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Solubilidade - feito
1.1. Saturação - feito
1.2. Zona de meta estabilidade/efeitos - feito
1.3. Técnicas de cristalização -
1.3.1. Resfriamento/anti-solvente/seeding - feito
1.3.2.
1.3.3.
2. Cristalização
2.1. Termodinâmica da nucleação / zona de metaestabilidade/tempo de indução - feito
2.2. Nucleação Primeira (Homogênea/heterogênea) / Secundária - feito
2.2.1. Teorias e Cinética da Nucleação e Crescimento - feito
2.4 Cristal Shape/Habit/Poliformismo
2.5 Distribuição de Tamanho de Partícula
2.6 Modelagem de reator (massa/energia ect)
MÉTODO DE NYLVT
MATERIAIS E MÉTODOS
CRISTALIZAÇÃO
SOLUBILIDADE - feito
IMPORTANCIA DA SOLUBLIDADE E DA SUPERSATURAÇÃO
ΔG=RTln x Eq. 2
Onde R é a constante universal dos gases, T é a temperatura em Kelvin e x é a composição
molar da solução expressa em termos da composição de um dos seus componentes.
Sendo variação da Entropia para o processo de dissolução é dada pela equação:
ΔS =−RTln x Eq. 3
Considerando uma solução ideal a variação de Entalpia é zero. Além disso, a variação da
energia de Gibbs pode ser expressa em termos do coeficiente de atividade ( a ), portanto:
ΔG=RTln a Eq. 4
O que em outras palavras, para uma solução ideal, existe uma igualdade entre a solubilidade (
x ¿ e a atividade (a ¿ .
a=x Eq. 5
Para soluções não ideais, a equação é modificada por um Coeficiente de Atividade apropriado
(ϒ):
a=ϒx Eq. 6
O que nos permite, portanto, através da predição do coeficiente de atividade,
determinar para soluções não ideias, a solubilidade dos compostos. Existem uma série de
métodos com o objetivo de determinar o coeficiente de atividade, entre eles podemos citar:
Scatchard-hilderbrand, parâmetros de Hanser, UNIQUAC, UNIFAC, COSMO-RS e dinâmica
molecular como pontuados por (Myerson, 2019) e (Mullin, 2001).
Outra definição importante para entender a solubilidade de compostos é o potencial
químico, que é também entendido como a energia de Gibbs parcial molar, onde o potencial
químico atua como força motriz para reações químicas, transferências de espécies químicas ou
mudanças de fase, ou seja, a cristalização só pode ocorrer quando o potencial químico é maior
que o potencial químico no equilíbrio (Myerson, 2019). Essa diferença de potencial químico é
conhecida como supersaturação. Portanto, sabendo os coeficientes de potencial químico de
cada fase, saberemos de que modo a espécie química irá se apresentar. (Koretsky, 2007).
Embora não encontramos soluções com comportamento ideal, onde é aquela que
considera as interações entre o soluto e solvente, idênticas as interações entre o solvente e o
soluto, tal conceito ainda é útil na tentativa de compreensão do fenômeno. Considerando tal
fenômeno, temos a equação de equação de Van´t Hoff (Mullin, 2001):
ΔHf 1 1
ln x= [ − ] Eq. 7
R Tf T
B
log x= A+ +C log T Eq.8
T
Onde x é a solubilidade e A, B e C são constantes.
Embora exista todo um arcabouço termodinâmico para derivar o potencial químico,
que é entendido como a força motriz do processo de cristalização, ou ainda a solubilidade do
soluto, em termos práticos, a supersaturação é utilizada e entendida como responsável pela
força motriz do processo de cristalização, além de fornecer informações sobre o rendimento
do processo durante a mudança de estado de uma concentração para outra (Mullin, 2001).
Assim, em termos práticos, a determinação da supersaturação é realizada através da diferença
de concentração ( Δc ¿ e razão da concentração ( S ¿ como expresso abaixo:
Δc =c−c¿ Eq. 9
c
S= ¿ Eq. 10
c
Onde, c = concentração da solução e c* a concentração da supersaturação.
Comentários
Em um sistema fechado submetido a temperatura e pressão constantes, a adição extra de
soluto evolui para a formação de um sistema bifásico, na qual o potencial químico de cada
constituinte é igual em todas as fases, para quantificar a solubilidade, o potencial químico é
expresso em termos de fugacidade na fase sólida e da atividade (ai). A atividade (ai) é o
produto do coeficiente de atividade (yi) e da fração molar(xi) do componente i na fase liquida.
NUCLEAÇÃO PRIMARIA HOMOGENEA
O processo de cristalização é desenvolvido através da nucleação e crescimento dos
cristais. O processo de nucleação consiste do aparecimento de núcleos que são formados pela
organização das moléculas da solução (Myerson, 2019). É entendido que para um núcleo se
formar e crescer, a energia libre de Gibbs (ΔG) deve possuir um valor negativo, essa energia
livre de Gibbs tem duas componentes, a energia livre entre a fase sólida e líquida, conhecida
como energia livre de volume (ΔGv). A segunda contribuição é a energia de formação de
fronteira entra a fase líquida e sólida que é conhecida como energia livre de superfície (ϒ),
como descrito na equação:
4 3 2
ΔG¿ π r Δ Gv +4 π r ϒ Eq. 11
3
A equação 11, pode ser exemplificada na Figura 1, onde a energia livre do volume varia
com o r3 e a energia livre de superfície varia com o r 2, portanto temos que a energia livre de
Gibbs, ou energia livre de ativação (ΔG*) primeiro aumenta e depois diminui, isso significa que
se o núcleo atingir um raio crítico, o crescimento vai continuar, caso contrário ira dissolver.
Pode ser percebido que existe então um raio crítico que vai determinar se um núcleo
sobrevive ou não. Tanto o raio critico como a energia livre de ativação diminuem com a
redução da temperatura, portanto, conforme a temperatura diminui, a facilidade de ocorrer a
nucleação aumenta, aumentando com isso o número de núcleos estáveis. (Willian D. Callister,
2008).
Figura 1 - Representação das diferentes componentes da energia livre de Gibbs para ocorrência de um núcleo
estável
Fonte: (Willian D. Callister, 2008)
Em um sistema de cristalização, acompanhando a diminuição da temperatura, temos
também que a supersaturação aumenta, isso também significa que com o aumento da
supersaturação, o raio critico diminui e facilita a nucleação. Essa necessidade de se atingir um
núcleo crítico para a sobrevivência do núcleo, explica o porquê uma solução supersaturada é
metaestável e não necessariamente irá ocorrer a cristalização (Myerson, 2019).
TAXA DE NUCLEAÇÃO
Outro conceito importante é a taxa de nucleação, onde é entendido como sendo o
número de núcleos formados por unidade de tempo e volume. (Mullin, 2001). A taxa de
nucleação é expressada abaixo.
3 2
16 π ϒ v
J= A exp−¿ 3 3
¿ Eq. 12
3k T ¿¿
A taxa e nucleação é governada pela temperatura (T), pela supersaturação (S) e pela
tensão interfacial (ϒ) (energia livre de superfície), a equação permite concluir que existe uma
supersaturação onde ocorre um aumento elevado na taxa de nucleação, a nucleação ocorre
para qualquer valor de supersaturação maior que 1, embora o tempo de indução de nucleação
apresenta variação exponencial com o teor da supersaturação, ou seja, quanto maior a
supersaturação, menor o tempo de indução de nucleação. Vale lembrar que o tempo de
indução é o tempo necessário para ocorrer a nucleação e crescimento de cristal até se tornar
visível. (Mullin, 2001)
Ainda de acordo com (Mullin, 2001) e (Willian D. Callister, 2008) ocorre uma elevada
taxa de nucleação abaixo da temperatura de equilíbrio, fenômeno conhecido como super
resfriamento ou supercooling, onde alguns sistemas requerem um grau de super resfriamento
elevado para ocasionar a nucleação homogênea. (Jaroslav Nývlt et al., 1985) pontua que existe
uma correlação entre solubilidade e supercooling.
NUCLEAÇÃO HETEROGENEA
Normalmente não é possível alcançar uma nucleação homogênea devido a presença
de impurezas, partículas ou até mesmo devido a presença de qualquer tipo de superfície,
como as paredes do cristalizador ou instrumentos. Tais superfícies induzem a nucleação
heterogênea que nada mais é do que uma diminuição na barreira de energia necessária para a
nucleação. (Myerson, 2019). Essa diminuição na energia depende do ângulo de contato entre
os núcleos formados e as superfícies, portanto, quando menor o ângulo de contato entre os
núcleos e as superfícies, menor a energia crítica de Gibbs, por consequência é possível alcançar
maiores taxas de nucleação com menores supersaturações e diminuição da largura da zona de
metaestabilidade, este mecanismo explica a utilização de seeding como indutor de nucleação e
fatores relacionados ao tempo de indução. (Tavare, 1995), (A. Mersmann, 2001).
Em termos mais práticos, tanto a nucleação primaria homogênea, quando a
heterogênea que consiste da nucleação por presença de impurezas, pode ser expressa como
uma lei de potência em termos de supersaturação e a presença de uma constante (k).
J=k ∆ c n Eq. 13
Figura 2- Comportamento o tamanho médio do cristal, taxa de nucleação e taxa de crescimento do cristal em
função da supersaturação.
Fonte: (Tung, 2009)
Nos tópicos anteriores, foi desenvolvido uma breve explanação sobre os mecanismos
envolvidos na nucleação homogênea e heterogênea, esses fenômenos têm importantes
implicações no resultado obtido do processo de cristalização. Estas implicações são
aprofundadas envolvendo os conceitos de zona de metaestabilidade, tempo de indução e
cristalização secundária.
A Figura 3 é dívida em três regiões, a fase estável, não saturada, onde a cristalização é
impossível. A zona metaestável, onde a solução se encontra supersaturada, que é a região
entre as zonas supersaturada e não saturada, onde a cristalização homogênea é improvável. E
a Zona Lábil, ou não estável, onde a solução se encontra supersaturada, região onde a
cristalização é mais provável. (Tavare, 1995)
Uma solução supersaturada é considerada instável do ponto de vista termodinâmico e
normalmente espera-se que quando uma solução atinja este estado, ocorra a formação de
cristais. (Mullin, 2001), justamente para tornar a solução estável até atingir o ponto de
equilíbrio, entretanto, para que este fenômeno ocorra, é necessário que ocorra a nucleação e
é justamente o estudo da nucleação que vai propiciar o entendimento sobre o crescimento
dos cristais. Além disso, o controle da nucleação e do crescimento dos cristais vai impactar no
tamanho dos cristais, que é um parâmetro industrial importante. (Tung, 2009). Portanto,
compreender os fenômenos que dão origem a curva de solubilidade e supersolubilidade é
importante para desenvolver o processo de cristalização que atenda aos requisitos de
engenharia.
Segundo (Tung, 2009), a largura da Zona Metaestável é inversamente proporcional a
temperatura com que ocorre a cristalização, portanto, quando mais alta a temperatura que
ocorre o processo de cristalização, mais estreita é a largura da zona metaestável e menor o
tempo de indução, além disso, qualquer perturbação na solução, quando ela se encontra na
Zona Lábil, vai gerar um sistema que tem menor energia livre que o sistema anterior e
portanto, induz a formação de fase sólida. A zona de metaestabilidade é a região onde ocorre
os fenômenos envolvidos na cinética de cristalização e onde atua os parâmetros de controle
de supersaturação, responsável pela taxa de crescimento do cristal e taxa de nucleação. Além
disso, (Jaroslav Nývlt et al., 1985) coloca que existe um gradiente de tempo de indução de
cristalização entre a zona meta estável e a linha de solubilidade, onde nesta região requer-se
um tempo considerável para ocorrer a cristalização homogênea, já na interface entre a zona
meta estável a zona lábil, o tempo de nucleação é consideravelmente menor.
Ainda de acordo com (Myerson, 2019) a largura da zona metaestável indica a
facilidade que um material tem de nuclear em função da supersaturação. Normalmente a
largura da zona de metaestabilidade é estreita para materiais iônicos e mais larga para
materiais orgânicos, sendo proporcional ao tamanho da molécula. A largura da Zona de
Metaestabilidade vai influenciar a cinética de nucleação e por consequência na distribuição do
tamanho de partícula obtido de acordo com os parâmetros de processo. A largura da zona de
metaestabilidade, assim como também o tempo de indução para cristalização são afetados por
diversos fatores, tais como taxa de resfriamento, impurezas, tipos de solvente, agitação e
presença de sementes (seeding) e outros fatores pontuados por (Tung, 2009) que
normalmente tornam a zona de meta estabilidade mais estreita e diminuem o tempo de
indução da cristalização. (Jaroslav Nývlt et al., 1985) pontua que a largura será influenciada
pelo histórico térmico e efeitos mecânicos empregados no sistema. Detalhes sobre como cada
um destes fatores afetam a nucleação podem ser encontrados na obra do autor.
O conhecimento da largura da zona de meta estabilidade é de grande importância
industrial, já que é ela que define a região onde ocorre o processo de cristalização, se tal
processo ocorrer perto da curva de supersolubilidade ou spinodal curve o processo de
cristalização será definido pelo fenômeno de nucleação onde por consequência vai gerar
grande número de pequenos cristais, resultando em grande quantidade de finos que podem
gerar aglomeração dos cristais, outros problemas são descritos na literatura tais como
poliformismo descontrolado e variação entre corridas de cristalização, ambos os fenômenos
atribuídos a região da zona de metaestabilidade. (Myerson, 2019). A largura da zona
metaestável será afetada pela temperatura, presença de impurezas, taxa de resfriamento,
ação mecânica, histórico térmico na solução, nível de saturação. (Jaroslav Nývlt et al., 1985),
viscosidade e volume do sistema. (Myerson, 2019)
Assim, o diagrama de solubilidade, juntamente com a largura da zona metaestável nos
fornece informações sobre o comportamento do sistema, os parâmetros necessários para que
ocorra condições termodinâmicas favoráveis para o surgimento de cristais e informações sobre
como proceder o processo de cristalização para propiciar resultados coerentes em termos de
tempo de indução e distribuição de tamanho de partícula. A compreensão do diagrama de
supersolubilidade e metaestabildiade também fornece estratégias para indução da
supersaturação, tais como o resfriamento, anti-solvente, reação química, evaporação do
solvente ou ainda vacum cooling. Em resumo, a largura da zona de meta estabilidade está
intimamente relacionado aos principais fenômenos relacionados a cristalização, tais como a
nucleação, o crescimento dos cristais e o tempo de indução. Adiante, vamos ver como as
perturbações no sistema afetam a largura da zona de metaestabilidade e como estes
fenômenos nos fornecem subsídios para controlar o fenômeno de cristalização.
NUCLEAÇÃO SECUNDÁRIA
A nucleação secundaria é de grande importância prática nos processos industriais, pois
uma nucleação por contato, entre os próprios núcleos dos cristais, com as paredes do
cristalizador ou com o impelidor ou ainda devido as impurezas presentes, induz uma maior
nucleação, fenômeno que ocorre em níveis de saturação mais baixos que a nucleação
homogênea. (Costa & Giulietti, 2010).
A teoria da nucleação clássica, para nucleação homogênea, diz que a tensão superficial
governa a nucleação, para a nucleação heterogênea, a tensão superficial entre o liquido
supersaturado e o que vai vir a ser os novos núcleos é menor, isso significa que a energia livre
de Gibbs critica para ocorrer a nucleação heterogênea é menor que a homogênea, em outras
palavras, o grau de supersaturação exigido para nucleação heterogênea é menor que a
homogênea (Mullin, 2001). Outro desdobramento deste fenômeno é que a largura da zona
metaestável é menor (Myerson, 2019).
Diversas técnicas são descritas na literatura sobre como promover a nucleação
secundária, estás técnica incluem a introdução de partículas (dust, needle, polycrystal
breeding), micro e macro abração (atrito entre as partículas e partes do cristalizador) e
promoção de tensão de cisalhamento (Myerson, 2019). Interessantes estratégias são derivadas
do fenômeno de nucleação heterogênea, já que o fenômeno tem grande impacto sobre o
resultado do processo de cristalização. (Tavare, 1995). Descrições detalhadas sobre cada um
destes mecanismos e outros tais como a agitação, temperatura, supersaturação, tamanho de
cristal e aditivos são discutidos por (Jaroslav Nývlt et al., 1985)
Não há dúvidas que o entendimento do mecanismo de ação de cada um destes
fenômenos constitui um ferramental importante para o controle do processo de nucleação e
por consequência e para o controle do processo de cristalização. Entretanto, não constitui
objetivo deste trabalho descrever minuciosamente cada um deste fenômenos, apesar da
importância individual de todos eles, segue abaixo uma breve explanação dos fenômenos tidos
como os mais importantes e de mais fácil aplicação.
Seeding é considerado o melhor método para induzir o processo de cristalização, onde
é inoculado em uma solução supersaturada pequenas partículas do material que será
cristalizado. Em relatos, (A. Mersmann, 2001) declara que não é o número de partículas
essencialmente que influi na taxa de nucleação heterogênea, mas sim a área superficial, além
disso também é possível promover a nucleação heterogênea com adição de partículas não
relacionadas a composição do soluto, por exemplo com a dióxido de titânio e dióxido de silício
em processos de cristalização de sulfato de bário, como relata o autor. (A. Mersmann,
2001)ainda relata que o ângulo de contato entre as partículas e a solução e a constante de
adsorção são parâmetros importantes, afetando inclusive a largura da zona metaestável.
(Mullin, 2001) relatava que a técnica de seeding diminui o tempo de indução na formação de
cristais e (Myerson, 2019) afirma que seeding pode ser usado para controlar a nucleação
espontânea exagerada e assim controlando a distribuição das partículas, melhorando a
reprodutibilidade do processo e controlando o poliformismo e eventuais formações amorfas.
O seeding também pode ser utilizado como estratégia para obtenção de cristais grandes,
geralmente os cristais utilizados para seeeding tem uma faixa de distribuição estreita. Ainda de
acordo com (Myerson, 2019) o controle da supersaturação é crítico e deve ser evitado a
cristalização espontânea para maximizar o tamanho de cristal obtido.
Sobre a agitação, (Myerson, 2019) relata que a fonte mais importante de nucleação
secundária a de contato (microabrasão) entre os cristais, cristais e o impelidor e ainda dos
cristais com a parede do cristalizador. (Tung, 2009) relatava exemplos de estudos envolvendo
diferentes tipos de impelidores, onde impelidores de metal promovem uma taxa de nucleação
maior que impelidores de plástico (macro abração). Também temos que a probabilidade de
interação entre as partículas e o impedidor é proporcional a velocidade de rotação do
impelidor, portanto o grau de agitação afeta a taxa de nucleação. (Mullin, 2001). Vale ressaltar
que os fragmentos gerados pelas colisões crescem mais devagar que cristais maiores, onde os
defeitos cristalinos e tensões geradas nos cristais dificultam o crescimento destes cristais e que
fragmentos da ordem de 1 micra ou menor provavelmente serão solubilizados mesmo em
soluções supersaturadas devido ao efeito Gibbs-Thomson. Temos ainda que a probabilidade
de cristais maiores interagirem com o impelidor é maior que a dos cristais menores, ou seja,
cristais maiores contribuem mais para a nucleação secundaria que cristais menores. A relação
entre seeding e a velocidade do impelidor é controversa, onde em alguns casos a agitação
pode inibir a nucleação (Mullin, 2001). (Jaroslav Nývlt et al., 1985) relata que para cristais
maiores a taxa de nucleação obedece a lei de potência atrelando a supersaturação e a
turbulência do sistema.
Além dos fatores mencionados acima, a supersaturação é a mais importante. Sabemos que
atua como força motriz do processo de cristalização e que a nucleação primaria é derivada
diretamente da magnitude da supersaturação sendo diretamente atrelado também ao tempo
de indução (Mullin, 2001). Além disso, as consequências diretas da supersaturação na
nucleação secundária são expressas de acordo com (Jaroslav Nývlt et al., 1985) da seguinte
forma:
i) Com o aumento da supersaturação, as microrugosidades formadas nos cristais
aumentam a probabilidade da formação de novos núcleos devido as colisões.
ii) Com altas supersaturações a probabilidade dos núcleos sobreviverem aumenta,
onde o raio crítico do núcleo para sobrevivência é inversamente proporcional a
supersaturação.
iii) Com altas supersaturação, a camada de adsorção é maior, o que ajuda a explicar a
maior sobrevivência dos núcleos.
No geral, a taxa de nucleação secundaria pode ser modelada através de uma lei de
potência, relacionando a taxa de nucleação secundaria em função do grau de agitação,
densidade da suspenção, supersaturação e agitação.
j i b
B=K b M T N ∆ c Eq. 14
Segundo (Jaroslav Nývlt et al., 1985) e (Mullin, 2001), o modelo BCF descreve a
dependência do crescimento dos cristais através do nível de supersaturação, onde que para
baixa supersaturação a relação é parabólica e para altas supersaturações a relação se torna
linear, esse comportamento é explicado devido a diminuição da taxa de difusão com o
aumento da supersaturação (Lewis et al., 2015), ou seja, a difusividade é função da
concentração e também da temperatura pois influenciam na viscosidade do sistema que por
sua vez implica na difusão. (A. Mersmann, 2001).
Além dos modelos expostos, existem outros que propõe diferentes mecanismos e que
resultam em taxas de crescimento diferentes, (Dimo Kashchiev, 2000), fornece a comparação
entre as taxas de crescimento dos modelos apresentados bem como a modelagem matemática
dos modelos. Os modelos conhecidos como NAN (Nuclei above Nuclei) que é composto pelos
modelos “mononuclear growth”, “polynuclear growth” e “Birth and Spread” e ainda a
conceituação do modelo SOS (Solid on Solid), também conhecido como modelo de Temkin,
este último é interessante pois atribui um fator para diferentes mecanismos de crescimento
dos cristais, assim é possível classificar qual modelo e mecanismo é predominante num
determinado sistema. (Jaroslav Nývlt et al., 1985). Esse modelo ajuda a prever quando os
cristais são geometricamente perfeitos e tem uma superfície lisa enquanto que em outras
condições os cristais apresentam um aspecto rugoso.
Conforme ilustrado na Figura 8, os diferentes mecanismos são ativados de acordo com
a força motriz do processo, com o aumento da supersaturação a probabilidade da nucleação
na superfície dos cristais aumenta juntamente com a diminuição do raio crítico, resultando em
um cristal mais rugoso. Ou seja, os mecanismos são ativados de acordo com a supersaturação,
passando de crescimento espiralado, onde apresenta a superfície do cristal mais lisa, para um
crescimento bidimensional onde a superfície de um cristal promove a nucleação de um outro
cristal adjacente a sua superfície. Com o aumento da supersaturação, obtemos um mecanismo
conhecido como adesivo, onde o cristal se apresenta com alta rugosidade.
g
G=k g ΔC Eq. 15
Onde G é a velocidade do crescimento do cristal, o coeficiente kg depende da
temperatura, tamanho do cristal, condições hidrodinâmicas e a presença de impurezas.
(Tavare, 1995), o expoente g normalmente assume valores entre 1 e 2.
Outra maneira colocada por (Mullin, 2001) para medir o crescimento dos cristais é através da
equação:
1 /3 1/ 3
Mi −Mf
G= 1 /3 Eq. 16
(αρN ) t
McCabe Law
Dispersão no Crescimento
Outro fenômeno observado é o (growth rate dispersion), onde cristais com o mesmo tamanho
e sob as mesmas condições apresentam taxas de crescimento diferentes, a explicação é que
cristais com deformações plásticas, ou fraturados, crescem mais devagar e cristais com
tensões internas não crescem até as tensões serem aliviadas. (Alan Ranodolph, 1988). Segundo
(Mullin, 2001), existe evidencias que diferenças nos planos cristalinos possam explicar tal
fenômeno. Isso significa que a própria origem dos cristais vai determinar a taxa máxima de
crescimento, se os cristais forem gerados por nucleação secundaria através de interações
ecom o impelidor por exemplo, esse mecanismo vai produzir cristais com tensões e
deformações plásticas e isso vai impactar na distribuição granulométrica dos cristais no final
do processo.
Como já mencionado anteriormente, a velocidade relativa entre os cristais e a solução
vai impactar na largura da camada estagnada, isso significa que a taxa de crescimento tende a
aumentar conforme a agitação aumenta até o ponto onde o fator limitante do crescimento se
torna a taxa de incorporação do soluto na rede cristalina. (Mullin, 2001), em outras palavras, a
taxa de crescimento do cristal atribuída a difusão do soluto na solução é influenciada pelas
condições hidrodinâmicas (Tavare, 1995).
Impurezas
Forma do Cristal
Temos também que forma do cristal tem grande impacto na processabilidade tais
como operações de filtragem, lavagem, secagem e moagem, (donwstream processing). A
forma do cristal também promove diferenças na físico química dos cristais de acordo com o
plano cristalográfico formado, apresentando diferença na reatividade, energia superficial e
fenômenos catalíticos.
Do ponto de vista termodinâmico e de acordo com a teoria das fases limitantes, o
formato do cristal será aquele que o crescimento proporcionará uma maior liberação de
energia livre de Gibbs, o que ocorre é que os planos com menor taxa de crescimento vão
crescer e os planos com maior taxa de crescimento vão desaparecer. (Jaroslav Nývlt et al.,
1985).
É de conhecimento que o grau de supersaturação, taxa de resfriamento, presença de
impurezas e principalmente o tipo de solvente utilizado afetam a geometria ou forma do
cristal (Crystal habit). O solvente afeta a morfologia pois pode inibir fortemente o crescimento
de determinados planos cristalográficos e é entendido como a principal variável modificadora
da geometria do cristal. (Myerson, 2019). (Ichiro Sunagawa, 2005) e (A. Mersmann, 2001)
compilam algumas informações sobre sistemas cristalinos e condições de cristalização que
resulta em planos cristalográficos e geometrias especificas.
A utilização de ciclos térmicos também afeta a geometria do cristal, estratégia que
pode ser adotada para proporcional crescimento dos cristais através do fenômeno conhecido
como Ostwald ripening, onde com o aquecimento, os cristais menores podem ser
solubilizados, alterando a distribuição granulométrica do processo de cristalização.
Existe uma série de estratégias que podem ser usadas para induzir a supersaturação,
tais como o resfriamento, evaporação, por reação química, precipitação e por adição de anti-
solvente. Cada uma destas estratégias apresentam subdivisões (Nývlt Jaroslav, 2001) e a
escolha do método é uma tarefa que envolve considerações termodinâmicas, o nível de
concentração das espécies de interesse, a pureza do produto final, considerações econômicas,
comportamento da curva de solubilidade, estabilidade dos compostos e até mesmo a
temperatura operacional do sistema entre outros fatores.
A cristalização por anti-solvente consiste da adição de um líquido miscível em um
sistema composto por soluto mais solvente, no qual vai reduzir a solubilidade do soluto no
novo solvente formado. (Giulietti & Bernardo, 2012). Existe uma série de vantagens na
cristalização por anti-solvente, pois é um método que pode ser realizado na temperatura
ambiente, é conveniente para produtos sensíveis ao calor, demanda baixa quantidade de
energia e o anti-solvente utilizado pode ser usado como indutor de uma estrutura
cristalográfica especifica (polimorfismo), e normalmente é o método escolhido para
cristalização de fármacos. (Lewis et al., 2015) cita que a cristalização por anti-solvente pode ser
usada para recuperar componentes de alto valor agregado após outros métodos serem
empregados ou para cristalização de componentes com baixa solubilidade, também pode ser
indicado para obtenção de produtos com tamanho de cristal pequeno.
Segundo (Tung, 2009) a cristalização pro anti-solvente é potencialmente o melhor
método para controlar a distribuição do tamanho de partícula, onde com a adição do anti-
solvente no sistema é possível promover um completo crescimento dos cristais desde que o
sistema não ultrapasse a região de metaestabilidade ou curva de supersolubilidade e
permaneça o mais próximo possível da linha de solubilidade, está estratégia é válida para
sistemas utilizado semeadura (seeding). Se o sistema ultrapassar a região de metaestabilidade,
a promoção de uma alta taxa de nucleação irá ocorrer (crash out).
Existe ainda a estratégia de adição reversa de anti-solvente, que consiste de adicionar
a solução com o soluto dissolvido no anti-solvente, essa estratégia promove uma altíssima taxa
de supersaturação que por sua vez vai promover uma altíssima taxa de nucleação e vai resultar
em um particulado fino. Este procedimento implica potencialmente em aglomeração das
partículas finas que são formadas e no fenômeno de oil out onde devido a diferença de
solubilidade a solução acaba se tornando emissível ocorrendo aglutinação. Essa estratégia
pode formar um produto amorfo.
Na situação ideal, uma taxa constante de supersaturação é gerada e consumida na
mesma taxa pelo crescimento do cristal, mantendo a saturação o mais próximo possível da
curva de solubilidade (dentro da região de metaestabildiade) e assim evitando a nucleação. O
seeding é pode realizado através de uma mistura com o anti-solvente, chamado slurry e a taxa
de adição do anti-solvente é programada para ser pequena no início do processo e ser
gradualmente aumentada, esse perfil de vazão do anti-solvente, influencia no comportamento
da supersaturação, conforme e exemplificado na Figura 9. Adicionando o anti-solvente com
uma taxa linear, a supersaturação irá aumentar ao ponto de poder ultrapassar a zona de
metaestabilidade, promovendo nucleação indesejada, já com uma taxa programada de adição
de anti-solvente, é possível obter um perfil de supersaturação que desenvolva um crescimento
de cristal maior, evitando finos.
Como podemos ver nos capítulos anteriores, a nucleação e o crescimento dos cristais são
fenômenos complexos e os aspectos que influenciam nestes fenômenos são interacionados,
em resumo, a taxa de transferência de massa da solução para o cristal pode ser afetada
positivamente pela agitação do sistema. Já a integração dos componentes do sistema para a
superfície do cristal é afetada, geralmente negativamente, pela presença de impurezas. Outros
fenômenos como a difusão e a viscosidade influenciam de sobremaneira a nucleação e
crescimento dos cristais e são afetados pela temperatura e pelo grau de supersaturação. Todas
essas variáveis vão modificar a distribuição granulométrica do produto da cristalização.
Linderderb et al 2009
Cogoni et al 2014
Hu et al 2005 e kim et at 2009
myerson
LAVAGEM
Para processar o produto da cristalização e caracterizar corretamente a distribuição do
tamanho de partícula, é necessário realizar uma série de etapas operacionais, como filtragem,
lavagem e a secagem, não existe uma metodologia estabelecida para a lavagem dos cristais,
entretanto o objetivo é reduzir a aglomeração dos cristais sem solubiliza-los.
PROMOÇÃO DE SUPERSATURAÇÃO – introduzir o anti-solvente
É bem estabelecido que a promoção da supersaturação é condição inicial obrigatória para a
cristalização, basicamente segundo (Myerson, 2019) os métodos de cristalização são divididos
entre cristalização por resfriamento, evaporação, reação entre as espécies ou precipitação e
por anti-solvente. Alguns autores como (Pritula & Sangwal, 2015) ainda incluem gradiente
térmico (temperature gradiente method) e outros métodos não convencionais. Cada uma das
entratégias apresentam suas particularidades e consequências para o produto final da
cristalização.
Este trabalho, tem por objetivo se aprofundar no estudo e compreensão dos fenômenos
envolvidos no processo de cristalização por anti-solvente.
MATERIAIS E MÉTODOS
Neste capítulo são apresentados os materiais utilizados e a metodologia entregada na
determinação dos ensaios de solubilidade e cristalização e por último as técnicas de
caracterização utilizadas.
REAGENTES
Foram utilizados os seguintes reagente:
Água ultrapura Milli-Q®
Etanol marca: Sigma-Aldrich, pureza: ≥ 99,5%, CAS nº 64-17-5, origem: Canada
Xilitol marca: Sigma-Aldrich, pureza: ≥99,9%, CAS nº: 87-99-0, origem: Finlândia.
VIDRARIAS
As vidrarias utilizadas na elaboração do trabalho são descritas a seguir:
Balão volumétrico;
Bastão de vidro;
Béquer;
Células de equilíbrio encamisadas de 120 ml;
Dessecador;
Erlenmeyer de 50 ml;
Funil;
Proveta de 100 ml;
Vidro relógio;
Barra magnética;
Garras metálicas;
Mangueira de silicone;
Papel absorvente;
Pinça;
Pipeta de Pasteur de plástico;
Rolha de Silicone;
Suporte universal;
EQUIPAMENTOS
Agitadores magnéticos marca LAB 1000, modelo MS-PB
Banho termostático marca: Tecnal, modelo: TE-2005, potência: 750W
Banho termostático marca: Tecnal, modelo: TE-2005, potência: 750W
Estufa de secagem, marca: DELEO, modelo: TLZ 10
Balança analítica, marca: Ohaus, d: 0,0001 g
Balança, marca: Marte, d: 0,01 g
Bomba peristáltica, marca: Exatta, modelo: exp, vazão: 1,2 L/h
Bomba peristáltica, marca: Exatta, modelo: exp, vazão: 2,5 L/h
Termômetro, marca: Dostmann, modelo: P755
Foto tacômetro, marca: Minipa, modelo: MDT-2244C
Agitador de peneiras, marca: Bertel
MÉTODO
ma
Xa= Eq. 17
ma+mb
Onde
Para a caracterização dos cristais de xilitol, foram utilizados os métodos citados a seguir.
DISTRIBUIÇÃO GRANULOMÉTRICA POR PENEIRAMENTO
Foi utilizado um equipamento de peneiramento da marca x, onde é possível ajustar os
parâmetros de intensidade e tempo de vibração. Foi utilizado peneiras de malha de aço inox
com 5 polegadas de diâmetro com as seguintes aberturas:
Peneira Abertura Peneira Abertura Peneira Abertura Peneira Abertura
(mesh) (mm) (mesh) (mm) (mesh) (mm) (mesh) (mm)
8 2,36 16 1 35 0,425 80 0,180
9 2 20 0,850 42 0,355 100 0,150
10 1,7 24 0,710 48 0,300 115 0,125
12 1,4 28 0,600 60 0,250 150 0,106
14 1,18 32 0,500 65 0,212
MICROSCOPIA OPTICA
As análises de microscopia ótica serão realizadas no microscópio ótico do laboratório de
materiais do departamento ode engenharia de alimentos na UDESC – Pinhalzinho.
dL g KG β g
G= =Kg(C−Csat ) = (C−Csat ) Eq. 20
dt 3 αρc
Nucleação, sendo predominantemente secundária ao longo do processo:
dN c n
=kN C s (C−Csat ) Eq. 21
dt
sendo,
L−ln
z= Eq. 23
3 Lm
f ( zn )=¿) Eq. 24
Onde
Lm - tamanho dominante dos cristais
ln -tamanho mínimo dos cristais na distribuição
z-adimensional de tamanho
onde,
zn=ln /3 Lm Eq. 25
Sendo que o valor de ln é constante para um conjunto de condições de operação. O tamanho
médio ou dominante é correspondente ao ponto de inflexão da distribuição acumulada, obtido
pela diferenciação da equação e igualando a zero, para a equação o tamanho dominante
equivale a z=3 que corresponde a 64,7% da distribuição.
Sendo:
G – velocidade média de crescimento do cristal, onde a suspersaturação pode variar ao longo
do ensaio.
Tc- tempo de uma batelada (s)
(Lm−ln )
G= =¿ Lm−ln¿=3 Gtr Eq. 27
3 tr
Cs Wf Cf
Ou
Onde
Cs – massa dos cristais por volume de solução em função de t.
Cso – massa das sementes por volume de soluto
Co – massa de solvente
Wi- concentração da solução, expressa em unidades de massa de soluto por volume de
solvente, no inicio da operação
Wf- concentração da solução do tempo t, expressa nas mesma unidades.
Ci – concentração da solução, expressa em unidades de massa de soluto por massa de
solvente, no inicio da operação
Cf- concentração da solução no tempo t, expressa nas mesmas unidades
A massa dos cristais por unidade de volume de cristalizador pode ser dada por:
6
Cs=6 αρc noN ( Gtr )4 f ( zn )= αρc noN ( Lm−ln ) f ( zn) Eq. 31
81
o
Onde o número de núcleos (n N ¿ é dados por
dN
o dt Eq. 32
nN =
G
dN 27 CsG
= Eq. 33
dt 2 αρcf (Zn)( Lm−ln)4
g
(1−c)
(Lm−ln )
1+3 g/ n
=3 BnCs n
¿¿ Eq. 34
Onde
BN =¿ ¿ Eq. 35
A partir da equação 33, podemos estimar os valores de c , g/n e Bn aplicando o logaritmo nos
dois lados da equação e realizando uma regressão multilinear, temos:
( )
dN Kn n
Y =ln =ln + c ln Cs+ lnG Eq. 36
dt n
g
Kg g
n
¿ A+c ln Cs+ ln G Eq. 37
g
De onde:
g /n
4,5 k g Eq. 38
BN =
¿¿
Assim, de acordo com (Silas Derenzo, 2003) é possível obter os parâmetros cinéticos sem
conhecer o perfil de supersaturação no decorrer do processo. A aplicação dos parâmetros
permite através da equação 34 permite prever o tamanho médio dos cristais.
A separação dos expoentes g e n pode ser obtido através do grau máximo de
superesfriamento (∆ Tmax ¿ que está relacionado a supersaturação máxima (∆Cmax )
dCeq
∆ Cmax = ∆ Tmax Eq. 39
dT
Assumindo que nos estágios iniciais da nucleação, a produção seja igual a velocidade de
supersaturação e considerando a velocidade de resfriamento V R:
d Cs nuc d C eq
= ( −V R )=k n ∆C m Eq. 40
dt dT
d C eq dC eq m
V R =k N ( ) ∆ T max Eq. 41
dT dT
1−m dC eq 1 1
ln ∆T max = ln − ln K N − ln V R Eq. 42
m dT m m
O expoente de nucleação (n) pode ser obtido conhecendo a taxa de crescimento (g), com a
ajuda da equação:
4(m−1)
n=
g Eq. 43
3 +1
n