Assunto 04 - Perdas Nas Chaves Semicondutoras

ELETRÔNICA DE
POTÊNCIA
UFMA – Universidade Federal do Maranhão
IEE – Instituto de Energia Elétrica
Profª Silvangela Lilian Barcelos
1
São Luís - 2023
Características Desejadas nas
Chaves Controladas de Potência
✓Bloquear altas tensões diretas e reversas;
✓Conduzir altas correntes com queda de tensão

zero quando ligadas;
✓Liga e desligar instantaneamente quando

disparados;
✓Não consumir potência do circuito de disparo de

controle.
2
Energia Dissipada
Io
+
Vd
- iT +
vT
-
3
Energia Dissipada
Sinal de controle de chaveamento
Tensão na chave
+ & Corrente na chave
-
Potência na chave
4
Energia Dissipada
On On
Off Off
+
-
5
Energia Dissipada
On On
Off Off
vT Vd +
-
io Io
PT VdIo
6
Energia Dissipada
On On
Off Off
vT Vd +
-
io
td(on)
Tempo de atraso de disparo
PT
7
Energia Dissipada
On On
Off Off
vT Vd +
-
io
tri
Tempo de subida da corrente
PT
8
Energia Dissipada
On On
Off Off
vT Vd +
Io
-
io
tfv
Tempo de queda da
PT tensão
9
Energia Dissipada
On On
Off Off
vT Vd +
Io
-
io
WC(on)=0,5Vd Io tC(on)
Energia dissipada na transição para o estado ligado
PT
10
Energia Dissipada
On On
Off Off
ton
vT Vd +
Io
-
io
Von
Won = Von Io ton

Potência dissipada de condução
PT
11
Energia Dissipada
On On
Off Off
vT Vd +
Io
-
io Von
td(off)
Tempo de atraso de
PT desligamento
12
Energia Dissipada
On On
Off Off
vT Vd +
Io
-
io Von
trv
Tempo de subida da tensão
PT
13
Energia Dissipada
On On
Off Off
vT Vd +
Io
-
io Von
tfi
Tempo de queda da
PT corrente
14
Energia Dissipada
On On
Off Off
vT Vd +
-
io Von
WC(off)=0,5Vd Io tC(off)
Potência dissipada
na transição para
PT o estado desligado
15
Energia Dissipada
On On
Off Off
vT Vd + Vd
Io
-
io Von
WC(on) WC(off)
PT Won
16
Potência Média no Chaveamento
PS = Vd I o f S ( tC ( on ) + tC ( off ) )
1
2
Esse resultado mostra que a perda de potência no
chaveamento varia linearmente com a frequência de
chaveamento e com os tempos de chaveamento do
dispositivo.
17
Potência Média na Condução
ton
Pon = Von I o
TS
Essa equação mostra que a queda de tensão direta

na chave deve ser a menor possível.
18
Perda de Potência Total
PT = PS + Pon
Considerações:
1. Pequena corrente de fuga no estado desligado;

2. Pequena queda de tensão direta;
3. Curtos intervalos de tempo de chaveamento;
4. Bloqueio de altas tensões diretas e reversas;
5. Condução de altas correntes diretas;
6. Baixo consumo do circuito de controle;
7. Suportar altos dv/dt e di/dt durante chaveamento;
19
Controle de Temperatura das
Chaves
❑ O limite superior teórico na temperatura de um dispositivo
semicondutor é chamado de temperatura intrínseca (Ti);
❑ Os fabricantes de semicondutores de potência garantem os

valores máximos dos parâmetros dos dispositivos na
temperatura máxima especificada, que pode variar com o tipo
de dispositivo, mas que geralmente está em 125°C;
❑ A escolha do dissipador de calor (menor e mais econômico)

faz parte do projeto dos sistemas de eletrônica de potência.
20
Transferência de Calor por
Condução
T2 = a temperatura mais alta em (°C);

T1 = a temperatura mais baixa em (°C);
A = a área da secção transversal em (m2);
d = o comprimento em (m);
λ = o coeficiente de condutividade térmica.
21
Lei de Fourier para Transferência de
Calor por Condução
 A (T2 − T1 )
Pcond =
d
O coeficiente de condutividade térmica é elevado para

os bons condutores e baixo para os isolantes térmicos.
Para o alumínio com 90% de pureza, geralmente
utilizado na fabricação de dissipadores de calor, a
condutividade térmica é 220 W/(m°C).
22
Exemplo numérico 1
Considere uma haste de alumínio similar àquela
mostrada na Figura abaixo, com h = b = 1 cm e d= 25
cm. A taxa de energia calorífica que entra no lado
esquerdo (onde a temperatura é T2) é de 3 W e a
temperatura na superfície direta é T1 = 35 oC. Encontre
T2, sabendo que a condutividade térmica do alumínio é
de 220 W/m oC
23
Exemplo numérico 2
Um transistor é montado sobre uma haste de alumínio
com dimensões h = 4 cm; b = 5 cm e d= 3mm, conforme
exemplo 1. Uma queda de temperatura de 3 oC é
permitida de uma superfície de 4 X 5 cm2 para a outra.
Encontre a potência máxima que pode ser gerada nesse
transistor. Ignore qualquer perda de calor para o ar ao
redor.
24
Dissipadores de Calor
25
Temperaturas em Regime Permanente
Único Dispositivo Dissipador
26
Resistência Térmica de Condução
A resistência térmica de condução em [°C/W] é
definida por:
T
R cond =
Pcond
Assim:
d
R cond =
A
27
Nos dispositivos semicondutores, o fluxo de calor
deve atravessar materiais diferentes, com diferentes
coeficientes de condutividade térmica, áreas e
espessuras.
Rθjc → resistência térmica
junção – cápsula
Rθcs → resistência térmica
cápsula – dissipador
Rθsa → resistência térmica
dissipador – ambiente
Rθja → resistência térmica
junção – ambiente
28
A resistência térmica total da junção para o ambiente
é dada por:
R ja = R jc + R cs + R sa
A temperatura resultante da junção, assumindo uma
dissipação de potência Pd é:
Tj = Pd R ja + Ta
29
Rθjc x Ângulo de Condução
30
ITAV x PTAV
31
PTAV x Ta
32
Impedância Térmica Transitória
❑ Se a potência de entrada estiver em função do
tempo, deverão ser utilizados os gráficos da
impedância térmica transitória fornecida pelo
fabricante.
❑ A temperatura transitória da junção, assumindo

uma dissipação de potência P(t) é dada por:
Tj (t ) = P(t )Z (t ) + Ta
33
✓Seja um diodo no qual não circula corrente para t < to. A sua
temperatura na junção é igual à temperatura ambiente Ta
✓No instante to o diodo começa a dissipar uma potência
constante Pd . A capacidade térmica do dispositivo impede que
a sua temperatura cresça abruptamente. Ela cresce
exponencialmente como está representado abaixo.
34
✓A diferença instantânea de temperatura é dada pela expressão: ΔT
= Zt Pd ; Zt é a impedância térmica (variável no tempo)
✓Circuito térmico equivalente, incluindo a capacidade térmica.
∆𝑇
= 𝑅𝜃 1 − 𝑒 −𝑡/𝜏 = 𝑍𝑡
𝑃𝑑
𝒁𝒕 → impedância térmica transitória

𝑅𝜃 → resistência térmica
𝜏 = 𝑅𝜃 𝐶 → capacidade térmica
35
36
37
❑ Manter a temperatura da junção dos dispositivos de potência dentro dos limites
aceitáveis é uma responsabilidade conjunta do fabricante do dispositivo e do
usuário do dispositivo.
❑ A resistência térmica junção-ambiente máxima permitida pode ser estimada
por:
T j max − Ta max
R ja =
Ploss
38
39
Exemplo 03
Um MOSFET usado em um conversor buck tem perdas
de condução de 50 W e perdas de chaveamento iguais a
10-3 fs W. A resistência térmica junção-cápsula é Rj-c = 1o
C/W e a temperatura máxima suportada pela junção é
150o C. Assumindo que a temperatura da cápsula é igual a
50o C, determine a máxima frequência de chaveamento
permitida.
40
Exemplo 04
O MOSFET do Ex:01 é montado num dissipador e a
temperatura ambiente é 35o C. Se a frequência de
chaveamento é 25 kHz qual é o valor máximo permitido
para a resistência térmica cápsula-ambiente (Rc-a) do
dissipador? Assuma que todos os outros parâmetros do
Ex:01 permanecem constantes, exceto que a
temperatura da cápsula pode mudar.
41
Exemplo 05
Um transistor com encapsulamento TO-3 tem uma
dissipação de potência de 26 W. O fabricante do transistor
especifica um valor de 0,9°C/W para 𝑅𝜃𝑗𝑐 . Um isolador de
mica é usado com pasta térmica e a resistência do
conjunto é 0,4°C/W. A temperatura ambiente onde o
dissipador será instalado, no pior caso, será 55°C. Qual
deve ser a resistência térmica do dissipador para uma
temperatura de junção de 125°C?
42
Exemplo 04
Seja o circuito mostrado na Fig. 1ª, onde o SCR utilizado é
o SKT16 da Semikron e o ângulo de disparo é a = 60o. Os
parâmetros do SRC são: Rjc = 0,94 oC/W (obtida da Fig.
1b); Rcs = 0,5 oC/W; Tj = 120o, o ângulo de condução  =
120o, e a temperatura ambiente Ta = 50 oC. Determine a
resistência térmica do dissipador a ser empregado para
manter a temperatura da junção abaixo do limite
estabelecido pelo fabricante.
T
220 Vrms 8W
43
Exemplo 04
Rjc x Ângulo de Condução
0,94
44
Exemplo 04
Potência dissipada (P )  corrente
TAV Potência dissipada (PTAV)  temperatura
média (ITAV), para diferentes ângulos ambiente (Tamb), para diferentes resistências
de condução (correntes senoidais) térmicas junção-ambiente (Rthja)
17
45
9,28
46
Múltiplos dispositivos no mesmo dissipador
47
Múltiplos dispositivos no mesmo
dissipador
• Exemplo
48
Múltiplos dispositivos no mesmo
dissipador
• Exemplo
49

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✓Conduzir altas correntes com queda de tensão

✓Liga e desligar instantaneamente quando

✓Não consumir potência do circuito de disparo de

Won = Von Io ton

Essa equação mostra que a queda de tensão direta

1. Pequena corrente de fuga no estado desligado;

❑ Os fabricantes de semicondutores de potência garantem os

❑ A escolha do dissipador de calor (menor e mais econômico)

T2 = a temperatura mais alta em (°C);

O coeficiente de condutividade térmica é elevado para

❑ A temperatura transitória da junção, assumindo

𝒁𝒕 → impedância térmica transitória

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