03/08/2011

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SEMICONDUTORES
Prof. Marcelo Wendling
Jul/2011
Concei tos Bsi cos
Alguns materiais apresentam propriedades de
conduo eltrica intermedirias entre aquelas
inerentes aos isolantes e aos condutores. Tais
materiais so denominados de semicondutores.
Os materiais semicondutores mais simples so
constitudos de tomos de um nico elemento
qumico com quatro eltrons na camada de
valncia, ou seja tomos tetravalentes.
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Concei tos Bsi cos
Dois tomos, tetravalentes, bastante utilizados
em materiais semicondutores so o germnio
(Ge) e silcio (Si).
Rede Cri stal i na
Os tomos que tm quatro eltrons na camada
de valncia tendem a se arranjar formando uma
estrutura ou rede cristalina com tomos vizinhos
compartilhando seus eltrons de valncia.
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Rede Cri stal i na
Rede Cri stal i na
Representao plana
de uma rede cristalina de
tomos tetravalentes.
Representao tridimensional
de uma rede cristalina de tomos
tetravalentes.
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Dopagem
A dopagem um processo qumico no qual
tomos estranhos so introduzidos na estrutura
cristalina de uma substncia.
Em um cristal semicondutor a dopagem
geralmente realizada para alterar suas
propriedades eltricas.
Existem dois tipos de materiais
semicondutores, tipo N e tipo P, que dependem
do tipo de impureza introduzida na rede.
Semi condutor ti po N
Insere-se na estrutura cristalina, tomos
contendo excesso de um eltron de valncia em
relao aos tomos da rede.
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Semi condutor ti po N
Inserindo vrios tomos de impurezas:
Semi condutor ti po N
Com a insero de vrios tomos de
impurezas, os eltrons livres passam a transitar
livremente pelo material, tornando um material
isolante (rede cristalina) em material com certo
nvel de condutividade.
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Semi condutor ti po P
Insere-se na estrutura cristalina, tomos com a
deficincia de um eltron em relao aos tomos
da rede.
Semi condutor ti po P
Verifica-se a ausncia do segundo eltron que
comporia o par necessrio formao de uma das
ligaes com o tomo de ndio. Essa ausncia de
eltron de ligao denominada de lacuna.
A existncia de lacunas permite que haja um
mecanismo de conduo distinto do tipo N.
Quando a dopagem produz lacunas no
semicondutor, um eltron proveniente de uma
ligao covalente s poder transitar para um
ponto do cristal onde haja uma lacuna disponvel.
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Semi condutor ti po P
O movimento de
eltrons de valncia
ocorre do polo negativo
para o polo positivo.
As lacunas em um
semicondutor dopado
se comportam como
cargas positivas que
podem transitar em
um cristal submetido
a uma tenso externa
aplicada.
I nfl uncia Trmi ca
Quando a temperatura de um material
semicondutor aumenta, sua condutividade
tambm aumenta, devida a liberao de eltrons
nas camadas de valncia, que formam um par
eltron/lacuna.
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Consi deraes Fi nai s
Analisando as propriedades de materiais
semicondutores, nota-se que o nmero de
eltrons ou lacunas em um semicondutor, cresce
com o aumento do nmero de tomos de
impurezas introduzidas no cristal.
Com o aumento do nmero de portadores de
carga, aumenta-se a condutividade eltrica do
material. Dessa forma, torna-se possvel alterar de
forma controlada a condutividade eltrica de um
semicondutor, efetuando-se a dosagem adequada
da quantidade de dopagem do cristal durante a
etapa de fabricao.
Consi deraes Fi nai s
Essa caracterstica de controle externo de
condutividade possibilita o uso de cristais
semicondutores como matria prima na
fabricao de componentes eletrnicos, como
diodos, transistores e circuitos integrados.
Inicia-se agora o estudo das junes desses
materiais tipo N e tipo P na busca de
componentes eletrnicos com comportamentos
distintos.
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Bi bl i ografia
Retirado da apostila Srie Eletrnica,
desenvolvido pelo Sistema SENAI.