Eletrônica Analógica I

Eletrônica Analógica I
Indaial – 2021
1a Edição
Copyright © UNIASSELVI 2021
Elaboração:
Sagah Educação S.A.
Revisão e Diagramação:
Centro Universitário Leonardo da Vinci – UNIASSELVI
Conteúdo produzido:
Copyright © Sagah Educação S.A.
D152e
Dalvi, Giovanni Gueler
Eletrônica analógica I. / Giovanni Gueler Dalvi. – Indaial:
UNIASSELVI, 2021.
250 p.; il.
ISBN 978-65-5663-526-2
ISBN Digital 978-65-5663-527-9
1.Eletrônica analógica. – Brasil. 2. Circuitos eletrônicos. –
Brasil. II. Centro Universitário Leonardo da Vinci.
CDD 621.38154
Impresso por:
Apresentação
Prezado acadêmico, seja bem-vindo à disciplina de Eletrônica
Analógica I, na qual serão apresentados conceitos, leis e teorias para o
auxiliar a identificar, compreender e avaliar alguns componentes e circuitos
eletrônicos importantes.

Você, como acadêmico de Educação a Distância, deve saber que
existem fatores fundamentais para um bom desempenho: disciplina,
organização e um horário de estudos predefinido para obter sucesso em seu
aprendizado. Em sua caminhada acadêmica, você é quem faz a diferença.

Como todo texto técnico, por vezes denso, você necessitará de papel,
lápis, borracha, calculadora e muita concentração. Lembre-se de que o estudo
é algo primoroso. Aproveite essa motivação para iniciar a leitura deste livro,
que está dividido em três unidades que contemplam temas importantes
da Eletrônica que julgamos ser imprescindíveis para qualquer curso de
Engenharia, como os circuitos que funcionam com diferentes princípios
dos diodos, funcionamento e aplicação de transistores em diferentes
configurações e polarizações, princípios da amplificação de sinal e fontes de
tensão reguladas.

Apesar deste ser um material destinado à eletrônica, é importante
que você tenha estudado previamente alguma disciplina sobre eletricidade.
Se determinado assunto estiver gerando dúvidas, não deixe de consultar o
livro da disciplina de Eletricidade Básica ou Circuitos Elétricos I, ou mesmo
outros títulos indicados na bibliografia deste livro.

Estimamos que, ao término deste estudo, você tenha agregado um
mínimo de entendimento sobre Eletrônica, a fim de lidar com esse tema de
forma satisfatória, tanto na área acadêmica quanto profissional. Destacamos,
ainda, a necessidade do contínuo aprimoramento por meio de atualizações e
aprofundamento dos temas estudados.

Bons estudos!

Prof. Giovanni Gueler Dalvi
NOTA
Você já me conhece das outras disciplinas? Não? É calouro? Enfim, tanto para
você que está chegando agora à UNIASSELVI quanto para você que já é veterano, há
novidades em nosso material.
Na Educação a Distância, o livro impresso, entregue a todos os acadêmicos desde 2005, é

o material base da disciplina. A partir de 2017, nossos livros estão de visual novo, com um
formato mais prático, que cabe na bolsa e facilita a leitura.
O conteúdo continua na íntegra, mas a estrutura interna foi aperfeiçoada com nova
diagramação no texto, aproveitando ao máximo o espaço da página, o que também
contribui para diminuir a extração de árvores para produção de folhas de papel, por exemplo.
Assim, a UNIASSELVI, preocupando-se com o impacto de nossas ações sobre o ambiente,

apresenta também este livro no formato digital. Assim, você, acadêmico, tem a possibilidade
de estudá-lo com versatilidade nas telas do celular, tablet ou computador.

Eu mesmo, UNI, ganhei um novo layout, você me verá frequentemente e surgirei para
apresentar dicas de vídeos e outras fontes de conhecimento que complementam o assunto
em questão.
Todos esses ajustes foram pensados a partir de relatos que recebemos nas pesquisas
institucionais sobre os materiais impressos, para que você, nossa maior prioridade, possa
continuar seus estudos com um material de qualidade.
Aproveito o momento para convidá-lo para um bate-papo sobre o Exame Nacional de

Desempenho de Estudantes – ENADE.

Bons estudos!
LEMBRETE
Olá, acadêmico! Iniciamos agora mais uma disciplina e com ela

um novo conhecimento.
Com o objetivo de enriquecer seu conhecimento, construímos, além do livro

que está em suas mãos, uma rica trilha de aprendizagem, por meio dela você terá
contato com o vídeo da disciplina, o objeto de aprendizagem, materiais complementares,
entre outros, todos pensados e construídos na intenção de auxiliar seu crescimento.
Acesse o QR Code, que levará ao AVA, e veja as novidades que preparamos para seu estudo.
Conte conosco, estaremos juntos nesta caminhada!

Sumário
UNIDADE 1 — DIODOS E SEMICONDUTORES.......................................................................... 1
TÓPICO 1 — MATERIAIS SEMICONDUTORES............................................................................ 3

1 INTRODUÇÃO..................................................................................................................................... 3
2 DEFINIÇÕES ........................................................................................................................................ 4
2.1 NÍVEIS DE ENERGIA .................................................................................................................... 6
2.2 DOPAGEM........................................................................................................................................ 7
2.3 MATERIAIS DO TIPO N................................................................................................................ 8
2.4 MATERIAIS DO TIPO P................................................................................................................. 8
2.5 PORTADORES MAJORITÁRIOS E MINORITÁRIOS............................................................... 9
RESUMO DO TÓPICO 1..................................................................................................................... 12
AUTOATIVIDADE............................................................................................................................... 13
TÓPICO 2 —DIODOS.......................................................................................................................... 17
1 INTRODUÇÃO................................................................................................................................... 17
2 DIODO SEMICONDUTOR............................................................................................................. 17
2.1 DIODO NÃO POLARIZADO...................................................................................................... 18
2.2 DIODO COM POLARIZAÇÃO REVERSA............................................................................... 19
2.3 DIODO COM POLARIZAÇÃO DIRETA................................................................................... 21
2.4 REGIÃO DE RUPTURA................................................................................................................ 22
2.5 CONSIDERAÇÕES IMPORTANTES.......................................................................................... 24
2.6 RESISTÊNCIA DO DIODO.......................................................................................................... 25
2.6.1 Resistência CC ou estática................................................................................................... 26
2.6.2 Resistência CA ou dinâmica................................................................................................ 26
3 CIRCUITOS EQUIVALENTES DO DIODO................................................................................. 28
3.1 MODELO LINEAR POR PARTES............................................................................................... 28
3.2 MODELO SIMPLIFICADO.......................................................................................................... 29
3.3 MODELO IDEAL........................................................................................................................... 30
4 TESTE DO DIODO............................................................................................................................ 31
4.1 TESTE POR MULTÍMETRO DIGITAL ...................................................................................... 31
5 FOLHA DE DADOS........................................................................................................................... 32
6 DIODO ZENER................................................................................................................................... 36
7 DIODO EMISSOR DE LUZ.............................................................................................................. 37
RESUMO DO TÓPICO 2..................................................................................................................... 42
AUTOATIVIDADE............................................................................................................................... 43
TÓPICO 3 — APLICAÇÕES DE DIODOS....................................................................................... 45

1 INTRODUÇÃO................................................................................................................................... 45
2 ANÁLISE POR RETA DE CARGA.................................................................................................. 45
3 CIRCUITOS COM DIODOS............................................................................................................ 47
3.1 CONFIGURAÇÕES COM DIODOS EM SÉRIE........................................................................ 47
3.2 CONFIGURAÇÃO COM O DIODO EM SÉRIE E EM SÉRIE-PARALELO.......................... 49
4 APLICAÇÕES PRÁTICAS................................................................................................................ 50
4.1 RETIFICADORES DE MEIA-ONDA.......................................................................................... 50
4.2 RETIFICAÇÃO DE ONDA COMPLETA................................................................................... 52
4.3 CIRCUITOS CEIFADORES.......................................................................................................... 53
LEITURA COMPLEMENTAR............................................................................................................. 60
RESUMO DO TÓPICO 3..................................................................................................................... 65
AUTOATIVIDADE............................................................................................................................... 66
REFERÊNCIAS....................................................................................................................................... 68
UNIDADE 2 —TRANSISTORES I..................................................................................................... 69
TÓPICO 1 — TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO (TBJ).............................................. 71

1 INTRODUÇÃO................................................................................................................................... 71
2 CONSTRUÇÃO DO TRANSISTOR............................................................................................... 73
3 OPERAÇÃO DO TRANSISTOR..................................................................................................... 74
4 CONFIGURAÇÕES DO TRANSISTOR........................................................................................ 76
4.1 CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM........................................................................................... 76
4.1.1 Alfa (α)................................................................................................................................... 78
4.1.2 Polarização............................................................................................................................. 79
4.1.3 Região de ruptura................................................................................................................. 80
4.2 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM ................................................................................... 80
4.2.1 Beta (β).................................................................................................................................... 82
4.2.2 Polarização ............................................................................................................................ 85
4.2.3 Região de ruptura ................................................................................................................ 85
4.3 CONFIGURAÇÃO COLETOR-COMUM ................................................................................. 86
5 TESTE DO TRANSISTOR................................................................................................................ 88
6 FOLHA DE DADOS........................................................................................................................... 90
7 CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO................................................................................................... 94
7.1 CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO FIXA....................................................................................... 95
7.1.1 Polarização direta de junção base-emissor....................................................................... 95
7.1.2 Malha coletor-emissor.......................................................................................................... 96
7.1.3 Saturação do transistor........................................................................................................ 97
7.1.4 Análise por reta de carga..................................................................................................... 98
7.2 CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO DO EMISSOR....................................................... 100
7.2.1 Malha base-emissor............................................................................................................ 100
7.2.2 Malha coletor-emissor........................................................................................................ 101
7.2.3 Nível de saturação.............................................................................................................. 102
7.2.4 Análise por reta de carga................................................................................................... 102
7.3 CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO.............................. 102
7.3.1 Análise exata........................................................................................................................ 103
7.3.2 Análise aproximada............................................................................................................ 104
7.3.3 Saturação do transistor...................................................................................................... 105
7.4 CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DE COLETOR............................................ 106
7.4.1 Malha base-emissor............................................................................................................ 106
7.4.2 Malha coletor-emissor........................................................................................................ 107
7.4.3 Condições de saturação..................................................................................................... 107
7.5 CONFIGURAÇÃO SEGUIDORA DE EMISSOR.................................................................... 108
7.6 CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM ........................................................................................ 109
7.7 TABELA RESUMO...................................................................................................................... 110
8 CIRCUITOS COM MÚLTIPLOS TBJ........................................................................................... 112
9 TRANSISTORES PNP..................................................................................................................... 112
10 CIRCUITOS DE CHAVEAMENTO............................................................................................ 112
RESUMO DO TÓPICO 1................................................................................................................... 119
AUTOATIVIDADE............................................................................................................................. 120
TÓPICO 2 —TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO........................................................... 125

1 INTRODUÇÃO................................................................................................................................. 125
2 JFET ..................................................................................................................................................... 126
2.1 TENSÃO POSITIVA VDS.............................................................................................................. 127
2.2 RESISTOR CONTROLADO POR TENSÃO............................................................................ 129
2.3 DISPOSITIVO DE CANAL P..................................................................................................... 130
2.4 CURVA CARACTERÍSTICA DE TRANSFERÊNCIA............................................................ 132
2.5 FOLHA DE DADOS (JFETS)...................................................................................................... 133
3 MOSFET............................................................................................................................................. 135
3.1 MOSFET TIPO DEPLEÇÃO....................................................................................................... 135
3.2 MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO ......................................................................................... 137
4 MESFETS ........................................................................................................................................... 141
5 RESUMO DAS CURVAS E PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS ........................................... 144
RESUMO DO TÓPICO 2................................................................................................................... 147
AUTOATIVIDADE............................................................................................................................. 148
TÓPICO 3 — ANÁLISE DA CORRENTE ALTERNADA (CA) DO TRANSISTOR

BIPOLAR DE JUNÇÃO............................................................................................. 149
1 INTRODUÇÃO................................................................................................................................. 149
2 MODELAGEM DO TBJ................................................................................................................... 149
3 MODELO re DO TRANSISTOR.................................................................................................... 150
3.1 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM.................................................................................. 150
3.1.1 Tensão Early........................................................................................................................ 151
3.2 CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM......................................................................................... 154
3.3 NPN VERSUS PNP...................................................................................................................... 155
4 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM COM POLARIZAÇÃO FIXA............................... 155
5 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO.......................................................................... 156
6 CONFIGURAÇÃO EC COM POLARIZAÇÃO DO EMISSOR.............................................. 158
6.1 SEM DESVIO................................................................................................................................ 158
6.2 COM DESVIO............................................................................................................................... 159
7 CONFIGURAÇÃO DE SEGUIDOR DE EMISSOR.................................................................. 159
8 CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM............................................................................................. 161
9 CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DO COLETOR.............................................. 162
10 CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO CC DO COLETOR..................................... 163
11 RESUMO.......................................................................................................................................... 164
LEITURA COMPLEMENTAR........................................................................................................... 170
RESUMO DO TÓPICO 3................................................................................................................... 172
AUTOATIVIDADE............................................................................................................................. 173
REFERÊNCIAS..................................................................................................................................... 175
UNIDADE 3 — TRANSISTORES II................................................................................................ 176
TÓPICO 1 — POLARIZAÇÃO DO TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FET)........ 178

1 INTRODUÇÃO................................................................................................................................. 178
2 POLARIZAÇÃO DO FET................................................................................................................ 179
2.1 CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA.................................................................. 179
2.2 CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO................................................................. 180
2.3 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO....................................................................... 181
2.4 CONFIGURAÇÃO PORTA-COMUM...................................................................................... 182
2.5 CASO ESPECIAL VGS = 0 V....................................................................................................... 184
2.6 MOSFETS TIPO DEPLEÇÃO..................................................................................................... 185
2.7 MOSFETS TIPO INTENSIFICAÇÃO........................................................................................ 185
2.7.1 Configuração de polarização com realimentação.......................................................... 186
2.7.2 Circuito de polarização por divisor de tensão............................................................... 187
2.8 RESUMO....................................................................................................................................... 188
RESUMO DO TÓPICO 1................................................................................................................... 197
AUTOATIVIDADE............................................................................................................................. 198
TÓPICO 2 — ANÁLISE DO FET PARA PEQUENOS SINAIS................................................... 204

1 INTRODUÇÃO................................................................................................................................. 204
2 MODELO JFET PARA PEQUENOS SINAIS ............................................................................. 204
3 CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA...................................................................... 208
4 CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO.................................................................... 210
4.1 RS COM DESVIO.......................................................................................................................... 210
4.2 RS SEM DESVIO........................................................................................................................... 211
5 CONFIGURAÇÃO COM DIVISOR DE TENSÃO.................................................................... 214
6 CONFIGURAÇÃO PORTA-COMUM.......................................................................................... 215
7 MOSFETS TIPO DEPLEÇÃO......................................................................................................... 216
8 MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO............................................................................................. 217
9 RESUMO............................................................................................................................................ 218
RESUMO DO TÓPICO 2................................................................................................................... 225
AUTOATIVIDADE............................................................................................................................. 226
TÓPICO 3 — RESPOSTA EM FREQUÊNCIA DO TRANSISTOR BIPOLAR

DE JUNÇÃO (TBJ) E JFET........................................................................................ 228
1 INTRODUÇÃO................................................................................................................................. 228
2 CONSIDERAÇÕES SOBRE FREQUÊNCIA .............................................................................. 228
2.1 FAIXA DE BAIXA FREQUÊNCIA............................................................................................ 228
2.2 FAIXA DE ALTA FREQUÊNCIA ............................................................................................. 229
2.3 FAIXA DE MÉDIA FREQUÊNCIA........................................................................................... 230
2.4 RESPOSTA EM FREQUÊNCIA TÍPICA................................................................................... 230
3 RESPOSTA EM BAIXA FREQUÊNCIA – AMPLIFICADOR COM TBJ COM RL................. 232
4 RESPOSTA EM BAIXA FREQUÊNCIA – AMPLIFICADOR COM FET............................... 235
5 RESPOSTA EM ALTAS FREQUÊNCIAS – AMPLIFICADOR COM TBJ............................. 237
6 RESPOSTA EM ALTAS FREQUÊNCIAS – AMPLIFICADORES COM FET........................ 239
7 EFEITOS DA FREQUÊNCIA EM CIRCUITOS MULTIESTÁGIOS...................................... 240
LEITURA COMPLEMENTAR........................................................................................................... 243
RESUMO DO TÓPICO 3................................................................................................................... 246
AUTOATIVIDADE............................................................................................................................. 247
REFERÊNCIAS..................................................................................................................................... 250
UNIDADE 1 —
DIODOS E SEMICONDUTORES
OBJETIVOS DE APRENDIZAGEM
A partir do estudo desta unidade, você deverá ser capaz de:
• compreender e conhecer algumas aplicações dos materiais semicondutores;

• resolver exercícios envolvendo materiais semicondutores;
• calcular e medir a resistência equivalente usando o teorema da superposição;
• compreender a definição de diodo e seu circuito equivalente;
• reconhecer a notação de diodo e compreender sua folha de dados;
• conhecer tipos especiais de diodos (diodo zener e diodo emissor de luz);
• resolver exercícios envolvendo diodos;
• analisar a reta de carga de um diodo e algumas de suas aplicações em
circuitos eletrônicos;
• conhecer algumas aplicações práticas de diodos.
PLANO DE ESTUDOS
Esta unidade está dividida em três tópicos. No decorrer da unidade,
você encontrará autoatividades com o objetivo de reforçar o conteúdo
apresentado.
TÓPICO 1 – MATERIAIS SEMICONDUTORES
TÓPICO 2 – DIODOS
TÓPICO 3 – APLICAÇÕES DE DIODOS
CHAMADA
Preparado para ampliar seus conhecimentos? Respire e vamos

em frente! Procure um ambiente que facilite a concentração, assim absorverá
melhor as informações.
1
2
TÓPICO 1 —
UNIDADE 1
MATERIAIS SEMICONDUTORES
1 INTRODUÇÃO
A eletrônica é uma grande área que abrange sistemas de comunicação,
sistemas analógicos e digitais, instrumentação e controle, cada um com específicas
aplicações. Entretanto, uma parte do que se tem hoje na eletrônica é proveniente
da descoberta e da aplicação dos materiais semicondutores, notando-se a inserção
contínua de novos componentes no mercado visando a facilitar e simplificar o
projeto e obtenção de novos aparelhos (GALDINO, 2012).
Antes de apresentar os materiais semicondutores, relembraremos os

materiais condutores e isolantes:
• Materiais condutores possuem resistividade muito baixa (normalmente

μΩ/m), permitindo que a corrente elétrica o atravesse sem muita dificuldade,
em função de suas propriedades intrínsecas, como disponibilidade de um
grande número de elétrons livres (REIS, 2016).
• Materiais isolantes possuem alta resistividade e, desse modo, uma pequena
quantidade de elétrons livres, sendo necessário aplicar uma grande diferença
de potencial para que possa percorrer corrente elétrica (REIS, 2016).
• Materiais com características intermediárias são chamados de semicondutores;
um exemplo típico é o carbono (C) que, dependendo da forma que se liga,
pode se tornar um material isolante ou condutor. Podemos pensar em dois
exemplos bem conhecidos para o carbono: o diamante e o grafite (Figura 1).
Sabemos que o diamante é formado pelo arranjo de átomos de carbono na
forma cristalina, possuindo grande dureza e sendo um material isolante. Já o
grafite, formado pelo arranjo de átomos de carbono no formato triangular, é
um condutor (GALDINO, 2012).
Normalmente, um bom condutor apresenta uma condutividade na ordem

de 10⁻⁸ Ωm, um bom isolante, na ordem de 10¹⁴ Ωm e um semicondutor típico,
entre 10⁻⁵ Ωm e 10³ Ωm, dependendo da temperatura (REIS, 2016).
3
UNIDADE 1 — DIODOS E SEMICONDUTORES
2 DEFINIÇÕES
Sabemos que todos os materiais são constituídos por átomos. A Figura
1 mostra os átomos (de carbono), que são constituídos por um núcleo (formado
por partículas positivas – prótons – e partículas neutras – nêutrons) e partículas
negativas, denominadas elétrons, girando em torno de seu núcleo. Nesse caso,
a camada mais afastada do núcleo do átomo, que é o nosso foco, é denominada
camada de valência.
FIGURA 1 – ESTRUTURA DO DIAMANTE (A) E GRAFITE (B)
FONTE: Schuler (2013, p. 26)
FIGURA 2 – MODELO DE BOHR PARA O ÁTOMO DE COBRE
FONTE: <https://www.gratispng.com/png-to1wru/download.html>. Acesso em: 20 jun. 2020.
Por exemplo, em um pequeno pedaço de fio de cobre, existem bilhões de

átomos de cobre e cada um deles possui um elétron de valência (Figura 3), que são
fracamente ligados ao núcleo do átomo e, desse modo, são facilmente movidos
quando aplicada uma diferença de potencial às extremidades do fio. Como existem
bilhões de elétrons, é esperado que muitos se movimentem, fazendo com que o
cobre seja um excelente condutor, de pequena resistência elétrica (SCHULER, 2013).
4
TÓPICO 1 — MATERIAIS SEMICONDUTORES
O silício é o material semicondutor mais utilizado na eletrônica, para

a fabricação de diversos componentes como transistores, diodos e circuitos
integrados. Estudaremos um pouco o átomo de silício (Figura 4), que possui
quatro elétrons na sua camada de valência – a orbita mais importante quando se
estuda o comportamento elétrico do material. Uma característica importante é
que não são estáveis e tendem a se combinar quimicamente com outros materiais,
de modo a obter oito elétrons na camada de valência e se tornar estáveis. O silício,
assim como o germânio, possui quatro elétrons na camada de valência e tende a
se agrupar, segundo uma função cristalina, através de uma ligação covalente, em
que cada átomo se combina com outros quatro átomos, fazendo com que cada
elétron pertença simultaneamente aos dois átomos (Figura 5A) (GALDINO, 2012).
FIGURA 3 – ESTRUTURA DO FIO DE COBRE
Um cristal de silício puro (Figura 5B) comporta-se como isolante – mesmo sendo
um material considerado semicondutor, o silício intrínseco possui poucos elétrons
livres para permitir a circulação de corrente, porém pode se tornar semicondutor
pelo aquecimento, devido ao seu coeficiente de temperatura negativo, ou seja, com o
aumento da temperatura, a resistência diminui.
FIGURA 4 – ESTRUTURA ATÔMICA DO ÁTOMO DE SILÍCIO
5
FIGURA 5 – ESTRUTURA CRISTALINA DOS ÁTOMOS DE SILÍCIO (A) E CRISTAL DE SILÍCIO NO

ESTADO BRUTO (B)
FONTE: <http://www.eletronpi.com.br/ce-024-semicondutor.aspx>. Acesso em: 3 jun. 2020.
2.1 NÍVEIS DE ENERGIA

De modo geral, quanto maior é a distância de um elétron com relação a
seu núcleo, maior será o seu estado de energia (Figura 6); além disso, qualquer
elétron que tenha deixado seu átomo de origem possui um estado de energia
mais alto do que qualquer elétron que continue na estrutura atômica.
FIGURA 6 – NÍVEIS DISCRETOS DE ENERGIA EM ESTRUTURA ATÔMICA ISOLADA
FONTE: Boylestad; Nashelsky (2013, p. 6)
Os elétrons da banda de condução possuem um nível mínimo de energia

e, os elétrons ligados à camada de valência, um nível máximo de energia. Entre
ambos, existe um gap de energia, cujo elétron que se encontra na camada de
valência deve superar para se tornar um portador livre.
É possível classificar os materiais de acordo com o gap de energia necessário

(Figura 7), sendo os elementos com grandes gaps de energia, Eg > 5 eV, isolantes
e, sem o gap, bandas sobrepostas, condutores, e os que se encontram entre os dois
citados serão os semicondutores, como o germânio, Eg = 0,67 eV, o silício, Eg = 1,1
eV, e o arseneto de gálio, Eg = 1,43 eV (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
6
A unidade de medida utilizada para avaliar o gap de energia é o eV (elétron-

Volt), que representa a energia de um elétron a uma diferença de potencial de 1
V, ou seja, analisando a Equação 1 (equação da energia, em que W representa a
energia e Q, a carga e V a diferença de potencial), é possível determinar o valor
de 1 eV (Equação 2).
W = QV (Eq. 1)
No caso em que um elétron é submetido a uma diferença de potencial de

1 V, segundo a Equação 1:
W = QV
W = (1,6 x 10⁻¹⁹) C)(1 V)
W=1,6 x 10⁻¹⁹ J
Esse nível de energia é conhecido como elétron-volt, ou seja:
1 eV=1,6 x 10⁻¹⁹ J (Eq. 2)
FIGURA 7 – BANDAS DE CONDUÇÃO E VALÊNCIA DE UM ISOLANTE, UM SEMICONDUTOR E

UM CONDUTOR
2.2 DOPAGEM
Entende-se por dopagem o processo em que é adicionado impurezas
(átomos estranhos) na estrutura cristalina do átomo de silício ou germânio, por
exemplo. É realizado em laboratórios e consiste na introdução de uma quantidade
controlada de átomos de uma determinada impureza (tais impurezas, embora
adicionadas na proporção de uma parte em 10 milhões, podem modificar totalmente
as características elétricas do material). A forma com que o cristal conduzirá a
corrente elétrica dependerá do tipo e da quantidade de impureza adicionados,
transformando cristal, dando origem aos materiais denominados do tipo n e do
tipo p (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
7
2.3 MATERIAIS DO TIPO N

Os materiais do tipo n são criados com a introdução de elementos de impureza
que possuem cinco elétrons na banda de valência, como o antimônio, arsênio ou
fósforo (coluna V da tabela periódica). As quatro ligações covalentes ainda são
realizadas e ainda existe um elétron adicional do elemento de impureza dissociado de
qualquer ligação, o qual é relativamente livre para se movimentar dentro do material,
diminuindo a sua resistência devido aos elétrons livres produzidos.
Na Figura 8, temos a formação de um cristal do tipo n com a inserção de

átomos de fósforo à estrutura do silício. É importante notar que o material continua
eletricamente neutro, embora o material tenha sido dopado, pois seu número total
de elétrons e prótons é igual.
FIGURA 8 – FORMAÇÃO DO CRISTAL DO TIPO N
FONTE: Galdino (2012, p. 14)
2.4 MATERIAIS DO TIPO P

Os materiais do tipo p serão criados com a introdução de elementos de
impureza que possuem três elétrons na banda de valência, como boro, gálio e índio
(coluna III da tabela periódica). Existe um número insuficiente de elétrons para
realizar as quatro ligações covalentes; o espaço vazio é denominado lacuna, que é
vista como uma carga positiva, pois é capaz de atrair ou ser ocupada por um elétron.
A Figura 9 apresenta a formação de um cristal do tipo n com a inserção

de átomos de boro à estrutura do silício. É importante notar que, assim como o
material do tipo n, o material continua eletricamente neutro, embora tenha sido
dopado, pois seu número total de elétrons e prótons é igual.
8
FIGURA 9 – FORMAÇÃO DO CRISTAL TIPO P
2.5 PORTADORES MAJORITÁRIOS E MINORITÁRIOS

Em seu estado intrínseco, o germânio e o silício possuem poucos elétrons
livres em sua banda de valência; de forma equivalente, o número de lacunas
provenientes dos espaços vazios deixados para trás na estrutura de ligação
covalente é bem limitado.
Em seu estado extrínseco, ou seja, quando o elemento é dopado, podem

ocorrer dois tipos de semicondutores, cada um com características específicas de
portadores majoritários e minoritários:
• Quando se adicionam elementos de impureza com cinco elétrons na camada

de valência ao silício ou germânio, o material toma características específicas,
tornando-se um material do tipo n (negativo), cujo número de lacunas é excedido
pelo número de elétrons livres. Nesse caso, os elétrons livres são denominados
de portadores majoritários e as lacunas, de portadores minoritários (Figura 10A).
• Por outro lado, adicionam-se elementos de impureza com três elétrons na
camada de valência ao silício, por exemplo, e o material toma características
específicas, ou seja, torna-se um material do tipo p (positivo), no qual o
número de elétrons livres é excedido pelo número de lacunas. Nesse caso, as
lacunas são denominadas de portadores majoritários e os elétrons livres, de
portadores minoritários (Figura 10B).
9
FIGURA 10 – MATERIAL DO TIPO N (A) E MATERIAL DO TIPO P (B)
Para um semicondutor extrínseco, apesar da concentração de elétrons livres

não ser igual à concentração de buracos, a relação apresentada na Equação 3 é válida:
n . p = ni² (Eq. 3)
Em que n representa a concentração de elétrons livres do material

semicondutor extrínseco; p, o número de buraco do material semicondutor
extrínseco; e ni , a concentração de elétrons livres, sob mesma temperatura, do
material intrínseco.
Como foi visto, para um semicondutor dopado (extrínseco), o aumento de

um portador de carga (elétrons livres ou lacunas) leva à redução da concentração
do portador de carga complementar (lacunas ou elétrons livres).
Na prática, tem-se que a concentração de impurezas adicionadas ao

semicondutor é muito maior do que a concentração inerente de portadores. Portanto,
podemos pensar que um semicondutor tipo n, dopado com uma certa concentração
de impurezas do doador (ND), apresentará uma concentração n ≅ ND de elétrons livres.
Logo, a partir da Equação 1, a concentração de lacunas no mesmo semicondutor será
dada por p ≅ ni² = ND . Da mesma forma, em um semicondutor do tipo p, dopado com
impurezas aceitadoras com uma concentração de NA , a concentração de lacunas será
p ≅ NA , e a concentração de elétrons livres é dada por n ≅ ni² = NA.
DICAS
Exercícios resolvidos
1 Determine o nível de energia, em Joules e em eV, para mover uma carga de 16 μC por
meio da diferença de potencial de 4 V.
R.: Inicialmente, analisaremos as variáveis envolvidas no problema, sendo que:
10
Q = 16 x 10-6 C e
V=4V
Desejamos determinar W em Joules (J) e em elétrons-volt (eV). Utilizando a Equação 1,

temos que W = QV, portanto:
W = (16 x 10-6) )(4 V)
Logo,
W = 64 x 10-6 J = 64 μJ
Pela Equação 2, temos que 1 eV = 1,9 x 10-19 J; desse modo, fazendo uma regra de três simples:
1 eV = 1,9 x 10-19 J
Y eV = 64 x 10-6 J
Y (1,9 x 10-19) = 1 x 64 x 10-6
Logo:
Assim, W = Y = 3,368 x 1014 eV.
2 Considerando que um sólido de silício intrínseco em temperatura ambiente possui ni = 1015

cm-3, ao adicionar impurezas (dopar) com NA = 1030 cm-3, deve-se determinar os valores
aproximados de lacunas e de elétrons livres no semicondutor resultante. Ele será do tipo n
ou do tipo p? Justifique sua resposta.
R.: Através do enunciado, temos que: ni = 1015 cm-3 , o número de elétrons livres no
semicondutor intrínseco em temperatura ambiente; e NA = 1030 cm-3, concentração de
impurezas aceitadoras do elemento dopador.
Como serão adicionadas impurezas com número de lacunas, aproximadamente, igual a p ≅ NA
= 1020 cm-3, o silício intrínseco terá como portadores majoritários lacunas e será um material do
tipo p. Portanto, o número de lacunas do semicondutor é igual a 1020 cm-3.
Através da Equação 3, temos que:
n . p = n i²
Logo,
Assim, o número de elétrons livres no semicondutor tipo p será de 1010 cm-3.

Através do número de elétrons livres, fica claro que o material é do tipo p e possui elétrons
livres como portadores minoritários.
11
RESUMO DO TÓPICO 1
Neste tópico, você aprendeu que:
• A eletrônica é um campo amplo, abrangendo sistemas de comunicação,

sistemas analógicos e digitais, instrumentação e controle, cada um com
aplicações específicas. No entanto, parte do que temos na área de eletrônica
hoje vem da descoberta e aplicação de materiais semicondutores, visto que o
mercado está constantemente inserindo novos componentes para promover e
simplificar o projeto e aquisição de novos dispositivos.
• Todos os materiais são constituídos por átomos, que são constituídos por um
núcleo (formado por partículas positivas – prótons – e partículas neutras –
nêutrons) e partículas negativas, denominadas elétrons, girando em torno
de seu núcleo. A camada mais afastada do núcleo do átomo é denominada
camada de valência.
• Qualquer elétron que tenha deixado seu átomo de origem possui um estado de
energia mais alto do que qualquer elétron que continue na estrutura atômica.
12
AUTOATIVIDADE
1 Analise as sentenças e associe os itens, utilizando o código a seguir:
I- Silício.
II- +1.
III- Igual.
IV- 29.
( ) O átomo de cobre possui um núcleo com ____ elétrons.

( ) Ao retirar um elétron de valência de um átomo de cobre, a sua carga
líquida passa a ser de ____.
( ) O semicondutor mais utilizado é o de _______________.
( ) Em um semicondutor intrínseco o número de lacunas é _________ ao/que
o número de elétrons livres.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:

a) ( ) I – II – III – IV.
b) ( ) III – II – I – IV.
c) ( ) IV – I – III – II.
d) ( ) IV – II – I – III.
e) ( ) II – I – III – IV.
2 Com relação às impurezas, assinale a alternativa CORRETA:
a) ( ) As impurezas doadoras são compostas por elementos que possuem

três elétrons de valência e as impurezas aceitadoras são compostas por
elementos que possuem quatro elementos de valência.
b) ( ) As impurezas doadoras são compostas por elementos que possuem
quatro elétrons de valência e as impurezas aceitadoras são compostas
por elementos que possuem cinco elementos de valência.
c) ( ) As impurezas doadoras são compostas por elementos que possuem
cinco elétrons de valência e as impurezas aceitadoras são compostas
por elementos que possuem três elementos de valência.
d) ( ) As impurezas doadoras são compostas por elementos que possuem
três elétrons de valência e as impurezas aceitadoras são compostas por
elementos que possuem cinco elementos de valência.
e) ( ) Nenhuma das alternativas anteriores está correta.
3 Analise as afirmativas e classifique V para as sentenças verdadeiras e F para

as falsas:
( ) O material do tipo p é formado pela dopagem de um cristal puro de

silício ou germânio com átomos de impureza que possuem cinco elétrons
na camada de valência.
13
( ) Em um material do tipo n, as lacunas são chamadas de portadores
majoritários e os elétrons livres são chamados de portadores minoritários.
( ) Um material semicondutor que tenha passado pelo processo de dopagem
é chamado de material intrínseco.
( ) O germânio é o material mais utilizado como matéria-prima base na
construção de dispositivos eletrônicos.

a) ( ) V – V – V – V.
b) ( ) F – F – F – F.
c) ( ) V – V – F – F.
d) ( ) F – V – F – V.
e) ( ) V – F – V – F.
4 Um material necessita de 6 eV de energia para mover uma carga de 10 pC.

Determine a diferença de potencial envolvida.
5 Sabendo-se que são necessários 80 eV de energia para mover uma carga

com uma diferença de potencial de 4 mV, determine o valor da carga.
6 Considerando um sólido de silício puro em temperatura ambiente com ni=

10¹⁵ cm⁻³, ao executar a dopagem com um material que possui ND= 10²⁵ cm⁻³,
quais serão aproximadamente a concentração de elétrons livres e lacunas?
O semicondutor será do tipo n ou do tipo p? Justifique sua resposta.
7 Analise as afirmativas e assinale a alternativa INCORRETA:
a) ( )
O átomo de cobre possui um elétron em sua camada de valência
b) ( )
O átomo de silício possui 14 elétrons em seu núcleo.
c) ( )
O átomo de silício possui quatro elétrons em sua camada de valência.
d) ( )
Se, em um cristal de silício puro existir 10¹⁰ elétrons livres, então
existirão também 10¹⁰ lacunas.
e) ( ) Se o silício for dopado com um elemento pentavalente, ele será chamado
de semicondutor do tipo p.
8 Associe os itens, utilizando o código a seguir:
I- Material do tipo p.
II- Elementos trivalentes.
III- Semicondutor extrínseco.
IV- Material do tipo n.
V- Elementos pentavalentes.
( ) O número de lacunas excede o número de elétrons livres.

( ) O número de elétrons livres excede o número de lacunas.
( ) São átomos com cinco elétrons em sua camada de valência.
( ) São átomos com três elétrons em sua camada de valência.
( ) Um semicondutor dopado.
14
a) ( ) I – II – III – IV – V.
b) ( ) I – V – IV – III – II.
c) ( ) IV – I – V – III – II.
d) ( ) IV – I – V – II – III.
e) ( ) I – IV – V – II – III.
9 Assinale a alternativa CORRETA:
a) ( ) Um semicondutor do tipo n é negativamente carregado.

b) ( ) Um semicondutor do tipo p é positivamente carregado.
c) ( ) Um semicondutor do tipo n é positivamente carregado.
d) ( ) Um semicondutor do tipo p é negativamente carregado.
e) ( ) Um semicondutor do tipo n é neutro.
10 Considerando que as lacunas são portadores minoritários, assinale a

alternativa CORRETA:
a) ( ) Semicondutores do tipo p.
b) ( ) Semicondutores do tipo n.
c) ( ) Semicondutores Intrínsecos.
d) ( ) Semicondutores extrínsecos.
e) ( ) Nenhuma das alternativas anteriores está correta.
15
16
TÓPICO 2 —
UNIDADE 1
DIODOS
1 INTRODUÇÃO
Um semicondutor do tipo p sozinho, assim como um semicondutor do
tipo n, pode ser utilizado como um resistor de carbono. Entretanto, quando
um cristal é dopado, de modo que contenha as duas características (metade do
tipo p e metade do tipo n), ele toma características específicas e extremamente
importantes (MALVINO, 2007).
A região de contato entre as duas características (semicondutor do tipo

p e do tipo n) é chamada de junção pn. A junção pn é a base para uma enorme
variedade de dispositivos, podendo-se citar os diodos, os transistores e os
semicondutores. Desse modo, entendendo a junção pn, compreende-se também o
funcionamento dos dispositivos semicondutores.
2 DIODO SEMICONDUTOR
Ao dopar o material de modo que contenha as duas características (ou
seja, realizar a “união” do material semicondutor do tipo p com o material
semicondutor do tipo n), aparecerá uma região de junção (Figura 11) na borda em
que os materiais semicondutores do tipo p e n se encontram – outro nome dado
a junção pn é diodo de junção, uma vez que diodo é tido como a concentração de
dois eletrodos (di = dois).
Ao ocorrer a união dos dois materiais, existe uma combinação entre os

elétrons livres e as lacunas da região de junção, ou seja, alguns elétrons livres,
pertencentes ao semicondutor do tipo n, atravessam a região de junção e
preenchem algumas das lacunas pertencentes ao semicondutor do tipo p. Como
resultado dessa transição de cargas, há o surgimento de uma região chamada
de camada de depleção (Figura 11), onde é possível notar os círculos cinzas que
representam as lacunas preenchidas com os elétrons livres, que deixam de estar
disponíveis para serem portadores de corrente. A região em torno da junção dos
materiais n e p (camada de depleção) é escassa de portadores livres.
17
FIGURA 11 – CAMADA DE DEPLEÇÃO DO DIODO
Se ligarmos terminais às extremidades de cada material, o resultado será

um dispositivo com dois terminais, com três possíveis opções: sem polarização,
polarização direta e polarização reversa. A polarização refere-se à aplicação de
uma tensão externa aos terminais com o objetivo de extrair uma resposta.
2.1 DIODO NÃO POLARIZADO

As situações apresentadas nas Figuras 11 e 12 são de um diodo sem
polarização, ou seja, sem a aplicação de uma tensão entre os terminais (V = 0V).
Em outras palavras, é simplesmente um diodo sobre uma bancada de laboratório.
A ausência de uma tensão entre os terminais do diodo resulta em ausência
de corrente (I = 0 A), semelhante a um resistor isolado. Algo importante a ser
notado é que a polaridade da tensão aplicada ao diodo (e da corrente) na Figura
12, tida como polaridade definida para o diodo semicondutor e, sempre que
a tensão aplicada for de mesma polaridade, consideraremos tensão positiva,
enquanto, se for o contrário (polaridade oposta ao apresentado na Figura 12),
consideraremos tensão negativa. O mesmo raciocínio pode ser utilizado para a
corrente (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
18
TÓPICO 2 — DIODOS
FIGURA 12 – SÍMBOLO DO DIODO (JUNÇÃO PN SEM POLARIZAÇÃO) COM A POLARIDADE

DEFINIDA E O SENTIDO DA CORRENTE
2.2 DIODO COM POLARIZAÇÃO REVERSA

Ao aplicarmos um potencial de V (volts) à junção pn, de modo que
o terminal negativo seja ligado ao material do tipo p e o terminal positivo, ao
material do tipo n (conforme Figura 13B), ocorrerá um aumento na região de
depleção, pois o número de elétrons livres no material tipo n irá aumentar devido
à atração pelo polo positivo conectado ao terminal do material do tipo n (como
pode ser notado na Figura 13A); de maneira análoga, ocorrerá um aumento de
lacunas no material do tipo p, devido à conexão do polo negativo ao terminal
do material do tipo p. Em decorrência dessas condições, a região de depleção
irá aumentar, dificultando a movimentação de portadores majoritários e, dessa
forma, reduzindo o fluxo à praticamente zero – portanto, I ≅ 0 A.
FIGURA 13 – JUNÇÃO PN REVERSAMENTE POLARIZADA: DISTRIBUIÇÃO INTERNA DE

CARGAS SOB CONDIÇÕES DE POLARIZAÇÃO REVERSA (A) E POLARIDADE DE POLA-
RIZAÇÃO REVERSA E SENTIDO DA CORRENTE DE SATURAÇÃO REVERSA (B)
19
A corrente de saturação reversa é a corrente existente em condição de

polarização reversa, Is – vale a pena observar que o sentido dessa corrente é
oposto ao sentido da corrente convencional do diodo (o que pode ser observado
comparando-se o sentido das correntes das Figuras 12 e 13).
Normalmente, o valor de Is tem alguns microampères (µA), expresso em

nanoampères (nA), tendo como exceção dispositivos de alta potência. Na Figura
14 (VD < 0 V), é possível perceber que o nível de corrente reversa é rapidamente
alcançado e se mantém praticamente inalterado com a variação da tensão – daí
o termo saturação. Um método alternativo para descobrir se o diodo está em
polarização direta ou reversa é analisar que, em polarização reversa, o terminal
positivo está conectado ao material semicondutor do tipo n e o terminal negativo,
ao material semicondutor do tipo p (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) – os
destaques mostram que temos letras opostas na situação de polarização reversa.
FIGURA 14 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO SEMICONDUTOR DE SILÍCIO
20
2.3 DIODO COM POLARIZAÇÃO DIRETA

O diodo “ligado” ou com polarização direta ocorre com a aplicação de
uma diferença de potencial entre os terminais do diodo, de modo que o terminal
positivo esteja conectado ao material semicondutor do tipo p e o terminal negativo,
ao material semicondutor do tipo n.
Analisando a Figura 15A, percebe-se que, aplicando a polarização direta

nos terminais do diodo semicondutor, as lacunas no material semicondutor do
tipo p e os elétrons livres no material semicondutor do tipo n se recombinam com
os íons próximos à fronteira dos dois materiais, diminuindo a região de depleção.
A Figura 15B apresenta a simbologia do diodo com polarização direta e a direção
da corrente.
O fluxo dos portadores minoritários resultante (elétrons do material

semicondutor do tipo p para o material semicondutor do tipo n e de lacunas
do material semicondutor do tipo n para o material semicondutor do tipo p)
não foi alterado em magnitude, uma vez que o controle da condução ocorre,
principalmente, em função do pequeno número de impurezas adicionadas ao
material. Por outro lado, a redução da região de depleção resulta em um grande
fluxo de portadores majoritários através da junção, de modo que os elétrons do
material semicondutor do tipo n recebem uma enorme atração com o potencial
positivo aplicado no material semicondutor do tipo p, cada vez maior à medida
que a camada de depleção diminui com o aumento da diferença de potencial
aplicada aos terminais – fenômeno que visto na Figura 14.
FIGURA 15 – JUNÇÃO PN DIRETAMENTE POLARIZADA: DISTRIBUIÇÃO INTERNA DE CARGAS

SOB CONDIÇÃO DE POLARIZAÇÃO DIRETA (A) E POLARIDADE DE POLARIZAÇÃO DIRETA E
SENTIDO DE CORRENTE RESULTANTE (B)
21
Analisando a Figura 14, é possível perceber que o diodo de silício real em

polarização direta possui, no máximo, uma queda de tensão de 1 V. Além disso,
nota-se que sua corrente é medida em mA e possui uma subida rápida após o seu
“joelho”.
A equação de Shockley (Equação 4) pode ser utilizada para definir as

características do diodo semicondutor nas regiões de polarização reversa e direta:
(Eq. 4)
Em que Is é a corrente de saturação reversa; VD é o valor da polarização

direta aplicada ao diodo; n é um fator de idealidade em função da construção
física e condições de operação e varia de 1 a 2 – neste livro, adotaremos n = 1,
salvo casos em que for especificado outro valor; VT é a tensão térmica (determinada
pela Equação 5).
(Eq. 5)
Em que k é a constante de Boltzmann (k = 1,38 x 10-23 J/K); TK é a temperatura

absoluta, em Kelvin (Temperatura (K) = Temperatura (°C) + 273); q é a magnitude da
carga eletrônica (1,6 x 10-19 C).
Um ponto importante a ser lembrado é que o valor da corrente de saturação

reversa que aparece na equação de Shockley costuma ser mensuravelmente menor
que o real de um diodo comercial, em virtude de diversos fatores, sendo possível
destacar a corrente de fuga, a geração de portadores na região de depleção, a
sensibilidade à temperatura etc.
2.4 REGIÃO DE RUPTURA

A região de ruptura está relacionada ao valor máximo de tensão que
podemos aplicar quando se está inversamente polarizado, sem que ocorram
danos. Para uma gama grande de diodos, o valor da tensão de ruptura é de 50 V,
mas pode ser diferente e consta no datasheet (folha de dados) (MALVINO, 2007).
Por meio da análise da Figura 16, à medida que aumentamos a tensão de

polarização reversa sobro o diodo, a corrente de polarização reversa se mantém
praticamente constante até atingir a tensão de ruptura (tensão zener), quando
ocorre um efeito avalanche que força os portadores minoritários a se moverem
mais rapidamente, ocasionando a colisão dos portadores minoritários com
átomos do cristal e resultando no aparecimento de elétrons livres através de
um processo geométrico (ou seja, um elétron livre libera um elétron de valência
e, posteriormente, os dois elétrons livres liberam dois elétrons de valência,
obtendo-se quatro elétrons livres, os quais liberam mais quatro elétrons de
22
valência etc.); em outras palavras, um processo de ionização faz com que os

elétrons de valência dos átomos absorvam uma quantidade de energia suficiente
para que deixem o átomo de origem.
FIGURA 16 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO COM A REGIÃO DE RUPTURA
A região de avalanche, designada como região zener (Figura 16), possui

potencial de ruptura VBV. É possível aproximar a curva apresentada na região zener
do eixo vertical através do aumento da dopagem dos materiais semicondutores
do tipo p e do tipo n. Existe um outro mecanismo chamado de ruptura zener,
que ocorre quando o potencial de ruptura alcança níveis muito baixos e, assim,
isso pode perturbar as forças de ligação no interior do átomo, devido à grade do
campo elétrico na região de junção dos materiais semicondutores do tipo n e do
tipo p, “gerando” portadores. Mesmo que o mecanismo de ruptura zener tenha
principal relevância em baixos níveis de VBV, a região com acentuada mudança
para quaisquer valores é conhecida como região zener e os diodos que são
embasados somente nessa região da curva são conhecidos como diodos zener.
É importante lembrar que é possível exceder a tensão de ruptura do

diodo sem que obrigatoriamente o danifique – enquanto o produto da corrente
reversa pela potência reversa não for maior que a faixa de potência do diodo.
Já a tensão de pico inversa (PIV, sigla do inglês Peak Inverse Voltage), ou tensão
de pico reversa (PRV, sigla do inglês Peak Reverse Voltage), refere-se ao potencial
máximo de polarização reversa que pode ser aplicado ao diodo antes de ingressar
na região de ruptura.
23
2.5 CONSIDERAÇÕES IMPORTANTES

Sabemos que a temperatura ambiente e a temperatura de junção do diodo,
quando este está conduzindo (polarizado diretamente) são diferentes, sendo a
temperatura interna superior devido ao calor gerado pela recombinação. Desse
modo, podemos perceber que, à medida que a temperatura aumentar, ocorrerá
um aumento no número de elétrons livres e lacunas nas regiões dopadas,
diminuindo a barreira de potencial na junção. Segundo Malvino (2007), podemos
estabelecer uma regra para a barreira de potencial de um diodo de silício, a qual
diminui 2 mV para cada aumento de 1 °C, portanto,
ΔV = (-2 mV/°C)ΔT (Eq. 6)
O diodo em polarização reversa apresenta um aumento na barreira

potencial (região de depleção), do ponto de vista de energia, segundo Malvino
(2007), quanto maior a temperatura de junção, maior será a corrente de saturação
reversa, sendo uma aproximação útil “Is dobrar a cada aumento de 10 °C”; se
a variação de temperatura for menor que 10 °C, deve-se considerar a variação
da corrente de saturação de 7% para cada °C de aumento, escrevendo na forma
de equação:
Porcentagem de ΔIs= 100% para cada aumento de 10°C (Eq. 7)

Porcentagem de ΔIs=7% por °C (Eq. 8)
Quando o diodo está polarizado reversamente, haverá a corrente de

portadores minoritários, porém existe uma outra pequena corrente que circula
pela superfície do cristal conhecida como corrente de fuga da superfície,
proveniente das impurezas da superfície e das imperfeições na superfície do
cristal. A corrente de fuga da superfície (ISL) é diretamente proporcional à tensão
inversa (VR) aplicada ao diodo, de modo que é possível definir a resistência de
fuga (RSL) como:
(Eq. 9)
O silício não é o único material semicondutor de base, tendo grande

relevância também o germânio (Ge) e o arseneto de gálio (GaAs) – a Figura 17
mostra as características reais de cada diodo (e não obtidas através da Equação 4).
As curvas são semelhantes na forma, mas diferem muito em magnitude, tanto em
polarização direta como em polarização reversa (tanto corrente quanto tensão).
Além disso, possui valores bem distintos para o joelho (VK, K – Knee, joelho em
inglês), sendo de aproximadamente 0,3 V para o germânio, 0,7 V para o silício e
1,2 V para o arseneto de gálio. Um dado importante está relacionado à velocidade
24
(mobilidade do elétron 𝜇n), sendo de 1.500, 3.900 e 8.500 cm2/V.s para o silício,
germânio e arseneto de gálio, respectivamente. Desse modo, percebe-se que os
diodos de GaAs são mais de cinco vezes mais rápidos que os diodos de Si, sendo
mais utilizados em situações com necessidade de alta velocidade de resposta.
FIGURA 17 – CURVA PARA OS DIODOS COMERCIAIS DE SI, GE E GAAS
2.6 RESISTÊNCIA DO DIODO

A seguir, veremos as resistências de corrente contínua (CC) e corrente
alternada (CA) de um diodo ou, em outras palavras, a resistência estática e a
resistência dinâmica do diodo, respectivamente.
25
2.6.1 Resistência CC ou estática

Trata-se da resistência obtida através de um ponto na curva característica
do diodo quando este pertence a um circuito que recebe uma carga CC (Figura
18). A resistência CC do diodo, RD, pode ser obtida através da relação da tensão
sobre o diodo, VD , e a corrente sobre o diodo, ID , sendo independente da forma da
curva que circunda o ponto de interesse. Esse ponto pode ser chamado de ponto
Q (quiescente – “estacionário ou invariável”). Matematicamente, a resistência CC
pode ser expressa por:
(Eq. 10)
Tipicamente, a resistência estática de um diodo ativo varia entre

aproximadamente 10 e 80 Ω, sendo que os valores da resistência CC serão maiores
abaixo do joelho e na região de polarização reversa.
FIGURA 18 – EXEMPLO DE UM PONTO DE OPERAÇÃO PARA DETERMINAÇÃO DA

RESISTÊNCIA CC DE UM DIODO
2.6.2 Resistência CA ou dinâmica

A situação será completamente diferente ao aplicarmos uma entrada
senoidal ao circuito contendo o diodo, alterando constantemente dentro de um
intervalo circundando o ponto de operação (quiescente – Q) (Figura 19).
26
FIGURA 19 – DEFINIÇÃO DA RESISTÊNCIA DINÂMICA OU CA (A) E DETERMINAÇÃO DA

RESISTÊNCIA CA EM UM PONTO Q (B)
Analisando a Figura 19, temos a representação do modo de determinação

da resistência CA graficamente, em que podemos verificar a construção de uma
reta tangente ao ponto Q, que é o ponto central dentro da variação da tensão
e da corrente sobre o diodo, sendo importante manter as distancias ao ponto
Q equidistantes e a menor variação da corrente e tensão que for possível. Na
Figura 19B, é apresentada a determinação da resistência CA, que é dada pela
razão da variação da tensão sobre o diodo pela variação da corrente do diodo,
matematicamente:
(Eq. 11)
Entretanto, segundo uma definição básica de cálculo “a derivada de uma

função em um ponto é igual à inclinação da linha tangente traçada neste ponto”
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013, p. 22). Portanto, calculando a derivada da
Equação 4 e considerando ID ≫ IS, obtemos:
27
Logo, a resistência é:
Substituindo n = 1 e VT ≅ 26 mV (exemplo resolvido 1), obteremos:
(Eq. 12)
Portanto, a resistência dinâmica pode ser obtida através da simples

substituição do valor quiescente do diodo na Equação 12.
3 CIRCUITOS EQUIVALENTES DO DIODO

Segundo Boylestad; Nashelsky (2013, p. 24), “um circuito equivalente
é uma combinação de elementos adequadamente escolhidos para melhor
representar as características reais de um dispositivo ou sistema em determinada
região de operação”. Para o diodo, podemos ter três modelos: modelo linear por
partes, modelo simplificado e dispositivo ideal.
3.1 MODELO LINEAR POR PARTES

É obtido aproximando a curva característica do diodo por segmentos de
reta. Conforme mostra a Figura 20A, os segmentos não descrevem exatamente
a curva, principalmente na região do joelho, porém resultam em uma boa
aproximação para o comportamento real do dispositivo.
Analisando a Figura 20B, percebe-se uma resistência que se associa à região

inclinada – trata-se da resistência CA média. O símbolo do diodo ideal vem para
estabelecer o sentido da corrente única quando o dispositivo está ligado, pois,
em condições de polarização reversa, o diodo será considerado circuito aberto.
A fonte de tensão de 0,7 V com direção oposta à polarização direta vem para
lembrar que o diodo semicondutor de silício somente começa a conduzir após
atingir uma polarização direta de 0,7 V – tensão do eixo horizontal que deve ser
ultrapassada para que o diodo entre em condução (Figura 20A).
28
FIGURA 20 – DEFINIÇÃO DO CIRCUITO EQUIVALENTE LINEAR POR PARTES USANDO

SEGMENTOS DE RETAS PARA A APROXIMAÇÃO DA CURVA CARACTERÍSTICA (A) E
COMPONENTES DO CIRCUITO EQUIVALENTE LINEAR POR PARTES (B)
3.2 MODELO SIMPLIFICADO

O valor da resistência rav , na maioria das vezes, é muito inferior aos demais
componentes pertencentes ao circuito e pode ser desprezado. Remover o valor
de rav do circuito equivalente é o mesmo que considerar a curva apresentada na
Figura 21A – o modelo mais utilizado em análise de circuitos semicondutores. Na
Figura 21B, apresentam-se os elementos do circuito equivalente reduzido.
29
FIGURA 21 – CIRCUITO EQUIVALENTE SIMPLIFICADO PARA O DIODO CONDUTOR

DE SILÍCIO (A) E COMPONENTES DO CIRCUITO EQUIVALENTE SIMPLIFICADO (B)
3.3 MODELO IDEAL

O modelo ideal é uma simplificação do modelo simplificado, considerando
o caso em que é possível desprezar a queda de tensão de 0,7 V do diodo, por ser
insignificante em relação à tensão aplicada. Na Figura 22, são apresentados o
circuito equivalente linear e os componentes do circuito equivalente.
30
FIGURA 22 – CIRCUITO EQUIVALENTE SIMPLIFICADO PARA O DIODO CONDUTOR DE

SILÍCIO (A) E COMPONENTES DO CIRCUITO EQUIVALENTE IDEAL (B)
4 TESTE DO DIODO
Podemos testar um diodo semicondutor de diversos modos, os mais
comuns são: por meio do uso de um multímetro digital (função testes de diodo
ou na função de ohmímetro) e de um equipamento traçador de curva.
4.1 TESTE POR MULTÍMETRO DIGITAL

Ao utilizar um multímetro digital, podemos abordar o teste de dois
modos: pela função teste de diodo e pela leitura de resistência.
Para utilizar a função de teste de diodo do multímetro, é necessário

colocar o botão de seleção no símbolo do diodo (Figura 23A) e posicionar os
eletrodos de teste conforme apresenta Figura 23B, em que irá aparecer uma
indicação de tensão de polarização direta, caso o diodo semicondutor esteja em
seu estado “ligado”. Como o medidor possui uma fonte de corrente constante
interna (aproximadamente 2 mA), ele gerará uma queda de tensão sobre o diodo
(Figura 23C). Caso o diodo esteja defeituoso ou ocorra a inversão da posição dos
eletrodos de teste, deverá aparecer uma indicação OL, devido à equivalência a
um circuito aberto.
31
Anteriormente, verificamos que a resistência do diodo semicondutor em

polarização reversa é muito superior à observada quando em polarização direta;
desse modo, colocando o campo de seleção do multímetro digital da Figura 23A
em medição de resistência (Ω) e realizando a medição da resistência com eletrodos,
conforme Figura 23B (polarização direta), espera-se obter uma resistência baixa,
comparando-se a medição com eletrodos em posição contrária à observada na
Figura 23B. Caso as medições de resistência em polarização direta e polarização
reversa, provavelmente o diodo está defeituoso, comportando-se em ambos os
casos como circuito aberto. Por outro lado, se ambas as medições apresentarem
valores baixos, provavelmente o diodo está em curto-circuito.
FIGURA 23 – MULTÍMETRO DIGITAL (A), POSIÇÃO DOS TERMINAIS DE TESTE (B) E CURVA
APROXIMADA PARA O DIODO DE SILÍCIO (C)
5 FOLHA DE DADOS
Para podermos utilizar, de forma correta, os dispositivos semicondutores,
é necessário o conhecimento de algumas características específicas, disponibilizadas
pelo fabricante em um arquivo chamado datasheet ou folha de dados, no qual os
dados podem ser apresentados por uma breve descrição (normalmente, no máximo,
uma página) ou por uma análise completa (apresentando tabelas, gráficos etc.).
Segundo Boylestad; Nashelsky (2013), em ambos os casos, existem

alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo
semicondutor. São eles:
32
• Tensão direta, VF , em condições específicas de temperatura e corrente.

• Corrente direta máxima, IF , em condição específica de temperatura.
• Corrente de saturação reversa, IR, em condições específicas de temperatura e
tensão.
• Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de
temperatura.
• Dissipação máxima de potência, em condição específica de temperatura.
• Níveis de capacitância.
• Tempo de recuperação reversa, trr.
• Faixa de temperatura de operação.
Caso a potência máxima ou dissipação nominal, PDmáx , for disponibilizada,

será considerada de acordo com a Equação 13, em que VD e IDsão a tensão e a
corrente, respectivamente, do diodo em um ponto específico de operação.
PDmáx = VD ID (Eq. 13)
Frequentemente, utilizamos o modelo simplificado do diodo semicondutor

para algumas aplicações específicas; logo, é possível substituir o valor de VD
da equação 13, considerando um diodo semicondutor de silício VD = VT = 0,7 V;
portanto, a Equação 13 fica:
PDmáx ≅ (0,7 V) ID (Eq. 14)
Nas Figuras 24 e 25, são apresentados os dados referentes a um diodo

semicondutor de baixa fuga e alta tensão. Pode-se notar, na Figura 24, algumas
áreas destacadas e divididas entre as letras de A e H, em que:
• A apresenta a tensão de polarização reversa mínima do diodo e sua corrente de

polarização reversa específica.
• B mostra as características de temperatura do componente (faixa de temperatura
máxima de armazenamento, temperatura máxima de operação das junções e
máxima temperatura dos terminais).
• C está relacionado ao valor da máxima dissipação de potência em temperatura
ambiente (25 °C), que também pode ser determinado pela Equação 4, e ao fator
de redução de potência, para temperaturas acima da de referência (temperatura
ambiente ou 25 °C – conforme Figura 25A).
• D refere-se ao valor da corrente direta contínua máxima, IF , sendo que a Figura
25B apresenta um gráfico com a variação da corrente direta de acordo com a
tensão direta, podendo-se notar um aumento rápido da tensão em pequenos
incrementos de tensão.
• E demonstra os valores de tensão direta, VF , em temperatura ambiente (25 °C),
em que, quanto maior é a corrente de polarização direta aplicada, maior será a
tensão de polarização;
33
• F mostra os valores da corrente de polarização reversa, IR , em que é possível

verificar que a mesma variação de tensão em 25 °C provoca uma menor
variação da IR em 125 °C. Nas Figuras 25C e D, é possível notar a variação da
tensão reversa em função da corrente reversa e a variação da corrente reversa
em função da temperatura, respectivamente (é preciso cuidado nas análises
do gráfico, devido a estar em escala logarítmica, pode parecer que a variação é
muito menor que a real.
• G apresenta o valor máximo da capacitância em condição específica de teste; o
gráfico da Figura 25 mostra a variação da capacitância em função da variação
da tensão reversa, podendo-se notar uma grande variação à medida que a
tensão de polarização aumenta;
• H corresponde ao tempo máximo de recuperação reversa em condições
específicas de teste, sendo um fator importante a ser analisado que pode
comprometer o desempenho do projeto.
FIGURA 24 – CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DE UM DIODO SEMICONDUTOR DE BAIXA

CORRENTE DE FUGA E ALTA TENSÃO
34
FIGURA 25 – CARACTERÍSTICAS DE UM DIODO DE ALTA TENSÃO
35
6 DIODO ZENER
É um tipo de diodo amplamente utilizado em sistema de regulagem de
tensão. Sua curva característica e símbolo podem ser observados na Figura 26.
É importante salientar a similaridade dos símbolos dos diodos, sendo a única
diferença pelo cátodo ter duas linhas adicionais remetendo ao formato da letra
Z. A fabricação dos diodos zener ocorre de modo que regulem a tensão entre
3,3 a 200 V (um exemplo é o 1N4733, que é um regulador de tensão de 5,1 V)
(SCHULER, 2013).
FIGURA 26 – CURVA CARACTERÍSTICA E SÍMBOLO PARA UM DIODO ZENER
Se o diodo zener estiver sendo utilizado com polarização direta, seu

comportamento será semelhante a um diodo comum, porém, quando estiver
operando em polarização reversa, efetuará a regulação de tensão conforme
projetado. Em um diodo zener, a corrente flui do cátodo para o anodo (oposto ao
diodo comum).
A Figura 27 ilustra uma característica importante do diodo zener: uma

grande mudança na corrente sobre o diodo zener irá causar uma pequena
mudança na variação da tensão, tornando a tensão do diodo zener em sua faixa
de operação praticamente estável.
36
FIGURA 27 – AMPLIAÇÃO DA CURVA DE OPERAÇÃO DO DIODO ZENER
7 DIODO EMISSOR DE LUZ

No início do século XX, foi observada, pela primeira vez, a emissão de
luz de um material sólido quando excitado por uma fonte de tensão – fenômeno
denominado de eletroluminescência. É importante observar que a emissão de luz
ocorre em temperatura ambiente, diferentemente da incandescência que ocorre
em altas temperaturas (LORENZ; MARQUES; MONTEIRO, 2016).
Também conhecidos como LED (sigla do inglês Light Emitting Diode), os

diodos emissores de luz emitem luz visível ou invisível (infravermelho) quando
energizados e são compostos por diferentes camadas de semicondutores em
estado sólido. Em qualquer polarização direta de uma junção pn, existe uma
recombinação de elétrons e lacunas próximo à junção e dentro da estrutura, efeito
que exige a mudança de estado da energia do elétron livre não ligado, sendo que,
na forma de calor ou fótons (Figura 28), será dependente da banda de energia
entre os materiais semicondutores e o comprimento de onda da radiação emitida
(MARTELETO, 2011). Em diodos de Si e Ge, a maior parte da energia é convertida
em calor, sendo a luz emitida insignificante, porém diodos de GaAs emitem luz
invisível na zona de infravermelho durante esse processo de recombinação.
37
FIGURA 28 – ESQUEMA DE FUNCIONAMENTO DE UM LED
FONTE: Marteleto (2011, p. 51)
Por meio de combinações de elementos (dopagem com gálio, alumínio,

arsênio, zinco, fósforo, índio e nitrogênio), é possível obter o espectro desde o
ultravioleta até o infravermelho. A Tabela 1 apresenta algumas cores de LED, os
compostos responsáveis e a tensão direta que deve ser aplicada a cada um deles.
TABELA 1 – DIODOS EMISSORES DE LUZ
Cor Construção Tensão direta comum (V)

Âmbar AlInGaP 2,1
Azul GaN 5,0
Verde GaP 2,2
Laranja GaAsP 2,0
Vermelho GaAsP 1,8
Branco GaN 4,1
Amarelo AlInGaP 2,1
38
DICAS
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) A uma temperatura de 27 °C (temperatura comum

para os componentes em um sistema operacional encapsulado), determine a tensão
térmica (VT).
R.: Por meio do enunciado, a temperatura é de 27 °C, logo, para podermos aplicar a Equação
5, é necessário a transformar em Kelvin:
TK = T°C + 273
TK = 27 + 273 = 300 K
Aplicando a Equação 5:
Portanto, VT ≅ 26 mV.
2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito apresentado na figura a seguir,

determine o valor da resistência CC e da resistência CA em ID = 2 mA e ID = 25 mA, e
compare os resultados.
FIGURA PARA EXEMPLO 2
39
R.: Inicialmente, determinaremos o valor das resistências CC. Analisando o gráfico, podemos
localizar os dois pontos quiescente, sendo eles:
ID = 2 mA e VD=0,7 V
Para a resistência CC, aplica-se a Equação 10:
Cálculo da resistência CA – ID = 2 mA
Para determinarmos a resistência CA, é necessário utilizar dois pontos equidistantes do
ponto quiescente que pertencem à reta tangente que passa por Q.
Nesse caso, foi adotada uma amplitude de 2 mA em relação ao ponto Q, sendo possível
encontrar os valores ID1 = 0 mA e VD1 = 0,65 V e ID2 = 4 mA e VD = 0,76 V.
Portanto,
ΔId= ID - ID = (4 - 0) mA = 4 mA
2 1
ΔVd=VD - VD = (0,76 - 0,65) V = 0,11 V

2 1
Aplicando a Equação 11:
Entretanto, é possível determinar rd pela Equação 12:
Foi multiplicado por dois, devido a estarmos na região do joelho, em que n = 2, e não
n = 1 quando determinada a equação.
A diferença entre os valores encontrados pode ser tratada como uma contribuição de rB,
que é a resistência de corpo (resistência do material semicondutor) somada à resistência de
contato (conexão entre o material metálico externo com o material semicondutor).
ID = 25 mA
Com raciocínio análogo, adotou-se uma amplitude de 5 mA em relação ao ponto Q, em

que é possível encontrar os valores ID1 = 20 mA e VD1 = 0,78 V e ID2 = 30 mA e VD = 0,8 V.
Portanto,
ΔId = ID - ID =(30 - 20) mA = 10 mA

2 1
ΔVd =VD - VD =(0,8 - 0,78) V = 0,02 V

2 1
40
Aplicando a Equação 11,
Analisando os valores das resistências encontradas, percebe-se que, em ambos os casos, o

valor da resistência CC é muito maior que o valor da resistência CA.
41
RESUMO DO TÓPICO 2
• Quando o material é dopado de uma forma que contém ambas as características

(ou seja, o material semicondutor tipo p é "combinado" com o material
semicondutor tipo n), a região de junção aparecerá na borda da junção.
• Outro nome para a junção de material-pn a qual os semicondutores do tipo

caneta se conformam é diodo de junção, porque um diodo é considerado a
concentração de dois eletrodos (di = dois).
• Quando o diodo é ligado (polarização direta), a temperatura ambiente e a

temperatura da junção são diferentes, e a temperatura interna é maior devido
ao calor gerado pela recombinação.
• Portanto, podemos ver que, à medida que a temperatura aumenta, o número

de elétrons livres e lacunas na região dopada aumentam, reduzindo assim a
barreira de potencial na junção.
• O circuito equivalente é apropriadamente selecionado para representar melhor

as características reais do dispositivo ou sistema em uma determinada área de
operação.
42
AUTOATIVIDADE
1 Supondo uma barreira de potência de 0,6 V com uma temperatura ambiente

de 30 °C, determine o valor da barreira de potencial de um diodo de silício
quando a temperatura de junção for de:
a) ( ) 100 °C.
b) ( ) 50 °C.
c) ( ) 0 °C.
2 Para um diodo de silício, determine a corrente de saturação a 100 °C,

quando IS = 12 nA em 32 °C.
3 Considerando um diodo com corrente de fuga da superfície de 3 nA, com

polarização inversa de 30 V. Determine a corrente de fuga na superfície
para uma polarização inversa de 50 V.
4 Sabendo que a corrente do diodo é de 4 mA e n = 1, determine a corrente

de saturação reversa, Is, sabendo que a tensão aplicada é igual a 1 V em
temperatura de 27 °C.
5 Sabendo que um diodo possui ID = 9 mA,VT = 26 mV, n = 1 e IS = 7 nA,

determine o valor da tensão aplicada a esse diodo.
6 (SCHULER, 2013) Deseja-se selecionar um resistor limitador de corrente

para um circuito automotivo, o qual é necessário uma circulação de 15 mA
pelo diodo e que utiliza 12 V de alimentação, assumindo que a queda sobre
o diodo é de 2 V.
7 (MALVINO, 2007) Observe a tabela, a seguir, apresenta alguns diodos e

suas especificações de pior caso. Determine a resistência CC direta e reversa
para cada um dos diodos.
Diodo IF IR
1N914 10 mA com 1 V 25 nA com 20 V
1N4001 1 A com 1,1 V 10 μA com 50 V
1N1185 10 A com 0,95 V 4,6 mA com 100 V
FONTE: Malvino (2007, p. 117)
43
8 Classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Um diodo que está conduzindo está inversamente polarizado.

( ) Um diodo com polarização direta possui uma corrente muito maior que se
tivesse com polarização reversa.
( ) A tensão de joelho de um diodo é aproximadamente igual à barreira de
potencial.
( ) O diodo é um dispositivo linear.

a) ( ) F – V – V – F.
b) ( ) V – F – V – F.
c) ( ) F – V – F – V.
d) ( ) V – V – F – F.
e) ( ) F – F – V – V.
9 Assinale a alternativa CORRETA:
a) ( ) A corrente reversa consiste na corrente de portadores majoritários e na

corrente de fuga da superfície.
b) ( ) A corrente reversa consiste na corrente de portadores minoritários e na
corrente de fuga da superfície.
c) ( ) A corrente reversa consiste na corrente de portadores majoritários e na
corrente direta.
d) ( ) A corrente reversa consiste na corrente de portadores minoritários e na
corrente direta.
e) ( ) A corrente reversa consiste na corrente de portadores minoritários e na
corrente de portadores majoritários.
10 Analise as sentenças a seguir:
I- Um diodo de silício polarizado diretamente quando analisado como um

diodo ideal apresenta uma queda de tensão de 0,7 V.
II- Diodo pode ser definido como um componente de dois terminais que
permite que a corrente circule em um único sentido.
III- A polarização direta do diodo expande a camada de depleção.
IV- Temperaturas elevadas aumentam o número de portadores minoritários e
a corrente de fuga do diodo.
Assinale a alternativa CORRETA:

a) ( ) As afirmativas I, II e IV estão corretas.
b) ( ) As afirmativas I e III estão incorretas.
c) ( ) As afirmativas II, III e IV estão corretas.
d) ( ) As afirmativas II, III e IV estão incorretas.
e) ( ) As afirmativas II e III estão corretas.
44
TÓPICO 3 —
UNIDADE 1
APLICAÇÕES DE DIODOS
1 INTRODUÇÃO
Após analisarmos a construção e funcionamento básico dos diodos, temos
as ferramentas necessárias para podermos expandir os estudos e analisar a sua
função e resposta em uma grande variedade de aplicações.
Quando trabalhamos com componentes eletrônicos, podemos utilizar

as características reais do equipamento ou usar um modelo aproximado do
componente sem prejudicar a análise do circuito.
Neste tópico, inicialmente, abordaremos as características reais do diodo

e, em seguida, será utilizado o modelo simplificado, mostrando que, na maioria
das vezes, pode ser empregado sem perder a generalidade. Entretanto, um ponto
que se deve estar claro é que trabalhamos com valores fechados: o resistor é de
100 Ω e, na realidade, dentro de um lote, os valores podem variar, assim como a
fonte de tensão pode não ser precisamente o valor de 12 V, mas, sim, de 12,02 V –
e essa pequena variação pode modificar a saída.
2 ANÁLISE POR RETA DE CARGA

Considere o circuito série com diodo da Figura 29 e a curva característica
do diodo. Resolver o circuito é o mesmo que dizer que iremos determinar os
valores de tensão e corrente, que irão satisfazer ao diodo, e os parâmetros do
circuito analisado simultaneamente.
Para determinar a reta de carga, ou seja, a reta determinada pela tensão

do circuito e por sua carga, podemos voltar às definições matemáticas que dizem
que, para traçar uma reta, basta termos dois pontos. Os pontos mais fáceis de
se determinar são as interseções com os eixos coordenados. Para que possamos
verificar esses valores, é necessário ter a equação do circuito da Figura 29A.
Aplicando a lei das malhas de Kirchhoff no sentido anti-horário (sentido

apresentado na Figura 29A), obtemos:
45
-E + VD + VR = 0
Ou:
E = VD+ IDR (Eq. 15)
FIGURA 29 – CONFIGURAÇÃO DO DIODO EM SÉRIE: CIRCUITO (A) E CURVA CARACTERÍSTICA (B)
As duas variáveis presentes na Equação 15 são as mesmas presentes nos

eixos coordenados na Figura 29B, deste modo podemos traçar graficamente
a Equação 15 sobre ela. O modo mais fácil de traçarmos a curva de carga é
percebendo que sobre o eixo horizontal (eixo da tensão VD), ID= 0, e no eixo vertical
(eixo da corrente ID= 0), VD = 0. Portanto, substituindo os valores de VD = 0 V e ID=
0 A na Equação 16, obtemos:
E = VD + ID R
E = 0 V + ID R
(Eq. 16)
E:
E = VD + ID R
E = VD+ (0 A)R
VD= E|ID = 0 (Eq. 17)
46
TÓPICO 3 — APLICAÇÕES DE DIODOS
Utilizando os valores das Equações 16 e 17, podemos traçar a curva de

carga, conforme Figura 30. O ponto de interseção entre as duas curvas é chamado
de ponto de operação ou ponto quiescente (Q). Desenhando uma linha horizontal
(paralela ao eixo da tensão VD), passando por Q, é possível determinar o valor
de IDQ, o valor da corrente de operação do diodo, e traçando uma reta vertical
(paralela ao eixo da corrente, ID) e passando por Q, é possível determinar o valor
de VDQ ou a tensão do diodo quiescente.
FIGURA 30 – DESENHANDO A CURVA DE CARGA E DETERMINANDO O PONTO DE OPERAÇÃO

SOBRE A CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO
3 CIRCUITOS COM DIODOS
3.1 CONFIGURAÇÕES COM DIODOS EM SÉRIE

Para a resolução de circuitos com diodo, utilizaremos o modelo equivalente
aproximado linear por partes, pois, se levarmos em conta temperatura, tolerância
e outras características importantes, é possível considerar respostas tão precisas
quando usando o modelo real. Para a resolução dos circuitos seguintes,
consideraremos que a resistência direta do diodo é muito pequena em relação a
outros elementos do circuito de modo a poder ser desprezada. Na Figura 31, é
apresentado um resumo para as configurações ideal e aproximada do diodo de
silício.
Vale relembrar que a queda de tensão no diodo ligado depende do material

utilizado na fabricação, ou seja 0,7 V para o silício, 0,3 V para o germânio e 1,2 V
para o arseneto de gálio.
47
FIGURA 31 – MODELOS DE DIODO SEMICONDUTOR DE SILÍCIO APROXIMADO E REAL
Para a resolução de um circuito com diodo em série (Figura 32A) inicialmente

precisamos verificar se o diodo está ligado ou desligado, para realizar essa tarefa
devemos imaginar que no lugar do diodo existe uma resistência, e precisamos de
uma queda de tensão de 0,7 V (diodo de silício), como E > 0,7 V = VK, podemos concluir
que o diodo está ligado.
FIGURA 32 – CONFIGURAÇÃO COM DIODO EM SÉRIE (A), DETERMINAÇÃO DO ESTADO DO

DIODO (B) E SUBSTITUIÇÃO DO MODELO EQUIVALENTE PARA O DIODO “LIGADO” (C)
FONTE: Boylestad; Nashelsky (2013, p. 54-55)
Portanto, pela análise do circuito da Figura 32C, é possível concluir que:
VD = VK (Eq. 18)
V R = E - VK (Eq. 19)
(Eq. 20)
48
Caso o diodo seja polarizado inversamente (Figura 33A), como discutido

no Tópico 2, funcionará como um circuito aberto (Figura 33B), ou seja, como se
o diodo estivesse “desligado” e, desse modo, podemos verificar pela análise do
circuito que .
FIGURA 33 – DIODO POLARIZADO INVERSAMENTE (A) E CIRCUITO EQUIVALENTE (B)
FONTE: Boylestad; Nashelsky (2013)
3.2 CONFIGURAÇÃO COM O DIODO EM SÉRIE E EM

SÉRIE-PARALELO
Para a sua resolução é, basta aplicar as Leis de Kirchhoff ao circuito –
mais adiante, veremos um exemplo resolvido em que será apresentada uma
configuração de circuito série-paralelo e a resolução seguindo as leis de Kirchhoff.
Considerando o circuito apresentado na Figura 34, temos dois diodos em

paralelo com a saída Vo, de modo que é possível concluir que Vo = VD. Considerando
E suficientemente grande para manter o diodo ligado, podemos concluir que a
corrente I1 = (E – VD)/R, ou equivalentemente I1 = VR/R, onde VR = E – VD. Como os
diodos são iguais, podemos concluir que .
FIGURA 34 – CIRCUITO COM DIODO EM PARALELO
FONTE: Adaptada de Boylestad; Nashelsky (2013, p. 59)
49
4 APLICAÇÕES PRÁTICAS
4.1 RETIFICADORES DE MEIA-ONDA

Para ampliar um pouco a análise de circuitos eletrônicos, serão
introduzidas corrente e tensão alternadas. Na Figura 35, observamos o circuito de
um retificador de meia-onda, onde iremos inicialmente utilizar o modelo ideal do
diodo na análise, de modo a simplificar a matemática e aumentar a compreensão.
Ao analisarmos a tensão de entrada (Figura 35), percebemos que no período

T, um ciclo completo do sinal, o valor médio é igual a zero. Os diodos utilizados,
nesse modelo de circuitos, são chamados de diodos retificadores e costumam ser
muito superiores aos utilizados em circuitos eletrônicos de baixa potência.
Ao analisarmos a saída do sistema, podemos dividir em duas situações:
• Durante o intervalo de , conforme pode ser notado na Figura 36,

estaremos no semiciclo positivo do sinal; desse modo, polarizando diretamente
o diodo, como estamos analisando o circuito com um diodo ideal, não há queda
de tensão e a saída é exatamente igual a entrada, funcionando o diodo, nesse
caso, como um curto-circuito.
• Durante o intervalo de , conforme mostra a Figura 36, estaremos
no semiciclo negativo do sinal; desse modo, polarizando inversamente o diodo,
resultando em um circuito equivalente aberto.
FIGURA 35 – RETIFICADOR DE MEIA-ONDA
50
FIGURA 36 – ANÁLISE DA SAÍDA DE ACORDO COM A REGIÃO DE CONDUÇÃO
Analisando a circuito, é possível determinar o valor médio da tensão de

saída, como pode demonstrado pela Figura 37, dado por:
VCC= 0,318 Vm (Eq. 21)
Em que Vm é a tensão de pico da entrada.
FIGURA 37 – VALORES MÉDIOS DA TENSÃO DE ENTRADA E DA SAÍDA DE UM RETIFICADOR DE

MEIA-ONDA
51
Caso seja utilizado um diodo de silício Vk = 0,7 V, a principal diferença é

que, nesse caso, é necessária uma tensão mínima para o diodo entrar em operação,
estando como circuito aberto em valores inferiores a Vk, quando em condução vo
possui uma diferença fixa em relação à vi igual à Vk, logo vo = vi – Vk, conforme
pode ser visto na Figura 38. Em situações em que Vm >> Vk, podemos considerar
com alto grau de precisão que:
VCC ≅ 0,318 (Vm - Vk) (Eq. 22)
FIGURA 38 – EFEITO DE V NO RETIFICADOR DE MEIA-ONDA
4.2 RETIFICAÇÃO DE ONDA COMPLETA

O circuito mais simples é apresentado na Figura 39, que é considerado o
diodo ideal para facilitar a compreensão – mais adiante, veremos um exercício
resolvido com o diodo de silício.
Ao analisarmos a saída do sistema, podemos dividir em duas situações:
FIGURA 39 – RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE
52
FIGURA 40 – CAMINHO SEGUIDO NAS REGIÕES POSITIVA E NEGATIVA DO SINAL DE ENTRADA E

SAÍDA RESULTANTE, CONSIDERANDO DIODO IDEAL
• Durante o intervalo de t = 0 até t = T/2, conforme pode ser notado na Figura

40, estaremos no semiciclo positivo do sinal, fazendo com que os diodos D2
e D3 estejam diretamente polarizados (ligados) e os diodos D1 e D4 estejam
inversamente polarizados (aberto), como estamos analisando o circuito com
um diodo ideal, não há queda de tensão e a tensão na carga é exatamente igual
à entrada (vo = vi).
• Durante o intervalo de t = T/2 até t = T, conforme pode ser notado na Figura
40, estaremos no semiciclo negativo do sinal, fazendo com que os diodos D1
e D4 estejam diretamente polarizados (ligados) e os diodos D2 e D3 estejam
inversamente polarizados (aberto), como estamos analisando o circuito com
um diodo ideal, não há queda de tensão e a tensão na carga é exatamente igual
à entrada, porém com polaridade oposta (vo = –vi), gerando um segundo pulso
positivo.
Com o dobro de sinal do eixo em relação ao retificador de meia-onda, o

valor CC também será dobrado, logo:
VCC = 0,636 Vm (Eq. 23)
4.3 CIRCUITOS CEIFADORES

Segundo Boylestad e Nashelsky (2003, p. 69), “Ceifadores são circuitos
que utilizam diodos para ‘ceifar’ uma porção do sinal de entrada sem distorcer o
restante da forma de onda aplicada”.
53
Existem dois tipos gerais de ceifadores: em série e em paralelo, em que

o diodo se encontra em um ramo em série ou em paralelo, respectivamente, a
carga. Na Figura 41, é apresentado um exemplo de circuito ceifador em série com
duas formas de onda na entrada, considerando o diodo do circuito como ideal,
podemos perceber que a saída é muito semelhante a um circuito retificador de
meia-onda, que também é um circuito ceifador.
Na Figura 42, observamos a configuração mais simples de um circuito

ceifador em paralelo, a sua análise é semelhante à utilizada para a configuração
em série – o que será mais explorado nos exercícios resolvidos mais adiante.
FIGURA 41 – CIRCUITO CEIFADOR EM SÉRIE
FIGURA 42 – CIRCUITO CEIFADOR EM PARALELO
DICAS
Exemplos resolvidos
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para a configuração em série do diodo apresentada

na figura a seguir, determine os valores de VDQ, IDQ e VR, utilizando:
54
CIRCUITO (A) E RETA DE CARGA DO DIODO (B)
a) Reta de carga
R.: O circuito é equivalente ao apresentado na Figura 29A, então podemos utilizar as

equações 16 e 17 para determinar os pontos de interseção com os eixos coordenados.
Logo:
Portanto, marcando esses pontos na figura B apresentada, e traçando a reta de carga,

obtemos a figura a seguir:
CURVA DE CARGA
55
Traçando retas paralelas aos eixos que passam pelo ponto Q (interseção das curvas), po-
demos obter o valor da corrente e da tensão no ponto quiescente, ou ponto de trabalho.
Logo:
São valores aproximados devido à resolução do gráfico – quanto menor for a escala,
mais preciso serão os valores.
O valor da tensão no resistor é dado por:
b) Modelo equivalente aproximado.
R.: Se utilizarmos o modelo aproximado, os pontos de interseção com os eixos são os

mesmos calculados anteriormente, porém o ponto quiescente mudará, conforme mos-
tra a figura seguinte:
RETA DE CARGA PARA MODELO APROXIMADO DO DIODO
Realizando procedimento análogo ao feito anteriormente, temos que:
Percebemos que a corrente é a mesma e o valor da tensão sobre o diodo difere em

centésimos e, em relação a muitos circuitos, será insignificante.
O valor de VR é dado por:
56
2 Para o circuito apresentado na figura a seguir, determine VD, VR e ID quando:
a) E = 10 V.
R.: Com E = 10 V, percebemos que o circuito é equivalente ao apresentado na Figura

32A, então, pelas equações 17, 18 e 19, temos:
CIRCUITO PARA O EXEMPLO 2
b) E = 0,6 V.
R.: Quando E = 0,6 V, a tensão é insuficiente para “ligar” o diodo, mesmo o diodo sendo
polarizado diretamente. Para facilitar o entendimento, o ponto de operação é apresenta-
do na figura a seguir, em que podemos perceber que o diodo não conduz, então o seu
comportamento será como circuito aberto. Desse modo, aplicando-se as Equações 17,
18 e 19, temos:
VD = E = 0,6 V
VR = E - VD= E - E = 0 V
57
PONTO DE OPERAÇÃO COM E = 0,6 V
FONTE: O autor
3 Na figura a seguir, existem dois LEDs que podem ser utilizados como detectores
de polaridades, de modo que a aplicação de uma tensão de polaridade positiva
resulta em luz verde e de polaridade negativa em luz vermelha. Determine o valor
de R, considerando uma corrente de 20 mA quando os diodos estiverem ligados.
Os diodos possuem uma tensão de ruptura reversa de 3 V e uma tensão média de
2 V, quando ligados.
CIRCUITO
R.: Ao aplicarmos uma tensão positiva, temos uma corrente convencional que coincide
com a seta do diodo verde, e como a tensão aplicada é superior à tensão necessária
para ligar o LED, teremos como resultado o apresentado na figura seguinte.
58
CONDIÇÕES OPERACIONAIS DO CIRCUITO
Ao aplicarmos a lei de Ohm ao circuito, obtemos:
Logo,
59
LEITURA COMPLEMENTAR
DIODO ZENER E SUAS APLICAÇÕES
O diodo zener é uma variação de diodos comuns com junção PN

projetado especificamente para ser inversamente polarizada, funcionando como
um dispositivo de proteção ou um regulador de tensão. O objetivo desse artigo é
explicar qual o funcionamento do diodo zener, quais suas aplicações, o que são
suas especificações e quais os tipos disponíveis no mercado.
O que é o diodo zener?
Um diodo normal, quando é diretamente polarizado, permite a passagem

de corrente com uma pequena queda de tensão. Ao ser polarizado inversamente,
o diodo não permite a passagem de corrente, a menos que o valor de tensão
ultrapasse o valor de ruptura, isto é, o valor máximo de tensão reversa que o
componente suporta, causando a queima do diodo.
SIMBOLOGIA E FOTO DO DIODO ZENER
O diodo zener, é projetado para trabalhar sempre sendo inversamente

polarizado, com um objetivo: a partir do momento que a tensão de ruptura do
componente é atingida, a tensão fica constante, de forma que ele funciona como
um regulador de tensão. É claro que, se a tensão crescer demais, o diodo zener
também vai queimar e entrar em curto.
Quando polarizado diretamente, o zener se comporta como um diodo

comum. Ao adquirir um diodo zener, é necessário verificar a tensão de regulagem,
que vai se manter constante em seus terminais, após polarizar inversamente, o
componente com uma tensão igual ou maior a tensão de regulagem. Verifique
também a corrente mínima e máxima de operação, para garantir que o componente
funcionará adequadamente.
O diodo zener recebe esse nome por causa do cientista físico americano
Clarence Melvin zener (1905-1993), que foi o primeiro que descreveu a propriedade
elétrica que faz esse componente funcionar.
60
Curva característica do diodo zener
A curva da figura é genérica para qualquer diodo, mas, para o zener, vamos
focar na parte à esquerda, em que o componente é inversamente polarizado.
CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ZENER
Quando a tensão reversa no componente é menor do que a tensão de

ruptura do zener, ele continua funcionando exatamente igual a um diodo comum.
Entretanto, quando o valor da tensão se aproxima da tensão de ruptura, o diodo
começa a conduzir e absorver a corrente. Mesmo tentando aumentar a tensão
reversa nos terminais do componente, ela se manterá constante (a menos que a
corrente seja tão alta que extrapole as limitações do componente, fazendo com
que ele entre em curto). Portanto, o diodo zener quando polarizado inversamente
com uma tensão igual ou maior que a tensão de ruptura irá manter a tensão
constante em seus terminais, a chamada tensão zener.
Diferentemente dos diodos normais, a tensão de ruptura no zener é muito

menor, estando na casa de 2.4 V a 100 V, enquanto um diodo comum 1N4007 tem
1.000 V de tensão de ruptura.
Tipos e aplicações
Por conta de sua principal propriedade, isto é, manter a tensão constante

após a tensão em seus terminais atingir e ultrapassar a tensão de ruptura, o
diodo zener é amplamente utilizado como um regulador de tensão em circuitos
eletrônicos. Com ele, é possível garantir que a tensão esteja fixada em um
determinado valor, garantindo segurança ao projeto.
Em circuitos clipadores, o componente também é muito utilizado.

Clipadores são circuitos que permitem a passagem de um sinal de entrada sem
nenhuma modificação até que ele atinge um determinado valor de tensão, em
que a saída passa a ser limitada.
61
Para utilizar o componente como um regulador de tensão, conecta-

se ele em paralelo com os terminais de saída da fonte, de forma que ele fique
inversamente polarizado.
O resistor Rs entre o zener e o positivo da fonte serve para limitar a

corrente que passa pelo diodo. Esse resistor deve ser dimensionado de acordo com
a potência máxima do diodo zener e a tensão da fonte. A partir disso, calcula-se a
corrente que pode fluir pelo circuito e, então, utilizando a Lei de Ohm, calcula-se
o valor de resistência necessário para o resistor Rs.
Para o circuito funcionar corretamente, a tensão de entrada Vin deve

ser maior que a tensão zener do diodo. Sem isso, o circuito não vai funcionar
corretamente.
As tensões mais comuns para os diodos zener estão na Tabela 1. Os zeners

de até 500 mW, mais comuns em circuitos eletrônicos, seguem a mesma sequência
de valores usada nos resistores E24. Eles estão disponíveis em valores que vão de
2.4 V a até mais ou menos 100 V.
62
Além da tensão, é necessário levar em conta a corrente mínima e máxima

de operação do componente.
Quando a corrente é menor que a corrente mínima, o zener é incapaz

de entregar as suas principais propriedades, fazendo com que ele não funcione
corretamente. Se a corrente ultrapassar a corrente máxima, o componente entra
em colapso e queima, tornando-se inútil.
Quando ligados em série, a tensão zener nos componentes se soma. Nota-

se que, no circuito a seguir, entre os três diodos zener existe um diodo normal,
que está diretamente polarizado.
63
Quando um diodo normal é diretamente polarizado, existe uma queda de

tensão nele de 0,6 ou 0,7 volts. Por isso que, do ZD2 ao ZD3 a tensão cai de 10.6 V
para 10 V.
A partir da ligação em série, é possível obter tensões diferentes das

que estão tabeladas, possibilitando a criação de fontes de tensão com saídas
estabilizadas em diversos valores.
FONTE: Adaptado de ATHOS ELECTRONICS. Diodo zener e suas aplicações. Athos Electronics.
Disponível em: https://athoselectronics.com/diodo-zener-e-suas-aplicacoes/. Acesso em: 27
mar. 2021.
64
RESUMO DO TÓPICO 3
• O diodo conduz em apenas uma direção, como se fosse uma rua de corrente
unidirecional. Quando polarizada na direção correta, ou seja, polarização
direta, a corrente flui normalmente, mas a queda de tensão é pequena.
• Analisar o circuito é o mesmo que dizer que é necessário determinar os valores

de tensão e corrente que atendem ao diodo e analisar os parâmetros do circuito
ao mesmo tempo.
• Para determinar a linha de carga, ou seja, a linha determinada pela tensão do

circuito e sua carga, podemos retornar à definição matemática, ou seja, para
traçar uma linha, basta ter dois pontos. O ponto mais fácil de determinar é o
ponto de intersecção com o eixo das coordenadas.
CHAMADA
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pensando em facilitar sua compreensão. Acesse o QR Code, que levará ao
AVA, e veja as novidades que preparamos para seu estudo.
65
AUTOATIVIDADE
1 Determine o valor de Vo e ID para o circuito em série da figura a seguir.
FONTE: Adaptada de Boylestad; Nashelsky (2013)
2 Determine o valor de V0 da figura a seguir.
3 Determine o valor de ID , V D2
e Vo para o circuito apresentado na figura a
seguir.
66
4 Determine a forma de onda da saída para o circuito da figura a seguir.
67
REFERÊNCIAS
ATHOS ELECTRONICS. Diodo zener e suas aplicações. ATHOS
ELECTRONICS. Disponível em: https://athoselectronics.com/diodo-zener-e-
suas-aplicacoes/. Acesso em: 11 jan. 2021.
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria dos

Circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil; 2013. Disponível
em: https://www.academia.edu/44212475/Dispositivos_ElEtr%C3%B4nicos_E_
TEORIA_DE_CIRCUITOS_11a_Edi%C3%A7%C3%A3o. Acesso em: 27 mar.
2021.
GALDINO, J. C. S. Eletrônica Analógica – Aula 1. Rio Grande do Norte:

Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Rio Grande do
Norte (IFRN), 2012. Disponível em: https://docente.ifrn.edu.br/jeangaldino/
disciplinas/2012.2/eletronica/material-de-apoio/apostila-parte-01. Acesso em: 2
jun. 2020.
LORENZ, K.; MARQUES, J. G.; MONTEIRO, T. Díodos emissores de luz e

iluminação. Gazeta de Física, v. 39, n. 1, p. 50-54, 2016. Disponível em: https://
www.spf.pt/magazines/GFIS/119/article/991/pdf. Acesso em: 22 out. 2020.
MALVINO, A. Eletrônica: Volume 1. 7. ed. Porto Alegre: AMGH; 2007.
MARTELETO, D. C. Avaliação do Diodo Emissor de Luz (LED) para

Iluminação de Interiores. 2011. 96f. Universidade Federal do Rio de Janeiro, Rio
de Janeiro, 2011. Disponível em: http://monografias.poli.ufrj.br/monografias/
monopoli10003763.pdf. Acesso em: 22 out. 2020.
REIS, F. Curso de Eletrônica – Condutores, Semicondutores e Isolantes. Bóson

Treinamentos em Tecnologia. BOSON Treinamentos em Ciência e Tecnologia.
2016. Disponível em: http://www.bosontreinamentos.com.br/eletronica/curso-
de-eletronica/curso-de-eletronica-condutores-semicondutores-e-isolantes/.
Acesso em: 2 jun. 2020.
SCHULER, C. A. Eletrônica I: Habilidades Básicas em Eletricidade, Eletrônica e

Telecomunicações. 7. ed. Porto Alegre: AMGH; 2013.
68
UNIDADE 2 —
TRANSISTORES I
• compreender e conhecer a construção e a operação dos transistores;

• analisar as principais configurações dos transistores;
• analisar uma folha de dados e seus principais pontos;
• verificar os circuitos de polarização do transistor;
• analisar alguns circuitos importantes que possuem transistores;
• resolver exercícios de modo a ampliar seu conhecimento a respeito de
transistores;
• conhecer os transistores de efeito de campo (JFET, MOSFET e MESFET);
• compreender seu funcionamento e plotar suas curvas de operação;
• verificar a análise corrente alternada (CA) do transistor bipolar de junção;
• conhecer o modelo re do transistor.
PLANO DE ESTUDOS
apresentado.
TÓPICO 1 – TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO (TBJ)
TÓPICO 2 – TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
TÓPICO 3 – ANÁLISE DA CORRENTE ALTERNADA (CA) DO

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO
CHAMADA

69
70
TÓPICO 1 —
UNIDADE 2
TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO (TBJ)
1 INTRODUÇÃO
O dispositivo eletrônico mais desenvolvido e de grande interesse,

entre 1904 e 1947, foi a válvula (diodo criada por J. A. Fleming, em 1904),
cujo impulsionamento por rádio e televisão teve ampliou a sua produção de
aproximadamente 1 milhão de válvulas, em 1922, para cerca de 10 milhões de
válvulas em 1937. Esse setor, ao passar dos anos, apresentou grandes avanços
em diversas áreas, sendo projeto, técnica de fabricação, miniaturização, além
de aplicações em alta potência e alta frequência (BOYLESTAD; NASHELSKY,
2013).
Em 23 de dezembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William

Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen (Figura 1) demonstraram a função
de amplificação do primeiro transistor (Figura 2). O primeiro transistor (um
dispositivo de estado sólido que contém três terminais) apresentava diversas
vantagens, como não haver necessidade de aquecimento, ser menor e mais leve,
não apresentar perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma
menor absorção de potência, estar pronto para uso imediata e trabalhar com uma
tensão menor (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
O surgimento do transistor abriu caminho para diversas outras invenções

importantes, como os circuitos integrados (CIs), que são dispositivos pequenos
que contêm milhares de transistores. Com o advento desse pequeno componente,
foi possível criar computadores e outros milagres eletrônicos de nosso cotidiano
atual (MALVINO, 2007).
71
UNIDADE 2 — TRANSISTORES I
FIGURA 1 – OS COINVENTORES DO PRIMEIRO TRANSISTOR NA BELL LABORATORIES
FIGURA 2 – O PRIMEIRO TRANSISTOR
72
TÓPICO 1 — TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO (TBJ)
2 CONSTRUÇÃO DO TRANSISTOR
O transistor é um componente semicondutor composto por três camadas,
podendo ser constituídas de dois modos distintos: duas camadas de material
semicondutor do tipo n e uma camada de material semicondutor do tipo p (sendo
chamado de transistor npn) ou duas camadas de material semicondutor do tipo p
e uma camada de material semicondutor do tipo n (sendo chamado de transistor
pnp). A Figura 3 apresenta os dois tipos de transistores contendo a polarização de
corrente contínua (CC) e apropriada (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Os transistores bipolares de junção (TBJ – sigla do inglês bipolar junction

transistor) são semelhantes aos diodos de junção, embora contenham uma
junção adicional, o transistor é dito bipolar por conter tanto lacunas (+) quanto
elétrons (–) constituindo o fluxo de corrente através do dispositivo. As regiões
do transistor podem ser notadas na Figura 3, na qual temos o emissor (E), a base
(B) e o coletor (C). O emissor é fortemente dopado, uma vez que deve enviar
portadores de corrente para a base e, posteriormente, ao coletor, enquanto a base
e coletor possuem dopagem leve. O coletor reúne os portadores, o emissor envia
os portadores e a base funciona como uma válvula de controle de portadores do
emissor para o coletor (SCHULER, 2013).
FIGURA 3 – TIPOS DE TRANSISTORES: (A) PNP E (B) NPN
A adequada polarização do transistor é extremamente importante e

necessária, de modo que a troca de um transistor npn por um pnp não é possível
em circuitos eletrônicos, pois cada um dos tipos possui uma polarização
característica. Para que o transistor opere corretamente, a junção coletor-base
deve ser mantida reversamente polarizada; desse modo, tem-se que o coletor em
um transistor npn deve ser positivo em relação à base e, em um transistor pnp, o
coletor deve ser negativo em relação à base (SCHULER, 2013).
73
3 OPERAÇÃO DO TRANSISTOR
Para o estudo das operações básicas de um transistor bipolar de junção,
será utilizado um transistor pnp (Figura 3A). Com relação à operação de um
transistor npn, as características são equivalentes, sendo somente necessária a
troca das funções das lacunas e dos elétrons (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013,
p. 117).
Para facilitar a compreensão do funcionamento, o transistor foi

redesenhado em dois circuitos, conforme mostra a Figura 4, sendo que, na Figura
4A, o transistor pnp não possui a polarização base-emissor e, na Figura 4B, o
transistor pnp não possui a polarização base-emissor.
FIGURA 4 – POLARIZAÇÃO DE UM TRANSISTOR: (A) DIRETA E (B) INDIRETA
Por meio da análise da Figura 4, percebemos que a região de depleção

é pequena na Figura 4A, devido à tensão aplicada resultar em um alto fluxo de
portadores majoritários do material do tipo p para o material do tipo n, situação
semelhante a um diodo diretamente polarizado. Já na Figura 4B percebemos uma
grande camada de depleção, sendo possível fazer uma analogia com o diodo
reversamente polarizado, pois o fluxo de portadores prioritários é zero e o fluxo
é de portadores minoritários; assim, conclui-se que “em um transistor, uma das
junções é polarizada diretamente enquanto a outra é polarizada inversamente”
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013, p. 117).
Aplicando os potenciais VEE e VCC ao transistor pnp, obtemos o sistema

apresentado na Figura 5, em que também é possível analisar o fluxo de portadores
majoritários e minoritários entre as junções.
74
FIGURA 5 – FLUXO DE PORTADORES MAJORITÁRIOS E MINORITÁRIOS DE UM TRANSISTOR

PNP
Na Figura 5, é possível determinar claramente quais as regiões de

polarização (direta e indireta) pela análise da largura da região de depleção.
Além disso, muitos portadores majoritários atravessam para a região do tipo n
(base) através da junção pn (emissor-base), que está diretamente polarizada. Uma
vez que a camada do tipo n é muito fina e pouco condutiva, poucos portadores
contribuíram para a corrente de base, IB , sendo essa corrente normalmente na
ordem de microampères,µA , enquanto a corrente do coletor e do emissor é na
ordem de miliampères, mA. A maioria dos portadores majoritários entrará através
da junção polarizada reversamente no material do tipo p conectado ao terminal
do coletor, conforme Figura 5. De fato, é fácil entender essa situação, visto que,
para um diodo polarizado inversamente, os portadores majoritários serão como
os portadores minoritários em um material do tipo n. Ou seja, houve uma injeção
de portadores minoritários no material do tipo n; além disso, sabemos que todos
os portadores minoritários presentes na região de depleção atravessaram a
junção com polarização reversa do diodo, obtendo o fluxo apresentado na Figura
5 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Aplicando a Lei de Kirchhoff das Correntes (LKC) ao transistor da Figura

5, é possível obter a Equação 1, na qual se observa que a corrente do emissor é
igual à soma da corrente do coletor com a corrente da base:
(Eq. 1)
Entretanto, sabemos que a corrente do coletor é composta por dois

componentes, os portadores minoritários e os portadores majoritários. A corrente
proveniente dos portadores minoritários é chamada de corrente de fuga, Ico ,
que pode ser obtida medindo a corrente Ic com o terminal do emissor aberto.
Portanto, a corrente do coletor pode ser obtida pela Equação 2 (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013):
75
IC = ICmajoritário + ICOminoritário (Eq. 2)
Para TBJ de uso geral, IC é medido em miliampères e ICO , em microampères

ou nanoampères. Em função de melhorias na técnica de construção, é possível obter
valores muito pequenos de ICO , de modo a poder ser ignorado frequentemente.
Deve-se tomar cuidado sempre com as características do transistor quando
submetido a grandes variações de temperatura (BOYLESTAD; NASHELSKY,
2013).
4 CONFIGURAÇÕES DO TRANSISTOR
A seguir, discutiremos as principais características do transistor nas
configurações base-comum, emissor-comum e coletor-comum.
4.1 CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM

A Figura 6 apresenta a notação e o símbolo do TBJ mais utilizados em
eletrônica na configuração base-comum, nome que é proveniente do fato de a
base estar conectada na entrada e na saída (ser comum a ambas); além disso,
normalmente possui o menor potencial, próximo ao terra – quando não está
efetivamente conectada ao terra. Por convenção, o sentido da corrente refere-
se ao fluxo convencional (de lacunas), e não ao fluxo de elétrons. Desse modo,
para um TBJ, a seta define a direção da corrente de emissor (fluxo convencional)
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 6 – NOTAÇÃO E SÍMBOLO UTILIZADO PARA A CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM DO

TRANSISTOR DO TIPO PNP (A) E NPN (B)
76
É importante perceber como conectar a polarização do TBJ, de modo

a obter a corrente conforme indicado na Figura 6. Para uma correta descrição
do TBJ, dispositivo com três terminais, é necessário dois conjuntos de curvas
características, um que represente a saída e um que represente a entrada (ou o
acionamento) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Na Figura 7, temos uma curva característica para a entrada de um TBJ,

transistor amplificador ou somente amplificador, em que se nota a relação entre
a corrente de entrada, IE, com uma tensão de entrada, VBE , para diversos valores
de tensão de saída, VCB .
FIGURA 7 – CURVA CARACTERÍSTICA DE ENTRADA, OU DE PONTO DE ACIONAMENTO, PARA

UM TRANSISTOR AMPLIFICADOR DE SILÍCIO NA CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM
A Figura 8 apresenta a relação entre a corrente de saída, IC , com a tensão

de saída, VCB , para diversos valores de corrente de entrada, IE . Podemos perceber
três regiões no gráfico: a região ativa, a região de corte e a região de saturação.
Na região ativa (normalmente empregada para amplificadores lineares),

a junção base-emissor está polarizada diretamente e a junção base-coletor está
polarizada inversamente. Pela análise da curva, é possível perceber que, à medida
que a corrente do emissor fica acima de zero, a corrente do coletor aumenta até um
valor essencialmente igual à corrente do emissor (BOYLESTAD; NASHELSKY,
2013), logo,
IC ≅ IE (Eq. 3)
77
FIGURA 8 – CURVA CARACTERÍSTICA DE SAÍDA, OU DE COLETOR, PARA UM TRANSISTOR

AMPLIFICADOR NA CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM
Na região de corte (IC = 0 A), ambas as regiões do transistor, base-coletor

e base-emissor, possuem polarização reversa (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Na região de saturação, ambas as junções, base-emissor e base-coletor,

estão polarizadas diretamente (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Na análise da Figura 7, podemos fazer uma analogia com o diodo, quando

polarizado diretamente, e, desse modo, sempre que o transistor estiver “ligado”,
podemos considerar a tensão base-emissor como:
VBE ≅ 0,7 V (Eq. 4)
4.1.1 Alfa (α)

No modo CC, os valores de IC e IE se relacionam através de uma quantidade
chamada alfa, conforme mostra a Equação 5 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):

(Eq. 5)
Na qual os valores de IC e IE são correspondentes ao ponto de operação.

Os dispositivos na prática possuem valores de α entre 0,90 e 0,998 (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
78
Como o valor de alfa é definido exclusivamente pelos portadores

majoritários, é possível reescrever a Equação 2 como:
IC = αIE + ICBO (Eq. 6)
Os valores de ICBO são, geralmente, muito pequenos, sendo quase

impossível detectá-los, normalmente podem ser desconsiderados (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
No modo CA (corrente alternada), o alfa, formalmente chamado de base-

comum, curto-circuito ou fator de amplificação, é definido como:
(Eq. 7)
4.1.2 Polarização
Ao utilizarmos a aproximação apresentada na Equação 3, IC ≅ IE , e

inicialmente presumindo que IB ≅ 0 µA , podemos obter a polarização para um
TBJ pnp, conforme a Figura 9. É importante notar que a seta do TBJ apresenta
a direção do fluxo convencional, no caso, IC ≅ IE , e que as fontes são inseridas
com polaridade correspondente à manutenção do sentido da corrente. Para um
transistor npn, a discussão será semelhante, mas com as polaridades invertidas
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013). Uma dica para reconhecer o tipo de transistor
é observar a direção da seta, ou seja, em um transistor npn, a seta não aponta
para dentro e, em um transistor pnp, a seta aponta para dentro (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013), conforme pode visto na Figura 6.
FIGURA 9 – ESTABELECIMENTO DA POLARIZAÇÃO ADEQUADA PARA UM TRANSISTOR NPN

NA CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM NA REGIÃO ATIVA
79
4.1.3 Região de ruptura

Analisando a Figura 8, é possível perceber uma região onde a curva assume
uma ascensão drástica: a partir de certo valor VCB, efeito avalanche semelhante
ao estudado para os diodos. Sabemos que a junção base-coletor é polarizada
reversamente na região ativa, mas existe um ponto em que uma tensão demasiada
grande de polarização reversa acarretará um efeito de avalanche, implicando um
grande aumento de corrente com pequenas variações da tensão base-coletor. A
tensão máxima admissível para o ramo base-coletor é VCBO , em que O (maiúsculo)
representa o ramo do emissor aberto (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
4.2 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM

É a configuração mais frequentemente utilizada com os transistores,
denominada emissor-comum devido ao emissor estar conectado à entrada e à saída
(emissor comum aos terminais do coletor e da base) (BOYLESTAD; NASHELSKY,
2013). A Figura 10 apresenta a notação e o símbolo para os transistores npn e pnp.
FIGURA 10 – NOTAÇÃO E SÍMBOLOS UTILIZADOS PARA TRANSISTORES (A) NPN E (B) PNP NA
CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM
Assim como vimos para a configuração base-comum, na configuração

emissor-comum é necessário dois conjuntos de curvas características para
descrever o comportamento do transistor na configuração emissor-comum: um
relacionado à entrada (base-emissor), na qual é apresentado o gráfico da relação
80
entre a corrente de entrada, IB, e a tensão de entrada, VBE , para uma faixa de
valores de tensão de saída (Figura 11B); e outro para a saída (coletor-emissor), em
que é apresentado o gráfico da corrente de saída, IC , em relação à tensão de saída,
VCE, para uma faixa de valores de corrente de entrada, IB, conforme Figura 11A.
Mesmo em configuração distinta, as Equação 3, 4 e 6, apresentadas para

a configuração base-comum, são aplicáveis à configuração emissor-comum.
Além disso, na região ativa de um amplificador na configuração emissor-comum,
teremos a junção base-emissor polarizada diretamente e a junção base-coletor
polarizada reversamente (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 11 – CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UM TRANSISTOR DE SILÍCIO NA CONFIGURAÇÃO

EMISSOR-COMUM: CURVA CARACTERÍSTICA DO COLETOR (A) E CURVA CARACTERÍSTICA DA
BASE (B)
Por meio da análise da Figura 11A, é possível notar que a região de corte
não é tão bem definida; com a substituição da Equação 1 na Equação 6, utilizando
a propriedade da Equação 3, obtemos:
(Eq. 8)
Algo importante a ser mencionado é que, caso seja desejável um sinal de

saída sem distorção, a região abaixo de IB = 0 µA deve ser evitada (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
81
4.2.1 Beta (β)
A relação entre IC e IB (pontos específicos de operação da curva

característica) para a configuração emissor-comum no modo CC é chamada de
beta e pode ser escrita como (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 9)

O valor de β varia geralmente desde 50 até valores superiores a 400, a

maioria na faixa de 200. β revela uma corrente relativa em relação à outra. Nas
folhas de dados, é apresentado geralmente como hFE .
A análise CA é definida como (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 10)

Em que o βCA representa o fator de amplificação de corrente direta na
configuração emissor-comum.
Para poder exemplificar a obtenção do valor de βCA pela Equação 10,

utilizaremos a Figura 12, na qual podemos traçar uma reta vertical em VCE = 7,5 V ,
e, dessa maneira, em qualquer ponto sobre essa curva, o valor de VCE será constante
e igual a 7,5 V . Para determinar a variação da corrente, é necessário a escolha de
dois pontos, um superior e outro inferior ao ponto quiescente, preferencialmente
com mesma distância do ponto Q. Na Figura 12, temos IB1 = 20 µA e IB2 = 30 µA ,
que atendem às condições para um ponto de operação de IB = 25 µA , os valores de
IC são determinados traçando-se uma reta horizontal que passa por IB1 e IB2. Vale
ressaltar que o melhor beta CC é obtido com as menores variações de IB.
Logo, utilizando a Equação 10:
Portanto, para uma entrada CA na base, a corrente de saída no coletor é

aproximadamente 100 vezes maior que a corrente de entrada.
Para a determinação do BCC , utilizaremos o ponto quiescente, obtido pela

Equação 9:
82
FIGURA 12 – DETERMINAÇÃO DO βCAE βCC A PARTIR DAS CURVAS CARACTERÍSTICAS DO

COLETOR
É possível notar que os valores de βCC e βCA são muito próximos, o que
normalmente ocorre e permite que possam ser intercambiáveis. Um ponto
que sempre devemos lembrar é que, mesmo em transistores do mesmo lote, o
valor do beta pode ser distinto, devendo sempre ser verificado (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
É possível relacionar os valores de α e β por meio das relações vistas até

aqui, utilizando a Equação 9, , e pela Equação 5,
. Conforme a Equação 1:
I E = IC + IB
Logo,
83
Dividindo ambos os lados por IC , temos:
Ou:

(Eq. 12)
Além disso,
Utilizando a relação:
(Eq. 11)
Temos:
ICEO = (β + 1) ICBO
Como sabemos que β >> 1 :
ICEO ≅ βICBO (Eq. 13)
É possível perceber a importância do beta, que relaciona diretamente os

níveis de corrente de entrada e de saída do circuito, desse modo,
IC = βIB (Eq. 14)
Além disso, podemos reescrever a Equação 1 como:
IE = (β + 1) IB (Eq. 15)
84
4.2.2 Polarização
Podemos determinar a polarização de modo semelhante ao utilizado
na configuração base-comum. Na Figura 13A, temos um transistor do tipo npn,
ao qual iremos aplicar a polarização adequada. Inicialmente, identificamos a
corrente do emissor conforme a indicação da seta (Figura 13B) e direcionamos as
outras correntes de acordo com IE , lembrando da Equação 1, que mostra que a
corrente do emissor é igual à soma das correntes de base com a do coletor (LKC;
Figura 13C).
FIGURA 13 – DETERMINAÇÃO DA POLARIZAÇÃO APROPRIADA PARA UM TRANSISTOR NPN NA

CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM
4.2.3 Região de ruptura

Analisando a Figura 14, é possível notar uma região conhecida como
região de resistência negativa, que são regiões que, quando possuem altos níveis
de corrente de base, as correntes quase ascendem verticalmente e, em valores
baixos, apresenta uma região que parece apoiar-se sobre si mesma. Os valores
máximos recomendados para que o transistor opere em condições normais é
denominado BVCEO , que, na realidade, possui metade desse valor (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
85
FIGURA 14 – EXAME DA REGIÃO DE RUPTURA DE UM TRANSISTOR NA CONFIGURAÇÃO

EMISSOR-COMUM
4.3 CONFIGURAÇÃO COLETOR-COMUM

Normalmente é utilizada para casamento de impedância, por possuir alta
impedância de entrada e baixa impedância de saída – o oposto do observado
nas configurações base-comum e emissor-comum. A Figura 15 apresenta a
notação e símbolo para a configuração coletor-comum. Não são necessárias
curvas específicas para a configuração coletor-comum, sendo possível utilizar
as curvas da configuração emissor-comum, pois, na prática, são idênticas às da
configuração coletor-comum, sendo necessárias pequenas adaptações no eixo da
tensão e sutil diferença na escala vertical de IC já que α ≅ 1 .
86
FIGURA 15 – NOTAÇÃO E SÍMBOLO UTILIZADOS PARA A CONFIGURAÇÃO COLETOR-COMUM

DE UM TRANSISTOR DO TIPO PNP (A) E NPN (B)
Por meio da análise da Figura 16, é possível perceber que alguns limites
de operação são autoexplicativos, como a corrente máxima do coletor (corrente
do coletor contínua – folha de dados) e tensão máxima coletor-emissor (BVCEO ou
VBRCEO). A linha vertical, definida como VCE especifica o mínimo de tensão que
sat
pode ser aplicado sem que caia na região de saturação (não linear) (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
É possível determinar o valor de máxima dissipação de potência pela

Equação 16:
(Eq. 16)
É importante lembrar que o valor máximo da potência é constante em

qualquer ponto das curvas características, podendo-se obter a curva apresentada
½
na Figura 16 pela substituição dos valores de ICmáx , VCEmáx e ICmáx com o valor de
PCmáx específico do componente. Esses três pontos são suficientes para ter uma
aproximação da curva, mas é necessário ressaltar que, quanto mais pontos, mais
precisa será a determinação da curva (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
87
FIGURA 16 – DEFINIÇÃO DA REGIÃO LINEAR (SEM DISTORÇÃO) DE OPERAÇÃO DO TRANSISTOR
Com o objetivo de manter a menor distorção, é importante manter a região

de corte em IC = ICEO. Contudo, essa informação nem sempre é apresentada nas
folhas de dados, mas, caso não seja, é possível obtê-la utilizando a Equação 13.
Caso não haja as características, é importante manter os valores de IC ,VCE

e VCEIC dentro dos seguintes intervalos:
(Eq. 17)
Para a configuração base-comum, a curva de potência máxima é dada por:
(Eq. 18)
5 TESTE DO TRANSISTOR
Uma forma de fazer o teste de modo prático é utilizando um voltímetro,
pois sabemos que um transistor, em bom estado, apresenta duas junções pn, que
podemos verificar como um diodo com o auxílio do ohmímetro (Figura 17).
88
FIGURA 17 – POLARIDADE DAS JUNÇÕES DE UM TRANSISTOR PNP (A) E NPN (B)
Ainda é possível utilizar o ohmímetro para identificar as polaridades (npn

e pnp) e os três terminais de um transistor, sendo conectados dois terminais do
transistor; caso o visor do ohmímetro apresente uma baixa resistência, há duas
situações possíveis: encontrou-se um dos diodos ou o transistor está em curto-
circuito – para saber qual a real situação, basta inverter os terminais e, caso o
transistor se encontre em bom estado, o visor do ohmímetro indicará uma alta
resistência (Figura 18), mas, se for verificada resistência alta em ambas as direções,
é possível afirmar que foram encontrados o coletor e o emissor, pois, em ambos
os casos, um dos diodos estará inversamente polarizado, tendo encontrado o
emissor e o coletor, e a base é identificada por eliminação (SCHULER, 2013).
FIGURA 18 – IDENTIFICAÇÃO DE UMA JUNÇÃO POLARIZADA REVERSAMENTE (A) E

DIRETAMENTE (B)
89
Conectando o terminal negativo do ohmímetro à base e encostando uma

das pontas do medidor aos outros dois terminais, se for verificada uma baixa
resistência, o transistor analisado é do tipo pnp. Caso se conecte a base ao terminal
positivo e se verifique uma resistência baixa ao encostar a ponta de prova aos
outros terminais, trata-se de um transistor do tipo npn (SCHULER, 2013).
Segundo Schuler (2013, p. 136), é possível apresentar uma sequência de

procedimentos para a identificação dos transistores:
• Utilize a escala Rx100 de um ohmímetro analógico (ou escala Rx1

para transistores de potência de germânio).
• Encontre os dois terminais que possuem a maior resistência com
ambas as polaridades aplicadas. O terminal restante é a base.
• Com o terminal positivo conectado à base, uma resistência baixa
deve ser encontrada conectando o terminal negativo a qualquer um
dos pinos restantes do transistor caso o dispositivo seja do tipo npn.
Para um transistor pnp, o terminal negativo deve ser conectado à
base para obter uma resistência baixa.
• Com o ohmímetro conectado entre emissor e coletor, conecte um
resistor (100 kΩ ou 1 kΩ) entre o terminal positivo e a base de um
componente npn. Reverta a conexão entre emissor e coletor. A
menor resistência é obtida quando o terminal positivo é conectado
ao coletor.
• Para verificar um transistor pnp, conecta-se o resistor entre o terminal
negativo e a base. A combinação correta (menor resistência) é obtida
quando o terminal negativo é conectado ao coletor (SCHULER,
2013, p. 136)
A única desvantagem desse processo é que o procedimento não pode ser

realizado com componente em circuitos, somente em um transistor de forma
isolada.
6 FOLHA DE DADOS
Na Figura 17, é apresentada uma folha de dados para um transistor da
Fairchild Semiconductor Corporation, o 2N4123, que é um transistor npn de uso
geral. Analisando essa folha de dados, é possível notar algumas linhas em azul
que apresentam importantes características do componente informado.
90
FIGURA 19 – FOLHA DE DADOS DE UM TRANSISTOR
91
92
93
7 CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO
A seguir, veremos os circuitos de polarização fixa, configuração de
polarização do emissor, a configuração de polarização por divisor de tensão, a
configuração com realimentação de coletor, a configuração seguidora de emissor,
a configuração base-comum e configuração de polarizações combinadas.
É importante lembrar que, para a correta polarização na região ativa ou

linear do TBJ, deve ser polarizada diretamente a junção base-emissor (região p
mais positiva) com uma tensão resultante de polarização direta de cerca de 06
a 0,7 V. Entretanto, deve estar polarizada reversamente a junção base-coletor
(região n mais negativa), com uma tensão reversa de polarização situada dentro
dos limites máximos do dispositivo (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
As operações no corte, na saturação e nas regiões lineares das curvas

características do TBJ são (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
94
• Operação na região linear:

o Junção base-emissor polarizada diretamente.
o Junção base-coletor polarizada reversamente.
• Operação na região de corte:

o Junção base-emissor polarizada reversamente.
o Junção base-coletor polarizada reversamente.
• Operação na região de saturação:

o Junção base-emissor polarizada diretamente.
o Junção base-coletor polarizada diretamente.
7.1 CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO FIXA

É a configuração mais simples da polarização CC do transistor, que pode
ser exemplificada por um circuito utilizando um transistor npn (Figura 20), mas
as equações para um transistor pnp são equivalentes, sendo necessária a inversão
do sentido das correntes e sentido das tensões aplicadas. Para avaliação CC, o
circuito será isolado dos valores CA, substituindo os capacitores por curto-
circuito (para CC f = 0 Hz, XC = ½πfC = ∞ Ω).
7.1.1 Polarização direta de junção base-emissor

Aplicando a lei de Kirchhoff das tensões (LKT) no sentido anti-horário da
malha do circuito da Figura 21A, obtemos:
-VBE - RBIB + VCC = 0
Logo,
(Eq. 19)
O resistor RB ajusta o valor da corrente de base para a operação

95
FIGURA 20 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO FIXA (A) E EQUIVALENTE CC DO CIRCUITO (B)
7.1.2 Malha coletor-emissor

Sabemos que a corrente do coletor se relaciona com a da base pela Equação
14, portanto, a corrente IC não é função da resistência RC e sua modificação não
afeta IB ou IC desde que mantido na região ativa (BOYLESTAD; NASHELSKY,
2013).
FIGURA 21 – (A) MALHA BASE-EMISSOR E (B) MALHA COLETOR-EMISSOR PARA UM TRANSIS-

TOR COM POLARIZAÇÃO FIXA
Aplicando a LTK no sentido anti-horário à malha da Figura 21B:
Logo,
96
(Eq. 20)
Além disso, sabemos que:
Em que VB é a tensão da base ao terra, VC é a tensão do coletor e VE é a

tensão do coletor ao terra. Como VE= 0 V (Figura 20A):
VCE= VC (Eq. 21)

VBE= VB (Eq. 22)
Na Figura 22, é apresentada a forma de medição da tensão VCE e da tensão

VC.
FIGURA 22 – MEDIÇÃO DAS TENSÕES V E VC

CE
7.1.3 Saturação do transistor

Quando se fala em saturação, faz-se referência a qualquer sistema que
tenha alcançado seus níveis máximos. Um exemplo clássico é uma esponja que
não consegue mais obter nenhuma gota de líquido. Para um transistor que esteja
operando na região de saturação, para um projeto específico, teremos um valor
máximo para a corrente (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Para determinar o valor aproximado da corrente do coletor de saturação

para um projeto em particular, basta inserir um curto-circuito equivalente entre
o coletor e o emissor do transistor e determinar a corrente do coletor resultante
(Figura 23A) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
97
Para a configuração com polarização fixa, o valor da corrente do coletor

de saturação (Figura 23B), é dada por:
(Eq. 23)
Uma vez determinado o valor da corrente máxima de saturação do coletor,

é possível ter uma ideia da corrente máxima do coletor, permanecendo-se abaixo
desse valor se o objetivo for uma amplificação linear.
FIGURA 23 – (A) MÉTODO DE OBTENÇÃO DA ICsat E (B) DETERMINAÇÃO DE ICsat PARA UMA
CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO FIXA
7.1.4 Análise por reta de carga
Para o circuito com polarização fixa, o resistor de carga, RC , determina a

inclinação da equação do circuito e a interseção entre os dois gráficos. Pela análise
da Figura 24A, e aplicando LKT,
(Eq. 24)
Para que possamos traçar a curva, visto que é uma equação de primeiro
grau, precisamos de dois pontos, os mais fáceis de determinar são as interseções
com os eixos, ou seja,
(Eq. 25)

(Eq. 26)
98
FIGURA 24 – ANÁLISE POR RETA DE CARGA PARA A CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO FIXA:

CIRCUITO (A) E CURVAS CARACTERÍSTICAS DO DISPOSITIVO (B)
Desenhando a reta de carga sob a curva característica do dispositivo

(Figura 25), é possível determinar o ponto de operação, ou ponto quiescente.
FIGURA 25 – RETA DE CARGA PARA POLARIZAÇÃO FIXA
99
7.2 CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO DO EMISSOR

Na Figura 26, apresenta-se o circuito do TBJ com polarização do emissor
e seu equivalente CC.
7.2.1 Malha base-emissor

Redesenhando a malha base-emissor, conforme Figura 27A, e aplicando
LKT no sentido horário, temos:
Da Equação 15, IE = (β + 1) IB, logo:
Contudo, , daí:
(Eq. 27)
FIGURA 26 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO DO TBJ COM RESISTOR DE EMISSOR (A) E

EQUIVALENTE CC (B)
100
FIGURA 27 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO DO TBJ COM RESISTOR DE EMISSOR MALHA BASE-

-EMISSOR (A) E MALHA COLETOR-EMISSOR (B)

Aplicando-se a LKT à malha apresentada na Figura 27B, temos:
Pela Equação 3, IE ≅ IC , obtemos:
(Eq. 28)
Além disso, sabemos que a tensão VE representa a tensão do emissor para

o terra e pode ser determinada por:
VE = IERE (Eq. 29)
E ainda por:

VC = VCE + VE (Eq. 30)
Ou:
VC = VCC - ICRC (Eq. 31)
E:
VB = VCC - IBRB (Eq. 32)
Ou:
VB = VBE + VE (Eq. 33)
101
A adição do resistor do emissor ao circuito de polarização CC acarreta

uma melhoria na estabilidade, isto é, as tensões e as correntes CC variam pouco
em torno dos valores estabelecidos, decorrente das modificações provenientes
de variáveis externas, como temperatura e valores de beta (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
7.2.3 Nível de saturação

O nível de saturação pode ser obtido utilizando o mesmo método
apresentado para a configuração com polarização fixa, chegando-se ao resultado
de:
(Eq. 34)
A análise por reta de carga é praticamente a mesma apresentada para a

polarização fixa, sendo a equação da malha coletor-emissor que define a reta de
carga:
(Eq. 35)
A determinação dos pontos de interseção dos eixos segue o mesmo

procedimento da polarização fixa, tendo como resultados:
(Eq. 36)
E
(Eq. 37)
7.3 CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE

TENSÃO
A configuração por divisor de tensão (Figura 28) é menos sensível à variação
do beta, chegando ao ponto de, se escolhermos adequadamente os parâmetros do
circuito, a corrente do coletor e a tensão coletor-emissor quiescente poderem ser
quase totalmente independentes do beta (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Podemos analisar o circuito por dois métodos: o exato, que pode ser
aplicado a qualquer configuração com divisor de tensão, e o aproximado, que
somente pode ser aplicado mediante condições específicas.
102
7.3.1 Análise exata

Para a análise exata, utilizaremos o circuito presente na Figura 29B,
determinando o circuito equivalente de Thévenin para o circuito à esquerda do
terminal da base (Figura 29 A) como:
FIGURA 28 – CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO (A) E CIRCUITO

EQUIVALENTE CC (B)
Aplicando a regra do divisor de tensão ao circuito da Figura 29B, temos:
(Eq. 38)
Determinando o circuito equivalente (Figura 30) e aplicando a LKT no

sentido horário:
Logo,
(Eq. 39)
Além disso,
(Eq. 40)
Uma vez conhecendo o valor de IB, é possível determinar as outras

variáveis.
103
FIGURA 29 – CIRCUITO PARA A DETERMINAÇÃO DO RTH (A) E CIRCUITO PARA A

DETERMINAÇÃO DE ETH (B)
FIGURA 30 – INSERÇÃO DO CIRCUITO EQUIVALENTE DE THÉVENIN
7.3.2 Análise aproximada

Para que possamos utilizar a análise aproximada com alto grau de
precisão, é necessário que (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 41)
Além disso, a tensão de base é dada pela Figura 31:
(Eq. 42)
E:
VE = VB - VBE (Eq. 43)
104
A corrente do emissor é dada por:
(Eq. 44)
E:
(Eq. 45)
E a tensão coletor-emissor é dada por:
(Eq. 46)
FIGURA 31 – CIRCUITO PARCIAL DE POLARIZAÇÃO PARA O CÁLCULO DA TENSÃO

APROXIMADA DE BASE VB
7.3.3 Saturação do transistor

Possui a mesma aparência da polarização do emissor (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013), sendo dada por:
(Eq. 47)

A semelhança com o circuito de saída da configuração com polarização
do emissor resulta nas mesmas interseções para a reta de carga da configuração
com divisor de tensão (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013); logo,
105
(Eq. 48)
E:
(Eq. 49)
7.4 CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DE

COLETOR
Adicionando uma realimentação do coletor para a base (Figura 32), é

possível melhorar a estabilidade do circuito em comparação às configurações de
divisor de tensão e polarização do emissor.
7.4.1 Malha base-emissor

A Figura 33A apresenta a malga base-emissor do TBJ na configuração
de realimentação de tensão, aplicando-se a LKT no sentido indicado (sentido
horário):
Em que: I'C = IC + IB . Os valores de IC e I'C são muito maiores que o valor

de IB, logo, utilizando as aproximações , a equação anterior
fica:
Logo,
(Eq. 50)
106
FIGURA 32 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DE TENSÃO

Aplicando a LKT no sentido indicado na Figura 33B,
Sabendo que , a equação pode ser reescrita como:
Logo,
(Eq. 51)
7.4.3 Condições de saturação

Como utilizamos a aproximação I'C = IC , percebe-se que a equação da
corrente de saturação é a mesma que para divisor de tensão (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013), logo:
(Eq. 52)
107
FIGURA 33 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DE TENSÃO MALHA

BASE-EMISSOR (A) E MALHA COLETOR-EMISSOR (B)
Como utilizamos a aproximação I'C = IC , tem-se a mesma reta de carga

obtida para a configuração em divisor de tensão e polarização do emissor
7.5 CONFIGURAÇÃO SEGUIDORA DE EMISSOR

Anteriormente, trabalhamos com a saída normalmente no terminal
do coletor do TBJ, porém, a partir desse momento, a saída será no terminal do
emissor (Figura 34A). Aplicando-se a LKT ao circuito da Figura 34B, temos:
Sabemos que IE = (β + 1) IB' daí:
Logo,
(Eq. 53)
108
FIGURA 34 – CONFIGURAÇÃO DE COLETOR-COMUM (A) OU SEGUIDOR DE EMISSOR E

EQUIVALENTE CC DO CIRCUITO (B)
No circuito de saída, aplicando-se a LKT:
De modo que:
(Eq. 54)

É a configuração em que observamos o sinal de entrada ligado ao emissor,
e a base está conectada ao potencial terra ou pouco acima dele (Figura 35)
FIGURA 35 – CIRCUITO COM CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM
109
Na Figura 36A, é apresentado o circuito CC equivalente para a entrada, de

modo que, aplicando-se a LKT:
Logo,
(Eq. 55)
Aplicando-se LKT à malha externa do circuito presente na Figura 36B,

temos:
Portanto,
Como IE ≅ IC ,
(Eq. 56)
FIGURA 36 – EQUIVALENTE CC DA ENTRADA DO CIRCUITO DA FIGURA 35 (A) E CIRCUITO

PARA DETERMINAÇÃO DE VCE E VCB (B)
7.7 TABELA RESUMO

A Tabela 1 apresenta uma revisão das configurações do TBJ mais comuns.
110
TABELA 1 – CONFIGURAÇÕES DE POLARIZAÇÃO DO TBJ
111
8 CIRCUITOS COM MÚLTIPLOS TBJ

O acoplamento RC, apresentado na Figura 37A, é, provavelmente, um dos
mais comuns. A tensão de saída do coletor de um estágio é alimentada diretamente
na base do estágio seguinte, por meio de um capacitor de acoplamento, CC . O
circuito apresenta dois estágios com divisor de tensão, mas podendo ser usado
entre qualquer combinação de circuito. Para análise do circuito, é possível
analisar cada estágio de forma separada, visto que um estágio não afeta o outro
FIGURA 37 – AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS COM ACOPLAMENTO RC (A) E

EQUIVALENTE CC (B)
9 TRANSISTORES PNP
A análise dos transistores pnp segue o mesmo padrão estabelecido para
o transistor npn. Primeiramente, o valor de IB é determinado, em seguida,
aplicamos as relações apropriadas ao transistor e obtemos os restantes das
incógnitas necessárias. Ao observar as equações resultantes, é possível perceber
que a diferença entre a utilização de um transistor npn por um pnp será o sinal
associado a algumas quantidades específicas.
10 CIRCUITOS DE CHAVEAMENTO
A aplicação de transistores não se limita somente à amplificação de sinais;
no projeto apropriado, podem ser utilizados como chaves de computadores e
aplicações de controle (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Analisando a Figura 38A, é possível perceber que a saída é oposta à

aplicada na entrada. Logo, um circuito inversor, que possui uma fonte CC
conectada ao coletor (ou circuito de saída), e para aplicações em computação, é
normalmente igual a 5 V (ou nível lógico “alto”). O resistor RB garante o valor
da corrente de base para a condição “ligado” e que a tensão aplicada de 5 V não
apareça através da junção base-emissor (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
112
Segundo Boylestad e Nashelsky (2013), um projeto, apropriado para o

transistor atuar como um inversor, exige que o ponto de operação alterne do
ponto de corte ao ponto de saturação sobre a mesma reta de carga (Figura 38B).
Assumindo que IC = ICEO ≅ 0 mA , quando IB = 0 µA e VCE = VCE ≅ 0 V, em vez de
sat
0,1 a 0,3, conforme normalmente adotado.
Para analisar o circuito da Figura 38A, podemos concluir que:
O valor da corrente de base, IB , pode ser aproximado por (BOYLESTAD;

NASHELSKY, 2013):
Desse modo, para um nível de saturação adequado ao sistema, é necessário

que:
(Eq. 57)
Além disso,
(Eq. 58)
FIGURA 38 – TRANSISTOR INVERSOR CIRCUITO (A) E RETA DE CARGA (B)
113
DICAS
EXERCÍCIOS RESOLVIDOS
1 Dado o circuito e sua reta de carga, conforme mostra a figura a seguir, determine o
comportamento da reta de carga quando:
CIRCUITO (A) E RETA DE CARGA (B)
114
a) Se altera o valor da corrente de base, IB, através da alteração do valor de RB.
R.: Pela análise do circuito, é possível perceber que se trata de um transistor na configuração
de polarização fixa.
Desse modo, por meio das Equações 25 e 26, temos que:
Traçando a reta de carga, obtemos a figura a seguir:
RETA DE CARGA
Se diminuir os valores da resistência da base, RB , teremos um aumento nos valores da corrente

de base, I , e um deslocamento do ponto quiescente, conforme mostra a figura a seguir:
B
DESLOCAMENTO DO PONTO QUIESCENTE DE ACORDO COM A VARIAÇÃO DA

CORRENTE DE BASE
115
b) Manter o valor de VCC fixo e aumentar RC .
R.: Se manter o valor de VCC fixo e alterar os valores da resistência do coletor, de modo que
R3 > R2 > R1, teremos um deslocamento do ponto quiescente, conforme a figura a seguir:
EFEITO DO VALOR DO AUMENTO DO VALOR DE RC NO PONTO Q
c) Manter RC fixo e diminuir o valor de VCC .
R.: Mantendo fixo o valor da resistência do coletor e diminuindo o valor da tensão VCC , de
modo que VCC1 > VCC2 > VCC3 , teremos o deslocamento do ponto quiescente, conforme a
figura seguinte:
EFEITO DA VARIAÇÃO DOS VALORES DE VCC NA RETA DE CARGA E DESLOCAMENTO

DO PONTO Q
116
2 Determine as tensões VC e VB no circuito da figura a seguir:
CIRCUITO
R.: Analisando o circuito, percebemos uma grande semelhança com a configuração por
divisor de tensão, porém R2 e RE não estão aterrados, e sim possuem uma tensão VEE .
Para resolução do exercício, utilizaremos os procedimentos apresentados para a configuração
de divisor de tensão. Dessa forma, o primeiro passo é a determinação da resistência de
Thévenin da entrada, como mostra a figura seguinte:
CIRCUITO PARA A DETERMINAÇÃO DA RTh (A) E ETh (B)
Logo,
Para determinar a tensão de Thévenin, aplicaremos a LKT à malha da figura B a seguir.
Logo,
117
Substituindo os valores:
Por meio da análise do circuito, o valor da tensão de Thévenin é:
R2I - VEE= (2,2 kΩ) (3,85 mA) - 20 V = 8,74 V - 20 V = -11,53 V
Logo, o circuito de entrada pode ser redesenhado, como mostra a figura seguinte:
Aplicando a LKT no sentido horário à figura:
ETh + RThIB + VBE + RE IE - VEE = 0
Entretanto, pela Equação 15, IE=( β + 1) IB:
ETh + Rth IB+ VBE + RE (β + 1) IB - VEE = 0
Isolado IB,
Substituindo os valores:
Utilizando a Equação 14:
IC = βIB = (120)(35,39 μA)= 4,25 mA
Pela análise da figura do enunciado:
VC = VCC - ICRC = 20 V - (4,25 mA)(2,7 kΩ) = 8,53 V
Com base na figura anterior:
VB = -ETh - IBRTh= - (11,53 V) - (35,39 μA)(1,73 kΩ) = -11,59 V
118
RESUMO DO TÓPICO 1
• O transistor bipolar de junção (TBJ) é um componente semicondutor,

composto por três camadas, podendo ser constituídas de dois modos distintos:
duas camadas de material semicondutor do tipo n e uma camada de material
semicondutor do tipo p.
• O surgimento do transistor abriu caminho para diversas outras invenções

importantes, como os circuitos integrados (CIs), que são dispositivos pequenos
que contêm milhares de transistores.
• A polarização de um transistor define seu modo de funcionamento e baseia-

se em diferentes níveis de tensão aplicados em seus terminais.
• Num TBJ, as correntes de coletor e de emissor estão relacionadas pela

expressão: IC = βIB, em que β é o ganho de corrente do transistor.
• As curvas características de um transistor relacionam a corrente de coletor (IC)

com a tensão coletor-emissor (VCE).
• O TBJ pode ser ligado em três configurações distintas: base-comum, coletor-

comum e emissor-comum. Em cada configuração, o transistor apresenta um
comportamento distinto.
119
AUTOATIVIDADE
1 Considerando a corrente de emissor de um TBJ igual a 6 mA e sabendo que

a relação entre IB e IC é de 0,0125, determine os valores de IB e IC .
2 Sabendo que:
a) αcc = 0,996, determine o valor de IC se IE = 2 mA.

b) IE = 1,6 mA e IB = 15 µA, determine o valor de αcc .
c) IB = 15 µA e αcc = 0,97 , determine o valor de IE .

3 Considere:
a) αcc = 0,995, determine o valor de βCC .

b) βCC = 110, determine o valor de αcc.
c) αcc = 0,99 e IC = 1,5 mA , determine os valores de IE e IB .

4 Para o circuito apresentado na figura a seguir, determine IBQ e ICQ.
120
5 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Dada a reta de carga apresentada na
figura a seguir e o ponto Q definido, determine os valores de VCC , RC e RB
para a configuração de polarização fixa.
6 Para a configuração de polarização do emissor, como mostra a figura a

seguir, determine:
a) IB .
b) IC .
c) VCE .
d)VC .
121
e) VE .
f) VB .
g) VBC .
h) Corrente de saturação.
7 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito e a curva característica

da figura a seguir, determine:
a) Determine a reta de carga e trace a curva sobre a curva de carga da figura.
b) Determine βCC na região central das curvas características, definindo esse

ponto como o ponto Q.
c) Determine o valor de IB , utilizando o valor de βCC .
d) Determine os valores de ICQ e VCEQ .
8 Determine os valores de ICQ e VCEQ para a configuração por divisor de tensão

da figura, a seguir, pelo método exato e aproximado. Comente os resultados
encontrados.
122
9 Dada a curva característica e o circuito com polarização fixa da figura, a
seguir, determine VCC ,RB e RC .
10 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito amplificador com

acoplamento direto da figura, a seguir, determine os valores CC das correntes
e tensões.
11 Determine o valor de I no circuito da figura a seguir.
123
12 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Determine os valores de IE e VC para o
circuito apresentado na figura a seguir.
124
TÓPICO 2 —
UNIDADE 2
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
1 INTRODUÇÃO
Os transistores de efeito de campo (FET – sigla do inglês field-effect
transistor) é um dispositivo semelhante ao TBJ, sendo a principal diferença o
TBJ um dispositivo controlado por corrente, enquanto o JFET é um dispositivo
controlado por tensão. Assim como os TBJs podem ser npn e pnp, os JFETs
podem ser de canal n e de canal p, porém os transistores bipolares de junção,
assim como o próprio nome diz, são bipolares (condução por dois portadores de
carga: elétrons ou lacunas) e os transistores de efeito de campo são dispositivos
unipolares (dependem unicamente da condução de elétrons – canal n – ou de
lacunas – canal p) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 39 – AMPLIFICADORES CONTROLADOS POR CORRENTE TBJ (A) E CONTROLADOS

POR TENSÃO JFET (B)
125
O nome “efeito de campo” é derivado da característica de que, para os

dispositivos FET, se estabelece um campo elétrico pelas cargas presentes que
controlaram o caminho de condução do circuito de saída sem necessidade de
contato direto entre as grandezas controladas e controladoras. Algo importante
a ser lembrado é que uma das principais características do FET é sua alta
impedância, os ganhos de tensão CA são geralmente muito menores que o TBJ e
são mais estáveis em termos de temperatura, sendo um dos principais motivos
de seu uso em circuitos integrados (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013). Veremos
três tipos de FET: o transistor de efeito de campo de junção (JFET), o transistor de
efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) e o transistor de efeito de
campo metal-semicondutor (MESFET).
2 JFET
O JFET é um dispositivo de três terminais, de modo que um deles controla
a corrente entre os outros dois. A Figura 40 apresenta a construção do JFET de
canal n, em que é possível verificar que a maior parte do material constituinte é
do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p. Na
parte superior do material do tipo n, por meio de um contato ôhmico, temos a
conexão do dreno (D, do inglês drain) e, na parte inferior através de outro contato
ôhmico, temos a fonte (S, do inglês source). Os dois materiais do tipo p estão
conectados entre si e também ao terminal porta (G, do inglês gate) (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
FIGURA 40 – TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNÇÃO (JFET)
126
TÓPICO 2 — TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Um modo de entendermos melhor o funcionamento é por meio de uma

analogia com o fluxo de água (Figura 41).
FIGURA 41 – ANALOGIA DO FLUXO DE ÁGUA PARA O MECANISMO DE CONTROLE DO JFET
Fonte
Porta
Dreno
A fonte de pressão de água pode ser comparada à tensão aplicada do

dreno para a fonte e estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a partir da
torneira (fonte no JFET). A “porta”, por meio da aplicação de um sinal (tensão),
controla o fluxo de água (carga) para o dreno (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
2.1 TENSÃO POSITIVA VDS

Na Figura 42A, foi aplicada uma tensão positiva VDS (VGS = 0 V, VDS positiva)
através do canal e a porta (gate) foi conectada à fonte que está conectada ao terra.
Quando uma tensão VDD = VDS é aplicada, ocorre uma atração dos elétrons pelo
dreno, estabelecendo a corrente convencional ID (direção oposta à direção dos
elétrons). Analisando o caminho do fluxo de cargas, percebe-se claramente a
equivalência entre as correntes do dreno e da fonte (ID = IS). Ainda na Figura 42A,
é possível perceber que a camada de depleção é mais larga na parte superior de
ambos os materiais do tipo p, pois, presumindo uma resistência uniforme ao longo
do canal n, a corrente irá estabelecer níveis de tensão ao longo do canal (Figura
43B), de modo que a parte superior possua uma tensão superior (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
À medida que a tensão VDS aumenta a corrente revelando relativa

linearidade para pequenos valores de VDS (Figura 43A), conforme ocorre o
aumento de VDS, percebendo-se um aumento da região de depleção até o ponto
em que parecem se tocar (condição de pinch-off) – isso ocorre na tensão de
pinch-off, VP (Figura 43B) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013). Uma vez que
VDS > VP, tem-se uma característica de fonte de corrente para os JFET.
IDSS é a corrente máxima de dreno para um JFET e é definida pela condição

VGS = 0 V e VDS >|VP|(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
127
FIGURA 42 – JFET COM VGS = 0 V e VDS > 0 V (A) E VARIAÇÃO DOS POTENCIAIS REVERSOS DE
POLARIZAÇÃO (B) ATRAVÉS DA JUNÇÃO PN DE UM JFET DE CANAL N
FIGURA 43 – CURVA DE ID VERSUS VDS PARA VGS = 0 V (A) E PINCH-OFF VGS = 0 V, VDS = VP) (B)
128
2.2 RESISTOR CONTROLADO POR TENSÃO

A região à esquerda da linha de pinch-off é chamada de ôhmica (Figura 44),
ou região de resistência controlada por tensão, em que o JFET pode ser empregado
como um resistor variável, sendo uma boa aproximação a Equação 59,
(Eq. 59)
Em que ro é a resistência com VGS = 0 Ve rd é a resistência para um valor

específico de VGS.
129
FIGURA 44 – CARACTERÍSTICAS DO JFET DE CANAL N COM IDSS = 8 mA E VP = -4 V
2.3 DISPOSITIVO DE CANAL P

Os dispositivos de canal p possuem a mesma estrutura que os dispositivo
de canal n, porém são trocadas as posições dos materiais do tipo p e do tipo
n (Figura 45A). O sentido das correntes é invertido, assim como a polaridade
das tensões (VGS e VDS). O canal se contrai para tensões positivas crescentes da
porta para a fonte, de modo que a tensão VDS máxima, na Figura 45B, é negativa,
indicando que a diferença de potencial é aplicada do dreno para a fonte.
130
FIGURA 45 – JFET DE CANAL P (A) E CURVAS CARACTERÍSTICAS DO JFET DE

CANAL P (B) COM IDSS = 6 mA E VP = +6 V
131
O símbolo para o JFET de canal n e o JFET do canal p são apresentados na

Figura 46.
FIGURA 46 – SIMBOLOGIA PARA UM JFET (A) DE CANAL N E (B) DE CANAL P
2.4 CURVA CARACTERÍSTICA DE TRANSFERÊNCIA

A relação entre ID e VGS é definido pela equação de Shockley (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013):
(Eq. 60)
Em que IDSS e VP são constantes e VGS é a variável de controle.
Existe uma forma mais rápida para se obter a curva, utilizando a curva de
Schockley, com a qual podemos predeterminar quatro valores relacionados entre
VGS e ID (Tabela 2). O número de pontos não necessariamente deve ser quatro; é
possível melhorar a precisão da curva determinando mais pontos (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
TABELA 2 – VALORES DE VGS VERSUS ID UTILIZANDO A EQUAÇÃO DE SCHOCKLEY
VGS ID
0 IDSS
0,3 VP IDSS /2
0,5 VP IDSS /4
VP 0 mA
132
2.5 FOLHA DE DADOS (JFETS)

Como qualquer outro componente eletrônico, a folha de dados (Figura
47) de um JFET é de grande importância na hora da escolha e da utilização de um
componente em um projeto. Muitas características como especificações máximas
(normalmente apresentados no início da folha de especificações e, para um bom
projeto, é recomendado não ultrapassar, podendo danificar de forma definitiva
o componente), características térmicas (apresenta variações das características
do componente pela variação da temperatura de uso), características elétricas
(características de estado “ligado”, “desligado” e pequenos sinais) e características
usuais (variedade de curvas que demonstram como parâmetros importantes
se comportam, de acordo com a variação de tensão, corrente, temperatura e
frequência).
FIGURA 47 – JFET 2N5457 DE CANAL N
133
134
3 MOSFET
O nome MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-
semicondutor. De modo a facilitar a compreensão, esse tema será dividido em
MOSFET tipo depleção e MOSFET tipo intensificação.
3.1 MOSFET TIPO DEPLEÇÃO

Apresenta características muito parecidas com o JFET. Conforme Figura
48A, é possível notar que sua construção é obtida por uma base de silício (sob a
qual é construído o dispositivo), é adicionada uma camada grossa de material
do tipo p chamada substrato, os terminais da fonte e do dreno são conectados ao
material do tipo n, por meio de contatos metálicos; a porta é isolada do material
do tipo n por uma camada de dielétrico (SiO₂), responsável pela alta impedância
de entrada do dispositivo. O nome faz sentido pelo metal se referir às conexões de
dreno, fonte e porta, enquanto o óxido é associado à camada isolante de dióxido
de silício e o semicondutor, à estrutura básica na qual as regiões do tipo p e n são
difundidas (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
A aplicação de uma tensão VDD (Figura 48B) é feita nos terminais dreno-
fonte, resultando em uma atração dos elétrons livres do canal n para o potencial
positivo do dreno, estabelecendo uma corrente semelhante a que atravessa o
canal do JFET. O potencial negativo aplicado em VGS tenderá a pressionar os
elétrons em direção ao substrato do tipo p e a atrair lacunas do substrato do tipo p
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) – a curva de transferência para um MOSFET
tipo depleção de canal n será discutida no primeiro exemplo dos exercícios
resolvidos mais adiante.
135
A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente

oposta à apresentada para a de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo
n e um canal do tipo p permanecendo com os mesmos terminais, porém as
polaridades e o sentido de tensão e corrente são invertidos. A curva característica
é semelhante, porém refletida em relação ao eixo ID. A equação de Shockley ainda
é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de VGS e VP (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
Na Figura 49, temos os símbolos gráficos de MOSFET dos tipos depleção

de canal n e p, que permitem analisar o símbolo para componentes de três e de
quatro terminais.
FIGURA 48 – MOSFET TIPO DEPLEÇÃO DE CANAL N (A) E MOSFET TIPO DEPLEÇÃO

DE CANAL N (B) COM VGS = 0 V E VDD APLICADA
136
3.2 MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO

A Figura 50A apresenta um MOSFET tipo intensificação de canal n,
sendo que o componente é formado por uma grossa camada de material do
tipo p (substrato) sob uma base de silício, assim como no MOSFET depleção, o
substrato, às vezes, está conectado internamente ao terminal da fonte e, em outras,
possui o quarto terminal (SS) disponível para controle do potencial do substrato.
Novamente, os terminais do dreno e da fonte estão conectados por um contato
metálico às regiões de tipo n, que agora não estão conectadas. Ainda existe a
camada de SiO₂, utilizada para separar a porta da região entre o dreno e a fonte.
Na Figura 50B, temos as tensões VDS e VGS positivas estabelecendo potencial

positivo no dreno e na porta. O potencial positivo na porta repele as lacunas
(cargas positivas), fazendo com que apareça uma camada de depleção próxima
à camada isolante. Conforme ocorre o aumento de VGS, tem-se um aumento na
concentração de elétrons próxima à superfície do dióxido de silício até que ocorra
um fluxo mensurável de elétrons entre o dreno e a fonte. A tensão VGS que produz
esse aumento significativo é denominada de tensão limiar, VT (VGS(Th) nas folhas de
dados) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
137
FIGURA 49 – SÍMBOLO GRÁFICO PARA MOSFETS DO TIPO DEPLEÇÃO DE CANAL N (A)

E DE CANAL P (B)
O canal é inexistente para VGS = 0 V e é intensificado através da aplicação

de uma tensão porta-fonte positiva, de onde surgiu o nome MOSFET tipo
intensificação. Se for mantido crescente o valor de VDS com VGS constante, chega-
se o momento em que ocorrerá a saturação do valor da corrente do dreno – essa
manutenção constante do valor de ID ocorre devido ao pinch-off, no sentido de
tornar o canal ainda mais próximo ao dreno (Figura 52A), aplicando LKT,
VDG = VDS - VGS (Eq. 61)

Além disso,
VDSsat = VGS - VT (5.4) (Eq. 62)
138
FIGURA 50 – MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO DE CANAL N (A) E FORMAÇÃO DO CANAL NO

MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO DE CANAL N (B)
139
FIGURA 51 – ALTERAÇÕES NO CANAL E NA REGIÃO DE DEPLEÇÃO COM O AUMENTO DE VDS

PARA UM VALOR FIXO DE VGS (A) E CURVAS CARACTERÍSTICAS DE DRENO DE UM MOSFET
TIPO INTENSIFICAÇÃO DE CANAL N COM VT = 2 V e k = 0,278 x 10-3 A/V2 (B)
140
A Figura 51B apresenta a curva característica de um dreno, que permite

perceber que, para um valor fixo de VT, quanto maior for o valor da tensão VGS,
maior será o valor de saturação para VDS, como mostra o lugar geométrico no
gráfico da Figura 51B.
Para valores de VGS > VT,
ID = k(VGS - VT )2 (Eq. 63)
Em que k é uma constante que é função da estrutura do dispositivo, sendo

dada por:
(Eq. 64)
Em que ID(ligado) e VGS(ligado) são valores para um ponto particular da curva.
Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a

mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, quando todos os materiais,
tensão e corrente são invertidos.
Na Figura 52, são apresentados os símbolos utilizados para o MOSFET tipo

intensificação de canal n e de canal p na configuração de três ou quatro terminais.
Percebe-se que existe uma linha tracejada entre o dreno e a fonte, que remete à
inexistência de um canal entre os terminais quando não estão polarizados.
4 MESFETS
A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome
de transistor de efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs). Os MESFETs
utilizam uma barreira de Schottky (criada pelo depósito de um metal como
tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta, sendo a principal diferença para
os MOSFETs tipo n, resultando em níveis menores de capacitância e sensibilidade
reduzida para altas frequências que suporta, ainda mais a grande mobilidade dos
portadores no material de GaAs.
141
FIGURA 52 – SÍMBOLOS PARA O MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO DE CANAL N (A) E DE CANAL P (B)
A Figura 53A apresenta a estrutura básica de um MESFET de canal n, em

que podemos notar que o terminal da porta está ligado diretamente a um condutor
metálico em direção oposta ao material do tipo n que liga os terminais da fonte e do
dreno. Ao aplicar uma tensão negativa à porta, ela irá repelir os elétrons do canal para
longe da superfície do metal, ocorrendo, desse modo, uma diminuição do número
de portadores no canal e redução da corrente do dreno. Se aplicada uma tensão
positiva, haverá um aumento de elétrons livres no canal e, consequentemente, um
aumento de ID, conforme mostra a Figura 53B, como as curvas do MESFET tipo
depleção e do MOSFET tipo depleção serem tão semelhantes à técnica de análise.
É possível observar as polaridades, o sentidos reais e o símbolo definidos para o
MESFET na Figura 54A (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante

à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o canal n, conforme pode ser
observado na Figura 54B; seu símbolo é apresentado na Figura 54C.
142
FIGURA 53 – ESTRUTURA BÁSICA (A) E CARACTERÍSTICAS DE UM MESFET DE CANAL N (B)
FIGURA 54 – SÍMBOLO E ARRANJO BÁSICO DE POLARIZAÇÃO PARA UM MESFET DE CANAL

N (A), ESTRUTURA DE UM MESFET TIPO INTENSIFICAÇÃO (B) E SÍMBOLO PARA UM
MESFET TIPO INTENSIFICAÇÃO (C)
143
É importante citar que os MESFETs tipo intensificação e depleção são

confeccionados com um canal de material do tipo n entre o dreno e a fonte e,
por conseguinte, apenas MESFETs do tipo n estão comercialmente disponíveis
5 RESUMO DAS CURVAS E PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS

Na Tabela 3, é apresentado um resumo das principais características dos FET.
144
TABELA 3 – RESUMO DE TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
145
DICAS
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Esboce a curva de transferência para um MOSFET

tipo depleção de canal n com IDSS = 10 mA e VP = -4 V.
R.: Para a resolução do exercício, utilizaremos as equações apresentadas na Tabela 2, logo,

• Quando VGS = 0 V temos que ID = IDSS , logo, ID = 10 mA;
• Quando ID = 0 mA temos que VGS = VP, logo, VGS = -4 V;
• Quando VGS = VP /2, temos que ID = IDSS/4, portanto, VGS = -4V/2 = -2 V e ID = 10 mA/4 =
2,5 mA; e
• Quando ID = IDSS/2, temos que VGS = 0,3 VP, portanto, ID = 10 mA/2 = 5 mA e VGS = 0,3 (-4V)
= -1,2 V.
Traçando a curva, obtemos o gráfico da figura seguinte:
CURVA CARACTERÍSTICA
146
RESUMO DO TÓPICO 2
• O transistor de efeito de campo (FET) é semelhante ao TBJ diferindo deste,

porém, por ser polarizado por tensão, e não por corrente.
• O FET pode ser entendido como um componente no qual a corrente entra pela
fonte e sai pelo dreno, sendo o fluxo dessa corrente controlado pela tensão
aplicada ao terminal fonte.
• O MOSFET, que significa transistor de efeito de campo metal-óxido-

semicondutor, é dividido em dois tipos: o tipo depleção e o tipo intensificação.
• Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky na porta, sendo a principal

diferença para os MOSFETs tipo n, resultando em níveis menores de
capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências.
• A curva característica de um FET relaciona sua corrente de dreno (ID) com a

tensão entra a porta e a fonte (VGS ).
147
AUTOATIVIDADE
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Esboce a curva de transferência definida

por:
a) IDSS = 12 mA e VP = -6 V.
b) IDSS = 4 mA e VP = 3 V.
2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Esboce a curva de transferência e as

curvas de dreno de um MOSFET tipo depleção de canal n com IDSS = 12 mA
e VP = -8 V para VGS = VP até VGS = 1 V.
3 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Esboce a curva característica de

transferência de um MOSFET tipo intensificação de canal p, se VT = -5 V e k =
0,45 x 10-3 A/V2.
148
TÓPICO 3 —
UNIDADE 2
ANÁLISE DA CORRENTE ALTERNADA (CA) DO TRANSISTOR

BIPOLAR DE JUNÇÃO
1 INTRODUÇÃO
Neste tópico, analisaremos a resposta do transistor no domínio da
frequência, CA senoidal. Existem três modelos que são comumente usados para
a análise CA para pequenos sinais: o modelo re, o modelo π híbrido e o modelo
híbrido equivalente.
Até aqui, vimos que o TBJ pode ser empregado como um dispositivo
amplificador, uma vez que o sinal senoidal de saída é maior que o sinal senoidal
de entrada em amplitude. Como a amplitude do sinal de saída é maior, podemos
dizer também que a potência de saída é maior que a potência de entrada
2 MODELAGEM DO TBJ
Segundo Boylestad e Nashelsky (2013, p. 221), “Um modelo é a combinação
de elementos de circuito, apropriadamente selecionados, que se assemelham
tanto quanto possível ao funcionamento real de um dispositivo semicondutor
sob condições específicas de operação”.
O modelo híbrido era o mais utilizado na fase de levantamento de dados,

de modo que a folha de dados incluía os parâmetros em sua lista, porém, por
serem definidos para um conjunto de condições operacionais, pode ocorrer a não
correspondência com as condições necessárias para o circuito em desenvolvimento.
Com o passar dos tempos, o modelo re torna-se a abordagem mais desejável, sendo
uma versão reduzida do modelo π híbrido, utilizado, quase que exclusivamente,
para alta frequência, mas que deixava de incluir um termo de realimentação, que,
em alguns casos, pode ser importante (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Para não haver confusão, serão adotados parâmetros para a análise de

qualquer sistema, conforme mostra a Figura 55. Destaca-se que as correntes Ii, e Io
têm o sentido padrão considerado “entrando” no sistema.
149
FIGURA 55 – DEFINIÇÃO DOS PARÂMETROS IMPORTANTES PARA QUALQUER SISTEMA
Para obter o equivalente CA de um circuito a transistor, deve-se realizar

os seguintes passos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
• fixar todas as fontes de tensão CC em zero e substitui-las por um curto-circuito

equivalente;
• substituir todos os capacitores por um curto-circuito equivalente;
• remover todos os componentes em paralelo com os curtos-circuitos;
• redesenhar o circuito para torná-lo mais conveniente e lógico.
3 MODELO re DO TRANSISTOR
Serão analisadas duas configurações para o modelo re: emissor-comum e
base-comum, conforme descrito a seguir.
3.1 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM

A montagem do circuito equivalente é proveniente da curva característica
do componente e uma série de aproximações. Por meio da análise da Figura
56A, podemos perceber que Vi = Vbe e Ii = Ib. Na Figura 57A, verificamos as curvas
características de entrada e, na Figura 57B, o valor médio das curvas, que é
simplesmente a curva de um diodo polarizado diretamente. Portanto, para a
entrada, o circuito equivalente é um diodo com uma corrente Ie (Figura 56B).
Para o circuito de saída, inicialmente, desenharemos as curvas características

do coletor com β constante (outra aproximação) e todas as características de saída
podem ser substituídas por uma fonte de corrente controlada de magnitude βIb,
como mostra a Figura 58A.
Podemos melhorar o circuito trocando o diodo por sua resistência

equivalente, re (Figura 58B) e determinando sua impedância de entrada:
150
TÓPICO 3 — ANÁLISE DA CORRENTE ALTERNADA (CA) DO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO
Logo,
Zi = (β + 1) re ≅ βre (Eq. 65)
Desse modo, é possível redesenhar o circuito equivalente (Figura 58C).
3.1.1 Tensão Early

Existe a necessidade de uma representação adequada para a impedância
de saída. Sabemos que as curvas características não possuem a aparência ideal
(Figura 59), mas, sim, uma inclinação, que define a impedância de saída do
dispositivo, de modo que quanto mais íngreme a curva, menor será a impedância
de saída e menos ideal o dispositivo. Se estendermos a curva até o eixo horizontal
(Figura 60), é possível notar que todas se cruzam em uma mesma tensão,
denominada de tensão Early (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 56 – DETERMINAÇÃO DO CIRCUITO (A) E CIRCUITO EQUIVALENTE PARA O TERMINAL

DE ENTRADA PARA UM TRANSISTOR TBJ (B)
FIGURA 57 – DEFINIÇÃO DA CURVA MÉDIA (B) PARA AS CURVAS CARACTERÍSTICAS (A)
151
FIGURA 58 – CIRCUITO EQUIVALENTE PARA O TBJ (A), DEFINIÇÃO DO NÍVEL Zi (B) E

CIRCUITO EQUIVALENTE MELHORADO PARA O TBJ (C)
FIGURA 59 – CURVAS CARACTERÍSTICAS COM β CONSTANTE
152
Para determinar a impedância de saída, podemos utilizar a Equação 66:
(Eq. 66)
Tipicamente, a tensão de Early é suficientemente grande se comparada à

tensão coletor-emissor, de maneira que podemos utilizar a aproximação:
(Eq. 67)
FIGURA 60 – DEFINIÇÃO DA TENSÃO EARLY E DA IMPEDÂNCIA DE SAÍDA DE UM TRANSISTOR
Quando a tensão de Early não está disponível, podemos determinar a

impedância de saída pela inclinação das curvas, na qual:
Inclinação
Logo,
(Eq. 68)
Desse modo, é possível redesenhar o circuito da Figura 58C incluindo os

efeitos de ro , conforme mostra a Figura 61.
153

Os procedimentos para a determinação são semelhantes aos utilizados no
emissor-comum, sendo que, nesse momento, sabemos que a corrente do coletor
está relacionada com a corrente do emissor por α e a corrente do coletor, assim
como a fonte de corrente, possui direção oposta à corrente de saída definida. O
diodo novamente pode ser substituído por re = 26 mV/IE. O circuito equivalente
utilizado para a maioria das configurações base-comuns é apresentado na Figura
63.
FIGURA 61 – MODELO re PARA A CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM DO TRANSISTOR,

INCLUINDO OS EFEITOS DE ro
FIGURA 62 – TRANSISTOR TBJ BASE-COMUM (A) E CIRCUITO EQUIVALENTE PARA A SUA

CONFIGURAÇÃO (B)
FIGURA 63 – CIRCUITO BASE-COMUM re EQUIVALENTE
154
3.3 NPN VERSUS PNP

De acordo com Boylestad e Nashelsky (2013, p. 228), as análises CC do TBJ
nas configurações npn e pnp são bem diferentes, uma vez que possuem correntes
com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto,
quando se trata de uma análise CA, na qual o sinal evolui entre valores positivos
e negativos, o circuito CA será o mesmo.
4 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM COM

POLARIZAÇÃO FIXA
Na Figura 64A, temos o circuito com a configuração emissor-comum
com polarização fixa; para a análise CA em pequenos sinais, são trocados os
capacitores C1 E C2 por curtos-circuitos equivalentes e removidos os efeitos de VCC
(Figura 64B).
Para análise CA o circuito da Figura 64B foi redesenhado e adicionado o

modelo equivalente re conforme pode ser visto na Figura 65A.
Desse modo, temos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
• Zi:
Zi = RB || βre (Eq. 69)
o Caso βre ≫RB (RB ≥ 10 βre ):
Zi ≅ βre (Eq. 70)
FIGURA 64 – CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM COM POLARIZAÇÃO FIXA (A) E CIRCUITO

APÓS A REMOÇÃO DOS EFEITOS DE VCC, C1 E C2 (B)
155
• Zo:
Zo = RC ||ro
(Eq. 71)
o Se ro ≥ 10 Rc :
Zo ≅ RC
Av
(Eq. 72)
o Se ro ≥ 10 Rc :
(Eq. 73)
Nota-se que existe um sinal negativo na equação de Av, que representa um

deslocamento de fase de 180° entre o sinal de entrada e o de saída, conforme pode
ser observado na Figura 65B.
FIGURA 65 – SUBSTITUIÇÃO DO MODELO re NO CIRCUITO DA FIGURA 65B (A) E

DEMONSTRAÇÃO DO DESLOCAMENTO DE FASE 180° ENTRE AS FORMAS DE ONDA DE
ENTRADA E SAÍDA (B)
5 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO

Na Figura 66A, podemos observar a configuração por divisor de tensão
e, na Figura 66B, o circuito CA equivalente com substituição do circuito re
equivalente.
156
FIGURA 66 – CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO (A) E

SUBSTITUIÇÃO DO CIRCUITO re EQUIVALENTE NO CIRCUITO CA EQUIVALENTE (B)
Analisando o circuito da Figura 66B (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 74)
• Zi:
Zi = R'|| βre (Eq. 75)
• Zo:
Zo = RC || ro (Eq. 76)
o Se ro ≥ 10 Rc :
Zo ≅ RC (Eq. 77)
• Av:
(Eq. 78)
o Se ro ≥ 10 RC :
(Eq. 79)
Como é possível notar, Av possui sinal negativo indicando a inversão de

fase na saída, ou seja, a saída possui um deslocamento de fase de 180° em relação
à entrada.
157
6 CONFIGURAÇÃO EC COM POLARIZAÇÃO DO EMISSOR

Nesse momento, veremos duas configurações importantes: com e sem
desvio do RE.
6.1 SEM DESVIO

Na Figura 67A, temos o circuito na configuração EC com polarização
do emissor e, na Figura 67B, o equivalente CA com substituição do circuito re
equivalente.
Por meio da análise da Figura 67B (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),

temos:
(Eq. 80)
FIGURA 67 – CONFIGURAÇÃO EC COM POLARIZAÇÃO DO EMISSOR (A) E SUBSTITUIÇÃO DO

CIRCUITO re EQUIVALENTE NO CIRCUITO CA EQUIVALENTE (B)
Sabendo que β, normalmente, é muito maior que 1, de modo que:
Zb ≅ β(re+RE ) (Eq. 81)
Além disso, RE frequentemente é muito maior que re, logo,
158
Zb ≅ βRE (Eq. 82)
• Zi:
Zi = RB∥Zb (Eq. 83)
• Zo:
Zo = RC (Eq. 84)
• Av:
(Eq. 85)
Utilizando a aproximação Zb ≅ βRE:
(Eq. 86)
6.2 COM DESVIO

A configuração com desvio do RE será discutida no primeiro exemplo dos
exercícios resolvidos adiante.
7 CONFIGURAÇÃO DE SEGUIDOR DE EMISSOR

Na Figura 68A, podemos observar o circuito na configuração seguidor de
emissor, que, normalmente, é utilizado para fins de casamento de impedância.
Substituindo do circuito re equivalente na Figura 68A, temos o que é apresentado
na Figura 68B, em que podemos obter (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
159
FIGURA 68 – CONFIGURAÇÃO DE SEGUIDOR DE EMISSOR (A) E SUBSTITUIÇÃO DO CIRCUITO

re EQUIVALENTE NO CIRCUITO CA EQUIVALENTE (B)
• Zi:
Zi = RB || Zb (Eq. 87)
o Em que:
Zb = βre + (β + 1) RE (Eq. 88)
o Como normalmente β≫1:
Zb ≅ β(re+RE ) (Eq. 89)
o Para o caso em que RE≫re:
Zb ≅ βRE (Eq. 90)
• Zo:
Zo = RE ||re (Eq. 91)
o Como RE costuma ser muito maior que re:
Zo ≅ re (Eq. 92)
• Av:
(Eq. 93)
o Uma vez que RE é geralmente muito maior que re ,
(Eq. 94)
160
8 CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM
Os circuitos na configuração base-comum são caracterizados pelo ganho
de corrente menor que 1, pela impedância de saída alta e pela impedância de
entrada relativamente baixa (Figura 69A). Por meio da substituição do modelo
re equivalente (Figura 69B), é possível determinar (BOYLESTAD; NASHELSKY,
2013):
FIGURA 69 – CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM (A) E SUBSTITUIÇÃO DO CIRCUITO re

EQUIVALENTE NO CIRCUITO CA EQUIVALENTE (B)
• Zi:
Zi = RE || re (Eq. 95)
• Zo:
Zo = RC (Eq. 96)
• Av:
(Eq. 97)
• Ai:
(Eq. 98)
161
9 CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DO COLETOR

A Figura 70A apresenta a configuração com realimentação do coletor, que
emprega um caminho de realimentação do coletor para a base com o objetivo de
aumentar a estabilidade do sistema. Na Figura 70B, temos a substituição do circuito
re equivalente no circuito CA equivalente da configuração com realimentação
do coletor da Figura 70A. Pela análise da Figura 70B, é possível determinar
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
• Zi:
o Sabendo que RC ≫ re:
(Eq. 99)
• Zo:
Zo ≅ RC|| RF (Eq. 100)
FIGURA 70 – CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DO COLETOR (A) E SUBSTITUIÇÃO DO

CIRCUITO re EQUIVALENTE NO CIRCUITO CA EQUIVALENTE (B)
• Av:
(Eq. 101)
o Para RF ≫ RC :
(Eq. 102)
162
10 CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO CC DO

COLETOR
A Figura 71A mostra a configuração com realimentação CC do coletor,
enquanto a Figura 71B apresenta a substituição do circuito re equivalente no
circuito CA equivalente da Figura 71A, em que podemos obter (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013):
• Zi:
Zi = RF1 ∥ βre (Eq. 103)
• Zo:
Zo = RC ∥ RF2 ∥ ro (Eq. 104)
o Para ro ≥ 10RC ,
Zo = RC ∥ RF2 (Eq. 105)
• Av:
(Eq. 106)
o Para ro ≥ 10RC ,
(Eq. 107)
FIGURA 71 – CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO CC DO COLETOR (A) E SUBSTITUIÇÃO

DO CIRCUITO re EQUIVALENTE NO CIRCUITO CA EQUIVALENTE (B)
163
11 RESUMO
A Tabela 4 apresenta um resumo com as equações para os principais
circuitos discutidos ao longo deste tópico.
TABELA 4 – AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS COM TBJ INCLUINDO O EFEITO DE RS E RL
164
DICAS
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito da figura a seguir, determine (com CE

conectado e desconectado):
165
a) re.
R.: Temos que:
βRE = (210)(0,68 kΩ) = 142,8 kΩ

10R2= 10 (10 kΩ) = 100 kΩ
Portanto, βRE ≥ 10R2 .
Para CE não conectado:
Para CE conectado:
A análise CC é a mesma, logo re = 19,64 Ω
b) Zi.
R.: Para CE não conectado:

Por meio da análise da figura a seguir:
166
CIRCUITO CA EQUIVALENTE
RB = R^'= R1 ∥R2=9 kΩ
Temos que r0 ≥ 10(Rc + RE) e ro ≥ 10RC, logo,
Zb ≅ βRE=142,8 kΩ
Zi=RB ∥ Zb=9 kΩ ∥ 142,8 kΩ = 8,47 kΩ
Para CE conectado:
Zb ≅ βRE=(210)(19,64 Ω) ≅ 4,12 kΩ
Zi=RB ∥ Zb=9 kΩ ∥ 4,12 kΩ=2,83 kΩ
c) Zo.

Zo= RC=2,2 kΩ
Para CE conectado:
Zo= RC=2,2 kΩ
d) Av.
Para CE conectado:
Percebe-se que, ao se conectar o capacitor CE, tem-se um aumento

significativo no ganho.
167
2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito da figura a seguir,

determine:
a) re.
R.:
b) Zi.
R.:
c) Zo.
R.:
Zo = RC ∥ RF = 2,7 kΩ ∥ 180 kΩ = 2,66 kΩ
d) Av.
R.:
168
ESPELHO DE CORRENTE ELEMENTAR
P. R. Veronese
Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente

de referência (Iref) para um ou mais ramos, criando correntes de espelhamento
(Iesp) com valores iguais ou proporcionais ao da corrente de referência. A Figura 1
mostra um circuito elementar de espelho de corrente construído com transistores
npn, na Figura 1a, e com transistores pnp, na Figura 1b. Em um espelho desse tipo,
a relação Iesp = Iref só acontece se os transistores forem casados (IS1 = IS2 e NF1 = NF2)
e se possuírem ganhos de corrente e tensões Early muito elevados (β1 = β2 → ∞ e
VAF1 = VAF2 → ∞). Como em circuitos práticos discretos dificilmente isso acontece,
pode-se considerar que só se alguns cuidados de casamento forem
adotados. A compliância desse tipo de espelho é elevada, isto é, Vins(min) = VBE, e o
coeficiente térmico de espelhamento é essencialmente nulo.
FIGURA 1: ESPELHOS DE CORRENTE COM RESISTÊNCIAS DE EMISSOR. A) TBJ NPN. B) TBJ PNP.
A resistência interna, vista no ramo de espelhamento, é relativamente

elevada e vale roe = ro1. No entanto, no ramo de referência, como Q2 está ligado
como um diodo, a resistência interna (rod) é muito baixa e vale:
169
Em que:
Se R1 for muito elevado, então:
FONTE: Adaptado de VERONESE, P. R. Fontes e Espelhos de Corrente Resumo de Aplicações

Bipolares. [S.l: s.n.], 2018.
170
RESUMO DO TÓPICO 3
• Um modelo elétrico é a combinação de elementos de circuito, apropriadamente

selecionados, que se assemelham, tanto quanto possível, ao funcionamento
real de um dispositivo semicondutor, sob condições específicas de operação.
• A tensão Early permite determinar a impedância de saída de um TBJ. Sua

análise pode ser feita graficamente ou por equacionamento.
• Um TBJ, na configuração emissor comum, pode ser com desvio e sem desvio.
• O circuito TBJ na configuração seguidor de emissor é, normalmente, utilizado

para fins de casamento de impedância.
• Os circuitos TBJ, na configuração base-comum, são caracterizados pelo ganho

de corrente menor que 1, pela impedância de saída alta e pela impedância de
entrada relativamente baixa.
• A configuração com realimentação do coletor emprega um caminho de

realimentação do coletor para a base, com o objetivo de aumentar a estabilidade
do sistema.
CHAMADA

171
AUTOATIVIDADE

determine:
a) Zi e Zo.
b) Av.

determine:
a) O valor de re.
b) Zi e Zo.
c) Av.
172
determine:
a) re.
b) Zi e Zo.
c) Av.
173
REFERÊNCIAS
Circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil; 2013. Disponível
em: https://www.academia.edu/44212475/Dispositivos_ElEtr%C3%B4nicos_E_
TEORIA_DE_CIRCUITOS_11a_Edi%C3%A7%C3%A3o. Acesso em: 27 mar.
2021.
MALVINO, A. Eletrônica: Volume 1. 7. ed. Porto Alegre: AMGH; 2007.
SCHULER, C. A. Eletrônica I: Habilidades Básicas em Eletricidade, Eletrônica e

Telecomunicações. 7. ed. Porto Alegre: AMGH; 2013.
VERONESE, P. R. Fontes e Espelhos de Corrente Resumo de Aplicações

Bipolares. [S.l: s.n.]; 2018.
174
UNIDADE 3 —
TRANSISTORES II
• compreender o funcionamento das possíveis polarizações do FET;

• resolver exercícios envolvendo polarização do FET;
• ser capaz de analisar o circuito contendo FET para pequenos sinais;
• entender o comportamento das mais diversas configurações do FET
quando expostos a pequenos sinais;
• resolver exercícios envolvendo FET e pequenos sinais;
• ser capaz de analisar o comportamento de TBJ e JFET quando expostos
à variação de frequência;
• calcular as frequências de corte superior e inferior de circuitos com TBJ e FET;
• entender o efeito no ganho e na faixa de operação quando temos circui-
tos de multiestágios;
• resolver exercícios envolvendo TBJ e JFET em baixas e altas frequências.
PLANO DE ESTUDOS
apresentado.
TÓPICO 1 – POLARIZAÇÃO DO TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

(FET)
TÓPICO 2 – ANÁLISE DO FET PARA PEQUENOS SINAIS
TÓPICO 3 – RESPOSTA EM FREQUÊNCIA DO TRANSISTOR BIPOLAR

DE JUNÇÃO (TBJ) E JFET
CHAMADA

175
176
TÓPICO 1 —
UNIDADE 3
POLARIZAÇÃO DO TRANSISTORES DE EFEITO

DE CAMPO (FET)
1 INTRODUÇÃO
A relação entre os parâmetros de entrada e de saída em um transistor
de efeito de campo não é linear, obedecendo à equação de Shockley, que é uma
função quadrática, resultando em uma curva, em vez de uma reta, conforme foi
analisado para os transistores bipolares de junção. Quando pensamos na análise
da corrente contínua (CC), a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo
o método gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores transistores de
efeito de campo (FETs – sigla do inglês field-effect transistor), porém pode limitar a
precisão de décimos. Vale lembrar que, em um FET, a variável de controle é uma
tensão, enquanto em um transistor bipolar de junção (TBJ – sigla do inglês bipolar
junction transistor) era uma corrente (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Antes de iniciarmos os estudos sobre a polarização do FET, é importante

ter em mente as principais relações dos FETs.
IG ≅ 0 A (Eq. 1)
I D = IS (Eq. 2)
Para os transistores de efeito de campo de junção (JFETs), os transistores

de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) e os transistores de
efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs) tipo depleção, a relação entre a
variável de entrada e de saída é dada pela equação de Shockley:
(Eq. 3)
Para os MOSFETs e MESFETs tipo intensificação, é aplicável a relação

presente na Equação 4:
ID = k(VGS - VT )² (Eq. 4)
Em que,
(Eq. 5)
177
UNIDADE 3 — TRANSISTORES II
2 POLARIZAÇÃO DO FET
Serão discutidos os principais tipos de polarização dos transistores de
efeito de campo.
2.1 CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA

É uma das poucas configurações que se pode resolver tanto pelo método
matemático quanto pelo método gráfico. Na Figura 1, é apresentado o circuito
com configuração de polarização fixa.
Através da Análise da Figura 1B, é possível verificar que:
VGS = -VGG (Eq. 6)
Como podemos perceber, VGG é uma fonte de tensão fixa, daí o nome
“configuração com polarização fixa”. O valor da corrente do dreno é controlado
pela equação de Shockley. Aplicando-se a lei Kirchhoff das tensões (LKT) no
ramo dreno-fonte no sentido anti-horário na Figura 1B:
-VDD + ID RD + VDS = 0
Logo,
VDS = VDD - ID RD (Eq. 7)
Além disso, ainda através da Figura 1B, é possível concluir que:
VD=VDS (Eq. 8)
VG=VGS (Eq. 9)
A análise gráfica será discutida nos exercícios resolvidos, mais adiante.
FIGURA 1 – CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA (A) E CIRCUITO PARA ANÁLISE CC (B)
178
TÓPICO 1 — POLARIZAÇÃO DO TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FET)
2.2 CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO

A configuração com autopolarização, Figura 2A, elimina a necessidade de
duas fontes de tensão CC. A tensão de controle porta-fonte é determinada através
de RS.
Para análise CC, utilizaremos o circuito apresentado na Figura 2B,

aplicando a LKT no sentido indicado:
+VGS+VRS= 0
Logo,
VGS = -VRS = -ID RD (Eq. 10)
A solução matemática pode ser obtida através da substituição da Equação

10 na equação de Shockley, logo,
Simplificando:
ID2 + K1 ID + K2 = 0
FIGURA 2 – CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO (A) E CIRCUITO PARA ANÁLISE CC DO

CIRCUITO (B)
Para a utilização do método gráfico, é necessário, inicialmente, o estabelecimento

da curva característica do dispositivo, utilizando os dados da Tabela 1, e, em seguida,
a determinação da reta dada pela Equação 10, conforme mostra a Figura 3.
Aplicando a LKT ao ramo dreno-fonte (Figura 2B), no sentido horário:
179
-IS RS -VDS - ID RD+ VDD = 0
Como ID = IS ,
VDS= VDD - ID (RS + RD) (Eq. 11)
Além disso,
VS = ID RS (Eq. 12)
VG = 0 V (Eq. 13)
VD =VDS + VS = VDD-VRD (Eq. 14)
FIGURA 3 – DEFINIÇÃO DE UM PONTO NA CURVA DE AUTOPOLARIZAÇÃO (A) E ESBOÇO DA

RETA DE AUTOPOLARIZAÇÃO (B)
2.3 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO

Na Figura 4, é apresentado o circuito com polarização por divisor de
tensão. Uma vez que, na Figura 4C, temos que IR1 = IR2 , aplicando-se o divisor de
tensão na Figura 4B:
(Eq. 15)
Além disso, aplicando a LKT no sentido horário na Figura 4B, conforme

indicado:
-VG + VGS + VRS = 0
Como VRS = IS RS = ID RD ,
VGS = VG - ID RS (Eq. 16)
180
FIGURA 4 – CONFIGURAÇÃO DA POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO (A) E CIRCUITO

PARA ANÁLISE CC (B-C)
A Equação 16 é uma equação de reta que pode ser traçada com a

determinação de dois pontos sobre o gráfico da equação de Shockley, sendo eles,
VGS = VG |ID = o mA (Eq. 17)
(Eq. 18)
É importante ressaltar que valores crescentes de RS resultam em valores

quiescentes menores de ID e valores de VGS mais negativos (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
Após a determinação dos valores de operação (valores quiescentes), o

restante da análise pode ser realizada de maneira usual, ou seja,
VDS = VDD- ID (RD+ RS) (Eq. 19)

VD= VDD- IDRD (Eq. 20)
VS = IDRS (Eq. 21)
(Eq. 22)
2.4 CONFIGURAÇÃO PORTA-COMUM

Na Figura 5, temos duas versões de circuito para a configuração porta-
comum.
181
FIGURA 5 – DUAS VERSÕES PARA A CONFIGURAÇÃO DE PORTA-COMUM
Para determinar a equação do circuito, utilizaremos o circuito apresentado

na Figura 6A, aplicando a LKT a esse circuito:
+VGS + ISRS - VSS = 0
Como IS = ID ,
VGS = VSS - ID RS (Eq. 23)
Para determinação da reta,
VGS= VSS|ID = 0 mA (Eq. 24)
(Eq. 25)
A reta de carga é apresentada na Figura 6B, sendo que a interseção define

o ponto de operação (IDQ e VGSQ ).
182
FIGURA 6 – CIRCUITO PARA DETERMINAÇÃO DA EQUAÇÃO (A) E DETERMINAÇÃO DO PONTO

Q PARA A CONFIGURAÇÃO APRESENTADA NA FIGURA ANTERIOR (B)
Aplicando a LKT à malha que contém as duas fontes de tensão na Figura

5, no sentido horário,
+VSS - RSIS - VDS- IDRD+ VDD = 0
Como ID = IS ,
VDS = VDD + VSS - ID (RD + RS) (Eq. 26)
Além disso,
VD= VDD - IDRD (Eq. 27)

VS = -VSS + IDRD (Eq. 28)
2.5 CASO ESPECIAL VGS = 0 V

Q
Por meio da análise do circuito da Figura 7A, sabemos que a porta e a

fonte estão conectadas ao terra, de modo que VGS = 0 V, resultando em uma reta de
carga vertical em que VGSQ = 0 V (Figura 7B), na qual se pode notar que:
IDQ = IDSS (Eq. 29)
Aplicando-se a LKT à malha dreno-fonte (Figura 7A), no sentido horário,
-VDS - IDRD + VDD = 0

VDS = VDD - IDRD (Eq. 30)
Além disso,
183
VD= VDS (Eq. 31)

VS= 0 V (Eq. 32)
FIGURA 7 – CONFIGURAÇÃO DO CASO ESPECIAL VGSQ=0 V (A) E DETERMINAÇÃO DO PONTO

Q PARA O CIRCUITO (B)
2.6 MOSFETS TIPO DEPLEÇÃO

Sua análise é semelhante às apresentadas para os JFETs; a principal
diferença é que os MOSFETs tipo depleção têm ponto de operação com valores
positivos de VGS e valores de ID maiores que IDSS.
Para um melhor entendimento, mais adiante, será apresentado um

exemplo nos exercícios resolvidos.
2.7 MOSFETS TIPO INTENSIFICAÇÃO

São curvas bem diferentes das observadas até o momento, sendo
importante lembrar que:
(Eq. 33)
Em que:
(Eq. 34)
Para traçar a curva, normalmente um ponto entre VGS(Th) e VGS(ligado) e outro

um pouco maior que VGS(ligado) são suficientes.
184
2.7.1 Configuração de polarização com realimentação

A configuração de polarização para MOSFETs tipo intensificação (Figura
8) é bastante utilizada e o resistor RG oferece um valor apropriadamente alto de
tensão à porta do MOSFET para “ligá-lo” (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Por meio do circuito apresentado na Figura 8B, é possível verificar uma ligação
direta entre a porta e o dreno, de modo que:
VD= VG VDS = VGS (Eq. 35)
Uma vez que a fonte está conectada ao terra.
Para o circuito de saída, analisando no sentido horário,
-VDS- ID RD + VDD = 0
Portanto,
VDS = VDD - IDRD
Aplicando à Equação 35:
VGS = VDD - IDRD (Eq. 36)
Portanto, obtemos uma equação de primeiro grau e, para traçarmos essa

reta, os dois pontos mais fáceis são:
VGS = VDD |I D = 0 mA (Eq. 37)
(Eq. 38)
A curva para a determinação do ponto de operação é apresentada na

Figura 10.
FIGURA 8 – CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO (A) E EQUIVALENTE CC (B)
185
FIGURA 9 – CURVA CARACTERÍSTICA DE TRANSFERÊNCIA DE UM MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO

DE CANAL N
FIGURA 10 – DETERMINAÇÃO DO PONTO Q DO CIRCUITO DA FIGURA 8
2.7.2 Circuito de polarização por divisor de tensão

A Figura 11 demonstra a configuração de polarização por divisor de
tensão de um MOSFET de intensificação de canal n. Como IG = o mA, a tensão da
porta é dada por:
(Eq. 39)
Aplicando a LKT à malha indicada na Figura 11, temos:
-VR2+ VGS+VRS= 0
186
Sabemos que VG = VR2 e ID = IS , logo:
VGS = VG - IDRS (Eq. 40)
FIGURA 11 – CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO PARA UM MOSFET

INTENSIFICAÇÃO DE CANAL N
Analisando a malha dreno-fonte, no sentido horário,
-ID RS - VDS - ID RD + VDD = 0
Portanto,
VDS = VDD - ID (RD + RS ) (Eq. 41)
A determinação das curvas segue os mesmos procedimentos anteriores,

visto que a Equação 41 é de primeiro grau; ao traçar as curvas, é possível
determinar o ponto de operação (ID Q e VGSQ - interseção das duas curvas) e, por
meio dele, determinar os demais parâmetros como VDS ,VD e VS.
2.8 RESUMO
A Tabela 1 apresenta, de forma resumida, as equações pertinentes e a
solução gráfica para cada tipo de configuração de polarização de FET estudada.
187
TABELA 1 – CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO PARA FET
188
DICAS
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o MOSFET tipo depleção de canal n da figura a

seguir, determine:
CIRCUITO
a) IDQ e VGSQ.
R.: Para a resolução do exercício, inicialmente, precisamos determinar a curva de
transferência por meio dos métodos apresentados ao longo deste tópico.
• quando VGS = 0 V, temos que ID = IDSS , logo, ID = 6 mA;

• quando ID = 0 mA, temos que VGS = VP , logo, VGS = -3 V;
• quando VGS = VP ⁄2 , temos que ID=IDSS ⁄4 , portanto, VGS= -3 V ⁄2 =-1,5 V e ID = 6 mA
⁄4=1,5 mA; e
• quando ID = IDSS ⁄2, temos que VGS=0,3 VP , portanto, ID= 6 mA ⁄2 = 3 mA e VGS = 0,3(-3
V)=-0,9 V.
Além disso, é necessária a adição de, pelo menos, mais um ponto, sendo este um valor
positivo de VGS . Portanto, para VGS = 1 V,
ID= 10,67 mA
A curva de transferência resultante é apresentada na figura a seguir.
Para determinar a curva da carga, utilizaremos as mesmas equações aplicadas para os

JFETs; logo, para determinar o valor da tensão da porta, ou gate, utilizando a Equação 15,
189
Determinando a equação de entrada, malha porta-fonte (gate-source), Equação 16,
VGS = VG - IDRS = 1,5 V - ID (750 Ω)
Para traçar a reta de polarização são necessários dois pontos, logo, utilizando as equações
17 e 18,
VGS= VG |ID = 0 mA , portanto, VGS = 1,5 V
A reta de polarização é apresentada na figura a seguir:
DETERMINAÇÃO DO PONTO Q
Ao traçar a curva de transferência e a reta de polarização, obteremos o ponto de operação,

ou ponto quiescente, conforme mostra a figura, que é dado por:
IDQ=3,1 mA
VGSQ= -0,8 V
b) VDS .
R.: Por meio da Equação 19, temos que:
VDS = VDD - ID (RD + RS ) = 18 V - (3,1 mA)(1,8 kΩ + 750Ω) ≅ 10,1V
c) Repita os itens (a) e (b) alterando do valor de RS para 150 Ω.

R.: A curva de transferência não será alterada, pois é a relação entre IDSS e VP .
A reta de polarização irá mudar, pois a resistência da fonte é uma das variáveis envolvida;
desse modo, considerando a Equação 16,
190
VGS= VG - IDRS
A tensão da porta continuará sendo VG = 1,5 V, pois somente foi alterada a resistência da
fonte, logo,
VGS = 1,5 V - ID (150 Ω)
Por meio das Equações 17 e 18,
VGS= VG |ID= 0 mA ,portanto,VGS = 1,5 V
A curva de transferência, a reta de polarização e o ponto quiescente são apresentados na

figura a seguir:
DETERMINAÇÃO DO PONTO Q
Nesse caso, o ponto quiescente produz uma corrente de dreno superior a IDSS e um valor
positivo de VGS , resultando no ponto de operação:
IDQ=7,6 mA
VGSQ=+0,35 V
E pela Equação 19,
VDS = VDD - IDD+ RS = 18 V - (7,6 mA)(1,8 kΩ + 150 Ω)= 3,18 V
2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito apresentado na figura a seguir,

determine, com base no método matemático e no método gráfico:
191
CIRCUITO
a) VGSQ .
R.: Método matemático: aplicando-se a LKT à malha porta-fonte, sentido horário, sabendo
que IG =o mA,
2 V - IG (1 MΩ) + VGS = 0
Logo,
VGS = -2 V
Q
Método gráfico: inicialmente deve-se determinar a curva pela equação de Shockley e os

pontos da Tabela 1, conforme realizado no exemplo neste tópico.
Para o circuito do exemplo, a equação da carga é dada por VGS =-2 V, logo uma reta vertical,
conforme pode ser observado na figura a seguir. A determinação do ponto quiescente é
difícil ter uma grande precisão sem aumento significativo da figura, mas o valor IDQ=5,6 mA
é um valor aceitável.
SOLUÇÃO GRÁFICA
192
VGSQ=-VGG=-2 V
É possível perceber que ambos os métodos chegaram a resultados parecidos.
b) IDQ .
R.: Aplicando a equação de Shockley:
Método gráfico: com o mesmo raciocínio utilizado no método matemático para a

determinação das equações, temos:
IDQ = 5,6 mA
c) VDS .
R.: Aplicando a LKT à malha dreno-fonte do circuito deste exercício, no sentido horário:
-VDS - ID (2 kΩ) + 16 V = 0
Portanto,
VDS = 16 V-(2 kΩ)ID= 16 V-(2 kΩ)(5,625 mA) = 16 V - 11,25 V
VDS = 4,75 V

VDS = VDD - ID RD = 16 V - (5,6 mA)(2 kΩ) = 4,8 V
d) VD .
R.: Sabemos que:
VDS =VD - VS
Como VS=0 V, pois a fonte está conectada ao terra, logo,
VD = VDS = 4,75 V
Sabemos que:
VGS = VG -VS
Como VS = 0 V, pois a fonte está conectada ao terra:
VG = VGS = -2 V

VD = VDS = 4,8 V
193
e) VG .
R.: Sabemos que:
VGS = VG - VS
Como VS= 0 V, pois a fonte está conectada ao terra:
VG = VGS = -2 V

VG = VGS = -2 V
f) VS.
R.: Como citado anteriormente, a fonte está conectada ao terra, de modo que:
VS = 0 V

VS = 0 V
3 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Conforme o circuito apresentado na figura a seguir,

com configuração por divisor de tensão, determine o valor de RS sabendo que VD=12 V
e VGSQ= -2 V.
CIRCUITO
R.: Sabemos que IG=0 mA, desse modo, aplicando o divisor de tensão no circuito de
entrada:
194
A corrente do dreno é dada por:
Aplicando LKT na malha porta-fonte no sentido horário podemos determinar a equação

para VGS , logo,
-VG + VGS + ISRS = 0
Entretanto, ID = IS ,
VGS = VG - IDRS
Desse modo, o valor da resistência da fonte é dada por:
O valor comercial mais próximo para o projeto é de 3,3 kΩ.
195
RESUMO DO TÓPICO 1
• Duas relações de corrente importantes para os FETs são: IG ≅ 0 A e ID = IS .
• Para os transistores de efeito de campo de junção (JFETs), os transistores de

efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) e os transistores de
efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs) tipo depleção, a relação entre
a variável de entrada e de saída é dada pela equação de Shockley:
• O FET pode ser polarizado nas seguintes configurações: polarização fixa,

autopolarização e polarização por divisor de tensão.
• Os MOSFETs tipo depleção têm ponto de operação com valores positivos de

VGS e valores de ID maiores que IDSS.
• Para o FET polarizado na configuração fixa, valem as seguintes equações: VD = VDS

e VG = VGS.
• No FET configurado em autopolarização, são válidas as três seguintes

expressões:
VS = IDRS
VG = 0 V
VD = VDS + VS = VDD - VRD
• O funcionamento do FET polarizado por divisor de tensão é regido pela

equação:
196
AUTOATIVIDADE
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Considerando o circuito da figura a

seguir, determine:
a) IDQ e VGSQ.
b) VDS e VD .
2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Projete um circuito com autopolarização

utilizando um transistor JFET com IDSS = 8 mA e VP = -6 V para conseguir um
ponto Q em IDQ = 4 mA usando uma fonte de 14 V. Considere que RD = 3 RS e
use valores comerciais de resistência.
3 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Projete um circuito de polarização por

divisor de tensão utilizando um MOSFET tipo depleção com IDSS = 10 mA e
VP = -4 V, de modo que o ponto Q se situe em IDQ = 2,5 mA usando uma fonte
de 24 V. Estabeleça VG = 4 V e use RD = 2,5 RS com R1 = 22 MΩ. Utilize valores
comerciais de resistência.
4 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para a configuração com polarização

fixa da circuito da figura a seguir, determine:
197
a) IDQ e VGSQ utilizando uma análise puramente matemática.
b) Repita o item (a) utilizando uma análise gráfica e compare os resultados.
c) Determine VDS ,VD ,VG e VS utilizando os resultados do item (a).
5 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Dada a leitura VS = 1,7 V para o circuito

da figura a seguir, determine:
a) IDQ.
b) VGSQ.
198
c) IDSS.
d) VD.
e) VDS.
6 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito da figura a seguir, sabendo

que VD = 12 V, determine:
a) ID.
b) VS e VDS.
c) VG e VGS.
d) VP .
7 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Dado VDS = 4 V para o circuito da figura

a seguir, determine:
199
a) ID.
b) VD e VS.
c) VGS.
8 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Determine VD e VGS para o circuito da

figura a seguir, usando as informações fornecidas.

determine:
200
a) ID .
b) VGSQ e VDSQ .
c) VD e VS .
d) VDS.
10 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito combinado da figura a

seguir, determine:
201
a) VB e VG .
b) VE .
c) IE , IC e ID.
d) IB .
e) VC , VS e VD .
f) VCE .
g) VDS .
202
TÓPICO 2 —
UNIDADE 3
ANÁLISE DO FET PARA PEQUENOS SINAIS
1 INTRODUÇÃO
Segundo Boylestd e Nashelsky (2013), os amplificadores que utilizam
transistores de efeito de campo proporcionam um excelente ganho em tensão,
além da alta impedância de entrada que fornecem. São também dispositivos
muito pequenos e leves que possuem baixo consumo de potência, aplicáveis a
uma extensa gama de frequências.
O FET possui uma ampla possibilidade de uso, desde amplificadores

lineares até como dispositivo digital em circuito analógico (sendo muito comum
o uso do MOSFET tipo intensificação).
Entre as principais características a serem discutidas neste tópico, estão o

ganho de tensão, a impedância de entrada e a impedância de saída. Um ponto
importante a ser lembrado é que, devido à impedância de entrada ser muito
elevada, consideramos a corrente de entrada igual a 0 μA e o ganho de corrente é
muito grande (infinito).
2 MODELO JFET PARA PEQUENOS SINAIS

Inicialmente, devemos ter em mente que a tensão de entrada (porta-
fonte) controla a corrente do canal de saída (dreno-fonte) de um JFET. No tópico
anterior, vimos que, para a análise CC, a tensão porta-fonte controla a corrente do
dreno segundo a equação de Shockley.
Para a análise CA, utilizaremos a transcondutância. Ao analisar o gráfico

apresentado na Figura 12, é possível perceber que a transcondutância é igual à
inclinação da curva no ponto quiescente, ou seja,

(Eq. 42)
Ao analisar a curva, é possível perceber que, à medida que a curva se

aproxima de VGS = 0 V, o valor de gm aumenta e, quando se aproxima de VGS = VP ,
o valor de gm diminui.
203
FIGURA 12 – DEFINIÇÃO DE gm A PARTIR DA CURVA CARACTERÍSTICA DE TRANSFERÊNCIA
Contudo, o método gráfico pode ser muito limitante, de modo que

podemos determinar uma formulação matemática para tal. Inicialmente, sabendo
que a derivada de uma função em um ponto é igual à inclinação da reta tangente
nesse ponto, portanto, para calcular a derivada de ID em relação a VGS , temos: :
Logo,
(Eq. 43)
É utilizado o valor absoluto de VP , de modo a garantir um valor positivo

para gm.
Como vimos anteriormente, o valor máximo da inclinação da curva de

transferência ocorre em VGS = 0 V; logo, o valor máximo de gm ocorre em
(Eq. 44)
Podemos reescrever a Equação 43, em termos da Equação 44, de modo que:
204
TÓPICO 2 — ANÁLISE DO FET PARA PEQUENOS SINAIS
(Eq. 45)
Nas folhas de dados, o valor de gm é frequentemente informado como gfs

ou yfs .
É possível determinar o gráfico de gm versus VGS utilizando a Equação 45, e,

com os pontos VGS = VP e VGS = 0 V, chegamos à curva de primeiro grau apresentada
na Figura 13, na qual é possível notar que o valor máximo de gm ocorre em VGS
= 0 V e o valor mínimo, em VGS = VP. Outro ponto a ser realçado é que, quando a
tensão porta-fonte é a metade da tensão de pinch-off, o valor de gm é metade de seu
valor máximo.
FIGURA 13 – GRÁFICO gm VERSUS VGS
Na polarização CC, vimos que , de modo que podemos

reescrever a Equação 45 como:

(Eq. 46)
Por meio da Equação 46, podemos determinar alguns pontos para facilitar a
determinação da curva de ID versus gm (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
• Se ID = IDSS , temos .
205
• Se ID = IDSS /2, temos .
• Se ID = IDSS /4, temos .
A impedância de entrada dos JFETs disponíveis é suficientemente alta,

podendo assumir que os terminais de entrada se aproximam de um circuito
aberto (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013), logo,
(Eq. 47)
A impedância de saída (gos ou yos nas folhas de dados) possui unidade μS.
Na forma de equação (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
(Eq. 48)
A impedância de saída é definida nas curvas características como a

inclinação da curva característica no ponto de operação (Figura 14) e pode ser
escrita como (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013)
(Eq. 49)
Com base em tudo que foi discutido até aqui, é possível determinar o
circuito equivalente CA para o JFET (Figura 15).
FIGURA 14 – DEFINIÇÃO DE rd A PARTIR DAS CURVAS CARACTERÍSTICAS DE DRENO DO JFET
206
FIGURA 15 – CIRCUITO EQUIVALENTE CA DO JFET
3 CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA

Tendo determinado o circuito equivalente do JFET, é possível investigar
várias configurações fundamentais de pequenos sinais. Sendo uma análise similar
a desenvolvida ao TBJ, com a determinação de Zi , Zo e Av.
A configuração com polarização fixa (Figura 16A) inclui capacitores de

acoplamento, C1 e C2 , que servem para isolar o circuito de polarização do sinal
aplicado e da carga, atuando como curtos-circuitos na análise CA.
Uma vez determinados os valores de gm e rd , é possível substituir, entre os

terminais apropriados, o modelo CA equivalente (Figura 16B).
FIGURA 16 – CONFIGURAÇÃO JFET COM POLARIZAÇÃO FIXA (A) E SUBSTITUIÇÃO DO

CIRCUITO EQUIVALENTE CA DO JFET (B)
207
É possível redesenhar o circuito apresentado na Figura 16B, observando a

polaridade definida para Vgs , que define o sentido de (Figura 17). Caso Vgs < 0, o
sentido da fonte de corrente deve ser invertido (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 17 – CIRCUITO REDESENHADO
Determinando as variáveis através da análise da Figura 17, temos

• Zi :
Zi = RG (Eq. 50)
• Zo : com a tensão de entrada igual a zero, teremos a fonte de corrente também

igual a zero, de modo que:
Zo = RD || rd (Eq. 51)
◦ Caso a resistência rd seja suficientemente alta em relação a RD(pelo menos 10

vezes o valor de RD), a impedância de saída é dada por:
Zo ≅ RD (Eq. 51)
• Av : calculando o valor de Vo na Figura 17:
Vo = -gm Vgs (rd ||RD )
◦ Entretanto, Vgs – Vi , de modo que:
Vo = -gm Vi (rd ||RD )
208
◦ Portanto,
(Eq. 53)
4 CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
4.1 RS COM DESVIO

O capacitor CS em paralelo com a resistência da fonte, Figura 18 A,
representa um circuito aberto para a operação CC, permitindo que RS defina o
ponto de operação. Porém em condições CA, o capacitor assume o estado de
curto-circuito.
Através da análise do circuito presente na Figura 18B, temos que a

impedância de entrada é dada por

Zi = RG (Eq. 54)
A impedância de saída é
Zo = rd || RD (Eq. 55)
Se rd ≥ 10 RD ,

Zo ≅ RD (Eq. 56)
O ganho é dado por
Av = -gm (rd || RD) (Eq. 57)
Se rd ≥ 10 RD ,
Av = -gm RD (Eq. 58)
É importante notar que o ganho apresenta um sinal negativo, indicando

que a saída possui um deslocamento de fase de 180° em relação ao sinal de entrada.
209
FIGURA 18 – CONFIGURAÇÃO DO JFET COM AUTOPOLARIZAÇÃO (A) E APÓS A

SUBSTITUIÇÃO DO CIRCUITO EQUIVALENTE CA DO JFET (B)
4.2 RS SEM DESVIO

Caso seja removido o capacitor CS na Figura 18A, a resistor RS fará parte
do circuito equivalente CA, conforme Figura 19A.
Tanto para o circuito da Figura 19A quanto para o circuito da Figura 19B
a impedância de entrada é dada por:
Zi = RG (Eq. 59)
A seguir, será realizada a análise para o circuito da Figura 19B e, em

seguida, as devidas considerações para o circuito da Figura 19A.
A impedância de saída é dada por:
Aplicando-se a LKC ao nó azul na Figura 19B:
I0 = gm Vgs + Ird - ID
Além disso, Vrd = V0 + Vgs , portanto, substituindo e fazendo as devidas

simplificações, temos que a impedância de entrada pode ser determinada por

(Eq. 60)
210
Para rd ≥ RD , ou rd = ∞ Ω ,
Zo = RD (Eq. 61)
O ganho é dado por (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 62)
Para rd ≥ (RD + RS), ou rd = ∞ Ω ,
(Eq. 63)
Novamente, o ganho apresenta um sinal negativo, indicando que a saída

possui um deslocamento de fase de 180° em relação ao sinal de entrada.
211
FIGURA 19 – CONFIGURAÇÃO DO JFET COM AUTOPOLARIZAÇÃO INCLUINDO O EFEITO DE

RS CONSIDERANDO rd = ∞ Ω (A) E rd (B)
212
5 CONFIGURAÇÃO COM DIVISOR DE TENSÃO

A Figura 20A apresenta uma configuração por divisor de tensão para o
JFET, enquanto a Figura 20B mostra a substituição do JFET por seu equivalente
CA e o aterramento das fontes CC, de modo que, se analisarmos o circuito,
verificaremos que, após o aterramento, R1||R2 e RD||rd.
Por meio da análise da Figura 20B, é possível verificar que (BOYLESTAD;

NASHELSKY, 2013):
• A impedância de entrada é dada por:
(Eq. 64)
• A impedância de saída é dada por:
(Eq. 65)
◦ Para rd ≥ 10RD:
(Eq. 66)
• O ganho é dado por:
(Eq. 67)
◦ Para rd ≥ 10RD:
(Eq. 68)
213
FIGURA 20 – CONFIGURAÇÃO JFET POR DIVISOR DE TENSÃO (A) E CIRCUITO PARA

ANÁLISE CA (B)
6 CONFIGURAÇÃO PORTA-COMUM
A Figura 21A apresenta a configuração porta-comum para o JFET e o seu
circuito equivalente para análise CA é apresentado na Figura 21B.
Pela análise da Figura 21B, podemos concluir que (BOYLESTAD;

NASHELSKY, 2013):
• Impedância de entrada: para a sua obtenção, é importante perceber que a

resistor RS está em paralelo com os terminais de entrada, porém é necessário
determinar a impedância Zi' , que também está em paralelo com RS .
◦ Resolvendo o circuito, encontramos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 69)

◦ Desse modo,
(Eq. 70)

◦ Se rd ≥ 10RD ,
Zi ≅ RS || ¹⁄gm (Eq. 71)
• Impedância de saída: substituindo-se o valor Vi = 0 V,
Zo =RD || rd (Eq. 72)
214
◦ Se rd ≥ 10RD ,
Zo ≅ RD (Eq. 73)
◦ Ganho:
(Eq. 74)
◦ Se rd ≥ 10RD ,
Av ≅ gm RD
FIGURA 21 – CONFIGURAÇÃO PORTA-COMUM DO JFET (A) E CIRCUITO APÓS INTRODUÇÃO

DO CIRCUITO EQUIVALENTE CA DO JFET (B)
A configuração seguidor de fonte (dreno-comum) segue o mesmo

raciocínio apresentado até aqui e as fórmulas referentes serão apresentadas no
resumo mais adiante.
7 MOSFETS TIPO DEPLEÇÃO

A equação de Shockley também é aplicável aos MOSFETs tipo depleção
(D-MOSFETs), portanto, a equação de gm é a mesma e tem como única diferença
o fato de os valores para VGSQ poderem ser positivos em dispositivos de canal n e
negativos em dispositivos de canal p e, consequentemente, a possibilidade de gm ser
maior que gmo (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) – mais adiante, nos exercícios
resolvidos, veremos um exemplo de um circuito para auxiliar no entendimento.
215
8 MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO

Podem ser de canal n (nMOS) ou de canal p (pMOS), conforme
demonstrado na Figura 22. Para os E-MOSFETs, a dedução do g m é obtida
pela equação:
Sabemos que:
Portanto,
Logo,
(Eq. 76)
FIGURA 22 – MODELO CA DE PEQUENOS SINAIS PARA O MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
216
Os estudos para as configurações de realimentação do dreno e para

divisor de tensão são semelhantes e serão apresentados somente no resumo das
fórmulas, conforme descrito a seguir.
9 RESUMO
A Tabela 2 apresenta uma lista com algumas equações desejadas de Zi , Zo e
Av para várias configurações com FET.
TABELA 2 – Zi , Zo e Av PARA VÁRIAS CONFIGURAÇÕES COM FET
217
218
DICAS
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Dado o circuito da figura a seguir e sabendo que

VGSQ = 0,35 V e IDQ = 7,6 mA , determine:
a) gm e compare com gmo.

R.: Pela Equação 44:
Pela Equação 45:
É possível perceber que o valor de gm é maior que gmo.
b) rd .
219
c) O esboço do circuito equivalente CA.

R.: Trocando o MOSFET pelo seu equivalente CA e reorganizando o circuito, obtemos a
figura a seguir:
G D
Para os próximos itens, podemos perceber uma grande similaridade com o circuito JFET
divisor de tensão.
d) Zi .
e) Z0 .
Podemos perceber que Zo ≅ RD , o que está de acordo com a Equação 66, visto que 10RD
= 10(1,8 kΩ) = 18 kΩ < 100 kΩ = rd.
f) Av .
R.: Conforme verificado na resposta da alternativa e, logo pela Equação 68,
2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Escolha valores de RD e RS de modo que o circuito

apresentado na figura a seguir produza um ganho igual a 8, utilizando um valor de gm
relativamente alto para esse dispositivo, definido em .
220
R.: O ponto de operação é dado por:
E por:
Pela Equação 45:
O valor absoluto do ganho em tensão CA, pela Equação 57, é:
Logo,
O valor de é dado por:
Portanto,
Que é um valor comercial.

Para a determinação do valor de RS, utilizaremos as condições CC de operação, de modo
que:
O valor comercial mais próximo é Ω.
3 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Calcule a polarização CC, o ganho de tensão, a

impedância de entrada, a impedância de saída e a tensão de saída resultante para o
amplificador em cascata apresentado na figura a seguir. Calcule a tensão da carga de
10kΩ conectada à saída.
221
R.: Utilizando as técnicas de polarização CC, temos que:
Por meio da Equação 44:
No ponto de polarização CC, utilizando a Equação 45:
Como não há uma carga no segundo estágio (Equação 68), pois:
Para o primeiro estágio, temos que 2,4 kΩ||3,3 MΩ ≅ 2,4 kΩ, de modo que teremos o
mesmo ganho do segundo estágio (Av = Av = -6,24).
1 2
O ganho total (ganho em cascata) é dado pelo produto dos ganhos:
É importante notar que temos dois estágios de ganho negativo, o que significa que a saída
está em fase com a entrada, ou seja, possui ganho positivo. Portanto,
A impedância de entrada do amplificador em cascata é igual à impedância do primeiro

estágio:
222
A impedância de saída do amplificador em cascata é igual à impedância do segundo

estágio:
A tensão de saída, após a conexão da carga de 10 kΩ, é dada por:
223
RESUMO DO TÓPICO 2
• Os amplificadores que utilizam transistores de efeito de campo proporcionam

um excelente ganho em tensão, além da alta impedância de entrada,
características desejáveis para equipamentos de alta fidelidade e baixa
distorção.
• O circuito equivalente CA para os FETs, mostrado na figura a seguir, permite

analisar o comportamento do JFET na presença de pequenos sinais.
• A configuração do FET com polarização fixa inclui capacitores de acoplamento

que servem para isolar o circuito de polarização do sinal aplicado e da carga,
atuando como curtos-circuitos na análise CA.
• O ganho de tensão Av do FET nas configurações de autopolarização e divisor

de tensão é negativo, ou seja, a tensão de saída está defasada em 180° da tensão
de entrada.
• A transcondutância do Mosfet tipo intensificação pode ser calculada pela

seguinte expressão:
224
AUTOATIVIDADE
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito apresentado na figura a

seguir, determine:
a) Zi , Zo e Av .
b) Repita o item a) considerando rd = 60 kΩ.
2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Determine o valor de VGS(Th) = 3 V se

estiver polarizado em VGS = 8 V. Suponha que k = 0,3 x 10-3.
Q

determine:
225
a) Zi , Zo e Av se k = 0,3 x 10-3.
b) Repita o item a) considerando k = 0,2 x 10-3.
4 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Determine a tensão de saída para o

circuito da figura a seguir, considerando Vi = 0,8 mV e rd = 40 kΩ.
5 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Projete um circuito com autopolarização

de acordo com a figura a seguir, de modo que obtenha um ganho igual a 10. O
dispositivo deve ser polarizado em VGS = (1 ⁄ 3)VP .
Q
226
TÓPICO 3 —
UNIDADE 3
RESPOSTA EM FREQUÊNCIA DO TRANSISTOR BIPOLAR

DE JUNÇÃO (TBJ) E JFET
1 INTRODUÇÃO
Todas as análises feitas anteriormente foram realizadas utilizando uma

frequência específica, nas quais os amplificadores permitiam ignorar os efeitos
dos elementos capacitivos, de modo geral, sendo análises limitadas aos elementos
resistivos e fontes (controladas ou independentes).
Neste tópico, analisaremos os efeitos que os capacitores maiores

introduzem quando os circuitos são expostos à baixa frequência e o efeito dos
elementos capacitivos menores em condição de alta frequência (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
Veremos gráficos com a escala em decibéis, portanto, é fortemente

recomendado que, antes do início do estudo deste tópico, seja realizada uma
revisão sobre logaritmos (logaritmo comum e natural, suas principais relações e
operações); além disso, é importante rever as escalas monolog e como utilizá-la,
decibéis (fórmulas, especificações de componentes, ganho em dB e as relações de
ganho em dB e ganho em tensão).
2 CONSIDERAÇÕES SOBRE FREQUÊNCIA

A frequência aplicada em um circuito é extremamente importante na
análise de um circuito, tendo sido estudada nos tópicos anteriores com base
em um aspecto de frequência média, de modo que, em baixas frequências, não
é possível substituir os capacitores por curto-circuito e, em alta frequência,
poderemos ter capacitâncias parasitas relacionadas aos elementos do circuito ou
externos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
2.1 FAIXA DE BAIXA FREQUÊNCIA

Inicialmente, analisaremos a reatância, que é definida por:
(Eq. 77)
227
A Tabela 3 apresenta os valores de reatância de 10 Hz a 100 MHz para um

capacitor de 1 . Analisando os resultados, podemos notar que, na faixa de 10 Hz
a 10 kHz, a reatância é grande o suficiente para ter impacto sobre a resposta do
sistema. Para frequências mais elevadas, as reatâncias são mais baixas e podem
ser consideradas curtos-circuitos. Desse modo, podemos concluir que capacitores
maiores de um sistema exercerão um impacto importante sobre a resposta de um
sistema na faixa de baixa frequência e podem ser ignorados para a região de alta
frequência (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
TABELA 3 – VALORES DE REATÂNCIA PARA UM CAPACITOR DE 1
2.2 FAIXA DE ALTA FREQUÊNCIA

A Tabela 4 mostra os valores de reatância de 10 Hz a 100 MHz para um
capacitor de 5 pF. Analisando os resultados, podemos notar que, na faixa de 10 Hz
a 10 kHz, a reatância é alta o suficiente para ser considerada curto-circuito. Para
frequências mais elevadas, as reatâncias podem afetar gravemente a resposta do
circuito. Desse modo, os capacitores menores do sistema exercerão um impacto
importante sobre a resposta de um sistema na faixa de alta frequência e podem ser
ignorados para a região de baixa frequência (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
TABELA 4 – VALORES DE REATÂNCIA PARA UM CAPACITOR DE 5 pF
228
TÓPICO 3 — RESPOSTA EM FREQUÊNCIA DO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ) E JFET
2.3 FAIXA DE MÉDIA FREQUÊNCIA

Na faixa de média frequência, o efeito dos elementos capacitivos é amplamente
ignorado, de modo que o amplificador é considerado ideal e composto simplesmente
de elementos resistivos e fontes controladas, tornando possível obter parâmetros
importantes como impedância e ganho (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
2.4 RESPOSTA EM FREQUÊNCIA TÍPICA

Na Figura 23, é possível observar as curvas de ganho de um amplificador com
acoplamento RC, acoplamento direto e acoplamento por transformador, podendo-
se notar que a escala horizontal é logarítmica, de modo a facilitar a plotagem em um
espectro grande de frequências, que também definem as regiões de baixa, média e
alta frequência, com explicações dos principais motivos para a redução do ganho.
Para o amplificador com acoplamento RC, conforme pode ser observado na

Figura 23A, a queda em baixas frequências se dá devido ao aumento das reatâncias
CC , CS e CE , enquanto, no limite superior de frequências, é decorrente tanto dos
elementos capacitivos parasitas quanto pelo ganho dependente da frequência do
dispositivo ativo (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 23 – GANHO VERSUS FREQUÊNCIA PARA AMPLIFICADORES COM ACOPLAMENTO RC

(A); AMPLIFICADORES COM ACOPLAMENTO POR TRANSFORMADOR (B); AMPLIFICADORES
COM ACOPLAMENTO DIRETO (C)
229
Antes de comentar sobre a queda do ganho do transformador, é importante

relembrarmos da reatância indutiva, que é dada por:
(Eq. 78)
Podemos dizer que, em baixas frequências, temos um “efeito de curto”

entre os terminais de entrada do transformador, devendo haver ganho igual a zero
em , de modo que, nesse ponto, não há fluxo variável através do núcleo, o
qual induz a tensão no enrolamento secundário. Para altas frequências, o controle
será feito principalmente pelas capacitâncias parasitas entre as espiras dos enro-
lamentos primário e secundário (Figura 23B) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Para os sistemas de acoplamento direto, como não existem capacitores de

acoplamento ou de desvio, não haverá queda no ganho em baixas frequências,
logo, haverá o mesmo ganho até a frequência de corte superior. Esta frequência de
corte superior será determinada pelas capacitâncias parasitas e pela dependência
do ganho com frequências do dispositivo ativo (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Ainda na Figura 23, é possível perceber as frequências , que,

normalmente, são chamadas de frequência de canto, corte, banda, quebra ou
meia potência, e determinadas como , valor escolhido em razão de a
potência de saída ser igual à metade do valor da potência de saída no meio da
faixa (frequência média) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
Nas potências de média frequência (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
(Eq. 79)
A largura de banda, ou a banda passante, é dada por (BOYLESTAD;

NASHELSKY, 2013):
(Eq. 80)
Em que é a frequência superior e é a frequência inferior (Figura 23).
É importante lembrarmos que as folhas de dados dos amplificadores

trazem, normalmente, o gráfico do ganho em dB versus a frequência, em vez
de apenas ganho versus frequência. Outro detalhe importante é que a curva é
normalizada, ou seja, é dividido o valor vertical por um valor ou variável sensível
a uma combinação ou variáveis do sistema (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
230
Uma equação importante que devemos lembrar é:
(Eq. 81)
Para as frequências em meio de faixa, teremos , e, para a

frequência de corte, dB (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
DICAS
Caro acadêmico, recomendamos que você realize uma revisão do diagrama

de Bode (estudado na disciplina de Circuitos Elétricos), pois ele será utilizado no restante
do tópico.
Para refrescar sua memória, assista a uma aula sobre esse assunto, acessando:
https://youtu.be/OIydX3TnBHg.
3 RESPOSTA EM BAIXA FREQUÊNCIA – AMPLIFICADOR COM

TBJ COM RL
Inicialmente, avaliaremos as capacitâncias que determinam a resposta em
baixa frequência. Para isso, utilizaremos um sistema na configuração por divisor
de tensão com carga RL (Figura 24A):
• Cs: a forma geral da configuração RC é apresentada na Figura 24B, de modo que,

aplicando-se divisor de tensão, obtemos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 82)
○ Portanto,
○ Entretanto, , sendo .
231
○ Temos que:
(Eq. 83)
○ Na frequência , a tensão Vb será 70,7% do valor de meio de faixa, supondo-

se que Cs seja o único elemento capacitivo que controla a resposta em baixas
frequências (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 24 – AMPLIFICADOR COM TBJ COM CARGA E CAPACITORES QUE AFETAM A RES-
POSTA EM BAIXAS FREQUÊNCIAS (A) E DETERMINAÇÃO DO EFEITO DE Cs NA RESPOSTA EM
BAIXAS FREQUÊNCIAS (B)
• Cc: a Figura 25A apresenta a configuração RC para a determinação da frequência

de corte inferior devido a Cc. É possível notar que o capacitor de acoplamento
normalmente está conectado entre a saída do dispositivo e a carga aplicada. A
resistência total em série é igual a , e a frequência de corte devido Cc é
de (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 84)
○ Por meio da Figura 25B, vemos que:
Ro = Rc ||ro (Eq. 85)

232
FIGURA 25 – CIRCUITO PARA A DETERMINAÇÃO DO EFEITO Cc NA RESPOSTA EM BAIXA FRE-

QUÊNCIA (A) E CIRCUITO EQUIVALENTE CA ENCONTRADO PARA Cc COM (B)
• CE: para que seja possível determinar o circuito “visto” por CE e o valor de ,
utilizaremos o circuito apresentado na Figura 26A. Portanto, uma vez tendo o
valor de Re (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 86)
○ Por meio do circuito da Figura 26B, o valor de Re é dado por (BOYLESTAD;

NASHELSKY, 2013):
(Eq. 87)
○ O efeito de CE no ganho é mais bem descrito de maneira quantitativa. Para

a configuração apresentada na Figura 26C, temos (BOYLESTAD; NASHEL-
SKY, 2013):
○ Portanto, o ganho máximo ocorrerá quando RE for igual a zero.
233
FIGURA 26 –DETERMINAÇÃO DO EFEITO DE CE NA RESPOSTA EM BAIXA FREQUÊNCIA (A),

EQUIVALENTE CA ENCONTRADO PARA CE (B) E CIRCUITO EMPREGADO PARA DESCREVER O
EFEITO DE CE SOBRE O GANHO DO AMPLIFICADOR (C)
Caso seja adicionado um resistor RS , resistência da fonte, podemos

resolver, de modo análogo, os passos anteriores para obtermos equações idênticas
de CC e CE e uma única mudança na análise CS ; assim, teremos:
(Eq. 88)
4 RESPOSTA EM BAIXA FREQUÊNCIA – AMPLIFICADOR COM

FET
A Figura 27 apresenta um circuito com JFET com os elementos capacitivos
que afetam a resposta em baixa frequência. Nesse caso, também existem três
capacitores que são muito importantes para o circuito: CG ,CC e CS.
• CG: o circuito equivalente CA é apresentado na Figura 28A, a frequência de

corte por CG é dada por (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 89)
234
FIGURA 27 – ELEMENTOS CAPACITIVOS QUE AFETAM A RESPOSTA EM BAIXA FREQUÊNCIA DE

UM AMPLIFICADOR COM JFET
○ Para o circuito da Figura 27 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
(Eq. 90)
• CC: para o capacitor de acoplamento entre o dispositivo ativo e a carga (Figura

28B), que corresponde exatamente a Figura 26A, a frequência de corte resultante
é dada por (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 91)
○ Para o circuito da Figura 27 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
(Eq. 92)
• CS: para o capacitor de fonte CS , o circuito para análise de seu efeito em baixa
frequência é apresentado na Figura 28C, sua frequência de corte é dada por
(Eq. 93)
○ No caso da Figura 27 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 94)
○ Para (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
235
(Eq. 95)
FIGURA 28 – DETERMINAÇÃO DO EFEITO DE CG (A), CC (B) E CS (C) NA RESPOSTA EM BAIXA

FREQUÊNCIA
5 RESPOSTA EM ALTAS FREQUÊNCIAS – AMPLIFICADOR

COM TBJ
Existem dois fatores que definem o ponto de corte de − 3 dB no lado das altas
frequências: a dependência do , em função da frequência, e as capacitâncias
do circuito (introduzidas ou parasitas) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
É possível notar, na Figura 29A, a inclusão de capacitâncias parasitas

e de fiação e o respectivo modelo CA (Figura 29B). Ainda
na Figura 29A, podemos observar a ausência dos capacitores CS , CC e CE que são
considerados curtos-circuitos nessa faixa de frequência.
Na Figura 29B, percebemos que a capacitância Ci é composta pela soma

da capacitância da fiação da entrada , da capacitância de transição e da
capacitância Miller . Já a capacitância CO é composta pela soma da capacitância
da fiação na saída , da capacitância parasita Cce e da capacitância Miller na
saída . De modo geral, o valor da capacitância Cbe é o maior e de Cce, o menor
(muitas vezes, nem aparece nas folhas de dados, sendo informado somente em
situações específicas) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 29 –AMPLIFICADOR COM TBJ COM CARGA E CAPACITORES QUE AFETAM A

RESPOSTA EM ALTA FREQUÊNCIA (A) E MODELO CA EQUIVALENTE DO CIRCUITO (B)
236
Determinando o circuito equivalente de Thévenin para os circuitos de

entrada e de saída da Figura 29B, temos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 96)
Com:
RThi= Rs || R₁ || R₂ ||Ri (Eq. 97)

Ci = Cwi + Cbe + CMi = Cwi + Cbe + ( 1-Av ) Cbc (Eq. 98)
Para o circuito de saída (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
(Eq. 99)
Com:
Co= Cwo +Cce+ CMo = Cwo + Cce + ( 1-1/Av ) Cbc (Eq. 100)

Para valores de ganho altos (1≫1/Av),
Co ≅ Cwo+ Cce+ Cbc (Eq. 101)
Na Figura 30, é apresentado o circuito de Thévenin equivalente.
FIGURA 30 – CIRCUITOS DE THÉVENIN PARA AS MALHAS DE ENTRADA (A) E SAÍDA (B) DO

CIRCUITO DA FIGURA 29B
237
6 RESPOSTA EM ALTAS FREQUÊNCIAS – AMPLIFICADORES

COM FET
Realizada de maneira semelhante ao TBJ. Analisando a Figura 31A,
é possível verificar a existência de capacitâncias intereletrodos e de fiação. As
frequências de corte podem ser obtidas determinando-se o circuito equivalente
de Thévenin (Figura 32) da entrada e da saída do circuito da Figura 31B
FIGURA 31 – AMPLIFICADOR COM JFET COM CARGA E CAPACITORES QUE AFETAM A RES-
POSTA EM ALTA FREQUÊNCIA (A) E MODELO CA EQUIVALENTE DO CIRCUITO (B)
Para o circuito de entrada (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
(Eq. 102)
(Eq. 103)
(Eq. 104)
Em que:
(Eq. 105)
238
Para o circuito de saída (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
(Eq. 106)
(Eq. 107)
(Eq. 108)
Em que:
(Eq. 109)
FIGURA 32 – CIRCUITOS DE THÉVENIN PARA AS MALHAS DE ENTRADA (A) E SAÍDA (B) DO

CIRCUITO DA FIGURA 31B
7 EFEITOS DA FREQUÊNCIA EM CIRCUITOS MULTIESTÁGIOS

Caso ocorra um segundo estágio com transistor que seja conectado
diretamente à saída do primeiro estágio, a resposta completa do circuito
sofrerá uma alteração significativa, de modo que, na região de alta frequência, a
capacitância de saída CO deve incluir a capacitância de fiação (Cw1), a capacitância
parasita Cbe e a capacitância Miller (CMi) do estágio seguinte. Além disso, terá
valores menores da frequência de corte, decorrentes do segundo estágio,
reduzindo ainda mais o ganho total do sistema nessa região. Desse modo, a
frequência de corte inferior será determinada pelo estágio que possuir a maior
frequência de corte (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Na Figura 33 mostra o resultado, caso seja aumentado o número de

estágios idênticos de um sistema, sendo possível perceber que, com um estágio,
temos uma inclinação de –20 dB/década, com dois estágios, –40 dB/década e, com
três estágios, –60 dB/década. Desse modo, é possível determinar a frequência de
corte de acordo com o número de estágios, sendo
239
(Eq. 110)
E:
(Eq. 111)
FIGURA 33 – EFEITO DE UM NÚMERO CRESCENTE DE ESTÁGIOS SOBRE AS FREQUÊNCIAS DE

CORTE E A LARGURA DE BANDA
DICAS
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Dada a resposta em frequência da figura a seguir:
240
a) Determine as frequências de corte usando as medições fornecidas.
R.: Frequência de corte inferior:
Portanto, .
Frequência de corte superior:
Portanto, .
b) Determine a largura de banda da resposta.
R.: A largura de banda pode ser determinada pela Equação 80, logo,
c) Esboce a resposta normalizada.
R.: Para determinação da resposta normalizada, dividiremos todos os valores pelo valor de
banda média (valor máximo) de 128, conforme Figura 25, tendo como valor máximo 1 e o
valor da banda de corte em 0,707.
241
EFEITO MILLER
Albert Malvino
David Bates
Um amplificador inversor com um ganho de tensão de AV produz uma

tensão de saída que está 180° fora da fase em relação à tensão de entrada (Figura 1).
FIGURA 1: (A) AMPLIFICADOR INVERSOR; (B) O EFEITO MILLER PRODUZ UM CAPACITOR DE

ENTRADA MAIOR
Capacitor de realimentação
Na Figura 1A, o capacitor entre os terminais de entrada e saída é

denominado capacitor de realimentação (feedback), porque o sinal de saída
do amplificador é realimentado na entrada. Um circuito como esse é difícil de
analisar, pois o capacitor de realimentação afeta os circuitos de entrada e saída
simultaneamente.
Conversão do capacitor de realimentação
Felizmente, existe um artifício denominado teorema de Miller, que

converte o capacitor em dois capacitores separados, como mostra a Figura 1B.
Esse circuito equivalente é mais fácil porque o capacitor de realimentação se
apresenta dividido em duas novas capacitâncias, . Com o uso de
álgebra complexa, é possível deduzir as seguintes equações:
242
O teorema de Miller converte o capacitor de realimentação em dois

capacitores equivalentes, um na entrada e outro na saída. Isso cria dois problemas
simples, em vez de um grande problema. As equações 1 e 2 são válidas para
qualquer amplificador inversor, como um amplificador emissor comum, um
amplificador emissor comum com realimentação parcial ou um amplificador
operacional inversor. Nessas equações, AV é o ganho de tensão em banda média.
Geralmente, AV é muito maior que 1 e é aproximadamente igual

à capacitância de realimentação. É notável, no uso do teorema de Miller, o efeito
sobre a capacitância de entrada . Ela mostra-se como se a capacitância de
realimentação fosse amplificada, obtendo-se uma nova capacitância que é AV +1
vezes maior. Esse fenômeno, conhecido como efeito Miller, tem aplicações úteis
porque cria capacitores artificiais ou virtuais muito maiores que o capacitor de
realimentação.
Compensação em um Amplificador Operacional
A maioria dos amp-ops são internamente compensados, o que significa

que incluem um capacitor de desvio dominante, que provoca o decaimento do
ganho de tensão a uma taxa de 20 dB por década. O efeito Miller é usado para
produzir esse capacitor de desvio dominante.
Essa é a ideia básica: um dos estágios amplificadores em um amp-op tem

um capacitor de realimentação, como mostra a Figura 2A. Com o teorema de
Miller, podemos converter esse capacitor de realimentação em dois capacitores
equivalentes (Figura 2B). Agora, existem dois circuitos de atraso, um na entrada e
outro na saída. Devido ao efeito Miller, o capacitor de desvio na entrada é muito
maior do que o capacitor de desvio na saída. Como resultado, o circuito de atraso
é dominante; ou seja, ele determina a frequência de corte do estágio. O capacitor
de desvio de saída geralmente não tem efeito até que a frequência de entrada seja
várias décadas maior.
Em um amp-op típico, o circuito de atraso de entrada (Figura 2B) produz

uma frequência de corte dominante. O ganho de tensão cai na frequência de
corte a uma taxa de 20 dB por década até que a frequência de entrada alcance a
frequência de ganho unitário.
243
FIGURA 2: O EFEITO MILLER PRODUZ UM CIRCUITO DE ATRASO DE ENTRADA
FONTE: Adaptado de MALVINO, A.; BATES, D. Eletrônica. 8. ed. Porto Alegre: AMGH, 2016. v. 2.
244
RESUMO DO TÓPICO 3
• Os circuitos envolvendo transistores têm seu comportamento fortemente

relacionado à frequência dos sinais aplicados a eles. É necessário lembrar que,
quanto maior a frequência de um sinal, menor é a reatância capacitiva inerente
do circuito.
• O limite superior de frequências em que o transistor pode operar é definido,

majoritariamente, pelas capacitâncias parasitas.
• O parâmetro mais afetado pela frequência do sinal é o ganho de tensão, cuja

análise é feita, geralmente, considerando seu valor em decibéis.
• Existem dois fatores que definem o ponto de corte de −3 dB no lado das

altas frequências: a dependência do , em função da frequência, e as
capacitâncias do circuito.
• Para um amplificador TBJ para altas frequências, as frequências de corte de

entrada e saída são, respectivamente:
• Para amplificadores a transistor de efeito de campo, as frequências de corte de

entrada e saída são, respectivamente:
CHAMADA

245
AUTOATIVIDADE
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Com base no circuito da figura a seguir:
a) Determine re.
b) Encontre .
c) Calcule Zi.
d) Encontre .
e) Determine a frequência de corte inferior.
2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Considere o circuito apresentado na

figura a seguir:
246
a) Determine .
b) Calcule .
c) Calcule o ganho no meio da faixa de .
d) Determine Zi.
e) Calcule .
f) Encontre .
g) Determine a frequência de corte inferior.
h) Esboce as assíntotas do diagrama de Bode definido pelo item (f).
i) Esboce a resposta em baixas frequências para o amplificador utilizando os

resultados do item f.
3 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Com base no circuito da figura a seguir:
FONTE: Adaptada de Boylestad; Nashelsky (2013, p. 501-502)
a) Determine .
b) Determine .
c) Utilizando o diagrama de Bode, esboce a resposta em frequência para a

região de altas frequências e determine a frequência de corte.
d) Qual é o produto ganho-largura de banda do amplificador?
247
4 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito apresentado na figura a
seguir:
a) Determine .
b) Calcule AV e AVs para a faixa central do espectro.
c) Determine .
d) Utilizando o diagrama de Bode, esboce a resposta em frequência para a

região de altas frequências e determine a frequência de corte.
e) Qual é o produto ganho-largura de banda do amplificador?
5 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Um amplificador com quatro estágios

possui frequência inferior de 3 dB igual a f1 = 40 Hz para um estágio. Qual é
o valor de f1 para o amplificador completo?
248
REFERÊNCIAS
Circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013. Disponível em:
https://bit.ly/3fX1idZ. Acesso em: 27 mar. 2021.
MALVINO, A.; BATES, D. Eletrônica. 8. ed. Porto Alegre: AMGH, 2016. v. 2.
249

Eletrônica Analógica I

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Na Educação a Distância, o livro impresso, entregue a todos os acadêmicos desde 2005, é

Assim, a UNIASSELVI, preocupando-se com o impacto de nossas ações sobre o ambiente,

Aproveito o momento para convidá-lo para um bate-papo sobre o Exame Nacional de

Olá, acadêmico! Iniciamos agora mais uma disciplina e com ela

Com o objetivo de enriquecer seu conhecimento, construímos, além do livro

Conte conosco, estaremos juntos nesta caminhada!

TÓPICO 1 — MATERIAIS SEMICONDUTORES............................................................................ 3

TÓPICO 3 — APLICAÇÕES DE DIODOS....................................................................................... 45

UNIDADE 2 —TRANSISTORES I..................................................................................................... 69

TÓPICO 1 — TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO (TBJ).............................................. 71

TÓPICO 2 —TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO........................................................... 125

TÓPICO 3 — ANÁLISE DA CORRENTE ALTERNADA (CA) DO TRANSISTOR

UNIDADE 3 — TRANSISTORES II................................................................................................ 176

TÓPICO 1 — POLARIZAÇÃO DO TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FET)........ 178

TÓPICO 2 — ANÁLISE DO FET PARA PEQUENOS SINAIS................................................... 204

TÓPICO 3 — RESPOSTA EM FREQUÊNCIA DO TRANSISTOR BIPOLAR

• compreender e conhecer algumas aplicações dos materiais semicondutores;

TÓPICO 1 – MATERIAIS SEMICONDUTORES

TÓPICO 3 – APLICAÇÕES DE DIODOS

Preparado para ampliar seus conhecimentos? Respire e vamos

Antes de apresentar os materiais semicondutores, relembraremos os

• Materiais condutores possuem resistividade muito baixa (normalmente

Normalmente, um bom condutor apresenta uma condutividade na ordem

FIGURA 1 – ESTRUTURA DO DIAMANTE (A) E GRAFITE (B)

FONTE: Schuler (2013, p. 26)

FIGURA 2 – MODELO DE BOHR PARA O ÁTOMO DE COBRE

FONTE: <https://www.gratispng.com/png-to1wru/download.html>. Acesso em: 20 jun. 2020.

Por exemplo, em um pequeno pedaço de fio de cobre, existem bilhões de

O silício é o material semicondutor mais utilizado na eletrônica, para

FIGURA 3 – ESTRUTURA DO FIO DE COBRE

FONTE: Schuler (2013, p. 28)

FIGURA 4 – ESTRUTURA ATÔMICA DO ÁTOMO DE SILÍCIO

FONTE: Schuler (2013, p. 29)

FIGURA 5 – ESTRUTURA CRISTALINA DOS ÁTOMOS DE SILÍCIO (A) E CRISTAL DE SILÍCIO NO

FONTE: <http://www.eletronpi.com.br/ce-024-semicondutor.aspx>. Acesso em: 3 jun. 2020.

2.1 NÍVEIS DE ENERGIA

FIGURA 6 – NÍVEIS DISCRETOS DE ENERGIA EM ESTRUTURA ATÔMICA ISOLADA

FONTE: Boylestad; Nashelsky (2013, p. 6)

Os elétrons da banda de condução possuem um nível mínimo de energia

É possível classificar os materiais de acordo com o gap de energia necessário

A unidade de medida utilizada para avaliar o gap de energia é o eV (elétron-

No caso em que um elétron é submetido a uma diferença de potencial de

Esse nível de energia é conhecido como elétron-volt, ou seja:

1 eV=1,6 x 10⁻¹⁹ J (Eq. 2)

FIGURA 7 – BANDAS DE CONDUÇÃO E VALÊNCIA DE UM ISOLANTE, UM SEMICONDUTOR E

FONTE: Boylestad; Nashelsky (2013, p. 6)

2.3 MATERIAIS DO TIPO N

Na Figura 8, temos a formação de um cristal do tipo n com a inserção de

FIGURA 8 – FORMAÇÃO DO CRISTAL DO TIPO N

FONTE: Galdino (2012, p. 14)

2.4 MATERIAIS DO TIPO P

A Figura 9 apresenta a formação de um cristal do tipo n com a inserção

FIGURA 9 – FORMAÇÃO DO CRISTAL TIPO P

FONTE: Schuler (2013, p. 31)

2.5 PORTADORES MAJORITÁRIOS E MINORITÁRIOS

Em seu estado extrínseco, ou seja, quando o elemento é dopado, podem

• Quando se adicionam elementos de impureza com cinco elétrons na camada

FIGURA 10 – MATERIAL DO TIPO N (A) E MATERIAL DO TIPO P (B)

FONTE: Boylestad; Nashelsky (2013, p. 9)

Para um semicondutor extrínseco, apesar da concentração de elétrons livres

Em que n representa a concentração de elétrons livres do material

Como foi visto, para um semicondutor dopado (extrínseco), o aumento de

Na prática, tem-se que a concentração de impurezas adicionadas ao