altas temperaturas e contaminar a amostra.
necessrio portanto, quando a etapa de aquecimento usada primeiro, deixar por
perodos prolongados em temperaturas pr-fixadas em qualquer amostra presente
e cuidar da limpeza da superfcie do substrato. Se qualquer espcie contaminante
aparecer e persistir, deve ser removida por bombardeamento de ons. Os ciclos de
aquecimento e bombardeamento de ons dever ser continuo at que a
contaminao no reaparea no aquecimento. Em outras palavras, durante a
operao inicial, o substrato deve ser tratado como se fosse uma amostra e limpo
do mesmo modo. No trabalho experimental bsico envolvendo muitos materiais
puros, freqentemente na forma de cristais singulares, o mtodo de aquecimento
da amostra no considerado como adequado. No deveria haver possibilidade
de contaminao de qualquer material e a amostra deve ser aquecida
uniformemente. De acordo com a forma, espessura e natureza da amostra, o
aquecimento pode ser realizado pela passagem de corrente atravs da amostra,
por conduo de suportes aquecidos, por radiao de um filamento quente
adjacente ou por bombardeamento de eltrons de um filamento quente.
Geralmente, os materiais suportadores devem tambm ser o mesmo e da mesma
pureza como aquela da amostra ou de um metal refratrio tal como tungstnio ou
molibdnio que pode ser purificado a uma temperatura alta antes de ser usada
como um suporte.

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3 - Introduzindo a Amostra:

A mquina de ESCA uma cmara cilndrica de aproximadamente dois ps

em dimetro, com paredes de ao slidas. Em cima da cmara est um canho de
raios-x e um canho de ons, ambos alinhado de forma a atingir a internamente a
amostra. Existe tambm um dispositivo que contm uma cmara de introduo da
amostra, conectado a uma manivela longa, usado para pegar a amostra. Atrs da
mquina est um grande detetor de eltron. A mquina fixa em uma
escrivaninha sobre a qual est conectado o computador do ESCA e vrios painis
que controlam os canhes de raio-x e de ons.
A cmara do ESCA projetada para se constantemente em baixas
presses, assim um sistema extremamente complexo de engrenagem foi
projetado para introduzir amostras na cmara sem que a condio de vcuo seja
perdida. A cmara de introduo um pequeno compartimento fixado a uma longa
manivela. Na primeira fase de introduo da amostra, a cmara de introduo est
isolada da cmara principal e bombeada com nitrognio. Enquanto a cmara
aberta, o fluxo de nitrognio impede que outros gases entrem na cmara.
Considerando que nitrognio fcil de se bombear para fora, o vapor de
gua uma substncia que tende a aderir a paredes da cmara o que torna difcil
o seu bombeamento para fora da mesma.
Aps colocar a amostra na cmara e lacrar a abertura, o prximo passo
bombear todo o ar para fora da cmara. Isto feito por meio de uma bomba
mecnica e leva no mximo alguns minutos. Ento, quando uma presso muito
baixa atingida, o passo final abrir a cmara at a cmara principal e posicionar
a amostra.
Aqui a amostra empurrada para dentro da cmara principal e fixada sobre
um dispositivo que a prende. Esto dispositivo controlado por dial exteriores que
podem mudar a sua posio e seu ngulo. Considerando-se que o canho de
raios-x alinhado na posio correta, a amostra deve ser organizada a uma altura

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e ngulo especficos a fim de ser um bom alvo para os raios-x incidentes. O

canho de raios-x um feixe largo, assim bastante fcil de atingir sua amostra no
ponto certo, mas os raios tambm tendem a atingir a base, sendo que os efeitos
destes raios que atingem a base podem ser ignorados, desde que a base seja
banhada a ouro. Ao analisar os dados, a descoberta de ouro pode ser ignorada.

4 - Amostras Sujas: Como Limpar as Amostras para Extrair Dados teis:

Podemos permitir amostras sujas em nossos instrumento? Claro que, no

mundo ideal, isso no permitido. Porm, o mundo est longe do ideal, assim ns
temos que analisar amostras, mesmo que estejam sujas. Levando em conta que
devemos identificar quais so os elementos que esto contaminando a amostra,
varias tcnicas foram produzidas para realizar a remoo das mesmas, entre elas
temos: solventes, substncias qumicas, protoplasmas, laser, CO2, etc. Devemos
ento escolher o melhor mtodo para cada caso, lembrando da importncia de
estar atento aos efeitos que podem ser causados nas estruturas qumicas da
nossa amostra, causado pelo mtodo escolhido.
Uma tcnica a ser utilizada para essa limpeza, poderia ser o uso de fluxos
de gs para remover contaminao de partculas da superfcie. Soprando a
amostra com a boca era um maneira certa para introduzir contaminao adicional
sobre a superfcie de amostra e certos tipos de spray eram bem capazes de
introduzir camadas de carbono sobre a amostra. Uma soluo para isso usar N2
seco.
O uso de solventes mostrou vrios tipos de efeitos nas superfcies das
amostra. A contaminao introduzida , ou a oxidao da superfcie mostrou ser
dependente do tipo particular de solvente orgnico usado e do grau selecionado.
Acetona um dos piores solventes orgnicos, deixando muitos resduos para trs.
Se a utilizao da acetona imprescindvel, ento deve-se realizar uma limpeza
adicional com metanol. Preocupaes ambientais tambm esto agora fazendo

23

limitaes na escolha dos solventes. Voltando a levar em conta o mundo ideal,

ns deveramos estudar a fundo o melhor tipo de solvente mais apropriado para
realizar a remoo de alguma contaminao particular e ter efeitos mnimos nos
resultados obtidos. Isto, entretanto, normalmente impedido por falta de tempo e
dinheiro.
Foi mostrado um laser de baixa potncia, capaz efetuar uma remoo
seletiva de camadas orgnicas de metais e materiais polmeros, contudo era
necessrio muito tempo e esforo para calibrar este sistema.
Podemos concluir que devemos lembrar que todo os mtodos de limpeza
tm um efeito na amostra, e muito importante entender os possveis efeitos de
qualquer limpeza nos resultados.

5 - Condies de Vcuo:

O fato de XPS ser uma tcnica sensvel a superfcie, implica que as

medidas devem ser feitas em um ambiente inerte que no altere a superfcie
qumica. Tipicamente este ambiente e obtido em sistemas de UHV que so
capazes de atingir l0-10 Torr depois de um baking no sistema (onde o sistema
mantm-se aquecido a cerca de l00 graus Celsius durante aproximadamente l0
horas). Cmaras com sistema de bombeamento inico e com sistemas para
introduo de amostras alcanam presses menores de 10-10 Torr minutos depois
da introduo da amostra. Tambm necessrio remover gases inertes (e.g.
Argnio) depois de se fazer uma corroso inica (sputtering) ou manter a presso
em torno de aproximadamente l0-l0 Torr com o uso de canhes de ons (a ser
discutido) providos com bombeamento de vcuo diferencial. As condies ideais
se obtm usando-se as chamadas bombas secas: inica, de sublimao,
turbomoleculares, criognicas e de sorpo. Os problemas relacionados com
contaminao ficam mais claros, notando-se que, se cada tomo de gs residual

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que se choca com a superfcie da amostra for absorvido, uma monocamada (3 a 5

) criada em um intervalo de tempo da ordem de 1 segundo 141.

6 - O Bombeamento:

Introduzindo uma amostra na mquina, quando feito corretamente, ainda

permite uma quantia pequena de contaminantes na cmara principal. Esta rea
est sendo constantemente bombeada at a mais baixa presso possvel.
Enquanto a cmara de introduo utiliza uma bomba mecnica, a cmara
principal utiliza em uma bomba de ons.
O objetivo principal bombeando da mquina retirar molculas de gs que
estejam vagando na cmara.
A bomba de ons atira eltrons na cmara e carrega estas partculas. Ento,
um campo eltrico aplicado, e arranca as partculas ionizadas da cmara. Gases
esto constantemente vazando de um lugar para. Molculas livres so fceis de
serem retiradas, mas vapor de gua, graxa, e outros contaminantes podem aderir
nas paredes e na amostra, e so inflexveis para a bomba. Porm, se a amostra
est limpa e a introduo foi executada corretamente, a bomba de ons dever
baixar a presso para at 10-10 torr em questo de minutos. Esta presso
absolutamente necessria para executar experincias precisas.
Quando ESCA tambm torna-se contaminado, a bomba j no pode levar a
cmara at presses aceitveis. Neste caso, um a mquina deve ser aquecida por
fora. Este aquecimento um processo longo e frustrante no qual a cmara
aquecida e as substncias contaminantes evaporam e so bombeadas para fora
da mquina.

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7 - Canho de ons:

sempre desejvel a possibilidade de limpeza da amostra no ambiente de

anlise sob vcuo. Uma importante ferramenta para isso o canho de ons para
corroso inica. O canho acelera ons de gs nobre como o Ar que incide sobre a
amostra provocando eroso na mesma. Este processo, denominado sputtering,
permite tambm o estudo de perfis e interfaces.

8 - Fonte de Excitao:

Uma fonte bsica de raios-x consiste num filamento aquecido (catdo)

emissor de eltrons. Estes eltrons so acelerados para um ando slido,
usualmente resfriado a gua. Pelo bombardeamento de eltrons, criam-se lacunas
nos nveis mais internos dos tomos do ando. Esses buracos so preenchidos
por transies radiativas de nveis mais altos para os mais baixos com emisso de
raios-x. Em geral so emitidas vrias linhas do espectro de raios-x pelo material e
a largura destas linhas tambm variam. Os materiais mais usados como ando
so Al e Mg. Nesses elementos, transies eletrnicas do tipo 2p3/2 ==> 1s e
2pl/2 ==> 1s resultam nas linhas Kl - K2, cujas energias e larguras so
respectivamente:
MgKal,2: 1253,6 eV; 0,7 eV
AlKal,2: 1486,6 eV; 0,8 eV

26

Figura II.3 - Fonte de raios-x

Algumas fontes de raios-x disponveis comercialmente so do tipo que
possuem dois filamentos [5] para o bombardeamento de eltrons duas superfcies
de andos, uma de magnsio e outra de alumnio, bem como de outras
combinaes de andos para trabalho em faixas e larguras de energia especficas
(Y, Zn, Nb, Mo, Ti, Cr, Ni, Cu, Si, etc.). O uso de monocromadores de raios-x
permite estreitamento das larguras das linhas, melhora o sinal/backgroud,
eliminando linhas satlites que confundem a interpretao dos espectros.

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9 - Analisador:

O analisador , essencialmente, um "filtro" de energia. A amostra excitada

por raios-x, pode emitir eltrons de qualquer orbital cuja energia menor que hv.
Torna-se ento necessrio selecionar esses eltrons em energia. Isto feito
atravs do analisador. Devido a baixa energia cintica dos eltrons a serem
analisados, e porque campos magnticos so difceis de produzir em UHV, os
analisadores so principalmente do tipo eletrosttico. Os dois mais importantes
so o analisador de espelhos cilndricos (CMA) e o analisador de capacitor
esfrico (SCA). Ambos so dispersivos, o que quer dizer que a ao de um campo
eletrosttico defletor dispersa os eltrons em energia, de tal modo que sob um
dado campo so medidos aqueles com energia dentro numa pequena faixa.
Devido a sua alta transmisso e moderada resoluo em energia bem como sua
geometria coaxial, o CMA tem sido atualmente a primeira escolha para AES
(Espectroscopia por Eltrons Auger), enquanto o SCA sempre preferido para
XPS, devido, particularmente com a adio de lentes, ele pode manter adequada
luminosidade e alta resoluo em energia. As figuras II.4 e II.5

mostram os

diagramas eletrnicos dos analisadores CMA e SCA.

Figura II.4 Esquema eletrnico do CMA (Analisador de Espelhos Cilndricos)

28

Figura II.5 Esquema eletrnico do SCA (Analisador de Capacitor Esfrico)

29

10 - Detetor:

Os eltrons que atravessam o analisador podem estar focados em uma

nica fenda ou em vrias, aps cada fenda haver um elemento detetor (ex:
channeltron) e depois deste multiplicadores, amplificadores e discriminadores [6].
O detetor pode ser de grande rea til e ter vrios canais de processo de sinais
(Multichannel Detector) que permitem taxa maior de contagem (pode detectar
simultaneamente uma faixa de energia de l0 ev ou mais) e sensibilidade elevada,
reduzindo tempo de anlise (menos de l0 segundos).
A multiplicidade de canais permite manter alta resoluo, o que melhora o
sinal/rudo.

11 - Processamento de Dados:

Uma das grandes importncias da pesquisas com XPS a determinao de

ligaes qumicas das superfcies atravs de medidas precisas das energias de
pico dos fotoeltrons.
Numa viso prtica, podemos considerar que as camadas eletrnicas mais
externas, dividem-se entre os tomos ligados quimicamente. Para compensar
estas mudanas na distribuio da carga atmica durante a ligao, os eltron das
camadas mais internas, sofrem pequenas mudanas de energia (shift). Assim,
podemos relacionar a energia de ligao de estados qumicos especficos com a
determinao precisa do pico fotoeltrico de um composto conhecido.
Atualmente os sistemas incorporam computadores principalmente para
remodelamento das curvas. Em sistemas de medidas digitais conveniente incluir
rotinas tais como aplainamento, diferenciao, deconvoluo, e ajuste. Algumas
destas sub-rotinas tipo ajuste e deconvoluo, podem dar significantes
contribuies a medidas de picos precisas. Por exemplo, a figura II.6 uma curva
ajustada por computador para o espectro do carbono 1s de terafilato de
polietileno. Esta rotina matemtica resolve completamente trs picos associados
com trs diferentes estados ligados do carbono.

30

Figura II.6 Curva ajustada do espectro de carbono 1s

A figura II.7 mostra a distribuio dos diversos instrumentos num
espectrmetro padro. Alm do processamento dos dados, o computador controla
os instrumentos.

Figura II.7 :
1 fonte de raio-x ;
2 analisador e detetor;
3 eletro-multiplicadora;
4 canho de ons;
5 estgio de amostras;
6 impressora;
7 eletrnica de controle;
8 sistema de UHV.

31

III - ANLISE

1 - Quais informaes podemos obter dos nveis internos num espectro XPS:

As informaes que podem ser obtidas do nvel interno num espectro de XPS so:
A energia que liga os eltrons internos;
Os nveis de energia para os eltrons de valncia;
A distribuio de eltrons desemparelhados, e estados de spin;
. Identificao de caractersticas estruturais;
Estudos dependentes do angulo dos nveis de ligao de um sinal devido a faltas
de homogeneidade na superfcie e subsuperfcie de uma amostra.

2 - Quais so as vantagens de se usar o XPS para anlise de superfcie:

As vantagens de se usar uma XPS para anlise de superfcie, so:

O comportamento sobre toda superfcie pode ser estudado pela microanlise;
As camadas da superfcie podem ser perfiladas com respeito a profundidade;
Perfis prximos a superfcie podem ser obtidos com a ajuda da variao do
angulo de partida;
O uso analtico de ESCA para maiores profundidades pode ser feito com a ajuda
de corroso de ons;
Quando uma molcula for absorvida em uma superfcie, est molcula pode
estar em vrios ambientes com substncias qumicas diferentes. A natureza e
populao destes locais de absoro diferentes, variaro com parmetros como
presso, carregamento e temperatura da amostra. Estas variaes podem ser
estudadas com o auxilio do ESCA;
Coleta de dados rpida e instrumentao relativamente simples
Disponibilidade de uma gama extensa de espectros de referncia para materiais
diferentes

32

 Tratamento terico bem desenvolvido

Sensvel a todos os elementos (menos H e He)
Fotoemisso angular no destrutivo
Permite identificar diferentes mudanas qumicas de estados de oxidao formal

3 - Aquisio de Dados:

O computador do ESCA roda vrios programas para adquirir dados. A

primeira varredura da amostra ir detectar eltrons com uma energia de ligao
entre 0 e 1000 eV. Estes grficos mostram um fundo mais ou menos constante
com picos fortes onde foram detectados os fotoeltrons e os eltrons Auger da
amostra. Comparando as posies de pico com quadros do manual do ESCA, os
picos podem ser identificados como vindo de elementos particulares e eltrons de
orbitais particulares. Este espectro uma boa avaliao da superfcie e mostrar
todos os elementos que esto dentro da amostra, da base, e qualquer
contaminante que esteja em grande quantidade na superfcie da amostra.
Depois da primeira varredura, a amostra pode ser atingida com um canho
de ons. Este canho ioniza tomos de argnio e os arremessa na amostra. Este
feixe de ons forte o bastante para retirar uma camada grossa da superfcie da
amostra para fora, eliminando muito da contaminao e expondo uma superfcie
nova. Depois de atingir durante quinze minutos a amostra, picos de contaminantes
desaparecem ou diminuem, e os pico desejados ficam mais fortes.
A outra varredura chamada de aquisio de multiplex. Este capta uma
gama pequena de energias, normalmente 20 ou 40 eV, e adquire um espectro de
varredura mais detalhado dos picos selecionados.

33

4 - Interpretao dos Espectros:

Um dos fatores chave no desenvolvimento de XPS e Auger como tcnica

analtica tem sido o progresso feito na quantificao das medidas [7]. Isto talvez
no seja surpreendente uma vez que a superfcie ou interface e a entidade
qumica mais complexa do slido. Na quantificao de XPS e Auger, parmetros
tais como seco reta de excitao, dependncia da profundidade de escape com
a energia, funo de transmisso do analisador e inomogeneidade qumica e
fsica, devem ser levados em conta. A Figura III.1 e um esquema de trs
diferentes misturas de elementos A e B que produzem um espectro de eltrons tal
que os picos eletrnicos associados com A e B so de igual intensidade. No caso
descrito, as trs condies que poderiam produzir o espectro de eltrons
apresentado, so: (1) a distribuio homognea de A e B; (2) uma camada fina de
A sobre um substrato de B e (3) microestruturas de A dispersas em uma matriz de
B. Para simplificar, apenas a condio (1) ser considerada na discusso
seguinte.

Figura III.1 Representao esquemtico dos trs tipos de misturas slidas

34

5 - Anlise de Dados:

O primeiro objetivo em uma experincia com ESCA determinar a

composio do amostra. Isto pode ser feito pela simples identificao dos maiores
picos apresentados na varredura. Porm, pode-se tambm achar a concentrao
de cada elemento na superfcie. Para fazer isto, a varredura multiplex pode ser
importada de um programa de computador chamado Origin. Com este programa,
possvel integrar cada pico e achar a rea. Pela soma das reas dos picos de
cada elemento e comparando os nmeros, as concentraes relativas podem ser
encontradas.
Agora, este nmero no necessariamente " nmero de concentrao de
tomos. Esses nmeros podem refletir a reao ao corte transversal de cada
tomo, a sensibilidade para raios-x, e as concentraes na superfcie cristalina.

Figura III.2 Tela do computador aps uma medio

35

6 - Erro de Analise:

A seguir esto descritos alguns fatores que podem causar erros nos
clculos.
A molcula de tantalato de potssio contm trs tomos de oxignio.
Infelizmente, ESCA tambm capas de detectar gs de oxignio, como
tambm o oxignio em vapor de gua e gs carbnico que comumente
contaminam superfcies.
O ESCA no pode relatar a diferena entre os diferentes tipos de oxignio,
assim o nico modo para realizar uma deteco precisa de oxignio ter certeza
de que a superfcie esta limpa o suficiente e que a cmara principal bombeou
satisfatoriamente para minimizar que outros tipos de oxignio sejam detectados.

7 - Quantificao em XPS:

A expresso que relaciona o pico da corrente de fotoeltron (Ip) ao nmero

de tomos por unidade de volume (n) e:
Ip = k n L
onde k uma constante, v a seco reta de fotoeltron, A a profundidade de
escape dos eltrons e L a luminosidade do analisador. Scofield [1] calculou
valores para a seco reta de fotoeltrons e estes clculos podem ser aplicados
diretamente para a maioria dos analisadores de energia eletrostticos com ptica
de grade de retardo, a luminosidade L Eke-1. A partir dos clculos de Penn e
medidas experimentais como as representadas na figura III.3, a dependncia da
energia de profundidade de escape do eltron pode ser aproximada por 0.75
EKE.

36

Figura III.3 Dependncia da profundidade de escape de eltrons em

funo da energia

A seco reta de fotoeltrons calculada por Scofield poderia ser comparada

como um teste a valores experimentais usando a expresso:
(vl / v2) + (Ipl / Ip2) X (El / E2)0,25
onde 1 e 2 so respectivamente amostra e referncia.
Tal comparao feita na TABELA I.
Definindo um fator de sensibilidade de elementos Sx com a expresso
Sx = k x Ex0,25
a concentrao atmica ou frao Cx torna-se
Cx = (Ix/Sx)/[Somi (Ii/Si)]
onde i o somatrio de todos os elementos.

37

TABELA I
Comparao de Seces Retas Tericas e Experimentais.
1/2

1/2

(Scofield)

(medidas)

Magnsio

2p/1s

(ando de Al)

0,030

0,033

Cobre

3p/2p3/2

(ando de Mg)

0,144

0,146

Zinco

3d/2p3/2

(ando de Mg)

0,050

0,054

Germnio

3d/3p3/2

(ando de Al)

0,066

0,071

Glio

3d/2p3/2

(ando de Al)

0,051

0,060

Arsnico

3d/2p3/2

(ando de Al)

0,067

0,068

Um exemplo da determinao da concentrao atmica usando esta

formulao dado na TABELA II. Valores de fatores de sensibilidade atmica so
dados na TABELA III e esto publicados no "Handbook of X-Ray Photoelectron
Spectroscopy".
TABELA II
Concentraes Atmicas de Polmeros
Volume

Altura do Pico

rea do Pico

Carbono

79.1

75.5

75.8

Silcio

10.5

13.2

12.8

Oxignio

10.4

11.3

11.3

Carbono

33.3

36.3

32.3

Fluoreto

66.7

63.7

67.7

Silicone

Teflon

38

TABELA III

39

8 - Exigncias para as Amostras:

Tamanho da amostra - no pode exceder 1 " (25 mm) em qualquer direo

lateral. Altura no deve exceder " (12 mm).
Compatibilidade da amostra - deve ser compatvel com ambiente de alto vcuo
(1x10-10 Torr).
Todas as amostras so bombeadas antes de introduo na cmara de alto
vcuo, na cmara de travamento da amostra. O tempo de introduo das
amostras na cmara de alto vcuo de 3 min.

9 - Informaes Suplementares:

Tempo tpico da anlise - h. Perfis de profundidade podem levar mais

tempo, dependendo da profundidade total que analisada.
Reproducibilidade - 10% de erro relativo (erro estimado em anlises
repetidas), 20% de erro absoluto (erro entre anlise e reconhecimento padro).
rea mnima de anlise - 200 mm.
Resoluo angular das medidas est na faixa entre 10 a 80.

Figura III.3 Dependncia Angular

40

IV - COMPARAES COM OUTROS MTODOS

1 - Como a substncia qumica troca informaes com o XPS comparado

com outras tcnicas de anlise de superfcie:

O efeito de troca qumica a outra caracterstica que faz do XPS uma

tcnica aparte com relao a outras tcnicas de caracterizao de superfcie
conhecidas. Uma diminuio na densidade de eltrons na regio de valncia ao
redor de um tomo de uma molcula, produz um aumento na energia de ligao
dos eltrons internos. Assim, a mudana na energia de ligao pode ser
interpretada prontamente em termos de conceitos qumicos bem definidos.
Freqentemente, a aplicao rudimentar da intuio qumica, normalmente
suficiente para a interpretao de mudanas qumicas em XPS. Mudanas
qumicas so mais difceis interpretar em AES.

2 - Outras diferenas importantes entre analises com AES e XPS:

As diferenas mais importantes so explicadas abaixo:

AES tem uma profundidade de fuga menor, desde que os eltrons Auger
tenham energias mais baixas.
Identificao Elementar Rpida: AES tem uma alta taxa de contagem,
consequentemente a tcnica mais rpida. Claro que, a velocidade de
identificao tambm depende da projeo do eltron analisado, do corte
transversal de ionizao e do fluxo do feixe primrio.
O analisador de eltron no AES tem a resoluo sacrificada para
sensibilidade alta. Em XPS, o analisador de eltron (normalmente um
analisador hemisfrico) tem o sinal sacrificado para alta resoluo. O

41

analisador em XPS usa uma tcnica de pr-retardamento, e

consequentemente a transmisso somente 0.1%, considerando
que nenhum pr-retardamento usado no analisador do AES,
consequentemente dando um rendimento de cerca de 5%. Como tal,
a resoluo inerente dos espectros no alta o bastante para
justificar qualquer tentativa de melhorar a resoluo em AES.
O fluxo do feixe primrio alto em AES, comparado com o XPS.
Clculos mostram que o fluxo de fton tpicos XPS Al K da ordem
de 10e-8 . Considerando um canho de eltrons em AES acima
de 10 micro . Novamente, o feixe de eltrons tem a vantagem de
poder ser focalizado, considerando que o feixe de raio-x, enquanto
sendo um fluxo eletromagntico, difuso, e no pode ser focalizado.
Um das caractersticas importantes de XPS (ESCA), no utilizada por todas as
outras tcnicas a sua habilidade para executar medidas de anlise de superfcie
a nveis de vcuo relativamente moderados. Quando uma excitao por feixe de
eltron usada, como no AES, o UHV deve ser usado para prevenir formao de
depsitos carbonados na amostra. Porm, a natureza relativamente suave do
feixe de raios-x permite a observao de superfcies durante varias horas a nveis
de vcuo moderados. Como a grande maioria de trabalhos de anlise de
superfcie no fazem uma limpeza automtica da superfcie, o UHV uma
exigncia para XPS.

42

V - ALGUMAS APLICACES NA MICROELETRNICA

1. Aplicao em Siliceto/Metal [7]:

Duas amostras de siliceto de tntalo com propriedades eltricas diferentes

so analisadas. A Figura V.1 mostra o perfil de profundidade qumica da amostra
"boa" do siliceto sobre Si02. Foram relacionados para serem examinados alm do
oxignio e do tntalo, os estados de ligao do silcio (xido e siliceto).

Figura V.1 Perfil de Profundidade

O

perfil

de

profundidade

indica

que

filme

de

siliceto

de

aproximadamente 164 nm de espessura, e coberto por uma camada muito fina

de Si02. A presena de uma fina camada superficial de Si02 no era esperada, e
provavelmente devido a oxidao da superfcie no processo. O perfil composto
de janelas individuais para cada um dos elementos acompanhados. Examinando a
posio dos picos de energia de ligao para os elementos em funo da
profundidade de sputtering podem ser obtidas informaes condizentes com as
mudanas no ambiente qumico dos elementos em funo da profundidade de
sputtering. A figura V.2 mostra o espectro de tntalo 4f para a superfcie externa e
para o filme de siliceto de tntalo no volume da amostra. O espectro de superfcie
mostra a presena de tntalo tanto como Ta205 como siliceto de tntalo. Depois

43

de um curto perodo de corroso inica, o xido completamente removido,

revelando uma composio de siliceto de tntalo. A figura V.3 mostra o espectro
de silcio 2p tomado da superfcie mais externa e no filme de siliceto de tntalo do
volume da amostra. A superfcie externa primeiramente dixido de silcio com
uma pequena quantidade de siliceto de tntalo. Depois silcio da corroso at o
volume, o espectro de tntalo e indicam siliceto de tntalo (muito mais do que
tntalo e silcio como elementos). A amostra "ruim" mostrou uma estrutura de
siliceto de apenas 32,5 nm de espessura. A mesma estrutura fina de dixido de
silcio est presente sobre a superfcie do filme de siliceto de tntalo. As
diferenas no desempenho eltrico que caracterizou as duas metalizaes de
siliceto de tntalo so principalmente devido as diferenas na espessura do filme,
e no tanto devido as diferenas qumicas do siliceto ou dixido de silcio residual.

Figura V.2 Espectro de tntalo 4f

Figura V.3 Espectro de silcio 2p

44

2. ADXPS de Nitreto de Silcio [8]:

ADXPS (angular-dependent XPS) permite perfil de profundidade qumica

no destrutivo em estrutura finas de xido sobre superfcies de nitreto de silcio.
A figura V.4 apresenta dados de ADXPS de nitreto de silcio exposto ao ar.
A regio do silcio 2p mostra a presena de xido de silcio em 103,6 eV e nitreto
de silcio a 101, 8eV. A relao entre xido e nitreto muda no espectro XPS
enquanto o ngulo entre o plano de superfcie da amostra e o eixo do analisador
varia de 5 a 90. O xido predomina em ngulos rasos de tomada de dados,
indicando que a camada de xido forma-se sobre o topo do nitreto de silcio.
Atravs destas medidas, estima-se a espessura do xido como sendo de
aproximadamente 1 nanometro.

Figura V.4 Espectro de silcio 2p a partir de nitreto de silcio contaminado

com uma superfcie de xido em funo do ngulo de tomada dos fotoeltrons

45

VI - SITUAO ATUAL DO XPS

A tabela IV d em formato de matriz, uma viso dos mtodos de anlises de
composio referentes ao fenmeno fsico envolvido. Destacam-se os mtodos
que possuem equipamentos comerciais disponveis no mercado [5]. A tabela
seguinte (tabela V) compara diversas tcnicas no que diz respeito a quantificao
e faixa de trabalho. Os custos no esto includos pois seu principal montante no
depende diretamente da ptica do equipamento, porm de acessrios para
manipulao de amostras, anlises computacionais, cobertura de laboratrios e
pagamentos de seguros sociais [5]. Em geral a facilidade de preparao de
amostras um bom entendimento das medidas e o mais importante. Deste modo
o preo de um sistema XPS pode custar entre 300 mil dlares a 600 mil, ou a 900
mil combinando-se tcnicas. At o presente momento, o Brasil possui trs
sistemas para XPS, o primeiro deles no Instituto de Fsica da UNICAMP (prof.a.
Sandra de Castro), funciona ainda com computador que armazena os dados em
fita perfurada, o segundo (aproximadamente 5 anos) na CENPES-Petrobrs, e o
terceiro mais recente formado por equipamentos VSW montado pelo grupo de
pesquisadores da UNICAMP (Prof. Richard Landers), do Departamento de Fsica
Aplicada, podemos comparar este nmero com Auger: um na COPPE/UFRJ (Prof.
Wolfgan Losch) e outro no IPT, ambos com aproximadamente l0 anos. Quanto a
SIMS j existiu um sistema "domstico" na COPPE. Estes sistemas atendem ao
setor metalrgico, a microeletrnica e catalises, a indstria e as universidades.

46

TABELA IV

TABELA V

47

Observando-se a Figura VI.1 temos uma idia dos setores que no Brasil
esto fora das pesquisas (pelo menos nesta rea). A Figura VI.2 mostra os pases
que operam com anlise de superfcies. Estima-se 1% abaixo do equador.

Figura VI.1 Intensidade das aplicaes de analise de superfcie no setores

industriais da Gr Bretanha

48

Figura VI.2 - Pases que operam instrumentos de anlise de superfcie

49

1 - O Sistema SAGE 300:

Sistema de inspeo modular ESCA de 12".

O SAGE 300 um novo sistema de ESCA, compacto desenvolvido a partir
de conceitos bsicos do SAGE 100. O SAGE 300 um sistema ESCA para
anlise qualitativa e quantitativa, completamente automatizada, para wafers de at
12". Sua aplicao dedicada a controle de qualidade.
Caractersticas gerais:
Anlise rotineira qualitativa e quantitativa, completamente automatizada de
wafers de at 12"
Medidas completamente automatizadas e aquisio de dados e tratamento de
dados feito com base no VACOS (Vacuum and Acquisition Core System)
controlado pelo SpecsCtrl e usando o programa de aquisio de dados SpecsLab.
Capacidade de medida garantida com o wafer em todas as posies.
Alta eficincia de inspeo devido aos ciclos de carregamentos rpidos da wafer
e a rpida aquisio de dados
Interface grfica fcil de usar.
Controle remoto completo e capacidade de trabalho via internet.

As caractersticas de aplicao so:

Controle da superfcie do wafer entre os diferentes passos do processo, por
exemplo depois do pr-tratamento.
Analise profunda de concentraes qumicas.
Determinao da densidades da camada depois de vrios tratamentos.
Controle de qualidade geral em linhas de produo de microeletrnica.
Outras aplicaes:
Problemas de adeso em superfcies
Controle da estrutura de superfcie metlica, plstica ou de vidro

50

As principais aplicaes deste XPS/ESCA so:

Controle de qualidade, produto criando, estudos ambientais e tarefas
rotineiras no campo de anlise de superfcie, flexibilidade.
Operao computadorizada completa de:
Controle de vcuo
Manipulao de amostras
Aquisio de dados
Dados processados por rotinas de predefinidas
Dados tcnicos:
Mtodo
XPS
dE=const.

Excitao

Linha

Sinal (cps)

Mg 300 W

Ag 3d 5/2

200.000

Nota
FWHM
1.00 eV

Vista Superior

51

Viso Lateral

52

VII - BIBL IOGRAFIA:

[1] L. E. Davis, Modern Surface Analysis Metallurgical Applications...,
ATMS - AIME Short Course, Las Vegas, Nevada, February 23-24, 1980.
.lm0
[2] Peter E. Sobot, A Comparison Of Techniques For Compositional And
Chemical Analysis Of Surfaces, The PHI Interface, Volume 11, Number 2,
Winter 1989.
[3] Gabar A. Somorjai, Chemistry in Two Dimensions - Surfaces, Conett
University Press.
[4] S, C, de Castra, R, Landers, J. D, Rogers, J. S. Sundaram, Anlise de
Superfcies e Interfaces, IFGW - UNICAMP, (apostila).
[5] D. Briggs, M. P. Seah, Practical Surface Analysis by Auger and X-Ray
Photoelectron Spectoscropy, Edited by D.Briggs and M. P. Seah.
[6] A, W, Czanderna (Ed), Methods of surface Analysis, Etsevier, New York
(1975).
[7] C. D. Wagner,et. al, Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy,
Perkin-Elmer Corp., Physical Electronics Division, 1980.
[8] Kenneth D. Bomben, Wittiam F. Stickte, Surface Analysis
Characterization of Thin Films, Microeletronic Manufacturing and Testing,
March, 1987.
[9] J. S. Hammond, W, F. Sickte, Smatt-area ESCA Assesses Chip Failures,
Research & Development, September 1985.

53

[10] Auger Technical Instruction Workshop, Apostila de aula, Perkin-Elmer

Physical Electronics Division, October 1990.
[11]XPS Technical Instruction Workshop, Apostila de aula, Perkin-Elmer
Physical Electronics Division, October 1990.
[12] SIMS Technical Instruction Workshop, Apostila de aula, Perkin-Elmer
Physical Electronics Division, October 1990.
[13] PHI Access DATA SYSTEM, catalogo, Perkin-Elmer Physical
Electronics Division.
[14] Piccolo, Introduo ao ESCA, IE 325/UNICAMP, 1991.
[15] http://www.ukesca.org/news/Newsletter26/Dirty_Samples.html
[16] http://www.scimedia.com/chem-ed/spec/material/xps.htm
[17] http://www.specs.de/
[18] http://www.eng.uc.edu/~vs/xps.html
[19] http://www.mee-inc.com/esca.html
[20] http://www.cem.msu.edu/~garrett/XPS.html
[21] http://garnet.acns.fsu.edu/~pwg9204/esca.htm

54