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REAÇÕES SÓLIDO/GÁS
Dados:
[Resposta: 46 min]
[Obs: Como é desconhecido, não é possível usar os gráficos. Sugestão: usar kobs.]
rB = b.ks.cAg
t
B
b Mol B k s c Ag
R 1 (1 X B )1/ 3
O processo é a reação:
3Si(s) + 2N2(g) = Si3N4(s)
DG = DGo < 0
-2,0
1000 1400 1800 2200
T (K)
-1,0
-1,5
DG° -140
-2,0 SiO2
(kcal/mol)
1000 1400 1800 2200
T (K)
-160
-180
1,5 Si(s) + N2(g) = 0,5 Si3N4(s)
Si(s) + O2(g) = SiO2(s) -200
700 1100 1500 1900
T (K)
a SiO 2 a SiO 2
DG DG RT ln
o
DG RT ln
o
DG o 1,609RT
a Si .PO 2 a Si .0,2
a Si3 N 4 a Si3 N 4
DG DG RT ln
o
DG RT ln
o
DG o 0,223RT
a Si .PN 2 a Si .0,8
DG° 25
(kcal/mol) Si3N4
-25 SiO2
Si3N4 (0,8atm)
-75 SiO2 (0,2atm)
-125
-175
-225
1000 1500 2000 2500
T (K)
Si SiO2
película amorfa (fina: alguns Å)
contínua
Atenção impermeável
A espessura da camada
de SiO2 é da ordem de
cinética de formação: fração de segundo
100 Å. Neste desenho
Película Passiva
a espessura está
exagerada para melhor
compreensão do
Aqui, a película passiva impede a reação de nitretação.
fenômeno.
Em corrosão: barreira mecânica que impede o acesso do eletrólito.
Tais materiais são chamados PASSIVOS.
Exemplos: Al, Ti, Cr, Ni, Co, Nb, Ta, Mo.
Reação de adsorção
O2 + IS = IS.O2
Reação eletroquímica
xMe + yH2O = MexOy + 2yH+ + 2ye
xMe+z + yH2O = MexOy + 2yH+ + (2y – xz)e-
Reação química
Me+z + z/2 H2O = MeOz/2 + zH+
~1000°C
SiO(g) + N2(g) Si2N2O(s) Si3N4
Si
Si2N2O
é uma camada de cinza, compacta que impede a
continuidade da nitretação; o processo pára.
Para aumentar a difusão de N2 (N) através da
camada de cinza, aumenta-se a T.
Observações:
Si3N4 Misturas de N2 com H2 são interessantes porque
Si2N2O
diminuem o potencial de O2.
Si A cinética do processo é acompanhada através
do consumo de N2:
1,2
P N2
~1400°C 0,9
0
800 1000 1200 1400 1600
T (°C)
BARSOUN, M., KANGUTKAR, P., KOCZAK, M. Nitridation kinetics and thermodynamics of silicon powder compacts.
Journal of the American Ceramic Society
v. 74, n.6, June 1991, p.1248-1253