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2. Objetivos ................................................................................................. 3
4. Questões .................................................................................................. 5
9. Conclusão .............................................................................................. 29
1. Introdução
O conversor cc-cc Sepic, é um tipo de conversor em que podemos
obter uma tensão de saída com amplitude maior ou menor em relação a tensão de
entrada, esse tipo de conversor se comporta como um transformador
abaixador/elevador para tensão cc.
2. Objetivos
Nosso objetivo nesse relatório são analisar o conversor Sepic e
estudar suas equações matemáticas, além de verificar seu funcionamento quando a
chave se encontra aberta e fechada, vamos também analisar suas principais
características, seu funcionamento além de suas formas de onda simuladas no software
PSIM.
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3. Circuito Equivalente
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4. Questões
O circuito ilustrado na figura 1 representa o conversor cc-cc abaixador/elevador
de tensão conhecido como conversor SEPIC. Para realização dos trabalhos, considere os
seguintes parâmetros: Vin = 9 V, D = 0,4, L1=L2 = 90 uH, C1= C2 = 80 uF e Io = 2A. A
frequência de chaveamento é 100 kHz.
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Chave fechada (Diodo bloqueado)
L1 C1
Ds
Vin Ss L2 C2 R
𝑉𝑙1 = 𝑉𝑖𝑛
𝑉𝑆𝑠 = 0
𝑉𝑙2 = 𝑉𝑖𝑛
𝐼𝐷𝑠 = 0
𝐼𝐶1 = −𝐼𝑙2
𝐼𝐶2 = −𝐼𝑅
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Chave aberta (Diodo entra em condução)
L1 C1
Ds
Vin Ss L2 C2 R
𝑉𝑙1 = −𝑉𝑜
𝑉𝑆𝑠 = 𝑉𝑖𝑛 + 𝑉𝑜
𝑉𝐷𝑠 = 0
𝑉𝑙2 = −𝑉𝑜
𝐼𝐶1 = 𝐼𝑙1
𝐼𝑆𝑠 = 0
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Ganho Estático:
𝑉𝐶1 = 𝑉𝑖𝑛
𝐴𝑟𝑒𝑎
E que o valor médio é a 𝑉𝑙 = 𝑇𝑠
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𝑉𝑜 𝐷
=
𝑉𝑖𝑛 (1 − 𝐷)
𝑉𝑜
𝐷=
𝑉𝑜 + 𝑉𝑖𝑛
𝑉𝑖𝑛 × 𝐷
∆𝑖𝑙1 =
𝐿1 × 𝑓𝑐ℎ
𝑉𝑙2 = −𝑉𝑜
𝑑𝑖𝑙2 ∆𝑖𝑙2 𝑉𝑜
∣ ∣= =
𝑑𝑡 (1 − 𝐷) × 𝑇𝑐ℎ 𝐿2
𝑉𝑜 × (1 − 𝐷)
∆𝑖𝑙2 =
𝐿2 × 𝑓𝑐ℎ
𝑉𝑖𝑛 × 𝐷
∆𝑖𝑙1 =
𝐿1 × 𝑓𝑐ℎ
9
𝑉𝑖𝑛 × 𝐷
𝐿1 =
∆𝑖𝑙1 × 𝑓𝑐ℎ
Cálculo da Indutância L2:
𝑉𝑜 × (1 − 𝐷)
∆𝑖𝑙2 =
𝐿2 × 𝑓𝑐ℎ
𝑉𝑜 × (1 − 𝐷)
𝐿2 =
∆𝑖𝑙2 × 𝑓𝑐ℎ
𝑉𝑜2
𝑉𝑖𝑛 × 𝐼𝑙1 =
𝑅
𝑉𝑜2
𝐼𝑙1 =
𝑉𝑖𝑛 × 𝑅
ou
𝑉𝑖𝑛 × 𝐷²
𝐼𝑙1 =
𝑅 × (1 − 𝐷)²
ou
𝑉𝑜 × 𝐷
𝐼𝑙1 =
(1 − 𝐷 ) × 𝑅
𝑉𝑜
𝐼𝑙2 = 𝐼𝑅 =
𝑅
ou
𝑉𝑖𝑛 × 𝐷
𝐼𝑙2 =
(1 − 𝐷) × 𝑅
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Correntes Máxima e Mínima no Indutor L1:
∆𝑖𝑙1
𝐼𝑙1 𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑙1 +
2
𝑉𝑖𝑛 × 𝐷² 𝑉𝑖𝑛 × 𝐷
𝐼𝑙1 𝑚𝑎𝑥 = +
𝑅 × (1 − 𝐷)² 2 × 𝐿1 × 𝑓𝑐ℎ
∆𝑖𝑙1
𝐼𝑙1 𝑚𝑖𝑛 = 𝐼𝑙1 −
2
𝑉𝑖𝑛 × 𝐷² 𝑉𝑖𝑛 × 𝐷
𝐼𝑙1 𝑚𝑖𝑛 = −
𝑅 × (1 − 𝐷)² 2 × 𝐿1 × 𝑓𝑐ℎ
∆𝑖𝑙2
𝐼𝑙2 𝑚𝑖𝑛 = 𝐼𝑙2 −
2
𝑉𝑜 𝑉𝑜 × (1 − 𝐷)
𝐼𝑙2 𝑚𝑖𝑛 = −
𝑅 2 × 𝐿2 × 𝑓𝑐ℎ
∆𝑖𝑙1
𝐼𝑙1 𝑟𝑚𝑠 = √𝐼𝑙12 +
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Corrente Eficaz no indutor L2:
∆𝑖𝑙2
𝐼𝑙21 𝑟𝑚𝑠 = √𝐼𝑙22 +
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Uma vez que Il1 (min) = 0, temos o limite entre os modos contínuos
e descontínuos de condução, tem-se que:
𝑉𝑖𝑛 × 𝐷² 𝑉𝑖𝑛 × 𝐷
𝐼𝑙1 𝑚𝑖𝑛 = − =0
𝑅 × (1 − 𝐷)² 2 × 𝐿1(𝑐𝑟𝑖𝑡𝑖𝑐𝑎) × 𝑓𝑐ℎ
𝑉𝑖𝑛 × 𝐷² 𝑉𝑖𝑛 × 𝐷
=
𝑅 × (1 − 𝐷)² 2 × 𝐿1(𝑐𝑟𝑖𝑡𝑖𝑐𝑎) × 𝑓𝑐ℎ
𝑅 × (1 − 𝐷 )2
𝐿1(𝑐𝑟𝑖𝑡𝑖𝑐𝑎) =
2 × 𝑓𝑐ℎ × 𝐷
𝑉𝑜 𝑉𝑜 × (1 − 𝐷)
𝐼𝑙2 𝑚𝑖𝑛 = − =0
𝑅 2 × 𝐿2(𝑐𝑟𝑖𝑡𝑖𝑐𝑎) × 𝑓𝑐ℎ
𝑅 × (1 − 𝐷)
𝐿2(𝑐𝑟𝑖𝑡𝑖𝑐𝑎) =
2 × 𝑓𝑐ℎ
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Equação de projeto do capacitor:
Cálculo da capacitância C1
(𝐷 × 𝑇𝑐ℎ)
⃓∆𝑄⃓⃓ = (𝐼𝑙2 max + 𝐼𝑙2 min) × = 𝐶1 × ∆𝑣𝑐1
2
∆𝑖𝑙2 ∆𝑖𝑙2 𝐷 × 𝑇𝑐ℎ
(𝐼𝑙2 + + 𝐼𝑙2 − )× = 𝐶1 × ∆𝑣𝑐1
2 2 2
𝐼𝑙2 × 𝐷 × 𝑇𝑐ℎ = 𝐶1 × ∆𝑣𝑐1
𝑉𝑜
× 𝐷 × 𝑇𝑐ℎ = 𝐶1 × ∆𝑣𝑐1
𝑅
𝑉𝑜 × 𝐷
𝐶1 =
𝑅 × ∆𝑣𝑐1 × 𝑓𝑐ℎ
Cálculo da capacitância C2
𝑉𝑜
⃓∆𝑄⃓⃓ = × 𝐷 × 𝑇𝑐ℎ = 𝐶2 × ∆𝑉𝑜
𝑅
𝑉𝑜 × 𝐷
𝐶2 =
𝑅 × ∆𝑉𝑜 × 𝑓𝑐ℎ
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5. Determinando os parâmetros da tabela 1:
𝐷 = 0,4
𝑉𝑜 𝐷
=
𝑉𝑖𝑛 1 − 𝐷
𝑉𝑜 0,4
=
9 1 − 0,4
𝑉𝑜 = 6 𝑉
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𝑉𝑜 6
𝑅= = =3Ω
𝐼𝑅 2
𝑉𝑜 × 𝐷
∆𝑉𝑜 =
𝑅 × 𝐶2 × 𝑓𝑐ℎ
6 × 0,4
∆𝑉𝑜 =
3 × 90µ × 100𝐾
∆𝑉𝑜 = 0,088 𝑉
𝑉𝐷𝑠(𝑝) = 𝑉𝑖𝑛 + 𝑉𝑜 = 9 + 6 = 15 𝑉
𝑉𝑖𝑛 × 𝐷
𝐼𝑙2 =
(1 − 𝐷) × 𝑅
9 × 0,4
𝐼𝑙2 = =2𝐴
(1 − 0,4) × 3
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𝐼𝑆𝑠 = (𝐼𝑙1 + 𝐼𝑙2) × 𝐷
𝑉𝑖𝑛 × 𝐷
∆𝑖𝑙1 =
𝐿1 × 𝑓𝑐ℎ
(9 × 0,4)
∆𝑖𝑙1 = = 0,4 𝐴
90µ × 100𝐾
𝑉𝑜 × (1 − 𝐷)
∆𝑖𝑙2 =
𝐿2 × 𝑓𝑐ℎ
6 × (1 − 0,4)
∆𝑖𝑙2 = = 0,4 𝐴
90µ × 100𝐾
(∆𝑖𝑙1 + ∆𝑖𝑙2)2
𝐼𝑆𝑠 𝑟𝑚𝑠 = √(𝐼𝑙1 + 𝐼𝑙2)2 + )×𝐷
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(0,4 + 0,4)2
𝐼𝑆𝑠 𝑟𝑚𝑠 = √(1,33 + 2)² + × 0,4
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(∆𝑖𝑙1 + ∆𝑖𝑙2)2
𝐼𝐷𝑠 𝑟𝑚𝑠 = √(𝐼𝑙1 + 𝐼𝑙2)2 + ) × (1 − 𝐷)
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(0,4 + 0,4)2
𝐼𝐷𝑠 𝑟𝑚𝑠 = √(1,33 + 2)² + × (1 − 0,4)
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∆𝑖𝑙1²
𝐼𝑙1 𝑟𝑚𝑠 = √𝐼𝑙12 +
12
0,42
𝐼𝑙1 𝑟𝑚𝑠 = √1,332 + = 1,34 𝐴
12
𝑉𝑖𝑛 × 𝐷
∆𝑖𝑙1 =
𝐿1 × 𝑓𝑐ℎ
(9 × 0,4)
∆𝑖𝑙1 = = 0,4 𝐴
90µ × 100𝐾
𝑉𝑖𝑛 × 𝐷
𝐼𝑙2 =
(1 − 𝐷) × 𝑅
9 × 0,4
𝐼𝑙2 = =2𝐴
(1 − 0,4) × 3
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∆𝑖𝑙2²
𝐼𝑙2 𝑟𝑚𝑠 = √𝐼𝑙22 +
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0,42
𝐼𝑙2 𝑟𝑚𝑠 = √22 + =2𝐴
12
𝑉𝑜 × (1 − 𝐷)
∆𝑖𝑙2 =
𝐿2 × 𝑓𝑐ℎ
6 × (1 − 0,4)
∆𝑖𝑙2 = = 0,4 𝐴
90µ × 100𝐾
∆iC2 pp = 2 + 2 − 2 + 2 = 4 𝐴
Pin = Po (Ideal)
𝑃𝑜 = 11,97 𝑊
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Figura 7. Formas de onda da corrente e tensão no diodo
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Figura 8. Formas de onda da corrente e tensão na chave
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Figura 9. Formas de onda da corrente e tensão no indutor L1
A tensão em cima de Vl1 no período de tempo DTch tem o mesmo valor da fonte como
podemos observar na simulação e quando a chave se abre no instante (1-D)Tch e pelo
método LTK temos um valor com a polaridade negativa em que Vl1 = -Vo = -6 V.
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Figura 10. Forma de onda da corrente e tensão no indutor L2
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Figura 11. Formas de onda da corrente e tensão no capacitor C1
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Figura 12 Forma de onda da corrente e tensão no capacitor C2
VC2 = Vo
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Figura 13. Formas de onda da corrente e tensão na fonte
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Figura 14. Formas de onda da corrente e tensão na carga
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7. Modo de condução
Vin × D² Vin × D
Il1(min) = ( − )
(1 − 𝐷)²𝑅 2𝐿1𝑓𝑐ℎ
9 × 0,4² 9 × 0,4
𝐼𝑙𝑏(𝑚𝑖𝑛) = −
(1 − 0,4)² × 3 2 × 90µ × 100𝐾
𝐼𝑙𝑏(𝑚𝑖𝑛) = 1,133 𝐴
Portanto o conversor está operando em modo de condução continuo
Diodo:
Schottky Barrier Rectifier- Vishay
If(AV): 5 A
VRRM: 20 até 60 V
Tj: 150ºC
IFsm: 220 A
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Mosfet:
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET– Vishay
VDS: 25 V
VGS: 20/-16 V
Temperatura de operação: -55ºC até 150ºC
ID: 50 A
9. Conclusão
Podemos citar nesse relatório que o conversor Sepic estudado tem
aplicações importantes na engenharia, ele pode ser implementado para corrigir fator
de potência, mitigar os conteúdos harmônicos de corrente para carga que não sejam
lineares, podem ser usados para regular a tensão em barramentos cc de micro redes,
além de extrair a máxima potência de painéis fotovoltaicos e garantir a máxima
eficiência de um sistema desses.
10. Referências
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