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m A B C D E
Figura 2.1: Cadeia de medição. m) Mensurando; A) Elemento sensor primário; B) Elemento conversor de variável; C)
Elemento de manipulação de variável; D) Elemento de transmissão de dados; E) Armazenamento ou exibição.
O elemento sensor primário é aquele que primeiro recebe energia do meio e produz uma
saída (sinal) que varia em função da quantidade a ser medida (mensurando). Em metrologia este
elemento é chamado de sensor sendo definido como “o elemento de um sistema de medição que é
diretamente afetado por um fenômeno, corpo ou substância que contém a grandeza a ser medida.”
(VIM). Observe que o elemento primário sempre retira energia do meio. O sensor ideal é aquele
que elimina este efeito de carga e não influencia sobre o que se deseja medir. Adicionalmente ele
deve ser afetado apenas pelo mensurando desejado. A saída deste sensor primário sempre é uma
variável física como deslocamento ou tensão. Algumas vezes é necessário transformar esta
variável em outra mais fácil de ser tratada ou manipulada. Esta é a função do elemento conversor
de variável. É interessante notar que nem todos os instrumentos incluem este bloco e outros
incluem mais de uma transformação de variáveis. Também é importante dizer que algumas vezes
um único elemento físico é responsável por um ou mais blocos deste diagrama.
Na sequência existe o elemento de manipulação da variável relacionada a grandeza que se
deseja medir. Esta manipulação pode ser um simples amplificador ou um complexo sistema
envolvendo não apenas elementos eletrônicos. Se o sinal a ser manipulado é elétrico normalmente
este bloco é chamado de condicionador de sinais, circuito de interface ou front end e as operações
de mudança de nível, amplificação, filtragem, casamento de impedâncias, modulação e
demodulação são as mais comuns. Assim como os demais, este elemento não necessariamente se
apresenta nesta exata posição do diagrama, podendo ser necessário seu aparecimento em
diferentes posições.
Por fim existem os elementos de transmissão de dados que podem ser sistemas de exibição
para o operador, telemetria ou simples alavancas para mover um ponteiro. Também podem ser
sistemas para armazenar os dados obtidos permitindo uma análise ou relatório posterior.
Interferência
Modificador Saída
+
Sinal
Entradas que interferem diretamente na saída podem ser, por exemplo, vibrações ou
inclinações em equipamentos mecânicos ou com partes hidráulicas ou ainda o campo de 60 Hz
gerado pelas linhas de energia e que induzem tensões em diferentes elementos alterando
diretamente a saída do equipamento. Entradas que modificam funções de transferência podem
ser, por exemplo, a temperatura, alterando as dimensões de um equipamento mecânico ou valores
de um divisor resistivo ou a saída de um amplificador, ou variações na fonte de alimentação do
equipamento. Estas perturbações indesejadas no sinal (na entrada ou saída), quando aleatórias, são
chamadas de ruído. Neste contexto o ruído não carrega informação enquanto que o sinal sim.
Para resolver este problema ou minimizar sua influência podemos buscar sensores ou
transdutores que respondam a um único tipo de estímulo e sejam mais insensíveis a interferências
e as variáveis modificadoras. Isto é difícil de obter então outras estratégias normalmente são
empregadas. As principais estratégias são a realimentação com alto ganho de malha, como nos
casos de servo mecanismos, correções matemáticas da saída a partir de estimativas de como as
interferências e os modificadores afetam a saída do equipamento, filtragens e a inclusão de outros
sensores que medem as interferências e os modificadores e os cancelam na saída do equipamento.
FS
Reta de
Calibração FSS
Curva de
Calibração
Média
Entrada
a) y b) y c) y
x x x
d) y e) y
x x
Figura 3.2: Não linearidades mais comuns. a) Histerese; b) Saturação; c) Rompimento; d) Zona Morta; e) Bang-Bang.
Entrada na abcissa e saída na ordenada.
Saída Saída
Curv
a
Ajuste de offset Ideal
Ajuste de Curva
Sensibilidade Real
Ajuste de offset
Entrada
Entrada
Não repetibilidade (tracejado – dif. máxima nas mesmas condições): 0,13-0,08 = 0,05%
Histerese (pontilhado – dif. máxima no mesmo ciclo): 0,15-(-0,07) = 0,22%
Inexatidão (linha dupla – máximo e mínimo erro): [-0,32%; 0,26%]
Erro máximo (linha cheia – máximo da curva média): -0,30%
Linearidade (depende da reta de calibração escolhida – curva média geral):
1. Reta que passa pelos pontos médios extremos: -0,28% (da faixa dinâmica de saída);
2. Reta que passa pela origem e minimiza os erros quadrados: 0,22% (da faixa
dinâmica de saída);
3. Reta de mínimos quadrados: 0,18% (da faixa dinâmica de saída).
Neste exemplo vale a pena observar que as medidas de histerese e linearidade são
independentes o que torna possível a obtenção de valores de histerese menores ou maiores do que
os de linearidade. As diferenças entre as duas definições podem ser vistas na Figura 3.4.
Histerese
FS
FSS
Curva
Média
Entrada
Figura 3.6: Resposta em frequência de cinco sistemas de segunda ordem. Detalhes na seção 3.2.4.
vs
i TOT = (3.4)
R 1+ R 2+ R 3
v=i TOT⋅R 2 (3.5)
vs
v= ⋅R (3.6)
R 1 +R 2 +R 3 2
Observa-se que a saída é independente do tempo. Isto significa que, se a entrada muda, a
saída muda instantaneamente, ou seja, a resposta a um degrau será um degrau e um gráfico de
resposta em frequência mostrá ganho constante com fase nula para todas as frequências. Na
prática os sistemas de ordem zero são apenas uma idealização da realidade, afinal todos os
sistemas elétricos apresentam capacitâncias e indutâncias parasitas, os sistemas mecânicos sempre
apresentam massa e atrito, ou seja, todos os sistemas sempre apresentam uma dinâmica temporal.
Acontece que nos sistemas de ordem zero esta dinâmica pode ser considerada insignificante se
comparada a velocidade com que as grandezas de entrada variam.
Para o sistema de ordem 1 da Figura 3.8, considerando que a tensão v é a entrada do
sistema e a tensão sobre capacitor, vc, é a saída do sistema, a equação que relaciona entrada e
saída (3.10) é uma equação diferencial.
[ ]
V C ( j ω) V ( j ω) 1 1 1 R⋅C
H C ( j ω)= = ⋅ ⋅ = = (3.14)
V ( j ω) 1 j⋅ω⋅C V ( j ω) 1+ j⋅ω⋅R⋅C 1
+R j⋅ω+
j⋅ω⋅C R⋅C
1
H C ( j ω)= ∢ [− arctan (ω⋅C⋅R )] (3.16)
√ 1+(ω⋅C⋅R ) 2
Figura 3.11: Resposta em frequência de um sistema de primeira ordem. O eixo das frequências e do ganho estão em escala
logarítmica.
i C i R i L= I (3.18)
e sabendo que
di
v L=L⋅ L (3.19)
dt
d 2 i L L di L
C⋅L⋅ 2 + ⋅ +i L =I (3.20)
dt R dt
As raízes s1 e s2 podem ser reais ou complexas e, neste último caso, segundo a fórmula de
Euler, a solução pode conter senos e cossenos amortecidos (multiplicados por exponenciais reais).
Na Figura 3.12 são apresentadas as soluções para ω0=1 e Q=0,5 (raízes reais e iguais), Q=0,707
(raízes com parte real igual à imaginária), Q=1, 2 e 10 (raízes com parte real menor que a
imaginária) é um destes casos. Da equação característica saem os expoentes das exponenciais e os
coeficientes k são obtidos, entre outros, pelas condições iniciais do problema.
Figura 3.12: Resposta ao degrau de um sistema de segunda ordem. Verde Q=0,5; azul Q=0,707; vermelho Q=1; azul claro
Q=2; magenta Q=10.
[ ]
I L ( j ω) 1 1 1
H L ( j ω)= = I ( j ω)⋅ ⋅ ⋅
I ( j ω) 1 1 j ω⋅L I ( j ω) (3.25)
+ j⋅ω⋅C +
R j⋅ω⋅L
Figura 3.13: Resposta em frequência de sistemas de segunda ordem. Verde Q=0,5; azul Q=0,707; vermelho Q=1; azul claro
Q=2; magenta Q=10.
√[(
2 2 2
ε=
∂F
∂ X1 ) ] [( ) ] [( ) ]
⋅ε x1 +
∂F
∂X2
⋅ε x2 + ...+
∂F
∂XN
⋅ε xN (3.30)
Para o caso particular em que F é uma soma ou uma subtração de grandezas então a
incerteza absoluta pode ser obtida pela raiz quadrada da soma dos quadrados das incertezas. Por
exemplo, se T 1=(200±4) s e T 2=(100±2) s , então
Para o caso particular em que F apresenta apenas produtos ou divisões então a incerteza
relativa pode ser obtida pela raiz quadrada da soma dos quadrados das incertezas relativas. Por
exemplo, se L3=551±1⋅10−6 m e T 1=100±2 s , então
551⋅10− 6
(
(L3 /T 1 )=
100 )
± √((1 /551)2 +(2/100)2) =(5,51μ m/s±2 %) .
A B C D A/D G D/A
J
F I
H
E
Figura 3.14: Cadeia de medição genérica. A) Mensurando; B) Sensores e Transdutores; C) Circuito de Entrada; D)
Condicionador; E) Saída; F) Filtragem e conversão A/D; G) Processamento Digital; H) Saída; I) Reconstrução e filtragem; J)
Saída.
A Tabela 3.1 mostra algumas fontes de erro e incerteza presentes numa cadeia de medição
como a apresentada.
Neste texto nos ateremos aos potenciômetros lineares conectados a um circuito cuja
impedância de entrada é RL (Figura 4.2). Considerando que a resistência entre o contato deslizante
e a referência seja x·Rp e 0≤x≤1 a tensão de saída pode ser obtida por meio de (4.1)
R L // x⋅R p
v out =v in⋅ (4.1)
R L // x⋅R p +(1− x )⋅R p
α⋅x⋅R 2p
v out =v in⋅ (4.3)
α⋅x⋅R 2p +α⋅(1− x )⋅R 2p +x⋅(1− x )⋅R 2p
α⋅x
v out =v in⋅ (4.4)
α+ x⋅(1− x )
Observa-se que a saída depende não só de x, mas também de α. Para que a saída dependa
apenas de α é necessário que RL seja infinito. Neste caso
v out
=x (4.5)
v in
Se o erro relativo entre a função de transferência real e a ideal for definido como
erro=
( ) ( )
v out
v in real
−
v out
v in ideal
(4.6)
( ) v out
v in ideal
então
α⋅x
−x
α +x⋅(1− x ) (4.7)
erro=
x
−x⋅(1−x )
erro= (4.8)
α+x⋅( 1−x )
Derivando-se a função de erro com relação a x e igualando-a a zero, obtém-se a posição do
erro máximo
∂erro [α+x⋅(1− x )]⋅(2⋅x− 1)− x⋅(1− x )⋅(2⋅x − 1)
= =0 (4.9)
∂x [α +x⋅(1− x )]2
∂erro α⋅(2⋅x − 1)+x⋅(1− x )⋅(2⋅x− 1)− x⋅(1− x )⋅(2⋅x − 1)
= =0 (4.10)
∂x [α +x⋅(1− x )]2
∂erro α⋅(2⋅x − 1)
= =0 (4.11)
∂x [α+ x⋅(1− x )]2
logo
α⋅(2⋅x−1)=0 (4.12)
Figura 4.3: Saída do potenciômetro, v(out), em função da entrada x, erro absoluto e relativo.
ρ⋅L
R= (4.20)
A
∂ R ∂ ρ⋅L
= ( )
∂R ∂R A
(4.21)
L ∂ρ ρ ∂ L ρ⋅L ∂ A
1= ⋅ + ⋅ − 2 ⋅ (4.23)
A ∂R A ∂R A ∂R
L ρ ρ⋅L
∂ R= ⋅∂ρ+ ⋅∂ L− 2 ⋅∂ A (4.24)
A A A
ρ⋅L
Dividindo-se todo mundo por R=
A
∂R
R
L
( ρ ρ⋅L
= ⋅∂ρ+ ⋅∂ L− 2 ⋅∂ A ⋅
A A A
A
ρ⋅L ) (4.25)
∂ R ∂ρ ∂L ∂ A
= ρ + − (4.26)
R L A
ΔR Δρ ΔL Δ A
= ρ + − (4.27)
R L A
Consequentemente, a variação na resistência do elemento é causada por: a) mudança
relativa do comprimento; b) mudança relativa na secção transversal e c) mudança relativa na
resistividade.
Para elementos de secção transversal circular (grande maioria), a variação relativa da área
está ligada a variação de diâmetro.
ΔR ΔL
= ⋅me (4.40)
R L
Δ R /R
me= (4.41)
Δ L /L
Vários materiais podem ser usados para a confecção de strain gauge, resultando em diferentes
fatores de gauge e faixas de operação. Materiais isotrópicos, por exemplo, apresentam me≈2, materiais
isoelásticos me≈3,2, e a platina me≈6. A .tabela seguinte mostra a sensibilidade para strain gauges de
diferentes materiais.
Tabela 4.2: Fator de gauge (sensibilidade) de diversos strain gauges
Material Sensibilidade (me)
A Tabela 4.2 mostra que as variações de resistência ΔR/R são bastante pequenas. Normalmente
obtém-se somente alguns poucos milivolts na saída de um transdutor strain gauge. Variações maiores
podem ser obtidas com elementos semicondutores, como silício, que apresentam mais efeitos piezo
resistivos do que de variação de dimensão. Nestes casos a mudança de resistividade com a tensão mecânica
é maior do que a mudança de dimensão como ocorre nos fios metálicos. Nos semicondutores a tensão afeta
principalmente o número e a mobilidade dos portadores e os efeitos piezo resistivos dependerão do tipo de
material semicondutor, dos seus portadores, e da orientação cristalográfica com relação ao força aplicada.
Para barras de silício tipo P com o eixo dominante na direção (1,1,1), por exemplo, é possível obter me(1,1,1)
da ordem de 100 a 175, sendo tal valor dependente de dopagem. Uma vez que um strain gauge de fio
possui, me entre 2 e 6, pode-se dizer que um strain gauge de silício é muito mais sensível.
É possível observar, entretanto, que a platina possui um fator de gauge relativamente grande e, por
suas características químicas, pode ser usada em ambientes corrosivos. Entretanto, a platina também é
Do ponto de vista mecânico dois tipos de strain gauges são disponibilizados, os limitados
(Figura 4.5) e os não limitados. Os primeiros são montados em estruturas mecânicas que limitam a
deformação acima de um determinado valor protegendo o transdutor. Esses são os modelos
comercialmente disponíveis, pois podem ser facilmente manipuláveis.
Os tipos não limitados são, normalmente, mais lineares que os limitados, mas devido as
dimensões são empregados apenas para montagens industriais. Normalmente são fios com
dimensões capilares de difícil manipulação manual. Os strain gauges limitados são fios também de
dimensões reduzidas (espessuras da ordem de 4 μm), mas são depositados sobre uma superfície
que, apesar de delicada, permite a manipulação manual. A forma de montar um destes
transdutores sobre uma superfície plana é mostrada na Figura 4.6. Adesivos especiais devem ser
utilizados para a fixação dos transdutores, uma vez que eles não podem permitir que a base e o
strain gauge tenham deformações diferentes. Estas colas podem ser adquiridas no mesmo local
onde são adquiridos os transdutores.
D E
Figura 4.5: Alguns modelos de strain gauges limitados. Strain gauge duplo (A) e triplo (B e D) para as direções
preferencias indicadas. Modelo mais comum para uma direção preferencial (C) e modelo para compressão (E).
Algumas características dos RTD mais comuns estão listadas na Tabela 4.4 e seus
coeficientes térmicos na Tabela 4.5. Curvas de resistência normalizada em função da temperatura
para cada um destes RTD é apresentada na Figura 4.7.
A Figura 4.8 exibe o formato de alguns encapsulamentos para os RTD. Os sensores
propriamente ditos podem ser formados por fios enrolados ou por filme metálico. Os de filme
metálico apresentam características muito semelhantes aos de fio, mas operam em temperaturas
mais baixas devido ao substrato. Os encapsulamentos permitem o uso em ambiente inóspito ou
líquido. Deve-se ter em mente que em função da massa e da transmissão de calor este sensor,
mesmo sendo resistivo, apresenta um comportamento de primeira ou segunda ordem. Estes
transdutores apresentam resposta dinâmica lenta, entre 0,5 e 5 segundos (aumenta com o
encapsulamento), mas precisão de 0,01%, elevada sensibilidade, comportamento razoavelmente
linear em torno de um ponto de operação, saída estável por longa faixa de tempo. Estas
características permitem que os RTD sejam trocados por outros iguais quando apresentarem
problemas sem mudanças significativas na curva de calibração.
Tabela 4.4: Principais características dos RTD
Parâmetro Platina Cobre Níquel
Faixa (℃) -200 até 850 -200 até 260 -80 até 320
α (Ω/Ω/℃) 0,003185 0,004127 0,006172
Resistividade (20ºC – μΩ·m) 10,6 1,673 6,844
25, 50, 100, 200, 500,
R(0 ℃) 10 50, 100, 120
1.000, 2.000
Com base em “Sensors and signal conditioning”, Ramon Pallàs-Areny & John G. Webster. John Wiley & Sons, Inc, 2001
Cobre
6
5
Platina
3 Tungstênio
1
0 200 400 600 800 1000 oC
Figura 4.7: Variações relativas de resistências dos RTD mais comuns. Measurement & Instrumentation Principles, Alan S
Morris, Butterworth Heinemann, 2001
4.4 Termistores
Termistores são resistores sensíveis à temperatura (Figura 4.9), que apresentam resistência
variando com coeficiente positivo (PTC) ou negativo (NTC). Os termistores, diferente dos RTD,
são formados por elementos semicondutores (óxido metálico sinterizado e coberto por epoxy ou
vidro, nos casos mais comuns) onde o número de portadores de carga é alterado com a
temperatura.
A maioria dos PTC são utilizados em aplicações de chaveamento, pois a resistência desses
elementos apresenta uma curva de resistência com inclinação ligeiramente negativa até que a
temperatura alcança um valor crítico (que pode ser ajustado de fábrica). Neste momento a
resistência do PTC aumenta significativamente com a temperatura (da ordem de 100% ou mais
para cada ℃). Este comportamento é conseguido com uma dopagem muito forte dos
semicondutores (cerâmicas policristalinas com titanato de bário e outros componentes) e fazem
destes PTC componentes especiais para proteção de circuitos. Existem também os Silistores ou
Tempistores (termômetros de resistência de silício) que são PTC com aplicações em medição de
temperatura. A resistência destes elementos varia conforme (4.44) em uma faixa de -50 ℃ até
+150 ℃, mas não são o foco deste texto.
2,3
R(T )=R 0⋅
( )
T
T0
(4.44)
( )⋅e
β β
−
R (T )= R 0⋅e T0 T (4.46)
onde R0 é a resistência na temperatura de referência T0, normalmente 298,15 K (25 ℃), β é uma
constante que depende do material de construção e T é a temperatura em Kelvin. Como β
apresenta unidade de temperatura, costuma ser chamada de temperatura característica do
termistor e normalmente assume valores entre 2.000 K e 5.000 K. Vale a pena observar que β pode
ser determinado a partir do valor da resistência em duas temperaturas distintas,
independentemente de R0 e T0.
10 6
PTC
Termistor
10 5
10 4
Termômetro
10 3 de resistência
de silicio
RTD
10 2 Platina
NTC
Termistor
10 1
-100 0 100 200 oC
Figura 4.9: Comparação entre diferentes tipos de sensores de temperatura. Sensors in Biomedical Applications,
Fundamentals,Technology and Applications, Gárbor Harsányi, CRC Press, 2000.
R (T )=R ⋅e
( A+
B C
+
T T3 ) (4.49)
0
R (T )=R ⋅e
( B C D
A+ + 2+ 3
T T T ) (4.50)
0
Da mesma forma que para os RTD também é possível calcular a sensibilidade relativa de
um termistor. Considerando o modelo de um parâmetro (4.45) α pode ser descrito por (4.51).
Supondo β=2648 em 25 ℃, obtém-se um α=0,03515 Ω/Ω/K, ou seja, 10 vezes maior do que no PT100.
Algumas vezes este valor é escrito como 3,55% /K (simplificando a razão Ω/Ω). A faixa normal de
sensibilidade para NTC vai de 3 até 7%/℃. Curvas reais de alguns NTC são apresentadas na Figura
4.10. Para os PTC modelados por 4.44 α=0,77% /K, o dobro do PT100.
dR (T )/dT B
α= =− 2 (4.51)
R (T ) T
A contante de dissipação térmica (δ) dos termistores (normalmente entre 0,5 e 10 mW/℃)
também é muito importante para garantir a qualidade da medida. Por exemplo, se uma medida
requer um erro menor do que 0,1 ℃ mas o termistor apresenta δ=3 mW/℃ ele precisa dissipar, no
máximo 0,3 mW. Esta é uma condição limite que considera o transdutor como única fonte de erro.
Em uma situação real a potência terá que ser no mínimo duas ou três vezes menor. Quando o
termistor opera nesta faixa considera-se que ele está numa região linear entre tensão e corrente
que as vezes é chamada de região de potência nula ou modo R×T (Figura 4.11).
Para potências mais altas o termistor entra numa região de funcionamento com
autoaquecimento. Nesta região o transdutor não é usado para medida de temperatura, mas utiliza
suas características para funcionar como limitador de corrente ou medidor de perda de calor. Estes
costumam ser chamados de modo de queda de tensão ou variação de corrente no tempo.
O modo de queda de tensão costuma ser utilizado em medidores de fluxo, nível, vácuo ou
outros dispositivos que resfriam o termistor alterando a queda de tensão sobre ele. No modo de
variação de corrente com o tempo o termistor pode ser usado para limitar a corrente de partida de
um circuito. A medida que o tempo passa o autoaquecimento reduz sua resistência permitindo o
fluxo de uma corrente de regime permanente substancialmente maior. Esta estratégia é
comumente empregada em dispositivos que requerem uma partida lenta ou um aumento
gradativo da corrente. Para esta aplicação é necessário conhecer além das características elétricas
do transdutor, a sua capacidade térmica e seu calor específico, pois
Figura 4.11: Curva V × I de termistores (Epcos – Electronic Parts and Components). A região linear ocorre para potências
muito baixas. A parte alta da curva é utilizada com o transdutor no modo de autoaquecimento.
V 2T
I 2T⋅R T = =δ⋅(T − T a) (4.54)
RT
Termistores podem apresentar uma razoável estabilidade com o tempo apenas em casos de
pré envelhecimento. Nestes casos é possível obter variações equivalentes a 0,01ºC para uma faixa
de 70ºC. Uma estabilidade intermediaria pode ser obtida cobrindo o elemento sensor com vidro
mas a constante térmica ficará pior. Além disto é necessário atenção na troca de termistores para
que eles apresentem características semelhantes.
Se a exatidão não for importante este sensor pode ser linearizado com associação de
resistores. Isto pode ser conseguido, para uma faixa limitada de temperatura, colocando-se um
resistor fixo série ou em paralelo com o termistor (Figura 4.12). Embora isto acarrete uma redução
na sensibilidade do dispositivo, a sensibilidade original do termistor é relativamente alta, o que
ainda garante um resultado final satisfatório. Neste caso os erros obtidos estão na faixa dos 2,5%.
Existem várias formas de calcular estes resistores otimizando a linearidade em torno de um
ponto ou para uma faixa de temperatura. A seguir são apresentadas duas formas bastante comuns
obtidas pela associação paralela entre o termistor R(T) e um resistor de valor fixo RP é dada por
R P⋅R T
R= (4.55)
RP + RT
dR R 2P dR
= ⋅ T (4.56)
d T ( R T + R P ) dT
2
d 2R
dT 2 | T =T C
=0 (4.57)
β− 2⋅T C
Rp=R TC⋅ (4.58)
β+2⋅T C
Uma linearização também comum, e que envolve uma faixa de operação pode ser obtida
para qualquer função não linear fazendo com que variações iguais de temperatura correspondam
a variações iguais na resistência equivalente. Assim para temperaturas extremas T1 (mais alta) e T3
(a mais baixa) podemos escrever
T 1 − T 2 =T 2 − T 3 (4.59)
R T 1 – R T 2=R T 2− R T 3 (4.60)
R P⋅R T 1 R ⋅R R ⋅R R ⋅R
− P T2 = P T2 − P T3 (4.61)
( R P + R T 1 ) ( R P +R T 2) (R P +R T 2) ( R P +R T 3)
R T 2⋅( R T 3+ R T 1)− 2⋅R T 3⋅R T 1
Rp= (4.62)
R T 3+ R T 1 – 2⋅R T 2
vi vo
Ad(S)
+ _
β(S)
Se o ganho Ad(S) (ganho diferencial ou ganho de malha aberta) for muito elevado, como no
caso do AO, o ganho da malha de realimentação, β(S), é responsável pelo ganho do amplificador
realimentado.
v O (S ) 1
lim = (5.3)
A d (S)→∞ v i (S ) β
v O (S )
=
(1+ ωS ) C
(5.5)
v i (S ) Aol
1+ ⋅β
( S
1+ ω
C )
A ol
v O (S ) 1+ Aol⋅β A ol⋅ωC
= = (5.6)
v i (S ) S S +(1+A ol⋅βωC )
1+
(1+ A ol⋅β)⋅ωC
Observa-se que o ganho do amplificador realimentado foi reduzido a mesma quantidade
que o polo foi aumentado (1+Aol·β). Isto significa que, para frequências maiores do que ωC, o
produto ganho faixa em malha aberta ou realimentado se mantém constante quando o AO
apresenta resposta em frequência com um só polo ou compensado com polo dominante em baixas
frequências. Para exemplificar considere Aol=105, ωC=1 rad/s. Neste caso o produto ganho faixa do
AO sem realimentação é Aol·ωC=105 rad/s. Quando o AO é realimentado com β=0,1 (ganho 10 para
o amplificador realimentado) a frequência do polo passa para ωC*=Aol·β·ωC=104 rad/s, ou seja, o
novo produto ganho faixa continua igual (β-1·ωC*=10·104=105 rad/s).
A realimentação também perturba a estabilidade do sistema como um todo. Se o produto
Ad(S)·β(S) na equação (5.2) apresenta módulo unitário e fase de 180o, por exemplo, o circuito
oscila. Se ganho for ainda maior em módulo o circuito torna-se instável. Na prática seria
necessário um sistema de ordem maior do que dois para levar a oscilação ou instabilidade, mas
como os AO práticos apresentam vários polos isto pode ocorrer mesmo com realimentações
puramente resistivas, basta que o ganho de realimentação (β) seja elevado.
A realimentação também altera as impedâncias de entrada e saída do sistema. Dependendo
de como é feita a realimentação essas impedâncias podem aumentar ou diminuir com relação
aquelas encontradas no AO em malha aberta.
Figura 5.2: Símbolos do amplificador operacional. A esquerda representação simplificada, a direita com os fios de
alimentação.
Figura 5.3: Modelo ideal do amplificador operacional. A é o ganho diferencial de malha aberta.
1 O terra é o ponto do circuito a partir do qual são medidas as diferenças de potencial para as entradas e saídas do
AO. Neste ponto também são ligadas as duas fontes de alimentação. O terra é a referência para medidas de tensão.
v o =Ad⋅(v + -v - ) (5.7)
e
v +=0 (5.8)
então
vo
=−v - (5.9)
Ad
Equacionando o nó da entrada v - ,
v -−v i v -−v o
+ =0 (5.10)
R1 R2
temos que
v i⋅R 2 +v o⋅R 1
v -= (5.11)
R−1+ R 2
logo
v o v i⋅R 2+v o⋅R 1
− = (5.12)
Ad R−1+ R 2
vo R2
=− .
vi R 1+ R 2 (5.13)
R 1+
Ad
Se Ad tende a infinito (AO ideal), então
vo R
=− 2 (5.14)
vi R1
1 100.000 1 -0,002%
10 100.000 10 -0,011%
v −v i v −v o
- -
+ =0 (5.16)
R1 R2
Esta corrente caracteriza uma impedância de entrada igual a R1 e isto pode fazer com que
tanto um circuito que é ligado na entrada do amplificador quanto o próprio amplificador
interfiram no funcionamento um no outro. A Figura 5.5, por exemplo, ilustra bem este caso. O
Observa-se que a tensão na saída do circuito ligado ao inversor também foi alterada.
Quando não estava conectado, o circuito apresentava saída vx=Vth1, porém, depois de interligado
ao amplificador inversor, apresenta a saída
R2
v x =Vth 1⋅ (5.20)
Rth 1 +R 2
+
v =v i (5.21)
e
R
v - =v o⋅ 1 (5.22)
R 1+R 2
e como
vo
v +− v- = (5.23)
Ad
então
R v
v + − v o⋅ 1 = o (5.24)
R 1+ R 2 Ad
vo (R1+ R 2)⋅Ad
= (5.25)
v i R1 + R2 + R1⋅Ad
vo R1 + R2
=
vi R +R (5.26)
R1 + 1 2
Ad
Se Ad tende a infinito, então
v o R 1+ R2
= (5.27)
vi R1
Supondo que o AO seja ideal, a solução do problema é encontrada fazendo-se a tensão na
entrada negativa igual à tensão na entrada positiva. Equacionando a entrada negativa temos
v i – 0 vi − v o
+ =0 (5.28)
R1 R2
v o R 1+ R2
= (5.29)
vi R1
Como podemos observar este amplificador apresenta várias fontes de entrada e, portanto,
pode ser equacionado utilizando o princípio da superposição de fontes. Aqui levaremos em conta
que o AO possui características ideais de funcionamento, assim, a saída será dada pela equação
v o =−R 4⋅
( v1 v2 v3
+ +
R1 R2 R3 ) (5.30)
Se R1=R2=R3=R, então
R4
v o =− ⋅(v + v + v ) (5.31)
R 1 2 3
Observe que, assim como o amplificador inversor, o amplificador somador não possui
impedância de entrada infinita. As resistências R1, R2 e R3 correspondem respectivamente as
impedâncias das entradas 1, 2 e 3.
R2 R 2 R 1+ R 2
v o =−v 1 + v2 ⋅ (5.32)
R1 R1 + R2 R1
R2
vo = ⋅( v − v ) (5.33)
R1 2 1
O amplificador subtrator amplifica a diferença entre duas tensões. Idealmente aquilo que
as duas tensões têm em comum não é amplificado. Na prática isto não acontece, pois as duas
resistências R1 e as duas resistências R2 não são idênticas e assim cada entrada é amplificada de
forma um pouco diferente. A Figura 5.9 mostra um amplificador subtrator com quatro resistências
diferentes, uma fonte comum as duas entradas e outra fonte produzindo uma tensão diferencial.
CMRRsubtrator (ganho 1) 10x (20dB) 25x (27dB) 50x (33dB) 500x (54dB)
Observe que a própria impedância da fonte pode causar um desbalanço nos resistores e
diminuir a CMRR da configuração. Por esta razão é desejável uma topologia onde a impedância de
entrada seja extremamente elevada. A construção integrada deste amplificador também minimiza
os erros entre as resistências e propicia um CMRR maior.
Exemplo: Calcular o CMRR para um amplificador diferencial cujas relações de
resistências são: R2=100·R1, e R4=101·R3.
R1⋅R4− R2⋅R3
vo =
[ R1⋅(R3 + R4 ) ] R
⋅v cm− 2⋅(− v d )
R1
(5.46)
101⋅R1⋅R3− 100⋅R1⋅R3
vo =
[ R1⋅(R3 +101⋅R3) ]
⋅v cm +100⋅v d (5.47)
1
v o= ⋅v +100⋅v d (5.48)
102 cm
Ad 100
CMRR= = =10200≈80 dB (5.49)
Acm 1/102
que também poderia ser obtido por (5.43) ou, usando a aproximação da equação 5.44
Levando em conta que as tensões nas duas entradas do AO são iguais (v+=v-), a tensão na
saída do operacional é vO1 e a tensão sobre a carga é vRL, então
R ⋅(v − v )
+
v O 1 =v − 2 1
+
(5.52)
R1
R2⋅(v 2− v )
+
v RL=v + − (5.53)
R1
( )
v O 1 =v +⋅ 1+
R2
R1
R
− v 1⋅ 2
R1
(5.54)
( )
v RL=v +⋅ 1+
R2
R1
R
− v 2⋅ 2
R1
(5.55)
1
[( ) R R R
( ) R
i RL = ⋅ v +⋅ 1 + 2 − v 1⋅ 2 − v +⋅ 1+ 2 +v 2⋅ 2
R R1 R1 R1 R1 ] (5.57)
R 2 (v 2 – v 1 )
i RL = ⋅ (5.58)
R1 R
Figura 6.1: Símbolo do amplificador de instrumentação. A entrada REF corresponde a referência (normalmente o terra) e
as entradas R servem para a colocação da resistência de ganho.
Figura 6.2: Amplificador de instrumentação com três amplificadores operacionais. A entrada de referência corresponde ao
terminal aterrado de R2. A entrada positivas corresponde a v2 e a negativa a v1.
então
R 2 R2⋅R3
vO= ⋅ ⋅ v 2− v 1 (6.6)
R1 R
v o=
R2
R1(1+
2 R3
R )
( v 2− v 1 ) (6.7)
v O =v 2 – v 1⋅ 1
R4 2⋅R 4
R3
RG (6.8)
ou sem o resistor RG
( )
v O =(v 2 – v 1 )⋅ 1+
R4
R3
(6.9)
Exemplos deste amplificador são o AD8129 e AD8130 da Analog Devices e podem ser
utilizados em conjunto com os amplificadores operacionais diferenciais completos.
i O =gm⋅( v −v )
+ -
(6.11)
gm=K⋅I B (6.12)
onde gm é o ganho do OTA, K é uma constante que depende do modelo e IB é a corrente de
polarização.
As principais aplicações para este tipo de amplificador são o controle automático de ganho,
os multiplicadores e divisores de tensão, circuitos moduladores e filtros. Apesar disto este tipo de
amplificador pode ser utilizado em praticamente todos os casos onde um operacional comum
também é utilizado. Isto, entretanto, não consiste em nenhuma vantagem pois as características do
OTA não o auxiliam nestas tarefas mais comuns. Como exemplos de OTA podemos citar o clássico
CA3080, o LM130700 e o mais recente o CA3280. Alguns OTA práticos sofrem limitações e
Com os novos isoladores cada vez mais simples e com menos recursos se torna necessário
investir também em fontes de alimentação isoladas. Exemplos de conversores DC/DC são os E_T e
F_T da Mornsun, com isolação de 3.000 Vdc em encapsulamento SMD, os AY_D e BY_D, da mesma
fabricante com isolação de até 12.000 Vdc, o 722 da Texas com isolação de 3.500 Vdc ou o
ADUM6000 da Analog Devices com isolação de 5.000 Vdc.
Na Figura 6.14 cada chave funciona como um modulador ou demodulador, uma vez que o
sinal em sua saída é equivalente ao produto do sinal de entrada por uma onda quadrada. Observe
que este é um sistema amostrado e como em todo sistema amostrado o espectro de frequências do
sinal de entrada é copiado para frequências maiores. Como o sinal de modulação é uma onda
quadrada o sinal de entrada é copiado em torno dos harmônicos ímpares da portadora. Após a
chave, na entrada do amplificador (Vy) são somados ao sinal amostrado todos os ruídos e offsets
que serão amplificados. Após a segunda chave o sinal está sincronamente demodulado ( Vo) e
retorna ao seu espectro original com cópias em torno dos harmônicos pares da portadora. Os
offsets são removidos pelo capacitor de saída. O espectro do ruído, por outro lado, será copiado em
torno dos harmônicos ímpares da portadora. Agora, um filtro passa baixas reconstrói o sinal
original na saída do amplificador chopper (Vout), filtrado todas as cópias espectrais de frequência
elevadas.
Como este é um sistema amostrado o sinal de entrada (Vin) deve ter frequência bem menor
que a de chaveamento. Esta, por sua vez, é da ordem de centenas a milhares de Hz na maioria dos
sistemas.
Como exemplo de amplificador chopper estabilizado podemos citar o LTC1052 com
Vos < 5 μV e drif de 50 nV/℃. Observe que os valores de offset e drif são tão baixos que podem
ser necessários cuidados especiais na montagem do circuito. O efeito termopar causado por
contatos de metais diferentes pode produzir variações de tensão da ordem de 200 nV/℃, quatro
vezes mais que drif do LTC1052. Assim, é interessante minimizar o número de chaves, soquetes,
conectores e outros potenciais contatos problemáticos. Eletrostática e campos eletromagnéticos
também podem ser fontes de problemas. O uso de transformadores, por exemplo, podem gerar
alguns microvolts de tensão em trilhas de circuito impresso.
6.9 Conversores AD e DA
Conversores analógico para digital (AD ou ADC) e digital para analógico (DA ou DAC) são
muito comuns na interface entre os mundos analógicos e digitais. Estes componentes serão
estudados em detalhes no fim deste curso e informações adicionais podem ser obtidas em The
Data Convertion Handbook, da Analog Devices. Basicamente estes componentes recebem sinais
analógicos e os convertem para digital e vice-versa (Figura 6.17) aplicando um fator de conversão
determinado, normalmente por tensões de referência que devem ser fornecidas aos conversores.
Estes circuitos normalmente operam com valores digitais positivos, em complemento de dois,
complemento de um, bit sinal, código de Gray entre outros. As saídas e as entradas analógicas
podem ser em tensão ou corrente. Os fatores de escala envolvidos nesta conversão normalmente
fazem com que os máximos analógicos e digitais correspondam aos valores das tensões de
referência ou uma fração delas.
VREF
MSB +FS
(111...11)
Entradas
Digitais N - bits Saída
N - Bits DAC Analógica
0 ou -FS
LSB (000...00)
VREF
MSB
+FS
(111...11) Saídas
Entrada N - bits
Dititais
Analógica ADC
N - bits
0 ou -FS LSB
(000...00)
Figura 6.18: Conversão analógico/digital de um sinal senoidal puro. Verde é o sinal real, vermelho é o sinal
quantificado e azul é o erro entre o real e o quantificado.
Figura 7.1: Algumas formas comuns de medida de resistência. A esquerda o método com quatro fios e a direita uma
medida diferencial. Em ambos os métodos as medidas de tensão são feitas entre os pontos A e B.
Para qualquer caso também vale a pena lembrar que o autoaquecimento, se não for
necessário para a medida, deve ser evitado. Se o circuito for alimentado por fonte de tensão a
potência máxima ocorre quando a resistência do transdutor for igual à resistência do equivalente
Thévenin. Se a alimentação for realizada por fonte de corrente a máxima potência ocorre quando a
resistência for máxima. A máxima potência, seja para não danificar o transdutor seja para evitar o
autoaquecimento, normalmente é uma informação usada apenas para determinar um dos limites
Apesar das duas formas serem possíveis a mais comum é aquela com alimentação em
tensão. Nela, considerando que Av é o ganho do amplificador e Vcc é o valor da fonte de
alimentação, a tensão na saída do amplificador será
v 0 = Av⋅Vcc⋅
( R2
−
R3
R 1 + R2 R 3 +R4 ) (7.1)
enquanto que, para o circuito alimentado com fonte de corrente, o sinal na saída do amplificador é
dado por
v O =Av⋅I⋅ R2⋅
R3 R4
R 1R 2R 3R 4
− R3⋅
R1 R 2
R1 R2 R3 R 4 (7.2)
Figura 7.3: Modelo de ponte de Wheatstone ligado a um amplificador com impedância de entrada ZL.
R3
v TH 1=v⋅ (7.3)
R 2 + R3
R 2⋅R3
Z TH 1= (7.4)
R 2 + R3
R4
v TH 2=v⋅ (7.5)
R1 +R 4
R1⋅R4
Z TH 2= (7.6)
R 1 + R4
o que resulta no modelo da Figura 7.4
Com as equações apresentadas fica evidente que a relação entre a tensão de saída da ponte
e a variação de resistência dos elementos sensores pode ser bastante complexa. O uso mais
simples da ponte inclui apenas um elemento sensor. Supondo que Z 3= R0⋅(1+ Δ) e que
R 1 R2
k= = (7.9)
R 4 R0
então a tensão de Thévenin pode ser simplificada
v TH =v⋅ ( k⋅Δ
(k +1)⋅(k +1+Δ) ) (7.10)
Desta forma fica evidente que a sensibilidade da ponte depende da relação entre as
resistências e que não é linear com relação a entrada (Δ). A sensibilidade da ponte pode ser
calculada como
S 0=
dv TH
d (Δ R 0) | Δ=0
=
v⋅k
⋅
1
R0 (k +1)2
(7.11)
v TH =v⋅ −Δ (7.12)
2⋅( 2+Δ)
o que significa que a saída não é linear com relação as variações de resistência, mas para
aplicações menos exigentes e com Δ≪2
v TH ≈− v⋅Δ (7.13)
4
Este limite para Δ pode ser conseguido com certa facilidade quando usamos strain gauges,
mas isto pode não ocorrer quando os sensores forem RTD, por exemplo. Neste caso pode ser mais
interessante reduzir a sensibilidade da ponte alterando a relação entre as resistências. Isto também
torna a ponte mais linear.
A resistência de Thévenin também pode ser recalculada considerando que todos os
elementos da ponte tem o mesmo valor inicial R1=R2=R 4=R0 =R
R⋅R⋅(1+Δ) R⋅R
RTH = + (7.14)
R+ R⋅( 1+ Δ) R+ R
R⋅(1+ Δ) R
RTH = + (7.15)
2+Δ 2
RTH =R⋅
1 1
2 2 (7.16)
R0 R0 R0·(1+Δ) R0 Δ Δ
2( 2+ Δ) (4 +Δ)
R0·(1+Δ) R0 R0·(1+Δ) R0 Δ Δ
(2+Δ) 2
R0 R0 R0·(1+Δ) R0·(1–Δ) 2Δ Δ
2 2
(4 +Δ )
R0 R0·(1–Δ) R0·(1+Δ) R0 Δ Δ
2 2
A alimentação em corrente também apresenta um caso não linear, onde apenas uma
resistência da ponte varia. Mesmo nesta situação este tipo de alimentação pode ser vantajosa em
casos de alimentação remota, pois sofre menos influência da resistência dos fios e, portanto,
favorece o uso de cabos mais baratos e com menos fios (como será visto mais adiantes) além de ser
mais imune a interferências externas.
7.2.1 Medições de resistência em ponte de Wheatstone
Para entender o problema da medida de resistência pode se utilizar um exemplo numérico.
O RTD mais comum é o PT 100, um sensor de platina com resistência de 100 Ω. Ele tem
coeficiente térmico (TC) aproximado de 0,385%/℃. Então para medir 1 Ω é necessário discriminar
variações de resistência de 0,385 Ω. Um outro exemplo recai sobre os strain gauges, eles podem
variar 1% de seu valor para o fundo de escala. Isto pode significar variação máxima de 3,5 Ω numa
medida de força. Para medidas com resolução de 10 bits seria necessário detectar variações de
resistência de aproximadamente 0,00315 Ω. Normalmente variações de resistência desta ordem de
grandeza são medidas com o uso de uma ponte de Wheatstone. A saída da ponte costuma ser de
alguns mV quando a alimentação é da ordem de 10 V, o que leva a sensibilidades do conjunto de
1 mV/V até 10 mV/V.
Mesmo com a sensibilidade das pontes dependendo da tensão de alimentação esta não
pode ser aumentada indistintamente, pois leva a aquecimento dos sensores, e se este problema for
diminuído ao máximo, com a redução dos valores para fonte, a sensibilidade também fica muito
Figura 7.5: Medida com ponte de Wheatstone e correção contra variações na tensão de alimentação.
Apesar de todos estes cuidados se a ponte for não linear a saída do circuito será não linear.
Isto não afeta a exatidão da medida, mas dificulta a leitura do sinal e as não linearidades devem ser
corrigidas de alguma outra forma. Para analisar este efeito podemos lançar mão de um exemplo
numérico. Considerando o circuito da Figura 7.6 alimentado com VB=10 V e com resistências de
R=100 Ω na ponte, então
V
v o ideal =Av⋅ B⋅
4
ΔR
R ( ) (7.19)
Observe que no circuito da Figura 7.7 a ponte foi empregada como os resistores de dois
amplificadores sendo o segundo um somador não inversor com ganho tal que
V o=
VB Δ R
⋅ ⋅ 1+
2 R
R1
R2 ( ) (7.22)
Os circuitos da Figura 7.8 também podem ser utilizados para linearizar pontes com um ou
dois elementos variando, conforme indicado, e alimentação em fonte de tensão. A desvantagem
destes circuitos é que as pontes precisam ser abertas, o que nem sempre é possível, pois algumas
vezes a ponte é comprada lacrada.
V o =−V B⋅
( ) ΔR
2⋅R
(7.23)
V o =−V B⋅
( ) ΔR
R
(7.24)
v o =Av⋅
Vcc *
4
⋅ (
Δ R/ R
1+Δ R /2 R ) (7.25)
Vcc *=Vcc – − v o⋅
( R5
R6 ) (7.26)
logo
Figura 7.11: Medida em ponte de Wheatstone com elemento sensor distante e compensação com três fios.
Observa-se agora, um erro de offset nulo e um erro de sensibilidade de apenas 0,08%FS. Isto
ocorre pois a ponte ficou balanceada com a resistência dos fios que levam ao sensor e que variam
com a temperatura, mantendo a ponte permanentemente em equilíbrio.
Caso toda a ponte esteja distante pode se adotar o uso de seis fios para interconectá-la
(Figura 7.12). Neste caso o maior problema é manter a alimentação da ponte o mais constante
possível. A resistência dos fios, entretanto, varia com a temperatura, o que se traduz em variações
na tensão de alimentação da ponte.
Figura 7.13: Técnica de redução de offset com inversão da polaridade da fonte de alimentação.
Figura 7.15: Diagrama interno do circuito AD7730, usado para medias em ponte de Wheatstone.
Outros integrados também podem ser utilizados para o condicionamento de sinais como o
PGA309 ou o XTR101. O PGA309, assim como o AD7730, apresenta vários recursos que podem ser
programados para que se obtenham os melhores resultados em cada aplicação. Internamente o
circuito está preparado para linearizar pontes com saída não linear, realizar compensação de
temperatura, detectar falhas e reduzir efeitos de offset. Mesmo com todos estes recursos a saída do
integrado é analógica e em tensão (Figura 7.17). Já o XTR101 é um circuito clássico, que alimenta a
ponte com fonte de corrente e transmite os dados da medida também na forma de corrente (uma
técnica muito utilizada na indústria). A saída do XTR101 usa o padrão industrial de 4 a 20 mA
sendo que a corrente de offset serve para determinar se a linha de transmissão está intacta ou
partida e serve para alimentar o circuito. No caso do XTR101 apenas dois fios são usados para
alimentar tanto o XTR101 quanto a ponte e para transmitir informações a longa distância sobre a
media. Um outro circuito nestes mesmos moldes é o XTR110 que pode funcionar nos padrões de 0
a 20 mA, de 4 a 20 mA, de 5 a 25 mA, mas usa dois fios para transmissão de dados mais os fios de
alimentação (necessárias para o padrão de 0 a 20 mA). Uma aplicação típica do XTR101 é
mostrada na Figura 7.18.
O acoplamento entre os cabos também pode ocorrer por meio de indutâncias mútuas
parasitas como mostrado na Figura 8.2. A corrente que circula da fonte V1 para a carga R3 passa
por um fio que apresenta acoplamento indutivo com um fio próximo. Neste outro fio surge uma
diferença de potencial proporcional a M·di/dt. Isto ocorre principalmente quando circulam
correntes elevadas por cabos próximos, como em transformadores, motores, ventiladores e outros.
Este também é um efeito que pode surgir em circuitos digitais uma vez que a derivada da corrente
necessária para os chaveamentos rápidos pode ser expressiva. De um modo geral os efeitos deste
acoplamento podem ser reduzidos com a separação dos fios e diminuição dos seus comprimentos,
o que reduz a indutância mútua M, e aumento da impedância da fonte e da carga, o que reduz a
corrente e, portanto, a tensão induzida no outro condutor.
Figura 8.2: Forma de propagação de ruído por indutância mútua entre fios próximos. Uma corrente entre V1 e R3 induz
ruído em um fio que interliga R1 e R2. Lfio1, Lfio2 e M são indutâncias parasitas.
Figura 8.3: Forma de propagação de ruído por formação de laços (espiras) que envolvem variações de campo magnético. As
setas pequenas indicam a corrente de sinal, a área hachurada marca o laço e as setas em zigue-zague representam o
campo que atravessa a espira.
Finalmente o acoplamento também se dá por efeito capacitivo quando dois fios estiverem
separados entre si, mas com um campo elétrico entre eles (Figura 8.4). Este acoplamento parasita
(C1 e C2) pode formar um divisor de tensão propagando ruídos. O uso de malhas aterradas
(blindagem) pode evitar este divisor de tensão mas se a malha não envolver completamente o cabo
o divisor capacitivo continuará existindo. Acoplamentos capacitivos ocorrem principalmente em
sistemas de alta impedância, logo, a redução da impedância do sistema (R na Figura 8.4) reduz a
propagação de interferência por acoplamento capacitivo (tensão de ruído sobre R). Por outro lado
fios e peças metálicas não aterradas podem se tornar uma entrada para este tipo de interferência.
Este acoplamento pode ser reduzido com a diminuição do comprimento de fios e trilhas, uso de
trilha central aterrada em 1 lado (ou 2 lados se a frequência for elevada) e redução da impedância
de carga.
Figura 8.4: Forma de propagação de ruído por acoplamento capacitivo. Uma fonte V1 produz ruído sobre uma carga R em
um fio distante e não interconectado. C1 e C2 correspondem as capacitâncias parasitas do circuito.
Nas próximas seções serão apresentadas as formas mais comuns para minimizar estes
problemas com aterramento, cabeamento e blindagem. Apesar de não estar explícito, sempre que
se analisam acoplamentos capacitivos, indutivos e laços de terra é importante levar em conta as
impedâncias da fonte de sinal e cabos. Costuma-se utilizar resistências concentradas para os
cabos, junto as fontes, e uma resistência muito menor para malhas em acoplamentos indutivos.
Figura 8.5: Problemas de aterramentos em circuitos de precisão. O erro causado por Rgnd e a corrente de polarização do
AD8551 é maior que a tensão de offset do integrado.
Figura 8.6: Tipos de aterramento. De cima para baixo: em série, em estrela e com plano de terra.
Os planos de terra são alternativas muito usadas em placas de circuito impresso. Se bem
utilizados eles minimizam a impedância de retorno (quando a área do plano de terra é elevada e
não existem estrangulamentos) e área de laços que captam interferência por acoplamento indutivo
(Figura 8.8). Assim, boas práticas recomendam que se evite a concentração de conexões cortando
um plano terra, que se mantenha pelo menos 75% de área para o plano. De um modo geral o uso
do plano de terra é vantajoso e, em placas multicamadas, planos para as demais alimentações
também são recomendados (é da alimentação que saem todas as correntes que retornam pelo
terra). Adicionalmente podem ser implementados diferentes planos de terra atendendo a sinais
ruidosos e não ruidosos que depois devem ser interligados como numa ligação estrela.
Isso também pode ser feito entre placas que se unem a um barramento comum ou que
formam painéis ou gabinetes. A Figura 8.9 mostra dois destes casos. No exemplo correto o retorno
usado pelos circuitos está diretamente conectado ao terra principal enquanto que no outro o terra
é conectado ao gabinete, um dos lugares mais ruidosos que se pode encontrar num equipamento.
Adicionalmente a todos os problemas mencionados, em frequências muito altas o efeito
skin domina a condução (a condução ocorre na superfície). Uma aproximação para o cobre é que a
profundidade do efeito skin é de 6,61/√f cm. A resistência skin é de 0,26·√f μΩ para cada 1 mm de
largura e 1 mm de comprimento da trilha (esta fórmula não é válida se a profundidade for maior
que a espessura da trilha). O efeito skin, então, passa a ser importante quando a profundidade for
Área Área
Plano de Plano de
Terra Terra
Terra
Figura 8.8: Efeitos do plano de terra sobre a redução de área em laços.
Correto Errado
Terra eletrônico
Terra da rede
Figura 8.9: Interligação de terras em painéis e gabinetes.
Figura 8.10: Laços de terra e formas de quebrá-lo. Com transformador isolador, isolação óptica e choque de modo comum.
O uso de acopladores óticos permite a isolação completa mesmo com tensões diferenciais
elevadas entre os terras, mas seu uso apresenta melhor resultado quando o sinal é transmitido
digitalmente uma vez que sua linearidade não é boa. Circuitos balanceados também são uma
alternativa viável uma vez que as correntes de modo comum podem produzir tensões facilmente
eliminadas por amplificadores diferenciais.
Figura 8.14: Uso de cabo coaxial para redução de interferência por acoplamento capacitivo.
Observe, nesse exemplo, que a malha do cabo coaxial não está aterrada (chave aberta) e o
ruído propagado pela fonte V1 sobre uma carga R1 é resultado do divisor de tensão entre os
capacitores C1, C3 e C2 (de alguns pF até centenas de pF) e a própria carga. Por outro lado se a
malha for aterrada (chave fechada) este divisor é quebrado evitando que a fonte V1 contamine a
carga R1. É claro que para que isso aconteça é necessário que a blindagem envolva todo o cabo o
que nem sempre acontece nas extremidades. Além do mais o divisor de tensão depende de
resistores (fonte e fios) e capacitores o que resulta em uma resposta em frequência não plana, do
tipo passa altas para o ruído, cujo valor máximo ocorre para valores de resistência muito maiores
que as reatâncias capacitivas do divisor.
De um modo geral, reduzir o comprimento dos fios e cabos, usar malhas aterradas de um
só lado (dos 2 lados em casos de alta frequência), reduzir o valor das cargas e os pontos metálicos
não aterrados reduz os efeitos de acoplamento capacitivo.
8.3.2 Acoplamento indutivo
Todo o fio é uma indutância e em altas frequências a reatância indutiva destes fios pode ser
não desprezível. As fórmulas apresentadas em 8.1 e 8.2 servem apenas para fios cilíndricos e
trilhas retangulares de circuito impresso, mas dão uma boa ideia dos valores envolvidos. Assim,
1 cm de fio com diâmetro de 0,5 mm, em 10 MHz pode ter uma impedância de 0,46 Ω (7,26 nH).
Trilhas de circuito impresso com 1 cm de comprimento, 0,25 mm de largura e 0,038 mm de
espessura tem resistência de 19 mΩ/cm e indutância de 9,59 nH/cm o que resulta em reatâncias
indutivas da ordem de 2 Ω para uma frequência de 150 MHz. Estas impedâncias se somam as
L WIRE =0,00012⋅l⋅ln ( )
2⋅l
r
⋅0,75[μ H ] (8.1)
[
L TRILHA =0,00012 ⋅l ⋅ ln
2⋅l
w +h ( ) ]
+ 0,22315⋅
w +h
l
+0,5 [μ H ] (8.2)
Figura 8.15: Formas de aterramento de malha em cabos coaxiais. As duas figuras de cima apresentam laços grandes
enquanto que as duas de baixo laços pequeno.
As áreas de laço formadas por estas trilhas podem favorecer o surgimento de tensões de
ruído induzidas nos condutores por campos magnéticos externos que as atravessam. Este
Figura 8.16: Aterramento de malha em dois pontos gerando uma corrente por ela e uma tensão de ruído para o
amplificador.
Figura 8.18: Cabos coaxiais e seus conectores macho e fêmea, cabos flat e pares trançados com blindagem.
De um modo geral devemos reduzir os laços e separar cabos em grupos de fios: 1) fios de
alimentação CA, retorno CA, aterramento de chassi; 2) fios de alimentação CC, retorno CC, e
referência; 3) sinais digitais e retornos; 4) sinais analógicos e retornos. Para reduzir radiação
manter pequenas as áreas, usar frequência mais baixa possível, tempos de chaveamento não
menor do que o necessário e baixas correntes. Manter os cabos de sinais longe de aberturas, cabos
CA e CC, transformadores, motores, solenoides. Par trançados funcionam bem até 100 kHz, cabos
coaxiais até 100 MHz e gias de onda para frequências acima de 1 GHz. Também podemos
considerar que cabos longos se transformam em linhas de transmissão.
Em altas frequências (quando o comprimento dos cabos é maior do que 1/20 do
comprimento de onda que por eles passam) aterrar a malha em apenas um lado (como tem sido
recomendado) as capacitâncias parasitas podem fechar um laço de terra. Nestes casos pode ser
melhor aterrar dos dois lados da malha para reduzir a diferença de potencial entre estes pontos.
c
Desacoplamento ruim Desacoplamento bom
8.4 Gabinetes
A última opção para para reduzir interferências é a blindagem de gabinetes, caixas e salas.
Blindagens deste tipo são caras e devem ser evitadas com planejamento dos circuitos
antecipadamente. Isolar circuitos de potência, transformadores, afastar cabos, reduzir laços e todas
as dicas anteriores devem ser aplicadas antes. Para evitar interferências por acoplamento
capacitivo manter o circuito longe de alta-tensão e cargas elevadas. Para evitar interferências por
acoplamento indutivo manter o circuito longe de alta corrente e evitar cargas baixas. Procure fazer
um bom projeto para ter uma solução de baixo custo e minimizar os problemas de interferência.
A blindagem de objetos e lugares ocorre por absorção e perdas ou por reflexão. Quando
uma onda eletromagnética atravessa um meio a amplitude dela decai exponencialmente. A
profundidade para que a amplitude caia a 63% do valor inicial é chamada de skin depth e é
dependente da frequência, do material e de seu coeficiente de atenuação. Bons materiais são
mumetal e aço, mas alumínio e cobre também oferecem proteção, porém em menor intensidade.
Para que exista reflexão, por outro lado, é necessário uma diferença de impedância entre os meios.
Para campos elétricos a reflexão ocorre na primeira superfície enquanto que os campos
magnéticos são refletidos na segunda superfície. Isto requer materiais mais grossos para atenuar
campos magnéticos.
As Figuras 8.21 e 8.22 mostram formas de obter esta blindagem em caixas e gabinetes.
Observa-se que a blindagem sempre tenta vedar todas as frestas com partes metálicas ou guias de
onda, evitando que a interferência entre ou saia do gabinete.
Recursos como caixas metálicas, caixas plásticas com carga condutiva, encaixes
condutores, tampas de ventilação, vidros e LCD condutivos devem ser empregados sempre que
necessários, impedindo que campos elétricos entrem ou saiam da caixa. O tamanho das aberturas
também deve ser avaliado para que impeçam a onda de entrar na caixa (dimensões das aberturas
proporcionais aos comprimentos de onda, servindo como um guia de onda). Conexão dos cabos e
filtros de linha também devem ser avaliados.
8.5 Peças
Para comprar capacitores e filtros http://www.avxcorp.com e http://www.syfer.com. Para
comprar ferrites em http://www.ferroexcube.com.
Figura 9.1: Alguns arranjos possíveis para transdutores capacitivos. As variações de área são produzidas pelo deslocamento
relativo entre as placas.
Uma vez que as duas capacitâncias estão em série a capacitância equivalente é calculada
como
1
C=
1 1 (9.5)
+
Cd C g
A⋅εR⋅ε0 A⋅ε 0
⋅
ld lg
C= (9.6)
A⋅εR⋅ε0 A⋅ε0
+
ld lg
A 2⋅ε R⋅ε20
l d⋅l g
C= (9.7)
A⋅ε0⋅(ε R⋅l g +l d )
l d⋅l g
A⋅ε 0
C=
l (9.8)
l g + εd
R
dC Δ C C−C 0 C
= = = −1 (9.11)
C0 C0 C0 C0
No presente exemplo
b
C 0= (9.12)
x 0+c
dC x 0+c
= −1 (9.14)
C 0 x +c
dC x 0+ c
= −1 (9.15)
C 0 x 0+dx + c
que é da forma
2
dC
C0
=α1⋅
dx
x0( ) ( )
+α 2⋅
dx
x0
(9.19)
( )
1+
c
x0 ( )1+
c
x0
(9.20)
Fazendo as substituições de b, c e x
2
dC
C0
=
−1 dl
⋅ g +
lg 0 ( ) 1
2
⋅
dl g
lg 0 ( )
( 1+ d
l
εR⋅l g 0 ) 1+
ld
ε R⋅l g 0 ( )
(9.21)
onde
−1 1
α1 = e α2= 2
( 1+ d
l
εR⋅l g 0 ) ( 1+ d
l
ε R⋅l g 0 ) (9.22)
| αα |=
2 1
( ld
)
1
(9.23)
1+
εR⋅l g 0
Observa-se que todas as coisas que reduzem a não linearidade também reduzem a
sensibilidade relativa, ou seja, para este arranjo não é possível otimizar a não linearidade do
transdutor escolhendo um valor específico de capacitância. Observa-se porém, que o dielétrico,
apesar de reduzir a sensibilidade relativa reduz também a não linearidade do transdutor.
A variação de capacitância com relação a variação do gap também pode ser avaliada da
mesma forma.
A⋅εR⋅ε0
C= (9.24)
l g⋅εR +l d
dC εR⋅ε0⋅A ε2R⋅ε0⋅A 1
=− ⋅ε =−
2 R
⋅
dl g l 2d 2
( l d +ε R⋅l g )
( ε ⋅l
1+ R g
ld ) (9.25)
[ ( ) ]
2
dC C l l
≈− 0⋅εR⋅ 1−2⋅εR⋅ g +3⋅ εR⋅ g −... (9.26)
dl g ld ld ld
Pode ser demonstrado que neste caso a indutância do transdutor é dada por:
μ0⋅Ag⋅N 2
L=
(9.38)
(
lg +
Ag⋅lm
Am⋅μ R )
que tem forma
b
L 0= (9.39)
x 0+c
onde b=μ 0⋅Ag⋅N 2 , c =( Ag⋅lm)⋅(Am⋅μ R )−1 e x 0=l g 0 . Desta forma, assim como no exemplo do
sensor capacitivo, é possível calcular uma sensibilidade relativa para este sensor e avaliar sua
sensibilidade e sua não linearidade empregando expansão por séries de Taylor. Como o formato
das equações é o mesmo é possível aproveitar os cálculos anteriores tal que
dL 1
= −1
L0 dx (9.40)
1+
x 0 +c
1
e como =1−A +A 2 +.. . , então
1+A
Assim como ocorre com transdutores capacitivos, o uso de cabos com elevada capacitância
também afeta a sensibilidade dos transdutores indutivos. Considere inicialmente o modelo para
um indutor real da Figura 9.5, onde R modela as perdas resistivas do fio, as perdas de corrente de
fuga pelo núcleo e também as perdas de histerese e C modela a capacitância parasita associada ao
enrolamento e cabos.
Como todo circuito RLC o indutor real é regido por uma equação diferencial de segunda
ordem tal que a frequência de ressonância é ω0 =(L⋅C )−1/ 2 e o fator de qualidade Q=ω 0⋅L⋅R−1 .
Sendo assim, no circuito RLC proposto, a resistência R pode ser escrita em função de Q
ω⋅L
R= (9.42)
Q
Analisando a impedância do circuito equivalente para o indutor real temos que
Z L =( R+ X L )// X C (9.43)
Z L=
(
ω⋅L
Q
+ j⋅ω⋅L ⋅ )1
j⋅ω⋅C
(9.44)
ω⋅L 1
+ j⋅ω⋅L +
Q j⋅ω⋅C
Z L=
(
ω⋅L
Q
+ j⋅ω⋅L ⋅ )1
j⋅ω⋅C
(9.45)
ω⋅L
Q (
+ j⋅ ω⋅L −
1
ω⋅C )
+ ( ω2⋅L⋅C −1 )
(9.47)
Q
ω⋅L j⋅ω⋅L
Z L= + (9.49)
Q⋅( 1−ω ⋅L⋅C ) ( 1−ω2⋅L⋅C )
2
Esta expressão vale até que ω=(L⋅C )−1/2 e nestas condições Q efetivo <Q . Além disso, há,
também, um efeito de aumento da indutância efetiva, uma vez que esta pode ser entendida como
L
L EFETIVO =L EQ = (9.52)
(1−ω2⋅L⋅C )
Derivando-se esta última expressão temos
∂L EQ 1−ω 2⋅L⋅C−L⋅(ω2⋅C )
= (9.53)
∂L (1−ω2⋅L⋅C )2
∂L EQ 1
= (9.54)
∂ L (1−ω ⋅L⋅C )2
2
∂L
∂ L EQ = (9.55)
(1−ω2⋅L⋅C )2
de onde
10.1 Símbolo
O símbolo mais comumente utilizado para representar um comparador é apresentado na
Figura 10.1.
10.2 Características
Apesar de possuir o mesmo símbolo do amplificador operacional, e ser tratado da mesma
forma, para cálculo, os comparadores possuem uma série de características práticas que visam a
melhora no desempenho do AO como comparador. Em contrapartida, muitos dos circuitos
internos presentes nos AOs são retirados para baratear o custo de produção e o estágio de saída é
modificado para otimizar o comportamento de comparador.
Normalmente os comparadores possuem ganho menor que um amplificador operacional e
a sua linearidade não é garantida, principalmente no estágio de saída, projetado para funcionar
em saturação. Os comparadores não possuem compensação em frequência e apresentam piores
características de corrente contínua. A corrente de polarização IB e o VOS são muito maiores que os
de um AO. Características como drif e CMR também são muito piores. Os projetistas, entretanto,
Como os comparadores foram projetados para não usar realimentação negativa a máxima
tensão diferencial de entrada (Vd) torna-se um parâmetro importante no projeto. Para evitar
problemas por excesso de tensão diferencial, o circuito de proteção apresentado na Figura 10.3
pode ser adotado, caso não esteja implementado no integrado. Em alguns comparadores,
entretanto, a entrada pode chegar até a tensão de alimentação.
O circuito da Figura 10.4 consiste de um comparador em malha aberta. Desta forma, uma
pequena diferença de tensão entre as entradas já é suficiente para saturar o comparador com a
tensão positiva ou negativa de alimentação. Este tipo de comparador pode ser utilizado para
detectar a passagem de um sinal por qualquer valor de tensão basta alterar a fonte usada para a
comparação. Nestes casos o gráfico de saída, apresentado na Figura 10.5, desloca-se para a direita
ou esquerda de acordo com a tensão aplicada. Note que para representar o funcionamento do
circuito foi utilizado um gráfico onde é desenha a saída em função da entrada.
O gráfico da Figura 10.5, representa uma simulação com uma entrada senoidal de
frequência igual a 10 Hz no circuito comparador de tensão do tipo detetor de passagem por zero.
Observe que, como as características dinâmicas do comparador não são ideais, a curva real
apresenta atrasos e inclinações. Se a derivada da tensão de entrada diminuir o comportamento do
Figura 10.5: Simulação de um comparador por cruzamento de zero (comparador simples com tensão de comparação 0 V).
Como podemos ver (Figura 10.7), este circuito é um detector de passagem por zero (a fonte
ligada na entrada não inversora é zero) com uma realimentação negativa formada por um diodo
Este detector funciona basicamente como o anterior porém, agora, a tensão de comparação
se deve não apenas a uma tensão mas a um somatório de tensões. O resultado deste somatório é
que mudará a saída do comparador (Figura 10.9). O equacionamento do problema pode ser feito
Figura 10.10: Comparador em janela e um gráfico (em função do tempo) demonstrando seu funcionamento.
Figura 10.12: Simulação com Vz=4,7 V, Vref=2 V, C1=47 nF, R1=1 kΩ, Freq=1000 Hz.
i R 1=i C 1 (10.1)
Para que o nível de comparação seja alterado automaticamente ele é escolhido em função
da tensão de saída. Para o circuito da Figura 10.13 os níveis de comparação são
Vcc⋅R 2
P 1= (10.4)
(R 1 + R 2 )
−Vcc⋅R 2
P 2= (10.5)
(R 1 + R 2 )
e o gráfico da histerese correspondente pode ser visto na Figura 10.15.
Figura 10.15: Saída do comparador com histerese em função do sinal de entrada. Simulação com R1=3·R2.
Para resolver este tipo de problema foram criados circuitos retificadores ativos, a base de
amplificadores operacionais. A vantagem destes circuitos é que todas as deficiências do diodo são
compensadas pelo AO sendo possível montar um circuito com características bem próximas da
ideal. Para mais detalhes de cálculo e escolha dos componentes leia Op Amp Rectifiers, Peak
Detectors and Clamps da Microchip.
Como o AO demora para sair da saturação e possui um slew rate finito, o tempo de descida
ou subida no semiciclo negativo é maior que zero. Colocando o diodo de realimentação (D1) o
operacional não estará saturado em -VCC durante o semiciclo positivo da onda de entrada e
portanto será muito mais rápido para acompanhar o sinal vi.
O terceiro exemplo, mostrado na Figura 11.8 utiliza o retificador de meia onda conectado a
entrada de um amplificador subtrator. Este circuito apresenta como característica favorável o fato
de apresentar elevada impedância de entrada. Para tensões de entrada negativas o retificador de
meia onda e o sinal de entrada aparece multiplicado por dois no anodo de D6. Nesta situação o
segundo amplificador multiplica esta tensão por -2 e a entrada vi por 3. O resultado é que o sinal
de entrada aparece invertido na saída do segundo operacional ( vo=−2⋅2⋅vi +3⋅vi ). Quando a
entrada é positiva a tensão no catodo de D5 é uma cópia da tensão de entrada e neste caso a saída
é positiva e com a mesma amplitude da entrada ( vo=−1⋅vi +2⋅vi ).
Para solucionar o primeiro problema podemos usar detetores de pico ativos como os
mostrados na Figura 11.10. O detetor ativo emprega dois amplificadores operacionais, um para
substituir o diodo e outro para evitar que a carga descarregue o capacitor. O segundo AO deve ter
baixa corrente de polarização e as duas realimentações ajudam a compensar perdas e acumulo de
erros. O resistor R e o diodo D servem para reduzir as correntes de fuga que podem descarregar
C1. Quando D2 está cortado R traz para o anodo de D a tensão vo (igual a vC1), mantendo o diodo D
com tensão nula sobre ele, porém cortado e sem corrente de fuga. Para o segundo problema
podemos usar uma chave analógica para descarregar o capacitor quando desejarmos ou um
resistor em paralelo com o capacitor, o que confere um efeito de memória ou filtro ao detetor.
Figura 11.10: Circuito do detetor de pico ativo: Topologia básica e prática respectivamente.
vi – v–
i= (12.1)
R1
1
v – – v o= ⋅∫ i dt (12.2)
C1
1
v – – v o= ⋅∫ (v i −v – )dt (12.3)
R 1⋅C 1
como v – =0.
1
v o (t )=− ⋅∫ v i (t )⋅dt (12.4)
R 1⋅C 1
Resolvendo o problema pelo domínio da frequência
1
vo (S ) C ⋅S (12.5)
=− 1
vi (S ) R1
1 1
v o (S )=− ⋅v i (S )⋅ (12.6)
R 1⋅C 1 S
1
v o (t )=− ⋅∫ v i (t )⋅dt (12.7)
R 1⋅C 1
Figura 12.2: Circuito integrador básico. Vos é a tensão de offset e IB a corrente de polarização.
1 1 1
v o =− ⋅∫ v i dt + ⋅∫ v OS dt + ⋅∫ I B dt +V OS (12.8)
R 1⋅C 1 R 1⋅C 1 C
Teoricamente o ganho do integrador para frequência zero tende a infinito. Desta forma os
efeitos de IB e VOS impedem que a integração seja feita por longos períodos de tempo, pois nestas
condições o AO satura. Podemos minimizar este problema usando AO com entrada FET, que
Para minimizar os erros com IB neste novo circuito podemos usar as técnicas já estudadas
inserindo um resistor entre terra e a entrada não inversora do AO
R2
R3= (12.11)
R1
1
C 1 ∫ OS
assim ficamos com erro reduzido a ⋅ I ⋅dt
Figura 12.4: Curvas de resposta em frequência do integrador puro e do integrador com perdas.
Tempo de estabilização
1 5
t =5⋅τ=5⋅ = =0,025 s
p 1 200
Ripple para 200 Hz:
vo
vi
R
=− 2⋅
1
R 1 R 2⋅C⋅S +1 | s =1256 rad/s
vo
=1,37 V p =2,74 V pp
vi
vo
=0,15V pico =0,30 V pp
vi
12.2 Derivador
O circuito do derivador é apresentado na Figura 12.5. A corrente no capacitor é
determinada pela variação de tensão sobre ele. Esta corrente, ao passar por R1 produz na saída do
circuito uma tensão proporcional a derivada da tensão de entrada.
Pelo domínio do tempo temos que
dv
i C =C 1⋅ C (12.14)
dt
Esta redução de ganho em altas frequências pode ser obtida pela inserção de um resistor R2
ao circuito original, tal como indicado na Figura 12.7.
I ED=I ES⋅( e V BE /V T
−1 ) (13.2)
I E =I ED −α R⋅I CD (13.5)
I E =I ES⋅( e V BE /VT
−1 )−α R⋅I CS⋅( e V CB /VT
−1 ) (13.6)
onde IES e ICS são correntes reversas de saturação (da ordem de 10 - 11 A); αF é o ganho direto (da
ordem de 0,99 a 0,999); αR é o ganho reverso (da ordem de 0,01 a 0,001); m é uma constante
empírica (depende do tipo de transistor: Ge=1 e Si=2); K é a constante de Boltzman
(1,381·10- 23 J/K); T é temperatura absoluta (Kelvin); q é a carga do elétron (1,602·10- 19 C)
vi
=α F⋅I ES⋅( e V −1 )−I CS⋅( e −V −1 )
/V T /VT
iC = BE CB
(13.7)
Ri
vi
=α F⋅I ES⋅( e −vo /V −1 )−I CS⋅( e 0 −1 )
T
(13.8)
Ri
e e V / V >>1 . Esta aproximação implica em erros que podem ser estimados facilmente. Por
BE T
v o =−V T⋅ln
( vi
R i⋅α F⋅I ES ) (13.11)
v o =−k 1⋅ln
() vi
k2
(13.12)
onde k 1 =V T e k 2 =R i⋅α F⋅I ES . Esta relação logarítmica entre a corrente de coletor e a tensão de
saída é válida por 9 décadas da corrente IC. Na prática, entretanto, a topologia apresentada na
Figura 13.2 é muito suscetível a variações de temperatura, e uma faixa de variação de IC muito
menor é conseguida. Mesmo após todas as compensações possíveis (Figura 13.3) apenas 6 décadas
costumam ser viáveis para esta aplicação. Na equação 13.11 as dependências com a temperatura
são:
K⋅T
V T= (13.13)
q
3 −V G / V T
I ES =B⋅T ⋅e (13.14)
onde VG é uma tensão dependente da tensão de gap do transistor (o chamado potencial de Band-
Goy – da ordem de 1,11 V) e B é uma constante dependente dos níveis de dopagem e da geometria
utilizada na confecção do transistor. Desta forma, para uma corrente de emissor constante, IES
dobra a cada 10 Kelvin, ou seja, para uma variação de temperatura de 100 ℃ IES aumenta 1.000
vezes. Por esta razão este circuito simples não costuma ser usado. No circuito da Figura 13.3, o
transistor Q3 injeta uma corrente IREF na base de Q2. D1, D2, Cc e Rc são utilizados apenas para
proteção dos transistores e compensação em frequência.
Figura 13.3: Circuito amplificador logarítmico com compensação térmica. R(T) é um RTD.
i C 2 ≈α F 2⋅I ES 2⋅e
V BE 2 /V T
(13.15)
como V BE 1=– v o 1
v o 1=−V T 1⋅ln
( vi
R i⋅α F 1⋅I ES 1 ) (13.17)
então
V C 2=−V T 2⋅ln
( vi
R i⋅α F 1⋅I ES 1 )
+V T 2⋅ln
I REF
(
α F 2⋅I ES 2 ) (13.18)
V C 2 =−V T⋅ ln
[( ) ( )]
vi
R i⋅α F⋅I ES
−ln
I REF
α F⋅I ES
(13.19)
V C 2=−V T⋅ln
( )vi α ⋅I
⋅ F ES
R i⋅α F⋅I ES I REF
(13.20)
V C 2 =−V T⋅ln
( ) vi
R i⋅I REF
(13.21)
v o =v o 2 = 1+ ( R
R (T ) )
⋅V C 2 (13.22)
Desta forma o erro devido a IES fica eliminado e o erro devido a T é compensado no
amplificador de saída que tem o ganho variável com a temperatura. Os valores de R2 e R(T) podem
ser escolhidos de tal forma que a temperatura seja compensada em uma ampla faixa de valores
(normalmente entre -25 ℃ e +100 ℃). R(T) normalmente é um RTD com variação de 3.500 a
3.700 ppm/K. Erros de 1% ou menos são obtidos para uma faixa dinâmica de 6 décadas na corrente
IC.
Várias outras topologias são possíveis. Uma solução simples emprega dois amplificadores
logarítmicos (Figura 13.2) ligados a um amplificador subtrator. Este processo também elimina os
erros devidos as variações IES. A compensação de temperatura pode ser feita nos resistores de
entrada do subtrator, usando RTD com o mesmo coeficiente térmico usado no exemplo anterior.
Com esta topologia é possível usar a segunda entrada com uma corrente de referência ou como
outro sinal. Se um segundo sinal for utilizado o circuito calcula o logaritmo da razão entre os dois
sinais. Qualquer que seja a solução será sempre necessário usar transistores casados e na mesma
temperatura do resistor de compensação. O melhor desempenho costuma ser obtido com circuitos
integrados, mas resultados bastante satisfatórios podem ser obtidos com amplificadores
operacionais e transistores integrados. A resposta em frequência fica limitada aos ganhos, a faixa
de tensão de entrada, ao transistor, ao amplificador operacional e outras. Para o cálculo do
logaritmo em outra base basta ajustar o ganho da configuração. O uso de transistores PNP não é
comum, pois suas características construtivas são piores o que leva a erros maiores.
vo
iC = (13.23)
R
vo
=α F⋅I ES ( e −vi /V T
) (13.26)
R
v i⋅R 2
=v BE 1−v BE 2 (13.28)
R 1+ R 2
v i⋅R 2
R 1+ R 2 [(
=−V T⋅ ln
v 0 /R 0
α F 2⋅I ES 2 ) (
−ln
V REF /R 3
α F 1⋅I ES 1 )] (13.29)
v i⋅R 2
R 1 +R 2 (
R v
=−V T⋅ln 3⋅ 0
R 0 V REF ) (13.30)
R ⋅V
v 0 = 0 REF ⋅e
−
( R2
⋅
vi
R 1+ R 2 V T ) (13.31)
R3
x⋅y
v o= (14.1)
k
Os multiplicadores reais são alimentados, normalmente, por tensões de ±15 V e valores
típicos para x e y estão na faixa de ±10 V. O valor de k é escolhido de forma a não saturar a saída
do multiplicador. Normalmente k=10 (14.2) o que permite o produto dos maiores valore de x e y
simultaneamente sem saturar o multiplicador.
k=√ x MAX⋅y MAX =√ 10⋅10=10 (14.2)
O multiplicador real também apresenta uma série de erros que são causados por offsets e
não linearidades ().
(x +x OS )⋅(y +y OS )
v o =(1+k E )⋅ +v OS +h (x ,y ) (14.3)
10
onde: kE é o erro de ganho; h(x,y) são não linearidades (termos como x2, y2, x2y, xy2, …); xOS e yOS
correspondem a tensão de offset das entradas (multiplicadores reais apresentam uma saída
diferente de zero quando ao menos uma das entradas está em zero volts. Este valor na saída é
chamado de feed through); vOS é a tensão de offset na saída quando x=y=0.
Desenvolvendo-se a equação e desprezando alguns termos, temos
V BE 4 =v 3−v 2 =V T 4⋅ln
( v o /R o
I ES 4 ) (14.12)
( )
v 3−v 1=V T⋅ln
v x /R x
v z /R z
(14.14)
( )
v 3−v 1=V T⋅ln
v o /R o
v y /R y
(14.16)
( )( )
v x / Rx
v z / Rz
v /R
= o o
v y /R y
(14.17)
v x⋅v y R o⋅R z
v o= ⋅ (14.18)
v z R x⋅R y
x =10−v x (14.20)
y =10−v y (14.21)
A saída do multiplicador é
x⋅y 1 v ⋅v
= ⋅(100 – 10⋅v x – 10⋅v y +v x⋅v y )= x y + 10−v x −v y (14.22)
10 10 10
Último estágio do circuito é um somador que adiciona –10V, vX e vY a saída do
multiplicador, de forma que
14.2 Divisão
Um divisor analógico pode ser obtido a partir de um multiplicador conforme apresentado
no circuito da Figura 14.5.
v x⋅v o
10 −v (14.24)
= y
R R
v x⋅v o
=−v y (14.25)
10
v
v o =−10⋅ y (14.26)
vx
14.2.1 Raiz quadrada
Um extrator de raiz quadrada pode ser implementado a partir do circuito multiplicador
conforme apresentado na Figura 14.6.
v 2o −v x
= (14.27)
10⋅R R
v 2o =−10⋅v x (14.28)
v o =√ −10⋅v x (14.29)
v o =√ 10⋅v x (14.31)
14.2.2 Circuito conversor RMS-DC
Um conversor dito explícito de valor RMS para DC pode ser obtido pelo circuito da Figura
14.7 superior. Para o circuito da Figura 14.7 inferior o conversor é dito implícito.
√
T
1
v oRMS = ⋅∫ v 2x (t )⋅dt (14.32)
T 0
1 v2
v oRMS =− ⋅∫ − x ⋅dt (14.33)
R⋅C vo
v o=
√ 1
R⋅C
⋅∫ v 2x⋅dt (14.35)
Figura 15.3: Formas de onda do gerador de onda quadrada da Figura 15.2. Para este exemplo foram usados os seguintes
valores de componentes: R=10 kΩ, C=0,1 uF, R1=5 kΩ, R2=10 kΩ, Vcc=15 V. VH e VL são as tensões de comparação. Vom é
a tensão máxima de saída.
Como
onde τ é a constante de tempo, vo a tensão inicial e v∞ a tensão final no capacitor (supondo que ele
pudesse se carregar eternamente). Então, o tempo para carregar o capacitor com vF é
T =−τ⋅ln
( v∞ – v F
v∞ – v0 ) (15.4)
Aplicando isto ao problema e considerando o início da oscilação com a menor tensão sobre
o capacitor, podemos calcular o tempo de carga do capacitor (T1)
v ∞=V OM (15.5)
R1
v 0 =−V OM⋅ (15.6)
R 1 +R 2
R
v F =V OM⋅ 1 (15.7)
R 1 +R 2
( )
R1
1−
R 1+R 2
T 1=−τ⋅ln (15.8)
R1
1+
R 1+R 2
T 1 =−τ⋅ln
( R2
2⋅R 1 + R 2 ) (15.9)
T 1=τ⋅ln
( 2⋅R 1
R2
+1
) (15.10)
T =2⋅R⋅C⋅ln
( 2⋅R 1
R2
+1
) (15.11)
Figura 15.5: Formas de onda do gerador de ondas quadrada e triangular da Figura 15.4. Esta simulação foi realizada com
os seguintes valores de componentes: Ra=Rb=10 kΩ, Da=Db=1N4148, C=0,1 uF, R1=5 kΩ, R2=10 kΩ, Rz=1 kΩ, Vz=6,2 V.
VH e VL são os níveis de comparação.
onde
v oQUA =v Z +0,7 (15.15)
Assim, levando em conta que o capacitor inicia o ciclo carregado com seu menor valor, a
equação 15.12 pode ser reescrita para encontrarmos o tempo de carga do capacitor (T1)
R 1 R
+v oQUA⋅ 1 =v oQUA⋅ ⋅T 1 −v oQUA⋅ 1 (15.16)
R2 R a⋅C R2
e o tempo para a carga do capacitor é
2⋅R 1
T 1= ⋅R ⋅C (15.17)
R2 a
Considerando que R=Ra=Rb, então T1=T2 e o período total da onda (T) é calculado como
4⋅R 1⋅R⋅C
T= (15.18)
R2
Algumas alterações simples podem ser feitas neste circuito permitindo o controle de
diversos parâmetros da onda. Alterações em Ra ou Rb alteram o duty cycle e a frequência da onda.
Para alterar apenas a frequência, sem modificar o duty cycle, é possível usar o circuito da Figura
15.6.
Uma outra possibilidade é mostrada na Figura 15.10. Note que este circuito também
apresenta uma chave para descarregar rapidamente o capacitor e um comparador para o
acionamento da mesma.
Neste exemplo o comparador apresenta saída em coletor aberto, a chave fecha com
controle em zero e R4 muito maior do que R3, R2 e R1.
I
v subida = ⋅t (15.25)
C
v MIN =V⋅
( R 2 // R 3) (15.27)
R 4 + ( R 2 // R 3 )
R3 −t / R
⋅e (
⋅C )
v descida=V⋅ chON
(15.28)
R 1+ R 2+ R 3
1
[ R
i E = ⋅i o⋅tanh 20⋅v i−40⋅i E⋅ R E + B
2 β ( )] (15.29)
x 3 x5
Taylor [ sen (x ) ] =x – + −... (15.30)
3! 5 !
x 3 2⋅x 5
Taylor [ tanh (x ) ] =x− + −... (15.31)
3 15
essa característica não linear do par diferencial pode ser utilizada para transformar uma onda
triangular em uma aproximação para a senoide. Esta abordagem permite valores de tensão de
entrada da ordem de 200 mVpp com distorção harmônica total (THD) de 1 a 0,1%. Com circuito da
Figura 15.12 obtém-se 0,6% de distorção com o ajuste dos potenciômetros. O de 10 kΩ é utilizado
para ajuste de simetria e o de 5 kΩ para ajustar o formato da onda senoidal.
Figura 15.12: Circuito conformador de onda triangular em senoidal usando par diferencial.
v ix ≈v oMAX⋅sen
( )
−1 v ox
v oMAX
(15.32)
v ox =v oMAX⋅sen
( ) v ix
v oMAX
(15.33)
Os valores para as fontes de tensão devem ser obtidas a partir de vox descontando-se as
quedas de tensão sobre os diodos. Considerando-se uma queda de 0,6 V sobre os diodos as fontes
deveriam assumir os seguintes valores: V1=2,4 V, V2=3,6 V, V3=4,6 V, V4=5,2 V e V5=5,4 V. A
Figura 15.15: Conformador com diodos para transformar onda triangular em senoidal.
Neste circuito R≫RF (para que os resistores das fontes não interfiram nas associações de
resistores do conformador). Alternativamente podem ser utilizados buffers para isolar as fontes do
circuito do conformador. A tensão de 10 V, em ambos os casos deve ser bem regulada.
Uma vez determinados os valores de tensão de entrada e saída para os pontos de quebra
(pontos de condução dos diodos) determinam-se os resistores. De maneira geral, quando os diodos
conduzem anexam mais um resistor ao circuito, transformando-o no equivalente da Figura 15.16
onde Ra=R e Rb é o paralelo dos resistores que estiverem conduzindo no momento (R1, R2, R3 e R4).
Δv i R
=1+ a (15.34)
Δ vo Rb
O circuito completo pode ser visto na Figura 15.17 e as tensões de entrada e saída na
Figura 15.18, que também mostra uma tensão senoidal pura para referência (o desenho mais
arredondado). Se as fontes de referência forem ideais ou forem isoladas com buffers a tensão de
saída ficará ainda melhor.
Figura 15.18: Onda triangular, senoidal e senoidal obtida a partir da conformação de onda triangular.
Este circuito serve apenas para conformar o semiciclo positivo da senoide. Para obter a
senoide completa é necessário duplicar o circuito para o semiciclo negativo.
x 3 x5
Taylor [ sen (x ) ] =x – + −... (15.40)
3! 5 !
que pode ser truncada nos dois primeiros termos com erro de aproximadamente 0,6%. Esta função
pode ser implementada com multiplicadores como na Figura
x3
sen( x )≈x − (15.41)
6
Figura 15.19: Conformador de triangular para seno usando multiplicadores e expansão por série de Taylor.
x 2,827
sen( x )≈x − (15.42)
6,28
Esta função precisa ser manipulada para que possa ser implementada com os circuitos
apresentados. Uma solução é mostrada em 15.43 cuja implementação em diagrama de blocos é
mostrada na Figura 15.20.
x 2,827
sen( x )≈x − =x −0,159124⋅e
2,827⋅ln(x )
(15.43)
6,28
Figura 15.20: Conformador de onda triangular para senoidal usando expansão em séries.
Os circuitos mostrados aqui valem apenas para sinais positivos. Para contornar o problema
o circuito deve ser aumentado com o uso de retificadores e amplificadores inversores.
Sensores indutivos também sofrem com a capacitância dos cabos, como visto no Capítulo 9
e quando a seletividade do sensor não for elevada (a resistência é significativa) o sinal resultante
não está defasado 90o e a medida de fase pode se tornar importante.
Para as pontes capacitivas é possível usar resistores, principalmente se os sensores
apresentarem impedâncias baixas (capacitâncias elevadas), mantendo a ponte equilibrada com
impedâncias semelhantes entre os capacitores e os resistores. Se as impedâncias capacitivas forem
muito elevadas os valores das resistências podem ser da mesma ordem de grandeza das de outras
impedâncias parasitas ou indesejadas. Nestes casos pode-se lançar mão do uso de quatro sensores
capacitivos ou de transformadores. O uso dos transformadores com o terminal central aterrado
também reduz o efeito das capacitâncias parasitas do sensor para o terra (Figura 16.2) e não requer
amplificação diferencial. A capacitância parasita entre terminais pode ser reduzida com blindagem
dos mesmos. Estas pontes são chamadas de Blumlein ou pontes com transformadores, mas não
funcionam bem para frequências muito altas devido as saturações e perdas no núcleo. Frequências
até 20 kHz são comuns, mas é possível chegar a 100 kHz ou mais com algum esforço. A escolha do
núcleo é fundamental para o trabalho nestas frequências elevadas. Por outro lado o uso de
transformadores permite a isolação galvânica da medida, quebrando laços de terra.
Sensores capacitivos costumam apresentar capacitância menor do que 500 pF o que requer
frequência de excitação que muitas vezes está entre 10 kHz e 100 MHz para que as reatâncias
tenham um valor razoável. O uso de frequências elevadas, entretanto, torna o projeto mais difícil.
A banda de passagem e capacitância de entrada dos amplificadores, o efeito de linha de
transmissão, e outros efeitos parasitas ou indesejados são apenas uma amostra dos problemas
existentes. Por esta razão, as vezes é preferível trabalhar com frequências mais baixas e aceitar que
a impedância destes sensores é alta. Independente da frequência de excitação isto é
particularmente verdade para corrente contínua e para a frequência da rede elétrica. Para corrente
contínua a impedância muito elevada destes sensores requer resistências adicionais no circuito
para polarização dos AO que, por sua vez, precisam apresentar impedância de entrada muito
elevada. O uso de cabos blindados para reduzir o acoplamento de interferência é comum, mas isto
adiciona capacitâncias elevadas em paralelo com o sensor reduzindo a sensibilidade do mesmo e
aumenta sua não linearidade. Uma alternativa comum é a conexão da eletrônica de
condicionamento muito próxima do sensor usando cabos curtos e algumas vezes uma blindagem
ativa.
16.1.2 Circuitos para sensor simples ou diferencial
Para sensores capacitivos simples é possível empregar o circuito da Figura 16.3, onde Cx é o
elemento sensor e Cp são as capacitâncias parasitas, mas Cp1 e Cp3 não influenciam nas medidas
Figura 16.3: Circuito de condicionamento para sensores capacitivos simples. Cp são capacitâncias parasitas, C1 o sensor.
C 1– C2
v a=v i⋅ (16.3)
C 1 +C 2 +C 3
C – C2 C3
v o =v i⋅ 1 ⋅ (16.4)
C 1 +C 2+C 3 C 4
16.2 Blindagem
Sensores capacitivos costumam ter impedância tão elevada que as capacitâncias parasitas e
do ambiente tem influência significativa no desempenho do sensor. Como estas capacitâncias
mudam com o movimento relativo do sensor eles costumam ser blindados, ou seja, envoltos em
uma caixa metálica lacrada que se conecta a um dos terminais do sensor (Figura 16.5). Assim, a
capacitância do outro terminal para a blindagem é constante. Esta estratégia funciona bem se o
terminal conectado a blindagem for aterrado, caso contrário a capacitância parasita para o terra
pode afetar a medida. Um sistema de dupla blindagem, com uma segunda caixa não conectada a
nenhum terminal pode ser utilizado para os casos onde nenhum terminal do sensor é aterrado. A
segunda caixa é aterrada de forma que tanto a capacitância para a blindagem quanto a
capacitância para o terra são mantidas constantes, afetando apenas a sensibilidade do sensor (o
mensurando só afeta a capacitância do sensor que é apenas uma parcela da capacitância total).
Uma alternativa para reduzir o efeito destas capacitâncias é aumentar o potencial das caixas para
um valor próximo ao do condutor, assim a tensão sobre as capacitâncias parasitas é nula e o efeito
delas também. Esta técnica se chama blindagem ativa e requer um amplificador adicional para
elevar o potencial da blindagem. A Figura 16.6 mostra como isto é feito em cabos coaxiais. O
modelo para análise leva em conta as impedâncias de entrada do amplificador (diferenciais e de
modo comum) e seu ganho finito. Considerando-se as impedâncias de modo comum iguais,
observa-se que a impedância de entrada do circuito com blindagem ativa continua dependendo da
capacitância de cabos (ZCp) porém agora a impedância é multiplicada pelo ganho de malha aberta
do amplificador operacional (16.8).
v
(
v a⋅
1
+
1 1
+ +
1
)
− s – v o⋅
Z s Z Cp Z d Z C Z s
1
+
1
Z Cp Z d(=0
) (16.5)
Figura 16.5: Capacitor com uma e duas blindagens (caixas com linhas tracejadas). Cx é o sensor. Cs são as capacitâncias
para as blindagens e Cg as capacitâncias para o terra.
Figura 16.6: Blindagem ativa de cabos. Acima e a esquerda blindagem passiva, a direita blindagem ativa, abaixo modelo
para blindagem ativa. Vs e Zs são o equivalente Thévenin do sensor e sua alimentação, Cp é a capacitância de cabo. Zd é a
impedância diferencial de entrada do amplificador e Zc e Zc são as impedâncias de modo comum das entradas negativa e
positiva do amplificador operacional.
Modulador Demodulador
t t t
ωm ω ωp ω ωm 2ωp ω
Sinal Sinal
t t
Oscilador
ωp ω ωp ω
Para os casos onde se deseja medir o ângulo de fase de uma impedância é possível usar
demoduladores em quadratura (Figura 16.9). Neles o oscilador do demodulador deve estar em fase
ou 90º defasado do oscilador que excita os sensores. O sinal obtido na saída do d emodulador
corresponde, então, ao sinal em fase e quadratura ou parte real e imaginária de uma impedância.
Alternativamente é possível empregar um circuito série de uma impedância desconhecida com
uma resistência conhecida. A tensão sobre as duas impedâncias é medida. Uma serve como
referência de corrente a outra de tensão. A demodulação, neste caso pode ser feita digitalmente.
Material A
i
T2 T1
T2>T1 Material B
Figura 17.1: Efeito Seebeck.
Material A
Calor Calor
Absorvido Liberado
+V-
Material B
T2 T1
+ V -
+
T2 T1 V
-
Figura 17.3: Uso simples de um termopar.
Normalmente o valor de γ não é tão elevado, de modo que para uma boa faixa de
temperatura o comportamento pode ser descrito como praticamente linear. A sensibilidade do
termopar, para uma dada temperatura T2 é dada por (17.5)
∂V
S= =α+2⋅γ⋅T 2 (17.5)
∂T 2
Para a escolha dos materiais que formam os termopares comerciais considera-se que o
valor de γ deve ser baixo, os metais devem ser resistentes a oxidação, mesmo em altas
temperaturas e devem ter baixa variação de resistividade com a temperatura. Isto limita as
possibilidades de metais ou ligas. A escolha do tipo de termopar deve ser feita em função da faixa
de uso, da linearidade e do ambiente (agressivo ou não). De um modo geral os termopares
apresentam uma boa estabilidade temporal, confiabilidade, são mais exatos do que os RTD para
baixas temperaturas. O pequeno tamanho permite respostas temporais rápidas, da ordem de mili
segundos, não sofrem com autoaquecimento e podem ter fios longos sem maiores problemas.
Os tipos de termopares são dependentes das ligas metálicas usadas para sua fabricação,
onde normalmente o primeiro elemento do par corresponde ao elemento positivo. Observa-se que
existem diferentes normas com código de cores diferentes para termopares iguais e isto causa
N Nirosil/Nisil [-200/1.300] 28
T2 T1 Tamb
T1 0 ºC Tamb
Figura 17.6: Estrutura cristalina de um sensor piezoelétrico e seu comportamento quando deformado em duas direções.
Umas das formas mais simples de modelar um transdutor piezoelétrico é considerar que
ele é primariamente um capacitor com dielétrico polarizável e que se deforma. Assim, este sensor
apresenta uma parte elétrica equivalente a um capacitor e uma parte mecânica que se movimenta.
A parte mecânica pode ser modelada como um sistema massa mola amortecedor cujo análogo
Z AB=
1
j⋅ω⋅C E (
// R M +
1
j⋅ω⋅C M
+ j⋅ω⋅L M
) (17.10)
Z AB=
(
R M + j⋅ ω⋅L M –
1
ω⋅C M ) (17.11)
C
1−ω2⋅L M⋅C E + E + j⋅ω⋅R M⋅C E
CM
Z AB=
(
R M + j⋅ ω⋅L M –
1
ω⋅C M
−ω3⋅L 2M⋅C E +
2⋅ω⋅L M⋅C E
CM
–
CE
2
ω⋅C M
−ω⋅R 2⋅C E
) (17.12)
C 2E 2⋅C E 2⋅ω⋅L M⋅C 2E
+ω ⋅R M⋅C E −
2 2 2 2
2
+1−2⋅ω ⋅L M⋅C E + +ω4⋅L 2M⋅C 2E
CM CM CM
que apresenta duas ressonâncias, uma série (dependente de CM e LM) e outra paralela (dependente
de CE, CM e LM). Para determinar as ressonâncias basta igualar a parte imaginária de ZAB à zero
ω2⋅L M⋅C 2M – C M −ω4⋅L 2M⋅C 2M⋅C E +2⋅ω2⋅L M⋅C M⋅C E – C E −ω 2⋅R M⋅C M⋅C E =0 (17.13)
considerando que a resistência RM é baixa a solução para a equação biquadrática é
1 1
ω2A = + (17.14)
L M⋅C M L M⋅C E
1
ω2R = (17.15)
L M⋅C M
cuja curva em frequência pode ser vista na Figura 17.8.
Observa-se que para baixas e altas frequências o sensor piezoelétrico se comporta como
um capacitor e para frequências intermediárias apresenta duas ressonâncias. Para a maioria das
aplicações o sensor será usado nas frequências abaixo da ressonância, mas para osciladores e
aplicações em ultrassom, por exemplo, deseja-se justamente a ressonância. Mesmo com um
comportamento predominantemente capacitivo, em baixas frequências, as perdas não são nulas e
o sensor acaba se descarregando e não sendo utilizado em corrente contínua. As características do
sensor são dependentes da temperatura e desaparecem acima da temperatura de Curie de cada
material (que está na ordem de 150 a 700 ℃). Como a impedância do sensor normalmente é muito
alta (baixo valor de capacitância e elevada resistência de perdas) costuma ser necessário o uso de
Figura 17.10: Modelo de um fotodiodo. A fonte de corrente inclui a corrente de sinal e de ruído. No modo fotocondutivo I
corresponde a corrente de sinal e ruído subtraída da corrente de escuro.
Tabela 17.3: Correntes de curto circuito para o fotodiodo sd-020-12-001 (Sensor signal conditioning, Analog Devices)
Sensação Luminosa Iluminação Corrente de curto circuito
Nublado 100 fc 3 μA
Crepúsculo 1 fc 0,03 μA
√
V Tot ( RMS )= V 21 RMS +V 22 RMS +...+V 2nRMS (18.5)
√
V N (RMS )=V Nplano⋅ f NC⋅ln
( )
f Máx
f Min
+( f Máx − f Min
onde fMáx e fMin são as frequências máximas e mínimas da faixa de interesse, VNplano a tensão de
) (18.6)
ruído na faixa plana, e fNC a frequência de corte do ruído 1/f. Se fNC não for dada ou não puder ser
obtida pelo gráfico ela pode ser calculada como
(V ( f )| f = fx – V Nplano ⋅fx
)
2 2
N
f NC = 2
(18.7)
V Nplano
onde VN(f) é uma tensão de ruído na região 1/f para uma frequência fx.
Figura 18.4: Corrente e tensão de ruído para um AO típico (National, AN 104, May 1974).
f NC ≈ =1330 Hz
(9,5 nV / √ Hz )
2
Exemplo: Mostrar que a integral do ruído branco (vN) numa banda determinada por um
filtro passa baixas de primeira ordem é equivalente a integral de um retângulo nesta mesma banda
multiplicada por 1,57.
√ | |
f2 2
1
v Ntot = ∫ |v N |2⋅ 1+ j⋅2⋅π⋅f ⋅R⋅C
⋅df
f1
√
∞
1
v Ntot =v N ⋅ ∫ 2
⋅df
1+ ( 2⋅π⋅f ⋅R⋅C )
RMS
0
v Ntot =v N ⋅ RMS
√ 1
( 2⋅π⋅R⋅C )
2
⋅[ tan−1
( 2⋅π⋅f ⋅%R⋅C ) ]
∞
0
v Ntot =v N ⋅ RMS
√ 1
( 2⋅π⋅R⋅C )
2
⋅[ tan−1
( 2⋅π⋅f ⋅%R⋅C ) ]
∞
0
v Ntot =v N ⋅ RMS
√ 1
2
⋅π
( 2⋅π⋅R⋅C ) 2
onde vNRMS é o ruído em V/√Hz e a banda de integração corresponde a frequência de corte do filtro
multiplicada por 1,57.
SNR=20⋅log
( v Sinal
v Ruído
RMS
RMS
) (18.8)
NF =10⋅log
( )SNR in
SNR out
(18.9)
NF =10⋅log
( Sinal in⋅Ruídoout
Sinal out⋅Ruído in ) (18.10)
NF =10⋅log
( Sinal in⋅Av⋅V 2NA
Sinal in⋅Av⋅V 2NS ) (18.11)
NF =10⋅log
( )
V 2NA
V 2NS
(18.12)
NF =10⋅log
( v 2T +v 2N +i 2N⋅R S
V 2NS ) (18.13)
Exemplo: Para o amplificador cuja tensão e corrente de ruído são apresentadas na Figura
18.4, supondo que ele está conectado a um gerador com impedância de 2 kΩ (National
Semiconductor, Application Note 104, May 1974). a) Calcular o ruído equivalente total na entrada
do amplificador operando a 1 kHz (por unidade de frequência); b) Calcular o ruído equivalente
total na entrada do amplificador operando entre 1 kHz e 10 kHz; c) Calcular a relação sinal ruído
na entrada do amplificador, supondo que o sinal do gerador possui apenas 4 mVRMS.
√
V TN = v 2N +v 2T +i 2n⋅R 2S =11,16 nV / √ Hz
b)
V TN =11,16[nV / √ Hz]⋅√ 10 kHz – 1 kHz=1,1μ V RMS
c)
SNR=20⋅log
( )
VS
V TN
=71 dB
Observa-se que foi calculado o erro de CMR para o sinal de modo comum em CC (obtido
na ponte alimentada com 10 V). Este erro resulta em um offset na saída do amplificador. Não foi
calculado quanto pode resultar de ruído de 60 Hz devido ao CMR do amplificador. Observa-se
também que todos os erros de offset ou ganho podem ser compensados mas os erros relativos a
ruído e não linearidade do amplificador não. Assim, todos os erros que podem ser compensados
são usados para a estimativa do pior caso, mas não do melhor. A soma das incertezas foi feita de
forma direta considerando-se apenas a sua contribuição relativa. Esta é uma forma simples que
superestima os erros e pode ser considerada como uma estimativa do erro limite.
Tabela 19.1: Comparação entre tipos de resistores (Linear Circuit Design Handbook, 2008)
Figura 19.1: Modelo de resistor de filmes finos para frequências acima de 0,1 GHz. Os componentes R, L e C representam o
resistor enquanto que LG e CG representam as interconexões.
19.2 Indutores
Indutores não são componentes comuns em circuitos eletrônicos nem em instrumentação
pois, na prática, estão longe de se comportar como seu modelo ideal e não são fáceis de fabricar
com dimensões reduzidas e estáveis (de um modo geral só são comercializadas indutâncias
estáveis e pequenas com valores de alguns nH até alguns μH). Mesmo assim os indutores são
componentes importantes em fontes de alimentação, filtros (incluindo filtro contra EMI), bobinas
19.3 Capacitores
Capacitores reais são produzidos com os mais variados dielétricos e, por isso, apresentam
características distintas tanto no que diz respeito ao valor da capacitância, a faixa de frequência
em que podem ser utilizados, a tensão de funcionamento e outros. Assim, capacitores reais estão
longe do ideal. A Figura 19.3 apresenta um modelo equivalente para capacitores, e a Tabela 19.2
mostra uma comparação entre capacitores de diferentes dielétricos. Outras tabelas comparativas
podem ser obtidas nas páginas dos fabricantes como a AVX e a HolyStone. Na Figura 19.3 C é o
capacitor, Rp modela as perdas, ESR é a resistência de terminais e placas, ESL modela a indutância
de terminais e placas, RDA-CDA modela a absorção dielétrica (DA).
Figura 19.3: Modelo de um capacitor real. C é o capacitor, Rp são perdas no dielétrico, R DA e CDA representam a absorção
dielétrica (efeitos de polarização do dielétrico), ESR e ESL a resistência e a indutância de terminais e placas.
Mica, vidro 5%
Eletrolítico 1s
Cerâmica 100 s
Vidro 1.000 s
[
v o= −
R2
R1 ( )
⋅v in + 1+
R2
R1 ( )]
⋅v os +i BN⋅R 2−i BP ⋅R 3⋅ 1+
R2
R1
⋅
1+
1
1
Ad⋅β
(20.1)
Em baixas frequências o ganho do amplificador é tão grande que a parcela fora dos
colchetes pode ser desconsiderada, porém, em altas frequências ela limita a banda de passagem do
[
v o= −
R2
R1 ( ) R
]
⋅v in + 1+ 2 ⋅v os +i os ⋅
R1
1+
1
1
Ad⋅β
(20.2)
Figura 20.2: Amplificador para fotodiodo no modo fotovoltaico e seu modelo equivalente.
Figura 20.3: Conexão direta entre terminais do sensor e do amplificador e circuitos de guarda. Package N é um
encapsulamento DIP e package R é um encapsulamento SOIC. O encapsulamento circular é o TO99 selado com vidro.
Figura 20.4: Influência da tensão de offset e correntes de polarização no amplificador para fotodiodo no modo fotovoltaico.
Com uma variação de temperatura de 70℃ há uma alteração grande da tensão devido a IB,
na saída do AO e nos valores de Rsh com consequente variação do ganho. Isto ocorre pois para um
AO com entrada FET a corrente de polarização IB dobra para cada 10 ℃, e para o fotodiodo a
resistência Rsh cai a metade para cada aumento de 10 ℃ na temperatura. Isto significa que se
Rsh=1.000 MΩ em 25 ℃ ele será de 43 MΩ em 70 ℃. O ganho para VOS, que é de 2 em 25 ℃ (1+
R/Rsh) passa para ∼24 em 70 ℃. A tensão de saída devido a IB (R·IB), passa de 3 mV para 72 mV.
A compensação de IB com um resistor RX=Rsh//R (da entrada positiva para o terra) poderia
ser feita, mas como Rsh varia com a temperatura, esta compensação não tem efeito. Além do mais
a tensão sobre RX polariza o fotodiodo no modo fotovoltaico aumentando a não linearidade do
Efeitos termoelétricos devem ser minimizados para este amplificador pois os valores de
tensão gerados podem inviabilizar a medida. Um termopar formado pela interconexão de fios de
cobre com Kovar (utilizado nos terminais dos encapsulamentos TO99) pode gerar tensões de
aproximadamente 35 μV/℃ e termopares formados pela junção de cobre com solda pode gerar
tensões de 1 até 3 μV/℃. Nestes casos é necessário assegurar que os pontos de formação de
termopares mantenham-se a mesma temperatura.
Devido as elevadas impedâncias e baixa amplitude do sinal, é importante analisar a
contribuição do ruído na medida e avaliar a SNR na saída do amplificador. No circuito, além da
fonte de sinal existem as fontes de ruído térmico e do operacional (Figura 20.5).
(
G VN = 1+
R
Rsh
⋅ )(
τ D⋅S + 1
τ⋅S +1 ) (20.4)
onde
Rsh⋅R
τ D= ⋅( Cj +C ) (20.5)
Rsh +R
τ=R⋅C (20.6)
Para um circuito onde Rsh=1.000 MΩ, R=1.000 MΩ, Cj=50 pF, C=10 pF e o GB (produto
ganho faixa) do amplificador é de 1 MHz, o ganho do ruído em baixas frequências é 2, e em altas
frequências é 6. O zero se localiza em 5,3 Hz e o polo em 16 Hz. A frequência de corte superior
(fCL), limitada pelo ganho do amplificador, é de 167 kHz. O capacitor C ajuda a estabilizar o circuito
e reduz o ganho do ruído em altas frequências (Figura 20.6).
Para determinar a densidade de ruído na saída do AO em função do ruído que ele introduz
no circuito é necessário utilizar as curvas de densidades de ruído do amplificador (Figura 20.7, a
esquerda) e multiplicá-la pelo ganho GVN (Figura 20.8).
V VN =V N⋅G VN (20.7)
V IN =I N⋅R⋅ ( 1
R⋅C⋅S +1 ) (20.8)
V VTR = ( )(
V TR
R
⋅
R
R⋅C⋅S +1 ) (
=V TR⋅
1
R⋅C⋅S +1 ) (20.9)
V VTRsh =− ( )(
V TRsh
Rsh
⋅
Rsh
⋅
R
Rsh⋅Cj⋅S +1 Rsh
⋅)( ) (
Rsh⋅Cj⋅S +1
R⋅C⋅S +1
V
)
=− TRsh⋅R⋅
Rsh
1
(
R⋅C⋅S +1 ) (20.10)
Para este circuito a faixa dinâmica ou razão sinal ruído é de 20·log(10V/37,6μV)=108 dB.
Outro bom texto sobre este tipo de amplificador e sua análise de ruído pode ser encontrado em
Noise Analysis of FET Transimpedance Amplifiers da Burr Brown.
20.2.2 Condicionador para fotodiodo operando no modo fotocondutivo
Fotodiodos utilizados em circuitos de alta velocidade devem preferencialmente operar no
modo fotocondutivo (Figura 20.9). Neste modo as características do amplificador ficam
significativamente diferentes das características obtidos no modo fotovoltaico. O diodo de alta
A primeira coisa a observar é que apesar da polarização, do ponto de vista de sinal este
amplificador é idêntico ao anterior, e todas as equações e gráficos apresentados antes continuam
sendo válidas. Ajustes devem ser feitos apenas para os valores dos componentes, mas algumas
considerações podem ser feitas por comparação com o modo fotovoltaico. Como a corrente é bem
maior a resistência R é bem menor. A capacitância Cj é da ordem de grandeza da capacitância de
entrada do AO e, por isso, as duas devem ser computadas juntas. A resistência Rsh é muito maior
que R e na maioria das aplicações pode desconsiderada. A banda de frequências deve ser
aumentada com a redução de R e C. O valor de R fica limitado pelo ganho requerido do circuito e o
valor de C deve ser escolhido de forma a maximizar a banda, mas deve manter o circuito estável.
Assim, as constantes de tempo 20.5 e 20.6 podem ser aproximados por τD=R·Cj (considerando C
bem menor do que Cj) e τ=R·C.
C=
√ Cj
2⋅π⋅R⋅f u
(20.14)
A escolha do amplificador deve prever entrada FET (por causa das baixas correntes do
sensor), capacitância de entrada (Cin) baixa (para não piorar a resposta do sensor) e frequência de
ganho unitário elevada (GB ou fU). Uma boa figura de mérito é a razão entre GB e Cin. Na Tabela
20.4 são apresentados alguns possíveis amplificadores para esta tarefa. O AD823 apresenta a
menor razão GB/Cin e se configura numa boa escolha.
Tabela 20.4: Amplificador operacionais para o circuito de condicionamento do fotodiodo no modo fotocondutivo.
AO GB (MHz) Cin (pF) GB/Cin IB (pA) VN (nV/√Hz)
AD845 16 8 2 500 18
AD795 1 1 1 1 8
Para compensar a corrente de escuro, é possível utilizar outro diodo com as mesmas
características, porém ligado a entrada não inversora. A Figura 20.11 ilustra esta solução.
Figura 20.12: Amplificador de carga. A fonte de corrente Cs e Rs representam a fonte. Cc e Rc são o cabo.
Para o amplificador de carga ideal, com a fonte de corrente em paralelo com o capacitor
Cs, e o amplificador contendo apenas o capacitor C a tensão de saída é
1
1 C⋅S q
v o =−( q⋅S )⋅ ⋅ =− (20.15)
Cs⋅S 1 C
Cs⋅S
Como a tensão depende apenas da carga e do capacitor de realimentação ela se torna
insensível a capacitância do cabo e da entrada do amplificador. As limitações começa a ocorre
apenas em altas frequências quando o ganho do amplificador deixa de ser muito alto ou quando C
é muito baixo e o ganho da configuração fica muito elevado. O capacitor C deve ter baixas perdas
e alta estabilidade.
( )
R
(
v o =−(q⋅C )⋅
RS
)
R S ⋅C S ⋅S +1
⋅
R⋅C⋅S +1
RS
=−q⋅
R⋅S
R⋅C⋅S +1
(20.16)
R S ⋅C S ⋅S +1
vo R⋅S
= (20.17)
q R⋅C⋅S +1
Para sensores de quartzo, a resistência de fuga do capacitor C fica entre 10 GΩ e 10 TΩ,
com capacitâncias entre 10 pF e 100 nF. Para sensores cerâmicos as capacitâncias variam entre
10 pF e 1 nF e a resistência de fuga varia de 100 MΩ até 10 GΩ. Por esta razão é comum o uso de
um resistor R que ajuda na polarização do amplificador.
O circuito tem banda limitada basicamente pelo AO. O aumento do capacitor C reduz a
banda.
( )
q 1
v o =− ⋅
C j⋅f (20.18)
1+
fH
O uso de uma resistência série entre a fonte e a entrada inversora ajuda na estabilidade do
circuito, e adiciona um polo de altas frequências tornando o circuito mais independente do AO.
Ele também protege o AO contra correntes elevadas que possam surgir em virtude de altas-
tensões. Este resistor costuma ter valores entre 1 kΩ e 10 kΩ.
21.4 Gabaritos
Os filtros seletores de frequência cujas funções de transferência de primeira e segunda
ordem foram apresentados na Tabela 21.1 são calculados a partir de gabaritos padronizados.
(Figura 21.1). Costuma ser especificado, no projeto, a atenuação mínima (para região de
frequências a atenuar – região de atenuação), atenuação máxima (para região de frequências que
não devem ser atenuadas – região de passagem), frequências que delimitam a região de passagem
(banda ou faixa de passagem) e frequências que delimitam a região de atenuação (banda ou faixa
de atenuação). Estas especificações podem ser utilizadas diretamente por programas de
computador para o cálculo dos filtros (funções de transferência ou projeto dos circuitos), mas para
o projeto auxiliado por tabelas e gráficos os filtros devem ser convertidos em um filtro passa baixa
normalizado. Caso o filtro não seja um passa baixa também é necessário uma transformação em
frequência. Esta metodologia foi desenvolvida para facilitar o projeto antes dos computadores
K
Integrador
S
σ0
Passa baixa 1ª ordem K
S +σ 0
S
Passa alta 1ª ordem K
S +σ 0
ω 20
Passa baixa de 2ª ordem K 2 ω0
S + S +ω20
Q
2
S
Passa alta de 2ª ordem
K ω
2 0 2
S + S +ω0
Q
ω0
S
Q
Passa faixa (2ª ordem) K 2 ω0 2
S + S +ω0
Q
2 2
S +ω 0
Rejeita faixa (2ª ordem) K ω
S 2+ 0 S +ω20
Q
Funções de maior ordem são obtidas pelo produto destas funções.
Amáx Amáx
wp ws w1 w3 w4 w2
(B) (C)
Amin Amin
Amáx Amáx
ws wp w3 w1 w2 w4
Figura 21.1: Gabaritos dos filtros seletores em termos de atenuação. (A) passa baixa, (B) passa alta, (C) passa faixa, (D)
rejeita faixa
Amin
Amáx
wp ws
Figura 21.2: Gabarito de um filtro passa baixa.
Para normalizar
ω p=1 (21.2)
ω
ω s=ω s (21.3)
p
Solução 2: Sabendo que um filtro passa baixa de primeira ordem tem função de
transferência T(S)=σ0∕(S+σ0) basta substituir σ0 por ωp.
ωp
T (S)=
S+ω p
̅
Exemplo 2: Desnormalizar o filtro T(S)=1∕(S 2̅
+0,707·S̅+1) em um passa baixa com
frequência de corte ωp.
Solução: Na função de transferência do passa baixa normalizado Q- 1=0,707. A função de
transferência de um filtro passa baixa de segunda ordem é T(S)=ω02∕(S2+ω0·Q- 1·S+ω02). Substituindo
os valores de Q e fazendo ω0=ωp resulta em
ω 2p
T (S)= 2
S +0,707 ω p S+ω 2p
21.5.2 Transformação passa alta para passa baixa normalizado
O filtro passa altas é aquele onde as baixas frequências são mais atenuados que as altas
frequências. Por esta razão este tipo de filtro é muito utilizado para a remoção de níveis de CC,
offsets e drifs. Como visto na Tabela 21.1, estes filtros apresentam a parcela S no numerador, o que
garante ganho 0 para ω=0 independentemente da ordem do filtro. Se um sinal não possui
componentes de CC e apresenta algum offset, este offset pode ser removido com um filtro passa
altas. Se o sinal possui componentes de CC e offset, este offset não pode ser removido com um
filtro passa baixas, caso contrário a componente CC do sinal será eliminada. Nestes casos é
necessário eliminar o offset com um somador ou subtrator. O gabarito para um passa altas padrão
é apresentado na Figura 21.3.
Para normalizar
ω p=1 (21.4)
ω
ω s=ω p (21.5)
s
Amáx
ws wp
Figura 21.3: Gabarito de um filtro passa alta.
Para desnormalizar basta substituir S̅ por ωp∕S na equação do filtro passa baixa
normalizado ou fatorar o filtro em seções de primeira e segunda ordem e substituir σ0 ou ω0 por
ωp.
̅
Exemplo 1: Desnormalizar o filtro T(S)=1∕(S ̅+1)
1 S
T (S)= =
ω p /S+1 S +ω p
Solução 2: Sabendo que este filtro é um passa alta de primeira ordem ele tem equação
T(S)=σ0∕(S+σ0). Substituindo σ0 por ωp temos
S
T (S )=
S +ω p
̅
Exemplo 2: Desnormalizar o filtro T(S)=1∕(S 2̅
+0,707·SS+1).
Solução: Como o filtro é um passa alta de segunda ordem T(S)=S2∕(S2+ω0·Q-1·S+ω02), então
Q =0,707 e ω0 deve ser substituído por ωp. Assim,
-1
S2
T (S)=
S2 +0,707 ω p S+ω 2p
21.5.3 Transformação passa faixa para passa baixa normalizado
O filtro passa faixa é aquele onde as frequências centrais (uma faixa de frequência) é
menos atenuada do que as frequências baixas ou altas. Este filtro normalmente é empregado para
selecionar apenas uma faixa das componentes em frequência do sinal, como ocorre quando
desejamos estudar apenas as ondas β de um sinal de EEG, por exemplo. Quando desejamos
selecionar uma faixa de frequências muito grande, tipicamente bem maior que uma década, este
filtro é implementado como um filtro passa altas em cascata com um filtro passa baixas. Um
exemplo deste tipo de implementação ocorre quando filtramos um sinal de ECG, com um filtro
passa altas em 0,04 Hz para remover níveis CC e drifss, enquanto que um filtro passa baixas em
100 Hz pode ser utilizado para remover ruídos de alta frequência. O gabarito clássico do filtro
passa altas é apresentado na Figura 21.4.
Amáx
w3 w1 w2 w4
Figura 21.4: Gabarito de um filtro passa faixa.
Para normalizar o filtro é necessário fazer com que as atenuações Amín e Amáx sejam iguais
nas bandas de rejeição e passagem e que as frequências do filtro atendam a seguinte condição
ω0 =√ω1⋅ω2= √ω 3⋅ω4 , com banda de passagem entre ω1 e ω2.
Quando as exigências forem atendidas a normalização é feita fazendo
ω p=1 (21.6)
ω −ω
ω s=ω 4− ω3 (21.7)
2 1
Para desnormalizar basta substituir S̅ por (S2+ω02)∕(B·S) na equação do filtro passa baixas
normalizado. Nesta equação B=ω2-ω1=ω0∕Q.
̅
Exemplo 1: Desnormalizar o filtro T(S)=1∕(S ̅+1)
Atenuação Atenuação
Amin
Amáx
wp ws w3 w1 w2 w4
Solução: ω1=300 Hz, ω2=3,4 kHz, ω3=60 Hz, ω4=(ω1·ω2 )∕ω3 = 17 kHz,
Amin
Amáx
w1 w3 w4 w2
Figura 21.5: Gabarito de um filtro rejeita faixa.
Para normalizar o filtro é necessário fazer com que as atenuações Amin e Amáx sejam iguais
nas bandas de passagem e rejeição e que as frequências do filtro atendam a seguinte condição
ω0 =√ω1⋅ω2= √ω 3⋅ω4 , com banda de passagem entre ω1 e ω2
Quando as exigências forem atendidas a normalização é feita fazendo
ω p=1 (21.8)
ω −ω
ω s=ω 2− ω1 (21.9)
4 3
Para desnormalizar basta substituir S̅ por (B·S)∕(S2+ω02) na equação do filtro passa baixas
normalizado. Nesta equação B=ω2-ω1=ω0∕Q.
̅
Exemplo 1: Desnormalizar o filtro T(S)=1∕(S ̅+1)
(2⋅π⋅20)2
S̄ =
s2 +(2⋅π⋅60)2
s 2+(2⋅π⋅60)2
T ( s)=
s 2 +( 2⋅π⋅20⋅s)+(2⋅π⋅60)2
Solução 2: A função do filtro rejeita faixa de segunda ordem é
T(S)=(S2+ω02)∕(S2+ω0·Q- 1·S+ω02) sendo que, neste caso, B=ω2-ω1=20 Hz e ω0=2·π·60 Hz. Logo
s 2+ω20 s2 +(2⋅π⋅60)2
T (s)= =
s2 +B⋅s+ω0 2
s2 +(2⋅π⋅20⋅s)+(2⋅π⋅60)2
21.7 Aproximações
Uma vez que os gabaritos tenham sido determinados é necessário encontrar um polinômio
que atenda as especificações do projeto. Existem vários tipos de funções de transferência, algumas
são polinomiais (Butterworth, Chebyshev I e Bessel) outras não polinomiais (Cauer e Chebyshev
II). Nos filtros não polinomiais, zeros sobre o eixo jω ajudam a obter uma atenuação mais rápida
na banda e transição, mas pioram as características de fase e de resposta temporal. Os filtros
polinomiais são aqueles em que o passa baixa normalizado apresenta ganho definido por uma
constante no numerador e um polinômio no denominador (apenas um polinômio de atenuação).
A seguir são apresentados alguns polinômios que podem ser empregados para o projeto de
filtros e algumas características de cada um destes polinômios. Nem todos são comuns, mas todos
podem ser utilizados para este fim. Ao final são apresentadas os principais critérios empregados
para a escolha das aproximações, uma tabela com os principais filtros e indicações sobre os mais
comuns.
Uma síntese das principais características para os filtros mais comuns são listadas na
Tabela 21.2.
Tabela 21.2: Principais características das aproximações mais comuns
Polinômios Faixa de Passagem Faixa de Rejeição Fase Grau do Filtro
Figura 21.6: Curvas de magnitude e resposta temporal (resposta ao degrau e ao impulso) de filtros passa baixas de oitava
ordem.
[ ]
Amáx
2 (21.14)
ε= 10 10
−1
com Amáx em dB
21.8.1 Para aproximação de Butterworth
A aproximação de Butterworth é uma das mais simples e foi a primeira a ser sistematizada
n
K (ω)=ε ωω ( ) (21.15)
p
[ ]
2⋅n
ω
| H (ω)|= 1+ε ⋅ ω 2 2
(21.16)
p ( )
[ ]
2⋅n
ω
A (ω) 10⋅log 1+ε2⋅ ω p ( ) (21.17)
ou seja
1
ω=ε n⋅ ω
ω ( ) (21.19)
p
n⩾
log
[ (100,1⋅Amin−1 )
(100,1⋅Amáx− 1 ) ] (21.21)
2⋅log ωs
onde Amáx e Amin estão em dB; ω̅s é calculado de quatro formas diferentes dependendo do tipo de
filtro que se esteja calculando (veja normalização dos filtros PB, PA, PF e RF).
A determinação da função de Butterworth pode ser obtida
k −1 )⋅π
H k=
cos [( 2⋅n ] (21.25)
sen
k⋅π
2⋅n( )
para obter as raízes
S k =e 2(
j π⋅
2⋅k+ n−1
n ) (21.26)
onde k = 1, 2, ...
Para desnormalizar a atenuação máxima basta substituir S̅ por n√ε·(S̅) no filtro passa baixa
normalizado. Para desnormalizar em frequência bast a substituir S̅ por S∕ωp
Exemplo 1: Calcule o filtro Butterworth com ωp=10 kHz, ωs=15 kHz, Amáx=1 dB,
Amin=25 dB
Diagrama de Bode
-10
Magnitude (dB)
-20
-30
-40
-50
0
Fase (graus);
-200
To: Y(1)
-400
-600
104 105
Freqüência (rad/seg)
Resposta do exemplo. No MATLAB: [b a]=butter(9,2*pi*100000,'low','s'); bode(b,a);
[ ]
Amáx
2 = 0,50818
ε= 10 10
−1
n⩾
log
[ ( 100,1⋅Amin− 1)
( 100,1⋅Amáx −1 ) ] = 8,76 (usar 9)
2⋅log ω s
com ( ω s=
15000
10000 )
k=1, S k =− 0.1736±0.9848 i , S̄ 2 +0,3472⋅S̄ +1
k=2, S k =− 0.5000±0.8660 i , S̄ 2 + S̄ +1
k=3, S¯k =− 0.7660±0.6428 i , S̄ 2 +1,532⋅S̄ +1
k=4, S k =− 0.9397±0.3420 i , S 2 +1,8794⋅S +1
k=5, S k =−1 , S +1
̅
T(S)=1∕H(S ̅) e a desnormalização pode ser feita substituindo S̅ por n√ε·(S∕ωp), ou seja
̅
S=S·1,4761
4·10-5 ou, utilizando as formas padrões de primeira e segunda ordem do filtro passa
baixa.
ω0 ω02 ω02
T ( S )= ⋅ 2 ⋅ x
(S +ω 0) (S +1,8794⋅ω0⋅S +ω 20) (S 2 +1,5321⋅ω 0⋅S +ω02)
ω 20 ω20
⋅
(S 2 +ω0⋅S + ω20 ) ( S 2+ 0,3472⋅ω 0⋅S +ω20 )
onde ωp=ωp∕n√ε=6,773·104 rad/s.
Exemplo 2: Projetar um filtro Butterworth passa altas, com ordem não menor do que três
e que atenda as seguintes especificações: ganho máximo da banda de passagem igual a 0dB; ganho
mínimo na banda de passagem igual a -3 dB; ganho máximo na banda de atenuação igual a
-20 dB; frequência de passagem de 10 kHz; frequência de atenuação de 5 kHz.
ωp=1 rad/s, ωs=(10/5) rad/s.
Amáx=3 dB, Amín=20 dB
1
[ ]
Amáx
2 ≅1
ε= 10 10
−1
n≥
log
[ 100,1⋅Amin −1
100,1⋅Amáx −1
≥ 3,31
]
2⋅log ω̄S
S k =e
j π⋅
2 ( 2⋅k+ n−1
n )
S2 S2
T ( S )= 2 ⋅
S +0,7654⋅ω0⋅S +ω 20 S 2 +1,84878⋅ω 0⋅S +ω02
onde ω0=2·π·10.000 Hz.
21.8.2 Outras aproximações
Existem algoritmos para o cálculo de cada uma das aproximações. Alguns são deduzidos de
forma analítica, como no caso do Butterworth, enquanto outros são obtidos por programas de
computador e soluções iterativas ou numéricas. O processo de cálculos dos filtros é sempre
complicado e por esta razão usaremos sempre soluções tabeladas e programas de computador que
fazem este cálculo. Isto, entretanto, não nos exime da responsabilidade de especificar o filtro e
definir a aproximação que será usada.
Para estimar o grau do filtro é muito comum o uso de gráficos e para a determinação dos
polinômios costuma se utilizar tabelas. Em programas como o MATLAB ou o OCTAVE, por
exemplo, existem funções específicas que estimam a ordem de filtros (buttord, cheb1ord, cheb2ord
e ellipord) ou calculam seus coeficientes (besself, butter, cheby1, cheby2, ellip). Outros programas,
como o Filter Wizard da Analog Devices, fazem o projeto da parte eletrônica com base nas
informações dos gabaritos de ganho ou atenuação. Na sequência são apresentadas as soluções
tabeladas para alguns filtros e exemplos de gráficos utilizados para a determinação do grau dos
filtros.
21.8.3 Gráficos de resposta normalizados
Para determinar o grau de um filtro, sem usar as equações deste filtro, é muito comum o
uso de gráficos como o apresentado na Figura 21.7. Nela estão as respostas de filtros passa baixa
normalizados Butterworth, Chebyshev com ripple de 1 dB e Bessel, de graus 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 e
10. Para determinar o grau apropriado basta desenhar sobre estes gráficos as atenuações máximas
e mínimas e a frequência de início da banda de rejeição.
21.8.4 Soluções tabeladas
Apesar de existirem algoritmos para o cálculo dos filtros é muito comum encontrarmos
tabelas com os polinômios normalizados. A seguir são apresentados algumas tabelas com os
polinômios mais comuns. Nelas a função de transferência é separada em seções de primeira e
segunda ordem. Estão indicados os graus dos filtros (N), o valor de ω e Q de cada seção. Para os
filtros de grau ímpar, uma das seções é de primeira ordem e não apresenta Q. Neste caso ω
corresponde a σ nas soluções padronizadas.
2 1,000100 0,7071107
2 1,000100 0,5771350
Tabela 21.5: Parâmetros para filtros de Chebyshev (ripple de 0,5 dB na faixa de passagem)
N ω1 Q1 ω2 Q2 ω3 Q3 ω4 Q4
2 1,231134 0,8631721
2 0,86213 0,95614
Exemplo 1: Calcule o filtro passa baixa, Chebyshev, com n=5, ωp=10 kHz, ωs=15 kHz,
Amáx=1 dB, Amin=25 dB
Diagrama de Bode
-10
Magnitude (dB)
-20
-30
-40
-50
0
Fase (graus);
-200
-400
-600
104 105
Freqüência (rad/seg)
Resposta do exemplo. No MATLAB: [b a]=cheby1(5,1,2*pi*100000,'low','s'); bode(b,a);
0,12283⋅ω 5p
T (S)=
( S̄+ 0,2895⋅ω p )⋅( S̄ 2+ 0,4684⋅ω p⋅S̄ +0,4293⋅ω2p)⋅( S̄2 +0,1790⋅ω p⋅S̄+0,9883⋅ω2p)
por associação
vi
i= (21.28)
Req
então
TC
Req= (21.29)
C
vi
iC = (21.30)
Req
Esta relação é válida inclusive para o cálculo de constantes de tempo que, tanto no
integrador original quanto no integrador com capacitor chaveado é
=Req⋅C2 (21.31)
Esta relação é muito favorável para o uso destes filtros em circuitos integrados pois a
constante de tempo torna-se independente do valor dos capacitores do circuito. Na verdade a
constante de tempo depende apenas das relações entre os valores de capacitância o que pode ser
bem controlado em processos de integração.
ω0=
K3
R1⋅R2⋅C1⋅C2
(21.39)
Q=
1K3
⋅
R2⋅C2
1 K4 K3⋅R1⋅C1
(21.40)
K4⋅ 1K3
K PB = (21.41)
K3⋅ 1K4
K4⋅ 1K3
K PA= (21.42)
1K4
K PF =− K4 (21.43)
Normalmente a escolha dos componentes é feita de forma que R1=R2, C1=C2, e K3=1.
Estes filtros permitem algumas modificações interessantes. Uma delas é o controle da frequência
de corte usando multiplicadores e controle por tensão (Figura 21.11).
Se as três saídas originais do filtro forem somadas de forma apropriada, para produzir uma
saída vo, pode-se obter, neste ponto, qualquer função de transferência de segundo grau, incluindo
aquelas com zeros complexo conjugados.
2⋅K4
KPa=KPb=
1 +K4 (21.44)
Ec
ω 0=
10⋅R⋅C (21.45)
1 +K4
Q=
2 (21.46)
Exemplo 1
A Burr Brown fabricava um integrado híbrido (UAF42), cujo diagrama em blocos está
desenhado abaixo. De posse deste integrado, de capacitores, AO e resistores, projetar um filtro de
3 ordem de Chebyshev, passa alto, com máxima atenuação na banda de passagem de 1 dB e
frequência de corte de 2 kHz. O filtro deve ter módulo 2 na frequência de passagem. Desenhar o
circuito indicando os pinos do circuito integrado. Usar a menor quantidade de componentes.
2 12566
12566 12566 0,49417
0,49417⋅ 0, 99420
S 2 S S
0,99420⋅S 2 0,49417⋅S
T S =2⋅ 2
⋅
0,99420⋅S 6210⋅S157904356 0,49417⋅S12566
S2 S
T S =2⋅ 2 ⋅
S 6246⋅S 158825544 S25428
O filtro de variáveis de estado já vem praticamente montado no integrado. Faltam
interligar os integradores com resistores R 1 (da saída passa altas para o integrador do passa faixa)
e R2 (da saída passa faixa para o subtrator da entrada). A entrada do filtro corresponde ao pino
IN3.
Os parâmetros do filtro são
0=
K3
R1⋅R2⋅C 1⋅C 2
, e Q=
1K 3
⋅
R2⋅C 2
1K 4 K 3⋅R1⋅C 1
K4⋅1K3
K PA= .
1K4
onde C1=C2=1.000pF, K4=K3=1,
0= 158825544=12602
ω0
Q= =2
6210
Podemos montar um sistema de 2 equações, 2 incógnitas (R1 e R2):
Q=2=
R1
R2
R1 =4⋅R2
R2 =39676
R1 =158705
Falta projetar o filtro de 1 ordem, com ganho 2. Isto pode ser realizado com o AO que está
sobrando no integrado. A função de transferência
2⋅S
T S =
S 25428
pode ser implementado com
Rf S
T S =− ⋅
Ri 1
S
C⋅Ri
onde
1
=25428 .
C⋅Ri
Se C=1000 pF , Ri =39326
Rf =2⋅Ri=78562 Ω
21.11.3 Exemplo 2
Utilizando um filtro variáveis de estado, projete um equalizador de ganho que possua as
características da figura e tabela abaixo.
vc |T(S)|
+4V +12 dB
+1V 0 dB
+0,25 -12 dB
então
1 1
0= ⋅
C R1⋅R 2
Q=
R1
R2
=2
R1
=4
R2
R1 =4⋅R2
R2 =0, 25⋅R1
Substituindo em ω0
1 1
0= ⋅
C⋅R 1 0,25
C⋅R1 =3,1831⋅10−4
−4
C=6,8 nF , R1 =47k C⋅R1=3,196⋅10 .
Assim
R1
R2 = =11 ,75 k
4
Comercialmente R2=12 kΩ
Conferindo os desvios
f 0 =985,5 Hz − 1,4 % , Q=1,979−1 % , K 0 =10 %
Assim vc=Ki, ou seja, vc =4 V para K1=4, vc =1 V para K0=1, vc=0,25 V para K2=0,25.
21.11.4 Configurações de um único amplificador operacional
Filtros com um único AO normalmente não estão disponíveis em integrados mas podem
ser facilmente implementados de forma discreta. As duas configurações de filtros mais utilizadas
são a MFB e a Sallen Key. A topologia dos dois filtros é mostrada na figura a seguir.
Note que no desenho das topologias MFB e Sallen-Key estão representadas as impedâncias
de cada configuração. O filtro Sallen Key pode apresentar ganho se o buffer for trocado por um
amplificador não inversor. A medida que as impedâncias são trocadas por resistências ou
capacitores a função do filtro muda (próxima tabela).
Para fazer o projeto destes filtros use um programa de computador como o FilterPRO ou o
Webench Filter Design, da Texas Instruments, o Filter Wizard da Analog Devices, o FilterLAB da
Microchip, o Mr. Filter ou o Op Amp Filter Design permitem o projeto de filtros com AO.
PB PA PF PB PA PF
Z1 R C R R C R
Z2 R C C C R -
Z3 C R R R C C
Z4 C R R R C C
Z5 - - C C R R
Função de transferência:
m
Vos R1⋅C4⋅C3⋅R2
=
Vi s 2
s +s⋅
1
[
1
−
m−1
]
1
R1⋅C4 R2⋅C4 R2⋅C3 R1⋅R2⋅C3⋅C4
Função de transferência geral do filtro passa baixas de segunda ordem:
Vos K⋅ω 20
=
Vi s ω
s 2 +s⋅ 0 +ω20
Q
Q ³ 0,5
1
m= 3−
Q
m=∣K∣
Uma das soluções de mínima sensibilidade para a maioria dos componentes é:
m=K=1
R1=R2=1
2Q
C4=
0
1
C3=
2 0 Q
C4= 3Q
1
R2=
3 0
1
R1=
Q 0
4
m=K=
3
OBS.: Para qualquer uma das soluções podem ser realizados escalamentos de impedância.
Para isto basta multiplicar os resistores e dividir os capacitores simultaneamente por um fator “b”.
21.11.6 Passa baixas MFB
Circuito:
Vos K⋅ω 20
=
Vi s ω
s 2 +s⋅ 0 +ω20
Q
Comparando as duas equações podemos verificar como cada componente afeta os valores
de K, Q e ω0. Uma solução para ajustar os componentes é:
Fazer
C2 = C
C5 = X·C2
R4=
1
2⋅Q⋅ 0⋅C [
⋅ 1± 1−
4⋅Q2⋅∣K∣1
X ]
R
R1 = 4
∣K∣
1
R3=
ω 20⋅R4⋅C2⋅C5
Bom para KQ>100 e ganho de malha aberta dos amp. op. > 80 dB
21.11.7 Passa altas Sallen-Key
Circuito:
1
m= 3−
Q , para Q ³ 0,5
m=∣K∣
As soluções alternativas, propostas para o filtro passa baixas Sallen-Key, podem ser
utilizadas e o filtro pode ser desnormalizado diretamente nos componentes.
Substituir Resistores por Capacitores de valor 1/R 0
1
R 2=
0⋅Q⋅C⋅2⋅∣K∣1
Bom para KQ>100 e ganho de malha aberta dos amp. op. > 80 dB
21.11.9 Passa Faixa Sallen-Key
Circuito:
Rx= 2
ω 0⋅C
m= 4−
2
Q
Q≥
2
3
K=
m
R1⋅C5
= 0⋅ 2⋅2−
1
Q
Função de transferência:
1
s⋅
Vos R1⋅C4
=−
Vi s
s2 +s⋅
[ 1
1
]
1
C4⋅R5 C3⋅R5 C3⋅C4⋅R1⋅R5
Função de transferência geral do filtro passa faixa de segunda ordem:
ω
K⋅s⋅ 0
Vos Q
=
Vi s 2 ω 0
s +s⋅ +ω20
Q
Comparando as duas equações podemos verificar como cada componente afeta os valores
de K, Q e T0. Uma solução para ajustar os componentes é:
Fazer C3 = C4 = C
Q
R1=
∣K∣⋅ 0⋅C
2⋅Q
R5=
ω 0⋅C
K=−2⋅Q⋅ 0
21.11.11 Rejeita faixa (ou Notch)
O filtro rejeita faixa também é chamado de notch pois muitas vezes é utilizado para
eliminar uma determinada frequência ou uma faixa de frequências muito estreita. Isto é muito
utilizado para reduzir a interferência de sinais de 60 Hz em instrumentos de precisão.
Q=
1 R5
2 R1
21.11.14 Exemplo 1
Projetar um filtro PA do tipo MFB com as seguintes características: fo=1,5kHz, Q=0,7,
K=20 dB. As características do filtro não podem sofrer desvio maior que 5%. Usar valores
comerciais para os componentes. Garantir que o filtro funcione até uma frequência de 100kHz.
Calcular o produto ganho-faixa do AO necessário para que esta especificação seja atendida.
Justificar o procedimento de cálculo.
B 1
Usar: C 3=C 4 =C , C 1= A⋅C , R2=R , R5=B⋅R , K =− A , Q= e ω0 =
2A R⋅C⋅√B
Solução:
K =− A=− 10
Q= B
2A
Q=0,7= B
2 A
B=70,56
A frequência de corte é
1
ω0 =2⋅π⋅f 0=
R⋅C⋅√ B
1
C= =2,694 nF
2⋅⋅ f 0⋅R⋅ B
Variação nos parâmetros do filtro pode ser avaliada na equação original dos parâmetros
(veja tabela de parâmetros para os filtros MFB):
f 0 =1, 497 kHz , f 0=− 2,2 %
A determinação do produto ganho faixa pode ser realizada se for encontrado o ganho da
malha de realimentação (ver revisão de amplificadores operacionais). O limite de funcionamento
deste filtro ocorre quando o ganho diferencial do AO se torna igual ao ganho de rede de
realimentação (nas altas frequências teremos um divisor de tensão entre C4 e C1 – veja figura
abaixo).
O ganho da rede é
∣ ∣
v 0 S
v – S
=∣A S ∣
v0 S C1 C 3⋅C 1 C 4 R5 R2 C 3⋅C 1 C 4 ⋅R5⋅R 2
= 1 ⋅
[ ]
v – S C4 1 C1 1 1 1
S 2 ⋅S
R 5 C 2⋅C 4 C 3 C 4 C 4⋅C 3 R5 R2
v0 S
v – S
≈ 1
C1
C4
Este resultado também poderia ser obtido considerando que em altas frequências apenas os
capacitores são importantes. Nesta situação os resistores poderiam ser retirados do circuito e o
ganho do filtro seria
1 1
v 0 C 1⋅S C 4⋅S C
≈ =1 1
v– 1 C4
C 1⋅S
assim
1
C1
C4
=
2⋅⋅GBW
2⋅⋅ f 0
GBW= f máx⋅ 1+
( ) C1
C4
=1,1 MHz
R11//R12 = R1
R12/(R11+R12) = m-1
Então
R11= mR1 = 13,6k
R12=(R1R11) / (R11-R1)=40,8k
Na segunda parcela temos
K=1, w0=7439,49 e Q=0,541
Então, aplicando as fórmulas para os cálculos dos componentes temos
C3=1, C4=0,937, R2=7,7610-5, R1=2,4841610-4, m=K=1,3331333
Fazendo =108
C3=10nF, C4=9nF, R2=7,7k, R1=24k, R=10k, R(m-1)=3,3k
Para obter ganho unitário, podemos usar um novo divisor resistivo.
Então, R11= m@R1 = 32k
R12=(R1R11) / (R11-R1)=96k
21.11.17 Exemplo 4
Projetar um filtro rejeita faixa de 2 ordem com Q=5 e f 0=120Hz. É aceitável um erro
máximo de 10%. Utilizar apenas um filtro PF ativo e algum outro circuito ativo que não seja filtro
mas que empregue apenas 1 AO.
Um filtro RF subtrai do sinal de entrada, uma determinada faixa de frequências. Assim,
podemos implementá-lo subtraindo o resultado de um PF, do sinal de entrada.
T S = K 1 − K 2⋅ 2
S
=K 1⋅
2
S 1−
K2
K1
a⋅Sb
S a⋅S b S 2 a⋅Sb
Se fizermos K2=K1